KR102080015B1 - Gas division passage sturcture for wafer seating cassette of side storage - Google Patents

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KR102080015B1 KR1020180082340A KR20180082340A KR102080015B1 KR 102080015 B1 KR102080015 B1 KR 102080015B1 KR 1020180082340 A KR1020180082340 A KR 1020180082340A KR 20180082340 A KR20180082340 A KR 20180082340A KR 102080015 B1 KR102080015 B1 KR 102080015B1
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Abstract

개시되는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조가 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상승 유로관 및 복수의 분지 유로관을 포함하고, 상기 각 상승 유로관과 상기 각 분지 유로관의 연결 지점은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 가스 공급 원관을 통해 공급된 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상기 상승 유로관 및 복수의 상기 분지 유로관을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 함께 공급될 수 있으므로, 단일한 가스 배관을 통해 각 웨이퍼에 상기 가스를 공급하던 종래 방식에 비해 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼에 각각 공급되는 상기 가스의 압력이 균일해질 수 있게 되는 장점이 있다.The gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage disclosed includes an original pipe connecting split branch pipe, a plurality of rising flow path pipes, and a plurality of branch flow path pipes, and the connection points of each of the rising flow path pipes and the branch flow path pipes By being formed at different heights in the wafer storage cassettes of the side storage, respectively, the gas supplied through the gas supply source pipe is uniform while passing through the pipe connection split branch pipe, the plurality of ascending flow path pipes, and the plurality of branch flow path pipes. Since the pressure can be supplied together inside the wafer receiving cassette of the side storage, the respective ones supplied to the respective wafers disposed at different heights compared to the conventional method of supplying the gas to each wafer through a single gas pipe. There is an advantage that the pressure of the gas can be made uniform.

Description

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조{Gas division passage sturcture for wafer seating cassette of side storage}Gas division passage sturcture for wafer seating cassette of side storage

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a gas branch flow path structure for a wafer accommodating cassette of side storage.

반도체 제조를 위한 웨이퍼의 가공을 위해서는 웨이퍼 이송 자동화 모듈(EFEM, equipment front end module)이 사용되는데, 이러한 웨이퍼 이송 자동화 모듈에는 웨이퍼를 가공하는 공정 챔버(process chamber)와, 상기 공정 챔버 내부로 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)와, 상기 트랜스퍼 챔버 전에 웨이퍼가 거치는 로드락 챔버(loadlock chamber)와, 상기 공정 챔버를 경유한 웨이퍼가 일정 시간 동안 수용되는 사이드 스토리지(side storage)를 포함한다.A wafer front automation module (EFEM) is used to process a wafer for semiconductor manufacturing. The wafer front automation module includes a process chamber for processing a wafer and a wafer into the process chamber. The transfer chamber includes a transfer chamber, a loadlock chamber through which a wafer passes before the transfer chamber, and side storage in which a wafer via the process chamber is accommodated for a predetermined time.

위와 같은 사이드 스토리지의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것이다.One example of such side storage that can be presented is that of the patent document presented below.

상기 사이드 스토리지에서 웨이퍼가 수용되는 부분이 웨이퍼 수용 카세트인데, 이러한 웨이퍼 수용 카세트에 웨이퍼가 머무는 동안, 웨이퍼 쪽으로 퍼지 가스 등의 가스가 분사되어, 웨이퍼에 묻은 이물질을 제거하게 된다. 따라서, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에는 가스 분사를 위한 유로가 형성된다.A portion of the side storage in which the wafer is accommodated is a wafer accommodating cassette. While the wafer stays in the wafer accommodating cassette, a gas such as a purge gas is injected toward the wafer to remove foreign substances from the wafer. Therefore, a flow path for gas injection is formed in the wafer accommodating cassette of the side storage.

그러나, 종래의 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분사를 위한 유로에 의하면, 상기 웨이퍼 수용 카세트의 벽면 쪽에 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면에서 상단까지 연결된 가스 배관이 형성되고, 그러한 가스 배관을 통해 상기 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 공급된 가스가 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면에서 상기 웨이퍼 수용 카세트의 상단까지 수직 방향으로 그대로 상승되면서 단일한 가스 배관을 통해 공급되다가, 각 웨이퍼 사이의 노즐을 통해 분사되는 구조를 이룸으로써, 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면으로부터 상기 웨이퍼 수용 카세트의 상단으로 갈수록 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일하지 못하게 되는 문제가 있었다.However, according to the flow path for gas injection for the wafer storage cassette of the conventional side storage, a gas pipe connected from the bottom to the top of the wafer storage cassette is formed on the wall surface of the wafer storage cassette, and the wafer storage is carried out through such a gas pipe. The gas supplied from the outside of the cassette rises in the vertical direction from the bottom surface of the wafer accommodating cassette to the top of the wafer accommodating cassette as it is supplied through a single gas pipe, and is then sprayed through the nozzle between each wafer. In addition, there is a problem in that the pressure of the gas supplied to each of the wafers arranged at different heights from the bottom of the wafer accommodating cassette toward the top of the wafer accommodating cassette becomes uneven.

등록특허 제 10-1758213호, 등록일자: 2017.07.10., 발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지Patent Registration No. 10-1758213, date of registration: July 10, 2017, title of the invention: side storage with a gas nozzle plate

본 발명은 웨이퍼 수용 카세트 내에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일해질 수 있는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a gas branch flow path structure for a wafer storage cassette of a side storage in which the pressure of the gas supplied to each wafer disposed at different heights in the wafer storage cassette can be uniform.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 가스 공급을 위해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 가스가 공급되는 가스 공급 원관 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주는 복수의 노즐을 연결하여, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스를 상기 각 노즐까지 분배하기 위한 것으로서,
상기 가스 공급 원관과 연결되되, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스가 복수로 분할 유동되도록 상기 가스 공급 원관으로부터 복수로 분할된 형태로 이루어지는 원관 연결 분할 분지관; 상기 원관 연결 분할 분지관의 복수의 각 말단부와 연결되되, 상기 원관 연결 분할 분지관을 통해 각각 유동된 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부를 따라 복수의 유로로 각각 상승되도록 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부를 따라 상하 방향으로 연결된 복수의 상승 유로관; 및 상기 각 상승 유로관과 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 형성된 상기 각 노즐을 연결하는 복수의 분지 유로관;을 포함하고,
상기 각 상승 유로관과 상기 각 분지 유로관의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상기 상승 유로관 및 복수의 상기 분지 유로관을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 함께 공급될 수 있고, 상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 바닥 부분에서 수평 방향으로 복수로 분지된 형태를 이루고, 상기 각 상승 유로관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 수직 방향으로 서로 이격된 형태로 배열되고, 상기 각 분지 유로관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 수평 방향으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 서로 다른 높이 상에 각각 배열되고, 상기 각 상승 유로관은 상기 각 노즐의 외곽 쪽을 따라 각각 배열되고, 상기 각 분지 유로관은 상기 각 노즐의 중앙부와 연결되어 상기 가스를 공급하되, 상기 각 상승 유로관에서 분지되는 상기 각 분지 유로관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 하부에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상부로 갈수록 서로 대향되는 방향으로 상기 가스를 각각 공급하고, 상기 각 분지 유로관은 서로 다른 높이의 상기 각 노즐 사이로 배열되어, 그 이웃하는 적어도 두 개의 상기 노즐에 상기 가스를 공급하고, 상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 바닥 부분에서 수평 방향으로 서로 멀어지도록 복수 개로 분지되되, 상기 각 노즐의 각 외곽까지 각각 연장되고,
상기 상승 유로관은 상기 원관 연결 분할 분지관의 일 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에서 상기 각 노즐의 일 측 외곽을 따라 상승하는 형태로 배열되는 제 1 상승 유로관과, 상기 원관 연결 분할 분지관의 타 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에서 상기 각 노즐의 타 측 외곽을 따라 상승하는 형태로 배열되는 제 2 상승 유로관을 포함하고,
상기 분지 유로관은 상기 제 1 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 노즐 중 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐 중 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 제 1 분지 유로관과, 상기 제 2 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 제 2 분지 유로관과, 상기 제 2 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관 및 상기 제 2 분지 유로관과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관 및 상기 제 2 분지 유로관과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 제 3 분지 유로관을 포함하고,
상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스는 상기 제 2 분지 유로관 및 상기 제 3 분지 유로관을 따라 각각 유동되는 상기 가스와 서로 대향류가 되는 방향으로 유동되는 것을 특징으로 한다.The gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage according to an aspect of the present invention is a gas supply pipe for supplying the gas from the outside of the wafer storage cassette of the side storage to supply gas to the wafer storage cassette of the side storage and the It is for distributing the gas supplied through the gas supply source pipe to each nozzle by connecting a plurality of nozzles for respectively injecting the gas between the wafers arranged at different heights in the wafer storage cassette of the side storage,
A primary pipe connection split branch pipe connected to the gas supply pipe and formed in a plurality of shapes from the gas supply pipe so that the gas supplied through the gas supply pipe is divided and flowed in plurality; The side storage may be connected to a plurality of end portions of the pipe connection split branch pipe, and the gas flowing through the pipe connection split branch pipe may respectively rise to a plurality of flow paths along the inside of the wafer receiving cassette of the side storage. A plurality of upward flow path tubes connected in an up and down direction along an inside of the wafer accommodating cassette; And a plurality of branch flow path pipes connecting the nozzles formed at different heights to each of the rising flow path pipes and the wafer storage cassette of the side storage.
The connection points of each of the rising flow path pipes and the branch flow path pipes are formed at different heights in the wafer receiving cassette of the side storage, respectively, such that the gas supplied through the gas supply pipe pipe is connected to the pipe connection split branch pipe, Via a plurality of said rising flow path pipe | tube and a plurality of said branch flow path pipe | tubes, it can be supplied together in the wafer accommodation cassette of the said side storage at a uniform pressure, and the said pipe connection division branch pipe is the wafer accommodation cassette of the said side storage. A plurality of branches in the horizontal direction at the bottom portion of the plurality of rising flow paths are arranged in a shape spaced apart from each other in the vertical direction of the wafer storage cassette of the side storage, each branch flow path of the side storage Said side story in the horizontal direction of the wafer receiving cassette Are respectively arranged on different heights of the wafer receiving cassettes of the wafer receiving cassettes, and each of the rising flow path tubes is arranged along the outer side of the nozzles, and each of the branch flow path tubes is connected to a central portion of the nozzles to supply the gas. The branch flow paths branched from each of the rising flow path pipes respectively supply the gas in a direction facing each other toward the top of the wafer storage cassette of the side storage from the lower side of the wafer storage cassette of the side storage. Each branch flow path is arranged between each nozzle of different heights so as to supply the gas to at least two neighboring nozzles thereof, and the pipe connection split branch pipe is horizontal in the bottom portion of the wafer receiving cassette of the side storage. In a plurality of branches so as to move away from each other in the direction, It extends to each of cartons,
The rising passage pipe is formed in a form bent at one end of the tube connecting split branch pipe, the first rising passage is arranged in the form of rising along the outer side of the one side of each nozzle in the wafer storage cassette of the side storage A pipe and a second upward flow path tube formed in a form bent at the other end of the circular connection connecting branch pipe, and being arranged along the outer side of each nozzle in the wafer storage cassette of the side storage. Including,
The branch flow path tube is branched from the first upward flow path tube and is arranged between two neighboring ones of the plurality of nozzles, the gas together with a plurality of the nozzles including the two neighboring ones of the plurality of nozzles. The first branch flow path pipe for splitting supply and branched from the second rising flow path pipe, the plurality of nozzles are arranged along the two adjacent neighboring non-connected with the first branch flow path pipe, A second branch flow path pipe for dividing and supplying the gas together to the plurality of nozzles including the two neighboring nozzles which are not connected to the first branch flow path pipe, and branched from the second upward flow path pipe, The first branch flow path tube and the second branch flow path tube arranged between two adjacently unconnected, and the first branch flow path tube of the plurality of nozzles and the A third branch flow path tube for dividing and supplying the gas together to a plurality of nozzles including the two neighboring two which are not connected with a second branch flow path tube;
The gas flowing along the first branch flow path tube may flow in a direction in which the gas flows along the second branch flow path pipe and the third branch flow path pipe and face each other.

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본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조에 의하면, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조가 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상승 유로관 및 복수의 분지 유로관을 포함하고, 상기 각 상승 유로관과 상기 각 분지 유로관의 연결 지점은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 가스 공급 원관을 통해 공급된 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상기 상승 유로관 및 복수의 상기 분지 유로관을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 함께 공급될 수 있으므로, 단일한 가스 배관을 통해 각 웨이퍼에 상기 가스를 공급하던 종래 방식에 비해 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼에 각각 공급되는 상기 가스의 압력이 균일해질 수 있게 되는 효과가 있다.According to the gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage according to an aspect of the present invention, the gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage is a primary connection split branch pipe, a plurality of ascending flow pipes and a plurality of branch flow paths. And a connection point of each of the rising flow path pipes and the branch flow path pipes is formed at different heights in the wafer storage cassette of the side storage, respectively, so that the gas supplied through the gas supply pipe pipe is divided into the pipe connection splitting parts. The gas can be supplied to each wafer through a single gas pipe since it can be supplied together inside the wafer receiving cassette of the side storage at a uniform pressure while passing through the branch pipe, the plurality of the up flow pipes, and the plurality of the branch flow pipes. On each wafer placed at a different height than the conventional method There is an effect that the pressure of each of the supplied gas can be made uniform.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조가 적용된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 위에서 내려다본 수평 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조를 정면에서 바라본 수직 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조의 가스 흐름을 보이는 수직 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조를 정면에서 바라본 수직 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조에 적용되는 제 1 압력 조절 부재를 보이는 단면도.
도 6은 도 5에 도시된 제 1 압력 조절 부재가 확장된 모습을 보이는 단면도.1 is a horizontal cross-sectional view from above of a wafer storage cassette of a side storage to which a gas branch flow path structure for a wafer storage cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention is applied;
2 is a vertical cross-sectional view of the gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage according to the embodiment of the present invention;
3 is a vertical cross-sectional view showing the gas flow of the gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage shown in FIG.
4 is a vertical cross-sectional view of the gas branch flow path structure for the wafer accommodating cassette of the side storage according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a first pressure regulating member applied to the gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing an expanded state of the first pressure regulating member shown in FIG.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조에 대하여 설명한다.Hereinafter, a gas branch flow path structure for a wafer accommodating cassette of side storage according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조가 적용된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 위에서 내려다본 수평 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조를 정면에서 바라본 수직 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조의 가스 흐름을 보이는 수직 단면도이다.1 is a horizontal cross-sectional view from above of a wafer storage cassette of the side storage to which the gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage according to an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is a side according to an embodiment of the present invention. A vertical sectional view of the gas branch flow path structure for the wafer accommodating cassette of the storage is seen from the front, and FIG. 3 is a vertical sectional view showing the gas flow of the gas branch flow path structure for the wafer accommodating cassette of the side storage shown in FIG. 2.

도 1 내지 도 3을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조(150)는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)에 가스 공급을 위해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 외부에서 상기 가스가 공급되는 가스 공급 원관(135) 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼(W) 사이로 상기 가스를 각각 분사해주는 복수의 노즐(132)을 연결하여, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스를 상기 각 노즐(132)까지 분배하기 위한 것으로서, 원관 연결 분할 분지관(151)과, 복수의 상승 유로관(152, 153)과, 복수의 분지 유로관(154, 155, 156)을 포함하고, 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 함께 공급될 수 있는 것을 특징으로 한다.1 to 3 together, the gas branch flow path structure 150 for the wafer storage cassette of the side storage according to the embodiment of the present invention accommodates the wafer of the side storage for supplying gas to the wafer storage cassette 100 of the side storage. A plurality of injecting the gas between the gas supply source pipe 135 to which the gas is supplied from the outside of the cassette 100 and each of the wafers (W) disposed at different heights inside the wafer receiving cassette 100 of the side storage. To connect the nozzles 132 to distribute the gas supplied through the gas supply source pipe 135 to the respective nozzles 132, a primary pipe connection split branch pipe 151, and a plurality of upward flow path pipes. (152, 153) and a plurality of branch flow path pipes (154, 155, 156), the connection point of each of the rising flow path pipes (152, 153) and each of the branch flow path pipes (154, 155, 156) Side stoke By being formed at different heights in the wafer receiving cassette 100 of the ridge, respectively, the gas supplied through the gas supply pipe 135 is connected to the pipe connection split branch pipe 151 and the plurality of upward flow path pipes 152. , 153 and a plurality of branch flow path tubes 154, 155, and 156, which may be supplied together into the wafer receiving cassette 100 of the side storage at a uniform pressure.

도면 번호 110은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스로 그 내부에 상기 웨이퍼가 복수 개 서로 다른 높이로 수용되는 것이고, 도면 번호 120은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 내부의 양 측면에서 서로 다른 높이로 복수 개 돌출되어 상기 각 웨이퍼를 받쳐주는 웨이퍼 받침대이다.Reference numeral 110 denotes a case of the wafer storage cassette 100 of the side storage, in which a plurality of wafers are accommodated at different heights, and reference numeral 120 denotes a case of the wafer storage cassette 100 of the side storage. 110) A plurality of wafer pedestals protruding at different heights from both sides of the inside to support the respective wafers.

도면 번호 130은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 후면에 설치되어, 외부에서 공급되는 퍼지 가스 등의 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 내부의 상기 각 웨이퍼 쪽으로 후방에서 분사해주는 후면 분사 유닛이고, 도면 번호 140은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 내부의 양 전방 측면에 각각 설치되어, 외부에서 공급되는 퍼지 가스 등의 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 내부의 상기 각 웨이퍼 쪽으로 각 측방에서 분사해주는 측면 분사 유닛이다.Reference numeral 130 is installed at the back of the case 110 of the wafer storage cassette 100 of the side storage, and the gas such as purge gas supplied from the outside is inside the case 110 of the wafer storage cassette 100 of the side storage. The rear injection unit for spraying from the rear toward each of the wafer, the reference numeral 140 is respectively installed on both front sides of the inside of the case 110 of the wafer storage cassette 100 of the side storage, purge gas, etc. supplied from the outside Is a side ejection unit for injecting the gas from each side toward each of the wafers inside the case 110 of the wafer storage cassette 100 of the side storage.

도면 번호 131은 상기 각 노즐(132)이 서로 다른 높이로 배열되고, 그 하부에 상기 가스 공급 원관(135)이 연결되는 후면 분사 케이스이다.Reference numeral 131 denotes a rear injection case in which the nozzles 132 are arranged at different heights and the gas supply pipe 135 is connected to a lower portion thereof.

본 실시예에서는, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조(150)가 상기 후면 분사 유닛(130)에 적용되는 것으로 제시되나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로, 상기 측면 분사 유닛(140)에도 동일하게 적용될 수 있고, 그 중복되는 설명은 상기 후면 분사 유닛(130)에 적용되는 설명으로 갈음하기로 한다.In the present embodiment, the gas branch flow path structure 150 for the wafer storage cassette of the side storage is shown to be applied to the rear injection unit 130, but for convenience of description, the side injection unit 140 The same may also be applied to, the overlapping description will be replaced with the description applied to the rear injection unit 130.

복수의 상기 노즐(132)은 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주도록 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131) 내부에 배치되되, 상기 각 노즐(132)은 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 일정 길이로 길게 형성되며, 상기 각 노즐(132)에는 각각 복수 개의 분사공(133)이 형성됨으로써, 상기 각 노즐(132)을 통해 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 넓게 상기 가스가 분사될 수 있게 된다.The plurality of nozzles 132 are disposed in the wafer accommodation cassette 100 of the side storage, in this case, the rear injection case 131 to inject the gas between the wafers disposed at different heights, respectively. Each nozzle 132 is formed to have a predetermined length in the width direction of each wafer, and each of the nozzles 132 is formed with a plurality of injection holes 133, respectively, through the respective nozzles 132 The gas can be injected wide in the width direction of.

상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 가스 공급 원관(135)과 연결되되, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 복수로 분할 유동되도록 상기 가스 공급 원관(135)으로부터 복수로 분할된 형태로 이루어지는 것이다.The pipe connection split branch pipe 151 is connected to the gas supply pipe 135, and a plurality of gas from the gas supply pipe 135 so that the gas supplied through the gas supply pipe 135 is divided into a plurality of flows. It is made in a divided form.

상세히, 상기 가스 공급 원관(135)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분을 통해 외부의 가스 공급 유닛(미도시)과 연결되고, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분에서 상기 가스 공급 원관(135)과 연통되되 수평 방향으로 복수로 분지된 형태를 이룬다.In detail, the gas supply pipe 135 is connected to an external gas supply unit (not shown) through a bottom portion of the wafer storage cassette 100 of the side storage, in this case, the rear injection case 131, and connects the pipe. The split branch pipe 151 communicates with the gas supply pipe 135 at the bottom of the wafer storage cassette 100 of the side storage, in this case, the rear injection case 131, and forms a plurality of branches in the horizontal direction. .

더욱 상세히, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분에서 수평 방향으로 서로 멀어지도록 복수 개로 분지되되, 상기 각 노즐(132)의 각 외곽까지 각각 연장된다.In more detail, the pipe connection split branch pipe 151 is divided into a plurality of branches so as to move away from each other in the horizontal direction from the bottom portion of the wafer storage cassette 100 of the side storage, in this case, the rear injection case 131, each nozzle It extends to each outer edge of 132, respectively.

본 실시예에서는, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)이 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 바닥 부분, 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분의 중앙부에서 상기 가스 공급 원관(135)과 연결되되 그로부터 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분의 양 측면 방향을 따라 두 갈래로 수평 방향으로 서로 대칭되도록 분지되되, 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 노즐(132)의 각 외곽 부분에 이르기까지 연장된 형태를 이룬다.In this embodiment, the pipe connection split branch pipe 151 is the gas supply source pipe 135 at the center of the bottom portion of the wafer storage cassette 100 of the side storage, here the bottom portion of the rear injection case 131. And branched from each other in two horizontal directions along both side directions of the bottom portion of the rear injection case 131 therefrom, respectively, in each of the outer portions of the nozzles 132 in the rear injection case 131. To extend to form.

복수의 상기 상승 유로관(152, 153)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 복수의 각 말단부와 연결되되, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)을 통해 각각 유동된 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 내부를 따라 복수의 유로로 각각 상승되도록 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131) 내부를 따라 상하 방향으로 연결된 것이다.The plurality of upward flow path pipes 152 and 153 may be connected to a plurality of end portions of the pipe connection split branch pipe 151, and the gas flowing through the pipe connection split branch pipe 151 may be respectively stored in the side storage. The wafer receiving cassette 100 of the side storage so that the plurality of flow paths are respectively raised along the inside of the rear jetting case 131, and up and down along the inside of the rear jetting case 131. It is connected in the direction.

상세히, 상기 각 상승 유로관(152, 153)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 수직 방향으로 서로 이격된 형태로 배열된다.In detail, each of the rising flow path tubes 152 and 153 is arranged to be spaced apart from each other in the vertical direction of the wafer accommodation cassette 100 of the side storage, in this case, the rear injection case 131.

더욱 상세히, 상기 각 상승 유로관(152, 153)은 상기 각 노즐(132)의 외곽 쪽을 따라 각각 배열된다.In more detail, each of the upward flow path tubes 152 and 153 is arranged along the outer side of each nozzle 132, respectively.

본 실시예에서는, 상기 상승 유로관(152, 153)은 제 1 상승 유로관(152)과, 제 2 상승 유로관(153)을 포함한다.In the present embodiment, the rising flow path pipes 152 and 153 include a first rising flow pipe 152 and a second rising flow pipe 153.

상기 제 1 상승 유로관(152)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 일 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 노즐(132)의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열되는 것이다.The first upward flow path tube 152 is formed to be bent at one end portion of the pipe connection split branch pipe 151, the wafer storage cassette 100 of the side storage, in this case the rear injection case 131 At each of the nozzles 132 is arranged in a vertical rising form along the outer side.

상기 제 2 상승 유로관(153)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 타 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 노즐(132)의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열된다.The second upward flow path tube 153 is formed to be bent at the other end of the pipe connection split branch pipe 151, the wafer storage cassette 100 of the side storage, here the rear injection case 131 At each of the nozzles 132 is arranged in the form of rising vertically along the other side.

상기 제 1 상승 유로관(152)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 노즐(132)의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 일 측면 중앙부까지 연장된 형태를 이루고, 상기 제 2 상승 유로관(153)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 노즐(132)의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면 상부까지 연장된 형태를 이룬다.The first upward flow path tube 152 is arranged in a vertically raised shape along the outer periphery of each nozzle 132 in the wafer accommodation cassette 100 of the side storage, in this case, the rear injection case 131. The wafer storage cassette 100 of the side storage, in this case, extends to the central portion of one side of the rear injection case 131, and the second upward flow passage 153 is the wafer storage cassette 100 of the side storage. In this case, the rear injection case 131 is arranged in a vertically raised form along the outer side of each nozzle 132, the wafer storage cassette 100 of the side storage, here the rear injection case 131 It extends to the top of the other side of).

복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131) 내부에 서로 다른 높이로 형성된 상기 각 노즐(132)을 연결하는 것이다.The branch flow path pipes 154, 155, and 156 may have different heights in the respective rising flow path pipes 152 and 153 and the wafer storage cassette 100 of the side storage, in this case, inside the rear injection case 131. It is to connect the respective nozzles 132 formed.

상세히, 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 수평 방향으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 서로 다른 높이 상에 각각 배열되는 것이다.In detail, each of the branch flow paths 154, 155, and 156 may be a wafer accommodating cassette 100 of the side storage, in this case, a wafer accommodating cassette 100 of the side storage in the horizontal direction of the rear ejection case 131. They are arranged on different heights of the rear injection case 131, respectively.

더욱 상세히, 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 각 노즐(132)의 중앙부와 연결되어 상기 가스를 공급하되, 상기 각 상승 유로관(152, 153)에서 분지되는 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 상부로 갈수록 서로 교차되도록 대향되는 방향으로 상기 가스를 각각 공급한다.In more detail, each branch flow path pipe (154, 155, 156) is connected to the central portion of the nozzle 132 to supply the gas, each branch flow path branched from each of the rising flow path pipe (152, 153) Tubes 154, 155, and 156 are wafer receiving cassettes 100 of the side storage, here the wafer receiving cassettes 100 of the side storage at the bottom of the rear jetting case 131, here the rear jetting cases 131. The gases are supplied in opposite directions so as to cross each other toward the top of each other.

상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 서로 다른 높이의 상기 각 노즐(132) 사이로 배열되어, 그 이웃하는 적어도 두 개의 상기 노즐(132)에 상기 가스를 공급한다.The branch flow path tubes 154, 155, and 156 are arranged between the nozzles 132 having different heights to supply the gas to at least two neighboring nozzles 132.

본 실시예에서는, 상기 분지 유로관(154, 155, 156)은 제 1 분지 유로관(154)과, 제 2 분지 유로관(155)과, 제 3 분지 유로관(156)을 포함한다.In this embodiment, the branch flow path pipes 154, 155, and 156 include a first branch flow pipe 154, a second branch flow pipe 155, and a third branch flow pipe 156.

상기 제 1 분지 유로관(154)은 상기 제 1 상승 유로관(152)에서 분지되되, 복수의 상기 노즐(132) 중 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐(132) 중 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The first branch flow path tube 154 is branched from the first upward flow path tube 152, and is arranged along two neighboring two of the plurality of nozzles 132, and the plurality of nozzles 132 of the plurality of nozzles 132. The gas is dividedly supplied to the plurality of nozzles 132 including two neighboring parts.

상기 제 2 분지 유로관(155)은 상기 제 2 상승 유로관(153)에서 분지되되, 복수의 상기 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The second branch flow path tube 155 is branched from the second upward flow path tube 153, and is disposed between two neighboring non-connected ones of the plurality of nozzles 132 with the first branch flow path tube 154. Arranged, the gas is dividedly supplied to the plurality of nozzles 132 including the neighboring two that are not connected to the first branch flow path tube 154 of the plurality of nozzles 132.

상기 제 3 분지 유로관(156)은 상기 제 2 상승 유로관(153)에서 분지되되, 복수의 상기 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154) 및 상기 제 2 분지 유로관(155)과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154) 및 상기 제 2 분지 유로관(155)과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The third branch flow path tube 156 is branched from the second upward flow path tube 153, and among the plurality of nozzles 132, the first branch flow path tube 154 and the second branch flow path tube 155. And the two unconnected neighbors arranged together with each other, the plurality of nozzles 132 including the neighboring two unconnected with the first branch flow channel 154 and the second branch flow channel 155. The gas is dividedly supplied to the plurality of nozzles 132 together.

상기 제 1 분지 유로관(154)을 따라 유동되는 상기 가스는 상기 제 2 분지 유로관(155) 및 상기 제 3 분지 유로관(156)을 따라 각각 유동되는 상기 가스와 서로 평행하되, 서로 대향류가 되는 방향으로 유동된다.The gas flowing along the first branch flow path tube 154 is parallel to each other and flows along the second branch flow path pipe 155 and the third branch flow path pipe 156, respectively, and is opposed to each other. Flow in the direction of.

상기 제 1 분지 유로관(154), 상기 제 2 분지 유로관(155) 및 상기 제 3 분지 유로관(156)은 복수 개의 상기 노즐(132) 중 동일한 것에는 연결되지 아니하고, 복수 개의 상기 노즐(132) 중 서로 다른 것에만 연결된다.The first branch flow path tube 154, the second branch flow path tube 155, and the third branch flow path tube 156 are not connected to the same one of the plurality of nozzles 132, and the plurality of nozzles ( 132) are connected only to different ones.

또한, 상기 제 1 분지 유로관(154)이 복수 개의 상기 노즐(132) 중 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부 높이에 있는 것에 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 일 측면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 2 분지 유로관(155)이 복수 개의 상기 노즐(132) 중 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부 높이에 있는 것에 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 3 분지 유로관(156)이 복수 개의 상기 노즐(132) 중 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 상부 높이에 있는 것에 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하는 형태를 이룬다.The wafer of the side storage is that the first branch flow passage 154 is at the height of the center portion of the wafer storage cassette 100 of the side storage of the plurality of nozzles 132, in this case, the rear injection case 131. The gas is supplied toward a center portion of the wafer storage cassette 100 of the side storage, in this case, the rear side injection case 131 from one side of the accommodation cassette 100, here the rear side injection case 131, A branch flow path 155 is at a lower height of the wafer storage cassette 100 of the side storage, here the rear ejection case 131, of the plurality of nozzles 132. , Here the wafer receiving cassette 100 of the side storage on the other side of the backside injection case 131, here the backside injection The gas is supplied toward the center portion of the case 131, and the third branch flow path 156 is provided with a wafer accommodating cassette 100 of the side storage among the nozzles 132, in this case, the rear injection case 131. At the other side of the wafer storage cassette 100 of the side storage, here the back side injection case 131, of the wafer storage cassette 100 of the side storage, here the back side injection case 131. The gas is supplied toward the center portion.

도면 번호 157은 복수 개의 상기 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 연결된 것들과 상기 제 1 분지 유로관(154)을 연결시켜주는 제 1 말단 유로이고, 도면 번호 158은 복수 개의 상기 노즐(132) 중 상기 제 2 분지 유로관(155)과 연결된 것들과 상기 제 2 분지 유로관(155)을 연결시켜주는 제 2 말단 유로이고, 도면 번호 159는 복수 개의 상기 노즐(132) 중 상기 제 3 분지 유로관(156)과 연결된 것들과 상기 제 3 분지 유로관(156)을 연결시켜주는 제 3 말단 유로이다.Reference numeral 157 denotes a first terminal flow path connecting the first branch flow path pipe 154 and those connected to the first branch flow path pipe 154 among the plurality of nozzles 132, and reference numeral 158 denotes a plurality of nozzles 132. The nozzle 132 is a second terminal flow path connecting the second branch flow path pipe 155 and the second branch flow path pipe 155, the reference numeral 159 is a plurality of the nozzle 132 And a third terminal flow path connecting the third branch flow pipe 156 to the third branch flow pipe 156.

이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조(150)의 작동에 대하여 간단히 설명한다.Hereinafter, an operation of the gas branch flow path structure 150 for the wafer storage cassette of the side storage according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부에 연결된 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151)을 통해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부를 통해 양 방향으로 퍼진다.First, the gas supplied through the wafer supply cassette 100 of the side storage, in this case, the gas supply source pipe 135 connected to the lower portion of the rear injection case 131 is supplied through the pipe connection split branch pipe 151. The wafer storage cassette 100 of the side storage, in this case, spreads in both directions through the lower portion of the rear injection case 131.

그런 다음, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 각 말단부에 연결된 상기 각 상승 유로관(152, 153)을 통해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100), 여기서는 상기 후면 분사 케이스(131)의 각 측면을 따라 상기 가스가 동시에 상승된다.Then, the wafer receiving cassette 100 of the side storage, in this case, each of the rear injection case 131, through each of the rising channel pipes 152 and 153 connected to each distal end of the original pipe connecting split branch pipe 151. The gases are simultaneously raised along the sides.

그런 다음, 상기 각 상승 유로관(152, 153)에서 각각 분지된 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 통해 상기 가스가 각각 유동되어 상기 각 노즐(132)에 함께 공급됨으로써, 상기 각 노즐(132)을 통해 균일한 압력으로 상기 각 웨이퍼로 상기 가스가 분사될 수 있게 된다.Then, the gas flows through the branch flow path pipes 154, 155, and 156 branched from each of the rising flow path pipes 152 and 153, respectively, and is supplied together to the nozzles 132, thereby providing the respective nozzles. Through 132, the gas may be injected to the respective wafers at a uniform pressure.

상기와 같이, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조(150)가 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 포함하고, 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 함께 공급될 수 있으므로, 단일한 가스 배관을 통해 상기 각 웨이퍼에 상기 가스를 공급하던 종래 방식에 비해 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼에 각각 공급되는 상기 가스의 압력이 균일해질 수 있게 된다.As described above, the gas branch flow path structure 150 for the wafer storage cassette of the side storage includes the original pipe connecting split branch pipe 151, the plurality of rising flow path pipes 152 and 153, and the plurality of branch flow path pipes 154. , 155, and 156, wherein the connection points of each of the rising flow paths 152 and 153 and the branch flow paths 154, 155 and 156 are different from each other inside the wafer receiving cassette 100 of the side storage. The gas supplied through the gas supply source pipe 135 may be formed at a height, such that the gas connecting split branch pipe 151, the plurality of rising flow path pipes 152 and 153, and the plurality of branch flow path pipes 154 are formed. , 155, 156 can be supplied together with the inside of the wafer storage cassette 100 of the side storage at a uniform pressure, compared to the conventional method of supplying the gas to each wafer through a single gas pipe Different high The pressure of the gas to be supplied to each of the wafer arrangement to be able to be uniform.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 일 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, a gas branch flow path structure for a wafer storage cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out this description, descriptions overlapping with those already described in the above-described embodiments of the present invention will be replaced with the description thereof, and will be omitted herein.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조를 정면에서 바라본 수직 단면도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조에 적용되는 제 1 압력 조절 부재를 보이는 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 제 1 압력 조절 부재가 확장된 모습을 보이는 단면도이다.4 is a vertical cross-sectional view of a gas branch flow path structure for a wafer storage cassette of the side storage according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a gas branch for the wafer storage cassette of the side storage according to another embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows the 1st pressure regulating member applied to a flow path structure, and FIG. 6 is sectional drawing which shows the expanded state of the 1st pressure regulating member shown in FIG.

도 4 내지 도 6을 함께 참조하면, 본 실시예에서는, 각 분지 유로관(254, 255, 256) 상에 압력 조절 부재(260, 270, 280)가 각각 적용된다.4 to 6, in the present embodiment, pressure adjusting members 260, 270, and 280 are applied to the branch flow paths 254, 255, and 256, respectively.

상기 각 압력 조절 부재(260, 270, 280)는 상기 각 분지 유로관(254, 255, 256) 내부의 각 가스의 유동 압력이 동일해지도록 조절할 수 있는 것이다.Each of the pressure regulating members 260, 270, and 280 may adjust the flow pressure of each gas in the branch flow path tubes 254, 255, and 256 to be the same.

상세히, 제 1 분지 유로관(254)에는 제 1 압력 조절 부재(260)가 적용되고, 제 2 분지 유로관(255)에는 제 2 압력 조절 부재(270)가 적용되고, 제 3 분지 유로관(256)에는 제 3 압력 조절 부재(280)가 적용된다.In detail, a first pressure regulating member 260 is applied to the first branch flow channel 254, a second pressure regulating member 270 is applied to the second branch flow channel 255, and a third branch flow channel tube ( The third pressure adjusting member 280 is applied to 256.

여기서, 상기 제 2 압력 조절 부재(270)와 상기 제 3 압력 조절 부재(280)의 구조는 상기 제 1 압력 조절 부재(260)의 구조와 동일하므로, 이하에서는 상기 제 1 압력 조절 부재(260)의 구조에 대하여 상세히 설명하고, 그러한 상기 제 1 압력 조절 부재(260)에 대한 설명으로 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280)에 대한 설명을 갈음한다.Here, since the structures of the second pressure regulating member 270 and the third pressure regulating member 280 are the same as those of the first pressure regulating member 260, the first pressure regulating member 260 will be described below. A detailed description will be given of the structure of the second pressure regulating member 270 and the third pressure regulating member 280 in the description of the first pressure regulating member 260.

상세히, 상기 제 1 압력 조절 부재(260)는 제 1 압력 조절 케이스(261)와, 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)과, 제 1 연결 수단(262)을 포함한다.In detail, the first pressure regulating member 260 includes a first pressure regulating case 261, a first pressure regulating elastic deformation means 265, and a first connecting means 262.

상기 제 1 압력 조절 케이스(261)는 상기 제 1 분지 유로관(254)의 일부가 외측으로 확장된 형태를 이루어, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)의 탄성 변형 시에 그러한 탄성 변형이 가능하도록 공간을 제공하는 것이다.The first pressure regulating case 261 has a form in which a part of the first branch flow path tube 254 is extended outward, so that such elastic deformation is caused when the first pressure regulating elastic deformation means 265 is elastically deformed. To provide space where possible.

상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)은 상기 제 1 분지 유로관(254) 내부에 배치되어, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력에 따라 탄성 변형되는 것이다.The first pressure-control elastic deformation means 265 is disposed inside the first branch flow path tube 254 and elastically deforms according to the flow pressure of the gas flowing along the first branch flow path tube 254. .

더욱 상세히, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)은 전체적으로 실리콘 고무 등 탄성을 가진 물질로 이루어지고 상기 제 1 분지 유로관(254)에서의 상기 가스의 유동 방향에 대해 수직 방향으로 일정 길이로 길게 형성된 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)와, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)에서 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 방향에 대면되는 면 상에 일정 곡률로 이루어진 곡면 형태로 함몰 형성되는 제 1 압력 조절 함몰면(267)을 포함한다.In more detail, the first pressure-control elastic deformation means 265 is made of an elastic material such as silicone rubber as a whole and has a predetermined length in a direction perpendicular to the flow direction of the gas in the first branch flow path tube 254. On the surface facing the flow direction of the gas flows along the first branch flow path tube 254 in the first pressure control elastic deformation body 266 and the first pressure control elastic deformation body 266 elongated And a first pressure regulating depression surface 267 formed in a curved shape having a predetermined curvature.

상기 제 1 연결 수단(262)은 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)를 상기 제 1 분지 유로관(254)의 내벽에 고정시킬 수 있는 볼트 등의 고정 수단이다.The first connecting means 262 is a fixing means such as a bolt that can fix the first pressure-control elastically deformable body 266 to the inner wall of the first branch flow path tube 254.

상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스가 제 1 유동 압력으로 유동되는 경우에는, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 변형되지 아니한 원형을 그대로 유지한다.When the gas flowing along the first branch flow passage 254 is flowed at a first flow pressure, as shown in FIG. 5, the first pressure regulating elastically deformable body 266 has a circular shape that is not deformed. Keep it.

그러다가, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력이 변하여 상기 제 1 유동 압력에 비해 상대적으로 더 큰 제 2 유동 압력이 된 경우에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 압력 조절 함몰면(267)에는 상기 가스의 유동 압력이 상기 제 2 유동 압력과 상기 제 1 유동 압력의 차이만큼 더 걸리게 되므로, 상기 제 2 유동 압력과 상기 제 1 유동 압력의 차이만큼 더 걸리는 상기 가스의 유동 압력에 의해 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 방향에 대해 수직 방향으로 상대적으로 늘어나도록 탄성 변형되고, 그에 따라 상기 제 1 유동 압력으로 상기 가스가 유동되는 경우에 비해 상기 제 2 유동 압력으로 상기 가스가 유동되는 경우에 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 그 변형된 만큼 상기 제 1 압력 조절 케이스(261) 및 상기 제 1 분지 유로관(254) 내부를 상대적으로 좁아지도록 하여, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력을 그만큼 감소시키게 된다.Then, when the flow pressure of the gas flowing along the first branch flow path tube 254 is changed to a second flow pressure that is relatively larger than the first flow pressure, as shown in FIG. Since the flow pressure of the gas is further applied to the first pressure adjusting recessed surface 267 by the difference between the second flow pressure and the first flow pressure, the difference between the second flow pressure and the first flow pressure is further increased. The first pressure-controlled elastically deformable body 266 is elastically deformed to extend relatively in a direction perpendicular to the flow direction of the gas flowing along the first branch flow path 254 by the flow pressure of the gas to be caught. Thus, the first pressure-controlled elastically deformable body when the gas is flowed at the second flow pressure as compared to when the gas is flowed at the first flow pressure The sieve 266 flows along the first branch flow channel 254 so that the inside of the first pressure regulating case 261 and the first branch flow channel 254 are relatively narrowed by the deformation thereof. This reduces the flow pressure of the gas.

상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280)는 동일한 구조를 이룸으로써, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256)에 동일한 유동 압력이 걸리는 경우, 상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280) 각각에 적용된 각 압력 조절 탄성 변형 몸체는 동일한 형태를 이루게 되지만, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256) 중 어느 하나에 다른 유동 압력이 걸리는 경우, 상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280) 중 해당하는 다른 유동 압력이 걸리는 것에 적용된 압력 조절 탄성 변형 몸체가 그 유동 압력의 차이만큼 변형되면서 그 유동 압력의 차이를 상쇄시키게 된다. 그러면, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256) 내부의 상기 가스의 유동 압력은 항상 일정하게 유지될 수 있게 된다.The first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270, and the third pressure regulating member 280 have the same structure, such that the first branch flow passage tube 254 and the second branch have a same structure. When the same flow pressure is applied to the flow path tube 255 and the third branch flow path tube 256, the first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270, and the third pressure regulating member ( Each of the pressure-controlled elastically deformable bodies applied to each of the first and second branches may have the same shape, but any one of the first branch channel pipe 254, the second branch channel pipe 255, and the third branch channel pipe 256 may be formed. Is applied to a different flow pressure corresponding to one of the first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270, and the third pressure regulating member 280. As the deforming body deforms by the difference in its flow pressure, This will offset the difference in flow pressure. Then, the flow pressure of the gas inside the first branch flow path tube 254, the second branch flow path tube 255, and the third branch flow path tube 256 can be kept constant at all times.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, those skilled in the art can variously modify the invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. And it can be changed. Nevertheless, it will be clearly understood that all such modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조에 의하면, 웨이퍼 수용 카세트 내에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일해질 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the gas branch flow path structure for the wafer storage cassette of the side storage according to an aspect of the present invention, since the pressure of the gas supplied to each wafer disposed at different heights in the wafer storage cassette can be uniform, the industrial use It is very likely.

100 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트
132 : 노즐
135 : 가스 공급 원관
150 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조
151 : 원관 연결 분할 분지관
152, 153 : 상승 유로관
154, 155, 156 : 분지 유로관100: wafer storage cassette of side storage
132 nozzle
135: gas supply pipe
150: gas branch flow path structure for wafer storage cassette of side storage
151: pipe connection split branch pipe
152, 153: upward flow pipe
154, 155, 156: branch euro pipe

Claims (5)

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 가스 공급을 위해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 가스가 공급되는 가스 공급 원관 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주는 복수의 노즐을 연결하여, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스를 상기 각 노즐까지 분배하기 위한 것으로서,
상기 가스 공급 원관과 연결되되, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스가 복수로 분할 유동되도록 상기 가스 공급 원관으로부터 복수로 분할된 형태로 이루어지는 원관 연결 분할 분지관;
상기 원관 연결 분할 분지관의 복수의 각 말단부와 연결되되, 상기 원관 연결 분할 분지관을 통해 각각 유동된 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 내부를 따라 복수의 유로로 각각 상승되도록 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부를 따라 상하 방향으로 연결된 복수의 상승 유로관; 및
상기 각 상승 유로관과 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 형성된 상기 각 노즐을 연결하는 복수의 분지 유로관;을 포함하고,
상기 각 상승 유로관과 상기 각 분지 유로관의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상기 상승 유로관 및 복수의 상기 분지 유로관을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 함께 공급될 수 있고,
상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 바닥 부분에서 수평 방향으로 복수로 분지된 형태를 이루고,
상기 각 상승 유로관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 수직 방향으로 서로 이격된 형태로 배열되고,
상기 각 분지 유로관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 수평 방향으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 서로 다른 높이 상에 각각 배열되고,
상기 각 상승 유로관은 상기 각 노즐의 외곽 쪽을 따라 각각 배열되고,
상기 각 분지 유로관은 상기 각 노즐의 중앙부와 연결되어 상기 가스를 공급하되,
상기 각 상승 유로관에서 분지되는 상기 각 분지 유로관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 하부에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상부로 갈수록 서로 대향되는 방향으로 상기 가스를 각각 공급하고,
상기 각 분지 유로관은 서로 다른 높이의 상기 각 노즐 사이로 배열되어, 그 이웃하는 적어도 두 개의 상기 노즐에 상기 가스를 공급하고,
상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 바닥 부분에서 수평 방향으로 서로 멀어지도록 복수 개로 분지되되, 상기 각 노즐의 각 외곽까지 각각 연장되고,
상기 상승 유로관은
상기 원관 연결 분할 분지관의 일 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에서 상기 각 노즐의 일 측 외곽을 따라 상승하는 형태로 배열되는 제 1 상승 유로관과,
상기 원관 연결 분할 분지관의 타 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에서 상기 각 노즐의 타 측 외곽을 따라 상승하는 형태로 배열되는 제 2 상승 유로관을 포함하고,
상기 분지 유로관은
상기 제 1 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 노즐 중 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐 중 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 제 1 분지 유로관과,
상기 제 2 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 제 2 분지 유로관과,
상기 제 2 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관 및 상기 제 2 분지 유로관과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관 및 상기 제 2 분지 유로관과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 제 3 분지 유로관을 포함하고,
상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스는 상기 제 2 분지 유로관 및 상기 제 3 분지 유로관을 따라 각각 유동되는 상기 가스와 서로 대향류가 되는 방향으로 유동되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조.The gas between a gas supply tube through which the gas is supplied outside the wafer storage cassette of the side storage and each wafer disposed at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage for supplying the gas to the wafer storage cassette of the side storage; To connect a plurality of nozzles for respectively spraying, to distribute the gas supplied through the gas supply source pipe to each nozzle,
A primary pipe connection split branch pipe connected to the gas supply pipe and formed in a plurality of shapes from the gas supply pipe so that the gas supplied through the gas supply pipe is divided and flowed in plurality;
The side storage may be connected to a plurality of end portions of the pipe connection split branch pipe, and the gas flowing through the pipe connection split branch pipe may respectively rise to a plurality of flow paths along the inside of the wafer receiving cassette of the side storage. A plurality of upward flow path tubes connected in an up and down direction along an inside of the wafer accommodating cassette; And
And a plurality of branch flow path pipes connecting the nozzles formed at different heights to the respective rising flow path pipes and the wafer storage cassettes of the side storage.
The connection points of each of the rising flow path pipes and the branch flow path pipes are formed at different heights in the wafer receiving cassette of the side storage, respectively, such that the gas supplied through the gas supply pipe pipe is connected to the pipe connection split branch pipe, Can be supplied together inside the wafer receiving cassette of the side storage at a uniform pressure while passing through the plurality of rising flow path tubes and the plurality of branch flow path tubes,
The pipe connection split branch pipe is formed in a plurality of branches in the horizontal direction in the bottom portion of the wafer storage cassette of the side storage,
The respective upward flow paths are arranged to be spaced apart from each other in the vertical direction of the wafer receiving cassette of the side storage,
Each branch flow passage is arranged on a different height of the wafer receiving cassette of the side storage in a horizontal direction of the wafer receiving cassette of the side storage,
The respective upward flow path tubes are arranged along the outer side of each nozzle,
The branch flow path pipe is connected to the central portion of the nozzle to supply the gas,
The branch flow paths branched from each of the rising flow path pipes respectively supply the gases in a direction facing each other toward the top of the wafer storage cassette of the side storage from the lower side of the wafer storage cassette of the side storage,
Said branch flow path tubes are arranged between said nozzles of different heights to supply said gas to at least two neighboring nozzles thereof;
The pipe connection split branch pipe is divided into a plurality of branches to be spaced apart from each other in the horizontal direction from the bottom portion of the wafer receiving cassette of the side storage, each extending to each outer edge of the nozzle,
The upward flow pipe is
A first rising channel formed in a bent shape at one end of the circular connection split branch pipe, the first rising flow pipe being arranged along a side of the nozzle in the wafer storage cassette of the side storage;
A second rising channel formed in a bent shape at the other end of the pipe connecting split branch pipe, the second rising flow pipe being arranged along the outer side of each nozzle in the wafer storage cassette of the side storage;
The branch flow pipe
A branch which is branched from the first upward flow passage and arranged between two neighboring ones of the plurality of nozzles to divide and supply the gas together to a plurality of the nozzles including the two neighboring ones of the plurality of nozzles; With one branch euro tube,
The neighbor branched from the second upward flow passage tube and arranged along two unconnected neighboring portions of the plurality of nozzles with the first branch flow passage tube, the neighboring portion being unconnected with the first branch flow passage tube among the plurality of nozzles; A second branch flow path tube for splitting and supplying the gas together to the plurality of nozzles including two;
Branched from the second upward flow path tube, the first branch flow path tube of the plurality of nozzles and the second branch flow path tube arranged between two unconnected neighbors, the first branch of the plurality of nozzles A third branch flow path tube for supplying the gas to the plurality of nozzles including the two adjacent nozzles which are not connected to the flow path pipe and the second branch flow path pipe;
The gas flowing along the first branch flow path tube flows in a direction in which the gas flows along the second branch flow path pipe and the third branch flow path to face each other. Gas branch flow path structure for wafer accommodating cassette. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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