KR101954671B1 - Side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage and wafer seating cassette of side storage comprising the side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage - Google Patents

Side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage and wafer seating cassette of side storage comprising the side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage Download PDF

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Abstract

A disclosed side nozzle unit for a wafer receiving cassette of side storage includes a side nozzle body, a side nozzle side gas supply pipe and a plurality of side nozzles. Therefore, through the side nozzle unit for a wafer receiving cassette of side storage, gas is spread through a gas spraying hole in a range to an opening portion for entry and exit of each wafer of the wafer receiving cassette of side storage from an extension line of back surfaces of a supply pipe connecting hole and the gas spraying hole, and flows therein, thereby suppressing vertex formation at the opening portion of the wafer receiving cassette of side storage and preventing fume from flowing backward through the opening portion of the wafer receiving cassette of side storage by the vortex.

Description

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트{Side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage and wafer seating cassette of side storage comprising the side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer receiving cassette for a side storage including a side nozzle unit for a wafer accommodating cassette of a side storage and a side nozzle unit for a wafer accommodating cassette of the side storage, comprising a side wall nozzle unit for wafer cassette of side storage < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer receiving cassette of a side storage including a side nozzle unit for a wafer receiving cassette of a side storage and a side nozzle unit for a wafer receiving cassette of the side storage.

반도체 제조를 위한 웨이퍼의 가공을 위해서는 웨이퍼 이송 자동화 모듈(EFEM, equipment front end module)이 사용되는데, 이러한 웨이퍼 이송 자동화 모듈에는 웨이퍼를 가공하는 공정 챔버(process chamber)와, 상기 공정 챔버 내부로 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)와, 상기 트랜스퍼 챔버 전에 웨이퍼가 거치는 로드락 챔버(loadlock chamber)와, 상기 공정 챔버를 경유한 웨이퍼가 일정 시간 동안 수용되는 사이드 스토리지(side storage)를 포함한다.In order to process wafers for semiconductor manufacturing, a wafer front end module (EFEM) is used. The wafer transfer automation module includes a process chamber for processing wafers, A transfer chamber for transferring the wafer to the transfer chamber, a load lock chamber for passing the wafer before the transfer chamber, and a side storage for receiving the wafer via the process chamber for a certain period of time.

위와 같은 사이드 스토리지의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 등록특허 제 10-1758213호(발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지)의 그 것이다.An example of such a side storage is that of Patent No. 10-1758213 (titled invention: Side Storage with Gas Nozzle Plate) presented below.

상기 사이드 스토리지에서 웨이퍼가 수용되는 부분이 웨이퍼 수용 카세트인데, 이러한 웨이퍼 수용 카세트에 웨이퍼가 머무는 동안, 웨이퍼 쪽으로 퍼지 가스 등의 가스가 분사되어, 웨이퍼에 묻은 이물질을 제거하게 된다. 따라서, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에는 가스 분사를 위한 유로가 형성된다.The portion of the side storage accommodating the wafer is a wafer accommodating cassette. While the wafer stays in the wafer accommodating cassette, a gas such as purge gas is injected toward the wafer to remove foreign matter adhering to the wafer. Therefore, a flow path for gas injection is formed in the wafer accommodating cassette of the side storage.

이러한 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부로 가스 분사를 위하여, 등록특허 제 10-1444241호(발명의 명칭: 웨이퍼 처리장치의 배기시스템)에서는, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면 및 각 측면에서 가스를 분사하는 구조를 이루고 있다.In order to inject gas into the wafer accommodating cassette of such a side storage, in Patent Document 10-1444241 (entitled " Exhaust System of Wafer Processing Apparatus "), gas is injected from the rear surface and each side surface of the wafer accommodating cassette of the side storage .

그러나, 상기와 같은 종래 방식에서는, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 각각 수직 방향으로 가스가 분사되는 형태를 이루기 때문에, 상기와 같이 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 각각 수직 방향으로 분사된 가스와 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면에서 분사된 가스가 서로 혼합되면서 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분에서 와류(vortex)가 형성되고, 그에 따라 퓸(fume)이 그러한 와류에 의해 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분을 통해 역류하여 웨이퍼가 오염되는 문제가 있었다.However, in the conventional system as described above, the gas is injected in the vertical direction on each side of the wafer accommodating cassette of the side storage. Therefore, as described above, The gases injected from the back side of the wafer receiving cassette of the side storage are mixed with each other so that a vortex is formed at the opening portion of the wafer receiving cassette of the side storage so that the fume is transferred to the side storage There is a problem that the wafer flows back through the opening portion of the wafer accommodating cassette of the wafer.

또한, 종래의 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면에서 가스를 분사하는 유로에 의하면, 상기 웨이퍼 수용 카세트의 벽면 쪽에 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면에서 상단까지 연결된 가스 배관이 형성되고, 그러한 가스 배관을 통해 상기 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 공급된 가스가 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면에서 상기 웨이퍼 수용 카세트의 상단까지 수직 방향으로 그대로 상승되면서 단일한 가스 배관을 통해 공급되다가, 각 웨이퍼 사이의 노즐을 통해 분사되는 구조를 이룸으로써, 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면으로부터 상기 웨이퍼 수용 카세트의 상단으로 갈수록 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일하지 못하게 되는 문제가 있었다According to the flow path for injecting gas from the rear surface of the wafer accommodating cassette of the conventional side storage, a gas pipe connected from the bottom to the top of the wafer accommodating cassette is formed on the wall surface side of the wafer accommodating cassette, The gas supplied from the outside of the wafer accommodating cassette is vertically raised from the bottom of the wafer accommodating cassette to the top of the wafer accommodating cassette while being supplied through a single gas pipe and then injected through the nozzles between the wafers There is a problem in that the pressure of the gas supplied to each of the wafers arranged at different heights from the bottom of the wafer receiving cassette to the top of the wafer receiving cassette becomes uneven

등록특허 제 10-1758213호, 등록일자: 2017.07.10., 발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지No. 10-1758213 filed on Jul. 10, 2017, entitled " Side Storage with Gas Nozzle Plate " 등록특허 제 10-1444241호, 등록일자: 2014.09.18., 발명의 명칭: 웨이퍼 처리장치의 배기시스템Registered Patent No. 10-1444241, Registered Date: Sep. 18, 201, Title of the Invention: Exhaust system of wafer processing apparatus

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분에서의 와류 형성을 억제함으로써, 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분을 통해 역류하는 현상을 방지할 수 있는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention is directed to a wafer storage apparatus capable of preventing vapors from flowing back through an opening portion of a wafer receiving cassette of the side storage by suppressing vortex formation at an opening portion of a wafer receiving cassette of a side storage, It is an object of the present invention to provide a wafer receiving cassette of a side storage including a side nozzle unit for a receiving cassette and a side nozzle unit for a wafer receiving cassette of the side storage.

본 발명의 다른 목적은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일해질 수 있는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a wafer receiving cassette side nozzle unit of side storage capable of uniformizing the pressure of gas supplied to each wafer placed at different heights in the wafer receiving cassette of the side storage, And to provide a wafer accommodating cassette of a side storage including a side nozzle unit for a cassette.

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본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 후면 분사 유닛; 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛;을 포함하고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에 배치되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼를 커버하는 면적으로 형성되는 측면 노즐 몸체와, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 측면 노즐 몸체 내부로 상기 가스를 공급하는 측면 노즐측 가스 공급관과, 상기 측면 노즐측 가스 공급관을 통해 공급된 상기 가스를 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이 공간으로 각각 분사해주는 복수 개의 측면 노즐을 포함하고,
상기 각 측면 노즐은 상기 가스가 상기 각 측면 노즐의 전방으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분까지 확산되도록 상기 가스를 분사하고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 후면 분사 유닛으로 상기 가스가 공급되는 가스 공급 원관;을 포함하고,
상기 후면 분사 유닛은 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스를 후면 노즐까지 분배하기 위하여, 원관 연결 분할 분지관과, 복수의 상승 유로관과, 복수의 분지 유로관을 포함하고,
상기 각 상승 유로관과 상기 각 분지 유로관의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상기 상승 유로관 및 복수의 상기 분지 유로관을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 함께 공급될 수 있고,
복수의 상기 후면 노즐은 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주도록 후면 분사 케이스 내부에 배치되되, 상기 각 후면 노즐은 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 일정 길이로 길게 형성되며, 상기 각 후면 노즐에는 각각 복수 개의 분사공이 형성됨으로써, 상기 각 후면 노즐을 통해 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 넓게 상기 가스가 분사될 수 있게 되고,
상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 가스 공급 원관과 연결되되, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스가 복수로 분할 유동되도록 상기 가스 공급 원관으로부터 복수로 분할된 형태로 이루어지고, 상기 가스 공급 원관은 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분을 통해 외부의 가스 공급 유닛과 연결되고, 상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분에서 상기 가스 공급 원관과 연통되되 수평 방향으로 복수로 분지된 형태를 이루고, 상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분에서 수평 방향으로 서로 멀어지도록 복수 개로 분지되되, 상기 각 후면 노즐의 각 외곽까지 각각 연장되고, 상기 원관 연결 분할 분지관이 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분의 중앙부에서 상기 가스 공급 원관과 연결되되 그로부터 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분의 양 측면 방향을 따라 두 갈래로 수평 방향으로 서로 대칭되도록 분지되되, 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 각 외곽 부분에 이르기까지 연장된 형태를 이루고,
복수의 상기 상승 유로관은 상기 원관 연결 분할 분지관의 복수의 각 말단부와 연결되되, 상기 원관 연결 분할 분지관을 통해 각각 유동된 상기 가스가 상기 후면 분사 케이스의 내부를 따라 복수의 유로로 각각 상승되도록 상기 후면 분사 케이스 내부를 따라 상하 방향으로 연결된 것이고, 상기 각 상승 유로관은 상기 후면 분사 케이스의 수직 방향으로 서로 이격된 형태로 배열되고, 상기 각 상승 유로관은 상기 각 후면 노즐의 외곽 쪽을 따라 각각 배열되고, 상기 상승 유로관은 제 1 상승 유로관과, 제 2 상승 유로관을 포함하고, 상기 제 1 상승 유로관은 상기 원관 연결 분할 분지관의 일 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열되고, 상기 제 2 상승 유로관은 상기 원관 연결 분할 분지관의 타 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열되고, 상기 제 1 상승 유로관은 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 후면 분사 케이스의 일 측면 중앙부까지 연장된 형태를 이루고, 상기 제 2 상승 유로관은 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 후면 분사 케이스의 타 측면 상부까지 연장된 형태를 이루고,
복수의 상기 분지 유로관은 상기 각 상승 유로관과 상기 후면 분사 케이스 내부에 서로 다른 높이로 형성된 상기 각 후면 노즐을 연결하고, 상기 각 분지 유로관은 상기 후면 분사 케이스의 수평 방향으로 상기 후면 분사 케이스의 서로 다른 높이 상에 각각 배열되고, 상기 각 분지 유로관은 상기 각 후면 노즐의 중앙부와 연결되어 상기 가스를 공급하되, 상기 각 상승 유로관에서 분지되는 상기 각 분지 유로관은 상기 후면 분사 케이스의 하부에서 상기 후면 분사 케이스의 상부로 갈수록 서로 교차되도록 대향되는 방향으로 상기 가스를 각각 공급하고, 상기 각 분지 유로관은 서로 다른 높이의 상기 각 후면 노즐 사이로 배열되어, 그 이웃하는 적어도 두 개의 상기 후면 노즐에 상기 가스를 공급하고, 상기 분지 유로관은 제 1 분지 유로관과, 제 2 분지 유로관과, 제 3 분지 유로관을 포함하고, 상기 제 1 분지 유로관은 상기 제 1 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐 중 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하고, 상기 제 2 분지 유로관은 상기 제 2 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하고, 상기 제 3 분지 유로관은 상기 제 2 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관 및 상기 제 2 분지 유로관과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관 및 상기 제 2 분지 유로관과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하고, 상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스는 상기 제 2 분지 유로관 및 상기 제 3 분지 유로관을 따라 각각 유동되는 상기 가스와 서로 평행하되, 서로 대향류가 되는 방향으로 유동되고, 상기 제 1 분지 유로관, 상기 제 2 분지 유로관 및 상기 제 3 분지 유로관은 복수 개의 상기 후면 노즐 중 서로 다른 것에만 연결되고, 상기 제 1 분지 유로관이 복수 개의 상기 후면 노즐 중 상기 후면 분사 케이스의 중앙부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스의 일 측면에서 상기 후면 분사 케이스의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 2 분지 유로관이 복수 개의 상기 후면 노즐 중 상기 후면 분사 케이스의 하부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스의 타 측면에서 상기 후면 분사 케이스의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 3 분지 유로관이 복수 개의 상기 후면 노즐 중 상기 후면 분사 케이스의 상부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스의 타 측면에서 상기 후면 분사 케이스의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하는 형태를 이루는 것을 특징으로 한다.
A wafer receiving cassette of a side storage according to an aspect of the present invention includes a rear receiving unit for ejecting gas from a rear side of a wafer receiving cassette of a side storage to a plurality of wafers stacked at different heights inside a wafer receiving cassette of the side storage, ; And a side surface nozzle unit for a wafer accommodating cassette in a side storage for jetting gas between each of the plurality of wafers on each side of the wafer accommodating cassette of the side storage,
The side nozzle unit for the wafer receiving cassette of the side storage is disposed on each side of the wafer receiving cassette of the side storage and has an area covering a plurality of the wafers stacked at different heights in the wafer receiving cassette of the side storage A side nozzle side gas supply pipe for supplying the gas from the outside of the wafer accommodating cassette of the side storage into the inside of the side nozzle body and a side nozzle side gas supply pipe for supplying the gas supplied through the side nozzle side gas supply pipe to a plurality And a plurality of side nozzles for spraying into the spaces between the wafers,
Wherein each of the side nozzles ejects the gas so that the gas diffuses from a front side of each side nozzle to an opening portion of the wafer accommodating cassette of the side storage for each wafer entry and exit,
Wherein the wafer receiving cassette of the side storage includes a gas supply pipe through which the gas is supplied from outside the wafer accommodating cassette of the side storage to the rear injecting unit,
The rear injection unit includes a branch pipe branch pipe, a plurality of upflow pipe pipes, and a plurality of branch pipe pipes for distributing the gas supplied through the gas supply pipe to the rear nozzle,
Wherein each of the upward flow channel and the branch flow channel is formed at a different height in the wafer accommodating cassette of the side storage, so that the gas supplied through the gas supply source pipe is guided to the arc- Can be supplied to the inside of the wafer accommodating cassette of the side storage at a uniform pressure while passing through the plurality of the upward flow path pipes and the plurality of branch flow path pipes,
A plurality of the rear nozzles are disposed inside the rear jetting case so as to jet the gas between the wafers arranged at different heights, the rear nozzles are formed to have a predetermined length in the width direction of the respective wafers, The plurality of nozzles are formed in each of the rear nozzles so that the gas can be injected in a width direction of each of the wafers through the respective rear nozzles,
And the gas supply source pipe is divided into a plurality of parts from the gas supply pipe so that the gas supplied through the gas supply pipe is divided into a plurality of flows, The rear injection case is connected to an external gas supply unit through a bottom portion of the rear injection case. The pipe connection split branch pipe is branched from a bottom portion of the rear injection case to the gas supply pipe, , And the main pipe connection split branch tube is divided into a plurality of parts so as to be horizontally spaced from each other at a bottom part of the rear injection case and extends to each outline of the respective rear nozzles, Is connected to the gas supply pipe at a central portion of the bottom portion of the gas supply pipe Emitter forms a shape extending up to the respective outer portions of each of said back nozzle from said back along both the lateral direction of the base of the injection case doedoe branched to two branches to each other symmetrically in a horizontal direction, the rear injection case,
The plurality of upward flow path pipes are connected to a plurality of end portions of the tube connection split branch tube, and the gas, which has respectively flowed through the tube connection split branch tube, rises in a plurality of flow paths along the inside of the rear injection case And the respective upward flow pipes are spaced apart from each other in the vertical direction of the rear injection case, and each of the upward flow pipes is connected to the outer side of each of the rear nozzles Wherein the upward flow pipe includes a first upward flow pipe and a second upward flow pipe, and the first upward flow pipe is bent at one end of the pipe connecting split branch pipe , And is arranged to rise vertically along one side edge of each of the rear nozzles in the rear injection case, and the second rising Wherein the flow pipe is bent at the other end portion of the branch pipe connected to the branch pipe, and is arranged to rise vertically along the other outer edge of each of the rear nozzles in the rear injection case, The tube is vertically elevated along one side of the rear nozzle in the rear injection case and extends to the center of one side of the rear injection case, The rear injection case is vertically raised along the other outer edge of the rear injection nozzle in the injection case and extends to the other upper side of the rear injection case,
The plurality of branch flow path tubes connect the respective back surface nozzles formed at different heights to the respective upward flow path tubes and the rear side injection case, and each branch flow path tube is connected to the rear injection case And each of the branch flow channels is connected to a central portion of each of the rear nozzles to supply the gas, and each branch flow channel branched from each of the upward flow channels is connected to the rear injection case Wherein each of the branch flow path tubes is arranged between the respective rear nozzles at different heights so that the gas is supplied to at least two of the adjacent rear side nozzles And the branch flow channel is connected to the first branch flow channel and the second branch flow channel, Wherein the first branch flow passage is branched from the first upstream flow passage and is arranged between two neighboring ones of the plurality of rear nozzles, and the plurality of the rear nozzles The second branch flow channel is branched from the second upstream flow channel, and the second branch flow channel is branched from the second upstream flow channel, and the second branch flow channel is branched from the second upstream flow channel, And a plurality of the rear nozzles including the two neighboring nozzles not connected to the first branch flow path among the plurality of rear nozzles, Wherein the third branch flow channel is branched from the second rising flow channel and is connected to the first branch flow channel and the second branch flow channel of the plurality of rear nozzles And the plurality of rear nozzles including two adjacent ones of the plurality of rear nozzles connected to the first branch flow channel and the second branch flow channel, And the gas flowing along the first branch flow path is flowed in parallel with the gas flowing along the second branch flow path tube and the third branch flow path, Wherein the first branched flow path tube, the second branched flow path tube, and the third branched flow path tube are connected to different ones of the plurality of rear side nozzles, and the first branched flow path tube is connected to the rear side of the plurality of rear side nozzles The gas is supplied from one side of the rear injection case toward the center of the rear injection case at a height of the center of the injection case, The second branch flow pipe is located at a lower height of the rear injection case among the plurality of rear nozzles and supplies the gas from the other side of the rear injection case toward the center of the rear injection case, And the gas is supplied from the other side of the rear injection case toward the center of the rear injection case when the tube is at the upper level of the rear injection case among the plurality of rear side nozzles.

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본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 의하면, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛이 측면 노즐 몸체, 측면 노즐측 가스 공급관 및 복수 개의 측면 노즐을 포함함에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 통해 가스가 공급관 연결 홀 및 가스 확산 홀의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀을 통해 확산되면서 유동됨에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분에서의 와류 형성이 억제되고, 그에 따라 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분을 통해 역류하는 현상이 방지될 수 있는 효과가 있다.According to the wafer accommodating cassette of the side storage including the side nozzle unit for the wafer accommodating cassette of the side storage and the side nozzle unit for the wafer accommodating cassette of the side storage according to one aspect of the present invention, The gas is supplied from the extending line of the rear surface of the gas supply hole and the gas supply hole through the side nozzle unit for the wafer accommodating cassette of the side storage to the side surface of the side storage body, the side nozzle body side gas supply pipe and the plurality of side nozzles, The vortex formation at the opening portion of the wafer accommodating cassette of the side storage is suppressed as it flows while diffusing through the gas diffusion holes to the opening portion for entering and exiting each wafer of the wafer accommodating cassette of the storage, There is an effect that the phenomenon that the fume flows backward through the opening portion of the wafer accommodation cassette of the side storage by the vortex can be prevented.

본 발명의 다른 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 의하면, 후면 분사 유닛이 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상승 유로관 및 복수의 분지 유로관을 포함하고, 상기 각 상승 유로관과 상기 각 분지 유로관의 연결 지점은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 가스 공급 원관을 통해 공급된 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상기 상승 유로관 및 복수의 상기 분지 유로관을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 함께 공급될 수 있으므로, 단일한 가스 배관을 통해 각 웨이퍼에 상기 가스를 공급하던 종래 방식에 비해 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼에 각각 공급되는 상기 가스의 압력이 균일해질 수 있게 되는 효과가 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a wafer accommodating cassette of a side storage including a side nozzle unit for a wafer accommodating cassette of a side storage and a side nozzle unit for a wafer accommodating cassette of the side storage, A plurality of upward flow path pipes and a plurality of branch flow path pipes, and the connection points of the respective upward flow path pipes and the branch flow path pipes are formed at different heights in the wafer accommodating cassettes of the side storage, Can be supplied together with the uniform pressure to the inside of the wafer accommodating cassette of the side storage while passing through the tube connecting segment branch tube, the plurality of the upflow channel tube and the plurality of branch channel tubes, When supplying the gas to each wafer through a gas piping There is an effect that the pressure of the gas supplied to each of the wafers arranged at different heights compared to the conventional method can be made uniform.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 위에서 내려다본 수평 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에서의 가스 유동을 위에서 내려다본 수평 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 측면 노즐 유닛을 보이는 정면도.
도 4는 도 3에 도시된 A-A'선에 따른 단면도.
도 5는 도 4에 도시된 B부분을 확대한 도면.
도 6은 도 5에 도시된 측면 노즐 유닛에서의 가스 유동을 보이는 수평 단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛을 정면에서 바라본 수직 단면도.
도 8은 도 7에 도시된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛에서의 가스 흐름을 보이는 수직 단면도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛을 정면에서 바라본 수직 단면도.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛에 적용되는 제 1 압력 조절 부재를 보이는 단면도.
도 11은 도 10에 도시된 제 1 압력 조절 부재가 확장된 모습을 보이는 단면도.
1 is a horizontal cross-sectional view of a wafer receiving cassette of a side storage, viewed from above, according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a horizontal cross-sectional view from above of a gas flow within a wafer receiving cassette of a side storage in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.
3 is a front view of a side nozzle unit including a side nozzle unit for a wafer receiving cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'shown in Fig. 3;
FIG. 5 is an enlarged view of a portion B shown in FIG. 4; FIG.
6 is a horizontal sectional view showing gas flow in the side nozzle unit shown in Fig.
FIG. 7 is a vertical cross-sectional view of a rear injection unit constituting a wafer receiving cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention, viewed from the front; FIG.
8 is a vertical sectional view showing the gas flow in the rear injection unit constituting the wafer receiving cassette of the side storage shown in Fig.
FIG. 9 is a vertical cross-sectional view of a rear injection unit constituting a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention, viewed from the front; FIG.
10 is a sectional view showing a first pressure regulating member applied to a rear injection unit constituting a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention;
11 is a cross-sectional view showing the first pressure regulating member shown in FIG. 10 in an expanded state.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 대하여 설명한다.Hereinafter, the wafer receiving cassette of the side storage including the side nozzle unit for the wafer receiving cassette of the side storage and the side nozzle unit for the wafer receiving cassette of the side storage according to the embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 위에서 내려다본 수평 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에서의 가스 유동을 위에서 내려다본 수평 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 측면 노즐 유닛을 보이는 정면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 A-A'선에 따른 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 B부분을 확대한 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 측면 노즐 유닛에서의 가스 유동을 보이는 수평 단면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛을 정면에서 바라본 수직 단면도이고, 도 8은 도 7에 도시된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛에서의 가스 흐름을 보이는 수직 단면도이다.FIG. 1 is a horizontal sectional view of a wafer storage cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a top view of the wafer storage cassette of the side storage according to an embodiment of the present invention. 3 is a front view showing a side nozzle unit including a side nozzle unit for a wafer accommodating cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross- FIG. 5 is an enlarged view of a portion B shown in FIG. 4, FIG. 6 is a horizontal sectional view showing a gas flow in the side nozzle unit shown in FIG. 5, and FIG. 8 is a vertical cross-sectional view of the rear-side spray unit constituting the wafer accommodation cassette of the side storage according to the example, and Fig. 8 is a cross- Sectional view showing the gas flow in the rear injection unit constituting the cassette receiving the efferd.

도 1 내지 도 8을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 각 측면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 웨이퍼(W) 사이로 가스를 분사하기 위한 것으로서, 측면 노즐 몸체(141)와, 측면 노즐측 가스 공급관(142)과, 복수 개의 측면 노즐(145)을 포함한다.1 to 8, the side nozzle unit 140 for the wafer receiving cassette of the side storage according to the present embodiment is mounted on each side of the wafer receiving cassette 100 of the side storage, Side nozzle body 141, a side-nozzle-side gas supply pipe 142, and a plurality of side nozzles 145. The side nozzle body 141, the side-nozzle-side gas supply pipe 142, .

본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)는 후면 분사 유닛(130)과, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 포함한다.The wafer receiving cassette 100 of the side storage according to the present embodiment includes a rear injection unit 130 and a side nozzle unit 140 for wafer accommodating cassette of the side storage.

도면 번호 110은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스로 그 내부에 상기 웨이퍼가 복수 개 서로 다른 높이로 수용되는 것이고, 도면 번호 120은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 내부의 양 측면에서 서로 다른 높이로 복수 개 돌출되어 상기 각 웨이퍼를 받쳐주는 웨이퍼 받침대이다.Reference numeral 110 denotes a case of the wafer receiving cassette 100 of the side storage, in which a plurality of the wafers are accommodated at different heights. Reference numeral 120 denotes a case of the wafer receiving cassette 100 of the side storage A plurality of protrusions protruding at different heights from both sides of the wafer support 110 to support the wafers.

상기 측면 노즐 몸체(141)는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 각 측면에 배치되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼를 커버하는 면적으로 형성되는 것이다.The side nozzle body 141 is disposed on each side of the wafer receiving cassette 100 of the side storage and covers a plurality of the wafers stacked at different heights inside the wafer receiving cassette 100 of the side storage .

상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 외부에서 상기 측면 노즐 몸체(141) 내부로 상기 가스를 공급하는 것이다.The side nozzle-side gas supply pipe 142 supplies the gas from the outside of the wafer accommodating cassette 100 of the side storage into the inside of the side nozzle body 141.

복수 개의 상기 측면 노즐(145)은 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)을 통해 공급된 상기 가스를 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이 공간으로 각각 분사해주는 것이다.The plurality of side nozzles 145 spray the gas supplied through the side nozzle-side gas supply pipe 142 into a space between the plurality of wafers.

상기 측면 노즐 몸체(141)는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 각 측면을 덮을 수 있는 플레이트 형태로 형성되고, 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)은 상기 측면 노즐 몸체(141)의 하부에서 그 상부까지 연통된 형태로 형성되고, 상기 각 측면 노즐(145)은 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)과 서로 다른 높이에서 연통되되 상기 각 웨이퍼 사이 공간을 향해 개구됨으로써 상기 각 웨이퍼 사이 공간을 통해 상기 가스를 분사할 수 있다.The side nozzle body 141 is formed in the form of a plate that can cover each side of the wafer accommodating cassette 100 of the side storage and the side nozzle side gas supply pipe 142 is formed in the shape of a plate And each of the side nozzles 145 communicates with the side nozzle-side gas supply pipe 142 at a different height, and is opened toward the space between the wafers, The gas can be injected through the gas passage.

본 실시예에서는, 상기 각 측면 노즐(145)은 상기 가스가 상기 각 측면 노즐(145)의 전방으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)까지 확산되도록 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.In the present embodiment, the respective side nozzles 145 are formed such that the gas is diffused from the front side of the side surface nozzles 145 to the opening portion 111 for each wafer entry / exit of the wafer accommodating cassette 100 of the side storage And the gas is injected in such a manner that the gas is injected.

상세히, 상기 각 측면 노즐(145)은 공급관 연결 홀(146)과, 가스 확산 홀(147)을 포함한다.Specifically, each of the side nozzles 145 includes a supply pipe connection hole 146 and a gas diffusion hole 147.

상기 공급관 연결 홀(146)은 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)과 연통되어 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부 쪽으로 유동되되, 일정 크기로 상기 측면 노즐 몸체(141)를 관통하는 형태로 이루어진다.The supply pipe connection hole 146 is communicated with the side nozzle-side gas supply pipe 142 so that the gas supplied through the side nozzle-side gas supply pipe 142 flows toward the inside of the wafer storage cassette 100 of the side storage And passes through the side surface body 141 with a predetermined size.

상기 공급관 연결 홀(146)은 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)으로부터 상기 가스 확산 홀(147)에 이르기까지 동일한 단면 형태 및 동일한 크기로 형성될 수 있다.The supply pipe connection hole 146 may be formed in the same cross-sectional shape and the same size from the side-nozzle-side gas supply pipe 142 to the gas diffusion hole 147.

상기 가스 확산 홀(147)은 상기 공급관 연결 홀(146)과 연통되어 상기 공급관 연결 홀(146)을 통해 유동된 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부 쪽으로 분사되도록 하는 것이다.The gas diffusion hole 147 communicates with the supply pipe connection hole 146 so that the gas flowing through the supply pipe connection hole 146 is injected into the wafer accommodation cassette 100 of the side storage.

본 실시예에서는, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)과 상대적으로 가장 이격된 상기 가스 확산 홀(147)의 후면은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)과 상대적으로 가장 이격된 상기 공급관 연결 홀(146)의 후면의 연장선 상에 형성되고, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)과 상대적으로 가장 근접된 상기 가스 확산 홀(147)의 정면은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)과 상대적으로 가장 근접된 상기 공급관 연결 홀(146)의 정면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111) 쪽으로 점진적으로 향하는 경사면으로 형성됨으로써, 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142) 및 상기 공급관 연결 홀(146)을 통해 유동된 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 유동될 수 있게 된다.In the present embodiment, the rear surface of the gas diffusion hole 147, which is relatively farthest from the opening portion 111 for entering and leaving the wafer, of the wafer receiving cassette 100 of the side storage, Is formed on an extension of the rear surface of the supply pipe connection hole (146), which is relatively farthest from the opening portion (111) for each wafer entry and exit of the wafer storage cassette (100) The front face of the gas diffusion hole 147 closest to the opening portion 111 for entering and exiting the wafer is positioned relatively to the opening portion 111 for each wafer entry and exit of the wafer accommodation cassette 100 of the side storage For the wafer entry / exit of each of the wafer receiving cassettes 100 of the side storage from the front side of the supply pipe connection hole 146 closest to each other The gas flowing through the side nozzle-side gas supply pipe 142 and the supply pipe connection hole 146 is formed in the inclined surface gradually progressing toward the opening portion 111, Through the gas diffusion holes 147, from the extension of the back surface of the wafer storage container 147 to the openings 111 for the wafer entry and exit of the wafer receiving cassette 100 of the side storage .

상기와 같이, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 통해 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 유동됨에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분에서의 와류 형성이 억제되고, 그에 따라 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분(111)을 통해 역류하는 현상이 방지될 수 있다.As described above, the gas is supplied from the extending line of the rear surface of the gas supply hole 146 and the gas diffusion hole 147 through the side nozzle unit 140 for the wafer accommodating cassette of the side storage to the wafer accommodating cassette (100) to the opening portion (111) for wafer entry and exit of the wafer storage cassette (100), as the wafer is being diffused through the gas diffusion holes (147) So that the phenomenon that the fume flows backward through the opening portion 111 of the wafer accommodating cassette 100 of the side storage by the vortex can be prevented.

상기 후면 분사 유닛(130)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 것이다.The rear injection unit 130 is for spraying gas between a plurality of the wafers stacked at different heights inside the wafer receiving cassette 100 of the side storage from the rear side of the wafer receiving cassette 100 of the side storage .

상세히, 상기 후면 분사 유닛(130)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 후면에 설치되어, 외부에서 공급되는 퍼지 가스 등의 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 내부의 상기 각 웨이퍼 쪽으로 후방에서 분사해준다.The rear injection unit 130 is installed on the rear surface of the case 110 of the wafer storage cassette 100 of the side storage to supply a gas such as purge gas supplied from the outside to the wafer storage cassette 100 of the side storage. To the respective wafers inside the case 110 of the wafer W.

도면 번호 135는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 후면에서의 가스 공급을 위해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 외부에서 상기 후면 분사 유닛(130)으로 상기 가스가 공급되는 가스 공급 원관이다.Reference numeral 135 denotes a gas supply unit for supplying the gas from the outside of the wafer receiving cassette 100 of the side storage to the rear injection unit 130 for gas supply from the rear side of the wafer receiving cassette 100 of the side storage. It is a pipe.

도면 번호 132는 상기 후면 분사 유닛(130)에 형성되어, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 배치된 각 상기 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주는 복수의 후면 노즐이다.Reference numeral 132 denotes a plurality of rear nozzles formed in the rear injection unit 130 for spraying the gases between the wafers disposed at different heights in the wafer accommodation cassette 100 of the side storage.

상기 후면 분사 유닛(130)은 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스를 상기 각 후면 노즐(132)까지 분배하기 위하여, 원관 연결 분할 분지관(151)과, 복수의 상승 유로관(152, 153)과, 복수의 분지 유로관(154, 155, 156)을 포함하고, 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 함께 공급될 수 있는 것을 특징으로 한다.The rear injection unit 130 includes a main pipe connection split branch pipe 151 and a plurality of upflow pipe pipes 151 for distributing the gas supplied through the gas supply pipe 135 to the respective rear nozzles 132 152 and 153 and a plurality of branched branch flow pipes 154 and 155 and 156. The connection points of the upward flow pipes 152 and 153 and the branched branch flow pipes 154, The gas supplied through the gas supply pipe 135 is supplied to the main pipe connection split branch pipe 151 and the plurality of upflow pipe pipes 151, 152 and 153 and the plurality of branch flow path pipes 154, 155 and 156, and can be supplied together with the uniform pressure inside the wafer accommodating cassette 100 of the side storage.

도면 번호 131은 상기 각 후면 노즐(132)이 서로 다른 높이로 배열되고, 그 하부에 상기 가스 공급 원관(135)이 연결되는 후면 분사 케이스이다.Reference numeral 131 denotes a rear injection case in which the respective rear nozzles 132 are arranged at different heights, and the gas supply pipe 135 is connected to the lower part.

복수의 상기 후면 노즐(132)은 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주도록 상기 후면 분사 케이스(131) 내부에 배치되되, 상기 각 후면 노즐(132)은 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 일정 길이로 길게 형성되며, 상기 각 후면 노즐(132)에는 각각 복수 개의 분사공(133)이 형성됨으로써, 상기 각 후면 노즐(132)을 통해 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 넓게 상기 가스가 분사될 수 있게 된다.A plurality of the rear nozzles 132 are disposed inside the rear jetting case 131 so as to jet the gases between the wafers disposed at different heights, And a plurality of spray holes 133 are formed in each of the rear nozzles 132 so that the gas flows in the width direction of each of the wafers through the respective rear nozzles 132 So that it can be sprayed.

상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 가스 공급 원관(135)과 연결되되, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 복수로 분할 유동되도록 상기 가스 공급 원관(135)으로부터 복수로 분할된 형태로 이루어지는 것이다.The gas supply pipe 135 is connected to the gas supply pipe 135 so that the gas supplied through the gas supply pipe 135 is divided into a plurality of flows. And is formed in a divided form.

상세히, 상기 가스 공급 원관(135)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분을 통해 외부의 가스 공급 유닛(미도시)과 연결되고, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분에서 상기 가스 공급 원관(135)과 연통되되 수평 방향으로 복수로 분지된 형태를 이룬다.In detail, the gas supply pipe 135 is connected to an external gas supply unit (not shown) through a bottom portion of the rear injection case 131, and the pipe connection split branch pipe 151 is connected to the rear injection case 131) at the bottom of the gas supply pipe (135) and branched in plural in the horizontal direction.

더욱 상세히, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분에서 수평 방향으로 서로 멀어지도록 복수 개로 분지되되, 상기 각 후면 노즐(132)의 각 외곽까지 각각 연장된다.More specifically, the pipe connection split branch tubes 151 are branched into a plurality of portions so as to be horizontally distant from the bottom portion of the rear injection case 131, and extend to the respective outsides of the respective rear nozzles 132.

본 실시예에서는, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)이 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분의 중앙부에서 상기 가스 공급 원관(135)과 연결되되 그로부터 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분의 양 측면 방향을 따라 두 갈래로 수평 방향으로 서로 대칭되도록 분지되되, 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 각 외곽 부분에 이르기까지 연장된 형태를 이룬다.In the present embodiment, the pipe connection split branch pipe 151 is connected to the gas supply pipe 135 at a central portion of the bottom portion of the rear injection case 131, and from there to the bottom portion of the rear injection case 131 And is extended from the rear injection case 131 to each outer portion of each of the rear nozzles 132. The rear injection nozzles 132 of the rear injection nozzles 132 are connected to the rear injection nozzles 132,

복수의 상기 상승 유로관(152, 153)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 복수의 각 말단부와 연결되되, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)을 통해 각각 유동된 상기 가스가 상기 후면 분사 케이스(131)의 내부를 따라 복수의 유로로 각각 상승되도록 상기 후면 분사 케이스(131) 내부를 따라 상하 방향으로 연결된 것이다.The plurality of upward flow pipe (152, 153) are connected to a plurality of end portions of the pipe connection split branch pipe (151), and the gas, which has flowed through the pipe connection split branch pipe (151) And is vertically connected along the inside of the rear injection case 131 so as to be lifted up by a plurality of flow paths along the inside of the case 131.

상세히, 상기 각 상승 유로관(152, 153)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 수직 방향으로 서로 이격된 형태로 배열된다.In detail, the upward flow pipes 152 and 153 are spaced apart from each other in the vertical direction of the rear injection case 131.

더욱 상세히, 상기 각 상승 유로관(152, 153)은 상기 각 후면 노즐(132)의 외곽 쪽을 따라 각각 배열된다.More specifically, each of the upward flow path pipes 152 and 153 is arranged along the outline of each of the rear nozzles 132.

본 실시예에서는, 상기 상승 유로관(152, 153)은 제 1 상승 유로관(152)과, 제 2 상승 유로관(153)을 포함한다.In the present embodiment, the upward flow pipe 152, 153 includes a first upward flow pipe 152 and a second upward flow pipe 153.

상기 제 1 상승 유로관(152)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 일 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열되는 것이다.The first upward flow pipe 152 is bent at one end of the branch pipe connecting branch branch 151 so that the first rear flow pipe 152 is bent at one side of the rear nozzle 132, As shown in Fig.

상기 제 2 상승 유로관(153)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 타 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열된다.The second upward flow pipe 153 is bent at the other end portion of the branch pipe 151 so that the second upstream pipe 153 is connected to the other side of the rear nozzle 132 in the rear injection case 131. [ As shown in Fig.

상기 제 1 상승 유로관(152)은 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 후면 분사 케이스(131)의 일 측면 중앙부까지 연장된 형태를 이루고, 상기 제 2 상승 유로관(153)은 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면 상부까지 연장된 형태를 이룬다.The first upward flow pipe 152 is vertically elevated along one side of the rear nozzles 132 in the rear injection case 131. The first upstream flow pipe 152 is connected to one side of the rear injection case 131, And the second rising flow pipe 153 is vertically elevated from the rear injection case 131 along the other side of the rear nozzle 132, And extends to an upper portion of the other side of the injection case 131.

복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 후면 분사 케이스(131) 내부에 서로 다른 높이로 형성된 상기 각 후면 노즐(132)을 연결하는 것이다.The plurality of branched branch flow pipes 154, 155 and 156 connect the respective rear nozzles 132 formed at different heights in the respective upward flow pipes 152 and 153 and the rear injection case 131 .

상세히, 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 수평 방향으로 상기 후면 분사 케이스(131)의 서로 다른 높이 상에 각각 배열되는 것이다.In detail, the branched flow path pipes 154, 155 and 156 are arranged on different heights of the rear injection case 131 in the horizontal direction of the rear injection case 131, respectively.

더욱 상세히, 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 각 후면 노즐(132)의 중앙부와 연결되어 상기 가스를 공급하되, 상기 각 상승 유로관(152, 153)에서 분지되는 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부에서 상기 후면 분사 케이스(131)의 상부로 갈수록 서로 교차되도록 대향되는 방향으로 상기 가스를 각각 공급한다.The branch pipes 154 and 155 are connected to the central part of the respective rear nozzles 132 to supply the gas and the branch pipes 152 and 153 branched from the branch pipes 152 and 153, The flow pipes 154, 155, and 156 supply the gas in a direction opposite to the upper side of the rear injection case 131 from the lower side of the rear injection case 131.

상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 서로 다른 높이의 상기 각 후면 노즐(132) 사이로 배열되어, 그 이웃하는 적어도 두 개의 상기 후면 노즐(132)에 상기 가스를 공급한다.The branched flow path pipes 154, 155 and 156 are arranged between the respective rear side nozzles 132 at different heights to supply the gas to at least two adjacent rear side nozzles 132.

본 실시예에서는, 상기 분지 유로관(154, 155, 156)은 제 1 분지 유로관(154)과, 제 2 분지 유로관(155)과, 제 3 분지 유로관(156)을 포함한다.In this embodiment, the branched flow path pipes 154, 155 and 156 include a first branched flow path 154, a second branched flow path 155, and a third branched flow path 156.

상기 제 1 분지 유로관(154)은 상기 제 1 상승 유로관(152)에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The first branch flow path 154 is branched from the first upward flow path pipe 152 and is arranged between two neighboring ones of the plurality of rear side nozzles 132, And the plurality of the rear nozzles 132 including the two neighboring nozzles 132 are divided and supplied together.

상기 제 2 분지 유로관(155)은 상기 제 2 상승 유로관(153)에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The second branched flow path pipe 155 is branched from the second rising flow pipe 153 and is disposed between two adjacent ones of the plurality of the rear side nozzles 132 that are not connected to the first branched flow path pipe 154 And the plurality of the rear nozzles 132 including the two adjacent ones of the plurality of rear nozzles 132 connected to the first branch flow path pipe 154 are divided and supplied together.

상기 제 3 분지 유로관(156)은 상기 제 2 상승 유로관(153)에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154) 및 상기 제 2 분지 유로관(155)과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154) 및 상기 제 2 분지 유로관(155)과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The third branch flow channel 156 is branched from the second upward flow channel 153 and is connected to the first branch flow channel 154 and the second branch flow channel 155 And two neighboring two of the plurality of rear nozzles 132 connected to the first branch flow pipe 154 and the second branch flow pipe 155, And the plurality of the rear nozzles 132 including the plurality of the rear nozzles 132.

상기 제 1 분지 유로관(154)을 따라 유동되는 상기 가스는 상기 제 2 분지 유로관(155) 및 상기 제 3 분지 유로관(156)을 따라 각각 유동되는 상기 가스와 서로 평행하되, 서로 대향류가 되는 방향으로 유동된다.The gas flowing along the first branch flow path 154 is parallel to the gas flowing along the second branch flow path 155 and the third branch flow path 156, As shown in Fig.

상기 제 1 분지 유로관(154), 상기 제 2 분지 유로관(155) 및 상기 제 3 분지 유로관(156)은 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 동일한 것에는 연결되지 아니하고, 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 서로 다른 것에만 연결된다.The first branch flow pipe 154, the second branch flow pipe 155 and the third branch flow pipe 156 are not connected to the same one of the plurality of rear nozzles 132, Nozzles 132 are connected to each other only.

또한, 상기 제 1 분지 유로관(154)이 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스(131)의 일 측면에서 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 2 분지 유로관(155)이 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면에서 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 3 분지 유로관(156)이 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 후면 분사 케이스(131)의 상부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면에서 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하는 형태를 이룬다.The first branched flow path pipe 154 is located at a height of the center of the rear injection case 131 among the plurality of rear side nozzles 132. The rear branch injection case 131 And the second branched flow path pipe 155 is located at a lower height of the rear injection case 131 among the plurality of rear side nozzles 132. The rear branch injection case 131 And the third branched flow path pipe 156 supplies the gas to the upper portion of the rear injection case 131 of the plurality of rear nozzles 132 So that the gas is supplied from the other side of the rear injection case 131 toward the center of the rear injection case 131.

도면 번호 157은 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 연결된 것들과 상기 제 1 분지 유로관(154)을 연결시켜주는 제 1 말단 유로이고, 도면 번호 158은 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 2 분지 유로관(155)과 연결된 것들과 상기 제 2 분지 유로관(155)을 연결시켜주는 제 2 말단 유로이고, 도면 번호 159는 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 3 분지 유로관(156)과 연결된 것들과 상기 제 3 분지 유로관(156)을 연결시켜주는 제 3 말단 유로이다.Reference numeral 157 denotes a first end flow passage for connecting the first branch flow path 154 with the ones of the plurality of the rear nozzles 132 connected to the first branch flow path 154, And a second end flow channel connecting the second rear branch nozzles 132 to the second branch flow channel 155 and the second branch flow channel 155. Reference numeral 159 denotes a plurality of rear nozzles 132) connected to the third branch flow path (156) and the third branch flow path (156).

이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140) 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 작동에 대하여 간단히 설명한다.Hereinafter, referring to the drawings, a wafer receiving cassette 100 (hereinafter referred to as a " wafer receiving cassette ") of a side storage including a side nozzle unit 140 for a wafer receiving cassette of a side storage and a side nozzle unit 140 for a wafer receiving cassette of the side storage according to the present embodiment Will be briefly described.

먼저, 외부에서 공급된 상기 가스가 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)을 통해 상기 측면 노즐 몸체(141)의 하부에서 그 상부 쪽으로 상승되다가, 상기 각 측면 노즐(145)을 통해 각각 분사된다.First, the gas supplied from the outside is raised upward from the lower portion of the side nozzle body 141 through the side nozzle-side gas supply pipe 142, and is then injected through the respective side nozzles 145.

그러면, 상기 각 측면 노즐(145)을 통해 분사되는 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 분사된다.The gas injected through each of the side nozzles 145 is guided from the extension line of the supply pipe connection hole 146 and the rear face of the gas diffusion hole 147 to the respective wafers of the wafer accommodating cassette 100 of the side storage Is diffused through the gas diffusion hole (147) to the opening portion (111) for entry and exit, and is injected.

한편, 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부에 연결된 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151)을 통해 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부를 통해 양 방향으로 퍼진다.The gas supplied through the gas supply pipe 135 connected to the lower portion of the rear injection case 131 flows through the lower portion of the rear injection case 131 through the pipe connection split branch pipe 151, Lt; / RTI >

그런 다음, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 각 말단부에 연결된 상기 각 상승 유로관(152, 153)을 통해 상기 후면 분사 케이스(131)의 각 측면을 따라 상기 가스가 동시에 상승된다.Then, the gas is simultaneously raised along the respective side surfaces of the rear injection case 131 through the respective upflow channel pipes 152 and 153 connected to the distal end portions of the pipe connection split branch pipe 151.

그런 다음, 상기 각 상승 유로관(152, 153)에서 각각 분지된 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 통해 상기 가스가 각각 유동되어 상기 각 후면 노즐(132)에 함께 공급됨으로써, 상기 각 후면 노즐(132)을 통해 균일한 압력으로 상기 각 웨이퍼로 상기 가스가 분사될 수 있게 된다.Subsequently, the gases flow through the branched flow path pipes 154, 155 and 156 branched from the respective upward flow path pipes 152 and 153, respectively, and are supplied to the respective rear nozzle 132 together, So that the gas can be injected into the respective wafers at a uniform pressure through the rear nozzle 132.

상기와 같이, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 통해 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 유동됨에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 통해 분사된 상기 가스가 상기 후면 분사 유닛(130)을 통해 분사된 상기 가스와 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분에서 만나더라도, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분에서 의 와류 형성이 억제되고, 그에 따라 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분(111)을 통해 역류하는 현상이 방지될 수 있다.As described above, the gas is supplied from the extending line of the rear surface of the gas supply hole 146 and the gas diffusion hole 147 through the side nozzle unit 140 for the wafer accommodating cassette of the side storage to the wafer accommodating cassette Through the side diffusion nozzle unit 140 for the wafer accommodating cassette of the side storage as the gas is diffused through the gas diffusion holes 147 to reach the openings 111 for entering and exiting the respective wafers 100 Even if the gas injected meets at the opening of the wafer receiving cassette 100 of the side storage and the gas injected through the rear injection unit 130, the opening of the wafer receiving cassette 100 of the side storage The vapors are prevented from being vortexed by the vortex of the wafer receiving cassette 100 of the side storage The phenomenon of backflow through the opening portion 111 can be prevented.

상기와 같이, 상기 후면 분사 유닛(130)이 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 포함하고, 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 함께 공급될 수 있으므로, 단일한 가스 배관을 통해 상기 각 웨이퍼에 상기 가스를 공급하던 종래 방식에 비해 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼에 각각 공급되는 상기 가스의 압력이 균일해질 수 있게 된다.As described above, the rear injection unit 130 includes the main pipe connection split branch pipe 151, the plurality of upflow pipe pipes 152 and 153, and the plurality of branch pipe pipes 154, 155 and 156 The connecting points of the upward flow pipes 152 and 153 and the branch flow pipes 154 and 155 and 156 are formed at different heights in the wafer accommodating cassette 100 of the side storage, The gas supplied through the supply pipe 135 passes through the pipe connecting split branch pipe 151, the plurality of upflow pipe pipes 152 and 153 and the plurality of branch pipe pipes 154, 155 and 156 Can be supplied together with the uniform pressure inside the wafer accommodating cassette 100 of the side storage. Therefore, compared to the conventional method in which the gas is supplied to the wafers through a single gas piping, Each wafer is supplied with an image The pressure of the gas becomes uniform.

또한, 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)이 상기 측면 노즐 몸체(141), 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142) 및 복수 개의 상기 측면 노즐(145)을 포함함에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 통해 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 유동됨에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분에서의 와류 형성이 억제되고, 그에 따라 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분(111)을 통해 역류하는 현상이 방지될 수 있다.The side surface nozzle unit 140 for wafer accommodating cassette of the side storage according to the present embodiment includes the side surface nozzle body 141, the side surface nozzle side gas supply pipe 142 and the plurality of side surface nozzles 145 The gas is supplied from the extending line of the rear surface of the gas supply hole 146 and the gas supply hole 147 to the wafer accommodating cassette 100 of the side storage through the side nozzle unit 140 for the wafer accommodating cassette of the side storage The vortex formation at the opening portion of the wafer accommodating cassette 100 of the side storage is reduced as the gas is diffused through the gas diffusion holes 147 to reach the opening portion 111 for each wafer entry / Whereby the phenomenon that the fumes flow backward through the opening portion 111 of the wafer accommodation cassette 100 of the side storage by the vortex is suppressed It can jidoel.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 일 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, the wafer receiving cassette of the side storage including the side nozzle unit for the wafer receiving cassette of the side storage and the side nozzle unit for the wafer receiving cassette of the side storage according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out these explanations, the description overlapping with the content already described in the embodiment of the present invention described above is replaced with it, and it will be omitted here.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛을 정면에서 바라본 수직 단면도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛에 적용되는 제 1 압력 조절 부재를 보이는 단면도이고, 도 11은 도 10에 도시된 제 1 압력 조절 부재가 확장된 모습을 보이는 단면도이다.FIG. 9 is a vertical cross-sectional view of a rear injection unit constituting a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view of a wafer receiving cassette of a side storage according to another embodiment of the present invention And FIG. 11 is a cross-sectional view showing the first pressure regulating member shown in FIG. 10 in an expanded state.

도 9 내지 도 11을 함께 참조하면, 본 실시예에서는, 각 분지 유로관(254, 255, 256) 상에 압력 조절 부재(260, 270, 280)가 각각 적용된다.9 to 11, pressure regulating members 260, 270 and 280 are respectively applied to the branch flow path pipes 254, 255 and 256 in the present embodiment.

상기 각 압력 조절 부재(260, 270, 280)는 상기 각 분지 유로관(254, 255, 256) 내부의 각 가스의 유동 압력이 동일해지도록 조절할 수 있는 것이다.Each of the pressure regulating members 260, 270, and 280 may be adjusted so that the flow pressures of the respective gases in the respective branched flow path pipes 254, 255, and 256 are equal to each other.

상세히, 제 1 분지 유로관(254)에는 제 1 압력 조절 부재(260)가 적용되고, 제 2 분지 유로관(255)에는 제 2 압력 조절 부재(270)가 적용되고, 제 3 분지 유로관(256)에는 제 3 압력 조절 부재(280)가 적용된다.In detail, the first pressure regulating member 260 is applied to the first branched flow path pipe 254, the second pressure regulating member 270 is applied to the second branched flow path pipe 255, 256, the third pressure regulating member 280 is applied.

여기서, 상기 제 2 압력 조절 부재(270)와 상기 제 3 압력 조절 부재(280)의 구조는 상기 제 1 압력 조절 부재(260)의 구조와 동일하므로, 이하에서는 상기 제 1 압력 조절 부재(260)의 구조에 대하여 상세히 설명하고, 그러한 상기 제 1 압력 조절 부재(260)에 대한 설명으로 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280)에 대한 설명을 갈음한다.The structure of the second pressure regulating member 270 and the third pressure regulating member 280 is the same as that of the first pressure regulating member 260, The description of the second pressure regulating member 270 and the third pressure regulating member 280 is omitted in the description of the first pressure regulating member 260. [

상세히, 상기 제 1 압력 조절 부재(260)는 제 1 압력 조절 케이스(261)와, 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)과, 제 1 연결 수단(262)을 포함한다.In detail, the first pressure regulating member 260 includes a first pressure regulating case 261, a first pressure regulating elastic deforming means 265, and a first connecting means 262.

상기 제 1 압력 조절 케이스(261)는 상기 제 1 분지 유로관(254)의 일부가 외측으로 확장된 형태를 이루어, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)의 탄성 변형 시에 그러한 탄성 변형이 가능하도록 공간을 제공하는 것이다.The first pressure regulating case 261 is formed such that a part of the first branched flow path pipe 254 is extended outwardly so that when the first pressure regulating elastic deformation means 265 is elastically deformed, It is to provide space to enable.

상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)은 상기 제 1 분지 유로관(254) 내부에 배치되어, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력에 따라 탄성 변형되는 것이다.The first pressure regulating elastic deformation means 265 is disposed inside the first branched flow path pipe 254 and elastically deformed according to the flow pressure of the gas flowing along the first branched flow path pipe 254 .

더욱 상세히, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)은 전체적으로 실리콘 고무 등 탄성을 가진 물질로 이루어지고 상기 제 1 분지 유로관(254)에서의 상기 가스의 유동 방향에 대해 수직 방향으로 일정 길이로 길게 형성된 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)와, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)에서 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 방향에 대면되는 면 상에 일정 곡률로 이루어진 곡면 형태로 함몰 형성되는 제 1 압력 조절 함몰면(267)을 포함한다.More specifically, the first pressure regulating elastic deformation means 265 is made of a material having elasticity such as silicone rubber as a whole, and has a predetermined length in the direction perpendicular to the flow direction of the gas in the first branched flow path pipe 254 The first pressure regulating elastic deforming body 266 and the first pressure regulating elastic deforming body 266 are formed on a surface facing the flow direction of the gas flowing along the first branch flow path tube 254 And a first pressure regulating recess 267 recessed in a curved surface having a predetermined curvature.

상기 제 1 연결 수단(262)은 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)를 상기 제 1 분지 유로관(254)의 내벽에 고정시킬 수 있는 볼트 등의 고정 수단이다.The first connecting means 262 is a fixing means such as a bolt that can fix the first pressure regulating elastic deformation body 266 to the inner wall of the first branched flow path pipe 254.

상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스가 제 1 유동 압력으로 유동되는 경우에는, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 변형되지 아니한 원형을 그대로 유지한다.When the gas flowing along the first branched flow path pipe 254 flows to the first flow pressure, as shown in FIG. 5, the first pressure regulating elastic deformation body 266 is formed into a circular shape .

그러다가, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력이 변하여 상기 제 1 유동 압력에 비해 상대적으로 더 큰 제 2 유동 압력이 된 경우에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 압력 조절 함몰면(267)에는 상기 가스의 유동 압력이 상기 제 2 유동 압력과 상기 제 1 유동 압력의 차이만큼 더 걸리게 되므로, 상기 제 2 유동 압력과 상기 제 1 유동 압력의 차이만큼 더 걸리는 상기 가스의 유동 압력에 의해 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 방향에 대해 수직 방향으로 상대적으로 늘어나도록 탄성 변형되고, 그에 따라 상기 제 1 유동 압력으로 상기 가스가 유동되는 경우에 비해 상기 제 2 유동 압력으로 상기 가스가 유동되는 경우에 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 그 변형된 만큼 상기 제 1 압력 조절 케이스(261) 및 상기 제 1 분지 유로관(254) 내부를 상대적으로 좁아지도록 하여, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력을 그만큼 감소시키게 된다.6, when the flow pressure of the gas flowing along the first branch flow path 254 changes and the second flow pressure becomes relatively larger than the first flow pressure, As the flow pressure of the gas is further increased by the difference between the second flow pressure and the first flow pressure, the difference between the second flow pressure and the first flow pressure is greater than the difference between the second flow pressure and the first flow pressure. The first pressure regulating elastic body 266 is elastically deformed to be relatively stretched in the direction perpendicular to the flow direction of the gas flowing along the first branched flow path tube 254 by the flow pressure of the gas So that when the gas flows into the second flow pressure as compared to when the gas flows into the first flow pressure, the first pressure regulating elastic deformation body The first branch flow pipe 254 and the second branch flow pipe 254 are formed such that the first branch pipe 266 is relatively narrowed in the first pressure control case 261 and the first branch flow pipe 254, Thereby reducing the flow pressure of the fluid.

상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280)는 동일한 구조를 이룸으로써, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256)에 동일한 유동 압력이 걸리는 경우, 상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280) 각각에 적용된 각 압력 조절 탄성 변형 몸체는 동일한 형태를 이루게 되지만, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256) 중 어느 하나에 다른 유동 압력이 걸리는 경우, 상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280) 중 해당하는 다른 유동 압력이 걸리는 것에 적용된 압력 조절 탄성 변형 몸체가 그 유동 압력의 차이만큼 변형되면서 그 유동 압력의 차이를 상쇄시키게 된다. 그러면, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256) 내부의 상기 가스의 유동 압력은 항상 일정하게 유지될 수 있게 된다.The first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270 and the third pressure regulating member 280 have the same structure so that the first branched flow path pipe 254, The first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270, and the third pressure regulating member (the first pressure regulating member 270) The first branch flow channel 254, the second branch flow channel 255 and the third branch flow channel 256 are formed in the same shape as the first branch flow channel 254, the second branch flow channel 255, Which is applied to the corresponding one of the first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270 and the third pressure regulating member 280, As the deformable body is deformed by the difference of its flow pressure, Thereby offsetting the difference in flow pressure. Then, the flow pressure of the gas in the first branch flow pipe 254, the second branch flow pipe 255, and the third branch flow pipe 256 can be kept constant.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims And can be changed. However, it is intended that the present invention covers the modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 의하면, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분에서의 와류 형성을 억제함으로써, 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분을 통해 역류하는 현상을 방지할 수 있고, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일해질 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the wafer accommodating cassette of the side storage including the side nozzle unit for the wafer accommodating cassette of the side storage and the side nozzle unit for the wafer accommodating cassette of the side storage according to an aspect of the present invention, It is possible to prevent the fumes from flowing backward through the opening portion of the wafer accommodating cassette of the side storage by the vortex and to prevent the backflow of the fumes in the wafer accommodating cassettes of the side storage, The pressure of the gas supplied to each of them can be made uniform.

100 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트
130 : 후면 분사 유닛
140 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛
141 : 측면 노즐 몸체
142 : 측면 노즐측 가스 공급관
145 : 측면 노즐
100: wafer storage cassette of side storage
130: rear injection unit
140: Side nozzle unit for wafer accommodating cassette in side storage
141: Side nozzle body
142: side nozzle side gas supply pipe
145: Side nozzle

Claims (4)

삭제delete 삭제delete 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 후면 분사 유닛; 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛;을 포함하고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에 배치되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼를 커버하는 면적으로 형성되는 측면 노즐 몸체와, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 측면 노즐 몸체 내부로 상기 가스를 공급하는 측면 노즐측 가스 공급관과, 상기 측면 노즐측 가스 공급관을 통해 공급된 상기 가스를 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이 공간으로 각각 분사해주는 복수 개의 측면 노즐을 포함하고,
상기 각 측면 노즐은 상기 가스가 상기 각 측면 노즐의 전방으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분까지 확산되도록 상기 가스를 분사하고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 후면 분사 유닛으로 상기 가스가 공급되는 가스 공급 원관;을 포함하고,
상기 후면 분사 유닛은 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스를 후면 노즐까지 분배하기 위하여, 원관 연결 분할 분지관과, 복수의 상승 유로관과, 복수의 분지 유로관을 포함하고,
상기 각 상승 유로관과 상기 각 분지 유로관의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상기 상승 유로관 및 복수의 상기 분지 유로관을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 함께 공급될 수 있고,
복수의 상기 후면 노즐은 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주도록 후면 분사 케이스 내부에 배치되되, 상기 각 후면 노즐은 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 일정 길이로 길게 형성되며, 상기 각 후면 노즐에는 각각 복수 개의 분사공이 형성됨으로써, 상기 각 후면 노즐을 통해 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 넓게 상기 가스가 분사될 수 있게 되고,
상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 가스 공급 원관과 연결되되, 상기 가스 공급 원관을 통해 공급된 상기 가스가 복수로 분할 유동되도록 상기 가스 공급 원관으로부터 복수로 분할된 형태로 이루어지고, 상기 가스 공급 원관은 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분을 통해 외부의 가스 공급 유닛과 연결되고, 상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분에서 상기 가스 공급 원관과 연통되되 수평 방향으로 복수로 분지된 형태를 이루고, 상기 원관 연결 분할 분지관은 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분에서 수평 방향으로 서로 멀어지도록 복수 개로 분지되되, 상기 각 후면 노즐의 각 외곽까지 각각 연장되고, 상기 원관 연결 분할 분지관이 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분의 중앙부에서 상기 가스 공급 원관과 연결되되 그로부터 상기 후면 분사 케이스의 바닥 부분의 양 측면 방향을 따라 두 갈래로 수평 방향으로 서로 대칭되도록 분지되되, 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 각 외곽 부분에 이르기까지 연장된 형태를 이루고,
복수의 상기 상승 유로관은 상기 원관 연결 분할 분지관의 복수의 각 말단부와 연결되되, 상기 원관 연결 분할 분지관을 통해 각각 유동된 상기 가스가 상기 후면 분사 케이스의 내부를 따라 복수의 유로로 각각 상승되도록 상기 후면 분사 케이스 내부를 따라 상하 방향으로 연결된 것이고, 상기 각 상승 유로관은 상기 후면 분사 케이스의 수직 방향으로 서로 이격된 형태로 배열되고, 상기 각 상승 유로관은 상기 각 후면 노즐의 외곽 쪽을 따라 각각 배열되고, 상기 상승 유로관은 제 1 상승 유로관과, 제 2 상승 유로관을 포함하고, 상기 제 1 상승 유로관은 상기 원관 연결 분할 분지관의 일 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열되고, 상기 제 2 상승 유로관은 상기 원관 연결 분할 분지관의 타 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열되고, 상기 제 1 상승 유로관은 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 후면 분사 케이스의 일 측면 중앙부까지 연장된 형태를 이루고, 상기 제 2 상승 유로관은 상기 후면 분사 케이스에서 상기 각 후면 노즐의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 후면 분사 케이스의 타 측면 상부까지 연장된 형태를 이루고,
복수의 상기 분지 유로관은 상기 각 상승 유로관과 상기 후면 분사 케이스 내부에 서로 다른 높이로 형성된 상기 각 후면 노즐을 연결하고, 상기 각 분지 유로관은 상기 후면 분사 케이스의 수평 방향으로 상기 후면 분사 케이스의 서로 다른 높이 상에 각각 배열되고, 상기 각 분지 유로관은 상기 각 후면 노즐의 중앙부와 연결되어 상기 가스를 공급하되, 상기 각 상승 유로관에서 분지되는 상기 각 분지 유로관은 상기 후면 분사 케이스의 하부에서 상기 후면 분사 케이스의 상부로 갈수록 서로 교차되도록 대향되는 방향으로 상기 가스를 각각 공급하고, 상기 각 분지 유로관은 서로 다른 높이의 상기 각 후면 노즐 사이로 배열되어, 그 이웃하는 적어도 두 개의 상기 후면 노즐에 상기 가스를 공급하고, 상기 분지 유로관은 제 1 분지 유로관과, 제 2 분지 유로관과, 제 3 분지 유로관을 포함하고, 상기 제 1 분지 유로관은 상기 제 1 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐 중 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하고, 상기 제 2 분지 유로관은 상기 제 2 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하고, 상기 제 3 분지 유로관은 상기 제 2 상승 유로관에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관 및 상기 제 2 분지 유로관과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐 중 상기 제 1 분지 유로관 및 상기 제 2 분지 유로관과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐로 함께 상기 가스를 분할 공급하고, 상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스는 상기 제 2 분지 유로관 및 상기 제 3 분지 유로관을 따라 각각 유동되는 상기 가스와 서로 평행하되, 서로 대향류가 되는 방향으로 유동되고, 상기 제 1 분지 유로관, 상기 제 2 분지 유로관 및 상기 제 3 분지 유로관은 복수 개의 상기 후면 노즐 중 서로 다른 것에만 연결되고, 상기 제 1 분지 유로관이 복수 개의 상기 후면 노즐 중 상기 후면 분사 케이스의 중앙부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스의 일 측면에서 상기 후면 분사 케이스의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 2 분지 유로관이 복수 개의 상기 후면 노즐 중 상기 후면 분사 케이스의 하부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스의 타 측면에서 상기 후면 분사 케이스의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 3 분지 유로관이 복수 개의 상기 후면 노즐 중 상기 후면 분사 케이스의 상부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스의 타 측면에서 상기 후면 분사 케이스의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하는 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트.
A rear injection unit for injecting a gas between a plurality of wafers stacked at different heights inside the wafer accommodation cassette of the side storage from the rear side of the wafer accommodation cassette of the side storage; And a side surface nozzle unit for a wafer accommodating cassette in a side storage for jetting gas between each of the plurality of wafers on each side of the wafer accommodating cassette of the side storage,
The side nozzle unit for the wafer receiving cassette of the side storage is disposed on each side of the wafer receiving cassette of the side storage and has an area covering a plurality of the wafers stacked at different heights in the wafer receiving cassette of the side storage A side nozzle side gas supply pipe for supplying the gas from the outside of the wafer accommodating cassette of the side storage into the inside of the side nozzle body and a side nozzle side gas supply pipe for supplying the gas supplied through the side nozzle side gas supply pipe to a plurality And a plurality of side nozzles for spraying into the spaces between the wafers,
Wherein each of the side nozzles ejects the gas so that the gas diffuses from a front side of each side nozzle to an opening portion of the wafer accommodating cassette of the side storage for each wafer entry and exit,
Wherein the wafer receiving cassette of the side storage includes a gas supply pipe through which the gas is supplied from outside the wafer accommodating cassette of the side storage to the rear injecting unit,
The rear injection unit includes a branch pipe branch pipe, a plurality of upflow pipe pipes, and a plurality of branch pipe pipes for distributing the gas supplied through the gas supply pipe to the rear nozzle,
Wherein each of the upward flow channel and the branch flow channel is formed at a different height in the wafer accommodating cassette of the side storage, so that the gas supplied through the gas supply source pipe is guided to the arc- Can be supplied to the inside of the wafer accommodating cassette of the side storage at a uniform pressure while passing through the plurality of the upward flow path pipes and the plurality of branch flow path pipes,
A plurality of the rear nozzles are disposed inside the rear jetting case so as to jet the gas between the wafers arranged at different heights, the rear nozzles are formed to have a predetermined length in the width direction of the respective wafers, The plurality of nozzles are formed in each of the rear nozzles so that the gas can be injected in a width direction of each of the wafers through the respective rear nozzles,
And the gas supply source pipe is divided into a plurality of parts from the gas supply pipe so that the gas supplied through the gas supply pipe is divided into a plurality of flows, The rear injection case is connected to an external gas supply unit through a bottom portion of the rear injection case. The pipe connection split branch pipe is branched from a bottom portion of the rear injection case to the gas supply pipe, , And the main pipe connection split branch tube is divided into a plurality of parts so as to be horizontally spaced from each other at a bottom part of the rear injection case and extends to each outline of the respective rear nozzles, Is connected to the gas supply pipe at a central portion of the bottom portion of the gas supply pipe Emitter forms a shape extending up to the respective outer portions of each of said back nozzle from said back along both the lateral direction of the base of the injection case doedoe branched to two branches to each other symmetrically in a horizontal direction, the rear injection case,
The plurality of upward flow path pipes are connected to a plurality of end portions of the tube connection split branch tube, and the gas, which has respectively flowed through the tube connection split branch tube, rises in a plurality of flow paths along the inside of the rear injection case And the respective upward flow pipes are spaced apart from each other in the vertical direction of the rear injection case, and each of the upward flow pipes is connected to the outer side of each of the rear nozzles Wherein the upward flow pipe includes a first upward flow pipe and a second upward flow pipe, and the first upward flow pipe is bent at one end of the pipe connecting split branch pipe , And is arranged to rise vertically along one side edge of each of the rear nozzles in the rear injection case, and the second rising Wherein the flow pipe is bent at the other end portion of the branch pipe connected to the branch pipe, and is arranged to rise vertically along the other outer edge of each of the rear nozzles in the rear injection case, The tube is vertically elevated along one side of the rear nozzle in the rear injection case and extends to the center of one side of the rear injection case, The rear injection case is vertically raised along the other outer edge of the rear injection nozzle in the injection case and extends to the other upper side of the rear injection case,
The plurality of branch flow path tubes connect the respective back surface nozzles formed at different heights to the respective upward flow path tubes and the rear side injection case, and each branch flow path tube is connected to the rear injection case And each of the branch flow channels is connected to a central portion of each of the rear nozzles to supply the gas, and each branch flow channel branched from each of the upward flow channels is connected to the rear injection case Wherein each of the branch flow path tubes is arranged between the respective rear nozzles at different heights so that the gas is supplied to at least two of the adjacent rear side nozzles And the branch flow channel is connected to the first branch flow channel and the second branch flow channel, Wherein the first branch flow passage is branched from the first upstream flow passage and is arranged between two neighboring ones of the plurality of rear nozzles, and the plurality of the rear nozzles The second branch flow channel is branched from the second upstream flow channel, and the second branch flow channel is branched from the second upstream flow channel, and the second branch flow channel is branched from the second upstream flow channel, And a plurality of the rear nozzles including the two neighboring nozzles not connected to the first branch flow path among the plurality of rear nozzles, Wherein the third branch flow channel is branched from the second rising flow channel and is connected to the first branch flow channel and the second branch flow channel of the plurality of rear nozzles And the plurality of rear nozzles including two adjacent ones of the plurality of rear nozzles connected to the first branch flow channel and the second branch flow channel, And the gas flowing along the first branch flow path is flowed in parallel with the gas flowing along the second branch flow path tube and the third branch flow path, Wherein the first branched flow path tube, the second branched flow path tube, and the third branched flow path tube are connected to different ones of the plurality of rear side nozzles, and the first branched flow path tube is connected to the rear side of the plurality of rear side nozzles The gas is supplied from one side of the rear injection case toward the center of the rear injection case at a height of the center of the injection case, The second branch flow pipe is located at a lower height of the rear injection case among the plurality of rear nozzles and supplies the gas from the other side of the rear injection case toward the center of the rear injection case, Wherein the gas is supplied from the other side of the rear injection case toward the center of the rear injection case when the tube is at the upper level of the rear injection case among the plurality of rear side nozzles. Acceptance cassette.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 분지 유로관에는 제 1 압력 조절 부재가 적용되고,
상기 제 1 압력 조절 부재는 제 1 압력 조절 케이스와, 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단과, 제 1 연결 수단을 포함하고,
상기 제 1 압력 조절 케이스는 상기 제 1 분지 유로관의 일부가 외측으로 확장된 형태를 이루어, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단의 탄성 변형 시에 그러한 탄성 변형이 가능하도록 공간을 제공하고,
상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단은 상기 제 1 분지 유로관 내부에 배치되어, 상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력에 따라 탄성 변형되고,
상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단은 탄성을 가진 물질로 이루어지고 상기 제 1 분지 유로관에서의 상기 가스의 유동 방향에 대해 수직 방향으로 일정 길이로 길게 형성된 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체와, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체에서 상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 방향에 대면되는 면 상에 일정 곡률로 이루어진 곡면 형태로 함몰 형성되는 제 1 압력 조절 함몰면을 포함하고,
상기 제 1 연결 수단은 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체를 상기 제 1 분지 유로관의 내벽에 고정시킬 수 있는 고정 수단이고,
상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스가 제 1 유동 압력으로 유동되는 경우에는, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체가 변형되지 아니한 원형을 그대로 유지하고,
상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력이 변하여 상기 제 1 유동 압력에 비해 상대적으로 더 큰 제 2 유동 압력이 된 경우에는, 상기 제 1 압력 조절 함몰면에는 상기 가스의 유동 압력이 상기 제 2 유동 압력과 상기 제 1 유동 압력의 차이만큼 더 걸리게 되어, 상기 제 2 유동 압력과 상기 제 1 유동 압력의 차이만큼 더 걸리는 상기 가스의 유동 압력에 의해 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체가 상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 방향에 대해 수직 방향으로 상대적으로 늘어나도록 탄성 변형되고, 그에 따라 상기 제 1 유동 압력으로 상기 가스가 유동되는 경우에 비해 상기 제 2 유동 압력으로 상기 가스가 유동되는 경우에 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체가 그 변형된 만큼 상기 제 1 압력 조절 케이스 및 상기 제 1 분지 유로관 내부를 상대적으로 좁아지도록 하여, 상기 제 1 분지 유로관을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력을 그만큼 감소시키게 되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트.
The method of claim 3,
A first pressure regulating member is applied to the first branched flow path tube,
The first pressure regulating member includes a first pressure regulating case, a first pressure regulating elastic deformation means, and a first connecting means,
The first pressure regulating case has a shape in which a part of the first branched flow path tube extends outwardly and provides a space for allowing elastic deformation when the first pressure regulating elastic deformation means is elastically deformed,
Wherein the first pressure regulating elastic deformation means is disposed inside the first branched flow path tube and is elastically deformed in accordance with a flow pressure of the gas flowing along the first branched flow path tube,
Wherein the first pressure regulating elastic deformation means comprises a first pressure regulating elastic deformable body made of a material having elasticity and elongated in a direction perpendicular to the flow direction of the gas in the first branched flow path tube to a predetermined length, And a first pressure regulating recess formed on a surface of the first pressure regulating elastic body which faces the flow direction of the gas flowing along the first branched flow path tube, the first pressure regulating recess being recessed in a curved shape having a predetermined curvature,
The first connection means is a fixing means capable of fixing the first pressure regulating elastic body to the inner wall of the first branched flow path tube,
Wherein when the gas flowing along the first branch flow channel flows into the first flow pressure, the first pressure regulating elastic deformation body remains unchanged in its original shape,
Wherein when the flow pressure of the gas flowing along the first branch flow channel changes and becomes a second flow pressure relatively larger than the first flow pressure, The second flow pressure is greater than the first flow pressure by a difference between the second flow pressure and the first flow pressure, Is elastically deformed so as to be relatively elongated in a direction perpendicular to the flow direction of the gas flowing along the first branch flow path, so that the second flow pressure When the gas flows, the first pressure regulating elastic body deforms to the first pressure regulating case and the second pressure regulating body So that the flow pressure of the gas flowing along the first branch flow path pipe is reduced correspondingly by making the inside of the first branch flow path pipe relatively narrow.
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