KR102141009B1 - Gas spray sturcture for wafer seating cassette of side storage - Google Patents

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Abstract

개시되는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조가 가스 공급 원관과, 가스 분사 유닛을 포함함에 따라, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간을 향한 가스 분사가 균일하게 이루어질 수 있게 되는 장점이 있다.Since the gas injection structure for the wafer storage cassette of the disclosed side storage includes a gas supply pipe and a gas injection unit, there is an advantage in that gas injection toward the inner space of the wafer storage cassette of the side storage can be made uniform.

Description

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조{Gas spray sturcture for wafer seating cassette of side storage}Gas spray sturcture for wafer seating cassette of side storage

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage.

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트는 사이드 스토리지(side storage)에 적용되어 웨이퍼를 수용할 수 있는 것이고, 상기 사이드 스토리지는 반도체 제조를 위한 웨이퍼의 가공을 위한 웨이퍼 이송 자동화 모듈(EFEM, equipment front end module)에 적용되는 것이다.The wafer storage cassette of the side storage is applied to a side storage (side storage) to accommodate the wafer, the side storage is a wafer transfer automation module (EFEM, equipment front end module) for processing the wafer for semiconductor manufacturing It is applied.

상기 웨이퍼 이송 자동화 모듈에는 웨이퍼를 가공하는 공정 챔버(process chamber)와, 상기 공정 챔버 내부로 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)와, 상기 트랜스퍼 챔버 전에 웨이퍼가 거치는 로드락 챔버(loadlock chamber)와 함께, 상기 공정 챔버를 경유한 웨이퍼가 일정 시간 동안 수용되는 상기 사이드 스토리지가 적용된다.The wafer transfer automation module includes a process chamber for processing a wafer, a transfer chamber for transferring the wafer into the process chamber, and a loadlock chamber through which the wafer is placed before the transfer chamber. Together, the side storage is applied in which the wafer passing through the process chamber is accommodated for a period of time.

위와 같은 사이드 스토리지의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것들이다.Those that can be presented as examples of the above side storage are those of the patent documents presented below.

상기 사이드 스토리지에서 웨이퍼가 수용되는 부분이 웨이퍼 수용 카세트인데, 이러한 웨이퍼 수용 카세트에 웨이퍼가 머무는 동안, 웨이퍼 쪽으로 퍼지 가스 등의 가스가 분사되어, 웨이퍼에 묻은 이물질을 제거하게 된다. 따라서, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에는 가스 분사를 위한 유로가 형성된다.A portion in which the wafer is accommodated in the side storage is a wafer receiving cassette. While the wafer is staying in the wafer receiving cassette, gas such as purge gas is injected toward the wafer to remove foreign substances on the wafer. Therefore, a flow path for gas injection is formed in the wafer storage cassette of the side storage.

그러나, 종래의 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에서는, 외부에서 공급되는 가스가 분사 노즐을 통해 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간으로 분사될 때, 분사 노즐 케이스의 하부에서 가스가 공급된 상태로 그대로 분사 노즐 케이스의 전면을 통해 가스가 분사되는 구조여서, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간을 향한 가스 분사가 불균일하게 이루어지는 문제가 있었다.However, in the wafer storage cassette of the conventional side storage, when the gas supplied from the outside is injected into the inner space of the wafer storage cassette of the side storage through the injection nozzle, the gas is supplied from the lower portion of the injection nozzle case as it is. Since the gas was injected through the front surface of the nozzle case, there was a problem in that gas injection toward the inner space of the wafer storage cassette of the side storage was made non-uniform.

등록특허 제 10-1448131호, 등록일자: 2014.09.30., 발명의 명칭: 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버Registered Patent No. 10-1448131, Registration Date: September 30, 2014, Title of the invention: Side storage chamber with fume removal function 등록특허 제 10-1075171호, 등록일자: 2011.10.13., 발명의 명칭: 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지Registered Patent No. 10-1075171, Registration Date: 2011.10.13., Name of the invention: Side storage with gas injection block 등록특허 제 10-1758213호, 등록일자: 2017.07.10., 발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지Registered Patent No. 10-1758213, Registration Date: July 10, 2017, Name of the invention: Side storage with gas nozzle plate

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간을 향한 가스 분사가 균일하게 이루어질 수 있도록 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a gas injection structure for a wafer storage cassette of the side storage, so that gas injection toward the inner space of the wafer storage cassette of the side storage is made uniform.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간으로 가스를 분사해줄 수 있는 것으로서,A gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to an aspect of the present invention is capable of injecting gas into an interior space of a wafer storage cassette of a side storage,

상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부로부터 상기 가스가 유동되는 가스 공급 원관; 및 상기 가스 공급 원관과 연결되어, 상기 가스 공급 원관을 통해 유동된 상기 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간으로 분사해줄 수 있는 가스 분사 유닛;을 포함하고,A gas supply pipe through which the gas flows from the outside of the wafer storage cassette of the side storage; And a gas injection unit which is connected to the gas supply source pipe and can inject the gas flowing through the gas supply source pipe into the inner space of the wafer storage cassette of the side storage.

상기 가스 분사 유닛은 상기 가스 공급 원관을 통해 유동된 상기 가스가 유입되어 확산되는 가스 확산 케이스 부재와, 상기 가스 확산 케이스 부재에서 확산된 상기 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간을 향해 분사해주는 분사 노즐 부재와, 상기 분사 노즐 부재를 통한 상기 가스의 균일한 분사를 위하여, 상기 가스 확산 케이스 부재의 후벽(rear wall)과 상기 분사 노즐 부재 사이에 개재되어, 상기 가스 확산 케이스 부재에서 확산된 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재를 통해 분사되기 전에, 상기 분사 노즐 부재 쪽으로 향하는 상기 가스의 유동을 지연시켜 줌으로써, 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재 전체에 균일하게 퍼지도록 하는 가스 확산용 분사 지연 부재를 포함하고,
상기 가스 확산용 분사 지연 부재는 상기 분사 노즐 부재 쪽으로 향하는 상기 가스의 유동을 지연시켜 줄 수 있는 메시(mesh) 형태로 형성되고,
상기 가스 확산용 분사 지연 부재는 제 1 그물코를 가진 메시 형태로 형성되는 제 1 분사 지연체와, 상기 제 1 분사 지연체에 비해 상기 분사 노즐 부재 쪽으로 상대적으로 더 근접되도록 배치되고, 제 2 그물코를 가진 메시 형태로 형성되는 제 2 분사 지연체를 포함하고,
상기 제 1 분사 지연체의 상기 제 1 그물코의 크기가 상기 제 2 분사 지연체의 상기 제 2 그물코의 크기에 비해 상대적으로 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.The gas injection unit sprays a gas diffusion case member through which the gas flowing through the gas supply pipe is introduced and diffuses, and the gas diffused from the gas diffusion case member toward an inner space of the wafer storage cassette of the side storage. In order to achieve uniform injection of the gas through the injection nozzle member and the injection nozzle member, it is interposed between the rear wall of the gas diffusion case member and the injection nozzle member, and diffused in the gas diffusion case member Before the gas is injected through the injection nozzle member, it includes a spray delay member for gas diffusion to delay the flow of the gas toward the injection nozzle member, so that the gas is uniformly spread throughout the injection nozzle member. and,
The injection delay member for gas diffusion is formed in a mesh shape that can delay the flow of the gas toward the injection nozzle member,
The injection delay member for gas diffusion is disposed so as to be relatively closer to the injection nozzle member than the first injection delay member and the first injection delay member formed in a mesh shape having a first mesh, and the second mesh. It includes a second injection retarder formed in the form of a mesh having,
It is characterized in that the size of the first mesh of the first spraying retarder is relatively smaller than the size of the second mesh of the second spraying retarder.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조에 의하면, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조가 가스 공급 원관과, 가스 분사 유닛을 포함함에 따라, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간을 향한 가스 분사가 균일하게 이루어질 수 있게 되는 효과가 있다.According to the gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to an aspect of the present invention, as the gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage includes a gas supply pipe and a gas injection unit, the wafer storage cassette of the side storage There is an effect that the gas injection toward the interior space of the can be made uniform.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조가 적용된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 위에서 내려다본 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조를 구성하는 후면 분사 유닛의 분해된 모습을 보이는 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조를 구성하는 후면 분사 유닛의 일부를 확대한 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조를 구성하는 후면 분사 유닛의 일부를 확대한 단면도.1 is a cross-sectional view of a wafer storage cassette of a side storage to which a gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention is applied, is viewed from above.
Figure 2 is a perspective view showing an exploded view of the rear injection unit constituting the gas injection structure for the wafer storage cassette of the side storage according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view of a part of a rear injection unit constituting a gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention.
4 is an enlarged cross-sectional view of a part of a rear injection unit constituting a gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조에 대하여 설명한다.Hereinafter, a gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조가 적용된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 위에서 내려다본 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조를 구성하는 후면 분사 유닛의 분해된 모습을 보이는 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조를 구성하는 후면 분사 유닛의 일부를 확대한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a wafer storage cassette of a side storage to which a gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is a view of a side storage according to an embodiment of the present invention It is a perspective view showing an exploded view of the rear injection unit constituting the gas injection structure for the wafer receiving cassette, Figure 3 is a rear injection unit constituting the gas injection structure for the wafer storage cassette of the side storage according to an embodiment of the present invention It is a partially enlarged sectional view.

도 1 내지 도 3을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간으로 가스를 분사해줄 수 있는 것으로서, 가스 공급 원관(101)과, 가스 분사 유닛(130)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 to 3, the gas injection structure for the wafer storage cassette of the side storage according to the present embodiment is capable of injecting gas into the inner space of the wafer storage cassette 100 of the side storage, and a gas supply pipe 101 and a gas injection unit 130.

도면 번호 110은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 카세트 케이스로 그 내부에 웨이퍼(W)가 복수 개 서로 다른 높이로 수용되는 것이고, 도면 번호 120은 상기 카세트 케이스(110) 내부의 양 측면에서 서로 다른 높이로 복수 개 돌출되어 상기 각 웨이퍼를 받쳐주는 웨이퍼 받침대이다.Reference number 110 is a cassette case of the wafer storage cassette 100 of the side storage, and a plurality of wafers W are accommodated therein at different heights, and reference number 120 is both side surfaces inside the cassette case 110 It is a wafer supporter that protrudes from a plurality of different heights to support each wafer.

상기 가스 공급 원관(101)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 외부로부터 상기 가스가 유동되는 관으로, 후술되는 가스 확산 케이스 부재(131)에 연결된다.The gas supply original pipe 101 is a pipe through which the gas flows from the outside of the wafer storage cassette 100 of the side storage, and is connected to a gas diffusion case member 131 to be described later.

상기 가스 분사 유닛(130)은 상기 가스 공급 원관(101)과 연결되어, 상기 가스 공급 원관(101)을 통해 유동된 상기 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간으로 분사해줄 수 있는 것으로, 상기 가스 확산 케이스 부재(131)와, 분사 노즐 부재(135)와, 가스 확산용 분사 지연 부재(150)를 포함한다.The gas injection unit 130 is connected to the gas supply original pipe 101 and can inject the gas flowing through the gas supply original pipe 101 into the inner space of the wafer storage cassette 100 of the side storage. As it is, the gas diffusion case member 131, the injection nozzle member 135, and includes a gas diffusion delay member 150.

상기 가스 분사 유닛(130)은 상기 카세트 케이스(110)의 양 측면과 후면에 각각 배치되어, 상기 카세트 케이스(110)의 양 측면과 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간을 향해 상기 가스를 각각 분사해줄 수 있다.The gas injection unit 130 is disposed on both sides and the rear of the cassette case 110, respectively, and the inner space of the wafer storage cassette 100 of the side storage is disposed on both sides and the rear of the cassette case 110. Each of the above gas can be injected toward each other.

상기 가스 확산 케이스 부재(131)는 상기 가스 공급 원관(101)을 통해 유동된 상기 가스가 유입되어 확산되는 것이다.In the gas diffusion case member 131, the gas flowing through the gas supply pipe 101 is introduced and diffused.

상세히, 상기 가스 확산 케이스 부재(131)는 상기 분사 노즐 부재(135)와 상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150)의 외곽을 감싸서 상기 분사 노즐 부재(135)와 상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150)의 각 외곽이 연결될 수 있는 케이스 외곽체(132)와, 상기 케이스 외곽체(132)에 의해 감싸진 형태를 이루되 상기 가스 확산 케이스 부재(131)의 후측면(상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간으로 상기 가스가 분사되는 방향이 전방임. 이하 동일)을 이루는 후벽(rear wall)(133)을 포함한다.In detail, the gas diffusion case member 131 surrounds the outer sides of the injection nozzle member 135 and the gas diffusion injection delay member 150 so that the injection nozzle member 135 and the gas diffusion injection delay member 150 ) A case outer body 132 to which each outer side can be connected, and a rear side surface of the gas diffusion case member 131 formed in a shape enclosed by the outer case body 132 (a wafer storage cassette of the side storage) A direction in which the gas is injected into the interior space of (100) is forward. It includes a rear wall 133 forming the same.

예를 들어, 상기 케이스 외곽체(132)는 그 내부가 빈 사각형 형태로 형성되고, 상기 후벽(133)은 상기 케이스 외곽체(132)의 후면을 전체적으로 덮는 패널 형태로 형성될 수 있다.For example, the case outer body 132 may be formed in an empty quadrangular shape, and the rear wall 133 may be formed in a panel shape that entirely covers the rear surface of the case outer body 132.

상기 가스는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간으로 분사되는 퍼지 가스로, 질소가 그 예로 제시될 수 있고, 공기 중에서 상승하는 질소의 특성 상, 상기 가스 공급 원관(101)은 상기 케이스 외곽체(132)의 하부를 관통하여, 상기 케이스 외곽체(132)의 하부를 통해 상기 가스가 상기 가스 확산 케이스 부재(131)의 내부로 공급되어 상승되면서 확산될 수 있다.The gas is a purge gas injected into the inner space of the wafer storage cassette 100 of the side storage, nitrogen may be presented as an example, and due to the nature of nitrogen rising in the air, the gas supply pipe 101 is the Through the lower portion of the case outer body 132, the gas is supplied to the inside of the gas diffusion case member 131 through the lower portion of the case outer body 132 may be diffused as it rises.

상기 분사 노즐 부재(135)는 상기 가스 확산 케이스 부재(131)에서 확산된 상기 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간을 향해 분사해주는 것으로, 상기 분사 노즐 부재(135)에는 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간을 향해 토출되는 복수 개의 노즐 홀(136)이 형성된다.The injection nozzle member 135 is to inject the gas diffused from the gas diffusion case member 131 toward the inner space of the wafer storage cassette 100 of the side storage, and the injection nozzle member 135 includes the A plurality of nozzle holes 136 are formed through which gas is discharged toward the inner space of the wafer storage cassette 100 of the side storage.

상기 각 노즐 홀(136)은 상기 분사 노즐 부재(135)의 전체면에 균등한 간격으로 복수 개의 열과 복수 개의 행으로 형성될 수 있다.Each nozzle hole 136 may be formed of a plurality of columns and a plurality of rows at equal intervals on the entire surface of the injection nozzle member 135.

상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150)는 상기 분사 노즐 부재(135)를 통한 상기 가스의 균일한 분사를 위하여, 상기 가스 확산 케이스 부재(131)의 상기 후벽(133)과 상기 분사 노즐 부재(135) 사이에 개재되어, 상기 가스 확산 케이스 부재(131)에서 확산된 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재(135)를 통해 분사되기 전에, 상기 분사 노즐 부재(135) 쪽으로 향하는 상기 가스의 유동을 지연시켜 줌으로써, 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재(135) 전체에 균일하게 퍼지도록 하는 것이다.The gas diffusion delay member 150 for the uniform injection of the gas through the injection nozzle member 135, the rear wall 133 of the gas diffusion case member 131 and the injection nozzle member 135 ), by delaying the flow of the gas toward the injection nozzle member 135 before the gas diffused from the gas diffusion case member 131 is injected through the injection nozzle member 135 , To uniformly spread the gas over the entire spray nozzle member 135.

상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150)는 상기 분사 노즐 부재(135) 쪽으로 향하는 상기 가스의 유동을 지연시켜 줄 수 있는 메시(mesh) 형태로 형성된다. 그러면, 상기 가스 공급 원관(101)을 통해 공급되어 상기 가스 확산 케이스 부재(131)를 따라 확산된 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재(135)를 향해 유동되다가 상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150)에 의해 일정량 가로막혀 분사 지연되면서 상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150) 전체적으로 상기 가스가 퍼지게 되고, 그러한 상태로 상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150) 전체의 그물코를 통해 균일하게 상기 가스가 통과될 수 있게 됨으로써, 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재(135) 전체적으로 균일하게 분사될 수 있게 된다.The gas diffusion delay member 150 is formed in a mesh shape that can delay the flow of the gas toward the injection nozzle member 135. Then, the gas supplied through the gas supply pipe 101 and diffused along the gas diffusion case member 131 flows toward the injection nozzle member 135, and then to the gas diffusion injection delay member 150. While the gas is delayed by a certain amount, the gas is spread throughout the gas diffusion delay member 150, and in such a state, the gas can be uniformly passed through the entire mesh of the gas diffusion spray delay member 150. As a result, the gas can be uniformly injected throughout the injection nozzle member 135.

본 실시예에서는, 상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150)는 제 1 분사 지연체(151)와, 제 2 분사 지연체(155)를 포함한다.In the present embodiment, the gas diffusion delay member 150 includes a first injection delay body 151 and a second injection delay body 155.

물론, 상기 가스 확산용 분사 지연 부재(150)는 상기 제 1 분사 지연체(151) 및 상기 제 2 분사 지연체(155) 외에 더 많은 개수의 분사 지연체를 더 구비할 수도 있다.Of course, the injection delay member 150 for gas diffusion may further include a larger number of injection delay bodies in addition to the first injection delay body 151 and the second injection delay body 155.

상기 가스 확산 케이스 부재(131), 상기 제 1 분사 지연체(151), 상기 제 2 분사 지연체(155) 및 상기 분사 노즐 부재(135)는 서로 이격된 형태로 순서대로 배치된다.The gas diffusion case member 131, the first injection retarder 151, the second injection retarder 155, and the injection nozzle member 135 are arranged in an order spaced apart from each other.

상기 제 1 분사 지연체(151)는 상기 제 2 분사 지연체(155)에 비해 상기 가스 확산 케이스 부재(131) 쪽으로 상대적으로 근접된 위치에 형성되고, 제 1 그물코(153)를 가진 메시 형태의 제 1 분사 지연 몸체(152)를 포함한다.The first injection retarder 151 is formed in a position relatively closer to the gas diffusion case member 131 than the second injection retarder 155, and has a mesh shape with a first mesh 153. It includes a first injection delay body (152).

상기 제 2 분사 지연체(155)는 상기 제 1 분사 지연체(151)에 비해 상기 분사 노즐 부재(135) 쪽으로 상대적으로 더 근접되도록 배치되고, 제 2 그물코(157)를 가진 메시 형태의 제 2 분사 지연 몸체(156)를 포함한다.The second injection retarder 155 is disposed to be relatively closer to the injection nozzle member 135 than the first injection retarder 151, and a second mesh-shaped second mesh 157 is provided. It includes an injection delay body 156.

본 실시예에서는, 상기 제 1 분사 지연체(151)의 상기 제 1 그물코(153)의 크기가 상기 제 2 분사 지연체(155)의 상기 제 2 그물코(157)의 크기에 비해 상대적으로 작게 형성된다. 그러면, 상기 가스 공급 원관(101)을 통해 공급되어 상기 가스 확산 케이스 부재(131)를 따라 확산된 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재(135)를 향해 유동되다가 상대적으로 그물코의 크기가 작은 상기 제 1 분사 지연체(151)에 의해 분사 지연되면서 상기 제 1 분사 지연체(151) 전체적으로 1차적으로 퍼지게 되고, 그런 상태로 상기 제 1 분사 지연체(151)를 통과하여 상기 제 2 분사 지연체(155)에 의해 분사 지연되면서 상기 제 2 분사 지연체(155) 전체적으로 2차적으로 퍼지게 되고, 그런 상태로 상기 분사 노즐 부재(135)를 통해 균일하게 분사됨으로써, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간으로 상기 가스가 균일하게 분사될 수 있게 된다.In this embodiment, the size of the first mesh 153 of the first injection delay body 151 is relatively small compared to the size of the second mesh 157 of the second injection delay body 155. do. Then, the first spray that is supplied through the gas supply pipe 101 and diffused along the gas diffusion case member 131 flows toward the spray nozzle member 135 and has a relatively small mesh size. As the injection is delayed by the retarder 151, the first injection retarder 151 spreads primarily throughout, and the second injection retarder 155 passes through the first injection retarder 151 in such a state. As the injection is delayed, the second injection retarder 155 is spread secondarily throughout, and by being uniformly injected through the injection nozzle member 135 in such a state, inside the wafer storage cassette 100 of the side storage. The gas can be uniformly injected into the space.

이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the gas injection structure for the wafer storage cassette of the side storage according to this embodiment will be described with reference to the drawings.

먼저, 상기 가스 공급 원관(101)을 통해 외부에서 상기 가스가 상기 가스 확산 케이스 부재(131)의 내부로 유입되어, 상기 가스 확산 케이스 부재(131)의 내부를 따라 상승되면서 상기 가스 확산 케이스 부재(131)의 내부 전체로 확산된다.First, the gas is supplied from the outside through the gas supply pipe 101 to the inside of the gas diffusion case member 131, the gas diffusion case member as it rises along the inside of the gas diffusion case member 131 ( 131).

상기와 같이 확산된 상기 가스는 상기 분사 노즐 부재(135)를 향해 이동되다가, 상기 제 1 분사 지연체(151) 및 상기 제 2 분사 지연체(155)에 의해 각각 분사 지연되면서 상기 제 1 분사 지연체(151) 및 상기 제 2 분사 지연체(155) 각각의 전체 면으로 퍼지게 되고, 그런 상태로 상기 분사 노즐 부재(135)를 통해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간으로 균일하게 분사된다.The gas diffused as described above is moved toward the injection nozzle member 135, and the first injection delay is delayed while the injection is delayed by the first injection delay body 151 and the second injection delay body 155, respectively. The sieve 151 and the second ejection retarder 155 are spread to the entire surface of each, and in such a state, uniformly into the inner space of the wafer storage cassette 100 of the side storage through the ejection nozzle member 135 Is sprayed.

상기와 같이, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조가 상기 가스 공급 원관(101)과, 상기 가스 분사 유닛(130)을 포함함에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 공간을 향한 상기 가스 분사가 균일하게 이루어질 수 있게 된다.As described above, as the gas injection structure for the wafer storage cassette of the side storage includes the gas supply pipe 101 and the gas injection unit 130, the internal space of the wafer storage cassette 100 of the side storage The gas injection toward the can be made uniform.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 일 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, a gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out such a description, a description overlapping with the contents already described in one embodiment of the present invention described above is replaced therewith, and will be omitted here.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조를 구성하는 후면 분사 유닛의 일부를 확대한 단면도이다.4 is an enlarged cross-sectional view of a part of a rear injection unit constituting a gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시예에서는, 제 1 분사 지연체(251)에는 케이스향 만곡 곡면부(254)가 형성되고, 제 2 분사 지연체(255)에는 노즐향 만곡 곡면부(258)가 형성된다.Referring to FIG. 4, in the present exemplary embodiment, a curved curved portion toward the case is formed on the first spraying retarder 251 and a curved curved portion 258 toward the nozzle on the second spraying retarder 255. Is formed.

상기 케이스향 만곡 곡면부(254)는 상기 제 1 분사 지연체(251)의 일부가 가스 확산 케이스 부재의 후벽(233) 쪽으로 일정 곡률로 만곡된 형태로 형성되는 것으로, 상기 제 1 분사 지연체(251)에 서로 이격되면서 반복적으로 복수 개 형성될 수 있다.The curved curved portion toward the case 254 is formed as a part of the first injection retarder 251 curved in a predetermined curvature toward the rear wall 233 of the gas diffusion case member, wherein the first injection retarder ( 251) may be repeatedly formed a plurality of spaced apart from each other.

상기 케이스향 만곡 곡면부(254)에는 복수 개의 제 1 그물코(253)가 형성되되, 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)에 형성된 상기 각 제 1 그물코(253)는 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)의 가상의 중심부를 향하도록 관통된다. 그러면, 상기 가스 확산 케이스 부재를 통해 확산된 가스가 상기 제 1 분사 지연체(251)에 의해 분사 지연되면서 퍼질 때, 상기 가스가 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)의 표면을 따라 상기 제 1 분사 지연체(251) 전체로 더 균일하게 퍼질 수 있으면서, 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)에 형성된 상기 각 제 1 그물코(253)를 통과할 때 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)의 가상의 중심부를 향하도록 각각 관통된 상기 각 제 1 그물코(253)의 형태에 의해 상기 가스의 상기 제 1 분사 지연체(251) 통과가 더욱 지연되면서 상기 가스가 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)의 표면을 따라 상기 제 1 분사 지연체(251) 전체로 더욱 더 균일하게 퍼질 수 있게 된다.A plurality of first meshes 253 are formed in the case-direction curved curved portion 254, and each of the first meshes 253 formed in the case-oriented curved curved portion 254 has the case-directed curved curved portion 254. ) Toward the imaginary center. Then, when the gas diffused through the gas diffusion case member spreads while being delayed by the first injection retarder 251, the gas is injected first along the surface of the curved curved portion 254 toward the case. While being able to spread more uniformly throughout the retarder 251, the virtual center of the curved curved portion facing the case 254 passes through the first mesh 253 formed in the curved curved portion facing the case 254 As the passage of the first injection retarder 251 of the gas is further delayed by the shape of each of the first meshes 253 penetrating toward each other, the gas is applied to the surface of the curved curved portion 254 toward the case. Accordingly, the first injection retarder 251 can be spread more and more evenly.

상기와 같이 상기 제 1 분사 지연체(251)의 표면을 따라 퍼진 상기 가스는 상기 각 제 1 그물코(253)를 통과하면서 상기 각 제 1 그물코(253)가 향하는 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)의 가상의 중심부를 향한다.The gas spreading along the surface of the first injection retarder 251 as described above passes through each of the first meshes 253, and the curved curved portion 254 toward the case facing each of the first meshes 253 Heads to the imaginary center.

상기 노즐향 만곡 곡면부(258)는 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)와 대칭되는 형태로 분사 노즐 부재(235) 쪽으로 일정 곡률로 만곡된 형태로 형성되되, 상기 제 2 분사 지연체(255)의 일부가 상기 분사 노즐 부재(235) 쪽으로 일정 곡률로 만곡된 형태로 형성되는 것으로, 상기 제 2 분사 지연체(255)에 서로 이격되면서 반복적으로 복수 개 형성될 수 있다.The nozzle-direction curved curved portion 258 is formed in a shape curved at a constant curvature toward the injection nozzle member 235 in a shape symmetrical to the case-directed curved curved portion 254, and the second injection delay body 255 A portion of the portion is formed in a curved shape with a predetermined curvature toward the injection nozzle member 235, and may be repeatedly formed in a plurality while being spaced apart from each other in the second injection retarder 255.

상기 노즐향 만곡 곡면부(258)에 복수 개의 제 2 그물코(257)가 형성되되, 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)에 형성된 상기 각 제 2 그물코(257)는 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)의 최고점을 기준으로 서로 대칭되는 지점이면서 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)의 최고점에서 이격된 지점에 각각 형성되며, 상기 각 제 2 그물코(257)는 상기 제 2 분사 지연체(255)의 몸체에 대해 수직이 되는 방향으로 관통된다.A plurality of second meshes 257 are formed on the curved curved portion of the nozzle direction 258, and each of the second meshes 257 formed on the curved curved portion of the nozzle direction 258 is provided with the curved curved portion of the nozzle direction 258 ) Is a point that is symmetrical to each other based on the highest point, and is respectively formed at a point spaced apart from the highest point of the curved curved portion 258 toward the nozzle, each of the second meshes 257 of the second injection retarder 255 It is penetrated in a direction perpendicular to the body.

상기 분사 노즐 부재(235)에는 복수 개의 노즐 홀(236)이 형성되고, 상기 각 노즐 홀(236)은 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)의 최고점의 가상의 연장선 상이면서 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)에 형성된 상기 각 제 2 그물코(257)와 어긋난 위치에 형성되면서, 상기 분사 노즐 부재(235)의 몸체에 대해 수직이 되는 방향으로 관통된다. 그러면, 상기 각 제 1 그물코(253)가 향하는 상기 케이스향 만곡 곡면부(254)의 가상의 중심부를 향했던 상기 가스가 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)의 중심부에 도달되어 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)를 통해 퍼지면서, 상기 가스의 상기 제 2 분사 지연체(255) 통과가 지연되고, 상기 제 2 분사 지연체(255)의 몸체에 대해 수직이 되는 방향으로 관통 형성된 상기 각 제 2 그물코(257)의 형상에 의해 상기 가스의 상기 제 2 분사 지연체(255) 통과가 더욱 지연될 수 있으며, 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)의 최고점을 기준으로 서로 대칭되는 지점이면서 상기 노즐향 만곡 곡면부(258)의 최고점에서 이격된 지점에 각각 형성된 상기 각 제 2 그물코(257)의 형상에 의해 상기 제 2 분사 지연체(255)를 통과한 상기 가스의 분사가 더욱 더 지연될 수 있게 됨으로써, 상기 가스의 더욱 균일한 분사가 가능해질 수 있게 된다.A plurality of nozzle holes 236 are formed in the injection nozzle member 235, and each of the nozzle holes 236 is on a virtual extension line of the highest point of the nozzle-direction curved curved portion 258 and the nozzle-directed curved curved portion While being formed at a position displaced from each of the second meshes 257 formed in 258, it is penetrated in a direction perpendicular to the body of the injection nozzle member 235. Then, the gas directed toward the virtual central portion of the case-direction curved curved portion 254 facing each of the first meshes 253 reaches the center of the nozzle-directed curved curved portion 258, and the nozzle-directed curved curved portion While spreading through 258, the passage of the second injection retarder 255 of the gas is delayed, and each of the second meshes formed through the direction perpendicular to the body of the second injection retarder 255 Due to the shape of 257, the passage of the second injection retarder 255 of the gas may be further delayed, and the nozzles are curved while being symmetrical to each other based on the highest point of the curved curved portion 258. By the shape of each of the second meshes 257 respectively formed at points spaced apart from the highest point of the curved portion 258, the injection of the gas passing through the second injection retarder 255 can be further delayed. , It is possible to more uniform injection of the gas.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.Although the present invention has been shown and described in relation to specific embodiments, those skilled in the art variously modify the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. And can be changed. However, it is intended to clarify that all such modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조에 의하면, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간을 향한 가스 분사가 균일하게 이루어질 수 있도록 할 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the gas injection structure for the wafer storage cassette of the side storage according to one aspect of the present invention, since the gas injection toward the inner space of the wafer storage cassette of the side storage can be made uniform, the industrial availability is high. would.

100 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트
101 : 가스 공급 원관
130 : 가스 분사 유닛
131 : 가스 확산 케이스 부재
135 : 분사 노즐 부재
150 : 가스 확산용 분사 지연 부재100: wafer storage cassette for side storage
101: gas supply pipe
130: gas injection unit
131: gas diffusion case member
135: spray nozzle member
150: member for delaying gas diffusion

Claims (4)

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간으로 가스를 분사해줄 수 있는 것으로서,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부로부터 상기 가스가 유동되는 가스 공급 원관; 및
상기 가스 공급 원관과 연결되어, 상기 가스 공급 원관을 통해 유동된 상기 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간으로 분사해줄 수 있는 가스 분사 유닛;을 포함하고,
상기 가스 분사 유닛은
상기 가스 공급 원관을 통해 유동된 상기 가스가 유입되어 확산되는 가스 확산 케이스 부재와,
상기 가스 확산 케이스 부재에서 확산된 상기 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간을 향해 분사해주는 분사 노즐 부재와,
상기 분사 노즐 부재를 통한 상기 가스의 균일한 분사를 위하여, 상기 가스 확산 케이스 부재의 후벽(rear wall)과 상기 분사 노즐 부재 사이에 개재되어, 상기 가스 확산 케이스 부재에서 확산된 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재를 통해 분사되기 전에, 상기 분사 노즐 부재 쪽으로 향하는 상기 가스의 유동을 지연시켜 줌으로써, 상기 가스가 상기 분사 노즐 부재 전체에 균일하게 퍼지도록 하는 가스 확산용 분사 지연 부재를 포함하고,
상기 가스 확산용 분사 지연 부재는
상기 분사 노즐 부재 쪽으로 향하는 상기 가스의 유동을 지연시켜 줄 수 있는 메시(mesh) 형태로 형성되고,
상기 가스 확산용 분사 지연 부재는
제 1 그물코를 가진 메시 형태로 형성되는 제 1 분사 지연체와,
상기 제 1 분사 지연체에 비해 상기 분사 노즐 부재 쪽으로 상대적으로 더 근접되도록 배치되고, 제 2 그물코를 가진 메시 형태로 형성되는 제 2 분사 지연체를 포함하고,
상기 제 1 분사 지연체의 상기 제 1 그물코의 크기가 상기 제 2 분사 지연체의 상기 제 2 그물코의 크기에 비해 상대적으로 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조.As it can inject gas into the inner space of the wafer storage cassette of the side storage,
A gas supply pipe through which the gas flows from the outside of the wafer storage cassette of the side storage; And
It is connected to the gas supply pipe, the gas injection unit capable of injecting the gas flowing through the gas supply pipe into the inner space of the wafer storage cassette of the side storage.
The gas injection unit
A gas diffusion case member through which the gas flowing through the gas supply pipe is introduced and diffused;
An injection nozzle member for ejecting the gas diffused from the gas diffusion case member toward an inner space of the wafer storage cassette of the side storage;
For uniform injection of the gas through the injection nozzle member, the gas interposed between the rear wall of the gas diffusion case member and the injection nozzle member, and diffused in the gas diffusion case member is the injection nozzle And a gas diffusion delay member for delaying the flow of the gas toward the injection nozzle member before being injected through the member, so that the gas is uniformly spread throughout the injection nozzle member.
The gas diffusion delay member is
It is formed in a mesh (mesh) form that can delay the flow of the gas toward the injection nozzle member,
The gas diffusion delay member is
A first jet retarder formed in the form of a mesh with a first mesh,
A second injection retarder which is disposed to be relatively closer to the injection nozzle member than the first injection retarder, and is formed in a mesh shape with a second mesh,
A gas injection structure for a wafer storage cassette of a side storage, wherein the size of the first mesh of the first spraying retarder is relatively smaller than the size of the second mesh of the second spraying retarder. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 분사 지연체에는
상기 가스 확산 케이스 부재의 상기 후벽 쪽으로 일정 곡률로 만곡된 형태의 케이스향 만곡 곡면부가 형성되고,
상기 케이스향 만곡 곡면부에는 복수 개의 상기 제 1 그물코가 형성되되,
상기 케이스향 만곡 곡면부에 형성된 상기 각 제 1 그물코는 상기 케이스향 만곡 곡면부의 가상의 중심부를 향하도록 관통되고,
상기 제 2 분사 지연체에는
상기 케이스향 만곡 곡면부와 대칭되는 형태로 상기 분사 노즐 부재 쪽으로 일정 곡률로 만곡된 형태의 노즐향 만곡 곡면부가 형성되고,
상기 노즐향 만곡 곡면부의 최고점을 기준으로 서로 대칭되는 지점이면서 상기 노즐향 만곡 곡면부의 최고점에서 이격된 지점에 상기 제 2 그물코가 각각 형성되되,
상기 제 2 그물코는 상기 제 2 분사 지연체에 대해 수직이 되는 방향으로 관통되고,
상기 분사 노즐 부재에는 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 공간을 향해 토출되는 복수 개의 노즐 홀이 형성되고,
상기 각 노즐 홀은 상기 노즐향 만곡 곡면부의 최고점의 가상의 연장선 상이면서 상기 제 2 그물코와 어긋난 위치에 형성되면서, 상기 분사 노즐 부재에 대해 수직이 되는 방향으로 관통되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사 구조.According to claim 1,
The first injection retarder
A case-like curved curved portion is formed in a shape curved at a predetermined curvature toward the rear wall of the gas diffusion case member,
A plurality of the first mesh is formed on the curved curved portion facing the case,
Each of the first meshes formed on the curved curved portion facing the case is penetrated toward the virtual center of the curved curved portion facing the case,
The second injection delay body
The nozzle-shaped curved curved portion is formed in a shape that is curved at a constant curvature toward the injection nozzle member in a shape symmetrical to the curved curved portion facing the case,
Each of the second meshes is formed at points that are symmetrical to each other based on the highest point of the curved curved portion of the nozzle direction and spaced apart from the highest point of the curved curved portion of the nozzle direction,
The second mesh is penetrated in a direction perpendicular to the second injection retarder,
The injection nozzle member is formed with a plurality of nozzle holes through which the gas is discharged toward the inner space of the wafer storage cassette of the side storage,
Each of the nozzle holes is formed on a virtual extension line of the highest point of the curved curved portion toward the nozzle and is displaced from the second mesh, and is penetrated in a direction perpendicular to the spray nozzle member. Gas injection structure for receiving cassette.
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