KR100989887B1 - Apparatus for residual gas of wafer - Google Patents

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KR100989887B1
KR100989887B1 KR1020100048264A KR20100048264A KR100989887B1 KR 100989887 B1 KR100989887 B1 KR 100989887B1 KR 1020100048264 A KR1020100048264 A KR 1020100048264A KR 20100048264 A KR20100048264 A KR 20100048264A KR 100989887 B1 KR100989887 B1 KR 100989887B1
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Abstract

PURPOSE: A device for removing gas remaining on a wafer by spraying heated nitrogen gas is provided to prevent remaining gas on a movable module by discharging the gas remaining on a wafer through an exhaust pipe. CONSTITUTION: A plurality of wafers(10) are loaded on a stacker(420). A case(412) is opened to receive the part of descending air current. A plurality of exhaust slots are formed on the rear side of the stacker to move the descending air current in parallel to one side of the wafer. The exhaust pipe is formed on the lower side of the case to exhaust the descending air current inputted through an exhaust slot. A spraying pipe(440) to spray the heated gas is combined with the front of the case.

Description

웨이퍼 잔존가스 제거장치 {Apparatus for Residual Gas of Wafer}Wafer Residual Gas Removal System {Apparatus for Residual Gas of Wafer}

본 발명은 웨이퍼 잔존가스 제거장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a wafer residual gas removal apparatus.

일반적으로 반도체 제조의 공정챔버 혹은 로드락챔버에 사용되는 가스가 웨이퍼에 잔존하다가 대기 중으로 유출될 수 있다. 이러한 잔존가스는 로드락챔버와 EFEM(equipment front end module)의 내부로 확산되어, 대기 중의 수분과 반응하여 소정의 부산물을 생성할 수 있다. In general, a gas used in a process chamber or a load lock chamber of semiconductor manufacturing may remain on a wafer and flow out into the atmosphere. The remaining gas may diffuse into the load lock chamber and the interior of the equipment front end module (EFEM), and may react with moisture in the air to generate a predetermined byproduct.

이와 같은 부산물은 EFEM 내부에 설치된 장비에 흡착되어, 그 장비를 부식시키는 문제점이 있었다. 뿐만 아니라, 일부 부산물은 인체에 유해한 성분을 포함하고 있어, EFEM의 외부로 유출되는 경우, 작업자의 건강 상의 문제를 야기시킬 수 있는 문제가 있었다.
These by-products are adsorbed to the equipment installed inside the EFEM, there was a problem of corroding the equipment. In addition, some of the by-products contain a harmful component to the human body, when spilled to the outside of the EFEM, there was a problem that can cause health problems of the worker.

본 발명은 웨이퍼의 잔존가스를 제거할 수 있는 웨이퍼 잔존가스 제거장치를 제공하는 것이다.
The present invention provides a wafer residual gas removal apparatus capable of removing residual gas of a wafer.

본 발명의 일 측면에 따르면, 공정챔버로부터 언로딩된 웨이퍼에 잔존하는 잔존가스를 제거하도록, 로드락챔버와 로드포트 사이에 개재되어 웨이퍼를 이송시키며 내부에 하강기류가 형성되는 이송모듈의 일측에 결합되는 웨이퍼 잔존가스 제거장치에 있어서, 복수의 웨이퍼가 적재되는 스택커(stacker); 내부에 스택커가 수용되며, 하강기류의 일부가 유입되도록 전방에 개구되는 케이스; 유입된 하강기류가 웨이퍼의 일면과 평행하게 유동하도록 스택커의 배면에 형성되는 복수의 배기슬롯; 및 배기슬롯을 통해 유입된 하강기류가 배출되도록 케이스의 저면에 형성되는 배기구를 포함하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, to remove the residual gas remaining in the unloaded wafer from the process chamber, interposed between the load lock chamber and the load port to transfer the wafer and on one side of the transfer module in which the downdraft is formed therein An apparatus for removing residual wafer gas, comprising: a stacker on which a plurality of wafers are stacked; The stacker is accommodated therein, the case opening in the front so that a portion of the downdraft flows; A plurality of exhaust slots formed on a rear surface of the stacker so that the introduced downdraft flows in parallel with one surface of the wafer; And an exhaust port formed on a bottom surface of the case so that the downdraft flow introduced through the exhaust slot is discharged.

여기서, 복수의 배기슬롯은 스택커의 배면의 양측에 배치될 수 있으며, 복수의 배기슬롯의 길이는 하향으로 갈수록 짧아질 수 있다. 그리고, 웨이퍼 잔존가스 제거장치의 하강기류가 유입되는 측의 모서리는 라운딩 처리될 수 있다. Here, the plurality of exhaust slots may be disposed on both sides of the rear surface of the stacker, and the length of the plurality of exhaust slots may be shortened downward. And, the edge of the side into which the downdraft of the wafer residual gas removal apparatus flows may be rounded.

그리고, 웨이퍼 잔존가스 제거장치는, 유입된 하강기류가 안정적으로 유동되도록 배기구와 결합되는 버퍼를 더 포함할 수 있으며, 버퍼에 체류하는 하강기류를 강제로 배기시키는 배기팬을 더 포함할 수 있다.In addition, the wafer residual gas removal apparatus may further include a buffer coupled to the exhaust port to stably flow the introduced downdraft, and may further include an exhaust fan forcibly exhausting the downdraft staying in the buffer.

그리고, 웨이퍼 잔존가스 제거장치는, 웨이퍼의 잔존가스가 휘발되도록 케이스로 유입되는 하강기류의 일부를 가열하는 가열부를 더 포함할 수 있으며, 가열부는 가열된 질소가스를 분사하는 분사파이프를 포함할 수 있다.In addition, the wafer residual gas removal apparatus may further include a heating unit for heating a portion of the downdraft flowing into the case so that the residual gas of the wafer is volatilized, and the heating unit may include an injection pipe for injecting heated nitrogen gas. have.

이 때, 분사파이프는 스택커의 전방에 스택커의 가장자리를 따라 배치될 수 있으며, 분사파이프는 복수의 웨이퍼의 위치에 상응하여 질소가스를 분사하는 복수의 분사노즐을 포함할 수 있다.At this time, the injection pipe may be disposed along the edge of the stacker in front of the stacker, the injection pipe may include a plurality of injection nozzles for injecting nitrogen gas corresponding to the position of the plurality of wafers.

그리고, 분사노즐은 분사파이프의 스택커의 좌우 측에 상하 방향과 스택커의 상측에 수평방향으로 형성될 수 있다.
The injection nozzle may be formed in a vertical direction on the left and right sides of the stacker of the injection pipe and in a horizontal direction on the upper side of the stacker.

본 발명의 실시 예에 따르면, 웨이퍼에 잔존하는 잔존가스를 제거하여, 이동모듈 내부에 잔존가스가 확산되거나, 그 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, the residual gas remaining on the wafer may be removed to prevent the remaining gas from diffusing into the mobile module or outflowing to the outside.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비를 나타낸 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 일부를 나타낸 측면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 잔존가스 제거장치를 나타낸 사시도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 잔존가스 제거장치를 나타낸 분해 사시도.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 잔존가스 제거장치를 나타낸 저면도.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 잔존가스 제거장치의 변형 예를 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 잔존가스 제거장치의 변형 예 내부의 기류의 유동을 나타낸 도면.1 is a plan view showing a semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view showing a part of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing a wafer residual gas removal apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is an exploded perspective view showing a wafer residual gas removal apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a bottom view showing a wafer residual gas removal apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing a modified example of the wafer residual gas removal apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing the flow of air flow inside the modified example of the wafer residual gas removal apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

이하, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 바람직한 실시 예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and duplicated thereto. The description will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비(1000)를 나타낸 평면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 반도체 제조설비(1000)는 진공챔버(100), 로드락챔버(200), 로드포트(310), 이송모듈(300), 송풍부(320) 및 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)을 포함함으로써, 웨이퍼(10)에 잔존하는 잔존가스를 제거할 수 있다. 1 is a plan view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment of the present disclosure. As shown in FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 1000 of the present embodiment includes a vacuum chamber 100, a load lock chamber 200, a load port 310, a transfer module 300, a blower 320, and a wafer. By including the residual gas removing apparatus 400, the residual gas remaining on the wafer 10 can be removed.

진공챔버(100)는 웨이퍼(10)에 일정한 처리를 수행할 수 있도록 그 내부가 진공상태를 유지하고 있는 챔버를 말할 수 있으며, 예를 들어, 이송챔버(110)와, 공정챔버를 포함할 수 있다. The vacuum chamber 100 may refer to a chamber in which the inside of the vacuum chamber is maintained so as to perform a predetermined process on the wafer 10. For example, the vacuum chamber 100 may include a transfer chamber 110 and a process chamber. have.

이송챔버(110)는 그 내부에 이송로봇(112)이 설치되어, 후술할 로드락챔버(200)를 통해 로딩된 웨이퍼(10)를 공정챔버(114)에 로딩 또는 언로딩시킬 수 있다. The transfer chamber 110 may have a transfer robot 112 installed therein to load or unload the wafer 10 loaded through the load lock chamber 200 to be described later into the process chamber 114.

공정챔버(114)는 이송챔버(110)의 둘레를 따라 복수 개가 결합될 수 있으며, 각각의 공정챔버(114)는 그 내부에 웨이퍼(10)가 로딩되면, 해당 공정을 수행할 수 있다. A plurality of process chambers 114 may be coupled along the circumference of the transfer chamber 110, and each process chamber 114 may perform a corresponding process when the wafer 10 is loaded therein.

로드락챔버(200)는 진공챔버(100)와 후술할 이송모듈(300) 사이에 개재되어, 그 내부에 진공 또는 대기압 상태를 형성함으로써, 진공과 대기압 상태의 중간 매개체로서 기능할 수 있다. The load lock chamber 200 is interposed between the vacuum chamber 100 and the transfer module 300, which will be described later, to form a vacuum or atmospheric pressure therein, thereby serving as an intermediate medium between the vacuum and atmospheric pressure.

로드포트(310)는 처리 전후의 웨이퍼(10)가 적재되는 장치로 복수개가 후술할 이송모듈(300)에 결합될 수 있다. The load port 310 may be coupled to the transfer module 300, which will be described later, in which a plurality of wafers 10 are loaded before and after processing.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비(1000)의 일부를 나타낸 측면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 이송모듈(300)은 로드포트(310)와 로드락챔버(200) 사이에 개재될 수 있으며, 그 내부에 설치되는 이송로봇(304)에 의해 웨이퍼(10)를 정렬 또는 정렬시킬 수 있다. 2 is a side view illustrating a part of a semiconductor manufacturing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment of the present disclosure. As shown in FIG. 2, the transfer module 300 may be interposed between the load port 310 and the load lock chamber 200, and move the wafer 10 by a transfer robot 304 installed therein. You can sort or sort.

이송모듈(300)은 로드락챔버(200)를 통해 언로딩된 웨이퍼(10)를 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)을 거친 후, 로드포트(310)에 적재할 수 있다. The transfer module 300 may load the unloaded wafer 10 through the load lock chamber 200 through the wafer residual gas removing apparatus 400 and then load the loaded port 310.

이송모듈(300)은 통상 EFEM(equipment front end module)이라 칭할 수 있다.The transfer module 300 may be generally referred to as an equipment front end module (EFEM).

이송모듈(300)의 상측에는, 이송모듈(300)의 내부에 하강기류를 형성하는 송풍부(320)가 결합될 수 있다. 송풍부(320)의 전방에는 필터(322)가 결합되어, 이송모듈(300) 내부에 파티클의 유입을 방지할 수 있다. On the upper side of the transfer module 300, a blower 320 for forming a downdraft in the transfer module 300 may be coupled. A filter 322 is coupled to the front of the blower 320 to prevent particles from flowing into the transfer module 300.

이송모듈(300)의 저면에는 배출구가 형성될 수 있으며, 배출구를 통해 송풍부(320)에 의해 형성되는 하강기류의 약70%정도가 배출될 수 있다. An outlet may be formed at the bottom of the transfer module 300, and about 70% of the downdraft formed by the blower 320 may be discharged through the outlet.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비(1000)의 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)을 나타낸 사시도이다. 도 1, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)은 이송모듈(300)의 양측에 결합되어, 언로딩된 웨이퍼(10)를 일시적으로 적재하면서, 웨이퍼(10)의 잔존가스를 제거할 수 있다. 3 is a perspective view illustrating a wafer residual gas removing apparatus 400 of the semiconductor manufacturing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment. As shown in FIGS. 1 and 3, the wafer residual gas removing apparatus 400 is coupled to both sides of the transfer module 300 to temporarily load the unloaded wafer 10 while remaining of the wafer 10. The gas can be removed.

잔존가스는 예를 들어 BCl3, Cl2, HBr, CF4, CHF3 등과 같은 반응성 가스와 가스퓸(gas fume)을 포함할 수 있으며, 로드락챔버(200)를 통해 언로딩된 웨이퍼(10)에 의해 이송모듈(300) 내부로 유입될 수 있다. The remaining gas may include, for example, a gas fume and a reactive gas such as BCl 3, Cl 2, HBr, CF 4, CHF 3, and the like, and are transported by the unloaded wafer 10 through the load lock chamber 200. It may flow into the module 300.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비(1000)의 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)을 나타낸 분해 사시도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)은, 케이스(410, 412, 414), 스택커(420), 배기슬롯(430), 분사파이프(440), 버퍼(450), 배기파이프(452)를 포함할 수 있다. 4 is an exploded perspective view illustrating a wafer residual gas removing apparatus 400 of the semiconductor manufacturing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment. As shown in FIG. 4, the wafer residual gas removing apparatus 400 includes a case 410, 412, 414, a stacker 420, an exhaust slot 430, a injection pipe 440, a buffer 450, The exhaust pipe 452 may be included.

케이스는 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 상측을 커버하는 상부케이스(412), 측면을 커버하는 본체케이스(410) 및 하측을 커버하는 하부케이스(414)를 포함할 수 있다. 케이스는 전방이 개구되어 이송모듈(300)의 하강기류가 그 내부로 유입될 수 있다.The case may include an upper case 412 that covers the upper side of the wafer residual gas removing apparatus 400, a body case 410 that covers the side, and a lower case 414 that covers the lower side. The case may be opened in front to allow the downdraft of the transfer module 300 to flow therein.

본체케이스(410)의 내부에는 스택커(420)가 결합될 수 있으며, 복수의 웨이퍼(10)가 스택커(420)의 내부에 순차적으로 적층될 수 있다. The stacker 420 may be coupled to the inside of the body case 410, and the plurality of wafers 10 may be sequentially stacked in the stacker 420.

본체케이스(410) 내부의 스택커(420)의 배면에는 복수의 배기슬롯(430)이 각각의 웨이퍼(10)의 위치에 맞게 형성될 수 있다. 복수의 배기슬롯(430)은 본체케이스(410)의 배면의 양측에 형성될 수 있다. A plurality of exhaust slots 430 may be formed on the rear surface of the stacker 420 in the main body case 410 to match the position of each wafer 10. The plurality of exhaust slots 430 may be formed at both sides of the rear surface of the body case 410.

배기슬롯(430)은 복수 개가 상하로 나란히 형성될 수 있다. 이 때, 배기슬롯(430)의 길이는 하향으로 갈수록 짧게 형성될 수 있다. A plurality of exhaust slots 430 may be formed side by side up and down. At this time, the length of the exhaust slot 430 may be formed shorter toward the downward.

케이스의 전방에는 가열가스를 분사하는 분사파이프(440)가 결합될 수 있다. 분사파이프(440)는 하향으로 개구되는 ㄷ자 형태를 가질 수 있으며, 상하로 연장되는 부분에는 각각의 웨이퍼(10)와 동일한 위치에 분사노즐이 형성될 수 있다. 그리고, 분사파이프(440)의 상측의 수평 방향으로 연장되는 부분에도 일정한 간격으로 분사노즐(442)이 형성될 수 있다. An injection pipe 440 for injecting heating gas may be coupled to the front of the case. The injection pipe 440 may have a U-shape opened downward, and the injection nozzle may be formed at the same position as the respective wafers 10 in the vertically extending portion. In addition, the injection nozzle 442 may be formed at a predetermined interval even in a portion extending in the horizontal direction of the upper side of the injection pipe 440.

분사파이프(440)는 예를 들어 섭씨 80도의 질소와 같은 가열가스를 분사하여, 웨이퍼(10)에 잔존하는 잔존가스를 활성화시킴으로써, 잔존가스를 휘발시켜 제거할 수 있다. 이 때, 분사노즐(442)은 각각의 웨이퍼(10)의 위치에 맞게 형성되어 각각의 웨이퍼(10)의 잔존가스를 고르게 가열할 수 있다. The injection pipe 440 may inject and remove a residual gas by injecting a heating gas such as nitrogen at 80 degrees Celsius and activating the remaining gas remaining on the wafer 10. At this time, the injection nozzle 442 may be formed in accordance with the position of each wafer 10 to evenly heat the remaining gas of each wafer 10.

본 실시 예와 같이, 가열된 질소가스는 케이스 내부의 습도를 감소시키고, 유입된 하강기류의 속도를 증가시켜, 잔존가스 제거효율을 보다 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 바와 같이, 각각의 웨이퍼 대응하여 형성되는 분사노즐(442)이 각각의 웨이퍼의 잔존가스를 제거할 수 있도록 할 수 있으며, 분사파이프(440)의 상측에 수평방향으로 형성되는 분사노즐(442)은 최 상측의 웨이퍼의 잔존가스를 제거할 수 있다.As in the present embodiment, the heated nitrogen gas may reduce the humidity in the case and increase the speed of the introduced downdraft, thereby further improving the remaining gas removal efficiency. In particular, as described above, the injection nozzles 442 corresponding to each wafer may be capable of removing residual gas of each wafer, and the injection nozzles formed in the horizontal direction above the injection pipe 440. 442 may remove residual gas of the uppermost wafer.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비(1000)의 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)을 나타낸 저면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본체케이스(410)의 저면의 후방의 양측에는 배기구(411)가 형성될 수 있다. 배기슬롯(430)을 통해 유입된 하강기류는 배기구(411)를 통해 배출될 수 있다. 5 is a bottom view illustrating a wafer remaining gas removing apparatus 400 of the semiconductor manufacturing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment of the present disclosure. As illustrated in FIG. 5, exhaust ports 411 may be formed at both sides of the rear surface of the bottom of the body case 410. The downdraft flowing through the exhaust slot 430 may be discharged through the exhaust port 411.

도 4에 도시된 바와 같이, 본체케이스(410)의 하측에는 버퍼(450)가 결합될 수 있다. 버퍼(450)는 배기구(411)와 배기파이프(452) 사이에 개재되며, 배기파이프(452)에 비해 단면적이 큰 일정한 공간을 말할 수 있다. As shown in FIG. 4, the buffer 450 may be coupled to the lower side of the body case 410. The buffer 450 is interposed between the exhaust port 411 and the exhaust pipe 452, and may refer to a constant space having a larger cross-sectional area than the exhaust pipe 452.

버퍼(450)는 배기구(411)를 통해 배출되는 하강기류의 속도를 감소시켜, 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400) 내부에 안정적인 층류가 형성되도록 할 수 있다. The buffer 450 may reduce the speed of the downdraft discharged through the exhaust port 411, so that a stable laminar flow may be formed in the wafer residual gas removing apparatus 400.

배기파이프(452)의 말단에는 별도의 배기팬이 결합될 수 있으며, 배기팬은 배기구(411)를 통해 배출되는 하강기류의 유속을 증가시켜, 버퍼(450)에 체류하는 기류를 강제로 배기시킬 수 있다.A separate exhaust fan may be coupled to the end of the exhaust pipe 452, and the exhaust fan may increase the flow rate of the downdraft discharged through the exhaust port 411 to forcibly exhaust the airflow remaining in the buffer 450. Can be.

이 때, 버퍼(450)는 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)과 배기팬 사이에 개재되어, 배기팬에 의한 유속의 증가를 완충시켜, 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400) 내부의 층류가 보다 안정적으로 유지되도록 할 수 있다. At this time, the buffer 450 is interposed between the wafer residual gas removing device 400 and the exhaust fan to buffer an increase in the flow rate by the exhaust fan, so that the laminar flow inside the wafer residual gas removing device 400 is more stably. Can be maintained.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비(1000)의 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 변형 예를 나타낸 단면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비(1000)의 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 변형 예 내부의 기류의 유동을 나타낸 도면이다. 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 이송모듈(300)의 하강기류의 약30%정도는 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 내부로 유입될 수 있다. 6 is a cross-sectional view showing a modified example of the wafer residual gas removing apparatus 400 of the semiconductor manufacturing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a semiconductor manufacturing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention. Is a view showing a flow of air flow inside a modified example of the wafer residual gas removing device 400 of FIG. As illustrated in FIGS. 6 and 7, about 30% of the downdraft of the transfer module 300 may flow into the wafer residual gas removing apparatus 400.

이 때, 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 변형 예는 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 상측의 이송모듈(300)과 접하는 부분의 모서리는 라운딩 처리되어(이 부분을 라운딩부(415)라 칭함), 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400) 내부의 와류의 발생을 방지할 수 있다. At this time, the modified example of the wafer residual gas removal apparatus 400 is a corner of the portion in contact with the transfer module 300 on the upper side of the wafer residual gas removal apparatus 400 is rounded (this part is called a rounding part 415). ), It is possible to prevent the generation of vortex inside the wafer residual gas removal apparatus 400.

웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 내부의 압력은 하측으로 갈수록 감소될 수 있고, 그에 따라 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400) 내부의 하측으로 유입된 하강기류의 유량은 그 상측으로 유입된 하강기류의 유량 보다 적을 수 있다. The pressure inside the wafer residual gas removing apparatus 400 may decrease toward the lower side, and thus the flow rate of the downdraft flowing downward into the inside of the wafer residual gas removing apparatus 400 may be reduced. May be less than the flow rate.

이 때, 상술한 바와 같이, 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400) 내부의 압력 및 유량에 대응하여 상하로 배치되는 복수의 배기슬롯(430)의 길이를 달리하여, 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400) 내부에 웨이퍼(10)의 일면과 평행하게 유동하는 층류를 형성할 수 있다. At this time, as described above, the length of the plurality of exhaust slots 430 disposed up and down corresponding to the pressure and the flow rate of the inside of the wafer residual gas removing device 400 is varied, so that the inside of the wafer remaining gas removing device 400 is different. The laminar flow flowing in parallel with one surface of the wafer 10 can be formed.

이 층류는 웨이퍼(10)의 잔존가스를 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 배기구(411)를 통해 배출함으로써, 잔존가스를 제거할 수 있다. 이와 동시에, 상술한 바와 같이, 웨이퍼 잔존가스 제거장치(400)의 전방에서 가열된 질소를 분사하여 잔존가스를 휘발시킴으로써, 잔존가스를 제거할 수도 있다.
The laminar flow can remove the remaining gas by discharging the remaining gas of the wafer 10 through the exhaust port 411 of the wafer remaining gas removing apparatus 400. At the same time, as described above, the remaining gas may be removed by injecting heated nitrogen in front of the wafer residual gas removing apparatus 400 to volatize the remaining gas.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below It will be appreciated that modifications and variations can be made.

전술한 실시 예 외의 많은 실시 예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
Many embodiments other than the above-described embodiments are within the claims of the present invention.

100: 진공챔버 200: 로드락챔버
300: 이송모듈 400: 웨이퍼 잔존가스 제거장치
1000: 반도체 제조설비100: vacuum chamber 200: load lock chamber
300: transfer module 400: wafer residual gas removal device
1000: semiconductor manufacturing equipment

Claims (11)

공정챔버로부터 언로딩된 웨이퍼에 잔존하는 잔존가스를 제거하도록, 로드락챔버와 로드포트 사이에 개재되어 상기 웨이퍼를 이송시키며 내부에 하강기류가 형성되는 이송모듈의 일측에 결합되는 웨이퍼 잔존가스 제거장치에 있어서,
복수의 상기 웨이퍼가 적재되는 스택커(stacker);
내부에 상기 스택커가 수용되며, 상기 하강기류의 일부가 유입되도록 전방에 개구되는 케이스;
유입된 상기 하강기류가 상기 웨이퍼의 일면과 평행하게 유동하도록 상기 스택커의 배면에 형성되는 복수의 배기슬롯; 및
상기 배기슬롯을 통해 유입된 상기 하강기류가 배출되도록 상기 케이스의 저면에 형성되는 배기구를 포함하며,
복수의 상기 배기슬롯은 상기 스택커의 배면의 양측에 배치되는, 웨이퍼 잔존가스 제거장치.
Wafer residual gas removal apparatus coupled to one side of the transfer module interposed between the load lock chamber and the load port to transfer the wafer and the downdraft is formed therein so as to remove residual gas remaining on the unloaded wafer from the process chamber. To
A stacker on which a plurality of the wafers are stacked;
The stacker is accommodated therein, the case opening in the front so that a portion of the downdraft flows;
A plurality of exhaust slots formed on a rear surface of the stacker such that the downdraft flows in parallel with one surface of the wafer; And
It includes an exhaust port formed on the bottom surface of the case so that the falling air flow introduced through the exhaust slot,
And a plurality of the exhaust slots are disposed on both sides of the rear surface of the stacker.
삭제delete 제1항에 있어서,
복수의 상기 배기슬롯의 길이는 하향으로 갈수록 짧아지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치.
The method of claim 1,
Wafer residual gas removal apparatus, characterized in that the length of the plurality of exhaust slots are shortened toward the downward direction.
제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 잔존가스 제거장치의 상기 하강기류가 유입되는 측의 모서리는 라운딩 처리되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치
The method of claim 1,
Wafer residual gas removal apparatus, characterized in that the edge of the side in which the falling air flow of the wafer residual gas removal device is rounded
제1항에 있어서,
유입된 상기 하강기류가 안정적으로 유동되도록 상기 배기구와 결합되는 버퍼를 더 포함하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치.
The method of claim 1,
Wafer remaining gas removal apparatus further comprises a buffer coupled to the exhaust port so that the flow of the downdraft flows stably.
제5항에 있어서,
상기 버퍼에 체류하는 상기 하강기류를 강제로 배기시키는 배기팬을 더 포함하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치.
The method of claim 5,
And an exhaust fan forcibly evacuating the descending air flow remaining in the buffer.
제1항에 있어서,
상기 웨이퍼의 잔존가스가 휘발되도록 상기 케이스로 유입되는 상기 하강기류의 일부를 가열하는 가열부를 더 포함하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치.
The method of claim 1,
And a heating unit for heating a portion of the downdraft flowing into the case so that the remaining gas of the wafer is volatilized.
제7항에 있어서,
상기 가열부는 가열된 질소가스를 분사하는 분사파이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치.
The method of claim 7, wherein
The heating unit wafer residual gas removal apparatus, characterized in that it comprises a spray pipe for injecting heated nitrogen gas.
제8항에 있어서,
상기 분사파이프는
상기 스택커의 전방에 상기 스택커의 가장자리를 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치.
The method of claim 8,
The injection pipe
Wafer residual gas removal apparatus, characterized in that disposed in front of the stacker along the edge of the stacker.
제9항에 있어서,
상기 분사파이프는 복수의 상기 웨이퍼의 위치에 상응하여 상기 질소가스를 분사하는 복수의 분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치.
10. The method of claim 9,
And the injection pipe includes a plurality of injection nozzles for injecting the nitrogen gas corresponding to the positions of the plurality of wafers.
제10항에 있어서,
상기 분사노즐은
상기 분사파이프의 상기 스택커의 좌우 측에 상하 방향과 상기 스택커의 상측에 수평방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 잔존가스 제거장치.



The method of claim 10,
The injection nozzle
Wafer residual gas removal apparatus, characterized in that formed in the vertical direction on the left and right sides of the stacker of the injection pipe and in the horizontal direction on the upper side of the stacker.



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