KR20200008492A - Side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage and wafer seating cassette of side storage comprising the side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage - Google Patents

Side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage and wafer seating cassette of side storage comprising the side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage Download PDF

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KR20200008492A KR1020190012030A KR20190012030A KR20200008492A KR 20200008492 A KR20200008492 A KR 20200008492A KR 1020190012030 A KR1020190012030 A KR 1020190012030A KR 20190012030 A KR20190012030 A KR 20190012030A KR 20200008492 A KR20200008492 A KR 20200008492A
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Abstract

A disclosed side surface nozzle unit for a wafer receiving cassette of side storage includes a side surface nozzle body, a side surface nozzle side gas supply pipe and a plurality of side surface nozzles, thereby allowing gas to flow through the side surface nozzle for a wafer receiving cassette of side storage while being spread to a range of reaching an opening portion for entrance and exit of each wafer of a wafer receiving cassette of the side storage from an extension line of back surfaces of a supply pipe connecting hole and a gas spraying hole through a gas spraying hole. Therefore, vortex generation is suppressed at the opening portion of the wafer receiving cassette of the side storage, and fume backflow through the opening portion of the cassette for receiving a wafer of side storage by vortexes can be prevented.

Description

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트{Side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage and wafer seating cassette of side storage comprising the side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage}Side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage and wafer seating cassette of side storage including side nozzle unit for wafer storage cassette of side storage and side nozzle unit for wafer storage cassette of side storage comprising the side wall nozzle unit for wafer seating cassette of side storage}

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer storage cassette of a side storage comprising a side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage and a side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage.

반도체 제조를 위한 웨이퍼의 가공을 위해서는 웨이퍼 이송 자동화 모듈(EFEM, equipment front end module)이 사용되는데, 이러한 웨이퍼 이송 자동화 모듈에는 웨이퍼를 가공하는 공정 챔버(process chamber)와, 상기 공정 챔버 내부로 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)와, 상기 트랜스퍼 챔버 전에 웨이퍼가 거치는 로드락 챔버(loadlock chamber)와, 상기 공정 챔버를 경유한 웨이퍼가 일정 시간 동안 수용되는 사이드 스토리지(side storage)를 포함한다.A wafer front automation module (EFEM) is used to process a wafer for semiconductor manufacturing. The wafer front automation module includes a process chamber for processing a wafer and a wafer into the process chamber. The transfer chamber includes a transfer chamber, a loadlock chamber through which a wafer passes before the transfer chamber, and side storage in which a wafer via the process chamber is accommodated for a predetermined time.

위와 같은 사이드 스토리지의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 등록특허 제 10-1758213호(발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지)의 그 것이다.An example of such side storage may be that of Patent No. 10-1758213 (name of the invention: side storage with gas nozzle plate) as set forth below.

상기 사이드 스토리지에서 웨이퍼가 수용되는 부분이 웨이퍼 수용 카세트인데, 이러한 웨이퍼 수용 카세트에 웨이퍼가 머무는 동안, 웨이퍼 쪽으로 퍼지 가스 등의 가스가 분사되어, 웨이퍼에 묻은 이물질을 제거하게 된다. 따라서, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에는 가스 분사를 위한 유로가 형성된다.A portion of the side storage in which the wafer is accommodated is a wafer accommodating cassette. While the wafer stays in the wafer accommodating cassette, a gas such as a purge gas is injected toward the wafer to remove foreign substances from the wafer. Therefore, a flow path for gas injection is formed in the wafer accommodating cassette of the side storage.

이러한 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부로 가스 분사를 위하여, 등록특허 제 10-1444241호(발명의 명칭: 웨이퍼 처리장치의 배기시스템)에서는, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면 및 각 측면에서 가스를 분사하는 구조를 이루고 있다.In order to inject the gas into the wafer storage cassette of the side storage, Patent No. 10-1444241 (name of the invention: the exhaust system of the wafer processing apparatus), injects gas from the back side and each side of the wafer storage cassette of the side storage. To achieve the structure.

그러나, 상기와 같은 종래 방식에서는, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 각각 수직 방향으로 가스가 분사되는 형태를 이루기 때문에, 상기와 같이 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 각각 수직 방향으로 분사된 가스와 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면에서 분사된 가스가 서로 혼합되면서 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분에서 와류(vortex)가 형성되고, 그에 따라 퓸(fume)이 그러한 와류에 의해 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분을 통해 역류하여 웨이퍼가 오염되는 문제가 있었다.However, in the conventional method as described above, since the gas is ejected in the vertical direction on each side of the wafer storage cassette of the side storage, the ejection is performed in the vertical direction on each side of the wafer storage cassette of the side storage as described above. The mixed gas and the gas injected from the backside of the wafer storage cassette of the side storage are mixed with each other to form a vortex in the opening of the wafer storage cassette of the side storage, whereby the fume is formed by the side storage. There was a problem that the wafer was contaminated by flowing back through the opening of the wafer accommodating cassette.

또한, 종래의 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면에서 가스를 분사하는 유로에 의하면, 상기 웨이퍼 수용 카세트의 벽면 쪽에 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면에서 상단까지 연결된 가스 배관이 형성되고, 그러한 가스 배관을 통해 상기 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 공급된 가스가 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면에서 상기 웨이퍼 수용 카세트의 상단까지 수직 방향으로 그대로 상승되면서 단일한 가스 배관을 통해 공급되다가, 각 웨이퍼 사이의 노즐을 통해 분사되는 구조를 이룸으로써, 상기 웨이퍼 수용 카세트의 저면으로부터 상기 웨이퍼 수용 카세트의 상단으로 갈수록 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일하지 못하게 되는 문제가 있었다.Further, according to the flow path for injecting gas from the rear surface of the wafer storage cassette of the conventional side storage, a gas pipe connected from the bottom to the top of the wafer storage cassette is formed on the wall side of the wafer storage cassette, and through the gas pipe The gas supplied from the outside of the wafer accommodating cassette rises in a vertical direction from the bottom of the wafer accommodating cassette to the top of the wafer accommodating cassette as it is supplied through a single gas pipe, and is sprayed through the nozzles between the wafers. As a result, there has been a problem that the pressure of the gas supplied to each of the wafers arranged at different heights from the bottom of the wafer accommodating cassette toward the top of the wafer accommodating cassette becomes uneven.

등록특허 제 10-1758213호, 등록일자: 2017.07.10., 발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지Patent Registration No. 10-1758213, date of registration: July 10, 2017, title of the invention: side storage with a gas nozzle plate 등록특허 제 10-1444241호, 등록일자: 2014.09.18., 발명의 명칭: 웨이퍼 처리장치의 배기시스템Patent No. 10-1444241, registered date: September 18, 2014, title of the invention: exhaust system of the wafer processing apparatus

본 발명은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분에서의 와류 형성을 억제함으로써, 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분을 통해 역류하는 현상을 방지할 수 있는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention suppresses the formation of vortex in the opening portion of the wafer storage cassette of the side storage, whereby the phenomenon of fume backflowing through the opening portion of the wafer storage cassette of the side storage by the vortex can be prevented. An object of the present invention is to provide a wafer storage cassette of a side storage including a side nozzle unit for a housing cassette and a side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage.

본 발명의 다른 목적은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일해질 수 있는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a wafer nozzle of the side storage unit and a side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage in which the pressure of the gas supplied to each wafer disposed at different heights in the wafer storage cassette of the side storage can be uniform. It is to provide a wafer storage cassette of the side storage including the side nozzle unit for the cassette.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 것으로서,The side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage according to an aspect of the present invention injects gas between a plurality of wafers stacked at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage at each side of the wafer storage cassette of the side storage. In order to

상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에 배치되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼를 커버하는 면적으로 형성되는 측면 노즐 몸체; 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 측면 노즐 몸체 내부로 상기 가스를 공급하는 측면 노즐측 가스 공급관; 및 상기 측면 노즐측 가스 공급관을 통해 공급된 상기 가스를 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이 공간으로 각각 분사해주는 복수 개의 측면 노즐;을 포함하고,A side nozzle body disposed on each side of the wafer storage cassette of the side storage, the side nozzle body being formed to cover a plurality of the wafers stacked at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage; A side nozzle side gas supply pipe configured to supply the gas from the outside of the wafer storage cassette of the side storage into the side nozzle body; And a plurality of side nozzles respectively injecting the gas supplied through the side nozzle side gas supply pipe into the spaces between the plurality of wafers, respectively.

상기 각 측면 노즐은 상기 가스가 상기 각 측면 노즐의 전방으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분까지 확산되도록 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.Each side nozzle is characterized in that the gas is injected such that the gas diffuses from the front of each side nozzle to the opening portion for the entry and exit of each wafer of the wafer receiving cassette of the side storage.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 후면 분사 유닛; 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛;을 포함하고,The wafer storage cassette of the side storage according to an aspect of the present invention is a rear injection unit for injecting gas from the rear of the wafer storage cassette of the side storage between a plurality of wafers stacked at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage ; And a side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage for injecting gas between each of the plurality of wafers from each side of the wafer storage cassette of the side storage.

상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에 배치되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼를 커버하는 면적으로 형성되는 측면 노즐 몸체와, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 측면 노즐 몸체 내부로 상기 가스를 공급하는 측면 노즐측 가스 공급관과, 상기 측면 노즐측 가스 공급관을 통해 공급된 상기 가스를 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이 공간으로 각각 분사해주는 복수 개의 측면 노즐을 포함하고, 상기 각 측면 노즐은 상기 가스가 상기 각 측면 노즐의 전방으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분까지 확산되도록 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.The side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage is disposed on each side of the wafer storage cassette of the side storage, and covers a plurality of the wafers stacked at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage. A plurality of side nozzle bodies formed; a side nozzle side gas supply pipe for supplying the gas from the outside of the wafer storage cassette of the side storage into the side nozzle body; and the gas supplied through the side nozzle side gas supply pipe. A plurality of side nozzles each spraying into the spaces between the respective wafers, wherein each side nozzle diffuses the gas from the front of each side nozzle to an opening portion for entry and exit of each wafer of the wafer receiving cassette of the side storage; Prize Characterized by injecting gas.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 의하면, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛이 측면 노즐 몸체, 측면 노즐측 가스 공급관 및 복수 개의 측면 노즐을 포함함에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 통해 가스가 공급관 연결 홀 및 가스 확산 홀의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀을 통해 확산되면서 유동됨에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분에서의 와류 형성이 억제되고, 그에 따라 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분을 통해 역류하는 현상이 방지될 수 있는 효과가 있다.According to the wafer storage cassette of the side storage including the side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage and the side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage according to an aspect of the present invention, the side for the wafer storage cassette of the side storage As the nozzle unit includes a side nozzle body, a side nozzle side gas supply pipe and a plurality of side nozzles, the gas flows through the side nozzle unit for the wafer receiving cassette of the side storage from the side of the supply line connecting hole and the extension line of the rear of the gas diffusion hole. As it flows while spreading through the gas diffusion holes to a range up to an opening portion for each wafer entry / exit of the wafer receiving cassette of storage, vortex formation in the opening portion of the wafer receiving cassette of the side storage is suppressed, and accordingly The effect that the fume flows back through the opening portion of the wafer receiving cassette of the side storage by the vortex can be prevented.

본 발명의 다른 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 의하면, 후면 분사 유닛이 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상승 유로관 및 복수의 분지 유로관을 포함하고, 상기 각 상승 유로관과 상기 각 분지 유로관의 연결 지점은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 가스 공급 원관을 통해 공급된 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관, 복수의 상기 상승 유로관 및 복수의 상기 분지 유로관을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 함께 공급될 수 있으므로, 단일한 가스 배관을 통해 각 웨이퍼에 상기 가스를 공급하던 종래 방식에 비해 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼에 각각 공급되는 상기 가스의 압력이 균일해질 수 있게 되는 효과가 있다.According to the wafer storage cassette of the side storage including the side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage and the side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage according to another aspect of the present invention, the rear jetting unit is a pipe connecting split branch pipe. And a plurality of rising flow path pipes and a plurality of branch flow path pipes, wherein the connection points of each of the rising flow path pipes and the branch flow path pipes are formed at different heights in the wafer storage cassette of the side storage, respectively, The gas supplied through can be supplied together inside the wafer receiving cassette of the side storage at a uniform pressure while passing through the pipe connection split branch pipe, the plurality of rising flow path pipes and the plurality of branch flow path pipes. Supplying the gas to each wafer through a gas pipe Compared with the conventional method, the pressure of the gas supplied to each of the wafers disposed at different heights can be made uniform.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 위에서 내려다본 수평 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에서의 가스 유동을 위에서 내려다본 수평 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 측면 노즐 유닛을 보이는 정면도.
도 4는 도 3에 도시된 A-A'선에 따른 단면도.
도 5는 도 4에 도시된 B부분을 확대한 도면.
도 6은 도 5에 도시된 측면 노즐 유닛에서의 가스 유동을 보이는 수평 단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛을 정면에서 바라본 수직 단면도.
도 8은 도 7에 도시된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛에서의 가스 흐름을 보이는 수직 단면도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛을 정면에서 바라본 수직 단면도.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛에 적용되는 제 1 압력 조절 부재를 보이는 단면도.
도 11은 도 10에 도시된 제 1 압력 조절 부재가 확장된 모습을 보이는 단면도.1 is a horizontal sectional view from above of a wafer receiving cassette of side storage according to an embodiment of the present invention;
2 is a horizontal cross-sectional view from above of a gas flow inside a wafer receiving cassette of side storage according to an embodiment of the present invention;
3 is a front view showing a side nozzle unit including a side nozzle unit for a wafer receiving cassette of side storage according to an embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.
5 is an enlarged view of a portion B shown in FIG. 4;
FIG. 6 is a horizontal sectional view showing the gas flow in the side nozzle unit shown in FIG. 5; FIG.
7 is a vertical sectional view, viewed from the front, of a rear ejection unit constituting a wafer accommodating cassette of side storage according to an embodiment of the present invention;
FIG. 8 is a vertical sectional view showing the gas flow in the rear ejection unit constituting the wafer containing cassette of the side storage shown in FIG. 7; FIG.
9 is a vertical sectional view, viewed from the front, of a rear ejection unit constituting a wafer receiving cassette of side storage according to another embodiment of the present invention;
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a first pressure regulating member applied to a rear ejection unit constituting a wafer receiving cassette of side storage according to another embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an expanded state of the first pressure regulating member illustrated in FIG. 10.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 대하여 설명한다.Hereinafter, a wafer storage cassette of a side storage including a side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage and a side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 위에서 내려다본 수평 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에서의 가스 유동을 위에서 내려다본 수평 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 측면 노즐 유닛을 보이는 정면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 A-A'선에 따른 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 B부분을 확대한 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 측면 노즐 유닛에서의 가스 유동을 보이는 수평 단면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛을 정면에서 바라본 수직 단면도이고, 도 8은 도 7에 도시된 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛에서의 가스 흐름을 보이는 수직 단면도이다.1 is a horizontal cross-sectional view from above of a wafer storage cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a top view of gas flow inside a wafer receiving cassette of a side storage according to an embodiment of the present invention. 3 is a front sectional view showing a side nozzle unit including a side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a line A-A 'shown in FIG. 5 is an enlarged view of a portion B shown in FIG. 4, FIG. 6 is a horizontal cross-sectional view showing a gas flow in the side nozzle unit shown in FIG. 5, and FIG. 7 is an embodiment of the present invention. 8 is a vertical sectional view of the back side ejection unit constituting the wafer storage cassette of the side storage according to the example, and FIG. 8 is a web of the side storage shown in FIG. It is a vertical cross section which shows the gas flow in the back side injection unit which comprises an wiper accommodation cassette.

도 1 내지 도 8을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)은 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 각 측면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 웨이퍼(W) 사이로 가스를 분사하기 위한 것으로서, 측면 노즐 몸체(141)와, 측면 노즐측 가스 공급관(142)과, 복수 개의 측면 노즐(145)을 포함한다.1 to 8 together, the side nozzle unit 140 for the wafer storage cassette of the side storage according to the present embodiment is a wafer receiving cassette of the side storage (each side of the wafer storage cassette 100 of the side storage) 100 is for injecting gas between a plurality of wafers (W) stacked at different heights in the interior, and the side nozzle body 141, the side nozzle side gas supply pipe 142, and the plurality of side nozzles 145 Include.

본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)는 후면 분사 유닛(130)과, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 포함한다.The wafer storage cassette 100 of the side storage according to the present embodiment includes a back side injection unit 130 and a side nozzle unit 140 for a wafer storage cassette of the side storage.

도면 번호 110은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스로 그 내부에 상기 웨이퍼가 복수 개 서로 다른 높이로 수용되는 것이고, 도면 번호 120은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 내부의 양 측면에서 서로 다른 높이로 복수 개 돌출되어 상기 각 웨이퍼를 받쳐주는 웨이퍼 받침대이다.Reference numeral 110 denotes a case of the wafer storage cassette 100 of the side storage, in which a plurality of wafers are accommodated at different heights, and reference numeral 120 denotes a case of the wafer storage cassette 100 of the side storage. 110) A plurality of wafer pedestals protruding at different heights from both sides of the inside to support the respective wafers.

상기 측면 노즐 몸체(141)는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 각 측면에 배치되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼를 커버하는 면적으로 형성되는 것이다.The side nozzle body 141 is disposed on each side of the wafer receiving cassette 100 of the side storage, and covers the plurality of wafers stacked at different heights inside the wafer receiving cassette 100 of the side storage. It is formed by the area.

상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 외부에서 상기 측면 노즐 몸체(141) 내부로 상기 가스를 공급하는 것이다.The side nozzle side gas supply pipe 142 supplies the gas into the side nozzle body 141 from the outside of the wafer accommodation cassette 100 of the side storage.

복수 개의 상기 측면 노즐(145)은 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)을 통해 공급된 상기 가스를 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이 공간으로 각각 분사해주는 것이다.The plurality of side nozzles 145 spray the gas supplied through the side nozzle side gas supply pipe 142 into the spaces between the plurality of wafers, respectively.

상기 측면 노즐 몸체(141)는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 각 측면을 덮을 수 있는 플레이트 형태로 형성되고, 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)은 상기 측면 노즐 몸체(141)의 하부에서 그 상부까지 연통된 형태로 형성되고, 상기 각 측면 노즐(145)은 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)과 서로 다른 높이에서 연통되되 상기 각 웨이퍼 사이 공간을 향해 개구됨으로써 상기 각 웨이퍼 사이 공간을 통해 상기 가스를 분사할 수 있다.The side nozzle body 141 is formed in a plate shape to cover each side of the wafer storage cassette 100 of the side storage, the side nozzle side gas supply pipe 142 is a lower portion of the side nozzle body 141 And the side nozzles 145 communicate with the side nozzle side gas supply pipe 142 at different heights and open toward the spaces between the wafers. The gas can be injected through.

본 실시예에서는, 상기 각 측면 노즐(145)은 상기 가스가 상기 각 측면 노즐(145)의 전방으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)까지 확산되도록 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.In this embodiment, each side nozzle 145 diffuses the gas from the front of each side nozzle 145 to the opening portion 111 for entry and exit of each wafer of the wafer storage cassette 100 of the side storage. Injecting the gas as possible.

상세히, 상기 각 측면 노즐(145)은 공급관 연결 홀(146)과, 가스 확산 홀(147)을 포함한다.In detail, each of the side nozzles 145 includes a supply pipe connection hole 146 and a gas diffusion hole 147.

상기 공급관 연결 홀(146)은 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)과 연통되어 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부 쪽으로 유동되되, 일정 크기로 상기 측면 노즐 몸체(141)를 관통하는 형태로 이루어진다.The supply pipe connecting hole 146 communicates with the side nozzle side gas supply pipe 142 such that the gas supplied through the side nozzle side gas supply pipe 142 flows into the wafer accommodating cassette 100 of the side storage. In addition, the side nozzle body 141 has a predetermined size.

상기 공급관 연결 홀(146)은 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)으로부터 상기 가스 확산 홀(147)에 이르기까지 동일한 단면 형태 및 동일한 크기로 형성될 수 있다.The supply pipe connection hole 146 may be formed in the same cross-sectional shape and the same size from the side nozzle side gas supply pipe 142 to the gas diffusion hole 147.

상기 가스 확산 홀(147)은 상기 공급관 연결 홀(146)과 연통되어 상기 공급관 연결 홀(146)을 통해 유동된 상기 가스가 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부 쪽으로 분사되도록 하는 것이다.The gas diffusion hole 147 communicates with the supply pipe connection hole 146 to inject the gas flowing through the supply pipe connection hole 146 into the wafer accommodating cassette 100 of the side storage.

본 실시예에서는, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)과 상대적으로 가장 이격된 상기 가스 확산 홀(147)의 후면은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)과 상대적으로 가장 이격된 상기 공급관 연결 홀(146)의 후면의 연장선 상에 형성되고, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)과 상대적으로 가장 근접된 상기 가스 확산 홀(147)의 정면은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)과 상대적으로 가장 근접된 상기 공급관 연결 홀(146)의 정면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111) 쪽으로 점진적으로 향하는 경사면으로 형성됨으로써, 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142) 및 상기 공급관 연결 홀(146)을 통해 유동된 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 유동될 수 있게 된다.In the present embodiment, the rear surface of the gas diffusion hole 147 relatively spaced apart from the opening portion 111 for entering and exiting each wafer of the wafer storage cassette 100 of the side storage is the wafer storage cassette of the side storage. Formed on an extension line of a rear surface of the supply pipe connection hole 146 relatively spaced apart from the opening portion 111 for each wafer entry / exit of the 100, and the angle of the wafer receiving cassette 100 of the side storage The front of the gas diffusion hole 147 that is closest to the opening portion 111 for wafer entry and exit is relatively to the opening portion 111 for each wafer entry and exit of the wafer storage cassette 100 of the side storage. For each wafer entry and exit of the wafer receiving cassette 100 of the side storage at the front of the closest supply pipe connection hole 146. The gas flowing through the side nozzle side gas supply pipe 142 and the supply pipe connection hole 146 is formed to have an inclined surface gradually toward the opening portion 111 so that the supply pipe connection hole 146 and the gas diffusion hole. It is possible to flow while spreading through the gas diffusion hole 147 in a range from an extension line of the rear surface of 147 to an opening portion 111 for entry and exit of each wafer of the wafer storage cassette 100 of the side storage. .

상기와 같이, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 통해 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 유동됨에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분에서의 와류 형성이 억제되고, 그에 따라 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분(111)을 통해 역류하는 현상이 방지될 수 있다.As described above, the gas passes through the side nozzle unit 140 for the wafer storage cassette of the side storage from the extension line of the rear surface of the supply pipe connecting hole 146 and the gas diffusion hole 147. Vortex in the opening portion of the wafer receiving cassette 100 of the side storage as it flows while being diffused through the gas diffusion hole 147 to the opening portions 111 for entry and exit of each wafer of 100. Formation can be suppressed, thereby preventing the fume from flowing back through the opening portion 111 of the wafer receiving cassette 100 of the side storage by the vortex.

상기 후면 분사 유닛(130)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 것이다.The back side injection unit 130 is for injecting gas from a rear surface of the wafer accommodation cassette 100 of the side storage to a plurality of wafers stacked at different heights inside the wafer accommodation cassette 100 of the side storage. .

상세히, 상기 후면 분사 유닛(130)은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 후면에 설치되어, 외부에서 공급되는 퍼지 가스 등의 가스를 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 케이스(110) 내부의 상기 각 웨이퍼 쪽으로 후방에서 분사해준다.In detail, the rear injection unit 130 is installed at the rear of the case 110 of the wafer storage cassette 100 of the side storage, and the gas such as a purge gas supplied from the outside is supplied to the wafer storage cassette 100 of the side storage. It is injected from the rear toward the respective wafer inside the case 110 of the.

도면 번호 135는 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 후면에서의 가스 공급을 위해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 외부에서 상기 후면 분사 유닛(130)으로 상기 가스가 공급되는 가스 공급 원관이다.Reference numeral 135 denotes a gas supply to which the gas is supplied from the outside of the wafer storage cassette 100 of the side storage to the rear injection unit 130 for the gas supply from the rear surface of the wafer storage cassette 100 of the side storage. It is an original tube.

도면 번호 132는 상기 후면 분사 유닛(130)에 형성되어, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 서로 다른 높이로 배치된 각 상기 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주는 복수의 후면 노즐이다.Reference numeral 132 denotes a plurality of rear nozzles formed in the rear ejection unit 130 to eject the gas between the wafers disposed at different heights in the wafer accommodating cassette 100 of the side storage.

상기 후면 분사 유닛(130)은 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스를 상기 각 후면 노즐(132)까지 분배하기 위하여, 원관 연결 분할 분지관(151)과, 복수의 상승 유로관(152, 153)과, 복수의 분지 유로관(154, 155, 156)을 포함하고, 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 함께 공급될 수 있는 것을 특징으로 한다.In order to distribute the gas supplied through the gas supply source pipe 135 to each of the rear nozzles 132, the rear injection unit 130 may include a primary pipe connection split branch pipe 151 and a plurality of upward flow path pipes ( 152, 153 and a plurality of branch flow path tubes 154, 155, and 156, and a connection point between each of the rising flow path pipes 152 and 153 and the branch flow channel pipes 154, 155, and 156 includes the Since the gas supplied through the gas supply source pipe 135 is formed at different heights in the wafer storage cassette 100 of the side storage, respectively, the primary pipe connection split branch pipe 151 and the plurality of upward flow path pipes ( It is characterized in that it can be supplied together into the wafer receiving cassette 100 of the side storage at a uniform pressure while passing through the 152, 153 and the plurality of branch flow path pipe (154, 155, 156).

도면 번호 131은 상기 각 후면 노즐(132)이 서로 다른 높이로 배열되고, 그 하부에 상기 가스 공급 원관(135)이 연결되는 후면 분사 케이스이다.Reference numeral 131 denotes a rear injection case in which the rear nozzles 132 are arranged at different heights and the gas supply pipe 135 is connected to a lower portion thereof.

복수의 상기 후면 노즐(132)은 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼 사이로 상기 가스를 각각 분사해주도록 상기 후면 분사 케이스(131) 내부에 배치되되, 상기 각 후면 노즐(132)은 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 일정 길이로 길게 형성되며, 상기 각 후면 노즐(132)에는 각각 복수 개의 분사공(133)이 형성됨으로써, 상기 각 후면 노즐(132)을 통해 상기 각 웨이퍼의 폭 방향으로 넓게 상기 가스가 분사될 수 있게 된다.A plurality of rear nozzles 132 are disposed in the rear injection case 131 to respectively inject the gas between the wafers disposed at different heights, and the rear nozzles 132 are formed of the respective wafers. It is formed to have a predetermined length in the width direction, a plurality of injection holes 133 are formed in each of the rear nozzles 132, so that the gas is wide in the width direction of each wafer through the rear nozzles (132) It can be sprayed.

상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 가스 공급 원관(135)과 연결되되, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 복수로 분할 유동되도록 상기 가스 공급 원관(135)으로부터 복수로 분할된 형태로 이루어지는 것이다.The pipe connection split branch pipe 151 is connected to the gas supply pipe 135, and a plurality of gas from the gas supply pipe 135 so that the gas supplied through the gas supply pipe 135 is divided into a plurality of flows. It is made in a divided form.

상세히, 상기 가스 공급 원관(135)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분을 통해 외부의 가스 공급 유닛(미도시)과 연결되고, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분에서 상기 가스 공급 원관(135)과 연통되되 수평 방향으로 복수로 분지된 형태를 이룬다.In detail, the gas supply source pipe 135 is connected to an external gas supply unit (not shown) through a bottom portion of the rear injection case 131, and the original pipe connection split branch pipe 151 is connected to the rear injection case ( The bottom portion of the 131 communicates with the gas supply pipe 135 and forms a plurality of branches in the horizontal direction.

더욱 상세히, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분에서 수평 방향으로 서로 멀어지도록 복수 개로 분지되되, 상기 각 후면 노즐(132)의 각 외곽까지 각각 연장된다.More specifically, the pipe connection split branch pipe 151 is divided into a plurality of branches to be separated from each other in the horizontal direction from the bottom portion of the rear injection case 131, each extending to each outer edge of the rear nozzle 132.

본 실시예에서는, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)이 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분의 중앙부에서 상기 가스 공급 원관(135)과 연결되되 그로부터 상기 후면 분사 케이스(131)의 바닥 부분의 양 측면 방향을 따라 두 갈래로 수평 방향으로 서로 대칭되도록 분지되되, 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 각 외곽 부분에 이르기까지 연장된 형태를 이룬다.In this embodiment, the pipe connection split branch pipe 151 is connected to the gas supply pipe 135 at the center of the bottom portion of the rear injection case 131 but therefrom the bottom portion of the rear injection case 131 It is branched to be symmetrical to each other in two directions in the horizontal direction along both sides, and extends from the rear injection case 131 to each outer portion of the rear nozzle 132.

복수의 상기 상승 유로관(152, 153)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 복수의 각 말단부와 연결되되, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)을 통해 각각 유동된 상기 가스가 상기 후면 분사 케이스(131)의 내부를 따라 복수의 유로로 각각 상승되도록 상기 후면 분사 케이스(131) 내부를 따라 상하 방향으로 연결된 것이다.The plurality of upward flow path pipes 152 and 153 may be connected to a plurality of end portions of the pipe connection split branch pipe 151, and the gas flowing through the pipe connection split branch pipe 151 may be injected to the rear surface. It is connected in the vertical direction along the inside of the rear injection case 131 so that each of the plurality of flow paths along the inside of the case 131.

상세히, 상기 각 상승 유로관(152, 153)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 수직 방향으로 서로 이격된 형태로 배열된다.In detail, each of the upward flow path tubes 152 and 153 is arranged to be spaced apart from each other in the vertical direction of the rear injection case 131.

더욱 상세히, 상기 각 상승 유로관(152, 153)은 상기 각 후면 노즐(132)의 외곽 쪽을 따라 각각 배열된다.In more detail, each of the upward flow path tubes 152 and 153 is arranged along the outer side of each of the rear nozzles 132, respectively.

본 실시예에서는, 상기 상승 유로관(152, 153)은 제 1 상승 유로관(152)과, 제 2 상승 유로관(153)을 포함한다.In the present embodiment, the rising flow path pipes 152 and 153 include a first rising flow pipe 152 and a second rising flow pipe 153.

상기 제 1 상승 유로관(152)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 일 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열되는 것이다.The first upward flow path pipe 152 is formed in the form bent at one end of the pipe connection split branch pipe 151, the outer side of one side of each of the rear nozzle 132 in the rear injection case 131 It is arranged in a vertically rising form along.

상기 제 2 상승 유로관(153)은 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 타 측 말단부에서 굽혀진 형태로 이루어지되, 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승하는 형태로 배열된다.The second upward flow path pipe 153 is formed to be bent at the other end portion of the pipe connecting split branch pipe 151, the other side of the rear nozzle 132 in the rear injection case 131 It is arranged in a vertical rising form along the.

상기 제 1 상승 유로관(152)은 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 일 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 후면 분사 케이스(131)의 일 측면 중앙부까지 연장된 형태를 이루고, 상기 제 2 상승 유로관(153)은 상기 후면 분사 케이스(131)에서 상기 각 후면 노즐(132)의 타 측 외곽을 따라 수직으로 상승된 형태로 배열되되, 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면 상부까지 연장된 형태를 이룬다.The first rising passage pipe 152 is arranged in a vertically raised form along the outer side of each of the rear nozzle 132 in the rear injection case 131, one side of the rear injection case 131 The second rising passage pipe 153 is arranged in a vertically raised form along the outer side of each of the rear nozzle 132 in the rear injection case 131, the rear It forms a form extending to the upper side of the other side of the injection case (131).

복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 후면 분사 케이스(131) 내부에 서로 다른 높이로 형성된 상기 각 후면 노즐(132)을 연결하는 것이다.The branch flow path pipes 154, 155, and 156 connect the respective upward flow path pipes 152 and 153 and the rear nozzles 132 formed at different heights in the rear injection case 131. .

상세히, 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 수평 방향으로 상기 후면 분사 케이스(131)의 서로 다른 높이 상에 각각 배열되는 것이다.In detail, the branch flow path pipes 154, 155, and 156 are arranged on different heights of the rear injection case 131 in the horizontal direction of the rear injection case 131.

더욱 상세히, 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 각 후면 노즐(132)의 중앙부와 연결되어 상기 가스를 공급하되, 상기 각 상승 유로관(152, 153)에서 분지되는 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부에서 상기 후면 분사 케이스(131)의 상부로 갈수록 서로 교차되도록 대향되는 방향으로 상기 가스를 각각 공급한다.In more detail, each branch flow path pipe (154, 155, 156) is connected to the central portion of each of the rear nozzle 132 to supply the gas, each branch branched from each of the rising flow path pipe (152, 153) The flow path pipes 154, 155, and 156 respectively supply the gases in opposite directions so as to cross each other from the lower portion of the rear injection case 131 to the upper portion of the rear injection case 131.

상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)은 서로 다른 높이의 상기 각 후면 노즐(132) 사이로 배열되어, 그 이웃하는 적어도 두 개의 상기 후면 노즐(132)에 상기 가스를 공급한다.The branch flow path tubes 154, 155, and 156 are arranged between the rear nozzles 132 having different heights to supply the gas to at least two neighboring rear nozzles 132.

본 실시예에서는, 상기 분지 유로관(154, 155, 156)은 제 1 분지 유로관(154)과, 제 2 분지 유로관(155)과, 제 3 분지 유로관(156)을 포함한다.In this embodiment, the branch flow path pipes 154, 155, and 156 include a first branch flow pipe 154, a second branch flow pipe 155, and a third branch flow pipe 156.

상기 제 1 분지 유로관(154)은 상기 제 1 상승 유로관(152)에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The first branch flow path pipe 154 is branched from the first upward flow path pipe 152, and is arranged along two neighboring two of the plurality of rear nozzles 132, and thus, the plurality of rear nozzles 132. The gas is dividedly supplied to the plurality of rear nozzles 132 including the neighboring two of them.

상기 제 2 분지 유로관(155)은 상기 제 2 상승 유로관(153)에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The second branch flow path pipe 155 is branched from the second upward flow path pipe 153, and between two neighboring non-connected parts of the plurality of rear nozzles 132 with the first branch flow path pipe 154. Arranged along, the gas is dividedly supplied to the plurality of rear nozzles 132 including the neighboring two that are not connected to the first branch flow path tube 154 of the rear nozzles 132.

상기 제 3 분지 유로관(156)은 상기 제 2 상승 유로관(153)에서 분지되되, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154) 및 상기 제 2 분지 유로관(155)과 미연결된 이웃하는 두 개 사이를 따라 배열되어, 복수의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154) 및 상기 제 2 분지 유로관(155)과 미연결된 상기 이웃하는 두 개를 포함한 복수 개의 상기 후면 노즐(132)로 함께 상기 가스를 분할 공급하는 것이다.The third branch flow path tube 156 is branched from the second upward flow path tube 153, and among the plurality of rear nozzles 132, the first branch flow path tube 154 and the second branch flow path tube 155. ) And the two unconnected neighbors, which are not connected to the first branch flow channel 154 and the second branch flow channel 155, among the plurality of rear nozzles 132. The gas is divided into and supplied to the plurality of rear nozzles 132, including.

상기 제 1 분지 유로관(154)을 따라 유동되는 상기 가스는 상기 제 2 분지 유로관(155) 및 상기 제 3 분지 유로관(156)을 따라 각각 유동되는 상기 가스와 서로 평행하되, 서로 대향류가 되는 방향으로 유동된다.The gas flowing along the first branch flow path tube 154 is parallel to each other and flows along the second branch flow path pipe 155 and the third branch flow path pipe 156, respectively, and is opposed to each other. Flow in the direction of.

상기 제 1 분지 유로관(154), 상기 제 2 분지 유로관(155) 및 상기 제 3 분지 유로관(156)은 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 동일한 것에는 연결되지 아니하고, 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 서로 다른 것에만 연결된다.The first branch flow path tube 154, the second branch flow path tube 155, and the third branch flow path tube 156 are not connected to the same one of the plurality of rear nozzles 132, and the plurality of rear surfaces thereof. Only the different ones of the nozzles 132 are connected.

또한, 상기 제 1 분지 유로관(154)이 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스(131)의 일 측면에서 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 2 분지 유로관(155)이 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면에서 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하고, 상기 제 3 분지 유로관(156)이 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 후면 분사 케이스(131)의 상부 높이에 있는 것에 상기 후면 분사 케이스(131)의 타 측면에서 상기 후면 분사 케이스(131)의 중앙부를 향해 상기 가스를 공급하는 형태를 이룬다.In addition, the first branch flow path 154 is at the height of the center of the rear injection case 131 of the plurality of rear nozzles 132, the rear injection case (131) on one side of the rear injection case (131) The gas is supplied toward the center of the 131, and the second branch flow path 155 is at a lower height of the rear spray case 131 among the plurality of rear nozzles 132. The gas is supplied toward the center of the rear injection case 131 from the other side of the side, and the third branch flow passage 156 is an upper portion of the rear injection case 131 among the plurality of rear nozzles 132. It is in the form of supplying the gas toward the center of the rear injection case 131 from the other side of the rear injection case 131 to the height.

도면 번호 157은 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 1 분지 유로관(154)과 연결된 것들과 상기 제 1 분지 유로관(154)을 연결시켜주는 제 1 말단 유로이고, 도면 번호 158은 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 2 분지 유로관(155)과 연결된 것들과 상기 제 2 분지 유로관(155)을 연결시켜주는 제 2 말단 유로이고, 도면 번호 159는 복수 개의 상기 후면 노즐(132) 중 상기 제 3 분지 유로관(156)과 연결된 것들과 상기 제 3 분지 유로관(156)을 연결시켜주는 제 3 말단 유로이다.Reference numeral 157 denotes a first terminal flow path connecting the first branch flow path pipe 154 and those connected to the first branch flow path pipe 154 among the plurality of rear nozzles 132, and reference numeral 158 denotes the plurality of rear nozzles 132. The second end flow path connecting the second branch flow path pipe 155 and the second branch flow path pipe 155 of the two rear nozzles 132, reference numeral 159 is a plurality of the rear nozzle ( A third terminal flow path connecting the third branch flow path pipe 156 and the third branch flow path pipe 156 among the ones 132.

이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140) 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 작동에 대하여 간단히 설명한다.Hereinafter, referring to the drawings, the wafer storage cassette 100 of the side storage including the side nozzle unit 140 for the wafer storage cassette of the side storage and the side nozzle unit 140 for the wafer storage cassette of the side storage according to the present embodiment. ) Will be described briefly.

먼저, 외부에서 공급된 상기 가스가 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142)을 통해 상기 측면 노즐 몸체(141)의 하부에서 그 상부 쪽으로 상승되다가, 상기 각 측면 노즐(145)을 통해 각각 분사된다.First, the gas supplied from the outside rises from the lower side of the side nozzle body 141 to the upper side through the side nozzle side gas supply pipe 142 and is injected through the respective side nozzles 145.

그러면, 상기 각 측면 노즐(145)을 통해 분사되는 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 분사된다.Then, each of the wafers of the wafer storage cassette 100 of the side storage is discharged from the extension line of the back side of the supply pipe connection hole 146 and the gas diffusion hole 147. It is injected while being diffused through the gas diffusion hole 147 to the opening portion 111 for the entry and exit.

한편, 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부에 연결된 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151)을 통해 상기 후면 분사 케이스(131)의 하부를 통해 양 방향으로 퍼진다.On the other hand, the gas supplied through the gas supply source pipe 135 connected to the lower portion of the rear injection case 131 through the lower portion of the rear injection case 131 through the original pipe connection split branch pipe 151 Spreads in direction.

그런 다음, 상기 원관 연결 분할 분지관(151)의 각 말단부에 연결된 상기 각 상승 유로관(152, 153)을 통해 상기 후면 분사 케이스(131)의 각 측면을 따라 상기 가스가 동시에 상승된다.Then, the gas is simultaneously raised along each side surface of the rear injection case 131 through each of the upward flow path pipes 152 and 153 connected to each distal end of the original pipe connection split branch pipe 151.

그런 다음, 상기 각 상승 유로관(152, 153)에서 각각 분지된 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 통해 상기 가스가 각각 유동되어 상기 각 후면 노즐(132)에 함께 공급됨으로써, 상기 각 후면 노즐(132)을 통해 균일한 압력으로 상기 각 웨이퍼로 상기 가스가 분사될 수 있게 된다.Then, the gas flows through the branch flow paths 154, 155, and 156 branched from the respective up flow path pipes 152 and 153, respectively, and is supplied together to the rear nozzles 132. The gas may be injected to the respective wafers at a uniform pressure through the rear nozzle 132.

상기와 같이, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 통해 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 유동됨에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 통해 분사된 상기 가스가 상기 후면 분사 유닛(130)을 통해 분사된 상기 가스와 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분에서 만나더라도, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분에서 의 와류 형성이 억제되고, 그에 따라 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분(111)을 통해 역류하는 현상이 방지될 수 있다.As described above, the gas passes through the side nozzle unit 140 for the wafer storage cassette of the side storage from the extension line of the rear surface of the supply pipe connecting hole 146 and the gas diffusion hole 147. As it flows while being diffused through the gas diffusion hole 147 to the opening portions 111 for entry and exit of each wafer of the 100, through the side nozzle unit 140 for the wafer receiving cassette of the side storage. Although the injected gas meets at the opening portion of the wafer accommodating cassette 100 of the side storage with the gas injected through the back side injection unit 130, at the opening portion of the wafer accommodating cassette 100 of the side storage. Vortex formation is suppressed, so that the fume causes the vortex to cause the wafer storage cassette 100 of the side storage to The phenomenon of backflow through the opening portion 111 can be prevented.

상기와 같이, 상기 후면 분사 유닛(130)이 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 포함하고, 상기 각 상승 유로관(152, 153)과 상기 각 분지 유로관(154, 155, 156)의 연결 지점은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부의 서로 다른 높이에 각각 형성됨으로써, 상기 가스 공급 원관(135)을 통해 공급된 상기 가스가 상기 원관 연결 분할 분지관(151), 복수의 상기 상승 유로관(152, 153) 및 복수의 상기 분지 유로관(154, 155, 156)을 경유하면서, 균일한 압력으로 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100) 내부에 함께 공급될 수 있으므로, 단일한 가스 배관을 통해 상기 각 웨이퍼에 상기 가스를 공급하던 종래 방식에 비해 서로 다른 높이로 배치된 상기 각 웨이퍼에 각각 공급되는 상기 가스의 압력이 균일해질 수 있게 된다.As described above, the rear injection unit 130 includes the original pipe connecting split branch pipe 151, a plurality of the rising flow path pipe (152, 153) and a plurality of branch flow path pipe (154, 155, 156) The connection points of each of the rising flow path pipes 152 and 153 and the branch flow path pipes 154, 155, and 156 are formed at different heights in the wafer storage cassette 100 of the side storage, respectively, thereby providing the gas. The gas supplied through the supply source pipe 135 passes through the original pipe connecting split branch pipe 151, the plurality of rising flow path pipes 152 and 153, and the plurality of branch flow path pipes 154, 155, and 156. Since each side may be supplied together in the wafer storage cassette 100 of the side storage at a uniform pressure, the angles arranged at different heights compared to the conventional method of supplying the gas to each wafer through a single gas pipe. Phases supplied to each wafer The pressure of the gas becomes uniform.

또한, 본 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)이 상기 측면 노즐 몸체(141), 상기 측면 노즐측 가스 공급관(142) 및 복수 개의 상기 측면 노즐(145)을 포함함에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛(140)을 통해 상기 가스가 상기 공급관 연결 홀(146) 및 상기 가스 확산 홀(147)의 후면의 연장선으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분(111)에 이르는 범위로 상기 가스 확산 홀(147)을 통해 확산되면서 유동됨에 따라, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분에서의 와류 형성이 억제되고, 그에 따라 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트(100)의 개구 부분(111)을 통해 역류하는 현상이 방지될 수 있다.In addition, the side nozzle unit 140 for the wafer storage cassette of the side storage according to the present embodiment includes the side nozzle body 141, the side nozzle side gas supply pipe 142 and the plurality of side nozzles 145. Accordingly, the gas passes through the side nozzle unit 140 for the wafer accommodating cassette of the side storage from the extension of the rear surface of the supply pipe connecting hole 146 and the gas diffusion hole 147. As it flows through the gas diffusion hole 147 in a range ranging from the opening portion 111 for the entry and exit of each wafer, the vortex formation in the opening portion of the wafer storage cassette 100 of the side storage Is suppressed, so that the fume flows back through the opening portion 111 of the wafer receiving cassette 100 of the side storage by the vortex. It can jidoel.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 일 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, a wafer storage cassette of a side storage including a side nozzle unit for a wafer storage cassette and a side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out this description, descriptions overlapping with those already described in the above-described embodiments of the present invention will be replaced with the description thereof, and will be omitted herein.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛을 정면에서 바라본 수직 단면도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트를 구성하는 후면 분사 유닛에 적용되는 제 1 압력 조절 부재를 보이는 단면도이고, 도 11은 도 10에 도시된 제 1 압력 조절 부재가 확장된 모습을 보이는 단면도이다.FIG. 9 is a vertical cross-sectional view of a rear injection unit constituting the wafer storage cassette of the side storage according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a wafer storage cassette of the side storage according to another embodiment of the present invention. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a first pressure regulating member applied to the rear injection unit, and FIG. 11 is a cross-sectional view showing an expanded state of the first pressure regulating member shown in FIG. 10.

도 9 내지 도 11을 함께 참조하면, 본 실시예에서는, 각 분지 유로관(254, 255, 256) 상에 압력 조절 부재(260, 270, 280)가 각각 적용된다.9 to 11, in the present embodiment, pressure adjusting members 260, 270, and 280 are applied to the branch flow paths 254, 255, and 256, respectively.

상기 각 압력 조절 부재(260, 270, 280)는 상기 각 분지 유로관(254, 255, 256) 내부의 각 가스의 유동 압력이 동일해지도록 조절할 수 있는 것이다.Each of the pressure regulating members 260, 270, and 280 may adjust the flow pressure of each gas in the branch flow path tubes 254, 255, and 256 to be the same.

상세히, 제 1 분지 유로관(254)에는 제 1 압력 조절 부재(260)가 적용되고, 제 2 분지 유로관(255)에는 제 2 압력 조절 부재(270)가 적용되고, 제 3 분지 유로관(256)에는 제 3 압력 조절 부재(280)가 적용된다.In detail, a first pressure regulating member 260 is applied to the first branch flow channel 254, a second pressure regulating member 270 is applied to the second branch flow channel 255, and a third branch flow channel tube ( The third pressure adjusting member 280 is applied to 256.

여기서, 상기 제 2 압력 조절 부재(270)와 상기 제 3 압력 조절 부재(280)의 구조는 상기 제 1 압력 조절 부재(260)의 구조와 동일하므로, 이하에서는 상기 제 1 압력 조절 부재(260)의 구조에 대하여 상세히 설명하고, 그러한 상기 제 1 압력 조절 부재(260)에 대한 설명으로 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280)에 대한 설명을 갈음한다.Here, since the structures of the second pressure regulating member 270 and the third pressure regulating member 280 are the same as those of the first pressure regulating member 260, the first pressure regulating member 260 will be described below. A detailed description will be given of the structure of the second pressure regulating member 270 and the third pressure regulating member 280 in the description of the first pressure regulating member 260.

상세히, 상기 제 1 압력 조절 부재(260)는 제 1 압력 조절 케이스(261)와, 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)과, 제 1 연결 수단(262)을 포함한다.In detail, the first pressure regulating member 260 includes a first pressure regulating case 261, a first pressure regulating elastic deformation means 265, and a first connecting means 262.

상기 제 1 압력 조절 케이스(261)는 상기 제 1 분지 유로관(254)의 일부가 외측으로 확장된 형태를 이루어, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)의 탄성 변형 시에 그러한 탄성 변형이 가능하도록 공간을 제공하는 것이다.The first pressure regulating case 261 has a form in which a part of the first branch flow path tube 254 is extended outward, so that such elastic deformation is caused when the first pressure regulating elastic deformation means 265 is elastically deformed. To provide space where possible.

상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)은 상기 제 1 분지 유로관(254) 내부에 배치되어, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력에 따라 탄성 변형되는 것이다.The first pressure-control elastic deformation means 265 is disposed inside the first branch flow path tube 254 and elastically deforms according to the flow pressure of the gas flowing along the first branch flow path tube 254. .

더욱 상세히, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 수단(265)은 전체적으로 실리콘 고무 등 탄성을 가진 물질로 이루어지고 상기 제 1 분지 유로관(254)에서의 상기 가스의 유동 방향에 대해 수직 방향으로 일정 길이로 길게 형성된 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)와, 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)에서 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 방향에 대면되는 면 상에 일정 곡률로 이루어진 곡면 형태로 함몰 형성되는 제 1 압력 조절 함몰면(267)을 포함한다.In more detail, the first pressure-control elastic deformation means 265 is made of an elastic material such as silicone rubber as a whole and has a predetermined length in a direction perpendicular to the flow direction of the gas in the first branch flow path tube 254. On the surface facing the flow direction of the gas flows along the first branch flow path tube 254 in the first pressure control elastic deformation body 266 and the first pressure control elastic deformation body 266 elongated And a first pressure regulating depression surface 267 formed in a curved shape having a predetermined curvature.

상기 제 1 연결 수단(262)은 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)를 상기 제 1 분지 유로관(254)의 내벽에 고정시킬 수 있는 볼트 등의 고정 수단이다.The first connecting means 262 is a fixing means such as a bolt that can fix the first pressure-control elastically deformable body 266 to the inner wall of the first branch flow path tube 254.

상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스가 제 1 유동 압력으로 유동되는 경우에는, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 변형되지 아니한 원형을 그대로 유지한다.When the gas flowing along the first branch flow passage 254 is flowed at a first flow pressure, as shown in FIG. 5, the first pressure regulating elastically deformable body 266 has a circular shape that is not deformed. Keep it.

그러다가, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력이 변하여 상기 제 1 유동 압력에 비해 상대적으로 더 큰 제 2 유동 압력이 된 경우에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 압력 조절 함몰면(267)에는 상기 가스의 유동 압력이 상기 제 2 유동 압력과 상기 제 1 유동 압력의 차이만큼 더 걸리게 되므로, 상기 제 2 유동 압력과 상기 제 1 유동 압력의 차이만큼 더 걸리는 상기 가스의 유동 압력에 의해 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 방향에 대해 수직 방향으로 상대적으로 늘어나도록 탄성 변형되고, 그에 따라 상기 제 1 유동 압력으로 상기 가스가 유동되는 경우에 비해 상기 제 2 유동 압력으로 상기 가스가 유동되는 경우에 상기 제 1 압력 조절 탄성 변형 몸체(266)가 그 변형된 만큼 상기 제 1 압력 조절 케이스(261) 및 상기 제 1 분지 유로관(254) 내부를 상대적으로 좁아지도록 하여, 상기 제 1 분지 유로관(254)을 따라 유동되는 상기 가스의 유동 압력을 그만큼 감소시키게 된다.Then, when the flow pressure of the gas flowing along the first branch flow path tube 254 is changed to a second flow pressure that is relatively larger than the first flow pressure, as shown in FIG. Since the flow pressure of the gas is further applied to the first pressure adjusting recessed surface 267 by the difference between the second flow pressure and the first flow pressure, the difference between the second flow pressure and the first flow pressure is further increased. The first pressure-controlled elastically deformable body 266 is elastically deformed to extend relatively in a direction perpendicular to the flow direction of the gas flowing along the first branch flow path 254 by the flow pressure of the gas to be caught. And accordingly the first pressure-controlled elastically deformable body when the gas flows at the second flow pressure as compared to the case where the gas flows at the first flow pressure. The gas flowing along the first branch flow path tube 254 by narrowing the inside of the first pressure regulating case 261 and the first branch flow path tube 254 by the deformation thereof. It will reduce the flow pressure of that much.

상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280)는 동일한 구조를 이룸으로써, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256)에 동일한 유동 압력이 걸리는 경우, 상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280) 각각에 적용된 각 압력 조절 탄성 변형 몸체는 동일한 형태를 이루게 되지만, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256) 중 어느 하나에 다른 유동 압력이 걸리는 경우, 상기 제 1 압력 조절 부재(260), 상기 제 2 압력 조절 부재(270) 및 상기 제 3 압력 조절 부재(280) 중 해당하는 다른 유동 압력이 걸리는 것에 적용된 압력 조절 탄성 변형 몸체가 그 유동 압력의 차이만큼 변형되면서 그 유동 압력의 차이를 상쇄시키게 된다. 그러면, 상기 제 1 분지 유로관(254), 상기 제 2 분지 유로관(255) 및 상기 제 3 분지 유로관(256) 내부의 상기 가스의 유동 압력은 항상 일정하게 유지될 수 있게 된다.The first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270, and the third pressure regulating member 280 have the same structure, such that the first branch flow passage tube 254 and the second branch have a same structure. When the same flow pressure is applied to the flow path tube 255 and the third branch flow path tube 256, the first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270, and the third pressure regulating member ( Each of the pressure-controlled elastically deformable bodies applied to each of the first and second branches may have the same shape, but any one of the first branch channel pipe 254, the second branch channel pipe 255, and the third branch channel pipe 256 may be formed. Is applied to a different flow pressure corresponding to one of the first pressure regulating member 260, the second pressure regulating member 270, and the third pressure regulating member 280. As the deforming body deforms by the difference in its flow pressure, This will offset the difference in flow pressure. Then, the flow pressure of the gas inside the first branch flow path tube 254, the second branch flow path tube 255, and the third branch flow path tube 256 can be kept constant at all times.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, those skilled in the art can variously modify the invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. And that it can be changed. Nevertheless, it will be clearly understood that all such modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트에 의하면, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분에서의 와류 형성을 억제함으로써, 퓸이 상기 와류에 의해 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 개구 부분을 통해 역류하는 현상을 방지할 수 있고, 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내에 서로 다른 높이로 배치된 각 웨이퍼에 각각 공급되는 가스의 압력이 균일해질 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the wafer storage cassette of the side storage including the side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage and the side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage according to an aspect of the present invention, the opening portion of the wafer storage cassette of the side storage By suppressing the formation of vortices in the wafer, it is possible to prevent the fume from flowing back through the opening portion of the wafer receiving cassette of the side storage by the vortex, and each wafer disposed at different heights in the wafer receiving cassette of the side storage. Since the pressure of each of the gases supplied to the gas can be made uniform, the industrial applicability is high.

100 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트
130 : 후면 분사 유닛
140 : 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛
141 : 측면 노즐 몸체
142 : 측면 노즐측 가스 공급관
145 : 측면 노즐100: wafer storage cassette of side storage
130: rear spray unit
140: side nozzle unit for wafer storage cassette of side storage
141: side nozzle body
142 side gas supply pipe
145: side nozzle

Claims (4)

사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 것으로서,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에 배치되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼를 커버하는 면적으로 형성되는 측면 노즐 몸체;
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 측면 노즐 몸체 내부로 상기 가스를 공급하는 측면 노즐측 가스 공급관; 및
상기 측면 노즐측 가스 공급관을 통해 공급된 상기 가스를 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이 공간으로 각각 분사해주는 복수 개의 측면 노즐;을 포함하고,
상기 각 측면 노즐은 상기 가스가 상기 각 측면 노즐의 전방으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분까지 확산되도록 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛.In each side of the wafer storage cassette of the side storage for injecting gas between a plurality of wafers stacked at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage,
A side nozzle body disposed on each side of the wafer storage cassette of the side storage, the side nozzle body being formed to cover a plurality of the wafers stacked at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage;
A side nozzle side gas supply pipe configured to supply the gas from the outside of the wafer storage cassette of the side storage into the side nozzle body; And
And a plurality of side nozzles respectively injecting the gas supplied through the side nozzle side gas supply pipe into the spaces between the plurality of wafers.
Wherein each side nozzle injects the gas such that the gas diffuses from the front of each side nozzle to an opening for entry and exit of each wafer of the wafer storage cassette of the side storage. Side nozzle unit. 제 1 항에 있어서,
상기 각 측면 노즐은
상기 측면 노즐측 가스 공급관과 연통되어 상기 측면 노즐측 가스 공급관을 통해 공급된 상기 가스가 유동되되, 일정 크기로 상기 측면 노즐 몸체를 관통하는 공급관 연결 홀과,
상기 공급관 연결 홀과 연통되어 상기 공급관 연결 홀을 통해 유동된 상기 가스가 유동되는 가스 확산 홀을 포함하고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분과 상대적으로 가장 이격된 상기 가스 확산 홀의 후면은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분과 상대적으로 가장 이격된 상기 공급관 연결 홀의 후면의 연장선 상에 형성되고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분과 상대적으로 가장 근접된 상기 가스 확산 홀의 정면은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분과 상대적으로 가장 근접된 상기 공급관 연결 홀의 정면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분 쪽으로 점진적으로 향하는 경사면으로 형성됨으로써,
상기 측면 노즐측 가스 공급관 및 상기 공급관 연결 홀을 통해 유동된 상기 가스가 상기 가스 확산 홀을 통해 확산되면서 유동되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛.The method of claim 1,
Each side nozzle is
A supply pipe connection hole communicating with the side nozzle side gas supply pipe and flowing through the side nozzle side gas supply pipe to flow through the side nozzle body at a predetermined size;
A gas diffusion hole in communication with the supply pipe connection hole and in which the gas flowing through the supply pipe connection hole flows;
The rear surface of the gas diffusion hole relatively spaced apart from the opening portion for each wafer entry and exit of the wafer storage cassette of the side storage is relatively spaced from the opening portion for the respective wafer entry and exit of the wafer accommodation cassette of the side storage. Is formed on the extension line of the back of the supply pipe connecting hole,
The front face of the gas diffusion hole that is relatively closest to the opening portion for each wafer entry and exit of the wafer storage cassette of the side storage is relatively closest to the opening portion for the respective wafer entry and exit of the wafer storage cassette of the side storage. In the front of the supply pipe connecting hole formed by the inclined surface progressively directed toward the opening portion for each wafer entry and exit of the wafer receiving cassette of the side storage,
And the gas flowing through the side nozzle side gas supply pipe and the supply pipe connecting hole flows while being diffused through the gas diffusion hole. 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 후면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 후면 분사 유닛; 및
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에서 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이로 가스를 분사하기 위한 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛;을 포함하고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛은
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 각 측면에 배치되되, 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트 내부에 서로 다른 높이로 적층된 복수 개의 상기 웨이퍼를 커버하는 면적으로 형성되는 측면 노즐 몸체와,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 외부에서 상기 측면 노즐 몸체 내부로 상기 가스를 공급하는 측면 노즐측 가스 공급관과,
상기 측면 노즐측 가스 공급관을 통해 공급된 상기 가스를 복수 개의 상기 각 웨이퍼 사이 공간으로 각각 분사해주는 복수 개의 측면 노즐을 포함하고,
상기 각 측면 노즐은 상기 가스가 상기 각 측면 노즐의 전방으로부터 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분까지 확산되도록 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트.A rear injection unit for injecting gas from a rear surface of the wafer storage cassette of side storage to a plurality of wafers stacked at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage; And
A side nozzle unit for a wafer storage cassette of the side storage for injecting gas between each of the plurality of wafers on each side of the wafer storage cassette of the side storage;
The side nozzle unit for the wafer storage cassette of the side storage
A side nozzle body disposed on each side of the wafer storage cassette of the side storage, the side nozzle body being formed to cover a plurality of the wafers stacked at different heights inside the wafer storage cassette of the side storage;
A side nozzle side gas supply pipe for supplying the gas into the side nozzle body from the outside of the wafer storage cassette of the side storage;
And a plurality of side nozzles for respectively injecting the gas supplied through the side nozzle side gas supply pipe into the spaces between the plurality of wafers,
Wherein each side nozzle ejects the gas such that the gas diffuses from the front of each side nozzle to an opening portion for entry and exit of each wafer of the wafer storage cassette of the side storage. 제 3 항에 있어서,
상기 각 측면 노즐은
상기 측면 노즐측 가스 공급관과 연통되어 상기 측면 노즐측 가스 공급관을 통해 공급된 상기 가스가 유동되되, 일정 크기로 상기 측면 노즐 몸체를 관통하는 공급관 연결 홀과,
상기 공급관 연결 홀과 연통되어 상기 공급관 연결 홀을 통해 유동된 상기 가스가 유동되는 가스 확산 홀을 포함하고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분과 상대적으로 가장 이격된 상기 가스 확산 홀의 후면은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분과 상대적으로 가장 이격된 상기 공급관 연결 홀의 후면의 연장선 상에 형성되고,
상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분과 상대적으로 가장 근접된 상기 가스 확산 홀의 정면은 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분과 상대적으로 가장 근접된 상기 공급관 연결 홀의 정면에서 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트의 상기 각 웨이퍼 진출입을 위한 개구 부분 쪽으로 점진적으로 향하는 경사면으로 형성됨으로써,
상기 측면 노즐측 가스 공급관 및 상기 공급관 연결 홀을 통해 유동된 상기 가스가 상기 가스 확산 홀을 통해 확산되면서 유동되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트.The method of claim 3, wherein
Each side nozzle is
A supply pipe connection hole communicating with the side nozzle side gas supply pipe and flowing through the side nozzle side gas supply pipe to flow through the side nozzle body at a predetermined size;
A gas diffusion hole in communication with the supply pipe connection hole and in which the gas flowing through the supply pipe connection hole flows;
The rear surface of the gas diffusion hole relatively spaced apart from the opening portion for each wafer entry and exit of the wafer storage cassette of the side storage is relatively spaced from the opening portion for the respective wafer entry and exit of the wafer accommodation cassette of the side storage. Is formed on the extension line of the back of the supply pipe connecting hole,
The front face of the gas diffusion hole that is relatively closest to the opening portion for each wafer ingress of the wafer storage cassette of the side storage is relatively closest to the opening portion for the respective wafer ingress of the wafer storage cassette of the side storage. In the front of the supply pipe connecting hole formed by the inclined surface progressively directed toward the opening portion for each wafer entry and exit of the wafer receiving cassette of the side storage,
And the gas flowing through the side nozzle side gas supply pipe and the supply pipe connection hole flows while being diffused through the gas diffusion hole.
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