KR101900378B1 - 리프레쉬회로 - Google Patents

리프레쉬회로 Download PDF

Info

Publication number
KR101900378B1
KR101900378B1 KR1020120056373A KR20120056373A KR101900378B1 KR 101900378 B1 KR101900378 B1 KR 101900378B1 KR 1020120056373 A KR1020120056373 A KR 1020120056373A KR 20120056373 A KR20120056373 A KR 20120056373A KR 101900378 B1 KR101900378 B1 KR 101900378B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
current
control node
temperature
response
Prior art date
Application number
KR1020120056373A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130132188A (ko
Inventor
김동균
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020120056373A priority Critical patent/KR101900378B1/ko
Priority to US13/716,041 priority patent/US9070476B2/en
Publication of KR20130132188A publication Critical patent/KR20130132188A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101900378B1 publication Critical patent/KR101900378B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/402—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration individual to each memory cell, i.e. internal refresh
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G11C11/40615—Internal triggering or timing of refresh, e.g. hidden refresh, self refresh, pseudo-SRAMs
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G11C11/40626—Temperature related aspects of refresh operations
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
    • H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H03L1/027—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using frequency conversion means which is variable with temperature, e.g. mixer, frequency divider, pulse add/substract logic circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation

Abstract

주기신호생성회로는 제어노드의 레벨에 따라 상기 제어노드를 구동하고, 제1 온도신호에 응답하여 제어노드로부터 일정한 전류량을 갖는 제1 전류를 방전하며, 상기 제1 온도신호에 응답하여 상기 제어노드로부터 내부온도의 변화에 따라 가변하는 전류량을 갖는 제2 전류를 방전하여 주기신호를 생성하는 주기신호생성회로와, 상기 주기신호를 분주하여 제1 및 제2 분주신호를 생성하는 분주신호생성부, 및 제2 온도신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 분주신호 중 하나를 리프레쉬신호로 선택하여 출력하는 선택기를 포함한다.

Description

리프레쉬회로{REFRESH CIRCUIT}
본 발명은 온도에 따라 상이한 주기를 갖는 리프레쉬신호를 생성하는 리프레쉬회로에 관한 것이다.
일반적으로 반도체메모리장치는 외부전원이 차단될 때 데이터가 보존되는지 여부에 따라 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 구분된다. 외부전원의 차단에 의해 데이터가 보존되지 않는 휘발성 메모리로는 에스램(SRAM)및 디램(DRAM) 등이 있다. 에스램(SRAM)의 단위셀은 플립플롭 회로와 2개의 스위치로 이루어지며, 전원이 인가되어 있는 한 플립플롭의 피드백 효과에 의해 데이터가 저장된다. 한편, 디램 (DRAM)의 단위셀은 스위치 역할을 하는 셀트랜지스터와 데이터를 저장하는 역할을 하는 커패시터로 구성되어, 턴온된 셀트랜지스터를 통해 입력된 데이터를 셀커패시터에 저장한다.
그런데, 디램 (DRAM)의 경우 셀트랜지스터에 누설전류가 있어서 셀커패시터에 저장된 초기의 전하량이 소멸되므로 데이터가 소실될 수 있다. 이를 방지하기 위해서 데이터가 소실되기 전에 셀커패시터에 저장된 데이터를 초기의 전하량으로 재충전해 주어야 한다. 이러한 셀커패시터에 저장된 데이터의 재충전 과정을 리프레쉬(refresh)라 부른다.
리프레쉬는 동작 방법에 따라 두가지로 분류 되는데, 메모리 컨트롤러에서 리프레쉬 명령을 주는 오토리프레쉬(auto refresh)와, 메모리 컨트롤러에서 리프레쉬 개시신호만 주고 리프레쉬 종료신호가 올 때까지 디램 내부에서 자체적으로 리프레쉬를 수행하는 셀프리프레쉬(self refresh)가 있다.
셀프리프레쉬는 내부에서 정한 리프레쉬 주기에 따라 주기적으로 리프레쉬를 수행하게 된다. 리프레쉬주기는 셀커패시터가 올바른 논리레벨로 인식되도록 충분한 전하량을 보유하는 시간인 리텐션 타임(retention time)에 의해 결정된다. 리텐션타임(retention time)은 셀트랜지스터의 누설전류의 영향으로 디램의 내부온도에 따라 가변한다.
리텐션타임은 저온에서는 증가하고, 고온에서는 감소하는 특성이 있으므로, 리프레쉬주기 또한 디램의 내부온도에 따라 가변하도록 설정해야 한다. 즉, 리프레쉬주기는 내부온도가 높아질수록 리프레쉬 특성을 보장하기 위해 짧게 설정되어야 하고, 내부온도가 낮아질수록 전력소모를 줄이기 위해 길게 설정되어야 한다. 종래의 디램에서는 주기신호생성회로를 구비하여 디램의 내부온도에 따라 리프레쉬 주기를 조절하고 있다.
본 발명은 회로구성이 단순하여 면적 소모가 적고, 주기가 비슷한 신호를 비교하는 비교동작을 수행하지 않아 안정적인 동작이 가능하도록 한 주기신호생성회로를 포함하는 리프레쉬회로를 제공한다.
이를 위해 본 발명은 제어노드의 레벨에 따라 상기 제어노드를 구동하고, 제1 온도신호에 응답하여 제어노드로부터 일정한 전류량을 갖는 제1 전류를 방전하며, 상기 제1 온도신호에 응답하여 상기 제어노드로부터 내부온도의 변화에 따라 가변하는 전류량을 갖는 제2 전류를 방전하여 주기신호를 생성하는 주기신호생성회로; 상기 주기신호를 분주하여 제1 및 제2 분주신호를 생성하는 분주신호생성부; 및 제2 온도신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 분주신호 중 하나를 리프레쉬신호로 선택하여 출력하는 선택기를 포함하는 리프레쉬회로를 제공한다.
또한, 본 발명은 제어노드의 레벨에 따라 상기 제어노드를 구동하고, 제1 및 제2 전류를 방전하여 주기신호를 생성하되, 상기 제1 및 제2 전류의 전류량 합은 내부온도가 기설정된 설정온도보다 낮은 경우 일정하고, 상기 내부온도가 상기 기설정된 설정온도보다 높은 경우에는 가변하는 주기신호생성회로; 상기 주기신호를 분주하여 제1 및 제2 분주신호를 생성하는 분주신호생성부; 및 온도신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 분주신호 중 하나를 리프레쉬신호로 선택하여 출력하는 선택기를 포함하는 리프레쉬회로를 제공한다.
본 발명에 의하면 회로구성이 단순하여 면적 소모가 적은 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 주기가 비슷한 신호를 비교하는 비교동작을 수행하지 않는 주기신호생성회로를 사용함으로써, 안정적인 동작이 가능한 효과도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리프레쉬회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 주기신호생성회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 주기신호생성회로에 포함된 제2 기준전압생성부의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 4는 도 2에 도시된 주기신호생성회로에 포함된 제1 방전부의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 5는 도 2에 도시된 주기신호생성회로에 포함된 제2 방전부의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 6은 도 2에 도시된 주기신호생성회로에서 내부온도에 따른 제1 및 제2 방전전류의 전류량을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 2에 도시된 주기신호생성회로에서 생성되는 주기신호의 파형을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 1에 도시된 리프레쉬회로에서 생성된 리프레쉬신호의 파형을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프레쉬회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 주기신호생성회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 주기신호생성회로에 포함된 제1 방전부의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 12는 도 10에 도시된 주기신호생성회로에 포함된 제2 방전부의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 13은 도 10에 도시된 주기신호생성회로에서 생성된 주기신호의 파형을 도시한 도면이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리프레쉬회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 리프레쉬회로는 온도센서(1), 주기신호생성회로(2), 분주신호생성부(3), 선택기(4)로 구성된다.
온도센서(1)는 제1 온도신호(TS1) 및 제2 온도신호(TS2)를 생성한다. 제1 온도신호(TS1)는 기설정된 제1 설정온도(본 실시예에서는 45℃)미만에서는 로직하이레벨이고, 제1 설정온도 이상에서는 로직로우레벨로 설정된다. 제2 온도신호(TS2)는 기설정된 제2 설정온도(본 실시예에서는 78℃)미만에서는 로직하이레벨이고, 제2 설정온도 이상에서는 로직로우레벨로 설정된다. 제1 온도신호(TS1) 및 제2 온도신호(TS2)의 논리레벨과 제1 및 제2 설정온도는 실시예에 따라 다양하게 설정할 수 있다.
주기신호생성회로(2)는 제1 온도신호(TS1)에 응답하여 주기가 조절되는 주기신호(PS)를 생성한다. 주기신호생성회로(2)의 구체적인 구성 및 동작은 도 2 내지 7을 참고하여 후술한다.
분주신호생성부(3)는 제1 분주기(31) 및 제2 분주기(32)로 구성된다. 제1 분주기(31)는 주기신호(PS)를 분주하여 제1 분주신호(DIV1)를 생성한다. 제2 분주기(32)는 제1 분주신호(DIV1)를 분주하여 제2 분주신호(DIV2)를 생성한다. 제1 분주신호(DIV1)는 주기신호(PS)보다 N배만큼 긴 주기로 설정되고, 제2 분주신호(DIV2)는 제1 분주신호(DIV1)보다 M배만큼 긴 주기로 설정된다. 여기서, N, M은 자연수이다.
선택기(4)는 제2 온도신호(TS2)에 응답하여 제1 분주신호(DIV1) 및 제2 분주신호(DIV2) 중 하나를 선택하여 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다. 예를 들어, 선택기(4)는 제2 설정온도미만에서는 로직하이레벨의 제2 온도신호(TS2)를 입력받아 제2 분주신호(DIV2)를 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다. 또한, 선택기(4)는 제2 설정온도이상에서는 로직로우레벨의 제2 온도신호(TS2)를 입력받아 제1 분주신호(DIV1)를 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다.
도 2는 주기신호생성회로(2)의 구성을 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로(2)는 주기신호생성부(21), 방전제어부(22)로 구성된다.
주기신호생성부(21)는 제1 기준전압생성부(211), 비교부(212), 구동부(213), 안정화부(214) 및 버퍼부(215)로 구성된다. 제1 기준전압생성부(211)는 일정한 레벨을 갖는 제1 기준전압(VREF1)을 생성한다. 비교부(212)는 제1 기준전압(VREF1)과 제어노드(nd_CTR)의 전압을 비교하여 비교신호(COM)를 생성한다. 비교신호(COM)는 제어노드(nd_CTR)의 전압이 제1 기준전압(VREF1)보다 작은 레벨인 경우 로직로우레벨로 인에이블된다. 구동부(213)는 로직로우레벨로 인에이블된 비교신호(COM)를 입력받아 제어노드(nd_CTR)을 전원전압으로 구동한다. 안정화부(214)는 제어노드(nd_CTR)로부터 전하를 공급받아 충전되는 커패시터로 구성되어, 제어노드(nd_CTR)의 전압을 안정화시킨다. 버퍼부(215)는 비교신호(COM)를 버퍼링하여 주기신호(PS)를 생성한다.
방전제어부(22)는 제2 기준전압생성부(222), 제1 방전부(223) 및 제2 방전부(224)로 구성된다. 제2 기준전압생성부(222)는 내부온도의 변화에 따라 일정한 레벨을 갖거나 선형적으로 가변하는 레벨을 갖도록 설정된 제2 기준전압(VREF2)을 생성한다. 제1 방전부(223)는 제2 기준전압(VREF2)에 응답하여 내부온도의 변화에 일정한 전류량을 갖는 제1 전류(I1)를 제어노드(nd_CTR)로부터 방전한다. 제2 방전부(224)는 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가하는 전류량을 갖는 제2 전류(I2)를 제어노드(nd_CTR)로부터 방전한다. 제1 방전부(223) 및 제2 방전부(224)는 제1 온도신호(TS1)에 따라 선택적으로 구동되어 제어노드(nd_CTR)의 전하를 방출한다. 즉, 제1 온도신호(TS1)가 로직하이레벨인 경우(45℃ 미만) 제1 방전부(223)가 구동되어 제어노드(nd_CTR)로부터 제1 전류(I1)가 방전된다. 또한, 제1 온도신호(TS1)가 로직로우레벨인 경우(45℃ 이상) 제2 방전부(224)가 구동되어 제어노드(nd_CTR)로부터 제2 전류(I2)가 방전된다.
이하, 도 3 내지 도6을 참고하여, 제2 기준전압생성부(222), 제1 방전부(223)및 제2 방전부(224)의 구성을 보다 구체적으로 살펴본다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제2 기준전압생성부(222)는 제1 전류원(2221), 제2 전류원(2222), 기준전압구동부(2223), 선형조절부(2224) 및 저항소자들(R21, R22)로 구성된다. 제1 전류원(2221)은 노드(nd21) 및 노드(nd22)의 전압에 응답하여 정전류원으로 동작하여 노드(nd21)에 전하를 공급한다. 제2 전류원(2222)은 노드(nd23)의 전압에 응답하여 정전류원으로 동작하여 노드(nd22)의 전하를 방출한다. 저항소자(R21)는 노드(nd21) 및 노드(nd22) 사이에 연결되고, 저항소자(R22)는 제2 전류원(2222) 및 접지전압 사이에 연결된다. 저항소자들(R21, R22)에 의해 제2 기준전압(VREF2)은 내부온도의 변화에 따라 선형적으로 변하는 특성을 갖게 된다. 기준전압구동부(2223)는 노드(nd21) 및 노드(nd22)의 전압에 응답하여 제2 기준전압(VREF2)을 전원전압으로 구동한다. 선형조절부(2224)는 기준전압구동부(2223)의 출력노드에 전기적으로 접속되고, 제2 기준전압신호(VREF2)는 기준전압구동부(2223)의 출력노드를 통하여 출력된다. 선형조절부(2224)는 포화영역에서 동작하는 MOS 트랜지스터로 구현된 다이오드소자로 구성되고, MOS 트랜지스터의 사이즈(예를 들면, 채널길이에 대한 채널폭의 비율)를 조절하여 내부온도에 따른 제2 기준전압(VREF2)의 레벨 변화의 기울기를 조절할 수 있다. 따라서, 제2 기준전압생성부(222)에서 생성되는 제2 기준전압(VREF2)은 내부온도에 따라 레벨이 일정하게 생성될 수 있고, 선형적으로 레벨이 변화되도록 생성될 수도 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 방전부(223)는 스위치부(2231) 및 활성화부(2232)로 구성된다. 스위치부(2231)는 제2 기준전압(VREF2)을 게이트로 인가받아 턴온되는 NMOS 트랜지스터들(N21~N23)로 구성된다. 제2 기준전압(VREF2)이 NMOS 트랜지스터들(N21~N23)의 게이트들에 인가될 때, 제어노드(nd_CTR)에 저장된 전하들은 NMOS 트랜지스터들(N21~N23)을 통하여 방전되어 제어노드(nd_CTR)로부터 노드(nd25)를 향하여 흐르는 제1 전류(I1)를 생성한다. 활성화부(2232)는 제1 온도신호(TS1)가 로직하이레벨인 경우 노드(nd25)를 접지전압에 연결하여 스위치부(2231)의 동작을 활성화시킨다. 이와 같이 구성된 제1 방전부(223)는 내부온도가 기설정된 설정온도(45℃)보다 낮은 경우 제어노드(nd_CTR)로부터 제1 전류(I1)를 방전시킨다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제2 방전부(224)는 다이오드부(2241) 및 활성화부(2242)로 구성된다. 다이오드부(2241)는 다이오드소자로 동작하는 포화된 NMOS 트랜지스터들(N24~N26)로 구성되어, 제어노드(nd_CTR)로부터 노드(nd26)로 흐르는 제2 전류(I2)를 생성한다. 활성화부(2242)는 제1 온도신호(TS1)가 로직로우레벨인 경우 노드(nd26)를 접지전압에 연결하여 다이오드부(2241)의 동작을 활성화시킨다. 이와 같이 구성된 제2 방전부(224)는 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃)이상인 경우 제어노드(nd_CTR)로부터 제2 전류(I2)를 방전시킨다.
도 6을 참고하면 제1 방전부(223)를 통해 방전되는 제1 전류(I1)의 전류량과 제2 방전부(224)를 통해 방전되는 제2 전류(I2)의 전류량을 확인할 수 있다. 즉, 제1 전류(I1)는 내부온도의 변화에 따라 전류량이 일정(실시예에 따라서는 선형적으로 증가하거나 감소하도록 구현할 수 있음)하고, 제2 전류(I2)는 내부온도가 증가할수록 전류량이 비선형적으로 증가한다.
이하, 주기신호생성회로(2)에서 주기신호(PS)가 생성되는 동작을 살펴보되, 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃)보다 낮은 경우와 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃)보다 높은 경우로 나누어 살펴본다.
우선, 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 낮은 경우에는 로직하이레벨의 제1 온도신호(TS1)에 의해 제1 방전부(223)만 동작한다. 제어노드(nd_CTR)는 구동부(213) 및 제1 방전부(223)에 의해 충방전되고, 제1 방전부(223)에 의한 제1 전류(I1)의 전류량은 내부온도의 변화에 따라 일정하므로, 비교신호(COM)의 레벨이 천이되는 시점간의 간격은 일정하게 유지된다. 따라서, 도 7에서 확인할 수 있듯이, 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 낮을 때 주기신호(PS)의 주기는 일정하게 유지된다.
다음으로, 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 높은 경우에는 로직로우레벨의 제1 온도신호(TS1)에 의해 제2 방전부(224)만 동작한다. 제2 방전부(224)를 통해 방전되는 제2 전류(I2)의 전류량은 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가하므로, 비교신호(COM)의 레벨이 천이되는 시점간의 간격은 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 감소한다. 따라서, 도 7에서 확인할 수 있듯이, 내부온도가 제1 설정온도(45℃)이상인 경우 주기신호(PS)의 주기는 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 감소한다.
본 실시예에 따른 주기신호생성회로(2)는 복수의 오실레이션신호를 생성하는 회로와 복수의 오실레이션신호를 비교하는 회로를 사용하지 않아 회로 구성을 단순화시킴으로써, 적은 면적으로 구현할 수 있다. 또한, 본 실시예의 주기신호생성회로는 복수의 오실레이션신호를 비교하는 동작을 수행하지 않으므로, 비슷한 주기의 오실레이션신호를 비교함으로써 발생되는 오류를 방지하여 안정적인 동작이 가능하다.
이하, 주기신호생성회로(2)를 포함하는 리프레쉬회로의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 주기신호생성회로(2)는 제1 온도신호(TS1)에 응답하여 주기가 조절되는 주기신호(PS)를 생성한다. 주기신호(PS)의 주기는 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 낮을 때 일정하게 유지되고, 제1 설정온도(45℃)이상인 경우 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가한다.
다음으로, 분주신호생성부(3)는 주기신호(PS)를 분주하여 제1 분주신호(DIV1)를 생성하고, 제1 분주신호(DIV1)를 분주하여 제2 분주신호(DIV2)를 생성한다.
다음으로, 선택기(4)는 제2 온도신호(TS2)에 응답하여 제1 분주신호(DIV1) 및 제2 분주신호(DIV2) 중 하나를 선택하여 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다. 선택기(4)는 제2 설정온도(78℃) 미만에서는 로직하이레벨의 제2 온도신호(TS2)를 입력받아 제1 분주신호(DIV1)를 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다. 또한, 선택기(4)는 제2 설정온도(78℃) 이상에서는 로직로우레벨의 제2 온도신호(TS2)를 입력받아 제2 분주신호(DIV2)를 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다.
이상 살펴본 리프레쉬회로에서 생성되는 리프레쉬신호(PSRF)의 파형은 도 8을 통해 확인할 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 리프레쉬신호(PSRF)는 제2 설정온도(78℃) 미만에서는 제1 분주신호(DIV1)가 전달되어 생성되고, 제2 설정온도(78℃) 이상에서는 제2 분주신호(DIV2)가 전달되어 생성된다. 따라서, 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 낮을 때 리프레쉬신호(PSRF)의 주기는 일정하게 유지된다. 또한, 제1 설정온도(45℃)이상이고, 제2 설정온도(78℃) 미만에서는 리프레쉬신호(PSRF)의 주기는 제1 분주신호(DIV1)에 따라 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 감소한다. 그리고, 제2 설정온도(78℃) 이상에서는 제2 분주신호(DIV2)에 따라 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 감소한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프레쉬회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 리프레쉬회로는 온도센서(5), 주기신호생성회로(6), 분주신호생성부(7), 선택기(8)로 구성된다.
온도센서(5)는 온도신호(TS)를 생성한다. 온도신호(TS)는 기설정된 제2 설정온도(본 실시예에서는 78℃)미만에서는 로직하이레벨이고, 제2 설정온도(78℃) 이상에서는 로직로우레벨로 설정된다. 온도신호(TS)의 논리레벨과 제2 설정온도(78℃)는 실시예에 따라 다양하게 설정할 수 있다.
주기신호생성회로(6)는 인에이블신호(EN)에 응답하여 주기가 조절되는 주기신호(PS)를 생성한다. 주기신호생성회로(6)의 구체적인 구성 및 동작은 도 10 내지 13을 참고하여 후술한다.
분주신호생성부(7)는 제1 분주기(71) 및 제2 분주기(72)로 구성된다. 제1 분주기(71)는 주기신호(PS)를 분주하여 제1 분주신호(DIV1)를 생성한다. 제2 분주기(72)는 제1 분주신호(DIV1)를 분주하여 제2 분주신호(DIV2)를 생성한다. 제1 분주신호(DIV1)는 주기신호(PS)보다 N배만큼 긴 주기로 설정되고, 제2 분주신호(DIV2)는 제1 분주신호(DIV1)보다 M배만큼 긴 주기로 설정된다. 여기서, N, M은 자연수이다.
선택기(8)는 온도신호(TS)에 응답하여 제1 분주신호(DIV1) 및 제2 분주신호(DIV2) 중 하나를 선택하여 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다. 예를 들어, 선택기(8)는 제2 설정온도(78℃)미만에서는 로직하이레벨의 온도신호(TS)를 입력받아 제2 분주신호(DIV2)를 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다. 또한, 선택기(4)는 제2 설정온도(78℃)이상에서는 로직로우레벨의 온도신호(TS)를 입력받아 제1 분주신호(DIV1)를 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다.
도 10은 주기신호생성회로(6)의 구성을 도시한 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 주기신호생성회로(6)는 주기신호생성부(61), 방전제어부(62)로 구성된다.
주기신호생성부(61)는 제1 기준전압생성부(611), 비교부(612), 구동부(613), 안정화부(614) 및 버퍼부(615)로 구성된다. 제1 기준전압생성부(611)는 일정한 레벨을 갖는 제1 기준전압(VREF1)을 생성한다. 비교부(612)는 제1 기준전압(VREF1)과 제어노드(nd_CTR)의 전압을 비교하여 비교신호(COM)를 생성한다. 비교신호(COM)는 제어노드(nd_CTR)의 전압이 제1 기준전압(VREF1)보다 작은 레벨인 경우 로직로우레벨로 인에이블된다. 구동부(613)는 로직로우레벨로 인에이블된 비교신호(COM)를 입력받아 제어노드(nd_CTR)을 전원전압으로 구동한다. 안정화부(614)는 제어노드(nd_CTR)로부터 전하를 공급받아 충전되는 커패시터로 구성되어, 제어노드(nd_CTR)의 전압을 안정화시킨다. 버퍼부(615)는 비교신호(COM)를 버퍼링하여 주기신호(PS)를 생성한다.
방전제어부(62)는 제2 기준전압생성부(621), 제1 방전부(622) 및 제2 방전부(623)로 구성된다. 제2 기준전압생성부(621)는 내부온도의 변화에 따라 일정한 레벨을 갖거나 선형적으로 가변하는 레벨을 갖도록 설정된 제2 기준전압(VREF2)을 생성한다. 제1 방전부(622)는 제2 기준전압(VREF2)에 응답하여 내부온도가 증가할수록 선형적으로 감소하는 전류량을 갖는 제1 전류(I1)를 제어노드(nd_CTR)로부터 방전한다. 제2 방전부(623)는 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가하는 전류량을 갖는 제2 전류(I2)를 제어노드(nd_CTR)로부터 방전한다. 제1 방전부(622) 및 제2 방전부(623)는 인에이블신호(EN)에 응답하여 함께 구동되어, 제어노드(nd_CTR)로부터 제1 전류(I1) 및 제2 전류(I2)를 방전한다. 인에이블신호(EN)는 주기신호(PS)의 생성을 위해 로직하이레벨로 인에이블된다. 제1 전류(I1) 및 제2 전류(I2)의 전류량 합은 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃) 미만일 때 일정하고, 기설정된 제1 설정온도(45℃) 이상에서는 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가한다. 제2 기준전압생성부(61)는 앞서 설명한 도 3에 도시된 구성으로 구현할 수 있으므로, 구체적인 구성 및 동작에 대한 설명은 생략한다.
이하, 도 11 및 도 12를 참고하여, 제1 방전부(622) 및 제2 방전부(623)의 구성을 보다 구체적으로 살펴본다.
도 11에 도시된 바와 같이, 제1 방전부(622)는 스위치부(6221) 및 활성화부(6222)로 구성된다. 스위치부(6221)는 제2 기준전압(VREF2)을 게이트로 인가받아 턴온되는 NMOS 트랜지스터들(N61~N63)로 구성되어, 제어노드(nd_CTR)로부터 제1 전류(I1)를 방전시키는 동작을 수행한다. 활성화부(6222)는 인에이블신호(EN)가 로직하이레벨인 경우 노드(nd61)를 접지전압에 연결하여 스위치부(6221)의 동작을 활성화시킨다.
도 12에 도시된 바와 같이, 제2 방전부(623)는 다이오드부(6231) 및 활성화부(6232)로 구성된다. 다이오드부(6231)는 다이오드소자로 동작하는 NMOS 트랜지스터들(N64~N66)로 구성되어, 제어노드(nd_CTR)로부터 제2 전류(I2)를 방전시키는 동작을 수행한다. 활성화부(6232)는 인에이블신호(EN)가 로직하이레벨인 경우 노드(nd62)를 접지전압에 연결하여 다이오드부(6231)의 동작을 활성화시킨다.
도 13을 참고하면 제1 방전부(622)에서 방전되는 제1 전류(I1)의 전류량과 제2 방전부(623)에서 방전되는 제2 전류(I2)의 전류량을 확인할 수 있다. 즉, 제1 전류(I1)는 내부온도가 증가할수록 전류량이 선형적으로 감소하고, 제2 전류(I2)는 내부온도가 증가할수록 전류량이 비선형적으로 증가한다. 제1 전류(I1) 및 제2 전류(I2)의 전류량 합은 제1 설정온도(45℃)를 기준으로 서로 다른 특성을 갖도록 설정된다. 즉, 제1 전류(I1) 및 제2 전류(I2)의 전류량 합은 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 낮은 온도에서는 일정하고, 제1 설정온도(45℃)보다 높은 온도에서는 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가하도록 생성되는 것이 바람직하다. 제2 전류(I2)의 경우 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가하는 전류량을 갖지만 설정온도(45℃)미만에서는 내부온도 변화에 따른 전류량 변화가 작아 선형에 가까운 기울기로 증가하게 된다. 따라서, 내부온도가 설정온도보다 낮은 온도일 때 제1 전류(I1) 및 제2 전류(I2)의 전류량 합은 거의 일정하게 생성된다.
이상 살펴본 본 실시예에 따른 주기신호생성회로에서 주기신호(PS)의 생성 동작을 살펴보되, 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃)보다 낮은 경우와 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 높은 경우로 나누어 살펴본다.
우선, 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃)보다 낮은 경우 제어노드(nd_CTR)는 구동부(613)에 의해 전하가 충전되고, 제1 방전부(622) 및 제2 방전부(623)에 의해 전하가 방전된다. 주기신호(PS)의 상승에지(rising edge)는 구동부(613)에 의한 제어노드(nd_CTR)의 전하 충전 동작에 의존하고, 주기신호(PS)의 하강에지(falling edge)는 제1 방전부(622) 및 제2 방전부(623)에 의한 제어노드(nd_CTR)의 전하 방전 동작에 의존한다. 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃)보다 낮을 때 제1 방전부(622) 및 제2 방전부(623)를 통해 방전되는 제1 전류(I1) 및 제2 전류(I2)의 전류량 합은 일정하다. 따라서, 주기신호(PS)의 주기는 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 낮은 구간에서 일정하게 생성된다.
다음으로, 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃)보다 높은 경우에는 제1 방전부(622) 및 제2 방전부(623)를 통해 방전되는 제1 전류(I1) 및 제2 전류(I2)의 전류량 합은 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가한다. 따라서, 내부온도가 기설정된 제1 설정온도(45℃)이상인 경우 주기신호(PS)의 주기는 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 감소한다.
이상 살펴본 주기신호생성회로에서 생성된 주기신호(PS)는 셀프리프레쉬 주기를 설정하는 경우뿐만 아니라 주기동작이 필요한 다양한 회로에 사용될 수 있다. 본 실시예의 주기신호생성회로는 온도센서, 복수의 오실레이션신호를 생성하는 회로 및 복수의 오실레이션신호를 비교하는 회로를 사용하지 않아 회로 구성을 단순화시킴으로써, 적은 면적으로 구현할 수 있다. 또한, 본 실시예의 주기신호생성회로는 복수의 오실레이션신호를 비교하는 동작을 수행하지 않으므로, 비슷한 주기의 오실레이션신호를 비교함으로써 발생되는 오류를 방지하여 안정적인 동작이 가능하다.
이하, 주기신호생성회로(6)를 포함하는 리프레쉬회로의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 주기신호생성회로(6)는 제1 설정온도(45℃)를 기준으로 주기가 조절되는 주기신호(PS)를 생성한다. 주기신호(PS)의 주기는 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 낮을 때 일정하게 유지되고, 제1 설정온도(45℃)이상인 경우 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가한다.
다음으로, 분주신호생성부(7)는 주기신호(PS)를 분주하여 제1 분주신호(DIV1)를 생성하고, 제1 분주신호(DIV1)를 분주하여 제2 분주신호(DIV2)를 생성한다.
다음으로, 선택기(8)는 온도신호(TS)에 응답하여 제1 분주신호(DIV1) 및 제2 분주신호(DIV2) 중 하나를 선택하여 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다. 선택기(8)는 제2 설정온도(78℃) 미만에서는 로직하이레벨의 온도신호(TS)를 입력받아 제2 분주신호(DIV2)를 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다. 또한, 선택기(8)는 제2 설정온도(78℃) 이상에서는 로직로우레벨의 온도신호(TS)를 입력받아 제1 분주신호(DIV1)를 리프레쉬신호(PSRF)로 출력한다.
이상 살펴본 리프레쉬회로에서 생성되는 리프레쉬신호(PSRF)는 제2 설정온도(78℃) 미만에서는 제2 분주신호(DIV2)가 전달되어 생성되고, 제2 설정온도(78℃) 이상에서는 제1 분주신호(DIV1)가 전달되어 생성된다. 따라서, 내부온도가 제1 설정온도(45℃)보다 낮을 때 리프레쉬신호(PSRF)의 주기는 일정하게 유지된다. 또한, 제1 설정온도(45℃)이상이고, 제2 설정온도(78℃) 미만에서는 리프레쉬신호(PSRF)의 주기는 제2 분주신호(DIV2)에 따라 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 감소한다. 그리고, 제2 설정온도(78℃) 이상에서는 제1 분주신호(DIV1)에 따라 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 감소한다.
(일 실시예)
1: 온도센서 2: 주기신호생성회로
3: 분주신호생성부 31: 제1 분주기
32: 제2 분주기 4: 선택기
21: 주기신호생성부 211: 제1 기준전압생성부
212: 비교부 213: 구동부
214: 안정화부 215: 버퍼부
22: 방전제어부 222: 제2 기준전압생성부
223: 제1 방전부 224: 제2 방전부
(다른 실시예)
5: 온도센서 6: 주기신호생성회로
7: 분주신호생성부 71: 제1 분주기
72: 제2 분주기 8: 선택기
61: 주기신호생성부 611: 제1 기준전압생성부
612: 비교부 613: 구동부
614: 안정화부 615: 버퍼부
62: 방전제어부 621: 제2 기준전압생성부
622: 제1 방전부 623: 제2 방전부

Claims (23)

  1. 제어노드의 레벨에 따라 상기 제어노드를 구동하고, 제1 온도신호에 응답하여 제어노드로부터 일정한 전류량을 갖는 제1 전류를 방전하며, 상기 제1 온도신호에 응답하여 상기 제어노드로부터 내부온도의 변화에 따라 가변하는 전류량을 갖는 제2 전류를 방전하여 주기신호를 생성하는 주기신호생성회로;
    상기 주기신호를 분주하여 제1 및 제2 분주신호를 생성하는 분주신호생성부; 및
    제2 온도신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 분주신호 중 하나를 리프레쉬신호로 선택하여 출력하는 선택기를 포함하되, 상기 제1 온도신호는 제1 설정온도에서 레벨천이하고, 상기 제2 온도신호는 상기 제1 설정온도보다 높은 제2 설정온도에서 레벨천이하는 리프레쉬회로.
  2. ◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 1 항에 있어서, 상기 분주신호생성부는
    상기 주기신호를 분주하여 상기 제1 분주신호를 생성하는 제1 분주기; 및
    상기 제1 분주신호를 분주하여 상기 제2 분주신호를 생성하는 제2 분주기를 포함하는 리프레쉬회로.
  3. 삭제
  4. ◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 1 항에 있어서, 상기 주기신호생성회로는
    상기 제어노드가 제1 기준전압보다 낮은 레벨인 경우 상기 제어노드를 전원전압으로 구동하고, 상기 주기신호를 생성하는 주기신호생성부; 및
    상기 제1 온도신호에 응답하여 제1 전류 및 상기 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 전류량이 증가하는 제2 전류를 방전하는 방전제어부를 포함하는 리프레쉬회로.
  5. ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 4 항에 있어서, 상기 주기신호생성부는
    상기 제어노드의 레벨과 상기 제1 기준전압을 비교하여 비교신호를 생성하는 비교기;
    상기 비교신호에 응답하여 상기 제어노드를 상기 전원전압으로 풀업구동하는 구동부; 및
    상기 비교신호를 버퍼링하여 상기 주기신호를 생성하는 버퍼부를 포함하는 리프레쉬회로.
  6. ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 4 항에 있어서, 상기 방전제어부는
    상기 제1 온도신호에 응답하여 상기 제어노드로부터 상기 제1 전류를 방전하는 제1 방전부; 및
    상기 제1 온도신호에 응답하여 상기 제어노드로부터 상기 제2 전류를 방전하는 제2 방전부를 포함하되, 상기 제1 및 제2 방전부는 내부온도가 기설정된 제1 설정온도일 때 레벨 천이하는 상기 제1 온도신호의 레벨에 따라 선택적으로 구동되는 리프레쉬회로.
  7. ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 6 항에 있어서, 상기 제1 방전부는
    제2 기준전압에 응답하여 턴온되어 상기 제어노드로부터 상기 제1 전류를 방전하는 스위치부; 및
    상기 제1 온도신호에 응답하여 상기 스위치부를 활성화시키는 활성화부를 포함하는 리프레쉬회로.
  8. ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 7 항에 있어서, 상기 스위치부는 상기 제2 기준전압을 게이트로 인가받아 턴온되는 MOS 트랜지스터를 적어도 하나 포함하는 리프레쉬회로.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 7 항에 있어서, 상기 제2 기준전압은 상기 내부온도의 변화에 따라 일정한 레벨을 갖거나 상기 내부온도의 변화에 따라 선형적으로 가변하는 레벨을 갖도록 설정되는 리프레쉬회로.
  10. ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 9 항에 있어서, 상기 제2 기준전압을 생성하는 기준전압생성부를 더 포함하되, 상기 기준전압생성부는
    제1 및 제2 노드 사이에 연결된 제1 저항소자;
    상기 제1 및 제2 노드의 전압에 응답하여 정전류원으로 동작하는 제1 전류원;
    상기 제2 노드에 연결되어 제3 노드의 전압에 응답하여 정전류원으로 동작하는 제2 전류원;
    상기 제2 전류원에 연결된 제2 저항소자;
    상기 제1 및 제2 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 기준전압을 구동하는 기준전압구동부; 및
    상기 제2 기준전압이 출력되는 출력노드에 연결된 선형조절부를 포함하는 리프레쉬회로.
  11. ◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 6 항에 있어서, 상기 제2 방전부는
    적어도 하나의 다이오드를 포함하여 상기 제어노드로부터 상기 제2 전류를 방전하는 다이오드부; 및
    상기 제1 온도신호에 응답하여 상기 다이오드부를 활성화시키는 활성화부를 포함하는 리프레쉬회로.
  12. 제어노드의 레벨에 따라 상기 제어노드를 구동하고, 제1 및 제2 전류를 방전하여 주기신호를 생성하되, 상기 제1 및 제2 전류의 전류량 합은 내부온도가 기설정된 제1 설정온도보다 낮은 경우 일정하고, 상기 내부온도가 상기 기설정된 제1 설정온도보다 높은 경우에는 가변하는 주기신호생성회로;
    상기 주기신호를 분주하여 제1 및 제2 분주신호를 생성하는 분주신호생성부; 및
    온도신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 분주신호 중 하나를 리프레쉬신호로 선택하여 출력하는 선택기를 포함하되, 상기 온도신호는 상기 기설정된 제1 설정온도보다 높은 제2 설정온도에서 레벨 천이하는 리프레쉬회로.
  13. ◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 12 항에 있어서, 상기 분주신호생성부는
    상기 주기신호를 분주하여 상기 제1 분주신호를 생성하는 제1 분주기; 및
    상기 제1 분주신호를 분주하여 상기 제2 분주신호를 생성하는 제2 분주기를 포함하는 리프레쉬회로.
  14. 삭제
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 12 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전류의 전류량 합은 상기 내부온도가 상기 제1 설정온도 이상에서 상기 내부온도가 증가할수록 비선형적으로 증가하는 리프레쉬회로.
  16. ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 15 항에 있어서, 상기 주기신호생성회로는
    상기 제어노드가 제1 기준전압보다 낮은 레벨인 경우 상기 제어노드를 전원전압으로 구동하고, 상기 주기신호를 생성하는 주기신호생성부; 및
    상기 내부온도가 증가할수록 전류량이 선형적으로 감소하는 상기 제1 전류 및 상기 내부온도가 증가할수록 전류량이 비선형적으로 증가하는 상기 제2 전류를 방전하는 방전제어부를 포함하는 리프레쉬회로.
  17. ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 16 항에 있어서, 상기 주기신호생성부는
    상기 제어노드의 레벨과 상기 제1 기준전압을 비교하여 비교신호를 생성하는 비교기;
    상기 비교신호에 응답하여 상기 제어노드를 상기 전원전압으로 풀업구동하는 구동부; 및
    상기 비교신호를 버퍼링하여 상기 주기신호를 생성하는 버퍼부를 포함하는 리프레쉬회로.
  18. ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 16 항에 있어서, 상기 방전제어부는
    인에이블신호에 응답하여 상기 제어노드로부터 상기 제1 전류를 방전하는 제1 방전부; 및
    상기 인에이블신호에 응답하여 상기 제어노드로부터 상기 제2 전류를 방전하는 제2 방전부를 포함하는 리프레쉬회로.
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 18 항에 있어서, 상기 제1 방전부는
    제2 기준전압에 응답하여 턴온되어 상기 제어노드로부터 상기 제1 전류를 방전하는 스위치부; 및
    상기 인에이블신호에 응답하여 상기 스위치부를 활성화시키는 활성화부를 포함하는 리프레쉬회로.
  20. ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 19 항에 있어서, 상기 스위치부는 상기 제2 기준전압을 게이트로 인가받아 턴온되는 MOS 트랜지스터를 적어도 하나 포함하는 리프레쉬회로.
  21. ◈청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 19 항에 있어서, 상기 제2 기준전압은 상기 내부온도가 증가할수록 선형적으로 감소하는 레벨을 갖도록 설정되는 리프레쉬회로.
  22. ◈청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 21 항에 있어서, 상기 제2 기준전압을 생성하는 기준전압생성부를 더 포함하되, 상기 기준전압생성부는
    제1 및 제2 노드 사이에 연결된 제1 저항소자;
    상기 제1 및 제2 노드의 전압에 응답하여 정전류원으로 동작하는 제1 전류원;
    상기 제2 노드에 연결되어 제3 노드의 전압에 응답하여 정전류원으로 동작하는 제2 전류원;
    상기 제2 전류원에 연결된 제2 저항소자;
    상기 제1 및 제2 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 기준전압을 구동하는 기준전압구동부; 및
    상기 제2 기준전압이 출력되는 출력노드에 연결된 선형조절부를 포함하는 리프레쉬회로.
  23. ◈청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 18 항에 있어서, 상기 제2 방전부는
    적어도 하나의 다이오드를 포함하여 상기 제어노드로부터 상기 제2 전류를 방전하는 다이오드부; 및
    상기 인에이블신호에 응답하여 상기 다이오드부를 활성화시키는 활성화부를 포함하는 리프레쉬회로.
KR1020120056373A 2012-05-25 2012-05-25 리프레쉬회로 KR101900378B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120056373A KR101900378B1 (ko) 2012-05-25 2012-05-25 리프레쉬회로
US13/716,041 US9070476B2 (en) 2012-05-25 2012-12-14 Refresh circuits

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120056373A KR101900378B1 (ko) 2012-05-25 2012-05-25 리프레쉬회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130132188A KR20130132188A (ko) 2013-12-04
KR101900378B1 true KR101900378B1 (ko) 2018-11-02

Family

ID=49621509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120056373A KR101900378B1 (ko) 2012-05-25 2012-05-25 리프레쉬회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9070476B2 (ko)
KR (1) KR101900378B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170079109A (ko) 2015-12-30 2017-07-10 에스케이하이닉스 주식회사 주기신호 생성회로 및 이를 포함하는 메모리 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4734641A (en) * 1987-03-09 1988-03-29 Tektronix, Inc. Method for the thermal characterization of semiconductor packaging systems
KR100549621B1 (ko) * 2003-11-25 2006-02-03 주식회사 하이닉스반도체 셀프 리프래쉬용 오실레이터
US20050162215A1 (en) * 2004-01-22 2005-07-28 Winbond Electronics Corporation Temperature sensing variable frequency generator
KR20080066249A (ko) 2007-01-11 2008-07-16 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 리프레시 주파수 제어회로
KR100880925B1 (ko) * 2007-09-03 2009-02-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적 회로의 주기 신호 발생 장치
US8054141B2 (en) 2008-12-31 2011-11-08 Stmicroelectronics, Inc. Method and circuit for cancelling out comparator-delay in the relaxation oscillator

Also Published As

Publication number Publication date
US9070476B2 (en) 2015-06-30
US20130315019A1 (en) 2013-11-28
KR20130132188A (ko) 2013-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100549621B1 (ko) 셀프 리프래쉬용 오실레이터
US8120412B2 (en) Voltage boosting system with slew rate control and method thereof
KR20080061477A (ko) 출력전압의 오버슈트를 감소시키기 위한 고전압 발생회로와그 방법
US9275718B2 (en) Semiconductor devices with periodic signal generation circuits and semiconductor systems including the same
US10210933B2 (en) System and method for adjusting EEPROM write cycle duration according to supply voltage variation
US7605639B2 (en) Internal voltage generator of semiconductor memory device
US9130544B2 (en) Period signal generation circuits
US10084311B2 (en) Voltage generator
KR101900378B1 (ko) 리프레쉬회로
US8811098B2 (en) Period signal generation circuit
KR101948899B1 (ko) 주기신호생성회로
US9733655B2 (en) Low dropout regulators with fast response speed for mode switching
US9378802B2 (en) Oscillator and memory device including the same
KR101948900B1 (ko) 주기신호생성회로
US20080279030A1 (en) Voltage stabilization circuit and semiconductor memory apparatus using the same
US9299413B1 (en) Semiconductor systems
KR100996192B1 (ko) 파워 업 신호 생성회로
WO2014156711A1 (ja) 半導体装置
KR20120042273A (ko) 파워업 신호 생성 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR20150093084A (ko) 레벨감지회로 및 이를 포함한 반도체장치
KR20110047840A (ko) 기준전압발생회로
KR20150037034A (ko) 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right