KR20140089950A - 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품 - Google Patents

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KR20140089950A
KR20140089950A KR1020130002063A KR20130002063A KR20140089950A KR 20140089950 A KR20140089950 A KR 20140089950A KR 1020130002063 A KR1020130002063 A KR 1020130002063A KR 20130002063 A KR20130002063 A KR 20130002063A KR 20140089950 A KR20140089950 A KR 20140089950A
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Abstract

본 발명은 정전 방전 보호 소자에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 정전 방전 보호 소자는 하부 커버, 하부 커버 상에서 서로 이격되어 배치된 전극들, 하부 커버 상에 형성된 도전체, 그리고 하부 커버와 전극들을 덮고 반도성 재료로 이루어진 반도성 재료층을 포함한다.

Description

정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품{ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE AND CHIP COMPONENT WITH THE SAME}
본 발명은 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제작 단가를 낮추고, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 정전 방전 보호 소자 및 칩 부품에 관한 것이다.
최근 동영상과 같은 대용량의 데이터를 고속 전송하기 위해, USB, IEEE1394, HDMI 등과 같은 차동 전송 방식이 사용되고 있다. 차동 전송 방식의 고속 인터페이스에서는 통신 방식의 특성상, 두 개 신호선들 간의 언발란스(unbalance) 등으로 인하여 공통 모드 노이즈(common mode noise)가 발생되므로, 이를 제거하기 위해 공통 모드 노이즈 필터(Common Mode Noise Filter:CMF)와 같은 칩 부품이 사용된다.
최근에는 공통 모드 노이즈 필터에 정전 방전 보호 소자를 구비한 복합 구조의 칩 부품이 개발되고 있다. 상기 정전 방전 보호 소자는 정전 방전(ElectroStatic Discharge:ESD)으로부터 소정의 전자 부품들을 보호하기 위한 것일 수 있다. 이러한 복합 구조의 칩 부품은 공통 모드 노이즈 필터 내에 상기 정전 방전 보호 소자가 내장된 구조를 가지며, 상기 정전 방전 보호 소자는 소정의 기재상에서 일정 간격(gab)을 두고 서로 이격되어 배치되는 전극들, 상기 기재와 상기 전극들을 덮는 절연층, 그리고 상기 기판 또는 상기 절연층에 제공된 기능층(funtional layer) 등으로 이루어진 구조를 갖는다.
상기 기능층은 상기 기판에 발생되는 서지 전류를 흡수처리하여 그라운드층으로 안내하기 위해 제공되는 것으로 다양한 구조를 가질 수 있다. 일 예로서, 상기 기능층은 상기 기판과 상기 절연층의 경계면을 따라 금속 박막(thin film) 형태로 제공될 수 있다. 다른 예로서, 상기 기능층은 상기 절연층을 금속-절연 복합재로 형성된 막(layer) 형태로 제공될 수도 있다.
일본공개특허번호 2006-114801
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제작 단가를 줄일 수 있는 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소자 신뢰성을 향상시킬 수 있는 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 정전 방전 보호 소자는 하부 커버, 상기 하부 커버 상에서 서로 이격되어 배치된 전극들, 상기 하부 커버 상에 형성된 도전체, 그리고 상기 하부 커버와 상기 전극들을 덮고, 반도성 재료로 이루어진 반도성 재료층을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 도전체는 상기 하부 커버와 상기 반도성 재료층의 경계면에 박막 형태로 제공되고, 상기 반도성 재료층은 상기 도전체를 덮을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료층은 상기 하부 커버와 상기 전극들을 덮고, 상기 도전체는 상기 반도성 재료층 내에 분포될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료는 10-9 내지 103의 전기 전도도(Ω-1cm-1)를 만족하는 고분자 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피페닐렌(Poly(p-phenylene:PPP), 폴리피롤(Polypyrrole:PYR), 그리고 폴리아진(polyazine:PAZ) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료층은 고분자 재료와 첨가제를 포함하되, 상기 첨가제는 할로겐(halogen), 루이스 산(lewis acid), 프로토닉 산(protonic acid) 중 적어도 어느 하나의 도펀트(dopant)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료층은 고분자 재료와 첨가제를 포함하되, 상기 첨가제는 O2, XeF2, AgClO4, AgBF4, 그리고 No2BF2 중 적어도 어느 하나의 도펀트(dopant)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 도전체는 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 은(Ag), 금(Au), 코발트(Co), 니켈(Ni), 그리고 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나의 금속을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료층을 덮는 상부 커버를 더 포함하되, 상기 상부 커버는 상기 하부 커버와 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 칩 부품은 노이즈 필터 및 상기 노이즈 필터에 구비된 정전 방전 보호 소자를 구비하되, 상기 정전 방전 보호 소자는 하부 커버, 상기 하부 커버 상에서 서로 이격되어 배치된 전극들, 상기 하부 커버 상에 배치된 도전체, 그리고 상기 하부 커버와 상기 전극들을 덮고, 반도성 재료를 갖는 반도성 재료층을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노이즈 필터는 페라이트 기판, 상기 페라이트 기판 상에 배치된 코일 전극, 상기 페라이트 기판의 가장자리 영역에서 상기 코일 전극에 연결된 외부 전극, 그리고 상기 외부 전극에 의해 노출되는 상기 코일 전극을 덮는 충진물을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 도전체는 상기 하부 커버와 상기 반도성 재료층의 경계면에 박막 형태로 제공되고, 상기 반도성 재료층은 상기 도전체를 덮을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료층은 상기 하부 커버와 상기 전극들을 덮고, 상기 도전체는 상기 반도성 재료층 내에 분포될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료는 10-9 내지 103의 전기 전도도(Ω-1cm-1)를 만족하는 고분자 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피페닐렌(Poly(p-phenylene:PPP), 폴리피롤(Polypyrrole:PYR), 그리고 폴리아진(polyazine:PAZ) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도성 재료층은 고분자 재료 및 첨가제를 포함하되, 상기 첨가제는 할로겐(halogen), 루이스 산(lewis acid), 프로토닉 산(protonic acid), O2, XeF2, AgClO4, AgBF4, 그리고 No2BF2 중 적어도 어느 하나의 도펀트(dopant)를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품은 기능층을 도전체와 상대적으로 가격이 저렴한 반도성 재료로 이루어진 반도성 재료층으로 구성하여, 금속-절연 복합재로 기능층을 구현하는 경우에 비해, 제작 단자를 절감할 수 있다.
본 발명에 따른 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품은 기능층을 구성하는 반도성 재료층의 재료로서 접합력이 높은 고분자 재료를 사용함으로써, 기능층을 금속-절연 복합재로 구성하는 경우에 비해, 상기 기능층과 다른 구성들 간의 접합력을 높일 수 있어, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 칩 부품을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 정전 방전 보호 소자의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 모습을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 정전 방전 보호 소자의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 모습을 보여주는 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 단계는 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 칩 부품을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 칩 부품(10)은 노이즈 필터(100)에 정전 방전 보호 소자(200)가 구비된 구조를 가질 수 있다.
상기 노이즈 필터(100)는 공통 모드 노이즈 필터(Common Mode Noise Filter:CMF)일 수 있다. 상기 노이즈 필터(100)는 차동 전송 방식의 고속 인터페이스에서 발생되는 공통 모드 노이즈(common mode noise)를 제거하기 위한 것일 수 있다.
상기 노이즈 필터(100)는 베이스(110), 코일(120), 외부 전극(130), 그리고 충진물(140)을 구비할 수 있다. 상기 베이스(110)는 상기 노이즈 필터(100)의 구성들(120, 130, 140)의 제조를 위한 플레이트일 수 있다. 상기 베이스(110)로는 페라이트 기판과 같은 자성체 기판이 사용될 수 있다. 상기 코일(120)은 상기 페라이트 기판상에 배치될 수 있다. 상기 코일(120)은 복수의 코일이 적층된 복층 코일 구조로 제공될 수 있다. 상기 외부 전극(130)은 상기 코일(120)의 외곽 영역을 덮는 구조로 제공될 수 있다. 그리고, 상기 외부 전극(130)의 중앙 부분은 상기 코일(120)을 노출시키는 개구가 형성되어 있고, 상기 충진물(140)은 상기 개구에 충진될 수 있다. 상기 충진물(140)은 페라이트와 같은 자성 물질일 수 있다.
상기 정전 방전 보호 소자(200)는 상기 기판(110)과 상기 코일(120) 사이에 제공될 수 있다. 상기 정전 방전 보호 소자(200)는 서지 전류(surge current), 고전압 및 누설 전류 등의 발생시, 이를 흡수처리하기 위한 것일 수 있다.
상기와 같은 구조의 칩 부품(10)은 노이즈 필터(100)와 정전 방전 보호 소자(200)가 하나의 일체형으로 결합되어, 자체적으로 정전 방전의 흡수 처리가 가능한 필터 구조를 가질 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 정전 방전 보호 소자의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 모습을 보여주는 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 칩 부품(10)의 정전 방전 보호 소자(200)는 하부 커버(210), 전극들(220), 도전체(230), 반도성 재료층(240), 그리고 상부 커버(250)를 포함할 수 있다.
상기 하부 커버(210)는 상기 상부 커버(250)와 함께 상기 정전 방전 보호 소자(200)의 구성들(220, 230, 240, 250)을 보호하기 위한 것일 수 있다. 상기 하부 커버(210)는 다양한 종류의 절연층일 수 있다. 일 예로서, 상기 하부 커버(210)로는 무기 산화물층이 사용될 수 있다. 다른 예로서, 상기 하부 커버(210)로는 세라믹 시트(ceramic sheet), 바리스터 시트(baristor sheet), 그리고 액정 고분자(liquid crystal polymer) 재질의 기판, 그 밖의 다양한 종류의 절연 시트 등이 사용될 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 하부 커버(210)로는 페라이트 기판과 같은 자성체 기판이 사용될 수도 있다. 상기 상부 커버(250)는 상기 정전 방전 보호 소자(200)의 상부를 커버하기 위한 것으로, 상기 하부 커버(210)와 동일한 재질로 형성되는 것이 바람직할 수 있다. 또는, 선택적으로 상기 상부 커버(250)는 상기 하부 커버(210)와는 상이한 재질로 형성될 수도 있다.
상기 전극들(220)는 상기 하부 커버(210) 상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 전극들(220)는 상기 하부 커버(210)의 일측상에 배치되는 제1 전극 및 상기 하부 커버(210)의 타측상에 배치되어 상기 제1 전극과 대향되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극들 중 적어도 어느 하나는 그라운드층에 연결될 수 있다. 상기 전극들(220)은 다양한 종류의 금속으로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 전극들(220)은 구리(Cu)로 이루어진 금속 패턴일 수 있다.
상기 도전체(230)는 상기 하부 커버(210)과 상기 전극들(220) 상에 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 도전체(230)는 상기 하부 커버(210)와 상기 반도성 재료층(240)의 경계면 및 상기 전극들(220)과 상기 반도성 재료층(240)의 경계면에 박막 형태로 제공될 수 있다. 상기 도전체(230)는 복수의 불규칙한 형태의 섬(island) 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 도전체(230)는 상기 하부 커버(210)과 상기 전극들(220) 표면 전반에 걸쳐 불규칙하게 분포될 수 있다.
상기 도전체(230)는 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 도전체(230)는 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 은(Ag), 금(Au), 코발트(Co), 주석(Sn) 그리고 니켈(Ni) 중 적어도 어느 하나의 금속으로 형성될 수 있다. 상기 도전체(230)는 상기와 같은 금속들 중에서 선택된 어느 하나의 단일 금속으로 이루어질 수 있다. 그러나, 선택적으로 상기 도전체(230)는 상기 금속들 중에서 적어도 두 개 이상의 합금으로 이루어질 수도 있다.
상기 도전체(230)는 상기 전극들(220)이 형성된 상기 하부 커버(210)에 대해 금속 박막 형성 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 일 예로서, 상기 도전체(230)는 상기 하부 커버(210)에 대해 금속 타겟(metal target)을 이용한 스퍼터링(sputtering) 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 도전체(230)는 상기 하부 커버(210)에 대해 전자빔 증착(Electron Beam Evaporation) 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 그 밖에도, 상기 도전체(230)는 상기 하부 커버(210)에 대해 열 증착(thermal evaporation) 공정, 레이저 분자빔 증착(Laser Molecular Beam Epitacy:L-MBE) 공정, 그리고 펄스 레이저 증착(Pulsed Laser Depostion:PLD) 공정 등과 같은 다양한 종류의 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition:PVD)을 수행하여 형성될 수 있다.
상기 반도성 재료층(240)은 전도성과 절연성의 중간 정도의 전기 전도도를 갖는 반도성 재료로 이루어진 층일 수 있다. 상기 반도성 재료층(240)은 상기 하부 및 상부 커버들(210, 250) 사이에서 상기 하부 커버(210), 상기 전극들(220), 그리고 상기 도전체(230)를 덮는 구조를 가질 수 있다.
상기와 같은 구조의 도전체(230)와 반도성 재료층(240)은 정전 방전을 흡수 처리하는 정전방전 흡수층을 구성할 수 있다. 상기 정전방전 흡수층은 정전 방전(ESD)을 흡수 또는 차단시키는 기능층(funtional layer)으로 사용될 수 있다. 이러한 정전방전 흡수층은 상기 정전 방전 보호 소자(200)에 서지 전류, 고전압 및 누설 전류 등의 발생시, 상기 서지 전류를 상기 전극들(220)에 연결된 그라운드층으로 흐르도록 하기 위한 것으로, 상기 서지 전류의 발생 전에는 절연성을 갖고, 상기 서지 전류의 발생시에만 상기 서지 전류가 상기 전극들(220)로 흘려보내는 전류 경로(current path)를 발생시킬 수 있다.
상기와 같은 기능층으로서의 기능 발휘를 위해, 상기 반도성 재료층(240)은 적정 범위의 전기 전도도를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 반도성 재료층(240)은 대략 10-9 내지 103의 전기 전도도(Ω-1cm-1)를 만족할 수 있다. 상기 반도성 재료층(240)의 전기 전도도가 10-9 미만이면, 전기 전도도가 현저히 낮아 절연성에 가까워지므로, 상기 기능층으로 성능을 발휘할 수 있는 최소한의 전기 전도도를 확보가 곤란할 수 있다. 이에 반해, 상기 반도성 재료층(240)의 전기 전도도가 103를 초과하는 경우, 전기 전도도가 현저히 높아 전도성에 가까워지므로, 상기 기능층으로 성능을 발휘할 수 있는 최대한의 전기 전도도를 초과할 수 있다. 이와 같은 전기 전도도를 만족하는 반도성 재료는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피페닐렌(Poly(p-phenylene:PPP), 폴리피롤(Polypyrrole:PYR), 그리고 폴리아진(polyazine:PAZ) 등이 있을 수 있다.
또한, 상기 반도성 재료층(240)은 다양한 종류의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 상기 반도성 재료층(240)의 전기 전도도를 조절하기 위한 것으로서, 상술한 고분자 재료와 함께 사용되어 상기 반도성 재료층(240)의 세부 전기 전도도를 조절할 수 있다. 상기 첨가제로는 할로겐(halogen), 루이스 산(lewis acid), 그리고 프로토닉 산(protonic acid) 중 적어도 어느 하나의 도펀트(dopant)가 사용될 수 있다.
상기 할로겐 첨가제로는 F2, Cl2, Br2, I2, ICl2, 그리고 IBr 중 적어도 어느 하나가 사용될 수 있다. 상기 루이스 산 첨가제로는 PF3, AsF3, SbF3, BF3, Bcl3, BBr3, FeCl3, 그리고 AlCl3 중 적어도 어느 하나가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 프로토닉 산 첨가제로는 HF, HCl, HBr, HClO4, 그리고 ClSO3H 중 적어도 어느 하나가 사용될 수 있다. 그 밖의 첨가제로는 O2, XeF2, AgClO4, AgBF4, 그리고 No2BF2 중 적어도 어느 하나의 도펀트(dopant)를 사용할 수도 있다.
상기와 같은 반도성 재료층(240)의 재료가 되는 고분자 물질 및 그 전기 전도도는 아래 표1과 같다.
반도성 재료 전기전도도(Ω-1cm-1)
Polyacetylene(PA) 10-4 ~ 10-9
Poly(p-phenylene)(PPP) 10-1 ~ 10-11
Poly(p-phenylene sulfide)(PPS) 200
Polypyrrole(PYR) 40 ~ 100
Polyazine(PAZ) 10-1 ~ 10-5
첨가제가 도핑된 Polyacetylene(PA) 103 ~ 10-9
상기와 같은 구조의 정전 방전 보호 소자(200)는 기능층으로 사용되는 상기 반도성 재료층(240)을 반도성 고분자 재료로 제조할 수 있다. 이 경우, 상대적으로 고가의 금속-절연 복합재로 기능층을 구현하는 경우에 비해, 상기 정전 방전 보호 소자(200)의 제작 단가를 줄일 수 있다. 또한, 고분자 재료는 상기 금속-절연 복합재에 비해 다른 대상물과의 접합력이 높아, 상기 기능층과 상기 커버들(210, 250)과의 접합력 및 상기 기능층과 상기 전극들(220)과의 접합력을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 상대적으로 낮은 접합력을 갖는 금속-절연 복합재로 기능층을 구현하는 경우에 비해, 상기 소자(200)의 의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 정전 방전 보호 소자(200, 201)는 하부 커버(210) 상에서 서로 이격되어 배치되는 전극들(220) 및 상기 하부 커버(210) 상에서 정전 방전(ESD)을 흡수 처리하는 정전 방전 흡수층을 구비하되, 상기 전정 방전 흡수층은 도전체(230)와 반도성 재료를 갖는 반도성 재료층(240)으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 고가의 금속-절연 복합재로 기능층을 구현하는 경우에 비해, 저렴한 고분자 재료를 이용하여 기능층을 제작할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품은 기능층을 도전체와 상대적으로 가격이 저렴한 반도성 재료로 이루어진 반도성 재료층으로 구성하여, 금속-절연 복합재로 기능층을 구현하는 경우에 비해, 제작 단자를 절감할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 정전 방전 보호 소자 및 이를 구비하는 칩 부품은 기능층을 구성하는 반도성 재료층의 재료로서 접합력이 높은 고분자 재료를 사용함으로써, 기능층을 금속-절연 복합재로 구성하는 경우에 비해, 상기 기능층과 다른 구성들 간의 접합력을 높일 수 있어, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전 방전 보호 소자(201)에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 앞서 살펴본 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 방전 보호 소자(200)에 대해 중복되는 내용은 생략하거나 간소화할 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 정전 방전 보호 소자의 다른 예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 1에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 모습을 보여주는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전 방전 보호 소자(201)는 하부 커버(210), 전극들(220), 도전체(231), 반도성 재료층(240), 그리고 상부 커버(250)를 포함하되, 상기 도전체(231)는 상기 반도성 재료층(240) 내에 불규칙하게 함유된 형태로 제공될 수 있다.
상기 도전체(231)는 복수개의 불규칙한 섬(island) 형태로서 상기 반도성 재료층(240) 내 전반에 걸쳐 분포될 수 있다. 상기 도전체(231)는 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 은(Ag), 금(Au), 코발트(Co), 주석(Sn) 그리고 니켈(Ni) 등과 같은 다양한 금속 물질로 이루어질 수 있다.
상기 도전체(230)와 상기 반도성 재료층(240)은 정전 방전을 흡수 처리하여 기능층으로 기능하는 정전방전 흡수층을 구성할 수 있다. 이러한 기능층은 상기 반도성 재료층(240)의 재료가 되는 고분자 재료와 상기 도전체(230)의 재료가 되는 금속을 혼합하여 제조된 금속-반도성 재료 복합재를 제조한 후, 상기 금속-반도성 재료 복합재를 상기 하부 커버(210) 상에 도포하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 도전체(230)의 함량을 조절함으로써, 상기 금속-반도성 재료 복합재의 전기 전도도를 조절할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 칩 부품
100 : 노이즈 필터
110 : 베이스
120 : 코일
130 : 외부 전극
140 : 충진물
200 : 정전 방전 보호 소자
210 : 하부 커버
220 : 전극들
230 : 도전체
240 : 반도성 재료층
250 : 상부 커버

Claims (16)

  1. 하부 커버;
    상기 하부 커버 상에서 서로 이격되어 배치된 전극들;
    상기 하부 커버 상에 형성된 도전체; 및
    상기 하부 커버와 상기 전극들을 덮고, 반도성 재료로 이루어진 반도성 재료층을 포함하는 정전 방전 보호 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전체는 상기 하부 커버와 상기 반도성 재료층의 경계면에 박막 형태로 제공되고,
    상기 반도성 재료층은 상기 도전체를 덮는 정전 방전 보호 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도성 재료층은 상기 하부 커버와 상기 전극들을 덮고,
    상기 도전체는 상기 반도성 재료층 내에 분포된 정전 방전 보호 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도성 재료는 10-9 내지 103의 전기 전도도(Ω-1cm-1)를 만족하는 고분자 재료를 포함하는 정전 방전 보호 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도성 재료는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피페닐렌(Poly(p-phenylene:PPP), 폴리피롤(Polypyrrole:PYR), 그리고 폴리아진(polyazine:PAZ) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 정전 방전 보호 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도성 재료층은 고분자 재료와 첨가제를 포함하되,
    상기 첨가제는 할로겐(halogen), 루이스 산(lewis acid), 프로토닉 산(protonic acid) 중 적어도 어느 하나의 도펀트(dopant)를 포함하는 정전 방전 보호 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도성 재료층은 고분자 재료와 첨가제를 포함하되,
    상기 첨가제는 O2, XeF2, AgClO4, AgBF4, 그리고 No2BF2 중 적어도 어느 하나의 도펀트(dopant)를 포함하는 정전 방전 보호 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전체는 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 은(Ag), 금(Au), 코발트(Co), 니켈(Ni), 그리고 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나의 금속을 포함하는 정전 방전 보호 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도성 재료층을 덮는 상부 커버를 더 포함하되,
    상기 상부 커버는 상기 하부 커버와 동일한 재질로 이루어진 정전 방전 보호 소자.
  10. 노이즈 필터; 및
    상기 노이즈 필터에 구비된 정전 방전 보호 소자를 구비하되,
    상기 정전 방전 보호 소자는:
    하부 커버;
    상기 하부 커버 상에서 서로 이격되어 배치된 전극들;
    상기 하부 커버 상에 배치된 도전체; 및
    상기 하부 커버와 상기 전극들을 덮고, 반도성 재료를 갖는 반도성 재료층을 포함하는 칩 부품.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 노이즈 필터는:
    페라이트 기판;
    상기 페라이트 기판 상에 배치된 코일 전극;
    상기 페라이트 기판의 가장자리 영역에서 상기 코일 전극에 연결된 외부 전극; 및
    상기 외부 전극에 의해 노출되는 상기 코일 전극을 덮는 충진물을 포함하는 칩 부품.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 도전체는 상기 하부 커버와 상기 반도성 재료층의 경계면에 박막 형태로 제공되고,
    상기 반도성 재료층은 상기 도전체를 덮는 칩 부품.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 반도성 재료층은 상기 하부 커버와 상기 전극들을 덮고,
    상기 도전체는 상기 반도성 재료층 내에 분포된 칩 부품.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 반도성 재료는 10-9 내지 103의 전기 전도도(Ω-1cm-1)를 만족하는 고분자 재료를 포함하는 칩 부품.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 반도성 재료는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피페닐렌(Poly(p-phenylene:PPP), 폴리피롤(Polypyrrole:PYR), 그리고 폴리아진(polyazine:PAZ) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 칩 부품.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 반도성 재료층은 고분자 재료 및 첨가제를 포함하되,
    상기 첨가제는 할로겐(halogen), 루이스 산(lewis acid), 프로토닉 산(protonic acid), O2, XeF2, AgClO4, AgBF4, 그리고 No2BF2 중 적어도 어느 하나의 도펀트(dopant)를 포함하는 칩 부품.
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