KR20070101977A - Apparatus for processing substrate with plasma - Google Patents

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KR20070101977A
KR20070101977A KR1020060033517A KR20060033517A KR20070101977A KR 20070101977 A KR20070101977 A KR 20070101977A KR 1020060033517 A KR1020060033517 A KR 1020060033517A KR 20060033517 A KR20060033517 A KR 20060033517A KR 20070101977 A KR20070101977 A KR 20070101977A
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Abstract

A plasma processing apparatus is provided to obtain a uniform etch rate from center and edge portions of a substrate by controlling properly a reaction gas sprayed area corresponding to center and edge portions of a shower head using a plurality of diffusion members. A plasma processing apparatus includes a shower head with a plurality of gas spray holes(114). The plasma processing apparatus further includes a plurality of diffusion members. The plurality of diffusion members(130) are installed at corner portions of the shower head to be connected with the gas spray holes. The diffusion members are capable of controlling a gas sprayed area corresponding to center and edge portions of the shower head.

Description

플라즈마 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA}Plasma Processing Equipment {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA}

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 도시한 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.

도 2는 상기 플라즈마 처리장치의 상부 전극에 구비되는 샤워 헤드의 일측을 도시한 부분 확대도이다.2 is a partially enlarged view illustrating one side of a shower head provided in an upper electrode of the plasma processing apparatus.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치의 상부 전극에 구비되는 샤워 헤드의 저면도이다.3 is a bottom view of the shower head provided in the upper electrode of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 종단면도이다.4 is a longitudinal cross-sectional view of FIG. 3.

도 5는 본 발명이 다른 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치의 상부 전극에 구비되는 샤워 헤드의 일측을 도시한 부분 확대도이다.5 is a partially enlarged view illustrating one side of a shower head provided in an upper electrode of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

112: 샤워 헤드 112a: 삽입홈112: shower head 112a: insertion groove

114: 가스 분출 구멍 130: 확산부재114: gas blowing hole 130: diffusion member

132: 입구 134: 출구132: entrance 134: exit

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 샤워 헤드의 중앙부와 모서리부에서 반응 가스를 균일하게 분사시켜 기판이 균일하게 공정 처리되는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus in which a substrate is uniformly processed by spraying a reaction gas uniformly at the center and corners of a shower head.

반도체 장치, 액정표시 장치 등의 제조 프로세스에는, 플라즈마를 사용하여 기판의 표면을 처리하는 플라즈마 처리장치가 많이 사용되고 있다. 이러한 플라즈마 처리장치로는, 기판에 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치나, 화학적 기상 성장(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 실시하는 플라즈마 CVD 장치 등을 예로 들 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION Many plasma processing apparatuses for treating a surface of a substrate using plasma have been used in manufacturing processes such as semiconductor devices and liquid crystal display devices. Examples of such a plasma processing apparatus include a plasma etching apparatus for etching a substrate, a plasma CVD apparatus for performing chemical vapor deposition (CVD), and the like.

이러한 플라즈마 처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 상태와 대기압 상태가 반복적으로 수행되는 챔버(1)와 상기 챔버(1)내 상하측에 서로 평행하게 대향하는 2개의 평판 전극(10, 20)을 구비한다. 2개의 전극 중 하부 전극(20) 상에는 기판(S)이 탑재된다. 따라서 이 하부 전극(20)을 기판 탑재대라고도 한다. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus includes a chamber 1 in which a vacuum state and an atmospheric pressure state are repeatedly performed, and two plate electrodes 10 and 20 facing each other in parallel with each other in the upper and lower sides of the chamber 1. ). The substrate S is mounted on the lower electrode 20 of the two electrodes. Therefore, this lower electrode 20 is also called a substrate mounting table.

그리고 상기 챔버(1)에는 그 내부에 가스를 배기시키기 위한 통로인 배기홀(2)이 상기 챔버(1)의 하부 가장자리에 다수개 형성되고 각각의 배기홀(2)과 연결되되 상기 챔버(1) 외부에 마련되는 펌프(P)에 의하여 상기 챔버(1) 내부의 기체를 흡입하여 제거하고, 상기 챔버(1) 내부를 진공 상태로 유지한다. In the chamber 1, a plurality of exhaust holes 2, which are passages for discharging gas therein, are formed in the lower edge of the chamber 1 and connected to the respective exhaust holes 2, and the chamber 1 The suction of the gas inside the chamber 1 by the pump (P) provided on the outside), and maintains the inside of the chamber (1) in a vacuum state.

다음으로, 상기 상부 전극(10)은 상기 하부 전극(20)과 대향하는 위치에 마련된다. 상기 상부 전극(10)은 전극으로서의 역할뿐만 아니라, 양 상, 하부 전극(10, 20) 사이에 반응 가스를 공급하는 반응가스 공급부의 역할도 수행한다. Next, the upper electrode 10 is provided at a position facing the lower electrode 20. The upper electrode 10 not only serves as an electrode, but also serves as a reaction gas supply unit supplying a reaction gas between the upper and lower electrodes 10 and 20.

따라서, 상기 상부 전극(10)은 도 1에 도시된 바와 같이 하부가 개방된 샤워 헤드 몸체부(10a)가 구비되고 상기 샤워 헤드 몸체부(10a)의 하부에 샤워 헤드 (Shower head: 12)가 고정되어 마련된다. 여기에서 상기 샤워 헤드(12)에는 미세한 직경을 가지는 다수개의 가스 분출 구멍(14)이 형성된다. 따라서, 상기 샤워 헤드(12)를 통해서 반응 가스가 양 전극(10, 20) 사이의 공간으로 균일하게 공급된다. 상기 상, 하부전극(10, 20) 사이에 공급된 반응 가스는 상기 상, 하부전극(10, 20)으로의 고주파 전력 인가에 의해 플라즈마화 되고, 이 플라즈마에 의해 기판(S)의 표면이 처리된다. Accordingly, the upper electrode 10 is provided with a shower head body portion 10a having a lower opening as shown in FIG. 1, and a shower head 12 is disposed under the shower head body portion 10a. It is fixed. Here, the shower head 12 is formed with a plurality of gas blowing holes 14 having a fine diameter. Therefore, the reaction gas is uniformly supplied to the space between the both electrodes 10 and 20 through the shower head 12. The reaction gas supplied between the upper and lower electrodes 10 and 20 is converted into plasma by applying high frequency power to the upper and lower electrodes 10 and 20, and the surface of the substrate S is processed by the plasma. do.

그리고 상기 상부 전극(10)에 반응 가스를 공급하는 공급라인에는 유량조절계(MFC)를 더 포함하여 이루어진다.The supply line for supplying the reaction gas to the upper electrode 10 further includes a flow controller (MFC).

그리고 상기 챔버(1)의 내벽과 하부 전극(20)의 이격 공간에 구비되어 공정수행 중 또는 공정 수행 후 챔버(1) 내의 미반응 가스 및 공정 중에 발생한 폴리머(Polymer) 등을 챔버(1) 외부로 배기시키도록 상기 챔버(1)의 바닥에 형성된 배기홀(2)의 상측에 배플(Baffle : 20a)이 마련된다. In addition, the inner wall of the chamber 1 and the lower electrode 20 are spaced apart from each other to perform unprocessed gas or polymer generated in the process during or after the process. A baffle 20a is provided at an upper side of the exhaust hole 2 formed in the bottom of the chamber 1 so as to exhaust the gas into the chamber 1.

상기 배플(20a)은 펌프(P)와의 통로 역할을 하고 반응 가스의 흐름을 지연시키며, 상기 챔버(1) 하부면 모서리에 각각 형성된 배기홀(2)을 통해 반응 가스가 배출되기 전 1차적으로 블럭킹(blocking)시키는 기능을 한다.The baffle 20a serves as a passage with the pump P and delays the flow of the reactant gas, and before the reactant gas is discharged through the exhaust holes 2 formed at the corners of the lower surface of the chamber 1, respectively. It is a function to block.

여기서, 상기 배플(20a)은 적정 간격으로 배열되는 슬릿(Slit: 도면에 미도시)이 다수개 형성된다.Here, the baffle 20a is formed with a plurality of slits (not shown in the figure) arranged at appropriate intervals.

즉, 상기 챔버(1)의 저면 중 하부 전극(20)과의 이격 공간에 형성되는 배기홀(2)을 통해 미반응 가스 등이 곧바로 펌프(P)를 향해 이동하는 것이 아니라, 상기 배플(20a)에 의하여 그 흐름이 일단 멈추었다가 슬릿을 통하여 조금씩 배기되는 것이다. That is, the unreacted gas does not move directly toward the pump P through the exhaust hole 2 formed in the spaced apart from the lower electrode 20 of the bottom of the chamber 1, and the baffle 20a does not move. ) The flow stops once and then exhausts through the slit little by little.

결국, 상기 배플(20a)을 설치함에 따라 모서리 부분 이외의 부분에서 반응 가스가 통과하는 길을 좁혀 줌으로써 반응 가스 배출속도를 늦추어 줄 수 있다. 따라서 하부 전극(20)의 모서리와 가장자리 부분의 가스 흐름 속도를 일정하게 맞추어 줄 수 있다.As a result, as the baffle 20a is installed, the reaction gas discharge rate can be slowed by narrowing the passage of the reaction gas in portions other than the corners. Therefore, the gas flow rates of the corners and the edges of the lower electrode 20 may be constantly adjusted.

여기서, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 샤워 헤드(12)의 가스 분출 구멍(14)은 기판과 반응 가스의 접촉 면적을 확대시키기 위해 입구와 출구의 면적을 다르게 하므로 오리피스(orifice)처럼 출구가 상단 입구에 비해 직경이 확장되어 반응 가스가 상기 가스 분출 구멍(14)의 입구를 거친 후 출구를 향해 고압으로 분출된다.Here, as shown in FIG. 2, the gas ejection holes 14 of the shower head 12 have different inlet and outlet areas in order to enlarge the contact area between the substrate and the reactant gas, so that the outlet is at the top like an orifice. The diameter is enlarged compared to the inlet so that the reaction gas is ejected at a high pressure toward the outlet after passing through the inlet of the gas ejection hole 14.

그러나 원형인 웨이퍼와는 달리 직사각 형상인 기판(S)의 공정 수행시 상기 기판(S)의 모서리에서 에칭률이 현저하게 낮으므로 공정 균일성이 저하되는 문제점이 있었다.However, unlike the circular wafer, when the process of the rectangular substrate S is performed, the etching uniformity is significantly low at the corners of the substrate S, thereby decreasing the process uniformity.

그리고 도면에는 도시하지 않았지만 종래의 다른 실시 예에서는 샤워 헤드에 가스 분출 구멍을 가공할 때 작업이 난해하고 공정 수행시 직진성을 갖는 플라즈마가 상기 가스 분출 구멍으로 역류하여 방전됨을 방지하기 위해 가스 분출 구멍들과 연결된 구멍이 각각 형성되는 별도의 연결구를 상기 가스 분출 구멍마다 구비하여 가공 편의성을 추구하려 했으나 이 경우에도 공정 균일성을 확보하지 못하는 문제점이 있었다.Although not shown in the drawings, in another conventional embodiment, gas ejection holes are used to prevent a plasma which has difficulty in processing gas ejection holes in a shower head and has a straightness when the process is performed to discharge back into the gas ejection holes. In order to pursue the convenience of processing by providing a separate connector for each of the gas ejection hole is formed in each of the holes connected to and there was also a problem that does not secure the process uniformity.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적 은 샤워 헤드 중앙부에서의 가스 분사 면적에 대비하여 모서리부에서의 가스 분사 면적을 다르게 하여 균일한 에칭률을 확보할 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of which is to ensure a uniform etching rate by different gas injection area at the corner compared to the gas injection area in the shower head center portion In providing a processing apparatus.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 가스 분출 구멍이 다수 형성된 샤워 헤드가 구비되는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 샤워 헤드의 모서리마다 가스 분출 구멍과 연결되도록 결합되며 이 샤워 헤드 중앙부에서의 가스 분사 면적에 대비하여 모서리부에서의 반응 가스 분사 면적을 다르게 하는 확산부재가 구비됨으로써, 상기 확산부재에 의해 상기 샤워 헤드의 중앙 부분의 반응 가스 분사 면적을 모서리 부분과의 반응 가스 분사 면적보다 더 상승시켜 상대적으로 식각률이 저하되는 기판의 모서리 부분과 중앙 부분에서 균일하게 에칭할 수 있으므로 바람직하다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus including a shower head having a plurality of gas ejection holes, each of the corners of the shower head is coupled to be connected to the gas ejection hole and the gas injection in the shower head central portion By providing a diffusion member for varying the reaction gas injection area at the corners in comparison with the area, the diffusion member raises the reaction gas injection area of the central portion of the shower head more than the reaction gas injection area with the edges. It is preferable to be able to etch uniformly in the corner portion and the center portion of the substrate where the etching rate is relatively low.

이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 실시 예들을 들어 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the plasma processing apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치는 도면에 도시하지 않았지만 크게 내부에서 기판에 공정이 수행되는 챔버(도면에 미도시)와, 상기 챔버 내 상측과 하측에 각각 구비되는 상부 전극(도면에 미도시) 및 하부 전극(도면에 미도시)으로 이루어진다.Although not shown in the drawings, a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes a chamber (not shown) in which a process is performed on a substrate therein, and an upper electrode provided at upper and lower sides of the chamber, respectively. And a lower electrode (not shown).

여기서, 상기 챔버와 상, 하부 전극은 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략하며, 상기 상부 전극에 구비되는 샤워 헤드(112)가 종래의 그것과 상이하다.Here, since the chamber, the upper electrode and the lower electrode has the same structure and function as the conventional one, a detailed description thereof will be omitted, and the shower head 112 provided in the upper electrode is different from the conventional one.

상기 샤워 헤드(112)의 모서리 부분에 형성된 가스 분출 구멍(114)에는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 상기 가스 분출 구멍(114)과 연결되도록 결합시켜 이 샤워 헤드(112) 중앙부에서의 반응 가스 분사 면적과 모서리부에서의 반응 가스 분사 면적을 다르게 하는 확산부재(130)가 구비된다.The gas blowing holes 114 formed at the corners of the shower head 112 are coupled to be connected to the gas blowing holes 114 as shown in FIGS. 3 and 4 to react at the center of the shower head 112. A diffusion member 130 having a gas injection area and a reactive gas injection area at the corner is provided.

즉, 상기 확산부재(130)는 상기 샤워 헤드(112)의 저면 네 모서리 각각에서 가장 외곽에 형성된 가스 분출 구멍(114)의 일렬마다 중심 방향을 향해 적어도 하나가 순차적으로 결합되되 상기 가스 분출 구멍(114)과 연결되도록 이 가스 분출 구멍(114)들과 동심선상에 각각 구비된다.That is, the diffusion member 130 is coupled to at least one sequentially in the center direction for each line of the gas blowing hole 114 formed at the outermost at each of the four bottom edges of the shower head 112, the gas blowing hole ( These gas blowing holes 114 and concentric lines are respectively provided so as to be connected with the 114.

그리고 상기 샤워 헤드(112)에 일정 간격으로 배열 형성된 가스 분출 구멍(114) 중 상기 확산부재(130)의 입구(132)와 동심선상에 구비되는 가스 분출 구멍(114)의 상단은 구배진 상태에서 원통 형상으로 형성되고 하단에 삽입홀(112a)이 형성되지만 나머지 가스 분출 구멍(114)은 종래의 그것과 동일한 구조로 형성된다.In addition, the upper end of the gas ejection hole 114 provided on the concentric line with the inlet 132 of the diffusion member 130 among the gas ejection holes 114 formed at regular intervals in the shower head 112 is in a gradient state. It is formed in a cylindrical shape and the insertion hole 112a is formed at the bottom, but the remaining gas blowing holes 114 are formed in the same structure as that of the conventional one.

더욱이, 상기 확산부재(130)는 본 실시 예에서 모서리마다 3개씩 구비되는 것으로 예시하였으나 개수의 가감이 가능하며, 상기 가스 분출 구멍(114)과 동심선상에 위치된 샤워 헤드(112)의 저면에 결합시키거나 상기 샤워 헤드(112)의 모서리 저면에 이 샤워 헤드(112)의 상단이 삽입될 수 있도록 상응한 삽입홈(112a)이 형성되어 상기 삽입홈(112a)에 확산부재(130)의 상단을 삽입 고정한다.In addition, although the diffusion member 130 is illustrated as being provided with three at each corner in the present embodiment, the number of additions and subtractions is possible, and the bottom surface of the shower head 112 is located concentrically with the gas blowing hole 114. A corresponding insertion groove 112a is formed so that the upper end of the shower head 112 is coupled to the bottom surface of the corner of the shower head 112 so that the top of the diffusion member 130 is inserted into the insertion groove 112a. Insert it and fix it.

이때, 상기 샤워 헤드(112)의 삽입홈(112a)에 확산부재(130)의 상단을 삽입시킨 상태로 고정할 경우 상기 확산부재(130)의 형상은 절곡된 하단의 면적이 삽입되는 상단보다 더 확장되도록 단차진 블럭으로 형성되며 단차진 부위가 샤워 헤드(112)의 저면에 접촉된 상태이다.At this time, when the upper end of the diffusion member 130 is fixed to the insertion groove 112a of the shower head 112, the shape of the diffusion member 130 is larger than the upper end of the bent area is inserted It is formed of a stepped block so as to extend, and the stepped part is in contact with the bottom surface of the shower head 112.

여기서, 상기 샤워 헤드(112)에 확산부재(130)를 고정시킬 경우 그 접촉 면에 쉴드 링(Shield ring)을 개재하여 플라즈마로부터 보호한다.In this case, when the diffusion member 130 is fixed to the shower head 112, the contact surface is shielded from the plasma through a shield ring.

한편, 상기 확산부재(130)는 그 단면 형상이 "L"자 형상을 갖는 블럭 형상으로 형성되되 횡 방향과 종 방향을 별도로 구비한 다음 상호 결합시켜 형성시키거나 일체형으로 형성시키며 상기 가스 분출 구멍(114)과 상응한 간격으로 상면에 형성되는 입구(132)들과, 상기 입구(132)와 적어도 일렬로 연결되어 통하도록 출구(134)가 저면에 형성된다.On the other hand, the diffusion member 130 is formed in a block shape having a cross-sectional shape of the "L" shape is provided with a transverse direction and a longitudinal direction separately and then formed by combining with each other or integrally formed and the gas blowing hole ( Inlets 132 are formed on the upper surface at intervals corresponding to 114, and the outlet 134 is formed on the bottom surface so as to be connected to at least in line with the inlet 132.

여기서, 상기 출구(134)는 본 실시 예에서 3개로 예시하였으나 연결만 된다면 개수의 가감이 가능하다.Here, the outlet 134 is illustrated as three in the present embodiment, but only a connection can be added or subtracted.

그러므로 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어 기판(도면에 미도시)에 플라즈마에 의해 공정을 수행하는 과정에서 이 기판의 중심 부위와 모서리 부위에서 균일한 식각률을 얻을 수 있도록 확산부재(130)를 구비한다.Therefore, in the plasma processing apparatus of the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, a uniform etching rate is obtained at the center and corner portions of the substrate during the process of performing plasma processing on the substrate (not shown). It is provided with a diffusion member 130 to be.

즉, 상기 샤워 헤드(112)의 중심 부분과 모서리 부분에서 기판과의 반응 가스에 대한 접촉 면적을 다르게 하는 확산부재(130)를 결합하되 기판 전체 영역 가 운데 모서리 부분에서 식각률이 저하되는 종래의 문제점을 감안하여 기판의 전 영역 중 중심 부위에서의 반응 가스 접촉 면적보다 모서리 부분에서의 반응 가스 접촉 면적을 더 증가시켜 전체적으로 균일한 식각률을 얻게 되는 것이다.That is, while combining the diffusion member 130 to change the contact area with the reaction gas with the substrate in the center portion and the corner portion of the shower head 112, the conventional problem that the etching rate is lowered in the corner portion of the entire area of the substrate In consideration of the above, the reaction gas contact area at the corner portion of the entire area of the substrate is increased more than the reaction gas contact area at the center portion, thereby obtaining an overall uniform etching rate.

이때, 상기 확산부재(130)는 상기 샤워 헤드(112)의 모서리부에 형성된 가스 분출 구멍(114)과 연결되도록 상면에 입구(132)가 형성되고 상기 입구(132)와 연결되되 다수개로 분할 형성된 출구(134)가 저면에 형성되어 반응 가스가 상기 가스 분출 구멍(114)을 통해 입구(132)로 유입되면 출구(134)를 통해 기판에 배출될 때 다수개의 출구(134)로 반응 가스가 분사되므로 샤워 헤드(112)의 모서리에서 기판에 반응 가스의 접촉 면적을 넓힐 수 있다.At this time, the diffusion member 130 has an inlet 132 is formed on the upper surface to be connected to the gas blowing hole 114 formed in the corner portion of the shower head 112 and is connected to the inlet 132 is divided into a plurality When the outlet 134 is formed at the bottom surface and the reaction gas flows into the inlet 132 through the gas ejection hole 114, the reaction gas is injected into the plurality of outlets 134 when it is discharged to the substrate through the outlet 134. Therefore, the contact area of the reaction gas with the substrate at the edge of the shower head 112 can be increased.

결국, 상기 샤워 헤드(112)의 중앙부에 반응 가스의 접촉 면적과 상응하도록 이 샤워 헤드(112)의 모서리에 다수개의 확산부재(130)를 결합시켜 플라즈마의 밀도를 증가시키지 않으면서 기판에 균일한 식각률을 획득할 수 있다.As a result, a plurality of diffusion members 130 are coupled to the corners of the shower head 112 to correspond to the contact area of the reaction gas at the central portion of the shower head 112 to uniform the substrate without increasing the density of the plasma. Etch rate can be obtained.

또한, 본 발명의 다른 실시 예에서는 도 5에 도시된 바와 같이 상기 확산부재(130')를 상기 샤워 헤드(112')의 가장 외곽에 형성된 이웃한 복수열의 가스 분출 구멍(114')마다 내곽을 향해 고정하며 이 확산부재(130')도 복수열의 가스 분출 구멍(114')과 상응하도록 상면에 복수열의 입구(132')가 배열 형성되고 상기 입구(132')와 통하면서 출구(134')가 저면에 복수열로 다수개씩 형성된다.In addition, according to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. A plurality of rows of inlets 132 'are formed on the upper surface of the diffusion member 130' so as to correspond to the plurality of rows of gas ejection holes 114 'and communicate with the inlets 132'. Is formed in a plurality of rows at the bottom.

여기서, 상기 확산부재(130')도 앞선 실시 예의 그것과 같이 상, 하면 면적이 동일한 절곡 기둥 형상으로 형성될 수도 있고 단차진 절곡 기둥 형상으로 형성 될 수 있다.Here, the diffusion member 130 ′ may also be formed in the shape of a bent column having the same upper and lower surfaces as those of the previous embodiment, or may be formed in a stepped bent column shape.

이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 샤워 헤드의 중앙부에 대한 반응 가스의 분사 면적과 모서리부에 대한 반응 가스의 분사 면적이 상이하되 모서리부에서 반응 가스의 분사 면적이 더 크도록 하는 확산부재를 샤워 헤드 모서리마다 다수개 구비하여 기판의 중앙부와 모서리부에서 균일한 식각률을 획득할 수 있는 효과가 있다.Such a plasma processing apparatus of the present invention showers the diffusion member such that the injection area of the reactive gas to the center portion of the shower head and the injection area of the reactive gas to the edge portion are different but the injection area of the reactive gas is larger at the edge portion. A plurality of head edges may be provided to obtain a uniform etching rate at the center and corners of the substrate.

Claims (7)

가스 분출 구멍이 다수 형성된 샤워 헤드가 구비되는 플라즈마 처리장치에 있어서,In the plasma processing apparatus provided with a shower head having a plurality of gas ejection holes, 상기 샤워 헤드의 모서리마다 가스 분출 구멍과 연결되도록 결합되며 이 샤워 헤드 중앙부에서의 가스 분사 면적에 대비하여 모서리부에서의 반응 가스 분사 면적을 다르게 하는 확산부재가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And a diffusion member coupled to each of the corners of the shower head so as to be connected to the gas ejection hole and having a reactive gas injection area at the edge portion different from a gas injection area at the center of the shower head. 제 1항에 있어서, 상기 확산부재는,The method of claim 1, wherein the diffusion member, "L" 자 형상의 단면을 가지는 블럭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that formed of blocks having a cross section of the "L" shape. 제 2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 샤워 헤드의 모서리 저면에 확산부재가 부분 삽입되는 삽입홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus, characterized in that the insertion groove is formed to be partially inserted into the bottom of the corner of the shower head. 제 3항에 있어서, 상기 확산부재는,The method of claim 3, wherein the diffusion member, 하단의 면적이 삽입되는 상단보다 확장되도록 단차진 블럭 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus, characterized in that formed in a stepped block shape so that the area of the lower end than the upper end is inserted. 제 4항에 있어서, 상기 확산부재에는,The method of claim 4, wherein the diffusion member, 상기 가스 분출 구멍과 상응한 간격으로 상면에 형성되는 입구와, 상기 입구와 적어도 하나가 연결되도록 출구가 저면에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And an inlet formed in an upper surface at an interval corresponding to the gas ejection hole, and an outlet formed in a bottom surface thereof so as to be connected to at least one of the inlet. 제 5항에 있어서, 상기 확산부재는,The method of claim 5, wherein the diffusion member, 상기 샤워 헤드의 외곽에서 중심 방향을 향해 적어도 하나가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that at least one is provided toward the center direction from the outside of the shower head. 제 6항에 있어서, 상기 확산부재는,The method of claim 6, wherein the diffusion member, 일렬 또는 복수열의 가스 분출 구멍과 연결되도록 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that coupled to be connected to one or a plurality of rows of gas blowing holes.
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