KR20140103008A - 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 발광효율, 발광 휘도, 발광 수명을 구현할 수 있는 유기 발광 소자와 이에 이용되는 유기 발광 화합물 또는 태양광 발전용 광소자 및 이에 사용되는 광화합물에 관한 것으로, 특히 카바졸(carbazole)계 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 개발하여 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막 예컨대 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM), 정공주입층(HIL) 등에 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 개발하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킬 수 있다.

Description

유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 {ORGANIC LIGHT COMPOUND AND ORGANIC LIGHT DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 현상은 특정 유기 물질에 전기에너지를 가했을 때 전류가 가시광으로 전환되어 빛이 나타나는 현상을 말한다. 즉, 양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시키고 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면, 양극에서는 정공이 그리고 음극에서는 전자가 유기물증으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다.
유기 EL 소자에 대한 연구는 1950년대 베르나노스(Bernanose)가 유기 색소를 함유한 고분자 박막에 높은 교류 전압을 인가하여 유기 박막으로부터 발광을 관측하였으며, 1965년 안트라센 단결정에 전류를 인가하여 일중항 엑시톤을 발생시켜 청색 형광을 얻었다.
유기 EL 소자를 효율적으로 만들기 위한 방법으로서 소자내의 유기물층을 단층 대신 다층 구조로 제조하는 연구가 진행되어 왔다. 1987년 탕(Tang)에 의하여 정공층과 발광층의 기능층으로 나눈 적층구조의 유기 EL 소자가 개발되었다. 현재 사용되는 대부분의 유기 EL 소자는 기판, 양극, 선택적으로 양극으로부터 정공을 받아들이는 정공주입층, 선택적으로 정공을 전달하는 정공 전달층, 정공과 전자가 재결합하여 빛을 내는 발광층, 선택적으로 전자를 전달하는 전자 전달층, 음극으로부터 전자를 받아들이는 전자주입층 및 음극으로 이루어져 있다.
이렇게 유기 EL 소자를 다층으로 제작하는 이유는 정공과 전자의 이동속도가 상이하므로, 적절한 정공주입층, 정공전달층, 전자 전달층, 전자주입층을 만들어 주면 정공과 전자가 효과적으로 전달 될 수 있으며, 소자 내 정공과 전자의 균형이 이루어져 발광 효율을 높일 수 있기 때문이다.
전자주입층에서 주입된 전자와 정공주입층에서 전달된 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 형성하게 되며 일중항 여기 상태에서 기저 상태로 떨어지며 발광하는 것을 '형광'이라고 하고, 삼중항 여기 상태에서 기저 상태로 떨어지는 발광을 '인광'이라고 한다. 이론적으로 캐리어가 발광층에서 재결합하여 엑시톤이 발생될 때 일중항과 삼중항 엑시톤이 1:3의 비율로 발생되게 되며, 인광 발광을 이용할 경우 내부 양자 효율을 100%까지 높이는 것이 가능하다.
일반적으로 인광 발광 호스트 재료로는 4,4-다이카바졸일바이페닐(dicarbazolybiphenyl; CBP) 등의 카바졸 고리 화합물이 가장 널리 알려져 있다. 인광 발광 게스트 재료로는 Ir, Pt 등의 중원자가 포함된 금속 착체 화합물이 널리 사용되고 있다.
그러나 인광 발광 호스트 재료로 사용되고 있는 CBP는 유리전이온도(Tg)가 110℃ 정도로 낮으며, 소자 내의 결정화가 쉽게 일어나 유기 전계 발광 소자의 수명이 150시간 정도로 매우 짧은 문제점이 있다.
또한, 유기 발광화합물로서 분자 내에 카바졸 고리를 도입한 아민 화합물이 보고되어 있으며, 이들 화합물은 카바졸 고리의 C3 위치에 질소원자가 결합한 분자구조의 화합물이다. [일본공개특허 제2006-028176호, 제2006-056841호, 제2006-151979호, 제2008-044923호] 그러나 상기 카바졸계 화합물은 정공 수송층에 이용했을 경우 발광층에의 정공의 주입 장벽이 커져 유기 EL 소자의 구동 전압이 높아지는 문제가 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 유기 발광 소자, 특히 유기 EL 소자의 인광 녹색 호스트 물질, 형광 녹색 호스트 물질, 정공주입층 물질, 또는 정공수송층 물질로 적용할 수 있는 신규의 카바졸계 유기 발광 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 신규의 카바졸계 유기 발광 화합물을 포함하여 구동전압이 낮고, 발광효율, 휘도, 열적 안정성 및 소자 수명이 향상된 유기 EL 소자를 제공하는 것이다.
본 발명은 하기 화학식 F로 표시되는 카바졸계 유기 발광 화합물을 특징으로 한다.
[화학식 F]
Figure pat00001
상기 화학식 F에 있어서,
R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자,
Figure pat00002
또는
Figure pat00003
이고, 또는 R1,R2,R3,및 R4는 서로 이웃하는 기끼리 결합하여 5 내지 10원자로 구성된 축합고리(fused ring)를 형성할 수 있고;
X는 단일결합선이거나, 또는 -O-, -S-, -NH-, -N-페닐, -Si(C1-C6알킬)2-,-CH2-, -C(C1-C6알킬)2-이고;
L-P1은
Figure pat00004
또는
Figure pat00005
일 수 있고; 또는
L은
Figure pat00006
이고;
P1및 P2는 서로 같거나 다른 것으로서
Figure pat00007
이고;
A는 C1-C40알칸, C5-C40시클로알칸, C2-C40알켄, C2-C40알킨, C6-C40아릴, 트리(C1-C40알킬)실란, 테트라(C1-C40알킬)실란, 트리(C6-C40아릴)실란, 및 테트라(C6-C40아릴)실란으로 이루어진 군으로부터 유래된 1가기 또는 2가기이고;
Het는 모노(C6-C40아릴)아민, 디(C6-C40아릴)아민, 및 N, O, S, P, 및 Si 중에서 선택된 헤테로원자를 1 내지 4개 포함하고 단일, 이중 또는 삼중고리의 C3-C40헤테로아릴 및 C3-C40헤테로시클로알킬으로 이루어진 군으로부터 유래된 1가기 또는 2가기이고;
Ra는 C1-C40알킬기, C6-C40아릴기, -O-(C6-C40아릴), -S-(C6-C40아릴), -(C6-C40아릴렌)P(O)(C6-C40아릴)2,-NH(C6-C40아릴), -N(C6-C40아릴)2,-Si(C6-C40아릴)3,또는 질소원자(N)를 1 내지 4개 포함하는 C3-C40헤테로아릴기이고, m은 치환기 Ra의 개수로서 0 내지 4의 정수이고;
상기 L의 정의에서
Figure pat00008
는
Figure pat00009
를 나타낸다.
또한, 본 발명은 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기막이 상기 화학식 F로 표시되는 카바졸계 유기 발광 화합물을 포함하는 유기 EL 소자를 특징으로 한다.
본 발명에 따른 카바졸계 유기 발광 화합물이 포함된 유기 EL 소자는 높은 발광 효율, 높은 발광 휘도, 및 현저히 향상된 발광 수명을 구현할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 신규의 유기 발광 화합물과 이 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
이와 같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 하기와 같다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 일 구현예로서 실시예 등을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 일 구현예로서 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, '..포함하다' 또는 '..이루어진다' 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명은 유기 발광 화합물, 특히 카바졸계 화합물을 개발하여 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막 예컨대 전자전달층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM), 정공주입층(HIL) 등에 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 제시하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킨 물질을 개발하고자 한다.
본 명세서에서 유기 발광 화합물은 유기 발광 소자에 사용되는 화합물이라는 의미로서 반드시 발광이 가능한 화합물로 그 범위가 한정되지 않으며, 그 적용 범위도 유기 발광층에 한정되지 않고, 전자주입층 및 전자 전달층 등 유기 발광 소자를 구성하는 어느 층에나 모두 사용될 수 있다.
또 본 명세서에서 '발광 화합물' 및 '발광 소자'라는 용어는 사전적인 또는 관습적인 정의와 무관하게 본 발명이 유기 발광 소자 및 태양광 발전을 위한 소자에 모두 적용되는 경우를 고려하여, 이를 포괄하고자 선정한 용어이다.
본 발명의 제 1태양에 따르는 유기 발광 소자는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기막이 하기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물을 포함한다.
[화학식 F]
Figure pat00010
상기 화학식 F에 있어서,
R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자,
Figure pat00011
또는
Figure pat00012
이고, 또는 R1,R2,R3,및 R4는 서로 이웃하는 기끼리 결합하여 5 내지 10원자로 구성된 축합고리(fused ring)를 형성할 수 있고;
X는 단일결합선이거나, 또는 -O-, -S-, -NH-, -N-페닐, -Si(C1-C6알킬)2-,-CH2-,-C(C1-C6알킬)2-이고;
L-P1은
Figure pat00013
또는
Figure pat00014
일 수 있고; 또는
L은
Figure pat00015
이고;
P1및 P2는 서로 같거나 다른 것으로서
Figure pat00016
이고;
A는 C1-C40알칸, C5-C40시클로알칸, C2-C40알켄, C2-C40알킨, C6-C40아릴, 트리(C1-C40알킬)실란, 테트라(C1-C40알킬)실란, 트리(C6-C40아릴)실란, 및 테트라(C6-C40아릴)실란으로 이루어진 군으로부터 유래된 1가기 또는 2가기이고;
Het는 모노(C6-C40아릴)아민, 디(C6-C40아릴)아민, 및 N, O, S, P, 및 Si 중에서 선택된 헤테로원자를 1 내지 4개 포함하고 단일, 이중 또는 삼중고리의 C3-C40헤테로아릴 및 C3-C40헤테로시클로알킬으로 이루어진 군으로부터 유래된 1가기 또는 2가기이고;
Ra는 C1-C40알킬기, C6-C40아릴기, -O-(C6-C40아릴), -S-(C6-C40아릴), -(C6-C40아릴렌)P(O)(C6-C40아릴)2,-NH(C6-C40아릴), -N(C6-C40아릴)2,-Si(C6-C40아릴)3,또는 질소원자(N)를 1 내지 4개 포함하는 C3-C40헤테로아릴기이고, m은 치환기 Ra의 개수로서 0 내지 4의 정수이고;
상기 L의 정의에서
Figure pat00017
는
Figure pat00018
를 나타낸다.
본 발명의 발명자는 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물의 치환기로서 R1,R2,R3,R4,X,P1,P2,및 L을 선택 특정한 다양한 유도체를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막으로 사용될 수 있는 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 개발하고, 유기 발광 소자로 활용될 경우 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킬 수 있고, 특히 발광 수명이 현저히 향상됨을 발견하였으며, 이를 태양광 발전을 위한 광소자 및 광화합물 분야에 응용 적용할 경우 우수한 발전 효율을 얻을 수 있을 것으로 기대된다.
이하에서는 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물을 유기 발광 소자와 관련하여 설명할 것이나, 이에 의하여 본 발명이 제한 해석 되어서는 안 된다.
상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기막을 이루는 물질로 적합하다. 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 발광 소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 또는 발광층에 사용되기 적합하며 호스트 재료뿐만 아니라 도펀트 재료로서도 사용된다. 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 녹색인 색상을 제공하며 백색 등 발광 소자에 사용하기에 적합하다.
바람직한 구현예로서 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어, 상기 X는 단일결합선이거나, 또는 -C(CH3)(CH3)-이다.
바람직한 구현예로서 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어, 상기 R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자이다. 또한, 바람직한 구현예로서 상기 R1,R2,및 R4는 수소원자이고, 상기 R3은
Figure pat00019
, 또는
Figure pat00020
이다. 또한, 바람직한 구현예로서 상기 R1과 R2,R2와 R3,또는 R3과 R4가 서로 결합하여 5각형 또는 6각형의 축합고리(fused ring)을 형성하는 것이다.
바람직한 구현예로서 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어, 상기 L-P1가
Figure pat00021
, 또는
Figure pat00022
이다. 또한, 바람직한 구현예로서 상기 L-P1가 하기의 그룹으로부터 선택된다 :
Figure pat00023
(상기에서 A, Het, Ra,및 m은 각각 상기에서 정의한 바와 같다)
바람직한 구현예로서 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어, 상기 A는 벤젠, 바이페닐, 바이(톨루엔), 나프탈렌, 1-(나프탈렌-5-일)나프탈렌, 1-(1-페닐나프탈렌-4-일)나프탈렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 트리페닐(바이페닐)실란, 및 테트라페닐실란으로 이루어진 군으로부터 유래된 방향족 1가기 또는 2가기이다. 또한, 바람직한 구현예로서 상기 A는 메탄, 에탄, 에텐, 에틴, 시클로헥산, 피페리딘, 및 피페라진으로 이루어진 군으로부터 유래된 지방족 1가기 또는 2가기이다.
바람직한 구현예로서 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어, 상기 Het는 페닐아민, 디페닐아민, 퓨란, 싸이오펜, 피롤, 싸이아졸, 싸이아디아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 테트라진, 벤조싸이오펜, 인돌, 인돌리진, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조싸이아졸, 디하이드로인다졸, 이미다조피리딘, 피롤로피리딘, 이미다졸로피리딘, 피라졸로피리딘, 퀴놀리린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 프탈라진, 나프티리딘, 피리도피리미딘, 피라지노피라진, 아크리딘, 9,10-디하이드로-9,10-디메틸아크리딘, 펜안쓰리딘, 펜안쓰롤린, 피리도인돌, 피리디닐트리아졸, 피리미디닐트리아졸, 피라지닐트리아졸, 트리아지닐트리아졸, 트리아졸로피리딘,
Figure pat00024
(이때, X1은 -O-, -S-, -NH-, -N-페닐, -Si(C1-C6알킬)2-,-CH2-,-C(C1-C6알킬)2-,-CH2CH2-,또는 -CH=CH-이고,
Figure pat00025
는
Figure pat00026
이다.)으로 이루어진 군으로부터 유래된 1가기 또는 2가기이다.
바람직한 구현예로서 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어, 상기 Ra는 tert-부틸기, 페닐기, 바이페닐기, -O-페닐, -S-페닐, -C6H4-P(O)(페닐)2,-Si(페닐)3,-Si(바이페닐)(페닐)2,-NH(페닐), -N(페닐)2,피리디닐기, 피라지닐기, 또는 트리아졸기이다.
바람직한 구현예로서 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어, 상기 P2는 하기의 그룹으로부터 선택된 것이다.
Figure pat00027
(상기에서 Ra는 상기에서 정의한 바와 같고, m은 치환기 Ra의 개수로서 0 내지 4의 정수이다)
본 발명의 일 구현예에 따르면, 본 발명의 유기 발광 소자에 사용되는 유기 발광 화합물은 카바졸을 기본 골격으로 하며, 구체적으로 예시하면 하기 [제1표군(群)]에 나타낸 바와 같은 화합물 1 내지 252이 포함될 수 있겠으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다:
[제1표군(群)]
Figure pat00028
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Figure pat00052
Figure pat00053
본 발명에 따른 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 통상의 합성 방법을 이용하여 합성될 수 있으며, 상기 화합물의 보다 상세한 합성 경로는 하기 대표합성예 1 내지 4를 참조할 수 있다.
상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 발광 소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 또는 발광층에 사용되기 적합하다. 본 발명을 따르는 유기발광 소자의 구조는 매우 다양하다. 상기 제1전극과 제2전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 전자저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 본 발명은 유기 전계 발광 소자를 제공하며, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층으로 이루어진 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 F에서 선택되는 유기 발광 화합물을 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 화학식 F로 표시되는 화합물을 하나 이상 포함하면서, 동시에 통상의 호스트 재료, 통상의 도펀트 재료, 또는 이의 혼합물을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 유기물층을 발광층으로 포함하며, 상기 발광층은 상기 화학식 F로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상을 발광 호스트로 하여 하나 이상의 인광 도펀트를 포함하며, 상기 발광 도펀트는 특별히 제한되지 않는다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 F로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상을 포함하고, 동시에 아릴아민계 화합물 또는 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 유기물층에 상기 화학식 F로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상 이외에 1족, 2족, 4주기, 5주기 전이금속, 란탄계열금속 및 d-전이원소의 유기금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 착체화합물을 더 포함할 수도 있고, 상기 유기물층은 발광층 및 전하생성층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물층에 상기 유기 발광 화합물 이외에 청색, 적색 또는 녹색 발광을 하는 통상의 유기발광층 하나 이상을 동시에 포함하여 백색 발광을 하는 유기 전계 발광 소자를 형성할 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구현예는 먼저, 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있고, 또 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있으며, 나아가 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/제2전극의 구조를 가질 수 있다.
이때, 상기 전자수송층, 발광층, 정공주입층 또는 정공수송층 중 하나 이상은 본 발명을 따르는 유기 발광 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 발광층은 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 포함하는 인광 또는 형광 도펀트를 포함할 수 있다. 이 중, 상기 인광 도펀트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb 및 Tm으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 유기금속화합물일 수 있다. 또한, 본 발명에 따르는 화합물은 발광층에서 형광 도펀트로도 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 제조 방법을 구체적으로 살펴보기로 한다. 먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성하여 제1전극을 형성한다. 상기 제1전극은 애노드(Anode)일 수 있다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2),산화아연(ZnO) 등을 사용한다.
다음으로, 상기 제1전극 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공주입층(HIL)을 형성할 수 있다.
진공증착법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-5내지 10-3torr,증착속도 0.01 내지 100 Å/sec, 막 두께는 통상 100 Å 내지 1 ㎛ 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
스핀코팅법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000 rpm 내지 5000 rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
상기 정공주입층 물질은 전술한 바와 같은 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물일 수 있다.
또는, 예를 들어, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 Advanced Material, 6, p.677(1994)에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 4,4',4"-트리스(N-(나프틸)-N-페닐아미노)트리페닐아민 (2-TNATA), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산 (Pani/DBSA) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트 (PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캠퍼술폰산 (PANI/CSA) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트) (PANI/PSS) 등과 같은 공지된 정공주입 물질을 사용할 수 있다.
상기 정공주입층의 두께는 약 100 Å 내지 10000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 1000 Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 100 Å 미만인 경우, 정공주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공주입층의 두께가 10000 Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
다르게는, 상기 정공주입층은 진공기상증착법에 의해 형성할 수 있다. 구체적인 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적인 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 예를 들어 N,N-비스-[4-(디-메타톨릴아미노)페닐]-N,N-바이페닐-4,4-디아민 (DNTPD) 등이 사용될 수 있다.
다음으로 상기 정공주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀팅법에 의하여 정공수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 정공수송층 물질은 전술한 바와 같은 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물을 포함할 수 있다. 또한 공지된 정공수송 물질로서 예를 들어, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민 (TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘 (α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등을 포함할할 수 있다. 상기 정공수송층의 두께는 약 50 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 600 Å일 수 있다. 상기 정공수송층의 두께가 50 Å 미만인 경우, 정공수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공수송층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
다음으로 상기 정공수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 발광층은 전술한 바와 같이 본 발명에 따른 상기 화학식 F로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 화학식 F로 표시되는 화합물은 적합한 공지의 호스트 재료와 함께 사용될 수 있거나, 공지의 도펀트 재료와 함께 사용될 수 있다. 상기 화학식 F로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하는 것도 가능하다.
상기 화학식 F로 표시되는 화합물과 조합하여 사용할 수 있는 호스트 재료로는 예를 들면, 트리스(8-하이드록시퀴놀레이트알루미늄 (Alq3), 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐 (CBP), 또는 폴리(n-비닐카바졸) (PVK) 등을 사용할 수 있다. 또한, 호스트 재료로는 하기 화학식 i로 표시되는 비대칭 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅱ로 표시되는 비대칭 모노안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅲ으로 표시되는 비대칭 피렌 유도체, 하기 화학식 ⅳ로 표시되는 비대칭 안트라센 유도체, 하기 화학식 v로 표시되는 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅵ으로 표시되는 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅶ로 표시되는 스파이로플루오렌 유도체, 하기 화학식 ⅷ로 표시되는 축합고리 함유 화합물, 하기 화학식 ⅸ로 표시되는 플루오렌 화합물, 하기 화학식 x로 표시되는 안트라센 중심 골격을 갖는 화합물, 또는 상기 화학식 x에서 A1과 A2가 서로 다른 기가 치환된 하기 화학식 xi로 표시되는 안트라센 중심 골격을 갖는 화합물로부터 선택될 수 있다.
[화학식 i]
Figure pat00054
상기 화학식 i에서, Ar은 치환되거나 비치환된 C10∼C50의 축합 아릴기이고; Ar'는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; X는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 또는 하이드록실기이고; a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고; n은 1 내지 3의 정수이고, n이 2 또는 3인 경우 [ ] 안은 같거나 다를 수 있다.
[화학식 ⅱ]
Figure pat00055
상기 화학식 ⅱ에서, Ar1및 Ar2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; m 및 n은 각각 1 내지 4의 정수이고, 단 m=n=1이고 Ar1과 Ar2의 벤젠고리에의 결합 위치가 좌우 대칭형인 경우에는 Ar1과 Ar2는 동일하지 않고, m 또는 n이 2 내지 4의 정수인 경우에는 m과 n은 다른 정수이고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 또는 하이드록실기이다.
[화학식 ⅲ]
Figure pat00056
상기 화학식 ⅲ에서, Ar 및 Ar'은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 핵C6∼C50의 아릴기이고; L 및 L'은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 페닐렌기, 치환되거나 비치환된 나프탈레닐렌기, 치환되거나 비치환된 플루오렌일렌기 또는 치환되거나 비치환된 다이벤조실롤릴렌기이고; m은 0 내지 2의 정수이고; n은 1 내지 4의 정수이고; s는 0 내지 2의 정수이고; t는 0 내지 4의 정수이고; 또한 L 또는 Ar은 피렌의 C1 내지 C5 위치 중 어느 하나에 결합하고, L' 또는 Ar'은 피렌의 C6 내지 C10 위치 중 어느 하나에 결합하며,
단, n+t가 짝수일 때, Ar, Ar', L, L'은 하기 (1) 또는 (2)를 만족한다 :
(1) Ar≠Ar' 및/또는 L≠L'(여기서 ≠는, 서로 다른 구조의 기임을 나타냄)
(2) Ar=Ar'이고 L=L'일 때
(2-1) m≠s 및/또는 n≠t, 또는
(2-2) m=s 이고 n=t일 때,
(2-2-1) L 및 L', 또는 피렌이 각각 Ar 및 Ar' 상의 다른 결합 위치에 결합해 있거나,
(2-2-2) L 및 L', 또는 피렌이 각각 Ar 및 Ar' 상의 같은 결합 위치에서 결합하고 있는 경우, L 및 L' 또는 Ar 및 Ar'의 피렌에 있어서의 치환 위치가 C1과 C6 위치, 또는 C2와 C7 위치인 경우는 없다.
[화학식 ⅳ]
Figure pat00057
상기 화학식 ⅳ에서, A1및 A2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C10∼C20의 축합 아릴기이고; Ar1및 Ar2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 또는 하이드록실기이고; Ar1,Ar2,R9및 R10은 축합 아릴기에의 치환기로서 2 이상의 복수개가 치환될 수 있고, 이들은 서로 인접하는 기가 결합하여 포화 또는 불포화된 고리를 형성할 수도 있고; 단, 안트라센 모핵의 C9 및 C10 위치에, 상기 안트라센 상에 나타내는 X-Y축에 대하여 대칭형이 되는 기가 결합하는 경우는 제외한다.
[화학식 v]
Figure pat00058
상기 화학식 v에서, R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소원자, C1∼C50의 알킬기, C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬아미노기, 치환되거나 비치환된 C2∼C50의 알켄일기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴아미노기, 치환되거나 비치환된 C5∼C50의 헤테로아릴기 또는 치환되거나 비치환된 C5∼C50의 헤테로사이클기를 나타내고; a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수를 나타내고, 이들이 2 이상인 경우 R1끼리 또는 R2끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 R1끼리 또는 R2끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고, 또한 R3과 R4,R5와 R6,R7과 R8,R9와 R10이 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고; L1은 단일 결합, -O-, -S-, -N(R)- (이때 R은 C1∼C50의 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기임), C2∼C50의 알킬렌기 또는 C6∼C50의 아릴렌기를 나타낸다.
[화학식 ⅵ]
Figure pat00059
상기 화학식 ⅵ에서, R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17,R18,R19및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, C1∼C50의 알킬기, C3∼C50의 사이클로알킬기, C6∼C50의 아릴기, C1∼C50의 알콕시기, 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, C1∼C50의 알킬아미노기, C6∼C50의 아릴아미노기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기 또는 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기를 나타내고; c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수를 나타내고, 이들이 2 이상인 경우 R11끼리, R12끼리, R16끼리 또는 R17끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 R11끼리, R12끼리, R16끼리 또는 R17끼리는 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고, 또한 R13과 R14,R18과 R19가 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고; L2는 단일 결합, -O-, -S-, -N(R)- (이때 R은 C1∼C50의 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기임), C2∼C50의 알킬렌기 또는 C6∼C50의 아릴렌기를 나타낸다.
[화학식 ⅶ]
Figure pat00060
상기 화학식 ⅶ에서, A5,A6,A7및 A8은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 바이페닐기 또는 치환되거나 비치환된 나프틸기이다.
[화학식 ⅷ]
Figure pat00061
상기 화학식 ⅷ에서, A9,A10,A11,A12,A13및 A14는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 바이페닐기 또는 치환되거나 비치환된 나프틸기이고, 이들 중 적어도 하나는 3환 이상의 축합 방향족환을 갖으며; R21,R22및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, C1∼C6의 알킬기, C3∼C6의 사이클로알킬기, C1∼C6의 알콕시기, C5∼C18의 아릴옥시기, C7∼C18의 아르알킬옥시기, C5∼C16의 아릴아미노기, 나이트로기, 사이아노기, C1∼C6의 에스터기 또는 할로젠 원자를 나타낸다.
[화학식 ⅸ]
Figure pat00062
상기 화학식 ⅸ에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기, 치환되거나 비치환된 아미노기, 사이아노기 또는 할로젠 원자를 나타내고, 다른 플루오렌기에 결합하는 R1끼리 및 R2끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 같은 플루오렌기에 결합하는 R1및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고; R3및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기 또는 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기를 나타내고, 다른 플루오렌기에 결합하는 R3끼리 및 R4끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 같은 플루오렌기에 결합하는 R3및 R4는 서로 같거나 다를 수 있고; Ar1및 Ar2는 벤젠고리의 합계가 3개 이상인 치환되거나 비치환된 축합 다환 방향족기 또는 벤젠고리와 헤테로고리의 합계가 3개 이상인 치환되거나 비치환된 탄소로 플루오렌기에 결합하는 축합 다환 헤테로고리기를 나타내고, Ar1및 Ar2는 서로 같거나 다를 수 있고; n은 1 내지 1O의 정수를 나타낸다.
[화학식 x]
Figure pat00063
상기 화학식 x에서, A1및 A2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C6∼C20의 아릴기 또는 이로부터 유도되는 기이고, 상기 아릴기는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 및 하이드록실기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 치환기로 치환될 수 있고, 둘 이상의 치환기로 치환되는 경우 이들 치환기는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 서로 인접하는 치환기끼리 서로 결합하여 포화 또는 불포화된 사이클릭 구조를 형성하고 있을 수도 있고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 및 하이드록실기로부터 선택된다.
[화학식 xi]
Figure pat00064
화학식 xi에서, A1,A2,R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7및 R8은 각각 독립적으로 상기 화학식 x에서 정의한 바와 같으며, 다만 중심의 안트라센의 C9 및 C10 위치에는 상기 안트라센 상에 나타내는 X-Y축에 대하여 대칭형이 되는 기가 결합하는 경우는 없다.
이상의 호스트 재료 중에서도 바람직하기로는 안트라센 유도체이고, 더 바람직하기로는 모노안트라센 유도체이고, 특히 바람직하기로는 비대칭 안트라센 유도체이다.
상기 화학식 F로 표시되는 화합물과 조합하여 사용할 수 있는 도펀트 재료로는 형광 도펀트로서 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서 적색 인광 도펀트 PtOEP, UDC사의 RD61, 녹색 인광 도펀트 Ir(PPy)3 (이때, PPy는 2-페닐피리딘), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색인 광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. N-메틸퀴나크리돈 (MQD), 쿠마린(Coumarine) 유도체 등도 사용할 수 있다. 또한, 하기 화학식 a로 표시되는 금속-리간드 착화합물도 사용될 수 있다.
[화학식 a]
M1L101L102L103
상기 화학식 a에서, M1은 주기율표상의 7족, 8족, 9족, 10족, 11족, 13족, 14족, 15족 및 16족의 금속원소로 이루어진 군으로부터 선택되고; L101,L102,L103은 각각 리간드로서 하기 구조로부터 선택되며;
Figure pat00065
이때, R201,R202,및 R203은 각각 수소원자, 할로겐이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, C1∼C30의 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C50의 아릴기, 또는 할로젠 원자이고; R204내지 R219는 서로 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3∼C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2∼C30의알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 모노 또는 치환 또는 비치환된 디(C1∼C30의 알킬)아미노기, 치환 또는 비치환된 모노 또는 디-(C6∼C30의 아릴)아미노기, SF5, 치환 또는 비치환된 트리(C1∼C30의 알킬)실릴기, 치환 또는 비치환된 디(C1∼C30의 알킬)(C6∼C30의 아릴)실릴기, 치환 또는 비치환된 트리(C6∼C30의 아릴)실릴기, 시아노 또는 할로젠 원자이고; R220내지 R223은 서로 독립적으로 수소원자, 중수소 원자, 할로젠이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, 또는 C1∼C30의 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C6∼C30의 아릴기이고; R224및 R225는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 또는 할로젠 원자이거나, R224와 R225는 축합고리를 포함하거나 포함하지 않는 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 지방족 고리 및 단일환 또는 다중환의 방향족 고리를 형성하며; R226은 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C5∼C30의 헤테로아릴기, 또는 할로젠 원자이고; R227내지 R229는 서로 독립적으로 수소원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 또는 할로젠 원자이고; Q는
Figure pat00066
,
Figure pat00067
또는
Figure pat00068
이며, R231내지 R242는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로젠이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, C1∼C30의 알콕시기, 할로젠이 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 시아노가 치환 또는 비치환된 C5∼C30의 시클로알킬기이거나, 인접한 치환체와 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 스피로 고리 또는 축합고리를 형성할 수 있거나, R207또는 R208과 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 포화 또는 불포화의 축합고리를 형성할 수 있다.
도핑 농도는 특별히 제한되지 않으나 통상적으로 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 내지 15 중량부이다. 상기 발광층의 두께는 약 100 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 200 Å 내지 600 Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 100 Å 미만인 경우 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
발광층에 발광 화합물이 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 사용가능한 공지의 정공저지재료, 예를 들면 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체(TAZ), 페난트롤린 유도체(BCP) 등을 들 수 있다.
상기 정공저지층의 두께는 약 50 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 300 Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 50 Å 미만인 경우 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공저지층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
다음으로 전자수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다.
진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 퀴놀린 유도체, 특히 Alq3, TAZ, Balq, PBD 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다.
상기 전자수송층의 두께는 약 100 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 200 Å 내지 500 Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 100 Å 미만인 경우 전자수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자수송층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
또한 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다. 전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O,BaO등과 같은 전자주입층 형성재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자주입층의 두께는 약 1 Å 내지 100 Å, 바람직하게는 5 Å 내지 50 Å 일 수 있다. 상기 전자주입층의 두께가 1 Å 미만인 경우 전자주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자주입층의 두께가 100 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
마지막으로 전자주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제2전극을 형성할 수 있다.
상기 제2전극은 캐소드(Cathode)로 사용될 수 있다. 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 들 수 있다.
또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르는 유기 전계 발광 화합물은 상기 화학식 F로 표시되는 카바졸계 화합물이며, 보다 구체적으로는 상기 [제1표군(群)]에서 구체적으로 예시된 화합물 1 내지 252이 포함될 수 있다. 상기 화합물들에 대한 구체적인 내용은 상술한 유기 발과 소자에 대하여 설명한 부분과 동일하다.
이하에서, 본 발명의 합성예 및 실시예를 구체적으로 예시하지만, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하의 합성예에서 중간체 화합물은 최종 생성물의 번호에 일련번호를 추가하는 방식으로 표기한다. 예를 들어, 화합물 1은 화합물 [1] 로 표기하고, 상기 화합물의 중간체 화합물은 [1-1] 등으로 표기한다.
[실시예]
대표합성예 1. 화합물 1의 합성
Figure pat00069
중간체 화합물 [1-1]의 제조
5-브로모-1H-인다졸 50 g (253.76 mmol), (9-페닐-9H-카바졸-3-일)보론산109.3 g (380.65 mmol)을 1,4-디옥산 1 L로 녹이고 질소 기류하에서 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 11.7 g (10.15 mmol), 탄산칼륨 10.52 g (761.28 mmol), 정제수 100 mL로 24시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 종료 후 상온에서 증류수와 에틸아세테이트를 가하고 층분리하여 유기층을 모았다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후 여과하였다. 여과액을 감압 증류하여 얻은 액체를 컬럼크로마토그래피를 통하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [1-1] 50.1 g (55%)을 수득하였다.
화합물 [1]의 제조
중간체 화합물 [1-1]5g(13.91mmol),4-브로모-2,6-디페닐피리딘 5.1 g (16.69 mmol), 요오드화구리 0.79 g (4.17 mmol), 수산화칼륨 1.17 g (20.86 mmol), 8-히드록시퀴놀린 2.01 g (13.91 mmol), 디이메틸설폭사이드 100 mL를 넣고 질소 분위기에서 150℃까지 승온 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 메탄올을 가하여 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체는 증류수와 메탄올을 가하여 세척한 다음 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 미색 고체의 목적 화합물 [1] 4.99 g (61%)을 수득하였다.
대표합성예 2. 화합물 121의 합성
Figure pat00070
중간체 화합물 [2-1]의 제조
상기 대표합성예 1과 동일한 방법으로 5-브로모-1H-인다졸 50 g (253.76 mmol), 아이오드벤젠 34 mL (304.51 mmol), 요오드화구리 14.5 g (76.12 mmol), 수산화칼륨 21.4 g (380.64 mmol), 8-히드록시퀴놀린 36.8 g (253.76 mmol), 및 다이메틸설폭사이드를 사용하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [2-1] 49.9 g (72%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [2-2]의 제조
중간체 화합물 [2-1]49g(179.4mmol),4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로랜 36.4 mL (251.16 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 6.2 g (5.38 mmol), 1,4-디옥산 1 L을 넣고 질소 분위기에서 교반하였다. 반응액에 트리에틸아민 176.4 ml (1255.8 mmol)을 적가한 후 승온하여 환류 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 증류수와 에틸아세테이트를 가하고 층분리하여 유기층을 모았다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후 여과하였다. 여과액을 감압 증류하여 얻은 액체를 컬럼크로마토그래피를 통하여 오일 상태의 중간체 화합물 [2-2] 35 g (61%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [2-3]의 제조
상기 대표합성예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물 [2-2]35g(109.31mmol),3-브로모-9H-카바졸 26.9 g (109.31 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 3.7 g (3.27 mmol), 탄산칼륨 22.6 g (163.96 mmol), 및 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [2-3] 27.8 g (71%)을 수득하였다.
화합물 [121]의 제조
중간체 화합물 [2-3]4g(11.12mmol),2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 5.1 g (13.35 mmol), 소디움터트부톡시드 2.1 g (22.24 mmol), 터트부틸포스핀 0.53 mL (1.11 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.40 g (0.44 mmol), 자일렌 100 mL를 넣고 질소 분위기에서 환류 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 증류수와 에틸아세테이트를 가하고 층분리하여 유기층을 모았다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후 여과하였다. 여과액을 감압 증류하여 디클로로메탄과 메탄올을 사용하여 미색 고체의 목적 화합물 [121] 4.5 g (62%)을 수득하였다.
대표합성예 3. 화합물 138의 합성
Figure pat00071
중간체 화합물 [3-1]의 제조
3-클로로퍼벤조산 109 g (634.84 mmol), 에틸아세테이트 1.5 L에 녹인 후 질소 분위기에서 0℃까지 냉각하였다. 0℃에서 4-아자인돌 50 g (423.22 mmol)을 고체 상태로 서서히 적가 하였다. 반응 종결 후 생성된 고체를 상온에서 여과 한 다음 에틸아세테이트로 세척하여 연보라색 고체의 중간체 화합물 [3-1] 50.5 g (89%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [3-2]의 제조
중간체 화합물 [3-1] 50 g (372.74 mmol), 1,1,1,3,3,3-헥사메틸디실라제인77.7 mL (372.74 mmol), 톨루엔 1 L에 질소 분위기에서 교반하였다. 반응액에 벤조일클로라이드 158.6 mL (931.85 mmol)을 서서히 적가하였다. 반응이 종료 후 반응액에 탄산수소나트륨 2M 수용액 500 mL를 넣고 교반하였다. 유기층 분리 후 염화나트륨 수용액으로 세척한 다음 무수 황산마그네슘으로 건조 후 여과하였다. 여과액을 감압 증류하여 디클로로메탄과 메탄올을 사용하여 미색 고체의 중간체 화합물 [3-2] 134.7 g (71%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [3-3]의 제조
중간체 화합물 [3-2] 130 g (506.44 mmol)을 메탄올 1 L에 교반하였다. 반응액에 수산화나트륨 1M 수용액을 적가하여 반응을 종결하였다. 반응이 종결되면 메탄올을 감압증류한 다음 에틸아세테이트와 증류수를 넣고 교반하였다. 유기층 분리 후 무수 황산마그네슘으로 건조 후 여과하였다. 여과액을 감압 증류하여 얻은 액체를 컬럼크로마토그래피를 통하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [3-3] 57.9 g (75%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [3-4]의 제조
상기 대표합성예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물 [3-3] 55 g (360.46 mmol), (9-페닐-9H-카바졸-3-일)보론산 124.1 g (432.55 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀) 팔라듐 8.3 g (7.20 mmol), 탄산칼륨 74.7 g (540.69 mmol), 및 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [3-4]90.6g(70%)을 수득하였다.
화합물 [138]의 제조
상기 대표합성예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물 [3-4] 5 g (13.91 mmol), 2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 6.4 g (16.69 mmol), 요오드화구리 0.79 g (4.17 mmol), 수산화칼륨 1.17 g (20.86 mmol), 8-히드록시퀴놀린 2.0 g (13.91 mmol), 및 다이메틸설폭사이드를 사용하여 흰색 고체의 목적 화합물[138] 5.7 g (62%)을 수득하였다.
대표합성예 4. 화합물 155의 합성
Figure pat00072
중간체 화합물 [4-1]의 제조
상기 대표합성예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물 [3-2] 20 g (131.07 mmol), 아이오드벤젠 22 mL (196.61 mmol), 요오드화구리 7.48 g (39.32 mmol), 수산화칼륨 11.1 g (196.61 mmol), 8-히드록시퀴놀린 19 g (131.07 mmol), 및 다이메틸설폭사이드를 사용하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [4-1] 21.5 g (72%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [4-2]의 제조
상기 대표합성예 2와 동일한 방법으로 중간체 화합물 [4-1] 21 g (91.83 mmol), 4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로랜 18.6 mL (128.56 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 3.1 g (2.75 mmol), 트리에틸아민 70.7 mL (642.81 mmol), 및 1,4-디옥산을 사용하여 오일 상태의 중간체 화합물 [4-2] 17.6 g (60%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [4-3]의 제조
상기 대표합성예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물 [4-2]17g(53.09mmol),3-브로모-9H-카바졸 10.8 g (44.24 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 1.1 g (0.88 mmol), 탄산칼륨 9.1 g (66.36 mmol), 및 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [4-3] 11.1 g (70%)을 수득하였다.
화합물 [155]의 제조
상기 대표합성예 2와 동일한 방법으로 중간체 화합물 [4-3] 4 g (11.12 mmol), 2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 5.1 g (13.35 mmol), 소디움터트부톡시드 2.1 g (22.24 mmol), 터트부틸포스핀 0.53 mL (1.11 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.40 g (0.44 mmol), 및 자일렌을 사용하여 미색 고체의 목적 화합물 [155] 4.4 g (61%)을 수득하였다.
상기한 대표합성예 1 내지 4의 방법에 따라 화합물 1 내지 252의 화합물을 합성하였으며, 합성된 각 화합물의 구조 확인을 위한 핵자기공명 스펙트럼(NMR)과 질량분석(MS)한 결과를 하기 [제2표군(群)]에 나타내었다.
[제2표군(群)]
Figure pat00073
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Figure pat00086
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Figure pat00088
비교예 1. 비교샘플 1 제작
하기 화학식 a로 표시되는 화합물 a를 인광 녹색 호스트로 사용하고, 하기 화학식 c로 표시되는 화합물을 인광 녹색 도펀트로 사용하고, 4,4',4"-트리스(N-나프탈렌-2-일)-N-페닐아미노)-트리페닐아민 (이하, '2-TNATA'라 약함)을 정공주입층 물질로 사용하고, N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐벤지딘 (이하, 'α-NPD'라 약함)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물c(30nm)/Alq(30nm)/LiF(0.5nm)/ Al(60nm).
애노드는 코닝(Corning)사의 15 Ω/cm2(1000Å) ITO 유리 기판을 50 mm x 50 mm x 0.7 mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필알콜과 순수한 물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TNATA를 진공 증착하여 80 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30 nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 c로 표시되는 화합물 c(도핑률: 10%)를 진공 증착하여 30 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3화합물을 30 nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5 nm(전자주입층)과 Al 60 nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 하기 [제3표군(群)]에 표시된 바와 같은 유기 발광 소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 1이라고 한다.
비교예 2. 비교샘플 2 제작
하기 화학식 b로 표시되는 화합물 b를 인광 녹색 호스트로 사용하고, 하기 화학식 c로 표시되는 화합물 c를 인광 녹색 도펀트로 사용하고, 2-TNATA을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물b+화합물c(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm).
애노드는 코닝(Corning)사의 15 Ω/cm2(1000Å) ITO 유리 기판을 50 mm x 50 mm x 0.7 mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필 알콜과 순수한 물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TNATA를 진공 증착하여 80 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30 nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 c로 표시되는 화합물 c(도핑율: 10%)를 진공 증착하여 30 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3화합물을 30 nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5 nm(전자주입층)과 Al 60 nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 하기 [제3표군(群)]에 표시된 바와 같은 유기 발광 소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 2이라고 한다.
비교예 3. 비교샘플 3 제작
하기 화학식 a로 표시되는 화합물 a를 호스트로 사용하고, 하기 화학식 d로 표시되는 화합물 d을 도펀트로 사용하고, 2-TNATA를 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD를 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물d(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/ Al(60nm).
애노드는 코닝(Corning)사의 15 Ω/cm2(1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필 알콜과 순수 물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TANATA를 진공 증착하여 80 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30 nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 d로 표시되는 화합물 d(10% 도핑)를 진공 증착하여 30 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3 화합물을 30 nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5 nm(전자주입층)과 Al 60 nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 하기 [제3표군(群)]에 표시된 바와 같은 유기 발광 소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 3이라고 한다.
Figure pat00089
실시예 1 내지 252. 샘플 제작
상기 비교예 1에서, 발광층 인광 호스트 화합물 a 대신 상기 합성예에 개시된 화학식 1 내지 252로 표시되는 화합물들을 각각 인광 녹색 호스트 화합물로 이용하였다. 그리고 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80 nm)/α-NPD(30 nm)/[인광 녹색 호스트 화합물 1 내지 252 중 하나+화합물 c(10%)](30 nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제작하였다. 그리고 이를 각각 샘플 1 내지 252 라고 한다.
실시예 253 내지 283. 샘플 제작
상기 비교예 3에서, 발광층 인광 호스트 화합물로서 화합물 a 대신 상기 합성예에 개시된 화학식 13 등의 화합물들을 각각 발광층 호스트 화합물로 이용하였다. 그리고 상기 비교예 3과 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/[호스트 화합물 화학식 13 등의 화합물 중 하나 + 화합물](30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제작하였다. 그리고 이를 각각 샘플 253 내지 283 이라고 한다.
[실험예] 특성평가
실험예 1: 발광 특성 평가
1) 샘플 1 내지 252의 발광 특성 평가
상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 1, 2 및 샘플 1 내지 252에 대하여, Keithley sourcemeter "2400", KONIKA MINOLTA "CS-2000"을 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하였으며, 그 결과를 하기 [제3표군(群)]에 나타내었다. 상기 샘플들은 511∼517 nm 범위에서 녹색 발광 피크값을 보여주었다.
[제3표군(群)]
Figure pat00090
Figure pat00091
Figure pat00092
Figure pat00093
Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
Figure pat00097
Figure pat00098
Figure pat00099
상기 [제3표군(群)]으로부터 확인되는 바와 같이 샘플 1 내지 252은 비교샘플 1, 2에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.
2) 샘플 253 내지 283의 발광 특성 평가
상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 3과 샘플 253 내지 283에 대하여, Keithley SMU 235, PR650를 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하였으며, 그 결과를 하기 [제4표군(群)]에 나타내었다. 상기 샘플들은 610∼616 nm 범위에서 적색 발광 피크값을 보여주었다.
[제4표군(群)]
Figure pat00100
Figure pat00101
상기 [제4표군(群)]으로부터 확인되는 바와 같이 샘플 327 내지 360은 비교샘플 3에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.
실험예 2: 수명 특성 평가
1) 샘플 1 내지 252의 수명 특성 평가
상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 1, 2 및 샘플 1 내지 252에 대하여, ENC 테크놀로지사의 LTS-1004AC 수명 측정 장치를 이용하여 3000 nit를 기준으로 수명이 97%에 도달하는 시간을 각각 측정하였다. 그 결과를 하기 [제5표군(群)]에 나타내었다.
[제5표군(群)]
Figure pat00102
Figure pat00103
Figure pat00104
Figure pat00105
Figure pat00106
Figure pat00107
Figure pat00108
Figure pat00109
Figure pat00110
Figure pat00111
Figure pat00112
상기 [제5표군(群)]으로부터 확인되는 바와 같이 샘플 1 내지 252는 비교샘플 1, 2에 비하여 향상된 수명 특성을 나타내었다.
2) 샘플 253 내지 283의 수명 특성 평가
상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 3 및 샘플 253, 258, 260, 265, 277, 282에 대하여, LTS-1004C 수명 평가 장비를 이용하여 DC모드로 휘도 5000 nit를 기준으로 발광의 세기가 최초값의 70%까지 감소하는 시간으로 수명을 평가하였다. 그 결과를 하기 [제6표군(群)]에 나타내었다.
[제6표군(群)]
Figure pat00113
상기 [제6표군(群)]으로부터 확인되는 바와 같이 샘플 253, 258, 260, 265, 277, 282는 비교샘플 3에 비하여 향상된 수명특성을 보여주었다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 F로 표시되는 카바졸계 유기 발광 화합물 :
    [화학식 F]
    Figure pat00114

    상기 화학식 F에 있어서,
    R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자,
    Figure pat00115
    또는
    Figure pat00116
    이고, 또는 R1,R2,R3,및 R4는 서로 이웃하는 기끼리 결합하여 5 내지 10원자로 구성된 축합고리(fused ring)를 형성할 수 있고;
    X는 단일결합선이거나, 또는 -O-, -S-, -NH-, -N-페닐, -Si(C1-C6알킬)2-,-CH2-,-C(C1-C6알킬)2-이고;
    L-P1은
    Figure pat00117
    또는
    Figure pat00118
    일 수 있고; 또는
    L은
    Figure pat00119
    이고;
    P1및 P2는 서로 같거나 다른 것으로서
    Figure pat00120
    이고;
    A는 C1-C40알칸, C5-C40시클로알칸, C2-C40알켄, C2-C40알킨, C6-C40아릴, 트리(C1-C40알킬)실란, 테트라(C1-C40알킬)실란, 트리(C6-C40아릴)실란, 및 테트라(C6-C40아릴)실란으로 이루어진 군으로부터 유래된 1가기 또는 2가기이고;
    Het는 모노(C6-C40아릴)아민, 디(C6-C40아릴)아민, 및 N, O, S, P, 및 Si 중에서 선택된 헤테로원자를 1 내지 4개 포함하고 단일, 이중 또는 삼중고리의 C3-C40헤테로아릴 및 C3-C40헤테로시클로알킬으로 이루어진 군으로부터 유래된 1가기 또는 2가기이고;
    Ra는 C1-C40알킬기, C6-C40아릴기, -O-(C6-C40아릴), -S-(C6-C40아릴), -(C6-C40아릴렌)P(O)(C6-C40아릴)2,-NH(C6-C40아릴), -N(C6-C40아릴)2,-Si(C6-C40아릴)3,또는 질소원자(N)를 1 내지 4개 포함하는 C3-C40헤테로아릴기이고, m은 치환기 Ra의 개수로서 0 내지 4의 정수이고;
    상기 L의 정의에서
    Figure pat00121
    는
    Figure pat00122
    를 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 X는 단일결합선이거나, 또는 -C(CH3)(CH3)-인 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 R1,R2,및 R4는 수소원자이고, 상기 R3은
    Figure pat00123
    또는
    Figure pat00124
    인 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 R1과 R2,R2와 R3,또는 R3과 R4가 서로 결합하여 5각형 또는 6각형의 축합고리(fused ring)을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 L-P1가
    Figure pat00125
    또는
    Figure pat00126
    인 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 L-P1가 하기의 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물:
    Figure pat00127

    (상기에서 A, Het, Ra,및 m은 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같다.)
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 A는 벤젠, 바이페닐, 바이(톨루엔), 나프탈렌, 1-(나프탈렌-5-일)나프탈렌, 1-(1-페닐나프탈렌-4-일)나프탈렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 트리페닐(바이페닐)실란, 및 테트라페닐실란으로 이루어진 군으로부터 유래된 방향족 1가기 또는 2가기인 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 A는 메탄, 에탄, 에텐, 에틴, 시클로헥산, 피페리딘, 및 피페라진으로 이루어진 군으로부터 유래된 지방족 1가기 또는 2가기인 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 Het는 페닐아민, 디페닐아민, 퓨란, 싸이오펜, 피롤, 싸이아졸, 싸이아디아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 테트라진, 벤조싸이오펜, 인돌, 인돌리진, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조싸이아졸, 디하이드로인다졸, 이미다조피리딘, 피롤로피리딘, 이미다졸로피리딘, 피라졸로피리딘, 퀴놀리린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 프탈라진, 나프티리딘, 피리도피리미딘, 피라지노피라진, 아크리딘, 9,10-디하이드로-9,10-디메틸아크리딘, 펜안쓰리딘, 펜안쓰롤린, 피리도인돌, 피리디닐트리아졸, 피리미디닐트리아졸, 피라지닐트리아졸, 트리아지닐트리아졸, 트리아졸로피리딘,
    Figure pat00128
    (이때, X1은 -O-, -S-, -NH-, -N-페닐, -Si(C1-C6알킬)2-,-CH2-,-C(C1-C6알킬)2-,-CH2CH2-,또는 -CH=CH-이고,
    Figure pat00129
    는
    Figure pat00130
    이다)으로 이루어진 군으로부터 유래된 1가기 또는 2가기인 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 Ra는 tert-부틸기, 페닐기, 바이페닐기, -O-페닐, -S-페닐, -C6H4-P(O)(페닐)2,-Si(페닐)3,-Si(바이페닐)(페닐)2,-NH(페닐), -N(페닐)2,피리디닐기, 피라지닐기, 및 트리아졸기 중에서 선택되고, 상기 m은 치환기 Ra의 개수로서 0 내지 4의 정수인 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160074429A (ko) * 2014-12-18 2016-06-28 주식회사 동진쎄미켐 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2016099204A3 (ko) * 2014-12-18 2016-09-15 주식회사 동진쎄미켐 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2017034239A1 (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
CN106543157A (zh) * 2016-10-25 2017-03-29 上海道亦化工科技有限公司 一种有机电致发光材料及其有机电致发光器件
CN106565687A (zh) * 2016-10-31 2017-04-19 中节能万润股份有限公司 一种新型oled材料、制备方法及其应用
WO2017099430A1 (ko) * 2015-12-08 2017-06-15 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2018070835A1 (ko) * 2016-10-14 2018-04-19 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2018080067A1 (ko) * 2016-10-27 2018-05-03 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2018093107A1 (ko) * 2016-11-16 2018-05-24 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20180128181A (ko) * 2017-05-23 2018-12-03 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN109574989A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 江苏三月光电科技有限公司 一种以二苯并六元环为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN110357882A (zh) * 2019-07-17 2019-10-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 含氮杂环的有机化合物及有机电致发光器件
CN113024510A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 北京鼎材科技有限公司 一种吲哚衍生物及其应用
CN113620942A (zh) * 2020-05-06 2021-11-09 北京鼎材科技有限公司 一种化合物及其应用
CN113773254A (zh) * 2021-09-27 2021-12-10 上海兆维科技发展有限公司 1,3,4,5-四取代吡唑衍生物及其制备方法
CN114075243A (zh) * 2021-07-07 2022-02-22 陕西莱特迈思光电材料有限公司 一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
CN114380803A (zh) * 2020-10-16 2022-04-22 常州强力昱镭光电材料有限公司 螺二芴化合物、电子传输组合物及有机电致发光器件

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5887771B2 (ja) 2011-09-07 2016-03-16 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置、照明装置、並びに化合物

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016099204A3 (ko) * 2014-12-18 2016-09-15 주식회사 동진쎄미켐 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20160074429A (ko) * 2014-12-18 2016-06-28 주식회사 동진쎄미켐 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN107531650A (zh) * 2015-08-21 2018-01-02 株式会社Lg化学 化合物和包含其的有机电子元件
WO2017034239A1 (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR20170022940A (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
WO2017099430A1 (ko) * 2015-12-08 2017-06-15 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2018070835A1 (ko) * 2016-10-14 2018-04-19 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
CN106543157A (zh) * 2016-10-25 2017-03-29 上海道亦化工科技有限公司 一种有机电致发光材料及其有机电致发光器件
WO2018080067A1 (ko) * 2016-10-27 2018-05-03 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN106565687B (zh) * 2016-10-31 2019-05-07 中节能万润股份有限公司 一种新型oled材料、制备方法及其应用
CN106565687A (zh) * 2016-10-31 2017-04-19 中节能万润股份有限公司 一种新型oled材料、制备方法及其应用
WO2018093107A1 (ko) * 2016-11-16 2018-05-24 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20180128181A (ko) * 2017-05-23 2018-12-03 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN109574989A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 江苏三月光电科技有限公司 一种以二苯并六元环为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN109574989B (zh) * 2017-09-28 2020-11-03 中节能万润股份有限公司 一种以二苯并六元环为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN110357882A (zh) * 2019-07-17 2019-10-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 含氮杂环的有机化合物及有机电致发光器件
WO2021007882A1 (zh) * 2019-07-17 2021-01-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 含氮杂环的有机化合物及有机电致发光器件
CN113024510A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 北京鼎材科技有限公司 一种吲哚衍生物及其应用
CN113024510B (zh) * 2019-12-25 2024-05-31 北京鼎材科技有限公司 一种吲哚衍生物及其应用
CN113620942A (zh) * 2020-05-06 2021-11-09 北京鼎材科技有限公司 一种化合物及其应用
CN114380803A (zh) * 2020-10-16 2022-04-22 常州强力昱镭光电材料有限公司 螺二芴化合物、电子传输组合物及有机电致发光器件
CN114380803B (zh) * 2020-10-16 2024-07-12 常州强力电子新材料股份有限公司 螺二芴化合物、电子传输组合物及有机电致发光器件
CN114075243A (zh) * 2021-07-07 2022-02-22 陕西莱特迈思光电材料有限公司 一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
CN114075243B (zh) * 2021-07-07 2023-10-31 陕西莱特迈思光电材料有限公司 一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
CN113773254A (zh) * 2021-09-27 2021-12-10 上海兆维科技发展有限公司 1,3,4,5-四取代吡唑衍生物及其制备方法

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