KR101065747B1 - Plasma apparatus including means for uniform supplying of gas - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 균일한 가스 공급수단을 구비하는 플라즈마 장치는 챔버(100); 챔버(100) 내부 하측에 위치하며 기판(S)을 지지하는 지지대(200); 챔버(100) 내부 상측에 지지대(200)와 일정간격을 두고 위치하며 다수개의 노즐(310)을 포함하는 분사부(300); 및 분사부(300)와 연결되며, 가스를 분사부(300)의 중앙부에 공급하는 제1 가스 공급관(410)과, 가스를 분사부(300)의 가장자리부에 공급하는 다수개의 제2 가스 공급관(420)을 포함하는 가스 공급부(400)를 포함하는 것을 특징으로 한다.Plasma apparatus having a uniform gas supply means according to the present invention comprises a chamber (100); A support 200 positioned below the chamber 100 and supporting the substrate S; An injection unit 300 positioned at a predetermined interval with the support 200 in an upper side of the chamber 100 and including a plurality of nozzles 310; And a first gas supply pipe 410 connected to the injection unit 300, for supplying gas to the center of the injection unit 300, and a plurality of second gas supply pipes for supplying gas to an edge of the injection unit 300. It characterized in that it comprises a gas supply unit 400 including a (420).

플라즈마, 균일, 노즐, 격벽 Plasma, uniform, nozzle, bulkhead

Description

균일한 가스 공급수단을 구비하는 플라즈마 장치{PLASMA APPARATUS INCLUDING MEANS FOR UNIFORM SUPPLYING OF GAS}Plasma apparatus with uniform gas supply means {PLASMA APPARATUS INCLUDING MEANS FOR UNIFORM SUPPLYING OF GAS}

본 발명은 균일한 가스 공급수단을 구비하는 플라즈마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 챔버 내에 공급되는 가스(특히, 플라즈마 상태로 변화되는 공정가스)의 균일도를 제어하여 보다 정밀한 박막의 증착 또는 식각을 구현할 수 있는 플라즈마 증착 장치 또는 식각 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma apparatus having a uniform gas supply means, and more particularly, to control the uniformity of a gas (especially, a process gas that changes into a plasma state) supplied into a chamber to more accurately deposit or etch thin films. It relates to a plasma deposition apparatus or an etching apparatus that can be implemented.

반도체 또는 디스플레이 분야의 기판 상에 박막을 증착/식각하는 공정에 있어서, 낮은 온도에서 균일하고도 빠른 속도를 구현할 수 있는 플라즈마를 이용한 방법이 널리 활용되고 있다.In the process of depositing / etching a thin film on a substrate in a semiconductor or display field, a method using a plasma capable of realizing a uniform and high speed at a low temperature is widely used.

먼저, 플라즈마 식각 방법으로는, 플라즈마 이온에 의한 화학 반응 및 물리적 충돌에 의해 식각이 이루어지도록 하는 방법으로, 플라즈마를 생성하는 방법에 따라 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching; RIE), 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma: ICP) 등의 방식이 있다.First, as the plasma etching method, etching is performed by chemical reaction and physical collision by plasma ions, and reactive ion etching (RIE) and inductively coupled plasma (Inductively) according to a method of generating plasma. Coupled Plasma (ICP).

다음으로, 플라즈마 증착 방법으로는, 반응 가스를 플라즈마에 의해 이온과 라디칼로 분해하여 분해된 라디칼이 기판 표면에서 흡착된 후 가장 안정된 자리를 찾아 이동하고 새로운 결합을 통해 막을 형성하게 되는 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD), 플라즈마에 의해 가속된 이온으로 기판 상에 형성되는 박막물질로 구성된 타겟을 분리시켜 기판상에 박막을 형성하는 스퍼터링(Sputtering) 등의 방식이 있다.Next, in the plasma deposition method, a plasma chemical vapor deposition method in which a reaction gas is decomposed into ions and radicals by plasma, where the decomposed radicals are adsorbed on the surface of the substrate, moves to find the most stable site, and forms a film through new bonding. (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD), sputtering to form a thin film on the substrate by separating the target consisting of a thin film material formed on the substrate with ions accelerated by the plasma.

이러한 플라즈마 장치들은 고온에서 진행되는 화학 기상 장치에 비해 기판을 저온으로 유지하면서도 박막을 형성할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 비교적 간단한 구조의 장치로도 짧은 시간에 박막을 형성하거나 식각할 수 있기 때문에 반도체 또는 디스플레이 분야 전반에 걸쳐서 널리 이용되고 있다.Such plasma apparatuses have an advantage of forming a thin film while keeping the substrate at a low temperature as compared with a chemical vapor phase apparatus which proceeds at a high temperature. In addition, since a device having a relatively simple structure can be formed or etched in a short time, it is widely used throughout the semiconductor or display field.

특히, 대면적의 기판을 이용하는 기술이 발전됨에 따라 보다 균일한 증착/식각 공정이 요구되는데, 이를 위해서는 균일한 플라즈마를 형성하기 것이 필수적이다. 이러한 플라즈마의 균일도에 영향을 주는 요인으로는 챔버 내의 오염, 공정가스의 변화, 인가되는 전력의 변화 등이 있는데, 이들 중에서도 공정가스는 플라즈마의 밀도와 균일도에 직접적인 영향을 미치는 중요한 요인이다. In particular, as technology using a large-area substrate is developed, a more uniform deposition / etch process is required. For this purpose, it is essential to form a uniform plasma. Factors affecting the uniformity of the plasma include contamination in the chamber, a change in the process gas, a change in the applied power, and among these, the process gas is an important factor that directly affects the density and uniformity of the plasma.

하지만, 종래의 플라즈마 장치에서는 공정가스를 하나의 가스 공급관으로 공급한 후, 이를 다수개의 노즐에 의존하여 대면적으로 분사하는 방식을 채용하였다. 따라서, 다수개의 노즐에서 분사되는 공정가스를 제어할 수 있는 있었으나, 보다 근원적인 문제인 노즐 자체에 제공되는 공정가스의 균일도를 제어하기는 어려웠다.However, in the conventional plasma apparatus, a process gas is supplied to one gas supply pipe, and then a method of spraying the process gas into a large area depends on a plurality of nozzles. Therefore, although it was possible to control the process gas injected from the plurality of nozzles, it was difficult to control the uniformity of the process gas provided to the nozzle itself, which is a more fundamental problem.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, The present invention is to solve the above problems of the prior art,

플라즈마 장치 내의 특정 영역마다 공급되는 가스를 제어하는 것을 목적으로 한다.It is an object to control the gas supplied for each specific region in the plasma apparatus.

또한, 본 발명은 플라즈마 장치 내의 가스 균일도와 플라즈마 균일도를 향상시키는 것을 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to improve gas uniformity and plasma uniformity in the plasma apparatus.

또한, 본 발명은 플라즈마 장치 내에서 수행되는 박막의 증착/식각 균일도를 향상시키는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is another object of the present invention to improve the deposition / etch uniformity of the thin film performed in the plasma apparatus.

본 발명의 상기 목적은 챔버; 상기 챔버 내부 하측에 위치하며 기판을 지지하는 지지대; 상기 챔버 내부 상측에 상기 지지대와 일정간격을 두고 위치하며 다수개의 노즐을 포함하는 분사부; 및 상기 분사부와 연결되며, 가스를 상기 분사부의 중앙부에 공급하는 제1 가스 공급관과, 가스를 상기 분사부의 가장자리부에 공급하는 다수개의 제2 가스 공급관을 포함하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a chamber; A supporter positioned below the chamber and supporting the substrate; An injection unit including a plurality of nozzles positioned at a predetermined interval with the support above the chamber; And a gas supply part connected to the injection part, the gas supply part including a first gas supply pipe for supplying gas to a central part of the injection part, and a plurality of second gas supply pipes for supplying gas to an edge part of the injection part. Is achieved by a plasma apparatus.

이때, 상기 다수개의 제2 가스 공급관은 상기 분사부의 가장자리부 중 모서리 영역과 연결될 수 있다.In this case, the plurality of second gas supply pipes may be connected to corner regions of the edges of the injection unit.

상기 분사부의 내부의 가장자리에는, 상기 제1 가스 공급관과 상기 제2 가스 공급관에서 각각 제공되는 가스의 수평 흐름을 차단하거나 조절하는 격벽이 더 구비될 수 있다.At the edge of the inside of the injection unit, a partition wall for blocking or controlling the horizontal flow of the gas provided in each of the first gas supply pipe and the second gas supply pipe may be further provided.

상기 격벽은 상기 분사부의 내부의 가장자리 중 모서리 영역에 소정의 공간을 형성할 수 있다.The partition wall may form a predetermined space in a corner area of an edge of the inside of the injection unit.

상기 분사부의 내부에는 상기 제1 가스 공급관과 상기 노즐 사이에 위치하며, 가스의 수직 흐름을 차단하거나 조절하는 제1 차단판이 더 구비될 수 있다.The injection block may further include a first blocking plate positioned between the first gas supply pipe and the nozzle to block or regulate a vertical flow of gas.

상기 격벽의 하부에는 상기 제2 가스 공급관과 상기 노즐 사이에 위치하며, 가스의 수직 흐름을 차단하거나 조절하는 제2 차단판이 더 구비될 수 있다.The lower part of the partition wall may be further provided between the second gas supply pipe and the nozzle, a second blocking plate for blocking or adjusting the vertical flow of gas.

본 발명에 의하면, 플라즈마 장치 내의 노즐에 공급되는 가스를 제어할 수 있다.According to this invention, the gas supplied to the nozzle in a plasma apparatus can be controlled.

또한, 본 발명에 의하면, 플라즈마 장치 내의 가스 균일도를 향상시킬 수 있다.Moreover, according to this invention, the gas uniformity in a plasma apparatus can be improved.

또한, 본 발명에 의하면, 플라즈마 장치 내의 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다.Moreover, according to this invention, the plasma uniformity in a plasma apparatus can be improved.

또한, 본 발명에 의하면, 플라즈마 장치 내에서 박막이 균일하게 증착되는 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, the effect that the thin film is uniformly deposited in the plasma apparatus can be obtained.

또한, 본 발명에 의하면, 플라즈마 장치 내에서 박막이 균일하게 식각되는 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to obtain the effect that the thin film is uniformly etched in the plasma apparatus.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발 명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. DETAILED DESCRIPTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is defined only by the appended claims, along with the full range of equivalents to which such claims are entitled. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

[본 발명의 바람직한 실시예][Preferred Embodiments of the Invention]

본 명세서에 있어서, 플라즈마 장치는, 반도체(예를 들면, 메모리 또는 비메모리 반도체), 평판 디스플레이(예를 들면, 액정 표시 장치 또는 유기 전계 발광표시장치)와 같이 박막을 형성하는 플라즈마 증착 장치 또는 박막을 식각하는 플라즈마 식각 장치를 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In the present specification, the plasma apparatus is a plasma deposition apparatus or a thin film that forms a thin film, such as a semiconductor (for example, a memory or non-memory semiconductor), a flat panel display (for example, a liquid crystal display or an organic electroluminescent display). It should be understood to include all of the plasma etching apparatus for etching a.

플라즈마plasma 장치의 구성 Configuration of the device

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 균일한 가스 공급수단을 구비하는 플라즈마 장치의 간략한 단면도이다.1 is a simplified cross-sectional view of a plasma apparatus having a uniform gas supply means according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 장치는 챔버(100), 지지대(200), 분사부(300) 및 가스 공급부(400)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, a plasma apparatus according to an embodiment of the present invention may include a chamber 100, a support 200, an injection unit 300, and a gas supply unit 400.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(100)는 지지대(200)와 분사부(300) 사이에서 생성되는 플라즈마(미도시)에 의해 기판(S) 상에 증착 또는 식각 작용이 이루어지도록 하는 밀폐공간으로, 소정의 분위기(예를 들면, N2)와 압력(예를 들면, 진공)으로 유지될 수 있다. First, the chamber 100 in accordance with one embodiment of the present invention is to be deposited or etched on the substrate (S) by the plasma (not shown) generated between the support 200 and the injection unit 300 As a closed space, it can be maintained in a predetermined atmosphere (eg N 2 ) and pressure (eg vacuum).

다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 지지대(200)는 챔버(100) 내부의 하측에 위치되며, 기판(S)을 지지하면서 고정시키는 기능을 수행할 수 있는데, 기판(S)을 반입하거나 반출하는 기능을 더 수행할 수 있다.Next, the support 200 according to an embodiment of the present invention is positioned below the inside of the chamber 100 and may perform a function of fixing while supporting the substrate S. The export function can be further performed.

또한, 이러한 지지대(200)는 전기적으로는 전극(하부전극)의 기능을 수행할 수 있어, 도시된 바와 같이 접지되거나 도시되는 않았지만 외부에 위치하는 전원 공급 장치로부터 직류(DC) 또는 고주파 전원(AC)이 공급되어 플라즈마를 생성시키는 하나의 전극일 수 있다. 이러한 전기적인 구성은 증착/식각 및 그 구동방식에 따라 다르게 구성될 수 있다. In addition, the support 200 may electrically perform the function of an electrode (lower electrode), such as a ground or as shown, although not shown, a direct current (DC) or a high frequency power (AC) from a power supply located outside ) May be supplied to produce one plasma. This electrical configuration may be configured differently depending on deposition / etching and its driving method.

다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 분사부(300)는 챔버(100) 내부에 지지대(200)와 일정간격을 두고 상부에 위치되며, 가스(특히, 플라즈마 상태로 변화되는 공정가스)를 분사시키는 기능을 수행할 수 있다. 이러한 분사부(300)는 내부 에 형성된 공간과 가스 공급부(400)가 연결되어 있어 소정의 가스를 공급받고, 공급된 가스를 하부에 구비되는 다수개의 노즐(310)에 의해 균일하게 분사할 수 있다.Next, the injection unit 300 according to an embodiment of the present invention is positioned above the support 200 in the chamber 100 at a predetermined interval, the gas (particularly, the process gas is changed to a plasma state) Spraying can be performed. The injection unit 300 is connected to the space formed therein and the gas supply unit 400 is supplied with a predetermined gas, it can be uniformly sprayed by a plurality of nozzles 310 provided in the lower portion. .

또한, 본 발명의 분사부(300)는 전기적으로는 전극(상부전극)의 기능도 수행할 수 있어, 도시된 바와 같이 외부에 위치하는 전원 공급 장치(500)로부터 공급되는 직류 또는 고주파 전원에 의해 플라즈마를 생성시키는 하나의 전극일 수 있다. In addition, the injection unit 300 of the present invention can also electrically perform the function of the electrode (upper electrode), as shown by the direct current or high frequency power supplied from a power supply device 500 located outside It may be one electrode that generates a plasma.

따라서, 지지대(200)와 분사부(300) 사이에는 외부에서 인가되는 전압에 따라 유도된 전기장에 의해 가속된 전자와 가스 분자의 충돌로 인해 플라즈마가 생성될 수 있다. 일례로, 분사부(300)를 통해 공정가스 N2를 균일하게 공급한 후 외부의 전원 공급 장치에 의해 지지대(200)와 분사부(300) 사이에 전기장이 형성되어 N2를 플라즈마 상태로 변화시킬 수 있다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 장치가 증착 장치일 경우에는 일례로, SiH4와 NH3로 구성된 반응가스를 더 공급하여 기판(S) 상에 실리콘 질화물을 형성할 수 있다.Therefore, plasma may be generated between the support 200 and the injection unit 300 due to collision of electrons and gas molecules accelerated by an electric field induced by an externally applied voltage. For example, after uniformly supplying the process gas N 2 through the injection unit 300, an electric field is formed between the support 200 and the injection unit 300 by an external power supply device to change the N 2 into a plasma state. You can. At this time, when the plasma apparatus according to an embodiment of the present invention is a deposition apparatus, for example, silicon nitride may be formed on the substrate S by further supplying a reaction gas composed of SiH 4 and NH 3 .

다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(400)는 분사부(300)의 중앙부에 가스를 공급하는 제1 가스 공급관(410)과, 분사부(300)의 가장자리부에 가스를 공급하는 다수개의 제2 가스 공급관(420)을 포함할 수 있다.Next, the gas supply unit 400 according to the embodiment of the present invention supplies a gas to the first gas supply pipe 410 for supplying gas to the center of the injection unit 300, and the edge of the injection unit 300. It may include a plurality of second gas supply pipe 420.

이와 같이, 분사부(300)의 영역마다 서로 다른 공급관을 통해 가스를 공급하는 본 발명에 의한 가스 공급부(400)는, 가스가 분사부(300)의 중앙부에만 공급되는 것을 방지하고 분사부(300)의 가장자리부에도 균일하게 분배될 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 이러한 균일한 가스 공급수단인 분사부(300) 및 가스 공급부(400)의 보다 구체적인 설명은 도 2a 내지 도 2c를 참조한 이하의 상세한 설명에 의해 명확해질 것이다.As such, the gas supply unit 400 according to the present invention for supplying gas through different supply pipes for each region of the injection unit 300 prevents the gas from being supplied only to the center portion of the injection unit 300, and thus the injection unit 300. It is possible to obtain an effect that can be evenly distributed to the edge of the). More specific descriptions of the injection unit 300 and the gas supply unit 400, which are the uniform gas supply means, will be made clear by the following detailed description with reference to FIGS. 2A to 2C.

균일한 가스 공급수단의 구성Configuration of uniform gas supply means

이하에서는, 본 발명의 구현을 위하여 중요한 기능을 수행하는 분사부(300) 및 가스 공급부(400)의 구성 및 각 구성요소의 기능에 대하여 살펴보기로 한다.Hereinafter, the configuration of the injection unit 300 and the gas supply unit 400 performing important functions for the implementation of the present invention and the function of each component will be described.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 의한 균일한 가스 공급수단을 나타내는 간략한 평면도이다.Figure 2a is a simplified plan view showing a uniform gas supply means according to an embodiment of the present invention.

도 2b는 본 발명의 도 2a에서 A부터 A’까지의 영역을 나타내는 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view showing a region from A to A 'in FIG. 2A of the present invention.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 소정의 가스를 분사부(300)의 중앙부에 공급하는 제1 가스 공급관(410)이 구비되고, 소정의 가스를 분사부(300)의 가장자리부에 공급하는 다수개의 제2 가스 공급관(420)이 구비될 수 있다. 이때, 분사부(300)의 가장자리부 중에서도 특히, 모서리 영역은 중앙부에서 가장 먼 거리에 해당하여 가스 공급이 불량하기 때문에, 이를 해결하기 위하여 제2 가스 공급관(420)을 모서리 영역에 연결시키는 것이 바람직하다.2A and 2B, a first gas supply pipe 410 for supplying a predetermined gas to a central portion of the injection unit 300 is provided, and a plurality of supplying a predetermined gas to an edge portion of the injection unit 300 are provided. Second gas supply pipe 420 may be provided. In this case, among the edges of the injection unit 300, in particular, the corner region corresponds to the longest distance from the center portion, so that the gas supply is poor. Therefore, in order to solve the problem, it is preferable to connect the second gas supply pipe 420 to the corner region. Do.

한편, 분사부(300)의 내부 가장자리부에는, 제1 가스 공급관(410)과 제2 가스 공급관(420)에서 각각 제공되는 가스의 수평 흐름을 차단시키는 격벽(330)이 더 구비될 수 있는데, 이때, 격벽(330)은 제2 가스 공급관(420)과 동일한 이유로 분사부(300)의 내부의 가장자리부 중 모서리 영역에 구비되는 것이 바람직하다.On the other hand, the inner edge portion of the injection unit 300, the partition wall 330 for blocking the horizontal flow of the gas provided in each of the first gas supply pipe 410 and the second gas supply pipe 420 may be further provided, At this time, the partition wall 330 is preferably provided in the corner region of the inner edge of the injection portion 300 for the same reason as the second gas supply pipe (420).

이러한 격벽(330)은 분사부(300)의 내부 높이와 동일하게 형성하여 분사 부(300) 내부의 중앙부와 가장자리부를 완전하게 차단시킬 수 있으나, 도시된 바와 같이 분사부(300)의 내부 높이 보다 크기를 작게 형성하여 제1 가스 공급관(410)에서 공급된 가스 일부가 제2 가스 공급관(420)에서 공급된 가스와 합류 되도록 조절할 수 있다. 이는, 가스를 분사부(300) 내부에서 보다 균일하게 확산시키기 위함이다. The barrier rib 330 may be formed to have the same height as that of the injection part 300 to completely block the center part and the edge part of the injection part 300, but as shown in FIG. The size of the gas may be adjusted so that a portion of the gas supplied from the first gas supply pipe 410 is joined with the gas supplied from the second gas supply pipe 420. This is to diffuse the gas more uniformly in the injection unit 300.

또한, 분사부(300)의 내부에는 제1 가스 공급관(410)과 노즐(310) 사이에 위치하며, 가스의 수직 흐름을 차단시키는 제1 차단판(320)이 더 구비될 수 있다. 따라서, 제1 가스 공급관(410)과 마주보는 특정 노즐(310)에 가스가 집중적으로 공급되는 것을 방지하고 수평방향으로 균일하게 확산되는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the injection block 300 may further include a first blocking plate 320 positioned between the first gas supply pipe 410 and the nozzle 310 to block vertical flow of gas. Therefore, it is possible to prevent the gas from being concentratedly supplied to the specific nozzle 310 facing the first gas supply pipe 410 and to uniformly spread in the horizontal direction.

이러한 제1 차단판(320)은 가스를 차단할 수 있는 다양한 형상의 평판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 미세한 메시(Mesh) 구조와 같이 가스 일부를 통과시킬 수 있는 구조일 수도 있어, 수직 방향으로 통과되는 가스의 양을 조절하는 기능을 수행할 수 있다. The first blocking plate 320 may be a flat plate having various shapes to block gas, but the present invention is not limited thereto, and may be a structure capable of passing a portion of gas, such as a fine mesh structure, in a vertical direction. The function of adjusting the amount of gas passed can be performed.

도 2c는 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 균일한 가스 공급수단을 나타내는 단면도이다.Figure 2c is a cross-sectional view showing a uniform gas supply means according to another embodiment of the present invention.

도 2c를 참조하면, 상술된 본 발명의 일 실시예에 의한 격벽(330)의 하부에는 제2 가스 공급관(420)과 노즐(310) 사이에 위치하며, 가스의 수직 흐름을 차단시키는 제2 차단판(340)이 더 구비될 수 있다. 따라서, 제2 가스 공급관(420)과 마주보는 특정 노즐(310)에 가스가 집중적으로 공급되는 것을 방지하고 균일하게 확산되는 효과를 얻을 수 있는데, 이는 제1 차단판(320)의 구성 및 기능과 동일할 수 있다.Referring to FIG. 2C, a second blocking unit is disposed between the second gas supply pipe 420 and the nozzle 310 at a lower portion of the partition wall 330 according to the embodiment of the present invention. Plate 340 may be further provided. Therefore, it is possible to prevent the gas from being intensively supplied to the specific nozzle 310 facing the second gas supply pipe 420 and to uniformly diffuse the gas, which is related to the configuration and function of the first blocking plate 320. May be the same.

한편, 이상의 상세한 설명에서 본 발명은 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.On the other hand, the present invention in the above detailed description has been described by specific embodiments such as specific components and limited embodiments and drawings, which is provided only to help a more general understanding of the present invention, the present invention in the above embodiments The present invention is not limited thereto, and various modifications and variations can be made by those skilled in the art to which the present invention pertains.

따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다. Therefore, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the above-described embodiments, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, I will say.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 균일한 가스 공급수단을 구비하는 플라즈마 장치의 간략한 단면도이다.1 is a simplified cross-sectional view of a plasma apparatus having a uniform gas supply means according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 의한 균일한 가스 공급수단을 나타내는 간략한 평면도이다.Figure 2a is a simplified plan view showing a uniform gas supply means according to an embodiment of the present invention.

도 2b는 본 발명의 도 2a에서 A부터 A’까지의 영역을 나타내는 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view showing a region from A to A 'in FIG. 2A of the present invention.

도 2c는 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 균일한 가스 공급수단을 나타내는 단면도이다.Figure 2c is a cross-sectional view showing a uniform gas supply means according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 챔버100: chamber

200: 지지대200: support

300: 분사부300: injection unit

310: 노즐310: nozzle

320: 제1 차단판320: first blocking plate

330: 격벽330: bulkhead

340: 제2 차단판340: second blocking plate

400: 가스 공급부400: gas supply unit

410: 제1 가스 공급관410: first gas supply pipe

420: 제2 가스 공급관420: second gas supply pipe

Claims (6)

챔버;chamber; 상기 챔버 내부 하측에 위치하며 기판을 지지하는 지지대;A supporter positioned below the chamber and supporting the substrate; 상기 챔버 내부 상측에 상기 지지대와 일정간격을 두고 위치하며 다수개의 노즐을 포함하는 분사부; 및An injection unit including a plurality of nozzles positioned at a predetermined interval with the support above the chamber; And 상기 분사부와 연결되며, 가스를 상기 분사부의 중앙부에 공급하는 제1 가스 공급관과, 가스를 상기 분사부의 가장자리부에 공급하는 다수개의 제2 가스 공급관을 포함하는 가스 공급부;A gas supply part connected to the injection part and including a first gas supply pipe to supply gas to a central part of the injection part, and a plurality of second gas supply pipes to supply gas to an edge of the injection part; 를 포함하되,Including, 상기 분사부의 내부에는, 상기 제1 가스 공급관과 상기 제2 가스 공급관에서 각각 제공되는 가스의 수평 흐름을 차단하거나 조절하는 격벽이 더 구비되고,Inside the injection unit, a partition wall is further provided to block or control the horizontal flow of the gas provided in the first gas supply pipe and the second gas supply pipe, respectively, 상기 분사부의 내부에는, 상기 제1 가스 공급관과 상기 노즐 사이에 위치하며, 가스의 수직 흐름을 차단하거나 조절하는 제1 차단판이 더 구비되며,Inside the injection unit, a first blocking plate positioned between the first gas supply pipe and the nozzle, the first blocking plate for blocking or adjusting the vertical flow of the gas is further provided, 상기 격벽의 하부에는, 상기 제2 가스 공급관과 상기 노즐 사이에 위치하며, 가스의 수직 흐름을 차단하거나 조절하는 제2 차단판이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.A lower portion of the partition wall, the plasma apparatus, characterized in that further provided between the second gas supply pipe and the nozzle, the second blocking plate for blocking or adjusting the vertical flow of gas. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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