KR102212856B1 - Inner back side gas spray unit for wafer seating cassette of side storage - Google Patents

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Abstract

개시되는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛이 내부 후면 가스 본체 부재와, 복수 개의 가스 분사 노즐과, 분사 가스 유도 부재를 포함함에 따라, 퍼지 가스가 상기 웨이퍼의 전반으로 전달될 수 있게 됨으로써, 상기 웨이퍼에 잔존하는 퓸 등의 이물질이 전반적으로 제거될 수 있게 되는 장점이 있다.As the inner rear gas injection unit for the wafer receiving cassette of the side storage disclosed includes an inner rear gas body member, a plurality of gas injection nozzles, and an injection gas induction member, the purge gas may be delivered to the entire wafer. As a result, there is an advantage in that foreign substances such as fume remaining on the wafer can be entirely removed.

Description

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛{Inner back side gas spray unit for wafer seating cassette of side storage}Inner back side gas spray unit for wafer seating cassette of side storage

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage.

반도체 제조를 위한 웨이퍼의 가공을 위해서는 웨이퍼 이송 자동화 모듈(EFEM, equipment front end module)이 사용되는데, 이러한 웨이퍼 이송 자동화 모듈에는 웨이퍼를 가공하는 공정 챔버(process chamber)와, 상기 공정 챔버 내부로 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)와, 상기 트랜스퍼 챔버 전에 웨이퍼가 거치는 로드락 챔버(loadlock chamber)와, 상기 공정 챔버를 경유한 웨이퍼가 일정 시간 동안 수용되는 사이드 스토리지(side storage)를 포함한다.In order to process wafers for semiconductor manufacturing, a wafer transfer automation module (EFEM, equipment front end module) is used.In this wafer transfer automation module, a process chamber for processing wafers and a wafer are transferred into the process chamber. It includes a transfer chamber to be transferred, a loadlock chamber on which a wafer is placed before the transfer chamber, and a side storage in which a wafer passing through the process chamber is accommodated for a predetermined time.

위와 같은 사이드 스토리지의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 등록특허 제 10-1758213호(발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지)의 그 것이다.One that can be presented as an example of the side storage as described above is that of Patent No. 10-1758213 (name of the invention: side storage with gas nozzle plate) presented below.

상기 사이드 스토리지에서 웨이퍼가 수용되는 부분이 웨이퍼 수용 카세트인데, 이러한 웨이퍼 수용 카세트에 웨이퍼가 머무는 동안, 웨이퍼 쪽으로 퍼지 가스 등의 가스가 분사되어, 웨이퍼에 묻은 이물질을 제거하게 된다. 따라서, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에는 가스 분사를 위한 유로가 형성된다.A portion of the side storage in which the wafer is accommodated is a wafer receiving cassette. While the wafer remains in the wafer receiving cassette, a gas such as a purge gas is injected toward the wafer to remove foreign substances from the wafer. Accordingly, a flow path for gas injection is formed in the wafer receiving cassette of the side storage.

이러한 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부로 가스 분사를 위하여, 등록특허 제 10-1444241호(발명의 명칭: 웨이퍼 처리장치의 배기시스템)에서는, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면 및 각 측면에서 가스를 분사하는 구조를 이루고 있다.In order to inject gas into the wafer receiving cassette of the side storage, in Patent No. 10-1444241 (name of the invention: the exhaust system of the wafer processing apparatus), gas is injected from the rear surface and each side of the wafer receiving cassette of the side storage. It has a structure to do.

그러나, 종래의 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 의하면, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 후면에서 분사되는 퍼지 가스가 그 노즐이 향하는 방향 그대로 분사될 뿐이고, 그에 따라 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 수용된 웨이퍼 전체에 상기 퍼지 가스가 분사되기 위해서는, 상기 웨이퍼의 폭에 대응되는만큼의 많은 개수의 분사 노즐이 필요하게 되는 문제가 있었다.However, according to the conventional wafer receiving cassette of the side storage, the purge gas sprayed from the inner rear surface of the wafer receiving cassette of the side storage is only injected in the direction the nozzle faces, and accordingly, the purge gas is received in the wafer receiving cassette of the side storage. In order to spray the purge gas on the entire wafer, there is a problem that a large number of spray nozzles corresponding to the width of the wafer is required.

등록특허 제 10-1758213호, 등록일자: 2017.07.10., 발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지Registration Patent No. 10-1758213, Registration Date: 2017.07.10., Title of Invention: Side storage with gas nozzle plate 등록특허 제 10-1444241호, 등록일자: 2014.09.18., 발명의 명칭: 웨이퍼 처리장치의 배기시스템Registration Patent No. 10-1444241, Registration Date: 2014.09.18, Title of Invention: Exhaust System of Wafer Processing Equipment

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부에 적층된 웨이퍼의 폭에 비해 상대적으로 적은 폭으로 분사되는 퍼지 가스가 상기 웨이퍼의 전반으로 전달될 수 있도록 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention allows purge gas to be sprayed from the inner rear surface of the wafer receiving cassette of the side storage to a width that is relatively small compared to the width of the wafers stacked inside the wafer receiving cassette of the side storage to be delivered to the entire wafer. An object of the present invention is to provide an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛은 서로 다른 높이로 복수 개의 웨이퍼가 적층될 수 있도록 복수 개의 웨이퍼 지지체가 서로 다른 높이로 형성되는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 후면에 배치되어, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부로 퍼지 가스를 분사하기 위한 것으로서,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 후면에 배치되고, 그 내부를 따라 외부로부터 공급되는 상기 퍼지 가스가 유동되는 내부 후면 가스 분사 본체 부재; 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재를 따라 유동되는 상기 퍼지 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부로 분사되는 복수 개의 가스 분사 노즐; 및 복수 개의 상기 가스 분사 노즐로부터 분사되는 상기 퍼지 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부에 적층된 상기 각 웨이퍼의 전반으로 퍼질 수 있도록, 복수 개의 상기 가스 분사 노즐에서 분사되는 상기 퍼지 가스 중의 적어도 일부를 복수 개의 상기 가스 분사 노즐로부터 분사되는 방향과 다른 방향으로 유도하는 분사 가스 유도 부재;를 포함하고,
상기 분사 가스 유도 부재는 상기 분사 가스 유도 부재는 서로 다른 높이로 복수 개 배치되고,
복수 개의 상기 분사 가스 유도 부재 중 서로 이웃하는 것 사이에 상기 웨이퍼의 후면부가 삽입되어, 상기 웨이퍼의 후면부가 상기 분사 가스 유도 부재에 의해 지지되고,
상기 분사 가스 유도 부재는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재로부터 일정 길이로 돌출되는 분사 가스 유도 몸체와, 복수 개의 상기 가스 분사 노즐에서 분사되는 상기 퍼지 가스 중의 적어도 일부가 상기 웨이퍼 지지체에 지지된 상태의 상기 웨이퍼의 외곽부 방향으로 향할 수 있도록, 상기 분사 가스 유도 몸체의 일측면에 형성되고, 상기 분사 가스 유도 몸체의 일측면으로부터 경사지게 형성되되, 상기 웨이퍼의 외곽부 방향을 향하도록 형성되는 경사면 형성체와, 상기 분사 가스 유도 몸체의 일측면과 상기 경사면 형성체의 외면을 서로 연통시키도록 상기 분사 가스 유도 몸체와 상기 경사면 형성체를 함께 관통하는 관통 유로를 포함하고,
상기 관통 유로는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재로부터 상기 분사 가스 유도 몸체가 돌출된 방향을 기준으로 상기 경사면 형성체가 형성된 각도에 비해 상대적으로 더 큰 각도이되, 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재로부터 상기 분사 가스 유도 몸체가 돌출된 방향을 기준으로 90°보다는 작은 각도로 형성됨으로써, 상기 경사면 형성체를 따라 유도되어 유동되는 상기 퍼지 가스가 향하는 상기 웨이퍼의 외곽부보다 상대적으로 더 외곽 쪽으로 상기 퍼지 가스가 상기 관통 유로를 따라 유동되도록 유도되고,
상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재에는 돌출 회전 지지부가 일정 높이 돌출되고, 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재에는 퍼지 가스가 분사되는 관통 연결 노즐이 형성되고,
상기 분사 가스 유도 부재는 상기 분사 가스 유도 몸체와 상기 돌출 회전 지지부를 함께 관통하여, 상기 분사 가스 유도 몸체가 상기 돌출 회전 지지부에 대해 상대적으로 일정 각도 범위 내에서 회동될 수 있도록 연결하는 가스 유도 회동축을 더 포함하고,
상기 분사 가스 유도 몸체 중 상기 관통 연결 노즐과 대면되는 면은 곡면으로 형성되어, 상기 가스 유도 회동축을 중심으로 상기 분사 가스 유도 몸체가 회전되는 정도에 따라, 상기 관통 연결 노즐과 상기 관통 유로의 연통 정도가 가변될 수 있게 되고,
상기 분사 가스 유도 몸체가 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재에 대해 수직을 이루는 상태에서는, 상기 관통 유로가 상기 관통 연결 노즐과 전체적으로 연통되고,
상기 가스 유도 회동축을 중심으로 상기 분사 가스 유도 몸체가 상기 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분을 향하도록 일정 각도 회동되면, 상기 관통 유로가 상기 관통 연결 노즐과 어긋나서 일정 부분만 서로 연통됨으로써, 상기 분사 가스 유도 몸체가 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재에 대해 수직을 이루는 상태일 때에 비해, 상기 관통 유로와 상기 관통 연결 노즐의 연통 정도가 상대적으로 감소되어, 상기 관통 유로와 상기 관통 연결 노즐을 따라 유동되는 상기 퍼지 가스의 속도가 상대적으로 더 커지게 되고, 그에 따라 상기 퍼지 가스가 상대적으로 더 멀리까지 도달될 수 있게 되므로, 상기 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분을 향하는 상기 관통 유로를 통해 상기 퍼지 가스가 분사되어 상기 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분까지도 도달될 수 있게 되는 것을 특징으로 한다.In an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to an aspect of the present invention, a plurality of wafer supports are formed at different heights so that a plurality of wafers can be stacked at different heights. It is disposed on the inner rear surface, as for injecting a purge gas into the inside of the wafer receiving cassette of the side storage,
An inner rear gas injection body member disposed on the inner rear surface of the wafer receiving cassette of the side storage, and through which the purge gas supplied from the outside flows along the inside thereof; A plurality of gas injection nozzles through which the purge gas flowing along the inner rear gas injection body member is injected into the wafer receiving cassette of the side storage; And at least one of the purge gases injected from the plurality of gas injection nozzles so that the purge gas injected from the plurality of gas injection nozzles can spread across the entire wafer stacked in the wafer receiving cassette of the side storage. Including; an injection gas guide member for guiding a portion in a direction different from the direction injected from the plurality of gas injection nozzles,
In the injection gas guide member, a plurality of injection gas guide members are disposed at different heights,
A rear portion of the wafer is inserted between adjacent ones of the plurality of injection gas guiding members, and the rear portion of the wafer is supported by the injection gas guiding member,
The injection gas guiding member includes an injection gas guiding body protruding from the inner rear gas injection body member to a predetermined length, and at least a part of the purge gas injected from the plurality of gas injection nozzles is supported by the wafer support. An inclined surface forming body formed on one side of the injection gas guiding body so as to be directed toward the outer portion of the wafer, and formed to be inclined from one side of the injection gas guiding body, and formed to face the outer portion of the wafer; And a through passage passing through the injection gas guiding body and the inclined surface forming member together so as to communicate with one side of the injection gas guiding body and the outer surface of the inclined surface forming member,
The through passage has a relatively larger angle than the angle at which the inclined surface forming body is formed with respect to the direction in which the injection gas guide body protrudes from the inner rear gas injection body member, and the injection gas from the inner rear gas injection body member Since the guide body is formed at an angle smaller than 90° based on the protruding direction, the purge gas is penetrated toward the outer side relatively more than the outer side of the wafer to which the purge gas guided and flowed along the inclined surface is directed. Is induced to flow along the flow path,
The inner rear gas injection body member has a protruding rotation support portion protruding at a certain height, and the inner rear gas injection body member has a through connection nozzle through which purge gas is injected,
The injection gas guiding member penetrates the injection gas guiding body and the protruding rotation support part together, and a gas guiding rotation shaft connecting the injection gas guiding body so that the injection gas guiding body can be rotated within a relatively predetermined angle range with respect to the protruding rotation support part. Including more,
A surface of the injection gas guide body that faces the through connection nozzle is formed in a curved surface, so that communication between the through connection nozzle and the through flow path according to the degree of rotation of the injection gas guide body around the gas guide rotation axis The degree can be variable,
In a state in which the injection gas induction body is perpendicular to the inner rear gas injection body member, the through passage is in total communication with the through connection nozzle,
When the injection gas guiding body is rotated at a certain angle so that the injection gas guiding body faces a relatively more outer portion of the wafer about the gas guiding rotation axis, the through passage is shifted from the through connection nozzle and communicates only a predetermined portion with each other, so that the injection Compared to a state in which the gas guide body is perpendicular to the inner rear gas injection body member, the degree of communication between the through flow path and the through connection nozzle is relatively reduced, and flows along the through flow path and the through connection nozzle. Since the speed of the purge gas becomes relatively larger, and accordingly, the purge gas can be reached relatively farther, the purge gas is sprayed through the through flow path toward a relatively further outer portion of the wafer. It is characterized in that it is possible to reach even a relatively further outer portion of the wafer.

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본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛에 의하면, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛이 내부 후면 가스 본체 부재와, 복수 개의 가스 분사 노즐과, 분사 가스 유도 부재를 포함함에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부에 적층된 웨이퍼의 폭에 비해 상대적으로 적은 폭으로 상기 가스 분사 노즐을 통해 분사되는 퍼지 가스가 상기 분사 가스 유도 부재에 의해 상기 웨이퍼의 양 측단부를 향해 안내되면서 유동될 수 있게 되므로, 상기 퍼지 가스가 상기 웨이퍼의 전반으로 전달될 수 있게 됨으로써, 상기 웨이퍼에 잔존하는 퓸 등의 이물질이 전반적으로 제거될 수 있게 되는 효과가 있다.According to an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to an aspect of the present invention, the inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of the side storage includes an inner rear gas body member, a plurality of gas injection nozzles, By including the injection gas inducing member, the side storage is injected through the gas injection nozzle with a relatively small width compared to the width of the wafer stacked inside the wafer receiving cassette of the side storage from the inner rear surface of the wafer receiving cassette of the side storage. Since the purge gas can flow while being guided toward both side ends of the wafer by the injection gas induction member, the purge gas can be transferred to the entire wafer, thereby allowing foreign substances such as fumes remaining on the wafer. There is an effect of being able to eliminate this overall.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛이 적용된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 모습을 개략적으로 보이는 수평 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 A부분에 대한 확대도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 구성하는 분사 가스 유도 부재를 보이는 사시도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛에서의 가스 유동 모습을 보이는 도면.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 구성하는 분사 가스 유도 부재의 모습을 보이는 단면도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 구성하는 분사 가스 유도 부재에서의 가스 유동 모습을 보이는 도면.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 구성하는 분사 가스 유도 부재의 모습을 보이는 단면도.
도 8은 도 7에 도시된 분사 가스 유도 부재가 일정 각도 회전된 모습을 보이는 단면도.1 is a horizontal cross-sectional view schematically showing a state of a wafer receiving cassette of a side storage to which an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage is applied according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of part A shown in FIG. 1.
3 is a perspective view showing an injection gas guide member constituting an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a view showing a gas flow in the inner rear gas injection unit for the wafer receiving cassette of the side storage according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing an injection gas guide member constituting an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention.
6 is a view showing a gas flow in an injection gas guide member constituting an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing an injection gas guide member constituting an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view showing a state in which the injection gas guide member shown in FIG. 7 is rotated by a predetermined angle.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛에 대하여 설명한다.Hereinafter, an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛이 적용된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 모습을 개략적으로 보이는 수평 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 A부분에 대한 확대도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 구성하는 분사 가스 유도 부재를 보이는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛에서의 가스 유동 모습을 보이는 도면이다.1 is a horizontal cross-sectional view schematically showing a state of a wafer receiving cassette of a side storage to which an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is A shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged view of a portion, and FIG. 3 is a perspective view showing an injection gas guide member constituting an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an embodiment of the present invention. It is a view showing the flow of gas in the inner rear gas injection unit for the wafer receiving cassette of the side storage according to the example.

도 1 내지 도 4를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛(140)은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 후면에 배치되어, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부로 퍼지 가스를 분사하기 위한 것으로서, 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)와, 복수 개의 가스 분사 노즐(142)과, 분사 가스 유도 부재(150)를 포함한다.1 to 4 together, the inner rear gas injection unit 140 for the wafer receiving cassette of the side storage according to the present embodiment is disposed on the inner rear side of the wafer receiving cassette 100 of the side storage, and the side storage It is for injecting a purge gas into the inside of the wafer receiving cassette 100, and includes an inner rear gas injection body member 141, a plurality of gas injection nozzles 142, and an injection gas guide member 150.

상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)는 그 내측벽에 서로 마주보도록 복수 개의 웨이퍼 지지체(120)가 서로 다른 높이로 형성된 것으로, 상기 각 웨이퍼 지지체(120)에 웨이퍼(W)가 지지됨으로써, 복수 개의 상기 웨이퍼(W)가 서로 다른 높이로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부에 적층될 수 있게 된다.The wafer receiving cassette 100 of the side storage has a plurality of wafer supports 120 formed at different heights to face each other on an inner wall thereof, and a plurality of wafers W are supported on each of the wafer supports 120. The wafers W may be stacked at different heights inside the wafer receiving cassette 100 of the side storage.

도면 번호 110은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이싱으로, 상기 케이싱(110)의 각 내측벽을 따라서 서로 다른 높이로 상기 웨이퍼 지지체(120)가 돌출 형성되고, 상기 케이싱(110)의 내부 후면에 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛(140)이 배치된다.Reference numeral 110 denotes a casing of the wafer receiving cassette 100 of the side storage, wherein the wafer support 120 protrudes at different heights along each inner wall of the casing 110, and the casing 110 An inner rear gas injection unit 140 for a wafer receiving cassette of the side storage is disposed on the inner rear surface.

도면 번호 130은 상기 케이싱(110)의 각 내측벽 중 상기 케이싱(110)에서 상기 웨이퍼(W)가 진출입되는 입구에 상대적으로 근접되도록 각각 배치되되, 서로 마주보도록 배치되는 한 쌍의 측면 가스 분사 분재이다.Reference numeral 130 denotes a pair of side gas spray bonsai disposed to be relatively close to the entrance to which the wafer W enters and exits from the casing 110 among the inner walls of the casing 110, and is disposed to face each other. to be.

상기 각 측면 가스 분사 부재(130)가 외부로부터 공급되는 상기 퍼지 가스를 상기 케이싱(110) 내부에 수용된 상기 웨이퍼(W)의 각 측면을 향해 각각 분사해줄 수 있다.Each side gas injection member 130 may inject the purge gas supplied from the outside toward each side of the wafer W accommodated in the casing 110.

상기 각 측면 가스 분사 부재(130)는 상기 케이싱(110) 내부에 수용되는 복수 개의 상기 웨이퍼(W)에 모두 퍼지 가스가 도달될 수 있도록, 상기 케이싱(110)의 내부 각 측면을 따라서 일정 높이로 형성된다.Each side gas injection member 130 has a predetermined height along each inner side of the casing 110 so that the purge gas can reach all of the plurality of wafers W accommodated in the casing 110. Is formed.

상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 후면에 배치되고, 그 내부를 따라 외부로부터 공급되는 상기 퍼지 가스가 유동되는 것이다.The inner rear gas injection body member 141 is disposed on the inner rear surface of the wafer receiving cassette 100 of the side storage, and the purge gas supplied from the outside flows along the inside thereof.

상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)는 상기 케이싱(110) 내부에 수용되는 복수 개의 상기 웨이퍼(W)에 모두 상기 퍼지 가스가 도달될 수 있도록, 상기 케이싱(110)의 내부 후면을 따라서 일정 높이로 형성된다.The inner rear gas injection body member 141 has a predetermined height along the inner rear surface of the casing 110 so that the purge gas can reach all of the plurality of wafers W accommodated in the casing 110. Is formed by

복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142)은 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)를 따라 유동되는 상기 퍼지 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부로 분사되는 것이다.In the plurality of gas injection nozzles 142, the purge gas flowing along the inner rear gas injection body member 141 is injected into the inside of the wafer receiving cassette 100 of the side storage.

상기 각 가스 분사 노즐(142) 중 적어도 일부는 서로 다른 높이로 형성됨으로써, 상기 각 웨이퍼(W) 사이 공간으로 각각 상기 퍼지 가스를 분사해줄 수 있다. 이를 위해, 상기 각 가스 분사 노즐(142)은 상기 각 웨이퍼 지지체(120)의 높이와 동일한 높이로 형성될 수 있고, 그에 따라 서로 다른 높이의 상기 각 가스 분사 노즐(142)이 상기 각 웨이퍼 지지체(120)에 의해 지지된 상기 각 웨이퍼(W) 사이 공간으로 상기 퍼지 가스를 각각 분사해줄 수 있게 된다.At least some of the gas injection nozzles 142 are formed to have different heights, so that the purge gas may be injected into the space between the wafers W, respectively. To this end, each of the gas injection nozzles 142 may be formed to have the same height as the height of each of the wafer supports 120, and accordingly, the respective gas injection nozzles 142 of different heights are provided with the respective wafer support bodies ( Each of the purge gas can be injected into the space between the wafers W supported by 120).

상기 각 가스 분사 노즐(142) 중 적어도 일부는 같은 높이 상에 복수 개로 배열될 수 있다. 즉, 상기 각 가스 분사 노즐(142)은 같은 높이 상에 복수 개가 하나의 행(row)으로 배열되면서, 그러한 상기 각 가스 분사 노즐(142)의 행들의 열(column)들이 서로 다른 높이로 배열된 형태로 이루어질 수 있고, 그에 따라 외부로부터 공급되는 상기 퍼지 가스가 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)를 따라 상승되다가, 상기 각 가스 분사 노즐(142)을 통해 서로 다른 높이로 수용된 상기 각 웨이퍼(W) 사이 공간으로 함께 분사될 수 있게 된다.At least some of the gas injection nozzles 142 may be arranged in plural on the same height. That is, while a plurality of the gas injection nozzles 142 are arranged in one row on the same height, the columns of the rows of the gas injection nozzles 142 are arranged at different heights. The respective wafers (the purge gas supplied from the outside) are raised along the inner rear gas injection body member 141 and are accommodated at different heights through the respective gas injection nozzles 142 ( W) can be sprayed together into the interspace.

상기 분사 가스 유도 부재(150)는 복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142)로부터 분사되는 상기 퍼지 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부에 적층된 상기 각 웨이퍼(W)의 전반으로 퍼질 수 있도록, 복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142)에서 분사되는 상기 퍼지 가스 중의 적어도 일부를 복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142)로부터 분사되는 방향과 다른 방향으로 유도하는 것이다.The injection gas induction member 150 spreads the purge gas injected from the plurality of gas injection nozzles 142 throughout the wafers W stacked in the wafer receiving cassette 100 of the side storage. Thus, at least a part of the purge gas injected from the plurality of gas injection nozzles 142 is guided in a direction different from the direction injected from the plurality of gas injection nozzles 142.

여기서, 상기 각 웨이퍼(W)의 '전반'이라 함은, 상기 각 웨이퍼(W)의 폭 방향으로 일 측 말단부로부터 타 측 말단부까지의 전체를 말한다.Here, the term'front' of each wafer W refers to the entirety from one end portion to the other end portion in the width direction of each wafer W.

본 실시예에서는, 상기 분사 가스 유도 부재(150)는 상기 분사 가스 유도 부재(150)는 서로 다른 높이로 복수 개 배치되고, 복수 개의 상기 분사 가스 유도 부재(150) 중 서로 이웃하는 것 사이에 상기 웨이퍼(W)의 후면부가 삽입되어, 상기 웨이퍼(W)의 후면부가 상기 분사 가스 유도 부재(150)에 의해 지지된다.In this embodiment, the injection gas guiding member 150 is disposed in a plurality of the injection gas guiding member 150 at different heights, and between adjacent ones of the plurality of injection gas guiding members 150 The rear portion of the wafer W is inserted, and the rear portion of the wafer W is supported by the injection gas guide member 150.

즉, 본 실시예에서 적용되는 상기 분사 가스 유도 부재(150)는 상기 각 가스 분사 노즐(142)에서 분사되는 상기 퍼지 가스 중의 적어도 일부를 상기 각 가스 분사 노즐(142)로부터 분사되는 방향과 다른 방향으로 유도함과 함께, 상기 웨이퍼(W)의 후면부를 지지하는 기능을 함께 수행할 수 있다.That is, the injection gas guiding member 150 applied in this embodiment is a direction different from a direction in which at least a part of the purge gas injected from each of the gas injection nozzles 142 is injected from the respective gas injection nozzles 142 In addition to being guided to, the function of supporting the rear surface of the wafer W may be performed together.

상세히, 상기 분사 가스 유도 부재(150)는 분사 가스 유도 몸체(151)와, 경사면 형성체(152)를 포함한다.In detail, the injection gas guide member 150 includes an injection gas guide body 151 and an inclined surface forming body 152.

상기 분사 가스 유도 몸체(151)는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)로부터 일정 길이로 돌출되는 것이다.The injection gas guide body 151 protrudes from the inner rear gas injection body member 141 to a predetermined length.

상기 분사 가스 유도 몸체(151)는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)로부터 수직(상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141) 중 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부를 향하는 전면에 대해 수직인 방향, 이하 동일)으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부를 향해 일정 길이 돌출되는 것이다.The injection gas induction body 151 is vertical from the inner rear gas injection body member 141 (vertical to the front of the inner rear gas injection body member 141 facing the inside of the wafer receiving cassette 100 of the side storage) In the in-direction, hereinafter the same), a predetermined length protrudes toward the inside of the wafer receiving cassette 100 of the side storage.

상기 경사면 형성체(152)는 상기 분사 가스 유도 몸체(151)의 일측면에 형성되고, 상기 분사 가스 유도 몸체(151)의 일측면으로부터 경사지게 형성되되, 상기 웨이퍼(W)의 외곽부 방향을 향하도록 형성됨으로써, 복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142)에서 분사되는 상기 퍼지 가스 중의 적어도 일부가 상기 웨이퍼 지지체(120)에 지지된 상태의 상기 웨이퍼(W)의 외곽부 방향으로 향할 수 있도록 유도하는 것이다.The inclined surface forming body 152 is formed on one side of the injection gas guiding body 151 and formed to be inclined from one side of the injection gas guiding body 151, and directed toward the outer portion of the wafer (W). It is formed so that at least a part of the purge gas injected from the plurality of gas injection nozzles 142 can be directed toward the outer portion of the wafer W in a state supported by the wafer support 120. .

상기 경사면 형성체(152)와 상기 분사 가스 유도 몸체(151)는 일체로 형성될 수 있다. 그러면, 직사각형 단면 형태의 상기 분사 가스 유도 몸체(151)의 일 측면에 삼각형 단면 형태의 상기 경사면 형성체(152)가 연결된 형태로 상기 분사 가스 유도 부재(150)가 형성될 수 있되, 상기 경사면 형성체(152)의 외면인 경사면의 가상의 연장선은 상기 웨이퍼 지지체(120)에 지지되는 상기 웨이퍼(W)의 외곽부에 도달되도록 형성된다.The inclined surface forming body 152 and the injection gas guide body 151 may be integrally formed. Then, the injection gas guiding member 150 may be formed in a form in which the inclined surface forming body 152 having a triangular cross-sectional shape is connected to one side of the injection gas guiding body 151 having a rectangular cross-sectional shape, but forming the inclined surface The virtual extension line of the inclined surface, which is the outer surface of the sieve 152, is formed to reach the outer portion of the wafer W supported by the wafer support 120.

복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142) 중 어느 하나에서 수직으로 연장되는 가상의 연장선 상에 상기 경사면 형성체(152)의 경사면이 놓이도록 배치된다. 그러면, 복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142) 중 어느 하나에서 수직으로 분사된 상기 퍼지 가스가 상기 경사면 형성체(152)에 도달되어, 상기 경사면 형성체(152)를 따라 유동되면서 그 유동 방향이 변하게 되고, 그에 따라 상기 경사면 형성체(152)를 따라 유동된 상기 퍼지 가스가 상기 웨이퍼(W)의 외곽부를 향하게 된다.The inclined surface of the inclined surface forming body 152 is disposed on a virtual extension line extending vertically from any one of the plurality of gas injection nozzles 142. Then, the purge gas vertically injected from one of the plurality of gas injection nozzles 142 reaches the inclined surface forming body 152 and flows along the inclined surface forming member 152 so that the flow direction is changed. Accordingly, the purge gas flowing along the inclined surface forming body 152 is directed toward the outer portion of the wafer W.

상기 분사 가스 유도 부재(150)는 복수 개가 적용되되, 상기 각 분사 가스 유도 부재(150)는 일정 간격으로 서로 다른 높이 차이로 서로 일정 간격으로 이격되면서 하나의 열을 이루면서 배열되고, 그에 따라 상기 각 분사 가스 유도 부재(150) 사이 공간에 상기 웨이퍼(W)의 후면부가 삽입되어 지지될 수 있게 된다.A plurality of the injection gas induction members 150 are applied, and the injection gas induction members 150 are arranged to form a row while being spaced apart from each other at a predetermined interval with a different height difference at predetermined intervals, and accordingly The rear portion of the wafer W may be inserted and supported in the space between the injection gas inducing members 150.

상기 분사 가스 유도 부재(150)는 복수 개의 열로 이루어져서, 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)의 중앙부로부터 각각 서로 대칭되는 형태로 각각 외측을 향하도록 형성된다. 즉, 상기 분사 가스 유도 부재(150)의 하나의 열을 이루는 상기 각 경사면 형성체(152)는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)의 일 측부를 향하도록 외향되고, 상기 분사 가스 유도 부재(150)의 다른 하나의 열을 이루는 상기 각 경사면 형성체(152)는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)의 타 측부를 향하도록 외향된다. 그러면, 상기 분사 가스 유도 부재(150)의 각 열에 의해 상기 퍼지 가스가 상기 웨이퍼(W)의 양 측면부를 향하여 각각 유도되어 유동될 수 있게 된다.The injection gas induction member 150 is formed of a plurality of rows, and is formed to face each other in a form symmetrical to each other from the central portion of the inner rear gas injection body member 141. That is, each of the inclined surface forming members 152 constituting one row of the injection gas guide member 150 is outwardly directed toward one side of the inner rear gas injection body member 141, and the injection gas guide member ( Each of the inclined surface forming bodies 152 forming the other row of 150 is outwardly directed toward the other side of the inner rear gas injection body member 141. Then, the purge gas is guided and flowed toward both side surfaces of the wafer W by each row of the injection gas inducing member 150.

이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛(140)의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the inner rear gas injection unit 140 for the wafer receiving cassette of the side storage according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.

상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)를 따라 유동되던 상기 퍼지 가스가 복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142)을 통해 분사되면, 상기 퍼지 가스 중의 일부는 상기 가스 분사 노즐(142)을 통해 분사된 그대로 유동되어 상기 웨이퍼(W)를 향하게 되고, 상기 퍼지 가스 중의 다른 일부는 상기 분사 가스 유도 부재(150)에 의해 안내되면서 상기 웨이퍼(W)의 양 말단부를 향하게 된다. 그에 따라, 상기 퍼지 가스가 상기 웨이퍼(W)의 전반에 걸쳐 유동되면서 상기 웨이퍼(W)에 잔존하는 퓸(fume) 등의 이물질을 제거할 수 있게 된다.When the purge gas flowing along the inner rear gas injection body member 141 is injected through the plurality of gas injection nozzles 142, some of the purge gas is injected through the gas injection nozzle 142 as it is. The flow is directed toward the wafer W, and another part of the purge gas is guided by the injection gas guide member 150 and is directed toward both ends of the wafer W. Accordingly, while the purge gas flows throughout the wafer W, foreign substances such as fume remaining on the wafer W can be removed.

상기와 같이, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛(140)이 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(141)와, 복수 개의 상기 가스 분사 노즐(142)과, 상기 분사 가스 유도 부재(150)를 포함함에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 내부에 적층된 상기 웨이퍼(W)의 폭에 비해 상대적으로 적은 폭으로 상기 가스 분사 노즐(142)을 통해 분사되는 상기 퍼지 가스가 상기 분사 가스 유도 부재(150)에 의해 상기 웨이퍼(W)의 양 측단부를 향해 안내되면서 유동될 수 있게 되므로, 상기 퍼지 가스가 상기 웨이퍼(W)의 전반으로 전달될 수 있게 됨으로써, 상기 웨이퍼(W)에 잔존하는 퓸 등의 이물질이 전반적으로 제거될 수 있게 된다.As described above, the inner rear gas injection unit 140 for the wafer receiving cassette of the side storage includes the inner rear gas injection body member 141, the plurality of gas injection nozzles 142, and the injection gas guide member ( 150), from the inner rear surface of the wafer receiving cassette 100 of the side storage to a width relatively small compared to the width of the wafer W stacked inside the wafer receiving cassette 100 of the side storage. Since the purge gas injected through the gas injection nozzle 142 can flow while being guided toward both side ends of the wafer W by the injection gas guide member 150, the purge gas By being able to be transferred to the entire portion of (W), foreign matter such as fume remaining on the wafer (W) can be removed as a whole.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 일 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out this description, descriptions that are already described in the above-described embodiment of the present invention and overlapping descriptions will be replaced therewith, and will be omitted herein.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 구성하는 분사 가스 유도 부재의 모습을 보이는 단면도이고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 구성하는 분사 가스 유도 부재에서의 가스 유동 모습을 보이는 도면이다.FIG. 5 is a cross-sectional view showing an injection gas guide member constituting an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a side storage according to another embodiment of the present invention. It is a view showing a state of gas flow in the injection gas guide member constituting the inner rear gas injection unit for the wafer receiving cassette of.

도 5 및 도 6을 함께 참조하면, 본 실시예에서는, 분사 가스 유도 부재(250)가 분사 가스 유도 몸체(251) 및 경사면 형성체(252)와 함께, 관통 유로(253)를 더 포함한다.5 and 6 together, in this embodiment, the injection gas guide member 250 further includes a through passage 253 together with the injection gas guide body 251 and the inclined surface forming body 252.

상기 관통 유로(253)는 상기 분사 가스 유도 몸체(251)에서 내부 후면 가스 분사 본체 부재(241)와 맞닿는 면과 상기 경사면 형성체(252)의 외면인 경사면을 서로 연통시키도록 상기 분사 가스 유도 몸체(251)와 상기 경사면 형성체(252)를 함께 관통하는 것이다.The through passage 253 is the injection gas induction body so as to communicate a surface in contact with the inner rear gas injection body member 241 in the injection gas induction body 251 and an inclined surface that is an outer surface of the inclined surface forming body 252 with each other. (251) and the inclined surface forming body 252 to penetrate together.

도면 번호 243은 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(241)에 형성되되, 상기 관통 유로(253)와 연통되어, 상기 관통 유로(253)로 퍼지 가스를 유동시키는 관통 연결 노즐이다.Reference numeral 243 denotes a through connection nozzle formed on the inner rear gas injection body member 241 and communicating with the through passage 253 to flow a purge gas through the through passage 253.

본 실시예에서는, 상기 관통 유로(253)는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(241)로부터 상기 분사 가스 유도 몸체(251)가 돌출된 방향을 기준으로 상기 경사면 형성체(252)가 형성된 각도에 비해 상대적으로 더 큰 각도이되, 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(241)로부터 상기 분사 가스 유도 몸체(251)가 돌출된 방향을 기준으로 90°보다는 작은 각도로 형성됨으로써, 상기 경사면 형성체(252)를 따라 유도되어 유동되는 상기 퍼지 가스가 향하는 웨이퍼(W)의 외곽부보다 상대적으로 더 외곽 쪽으로 상기 관통 연결 노즐(243)을 통해 공급된 상기 퍼지 가스가 상기 관통 유로(253)를 따라 유동되도록 유도될 수 있게 된다.In this embodiment, the through passage 253 is compared to the angle in which the inclined surface forming body 252 is formed based on the direction in which the injection gas induction body 251 protrudes from the inner rear gas injection body member 241 It has a relatively larger angle, but is formed at an angle smaller than 90° based on the direction in which the injection gas induction body 251 protrudes from the inner rear gas injection body member 241, thereby forming the inclined surface forming body 252 The purge gas supplied through the through connection nozzle 243 may be induced to flow along the through passage 253 toward a relatively more outer side than the outer side of the wafer W to which the purge gas is guided and flowed. You will be able to.

상기와 같이 구성됨으로써, 상기 경사면 형성체(252)만 형성된 경우에 비해 상기 관통 유로(253)가 형성된 경우가 상대적으로 더 상기 웨이퍼(W)의 전반에 대해 상기 퍼지 가스를 폭넓게 유도하여 전달할 수 있게 된다.By being configured as described above, compared to the case where only the inclined surface forming body 252 is formed, the case where the through flow path 253 is formed is relatively more capable of inducing and delivering the purge gas to the whole of the wafer W. do.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 일 실시예 및 다른 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out this description, descriptions overlapping with those already described in the above-described embodiment and other embodiments of the present invention will be replaced therewith, and will be omitted herein.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛을 구성하는 분사 가스 유도 부재의 모습을 보이는 단면도이고, 도 8은 도 7에 도시된 분사 가스 유도 부재가 일정 각도 회전된 모습을 보이는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a state of an injection gas induction member constituting an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view of the injection gas induction member shown in FIG. 7 Is a cross-sectional view showing the state rotated by a certain angle.

도 7 및 도 8을 함께 참조하면, 본 실시예에서는, 분사 가스 유도 부재(350)가 분사 가스 유도 몸체(351), 경사면 형성체(352) 및 관통 유로(353)와 함께, 가스 유도 회동축(354)을 더 포함한다.Referring to FIGS. 7 and 8 together, in this embodiment, the injection gas guiding member 350 is provided with the injection gas guiding body 351, the inclined surface forming body 352, and the through passage 353, and the gas guiding rotation shaft (354) is further included.

도면 번호 343은 내부 후면 가스 분사 본체 부재(341)에 형성되어 퍼지 가스가 분사되는 관통 연결 노즐이다.Reference numeral 343 denotes a through connection nozzle formed on the inner rear gas injection body member 341 and through which purge gas is injected.

상기 관통 유로(353)는 상기 관통 연결 노즐(343)과 상기 경사면 형성체(352)의 외면인 경사면을 서로 연통시키도록 상기 분사 가스 유도 몸체(351)와 상기 경사면 형성체(352)를 함께 관통하는 것이다.The through passage 353 passes through the injection gas guide body 351 and the inclined surface forming member 352 together so that the through connection nozzle 343 and the inclined surface, which is an outer surface of the inclined surface forming member 352, communicate with each other. Is to do.

상기 관통 유로(353)는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(341)로부터 상기 분사 가스 유도 몸체(351)가 돌출된 방향을 기준으로 상기 경사면 형성체(352)가 형성된 각도에 비해 상대적으로 더 큰 각도이되, 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(341)로부터 상기 분사 가스 유도 몸체(351)가 돌출된 방향을 기준으로 90°보다는 작은 각도로 형성됨으로써, 상기 경사면 형성체(352)를 따라 유도되어 유동되는 상기 퍼지 가스가 향하는 웨이퍼(W)의 외곽부보다 상대적으로 더 외곽 쪽으로 상기 관통 연결 노즐(343)을 통해 공급된 상기 퍼지 가스가 상기 관통 유로(353)를 따라 유동되도록 유도될 수 있게 된다.The through passage 353 has a relatively larger angle than the angle in which the inclined surface forming body 352 is formed based on the direction in which the injection gas induction body 351 protrudes from the inner rear gas injection body member 341. However, by being formed at an angle smaller than 90° with respect to the direction in which the injection gas induction body 351 protrudes from the inner rear gas injection body member 341, it is guided and flows along the inclined surface forming body 352. The purge gas supplied through the through connection nozzle 343 may be induced to flow along the through flow path 353 toward a relatively further outer side than the outer portion of the wafer W to which the purge gas is directed.

상기와 같이 구성됨으로써, 상기 경사면 형성체(352)만 형성된 경우에 비해 상기 관통 유로(353)가 형성된 경우가 상대적으로 더 상기 웨이퍼(W)의 전반에 대해 상기 퍼지 가스를 폭넓게 유도하여 전달할 수 있게 된다.By being configured as described above, compared to the case where only the inclined surface forming body 352 is formed, the case where the through flow path 353 is formed is relatively more capable of inducing and delivering the purge gas to a wide range of the entire wafer W. do.

상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(341)에는 돌출 회전 지지부(344)가 일정 높이 돌출된다.A protruding rotation support part 344 protrudes at a predetermined height from the inner rear gas injection body member 341.

상기 가스 유도 회동축(354)은 상기 분사 가스 유도 몸체(351)와 상기 돌출 회전 지지부(344)를 함께 관통하여, 상기 분사 가스 유도 몸체(351)가 상기 돌출 회전 지지부(344)에 대해 상대적으로 일정 각도 범위 내에서 회동될 수 있도록 연결하는 것이다.The gas guided rotation shaft 354 passes through the injection gas guide body 351 and the protruding rotation support part 344 together, so that the injection gas guide body 351 is relatively relatively to the projecting rotation support part 344. It is to connect so that it can rotate within a certain angle range.

상기 분사 가스 유도 몸체(351) 중 상기 관통 연결 노즐(343)과 대면되는 면은 곡면으로 형성되어, 상기 가스 유도 회동축(354)을 중심으로 상기 분사 가스 유도 몸체(351)가 회전되는 정도에 따라, 상기 관통 연결 노즐(343)과 상기 관통 유로(353)의 연통 정도가 가변될 수 있게 된다.A surface of the injection gas guiding body 351 facing the through connection nozzle 343 is formed in a curved surface, so that the injection gas guiding body 351 rotates around the gas guiding rotation shaft 354 Accordingly, the degree of communication between the through connection nozzle 343 and the through passage 353 can be varied.

즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 분사 가스 유도 몸체(351)가 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(341)에 대해 수직을 이루는 상태에서는, 상기 관통 유로(353)가 상기 관통 연결 노즐(343)과 전체적으로 연통된다.That is, as shown in FIG. 7, in a state in which the injection gas induction body 351 is perpendicular to the inner rear gas injection body member 341, the through passage 353 is the through connection nozzle 343 ) And is in general communication.

그러다가, 도 8에 도시된 바와 같이, 작업자 등의 외력에 의해, 상기 가스 유도 회동축(354)을 중심으로 상기 분사 가스 유도 몸체(351)이 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분을 향하도록 일정 각도 회동되면, 상기 관통 유로(353)가 상기 관통 연결 노즐(343)과 어긋나서 일정 부분만 서로 연통된다. 그러면, 상기 분사 가스 유도 몸체(351)가 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재(341)에 대해 수직을 이루는 상태일 때에 비해, 상기 관통 유로(353)와 상기 관통 연결 노즐(343)의 연통 정도가 상대적으로 감소되어, 상기 관통 유로(353)와 상기 관통 연결 노즐(343)을 따라 유동되는 퍼지 가스의 속도가 상대적으로 더 커지게 되고, 그에 따라 상기 퍼지 가스가 상대적으로 더 멀리까지 도달될 수 있게 되므로, 상기 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분을 향하는 상기 관통 유로(353)를 통해 상기 퍼지 가스가 분사되어 상기 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분까지도 도달될 수 있게 된다.Then, as shown in FIG. 8, by an external force of a worker, etc., the injection gas guide body 351 is rotated at a certain angle so that the injection gas guide body 351 faces a relatively more outer portion of the wafer around the gas guide rotation shaft 354 Then, the through passage 353 is shifted from the through connection nozzle 343 so that only a certain portion communicates with each other. Then, the degree of communication between the through passage 353 and the through connection nozzle 343 is relatively compared to when the injection gas induction body 351 is perpendicular to the inner rear gas injection body member 341. Is reduced to, the speed of the purge gas flowing along the through passage 353 and the through connection nozzle 343 becomes relatively larger, and accordingly, the purge gas can be reached relatively farther. The purge gas is sprayed through the through passage 353 facing a relatively further outer portion of the wafer, so that the purge gas may reach a relatively outer portion of the wafer.

상기와 같이, 상기 관통 유로(353)가 향하는 방향이 가변적으로 조절될 수 있으면서도, 상기 관통 유로(353)의 가변적 방향 조절과 상기 관통 유로(353)를 통해 토출되는 상기 퍼지 가스의 토출 거리 조절이 연동되어 자동적으로 조절될 수 있게 된다.As described above, although the direction in which the through flow path 353 is directed can be variably adjusted, the variable direction control of the through flow path 353 and the discharge distance of the purge gas discharged through the through flow path 353 It can be adjusted automatically by interlocking.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.In the above, the present invention has been illustrated and described with respect to specific embodiments, but those of ordinary skill in the art can variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. And it will be appreciated that it can be changed. However, it is intended to clearly reveal that all of these modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛에 의하면, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부에 적층된 웨이퍼의 폭에 비해 상대적으로 적은 폭으로 분사되는 퍼지 가스가 상기 웨이퍼의 전반으로 전달될 수 있도록 할 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to an inner rear gas injection unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to an aspect of the present invention, relative to the width of the wafers stacked inside the wafer receiving cassette of the side storage from the inner rear surface of the wafer receiving cassette of the side storage As a result, the purge gas sprayed with a small width can be transmitted to the entire wafer, and thus the industrial applicability is high.

100 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트
110 : 케이싱
120 : 웨이퍼 지지체
140 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛
141 : 내부 후면 가스 분사 본체 부재
142 : 가스 분사 노즐
150 : 분사 가스 유도 부재100: Wafer receiving cassette in side storage
110: casing
120: wafer support
140: inner rear gas injection unit for the wafer receiving cassette of the side storage
141: inner rear gas injection body member
142: gas injection nozzle
150: injection gas guide member

Claims (4)

서로 다른 높이로 복수 개의 웨이퍼가 적층될 수 있도록 복수 개의 웨이퍼 지지체가 서로 다른 높이로 형성되는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 후면에 배치되어, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부로 퍼지 가스를 분사하기 위한 것으로서,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부 후면에 배치되고, 그 내부를 따라 외부로부터 공급되는 상기 퍼지 가스가 유동되는 내부 후면 가스 분사 본체 부재;
상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재를 따라 유동되는 상기 퍼지 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부로 분사되는 복수 개의 가스 분사 노즐; 및
복수 개의 상기 가스 분사 노즐로부터 분사되는 상기 퍼지 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부에 적층된 상기 각 웨이퍼의 전반으로 퍼질 수 있도록, 복수 개의 상기 가스 분사 노즐에서 분사되는 상기 퍼지 가스 중의 적어도 일부를 복수 개의 상기 가스 분사 노즐로부터 분사되는 방향과 다른 방향으로 유도하는 분사 가스 유도 부재;를 포함하고,
상기 분사 가스 유도 부재는
상기 분사 가스 유도 부재는 서로 다른 높이로 복수 개 배치되고,
복수 개의 상기 분사 가스 유도 부재 중 서로 이웃하는 것 사이에 상기 웨이퍼의 후면부가 삽입되어, 상기 웨이퍼의 후면부가 상기 분사 가스 유도 부재에 의해 지지되고,
상기 분사 가스 유도 부재는
상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재로부터 일정 길이로 돌출되는 분사 가스 유도 몸체와,
복수 개의 상기 가스 분사 노즐에서 분사되는 상기 퍼지 가스 중의 적어도 일부가 상기 웨이퍼 지지체에 지지된 상태의 상기 웨이퍼의 외곽부 방향으로 향할 수 있도록, 상기 분사 가스 유도 몸체의 일측면에 형성되고, 상기 분사 가스 유도 몸체의 일측면으로부터 경사지게 형성되되, 상기 웨이퍼의 외곽부 방향을 향하도록 형성되는 경사면 형성체와,
상기 분사 가스 유도 몸체의 일측면과 상기 경사면 형성체의 외면을 서로 연통시키도록 상기 분사 가스 유도 몸체와 상기 경사면 형성체를 함께 관통하는 관통 유로를 포함하고,
상기 관통 유로는 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재로부터 상기 분사 가스 유도 몸체가 돌출된 방향을 기준으로 상기 경사면 형성체가 형성된 각도에 비해 상대적으로 더 큰 각도이되, 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재로부터 상기 분사 가스 유도 몸체가 돌출된 방향을 기준으로 90°보다는 작은 각도로 형성됨으로써, 상기 경사면 형성체를 따라 유도되어 유동되는 상기 퍼지 가스가 향하는 상기 웨이퍼의 외곽부보다 상대적으로 더 외곽 쪽으로 상기 퍼지 가스가 상기 관통 유로를 따라 유동되도록 유도되고,
상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재에는 돌출 회전 지지부가 일정 높이 돌출되고,
상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재에는 퍼지 가스가 분사되는 관통 연결 노즐이 형성되고,
상기 분사 가스 유도 부재는
상기 분사 가스 유도 몸체와 상기 돌출 회전 지지부를 함께 관통하여, 상기 분사 가스 유도 몸체가 상기 돌출 회전 지지부에 대해 상대적으로 일정 각도 범위 내에서 회동될 수 있도록 연결하는 가스 유도 회동축을 더 포함하고,
상기 분사 가스 유도 몸체 중 상기 관통 연결 노즐과 대면되는 면은 곡면으로 형성되어, 상기 가스 유도 회동축을 중심으로 상기 분사 가스 유도 몸체가 회전되는 정도에 따라, 상기 관통 연결 노즐과 상기 관통 유로의 연통 정도가 가변될 수 있게 되고,
상기 분사 가스 유도 몸체가 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재에 대해 수직을 이루는 상태에서는, 상기 관통 유로가 상기 관통 연결 노즐과 전체적으로 연통되고,
상기 가스 유도 회동축을 중심으로 상기 분사 가스 유도 몸체가 상기 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분을 향하도록 일정 각도 회동되면, 상기 관통 유로가 상기 관통 연결 노즐과 어긋나서 일정 부분만 서로 연통됨으로써, 상기 분사 가스 유도 몸체가 상기 내부 후면 가스 분사 본체 부재에 대해 수직을 이루는 상태일 때에 비해, 상기 관통 유로와 상기 관통 연결 노즐의 연통 정도가 상대적으로 감소되어, 상기 관통 유로와 상기 관통 연결 노즐을 따라 유동되는 상기 퍼지 가스의 속도가 상대적으로 더 커지게 되고, 그에 따라 상기 퍼지 가스가 상대적으로 더 멀리까지 도달될 수 있게 되므로, 상기 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분을 향하는 상기 관통 유로를 통해 상기 퍼지 가스가 분사되어 상기 웨이퍼의 상대적으로 더 외측 부분까지도 도달될 수 있게 되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 내부 후면 가스 분사 유닛.A plurality of wafer supports are disposed on the inner rear surface of the wafer receiving cassette of the side storage in which a plurality of wafer supports are formed at different heights so that a plurality of wafers can be stacked at different heights, and purge gas is sprayed into the inside of the wafer receiving cassette of the side storage. As for doing,
An inner rear gas injection body member disposed on the inner rear surface of the wafer receiving cassette of the side storage, and through which the purge gas supplied from the outside flows along the inside thereof;
A plurality of gas injection nozzles through which the purge gas flowing along the inner rear gas injection body member is injected into the wafer receiving cassette of the side storage; And
At least a portion of the purge gas injected from the plurality of gas injection nozzles so that the purge gas injected from the plurality of gas injection nozzles can spread across the entire wafer stacked in the wafer receiving cassette of the side storage Including; an injection gas guide member for guiding in a direction different from a direction injected from the plurality of gas injection nozzles,
The injection gas inducing member
A plurality of the injection gas guide members are disposed at different heights,
A rear portion of the wafer is inserted between adjacent ones of the plurality of injection gas guiding members, and the rear portion of the wafer is supported by the injection gas guiding member,
The injection gas inducing member
An injection gas induction body protruding from the inner rear gas injection body member to a predetermined length,
It is formed on one side of the injection gas induction body so that at least a portion of the purge gas injected from the plurality of gas injection nozzles can be directed toward the outer portion of the wafer supported by the wafer support, and the injection gas An inclined surface forming body formed to be inclined from one side of the induction body and directed toward the outer portion of the wafer,
And a through passage passing through the injection gas guiding body and the inclined surface forming member together to communicate the one side of the injection gas guiding body and the outer surface of the inclined surface forming member,
The through passage has a relatively larger angle than the angle at which the inclined surface forming body is formed with respect to the direction in which the injection gas guide body protrudes from the inner rear gas injection body member, and the injection gas from the inner rear gas injection body member Since the guide body is formed at an angle smaller than 90° based on the protruding direction, the purge gas is penetrated toward the outer side relatively more than the outer side of the wafer to which the purge gas guided and flowed along the inclined surface is directed. Is induced to flow along the flow path,
The inner rear gas injection body member has a protruding rotation support protruding at a certain height
A through connection nozzle through which a purge gas is injected is formed in the inner rear gas injection body member,
The injection gas inducing member
The injection gas guide body and the protruding rotation support part together, the gas guided rotation shaft connecting so that the injection gas guide body can be rotated within a relatively predetermined angle range with respect to the protruding rotation support part,
A surface of the injection gas guide body that faces the through connection nozzle is formed in a curved surface, so that communication between the through connection nozzle and the through flow path according to the degree of rotation of the injection gas guide body around the gas guide rotation axis The degree can be variable,
In a state in which the injection gas induction body is perpendicular to the inner rear gas injection body member, the through passage is in total communication with the through connection nozzle,
When the injection gas guiding body is rotated at a certain angle so that the injection gas guiding body faces a relatively more outer portion of the wafer about the gas guiding rotation axis, the through passage is shifted from the through connection nozzle and communicates only a predetermined portion with each other, so that the injection Compared to a state in which the gas guide body is perpendicular to the inner rear gas injection body member, the degree of communication between the through flow path and the through connection nozzle is relatively reduced, and flows along the through flow path and the through connection nozzle. Since the speed of the purge gas becomes relatively larger, and accordingly, the purge gas can be reached relatively farther, the purge gas is sprayed through the through flow path toward a relatively further outer portion of the wafer. Inner rear gas injection unit for the wafer receiving cassette of the side storage, characterized in that it is possible to reach even a relatively further outer portion of the wafer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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