KR101980437B1 - Chamber for automated management of wafers with improved management efficiency - Google Patents

Chamber for automated management of wafers with improved management efficiency Download PDF

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Abstract

본 발명은 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제1챔버, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제2챔버, 상기 제1챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제1기체가열부, 및 상기 제2챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제2기체가열부,를 포함한다.
상기와 같은 본 발명에 의하면, 각 챔버에 거치된 복수의 웨이퍼를 향하여 기체를 분사하되, 가열된 기체를 분사함에 따라, 이물질과 퓸을 용이하게 분리시킬 수 있으며, 전체적인 배출효율 향상에 따른, 데드존을 방지하여 웨이퍼 관리효율을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a chamber for an automatic wafer management apparatus with improved management efficiency, and more particularly, to a chamber for automatically transferring wafers from a first chamber for removing impurities and fumes in a wafer to be placed in one end of an EFEM for transferring wafers, A first chamber for heating the gas supplied to the first chamber and a second chamber for heating the gas supplied to the first chamber, and a second chamber for heating the gas supplied to the first chamber, And a second gas heating portion for heating the supplied gas.
According to the present invention as described above, the gas is sprayed toward the plurality of wafers straddled in the respective chambers. As the heated gas is sprayed, foreign matter and fumes can be easily separated, It is possible to prevent the zone and improve the wafer management efficiency.

Description

관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버{Chamber for automated management of wafers with improved management efficiency}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to chambers for automatic management of wafers,

본 발명은 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위해 기체를 분사하되, 이물질과 퓸의 분리율을 향상시켜 배출시킴에 따라, 웨이퍼 관리효율을 향상시킬 수 있는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a chamber, and more particularly, to a method of cleaning a wafer by spraying a gas to remove foreign substances and fumes of the wafer, and improving the separation efficiency between the foreign matter and the fume, And more particularly to a chamber for an improved automated wafer management apparatus.

일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 증착 공정, 연마 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 검사 공정, 열처리 공정 등이 선택적이면서도 반복적으로 수행되어 제조되며, 이렇게 반도체 소자로 형성되기 위하여 웨이퍼는 각 공정에서 요구되는 특정 위치로 운반되어 진다.In general, a semiconductor device is manufactured by performing selective and repetitive processes on a wafer such as a deposition process, a polishing process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, a heat treatment process, The wafer is transported to the specific location required by each process.

여기서, 해당 공정 후, 웨이퍼는 EFEM(Equipment Front End Module) 옆면에 구비된 사이드 스토리지(혹은 버퍼 스테이션)에 수납되어 이물질과 퓸을 제거함에 따라, 혼재오염을 방지하고 있다.Here, after the process, the wafer is housed in a side storage (or buffer station) provided on the side of an EFEM (Equipment Front End Module) to remove foreign matter and fumes, thereby preventing mixed contamination.

종래 사이드 스토리지는 등록특허 제10-0678475호에서 개진된 바와 같이, 상부에 설치된 에어 커튼에서 가스를 분사하고, 그 가스는 하측으로 송풍되면서 거치된 각 웨이퍼에서 이물질과 품을 분리시킨 후, 하부를 통해 배출된다.Conventionally, side storage has been disclosed in Japanese Patent Application No. 10-0678475, in which a gas is sprayed from an air curtain installed on the upper side, and the gas is blown downward to separate foreign matter and articles from each mounted wafer, ≪ / RTI >

그러나 종래 사이드 스토리지는 배출구가 하부 후측에 구비됨에 따라, 분사된 가스가 하부 전측이나 중간부에 정체되어 데드존(Dead Zone)이 발생되어 배출효율이 저하되는 문제점이 있다.However, in the conventional side storage, as the discharge port is provided at the lower rear side, the injected gas is stagnated in the lower front side or the middle part, and a dead zone is generated to lower the discharge efficiency.

이와 같이, 분리된 이물질이나 품이 포함된 가스가 정체될 경우, 거치된 웨이퍼를 이송시키거나 새로운 웨이퍼를 거치시킬 경우, EFEM(Equipment Front End Module) 내부로 유출되어 오염이 발생되는 문제점이 있다.In this way, when the separated foreign substances or the gas containing the products are stagnated, there is a problem that the transferred wafers are transferred into the EFEM (Equipment Front End Module) and contaminated when a new wafer is transferred or a new wafer is stuck.

또한 각 웨이퍼로 분사된 기체에 의해 이물질과 퓸이 완벽하게 분리되지 못해, 기체 분사압력을 증가시키거나 분사 시간을 증가시킴에 따라, 운용비용이 증가되는 문제점이 있다.Also, since the foreign matter and the fume are not separated completely by the gas injected to each wafer and the gas injection pressure is increased or the injection time is increased, the operation cost is increased.

이에 따라, 거치된 웨이퍼에서 이물질과 품의 분리율을 향상시켜 제거하되, 데드존을 방지하여 작업효율을 향상시키고, 2차 오염을 방지하기 위한 기술에 대한 개발이 절실히 여구되고 있는 실정이다.Accordingly, there is an urgent need to develop a technique for improving the work efficiency and preventing the secondary contamination while preventing the dead zone from being removed by improving the separation rate between the foreign matter and the product in the immobilized wafer.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해소하기 위해 안출된 것으로써, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제1챔버, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제2챔버, 상기 제1챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제1기체가열부, 및 상기 제2챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제2기체가열부,를 포함하여 각 챔버에 거치된 복수의 웨이퍼를 향하여 기체를 분사하되, 가열된 기체를 분사함에 따라, 이물질과 퓸을 용이하게 분리시킬 수 있으며, 전체적인 배출효율 향상에 따른, 데드존을 방지하여 웨이퍼 관리효율을 향상시킬 수 있는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버를 제공하는 것이 목적이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and an object of the present invention is to provide an EFEM for wafer transfer, a first chamber for removing foreign substances and fumes from the wafer, A first chamber for heating the gas supplied to the first chamber and a second chamber for supplying the gas supplied to the second chamber to the second chamber, The second gas for heating is injected toward the plurality of wafers placed in the respective chambers including the heating part. By spraying the heated gas, the foreign matter and the fume can be easily separated, and the overall exhaust efficiency can be improved Which is capable of preventing a dead zone and improving wafer management efficiency, according to the present invention.

상기 목적을 이루기 위한 본 발명은, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제1챔버, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제2챔버, 상기 제1챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제1기체가열부, 및 상기 제2챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제2기체가열부,를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer transfer apparatus including: a first chamber disposed in one end of an EFEM for transferring wafers to remove foreign substances and fumes from the wafer; a first chamber disposed at one end of the one end of the EFEM for transferring wafers, A first chamber for heating the gas supplied to the first chamber, and a second chamber for heating the gas supplied to the second chamber, the second chamber for heating the gas supplied to the first chamber, the second chamber for removing foreign substances and fumes of the wafer, , ≪ / RTI >

바람직하게, 상기 각 챔버는, 웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부가 내부에 형성되는 챔버몸체, 상기 거치공간부에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위한 거치대, 상기 거치공간부로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 기체분사부, 및 상기 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위한 기체토출부,를 포함한다.Preferably, each of the chambers includes: a chamber body having a mounting space portion opened to the rear side to allow the wafer to be drawn out; a mounting base for mounting the plurality of wafers at predetermined intervals provided in the mounting space portion; And a gas discharging unit for discharging the gas containing the foreign matter and the fumes separated from the wafer to the multiple surfaces.

그리고 상기 기체분사부는, 상기 거치공간부의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위한 제1기체분사부, 및 상기 거치대에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 제2기체분사부,를 포함한다.The gas ejection unit includes a first gas ejection unit for ejecting a gas to an open part of the mounting space unit and partitioning it from the outside, and a gas ejection unit for ejecting foreign matter and fume from the wafer by spraying the gas toward the wafer placed on the mounting table. And a second gas ejecting portion for separating the gas.

또한, 상기 제1기체분사부는, 상기 챔버몸체의 상단부에 구비되어 기체를 상측에서 하측으로 분사하기 위한 제1상단분사부, 및 상기 챔버몸체의 양측단부에 각각 구비되어 기체를 측방향으로 분사하기 위한 제1측단분사부,를 포함하고, 상기 제2기체분사부는, 상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2일측분사부, 및 상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2타측분사부,를 포함한다.The first gas injecting unit may include a first upper injecting unit provided at an upper end of the chamber body for injecting gas from the upper side to the lower side and a second upper injecting unit provided at both side ends of the chamber body for injecting gas laterally Wherein the second gas injection unit includes a second one-side jet part provided at one end of the chamber body for jetting the gas at a predetermined angle in the direction toward the mount space, and a second one- And a second other-side splitter provided at the other end of the vessel for spraying the gas at a predetermined angle in the direction toward the accommodation space.

또한, 상기 제1상단분사부는, 상기 제1측단분사부보다 전측에 위치되어 각각 기체를 분사함에 따라, 상기 거치공간부의 개방된 부위를 이중으로 차단시킨다.In addition, the first upper injection part is positioned forward of the first side end monolith part and injects gas, thereby double-blocking the open part of the mounting space part.

그리고 상기 제2일측분사부와 제2타측분사부 중 어느 하나의 기체 분사각도는 다른 하나의 기체 분사각도보다 상기 거치공간부 방향으로 기체를 분사한다.The gas injection angle of either one of the second one-side jet splitter and the second other-side splitter injects gas in the direction of the mounting space from the other one of the gas injection angles.

또한, 상기 제2일측분사부와 제2타측분사부를 지나는 연장선을 기준으로, 상기 제2일측분사부는 상기 거치공간부 방향으로 15 ~ 25°로 기체를 분사하고, 상기 제2타측분사부는 상기 거치공간부 방향으로 25 ~ 35°로 기체를 분사한다.The second one side injection part injects gas at 15 to 25 degrees in the direction toward the mount space part, with the extension line passing through the second one side injection part and the second other side injection part being as a reference, Spray gas at 25 to 35 ° in the space direction.

그리고 상기 챔버몸체의 각 엣지에 구비되어 상기 거치공간부로 기체를 분사하기 위한 엣지기체공급부,를 포함한다.And an edge gas supply unit provided at each edge of the chamber body for spraying gas to the mounting space unit.

또한, 상기 엣지기체공급부는, 상기 챔버몸체의 전단부 해당 엣지에 구비되되, 부채꼴형상으로 형성되는 엣지하우징, 및 상기 엣지하우징의 호를 따라 형성되는 엣지분사부,를 포함한다.The edge gas supply unit includes an edge housing provided at a corresponding edge of the front end of the chamber body, the edge housing being formed in a fan shape, and an edge ejection unit formed along the arc of the edge housing.

그리고 상기 기체토출부는, 상기 챔버몸체의 후단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 후단토출부, 상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 일측단토출부, 및 상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 타측단토출부,를 포함한다.The gas discharge unit may include a rear discharge unit provided at a rear end of the chamber body for discharging the gas, a discharge unit provided at one end of the chamber body for discharging the gas, And an other-end discharge unit for discharging the gas.

또한, 상기 후단토출부는, 상기 챔버몸체의 후단부에 복수 개 형성되는 후단토출구, 및 상기 후단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 후단부와의 사이에 후단토출공간부를 형성하는 후단토출하우징,을 포함한다.The rear end discharge portion may include a rear end discharge port formed at a rear end of the chamber body and a rear end discharge space formed between the rear end discharge port and the rear end discharge port, And a rear stage discharge housing.

그리고 상기 일측단토출부는, 상기 챔버몸체의 일측단부에 복수 개 형성되는 일측단토출구, 및 상기 일측단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 일측단부와의 사이에 일측단배출공간부를 형성하는 일측단토출하우징,을 포함한다.The one side end discharge portion includes a plurality of side discharge ports formed at one end of the chamber body and a discharge port spaced apart from the one side discharge port by a predetermined distance so as to be spaced apart from one side end of the chamber body, And a one-side discharge housing which forms a part.

또한, 상기 타측단토출부는, 상기 챔버몸체의 타측단부에 복수 개 형성되는 타측단토출구, 및 상기 타측단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 타측단부와의 사이에 타측단토출공간부를 형성하는 타측단토출하우징,을 포함한다.The other side end discharge portion may include a plurality of other side discharge ports formed at the other end of the chamber body and spaced a predetermined distance apart from the other side discharge port to discharge the other side discharge And an other-end-side discharge housing that forms a space portion.

그리고 상기 챔버몸체의 각 모서리에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 엣지토출부,를 더 포함한다.And an edge discharge portion provided at each corner of the chamber body for discharging the gas.

또한, 상기 엣지토출부는, 상기 챔버몸체의 각 모서리에 형성되는 엣지토출구, 및 상기 엣지토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 모서리와의 사이에 엣지토출공간부를 형성하는 엣지토출하우징,을 포함한다.The edge discharge unit may include an edge discharge port formed at each corner of the chamber body and an edge discharge space formed at an outer side of the edge discharge port to form an edge discharge space between the edge of the chamber body and the edge of the chamber body. , ≪ / RTI >

그리고 상기 엣지토출구는, 상하방향으로 길게 형성된 슬롯이다.The edge discharge port is a slot formed long in the vertical direction.

또한, 상기 제1기체가열부는 공급되는 기체의 일부를 가열하여 상기 제1기체분사부로 공급하고, 상기 제2기체가열부는 공급되는 기체의 나머지부를 가열하여 상기 제2기체분사부로 공급한다.The first gas heating unit heats a part of the supplied gas to supply the gas to the first gas injecting unit, and the second gas heating unit heats the remaining part of the supplied gas to supply the gas to the second gas injecting unit.

그리고 상기 제1기체가열부는, 제1히터, 공급되는 기체가 상기 제1히터를 거쳐 가열되기 위한 제1기체공급관, 상기 제1기체공급관과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위한 제1분배부, 상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1상단분사부로 공급하기 위한 제1중앙공급관, 상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1측단분사부와 제2일측분사부로 공급하기 위한 제1일측공급관, 및 상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1측단분사부와 제2타측분사부로 공급하기 위한 제1타측공급관,을 포함한다.The first gas heating unit may include a first gas supply pipe for heating the first heater, the supplied gas through the first heater, a first distributor communicating with the first gas supply pipe to distribute the heated gas, A first central supply pipe for supplying the gas branched from the first distributor to the first upper distributor of the first chamber, a gas branching from the first distributor to the first distributor for the first chamber, And a first one side supply pipe for supplying gas branched from the first distribution part to the first side partial splash part and the second other side splash part of the first chamber, .

또한, 상기 제2기체가열부는, 제2히터, 공급되는 기체가 상기 제2히터를 거쳐 가열되기 위한 제2기체공급관, 상기 제2기체공급관과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위한 제2분배부, 상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1상단분사부로 공급하기 위한 제2중앙공급관, 상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1측단분사부와 제2일측분사부로 공급하기 위한 제2일측공급관, 및 상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1측단분사부와 제2타측분사부로 공급하기 위한 제2타측공급관,을 포함한다.The second gas heating unit may include a second gas supply pipe for heating the second heater, the supplied gas through the second heater, a second distribution pipe for communicating with the second gas supply pipe to distribute the heated gas, A second central supply pipe for supplying the gas branched from the second distributor to the first upper distributor of the second chamber, a gas branching from the second distributor to the first distributor of the second chamber, A second one side supply pipe for supplying the gas branched from the second distribution part to the first side partial splash part and the second other side splash part of the second chamber, do.

그리고 상기 제1기체공급관과 제1중앙공급관, 제1일측공급관, 제1타측공급관, 제2기체공급관, 제2중앙공급관, 제2일측공급관, 제2타측공급관은 SUS로 형성된다.The first gas supply pipe, the first central supply pipe, the first supply pipe, the first supply pipe, the second gas supply pipe, the second central supply pipe, the second supply pipe, and the second supply pipe are formed of SUS.

또한, 외형을 형성하고, 내부에 상기 제2챔버가 구비되는 몸체,가 더 포함되고, 상기 몸체는, 내부에 상기 제2챔버가 설치되는 상부몸체, 및 상기 상부몸체의 하측에 구비되는 하부몸체,를 포함한다.The body further includes an upper body forming an outer shape and provided with the second chamber therein. The body includes an upper body in which the second chamber is installed, and a lower body provided below the upper body. , ≪ / RTI >

그리고 상기 제1히터와 제1기체공급관, 제1분배부는 상기 하부몸체 구비되어 상기 제1중앙공급관과 제1일측공급관, 제1타측공급관의 일단부는 상기 제1분배부에 연결되고, 타단부는 상기 제1챔버에 연결되며, 상기 제2히터와 제2기체공급관, 제2분배부는 상기 제2챔버의 상단부에 구비되어 상기 제2중앙공급관과 제2일측공급관, 제2타측공급관의 일단부는 상기 제2분배부에 연결되고, 타단부는 상기 제2챔버에 연결된다.The first heater and the first gas supply pipe and the first distribution unit are provided in the lower body so that one end of the first central supply pipe and the first supply pipe and the first supply pipe are connected to the first distributor, Wherein the second heater is connected to the first chamber and the second gas supply pipe and the second distribution unit are provided at an upper end portion of the second chamber so that one end portion of the second central supply pipe and the second one side supply pipe, And the other end is connected to the second chamber.

또한, 상기 제1분배부로 유입되는 기체의 온도를 측정하기 위한 제1온도센서, 상기 제2분배부로 유입되는 기체의 온도를 측정하기 위한 제2온도센서, 및 상기 제1온도센서와 제2온도센서의 신호를 수신하여 상기 제1히터와 제2히터를 제어하여 기체를 일정온도로 유지시키기 위한 온도제어부,를 더 포함한다.The first distributor may further include a first temperature sensor for measuring the temperature of the gas introduced into the first distributor, a second temperature sensor for measuring the temperature of the gas introduced into the second distributor, And a temperature controller for receiving the signal of the sensor and controlling the first heater and the second heater to maintain the gas at a predetermined temperature.

그리고 기체를 상기 제1상단분사부로 공급하기 위해 상기 제1분배부에 더 구비되는 제1중앙보조공급관, 기체를 상기 제1상단분사부로 공급하기 위해 상기 제2분배부에 더 구비되는 제2중앙보고공급관, 상기 제1중앙공급관을 따라 공급되는 기체의 압력을 측정하기 위한 제1압력센서, 상기 제2중앙공급관을 따라 공급되는 기체의 압력을 측정하기 위한 제2압력센서, 상기 제1중앙공급관을 개폐하기 위한 제1밸브, 상기 제2중앙공급관을 개폐하기 위한 제2밸브, 상기 제1중앙보조공급관을 개폐하기 위한 제3밸브, 상기 제2중앙보조공급관을 개폐하기 위한 제4밸브, 및 상기 제1압력센서와 제2압력센서의 신호를 수신하여 상기 제1밸브와 제2밸브, 제3밸브, 제4밸브를 제어하기 위한 밸브제어부,를 더 포함하고, 상기 제3밸브와 제4밸브에 의해 제1중앙보조공급관과 제2중앙보조공급관이 폐쇄된 상태에서, 상기 제어부에 수신된 신호가 일정 압력 이하일 경우, 해당 밸브를 제어하여 해당 중앙공급관을 폐쇄시키고, 해당 보조중앙공급관을 개방시켜 상기 제1상단분사부로의 기체 공급을 유지시킨다.A first central auxiliary supply pipe further provided in the first distributor for supplying gas to the first upper distributor, a second central auxiliary supply pipe further provided in the second distributor for supplying gas to the first upper distributor, A first pressure sensor for measuring the pressure of the gas supplied along the first central supply line, a second pressure sensor for measuring the pressure of the gas supplied along the second central supply line, A second valve for opening / closing the second central supply pipe, a third valve for opening / closing the first central auxiliary supply pipe, a fourth valve for opening / closing the second central auxiliary supply pipe, and a second valve for opening / Further comprising a valve control unit for receiving signals of the first pressure sensor and the second pressure sensor to control the first valve, the second valve, the third valve, and the fourth valve, wherein the third valve and the fourth valve The first central auxiliary supply pipe And the second central auxiliary supply pipe are closed, when the signal received by the control unit is equal to or lower than a predetermined pressure, the valve is controlled to close the corresponding central supply pipe, Maintain gas supply.

상기한 바와 같이, 본 발명에 의한 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버에 의하면, 각 챔버에 거치된 거치된 복수의 웨이퍼를 향하여 기체를 분사하되, 가열된 기체를 분사함에 따라, 이물질과 퓸을 용이하게 분리시킬 수 있으며, 전체적인 배출효율 향상에 따른, 데드존을 방지하여 웨이퍼 관리효율을 향상시킬 수 있게 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.As described above, according to the chamber for an automatic wafer management apparatus with improved management efficiency according to the present invention, a gas is jetted toward a plurality of immobilized wafers placed in respective chambers. As the heated gas is jetted, And it is a very useful and effective invention that can improve the overall management efficiency of the wafers by preventing dead zones due to the improvement of the overall discharge efficiency.

도 1은 본 발명에 따른 챔버를 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 기체분사부를 도시한 도면이며,
도 3은 본 발명에 따른 제2기체분사부를 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명에 따른 기체가열부를 도시한 도면이며,
도 5는 본 발명에 따른 챔버가 구비된 웨이퍼 자동 관리 장치를 도시한 도면이고,
도 6은 본 발명에 따른 기체가열부에 중앙보조공급관이 더 구비된 상태를 도시한 도면이다.1 is a view showing a chamber according to the present invention,
2 is a view showing a gas injection unit according to the present invention,
3 is a view showing a second gas injection unit according to the present invention,
4 is a view showing a gas heating unit according to the present invention,
5 is a view showing a wafer automatic management apparatus equipped with a chamber according to the present invention,
6 is a view showing a state in which a central auxiliary supply pipe is further provided in a heating portion according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면과 함께 이하에 개시될 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태를 설명하고자 하는 것이며, 본 발명이 실시될 수 있는 유일한 실시형태를 나타내고자 하는 것이 아니다. 이하의 상세한 설명은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해서 구체적 세부사항을 포함한다. 그러나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 이러한 구체적 세부사항 없이도 실시될 수 있음을 안다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following detailed description, together with the accompanying drawings, is intended to illustrate exemplary embodiments of the invention and is not intended to represent the only embodiments in which the invention may be practiced. The following detailed description includes specific details in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, those skilled in the art will appreciate that the present invention may be practiced without these specific details.

몇몇 경우, 본 발명의 개념이 모호해지는 것을 피하기 위하여 공지의 구조 및 장치는 생략되거나, 각 구조 및 장치의 핵심기능을 중심으로 한 블록도 형식으로 도시될 수 있다.In some instances, well-known structures and devices may be omitted or may be shown in block diagram form, centering on the core functionality of each structure and device, to avoid obscuring the concepts of the present invention.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함(comprising 또는 including)"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부"의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미한다. 또한, "일(a 또는 an)", "하나(one)", "그(the)" 및 유사 관련어는 본 발명을 기술하는 문맥에 있어서(특히, 이하의 청구항의 문맥에서) 본 명세서에 달리 지시되거나 문맥에 의해 분명하게 반박되지 않는 한, 단수 및 복수 모두를 포함하는 의미로 사용될 수 있다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising" or " including ", it is meant that the element does not exclude other elements, do. Further, the term "part" described in the specification means a unit for processing at least one function or operation. Also, the terms " a or ", "one "," the ", and the like are synonyms in the context of describing the invention (particularly in the context of the following claims) May be used in a sense including both singular and plural, unless the context clearly dictates otherwise.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The following terms are defined in consideration of the functions in the embodiments of the present invention, which may vary depending on the intention of the user, the intention or the custom of the operator. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 챔버를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 기체분사부를 도시한 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 제2기체분사부를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 기체가열부를 도시한 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 챔버가 구비된 웨이퍼 자동 관리 장치를 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 기체가열부에 중앙보조공급관이 더 구비된 상태를 도시한 도면이다.FIG. 1 is a view showing a chamber according to the present invention, FIG. 2 is a view showing a gas injection unit according to the present invention, FIG. 3 is a view showing a second gas injection unit according to the present invention, 5 is a view illustrating a wafer automatic management apparatus equipped with a chamber according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic view of a wafer heating apparatus according to an embodiment of the present invention, Fig.

도면에서 도시한 바와 같이, 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버(30)는 제1챔버(200')와 제2챔버(200), 제1기체가열부(272) 및 제2기체가열부(274)로 구성된다.As shown in the figure, the wafer automatic management apparatus chamber 30 with improved management efficiency includes a first chamber 200 ', a second chamber 200, a first gas flow passage 272, (274).

제1챔버(200')는 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거한다.The first chamber 200 'is provided inside one end of the EFEM for transferring wafers, and removes impurities and fumes from the mounted wafer.

그리고 제2챔버(200)는 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거한다.The second chamber 200 is provided at one end of the one end of the EFEM for transferring wafers to remove foreign matter and fumes from the mounted wafer.

제1기체가열부(270')는 제1챔버(200')로 공급되는 기체를 가열시키기 위해 구비되고, 제2기체가열부(270)는 제2챔버(200)로 공급되는 기체를 가열시키기 위해 구비된다.The first gas heating portion 270 'is provided for heating the gas supplied to the first chamber 200', and the second gas heating portion 270 is provided for heating the gas supplied to the second chamber 200 ' .

이러한 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버(30)에 의하면, 웨이퍼의 이물질과 품을 제거하도록 기체를 공급하되, 가열된 기체를 공급함에 따라, 이물질과 퓸의 제거효율을 향상시킬 수 있다.According to the wafer automatic management apparatus chamber 30 having improved management efficiency, the gas is supplied to remove the foreign substances and the products of the wafer, and the heated gas can be supplied to improve the removal efficiency of the foreign substances and the fumes.

여기서, 기체는 질소(N2)를 사용함이 바람직하다.Here, the gas is preferably nitrogen (N2).

그리고 이를 위한, 각 챔버(200, 200')는 챔버몸체(210, 210')와 거치대(220, 220'), 기체분사부(230, 230') 및 기체토출부(240, 240')로 구성된다.To this end, the chambers 200 and 200 'are connected to the chamber bodies 210 and 210', the mounts 220 and 220 ', the gas injecting parts 230 and 230' and the gas discharging parts 240 and 240 ' .

챔버몸체(210, 210')은 웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부(212, 212')가 내부에 형성된다.The chamber bodies 210 and 210 'are formed therein with mounting space portions 212 and 212' opened to the rear side to allow the wafer to be drawn out.

그리고 거치대(220, 220')는 챔버몸체(210, 210')의 거치공간부(212, 212')에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위해 구비된다.The mounts 220 and 220 'are provided in the mount space sections 212 and 212' of the chamber bodies 210 and 210 'to mount a plurality of wafers at predetermined intervals.

기체분사부(230, 230')는 챔버몸체(210, 210')의 거치공간부(212, 212')로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위해 구비된다.The gas injectors 230 and 230 'are provided to separate the foreign matter and the fume from the immobilized wafers by injecting gas into the stationary space portions 212 and 212' of the chamber bodies 210 and 210 '.

또한 기체토출부(240, 240')는 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위해 구비된다.Further, the gas discharging units 240 and 240 'are provided to discharge the gas containing the foreign matter and the fumes separated from the wafer to the multiple surfaces.

여기서, 기체분사부(230, 230')는 도 2에서 도시한 바와 같이, 제1기체분사부(232, 232')와 제2기체분사부(234, 234')로 구성된다.Here, as shown in FIG. 2, the gas injecting sections 230 and 230 'are composed of the first gas injecting sections 232 and 232' and the second gas injecting sections 234 and 234 '.

각 챔버(200, 200')는 제1챔버(200')는 제2챔버(200)와 동일함에 따라, 제2챔버(200)로 설명하기로 한다.Each of the chambers 200 and 200 'will be described as a second chamber 200 as the first chamber 200' is the same as the second chamber 200.

제1기체분사부(232, 232')는 거치공간부(212, 212')의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위해 구비된다.The first gas injecting sections 232 and 232 'are provided for injecting gas into the open space of the receiving space sections 212 and 212' to partition them from the outside.

그리고 제2기체분사부(234, 234')는 거치대(220, 220')에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위해 구비된다.The second gas spraying parts 234 and 234 'are provided to separate the foreign matter and the fume from the wafer as the gas is sprayed toward the wafer placed on the mounts 220 and 220'.

이러한 제1기체분사부(232, 232')는 제1상단분사부(2322, 2322')와 제1측단분사부(2324, 2324')로 구성된다.The first gas ejecting parts 232 and 232 'are composed of the first upper ejecting parts 2322 and 2322' and the first side separating parts 2324 and 2324 '.

제1상단분사부(2322, 2322')는 챔버몸체(210, 210')의 상단부에 구비되어 기체를 상측에서 하측으로 분사하기 위해 구비된다.The first upper jetting portions 2322 and 2322 'are provided at upper ends of the chamber bodies 210 and 210' to jet the gas from the upper side to the lower side.

또한 제1측단분사부(2324, 2324')는 챔버몸체(210, 210')의 양측단부에 각각 구비되어 기체를 측방향으로 분사하기 위해 구비된다.In addition, the first-side single-splitters 2324 and 2324 'are provided at both side ends of the chamber bodies 210 and 210', respectively, for spraying the gas laterally.

여기서, 제1상단분사부(2322, 2322')는 제1측단분사부(2324, 2324')보다 전측에 위치되어 각각 기체를 분사함에 따라, 거치공간부(212, 212')의 개방된 부위를 이중으로 차단시킨다.The first upper ejector portions 2322 and 2322 'are located at the front side of the first side wall portion 2324 and 2324' and eject gas, respectively, .

그리고 제2기체분사부(234, 234')는 도 3에서 도시한 바와 같이, 제2일측분사부(2342, 2342')와 제2타측분사부(2344, 2344')로 구성된다.As shown in FIG. 3, the second gas jetting parts 234 and 234 'are constituted by the second one-side jetting parts 2342 and 2342' and the second other-side split parts 2344 and 2344 '.

제2일측분사부(2342, 2342')는 챔버몸체(210, 210')의 일측단부에 구비되어 거치공간부(212, 212') 방향으로 일정 각도로 기체를 분사한다.The second one-side spraying parts 2342 and 2342 'are provided at one ends of the chamber bodies 210 and 210' and inject the gas at a predetermined angle in the direction of the mount space parts 212 and 212 '.

또한 제2타측분사부(2344, 2344')는 챔버몸체(210, 210')의 타측단부에 구비되어 거치공간부(212, 212') 방향으로 일정 각도로 기체를 분사한다.The second other-side split parts 2344 and 2344 'are provided at the other ends of the chamber bodies 210 and 210' to inject gas at a predetermined angle in the direction of the stationary space parts 212 and 212 '.

여기서, 제2일측분사부(2342, 2342')와 제2타측분사부(2344, 2344') 중 어느 하나의 기체 분사각도는 다른 하나의 기체 분사각도보다 거치공간부(212, 212') 방향으로 기체를 분사한다.Here, the gas injection angle of one of the second one-side jetting parts 2342, 2342 'and the second other-side splitting parts 2344, 2344' is larger than the other one of the gas jetting angles in the direction of the stationary space part 212, 212 ' As shown in FIG.

일 실시 예로, 제2일측분사부(2342, 2342')와 제2타측분사부(2344, 2344')를 지나는 연장선(A)을 기준으로, 제2일측분사부(2342, 2342')는 거치공간부(212, 212') 방향으로 15 ~ 25°로 기체를 분사하고, 제2타측분사부(2344, 2344')는 거치공간부(212, 212') 방향으로 25 ~ 35°로 기체를 분사한다.The second one side jetting parts 2342 and 2342 'may be fixed to the first and second side jetting parts 2342 and 2342' on the basis of the extension line A passing through the second one side jetting parts 2342 and 2342 ' The gas is sprayed at 15 to 25 degrees in the direction of the space portions 212 and 212 'and the second other-side splitter portions 2344 and 2344' spray gas at 25 to 35 degrees in the direction of the seating space portions 212 and 212 ' Spray.

바람직하게, 제2일측분사부(2342, 2342')는 거치공간부(212, 212') 방향으로 20°로 분사하고, 제2타측분사부(2344, 2344')는 거치공간부(212, 212') 방향으로 30°로 분사한다.Preferably, the second one-side jetting portions 2342 and 2342 'jet 20 ° toward the mounting space portions 212 and 212', and the second other-side split portions 2344 and 2344 'jet the mounting space portions 212 and 212' 212 ').

또한 챔버몸체(210, 210')의 각 엣지에 구비되어 거치공간부(212, 212')로 기체를 분사하기 위한 엣지기체공급부(236, 236')를 포함한다.And an edge gas supply unit 236 and 236 'provided at each edge of the chamber body 210 and 210' for jetting the gas into the mount space 212 and 212 '.

이 엣지기체공급부(236, 236')는 엣지하우징(2362, 2362')과 엣지분사부(2364, 2364')로 구성된다.The edge gas supply units 236 and 236 'are composed of edge housings 2362 and 2362' and edge jetting units 2364 and 2364 '.

엣지하우징(2362, 2362')은 챔버몸체(210, 210')의 전단부 해당 엣지에 구비되되, 부채꼴형상으로 형성된다.The edge housings 2362 and 2362 'are provided at corresponding edges of the front ends of the chamber bodies 210 and 210', and are formed into a fan shape.

그리고 엣지분사부(2364, 2364')는 엣지하우징(2362, 2362')의 호를 따라 형성되어 기체를 분사함에 따라, 거치공간부(212, 212')의 각 엣지에 데드존(Dead zone)이 형성되는 것을 방지한다.The edge ejection portions 2364 and 2364 'are formed along the arc of the edge housings 2362 and 2362' and eject gas to form a dead zone at each edge of the seating space portions 212 and 212 ' .

또한 기체토출부(240, 240')는 후단토출부(242, 242')와 일측단토출부(244, 244'), 타측단토출부(246, 246') 및 메인토출부(248, 248')로 구성된다.The gas discharging units 240 and 240 'are connected to the rear discharging units 242 and 242' and the one side discharging units 244 and 244 ', the other side discharging units 246 and 246', and the main discharging units 248 and 248 ').

후단토출부(242, 242')는 챔버몸체(210, 210')의 후단부에 구비되어 기체를 배출시키고, 일측단토출부(244, 244')는 챔버몸체(210, 210')의 일측단부에 구비되어 기체를 배출시킨다.The rear end discharging portions 242 and 242 'are provided at the rear end portions of the chamber bodies 210 and 210' to discharge the gas and the one end discharging portions 244 and 244 ' So that the gas is discharged.

그리고 타측단토출부(246, 246')는 챔버몸체(210, 210')의 타측단부에 구비되어 기체를 배출시킨다.The other side end discharge portions 246 and 246 'are provided at the other ends of the chamber bodies 210 and 210' to discharge the gas.

메인토출부(248, 248')는 후단토출부(242, 242'), 일측단토출부(244, 244'), 타측단토출부(246, 246')와 연통되어 각각 배출된 기체를 외부로 배출시키기 위해 구비된다.The main discharge portions 248 and 248 'communicate with the downstream discharge portions 242 and 242', one side discharge portions 244 and 244 'and the other side discharge portions 246 and 246' As shown in FIG.

이 후단토출부(242, 242')는 후단토출구(2422, 2422')와 후단토출하우징(2424, 2424')으로 구성된다.The rear end discharging portions 242 and 242 'are formed of rear end discharging openings 2422 and 2422' and rear end discharging housings 2424 and 2424 '.

후단토출구(2422, 2422')는 챔버몸체(210,210')의 후단부에 복수 개 형성된다.A plurality of rear outlet ports 2422 and 2422 'are formed at the rear end of the chamber bodies 210 and 210'.

그리고 후단토출하우징(2424, 2424')은 후단토출구(2422, 2422')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 후단부와의 사이에 후단토출공간부(2426, 2426')를 형성한다.The rear end discharge housings 2424 and 2424 'are spaced apart from the rear end discharge ports 2422 and 2422' by a predetermined distance and are spaced apart from the rear end of the chamber bodies 210 and 210 ' 2426 ').

후단토출구(2422, 2422')를 통해 배출되는 기체는 후단토출공간부(2426, 2426)로 이동 후, 메인토출부(248, 248')를 따라 외부로 배출된다.The gas discharged through the rear discharge ports 2422 and 2422 'moves to the rear discharge spaces 2426 and 2426 and is discharged to the outside along the main discharge units 248 and 248'.

그리고 이 후단토출부(242, 242')는 후단토출구(2422, 2422')와 후단토출하우징(2424, 2424')으로 구성된다.The rear end discharging portions 242 and 242 'are formed of rear end discharging openings 2422 and 2422' and rear end discharging housings 2424 and 2424 '.

후단토출구(2422, 2422')는 챔버몸체(210, 210')의 후단부에 복수 개 형성된다.A plurality of rear outlet ports 2422 and 2422 'are formed at the rear end of the chamber bodies 210 and 210'.

그리고 후단토출하우징(2424, 2424')은 후단토출구(2422, 2422')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 후단부와의 사이에 후단토출공간부(2426, 2426')를 형성한다.The rear end discharge housings 2424 and 2424 'are spaced apart from the rear end discharge ports 2422 and 2422' by a predetermined distance and are spaced apart from the rear end of the chamber bodies 210 and 210 ' 2426 ').

후단토출구(2422, 2422')를 통해 배출되는 기체는 후단토출공간부(2426, 2426')로 이동 후, 메인토출부(248, 248')를 따라 외부로 배출된다.The gas discharged through the rear discharge ports 2422 and 2422 'moves to the rear discharge spaces 2426 and 2426' and is discharged to the outside along the main discharge portions 248 and 248 '.

또한 일측단토출부(244, 244')는 일측단토출구(2442, 2422')와 일측단토출하우징(2444, 2444')으로 구성된다.One end side discharge portions 244 and 244 'are composed of one side discharge ports 2442 and 2422' and one side discharge housings 2444 and 2444 '.

일측단토출구(2442, 2442')는 챔버몸체(210, 210')의 일측단부에 복수 개 형성된다.A plurality of side discharge ports 2442 and 2442 'are formed at one end of the chamber bodies 210 and 210'.

그리고 일측단토출하우징(2444, 2444')은 일측단토출구(2442, 2442')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 일측단부와의 사이에 일측단토출공간부(2446, 2446')를 형성한다.The one side end discharge housings 2444 and 2444 'are spaced apart from the one side end discharge ports 2442 and 2442' by a predetermined distance and are connected to one side end portion of the chamber bodies 210 and 210 ' (2446, 2446 ').

일측단토출구(2442, 2442')를 통해 배출되는 기체는 일측단토출공간부(2446, 2446')로 이동 후, 메인토출부(248, 248')를 따라 외부로 배출된다.The gas discharged through the one side discharge ports 2442 and 2442 'moves to one side discharge space portion 2446 and 2446' and is discharged to the outside along the main discharge portions 248 and 248 '.

또한 타측단토출부(246, 246')는 타측단토출구(2462, 2462')와 타측단토출하우징(2464, 2464')으로 구성된다.The other side end discharge portions 246 and 246 'are formed of the other side discharge holes 2462 and 2462' and the other side discharge housings 2464 and 2464 '.

타측단토출구(2462, 2462')는 챔버몸체(210, 210')의 타측단부에 복수 개 형성된다.And a plurality of other side end discharge ports 2462 and 2462 'are formed at the other end of the chamber bodies 210 and 210'.

그리고 타측단토출하우징(2464, 2464')은 타측단토출구(2462, 2462')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 타측단부와의 사이에 타측단토출공간부(2466, 2466')를 형성한다.The other side end discharge housings 2464 and 2464 'are spaced apart from the other side end discharge ports 2462 and 2462' by a predetermined distance and are provided between the other end of the chamber bodies 210 and 210 ' (2466, 2466 ').

타측단토출구(2462, 2462')를 통해 토출되는 기체는 타측단토출공간부(2466, 2466')로 이동 후, 메인토출부(248, 248')를 따라 외부로 배출된다.The gas discharged through the other side discharge ports 2462 and 2462 'is moved to the other side discharge space portions 2466 and 2466' and then discharged to the outside along the main discharge portions 248 and 248 '.

또한 챔버몸체(210, 210')의 각 모서리에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 엣지토출부(250, 250')를 더 포함한다.And further includes edge discharge portions 250 and 250 'provided at respective corners of the chamber bodies 210 and 210' to discharge the gas.

이 엣지토출부(250, 250')는 엣지토출구(252, 252')와 엣지토출하우징(254, 254')으로 구성된다.The edge discharge portions 250 and 250 'are composed of edge discharge ports 252 and 252' and edge discharge housings 254 and 254 '.

엣지토출구(252, 252')는 챔버몸체(210, 210')의 각 모서리에 형성된다.The edge discharge ports 252 and 252 'are formed at the respective corners of the chamber bodies 210 and 210'.

그리고 엣지토출하우징(254, 254')은 엣지토출구(252, 252')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 모서리와의 사이에 엣지토출공간부(256, 256')를 형성한다.The edge discharge housings 254 and 254 'are spaced apart from the edges of the edge discharge ports 252 and 252' by a predetermined distance to form edge discharge spaces 256 and 256 'between the edges of the chamber bodies 210 and 210' ').

이러한 엣지토출구(252, 252')는 상하방향으로 길게 형성된 슬롯형상으로 형성된다.The edge ejection openings 252 and 252 'are formed in a slot shape elongated in the vertical direction.

여기서, 엣지토출구(252, 252')를 통해 엣지토출공간부(256, 256')로 이동된 기체는 메인토출부(248, 248')를 통해 외부로 배출된다.The gas moved to the edge discharge space portions 256 and 256 'through the edge discharge ports 252 and 252' is discharged to the outside through the main discharge portions 248 and 248 '.

그리고 챔버몸체(210, 210')의 거치공간부(212, 212')의 폐쇄된 방향에서 내부를 확인할 수 있는 확인창(260, 260')이 더 포함된다.And confirmation windows 260 and 260 'for confirming the inside in the closed direction of the mounting space portions 212 and 212' of the chamber bodies 210 and 210 '.

이 확인창(260, 260')은 제1확인창(262, 262')과 제2확인창(264, 264') 및 제3확인창(266, 266')으로 구성된다.The confirmation windows 260 and 260'comprise the first confirmation windows 262 and 262 ', the second confirmation windows 264 and 264', and the third confirmation windows 266 and 266 '.

제1확인창(262, 262')은 챔버몸체(210, 210')의 양측면 중 어느 하나 이상에 형성되고, 제2확인창(264, 264')은 제1확인창(262, 262')에 대응되도록 해당 측단배출하우징(2444, 2464, 2444', 2464')에 형성된다.The first confirmation windows 262 and 262 'are formed on at least one of both sides of the chamber bodies 210 and 210' and the second confirmation windows 264 and 264 ' Side discharge housings 2444, 2464, 2444 ', and 2464' so as to correspond to the side-end discharge housings 2444, 2464, 2444 ', and 2464'.

그리고 제3확인창(266, 266')은 제2확인창(264, 264')에 대응되도록 몸체(100)에 형성된다.The third confirmation windows 266 and 266 'are formed on the body 100 to correspond to the second confirmation windows 264 and 264'.

이러한 제1확인창(262, 262')과 제2확인창(264, 264') 및 제3확인창(266, 266')을 통해 외측에서 거치공간부(212, 212')를 확인할 수 있어 상태를 확인하고 신속하게 대처할 수 있다.The mounting space portions 212 and 212 'can be identified from the outside through the first confirmation windows 262 and 262', the second confirmation windows 264 and 264 ', and the third confirmation windows 266 and 266' You can check the status and respond quickly.

이와 같은, 제1확인창(262, 262')과 제2확인창(264, 264') 및 제3확인창(266, 266')은 해당 부분에서 탈부착 가능하게 구비되는 것으로, 챔버몸체(210, 210')와 해당 측단배출하우징(2444, 2464, 2444', 2464') 및 상부몸체(110)에 탈부착 가능하도록 구비된다.The first confirmation windows 262 and 262 'and the second confirmation windows 264 and 264' and the third confirmation windows 266 and 266 'are detachably attached to the corresponding portions of the chamber body 210 And 210 ', the side end discharge housings 2444, 2464, 2444', and 2464 ', and the upper body 110, respectively.

이에, 거치공간부(212, 212')의 상태를 외측에서 실시간으로 확인할 수 있어 필요한 초취를 신속하게 취할 수 있다.Therefore, it is possible to confirm the state of the stationary space portions 212 and 212 'from the outside in real time, so that it is possible to quickly take necessary insects.

그리고 도 4에서 도시한 바와 같이, 제1기체가열부(272)는 공급되는 기체의 일부를 가열하여 제1챔버(200)의 기체분사부(230)로 공급하기 위해 구비된다.4, the first gas evolving unit 272 is provided for heating a part of the supplied gas to supply the gas to the gas injecting unit 230 of the first chamber 200. As shown in FIG.

또한 제2기체가열부(274)는 공급되는 기체의 나머지부를 가열하여 제2챔버(200')의 기체분사부(230')로 공급하기 위해 구비된다.The second gas evacuation unit 274 is provided for heating the remaining portion of the gas to be supplied to the gas ejection unit 230 'of the second chamber 200'.

여기서, 제1기체가열부(272)는 제1히터(2721)와 제1기체공급관(2722), 제1분배부(2723), 제1중앙공급관(2724), 제1일측공급관(2725) 및 제1타측공급관(2726)으로 구성된다.Here, the first gas heating section 272 includes a first heater 2721 and a first gas supply pipe 2722, a first distribution portion 2723, a first central supply pipe 2724, a first supply pipe 2725, And a first other-side supply pipe 2726.

제1기체공급관(2722)은 공급되는 기체가 제1히터(2721)를 거쳐 가열되기 위해 구비된다.The first gas supply pipe 2722 is provided for the supplied gas to be heated via the first heater 2721.

그리고 제1분배부(2723)는 제1기체공급관(2722)과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위해 구비된다.The first distribution portion 2723 is provided to communicate with the first gas supply pipe 2722 to distribute the heated gas.

제1중앙공급관(2724)은 제1분배부(2723)에서 분기된 기체를 제1챔버(200')의 제1상단분사부(2322')로 공급하기 위해 구비된다.The first central supply pipe 2724 is provided to supply the gas branched from the first distributor 2723 to the first upper distributor 2322 'of the first chamber 200'.

또한 제1일측공급관(2725)은 제1분배부(2723)에서 분기된 기체를 제1챔버(200')의 챔버몸체(210')의 일측단부에 구비된 제1챔버(200')의 제1측단분사부(2324')와 제2일측분사부(2342')로 공급하기 위해 구비된다.The first one side supply pipe 2725 is connected to the first chamber 200 'of the first chamber 200' provided at one end of the chamber body 210 'of the first chamber 200' To the one-side split portion 2324 'and the second one-side split portion 2342'.

제1타측공급관(2726)은 제1분배부(2723)에서 분기된 기체를 제1챔버(200')의 챔버몸체(210')의 타측단부에 구비된 제1측단분사부(2324')와 제2타측분사부(2344')로 공급하기 위해 구비된다.The first other-side supply pipe 2726 is formed by dividing the gas branched from the first distributor 2723 into a first side mono-branched portion 2324 'provided at the other end of the chamber body 210' of the first chamber 200 ' To the second other-side splitter 2344 '.

그리고 제2기체가열부(274)는 제2히터(2741)와 제2기체공급관(2742), 제2분배부(2743), 제2중앙공급관(2744), 제2일측공급관(2745) 및 제2타측공급관(2746)으로 구성된다.The second gas heating portion 274 is connected to the second heater 2741 and the second gas supply pipe 2742, the second distribution portion 2743, the second central supply pipe 2744, the second one side supply pipe 2745, And a second side supply pipe 2746.

제2기체공급관(2742)은 공급되는 기체가 제2히터(2741)를 거쳐 가열되기 위해 구비된다.The second gas supply pipe 2742 is provided for the supplied gas to be heated via the second heater 2741.

또한 제2분배부(2743)는 제2기체공급관(2742)과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위해 구비된다.The second distribution portion 2743 is provided to communicate with the second gas supply pipe 2742 to distribute the heated gas.

제2중앙공급관(2744)은 제2분배부(2743)에서 분기된 기체를 제2챔버(200)의 제1상단분사부(2322)로 공급하기 위해 구비된다.The second central supply pipe 2744 is provided to supply the gas branched from the second distributor 2743 to the first upper distributor 2322 of the second chamber 200.

그리고 제2일측공급관(2745)은 제2분배부(2743)에서 분기된 기체를 제2챔버(200)의 챔버몸체(210)의 일측단부에 구비된 제1측단분사부(2324)와 제2일측분사부(2342)로 공급하기 위해 구비된다.The second one side supply pipe 2745 is connected to the first side end monolith portion 2324 provided at one end of the chamber body 210 of the second chamber 200 and the second side end monolith portion 2324 provided at one end of the chamber body 210 of the second chamber 200, To the one-side jetting portion 2342.

제2타측공급관(2746)은 제2분배부(2743)에서 분기된 기체를 제2챔버(200)의 챔버몸체(210)의 타측단부에 구비된 제1측단분사부(2324)와 제2타측분사부(2344)로 공급하기 위해 구비된다.The second supply pipe 2746 is connected to the first branching part 2324 provided at the other end of the chamber body 210 of the second chamber 200 and the second branching part 2324 branched from the second branching part 2743, And supplies it to the side splitter 2344.

여기서, 제1기체공급관(2722)과 제1중앙공급관(2724), 제1일측공급관(2725), 제1타측공급관(2726), 제2기체공급관(2742)과 제2중앙공급관(2744), 제2일측공급관(2745), 제2타측공급관(2746)은 SUS로 형성된다.Here, the first gas supply pipe 2722 and the first central supply pipe 2724, the first side supply pipe 2725, the first other side supply pipe 2726, the second gas supply pipe 2742 and the second central supply pipe 2744, The second one side supply pipe 2745 and the second other side supply pipe 2746 are formed of SUS.

이에, 부식을 최소화하거나 방지한다.Thus, corrosion is minimized or prevented.

그리고 도 5에서 도시한 바와 같이, 외형을 형성하고, 내부에 제2챔버(200)의 챔버(200)가 구비되는 몸체(100)가 더 구비된다.As shown in FIG. 5, a body 100 having an outer shape and a chamber 200 of the second chamber 200 is further provided.

이 몸체(100)는 내부에 챔버(200)가 설치되는 상부몸체(110) 및 상부몸체(110 하측에 구비되는 하부몸체(120)로 구성된다.The body 100 is composed of an upper body 110 and a lower body 120 provided below the upper body 110 in which a chamber 200 is installed.

제1히터(2721)와 제1기체공급관(2722), 제1분배부(2723)는 하부몸체(120) 구비되어 제1중앙공급관(2724)과 제1일측공급관(2725), 제1타측공급관(2726)의 일단부는 제1분배부(2723)에 연결되고, 타단부는 제1챔버(200')에 연결된다.The first heater 2721 and the first gas supply pipe 2722 and the first distribution portion 2723 are provided with the lower body 120 and are connected to the first central supply pipe 2724 and the first one side supply pipe 2725, One end of the second chamber 2726 is connected to the first partition 2723 and the other end is connected to the first chamber 200 '.

또한 제2히터(2741)와 제2기체공급관(2742), 제2분배부(2743)는 제2챔버(200)의 상단부에 구비되어 제2중앙공급관(2744)과 제2일측공급관(2745), 제2타측공급관(2746)의 일단부는 제2분배부(2743)에 연결되고, 타단부는 제2챔버(200)에 연결된다.The second heater 2741 and the second gas supply pipe 2742 and the second distribution unit 2743 are provided at the upper end of the second chamber 200 and are connected to the second central supply pipe 2744 and the second supply pipe 2745, One end of the second supply pipe 2746 is connected to the second distribution part 2743 and the other end is connected to the second chamber 200.

다시 말해, 제1기체가열부(272)는 제2챔버(200)의 하측에서 기체를 가열하여 제1챔버(200')로 공급하고, 제2기체가열부(274)는 제2챔버(200)의 상단부에서 기체를 가열하여 공급한다.In other words, the first gas heating portion 272 heats the gas below the second chamber 200 and supplies the gas to the first chamber 200 ', and the second gas heating portion 274 supplies the gas to the second chamber 200' The gas is heated and supplied.

그리고 기체가열부(270)는 제1온도센서(2762)와 제2온도센서(2764) 및 온도제어부(276)가 더 구비된다.The gas heating unit 270 further includes a first temperature sensor 2762, a second temperature sensor 2764, and a temperature control unit 276.

제1온도센서(2762)는 제1분배부(2723)로 유입되는 기체의 온도를 측정하고, 제2온도센서(2764)는 제2분배부(2743)로 유입되는 기체의 온도를 측정한다.The first temperature sensor 2762 measures the temperature of the gas flowing into the first distributor 2723 and the second temperature sensor 2764 measures the temperature of the gas flowing into the second distributor 2743.

또한 온도제어부(276)는 제1온도센서(2762)와 제2온도센서(2764)의 신호를 수신하여 제1히터(2721)와 제2히터(2741)를 제어하여 기체를 일정온도로 유지시키기 위해 구비된다.The temperature controller 276 receives signals from the first temperature sensor 2762 and the second temperature sensor 2764 and controls the first heater 2721 and the second heater 2741 to maintain the gas at a constant temperature .

그리고 도 6에서 도시한 바와 같이, 제1중앙보조공급관(281)과 제2중앙보고공급관(282), 제1압력센서(283), 제2압력센서(284), 제1밸브(285), 제2밸브(286), 제3밸브(287), 제4밸브(288) 및 밸브제어부(280)가 더 구비된다.6, the first central auxiliary supply pipe 281 and the second central reporting supply pipe 282, the first pressure sensor 283, the second pressure sensor 284, the first valve 285, A second valve 286, a third valve 287, a fourth valve 288, and a valve control unit 280 are further provided.

제1중앙보조공급관(281)은 기체를 제1상단분사부(2322)로 공급하기 위해 제1분배부(2723)에 더 구비된다.The first central auxiliary supply pipe 281 is further provided in the first distributor 2723 to supply the gas to the first upper distributor 2322.

또한 제2중앙보고공급관(282)은 기체를 제1상단분사부(2322)로 공급하기 위해 제2분배부(2743)에 더 구비된다.The second central reporting supply pipe 282 is further provided in the second distribution portion 2743 to supply the gas to the first upper spray portion 2322.

제1압력센서(283)는 제1중앙공급관(2724)을 따라 공급되는 기체의 압력을 측정하기 위해 구비된다.The first pressure sensor 283 is provided to measure the pressure of the gas supplied along the first central supply pipe 2724.

그리고 제2압력센서(284)는 제2중앙공급관(2744)을 따라 공급되는 기체의 압력을 측정하기 위해 구비된다.And the second pressure sensor 284 is provided to measure the pressure of the gas supplied along the second central supply pipe 2744.

제1밸브(285)는 제1중앙공급관(2724)을 개폐하기 위해 구비되고, 제2밸브(286)는 제2중앙공급관(2744)을 개폐하기 위해 구비된다.The first valve 285 is provided for opening and closing the first central supply pipe 2724 and the second valve 286 is provided for opening and closing the second central supply pipe 2744.

또한 제3밸브(287)는 제1중앙보조공급관(281)을 개폐하기 위해 구비되고, 제4밸브(288)는 제2중앙보고공급관(282)을 개폐하기 위해 구비된다.The third valve 287 is provided for opening and closing the first central auxiliary supply pipe 281 and the fourth valve 288 is provided for opening and closing the second central reporting supply pipe 282.

밸브제어부(280)는 제1압력센서(283)와 제2압력센서(284)의 신호를 수신하여 제1밸브(285)와 제2밸브(286), 제3밸브(287), 제4밸브(288)를 제어하기 위해 구비된다.The valve control unit 280 receives the signals of the first pressure sensor 283 and the second pressure sensor 284 and controls the first valve 285 and the second valve 286, the third valve 287, Lt; RTI ID = 0.0 > 288 < / RTI >

제3밸브(287)와 제4밸브(288)에 의해 제1중앙보조공급관(281)과 제2중앙보조공급관(282)이 폐쇄된 상태에서, 밸브제어부(280)에 수신된 신호가 일정 압력 이하일 경우, 해당 밸브를 제어하여 해당 중앙공급관을 폐쇄함과 동시에, 해당 보조중앙공급관을 개방시킨다.When the first central auxiliary supply pipe 281 and the second central auxiliary supply pipe 282 are closed by the third valve 287 and the fourth valve 288 and the signal received by the valve control unit 280 is a predetermined pressure , The corresponding valve is controlled to close the corresponding central supply pipe and open the corresponding auxiliary central supply pipe.

이에, 각 제1상단분사부(2322, 2322')로의 가열된 기체를 지속적으로 공급할 수 있어 웨이퍼에 대한 관리효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the heated gas to each of the first upper jetting parts 2322 and 2322 'can be continuously supplied to improve the management efficiency of the wafers.

그리고 각 챔버(200, 200')의 제1일측공급관(2725), 제1타측공급관(2726), 제2일측공급관(2745), 제2타측공급관(2746)에는 각각 밸브가 구비된다.A valve is provided in each of the first and second supply pipes 2725, 2726, 2745 and 2746 of the chambers 200, 200 '.

이 각 밸브는 밸브제어부(280)에 의해 해당 공급관의 개방 정도를 조절하여 기체 공급량을 조절할 수 있다.Each of the valves can control the supply amount of gas by adjusting the degree of opening of the corresponding supply pipe by the valve control unit 280.

물론, 제1밸브(285)와 제2밸브(286), 제3밸브(287), 제4밸브(288) 역시, 밸브제어부(280)에 의해 해당 공급관의 개방 정도를 조절하여 각 공급관의 기체 공급량을 조절함이 당연하다.Of course, the first valve 285 and the second valve 286, the third valve 287 and the fourth valve 288 may also be controlled by the valve control unit 280 to adjust the degree of opening of the corresponding supply pipe, It is natural to adjust the supply.

30 : 챔버 200 : 제2챔버
200' : 제1챔버 210, 210' : 챔버몸체
220, 220' : 거치대 230, 230' : 기체분사부
232, 232' : 제1기체분사부 234, 234' : 제2기체분사부
240, 240' : 기체토출부 272 : 제1기체가열부
274 : 제2기체가열부30: chamber 200: second chamber
200 ': first chamber 210, 210': chamber body
220, and 220 ': a holder 230, 230'
232, 232 ': first gas injecting part 234, 234': second gas injecting part
240, 240 ': gas discharging portion 272:
274: the second gas is heated

Claims (10)

웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제1챔버;
웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제2챔버;
상기 제1챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제1기체가열부; 및
상기 제2챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제2기체가열부;를 포함하고,
상기 각 챔버는,
웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부가 내부에 형성되는 챔버몸체;
상기 거치공간부에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위한 거치대;
상기 거치공간부로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 기체분사부; 및
상기 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위한 기체토출부;를 포함하며,
상기 기체분사부는,
상기 거치공간부의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위한 제1기체분사부; 및
상기 거치대에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 제2기체분사부;를 포함하고,
상기 제1기체분사부는,
상기 챔버몸체의 상단부에 구비되어 기체를 상측에서 하측으로 분사하기 위한 제1상단분사부; 및
상기 챔버몸체의 양측단부에 각각 구비되어 기체를 측방향으로 분사하기 위한 제1측단분사부;를 포함하고,
상기 제2기체분사부는,
상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2일측분사부; 및
상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2타측분사부;를 포함하며,
상기 제1기체가열부는 공급되는 기체의 일부를 가열하여 상기 제1챔버의 제1기체분사부로 공급하고, 상기 제2기체가열부는 공급되는 기체의 나머지부를 가열하여 상기 제2챔버의 제2기체분사부로 공급하고,
상기 제1기체가열부는,
제1히터;
공급되는 기체가 상기 제1히터를 거쳐 가열되기 위한 제1기체공급관;
상기 제1기체공급관과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위한 제1분배부;
상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1상단분사부로 공급하기 위한 제1중앙공급관;
상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1측단분사부와 제2일측분사부로 공급하기 위한 제1일측공급관; 및
상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1측단분사부와 제2타측분사부로 공급하기 위한 제1타측공급관;을 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.A first chamber disposed inside the one end of the EFEM for transferring wafers to remove foreign matter and fumes from the wafer;
A second chamber provided at one end of the one end of the EFEM for transferring wafers to remove foreign substances and fumes from the wafer to be immobilized;
A first gas heating unit for heating the gas supplied to the first chamber; And
And a second gas heating unit for heating the gas supplied to the second chamber,
Each of the chambers includes:
A chamber body in which a mounting space portion opened to the rear side is formed so as to draw out the wafer;
A cradle provided in the cradling space for holding a plurality of wafers at predetermined intervals;
A gas injecting unit for injecting gas into the stationary space and separating foreign matter and fumes from the immobilized wafer; And
And a gas discharging portion for discharging the gas containing the foreign substance and the fumes separated from the wafer to the multi-
The gas-
A first gas ejecting part for ejecting a gas to an open part of the stationary space part and partitioning the gas from the outside; And
And a second gas ejection part for separating foreign matter and fume from the wafer as the gas is ejected toward the wafer placed on the mount,
The first gas injecting unit injects,
A first upper spray portion provided at an upper end of the chamber body for spraying the gas from the upper side to the lower side; And
And a first side end splitter provided at both side ends of the chamber body for spraying the gas laterally,
The second gas injecting unit injects,
A second one-side spray portion provided at one end of the chamber body for spraying gas at a predetermined angle in the direction toward the accommodation space; And
And a second other-side splitter provided at the other end of the chamber body for spraying the gas at a predetermined angle in the direction toward the accommodation space,
The first gas heating unit heats a part of the gas to be supplied to the first gas ejecting unit of the first chamber, and the second gas heating unit heats the remaining part of the gas to be supplied to the second gas heating unit of the first chamber, However,
The first gas heating unit includes:
A first heater;
A first gas supply pipe through which the supplied gas is heated via the first heater;
A first distributor communicating with the first gas supply pipe to distribute the heated gas;
A first central supply pipe for supplying the gas branched from the first distributor to the first upper distributor of the first chamber;
A first one-side supply pipe for supplying the gas branched from the first distributor to the first side monolithic part and the second one side discharge part of the first chamber; And
And a first other-side supply pipe for supplying the gas branched from the first distributor to the first-side monolithic part and the second other-side distributor part of the first chamber. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제2기체가열부는,
제2히터;
공급되는 기체가 상기 제2히터를 거쳐 가열되기 위한 제2기체공급관;
상기 제2기체공급관과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위한 제2분배부;
상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1상단분사부로 공급하기 위한 제2중앙공급관;
상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1측단분사부와 제2일측분사부로 공급하기 위한 제2일측공급관; 및
상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1측단분사부와 제2타측분사부로 공급하기 위한 제2타측공급관;을 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.The apparatus according to claim 1, wherein the second gas heating unit comprises:
A second heater;
A second gas supply pipe through which the supplied gas is heated via the second heater;
A second distributor communicating with the second gas supply pipe to distribute the heated gas;
A second central supply pipe for supplying gas branched from the second distributor to the first upper distributor of the second chamber;
A second one side supply pipe for supplying the gas branched from the second distribution part to the first side monolith part and the second one side injection part of the second chamber; And
And a second other-side supply pipe for supplying the gas branched from the second distributor to the first-side monolithic part and the second other-side distributor part of the second chamber. 제7항에 있어서,
외형을 형성하고, 내부에 상기 제2챔버가 구비되는 몸체;가 더 포함되고,
상기 몸체는,
내부에 상기 제2챔버가 설치되는 상부몸체; 및
상기 상부몸체의 하측에 구비되는 하부몸체;를 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.8. The method of claim 7,
And a body formed with an outer shape and having the second chamber therein,
The body,
An upper body in which the second chamber is installed; And
And a lower body provided on the lower side of the upper body. 제8항에 있어서,
상기 제1히터와 제1기체공급관, 제1분배부는 상기 하부몸체 구비되어 상기 제1중앙공급관과 제1일측공급관, 제1타측공급관의 일단부는 상기 제1분배부에 연결되고, 타단부는 상기 제1챔버에 연결되며,
상기 제2히터와 제2기체공급관, 제2분배부는 상기 제2챔버의 상단부에 구비되어 상기 제2중앙공급관과 제2일측공급관, 제2타측공급관의 일단부는 상기 제2분배부에 연결되고, 타단부는 상기 제2챔버에 연결되는 것을 특징으로 하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.9. The method of claim 8,
The first heater and the first gas supply pipe and the first distribution unit are provided with the lower body, one end of the first central supply pipe and the first supply pipe and the first supply pipe are connected to the first distribution part, A second chamber connected to the first chamber,
The second heater, the second gas supply pipe, and the second distribution unit are provided at the upper end of the second chamber, one end of the second central supply pipe and the second one side supply pipe and the second other side supply pipe are connected to the second distribution unit, And the other end is connected to the second chamber. 제9항에 있어서,
상기 제1분배부로 유입되는 기체의 온도를 측정하기 위한 제1온도센서;
상기 제2분배부로 유입되는 기체의 온도를 측정하기 위한 제2온도센서; 및
상기 제1온도센서와 제2온도센서의 신호를 수신하여 상기 제1히터와 제2히터를 제어함에 따라, 기체를 일정온도로 유지시키기 위한 온도제어부;를 더 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.10. The method of claim 9,
A first temperature sensor for measuring the temperature of the gas introduced into the first distributor;
A second temperature sensor for measuring the temperature of the gas introduced into the second distributor; And
And a temperature controller for receiving signals of the first temperature sensor and the second temperature sensor to control the first heater and the second heater to maintain the gas at a constant temperature, Chamber for device.
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