KR20190122577A

KR20190122577A - Apparatus for Processing Substrate

Info

Publication number: KR20190122577A
Application number: KR1020190045798A
Authority: KR
Inventors: 오웅교; 김영운; 유광수; 조원태
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2018-04-20
Filing date: 2019-04-19
Publication date: 2019-10-30

Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus comprises: a chamber; a first electrode positioned on top of the chamber; a second electrode positioned below the first electrode and including a plurality of openings; a plurality of protruding electrodes extending from the first electrode and extending into the openings of the second electrode; a substrate stand facing the second electrode and having a substrate placed thereon; a first discharge region between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode; a second discharge region between side surfaces of the protruding electrodes and inner surfaces of the openings of the second electrode; a third discharge region between lower surfaces of the protruding electrode and the inner surfaces of the openings of the second electrode; and a fourth discharge region between the second electrode and the substrate.

Description

Substrate Processing Apparatus {Apparatus for Processing Substrate}

본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a processing process such as a deposition process, an etching process, and the like for a substrate.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.In general, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a substrate. To this end, substrates such as a deposition process for depositing a thin film of a specific material on the substrate, a photo process for selectively exposing the thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by removing the thin film of the selectively exposed portion, etc. Treatment process takes place. The processing process for such a substrate is performed by a substrate processing apparatus.

종래 기술에 따른 기판처리장치는 기판을 지지하는 지지부, 및 상기 지지부의 상측에 배치된 전극부를 포함한다. 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 전극부를 이용하여 플라즈마를 발생시킴으로써, 상기 기판에 대한 처리공정을 수행한다.The substrate processing apparatus according to the prior art includes a support part for supporting a substrate, and an electrode part disposed above the support part. The substrate treating apparatus according to the related art generates a plasma by using the electrode unit, thereby performing a treatment process on the substrate.

그러나, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 전극부를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 영역 및 플라즈마를 비발생시키는 영역의 구별에 대한 고려가 없었으므로, 상기 기판에 대한 처리공정의 효율이 낮은 문제가 있었다.However, since the substrate treating apparatus according to the related art has not considered the distinction between the region generating the plasma and the region not generating the plasma by using the electrode unit, there is a problem that the efficiency of the processing process for the substrate is low.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판에 대한 처리공정의 효율을 높일 수 있는 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention has been made to solve the problems described above, and to provide a substrate processing apparatus that can increase the efficiency of the processing process for the substrate.

상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to solve the problems as described above, the present invention may include the following configuration.

본 발명에 따른 기판처리장치는 챔버; 상기 챔버 상부에 위치하는 제1전극; 상기 제1전극의 하부에 위치하고, 복수의 개구를 포함하는 제2전극; 상기 제1전극에서 연장되어 상기 제2전극의 복수의 개구로 연장되는 복수의 돌출전극; 상기 제2전극과 대향하고 기판이 안치되는 기판안치대; 상기 제1전극 하면과 상기 제2전극 상면 사이의 제1방전영역; 상기 돌출전극의 측면과 상기 제2전극의 개구 내면 사이의 제2방전영역; 상기 돌출전극의 하면과 상기 제2전극의 개구 내면 사이의 제3방전영역; 및 상기 제2전극과 상기 기판 사이의 제4방전영역을 포함할 수 있다. 상기 제1방전영역 내지 상기 제4방전영역 중에서 적어도 하나의 영역에서 플라즈마를 발생시킬 수 있다.Substrate processing apparatus according to the present invention comprises a chamber; A first electrode positioned above the chamber; A second electrode disposed below the first electrode and including a plurality of openings; A plurality of protruding electrodes extending from the first electrode and extending into the plurality of openings of the second electrode; A substrate support stand facing the second electrode and having a substrate placed thereon; A first discharge region between the lower surface of the first electrode and the upper surface of the second electrode; A second discharge region between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode; A third discharge region between the bottom surface of the protruding electrode and the inner surface of the opening of the second electrode; And a fourth discharge region between the second electrode and the substrate. The plasma may be generated in at least one of the first discharge region and the fourth discharge region.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제1전극과 상기 제2전극 중에서 어느 하나에는 RF 전력이 인가되고, 나머지 하나는 접지(Ground)가 될 수 있다.In the substrate treating apparatus according to the present invention, RF power may be applied to one of the first electrode and the second electrode, and the other may be ground.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 제2전극의 상면과 상기 제2전극의 하면 사이의 제1거리; 상기 제1전극의 하면과 상기 제2전극의 상면 사이의 제2거리; 상기 제1전극의 하면에서 상기 돌출전극의 하면까지의 제3거리; 및 상기 돌출전극의 측면과 상기 제2전극의 개구 내면 사이의 제4거리를 포함할 수 있다. A substrate processing apparatus according to the present invention includes a first distance between an upper surface of the second electrode and a lower surface of the second electrode; A second distance between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode; A third distance from a lower surface of the first electrode to a lower surface of the protruding electrode; And a fourth distance between the side surface of the protruding electrode and the inner surface of the opening of the second electrode.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제2거리는 상기 제1거리보다 작고, 상기 제3거리는 상기 제2거리와 같거나 상기 제2거리보다 크고, 상기 제4거리는 상기 제2거리보다 클 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the second distance may be smaller than the first distance, the third distance may be equal to or greater than the second distance, and the fourth distance may be greater than the second distance. have.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제3거리는 상기 제1거리와 상기 제2거리의 합보다 클 수 있다.In the substrate treating apparatus of the present invention, the third distance may be greater than the sum of the first distance and the second distance.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제3거리는 상기 제1전극의 전면(全面)에 걸쳐서 동일할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the third distance may be the same over the entire surface of the first electrode.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제3거리는 상기 제1전극의 전면(全面)에서 상이할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the third distance may be different from the entire surface of the first electrode.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제1전극의 중앙부의 제3거리는 상기 중앙부의 주변부의 제3거리보다 크거나 작을 수 있다.In the substrate treating apparatus of the present invention, the third distance of the central portion of the first electrode may be larger or smaller than the third distance of the peripheral portion of the central portion.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제3거리는 상기 제1전극의 중앙부에서 상기 제1전극의 주변부로 갈수록 커지거나 작아질 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the third distance may be larger or smaller from the center of the first electrode toward the periphery of the first electrode.

본 발명에 따른 기판처리장치는 상기 제1방전영역에 제1가스를 분사하는 복수의 제1가스분사홀을 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention may further include a plurality of first gas injection holes for injecting a first gas into the first discharge region.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제1가스분사홀은 상기 제1전극을 상하로 관통하거나 상기 제1전극 내부에 형성된 제1가스유로에 연통될 수 있다.In the substrate treating apparatus according to the present invention, the first gas injection hole may pass through the first electrode up and down or communicate with a first gas flow path formed inside the first electrode.

본 발명에 따른 기판처리장치는 상기 제3방전영역에 제2가스를 분사하는 복수의 제2가스분사홀을 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention may further include a plurality of second gas injection holes for injecting a second gas into the third discharge region.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제2가스분사홀은 상기 제1전극과 상기 돌출전극을 관통하거나, 상기 제1전극 내부에 형성된 제2가스유로에 연통될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the second gas injection hole may pass through the first electrode and the protruding electrode or may be in communication with a second gas flow path formed inside the first electrode.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제1거리 내지 상기 제4거리는 상기 제1방전영역 내지 상기 제4방전영역 모두에서 플라즈마를 발생시키는 크기일 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the first distance to the fourth distance may be a size for generating a plasma in both the first discharge region and the fourth discharge region.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제2거리는 상기 제1방전영역에서 플라즈마를 비발생시키는 크기이며, 상기 제1거리, 상기 제3거리, 및 상기 제4거리는 상기 제2방전영역 내지 상기 제4방전영역 모두에서 플라즈마를 발생시키는 크기일 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the second distance is a magnitude of non-generating plasma in the first discharge region, and the first distance, the third distance, and the fourth distance are the second discharge region to the It may have a size for generating a plasma in all of the fourth discharge region.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제4거리는 상기 제2방전영역에서 플라즈마를 비발생시키도록 상기 제2거리보다 작은 크기이며, 상기 제1거리 내지 상기 제3거리는 상기 제1방전영역, 상기 제3방전영역, 및 상기 제4방전영역 모두에서 플라즈마를 발생시키는 크기일 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the fourth distance is smaller than the second distance so as not to generate plasma in the second discharge area, and the first to third distances are the first discharge area, The plasma display device may be sized to generate plasma in both the third discharge region and the fourth discharge region.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제2거리는 상기 제1방전영역에서 플라즈마를 비발생시키는 크기이며, 상기 제4거리는 상기 제2방전영역에서 플라즈마를 비발생시키는 크기이고, 상기 제3거리는 상기 제3방전영역 및 상기 제4방전영역 모두에서 플라즈마를 발생시키도록 상기 제2거리와 같거나 상기 제2거리보다 클 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the second distance is a size for generating no plasma in the first discharge region, and the fourth distance is a size for generating no plasma in the second discharge region, and the third distance is The second distance may be equal to or greater than the second distance so as to generate plasma in both the third discharge region and the fourth discharge region.

본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제2거리는 상기 제1방전영역에서 플라즈마를 비발생시키는 크기이며, 상기 제4거리는 상기 제2방전영역에서 플라즈마를 비발생시키는 크기이고, 상기 제3거리는 상기 제3방전영역에서 플라즈마를 비발생시키도록 상기 제1거리와 상기 제2거리의 합과 같거나 상기 제1거리와 상기 제2거리의 합보다 클 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the second distance is a size for generating no plasma in the first discharge region, and the fourth distance is a size for generating no plasma in the second discharge region, and the third distance is It may be equal to the sum of the first distance and the second distance or greater than the sum of the first distance and the second distance so as to generate no plasma in the third discharge region.

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.

본 발명은 공정조건에 따라 플라즈마가 필요하지 않은 영역에서는 플라즈마를 발생시키지 않도록 구현됨으로써, 플라즈마가 필요하지 않은 영역에서 플라즈마가 발생함에 따른 라디칼의 손실량을 감소시킬 수 있고, 플라즈마가 필요하지 않은 영역에서 불필요한 증착이 이루어짐에 따른 오염 발생률을 감소시킬 수 있다.The present invention is implemented so as not to generate a plasma in a region that does not require a plasma according to the process conditions, it is possible to reduce the amount of radical loss due to the plasma generated in the region that does not require a plasma, in a region where the plasma is not required It is possible to reduce the incidence of contamination due to unnecessary deposition.

본 발명은 공정조건에 따라 플라즈마가 필요한 영역에서만 플라즈마를 발생시키도록 구현됨으로써, 플라즈마가 필요한 영역에서의 플라즈마 밀도 및 분해 효율을 증대시킬 수 있다.The present invention is implemented to generate the plasma only in the region requiring the plasma according to the process conditions, thereby increasing the plasma density and decomposition efficiency in the region requiring the plasma.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 측단면도
도 2 내지 도 10은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 측단면도
도 11은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 도 1의 B 부분을 확대하여 나타낸 측단면도
도 12는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극의 하면을 나타낸 개략적인 저면도
도 13은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 돌출전극에 대한 제3거리가 상이한 실시예를 나타낸 측단면도
도 14 및 도 15는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1가스분사홀을 설명하기 위해 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 측단면도
도 16 및 도 17은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제2가스분사홀을 설명하기 위해 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 측단면도1 is a schematic side cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 to 10 are side cross-sectional views showing an enlarged portion A of FIG. 1 in the substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 11 is an enlarged side cross-sectional view of a portion B of FIG. 1 in a substrate treating apparatus according to the present invention; FIG.
12 is a schematic bottom view showing a lower surface of the first electrode in the substrate treating apparatus according to the present invention.
13 is a side cross-sectional view showing an embodiment in which the third distance with respect to the protruding electrode is different in the substrate processing apparatus according to the present invention;
14 and 15 are enlarged side cross-sectional views of part A of FIG. 1 to explain the first gas injection hole in the substrate processing apparatus according to the present invention.
16 and 17 are enlarged side cross-sectional views of part A of FIG. 1 to explain the second gas injection hole in the substrate processing apparatus according to the present invention.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)에 박막을 증착하는 증착공정 및 상기 기판(S)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 중에서 적어도 하나를 수행할 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 CVD(Chemical Vapor Depostion), ALD(Atomic Layer Deposition) 등과 같은 증착공정을 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판안치대(2), 제1전극(3), 제2전극(4), 개구(5), 및 돌출전극(6)을 포함한다.1 and 2, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs a processing process on the substrate S. Referring to FIG. For example, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform at least one of a deposition process of depositing a thin film on the substrate S and an etching process of removing a portion of the thin film deposited on the substrate S. . For example, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform a deposition process such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), or the like. The substrate processing apparatus 1 according to the present invention includes a substrate stabilizer 2, a first electrode 3, a second electrode 4, an opening 5, and a protruding electrode 6.

도 1을 참고하면, 상기 기판안치대(2)는 상기 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판안치대(2)는 상기 제2전극(4)과 대향하도록 배치될 수 있다. 상기 기판안치대(2)에는 상기 기판(S)이 안치될 수 있다. 상기 기판안치대(2)가 상기 제2전극(4)의 하측에 배치된 경우, 상기 기판(S)은 상기 기판안치대(2)의 상면에 지지될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(S)은 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 상기 기판안치대(2) 및 상기 제2전극(4)의 사이에 배치되도록 상기 기판안치대(2)에 지지될 수 있다. 상기 기판(S)은 반도체 기판, 웨이퍼(Wafer) 등일 수 있다. 상기 기판안치대(2)는 복수개의 기판(S)을 지지할 수도 있다. 상기 기판안치대(2)는 상기 처리공정이 이루어지는 처리공간을 제공하는 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 기판안치대(2)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 기판안치대(2)는 상기 챔버(100)에 회전 가능하게 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 기판안치대(2)는 회전력을 제공하는 회전부에 연결될 수 있다. 상기 회전부는 상기 기판안치대(2)를 회전시킴으로써, 상기 기판안치대(2)에 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate stabilizer 2 supports the substrate S. Referring to FIG. The substrate support 2 may be disposed to face the second electrode 4. The substrate S may be placed on the substrate support 2. When the substrate stabilizer 2 is disposed below the second electrode 4, the substrate S may be supported on an upper surface of the substrate stabilizer 2. Accordingly, the substrate S may be supported by the substrate support 2 so as to be disposed between the substrate support 2 and the second electrode 4 with respect to the vertical direction (Z-axis direction). have. The substrate S may be a semiconductor substrate, a wafer, or the like. The substrate support 2 may support a plurality of substrates (S). The substrate support 2 may be coupled to a chamber 100 that provides a processing space in which the processing step is performed. The substrate support 2 may be disposed inside the chamber 100. The substrate support 2 may be rotatably coupled to the chamber 100. In this case, the substrate support 2 may be connected to a rotating part that provides a rotational force. The rotating unit may rotate the substrate S supported by the substrate stabilizer 2 by rotating the substrate stabilizer 2.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 제1전극(3)은 상기 챔버(100)의 상부에 위치하는 것이다. 상기 제1전극(3)은 상기 챔버(100)의 상부에서 상기 제2전극(5)의 상측에 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 상기 제2전극(4)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 플라즈마를 발생시키는데 이용될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 플라즈마를 발생시킬 수 있는 형태이면 원반형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다. 1 and 2, the first electrode 3 is positioned above the chamber 100. The first electrode 3 may be disposed above the second electrode 5 above the chamber 100. The first electrode 3 may be arranged to be spaced apart from the second electrode 4 in a upward direction (UD arrow direction). The first electrode 3 may be coupled to the chamber 100 to be disposed in the chamber 100. The first electrode 3 may be used to generate a plasma. The first electrode 3 may be formed in a rectangular plate shape as a whole. However, the first electrode 3 is not limited thereto, and may be formed in other shapes such as a disc shape as long as it can generate a plasma.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 제2전극(4)은 상기 제1전극(3)의 하부에 위치하는 것이다. 상기 제2전극(4)은 상기 기판안치대(2)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 제2전극(4)은 상기 기판안치대(2)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제2전극(4)은 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제2전극(4)은 플라즈마를 발생시키는데 이용될 수 있다. 상기 제2전극(4)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 플라즈마를 발생시킬 수 있는 형태이면 원반형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.1 and 2, the second electrode 4 is positioned under the first electrode 3. The second electrode 4 may be disposed above the substrate support 2. The second electrode 4 may be disposed to be spaced apart from the substrate support 2 by a predetermined distance upwardly (UD arrow direction). The second electrode 4 may be coupled to the chamber 100 to be disposed in the chamber 100. The second electrode 4 may be used to generate a plasma. The second electrode 4 may be formed in a rectangular plate shape as a whole. However, the second electrode 4 is not limited thereto, and may be formed in another shape such as a disc shape if it is capable of generating plasma.

상기 제2전극(4)이 상기 제1전극(3)의 하측에 배치된 경우, 상기 제2전극(4)는 상면(上面)(41)이 상기 제1전극(3)를 향함과 아울러 하면(下面)(42)이 상기 기판안치대(2)를 향하도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1전극(3)은 하면(下面)(31)이 상기 제2전극(4)의 상면(41)을 향하도록 배치될 수 있다. 상기 제1전극(3)의 하면(31) 및 상기 제2전극(4)의 상면(41)은 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 서로 소정 거리로 이격되도록 배치될 수 있다.When the second electrode 4 is disposed below the first electrode 3, the second electrode 4 has an upper surface 41 facing the first electrode 3 and a lower surface. The lower surface 42 may be disposed to face the substrate support 2. In this case, the first electrode 3 may be disposed such that the lower surface 31 faces the upper surface 41 of the second electrode 4. The lower surface 31 of the first electrode 3 and the upper surface 41 of the second electrode 4 may be disposed to be spaced apart from each other by a predetermined distance with respect to the vertical direction (Z-axis direction).

상기 제2전극(4)과 상기 제1전극(3) 중에서 어느 하나에는 RF(Radio Frequency) 전력이 인가되고, 나머지 하나는 접지(Ground)가 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2전극(4) 및 상기 제1전극(3) 간에 걸리는 전기장에 의해 방전이 이루져서 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 제2전극(4)에 RF 전력이 인가되고, 상기 제1전극(3)이 접지될 수 있다. 상기 제2전극(4)이 접지되고, 상기 제1전극(3)에 RF 전력이 인가될 수도 있다.One of the second electrode 4 and the first electrode 3 may be supplied with RF (Radio Frequency) power, and the other may be ground. Accordingly, a discharge may be generated by an electric field applied between the second electrode 4 and the first electrode 3 to generate plasma. RF power may be applied to the second electrode 4, and the first electrode 3 may be grounded. The second electrode 4 may be grounded, and RF power may be applied to the first electrode 3.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 개구(5)는 상기 제2전극(4)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 개구(5)는 상기 제2전극(4)의 상면(41) 및 상기 제2전극(4)의 하면(42)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 개구(5)는 전체적으로 원통 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 직방체 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 제2전극(4)에는 상기 개구(5)가 복수개 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 개구(5)들은 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다.1 and 2, the opening 5 may be formed to penetrate the second electrode 4. The opening 5 may be formed to penetrate the upper surface 41 of the second electrode 4 and the lower surface 42 of the second electrode 4. The opening 5 may be formed in a cylindrical shape as a whole, but is not limited thereto and may be formed in other shapes such as a rectangular parallelepiped shape. A plurality of openings 5 may be formed in the second electrode 4. In this case, the openings 5 may be arranged at positions spaced apart from each other.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 돌출전극(6)은 상기 제1전극(3)에서 연장되어 상기 제2전극(4)에 형성된 개구(5)로 연장되는 것이다. 상기 돌출전극(6)은 상기 제1전극(3)으로부터 하방(DD 화살표 방향)으로 돌출될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)은 상기 제1전극(3)의 하면(31) 중에서 상기 개구(5)의 상측에 위치한 부분으로부터 돌출될 수 있다. 즉, 상기 돌출전극(6)은 상기 개구(5)에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 돌출전극(6)는 상기 제1전극(3)의 하면(31)에 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(6) 및 상기 제1전극(3)은 일체로 형성될 수도 있다. 상기 제1전극(3)이 접지된 경우, 상기 돌출전극(6)은 상기 제1전극(3)을 통해 접지될 수 있다. 상기 제1전극(3)에 RF 전력이 인가된 경우, 상기 돌출전극(6)에는 상기 제1전극(3)을 통해 RF 전력이 인가될 수 있다.1 and 2, the protruding electrode 6 extends from the first electrode 3 to an opening 5 formed in the second electrode 4. The protruding electrode 6 may protrude downward from the first electrode 3 (the direction of the DD arrow). In this case, the protruding electrode 6 may protrude from a portion of the lower surface 31 of the first electrode 3 located above the opening 5. That is, the protruding electrode 6 may be disposed at a position corresponding to the opening 5. The protruding electrode 6 may be coupled to the lower surface 31 of the first electrode 3. The protruding electrode 6 and the first electrode 3 may be integrally formed. When the first electrode 3 is grounded, the protruding electrode 6 may be grounded through the first electrode 3. When RF power is applied to the first electrode 3, RF power may be applied to the protruding electrode 6 through the first electrode 3.

본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 돌출전극(6)을 복수개 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제2전극(4)은 상기 개구(5)를 복수개 포함할 수 있다. 상기 돌출전극(6)들은 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 돌출전극(6)들은 상기 제1전극(3)의 하면(31) 중에서 상기 개구(5)들의 상측에 위치한 부분으로부터 돌출될 수 있다. 즉, 상기 돌출전극(6)들은 상기 개구(5)들 각각에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. The substrate treating apparatus 1 according to the present invention may include a plurality of the protruding electrodes 6. In this case, the second electrode 4 may include a plurality of openings 5. The protruding electrodes 6 may be disposed at positions spaced apart from each other. The protruding electrodes 6 may protrude from a portion of the lower surface 31 of the first electrode 3 located above the openings 5. That is, the protruding electrodes 6 may be disposed at positions corresponding to each of the openings 5.

여기서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제1방전영역(10), 제2방전영역(20), 제3방전영역(30), 및 제4방전영역(40)을 포함할 수 있다.Here, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may include a first discharge region 10, a second discharge region 20, a third discharge region 30, and a fourth discharge region 40. .

상기 제1방전영역(10)은 상기 제1전극(3)의 하면(31)과 상기 제2전극(4)의 상면(41) 사이에 위치할 수 있다. 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로, 상기 제1방전영역(10)은 상기 제1전극(3)와 상기 제2전극(4)의 사이에 위치할 수 있다.The first discharge region 10 may be located between the lower surface 31 of the first electrode 3 and the upper surface 41 of the second electrode 4. The first discharge region 10 may be located between the first electrode 3 and the second electrode 4 with respect to the vertical direction (Z-axis direction).

상기 제2방전영역(20)은 상기 돌출전극(6)의 측면(61)과 상기 제2전극(4)의 개구 내면(43) 사이에 위치할 수 있다. 상기 개구 내면(43)은, 상기 개구(5)가 상기 제2전극(4)을 관통하여 형성됨에 따라 상기 제2전극(4)의 내측에 형성된 면(面)이다. 상기 돌출전극(6)에서 상기 개구(5)에 삽입된 부분은, 상기 제2방전영역(20)의 내측에 위치할 수 있다. 즉, 상기 제2방전영역(20)은 상기 돌출전극(6)에서 상기 개구(5)에 삽입된 부분을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로, 상기 제2방전영역(20)은 상기 제1방전영역(10)의 하측에 위치할 수 있다.The second discharge region 20 may be located between the side surface 61 of the protruding electrode 6 and the opening inner surface 43 of the second electrode 4. The opening inner surface 43 is a surface formed inside the second electrode 4 as the opening 5 penetrates through the second electrode 4. A portion of the protruding electrode 6 inserted into the opening 5 may be located inside the second discharge region 20. That is, the second discharge region 20 may be disposed to surround a portion of the protruding electrode 6 inserted into the opening 5. The second discharge area 20 may be located below the first discharge area 10 based on the up and down direction (Z-axis direction).

상기 제3방전영역(30)은 상기 돌출전극(6)의 하면(62)과 상기 개구 내면(43) 사이에 위치할 수 있다. 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로, 상기 제3방전영역(30)은 상기 제2방전영역(20)의 하측 및 상기 돌출전극(6)의 하측에 위치할 수 있다.The third discharge region 30 may be located between the bottom surface 62 of the protruding electrode 6 and the opening inner surface 43. The third discharge region 30 may be positioned below the second discharge region 20 and below the protruding electrode 6 based on the vertical direction (Z-axis direction).

상기 제4방전영역(40)은 상기 제2전극(4)과 상기 기판(S) 사이에 위치할 수 있다. 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로, 상기 제4방전영역(40)은 상기 제2전극(4)의 하면(42) 및 상기 기판안치대(S)의 사이에 위치할 수 있다.The fourth discharge region 40 may be located between the second electrode 4 and the substrate S. FIG. The fourth discharge region 40 may be positioned between the lower surface 42 of the second electrode 4 and the substrate stabilizer S based on the vertical direction (Z-axis direction).

본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1방전영역 내지 상기 제4방전영역(10, 20, 30, 40) 중에서 적어도 하나의 영역에서 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1방전영역 내지 상기 제4방전영역(10, 20, 30, 40) 중에서 어느 하나의 영역에만 플라즈마를 발생시킬 수도 있고, 상기 제1방전영역 내지 상기 제4방전영역(10, 20, 30, 40) 중에서 두 개 이상의 영역에서 플라즈마를 발생시킬 수도 있다.The substrate processing apparatus 1 according to the present invention may generate plasma in at least one of the first to fourth discharge regions 10, 20, 30, and 40. The substrate processing apparatus 1 according to the present invention may generate plasma only in any one of the first discharge region to the fourth discharge region 10, 20, 30, 40, or the first discharge region or the like. Plasma may be generated in two or more regions among the fourth discharge regions 10, 20, 30, and 40.

이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)에 대해 수행하는 처리공정의 종류, 상기 증착공정을 수행하는 경우 상기 기판(S)에 증착하는 박막층의 종류, 두께, 균일도 등과 같은 증착조건, 상기 기판(S)의 면적 등과 같은 공정조건에 대응되는 영역에서만 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention includes the type of processing performed on the substrate S and the type, thickness, and uniformity of the thin film layer deposited on the substrate S when the deposition process is performed. The plasma may be generated only in a region corresponding to a deposition condition such as the deposition process and an area of the substrate S. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can achieve the following effects.

첫째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 공정조건에 따라 플라즈마가 필요하지 않은 영역에서는 플라즈마를 발생시키지 않도록 구현됨으로써, 플라즈마가 필요하지 않은 영역에서 플라즈마가 발생함에 따른 라디칼의 손실량을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 플라즈마가 필요하지 않은 영역에서 불필요한 증착이 이루어짐에 따른 오염 발생률을 감소시킬 수 있다.First, the substrate treating apparatus 1 according to the present invention is implemented so as not to generate a plasma in a region where a plasma is not required according to the above process conditions, thereby reducing the amount of radical loss due to plasma generation in a region where the plasma is not needed. You can. In addition, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the incidence of contamination due to unnecessary deposition in a region where plasma is not required.

둘째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 공정조건에 따라 플라즈마가 필요한 영역에서만 플라즈마를 발생시키도록 구현됨으로써, 플라즈마가 필요한 영역에서의 플라즈마 밀도 및 분해 효율을 증대시킬 수 있다.Second, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is implemented to generate plasma only in a region requiring plasma according to the process conditions, thereby increasing plasma density and decomposition efficiency in a region requiring plasma.

여기서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 플라즈마를 발생시키는 영역 및 플라즈마를 비발생시키는 영역의 위치에 따라 상기 제1전극(3), 상기 제2전극(4) 및 상기 돌출전극(6)에 관해 여러 가지 실시예를 포함할 수 있다. 이러한 실시예들에 대해 첨부된 도면을 참조하여 순차적으로 설명한다. 도 3 내지 도 7에서 해칭으로 표시된 것이 플라즈마가 발생되는 방전영역을 나타낸 것이고, 해칭이 표시되지 않은 것이 플라즈마가 비발생되는 방전영역을 나타낸 것이다.Here, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention has the first electrode 3, the second electrode 4 and the protruding electrode 6 according to the position of the region generating the plasma and the region not generating the plasma. May include various embodiments. These embodiments will be described sequentially with reference to the accompanying drawings. In FIG. 3 to FIG. 7, hatching indicates a discharge region in which plasma is generated, and hatching is not indicated in FIG.

우선, 이러한 실시예들은 공통적으로 도 2에 도시된 바와 같이 제1거리(D1), 제2거리(D2), 제3거리(D3), 및 제4거리(D4)를 포함하도록 구현될 수 있다.First, such embodiments may be implemented to include a first distance D1, a second distance D2, a third distance D3, and a fourth distance D4, as shown in FIG. 2. .

상기 제1거리(D1)는 상기 제2전극(4)의 상면(41)과 상기 제2전극(4)의 하면(42) 사이의 거리에 해당한다. 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제1거리(D1)는 상기 제2전극(4)의 두께에 해당할 수 있다.The first distance D1 corresponds to a distance between the upper surface 41 of the second electrode 4 and the lower surface 42 of the second electrode 4. The first distance D1 may correspond to the thickness of the second electrode 4 based on the vertical direction (Z-axis direction).

상기 제2거리(D2)는 상기 제1전극(3)의 하면(31)과 상기 제2전극(4)의 상면(41) 사이의 거리에 해당한다. 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제2거리(D2)는 상기 제1전극(3)과 상기 제2전극(4)이 서로 이격된 간격에 해당할 수 있다.The second distance D2 corresponds to a distance between the lower surface 31 of the first electrode 3 and the upper surface 41 of the second electrode 4. Based on the vertical direction (Z-axis direction), the second distance D2 may correspond to an interval where the first electrode 3 and the second electrode 4 are spaced apart from each other.

상기 제3거리(D3)는 상기 제1전극(3)의 하면(31)에서 상기 돌출전극(6)의 하면(62)까지의 거리에 해당한다. 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제3거리(D3)는 상기 돌출전극(6)이 상기 제1전극(31)의 하면으로부터 하측으로 돌출된 길이에 해당할 수 있다.The third distance D3 corresponds to a distance from the lower surface 31 of the first electrode 3 to the lower surface 62 of the protruding electrode 6. The third distance D3 may correspond to a length of the protruding electrode 6 protruding downward from the lower surface of the first electrode 31 based on the up and down direction (Z-axis direction).

상기 제4거리(D4)는 상기 돌출전극(6)의 측면(61)과 상기 제2전극(4)의 개구 내면(43) 사이의 거리에 해당한다. 상기 상하방향(Z축 방향)에 대해 수직한 수평방향(X축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제4거리(D4)는 상기 돌출전극(6)과 상기 제2전극(4)이 서로 이격된 간격에 해당할 수 있다.The fourth distance D4 corresponds to a distance between the side surface 61 of the protruding electrode 6 and the opening inner surface 43 of the second electrode 4. Based on the horizontal direction (X-axis direction) perpendicular to the up-down direction (Z-axis direction), the fourth distance D4 may be spaced apart from each other by the protruding electrode 6 and the second electrode 4. It may correspond to an interval.

다음, 도 3을 참고하면, 제1실시예는 상기 제1방전영역 내지 상기 제4방전영역(10, 20, 30, 40) 모두에서 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1거리 내지 상기 제4거리(D1, D2, D3, D4)는 상기 제1방전영역 내지 상기 제4방전영역(10, 20, 30, 40) 모두에서 플라즈마를 발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1거리 내지 상기 제4거리(D1, D2, D3, D4)는 각각 3 mm 이상으로 구현될 수 있다. 이러한 제1실시예는 상기 제1방전영역 내지 상기 제4방전영역(10, 20, 30, 40) 모두에서 플라즈마 밀도 및 분해 효율을 높일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 기판(S)에 대해 CVD 공정을 수행하는 경우, 제1실시예는 플라즈마 밀도를 높이는 효과를 강화할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 기판(S)에 대해 ALD 공정을 수행하는 경우, 제1실시예는 분해 효율을 높이는 효과를 강화할 수 있다.Next, referring to FIG. 3, the first embodiment may be implemented to generate plasma in all of the first to fourth discharge regions 10, 20, 30, and 40. In this case, the first to fourth distances D1, D2, D3, and D4 may generate plasma in all of the first to fourth discharge areas 10, 20, 30, and 40. Can be implemented. For example, each of the first to fourth distances D1, D2, D3, and D4 may be implemented to be 3 mm or more. In the first embodiment, the plasma density and the decomposition efficiency may be increased in all of the first to fourth discharge regions 10, 20, 30, and 40. When the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs the CVD process on the substrate S, the first embodiment can enhance the effect of increasing the plasma density. When the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs the ALD process on the substrate S, the first embodiment may enhance the effect of increasing the decomposition efficiency.

제1실시예에 있어서, 상기 제1거리(L1)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 돌출전극(6)의 하면(62)이 상기 개구(5)를 통해 상기 제2전극(4)의 내부에 위치하도록 구현될 수 있다. 상기 제4거리(L4)는 상기 제2거리(L2)보다 크게 구현될 수 있다. In the first embodiment, the first distance L1 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be implemented such that the lower surface 62 of the protruding electrode 6 is positioned inside the second electrode 4 through the opening 5. The fourth distance L4 may be larger than the second distance L2.

다음, 도 4를 참고하면, 제2실시예는 상기 제1방전영역(10)에서 플라즈마를 비발생시키고, 상기 제2방전영역 내지 상기 제4방전영역(20, 30, 40) 모두에서 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2거리(D2)는 상기 제1방전영역(10)에서 플라즈마를 비발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제2거리(D2)는 3 mm 미만으로 구현될 수 있다. 상기 제1거리(D1), 상기 제3거리(D3), 및 상기 제4거리(D4)는 상기 제2방전영역 내지 상기 제4방전영역(20, 30, 40) 모두에서 플라즈마를 발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1거리(D1), 상기 제3거리(D3), 및 상기 제4거리(D4)는 각각 3 mm 이상으로 구현될 수 있다. 이러한 제2실시예는 상기 제1방전영역(10)에서의 라디칼 손실량을 감소시킬 수 있고, 상기 제2방전영역 내지 상기 제4방전영역(20, 30, 40) 모두에서 플라즈마 밀도 및 분해 효율을 높일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 기판(S)에 대해 CVD 공정을 수행하는 경우, 제2실시예는 플라즈마 밀도를 높이는 효과를 강화할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 기판(S)에 대해 ALD 공정을 수행하는 경우, 제2실시예는 분해 효율을 높이는 효과를 강화할 수 있다.Next, referring to FIG. 4, in the second embodiment, plasma is not generated in the first discharge region 10 and plasma is generated in all of the second to fourth discharge regions 20, 30, and 40. It can be implemented to generate. In this case, the second distance D2 may be implemented to have a size that does not generate plasma in the first discharge region 10. For example, the second distance D2 may be implemented to be less than 3 mm. The first distance D1, the third distance D3, and the fourth distance D4 may generate a plasma in all of the second to fourth discharge areas 20, 30, and 40. It can be implemented as. For example, the first distance D1, the third distance D3, and the fourth distance D4 may each be implemented to be 3 mm or more. The second embodiment can reduce the amount of radical loss in the first discharge region 10 and improve the plasma density and decomposition efficiency in both the second discharge region and the fourth discharge region 20, 30, 40. It can increase. When the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs the CVD process on the substrate S, the second embodiment can enhance the effect of increasing the plasma density. When the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs the ALD process on the substrate S, the second embodiment may enhance the effect of increasing the decomposition efficiency.

제2실시예에 있어서, 상기 제1거리(L1)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 돌출전극(6)의 하면(62)이 상기 개구(5)를 통해 상기 제2전극(4)의 내부에 위치하도록 구현될 수 있다. 상기 제4거리(L4)는 상기 제2거리(L2)보다 크게 구현될 수 있다. In the second embodiment, the first distance L1 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be implemented such that the lower surface 62 of the protruding electrode 6 is positioned inside the second electrode 4 through the opening 5. The fourth distance L4 may be larger than the second distance L2.

다음, 도 5를 참고하면, 제3실시예는 상기 제2방전영역(20)에서 플라즈마를 비발생시키도록 구현될 수 있다. 또한, 제3실시예는 상기 제1방전영역(10), 상기 제3방전영역(30), 및 상기 제4방전영역(40) 모두에서 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제4거리(D4)는 상기 제2방전영역(20)에서 플라즈마를 비발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 상기 제4거리(D4)는 상기 제2거리(D2)보다 작은 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제4거리(D4)는 3 mm 미만으로 구현될 수 있다. 상기 제1거리 내지 상기 제3거리(D1, D2, D3)는 상기 제1방전영역(10), 상기 제3방전영역(30), 및 상기 제4방전영역(40) 모두에서 플라즈마를 발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1거리 내지 상기 제3거리(D1, D2, D3)는 각각 3 mm 이상으로 구현될 수 있다. 이러한 제3실시예는 상기 제2방전영역(20)에서의 라디칼 손실량을 감소시킬 수 있고, 상기 제1방전영역(10), 상기 제3방전영역(30), 및 상기 제4방전영역(40) 모두에서 플라즈마 밀도 및 분해 효율을 높일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 기판(S)에 대해 CVD 공정을 수행하는 경우, 제3실시예는 플라즈마 밀도를 높이는 효과를 강화할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 기판(S)에 대해 ALD 공정을 수행하는 경우, 제3실시예는 분해 효율을 높이는 효과를 강화할 수 있다.Next, referring to FIG. 5, the third embodiment may be implemented to generate no plasma in the second discharge region 20. In addition, the third embodiment may be implemented to generate plasma in all of the first discharge region 10, the third discharge region 30, and the fourth discharge region 40. In this case, the fourth distance D4 may be implemented to have a size that does not generate plasma in the second discharge region 20. The fourth distance D4 may be implemented to be smaller than the second distance D2. For example, the fourth distance D4 may be implemented to be less than 3 mm. The first to third distances D1, D2, and D3 may generate plasma in all of the first discharge region 10, the third discharge region 30, and the fourth discharge region 40. It can be implemented in size. For example, each of the first to third distances D1, D2, and D3 may be implemented to be 3 mm or more. The third embodiment may reduce the amount of radical loss in the second discharge region 20, and may include the first discharge region 10, the third discharge region 30, and the fourth discharge region 40. In both cases, the plasma density and the decomposition efficiency can be increased. When the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs the CVD process on the substrate S, the third embodiment can enhance the effect of increasing the plasma density. When the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs the ALD process on the substrate S, the third embodiment may enhance the effect of increasing the decomposition efficiency.

제3실시예에 있어서, 상기 제1거리(L1)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 돌출전극(6)의 하면(62)이 상기 개구(5)를 통해 상기 제2전극(4)의 내부에 위치하도록 구현될 수 있다. 상기 제4거리(L4)는 상기 제2거리(L2)보다 작게 구현될 수 있다. In the third embodiment, the first distance L1 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be implemented such that the lower surface 62 of the protruding electrode 6 is positioned inside the second electrode 4 through the opening 5. The fourth distance L4 may be smaller than the second distance L2.

다음, 도 6을 참고하면, 제4실시예는 상기 제1방전영역(10) 및 상기 제2방전영역(20)에서 플라즈마를 비발생시키도록 구현될 수 있다. 또한, 제4실시예는 상기 제3방전영역(30) 및 상기 제4방전영역(40) 모두에서 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2거리(D2)는 상기 제1방전영역(10)에서 플라즈마를 비발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제2거리(D2)는 3 mm 미만으로 구현될 수 있다. 상기 제4거리(D4)는 상기 제2방전영역(20)에서 플라즈마를 비발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 상기 제4거리(D4)는 상기 제2거리(D2)보다 작은 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제4거리(D4)는 3 mm 미만으로 구현될 수 있다. 상기 제3거리(D3)는 상기 제3방전영역(30) 및 상기 제4방전영역(40) 모두에서 플라즈마를 발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제3거리(D3)는 3 mm 이상으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1거리(D1) 또한 3 mm 이상으로 구현될 수 있다. 이러한 제4실시예는 상기 제1방전영역(10) 및 상기 제2방전영역(20)에서의 라디칼 손실량을 감소시킬 수 있고, 상기 제3방전영역(30) 및 상기 제4방전영역(40) 모두에서 플라즈마 밀도를 높일 수 있다.Next, referring to FIG. 6, the fourth embodiment may be implemented to generate no plasma in the first discharge region 10 and the second discharge region 20. In addition, the fourth embodiment may be implemented to generate plasma in both the third discharge region 30 and the fourth discharge region 40. In this case, the second distance D2 may be implemented to have a size that does not generate plasma in the first discharge region 10. For example, the second distance D2 may be implemented to be less than 3 mm. The fourth distance D4 may be implemented to a size that does not generate plasma in the second discharge region 20. The fourth distance D4 may be implemented to be smaller than the second distance D2. For example, the fourth distance D4 may be implemented to be less than 3 mm. The third distance D3 may be implemented to generate a plasma in both the third discharge region 30 and the fourth discharge region 40. For example, the third distance D3 may be implemented to be 3 mm or more. In this case, the first distance D1 may also be implemented to be 3 mm or more. The fourth embodiment can reduce the amount of radical loss in the first discharge region 10 and the second discharge region 20, and the third discharge region 30 and the fourth discharge region 40. In all, the plasma density can be increased.

제4실시예에 있어서, 상기 제1거리(L1)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 돌출전극(6)의 하면(62)이 상기 개구(5)를 통해 상기 제2전극(4)의 내부에 위치하도록 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 제2거리(L2)와 같게 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)은 하면(62)이 상기 개구(5)에 삽입되지 않도록 배치될 수 있다. 상기 제4거리(L4)는 상기 제2거리(L2)보다 작게 구현될 수 있다. In the fourth embodiment, the first distance L1 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be implemented such that the lower surface 62 of the protruding electrode 6 is positioned inside the second electrode 4 through the opening 5. The third distance L3 may be implemented in the same manner as the second distance L2. In this case, the protruding electrode 6 may be disposed so that the lower surface 62 is not inserted into the opening 5. The fourth distance L4 may be smaller than the second distance L2.

다음, 도 7을 참고하면, 제5실시예는 상기 제1방전영역 내지 상기 제3방전영역(30)에서 플라즈마를 비발생시키도록 구현될 수 있다. 또한, 제5실시예는 상기 제4방전영역(40)에서 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2거리(D2)는 상기 제1방전영역(10)에서 플라즈마를 비발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제2거리(D2)는 3 mm 미만으로 구현될 수 있다. 상기 제4거리(D4)는 상기 제2방전영역(20)에서 플라즈마를 비발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 상기 제4거리(D4)는 상기 제2거리(D2)보다 작은 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제4거리(D4)는 3 mm 미만으로 구현될 수 있다. 상기 제3거리(D3)는 상기 제3방전영역(30)에서 플라즈마를 비발생시키는 크기로 구현될 수 있다. 상기 제3거리(D3)는 상기 제1거리(D1) 및 상기 제2거리(D2)의 합보다 큰 크기로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로, 상기 제3방전영역(30)의 높이는 3 mm 미만으로 구현될 수 있다. 이러한 제5실시예는 다공성(Porosity)가 필요한 막을 형성하는데 적합한 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다.Next, referring to FIG. 7, the fifth embodiment may be implemented to generate no plasma in the first discharge region to the third discharge region 30. In addition, the fifth embodiment may be implemented to generate plasma in the fourth discharge region 40. In this case, the second distance D2 may be implemented to have a size that does not generate plasma in the first discharge region 10. For example, the second distance D2 may be implemented to be less than 3 mm. The fourth distance D4 may be implemented to a size that does not generate plasma in the second discharge region 20. The fourth distance D4 may be implemented to be smaller than the second distance D2. For example, the fourth distance D4 may be implemented to be less than 3 mm. The third distance D3 may be implemented to have a size that does not generate plasma in the third discharge region 30. The third distance D3 may be implemented to be larger than the sum of the first distance D1 and the second distance D2. For example, the height of the third discharge region 30 may be less than 3 mm based on the vertical direction (Z-axis direction). This fifth embodiment can generate a plasma of a density suitable for forming a film requiring porosity.

제5실시예에 있어서, 상기 제1거리(L1)는 상기 제2거리(D2)보다 크게 구현될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 제1거리(D1) 및 상기 제2거리(D2)의 합보다 크게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)은 하면(62)이 상기 제2전극(4)의 하면(42)으로부터 하측으로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 즉, 상기 돌출전극(6)은 상기 제2전극(4)의 하측으로 돌출되도록 배치될 수 있다. 상기 제3거리(L3)는 상기 제1거리(D1) 및 상기 제2거리(D2)의 합과 같게 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여, 상기 돌출전극(6)은 하면(62) 및 상기 제2전극(4)의 하면(42)은 동일한 높이에 배치될 수 있다. 상기 제4거리(L4)는 상기 제2거리(L2)보다 작게 구현될 수 있다. In the fifth embodiment, the first distance L1 may be larger than the second distance D2. The third distance L3 may be greater than the sum of the first distance D1 and the second distance D2. In this case, the protruding electrode 6 may be disposed at a position spaced downward from the lower surface 42 of the second electrode 4. That is, the protruding electrode 6 may be disposed to protrude downward from the second electrode 4. The third distance L3 may be equal to the sum of the first distance D1 and the second distance D2. In this case, the bottom surface 62 of the protruding electrode 6 and the bottom surface 42 of the second electrode 4 may be disposed at the same height based on the vertical direction (Z-axis direction). The fourth distance L4 may be smaller than the second distance L2.

다음, 도 8을 참고하면, 제6실시예는 상기 제1방전영역(10)에만 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 또한, 제6실시예는 상기 제2방전영역(20) 내지 상기 제4방전영역(40)에서 플라즈마를 비발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제3거리(D3)는 상기 제2거리(D2)보다 작은 크기로 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출전극(6)이 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이는, 상기 제1전극(3)의 하면(31)과 상기 제2전극(4)의 상면(41)이 서로 이격된 간격에 비해 더 짧게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)은 상기 개구(5)에 삽입되지 않고, 하면(62)이 상기 개구(5)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 이러한 제6실시예는 플라즈마가 상기 기판(S)으로부터 이격된 거리를 늘릴 수 있으므로, 플라즈마로 인해 상기 기판(S)과 기판(S)에 형성된 박막이 손상될 위험성을 감소시킬 수 있다. 제6실시예는 상기 제3거리(D3)가 상기 제2거리(D2)의 0.7배 이상이면서 상기 제2거리(D2)에 비해 더 작은 크기로 구현될 수 있다. 한편, 제6실시예에 있어서 상기 제2방전영역(20, 도 5에 도시됨)은 생략될 수 있다.Next, referring to FIG. 8, the sixth embodiment may be implemented to generate plasma only in the first discharge region 10. In addition, the sixth exemplary embodiment may be implemented to generate no plasma in the second discharge region 20 to the fourth discharge region 40. In this case, the third distance D3 may be implemented to be smaller than the second distance D2. Accordingly, the length of the protruding electrode 6 protruding from the lower surface 31 of the first electrode 3 is the upper surface of the lower surface 31 and the second electrode 4 of the first electrode 3. 41 may be implemented shorter than the spaced apart from each other. In this case, the protruding electrode 6 may not be inserted into the opening 5, and the lower surface 62 may be spaced apart from the opening 5 in an upward direction (UD arrow direction). In the sixth embodiment, since the plasma may increase the distance spaced from the substrate S, the risk of damaging the thin film formed on the substrate S and the substrate S may be reduced by the plasma. In the sixth embodiment, the third distance D3 may be 0.7 times or more larger than the second distance D2 and smaller in size than the second distance D2. Meanwhile, in the sixth embodiment, the second discharge region 20 (shown in FIG. 5) may be omitted.

다음, 도 9를 참고하면, 제7실시예는 상기 제1방전영역(10)에만 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 또한, 제7실시예는 상기 제2방전영역(20) 내지 상기 제4방전영역(40)에서 플라즈마를 비발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제3거리(D3) 및 상기 제2거리(D2)는 서로 동일한 크기로 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출전극(6)이 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이 및 상기 제1전극(3)의 하면(31)과 상기 제2전극(4)의 상면(41)이 서로 이격된 간격은 서로 동일하게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)은 상기 개구(5)에 삽입되지 않고, 하면(62)이 상기 개구(5)의 상면에 접하도록 배치될 수 있다. 이러한 제7실시예는 플라즈마로 인해 상기 기판(S)과 기판(S)에 형성된 박막이 손상될 위험성을 감소시킬 수 있으면서도, 제6실시예와 대비할 때 상기 제1방전영역(10)에 발생된 플라즈마의 밀도 및 분해효율을 더 증가시킬 수 있다. 한편, 제7실시예에 있어서 상기 제2방전영역(20, 도 5에 도시됨)은 생략될 수 있다.Next, referring to FIG. 9, the seventh embodiment may be implemented to generate plasma only in the first discharge region 10. In addition, the seventh exemplary embodiment may be implemented to generate no plasma in the second discharge region 20 to the fourth discharge region 40. In this case, the third distance D3 and the second distance D2 may be implemented with the same size. Accordingly, the protruding electrode 6 protrudes from the lower surface 31 of the first electrode 3 and the upper surface of the lower surface 31 and the second electrode 4 of the first electrode 3. 41 may be equally spaced apart from each other. In this case, the protruding electrode 6 may not be inserted into the opening 5, and the lower surface 62 may be in contact with the upper surface of the opening 5. While the seventh embodiment can reduce the risk of damage of the substrate S and the thin film formed on the substrate S due to the plasma, the seventh embodiment generates the first discharge region 10 in comparison with the sixth embodiment. The density and decomposition efficiency of the plasma can be further increased. Meanwhile, in the seventh embodiment, the second discharge region 20 (shown in FIG. 5) may be omitted.

다음, 도 10을 참고하면, 제8실시예는 상기 제1방전영역(10)과 상기 제2방전영역(20)에서 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 또한, 제8실시예는 상기 제3방전영역(30)과 상기 제4방전영역(40)에서 플라즈마를 비발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제3거리(D3)는 상기 제2거리(D2)보다 큰 크기로 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출전극(6)이 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이는, 상기 제1전극(3)의 하면(31)과 상기 제2전극(4)의 상면(41)이 서로 이격된 간격에 비해 더 길게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)은 상기 개구(5)에 삽입되고, 하면(62)이 상기 개구(5)의 상면로부터 하방(UD 화살표 방향)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 이러한 제8실시예는 플라즈마로 인해 상기 기판(S)과 기판(S)에 형성된 박막이 손상될 위험성을 감소시킬 수 있으면서도, 상기 제1방전영역(10)과 상기 제2방전영역(20)에 플라즈마를 발생시키므로 제7실시예와 대비할 때 플라즈마의 밀도 및 분해효율을 더 증가시킬 수 있다. 또한, 제8실시예는 동공 음극 효과(Hollow Cathode Effect)를 높일 수 있으므로, 기판에 대한 처리공정의 효율을 더 높일 수 있다. 제8실시예는 상기 제3거리(D3)가 상기 제2거리(D2)의 1.3배 이하이면서 상기 제2거리(D2)에 비해 더 큰 크기로 구현될 수 있다.Next, referring to FIG. 10, the eighth embodiment may be implemented to generate plasma in the first discharge region 10 and the second discharge region 20. In addition, the eighth embodiment may be implemented to generate no plasma in the third discharge region 30 and the fourth discharge region 40. In this case, the third distance D3 may be implemented to be larger than the second distance D2. Accordingly, the length of the protruding electrode 6 protruding from the lower surface 31 of the first electrode 3 is the upper surface of the lower surface 31 and the second electrode 4 of the first electrode 3. 41 may be implemented longer than the spaced apart from each other. In this case, the protruding electrode 6 may be inserted into the opening 5, and the lower surface 62 may be spaced apart from the upper surface of the opening 5 in the downward direction (UD arrow direction). The eighth embodiment can reduce the risk of damage to the substrate S and the thin film formed on the substrate S due to the plasma, while also reducing the risk of damage to the first discharge region 10 and the second discharge region 20. Since the plasma is generated, the density and decomposition efficiency of the plasma can be further increased as compared with the seventh embodiment. In addition, the eighth embodiment can increase the hollow cathode effect, thereby further increasing the efficiency of the processing process for the substrate. In the eighth embodiment, the third distance D3 is 1.3 times or less than the second distance D2 and may be implemented in a larger size than the second distance D2.

다음, 도 11을 참고하면, 제9실시예는 상기 제1방전영역(10) 내지 상기 제4방전영역(40) 모두에서 플라즈마를 발생시키도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제3거리(D3)는 상기 제1거리(D1)와 상기 제2거리(D2, 도 10에 도시됨)를 합한 거리보다 더 크기로 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출전극(6)은 상기 제2전극(4)의 하면(42)으로부터 돌출되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)의 하면(62)이 상기 기판(S)으로부터 이격된 거리(62D)는, 상기 제2전극(4)의 하면(42)이 상기 기판(S)으로부터 이격된 거리(42D)에 비해 더 작게 구현될 수 있다. 이러한 제9실시예는 상기 제1방전영역(10) 내지 상기 제4방전영역(40) 모두에서 플라즈마를 발생시킬 수 있으므로, 상술한 실시예들과 대비할 때 플라즈마의 밀도 및 분해효율을 더 증가시킬 수 있다. 제9실시예는 상기 제3거리(D3)가 상기 제1거리(D1)와 상기 제2거리(D2, 도 10에 도시됨)를 합한 거리의 1.3배 이하이면서 상기 제1거리(D1)와 상기 제2거리(D2, 도 10에 도시됨)를 합한 거리에 비해 더 큰 크기로 구현될 수 있다. 한편, 제9실시예에 있어서 상기 제3방전영역(30, 도 10에 도시됨)은 생략될 수 있다.Next, referring to FIG. 11, the ninth embodiment may be implemented to generate plasma in all of the first discharge region 10 to the fourth discharge region 40. In this case, the third distance D3 may be implemented to be larger than the sum of the first distance D1 and the second distance D2 (shown in FIG. 10). Accordingly, the protruding electrode 6 may be arranged to protrude from the lower surface 42 of the second electrode 4. In this case, the distance 62D from which the bottom surface 62 of the protruding electrode 6 is spaced apart from the substrate S is equal to the distance 62D from which the bottom surface 42 of the second electrode 4 is spaced apart from the substrate S. It may be implemented smaller than the distance 42D. Since the ninth embodiment can generate a plasma in both the first discharge region 10 to the fourth discharge region 40, the density and decomposition efficiency of the plasma can be further increased in comparison with the above-described embodiments. Can be. In a ninth embodiment, the third distance D3 is equal to or less than 1.3 times the sum of the first distance D1 and the second distance D2 (shown in FIG. 10) and the first distance D1. The second distance D2 (shown in FIG. 10) may be larger than the sum of the distances. Meanwhile, in the ninth embodiment, the third discharge region 30 (shown in FIG. 10) may be omitted.

도 1 내지 도 12를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제3거리(D3)가 상기 제1전극(3)의 전면(全面)에 걸쳐서 동일하게 구현될 수 있다. 상기 제1전극(3)의 전면(全面)은, 도 12에 도시된 바와 같이 상기 제1전극(3)의 하면(31) 전체를 의미한다. 이 경우, 상기 제1전극(3)의 하면(31) 전체에서, 상기 돌출전극(6)들은 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 동일한 길이로 돌출될 수 있다.1 to 12, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may have the third distance D3 equally implemented over the entire surface of the first electrode 3. The entire surface of the first electrode 3 refers to the entire lower surface 31 of the first electrode 3 as shown in FIG. 12. In this case, the protruding electrodes 6 may protrude from the lower surface 31 of the first electrode 3 to the same length in the entire lower surface 31 of the first electrode 3.

도 12 및 도 13을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제3거리(D3)가 상기 제1전극(3)의 전면(全面)에서 상이하게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)들은 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 서로 다른 길이로 돌출될 수 있다.12 and 13, in the substrate treating apparatus 1 according to the present invention, the third distance D3 may be implemented differently on the entire surface of the first electrode 3. In this case, the protruding electrodes 6 may protrude to different lengths from the lower surface 31 of the first electrode 3.

도 12 및 도 13을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1전극(3)의 중앙부(CA) 및 상기 중앙부(CA)의 주변부(SA)에서 상기 제3거리(D3)가 서로 상이하게 구현될 수 있다. 상기 중앙부(CA)는 상기 제1전극(3)의 하면(31)에서 상기 주변부(SA)의 내측에 위치한 부분이다. 상기 주변부(SA)는 상기 중앙부(CA)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 중앙부(CA) 및 상기 주변부(SA) 각각에는 복수개의 돌출전극(6)이 배치될 수 있다. 12 and 13, the substrate treating apparatus 1 according to the present invention has the third distance D3 at the central portion CA of the first electrode 3 and the peripheral portion SA of the central portion CA. ) May be implemented differently from each other. The central portion CA is a portion located inside the peripheral portion SA on the lower surface 31 of the first electrode 3. The peripheral part SA may be disposed to surround the central part CA. A plurality of protruding electrodes 6 may be disposed in each of the central portion CA and the peripheral portion SA.

도 13에 도시된 바와 같이, 상기 중앙부(CA)에 배치된 돌출전극(6)들에 대한 제3거리(D3)는, 상기 주변부(SA)에 배치된 돌출전극(6)들에 대한 제3거리(D3')(도 13에 도시됨)보다 크게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 중앙부(CA)에 배치된 돌출전극(6)들이 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이는, 상기 주변부(SA)에 배치된 돌출전극(6)들이 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이에 비해 길게 구현될 수 있다.As shown in FIG. 13, the third distance D3 with respect to the protruding electrodes 6 disposed at the central portion CA is the third with respect to the protruding electrodes 6 disposed at the peripheral portion SA. It may be implemented larger than the distance (D3 ') (shown in Figure 13). In this case, the length of the protruding electrodes 6 disposed on the central portion CA protruding from the lower surface 31 of the first electrode 3 is such that the protruding electrodes 6 disposed on the peripheral portion SA of the protruding electrodes 6 are disposed on the peripheral portion SA. The length of the first electrode 3 may be longer than that protruding from the lower surface 31.

도시되지 않았지만, 상기 중앙부(CA)에 배치된 돌출전극(6)들에 대한 제3거리(D3)는, 상기 주변부(SA)에 배치된 돌출전극(6)들에 대한 제3거리(D3')(도 13에 도시됨)보다 작게 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 중앙부(CA)에 배치된 돌출전극(6)들이 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이는, 상기 주변부(SA)에 배치된 돌출전극(6)들이 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이에 비해 짧게 구현될 수 있다.Although not shown, the third distance D3 with respect to the protruding electrodes 6 disposed at the central portion CA may include a third distance D3 ′ with respect to the protruding electrodes 6 disposed at the peripheral portion SA. (Shown in FIG. 13) may be implemented. In this case, the length of the protruding electrodes 6 disposed on the central portion CA protruding from the lower surface 31 of the first electrode 3 is such that the protruding electrodes 6 disposed on the peripheral portion SA of the protruding electrodes 6 are disposed on the peripheral portion SA. The length of the first electrode 3 may be shorter than that protruding from the lower surface 31.

도시되지 않았지만, 상기 제3거리(D3)는 상기 중앙부(CA)에서 상기 주변부(SA)로 갈수록 커지게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)들은 상기 중앙부(CA)에서 상기 주변부(SA)에 배치된 것일수록 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이가 증가하도록 구현될 수 있다. Although not shown, the third distance D3 may be implemented to increase from the central portion CA to the peripheral portion SA. In this case, the protruding electrodes 6 may be implemented such that the protruding length from the lower surface 31 of the first electrode 3 increases as the protruding electrodes 6 are disposed in the peripheral portion SA in the central portion CA.

도시되지 않았지만, 상기 제3거리(D3)는 상기 중앙부(CA)에서 상기 주변부(SA)로 갈수록 작아지게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(6)들은 상기 중앙부(CA)에서 상기 주변부(SA)에 배치된 것일수록 상기 제1전극(3)의 하면(31)으로부터 돌출된 길이가 감소하도록 구현될 수 있다. Although not shown, the third distance D3 may be implemented to become smaller from the central portion CA to the peripheral portion SA. In this case, the protruding electrodes 6 may be implemented such that the protruding length from the lower surface 31 of the first electrode 3 decreases as the protruding electrodes 6 are disposed in the peripheral portion SA in the central portion CA.

도 14 및 도 15를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제1가스분사홀(7)을 포함할 수 있다.14 and 15, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may include a first gas injection hole 7.

상기 제1가스분사홀(7)은 상기 제1방전영역(10)에 제1가스를 분사하는 것이다. 상기 제1가스는 플라즈마를 발생시키기 위한 가스, 또는 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스일 수 있다. 제1가스는 플라즈마를 발생시키기 위한 가스 및 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스가 혼합된 혼합가스일 수도 있다.The first gas injection hole 7 injects a first gas into the first discharge region 10. The first gas may be a gas for generating a plasma or a gas for performing a processing process on the substrate S. The first gas may be a mixed gas in which a gas for generating a plasma and a gas for performing a processing process on the substrate S are mixed.

도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제1가스분사홀(7)은 상기 제1전극(3)을 상하로 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사홀(7)은 상기 제1전극(3)의 하면(31) 및 상기 제1전극(3)의 상면(32)을 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1전극(3)의 상측에는 버퍼공간(200)이 배치될 수 있다. 제1가스공급장치(미도시)가 상기 버퍼공간(200)에 제1가스를 공급하면, 제1가스는 상기 버퍼공간(200)에서 상기 제1가스분사홀(7)로 공급된 후에 상기 제1가스분사홀(7)을 통해 상기 제1방전영역(10)으로 분사될 수 있다.As shown in FIG. 14, the first gas injection hole 7 may be formed to vertically penetrate the first electrode 3. In this case, the first gas injection hole 7 may be formed to penetrate the lower surface 31 of the first electrode 3 and the upper surface 32 of the first electrode 3. In this case, the buffer space 200 may be disposed above the first electrode 3. When the first gas supply device (not shown) supplies the first gas to the buffer space 200, the first gas is supplied from the buffer space 200 to the first gas injection hole 7 and then the first gas. It may be injected into the first discharge region 10 through the one gas injection hole (7).

도 15에 도시된 바와 같이, 상기 제1가스분사홀(7)은 제1가스유로(70)에 연통될 수 있다. 상기 제1가스유로(70)는 상기 제1전극(3)의 내부에 형성된 것이다. 상기 제1가스유로(70)는 상기 제1전극(3)의 내부에서 수평방향(X축 방향)으로 형성될 수 있다. 상기 제1가스분사홀(7)은 일측이 상기 제1전극(3)의 하면(31)을 관통하고, 타측이 상기 제1가스유로(70)에 연통되도록 형성될 수 있다. 상기 제1가스공급장치가 상기 제1가스유로(70)에 상기 제1가스를 공급하면, 제1가스는 상기 제1가스유로(70)를 따라 유동하면서 상기 제1가스분사홀(7)로 공급된 후에 상기 제1가스분사홀(7)을 통해 상기 제1방전영역(10)으로 분사될 수 있다.As shown in FIG. 15, the first gas injection hole 7 may communicate with the first gas passage 70. The first gas passage 70 is formed inside the first electrode 3. The first gas passage 70 may be formed in the horizontal direction (X-axis direction) inside the first electrode 3. The first gas injection hole 7 may be formed such that one side thereof passes through the lower surface 31 of the first electrode 3 and the other side communicates with the first gas passage 70. When the first gas supply device supplies the first gas to the first gas passage 70, the first gas flows along the first gas passage 70 to the first gas injection hole 7. After being supplied, the gas may be injected into the first discharge region 10 through the first gas injection hole 7.

도 16 및 도 17을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제2가스분사홀(8)을 포함할 수 있다.16 and 17, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may include a second gas injection hole 8.

상기 제2가스분사홀(8)은 상기 제3방전영역(30)에 제2가스를 분사하는 것이다. 상기 제2가스는 플라즈마를 발생시키기 위한 가스, 또는 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스일 수 있다. 제2가스는 플라즈마를 발생시키기 위한 가스 및 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스가 혼합된 혼합가스일 수도 있다.The second gas injection hole 8 injects a second gas into the third discharge region 30. The second gas may be a gas for generating a plasma or a gas for performing a processing process on the substrate S. The second gas may be a mixed gas in which a gas for generating a plasma and a gas for performing a processing process on the substrate S are mixed.

도 16에 도시된 바와 같이, 상기 제2가스분사홀(8)은 상기 제1전극(3) 및 상기 돌출전극(6)을 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스분사홀(8)은 상기 제1전극(3)의 상면(32) 및 상기 돌출전극(6)의 하면(62)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2가스분사홀(8)은 상기 제1전극(3)의 상면(32)을 관통하여 상기 버퍼공간(200)에 연통되고, 상기 돌출전극(6)의 하면(62)을 관통하여 상기 제3방전영역(30)에 연통될 수 있다. 제2가스공급장치(미도시)가 상기 버퍼공간(200)에 제2가스를 공급하면, 제2가스는 상기 버퍼공간(200)에서 상기 제2가스분사홀(8)로 공급된 후에 상기 제2가스분사홀(8)을 통해 상기 제3방전영역(30)으로 분사될 수 있다.As shown in FIG. 16, the second gas injection hole 8 may be formed to penetrate the first electrode 3 and the protruding electrode 6. In this case, the second gas injection hole 8 may be formed to penetrate the upper surface 32 of the first electrode 3 and the lower surface 62 of the protruding electrode 6. The second gas injection hole 8 communicates with the buffer space 200 by penetrating the upper surface 32 of the first electrode 3 and penetrating the lower surface 62 of the protruding electrode 6. It may be in communication with the third discharge region 30. When a second gas supply device (not shown) supplies a second gas to the buffer space 200, the second gas is supplied from the buffer space 200 to the second gas injection hole 8, and then the second gas is supplied. It may be injected into the third discharge area 30 through the two gas injection holes (8).

도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제2가스분사홀(8)은 제2가스유로(80)에 연통될 수 있다. 상기 제2가스유로(80)는 상기 제1전극(3)의 내부에 형성된 것이다. 상기 제2가스유로(80)는 상기 제1전극(3)의 내부에서 수평방향(X축 방향)으로 형성될 수 있다. 상기 제2가스분사홀(8)은 일측이 상기 돌출전극(6)의 하면(62)을 관통하고, 타측이 상기 제2가스유로(80)에 연통되도록 형성될 수 있다. 상기 제2가스공급장치가 상기 제2가스유로(80)에 상기 제2가스를 공급하면, 제2가스는 상기 제2가스유로(80)를 따라 유동하면서 상기 제2가스분사홀(8)로 공급된 후에 상기 제2가스분사홀(8)을 통해 상기 제3방전영역(30)으로 분사될 수 있다.As shown in FIG. 17, the second gas injection hole 8 may communicate with the second gas flow path 80. The second gas passage 80 is formed inside the first electrode 3. The second gas passage 80 may be formed in the horizontal direction (X-axis direction) inside the first electrode 3. The second gas injection hole 8 may be formed such that one side thereof passes through the lower surface 62 of the protruding electrode 6 and the other side communicates with the second gas passage 80. When the second gas supply device supplies the second gas to the second gas passage 80, the second gas flows along the second gas passage 80 to the second gas injection hole 8. After it is supplied, it may be injected into the third discharge region 30 through the second gas injection hole (8).

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.

1 : 기판처리장치 2 : 기판안치대
3 : 제1전극 4 : 제2전극
5 : 개구 6 : 돌출전극
7 : 제1가스분사홀 8 : 제2가스분사홀
10 : 제1방전영역 20 : 제2방전영역
30 : 제3방전영역 40 : 제4방전영역
43 : 개구내면 100 : 챔버1 substrate processing apparatus 2 substrate support stage
3: first electrode 4: second electrode
5 opening 6 protruding electrode
7: first gas injection hole 8: second gas injection hole
10: first discharge area 20: second discharge area
30: third discharge area 40: fourth discharge area
43: inner surface of the opening 100: chamber

Claims

chamber;
A first electrode positioned above the chamber;
A second electrode disposed below the first electrode and including a plurality of openings;
A plurality of protruding electrodes extending from the first electrode and extending into the plurality of openings of the second electrode;
A substrate support stand facing the second electrode and having a substrate placed thereon;
A first discharge region between the lower surface of the first electrode and the upper surface of the second electrode;
A second discharge region between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode;
A third discharge region between the bottom surface of the protruding electrode and the inner surface of the opening of the second electrode; And
A fourth discharge region between the second electrode and the substrate,
And a plasma is generated in at least one of the first discharge region and the fourth discharge region.

The method of claim 1,
RF power is applied to any one of the first electrode and the second electrode, the other is ground (Ground).

The method of claim 1,
A first distance between an upper surface of the second electrode and a lower surface of the second electrode;
A second distance between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode;
A third distance from a lower surface of the first electrode to a lower surface of the protruding electrode;
A fourth distance between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode;
The second distance is less than the first distance,
The third distance is equal to or greater than the second distance,
And said fourth distance is greater than said second distance.

The method of claim 1,
A first distance between an upper surface of the second electrode and a lower surface of the second electrode;
A second distance between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode;
A third distance from a lower surface of the first electrode to a lower surface of the protruding electrode;
A fourth distance between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode;
And the third distance is greater than the sum of the first distance and the second distance.

The method according to claim 3 or 4,
And the third distance is the same over the entire surface of the first electrode.

The method according to claim 3 or 4,
And the third distance is different from the entire surface of the first electrode.

The method according to claim 3 or 4,
And a third distance of the central portion of the first electrode is greater than or less than a third distance of the peripheral portion of the central portion.

The method according to claim 3 or 4,
And the third distance increases or decreases from a central portion of the first electrode to a peripheral portion of the first electrode.

The method of claim 1,
And a plurality of first gas injection holes for injecting a first gas into the first discharge region.

The method of claim 9,
And the first gas injection hole penetrates the first electrode up and down or communicates with a first gas flow path formed inside the first electrode.

The method of claim 1,
And a plurality of second gas injection holes for injecting a second gas into the third discharge region.

The method of claim 11,
And the second gas injection hole penetrates through the first electrode and the protruding electrode or communicates with a second gas flow path formed inside the first electrode.

The method of claim 1,
A first distance between an upper surface of the second electrode and a lower surface of the second electrode;
A second distance between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode;
A third distance from a lower surface of the first electrode to a lower surface of the protruding electrode;
A fourth distance between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode;
And the first to fourth distances are large enough to generate plasma in both the first and fourth discharge regions.

The method of claim 1,
A first distance between an upper surface of the second electrode and a lower surface of the second electrode;
A second distance between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode;
A third distance from a lower surface of the first electrode to a lower surface of the protruding electrode;
A fourth distance between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode;
The second distance is a magnitude of non-plasma generation in the first discharge region,
Wherein the first distance, the third distance, and the fourth distance are sized to generate plasma in both the second discharge region and the fourth discharge region.

The method of claim 1,
A first distance between an upper surface of the second electrode and a lower surface of the second electrode;
A second distance between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode;
A third distance from a lower surface of the first electrode to a lower surface of the protruding electrode;
A fourth distance between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode;
The fourth distance is smaller than the second distance so as not to generate plasma in the second discharge region,
And the first to third distances are large enough to generate plasma in all of the first discharge region, the third discharge region, and the fourth discharge region.

The method of claim 1,
A first distance between an upper surface of the second electrode and a lower surface of the second electrode;
A second distance between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode;
A third distance from a lower surface of the first electrode to a lower surface of the protruding electrode;
A fourth distance between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode;
The second distance is a magnitude of non-plasma generation in the first discharge region,
The fourth distance is a magnitude of non-generated plasma in the second discharge region,
And the third distance is equal to or greater than the second distance so as to generate plasma in both the third discharge region and the fourth discharge region.

The method of claim 1,
A first distance between an upper surface of the second electrode and a lower surface of the second electrode;
A second distance between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode;
A third distance from a lower surface of the first electrode to a lower surface of the protruding electrode;
A fourth distance between a side surface of the protruding electrode and an inner surface of the opening of the second electrode;
The second distance is a magnitude of non-plasma generation in the first discharge region,
The fourth distance is a magnitude of non-generated plasma in the second discharge region,
Wherein the third distance is equal to the sum of the first distance and the second distance or greater than the sum of the first distance and the second distance so as not to generate plasma in the third discharge region. .

The method of claim 1,
And a protruding length of the protruding electrode from the lower surface of the first electrode is shorter than an interval in which the lower surface of the first electrode and the upper surface of the second electrode are spaced apart from each other.

The method of claim 1,
And a length at which the protruding electrode protrudes from a lower surface of the first electrode, and an interval at which the lower surface of the first electrode and the upper surface of the second electrode are spaced apart from each other.

The method of claim 1,
The protruding electrode protrudes from the lower surface of the first electrode is 1.3 times or less the distance between the lower surface of the first electrode and the upper surface of the second electrode spaced apart from each other, and the lower surface of the first electrode Substrate processing apparatus, characterized in that the upper surface is longer than the spaced apart from each other.

The method of claim 1,
The protruding electrode is disposed to protrude from the lower surface of the second electrode,
And a distance at which the bottom surface of the protruding electrode is spaced apart from the substrate is smaller than a distance at which the bottom surface of the second electrode is spaced apart from the substrate.