KR20140088406A - Side storage chamber having fume disposal system - Google Patents

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KR20140088406A
KR20140088406A KR1020130000247A KR20130000247A KR20140088406A KR 20140088406 A KR20140088406 A KR 20140088406A KR 1020130000247 A KR1020130000247 A KR 1020130000247A KR 20130000247 A KR20130000247 A KR 20130000247A KR 20140088406 A KR20140088406 A KR 20140088406A
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Abstract

A side storage chamber having a fume removal function of the present invention includes: a housing; a loading unit formed to load a wafer supplied in the housing by layer; an injection unit having one or more nozzles formed on each layer of the loading unit to inject inert gas by layer of the loading unit; a suction unit for sucking the inert gas injected from the injection unit and fume separated from the wafer by the inert gas.

Description

퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버{SIDE STORAGE CHAMBER HAVING FUME DISPOSAL SYSTEM}[0001] SIDE STORAGE CHAMBER HAVING FUME DISPOSAL SYSTEM [0002]

본 발명은 퓸(fume)의 제거 능력을 향상시킨 사이드 스토리지 챔버(Side Storage Chamber)에 관한 것이다.
The present invention relates to a side storage chamber having improved fume removal capability.

반도체 웨이퍼(wafer) 가공라인(fabrication line)은 고집적디바이스의 회로를 구성하기 위하여 클린룸, 첨단장비 및 그것들을 운용하기 위한 각종 유틸리티, 재료, 전문인력 등 수많은 조건이 필요하다.A semiconductor wafer fabrication line requires a number of conditions, including clean rooms, advanced equipment, and various utilities, materials, and expertise to operate them, in order to construct circuitry for highly integrated devices.

반도체 제조 공정에서 불량을 줄이기 위한 오염원의 관리는 대단히 중요한 문제로서, 오염 관리의 대상도 클린룸 내부의 공기에서 국소 장치의 내부 공기로 바뀌고 있다. 이는 웨이퍼가 대구경화되고 제조 공정도 미세화됨에 따라 클린룸 내부 전체를 제조 공정에서 요구하는 오염 수준의 고청정상태로 관리하는 것이 매우 어려운 반면, 국소 장치 내부의 공기를 관리하는 것이 더 유리하다는 것을 의미한다.The management of pollutants to reduce defects in the semiconductor manufacturing process is a very important issue, and the object of pollution control is changing from the air inside the clean room to the air inside the local unit. This means that it is more advantageous to manage the air inside the local device as it is very difficult to manage the entire clean room interior in a clean state with the level of contamination required in the manufacturing process as the wafer is largely cured and the manufacturing process becomes finer do.

EFEM(Equipment Front End Module)은 다관절 로봇으로 구성된 반도체 자동화의 핵심장치로서, 실리콘 웨이퍼 또는 포토마스크를 클린 스토리지 캐리어와 각종 반도체 공정장비, 계측 및 테스트 장비 사이를 이동시킨다. 사이드 스토리지 챔버(Side Storage Chamber)는 공정후 유독 가스(toxic gas)나 유독 가스로 인한 잔존 부산물을 제거하기 위해 일정 온도 하에서 일정 시간동안 웨이퍼를 보관시키는 역할을 하는 곳을 말한다. 일반적인 사이드 스토리지 챔버는 EFEM 측면에 위치한다. 이러한 사이드 스토리지 챔버를 설치함으로써 웨이퍼 표면에 잔존해 있는 퓸(fume)을 제거하여 오염문제를 해결하고 FOUP(Front Opening Unified Pod)의 오염을 방지한다.EFEM (Equipment Front End Module) is a key device for semiconductor automation, which consists of a jointed robot. It moves a silicon wafer or photomask between clean storage carriers and various semiconductor processing equipment, measurement and test equipment. The side storage chamber refers to a place where the wafer is stored for a certain period of time under a certain temperature in order to remove residual toxic gas or residual byproducts from the toxic gas. Typical side storage chambers are located on the EFEM side. By installing such a side storage chamber, the fume remaining on the wafer surface is removed to solve the contamination problem and to prevent contamination of the front opening unified pod (FOUP).

기존의 사이드 스토리지 챔버는 불활성가스가 챔버의 상측으로 공급되고 챔버 내부의 가스가 하측으로 배출되는 구조로 구성되어 있다. 이러한 기존 구조는 웨이퍼가 적층되는 공간의 상측 및 하측에 위치하는 가스와 웨이퍼의 끝단과 챔버 측벽 사이의 가스의 경우 쉽게 외부로 배출될 수 있다. 그러나, 가스가 웨이퍼 사이의 공간으로는 유입되지 않아 적층된 웨이퍼 사이에 위치하는 부산물 가스는 챔버 외부로 원활하게 배출되지 못하는 문제가 있다.In the conventional side storage chamber, inert gas is supplied to the upper side of the chamber and gas inside the chamber is discharged to the lower side. Such an existing structure can be easily discharged to the outside in the case of the gas located above and below the space in which the wafer is stacked and the gas between the end of the wafer and the chamber side wall. However, since the gas does not flow into the space between the wafers, the by-product gas located between the stacked wafers can not be smoothly discharged to the outside of the chamber.

적층된 웨이퍼 사이에 위치하는 부산물가스를 외부로 원활하게 배출시키기 위하여 슬롯 사이의 간격을 넓히는 방안이 제안될 수도 있으나, 챔버 내에 적층시킬 수 있는 웨이퍼의 개수가 감소되므로 생산성이 저하된다는 문제점이 있다.There is a problem that productivity is deteriorated because the number of wafers that can be stacked in the chamber is reduced although a method of widening the interval between the slots to smoothly discharge the byproduct gas located between the stacked wafers can be proposed.

한편, 웨이퍼에 흘려 주는 불활성 가스로는 통상적으로 질소 가스가 사용되는데 사이드 스토리지 챔버로 공급되는 웨이퍼는 고온임에 반해 공급되는 질소가스는 저온이므로, 저온의 질소가스가 고온의 웨이퍼에 직접 접촉되는 경우 웨이퍼에 크랙, 패턴불량 등의 손상이 발생할 가능성이 있다. 또한 과량의 불활성 가스가 주입될 경우에는 도리어 파티클 발생, 웨이퍼의 진동 등을 유발할 가능성이 있다.
On the other hand, as an inert gas flowing into the wafer, nitrogen gas is usually used. Since the wafer supplied to the side storage chamber is at a high temperature, whereas the nitrogen gas supplied is low temperature, There is a possibility that damage such as cracks and pattern defects may occur. Further, when an excessive amount of the inert gas is injected, there is a possibility of causing generation of particles and vibration of the wafer.

본 발명의 목적은 불균일한 배기로 인한 웨이퍼 내의 퓸 제거기능의 저하를 방지하고, 웨이퍼에 퓸이 잔존되는 것을 최소화시킨 사이드 스토리지 챔버를 제공하는데 있다.
It is an object of the present invention to provide a side storage chamber that prevents deterioration of the fume removal function in the wafer due to uneven exhaust and minimizes the residual of the fume on the wafer.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 실시예와 관련된 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버는, 하우징; 상기 하우징의 내부로 공급되는 웨이퍼를 층별로 적재할 수 있게 형성된 적재 유닛; 상기 적재 유닛의 층별로 불활성 가스를 분사하도록 상기 적재 유닛의 각 층마다 구비된 적어도 하나의 노즐을 포함하는, 분사 유닛; 및 상기 분사 유닛으로부터 분사된 불활성 가스 및 상기 불활성 가스에 의해 상기 웨이퍼로부터 분리된 퓸(fume)을 흡입하는 흡입 유닛을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a side storage chamber having a fume removing function, comprising: a housing; A stacking unit configured to stack the wafers supplied into the housing in layers; A spraying unit including at least one nozzle provided for each layer of the stacking unit to spray an inert gas for each layer of the stacking unit; And a suction unit for sucking fumes separated from the wafer by the inert gas sprayed from the spray unit and the inert gas.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 하우징은, 상기 적재 유닛 및 상기 분사 유닛을 포함하는 제1하우징; 및 상기 제1하우징의 하부에 형성되며, 상기 흡입 유닛으로부터 흡입된 가스의 제거를 위한 배기관이 구비된 제2하우징을 포함할 수 있다.As one example related to the present invention, the housing includes: a first housing including the loading unit and the injection unit; And a second housing formed at a lower portion of the first housing and having an exhaust pipe for removing gas sucked from the suction unit.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버는, 상기 분사 유닛에 연결되어 상기 불활성 가스를 공급할 수 있게 형성된 가스공급 유닛을 더 포함할 수 있다.As an example related to the present invention, the side storage chamber having the fume removal function may further include a gas supply unit connected to the injection unit and configured to supply the inert gas.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 적재 유닛은 상기 웨이퍼들을 수평으로 일정 간격으로 분리하여 적재할 수 있도록 등간격을 갖는 복수의 적재홈을 포함할 수 있다.As an example related to the present invention, the stacking unit may include a plurality of stacking grooves having equal intervals so that the wafers can be separated horizontally at regular intervals and stacked.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 분사 유닛은, 상기 적재 유닛의 각 층마다 구비되며, 상기 적재 유닛에 적재된 웨이퍼의 전방에 배치된 복수의 프론트 노즐을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 프론트 노즐은 상기 적재 유닛의 전방에서 좌우에 각각 하나씩 배치될 수 있다.As an example related to the present invention, the injection unit may include a plurality of front nozzles provided for each layer of the stacking unit and disposed in front of the wafer stacked on the stacking unit. In this case, the front nozzles may be arranged one by one from the front to the left of the stacking unit.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 적재 유닛의 전방에서 좌우에 각각 하나씩 배치된 상기 프론트 노즐은 상기 카트리지의 중심선 방향으로 대칭 형태로 상기 불활성 가스를 분출시킬 수 있게 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the front nozzles, which are disposed on the left and right sides of the stacking unit, respectively, may be formed to eject the inert gas symmetrically with respect to the centerline direction of the cartridge.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 카트리지의 각층마다 배치된 상기 프론트 노즐은 각층마다 적재된 상기 웨이퍼의 표면을 향하여 일정 경사를 갖도록 노즐출구가 각각 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the front nozzle disposed for each layer of the cartridge may be formed with a nozzle outlet so as to have a predetermined inclination toward the surface of the wafer stacked on each layer.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 분사 유닛은, 상기 적재 유닛의 각 층마다 구비되며, 측방에서 가스가 분출되도록 상기 적재 유닛의 측방에 배치된 복수의 사이드 노즐을 더 포함할 수 있다.As an example related to the present invention, the injection unit may further include a plurality of side nozzles provided for each layer of the loading unit, and disposed at the side of the loading unit such that gas is ejected from the side.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 사이드 노즐은 상기 적재 유닛의 중간에서 좌우에 각각 하나씩 배치될 수 있다.As one example related to the present invention, the side nozzles may be disposed one by one from the middle to the left and from the middle of the stacking unit.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 적재 유닛의 중간에서 좌우에 각각 하나씩 배치된 상기 사이드 노즐은 상기 카트리지의 전방을 향하도록 노즐출구가 각각 형성될 수 있다.As an example related to the present invention, the side nozzles, which are arranged one by one from the middle to the left of the stacking unit, respectively, may have nozzle outlets directed toward the front of the cartridge.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 카트리지의 각층마다 배치된 상기 사이드 노즐은 각층마다 적재된 상기 웨이퍼의 표면을 향하여 일정 경사를 갖도록 노즐출구가 각각 형성될 수 있다.As an example related to the present invention, the side nozzles disposed for each layer of the cartridge may be formed with nozzle outlets so as to have a predetermined inclination toward the surface of the wafer mounted for each layer.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버는, 상기 하우징에 설치되어 상기 하우징의 내부 공간을 가열하는 히팅 유닛을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the side storage chamber having the fume removing function may further include a heating unit installed in the housing to heat the internal space of the housing.

본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버는, 상기 하우징의 측면에 설치되며, 상기 하우징의 내부를 확인할 수 있게 형성되는 투명창을 더 포함할 수 있다.
In an embodiment of the present invention, the side storage chamber having the fume removing function may further include a transparent window installed on a side surface of the housing, the transparent window being formed so as to identify the inside of the housing.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버는, 적재 유닛의 각 층별로 노즐을 구성한 것이므로 웨이퍼 마다에 존재하는 퓸을 완벽하게 제거할 수 있게 된다.The side storage chamber having the fume removing function according to the present invention configured as described above has nozzles for each layer of the stacking unit, so that fumes existing in each wafer can be completely removed.

또한, 본 발명과 관련된 일 예에 따르면, 각각의 웨이퍼 표면에 퓸 제거 가스를 개별 분사하고, 웨이퍼와 적재 유닛의 접촉부분에도 퓸 제거 기체를 분사함으로써, 퓸 제거 효율성을 향상할 수 있다.Further, according to one example related to the present invention, the fume removal efficiency can be improved by individually spraying the fume removing gas onto the surface of each wafer and spraying the fume removing gas to the contact portion between the wafer and the stacking unit.

또한, 본 발명과 관련된 일 예에 따르면, 히팅 유닛을 통해 가온함으로써 퓸의 고착을 방지할 수 있다. In addition, according to one example related to the present invention, it is possible to prevent the fume from sticking by heating through the heating unit.

또한, 본 발명과 관련된 일 예에 따르면, 하우징에 투명창을 설치하여 외부에서 퓸의 제거 상태 및 내부 장치의 동작 상태를 확인할 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, a transparent window is provided in the housing to confirm the removal state of the fume from the outside and the operation state of the internal apparatus.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버(10)의 전체 구성을 도시한 사시도
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사 유닛(30)의 개략적인 구조를 도시한 사시도
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사 유닛(30)에 의해 불활성 가스가 분사되는 측면 모습을 도시한 단면도
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 적재 유닛(20)에서 불활성 가스가 분사되는 것을 도시한 단면도
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사 유닛(30) 및 적재 유닛(20)에 의해 분사되는 불활성 가스가 흡입 유닛(40)으로 이동하는 모습을 도시한 평면도1 is a perspective view showing the overall configuration of a side storage chamber 10 having a fume removing function according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a schematic structure of an injection unit 30 according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a side view in which inert gas is injected by the injection unit 30 according to the embodiment of the present invention
4 is a cross-sectional view showing the injection of the inert gas in the stacking unit 20 according to the embodiment of the present invention
5 is a plan view showing a state in which the inert gas injected by the injection unit 30 and the loading unit 20 moves to the suction unit 40 according to the embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.Hereinafter, a side storage chamber having a fume removing function according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification, different embodiments are given the same or similar reference numerals, and the description thereof is replaced with the first explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버(10)의 전체 구성을 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing the entire structure of a side storage chamber 10 having a fume removing function according to an embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버(10)는 하우징(11), 적재 유닛(20), 분사 유닛(30), 및 흡입 유닛(40)을 포함할 수 있다. The side storage chamber 10 having a function of removing fumes may include a housing 11, a loading unit 20, a jetting unit 30, and a suction unit 40.

하우징(11)은, 상부에 형성되는 제1하우징(13)과 하부에 형성되는 제2하우징(15)을 포함할 수 있으며, 제1하우징(13)은 적재 유닛(20), 분사 유닛(30), 흡입 유닛(40), 가스공급 유닛(50), 및 투명창(60)을 포함할 수 있다.The housing 11 may include a first housing 13 formed at an upper portion thereof and a second housing 15 formed at a lower portion thereof and the first housing 13 may include a stacking unit 20, ), A suction unit 40, a gas supply unit 50, and a transparent window 60.

제1하우징(13) 내부에는 적재 유닛(20), 분사 유닛(30), 및 흡입 유닛(40)이 구비되며, 웨이퍼(W)가 적재되는 적재 유닛(20)을 중심으로 분사 유닛(30)과 흡입 유닛(40)이 서로 대면하는 방향에서 대칭적으로 배치될 수 있고, 분사 유닛(30)은 웨이퍼(W)가 출입되는 제1하우징(13)의 입구측에 배치되는 것이 바람직하다. The first housing 13 is provided with a stacking unit 20, a spraying unit 30 and a suction unit 40. The spraying unit 30 is provided around the stacking unit 20 on which the wafers W are stacked. And the suction unit 40 may be arranged symmetrically with respect to the direction in which the suction unit 40 faces each other and the spray unit 30 is preferably disposed at the inlet side of the first housing 13 into which the wafer W is put in and out.

적재 유닛(20)은, 외부에서 공급되는 웨이퍼(W)를 제1하우징(13) 내부에서 층별로 적재할 수 있다. 적재 유닛(20)은 복수로 형성될 수 있으며 이러한 경우, 각각의 적재 유닛(20)은 서로 다른 위치에 배치되어 적재되는 웨이퍼(W)를 다 방향에서 접촉하여 고정함으로써 웨이퍼(W)의 고정력을 높일 수 있다. 또한, 적재되는 웨이퍼(W)의 일면이 저면과 수평되도록하며, 각각의 층은 서로 동일한 간격만큼 이격될 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)가 적재 유닛(20)에 적재되는 경우, 연속되는 웨이퍼(W) 사이에는 소정간격의 공간부가 마련되며 상기 공간부를 통해 기체 및 유체의 유동이 이루어질 수 있다. The stacking unit 20 can stack the wafers W supplied from outside in the first housing 13 in layers. In this case, each of the stacking units 20 is disposed at a different position to fix the stacked wafers W in various directions so as to fix the holding force of the wafers W . Further, one surface of the wafer W to be loaded is made to be level with the bottom surface, and the respective layers can be spaced apart from each other by the same interval. Therefore, when the wafers W are stacked on the stacking unit 20, space spaces are formed at predetermined intervals between successive wafers W, and gas and fluid flow can be made through the space portions.

분사 유닛(30)은, 적재 유닛(20)의 층별로 웨이퍼(W) 표면의 퓸을 제거하는 N2와 같은 기체(이하 기체)를 분사할 수 있다. 제1하우징(13)의 입구측에서 높이 방향으로 연장되도록 형성되고, 적재 유닛(20)에 층별로 적재되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 개별적으로 기체를 분사함으로써 퓸을 효율적으로 제거할 수 있다.The injection unit 30 is capable of injecting a gas such as N2 (hereinafter referred to as a gas) for removing fumes on the surface of the wafer W for each layer of the stacking unit 20. [ The fumes can be efficiently removed by individually spraying the gas on the surfaces of the wafers W which are formed so as to extend in the height direction on the inlet side of the first housing 13 and are stacked on the stacking unit 20 .

흡입 유닛(40)은, 분사 유닛(30)과 대칭되는 방향, 즉 제1하우징(13)의 입구측 반대방향에 구비될 수 있으며, 제1하우징(13)의 내부에서 발생하는 퓸을 흡입할 수 있다. 적재 유닛(20)에 적재되는 웨이퍼(W)를 기준으로 분사 유닛(30)의 반대 방향에 배치됨으로써 분사 유닛(30)이 불활성 가스를 분사하는 경우, 상기 불활성 가스는 웨이퍼(W)를 통과하여 흡입 유닛(40)으로 이동될 수 있다. The suction unit 40 may be provided in a direction symmetrical to the injection unit 30, that is, in the opposite direction to the inlet side of the first housing 13, and may suck fumes generated in the first housing 13 . When the injection unit 30 injects the inert gas by being disposed in the direction opposite to the injection unit 30 based on the wafer W loaded on the loading unit 20, the inert gas passes through the wafer W And can be moved to the suction unit (40).

따라서, 불활성 가스에 의해 제거되는 웨이퍼(W) 표면의 퓸이나 유체와 같은 이물질들을 흡입 유닛(40)이 흡입함으로써 제1하우징(13) 내부의 상기 퓸을 제거할 수 있다. 이러한 흡입 유닛(40)은, 제2하우징(15)의 내부에 구비되는 배기 유닛(31)과 연통하여, 퓸을 하우징(11) 외부로 배출할 수 있다. 배기 유닛(31)은 솔레노이드 밸브와 같은 전자식 밸브로 이루어짐으로써, 전자 신호에 따라 흡입 유닛(40)에 의해 흡입되는 퓸을 하우징(11) 외부로 배출할 수 있다. Therefore, the suction unit 40 sucks foreign substances such as fumes and fluids on the surface of the wafer W, which is removed by the inert gas, so that the fumes in the first housing 13 can be removed. The suction unit 40 can communicate with the exhaust unit 31 provided in the second housing 15 to discharge the fumes to the outside of the housing 11. [ The exhaust unit 31 is formed of an electronic valve such as a solenoid valve so that the fume absorbed by the suction unit 40 can be discharged to the outside of the housing 11 in accordance with an electronic signal.

가스공급 유닛(50)은 제1하우징(13)의 외면에 구비되며, 분사 유닛(30) 및 적재 유닛(20)과 각각 연통하여 기체를 공급할 수 있다. 따라서, 분사 유닛(30) 및 적재 유닛(20)은 가스공급 유닛(50)에 의해 공급되는 상기 기체를 제1하우징(13) 내부에 각각 분사할 수 있다.The gas supply unit 50 is provided on the outer surface of the first housing 13 and can communicate with the injection unit 30 and the loading unit 20 to supply the gas. Accordingly, the injection unit 30 and the loading unit 20 can inject the gas supplied by the gas supply unit 50 into the first housing 13, respectively.

투명창(60)은, 일정 수준 이상의 내열성 및 내압성을 포함하는 투명 재질로 이루어지며, 제1하우징(13)의 측면부에 복수로 설치될 수 있다. 따라서, 투명창(60)을 통해 하우징(11) 외부에서 제1하우징(13) 내부를 시각적으로 모니터링할 수 있어, 제1하우징(13) 내부 장치들의 관리에 편리성을 높일 수 있다.The transparent window 60 is made of a transparent material including heat resistance and pressure resistance of a certain level or higher, and may be provided on a plurality of side portions of the first housing 13. Therefore, it is possible to visually monitor the inside of the first housing 13 from outside the housing 11 through the transparent window 60, thereby improving convenience in management of the internal devices of the first housing 13.

히팅 유닛(70)은, 제1하우징(13)의 외면 즉, 상편, 측면 또는 후면에 설치되어 발열할 수 있다. 제1하우징(13)의 외면에서 가스공급 유닛(50)와 투명창(60)이 설치되지 않는 영역에 설치되며, 발열 시, 제1하우징(13)의 내부를 일정 온도까지 가온할 수 있다. 이를 위해 도시하지 않은 온도 센서를 포함할 수 있으며, 본 발명에서는 제1하우징(13)의 외면에 부착되기 쉽도록 전자식 히팅 패드로 구성되는 것이 바람직하다. 이러한, 히팅 유닛(70)이 발열하는 경우, 제1하우징(13)의 내부 온도가 일정 온도로 상승시킴으로써, 제1하우징(13) 내부에 존재하는 퓸의 고착을 방지할 수 있다.The heating unit 70 may be installed on the outer surface of the first housing 13, that is, on the upper side, the side surface, or the rear surface thereof to generate heat. The first housing 13 is installed in an area where the gas supply unit 50 and the transparent window 60 are not provided on the outer surface of the first housing 13 and the inside of the first housing 13 can be heated to a predetermined temperature. For this, a temperature sensor (not shown) may be included. In the present invention, it is preferable that the heating pad is configured to be easily attached to the outer surface of the first housing 13. When the heating unit 70 generates heat, the internal temperature of the first housing 13 is raised to a predetermined temperature, thereby preventing the fumes existing in the first housing 13 from being fixed.

이상은 본 발명인 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버(10)의 전체적인 구성에 대하여 알아보았으며, 제1하우징(13)에 구비되는 장치들의 세부 구조와, 이들의 동작 방법에 대하여 도 2 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명한다.As described above, the overall structure of the side storage chamber 10 having the fume removing function of the present invention has been described. The detailed structure of the devices provided in the first housing 13 and the operation method thereof will be described with reference to FIGS. 2 to 4 Will be described in detail.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사 유닛(30)의 개략적인 구조를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사 유닛(30)에 의해 불활성 가스가 분사되는 측면 모습을 도시한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 적재 유닛(20)에서 불활성 가스가 분사되는 것을 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view showing a schematic structure of a spraying unit 30 according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a side view of a spraying unit 30 according to an embodiment of the present invention, And FIG. 4 is a cross-sectional view showing that inert gas is injected in the loading unit 20 according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 2에 도시된 바와 같이, 분사 유닛(30)은 적재 유닛(20)의 전방에 배치되는 프론트 노즐(31)을 포함할 수 있다. 프론트 노즐(31)은 적재 유닛(20)의 층별로 불활성 가스를 분사하도록 적재 유닛(20)의 각 층마다 구비된 적어도 하나의 노즐을 포함하고 있다. 구체적으로, 프론트 노즐(31)은 제1프론트 노즐(31a), 제2프론트 노즐(31b) 및 연결관(31c)을 포함할 수 있다. 제1프론트 노즐(31a) 및 제2프론트 노즐(31b)은 적재 유닛(20)의 전방에서 좌우에 각각 하나씩 배치된 것으로, 일 예시에 의하면 적재 유닛(20)을 중심으로 대칭되게 배치될 수 있다. 제1프론트 노즐(31a) 및 제2프론트 노즐(31b)은 높이 방향으로 연장되는 동일한 구조로 형성되며, 웨이퍼(W)가 출입될 수 있는 거리만큼 이격되어 설치된다. 또한, 제1프론트 노즐(31a) 및 제2프론트 노즐(31b)은 상부로 향하는 각각의 일단이 연결관(31c)에 의해 서로 연동될 수 있다. 연결관(31c)은 가스공급 유닛(50)에서 연장되는 공급관(51)과 연통되므로, 결과적으로 가스공급 유닛(50)과 제1프론트 노즐(31a) 및 제2프론트 노즐(31b)이 연통될 수 있다. First, as shown in Fig. 2, the injection unit 30 may include a front nozzle 31 disposed in front of the loading unit 20. [ The front nozzle 31 includes at least one nozzle provided for each layer of the stacking unit 20 so as to inject an inert gas into each layer of the stacking unit 20. [ Specifically, the front nozzle 31 may include a first front nozzle 31a, a second front nozzle 31b, and a connection pipe 31c. The first front nozzle 31a and the second front nozzle 31b are arranged one by one from the front to the left of the loading unit 20 and can be arranged symmetrically about the loading unit 20 according to one example . The first front nozzle 31a and the second front nozzle 31b are formed to have the same structure extending in the height direction and are spaced apart from each other by a distance that the wafers W can enter and exit. In addition, the first front nozzle 31a and the second front nozzle 31b can be interlocked with each other by the connection pipe 31c. The connecting tube 31c communicates with the supply tube 51 extending from the gas supply unit 50 so that the gas supply unit 50 and the first front nozzle 31a and the second front nozzle 31b are communicated with each other .

또한, 도 3에 도시된 바와 같이 제1프론트 노즐(31a) 및 제2프론트 노즐(31b)은 적재 유닛(20)에서 연속되는 적재홈(25) 사이의 영역과 대응되는 위치에 복수의 분사구(31d)가 구비되고, 분사구(31d)는 적재 유닛(20)에 적재되는 웨이퍼(W) 방향으로 형성될 수 있다. 따라서, 가스공급 유닛(50)에 의해 공급된 가스를 층별로 적재되는 웨이퍼(W)에 개별적으로 각각 분사할 수 있다. 뿐만 아니라, 분사구(31d)는 연속적으로 적재되는 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W) 사이에서 하부측의 웨이퍼(W) 표면으로 기체를 분사할 수 있고, 이에 따라 분사구(31d)는 하부방향으로 10°내지 45°정도로 웨이퍼(W)의 표면 방향으로 경사를 이룰 수 있으며, 바람직하게는 하부 방향으로 15°휘어짐으로써, 분사구(31d)에서 분사되는 기체와 웨이퍼(W) 표면의 접촉률을 최대화할 수 있다.3, the first front nozzle 31a and the second front nozzle 31b are provided at a position corresponding to an area between successive loading grooves 25 in the loading unit 20, And the jetting port 31d may be formed in the direction of the wafer W to be loaded on the loading unit 20. [ Therefore, the gas supplied by the gas supply unit 50 can be separately injected individually onto the wafers W to be stacked. In addition, the jetting port 31d can jet the gas to the surface of the wafer W on the lower side between the continuously loaded wafer W and the wafer W, Of the wafer W and the surface of the wafer W can be maximized by bending the wafer W in the downward direction by 15 DEG have.

또한, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 분사 유닛(30)은 적재 유닛(20)은 사이드 노즐(32) 및 분사구(32a)를 포함할 수 있다. 사이드 노즐(32) 역시 적재 유닛(20)의 각 층마다 구비되며, 측방에서 가스가 분출되도록 적재 유닛(20)의 측방에 좌우로 각각 배치되어 있다. 사이드 노즐(32)은 높이 방향을 따라 적재 유닛(20)의 내부에 삽입되며, 가스공급 유닛(50)에서 연장되는 공급관(51)과 연통됨으로써, 가스공급 유닛(50)에 의해 기체가 유동될 수 있다. 분사구(32a)는 사이드 노즐(32)과 연통하고, 연속되는 적재홈(25) 사이에 형성됨으로써 가스공급 유닛(50)로부터 공급되는 기체를 적재홈(25)에 적재되는 웨이퍼(W) 방향으로 분사할 수 있다. 여기서, 적재 유닛(20)은 실험 및 공정 조건에 따라 사이드 노즐(32)을 포함하지 않고 적재 유닛(20) 내부에 통공을 형성하여, 통공이 공급관(51) 및 분사구와 각각 연통될 수도 있다.2, 4, and 5, the injection unit 30 may include the side nozzle 32 and the injection port 32a. The side nozzles 32 are also provided for each layer of the stacking unit 20 and are disposed laterally on the side of the stacking unit 20 so as to eject gas from the side. The side nozzles 32 are inserted into the interior of the stacking unit 20 along the height direction and communicated with the supply pipe 51 extending in the gas supply unit 50 so that gas is caused to flow by the gas supply unit 50 . The jet port 32a communicates with the side nozzle 32 and is formed between successive loading grooves 25 so that the gas supplied from the gas supply unit 50 is directed toward the wafer W loaded in the loading groove 25 It can be sprayed. Here, the stacking unit 20 does not include the side nozzles 32 according to the experiment and process conditions, but forms a through hole in the stacking unit 20 so that the through holes can communicate with the supply pipe 51 and the injection port, respectively.

도 2 또는 도 4를 참조하면, 적재 유닛(20)은 적재홈(25)을 포함할 수 있다. 2 or 4, the loading unit 20 may include a loading groove 25. [

적재홈(25)은, 소정깊이의 홈이 높이 방향을 따라 등간격으로 연속 형성되며, 외부에서 공급되는 웨이퍼(W)의 일측을 수용할 수 있다. 또한, 적재 유닛(20)은 도 2에 도시된 바와 같이, 제1적재부(21), 제2적재부(22), 및 제3적재부(23)를 포함할 수 있다. The grooves 25 of the predetermined depth are continuously formed at regular intervals along the height direction and can accommodate one side of the wafer W supplied from the outside. 2, the stacking unit 20 may include a first stacking unit 21, a second stacking unit 22, and a third stacking unit 23. As shown in FIG.

제 1, 2, 3 적재부(21, 22, 23)는, 분사 유닛(30)과 흡입 유닛(40) 사이에서 트라이 앵글 구조로 배치되어 웨이퍼(W)를 다방향에서 수용하여 적재함으로써 웨이퍼(W)의 고정력을 높일 수 있다. 특히, 서로 대면하는 방향에 배치되는 제 1, 2 적재부(21, 22)는 적재홈(25)과 분사구(32a)를 각각 포함함으로써, 웨이퍼(W)의 적재 및 기체의 분사가 이루어질 수 있다. 분사구(32a)의 기체 분사는 분사 유닛(30)과 동일한 방법으로 이루어질 수 있으며 도 4에 도시된 바와 같이, 기체와 웨이퍼(W) 표면의 접촉률을 높이기 위해 분사구(32a)의 방향 및 분사 각도를 각각 설정할 수 있다. 본 발명에서는 하부 방향 15°로 분사구(32a)의 분사 각도를 설정하는 것이 바람직하다. 여기서, 적재홈(25)은 제1하우징(13)의 중심축 방향으로 돌출되는 적재턱(25a)이 연속되어 형성될 수 있으며, 따라서 웨이퍼(W)의 일측은 적재턱(25a) 각각의 상측에 수용될 수 있다.The first, second and third loading units 21, 22 and 23 are arranged in a triangle structure between the injection unit 30 and the suction unit 40 to accommodate and load the wafers W in multiple directions, W can be increased. Particularly, the first and second stacking portions 21 and 22 arranged in the direction of facing each other include the loading groove 25 and the jetting port 32a, respectively, so that the wafer W can be loaded and the gas can be jetted . The gas injection of the injection port 32a may be performed in the same manner as the injection unit 30 and the direction of the injection port 32a and the injection angle may be set so as to increase the contact ratio between the base and the surface of the wafer W Respectively. In the present invention, it is preferable to set the jetting angle of the jetting port 32a in the downward direction of 15 degrees. The loading groove 25 may be formed continuously with a loading jaw 25a protruding in the central axis direction of the first housing 13 so that one side of the wafer W is located on the upper side of each of the loading jaws 25a Lt; / RTI >

제3적재부(23)는 제 1, 2 적재부(21, 22) 사이의 후면 즉, 분사 유닛(30)과 대면하는 방향으로 배치되어 웨이퍼(W)의 일측을 수용할 수 있다. 따라서, 분사구(32a)를 포함하여 불활성 가스를 분사하는 경우, 흡입 유닛(40)의 역방향으로 기체가 분사되고 분사 유닛(30)에서 분사되는 기체와 충돌이 발생하는 문제점이 발생할 수 있으므로, 적재홈(25)만 포함하고 분사구(21)는 포함하지 않는 것이 바람직하다.The third loading section 23 is disposed in a direction facing the rear surface between the first and second loading sections 21 and 22, that is, the ejecting unit 30, so as to receive one side of the wafer W. [ Therefore, when the inert gas including the injection port 32a is injected, there may arise a problem that a gas collides with the gas injected from the injection unit 30 in a direction opposite to the suction unit 40, (25) and does not include the injection port (21).

도 2에 도시된 흡입 유닛(40)은, 일면에 복수의 흡입구(41)가 등간격으로 형성되어 흡입구(41)가 제1하우징의 중심축을 향하도록 배치될 수 있다. 또한, 도 2에서처럼 흡입 유닛(40)은 흡입구(41)가 포함되는 한 쌍의 삼각 기둥으로 형성되어 흡입구(41)가 포함되는 각각의 일면이, 적재 유닛(20)에 적재된 웨이퍼(W)를 향하도록 제1하우징의 후면부 모서리측에 서로 대칭되도록 설치될 수 있다. 또한, 흡입 유닛(40) 내부에는 배기 유닛(80)과 연통하는 흡입관(42)을 포함하고 있어 흡입구(41)로 이물질이 흡입되는 경우, 흡입관(42)을 통해 배기 유닛(31)으로 배출될 수 있다. 이렇게 한 쌍의 흡입 유닛(40)이 분사 유닛(30)의 반대방향에 구비됨으로써, 제 1, 2 분사관(31a, 31b)에서 각각 분사되는 기체 및 기체에 의해 제거되는 웨이퍼(W)의 퓸, 유체의 흡입률을 최대화할 수 있다.The suction unit 40 shown in Fig. 2 can be arranged such that a plurality of suction ports 41 are formed at equal intervals on one surface so that the suction port 41 faces the central axis of the first housing. 2, the suction unit 40 is formed of a pair of triangular pillars including the suction port 41 and each one surface including the suction port 41 is connected to the wafer W loaded on the loading unit 20, To be opposite to the rear side edge of the first housing. The suction unit 40 includes a suction pipe 42 communicating with the exhaust unit 80. When foreign substances are sucked into the suction port 41, the suction unit 42 is discharged to the exhaust unit 31 through the suction pipe 42 . Since the pair of suction units 40 are provided in the direction opposite to the injection unit 30, the fumes of the wafer W to be removed by the gas and the gas injected respectively by the first and second injection pipes 31a and 31b , The suction rate of the fluid can be maximized.

이상은, 제1하우징의 내부 장치들의 구성과 동작에 대해 알아봤으며, 분사 유닛(30) 및 적재 유닛(20)에 의해 웨이퍼(W) 표면에 분사되고, 흡입 유닛(40)에 의해 흡입되는 기체의 흐름을 도 5에서 보다 상세히 설명한다.The configuration and operation of the internal devices of the first housing have been described so far and are sprayed onto the surface of the wafer W by the injection unit 30 and the loading unit 20, Will be described in more detail in Fig.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사 유닛(30) 및 적재 유닛(20)에 의해 분사되는 불활성 가스가 흡입 유닛(40)으로 이동하는 모습을 도시한 평면도이다.5 is a plan view showing a state in which an inert gas injected by the injection unit 30 and the loading unit 20 moves to the suction unit 40 according to an embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 제1하우징(13) 내부의 적재 유닛(21, 22)에 웨어퍼(W)가 적재되는 경우, 분사 유닛(30) 및 적재 유닛(20)에 형성되는 분사구를 통해 기체를 웨어퍼(W) 표면으로 분사할 수 있다. When the wipers W are loaded on the stacking units 21 and 22 in the first housing 13, the wipers W are ejected through the ejection openings formed in the ejecting unit 30 and the stacking unit 20, To the surface of the wiper (W).

분사 유닛(30)은, 제1, 2분사관(31a, 31b) 각각의 분사구(31d)가 서로 대면하는 방향으로 향하도록 설정하고, 적재 유닛(20)은, 제1, 2적재부(21, 22) 각각의 분사구(31d)가 제1, 2분사관(31a, 31b) 사이의 중간 영역을 향하도록 설정할 수 있다. 이렇게 설정된 각각의 분사구를 통해 기체가 분사되면, 최초 제 1, 2 분사관(31a, 31b)에서 분사되는 기체는 각각 반대편 분사관을 향해 이동하다가 서로 충돌하여 웨어퍼(W)의 중심방향으로 이동방향이 전환될 수 있다. The injection unit 30 is set so that the injection ports 31d of the first and second injection pipes 31a and 31b face each other and the loading unit 20 is set so that the first and second loading portions 21 And 22 can be set so as to face the intermediate region between the first and second injection pipes 31a and 31b. When the gas is injected through the respective injection ports, the gases injected from the first and second injection tubes (31a, 31b) move toward the opposite injection tubes, collide with each other, and move toward the center of the wiper Direction can be switched.

제1, 2적재부(21, 22)에서 분사되는 기체는 최초 제1, 2 분사관(31a, 31b) 사이의 중간 영역으로 분사 중, 제 1, 2 분사관(31a, 31b)에서 분사되는 기체의 기류에 따라 제1하우징(13) 후면부로 이동방향이 전환될 수 있다. 이때, 각각의 분사관 및 적재부에서 기체의 분사가 시작되면 흡입 유닛(40)은 흡입관(42)과 연통되는 흡입구를 통해 기체를 흡입할 수 있다. 따라서, 분사 유닛(30), 적재 유닛(20), 및 흡입 유닛(40)의 동시적인 기체 분사와 기체 흡입이 이루어짐에 따라 도 5에 도시된 바와 같은 기류가 제1하우징(13) 내부에서 발생할 수 있다. 때문에, 상기 기류에 따라 가스는 웨어퍼(W) 표면의 전 영역에 접촉할 수 있다.The gas injected from the first and second loading sections 21 and 22 is injected from the first and second injection pipes 31a and 31b during the injection into the intermediate region between the first and second injection pipes 31a and 31b The moving direction can be switched to the rear portion of the first housing 13 according to the air flow of the gas. At this time, when the gas is injected from each of the injection pipes and the loading unit, the suction unit 40 can suck the gas through the suction port communicating with the suction pipe 42. Therefore, as the simultaneous gas injection and gas suction of the injection unit 30, the loading unit 20, and the suction unit 40 are performed, the airflow as shown in Fig. 5 is generated inside the first housing 13 . Therefore, the gas can contact the entire area of the surface of the wafer W in accordance with the air flow.

이와 같은 기류를 발생하는 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버(10)에 따라 웨이퍼(W) 표면에 잔존하는 퓸의 제거 효율을 극대화할 수 있다.It is possible to maximize the removal efficiency of the remaining fumes on the surface of the wafer W according to the side storage chamber 10 having the fume removing function for generating such an air flow.

상기와 같은 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버는, 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수 있다.
The side storage chamber having the above-described fume removal function is not limited to the configuration and the operation manner of the embodiments described above. The above embodiments may be configured such that all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

10: 사이드 스토리지 챔버 11: 하우징
13: 제1하우징 15: 제2하우징
20: 적재 유닛 21: 제1적재부
22: 제2적재부 23: 제3적재부
25: 적재홈 25a: 적재턱
30: 분사 유닛 31: 프론트 노즐
31a: 제1프론트 노즐 31b: 제2프론트 노즐
31c: 연결관 31d: 분사구
40: 흡입 유닛 41: 흡입구
42: 흡입관 50: 가스공급 유닛
51: 공급관 60: 투명창
70: 히팅 유닛 80: 배기 유닛
81: 밸브10: side storage chamber 11: housing
13: first housing 15: second housing
20: stacking unit 21: first stacking unit
22: second loading part 23: third loading part
25: Loading groove 25a:
30: injection unit 31: front nozzle
31a: first front nozzle 31b: second front nozzle
31c: Connector 31d: Spout
40: Suction unit 41: Suction port
42: suction pipe 50: gas supply unit
51: supply pipe 60: transparent window
70: Heating unit 80: Exhaust unit
81: Valve

Claims (14)

하우징;
상기 하우징의 내부로 공급되는 웨이퍼를 층별로 적재할 수 있게 형성된 적재 유닛;
상기 적재 유닛의 층별로 불활성 가스를 분사하도록 상기 적재 유닛의 각 층마다 구비된 적어도 하나의 노즐을 포함하는, 분사 유닛; 및
상기 분사 유닛으로부터 분사된 불활성 가스 및 상기 불활성 가스에 의해 상기 웨이퍼로부터 분리된 퓸(fume)을 흡입하는 흡입 유닛을 포함하는, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
housing;
A stacking unit configured to stack the wafers supplied into the housing in layers;
A spraying unit including at least one nozzle provided for each layer of the stacking unit to spray an inert gas for each layer of the stacking unit; And
And a suction unit for sucking a fume separated from the wafer by the inert gas sprayed from the spray unit and the inert gas.
제1항에 있어서,
상기 하우징은,
상기 적재 유닛 및 상기 분사 유닛을 포함하는 제1하우징; 및
상기 제1하우징의 하부에 형성되며, 상기 흡입 유닛으로부터 흡입된 가스의 제거를 위한 배기관이 구비된 제2하우징을 포함하는, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
The method according to claim 1,
The housing includes:
A first housing including the loading unit and the injection unit; And
And a second housing formed at a lower portion of the first housing, the second housing being provided with an exhaust pipe for removing the gas sucked from the suction unit.
제1항에 있어서,
상기 분사 유닛에 연결되어 상기 불활성 가스를 공급할 수 있게 형성된 가스공급 유닛을 더 포함하는, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
The method according to claim 1,
And a gas supply unit connected to the injection unit and configured to supply the inert gas.
제1항에 있어서,
상기 적재 유닛은 상기 웨이퍼들을 수평으로 일정 간격으로 분리하여 적재할 수 있도록 등간격을 갖는 복수의 적재홈을 포함하는, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버
The method according to claim 1,
Wherein the loading unit includes a plurality of loading grooves having an equal interval so that the wafers can be separated horizontally at regular intervals and can be stacked.
제1항에 있어서,
상기 분사 유닛은,
상기 적재 유닛의 각 층마다 구비되며, 상기 적재 유닛에 적재된 웨이퍼의 전방에 배치된 복수의 프론트 노즐을 포함하는, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
The method according to claim 1,
Wherein the injection unit comprises:
And a plurality of front nozzles provided for each layer of the stacking unit and disposed in front of the wafer stacked on the stacking unit.
제5항에 있어서,
상기 프론트 노즐은 상기 적재 유닛의 전방에서 좌우에 각각 하나씩 배치된, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
6. The method of claim 5,
Wherein the front nozzles are disposed on the left and right sides of the loading unit, respectively, from the front side of the loading unit.
제6항에 있어서,
상기 적재 유닛의 전방에서 좌우에 각각 하나씩 배치된 상기 프론트 노즐은 상기 카트리지의 중심선 방향으로 대칭 형태로 상기 불활성 가스를 분출시킬 수 있게 형성된, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
The method according to claim 6,
Wherein the front nozzles disposed at the left and right sides of the loading unit, respectively, are capable of ejecting the inert gas in a symmetrical shape in the centerline direction of the cartridge.
제5항에 있어서,
상기 카트리지의 각층마다 배치된 상기 프론트 노즐은 각층마다 적재된 상기 웨이퍼의 표면을 향하여 일정 경사를 갖도록 노즐출구가 각각 형성된, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
6. The method of claim 5,
Wherein the front nozzle arranged for each layer of the cartridge has a nozzle outlet formed so as to have a predetermined inclination toward the surface of the wafer stacked on each layer.
제5항에 있어서,
상기 분사 유닛은,
상기 적재 유닛의 각 층마다 구비되며, 측방에서 가스가 분출되도록 상기 적재 유닛의 측방에 배치된 복수의 사이드 노즐을 더 포함하는, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
6. The method of claim 5,
Wherein the injection unit comprises:
Further comprising a plurality of side nozzles provided for each layer of the stacking unit and disposed on a side of the stacking unit so that gas is ejected from the side of the stacking unit.
제9항에 있어서,
상기 사이드 노즐은 상기 적재 유닛의 중간에서 좌우에 각각 하나씩 배치된, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
10. The method of claim 9,
Wherein the side nozzles are disposed one by one from the middle to the left and from the middle of the stacking unit, respectively.
제9항에 있어서,
상기 적재 유닛의 중간에서 좌우에 각각 하나씩 배치된 상기 사이드 노즐은 상기 카트리지의 전방을 향하도록 노즐출구가 각각 형성된, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
10. The method of claim 9,
Wherein the side nozzles, which are arranged one by one in the middle of the stacking unit, respectively, are provided with nozzle outlets facing the front of the cartridge, respectively.
제11항에 있어서,
상기 카트리지의 각층마다 배치된 상기 사이드 노즐은 각층마다 적재된 상기 웨이퍼의 표면을 향하여 일정 경사를 갖도록 노즐출구가 각각 형성된, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
12. The method of claim 11,
Wherein the side nozzles disposed for each layer of the cartridge are formed with nozzle outlets so as to have a predetermined inclination toward the surface of the wafer stacked on each layer.
제1항에 있어서,
상기 하우징에 설치되어 상기 하우징의 내부 공간을 가열하는 히팅 유닛을 더 포함하는, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.
The method according to claim 1,
Further comprising a heating unit installed in the housing for heating an internal space of the housing.
제1항에 있어서,
상기 하우징의 측면에 설치되며, 상기 하우징의 내부를 확인할 수 있게 형성되는 투명창을 더 포함하는, 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버.The method according to claim 1,
And a transparent window installed on a side surface of the housing, the transparent window being formed so as to confirm the inside of the housing.
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