KR20140100855A - 주기신호생성회로 - Google Patents

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KR20140100855A
KR20140100855A KR1020130014156A KR20130014156A KR20140100855A KR 20140100855 A KR20140100855 A KR 20140100855A KR 1020130014156 A KR1020130014156 A KR 1020130014156A KR 20130014156 A KR20130014156 A KR 20130014156A KR 20140100855 A KR20140100855 A KR 20140100855A
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함현주
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Abstract

주기신호생성회로는 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 및 제2 온도전압과 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압 중 하나를 선택하여 제어전압으로 출력하는 제어전압생성부; 및 제어전압에 응답하여 내부노드에서 방출되는 전류량을 결정하고, 상기 내부노드에서 출력되는 내부신호의 레벨에 따라 주기가 결정되는 주기신호를 출력하는 주기제어부를 포함한다.

Description

주기신호생성회로{PERIOD SIGNAL GENERATION CIRCUIT}
본 발명은 주기신호를 생성하는 주기신호생성회로에 관한 것이다.
반도체메모리장치를 포함하는 집적회로는 내부동작을 제어하기 위해 주기신호가 필요하다. 따라서, 집적회로는 주기신호를 내부에서 생성하거나 외부에서 입력받아 내부동작을 수행한다. 주기신호는 일정한 주기를 갖고 발생되는 펄스를 포함하므로, 집적회로에서 반복적인 내부동작을 수행하기 위해 사용된다.
디램 등의 반도체메모리장치는 휘발성 메모리이므로, 내부에 포함된 메모리셀들에 저장된 데이터가 시간이 지남에 따라 소실된다. 따라서, 메모리셀이 데이터를 저장할 수 있는 시간, 즉 보유시간(retention time)이 경과되기 전에 반도체메모리장치에 포함된 모든 메모리셀들에 대한 리프레쉬가 수행되어야 한다. 리프레쉬는 반도체메모리장치에 대한 모든 메모리셀에 대해 수행되어야 하므로, 주기적인 동작 수행을 위한 주기신호가 필요하다.
한편, 집적회로의 내부동작은 온도에 따라 속도가 가변된다. 즉, 온도가 낮아질수록 집적회로의 내부동작이 수행되는 속도가 감소되고, 온도가 높아질수록 집적회로의 내부동작이 수행되는 속도가 증가한다. 온도에 따라 집적회로의 내부동작이 수행되는 속도가 가변하는 경우 신뢰성이 떨어진다.
본 발명은 온도에 따라 가변하거나 고정된 주기를 갖는 주기신호를 생성하는 주기신호생성회로를 제공한다.
이를 위해 본 발명은 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 및 제2 온도전압과 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압 중 하나를 선택하여 제어전압으로 출력하는 제어전압생성부; 및 제어전압에 응답하여 내부노드에서 방출되는 전류량을 결정하고, 상기 내부노드에서 출력되는 내부신호의 레벨에 따라 주기가 결정되는 주기신호를 출력하는 주기제어부를 포함하는를 포함하는 주기신호생성회로를 제공한다.
또한, 본 발명은 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 및 제2 온도전압과 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압 중 하나를 선택하여 구동전압으로 출력하는 구동전압생성부; 내부노드의 전하를 방출하는 전하방출부; 상기 내부노드에서 출력되는 내부신호와 기준전압을 비교하여 주기신호의 논리레벨을 결정하는 레벨검출부; 및 상기 주기신호에 응답하여 상기 구동전압으로 상기 내부노드를 구동하는 구동부를 포함하는 주기신호생성회로를 제공한다.
또한, 본 발명은 바이어스전압에 응답하여 내부노드의 전하를 방출하는 전하방출부; 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 및 제2 온도전압과 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압 중 하나를 선택하여 기준전압으로 출력하는 기준전압생성부; 상기 내부노드에서 출력되는 내부신호와 상기 기준전압을 비교하여 주기신호의 논리레벨을 결정하는 레벨검출부; 및 주기신호에 응답하여 상기 내부노드를 구동하는 구동부를 포함하는 주기신호생성회로를 제공한다.
본 발명에 의하면 온도에 따라 가변하는 주기를 갖는 주기신호를 생성할 수 있어 집적회로의 신뢰성을 확보할 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 온도에 따라 가변하거나 고정된 주기신호를 선택적으로 생성할 수 있는 효과도 있다.
또한, 본 발명에 의하면 온도전압을 증폭하여 시간 변화에 따른 주기신호의 주기 변화률에 대한 해상도를 높일 수 있고, 주기신호의 주기 변화가 선형적으로 가변하여 주기신호를 이용하는 집적회로의 동작에 신뢰성을 확보할 수 있는 효과도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 주기신호생성회로의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 주기신호생성회로에 포함된 증폭부의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 주기신호생성회로에 포함된 레벨검출부의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 4는 도 1에 도시된 된 주기신호생성회로의 동작을 설명하기 위한 표이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 주기신호생성회로의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 6은 도 5에 도시된 된 주기신호생성회로의 동작을 설명하기 위한 표이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 주기신호생성회로의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 8은 도 7에 도시된 된 주기신호생성회로의 동작을 설명하기 위한 표이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 주기신호생성회로의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로는 제어전압생성부(1) 및 주기제어부(2)로 구성된다. 제어전압생성부(1)는 온도전압증폭부(11) 및 선택부(12)로 구성된다. 온도전압증폭부(11)는 온도전압생성부(111) 및 증폭부(112)로 구성된다. 주기제어부(2)는 전하방출부(21), 레벨검출부(22), 구동부(23) 및 리셋부(24)로 구성된다.
온도전압생성부(111)는 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 온도전압(V1) 및 제2 온도전압(V2)과, 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압(V3)을 생성한다. 제1 온도전압(V1)은 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 상승하고, 제2 온도전압(V2)은 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 하강한다. 온도전압생성부(111)는 온도에 따라 일정한 전압 레벨을 생성하거나 선형적으로 가변하는 레벨을 생성하는 widlar 회로등을 이용하여 구현할 수 있다.
증폭부(112)는 제1 온도전압(V1), 제2 온도전압(V2) 및 제3 온도전압(V3)을 증폭하여 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC)을 생성한다. 제1 증폭전압(VTP)은 제1 온도전압(V1)과 마찬가지로 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 상승하는데, 제1 온도전압(V1)보다 레벨 상승폭이 크다. 제2 증폭전압(VTN)은 제2 온도전압(V2)과 마찬가지로 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 하강하는데, 제2 온도전압(V2)보다 레벨 하강폭이 크다. 제3 증폭전압(VTC)은 제3 온도전압(V3)보다 높은 레벨을 갖는다. 증폭부(112)를 통해 온도 변화에 따라 레벨 변환폭이 큰 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC)을 생성하여 주기신호(OSC)의 주기를 조절함으로써, 온도 변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기 변화를 큰 해상도로 측정할 수 있다.
선택부(12)는 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)에 응답하여 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC) 중 하나를 제어전압(V_CNT)으로 선택하여 출력한다. 보다 구체적으로, 제1 선택신호(SEL<1>)가 인에이블되는 경우 제1 증폭전압(VTP)을 제어전압(V_CNT)으로 선택하여 출력하고, 제2 선택신호(SEL<2>)가 인에이블되는 경우 제2 증폭전압(VTN)을 제어전압(V_CNT)으로 선택하여 출력하며, 제3 선택신호(SEL<3>)가 인에이블되는 경우 제3 증폭전압(VTC)을 제어전압(V_CNT)으로 선택하여 출력한다. 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)는 집적회로 내부에서 생성되거나 집적회로 외부의 테스트장치 등에서 인가될 수 있다.
전하방출부(21)는 제어전압(V_CNT)에 응답하여 내부노드(ND1)의 전하를 방출한다. 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도는 제어전압(V_CNT)의 온도 특성에 의존한다. 즉, 제1 증폭전압(VTP)이 제어전압(V_CNT)으로 선택된 경우 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도는 온도가 상승함에 따라 증가한다. 이 경우 내부노드(ND1)의 레벨은 온도가 상승함에 따라 빠른 속도로 하강한다. 또한, 제2 증폭전압(VTN)이 제어전압(V_CNT)으로 선택된 경우 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도는 온도가 상승함에 따라 감소한다. 이 경우 내부노드(ND1)의 레벨은 온도가 상승함에 따라 느린 속도로 하강한다. 또한, 제3 증폭전압(VTC)이 제어전압(V_CNT)으로 선택된 경우 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도는 온도에 관계없이 일정하다. 이 경우 내부노드(ND1)의 레벨은 온도에 무관하게 일정한 속도로 하강한다.
레벨검출부(22)는 내부노드(ND1)에서 출력되는 내부신호(INTS)와 기준전압(VREF)을 비교하여 주기신호(OSC)의 논리레벨을 검출한다. 즉, 레벨검출부(22)는 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 높은 레벨인 경우 로직하이레벨의 주기신호(OSC)를 생성하고, 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨인 경우 로직로우레벨의 주기신호(OSC)를 생성한다. 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점은 전하방출부(21)에 의한 내부노드(ND1)의 전하방출 속도에 의해 결정된다. 즉, 내부노드(ND1)의 전하방출 속도가 증가할수록 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 빨라진다. 이에 따라 주기신호(OSC)의 주기는 감소된다.
구동부(23)는 주기신호(OSC)가 로직로우레벨로 천이하는 경우 내부노드(ND1)를 전원전압(VDD)으로 구동한다. 구동부(23)가 내부노드(ND1)를 구동하는 시점은 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점에 의해 결정된다. 또한, 구동부(23)가 내부노드(ND1)를 구동하는 구동력은 내부노드(ND1)를 구동하는 전원전압(VDD)의 레벨에 따라 결정된다.
리셋부(24)는 리셋신호(RST)에 응답하여 주기신호(OSC)를 초기화한다. 좀 더 구체적으로, 리셋부(24)는 리셋신호(RST)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 접지전압(VSS)으로 구동한다. 리셋신호(RST)는 주기신호(OSC)의 생성 동작이 종료되는 경우 인에이블되도록 설정되는 것이 바람직하다.
도 2를 참고하면 선택부(12)는 제1 전달소자(121), 제2 전달소자(122) 및 제3 전달소자(123)로 구성된다. 제1 전달소자(121)는 제1 선택신호(SEL<1>)가 인에이블되는 경우 제1 증폭전압(VTP)을 제어전압(V_CNT)으로 선택하여 출력한다. 제2 전달소자(122)는 제2 선택신호(SEL<2>)가 인에이블되는 경우 제2 증폭전압(VTN)을 제어전압(V_CNT)으로 선택하여 출력한다. 제3 전달소자(123)는 제3 선택신호(SEL<3>)가 인에이블되는 경우 제3 증폭전압(VTC)을 제어전압(V_CNT)으로 선택하여 출력한다.
도 3을 참고하면 레벨검출부(22)는 전류원부(221) 및 신호입력부(222)로 구성된다. 전류원부(221)는 커런티미러(current mirror)로 구현되어 전류원으로 동작한다. 신호입력부(222)는 내부신호(INTS)와 기준전압(VREF)을 입력받아 주기신호(OSC)의 논리레벨을 결정한다. 레벨검출부(22)는 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 높은 레벨인 경우 로직하이레벨의 주기신호(OSC)를 생성하고, 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨인 경우 로직로우레벨의 주기신호(OSC)를 생성한다.
이상 살펴본 바와 같이 구성된 주기신호생성회로의 동작을 도 4를 참고하여 살펴보면 다음과 같다.
우선, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제1 증폭전압(VTP)이 제어전압(V_CNT)으로 선택된다. 제어전압(V_CNT)의 레벨은 온도가 상승하는 구간에서는 상승하므로, 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도가 증가한다. 이에 따라, 내부노드(ND1)에서 출력되는 내부신호(INTS)의 레벨이 하강하는 속도가 증가하므로, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 빨라진다. 주기신호(OSC)의 레벨 천이시점이 빨라지는 경우 내부노드(ND1)를 구동하는 시점이 빨라져 주기신호(OSC)가 다시 로직하이레벨로 구동되는 시점도 빨라진다. 결국, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 상승하는 경우 주기신호(OSC)의 주기는 감소한다. 한편, 제어전압(V_CNT)의 레벨은 온도가 하강하는 구간에서는 하강하므로, 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도가 감소한다. 이에 따라, 내부노드(ND1)에서 출력되는 내부신호(INTS)의 레벨 하강 속도는 감소하므로, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려진다. 주기신호(OSC)의 레벨 천이시점이 느려지는 경우 내부노드(ND1)를 구동하는 시점이 느려져 주기신호(OSC)가 다시 로직하이레벨로 구동되는 시점도 느려진다. 결국, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 하강하는 경우 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다.
다음으로, 제2 선택신호(SEL<2>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제2 증폭전압(VTN)이 제어전압(V_CNT)으로 선택된다. 제어전압(V_CNT)의 레벨은 온도가 상승하는 구간에서는 하강하므로, 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도가 감소한다. 이에 따라, 내부노드(ND1)에서 출력되는 내부신호(INTS)의 레벨 하강 속도는 감소하므로, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려진다. 주기신호(OSC)의 레벨 천이시점이 느려지는 경우 내부노드(ND1)를 구동하는 시점이 느려져 주기신호(OSC)가 다시 로직하이레벨로 구동되는 시점도 느려진다. 결국, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 상승하는 경우 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다. 한편, 제어전압(V_CNT)의 레벨은 온도가 하강하는 구간에서는 상승하므로, 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도가 증가한다. 이에 따라, 내부노드(ND1)에서 출력되는 내부신호(INTS)의 레벨 하강 속도는 증가하므로 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 빨라진다. 주기신호(OSC)의 레벨 천이시점이 빨라지는 경우 내부노드(ND1)를 구동하는 시점이 빨라져 주기신호(OSC)가 다시 로직하이레벨로 구동되는 시점도 빨라진다. 결국, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 하강하는 경우 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다.
마지막으로, 제3 선택신호(SEL<3>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제3 증폭전압(VTC)이 제어전압(V_CNT)으로 선택된다. 제어전압(V_CNT)의 레벨은 온도에 무관하게 일정하므로, 내부노드(ND1)에서 전하가 방출되는 속도는 일정하게 유지된다. 따라서, 내부노드(ND1)에서 출력되는 내부신호(INTS)의 레벨 하강 속도가 일정하게 유지되면 주기신호(OSC)의 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점ㄷ도 일정하게 유지된다. 결국, 제3 선택신호(SEL<3>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 상승하는 구간에서나 온도가 하강하는 구간에서 주기신호(OSC)의 주기는 일정하게 유지된다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로는 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)에 따라 온도변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기를 가변할 수 있고, 일정하게 유지할 수도 있다. 즉, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로에서 생성되는 주기신호(OSC)의 주기는 온도가 상승하는 구간에서 제1 선택신호(SEL<1>)가 인에이블되는 경우 감소하고, 제2 선택신호(SEL<2>)가 인에이블되는 경우 증가하며, 제3 선택신호(SEL<3>)가 인에이블되는 경우 일정하게 유지된다. 이와 같이, 본 실시예의 주기신호생성회로는 온도에 따라 가변하는 주기를 갖는 주기신호(OSC)를 생성하므로, 주기신호(OSC)에 따라 내부동작을 수행하는 집적회로의 신뢰성을 확보할 수 있다. 선형적으로 가변하는 온도전압들을 증폭하여 제어전압으로 사용하므로, 온도 변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기 변화를 큰 해상도로 측정할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 주기신호생성회로의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로는 구동전압생성부(3) 및 주기제어부(4)로 구성된다. 구동전압생성부(3)는 온도전압증폭부(31) 및 선택부(32)로 구성된다. 온도전압증폭부(31)는 온도전압생성부(311) 및 증폭부(312)로 구성된다. 주기제어부(4)는 전하방출부(41), 레벨검출부(42), 구동부(43) 및 리셋부(44)로 구성된다.
온도전압생성부(311)는 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 온도전압(V1) 및 제2 온도전압(V2)과, 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압(V3)을 생성한다. 제1 온도전압(V1)은 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 상승하고, 제2 온도전압(V2)은 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 하강한다. 온도전압생성부(311)는 온도에 따라 일정한 전압 레벨을 생성하거나 선형적으로 가변하는 레벨을 생성하는 widlar 회로등을 이용하여 구현할 수 있다.
증폭부(312)는 제1 온도전압(V1), 제2 온도전압(V2) 및 제3 온도전압(V3)을 증폭하여 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC)을 생성한다. 제1 증폭전압(VTP)은 제1 온도전압(V1)과 마찬가지로 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 상승하는데, 제1 온도전압(V1)보다 레벨 상승폭이 크다. 제2 증폭전압(VTN)은 제2 온도전압(V2)과 마찬가지로 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 하강하는데, 제2 온도전압(V2)보다 레벨 하강폭이 크다. 제3 증폭전압(VTC)은 제3 온도전압(V3)보다 높은 레벨을 갖는다. 증폭부(112)를 통해 온도 변화에 따라 레벨 변환폭이 큰 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC)을 생성하여 주기신호(OSC)의 주기를 조절함으로써, 온도 변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기 변화를 큰 해상도로 측정할 수 있다.
선택부(32)는 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)에 응답하여 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC) 중 하나를 구동전압(VDRV)으로 선택하여 출력한다. 보다 구체적으로, 제1 선택신호(SEL<1>)가 인에이블되는 경우 제1 증폭전압(VTP)을 구동전압(VDRV)으로 선택하여 출력하고, 제2 선택신호(SEL<2>)가 인에이블되는 경우 제2 증폭전압(VTN)을 구동전압(VDRV)으로 선택하여 출력하며, 제3 선택신호(SEL<3>)가 인에이블되는 경우 제3 증폭전압(VTC)을 구동전압(VDRV)으로 선택하여 출력한다. 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)는 집적회로 내부에서 생성되거나 집적회로 외부의 테스트장치 등에서 인가될 수 있다.
전하방출부(41)는 내부노드(ND2)에서 전하를 방출한다. 전하방출부(41)는 다이오드로 동작하는 MOS 트랜지스터를 포함하여 온도에 무관하게 일정한 속도로 내부노드(ND2)에서 전하를 방출하도록 구현하는 것이 타당하다.
레벨검출부(42)는 내부노드(ND2)에서 출력되는 내부신호(INTS)와 기준전압(VREF)을 비교하여 주기신호(OSC)의 논리레벨을 검출한다. 즉, 레벨검출부(42)는 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 높은 레벨인 경우 로직하이레벨의 주기신호(OSC)를 생성하고, 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨인 경우 로직로우레벨의 주기신호(OSC)를 생성한다. 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점은 구동부(43)에 의한 내부노드(ND2)를 구동하는 구동전압(VDRV)의 레벨에 따라 결정된다. 즉, 구동전압(VDRV)의 레벨이 상승할수록 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간이 증가하므로, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려진다. 이에 따라, 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다. 반대로, 구동전압(VDRV)의 레벨이 감소할수록 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간이 감소하므로, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 빨라진다. 이에 따라, 주기신호(OSC)의 주기는 감소한다.
구동부(43)는 주기신호(OSC)가 로직로우레벨로 천이하는 경우 내부노드(ND2)를 구동전압(VDRV)으로 구동한다. 구동부(43)가 내부노드(ND2)를 구동하는 시점은 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점에 의해 결정된다. 또한, 구동부(43)는 구동전압(VDRV)으로 내부노드(ND2)를 구동하므로, 구동전압(VDRV)의 레벨이 증가할수록 내부노드(ND2)의 레벨은 상승한다.
리셋부(44)는 리셋신호(RST)에 응답하여 주기신호(OSC)를 초기화한다. 좀 더 구체적으로, 리셋부(44)는 리셋신호(RST)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 접지전압(VSS)으로 구동한다. 리셋신호(RST)는 주기신호(OSC)의 생성 동작이 종료되는 경우 인에이블되도록 설정되는 것이 바람직하다.
이상 살펴본 바와 같이 구성된 주기신호생성회로의 동작을 도 6을 참고하여 살펴보면 다음과 같다.
우선, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제1 증폭전압(VTP)이 구동전압(VDRV)으로 선택된다. 구동전압(VDRV)의 레벨은 온도가 상승하는 구간에서는 상승하므로, 구동부(43)에 의해 구동되는 내부노드(ND2)의 레벨이 상승한다. 이에 따라, 내부노드(ND2)에서 출력되는 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨로 감소되는 시간이 증가되어 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려진다. 결국, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 상승하는 경우 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다. 한편, 구동전압(VDRV)의 레벨은 온도가 하강하는 구간에서는 하강하므로, 구동부(43)에 의해 구동되는 내부노드(ND2)의 레벨이 감소한다. 이에 따라, 내부노드(ND2)에서 출력되는 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨로 감소되는 시간이 감소되어 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려진다. 결국, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 하강하는 경우 주기신호(OSC)의 주기는 감소한다.
다음으로, 제2 선택신호(SEL<2>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제2 증폭전압(VTN)이 구동전압(VDRV)으로 선택된다. 구동전압(VDRV)의 레벨은 온도가 상승하는 구간에서는 하강하므로, 구동부(43)에 의해 구동되는 내부노드(ND2)의 레벨이 감소한다. 이에 따라, 내부노드(ND2)에서 출력되는 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨로 감소되는 시간이 감소되어 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려진다. 결국, 제2 선택신호(SEL<2>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 하강하는 경우 주기신호(OSC)의 주기는 감소한다. 한편, 구동전압(VDRV)의 레벨은 온도가 하강하는 구간에서는 상승하므로, 구동부(43)에 의해 구동되는 내부노드(ND2)의 레벨이 증가한다. 이에 따라, 내부노드(ND2)에서 출력되는 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨로 감소되는 시간이 증가되어 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려진다. 결국, 제2 선택신호(SEL<2>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 상승하는 경우 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다.
마지막으로, 제3 선택신호(SEL<3>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제3 증폭전압(VTC)이 구동전압(VDRV)으로 선택된다. 구동전압(VDRV)의 레벨은 온도에 무관하게 일정하므로, 구동부(43)에 의해 구동되는 내부노드(ND2)의 레벨은 일정하게 유지된다. 따라서, 내부노드(ND2)에서 출력되는 내부신호(INTS)의 레벨이 일정하게 유지되면 주기신호(OSC)의 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점도 일정하게 유지된다. 결국, 제3 선택신호(SEL<3>)가 로직하이레벨로 인에이블된 상태에서 온도가 상승하는 구간에서나 온도가 하강하는 구간에서 주기신호(OSC)의 주기는 일정하게 유지된다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로는 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)에 따라 온도변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기를 가변할 수 있고, 일정하게 유지할 수도 있다. 즉, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로에서 생성되는 주기신호(OSC)의 주기는 온도가 상승하는 구간에서 제1 선택신호(SEL<1>)가 인에이블되는 경우 증가하고, 제2 선택신호(SEL<2>)가 인에이블되는 경우 감소하며, 제3 선택신호(SEL<3>)가 인에이블되는 경우 일정하게 유지된다. 이와 같이, 본 실시예의 주기신호생성회로는 온도에 따라 가변하는 주기를 갖는 주기신호(OSC)를 생성하므로, 주기신호(OSC)에 따라 내부동작을 수행하는 집적회로의 신뢰성을 확보할 수 있다. 선형적으로 가변하는 온도전압들을 증폭하여 제어전압으로 사용하므로, 온도 변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기 변화를 큰 해상도로 측정할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 주기신호생성회로의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로는 전하방출부(5), 구동부(6), 기준전압생성부(7) 및 레벨검출부(8)로 구성된다. 기준전압생성부(7)는 온도전압증폭부(71) 및 선택부(72)로 구성된다. 온도전압증폭부(71)는 온도전압생성부(711) 및 증폭부(712)로 구성된다.
전하방출부(5)는 바이어스전압(VBIAS)에 응답하여 내부신호(INTS)가 출력되는 내부노드에서 전하를 방출한다. 바이어스전압(VBIAS)의 레벨은 전하방출부(41)가 온도에 무관하게 일정한 속도로 내부신호(INTS)가 출력되는 내부노드에서 전하를 방출할 수 있도록 설정된다.
구동부(6)는 주기신호(OSC)가 로직로우레벨로 천이하는 경우 내부신호(INTS)를 구동전압(VDRV)으로 구동한다. 구동부(6)가 내부신호(INTS)를 구동하는 시점은 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점에 의해 결정된다.
온도전압생성부(711)는 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 온도전압(V1) 및 제2 온도전압(V2)과, 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압(V3)을 생성한다. 제1 온도전압(V1)은 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 상승하고, 제2 온도전압(V2)은 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 하강한다. 온도전압생성부(711)는 온도에 따라 일정한 전압 레벨을 생성하거나 선형적으로 가변하는 레벨을 생성하는 widlar 회로등을 이용하여 구현할 수 있다.
증폭부(712)는 제1 온도전압(V1), 제2 온도전압(V2) 및 제3 온도전압(V3)을 증폭하여 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC)을 생성한다. 제1 증폭전압(VTP)은 제1 온도전압(V1)과 마찬가지로 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 상승하는데, 제1 온도전압(V1)보다 레벨 상승폭이 크다. 제2 증폭전압(VTN)은 제2 온도전압(V2)과 마찬가지로 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 하강하는데, 제2 온도전압(V2)보다 레벨 하강폭이 크다. 제3 증폭전압(VTC)은 제3 온도전압(V3)보다 높은 레벨을 갖는다. 증폭부(112)를 통해 온도 변화에 따라 레벨 변환폭이 큰 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC)을 생성하여 주기신호(OSC)의 주기를 조절함으로써, 온도 변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기 변화를 큰 해상도로 측정할 수 있다.
선택부(72)는 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)에 응답하여 제1 증폭전압(VTP), 제2 증폭전압(VTN) 및 제3 증폭전압(VTC) 중 하나를 기준전압(VREF)으로 선택하여 출력한다. 보다 구체적으로, 제1 선택신호(SEL<1>)가 인에이블되는 경우 제1 증폭전압(VTP)을 기준전압(VREF)으로 선택하여 출력하고, 제2 선택신호(SEL<2>)가 인에이블되는 경우 제2 증폭전압(VTN)을 기준전압(VREF)으로 선택하여 출력하며, 제3 선택신호(SEL<3>)가 인에이블되는 경우 제3 증폭전압(VTC)을 기준전압(VREF)으로 선택하여 출력한다. 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)는 집적회로 내부에서 생성되거나 집적회로 외부의 테스트장치 등에서 인가될 수 있다.
레벨검출부(8)는 내부신호(INTS)와 기준전압(VREF)을 비교하여 주기신호(OSC)의 논리레벨을 검출한다. 즉, 레벨검출부(8)는 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 높은 레벨인 경우 로직하이레벨의 주기신호(OSC)를 생성하고, 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨인 경우 로직로우레벨의 주기신호(OSC)를 생성한다. 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점은 기준전압(VREF)의 레벨에 따라 결정된다. 즉, 기준전압(VREF)의 레벨이 상승할수록 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간이 감소하므로, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 빨라진다. 이에 따라, 주기신호(OSC)의 주기는 감소한다. 반대로, 기준전압(VREF)의 레벨이 하강할수록 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간이 증가하므로, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려진다. 이에 따라, 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다.
이상 살펴본 바와 같이 구성된 주기신호생성회로의 동작을 도 8을 참고하여 살펴보면 다음과 같다.
우선, 제1 선택신호(SEL<1>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제1 증폭전압(VTP)이 기준전압(VREF)으로 선택된다. 기준전압(VREF)의 레벨은 온도가 상승하는 구간에서는 상승하므로, 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간이 감소한다. 이에 따라, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 빨라지므로, 주기신호(OSC)의 주기는 감소한다. 한편, 기준전압(VREF)의 레벨은 온도가 하강하는 구간에서는 하강하므로, 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간이 증가한다. 이에 따라, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려지므로, 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다.
다음으로, 제2 선택신호(SEL<2>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제2 증폭전압(VTN)이 기준전압(VREF)으로 선택된다. 기준전압(VREF)의 레벨은 온도가 상승하는 구간에서는 하강하므로, 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간이 증가한다. 이에 따라, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 느려지므로, 주기신호(OSC)의 주기는 증가한다. 한편, 기준전압(VREF)의 레벨은 온도가 하강하는 구간에서는 상승하므로, 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간이 감소한다. 이에 따라, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 빨라지므로, 주기신호(OSC)의 주기는 감소한다.
마지막으로, 제3 선택신호(SEL<3>)가 로직하이레벨로 인에이블되는 경우 제3 증폭전압(VTC)이 기준전압(VREF)으로 선택된다. 기준전압(VREF)의 레벨은 온도에 무관하게 일정하므로, 내부신호(INTS)가 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨될 때까지의 시간은 일정하게 유지된다. 이에 따라, 주기신호(OSC)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨로 천이하는 시점이 일정하게 유지되므로, 온도가 상승하는 구간에서나 온도가 하강하는 구간에서 주기신호(OSC)의 주기는 일정하다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로는 제1 내지 제3 선택신호(SEL<1:3>)에 따라 온도변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기를 가변할 수 있고, 일정하게 유지할 수도 있다. 즉, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로에서 생성되는 주기신호(OSC)의 주기는 온도가 상승하는 구간에서 제1 선택신호(SEL<1>)가 인에이블되는 경우 감소하고, 제2 선택신호(SEL<2>)가 인에이블되는 경우 증가하며, 제3 선택신호(SEL<3>)가 인에이블되는 경우 일정하게 유지된다. 이와 같이, 본 실시예의 주기신호생성회로는 온도에 따라 가변하는 주기를 갖는 주기신호(OSC)를 생성하므로, 주기신호(OSC)에 따라 내부동작을 수행하는 집적회로의 신뢰성을 확보할 수 있다. 선형적으로 가변하는 온도전압들을 증폭하여 제어전압으로 사용하므로, 온도 변화에 따른 주기신호(OSC)의 주기 변화를 큰 해상도로 측정할 수 있다.
1: 제어전압생성부 2: 주기제어부
11: 온도전압증폭부 12: 선택부
111: 온도전압생성부 112: 증폭부
21: 전하방출부 22: 레벨검출부
23: 구동부 24: 리셋부
121: 제1 전달소자 122: 제2 전달소자
123: 제3 전달소자 221: 전류원부
222: 신호입력부
3: 구동전압생성부 4: 주기제어부
31: 온도전압증폭부 32: 선택부
311: 온도전압생성부 312: 증폭부
41: 전하방출부 42: 레벨검출부
43: 구동부 44: 리셋부
5: 전하방출부 6: 구동부
7: 기준전압생성부 8: 레벨검출부
71: 온도전압증폭부 72: 선택부
711: 온도전압생성부 712: 증폭부

Claims (28)

  1. 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 및 제2 온도전압과 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압 중 하나를 선택하여 제어전압으로 출력하는 제어전압생성부; 및
    제어전압에 응답하여 내부노드에서 방출되는 전류량을 결정하고, 상기 내부노드에서 출력되는 내부신호의 레벨에 따라 주기가 결정되는 주기신호를 출력하는 주기제어부를 포함하는를 포함하는 주기신호생성회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 온도전압은 온도가 상승함에 따라 레벨이 상승하고, 상기 제2 온도전압은 온도가 상승함에 따라 레벨이 하강하는 주기신호생성회로.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 온도전압은 온도변화에 따라 선형적으로 레벨이 가변하는 주기신호생성회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제어전압생성부는
    상기 제1 내지 제3 온도전압을 생성하는 온도전압생성부;
    상기 제1 온도전압 및 제2 온도전압의 온도변화에 따른 레벨 변화를 증폭하여 제1 및 제2 증폭전압을 생성하고, 상기 제3 온도전압의 레벨을 증폭하여 제3 증폭전압을 생성하는 증폭부; 및
    선택신호에 응답하여 상기 제1 내지 제3 증폭전압 중 하나의 전압을 상기 제어전압으로 선택하여 출력하는 선택부를 포함하는 주기신호생성회로.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 선택신호는 내부에서 생성되거나 외부의 장치에서 인가되는 주기신호생성회로.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 선택부는
    제1 선택신호에 응답하여 상기 제1 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제1 전달소자;
    제2 선택신호에 응답하여 상기 제2 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제2 전달소자; 및
    제3 선택신호에 응답하여 상기 제3 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제3 전달소자를 포함하는 주기신호생성회로.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 주기제어부는
    상기 제어전압에 응답하여 상기 내부노드의 전하를 방출하는 전하방출부;
    기준전압에 응답하여 상기 내부노드에서 출력되는 내부신호의 레벨을 검출하여 상기 주기신호의 레벨을 결정하는 레벨검출부; 및
    상기 주기신호에 응답하여 상기 내부노드를 구동하는 구동부를 포함하는 주기신호생성회로.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 전하방출부의 전하 방출량은 상기 제어전압의 레벨이 상승할수록 증가하는 주기신호생성회로.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 레벨검출부는 상기 내부신호가 상기 기준전압보다 높은 레벨을 갖는 경우 제1 논리레벨의 상기 주기신호를 생성하고, 상기 내부신호가 상기 기준전압보다 낮은 레벨을 갖는 경우 제2 논리레벨의 상기 주기신호를 생성하는 주기신호생성회로.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 구동부는 상기 주기신호가 상기 제2 논리레벨인 경우 상기 내부노드를 구동하는 주기신호생성회로.
  11. 제 7 항에 있어서,
    리셋신호에 응답하여 상기 주기신호를 초기화하는 초기화소자를 더 포함하는 주기신호생성회로.
  12. 온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 및 제2 온도전압과 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압 중 하나를 선택하여 구동전압으로 출력하는 구동전압생성부;
    내부노드의 전하를 방출하는 전하방출부;
    상기 내부노드에서 출력되는 내부신호와 기준전압을 비교하여 주기신호의 논리레벨을 결정하는 레벨검출부; 및
    상기 주기신호에 응답하여 상기 구동전압으로 상기 내부노드를 구동하는 구동부를 포함하는 주기신호생성회로.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제1 온도전압은 온도가 상승함에 따라 레벨이 상승하고, 상기 제2 온도전압은 온도가 상승함에 따라 레벨이 하강하는 주기신호생성회로.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 온도전압은 온도변화에 따라 선형적으로 레벨이 가변하는 주기신호생성회로.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 구동전압생성부는
    상기 제1 내지 제3 온도전압을 생성하는 온도전압생성부;
    상기 제1 온도전압 및 제2 온도전압의 온도변화에 따른 레벨 변화를 증폭하여 제1 및 제2 증폭전압을 생성하고, 상기 제3 온도전압의 레벨을 증폭하여 제3 증폭전압을 생성하는 증폭부; 및
    선택신호에 응답하여 상기 제1 내지 제3 증폭전압 중 하나의 전압을 상기 구동전압으로 선택하여 출력하는 선택부를 포함하는 주기신호생성회로.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 선택신호는 내부에서 생성되거나 외부의 장치에서 인가되는 주기신호생성회로.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 선택부는
    제1 선택신호에 응답하여 상기 제1 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제1 전달소자;
    제2 선택신호에 응답하여 상기 제2 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제2 전달소자; 및
    제3 선택신호에 응답하여 상기 제3 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제3 전달소자를 포함하는 주기신호생성회로.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 레벨검출부는 상기 내부신호가 상기 기준전압보다 높은 레벨을 갖는 경우 제1 논리레벨의 상기 주기신호를 생성하고, 상기 내부신호가 상기 기준전압보다 낮은 레벨을 갖는 경우 제2 논리레벨의 상기 주기신호를 생성하는 주기신호생성회로.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 구동부는 상기 주기신호가 상기 제2 논리레벨인 경우 상기 내부노드를 구동하는 주기신호생성회로.
  20. 바이어스전압에 응답하여 내부노드의 전하를 방출하는 전하방출부;
    온도에 따라 레벨이 가변하는 제1 및 제2 온도전압과 온도에 따라 레벨이 일정한 제3 온도전압 중 하나를 선택하여 기준전압으로 출력하는 기준전압생성부;
    상기 내부노드에서 출력되는 내부신호와 상기 기준전압을 비교하여 주기신호의 논리레벨을 결정하는 레벨검출부; 및
    주기신호에 응답하여 상기 내부노드를 구동하는 구동부를 포함하는 주기신호생성회로.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 바이어스전압은 온도 변화에 관계없이 일정한 레벨을 갖는 주기신호생성회로.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 제1 온도전압은 온도가 상승함에 따라 레벨이 상승하고, 상기 제2 온도전압은 온도가 상승함에 따라 레벨이 하강하는 주기신호생성회로.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 온도전압은 온도변화에 따라 선형적으로 레벨이 가변하는 주기신호생성회로.
  24. 제 20 항에 있어서, 상기 기준전압생성부는
    상기 제1 내지 제3 온도전압을 생성하는 온도전압생성부;
    상기 제1 온도전압 및 제2 온도전압의 온도변화에 따른 레벨 변화를 증폭하여 제1 및 제2 증폭전압을 생성하고, 상기 제3 온도전압의 레벨을 증폭하여 제3 증폭전압을 생성하는 증폭부; 및
    선택신호에 응답하여 상기 제1 내지 제3 증폭전압 중 하나의 전압을 상기 기준전압으로 선택하여 출력하는 선택부를 포함하는 주기신호생성회로.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 선택신호는 내부에서 생성되거나 외부의 장치에서 인가되는 주기신호생성회로.
  26. 제 24 항에 있어서, 상기 선택부는
    제1 선택신호에 응답하여 상기 제1 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제1 전달소자;
    제2 선택신호에 응답하여 상기 제2 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제2 전달소자; 및
    제3 선택신호에 응답하여 상기 제3 증폭전압을 상기 제어전압으로 전달하는 제3 전달소자를 포함하는 주기신호생성회로.
  27. 제 20 항에 있어서, 상기 레벨검출부는 상기 내부신호가 상기 기준전압보다 높은 레벨을 갖는 경우 제1 논리레벨의 상기 주기신호를 생성하고, 상기 내부신호가 상기 기준전압보다 낮은 레벨을 갖는 경우 제2 논리레벨의 상기 주기신호를 생성하는 주기신호생성회로.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 구동부는 상기 주기신호가 상기 제2 논리레벨인 경우 상기 내부노드를 구동하는 주기신호생성회로.
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