KR20070090470A - Gas distribution plate for uniform gas injection - Google Patents

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Abstract

A gas distribution plate for uniform injection of gas is provided to improve a process nonuniformity phenomenon where the center part of a substrate becomes thicker than the peripheral part of the substrate, by increasing the fluid conductance in the peripheral part of a gas distribution plate as compared with the center part of the gas distribution plate. A predetermined reaction space is formed in a chamber, and a plurality of injection holes for injecting gas over a substrate placement table are formed in a gas distribution plate(100). A first region is formed in the center of the gas distribution plate. A second region is formed outside the first region. The fluid conductance in the first region is lower than that in the second region. The density of the injection hole in the first region can be lower than that in the second region.

Description

균일한 가스분사를 위한 가스분배판{Gas distribution plate for uniform gas injection}Gas distribution plate for uniform gas injection

도 1은 PECVD장치의 일반적인 구성도1 is a general configuration diagram of a PECVD apparatus

도 2는 종래 가스분배판의 부분 단면도2 is a partial cross-sectional view of a conventional gas distribution plate

도 3은 본 발명의 실시예에 따라 가스분배판이 3개 영역으로 구획된 모습을 나타낸 도면3 is a view showing a gas distribution plate partitioned into three regions according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 주변부로 갈수록 노즐의 직경이 커지는 가스분배판을 나타낸 도면4 is a view showing a gas distribution plate in which the diameter of the nozzle increases toward the peripheral portion according to an embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 주변부로 갈수록 노즐의 길이가 짧아지는 가스분배판을 나타낸 도면5 is a view showing a gas distribution plate in which the length of the nozzle is shortened toward the periphery according to another embodiment of the present invention;

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100 : 가스분배판 110 : 분사홀100: gas distribution plate 110: injection hole

112 : 노즐부 114 : 유입부112 nozzle portion 114 inlet portion

116 : 확산부116 diffusion parts

본 발명은 반도체소자 또는 평면표시장치를 제조하기 위해 웨이퍼 또는 글래스(이하 '기판'이라 함)를 처리하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 기판처리장치의 내부로 원료물질을 분사하는 가스분배판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a wafer or glass (hereinafter referred to as a “substrate”) for manufacturing a semiconductor device or a flat panel display device. Specifically, the present invention relates to a gas distribution for injecting a raw material into a substrate processing apparatus. It's about plate.

일반적으로 반도체소자나 평면표시장치를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각(etching)공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다.In general, to manufacture a semiconductor device or a flat panel display device, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photolithography process for exposing or hiding a selected area of the thin film using a photosensitive material, and removing the thin film of the selected area By going through the etching (patterning) process, such as patterning as desired, each of these processes is carried out inside the substrate processing apparatus designed to the optimum environment for the process.

특히 증착 또는 식각 공정은 원료물질의 종류나 막질 특성에 따라 매우 다양한 종류를 가지는데, 최근에는 저온공정이 가능하고 막질이 우수한 장점 때문에 플라즈마를 이용하는 방법이 많이 사용된다.In particular, the deposition or etching process has a wide variety of types depending on the type of raw material or the film quality, but recently, because of the advantages of low temperature process and excellent film quality, many methods using plasma are used.

플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 플라즈마의 발생소스에 따라서 CCP(Capacitively Coupled Plasma)장치와 ICP(Inductively Coupled Plasma)장치로 구분된다.The apparatus for processing a substrate using plasma is classified into a Capacitively Coupled Plasma (CCP) device and an Inductively Coupled Plasma (ICP) device according to the generation source of the plasma.

CCP장치는 서로 대향하는 전극 사이에 RF전기장을 형성한 후 RF전기장에 의하여 가속된 전자가 중성기체와 충돌하므로써 플라즈마가 발생되는 원리로 동작하며, ICP장치는 챔버 외부에 설치된 안테나에 의하여 챔버 내부에 형성되는 유도전 기장에 의하여 플라즈마가 발생되는 원리로 동작한다.The CCP device operates on the principle that plasma is generated by forming an RF electric field between electrodes facing each other, and then electrons accelerated by the RF electric field collide with a neutral gas, and the ICP device operates inside an chamber by an antenna installed outside the chamber. The plasma is generated by the induced induction field.

도 1은 CCP타입의 플라즈마를 발생시켜 증착공정을 수행하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치(10)의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.1 shows a schematic configuration of a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus 10 that generates a CCP type plasma to perform a deposition process.

이를 살펴보면, 반응공간을 형성하는 챔버(11)의 내부에 기판(s)을 안치하는 한편 승강운동이 가능한 기판안치대(12)가 설치되고, 기판안치대(12)의 상부에는 다수의 분사홀(14)을 가지는 가스분배판(13)이 설치되며, 챔버(11)의 하부에는 배기구(21)가 형성된다.Looking at this, the substrate holder 12 is placed in the chamber 11 forming the reaction space and the lifting movement is possible, a plurality of injection holes in the upper portion of the substrate holder 12 A gas distribution plate 13 having a 14 is provided, and an exhaust port 21 is formed in the lower portion of the chamber 11.

가스분배판(13)은 플라즈마전극(15)의 저면에 결합하며, 특히 가스분배판(13)의 주변부가 플라즈마전극(15)에 결합함으로써 가스분배판(13)과 플라즈마전극(15)의 사이에는 원료물질을 일차 확산시키는 버퍼공간(16)이 형성된다. 이때 가스분배판(13)과 플라즈마전극(15)은 통상 알루미늄 재질로 제조되므로 양자는 전기적으로 연결된 상태가 된다.The gas distribution plate 13 is coupled to the bottom surface of the plasma electrode 15, and in particular, the peripheral portion of the gas distribution plate 13 is coupled to the plasma electrode 15 so that the gas distribution plate 13 and the plasma electrode 15 are separated. The buffer space 16 is formed to first diffuse the raw material. At this time, since the gas distribution plate 13 and the plasma electrode 15 are usually made of aluminum, the gas distribution plate 13 and the plasma electrode 15 are electrically connected.

플라즈마 전극(15)의 중앙부에는 상기 버퍼공간(16)과 연통되는 가스공급관(18)이 연결되며, 버퍼공간(16) 내부에서 상기 가스공급관(18)의 출구 부근에는 공급된 원료물질을 확산시키기 위한 배플(17)이 설치된다.A gas supply pipe 18 communicating with the buffer space 16 is connected to a central portion of the plasma electrode 15, and diffuses the supplied raw material near the outlet of the gas supply pipe 18 in the buffer space 16. The baffle 17 is installed.

또한 플라즈마 전극(15)의 중앙부에는 RF전력을 공급하는 RF전원(20)이 연결되며, RF전원(20)과 플라즈마 전극(15)의 사이에는 임피던스를 정합시키는 매처(19)가 설치된다.In addition, an RF power supply 20 for supplying RF power is connected to a central portion of the plasma electrode 15, and a matcher 19 for matching impedance is provided between the RF power supply 20 and the plasma electrode 15.

이러한 PECVD장치(10)에서는 다음과 같은 순서로 공정이 진행된다.In such a PECVD apparatus 10, the process proceeds in the following order.

먼저 미도시된 기판출입구를 통해 반입된 기판(s)이 기판안치대(12)에 안치되면, 배기구(21)를 통해 진공펌핑을 수행하여 공정분위기를 조성한 다음 기판안치대(12)를 상부의 공정위치까지 상승시킨다.First, when the substrate s loaded through the substrate entrance (not shown) is placed in the substrate support 12, vacuum pumping is performed through the exhaust port 21 to form a process atmosphere, and then the substrate support 12 is placed on top of the substrate support 12. Raise to process position.

기판안치대(12)가 공정위치에 도달하면 가스분배판(13)을 통해 원료물질을 분사하는 한편, RF전원(20)에서 플라즈마전극(15)에 RF전력을 인가한다.When the substrate stabilizer 12 reaches the process position, the raw material is injected through the gas distribution plate 13 while RF power is applied to the plasma electrode 15 from the RF power source 20.

플라즈마 전극(15)에 인가된 RF전력은 가스분배판(13)과 접지된 기판안치대(12) 사이에 RF전기장을 형성하며, RF전기장에 의해 가속된 전자가 중성기체와 충돌함으로써 활성종이 생성되며 이렇게 생성된 활성종이 기판(s)의 표면에 증착되어 박막을 형성한다.The RF power applied to the plasma electrode 15 forms an RF electric field between the gas distribution plate 13 and the grounded substrate stabilizer 12, and active species are generated by electrons accelerated by the RF electric field collide with the neutral gas. The active species thus produced are deposited on the surface of the substrate s to form a thin film.

한편, 증착공정에서는 박막의 두께가 기판(s)의 전면적에 걸쳐 균일하여야 하므로 균일도(uniformity) 특성이 막질을 판단하는 중요한 기준이 되며, 이는 대면적 액정패널을 제작하기 위해 유리기판을 처리하는 경우에 특히 중요하다.Meanwhile, in the deposition process, since the thickness of the thin film must be uniform over the entire surface of the substrate s, uniformity characteristics are an important criterion for determining the film quality, which is the case when the glass substrate is processed to manufacture a large area liquid crystal panel. Is especially important.

이러한 박막균일도는 챔버(11)의 내부로 분사되는 원료물질의 균일도, 플라즈마의 균일도, 전극간의 거리 등에 의해 크게 좌우된다.The thin film uniformity greatly depends on the uniformity of the raw material injected into the chamber 11, the uniformity of the plasma, the distance between the electrodes, and the like.

특히 원료물질을 챔버(11) 내부로 균일하게 분사하기 위해서 가스분배판(13)에는 매우 정밀하게 가공된 수만개의 분사홀(14)이 균일하게 형성되어 있다. In particular, in order to uniformly inject the raw material into the chamber 11, the gas distribution plate 13 is uniformly formed with tens of thousands of injection holes 14 processed very precisely.

가스분배판(13)에는 부분 단면도인 도 2에 도시된 바와 같이 다수의 분사홀(14)이 형성되어 있으며, 특히 분사홀(14)은 다른 부분보다 상대적으로 작은 직경 을 가지는 노즐부(14a), 상기 노즐부(14a)의 상부(또는 일측)에 형성되는 유입부(14b), 상기 노즐부(14a)의 하부(또는 타측)에 형성되는 확산부(14c)를 포함하는 단면형상을 가진다.A plurality of injection holes 14 are formed in the gas distribution plate 13 as shown in FIG. 2, which is a partial cross-sectional view. In particular, the injection holes 14 have a nozzle portion 14a having a relatively smaller diameter than other parts. It has a cross-sectional shape including an inlet portion (14b) formed in the upper portion (or one side) of the nozzle portion 14a, and a diffusion portion 14c formed in the lower portion (or the other side) of the nozzle portion 14a.

현재의 가스분배판(13)에는 전 면적에 걸쳐 동일한 형상의 분사홀(14)이 균일하게 형성되어 있으며, 원료물질의 유속이나 유량은 이러한 분사홀(14)의 개수나 노즐부(14a)의 직경에 의해 크게 좌우된다.In the current gas distribution plate 13, the injection holes 14 having the same shape are uniformly formed over the entire area, and the flow rate and the flow rate of the raw material are determined by the number of the injection holes 14 and the nozzle portion 14a. It depends largely on the diameter.

그런데 가스분배판(13)의 분사홀(14)을 균일하게 형성하여도 기판(s)에 증착된 막두께를 분석해보면 대부분의 경우에는 중앙부가 주변부보다 두껍게 나타난다.However, even when the injection holes 14 of the gas distribution plate 13 are formed uniformly, the thickness of the film deposited on the substrate s is analyzed. In most cases, the center portion is thicker than the peripheral portion.

이러한 현상은 여러 가지 요인 때문에 발생하는데, 가스공급관(18)이 연결되는 중앙부에서의 가스분압이 주변부보다 더 높기 때문이기도 하고, 가스분배판(13)의 중앙부가 자중에 의해 하부로 처지는 현상 때문에 기판(s)과 가스분배판(13)과의 간격이 중앙부에서 더 좁아지기 때문이기도 하다. This phenomenon occurs due to various factors, such as the partial pressure of gas at the center where the gas supply pipe 18 is connected is higher than the periphery, and because of the phenomenon that the central part of the gas distribution plate 13 sags downward due to its own weight. This is also because the distance between (s) and the gas distribution plate 13 becomes narrower at the center portion.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버 내부에 분사되는 원료물질의 균일도를 향상시킴으로써 공정의 균일도를 향상시키는데 목적이 있다.The present invention is to solve this problem, it is an object to improve the uniformity of the process by improving the uniformity of the raw material injected into the chamber.

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 일정한 반응공간을 형성하 는 챔버의 내부에 설치되며, 기판안치대의 상부로 가스를 분사하는 다수의 분사홀을 구비하는 가스분배판에 있어서, 중심부에 형성되는 제1 영역; 상기 제1영역의 외곽에 형성되는 제2 영역으로 구분되며, 상기 제1영역에서의 유체컨덕턴스가 상기 제2 영역에 비하여 더 작은 것을 특징으로 하는 가스분배판을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is installed in the chamber forming a constant reaction space, the gas distribution plate having a plurality of injection holes for injecting gas to the upper portion of the substrate stabilizer, A first region formed; The gas distribution plate is divided into a second area formed outside the first area, and the fluid conductance in the first area is smaller than that of the second area.

상기 가스분배판의 일면과 타면을 관통하는 상기 분사홀은 가스가 유입되는 유입부, 가스가 분사되는 확산부, 상기 유입부와 상기 확산부에 비해 직경이 작고 상기 유입부와 상기 확산부 사이에 형성되는 노즐부로 이루어지는 가스분배판에 있어서, 상기 제1 영역에 형성된 노즐부의 유체컨덕턴스가 상기 제2 영역에 형성된 노즐부에 비하여 더 작은 것이 바람직하다.The injection hole penetrating one surface and the other surface of the gas distribution plate has an inlet portion through which gas is introduced, a diffuser portion through which gas is injected, and a diameter smaller than that of the inlet portion and the diffuser portion, and between the inlet portion and the diffuser portion. In the gas distribution plate consisting of the nozzle portion formed, it is preferable that the fluid conductance of the nozzle portion formed in the first region is smaller than the nozzle portion formed in the second region.

이때 상기 제1 영역에 형성된 노즐부가 상기 제2 영역에 형성된 노즐부에 비하여 더 작은 직경을 가질 수 있다.In this case, the nozzle unit formed in the first region may have a smaller diameter than the nozzle unit formed in the second region.

또한 상기 제1 영역에 형성된 노즐부가 상기 제2 영역에 형성된 노즐부에 비하여 더 긴 길이를 가질 수 있다.In addition, the nozzle unit formed in the first region may have a longer length than the nozzle unit formed in the second region.

또한 상기 제1 영역에 형성된 분사홀의 밀도가 상기 제2 영역에 비하여 더 작을 수 있다.In addition, the density of the injection holes formed in the first region may be smaller than that of the second region.

상기 제1영역과 상기 제2 영역은 상기 가스분배판의 가로축 또는 세로축을 기준으로 대칭구조를 가지는 것이 바람직하다.Preferably, the first region and the second region have a symmetrical structure with respect to the horizontal axis or the vertical axis of the gas distribution plate.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예는 가스분배판(100)을 다수의 영역으로 구분한 후 각 영역마다 다른 형상의 분사홀을 형성하는 점에 특징이 있다.An embodiment of the present invention is characterized in that the gas distribution plate 100 is divided into a plurality of areas, and then, the injection holes of different shapes are formed in each area.

예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 가스분배판(100)을 3개 영역으로 구분하여 가스분배판(100)의 중앙부를 제1 영역(A), 제1 영역(A)을 둘러싸는 부분을 제2 영역(B), 제2 영역(B)을 둘러싸는 부분을 제3 영역(C)으로 구분한다. 물론, 가스분배판(100)의 크기에 따라 2개 영역으로 구분할 수도 있고 4개 이상의 영역으로 구분할 수도 있다.For example, as shown in FIG. 3, the gas distribution plate 100 is divided into three regions, so that the center portion of the gas distribution plate 100 surrounds the first region A and the first region A. FIG. The second area B and the portion surrounding the second area B are divided into a third area C. FIG. Of course, depending on the size of the gas distribution plate 100 may be divided into two areas or may be divided into four or more areas.

도 3에서는 액정표시소자의 제조장치에 사용되는 가스분배판(100)을 도시한 것이어서 사각 형상을 가지며, 따라서 제1 영역(A)은 사각형으로 설정되고, 제2,3 영역(B,C)는 가운데가 개구된 사각 프레임 형상으로 설정된다.In FIG. 3, the gas distribution plate 100 used in the manufacturing apparatus of the liquid crystal display device has a rectangular shape, and thus, the first region A is set to a quadrangle, and the second and third regions B and C are illustrated in FIG. Is set to a rectangular frame shape with an open center.

각 영역의 폭은 축방향을 기준으로 동일한 것이 바람직하다. 즉, 각 영역은 가스분배판(100)의 중심에서부터 장축방향으로 동일한 폭을 가지며, 가스분배판(100)의 중심에서부터 단축방향으로도 동일한 폭을 가진다.It is preferable that the width of each region is the same with respect to the axial direction. That is, each area has the same width in the major axis direction from the center of the gas distribution plate 100, and has the same width in the minor axis direction from the center of the gas distribution plate 100.

그러나 각 영역의 폭은 챔버 내부의 공정조건에 따라 달라질 수 있다. 또한 원형의 웨이퍼를 처리하는 반도체제조장치에 사용되는 가스분배판인 경우에는 상기 제1 영역(A)은 원형으로 설정되고, 이를 둘러싸는 제2,3 영역(B,C)은 링 형태로 설정될 수 있다.However, the width of each region may vary depending on the process conditions inside the chamber. In addition, in the case of a gas distribution plate used in a semiconductor manufacturing apparatus for processing a circular wafer, the first region A is set to a circle, and the second and third regions B and C surrounding it are set to a ring shape. Can be.

이와 같이 다수의 영역으로 구분된 가스분배판(100)에 형성되는 분사홀(110) 의 밀도는 균일한 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 분사홀(110)의 밀도를 영역별로 달리할 수도 있다. As such, the density of the injection hole 110 formed in the gas distribution plate 100 divided into a plurality of areas is preferably uniform, but in some cases, the density of the injection hole 110 may be different for each area.

예를 들어 중앙부의 제1 영역(A)보다 주변부의 제2,3 영역(B,C)으로 갈수록 분사홀(110)의 밀도가 높아지도록 하면 주변부에서의 가스유량이 증가하므로 기판(s)의 중앙부와 주변부에서의 막두께를 균일하게 하는데 기여할 수 있다.For example, when the density of the injection hole 110 is increased toward the second and third regions B and C of the peripheral portion rather than the first region A of the central portion, the gas flow rate in the peripheral portion increases, so It can contribute to making film thickness uniform in center part and periphery part.

분사홀(110)의 단면형상은 가스가 유입되는 유입부(114), 가스가 분사되는 확산부(116),상기 유입부(114)와 상기 확산부(116)에 비해 직경이 작고 상기 유입부(114)와 상기 확산부(116) 사이에 형성되는 노즐부(112)를 포함하여 이루어지는 점에서는 종래와 마찬가지이다.The cross-sectional shape of the injection hole 110 has a diameter smaller than that of the inlet portion 114 through which gas is introduced, the diffusion portion 116 through which gas is injected, the inlet portion 114 and the diffusion portion 116, and the inlet portion It is the same as that of the prior art in that it comprises the nozzle part 112 formed between 114 and the said diffusion part 116. FIG.

다만 본 발명의 실시예에 따른 가스분배판(100)은 각 영역마다 노즐부(112)의 형상을 달리한 점에 특징이 있다.However, the gas distribution plate 100 according to the embodiment of the present invention is characterized in that the shape of the nozzle unit 112 varies in each region.

먼저 도 4는 가스분배판(100)의 각 영역별로 노즐부(112)의 직경을 달리한 모습을 나타낸 도면으로서, 비교의 편의를 위하여 제1,2,3 영역(A,B,C)에 하나씩의 분사홀(110)만을 도시하였고, 노즐부(112)의 직경도 실제보다 과장하여 도시하였다. First, FIG. 4 is a view illustrating a state in which the diameters of the nozzles 112 are different for each region of the gas distribution plate 100, and are shown in the first, second, third regions A, B, and C for convenience of comparison. Only one injection hole 110 is shown, and the diameter of the nozzle unit 112 is also exaggerated.

이를 살펴보면 제1 영역(A)의 노즐부(112) 직경보다 제2 영역(B)의 노즐부(112) 직경이 더 크며, 제2 영역(B)의 노즐부(112) 직경보다 제3 영역(C)의 노즐부(112) 직경이 더 크다.Looking at this, the diameter of the nozzle portion 112 of the second region (B) is larger than the diameter of the nozzle portion 112 of the first region (A), the third region than the diameter of the nozzle portion 112 of the second region (B) The diameter of the nozzle portion 112 in (C) is larger.

예를 들어 제1 영역(A)의 노즐부(112) 직경은 0.45mm, 제2 영역(B)의 노즐부(112) 직경은 0.55mm, 제3 영역(C)의 노즐부(112) 직경은 0.65mm 가 될 수 있다.For example, the diameter of the nozzle portion 112 of the first region A is 0.45 mm, the diameter of the nozzle portion 112 of the second region B is 0.55 mm, and the diameter of the nozzle portion 112 of the third region C. May be 0.65 mm.

노즐부(112)의 직경이 커지면 컨덕턴스가 증가하므로 가스분배판(100)의 주변부로 갈수록 원료물질의 유량이 증가하게 된다. 따라서 기판(s)의 중앙부에서 박막이 더 두껍게 형성되는 등의 공정불균일 현상이 크게 개선된다.Since the conductance increases as the diameter of the nozzle part 112 increases, the flow rate of the raw material increases toward the periphery of the gas distribution plate 100. Therefore, the process nonuniformity such as a thin film formed at the center of the substrate s is greatly improved.

한편, 노즐부(112)의 직경을 각 영역별로 다르게 형성하는 대신에, 도 5에 도시된 바와 같이 가스분배판(100)의 주변부로 갈수록 노즐부(112)의 길이를 짧게 형성할 수도 있다. 이 경우에도 노즐부(112)의 직경이나 길이는 실제보다 과장하여 도시하였다.On the other hand, instead of differently forming the diameter of the nozzle unit 112 for each region, as shown in FIG. 5, the length of the nozzle unit 112 may be shortened toward the periphery of the gas distribution plate 100. Also in this case, the diameter and length of the nozzle part 112 are shown to be exaggerated than actually.

노즐부(112)의 길이가 짧아질수록 컨덕턴스가 증가하므로, 이 경우에도 가스분배판(100)의 주변부로 갈수록 원료물질의 유량이 증가하게 되어, 중앙부에서 원료물질의 밀도가 높아지는 현상을 크게 개선할 수 있다.Since the conductance increases as the length of the nozzle portion 112 becomes shorter, in this case, the flow rate of the raw material increases toward the periphery of the gas distribution plate 100, thereby greatly improving the phenomenon of increasing the density of the raw material in the center portion. can do.

한편, 이와 같이 가스분배판(100)을 여러 영역으로 구분하는 경우라도 같은 영역내의 분사홀(110)은 서로 동일한 형상, 즉 동일한 노즐직경 및 노즐길이를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, even when the gas distribution plate 100 is divided into several regions, the injection holes 110 in the same region are preferably formed to have the same shape, that is, the same nozzle diameter and nozzle length.

또한 본 발명의 실시예에 따른 가스분배판(100)에서는 노즐부(112)의 직경 또는 길이가 동일한 부분을 하나의 영역으로 구분하고 있으므로, 가스분배판(100) 전체를 일체로 제조하지 않고 제작시간 등을 고려하여 각 영역별로 분리 제작한 후 이를 결합하여 사용할 수도 있다. 물론 하나의 알루미늄 모재에 영역별로 노즐부(112)의 직경이나 길이를 달리해가면서 제작할 수도 있다.In addition, in the gas distribution plate 100 according to the embodiment of the present invention, since the portions having the same diameter or length of the nozzle portion 112 are divided into one region, the gas distribution plate 100 is manufactured without being integrally manufactured. In consideration of time, etc., each area may be separately manufactured and then used in combination. Of course, one aluminum base material may be manufactured while varying the diameter or length of the nozzle unit 112 for each region.

본 발명에 따르면, 가스분배판의 중앙부보다 주변부에서의 유체 컨덕던스를 높여줄 수 있기 때문에 종래와 같이 기판의 중앙부가 주변부보다 막두께가 두꺼워지는 등의 공정 불균일 현상이 크게 개선된다. According to the present invention, it is possible to increase the fluid conductance at the periphery rather than the center of the gas distribution plate, so that the process unevenness such as the thickness of the central portion of the substrate is thicker than the periphery as in the prior art is greatly improved.

Claims (6)

일정한 반응공간을 형성하는 챔버의 내부에 설치되며, 기판안치대의 상부로 가스를 분사하는 다수의 분사홀을 구비하는 가스분배판에 있어서,In the gas distribution plate installed in the chamber forming a constant reaction space, and having a plurality of injection holes for injecting gas to the upper portion of the substrate stabilizer, 중심부에 형성되는 제1 영역;A first region formed in the center portion; 상기 제1 영역의 외곽에 형성되는 제2 영역;A second region formed outside the first region; 으로 구분되며, 상기 제1 영역에서의 유체컨덕턴스가 상기 제2 영역에 비하여 더 작은 것을 특징으로 하는 가스분배판And the fluid conductance in the first region is smaller than that in the second region. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스분배판의 일면과 타면을 관통하는 상기 분사홀은 가스가 유입되는 유입부, 가스가 분사되는 확산부, 상기 유입부와 상기 확산부에 비해 직경이 작고 상기 유입부와 상기 확산부 사이에 형성되는 노즐부로 이루어지는 가스분배판에 있어서,The injection hole penetrating one surface and the other surface of the gas distribution plate has an inlet portion through which gas is introduced, a diffuser portion through which gas is injected, and a diameter smaller than that of the inlet portion and the diffuser portion, and between the inlet portion and the diffuser portion. In the gas distribution plate consisting of a nozzle portion formed, 상기 제1 영역에 형성된 노즐부의 유체컨덕턴스가 상기 제2 영역에 형성된 노즐부에 비하여 더 작은 것을 특징으로 하는 가스분배판The gas conduction plate, characterized in that the fluid conductance of the nozzle portion formed in the first region is smaller than the nozzle portion formed in the second region 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 영역에 형성된 노즐부가 상기 제2 영역에 형성된 노즐부에 비하여 더 작은 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 가스분배판The gas distribution plate, characterized in that the nozzle portion formed in the first region has a smaller diameter than the nozzle portion formed in the second region 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 영역에 형성된 노즐부가 상기 제2 영역에 형성된 노즐부에 비하여 더 긴 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 가스분배판The gas distribution plate, characterized in that the nozzle portion formed in the first region has a longer length than the nozzle portion formed in the second region 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 영역에 형성된 분사홀의 밀도가 상기 제2 영역에 비하여 더 작은 것을 특징으로 하는 가스분배판 Gas distribution plate, characterized in that the density of the injection hole formed in the first region is smaller than the second region 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1영역과 상기 제2 영역은 상기 가스분배판의 가로축 또는 세로축을 기준으로 대칭구조를 가지는 것을 특징으로 하는 가스분배판The first and second regions have a symmetrical structure with respect to the horizontal or vertical axis of the gas distribution plate.
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