KR20100062392A - Equipment for manufacturing semiconductor devices and manufacturing method at the same - Google Patents

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이민선
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Abstract

PURPOSE: Machines and a method for manufacturing semiconductor devices are provided to increase or maximize a production yield by emitting a purge gas between a plurality of wafers mounted inside of a front opening unified pod(FOUP) in order to increase purge efficiency. CONSTITUTION: An FOUP(10) in which a plurality of wafers(1) is mounted is loaded on a load port(20). A process module(50) performs semiconductor manufacturing processes of the wafer. A transfer module(40) successively transfers the wafer between the process module and the load port. A machine front end module(30) provides a cleaning space between the process module and the load port. The machine front end module includes an opener which opens and closes the door of the FOUP. A purge module(60) purges inside of the FOUP.

Description

반도체 제조설비 및 그의 제조방법{equipment for manufacturing semiconductor devices and manufacturing method at the same}Equipment for manufacturing semiconductor devices and manufacturing method at the same

본 발명은 반도체 제조설비 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수개의 웨이퍼가 탑재된 푸프의 내부를 퍼지시키면서 반도체 제조공정이 수행되는 반도체 제조설비 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing the same, wherein a semiconductor manufacturing process is performed while purging the inside of a pouf on which a plurality of wafers are mounted.

일반적으로 웨이퍼는 대기중에 노출되면 쉽게 산화되거나 오염되기 때문에 밀폐된 캐리어 또는 푸프(FOUP)에 탑재되어 운반되고 있다. 때문에, 상기 캐리어 또는 푸프 내에 질소 또는 헬륨과 같은 불활성 가스를 충만시켜 웨이퍼의 오염을 방지하고 있다.In general, since wafers are easily oxidized or contaminated when exposed to the air, wafers are carried in a sealed carrier or FOUP. Therefore, the carrier or the pouf is filled with an inert gas such as nitrogen or helium to prevent contamination of the wafer.

뿐만 아니라, 반도체 소자의 고집적화에 따라 반도체 제조설비에서는 다양한 종류의 케미컬 또는 가스가 요구되고 있고, 이들 케미컬 또는 가스의 아웃개싱에 의한 반응성 불량들이 생산수율을 저해하는 중요한 원인으로 작용하고 있는 실정이다. 반도체 제조공정이 수행되는 챔버와 같은 공정 모듈 내에서의 퍼지 방식만으로 는 이에 대한 대응이 어려운 실정이다. In addition, due to the high integration of semiconductor devices, various types of chemicals or gases are required in semiconductor manufacturing facilities, and reactive defects caused by outgassing of these chemicals or gases serve as an important cause of inhibiting production yield. Only the purge method in a process module such as a chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed is difficult.

따라서, 종래의 기술에 따른 반도체 제조설비는 로드 포트에 위치되는 푸프의 하부에 형성되는 홀을 통해 상기 푸프의 하부에서 상부로 퍼지 가스를 수직 순환 공급하고 있었다. 또한, 푸프가 위치되는 로드 포트와 공정 모듈사이의 설비 전후 모듈(equipment front end module)의 일측에 형성된 사이드 스토리지(side storage)에서 웨이퍼에 잔류되는 가스를 제거한 후에 푸프에 웨이퍼를 탑재시키고 있었다.Accordingly, the semiconductor manufacturing equipment according to the related art vertically supplies purge gas from the lower portion of the pouf to the upper portion through the hole formed in the lower portion of the pouf positioned in the load port. In addition, the wafer was mounted on the pouf after the gas remaining in the wafer was removed from the side storage formed at one side of the equipment front end module between the load port where the pouf is located and the process module.

그러나, 푸프 내부에서 수직으로 순환되는 퍼지 가스는 다수개의 웨이퍼 사이에 충분히 유동되지 못함에 따라 퍼지 효율이 떨어지기 때문에 생산수율이 떨어지는 단점이 있었다. 반도체 제조공정이 완료된 웨이퍼가 사이드 스토리지를 거쳐 푸프에 재 탑재됨에 따라 웨이퍼의 이동시간 및 이동대기시간이 증가되어 생산성이 떨어지는 문제점이 있었다.However, since the purge gas circulated vertically inside the pouf is not sufficiently flowed between the plurality of wafers, the purge efficiency is lowered. As the wafer in which the semiconductor manufacturing process is completed is remounted in the pouf through side storage, there is a problem in that the productivity of the wafer decreases due to an increase in the movement time and the waiting time of the wafer.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 푸프 내부에 탑재되는 다수개의 웨이퍼사이에 유동되는 퍼지 가스의 효율을 증가시켜 생산수율이 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above problems is to increase the efficiency of the purge gas flowing between a plurality of wafers mounted inside the pouf to increase or maximize the production yield of a semiconductor manufacturing equipment and its manufacturing method To provide.

또한, 본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 이동시간 및 이동대기시간을 줄여 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus and its manufacturing method that can increase or maximize productivity by reducing the movement time and the waiting time of the wafer.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 반도체 제조설비는, 다수개의 웨이퍼가 탑재된 푸프가 로딩되는 로드 포트와; 상기 웨이퍼의 반도체 제조공정이 수행되는 공정 모듈과; 상기 공정 모듈과 상기 로드 포트간에 상기 다수개의 웨이퍼를 순차적으로 이송시키는 이동 모듈과; 상기 이동 모듈이 형성된 상기 공정 모듈과 상기 로드 포트사이에서 청정 공간을 제공하며, 상기 로드 포트에 로딩되는 상기 푸프의 도어를 개폐하는 오프너가 형성된 설비 전후 모듈과; 상기 도어가 오픈되어 상기 설비 전후 모듈과 상기 로드 포트가 서로 연통되면, 상기 푸프 내에 탑재된 상기 웨이퍼에서의 아웃개싱을 상기 설비 전후 모듈로 유동시켜 제거하기 위해 상기 설비 전후 모듈에서 상기 푸프 내에 탑재된 다수개의 웨이퍼에 대해 퍼지 가스를 분사하고 상기 설비 전후 모듈로 퍼지 가스를 회수하여 상기 푸프 내부를 퍼지시키는 퍼지 모듈을 포함함을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above object comprises a load port loaded with a plurality of wafer-mounted pouf; A process module in which the semiconductor manufacturing process of the wafer is performed; A moving module for sequentially transferring the plurality of wafers between the process module and the load port; A pre- and post-installation module for providing a clean space between the process module in which the moving module is formed and the load port, and an opener for opening and closing a door of the pouf loaded in the load port; When the door is opened and the front and rear modules and the load port are in communication with each other, the front and rear modules are mounted in the pouf in the front and rear module to remove and remove outgassing from the wafer mounted in the pouf to the front and rear module. And a purge module which injects purge gas to the plurality of wafers and recovers the purge gas to the module before and after the facility to purge the inside of the pouf.

여기서, 상기 퍼지 모듈은 상기 도어의 오픈을 감지하는 센서와, 상기 센서에서 상기 도어의 오픈을 감지하면, 상기 푸프의 개방구 측방 양측에서 다수개의 웨이퍼에 대하여 퍼지 가스를 분사하는 적어도 하나이상의 노즐을 포함하고, 상기 노즐은 상기 푸프의 개방구 양측에서 상기 다수개의 웨이퍼에 퍼지 가스를 분사하는 다수개의 노즐홀을 포함함이 바람직하다.Here, the purge module is a sensor for detecting the opening of the door, and when the sensor detects the opening of the door, at least one nozzle for injecting a purge gas to a plurality of wafers on both sides of the opening of the pouf. Preferably, the nozzle includes a plurality of nozzle holes for injecting a purge gas to the plurality of wafers on both sides of the opening of the pouf.

상기 노즐은 상기 푸프의 개방구 양측에서 상기 스테이지에 수직으로 형성된 상기 로드 포트와 상기 설비 전후 모듈사이의 측벽 기둥에 지지되고, 상기 설비 전후 모듈과 상기 로드 포트의 경계면을 기준으로 35도의 방위각으로 상기 푸프 내부에 퍼지 가스를 분사하도록 형성된 것이 바람직하다.The nozzle is supported by a side wall column between the load port and the module before and after the equipment, which are formed perpendicular to the stage, on both sides of the opening of the pouf. It is preferably formed to inject a purge gas into the pouf.

상기 퍼지 모듈은 상기 노즐에 상기 퍼지 가스를 공급하는 가스 탱크와, 상기 퍼지 가스 공급부와 상기 노즐사이에서 상기 퍼지 가스를 유동시키는 배관과, 상기 도어의 오픈 여부에 따라 상기 배관을 통해 유동되는 상기 퍼지 가스의 공급을 단속하는 밸브를 더 포함함이 바람직하다.The purge module includes a gas tank for supplying the purge gas to the nozzle, a pipe for flowing the purge gas between the purge gas supply unit and the nozzle, and the purge flowing through the pipe depending on whether the door is open. It is preferred to further include a valve for interrupting the supply of gas.

본 발명의 다른 양태는, 다수개의 웨이퍼가 탑재된 푸프를 로드 포트에 위치시키는 단계와; 오프너에서 상기 로드 포트에 위치되는 푸프의 도어를 오픈 시키는 단계와; 상기 푸프 내부의 상기 다수개의 웨이퍼에 퍼지 가스를 분사하여 설비 전후 모듈에 상기 퍼지 가스를 유동시키는 단계와; 상기 퍼지 가스가 분사 및 유동되는 중 이동 모듈에 의해 푸프 내에서 웨이퍼가 취출되어 공정 모듈에 이송되는 단계와; 상기 공정 모듈에서 해당 반도체 제조공정이 완료된 웨이퍼가 상기 이동 모듈에 의해 다시 푸프에 재 탑재되는 단계와; 상기 푸프 내에 탑재된 다수개의 웨이퍼 전체에 대하여 상기 공정 모듈에서 상기 반도체 제조공정이 완료되어 상기 푸프의 도어가 닫혀질 때까지 상기 퍼지모듈에서 상기 푸프 내에 퍼지 가스를 분사하고 상기 퍼지 가스를 설비 전후 모듈에 유동시키는 것을 지속하는 단계를 포함하는 반도체 제조방법이다.Another aspect of the present invention includes the steps of placing a plurality of wafer-mounted poufs in a load port; Opening a door of a pouf positioned at the load port at an opener; Injecting a purge gas to the plurality of wafers in the pouf to flow the purge gas to a module before and after an installation; A wafer is taken out of the pouf by a moving module while the purge gas is injected and flows and transferred to a process module; Reloading the wafer on which the semiconductor fabrication process is completed in the process module into the pouf by the transfer module; The purge module injects a purge gas into the pouf and the purge gas is injected into the purge module until the semiconductor manufacturing process is completed in the process module and the door is closed. Continuing to flow in the semiconductor manufacturing method.

상기한 바와 같은 본 발명의 실시 예적 구성에 따르면, 푸프 내부에 탑재되는 다수개의 웨이퍼사이에 퍼지 가스를 분사하여 퍼지 효율을 증가시킬 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention as described above, since the purge efficiency can be increased by spraying the purge gas between the plurality of wafers mounted inside the pouf, there is an effect of increasing or maximizing the production yield.

또한, 로드 포트의 푸프 내에 탑재되는 다수개의 웨이퍼 사이에 퍼지 가스를 분사하고 상기 로드 포트에 인접하는 설비 전후 모듈을 통해 상기 퍼지 가스를 회수함에 따라 웨이퍼의 이동시간 및 이동대기시간을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the purge gas is injected between the plurality of wafers mounted in the pouf of the load port and the purge gas is recovered through the front and rear modules adjacent to the load port, the wafer movement time and the standby time can be reduced. The effect is to increase or maximize productivity.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비 및 그의 제조방법을 자세하게 설명하기로 한다. 이하의 실시예에서 많은 특정 상세 내용들이 도면을 따라 예를 들어 설명되고 있지만, 이는 본 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 보다 철저한 이해를 돕기 위한 의도 이외에는 다른 의도 없이 설명되었음을 주목(note)하여야 한다. 그렇지만, 본 발명이 이들 특정한 상세 내용들 없이도 실시될 수 있을 것임은 본 분야의 숙련된 자들에 의해 이해될 수 있을 것이다. Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. While many specific details are set forth in the following examples, by way of example only, and with reference to the drawings, it is to be understood that this description is made without the intent, except as to aid a more thorough understanding of the invention to those skilled in the art. )shall. Nevertheless, it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be practiced without these specific details.

우선, 후술되는 본 발명의 실시 예에 대한 기능 및 동작이 보다 철저히 이해되도록 하기 위해, 도 1 내지 도 8을 참조하여, 이 보다 구체적으로 설명될 것이다. First, in order to more thoroughly understand the functions and operations of the embodiments of the present invention described below, this will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 8.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타내는 다 이아 그램이다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비는 로드 포트(20)와 공정 모듈(50)사이의 설비 전후 모듈(30)에 형성된 퍼지 모듈(60)에서 상기 로드 포트(20)에 위치된 푸프(10) 내부의 다수개의 웨이퍼(1)에 퍼지 가스를 분사한다. 여기서, 퍼지 모듈(60)에서 분사되는 퍼지 가스는 푸프(10)의 내부에서 설비 전후 모듈(30)로 다시 회수된다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비는 설비 전후 모듈(30)에서 로드 포트(20)의 푸프(10) 내부에 퍼지 가스를 분사하고, 상기 설비 전후 모듈(30)을 통해 상기 퍼지 가스를 다시 회수함에 따라 퍼지 효율을 높일 수 있다.1 is a diagram schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. In accordance with an embodiment of the present invention, a semiconductor manufacturing facility includes a pouf 10 positioned at the load port 20 in a purge module 60 formed in a module 30 before and after the facility between the load port 20 and the process module 50. The purge gas is injected into the plurality of wafers 1 inside. Here, the purge gas injected from the purge module 60 is recovered to the module before and after the equipment 30 in the pouf 10. Accordingly, the semiconductor manufacturing equipment according to the embodiment of the present invention injects a purge gas into the pouf 10 of the load port 20 in the module 30 before and after the installation, and the purge gas through the module 30 before and after the installation. By re-collecting can increase the purge efficiency.

로드 포트(20)는 반도체 생산라인의 천장을 따라 운행되는 OHT(Over Head Transportation)에 의해 운반되는 푸프(10)가 로딩되는 장소이다. 또한, 공정 모듈(50)은 실제 해당 반도체 공정이 수행되는 장치로서, 공정챔버 및 로드락 챔버를 포함한다.The load port 20 is a place where the pouf 10 carried by the Over Head Transportation (OHT) which runs along the ceiling of the semiconductor production line is loaded. In addition, the process module 50 is a device in which the corresponding semiconductor process is actually performed, and includes a process chamber and a load lock chamber.

설비 전후 모듈(equipment front end module,30)은 반도체 생산라인에서 푸프(10) 내의 웨이퍼(Wafer, 1)를 공정 모듈(50)에 공급하는 반도체 제조설비의 표준 인터페이스 모듈로서, 대부분의 반도체 제조설비에서 표준으로 적용되며 장비의 청정도 유지와 설비의 생산성에 큰 영향을 미친다. 설비 전후 모듈(30)에는 로드 포트(20)와 공정 모듈(50)사이에서 웨이퍼(1)를 이동시키는 로봇과 같은 이동 모듈(40)이 설치되어 있다. The equipment front end module 30 is a standard interface module of a semiconductor manufacturing facility that supplies wafers 1 in the pouf 10 to the process module 50 in a semiconductor production line. It is applied as a standard at, and has a great influence on the cleanliness of the equipment and the productivity of the equipment. Before and after installation, the module 30 is provided with a moving module 40 such as a robot for moving the wafer 1 between the load port 20 and the process module 50.

도 2는 도 1의 설비 전후 모듈(30) 및 푸프(10)를 나타내는 단면도로서, 설비 전후 모듈(30)에 형성된 퍼지 모듈(60)에서 로드 포트(20) 상에 지지되는 푸 프(10)의 내부를 향하여 퍼지 가스를 분사하고 상기 설비 전후 모듈(30)을 통해 상기 퍼지 가스가 회수된다. 여기서, 퍼지 가스는 푸프(10) 내에 탑재되는 다수개의 웨이퍼(1)와 평행한 방향으로 분사된다. 따라서, 웨이퍼(1)에서 비상되는 아웃개싱을 원활하게 퍼지시킬 수 있다. 또한, 다수개의 웨이퍼(1) 사이를 유동되는 퍼지 가스는 푸프(10)의 개방구를 통해 다시 설비 전후 모듈(30)로 회수됨에 따라 푸프(10) 내부를 충분히 퍼지시킬 수 있다. 이때, 퍼지 가스와 함께 푸프(10) 내부의 오염물질들 또한 설비 전후 모듈(30)로 회수됨을 알 수 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing the pre-installation module 30 and the pouf 10 of FIG. 1, and the pouf 10 supported on the load port 20 in the purge module 60 formed in the pre-installation module 30. The purge gas is injected toward the inside of the and the purge gas is recovered through the module 30 before and after the installation. Here, the purge gas is injected in a direction parallel to the plurality of wafers 1 mounted in the pouf 10. Therefore, it is possible to smoothly purge outgassing from the wafer 1. In addition, as the purge gas flowing between the plurality of wafers 1 is recovered to the module 30 before and after the facility through the opening of the pouf 10, the inside of the pouf 10 may be sufficiently purged. At this time, it can be seen that the contaminants in the pouf 10 together with the purge gas are also recovered to the module 30 before and after the installation.

설비 전후 모듈(30)에는 공기 정화장치(34)가 형성되어 있다. 공기 정화장치(34)는 설비 전후 모듈(30)의 상단에서 하단으로 외부의 공기를 일정한 압력이상으로 유동시키는 팬(36)과 제 1 공기 필터(38)가 형성되어 있다. 팬(36)과 제 1 공기 필터(38)는 반도체 생산라인의 상부 프리넘(도시되지 않음)을 통해 공급되는 공기를 정화시켜 설비 전후 모듈(30)의 내부로 유입시킬 수 있다. 퍼지 모듈(60)은 오프너(32)에 의해 푸프 도어(12)가 오픈되면 비로소 푸프(10) 내에 퍼지 가스를 분사할 수 있다.The air purifier 34 is formed in the module 30 before and after the installation. The air purifier 34 is formed with a fan 36 and a first air filter 38 for flowing external air above a predetermined pressure from the top to the bottom of the module 30 before and after the installation. The fan 36 and the first air filter 38 may purify the air supplied through the upper plenum (not shown) of the semiconductor production line to be introduced into the module before and after the facility 30. The purge module 60 may inject purge gas into the pouf 10 only when the pouf door 12 is opened by the opener 32.

도시하지는 않았지만, 설비 전후 모듈(30)의 하단에는 설비 전후 모듈(30) 내부의 공기를 정화하여 반도체 생산라인의 하부 프리넘으로 배출시키는 제 2 공기 필터가 형성되어 있다.Although not shown, a second air filter is formed at the lower end of the pre-installation module 30 to purify the air inside the pre-installation module 30 and discharge it to the lower plenum of the semiconductor production line.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비는 설비 전후 모듈(30) 내에 형성된 퍼지 모듈(60)에서 푸프(10) 내부에 탑재된 다수개의 웨이퍼(1)에 대해 수평으로 퍼지 가스를 분사하고, 푸프(10) 내부의 퍼지 가스를 상기 설비 전후 모 듈(30)에 회수토록 형성되어 있다.Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention sprays the purge gas horizontally to the plurality of wafers 1 mounted inside the pouf 10 from the purge module 60 formed in the module 30 before and after the facility. In addition, the purge gas inside the pouf 10 is formed in the module 30 before and after the installation.

도 3a 및 도 3b는 설비 전후 모듈(30)에서 푸프(10) 내부를 바라보는 사시도를 개시한다. 설비 전후 모듈(30)의 측벽을 통해 푸프(10)가 연결되고 있으며, 상기 푸프(10)의 개방구를 가로막는 푸프 도어(12)가 오프너(32)에 의해 오픈되고 있다. 또한, 푸프(10)의 개방구가 오픈되면 푸프(10)의 내부에 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 모듈(60)의 노즐(62)이 설비 전후 모듈(30)의 측벽 기둥(37)에 형성되어 있다. 3A and 3B disclose perspective views of the pouf 10 inside the module 30 before and after the installation. The pouf 10 is connected through the side wall of the module 30 before and after the installation, and the pouf door 12 that opens the opening of the pouf 10 is opened by the opener 32. In addition, when the opening of the pouf 10 is opened, a nozzle 62 of the purge module 60 for injecting purge gas into the pouf 10 is formed on the side wall pillar 37 of the front and rear of the installation module 30. have.

퍼지 모듈(60)은 푸프(10)가 개방되기 전에는 퍼지 가스를 다수개의 노즐홀(61)을 통해 토출시키지 않고 있으며, 푸프(10)의 도어가 오픈되어 푸프(10)가 개방되면 비로소 퍼지 가스를 분사한다. 퍼지 가스는 다수개의 노즐홀(61)을 통해 푸프(10)에 탑재되는 다수개의 웨이퍼(1)들 사이에 균일하게 분사된다. 본 발명의 실시예에서 25개의 웨이퍼(1)사이마다 각각의 노즐홀(61)을 통해 퍼지 가스가 분사되도록 하기 위해 노즐(62)에는 약 24개 내지 약 26개정도의 상기 노즐홀(61)이 형성되어 있다.The purge module 60 does not discharge the purge gas through the plurality of nozzle holes 61 until the pouf 10 is opened, and the purge gas is not opened until the door of the pouf 10 is opened and the pouf 10 is opened. Spray it. The purge gas is uniformly injected between the plurality of wafers 1 mounted on the pouf 10 through the plurality of nozzle holes 61. In the embodiment of the present invention, about 24 to about 26 nozzle holes 61 are inserted into the nozzles 62 so that purge gas is injected through each nozzle hole 61 between the 25 wafers 1. Is formed.

도시되지는 않았지만, 상기 퍼지 모듈(60)의 노즐(62)이 형성된 설비 전후 모듈(30)의 측벽 전후단에서 상기 설비 전후 모듈(30)을 외부로부터 차단 또는 독립시키기 위한 모듈 도어가 별도로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서 모듈 도어는 노즐(62)의 후단에 형성되어 있다. 퍼지 모듈(60)의 노즐홀(61)을 통하여 퍼지 가스가 분사되기 위해서는 푸프 도어(12) 및 모듈 도어가 동시에 오픈 되어야만 한다. 왜냐하면, 퍼지 모듈(60)을 통해 푸프(10) 내부로 퍼지 가스가 분사되기 위 해서는 푸프 도어(12)가 오픈 되어야 하고, 푸프(10) 내부의 퍼지 가스가 설비 전후 모듈(30)로 회수되기 위해서는 모듈 도어가 오픈되어야 하기 때문이다.Although not shown, a module door may be separately formed to block or separate the apparatus before and after the equipment 30 from the outside at the front and rear ends of the side wall of the installation module before and after the nozzle 62 of the purge module 60 is formed. Can be. In the embodiment of the present invention, the module door is formed at the rear end of the nozzle 62. In order for the purge gas to be injected through the nozzle hole 61 of the purge module 60, the pouf door 12 and the module door must be opened at the same time. In order to inject the purge gas into the pouf 10 through the purge module 60, the pouf door 12 must be opened, and the purge gas inside the pouf 10 is recovered to the pre- and post-installation module 30. This is because the module door must be opened.

도 4는 도 3a 및 도 3b의 푸프(10) 및 노즐(62)을 나타내는 평면도이다. 푸프(10)의 개방구 양측에 형성된 복수개의 노즐(62)은 웨이퍼(1)를 중심으로 퍼지 가스를 분사한다. 여기서, 화살표는 퍼지 가스가 분사되는 방향이다. 노즐(62)에 형성된 노즐홀(61)은 설비 전후 모듈(30)과 푸프(10)의 경계면을 기준으로 웨이퍼(1)를 향해 각각 35°의 방위각으로 퍼지 가스를 분사시킨다. 노즐(62)은 길이 방향으로 배관 홀(68)이 형성되어 있으며, 상기 배관 홀(68)을 따라 일정 간격으로 노즐홀(61)이 형성되어 있다. 복수개의 노즐(62)은 다수개의 노즐홀(61)들이 형성된 전면을 서로 마주보며, 후면이 설비 전후 모듈(30)의 측벽에 고정 부착된다.4 is a plan view illustrating the pouf 10 and the nozzle 62 of FIGS. 3A and 3B. The plurality of nozzles 62 formed on both sides of the opening of the pouf 10 inject the purge gas around the wafer 1. Here, the arrow is a direction in which the purge gas is injected. The nozzle hole 61 formed in the nozzle 62 injects purge gas toward the wafer 1 toward the wafer 1 based on the interface between the front and rear of the module 30 and the pouf 10. The nozzle 62 is formed with a pipe hole 68 in the longitudinal direction, and the nozzle hole 61 is formed at regular intervals along the pipe hole 68. The plurality of nozzles 62 face each other with the front surface on which the plurality of nozzle holes 61 are formed, and the rear surface is fixedly attached to the side wall of the module 30 before and after the installation.

도 5는 도 3a 및 도 3b의 노즐(62)을 나타내는 사시도로서, 노즐(62)은 다수개의 노즐홀(61)이 길이 방향으로 형성된 직육면체로 이루어진다. 다수개의 노즐홀(61)이 형성된 전면과 그에 대응되는 후면이 넓은 면적을 갖는다. 또한, 노즐(62)의 하단에는 퍼지 가스가 공급되는 라인이 결합되는 적어도 하나이상의 연결구(69)가 형성되어 있다. 푸프(10)의 양측에 형성되는 복수개의 노즐(62)는 서로 마주보는 방향에 대해 서로 대칭적으로 형성되어 있다.5 is a perspective view illustrating the nozzle 62 of FIGS. 3A and 3B, wherein the nozzle 62 is formed of a rectangular parallelepiped in which a plurality of nozzle holes 61 are formed in a longitudinal direction. The front surface in which the plurality of nozzle holes 61 is formed and the rear surface corresponding thereto have a large area. In addition, at least one connector 69 is formed at a lower end of the nozzle 62 to which a line to which purge gas is supplied is coupled. The plurality of nozzles 62 formed on both sides of the pouf 10 are formed symmetrically with respect to the direction facing each other.

도 6은 도 3a 및 도 3b의 퍼지 모듈(60)을 나타내는 다이아 그램이다. 퍼지 모듈(60)은 크게 퍼지 가스가 저장되는 가스 탱크(63)와, 상기 퍼지 가스를 유동시키는 배관(70)과, 퍼지 가스의 공급을 단속하는 밸브(66)와, 퍼지 가스를 토출하는 노즐홀(61)을 포함하여 이루어진다. 가스 탱크(63)는 퍼지 가스를 고압으로 농축시 켜 액체 상태로 저장하고 있다. 본 발명의 실시예에서의 퍼지 가스는 질소 가스로 이루어지며, 가스 탱크(63)는 액화 상태의 질소를 저장하고 있다. 따라서, 고압의 액화 상태의 질소를 기화시키면서 압력조절을 하는 압력조절기(64)가 가스 탱크(63)와 노즐(62) 사이에 형성되어 있다. 압력조절기(64)는 약 760Torr정도의 상압보다 높은 압력과 약 20lpm 내지 80lpm 유량의 질소 가스를 노즐홀(61)에 공급한다. 6 is a diagram illustrating the purge module 60 of FIGS. 3A and 3B. The purge module 60 includes a gas tank 63 in which purge gas is largely stored, a pipe 70 for flowing the purge gas, a valve 66 for intermittent supply of purge gas, and a nozzle for discharging the purge gas. It comprises a hole (61). The gas tank 63 concentrates the purge gas at a high pressure and stores it in a liquid state. The purge gas in the embodiment of the present invention is made of nitrogen gas, and the gas tank 63 stores nitrogen in a liquefied state. Therefore, a pressure regulator 64 for controlling pressure while vaporizing nitrogen in a high pressure liquefied state is formed between the gas tank 63 and the nozzle 62. The pressure regulator 64 supplies the nitrogen gas at a pressure higher than the normal pressure of about 760 Torr and a flow rate of about 20 lpm to 80 lpm to the nozzle hole 61.

밸브(66)는 푸프 도어(12)가 오픈되면서 노즐홀(61)을 통해 퍼지 가스를 분사한다. 따라서, 푸프 도어(12)가 오픈되는 것을 감지하는 센서(67)에서 출력되는 감지신호에 따라 밸브(66)가 온/오프될 수 있다. 본 발명의 실시예의 센서(67)는 푸프 도어(12)의 위치를 감지하거나, 상기 푸프 도어(12)를 개폐시키는 오프너(32)의 위치를 감지하는 포토 센서를 포함하여 이루어진다.The valve 66 injects purge gas through the nozzle hole 61 while the pouf door 12 is opened. Accordingly, the valve 66 may be turned on / off in accordance with a detection signal output from the sensor 67 that detects the opening of the pouf door 12. Sensor 67 of the embodiment of the present invention comprises a photo sensor for detecting the position of the pouf door 12, or the position of the opener 32 for opening and closing the poop door 12.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비는 설비 전후 모듈(30)과 푸프(10)사이를 차폐하는 푸프 도어(12)를 오픈시키는 오프너(32)의 위치에 따라 퍼지 가스가 분사됨에 따라 상기 푸프(10)가 오픈되면 항시 퍼지되도록 할 수 있다.Therefore, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, as the purge gas is injected according to the position of the opener 32 for opening the pore door 12 that shields between the module 30 and the pouf 10 before and after the facility. When the pouf 10 is open, it can be purged at all times.

이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 이용한 반도체 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention configured as described above are as follows.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조방법의 플로우 챠트를 개시하고 있다(S10). 먼저, 다수개의 웨이퍼(1)가 탑재된 푸프(10)를 로드 포트(20)에 로딩한다. 푸프(10) 내에 탑재된 다수개의 웨이퍼(1)는 식각 공정 또는 증착 공정과 같 은 반도체 제조공정이 요구된다. 푸프(10)는 설비 전후 모듈(30)의 모듈 도어와 푸프 도어(12)가 서로 인접하게 로딩된다. 따라서, 다수개의 웨이퍼(1)는 설비 전후 모듈(30)을 거쳐 공정 모듈(50)까지 최단거리로 위치된다.7 is a flowchart illustrating a semiconductor manufacturing method according to an embodiment of the present invention (S10). First, the pouf 10 on which the plurality of wafers 1 are mounted is loaded into the load port 20. The plurality of wafers 1 mounted in the pouf 10 require a semiconductor manufacturing process such as an etching process or a deposition process. The pouf 10 is loaded with the module door of the module before and after the equipment 30 and the pouf door 12 adjacent to each other. Thus, the plurality of wafers 1 are positioned at the shortest distance to the process module 50 via the pre- and post-installation module 30.

다음, 모듈 도어와 푸프 도어(12)를 오픈시킨다(S20). 모듈 도어가 오픈되면서 설비 전후 모듈(30) 내부에 형성된 오프너(32)로 하여금 푸프 도어(12)를 오픈시키도록 할 수 있다. 푸프 도어(12)가 개방됨에 따라 설비 전후 모듈(30)과 푸프(10)의 내부는 서로 연통되면서 동일 또는 유사한 압력의 내부 공기가 순환될 수 있다.Next, the module door and the pouf door 12 are opened (S20). As the module door is opened, the opener 32 formed in the module 30 before and after the facility may be opened to open the pouf door 12. As the pore door 12 is opened, the inside and outside of the module 30 and the poop 10 before and after the facility may communicate with each other, and internal air of the same or similar pressure may be circulated.

그 다음, 퍼지 모듈(60)에서 푸프(10) 내부를 연속적으로 퍼지시킨다(S30). 퍼지 모듈(60)은 푸프(10) 내부의 다수개의 웨이퍼(1)에 대하여 퍼지 가스를 분사함으로서 푸프(10) 내부의 공기를 설비 전후 모듈(30)에 강제 순환 배기시킨다. 즉, 퍼지 모듈(60)은 푸프(10) 내부의 웨이퍼(1)에서 발생되는 아웃개싱을 설비 전후 모듈(30)로 강제 회수시킬 수 있다.Next, the purge module 60 continuously purges the inside of the pouf 10 (S30). The purge module 60 injects purge gas to the plurality of wafers 1 in the pouf 10 to force and circulate the air inside the pouf 10 to the module 30 before and after the installation. That is, the purge module 60 may forcibly recover the outgassing generated from the wafer 1 inside the pouf 10 to the module 30 before and after the installation.

도 8은 푸프(10) 내부에서 공급되는 퍼지 가스의 유량에 따른 오염 정도를 나타내는 그래프로서, 퍼지 모듈(60)은 푸프(10)의 개방구 양측의 복수개의 노즐(62)에서 각각 약 40lpm 이상의 유량으로 퍼지 가스를 분사하여 푸프(10) 내부의 암모니아(NH3)를 우수한 제거한 결과를 획득할 수 있다. 여기서, 암모니아가 약 700ppbv의 농도로 충진된 푸프(10) 내부에 퍼지 가스를 약 1 분간 분사하면 100ppbv이하로 떨어진다. 이후, 약 3분이 지나면 대기중에 포함된 암모니아 수준의 약 50ppbv 정도로 낮아진다. 따라서, 설비 전후 모듈(30)과 푸프(10)를 서로 연통 시키고 복수개의 노즐(62)을 통해 ④ 내지 ⑥번과 같이 약 25lpm 내지 40lpm이상의 퍼지 가스를 상기 푸프(10) 내에 분사시키면 약 3분 이내에 상기 푸프(10)에 탑재된 웨이퍼(1)의 아웃개싱 및 그에 따라 발생되는 오염물질을 제거시킬 수 있다. 이때, 노즐홀(61)을 통해 분사되는 퍼지 가스의 유량에 따른 변화를 살펴보자.FIG. 8 is a graph showing the degree of contamination according to the flow rate of the purge gas supplied from the inside of the pouf 10. The purge module 60 may include at least about 40 lpm at each of the plurality of nozzles 62 on both sides of the opening of the pouf 10. The purge gas may be injected at a flow rate to obtain excellent removal of ammonia (NH 3) inside the pouf 10. Here, when a purge gas is injected into the pouf 10 filled with ammonia at a concentration of about 700 ppbv for about 1 minute, it falls below 100 ppbv. Then, after about three minutes, the level of ammonia contained in the atmosphere is lowered to about 50 ppbv. Therefore, if the front and rear of the module 30 and the pouf 10 are in communication with each other and a purge gas of about 25lpm to 40lpm or more, such as ④ through ⑥ through the plurality of nozzles 62, about 3 minutes It is possible to remove the outgassing of the wafer 1 mounted on the pouf 10 and the contaminants generated thereby. At this time, let's look at the change according to the flow rate of the purge gas injected through the nozzle hole (61).

①번에 대응되는 그래프는 퍼지 모듈(60)을 사용하지 않고 자연 퍼지된 결과를 나타낸다. 설비 전후 모듈(30)과 푸프(10)간에 유동되는 공기에 의해 자연 퍼지되는 경우 암모니아의 농도가 장시간에 걸쳐 천천히 감소함을 알 수 있다. ② 및 ③번에 대응되는 그래프들은 퍼지 모듈(60)의 양측 노즐(62)을 통해 각각 약 10lpm 내지 20lpm 정도의 유량으로 퍼지 가스를 분사하여 미약하게 퍼지된 결과를 나타낸다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조방법은 설비 전후 모듈(30)에 연통되는 푸프(10) 내에 탑재된 다수개의 웨이퍼(1) 전면에 대하여 퍼지 가스를 강제 유동시킨다. 따라서, 웨이퍼(1)에서 발생되는 아웃개싱 및 그의 오염물질을 균일하게 제거시킬 수 있기 때문에 생산수율을 향상시킬 수 있다.The graph corresponding to ① shows a natural purged result without using the purge module 60. It can be seen that the concentration of ammonia slowly decreases over a long time when it is naturally purged by the air flowing between the module 30 and the pouf 10 before and after the installation. Graphs corresponding to (2) and (3) show the result of the weak purge by spraying the purge gas at a flow rate of about 10 lpm to 20 lpm through both nozzles 62 of the purge module 60, respectively. The semiconductor manufacturing method according to the embodiment of the present invention forcibly flows purge gas to the entire surface of the plurality of wafers 1 mounted in the pouf 10 communicated with the module 30 before and after the installation. Therefore, since the outgassing and the contaminants thereof generated in the wafer 1 can be removed uniformly, the production yield can be improved.

푸프(10)의 개방구 일측에서만 퍼지 가스를 분사하면 상기 푸프(10)의 내부로 분사되고 회수되는 퍼지 가스의 순환은 용이할 수 있다. 그러나, 상기 푸프(10) 내에 탑재되는 다수개의 웨이퍼(1) 상부로 균일한 퍼지 가스가 유동되지 못하기 때문에 아웃개싱 및 그에 따른 오염물질이 균일하게 제거되지 못하는 단점이 있다. 따라서, 푸프(10)의 개방구 일측에서 퍼지 가스가 분사되는 것에 대한 구체적인 설명은 생략토록 한다.When the purge gas is injected only at one side of the opening of the pouf 10, circulation of the purge gas injected and recovered into the pouf 10 may be easy. However, since a uniform purge gas does not flow over the plurality of wafers 1 mounted in the pouf 10, outgassing and contaminants thereof may not be uniformly removed. Therefore, a detailed description of the injection of the purge gas from one side of the opening of the pouf 10 will be omitted.

이후, 푸프(10) 내부가 퍼지되는 중에 이동 모듈(40)은 웨이퍼(1)를 푸 프(10)에서 취출하여 공정 모듈(50)에 이송한다(S40). 푸프(10) 내부로 분사되는 퍼지 가스는 이동 모듈(40)에 이송되는 웨이퍼(1)를 에어(air) 세정시킨다. 따라서, 퍼지 모듈(60)은 푸프(10) 내부에서의 공기를 퍼지 또는 정화시킬 뿐만 아니라, 이동 모듈(40)에 의해 이송되는 웨이퍼(1)의 표면에 잔존하는 오염물질을 제거시킬 수 있다.Thereafter, while the inside of the pouf 10 is purged, the moving module 40 takes the wafer 1 out of the pouf 10 and transfers the wafer 1 to the process module 50 (S40). The purge gas injected into the pouf 10 air cleans the wafer 1 transferred to the moving module 40. Accordingly, the purge module 60 may purge or purify the air in the pouf 10, as well as remove contaminants remaining on the surface of the wafer 1 carried by the transfer module 40.

그리고, 공정 모듈(50)에서 웨이퍼(1)의 반도체 제조공정을 수행한다(S50). 반도체 제조공정은 증착 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 및 포토리소그래피 공정과 같은 단위 공정을 포함한다. 웨이퍼(1)가 낱장으로 공정 모듈(50)에 장입되는 반도체 제조공정은 외부로부터 독립된 챔버 내에서 별도의 공정이 이루어져야 하기 때문에 스루풋이 낮다. 반면 생산 수율을 높이기 위해 적어도 상압보다 낮은 저진공 또는 고진공 상태에서 반도체 제조공정이 수행된다. 본 발명의 실시예에서는 암모니아와 같은 공정 가스를 이용한 식각 공정 및 증착 공정이 수행되고, 공정 가스는 이들 공정이 완료된 후에도 장시간에 걸쳐 웨이퍼(1)에서 아웃개싱됨에 따라 2차 오염의 원인이 된다.In operation S50, a semiconductor manufacturing process of the wafer 1 is performed in the process module 50. Semiconductor manufacturing processes include unit processes such as deposition processes, etching processes, ion implantation processes, and photolithography processes. The semiconductor manufacturing process in which the wafer 1 is charged to the process module 50 in a single sheet has a low throughput since a separate process must be performed in a chamber independent from the outside. On the other hand, the semiconductor manufacturing process is performed in a low or high vacuum state at least lower than normal pressure to increase the production yield. In the embodiment of the present invention, an etching process and a deposition process using a process gas such as ammonia are performed, and the process gas causes secondary contamination as it is outgassed from the wafer 1 for a long time even after these processes are completed.

반도체 제조공정이 완료되면 이동 모듈(40)이 웨이퍼(1)를 푸프(10)에 재 탑재시킨다(S60). 웨이퍼(1)의 재 탑재는 취출과정의 역순으로 이루어진다. 이동 모듈(40)은 공정 모듈(50)에서 웨이퍼(1)를 전달받아 종래의 사이드 스토리지를 거치지 않고 곧바로 푸프(10) 내부로 재탑재시키기 때문에 웨이퍼(1)의 이동시간 또는 이동 대기시간을 단축시킬 수 있다.When the semiconductor manufacturing process is completed, the transfer module 40 remounts the wafer 1 on the pouf 10 (S60). The reloading of the wafer 1 is performed in the reverse order of taking out. The transfer module 40 receives the wafer 1 from the process module 50 and reloads it directly into the pouf 10 without going through the conventional side storage, thereby reducing the transfer time or the waiting time of the wafer 1. You can.

푸프(10)에 탑재된 다수개의 웨이퍼(1) 전체에 대해 반도체 제조공정이 완료 되었는지를 확인한다(S70). 푸프(10) 내의 다수개의 웨이퍼(1)는 각각 낱장으로 S40 단계 내지 S70 단계가 반복적으로 수행되면서 반도체 제조공정이 완료될 수 있다. 이때, 반도체 제조공정이 먼저 완료된 웨이퍼(1)는 퍼지 가스에 충분히 노출되고, 거의 마지막에 완료된 웨이퍼(1)는 충분히 퍼지되지 못할 수도 있다. 따라서, 마지막 웨이퍼(1) 또한 이동 모듈(40)에 의해 운반되는 동안에도 퍼지 모듈(60)이 웨이퍼(1)를 퍼지시킬 수 있다.It is checked whether the semiconductor manufacturing process is completed for the entire plurality of wafers 1 mounted on the pouf 10 (S70). Each of the plurality of wafers 1 in the pouf 10 may be repeatedly completed in steps S40 to S70, and the semiconductor manufacturing process may be completed. At this time, the wafer 1 in which the semiconductor manufacturing process is completed first is sufficiently exposed to the purge gas, and the wafer 1 which is almost completed may not be sufficiently purged. Thus, the purge module 60 can purge the wafer 1 while the last wafer 1 is also carried by the transfer module 40.

다음, 웨이퍼(1)의 재 탑재가 완료되면 퍼지 모듈(60)에 의한 퍼지를 종료하고(S80), 푸프 도어(12)를 클로즈시킨다(S90). 이후 푸프 도어(12)와 함께 모듈 도어도 클로즈됨에 따라 설비 전후 모듈(30)과 푸프(10)가 독립적으로 분리될 수 있다.Next, when the reloading of the wafer 1 is completed, the purge by the purge module 60 is terminated (S80), and the pouf door 12 is closed (S90). Since the module door is also closed together with the pouf door 12, the front and rear modules 30 and the pouf 10 may be separated independently.

마지막으로, 후속 공정을 위해 로드 포트(20)에서 푸프(10)를 언로딩시킨다(S100). 푸프(10)는 반도체 생산라인 내부의 천장을 따라 이동되는 OHT에 의해 이동될 수 있다.Finally, unloading the pouf 10 in the load port 20 for the subsequent process (S100). The pouf 10 may be moved by an OHT moved along the ceiling inside the semiconductor production line.

결국, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조방법은 설비 전후 모듈(30)과 푸프(10)가 서로 연통되면 상기 푸프(10) 내의 다수개의 웨이퍼(1) 전면에 대해 항시 균일한 퍼지 가스를 분사하여 함으로서, 웨이퍼(1) 생산수율을 향상시킬 수 있다.As a result, in the semiconductor manufacturing method according to the embodiment of the present invention, when the front and rear modules 30 and the pouf 10 communicate with each other, a uniform purge gas is always sprayed onto the entire surface of the plurality of wafers 1 in the pouf 10. By doing so, the yield of the wafer 1 can be improved.

또한, 종래에 웨이퍼(1)를 에어세정하기 위해 설치된 사이드 스토리지를 제거하여 웨이퍼(1)의 이동시간 또는 이동대기시간을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the side storage that is conventionally installed for air cleaning the wafer 1 can be removed, the moving time or the moving standby time of the wafer 1 can be reduced, thereby improving productivity.

상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도 면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.The above description of the embodiments is merely given by way of example with reference to the drawings in order to provide a more thorough understanding of the present invention and should not be construed as limiting the invention. In addition, for those skilled in the art, various changes and modifications may be made without departing from the basic principles of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타내는 다이아 그램1 is a diagram schematically illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 설비 전후 모듈 및 푸프를 나타내는 단면도FIG. 2 is a cross-sectional view showing the module before and after the installation and pouf of FIG.

도 3a 및 도 3b는 도 2의 설비 전후 모듈 내부의 퍼지 모듈을 나타내는 사시도3A and 3B are perspective views of the purge module inside the module before and after the installation of FIG. 2.

도 4는 도 3a 및 도 3b의 푸프 및 퍼지 모듈를 나타내는 평면도4 is a plan view illustrating the pouf and purge module of FIGS. 3A and 3B.

도 5는 도 3a 및 도 3b의 노즐을 나타내는 사시도5 is a perspective view illustrating the nozzle of FIGS. 3A and 3B.

도 6은 도 3a 및 도 3b의 퍼지 모듈을 나타내는 다이아 그램6 is a diagram illustrating the purge module of FIGS. 3A and 3B.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조방법을 나타내는 플로우 챠트7 is a flow chart showing a semiconductor manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도 8은 푸프 내부에서 공급되는 퍼지 가스의 유량에 따른 오염 정도를 나타내는 그래프8 is a graph showing the degree of contamination according to the flow rate of the purge gas supplied from inside the pouf

※도면에 나타난 주요 부호에 대한 설명※          ※ Description of the major symbols shown in the drawing ※

1 : 웨이퍼 10 : 푸프1: wafer 10: pouf

20 : 로드 포트 30 : 설비 전후 모듈20: load port 30: module before and after installation

40 : 이동 모듈 50 : 공정 모듈40: moving module 50: process module

60 : 퍼지 모듈60: purge module

Claims (7)

다수개의 웨이퍼가 탑재된 푸프가 로딩되는 로드 포트와;A load port on which a pouf on which a plurality of wafers are mounted is loaded; 상기 웨이퍼의 반도체 제조공정이 수행되는 공정 모듈과;A process module in which the semiconductor manufacturing process of the wafer is performed; 상기 공정 모듈과 상기 로드 포트간에 상기 다수개의 웨이퍼를 순차적으로 이송시키는 이동 모듈과;A moving module for sequentially transferring the plurality of wafers between the process module and the load port; 상기 이동 모듈이 형성된 상기 공정 모듈과 상기 로드 포트사이에서 청정 공간을 제공하며, 상기 로드 포트에 로딩되는 상기 푸프의 도어를 개폐하는 오프너가 형성된 설비 전후 모듈과;A pre- and post-installation module for providing a clean space between the process module in which the moving module is formed and the load port, and an opener for opening and closing a door of the pouf loaded in the load port; 상기 도어가 오픈되어 상기 설비 전후 모듈과 상기 로드 포트가 서로 연통되면, 상기 푸프 내에 탑재된 상기 웨이퍼에서의 아웃개싱을 상기 설비 전후 모듈로 유동시켜 제거하기 위해 상기 설비 전후 모듈에서 상기 푸프 내에 탑재된 다수개의 웨이퍼에 대해 퍼지 가스를 분사하고 상기 설비 전후 모듈로 퍼지 가스를 회수하여 상기 푸프 내부를 퍼지시키는 퍼지 모듈을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.When the door is opened and the front and rear modules and the load port are in communication with each other, the front and rear modules are mounted in the pouf in the front and rear module to remove and remove outgassing from the wafer mounted in the pouf to the front and rear module. And a purge module which injects purge gas to a plurality of wafers and recovers purge gas to the module before and after the facility to purge the inside of the pouf. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퍼지 모듈은 상기 도어의 오픈을 감지하는 센서와, 상기 센서에서 상기 도어의 오픈을 감지하면, 상기 푸프의 개방구 측방 양측에서 다수개의 웨이퍼에 대 하여 퍼지 가스를 분사하는 적어도 하나이상의 노즐을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The purge module includes a sensor for detecting the opening of the door, and at least one nozzle for injecting purge gas to a plurality of wafers on both sides of the opening of the pouf when the sensor detects the opening of the door. Semiconductor manufacturing equipment characterized in that. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 노즐은 상기 푸프의 개방구 양측에서 상기 다수개의 웨이퍼에 퍼지 가스를 분사하는 다수개의 노즐홀을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The nozzle comprises a plurality of nozzle holes for injecting a purge gas to the plurality of wafers on both sides of the opening of the pouf. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 노즐은 상기 푸프의 개방구 양측에서 상기 스테이지에 수직으로 형성된 상기 로드 포트와 상기 설비 전후 모듈사이의 측벽 기둥에 지지되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.And the nozzles are supported on sidewall pillars between the load port and the front and rear modules formed perpendicular to the stage on both sides of the opening of the pouf. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 노즐은 상기 설비 전후 모듈과 상기 로드 포트의 경계면을 기준으로 35도의 방위각으로 상기 푸프 내부에 퍼지 가스를 분사하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.And the nozzle is configured to inject purge gas into the pouf at an azimuth angle of 35 degrees with respect to the interface between the module before and after the facility and the load port. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 퍼지 모듈은 상기 퍼지 노즐에 상기 퍼지 가스를 공급하는 가스 탱크와, 상기 퍼지 가스 공급부와 상기 노즐사이에서 상기 퍼지 가스를 유동시키는 배관과, 상기 도어의 오픈 여부에 따라 상기 배관을 통해 유동되는 상기 퍼지 가스의 공급을 단속하는 밸브를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The purge module includes a gas tank for supplying the purge gas to the purge nozzle, a pipe for flowing the purge gas between the purge gas supply unit and the nozzle, and the pipe flowing through the pipe depending on whether the door is open. And a valve for interrupting the supply of purge gas. 다수개의 웨이퍼가 탑재된 푸프를 로드 포트에 위치시키는 단계와;Placing a plurality of wafer-mounted poufs in a load port; 오프너에서 상기 로드 포트에 위치되는 푸프의 도어를 오픈 시키는 단계와;Opening a door of a pouf positioned at the load port at an opener; 상기 푸프 내부의 상기 다수개의 웨이퍼에 퍼지 가스를 분사하여 설비 전후 모듈에 상기 퍼지 가스를 유동시키는 단계와;Injecting a purge gas to the plurality of wafers in the pouf to flow the purge gas to a module before and after an installation; 상기 퍼지 가스가 분사 및 유동되는 중 이동 모듈에 의해 푸프 내에서 웨이퍼가 취출되어 공정 모듈에 이송되는 단계와;A wafer is taken out of the pouf by a moving module while the purge gas is injected and flows and transferred to a process module; 상기 공정 모듈에서 해당 반도체 제조공정이 완료된 웨이퍼가 상기 이동 모듈에 의해 다시 푸프에 재 탑재되는 단계와;Reloading the wafer on which the semiconductor fabrication process is completed in the process module into the pouf by the transfer module; 상기 푸프 내에 탑재된 다수개의 웨이퍼 전체에 대하여 상기 공정 모듈에서 상기 반도체 제조공정이 완료되어 상기 푸프의 도어가 닫혀질 때까지 상기 퍼지 모듈에서 상기 푸프 내에 퍼지 가스를 분사하고 상기 퍼지 가스를 설비 전후 모듈에 유동시키는 것을 지속하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조방법.The purge module injects purge gas into the pouf and the purge gas is installed before and after the semiconductor module is completed in the process module and the door is closed. Continuing to flow in the semiconductor manufacturing method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101294143B1 (en) * 2011-12-28 2013-08-08 우범제 Apparatus for handling wafer and method for handling wafer using the same
WO2014046448A1 (en) * 2012-09-19 2014-03-27 Woo Bum Je Apparatus for treating wafer, comprising wafer purging cassette for removing process gas remaining on wafer

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5410794B2 (en) * 2009-03-17 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
US9136149B2 (en) * 2012-11-16 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Loading port, system for etching and cleaning wafers and method of use
JP6526660B6 (en) 2013-08-12 2019-06-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ System, apparatus, and method for substrate processing with environmental control of factory interface
WO2016027558A1 (en) * 2014-08-18 2016-02-25 村田機械株式会社 Transport device and transport method
KR20210080633A (en) 2014-11-25 2021-06-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls
JP7005887B2 (en) * 2016-08-31 2022-01-24 Tdk株式会社 Container cleaning device and cleaning method
JP6597875B2 (en) * 2018-12-07 2019-10-30 Ｔｄｋ株式会社 Gas purge unit and gas purge device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980195A (en) * 1996-04-24 1999-11-09 Tokyo Electron, Ltd. Positioning apparatus for substrates to be processed
US6068668A (en) * 1997-03-31 2000-05-30 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
JP3955724B2 (en) * 2000-10-12 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
US6585470B2 (en) * 2001-06-19 2003-07-01 Brooks Automation, Inc. System for transporting substrates
JP3880343B2 (en) * 2001-08-01 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ Load port, substrate processing apparatus, and atmosphere replacement method
JP4669643B2 (en) * 2001-09-17 2011-04-13 ローツェ株式会社 Wafer mapping apparatus and load port having the same
JP4027837B2 (en) * 2003-04-28 2007-12-26 Ｔｄｋ株式会社 Purge apparatus and purge method
US8297319B2 (en) * 2006-09-14 2012-10-30 Brooks Automation, Inc. Carrier gas system and coupling substrate carrier to a loadport
JP4309935B2 (en) * 2007-07-31 2009-08-05 Ｔｄｋ株式会社 Closed container lid opening / closing system and substrate processing method using the system
US8186927B2 (en) * 2008-05-27 2012-05-29 Tdk Corporation Contained object transfer system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101294143B1 (en) * 2011-12-28 2013-08-08 우범제 Apparatus for handling wafer and method for handling wafer using the same
WO2014046448A1 (en) * 2012-09-19 2014-03-27 Woo Bum Je Apparatus for treating wafer, comprising wafer purging cassette for removing process gas remaining on wafer
KR101439168B1 (en) * 2012-09-19 2014-09-12 우범제 A wafer treat equipment have the wafer purging cassette removal remain fume on the wafer

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Publication number Publication date
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