KR20190010082A - Wafer automatic care system - Google Patents

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KR20190010082A
KR20190010082A KR1020170092305A KR20170092305A KR20190010082A KR 20190010082 A KR20190010082 A KR 20190010082A KR 1020170092305 A KR1020170092305 A KR 1020170092305A KR 20170092305 A KR20170092305 A KR 20170092305A KR 20190010082 A KR20190010082 A KR 20190010082A
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이경주
서재용
구기승
황인조
이종혁
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오션브릿지 주식회사
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Abstract

The present invention relates to an automatic wafer management system, comprising: a body configured to form an appearance; a chamber having a mounting space part and disposed in the body to store a plurality of wafers so as to remove foreign substances and fume; a gas supply means for supplying gas to the chamber; a gas discharge means for discharging gas discharged from the chamber; and a controller for controlling the gas supply means and the gas discharge means according to whether or not the wafer is mounted on the chamber. Accordingly, when the wafer is mounted, the gas can be automatically injected to separate the foreign substances and fume of the wafer, and then discharge the foreign substances and fume. Moreover, the gas can be uniformly injected and discharge without a dead zone so that management efficiency can be increased.

Description

웨이퍼 자동 관리 장치{Wafer automatic care system}[0001] Wafer automatic care system [0002]

본 발명은 관리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼가 거치되면, 기체를 자동으로 분사하여 웨이퍼의 이물질과 퓸을 분리한 후, 배출시키되, 데드존이 없이 기체를 전체로 균일하게 분사함은 물론, 배출시킬 수 있어 관리효율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 자동 관리 장치에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a management apparatus, and more particularly, to a management apparatus, more particularly, to a management apparatus that, when a wafer is stuck, automatically ejects a gas to separate foreign substances and fumes from the wafer, Of course, the present invention relates to a wafer automatic management apparatus capable of discharging the wafer and improving management efficiency.

일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 증착 공정, 연마 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 검사 공정, 열처리 공정 등이 선택적이면서도 반복적으로 수행되어 제조되며, 이렇게 반도체 소자로 형성되기 위하여 웨이퍼는 각 공정에서 요구되는 특정 위치로 운반되어 진다.In general, a semiconductor device is manufactured by performing selective and repetitive processes on a wafer such as a deposition process, a polishing process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, a heat treatment process, The wafer is transported to the specific location required by each process.

여기서, 해당 공정 후, 웨이퍼는 EFEM(Equipment Front End Module) 옆면에 구비된 사이드 스토리지(혹은 버퍼 스테이션)에 수납되어 이물질과 퓸을 제거함에 따라, 혼재오염을 방지하고 있다.Here, after the process, the wafer is housed in a side storage (or buffer station) provided on the side of an EFEM (Equipment Front End Module) to remove foreign matter and fumes, thereby preventing mixed contamination.

종래 사이드 스토리지는 등록특허 제10-0678475호에서 개진된 바와 같이, 상부에 설치된 에어 커튼에서 가스를 분사하고, 그 가스는 하측으로 송풍되면서 거치된 각 웨이퍼에서 이물질과 품을 분리시킨 후, 하부를 통해 배출된다.Conventionally, side storage has been disclosed in Japanese Patent Application No. 10-0678475, in which a gas is sprayed from an air curtain installed on the upper side, and the gas is blown downward to separate foreign matter and articles from each mounted wafer, ≪ / RTI >

그러나 종래 사이드 스토리지는 배출구가 하부 후측에 구비됨에 따라, 분사된 가스가 하부 전측이나 중간부에 정체되어 데드존(Dead Zone)는 배출효율이 저하되는 문제점이 있다.However, in the conventional side storage, as the discharge port is provided on the lower rear side, the injected gas is stagnated in the lower front side or the middle part, and the discharge efficiency of the dead zone is lowered.

이와 같이, 분리된 이물질이나 품이 포함된 가스가 정체될 경우, 거치된 웨이퍼를 이송시키거나 새로운 웨이퍼를 거치시킬 경우, EFEM(Equipment Front End Module) 내부로 유출되어 오염이 발생되는 문제점이 있다.In this way, when the separated foreign substances or the gas containing the products are stagnated, there is a problem that the transferred wafers are transferred into the EFEM (Equipment Front End Module) and contaminated when a new wafer is transferred or a new wafer is stuck.

이에 따라, 거치된 웨이퍼에서 이물질과 품을 제거하되, 데드존을 방지하여 작업효율을 향상시키고, 2차 오염을 방지하기 위한 기술에 대한 개발이 절실히 여구되고 있는 실정이다.Accordingly, there is an urgent need to develop a technique for removing foreign materials and articles from a mounted wafer, preventing dead zones, improving work efficiency, and preventing secondary contamination.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해소하기 위해 안출된 것으로써, 외형을 형성하는 몸체, 내부에 거치공간부를 갖고, 복수의 웨이퍼를 수납하여 이물질과 퓸을 제거하기 위해 상기 몸체에 구비되는 챔버, 상기 챔버로 기체를 공급하기 위한 기체공급수단, 상기 챔버에서 배출되는 기체를 배출시키기 위한 기체배출수단, 및 상기 챔버에 웨이퍼의 거치 여부에 따라, 상기 기체공급수단과 기체배출수단을 제어하기 위한 제어부,를 포함하여 웨이퍼가 거치되면, 기체를 자동으로 분사하여 웨이퍼의 이물질과 퓸을 분리한 후, 배출시키되, 데드존이 없이 기체를 전체로 균일하게 분사함은 물론, 배출시킬 수 있어 관리효율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 자동 관리 장치를 제공하는 것이 목적이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises a body forming an external shape, A gas discharging means for discharging the gas discharged from the chamber, and a controller for controlling the gas supplying means and the gas discharging means in accordance with whether or not the wafer is stowed in the chamber, When the wafer is placed thereon, the gas is automatically sprayed to separate the foreign matter and the fume from the wafer, and then discharged. However, the gas can be uniformly sprayed to the whole without dead zone and discharged, The present invention has been made in view of the above problems.

상기 목적을 이루기 위한 본 발명은, 외형을 형성하는 몸체, 내부에 거치공간부를 갖고, 복수의 웨이퍼를 수납하여 이물질과 퓸을 제거하기 위해 상기 몸체에 구비되는 챔버, 상기 챔버로 기체를 공급하기 위한 기체공급수단, 상기 챔버에서 배출되는 기체를 배출시키기 위한 기체배출수단, 및 상기 챔버에 웨이퍼의 거치 여부에 따라, 상기 기체공급수단과 기체배출수단을 제어하기 위한 제어부,를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: a body forming an external shape; a chamber provided in the body to accommodate a plurality of wafers and to remove foreign substances and fumes; And a control unit for controlling the gas supply means and the gas discharge means depending on whether or not the wafer is stuck in the chamber. The gas supply means, the gas discharge means for discharging the gas discharged from the chamber, and the control means for controlling the gas supply means and the gas discharge means,

바람직하게, 상기 몸체는, 내부에 상기 챔버가 설치되기 위한 제1설치공간부를 갖되, 상기 제1설치공간부는 챔버로 웨이퍼가 출입하도록 후측으로 개방되는 상부몸체, 및 내부에 제2설치공간부를 갖는 하부몸체,를 포함한다.Preferably, the body has a first installation space for installing the chamber therein, and the first installation space includes an upper body which is opened to the rear side so as to allow the wafer to enter and exit the chamber, and a second installation space And a lower body.

그리고 상기 웨이퍼 자동 관리 장치의 몸체는, EFEM(Equipment Front End Module)의 측면에 구비되되, 상기 EFEM(Equipment Front End Module)의 측면에는 설치공이 형성되고, 상기 설치공에 몸체의 후면이 위치되어 사이가 밀폐된다.The body of the automatic wafer management apparatus is provided on a side surface of an EFEM (Equipment Front End Module). A mounting hole is formed on a side surface of the EFEM (Equipment Front End Module), and a rear surface of the body is positioned .

또한, 상기 챔버는, 웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부가 내부에 형성되는 챔버몸체, 상기 거치공간부에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위한 거치대, 상기 거치공간부로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 기체분사부, 및 상기 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위한 기체토출부,을 포함한다.In addition, the chamber may include a chamber body having a mounting space portion opened to the rear side to allow the wafer to be drawn out, a mount for mounting the plurality of wafers at predetermined intervals provided in the mounting space portion, And a gas discharging unit for discharging the gas containing the foreign matter and the fumes separated from the wafer to the multiple surfaces.

그리고 상기 기체분사부는, 상기 거치공간부의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위한 제1기체분사부, 및 상기 거치대에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 제2기체분사부,를 포함한다.The gas ejection unit includes a first gas ejection unit for ejecting a gas to an open part of the mounting space unit and partitioning it from the outside, and a gas ejection unit for ejecting foreign matter and fume from the wafer by spraying the gas toward the wafer placed on the mounting table. And a second gas ejecting portion for separating the gas.

또한, 그리고 상기 제1기체분사부는, 상기 챔버몸체의 상단부에 구비되어 기체를 상측에서 하측으로 분사하기 위한 제1상단분사부, 및 상기 챔버몸체의 양측단부에 각각 구비되어 기체를 측방향으로 분사하기 위한 제1측단분사부,를 포함한다.The first gas injection unit may include a first upper spray part provided at an upper end of the chamber body for spraying the gas from the upper side to the lower side and a second upper spray part provided at both side ends of the chamber body, And a first side end monoclid portion for performing the above-described operation.

그리고 상기 제1상단분사부는, 상기 제1측단분사부보다 전측에 위치되어 각각 기체를 분사함에 따라, 상기 거치공간부의 개방된 부위를 이중으로 차단시킨다.The first upper injection part is disposed on the front side of the first side monoclonal part and injects gas, thereby blocking the open part of the mounting space partly.

또한, 상기 제2기체분사부는, 상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2일측분사부, 및 상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2타측분사부,를 포함한다.The second gas injecting unit may include a second one-side injecting unit provided at one end of the chamber body and injecting gas at a predetermined angle toward the immersion space unit, and a second one-side injecting unit provided at the other end of the chamber body, And a second other-side split portion for spraying the gas at a predetermined angle in the negative direction.

그리고 상기 제2일측분사부와 제2타측분사부 중 어느 하나의 기체 분사각도는 다른 하나의 기체 분사각도보다 상기 거치공간부 방향으로 기체를 분사한다.The gas injection angle of either one of the second one-side jet splitter and the second other-side splitter injects gas in the direction of the mounting space from the other one of the gas injection angles.

또한, 상기 제2일측분사부와 제2타측분사부를 지나는 연장선을 기준으로, 상기 제2일측분사부는 상기 거치공간부 방향으로 15 ~ 25°로 기체를 분사하고, 상기 제2타측분사부는 상기 거치공간부 방향으로 25 ~ 35°로 기체를 분사한다.The second one side injection part injects gas at 15 to 25 degrees in the direction toward the mount space part, with the extension line passing through the second one side injection part and the second other side injection part being as a reference, Spray gas at 25 to 35 ° in the space direction.

그리고 상기 챔버몸체의 각 엣지에 구비되어 상기 거치공간부로 기체를 분사하기 위한 엣지기체공급부,를 포함한다.And an edge gas supply unit provided at each edge of the chamber body for spraying gas to the mounting space unit.

또한, 상기 엣지기체공급부는, 상기 챔버몸체의 전단부 해당 엣지에 구비되되, 부채꼴형상으로 형성되는 엣지하우징, 및 상기 엣지하우징의 호를 따라 형성되는 엣지분사부,를 포함한다.The edge gas supply unit includes an edge housing provided at a corresponding edge of the front end of the chamber body, the edge housing being formed in a fan shape, and an edge ejection unit formed along the arc of the edge housing.

그리고 상기 기체토출부는, 상기 챔버몸체의 후단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 후단토출부, 상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 일측단토출부, 상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 타측단토출부, 및 상기 후단토출부와 일측단토출부, 타측단토출부와 연통되어 각각 배출된 기체를 외부로 배출시키기 위한 메인토출부,를 포함한다.The gas discharge unit may include a rear discharge unit provided at a rear end of the chamber body for discharging the gas, a discharge unit provided at one end of the chamber body for discharging the gas, and a discharge unit provided at the other end of the chamber body And a main discharging portion communicating with the rear end discharging portion, the one end discharging portion, and the other end discharging portion to discharge the discharged gas to the outside.

또한, 상기 후단토출부는, 상기 챔버몸체의 후단부에 복수 개 형성되는 후단토출구, 및 상기 후단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 후단부와의 사이에 후단토출공간부를 형성하는 후단토출하우징,을 포함한다.The rear end discharge portion may include a rear end discharge port formed at a rear end of the chamber body and a rear end discharge space formed between the rear end discharge port and the rear end discharge port, And a rear stage discharge housing.

그리고 상기 일측단토출부는, 상기 챔버몸체의 일측단부에 복수 개 형성되는 일측단토출구, 및 상기 일측단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 일측단부와의 사이에 일측단배출공간부를 형성하는 일측단토출하우징,을 포함한다.The one side end discharge portion includes a plurality of side discharge ports formed at one end of the chamber body and a discharge port spaced apart from the one side discharge port by a predetermined distance so as to be spaced apart from one side end of the chamber body, And a one-side discharge housing which forms a part.

또한, 상기 타측단토출부는, 상기 챔버몸체의 타측단부에 복수 개 형성되는 타측단토출구, 및 상기 타측단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 타측단부와의 사이에 타측단토출공간부를 형성하는 타측단토출하우징,을 포함한다.The other side end discharge portion may include a plurality of other side discharge ports formed at the other end of the chamber body and spaced a predetermined distance apart from the other side discharge port to discharge the other side discharge And an other-end-side discharge housing that forms a space portion.

그리고 상기 챔버몸체의 각 모서리에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 엣지토출부,를 더 포함한다.And an edge discharge portion provided at each corner of the chamber body for discharging the gas.

또한, 상기 엣지토출부는, 상기 챔버몸체의 각 모서리에 형성되는 엣지토출구, 및 상기 엣지토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 모서리와의 사이에 엣지토출공간부를 형성하는 엣지토출하우징,을 포함한다.The edge discharge unit may include an edge discharge port formed at each corner of the chamber body and an edge discharge space formed at an outer side of the edge discharge port to form an edge discharge space between the edge of the chamber body and the edge of the chamber body. , ≪ / RTI >

그리고 상기 엣지토출구는, 상하방향으로 길게 형성된 슬롯이다.The edge discharge port is a slot formed long in the vertical direction.

또한, 상기 거치공간부의 폐쇄된 방향에서 내부를 확인할 수 있는 확인창,이 더 포함된다.In addition, a confirmation window is also provided for confirming the inside in the closed direction of the mounting space portion.

그리고 상기 확인창은, 상기 챔버몸체의 양측면 중 어느 하나 이상에 형성되는 제1확인창, 상기 제1확인창에 대응되도록 해당 측단배출하우징에 형성되는 제2확인창, 및 상기 제2확인창에 대응되도록 상기 몸체에 형성되는 제3확인창,을 포함한다.The confirmation window may include a first confirmation window formed on at least one of both side surfaces of the chamber body, a second confirmation window formed in the corresponding side end discharge housing to correspond to the first confirmation window, And a third confirmation window formed on the body so as to correspond thereto.

또한, 상기 제1확인창과 제2확인창, 제3확인창은, 해당 부분에서 탈부착 가능하게 구비된다.In addition, the first confirmation window, the second confirmation window, and the third confirmation window are detachably attached to the corresponding portion.

그리고 상기 기체공급수단은, 상기 기체분사부로 기체를 공급하기 위한 기체공급관, 기체가 충진된 기체탱크, 상기 기체탱크의 기체를 상기 기체공급관으로 공급하기 위한 기체공급펌프, 및 상기 기체공급관을 개폐하기 위한 공급밸브,를 포함한다.The gas supply unit may include a gas supply pipe for supplying gas to the gas injection unit, a gas tank filled with gas, a gas supply pump for supplying the gas of the gas tank to the gas supply pipe, And a supply valve for supplying the gas.

그리고 상기 기체배출수단은, 상기 기체토출부에서 토출되는 기체를 배출시키기 위한 기체배출관, 상기 기체배출관을 통해 기체를 배출시키는 기체배출펌프, 및 상기 기체배출관을 개폐하기 위한 배출밸브,를 포함한다.The gas discharging means includes a gas discharging pipe for discharging the gas discharged from the gas discharging portion, a gas discharging pump for discharging the gas through the gas discharging pipe, and a discharge valve for opening and closing the gas discharging pipe.

또한, 상기 기체배출관의 일부에 구비되어 다른 기체를 과급하여 배출되는 기체의 배출속도를 증가시킴에 따라, 기체 배출량을 증가시키기 위한 배출가속수단,을 더 포함한다.The apparatus further includes exhaust accelerating means provided in a part of the gas discharge pipe to increase the discharge rate of the gas discharged supercharging the other gas.

그리고 상기 거치공간부에 웨이퍼의 거치 여부를 감지하기 위한 감지센서,가 상기 챔버에 구비되고, 상기 제어부는 감지센서의 감지신호를 수신하여 상기 공급밸브와 배출밸브를 제어하여 기체공급량과 기체배출량을 자동으로 조절한다.And a sensor for sensing whether or not the wafer is stuck in the accommodation space is provided in the chamber and the control unit receives the sensing signal of the sensing sensor and controls the supply valve and the discharge valve to control the amount of gas supplied and the amount of discharged gas Adjust automatically.

또한, 공급되는 기체의 압력과 배출되는 기체의 압력을 실시간으로 표시하도록 상기 몸체에 구비되는 게이지부,가 더 포함된다.In addition, a gauge unit provided on the body for displaying the pressure of the supplied gas and the pressure of the discharged gas in real time is further included.

그리고 상기 게이지부는, 상기 챔버의 거치공간부로 공급되는 기체의 압력을 실시간 표시하기 위한 공급게이지, 및 상기 챔버의 거치공간부에서 배출되는 기체의 압력을 실시간 표시하기 위한 배출게이지,를 포함한다.The gauge section includes a supply gauge for real-time display of the pressure of the gas supplied to the stationary space portion of the chamber, and a discharge gauge for real-time displaying the pressure of the gas discharged from the stationary space portion of the chamber.

또한, 상기 공급게이지는, 상기 기체공급수단에 구비되어 공급되는 기체의 압력을 표시하기 위한 제1공급게이지, 및 상기 기체분사부에 구비되어 공급되는 기체의 압력을 표시하기 위한 제2공급게이지,를 포함한다.The supply gauge may further include a first supply gauge for indicating the pressure of the gas supplied to the gas supply unit and a second supply gauge for indicating the pressure of the gas supplied to the gas injection unit, .

그리고 상기 배출게이지는, 상기 기체배출수단에 구비되어 배출되는 기체의 압력을 표시하기 위한 제1배출게이지, 및 상기 기체토출부에 구비되어 토출되는 기체의 압력을 표시하기 위한 제2배출게이지,를 포함한다.The discharge gauge includes a first discharge gauge for indicating the pressure of the gas provided to the gas discharge unit and a second discharge gauge for indicating the pressure of the gas discharged from the gas discharge unit .

또한, 경고를 발생하는 경고부,가 더 포함되며, 상기 제어부는, 상기 제1공급게이지와 제2공급게이지의 신호를 수신하여 비교하고, 상기 제1배출게이지와 제2배출게이지의 신호를 수신하여 비교하되, 일정 오차범위를 벗어날 경우, 상기 경고부를 제어하여 경고신호를 발생시킨다.And a control unit for receiving and comparing signals of the first supply gauge and the second supply gauge and for receiving signals of the first discharge gauge and the second discharge gauge And when it is out of the predetermined error range, the warning unit is controlled to generate a warning signal.

그리고 상기 제어부는, 상기 몸체에 구비되어 웨이퍼의 거치 여부와 기체 공급량 및 기체 배출량을 표시함은 물론, 조작하기 위한 터치스크린,을 더 포함한다.The control unit may further include a touch screen provided on the body for displaying whether or not the wafer is stationary, a gas supply amount and a gas discharge amount, and for operating the wafer.

또한, 상기 거치공간부의 온도와 습도를 측정하도록 상기 챔버몸체에 구비되는 온습도계,가 더 포함되고, 상기 제어부는 상기 온습도계의 신호를 수신하여 상기 터치스크린을 통해 실시간으로 표시하도록 제어한다.The controller further includes a temperature and hygrometer provided on the chamber body to measure the temperature and humidity of the mounting space. The controller receives the signal from the temperature and hygrometer and controls the controller to display the signal through the touch screen in real time.

그리고 상기 몸체의 하측을 지지하되, 설치높이를 조절하기 위한 복수의 다리부,를 더 포함한다.And a plurality of legs for supporting a lower side of the body, the height of the legs being adjustable.

또한, 상기 각 다리부는, 상기 몸체를 지지하기 위한 다리, 외주를 따라 나사산을 갖고, 상기 다리의 상측으로 돌출형성되는 높이조절봉, 및 상기 높이조절봉의 나사산이 체결되어 상기 다리와 몸체의 간격이 조절되는 높이조절너트,를 포함한다.Each of the legs includes a leg for supporting the body, a height adjusting rod projecting upward from the leg and having threads along the outer periphery of the leg, and a thread between the legs and the body, And an adjustable height adjustment nut.

그리고 상기 몸체를 이동시키기 위한 이동부,가 더 구비된다.And a moving unit for moving the body.

또한, 상기 이동부는, 상기 몸체의 하단부에 구비되는 이동프레임, 및 상기 이동프레임에 회전 가능하도록 구비되는 이동바퀴,를 포함한다.The moving unit includes a moving frame provided at a lower end of the body, and a moving wheel rotatably mounted on the moving frame.

그리고 상기 이동바퀴는 상기 다리부의 높이조절에 의해 지면과 접하거나 이격된다.The moving wheel is brought into contact with or spaced from the ground surface by adjusting the height of the leg portion.

상기한 바와 같이, 본 발명에 의한 웨이퍼 자동 관리 장치에 의하면, 웨이퍼가 거치되면, 기체를 자동으로 분사하여 웨이퍼의 이물질과 퓸을 분리한 후, 배출시키되, 데드존이 없이 기체를 전체로 균일하게 분사함은 물론, 배출시킬 수 있어 관리효율을 향상시킬 수 있게 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.As described above, according to the automatic wafer management apparatus of the present invention, when the wafer is stuck, the gas is automatically sprayed to separate the foreign matter and the fume from the wafer, and then discharged, It is a very useful and effective invention which can be discharged as well as improve the management efficiency.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 자동 관리 장치를 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 자동 관리 장치의 설치상태를 도시한 도면이며,
도 3은 본 발명에 따른 챔버를 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명에 따른 챔버의 평면도를 도시한 도면이며,
도 5는 본 발명에 따른 확인창을 도시한 도면이고,
도 6은 본 발명에 따른 기체배출수단과 제어부를 도시한 도면이며,
도 7은 본 발명에 따른 다리부를 도시한 도면이다.FIG. 1 is a view showing a wafer automatic management apparatus according to the present invention,
2 is a view showing an installation state of the automatic wafer management apparatus according to the present invention,
3 is a view showing a chamber according to the present invention,
4 is a top view of a chamber according to the present invention,
5 is a view showing a confirmation window according to the present invention,
6 is a view showing a gas discharging means and a control unit according to the present invention,
7 is a view showing a leg according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면과 함께 이하에 개시될 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태를 설명하고자 하는 것이며, 본 발명이 실시될 수 있는 유일한 실시형태를 나타내고자 하는 것이 아니다. 이하의 상세한 설명은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해서 구체적 세부사항을 포함한다. 그러나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 이러한 구체적 세부사항 없이도 실시될 수 있음을 안다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following detailed description, together with the accompanying drawings, is intended to illustrate exemplary embodiments of the invention and is not intended to represent the only embodiments in which the invention may be practiced. The following detailed description includes specific details in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, those skilled in the art will appreciate that the present invention may be practiced without these specific details.

몇몇 경우, 본 발명의 개념이 모호해지는 것을 피하기 위하여 공지의 구조 및 장치는 생략되거나, 각 구조 및 장치의 핵심기능을 중심으로 한 블록도 형식으로 도시될 수 있다.In some instances, well-known structures and devices may be omitted or may be shown in block diagram form, centering on the core functionality of each structure and device, to avoid obscuring the concepts of the present invention.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함(comprising 또는 including)"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부"의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미한다. 또한, "일(a 또는 an)", "하나(one)", "그(the)" 및 유사 관련어는 본 발명을 기술하는 문맥에 있어서(특히, 이하의 청구항의 문맥에서) 본 명세서에 달리 지시되거나 문맥에 의해 분명하게 반박되지 않는 한, 단수 및 복수 모두를 포함하는 의미로 사용될 수 있다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising" or " including ", it is meant that the element does not exclude other elements, do. Further, the term "part" described in the specification means a unit for processing at least one function or operation. Also, the terms " a or ", "one "," the ", and the like are synonyms in the context of describing the invention (particularly in the context of the following claims) May be used in a sense including both singular and plural, unless the context clearly dictates otherwise.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The following terms are defined in consideration of the functions in the embodiments of the present invention, which may vary depending on the intention of the user, the intention or the custom of the operator. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 자동 관리 장치를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 자동 관리 장치의 설치상태를 도시한 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 챔버를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 챔버의 평면도를 도시한 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 확인창을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 기체배출수단과 제어부를 도시한 도면이며, 도 7은 본 발명에 따른 다리부를 도시한 도면이다.FIG. 1 is a view showing an automatic wafer management apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a view showing an installed state of the automatic wafer management apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a view showing a chamber according to the present invention FIG. 4 is a top view of a chamber according to the present invention, FIG. 5 is a view showing a confirmation window according to the present invention, FIG. 6 is a view showing a gas discharging means and a control unit according to the present invention, 7 is a view showing a leg according to the present invention.

도면에서 도시한 바와 같이, 웨이퍼 자동 관리 장치(10)는 몸체(100)와 챔버(200), 기체공급수단(300), 기체배출수단(400) 및 제어부(500)로 구성된다.As shown in the figure, the wafer automatic management apparatus 10 includes a body 100, a chamber 200, a gas supply means 300, a gas discharge means 400, and a control unit 500.

몸체(100)는 외형을 형성하는 것으로, 상부몸체(110)와 하부몸체(120)로 구성된다.The body 100 forms an outer shape and is composed of an upper body 110 and a lower body 120.

상부몸체(110)는 내부에 챔버(200)가 설치되기 위한 제1설치공간부(112)를 갖되, 제1설치공간부(112)는 챔버(200)로 웨이퍼가 출입하도록 후측으로 개방된다.The upper body 110 has a first installation space 112 in which the chamber 200 is installed and a first installation space 112 is opened to the rear side to allow the wafer to enter and exit the chamber 200.

그리고 하부몸체(120)는 내부에 제2설치공간부(122)가 형성되어 기체공급수단(300)과 기체배출수단(400)의 전부 또는 일부가 설치된다.A second installation space 122 is formed in the lower body 120 so that all or a part of the gas supply means 300 and the gas discharge means 400 are installed.

이러한 웨이퍼 자동 관리 장치(10)의 몸체(100)는 도 2에서 도시한 바와 같이, EFEM(Equipment Front End Module)의 측면에 구비되되, EFEM(Equipment Front End Module)의 측면에는 설치공(22)이 형성되고, 설치공(22)에 몸체(100)의 후면이 위치되어 설치공(20)과 몸체(100) 사이는 밀폐된다.2, the body 100 of the automatic wafer management apparatus 10 is provided on a side of an EFEM (Equipment Front End Module), and an installation hole 22 is provided on a side of an EFEM (Equipment Front End Module) And the rear surface of the body 100 is positioned in the installation hole 22 so that the space between the installation hole 20 and the body 100 is sealed.

이에, 종래 EFEM(Equipment Front End Module)의 측면에 구비된 도어를 생략할 수 있다.Accordingly, the door provided on the side of the conventional EFEM (Equipment Front End Module) can be omitted.

그리고 챔버(200)는 내부에 거치공간부(212)를 갖고, 복수의 웨이퍼를 수납하여 이물질과 퓸을 제거하기 위해 몸체(100)에 구비된다.The chamber 200 has a mounting space 212 therein and is provided in the body 100 to accommodate a plurality of wafers and to remove foreign matter and fumes.

기체공급수단(300)은 챔버(200)로 기체를 공급하기 위해 구비되고, 기체배출수단(400)은 챔버(200)에서 배출되는 기체를 배출시키기 위해 구비된다.The gas supply means 300 is provided for supplying gas to the chamber 200 and the gas discharge means 400 is provided for discharging the gas discharged from the chamber 200.

또한 제어부(500)는 챔버(200)에 웨이퍼의 거치 여부에 따라, 기체공급수단(300)과 기체배출수단(400)을 제어하기 위해 구비된다.The control unit 500 is provided to control the gas supply unit 300 and the gas discharge unit 400 according to whether the wafer 200 is placed in the chamber 200 or not.

이러한 웨이퍼 자동 관리 장치(10)의 작동상태를 살펴보면, EFEM(Equipment Front End Module) 과정을 거친 웨이퍼를 수납할 경우, 제어부(500)는 기체공급수단(300)과 기체배출수단(400)을 제어하여 기체를 자동으로 공급한다.The control unit 500 controls the gas supply means 300 and the gas discharge means 400 when the wafers having the equipment front end module (EFEM) process are housed in the wafer automatic management apparatus 10. Thereby automatically supplying the gas.

이에, 웨이퍼의 이물질과 퓸을 분리시킴은 물론, 데드존(Dead zon)이 신속하게 배출시킬 수 있다.Thus, the dead zone can be quickly discharged as well as the fume of the wafer is separated from the foreign matter.

이를 위한, 챔버(200)는 도 3에서 도시한 바와 같이, 챔버몸체(210)와 거치대(220), 기체분사부(230) 및 기체토출부(240)를 포함한다.3, the chamber 200 includes a chamber body 210, a mount 220, a gas injecting unit 230, and a gas discharging unit 240.

챔버몸체(210)는 웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부(212)가 내부에 형성된다.The chamber body 210 is formed therein with a mounting space portion 212 opened to the rear side so that the wafer can be drawn out.

그리고 거치대(220)는 챔버몸체(210)의 거치공간부(212)에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위해 구비된다.The holder 220 is provided in the mounting space 212 of the chamber body 210 to mount a plurality of wafers at predetermined intervals.

기체분사부(230)는 챔버몸체(210)의 거치공간부(212)로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위해 구비된다.The gas injector 230 is provided to separate the foreign matter and the fume from the immobilized wafer by injecting gas into the stationary space 212 of the chamber body 210.

또한 기체토출부(240)는 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위해 구비된다.The gas discharging unit 240 is provided for discharging the gas containing the foreign matter and the fumes separated from the wafer to the multiple surfaces.

여기서, 기체는 질소(N2)를 사용함이 바람직하다.Here, the gas is preferably nitrogen (N2).

이러한 챔버(200)에 의하면, 거치된 복수의 웨이퍼로 기체를 분사하여 이물질과 퓸을 분리시켜 함께 배출시킴은 물론, 데드존(Dead zone)을 방지하여 이물질과 퓸이 포함된 기체가 거치공간부(212)에 정체되는 것을 방지한다.According to the chamber 200, a gas is sprayed to a plurality of immobilized wafers to separate and discharge the foreign substance and the fume together, and a dead zone is prevented, so that the gas containing the foreign matter and the fume (212).

이를 위한, 기체분사부(230)는 제1기체분사부(232)와 제2기체분사부(234)로 구성된다.For this purpose, the gas injector 230 is composed of a first gas injector 232 and a second gas injector 234.

제1기체분사부(232)는 거치공간부(212)의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위해 구비된다.The first gas spraying unit 232 is provided to divide the gas into the open space of the storage space unit 212 and divide it from the outside.

그리고 제2기체분사부(234)는 거치대(220)에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위해 구비된다.The second gas jetting unit 234 is provided to separate the foreign matter and the fume from the wafer as the gas is jetted toward the wafer placed on the mount stand 220.

이러한 제1기체분사부(232)는 제1상단분사부(2322)와 제1측단분사부(2324)로 구성된다.The first gas ejecting unit 232 is composed of a first upper ejecting unit 2322 and a first side unstacking unit 2324.

제1상단분사부(2322)는 챔버몸체(210)의 상단부에 구비되어 기체를 상측에서 하측으로 분사하기 위해 구비된다.The first upper spray portion 2322 is provided at the upper end of the chamber body 210 and is provided to spray the gas from the upper side to the lower side.

또한 제1측단분사부(2324)는 챔버몸체(210)의 양측단부에 각각 구비되어 기체를 측방향으로 분사하기 위해 구비된다.The first side monoclonal portions 2324 are provided at both side ends of the chamber body 210 and are provided to inject the gas laterally.

여기서, 제1상단분사부(2322)는 제1측단분사부(2324)보다 전측에 위치되어 각각 기체를 분사함에 따라, 거치공간부(212)의 개방된 부위를 이중으로 차단시킨다.Here, the first upper spray portion 2322 is positioned forward of the first side single distributor portion 2324 and blocks the opened portion of the seating space portion 212 as the gas is sprayed.

그리고 제2기체분사부(234) 도 4에서 도시한 바와 같이, 제2일측분사부(2342)와 제2타측분사부(2344)로 구성된다.As shown in FIG. 4, the second gas jetting unit 234 includes a second one-side jetting unit 2342 and a second other-side jetting unit 2344.

제2일측분사부(2342)는 챔버몸체(210)의 일측단부에 구비되어 거치공간부(212) 방향으로 일정 각도로 기체를 분사한다.The second one-side jetting part 2342 is provided at one end of the chamber body 210 and injects the gas at a predetermined angle in the direction of the mounting space part 212.

또한 제2타측분사부(2344)는 챔버몸체(210)의 타측단부에 구비되어 거치공간부(212) 방향으로 일정 각도로 기체를 분사한다.The second other-side splitter 2344 is provided at the other end of the chamber body 210 to inject gas at a predetermined angle in the direction of the mount space 212.

여기서, 제2일측분사부(2342)와 제2타측분사부(2344) 중 어느 하나의 기체 분사각도는 다른 하나의 기체 분사각도보다 거치공간부(212) 방향으로 기체를 분사한다.Here, the gas injection angle of one of the second one-side jet splitter 2342 and the second other-side splitter 2344 injects the gas in the direction of the stationary space 212 rather than the other one of the gas injection angles.

일 실시 예로, 제2일측분사부(2342)와 제2타측분사부(2344)를 지나는 연장선(A)을 기준으로, 제2일측분사부(2342)는 거치공간부(212) 방향으로 15 ~ 25°로 기체를 분사하고, 제2타측분사부(2344)는 거치공간부(212) 방향으로 25 ~ 35°로 기체를 분사한다.The second one-side jetting portion 2342 may be disposed at a position spaced apart from the extension of the second one-side jetting portion 2342 in the direction of the mounting space portion 212, And the second other-side split portion 2344 injects the gas at 25 to 35 degrees in the direction toward the mount space portion 212. As shown in Fig.

바람직하게, 제2일측분사부(2342)는 거치공간부(212) 방향으로 20°로 분사하고, 제2타측분사부(2344)는 거치공간부(212) 방향으로 30°로 분사한다.Preferably, the second one-side jetting portion 2342 is jetted at 20 ° toward the mounting space portion 212, and the second other-side jetting portion 2344 is jetted at 30 ° toward the mounting space portion 212.

또한 챔버몸체(210)의 각 엣지에 구비되어 거치공간부(212)로 기체를 분사하기 위한 엣지기체공급부(236)를 포함한다.And an edge gas supply unit 236 provided at each edge of the chamber body 210 and configured to inject gas into the mount space unit 212.

이 엣지기체공급부(236)는 엣지하우징(2362)과 엣지분사부(2364)로 구성된다.The edge gas supply unit 236 includes an edge housing 2362 and an edge jetting unit 2364.

엣지하우징(2362)은 챔버몸체(210)의 전단부 해당 엣지에 구비되되, 부채꼴형상으로 형성된다.The edge housing 2362 is provided at a corresponding edge of the front end of the chamber body 210, and is formed into a fan shape.

그리고 엣지분사부(2364)는 엣지하우징(2362)의 호를 따라 형성되어 기체를 분사함에 따라, 거치공간부(212)의 각 엣지에 데드존(Dead zone)이 형성되는 것을 방지한다.The edge spraying portion 2364 is formed along the arc of the edge housing 2362 and injects the gas to prevent a dead zone from being formed at each edge of the mounting space portion 212.

또한 기체토출부(240)는 후단토출부(242)와 일측단토출부(244), 타측단토출부(246) 및 메인토출부(248)로 구성된다.The gas discharging portion 240 includes a rear end discharging portion 242 and one side discharging portion 244, another side discharging portion 246 and a main discharging portion 248.

후단토출부(242)는 챔버몸체(210)의 후단부에 구비되어 기체를 배출시키고, 일측단토출부(244)는 챔버몸체(210)의 일측단부에 구비되어 기체를 배출시킨다.The rear end discharge portion 242 is provided at the rear end of the chamber body 210 to discharge the gas and the one end discharge portion 244 is provided at one end of the chamber body 210 to discharge the gas.

그리고 타측단토출부(246)는 챔버몸체(210)의 타측단부에 구비되어 기체를 배출시킨다.And the other-side end discharge portion 246 is provided at the other end of the chamber body 210 to discharge the gas.

메인토출부(248)는 후단토출부(242), 일측단토출부(244), 타측단토출부(246)와 연통되어 각각 배출된 기체를 외부로 배출시키기 위해 구비된다.The main discharge portion 248 is provided to communicate with the rear end discharge portion 242, the one end discharge portion 244, and the other end discharge portion 246 to discharge the discharged gas to the outside.

이 후단토출부(242)는 후단토출구(2422)와 후단토출하우징(2424)으로 구성된다.The rear end discharge portion 242 is composed of a rear end discharge opening 2422 and a rear end discharge housing 2424.

후단토출구(2422)는 챔버몸체(210)의 후단부에 복수 개 형성된다.A plurality of rear outlet ports 2422 are formed at the rear end of the chamber body 210.

그리고 후단토출하우징(2424)은 후단토출구(2422)의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210)의 후단부와의 사이에 후단토출공간부(2426)를 형성한다.The rear stage discharge housing 2424 is spaced apart from the rear stage discharge port 2422 by a predetermined distance to form a rear stage discharge space 2426 between the rear end of the chamber body 210 and the rear end.

후단토출구(2422)를 통해 배출되는 기체는 후단토출공간부(2426)로 이동 후, 메인토출부(248)를 따라 외부로 배출된다.The gas discharged through the rear discharge opening 2422 moves to the rear discharge space portion 2426 and is discharged to the outside along the main discharge portion 248.

그리고 이 후단토출부(242)는 후단토출구(2422)와 후단토출하우징(2424)으로 구성된다.The rear end discharge portion 242 is composed of a rear end discharge opening 2422 and a rear end discharge housing 2424.

후단토출구(2422)는 챔버몸체(210)의 후단부에 복수 개 형성된다.A plurality of rear outlet ports 2422 are formed at the rear end of the chamber body 210.

그리고 후단토출하우징(2424)은 후단토출구(2422)의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210)의 후단부와의 사이에 후단토출공간부(2426)를 형성한다.The rear stage discharge housing 2424 is spaced apart from the rear stage discharge port 2422 by a predetermined distance to form a rear stage discharge space 2426 between the rear end of the chamber body 210 and the rear end.

후단토출구(2422)를 통해 배출되는 기체는 후단토출공간부(2426)로 이동 후, 메인토출부(248)를 따라 외부로 배출된다.The gas discharged through the rear discharge opening 2422 moves to the rear discharge space portion 2426 and is discharged to the outside along the main discharge portion 248.

또한 일측단토출부(244)는 일측단토출구(2442)와 일측단토출하우징(2444)으로 구성된다.The one-end discharge portion 244 is composed of one-side discharge ports 2442 and one-side discharge housings 2444.

일측단토출구(2442)는 챔버몸체(210)의 일측단부에 복수 개 형성된다.A plurality of discharge ports 2442 at one side are formed at one end of the chamber body 210.

그리고 일측단토출하우징(2444)은 일측단토출구(2442)의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210)의 일측단부와의 사이에 일측단토출공간부(2446)를 형성한다.The one end side discharge housing 2444 is spaced apart from the one side discharge opening 2442 by a predetermined distance to form one side discharge space portion 2446 between one end of the chamber body 210 and the other end.

일측단토출구(2442)를 통해 배출되는 기체는 일측단토출공간부(2446)로 이동 후, 메인토출부(248)를 따라 외부로 배출된다.The gas discharged through the one side discharge opening 2442 is discharged to the outside along the main discharge portion 248 after being moved to the one side discharge space portion 2446.

또한 타측단토출부(246)는 타측단토출구(2462)와 타측단토출하우징(2464)으로 구성된다.The other side end discharge portion 246 is composed of the other side discharge opening 2462 and the other side discharge housing 2464.

타측단토출구(2462)는 챔버몸체(210)의 타측단부에 복수 개 형성된다.A plurality of discharge ports 2462 at the other side are formed at the other end of the chamber body 210.

그리고 타측단토출하우징(2464)은 타측단토출구(2462)의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210)의 타측단부와의 사이에 타측단토출공간부(2466)를 형성한다.The other side discharge housing 2464 is spaced apart from the other side discharge opening 2462 by a predetermined distance to form an other side discharge space portion 2466 between the other side end portion of the chamber body 210 and the other side discharge end.

타측단토출구(2462)를 통해 토출되는 기체는 타측단토출공간부(2466)로 이동 후, 메인토출부(248)를 따라 외부로 배출된다.The gas discharged through the other-side discharge port 2462 is discharged to the outside along the main discharge portion 248 after being moved to the other-end discharge space portion 2466.

또한 챔버몸체(210)의 각 모서리에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 엣지토출부(250)를 더 포함한다.And an edge discharge portion 250 provided at each corner of the chamber body 210 for discharging the gas.

이 엣지토출부(250)는 엣지토출구(252)와 엣지토출하우징(254)으로 구성된다.The edge discharge portion 250 is composed of an edge discharge opening 252 and an edge discharge housing 254.

엣지토출구(252)는 챔버몸체(210)의 각 모서리에 형성된다.An edge discharge port 252 is formed at each corner of the chamber body 210.

그리고 엣지토출하우징(254)은 엣지토출구(252)의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210)의 모서리와의 사이에 엣지토출공간부(256)를 형성한다.The edge discharge housing 254 is spaced apart from the edge discharge opening 252 by a predetermined distance to form an edge discharge space 256 between the edge of the chamber body 210 and the edge.

이러한 엣지토출구(252)는 상하방향으로 길게 형성된 슬롯형상으로 형성된다.The edge discharge port 252 is formed in a slot shape elongated in the vertical direction.

여기서, 엣지토출구(252)를 통해 엣지토출공간부(256)로 이동된 기체는 메인토출부(248)를 통해 외부로 배출된다.Here, the gas moved to the edge discharge space portion 256 through the edge discharge port 252 is discharged to the outside through the main discharge portion 248.

그리고 도 5에서 도시한 바와 같이, 챔버몸체(210)의 거치공간부(212)의 폐쇄된 방향에서 내부를 확인할 수 있는 확인창(260)이 더 포함된다.As shown in FIG. 5, a check window 260 is further included to confirm the inside of the mounting space portion 212 of the chamber body 210 in the closed direction.

이 확인창(260)은 제1확인창(262)과 제2확인창(264) 및 제3확인창(266)으로 구성된다.The confirmation window 260 includes a first confirmation window 262, a second confirmation window 264, and a third confirmation window 266.

제1확인창(262)은 챔버몸체(210)의 양측면 중 어느 하나 이상에 형성되고, 제2확인창(264)은 제1확인창(262)에 대응되도록 해당 측단배출하우징(2444, 2464)에 형성된다.The first confirmation window 262 is formed on at least one of both sides of the chamber body 210 and the second confirmation window 264 is formed at the corresponding side end discharge housings 2444 and 2464 so as to correspond to the first confirmation window 262. [ As shown in FIG.

그리고 제3확인창(266)은 제2확인창(264)에 대응되도록 몸체(100)에 형성된다.And the third confirmation window 266 is formed in the body 100 so as to correspond to the second confirmation window 264. [

이러한 제1확인창(262)과 제2확인창(264) 및 제3확인창(266)을 통해 외측에서 거치공간부(212)를 확인할 수 있어 상태를 확인하고 신속하게 대처할 수 있다.Through the first confirmation window 262, the second confirmation window 264, and the third confirmation window 266, it is possible to confirm the placement space 212 from the outside, and the state can be confirmed and promptly coped with.

이와 같은, 제1확인창(262)과 제2확인창(264) 및 제3확인창(266)은 해당 부분에서 탈부착 가능하게 구비되는 것으로, 챔버몸체(210)와 해당 측단배출하우징(2444, 2464) 및 상부몸체(110)에 탈부착 가능하도록 구비된다.The first confirmation window 262, the second confirmation window 264 and the third confirmation window 266 are detachably attached to the corresponding portions of the chamber body 210 and the corresponding side end discharge housings 2444, 2464 and the upper body 110, respectively.

이에, 거치공간부(212)의 상태를 외측에서 실시간으로 확인할 수 있어 필요한 초취를 신속하게 취할 수 있다.Thus, the state of the storage space unit 212 can be confirmed from the outside in real time, so that it is possible to quickly take necessary insects.

그리고 기체공급수단(300)은 도 6에서 도시한 바와 같이, 기체공급관(310)과 기체탱크(320), 기체공급펌프(330) 및 공급밸브(340)로 구성된다.6, the gas supply means 300 includes a gas supply pipe 310, a gas tank 320, a gas supply pump 330, and a supply valve 340.

기체공급관(310)은 기체분사부(230)로 기체를 공급하기 위해 구비되고, 기체탱크(320)는 기체가 충진된다.The gas supply pipe 310 is provided to supply gas to the gas injecting unit 230, and the gas tank 320 is filled with gas.

또한 기체공급펌프(330)는 기체탱크(320)의 기체를 기체공급관(310)으로 공급하기 위해 구비된다.The gas supply pump 330 is provided to supply the gas of the gas tank 320 to the gas supply pipe 310.

공급밸브(340)는 기체공급관(310)을 개폐하기 위해 구비된다.The supply valve 340 is provided for opening and closing the gas supply pipe 310.

그리고 기체배출수단(400)은 기체배출관(410)과 기체배출펌프(420) 및 배출밸브(430)로 구성된다.The gas discharge means 400 is composed of a gas discharge pipe 410, a gas discharge pump 420 and a discharge valve 430.

기체배출관(410)은 기체토출부(240)에서 토출되는 기체를 배출시키기 위해 구비되고, 기체배출펌프(420)는 기체배출관(410)을 통해 기체를 배출시키기 위해 구비된다.The gas discharge pipe 410 is provided to discharge the gas discharged from the gas discharging unit 240 and the gas discharging pump 420 is provided to discharge the gas through the gas discharge pipe 410.

또한 배출밸브(430)는 기체배출관(410)을 개폐하기 위해 구비된다.Further, the discharge valve 430 is provided for opening and closing the gas discharge pipe 410.

여기서, 기체배출수단(400)에는 배출가속수단(440)이 더 구비된다.Here, the gas discharge means 400 is further provided with a discharge acceleration means 440.

이 배출가속수단(440)은 기체배출관(410)의 일부에 구비되어 다른 기체를 과급하여 배출되는 기체의 배출속도를 증가시킴에 따라, 기체 배출량을 증가시키기 위해 구비된다.The discharge accelerating means 440 is provided in a part of the gas discharge pipe 410 to increase the gas discharge amount as it increases the discharge speed of the discharged gas supercharging other gases.

이러한 배출가속수단(440)은 기체배출관(410)으로 별도의 기체를 과급하되, 배출되는 기체의 배출방향과 직교되는 방향으로 별도의 기체를 과급하여 배출속도를 증가시킴에 따라, 신속한 배출이 이루어진다.The discharge accelerating means 440 supercharges a separate gas to the gas discharge pipe 410 and supercharges a separate gas in a direction orthogonal to the discharge direction of the discharged gas to increase the discharge speed so that rapid discharge is achieved .

그리고 거치공간부(212)에 웨이퍼의 거치 여부를 감지하기 위한 감지센서(510)가 챔버(200)에 구비되고, 상기 제어부는 감지센서의 감지신호를 수신하여 상기 공급밸브와 배출밸브를 제어하여 기체공급량과 기체배출량을 자동으로 조절한다.The chamber 200 is provided with a sensing sensor 510 for detecting whether or not the wafer is immobilized in the mounting space 212. The controller receives the sensing signal of the sensing sensor and controls the supply valve and the discharge valve Automatically regulates gas supply and gaseous emissions.

또한 공급되는 기체의 압력과 배출되는 기체의 압력을 실시간으로 표시하도록 몸체(100)에 구비되는 게이지부(520)가 더 포함된다.And further includes a gage unit 520 provided on the body 100 to display the pressure of the supplied gas and the pressure of the discharged gas in real time.

게이지부(520)는 공급게이지(522)와 배출게이지(524)로 구성된다.The gauge unit 520 comprises a supply gauge 522 and a discharge gauge 524.

공급게이지(522)는 챔버(200)의 거치공간부(212)로 공급되는 기체의 압력을 실시간 표시하기 위해 구비된다.The supply gauge 522 is provided for real-time display of the pressure of the gas supplied to the stationary space portion 212 of the chamber 200.

이 공급게이지(522)는 제1공급게이지(5222)와 제2공급게이지(5224)로 구성된다.The supply gauge 522 is comprised of a first supply gauge 5222 and a second supply gauge 5224.

제1공급게이지(5222)는 기체공급수단에 구비되어 공급되는 기체의 압력을 표시하기 위해 구비된다.The first supply gauge 5222 is provided for indicating the pressure of the gas supplied to the gas supply means.

또한 제2공급게이지(5224)는 기체분사부(230)에 구비되어 공급되는 기체의 압력을 표시하기 위해 구비된다.The second supply gauge 5224 is provided in the gas injector 230 to indicate the pressure of the supplied gas.

그리고 배출게이지(524)는 챔버(200)의 거치공간부(212)에서 배출되는 기체의 압력을 실시간 표시하기 위해 구비된다.And the discharge gauge 524 is provided for real-time display of the pressure of the gas discharged from the stationary space portion 212 of the chamber 200.

이 배출게이지(524)는 제1배출게이지(5242)와 제2배출게이지(5244)로 구성된다.The discharge gauge 524 is comprised of a first discharge gauge 5242 and a second discharge gauge 5244.

제1배출게이지(5242)는 기체배출수단(400)에 구비되어 배출되는 기체의 압력을 표시하기 위해 구비된다.The first discharge gauge 5242 is provided in the gas discharge means 400 to indicate the pressure of the discharged gas.

또한 제2배출게이지(5244)는 기체토출부(240)에 구비되어 토출되는 기체의 압력을 표시하기 위해 구비된다.The second discharge gauge 5244 is provided in the gas discharging unit 240 to display the pressure of the discharged gas.

그리고 웨이퍼 자동 관리 장치(10)는 경고를 발생하는 경고부(530)가 더 구비된다.The automatic wafer management apparatus 10 further includes a warning unit 530 for generating a warning.

제어부(500)는 제1공급게이지(5222)와 제2공급게이지(5224)의 신호를 수신하여 비교하고, 제1배출게이지(5242)와 제2배출게이지(5244)의 신호를 수신하여 비교한다.The control unit 500 receives and compares the signals of the first supply gauge 5222 and the second supply gauge 5224 and receives and compares the signals of the first discharge gauge 5242 and the second discharge gauge 5244 .

각 게이지의 신호 비교 값이 일정 오차범위를 벗어날 경우, 경고부(530)를 제어하여 경고신호를 발생시킨다.When the signal comparison value of each gauge is out of a predetermined error range, the warning unit 530 is controlled to generate a warning signal.

또한 제어부(500)는 몸체(100)에 구비되어 웨이퍼의 거치 여부와 기체 공급량 및 기체 배출량을 표시함은 물론, 조작하기 위한 터치스크린(540)을 더 포함한다.The control unit 500 further includes a touch screen 540 provided on the body 100 for displaying whether or not to mount the wafer, the gas supply amount and the gas discharge amount, as well as for operating the wafer.

이 터치스크린(540)을 통해 챔버(200)의 거치공간부(212) 상태를 확인할 수 있고, 용이하게 조작할 수 있다.The state of the mounting space portion 212 of the chamber 200 can be confirmed through the touch screen 540 and can be easily operated.

그리고 거치공간부(212)의 온도와 습도를 측정하도록 챔버몸체(210)에 구비되는 온습도계(550)가 더 포함된다.And a hygrometer 550 provided in the chamber body 210 to measure the temperature and the humidity of the mounting space 212.

제어부(500)는 온습도계(550)의 신호를 수신하여 터치스크린(540)을 통해 실시간으로 표시하도록 제어한다.The control unit 500 receives the signal of the hygroscopic device 550 and controls the touch screen 540 to display the signal in real time.

또한 도 7에서 도시한 바와 같이, 몸체(100)의 하측을 지지하되, 설치높이를 조절하기 위한 복수의 다리부(600)를 더 포함한다.As shown in FIG. 7, it further includes a plurality of legs 600 for supporting the lower side of the body 100, and for adjusting the installation height.

이 각 다리부(600)는 다리(610)와 높이조절봉(620), 높이조절너트(630)로 구성된다.Each of the legs 600 includes a leg 610, a height adjusting rod 620, and a height adjusting nut 630.

다리(610)는 몸체(100)를 지지하기 위해 구비된다.The legs 610 are provided to support the body 100.

그리고 높이조절봉(620)은 외주를 따라 나사산을 갖고, 다리(610)의 상측으로 돌출형성된다.The height adjusting rods 620 are threaded along the outer periphery and protrude upward from the legs 610.

높이조절너트(630)는 몸체(100) 하단부에 고정되되, 높이조절봉(620)의 나사산이 체결되어 다리(610)와 몸체(100)의 간격이 조절된다.The height adjusting nut 630 is fixed to the lower end of the body 100 and the thread of the height adjusting rod 620 is fastened so that the distance between the leg 610 and the body 100 is adjusted.

여기서, 몸체(100)를 이동시키기 위한 이동부(640)가 더 구비된다.Here, the moving unit 640 for moving the body 100 is further provided.

이 이동부(640)는 이동프레임(642)과 이동바퀴(644)로 구성된다.The moving unit 640 includes a moving frame 642 and a moving wheel 644.

이동프레임(642)은 몸체(100)의 하단부에 구비되고, 이동바퀴(644)는 이동프레임(642)에 회전 가능하도록 구비된다.The moving frame 642 is provided at the lower end of the body 100 and the moving wheel 644 is rotatably provided at the moving frame 642.

이러한 이동바퀴(644)는 다리부(600)의 높이조절에 의해 지면과 접하거나 지면과 이격된다.The moving wheel 644 is in contact with the ground surface or spaced apart from the ground surface by adjusting the height of the leg portion 600.

이동바퀴(644)가 지면에 닿도록 다리(610)를 상측으로 이동시키며, 웨이퍼 자동 관리 장치(10)를 용이하게 이동시킬 수 있다.It is possible to move the leg 610 upward so that the moving wheel 644 contacts the ground and move the wafer automatic management apparatus 10 easily.

반대로, 다리(610)를 하측으로 이동시켜 이동바퀴(644)가 지면에서 이격될 경우, 웨이퍼 자동 관리 장치(10)를 지면에 고정시켜 설치할 수 있다.Conversely, when the leg 610 is moved downward and the moving wheel 644 is separated from the ground, the automatic wafer management apparatus 10 can be fixed to the ground.

10 : 웨이퍼 자동 관리 장치 100 : 몸체
200 : 챔버 210 : 챔버몸체
220 : 거치대 230 : 기체분사부
240 : 기체토출부 300 : 기체공급수단
400 : 기체배출수단 500 : 제어부10: Automatic wafer management apparatus 100: Body
200: chamber 210: chamber body
220: cradle 230: gas distributor
240: gas discharging unit 300: gas supplying means
400: gas discharging means 500:

Claims (10)

외형을 형성하는 몸체;
내부에 거치공간부를 갖고, 복수의 웨이퍼를 수납하여 이물질과 퓸을 제거하기 위해 상기 몸체에 구비되는 챔버;
상기 챔버로 기체를 공급하기 위한 기체공급수단;
상기 챔버에서 배출되는 기체를 배출시키기 위한 기체배출수단; 및
상기 챔버에 웨이퍼의 거치 여부에 따라, 상기 기체공급수단과 기체배출수단을 제어하기 위한 제어부;를 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.A body forming an external shape;
A chamber provided in the body for accommodating a plurality of wafers to remove foreign substances and fumes;
Gas supply means for supplying gas to the chamber;
A gas discharging means for discharging the gas discharged from the chamber; And
And a control unit for controlling the gas supply means and the gas discharge means according to whether or not the wafer is placed in the chamber. 제1항에 있어서, 상기 몸체는,
내부에 상기 챔버가 설치되기 위한 제1설치공간부를 갖되, 상기 제1설치공간부는 챔버로 웨이퍼가 출입하도록 후측으로 개방되는 상부몸체; 및
내부에 제2설치공간부를 갖는 하부몸체;를 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.[2] The apparatus of claim 1,
And a first installation space for installing the chamber therein, wherein the first installation space comprises: an upper body which is opened to the rear side so that the wafer is taken in and out of the chamber; And
And a lower body having a second installation space inside. 제1항에 있어서, 상기 챔버는,
웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부가 내부에 형성되는 챔버몸체;
상기 거치공간부에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위한 거치대;
상기 거치공간부로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 기체분사부; 및
상기 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위한 기체토출부;을 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.The apparatus of claim 1,
A chamber body in which a mounting space portion opened to the rear side is formed so as to draw out the wafer;
A cradle provided in the cradling space for holding a plurality of wafers at predetermined intervals;
A gas injecting unit for injecting gas into the stationary space and separating foreign matter and fumes from the immobilized wafer; And
And a gas discharging unit for discharging the gas containing the foreign substance and the fumes separated from the wafer to the multiple surfaces. 제3항에 있어서, 상기 기체분사부는,
상기 거치공간부의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위한 제1기체분사부; 및
상기 거치대에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 제2기체분사부;를 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.4. The fuel cell system according to claim 3,
A first gas ejecting part for ejecting a gas to an open part of the stationary space part and partitioning the gas from the outside; And
And a second gas ejection part for separating foreign matter and fume from the wafer as the gas is ejected toward the wafer placed on the cradle. 제3항에 있어서, 상기 기체토출부는,
상기 챔버몸체의 후단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 후단토출부;
상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 일측단토출부;
상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 타측단토출부; 및
상기 후단토출부와 일측단토출부, 타측단토출부와 연통되어 각각 배출된 기체를 외부로 배출시키기 위한 메인토출부;를 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.The apparatus according to claim 3,
A rear end discharge part provided at a rear end of the chamber body for discharging gas;
A side end discharge part provided at one end of the chamber body for discharging the gas;
An other-end discharge unit provided at the other end of the chamber body for discharging the gas; And
And a main discharging portion communicating with the rear end discharging portion, the one end discharging portion, and the other end discharging portion and discharging the discharged gas to the outside. 제4항에 있어서, 상기 기체공급수단은,
상기 기체분사부로 기체를 공급하기 위한 기체공급관;
기체가 충진된 기체탱크;
상기 기체탱크의 기체를 상기 기체공급관으로 공급하기 위한 기체공급펌프; 및
상기 기체공급관을 개폐하기 위한 공급밸브;를 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.The gas supply device according to claim 4,
A gas supply pipe for supplying gas to the gas injecting portion;
A gas tank filled with gas;
A gas supply pump for supplying the gas in the gas tank to the gas supply pipe; And
And a supply valve for opening and closing the gas supply pipe. 제6항에 있어서, 상기 기체배출수단은,
상기 기체토출부에서 토출되는 기체를 배출시키기 위한 기체배출관;
상기 기체배출관을 통해 기체를 배출시키는 기체배출펌프; 및
상기 기체배출관을 개폐하기 위한 배출밸브;를 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.7. The fuel cell system according to claim 6,
A gas discharge pipe for discharging the gas discharged from the gas discharge portion;
A gas discharge pump for discharging gas through the gas discharge pipe; And
And a discharge valve for opening and closing the gas discharge pipe. 제7항에 있어서,
상기 거치공간부에 웨이퍼의 거치 여부를 감지하기 위한 감지센서;가 상기 챔버에 구비되고,
상기 제어부는 감지센서의 감지신호를 수신하여 상기 공급밸브와 배출밸브를 제어하여 기체공급량과 기체배출량을 자동으로 조절하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 관리 장치.8. The method of claim 7,
A sensor for sensing whether or not the wafer is immobilized is provided in the chamber,
Wherein the control unit receives the detection signal of the detection sensor and controls the supply valve and the discharge valve to automatically adjust the gas supply amount and the gas discharge amount. 제8항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 몸체에 구비되어 웨이퍼의 거치 여부와 기체 공급량 및 기체 배출량을 표시함은 물론, 조작하기 위한 터치스크린;을 더 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.9. The apparatus according to claim 8,
And a touch screen provided on the body for displaying whether or not the wafer is stationary, a gas supply amount and a gas discharge amount, as well as a touch screen for operating the wafer. 제1항에 있어서,
상기 몸체의 하측을 지지하되, 설치높이를 조절하기 위한 복수의 다리부;를 더 포함하는 웨이퍼 자동 관리 장치.The method according to claim 1,
And a plurality of legs for supporting a lower side of the body and adjusting an installation height.
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