KR101092122B1 - Gas injection system for etching profile control - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 식각장비에 구비되는 가스 인젝션 시스템에 관한 것으로서, 챔버 상부에서 반응가스를 공급하는 상부 가스인젝터와 챔버 측면에서 튜닝가스를 공급하는 사이드 가스인젝터 또는 웨이퍼 하측에서 튜닝가스를 상향 분사하는 백사이드 가스인젝터로 구성하되, 사이드 가스인젝터 또는 백사이드 가스인젝터는 다수개의 분사구를 방사상으로 형성함과 동시에 튜닝가스가 웨이퍼(wafer)의 에지(edge)부에 근접 분사되도록 분사구를 에지부에 인접되게 설치하여 에지부의 식각률(etch rate)이나 CD(Critical Dimension) 균일도 또는 profile을 용이하게 제어할 수 있게 함으로써, 웨이퍼 전체의 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 향상시켜 공정 불량을 최소화시킬 뿐 아니라, 에지부의 칩수율을 현저히 증대시킬 수 있는 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas injection system provided in a plasma etching apparatus, and an upper gas injector for supplying a reaction gas from an upper chamber and a side gas injector for supplying a tuning gas from a chamber side, or a backside spraying a tuning gas from a lower side of a wafer. It is composed of a gas injector, but the side gas injector or the backside gas injector forms a plurality of injection holes radially and at the same time installs the injection hole adjacent to the edge so that the tuning gas is injected close to the edge (edge) of the wafer (wafer) Easily control the etch rate, CD (Critical Dimension) uniformity or profile of the edge part, thereby improving the etching uniformity of the entire wafer, minimizing process defects, and improving chip yield of the edge part. Gas injection for etch profile control that can be significantly increased It relates to the system.

Description

에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템{Gas injection system for etching profile control}Gas injection system for etching profile control

본 발명은 플라즈마 식각장비에 구비되는 가스 인젝션 시스템에 관한 것으로서, 튜닝가스가 웨이퍼(wafer)의 에지(edge)부에 근접 분사되도록 하여 사용자가 에지부에서의 에칭 식각률(etch rate)이나 CD(Critical Dimension) 균일도 또는 profile을 정밀하게 제어할 수 있게 함으로써, 웨이퍼 전체의 CD(Critical Dimension)와 profile의 균일한 형성을 통해 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 향상시켜 공정 불량을 최소화할 수 있는 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas injection system provided in a plasma etching apparatus, wherein a tuning gas is injected close to an edge portion of a wafer so that a user may use an etching rate or a CD (edge rate) at the edge portion. By precisely controlling the dimension uniformity or profile, the etching profile control can be minimized by improving the etching uniformity through the uniform formation of the CD (critical dimension) and the profile of the entire wafer. To a gas injection system.

일반적으로 반도체 집적회로 소자에 사용되는 대구경 웨이퍼(wafer)나 액정표시장치(LCD:liquid crystal display)에 사용되는 주요 부품인 유리 기판 등은 표면에 여러 박막층이 형성되고, 또한 박막의 일부분만이 선택적으로 제거됨으로써, 표면에 원하는 형태의 초미세 구조의 회로나 패턴이 형성된다.In general, large-diameter wafers used in semiconductor integrated circuit devices or glass substrates, which are the main components used in liquid crystal displays (LCDs), have multiple thin film layers formed on their surfaces, and only a part of the thin films is selectively selected. As a result, the circuit and the pattern having the ultrafine structure of the desired form are formed on the surface.

이러한 미세회로 또는 패턴의 제조는 일반적으로 세척공정, 증착공정, 포토리소그래피(photolithography)공정, 도금공정, 식각(etching)공정 등 많은 제조공정을 통해 이루어지게 된다.The manufacture of such microcircuits or patterns is generally made through a number of manufacturing processes, such as a cleaning process, a deposition process, a photolithography process, a plating process, and an etching process.

상기와 같은 다양한 처리 공정들은 웨이퍼나 기판을 외부와 격리시킬 수 있는 챔버(chamber) 또는 반응로 내에 투입하여 처리하게 된다.Various treatment processes as described above are put into a chamber or a reactor capable of isolating the wafer or substrate from the outside and processed.

상기와 같은 공정들 중 특히 식각(etching)공정은 일반적으로 챔버나 반응로 내에 적절한 반응가스(CxFx 계열, SxFx 계열, HBr, O₂, Ar 등)를 분사시킴으로써 플라즈마 상태에서의 물리적 또는 화학적 반응을 통해 웨이퍼 표면에서 원하는 물질을 선택적으로 제거하여 기판 표면에 특정 미세회로를 형성하는 공정이다.In particular, the etching process of the above processes is generally performed through the physical or chemical reaction in the plasma state by spraying the appropriate reaction gas (CxFx-based, SxFx-based, HBr, O₂, Ar, etc.) into the chamber or reactor It is a process of forming specific microcircuits on the surface of a substrate by selectively removing a desired material from the wafer surface.

이러한 식각공정에서는 웨이퍼 전체 표면에서 CD(Critical Dimension)나 profile을 균일하게 하여 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 유지하는 것이 무엇보다도 중요하기 때문에, 반응가스가 챔버 내에 균일하게 확산되어 플라즈마가 챔버 내에 균일하게 분포되도록 하는 것이 중요하다.In this etching process, it is most important to maintain the etching uniformity by uniformizing the CD (Critical Dimension) or profile on the entire surface of the wafer, so that the reaction gas is uniformly diffused in the chamber and the plasma is uniformly in the chamber. It is important to ensure distribution.

그러나 일반적으로 웨이퍼의 중심부(center)와 외곽(에지,edge)부의 에칭률(etch rate)이 상이할 뿐 아니라, CD(Critical Dimension) 균일도 또는 profile이 상이하게 형성됨으로써, 에지부의 칩수율이 현저히 저하되는 문제점이 있었고, 특히 웨이퍼의 대구경화 추세와 반도체 Device의 고집적화가 진행되면서 에지부에서의 CD 균일도 또는 profile 제어가 더욱 중요한 문제로 대두되고 있다.However, in general, not only the etching rate of the center and the edge of the wafer is different, but also the CD (Critical Dimension) uniformity or profile is formed differently, so that the chip yield of the edge is significantly lowered. In particular, as the trend of large diameter of wafers and high integration of semiconductor devices have progressed, CD uniformity or profile control at edges has become a more important problem.

따라서 종래에는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 coolant chiller를 inner와 outer로 나누어 웨이퍼 상에서의 온도 차이를 이용하여 CD를 제어하거나, 또는 반응가스를 공급하는 샤워헤드를 inner와 outer로 분리 형성하여 반응가스 공급지역이 구분되도록 함으로써 웨이퍼의 중심부와 에지부에서의 플라즈마의 분포를 조절하여 CD를 제어하였다.Therefore, in order to solve the above problems, the coolant chiller is divided into inner and outer parts to control the CD using the temperature difference on the wafer, or the shower head for supplying the reactant gas is formed by separating the inner and outer reaction gases. CD was controlled by adjusting the distribution of plasma at the center and the edge of the wafer by distinguishing the supply region.

이외에도, 웨이퍼에 O₂가스를 추가 공급하여 CD를 제어하는 방법도 사용되었다.In addition, a method of controlling CD by supplying additional O 2 gas to the wafer was also used.

그러나 상기와 같은 종래의 제어방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the conventional control method as described above has the following problems.

첫째, 웨이퍼의 온도를 제어하는 경우에는 산화막 식각공정(oxide 공정)과 같이 high power가 사용되는 경우 온도 제어로 인한 CD 제어 효과가 미흡하였고, 둘째, 샤워헤드를 inner와 outer로 분리 형성하거나 웨이퍼에 O₂가스를 추가 공급하는 경우에는 고밀도 ICP(Inductively Coupled Plasma) source를 사용하는 식각장치와 같이 chamber voiume이 큰 경우 가스공급부와 웨이퍼 에지부와의 이격 거리가 커지게 됨으로써, 반응가스 또는 O₂가스가 웨이퍼의 에지부까지 도달하는 과정에서 발생되는 가스의 확산(diffusion) 차이에 의해 플라즈마의 분포를 정밀하게 제어하는 것이 곤란하게 되고, 또한 CD 제어효과가 현저히 저하되어 에지부의 에칭 균일도를 확보할 수 없는 문제점이 있었다.
First, in the case of controlling the temperature of the wafer, when high power is used, such as an oxide etching process, the CD control effect due to temperature control is insufficient. In the case of additional supply of O2 gas, when the chamber volume is large, such as an etching apparatus using a high density ICP (Inductively Coupled Plasma) source, the separation distance between the gas supply part and the wafer edge part becomes large. It is difficult to precisely control the distribution of plasma due to the difference in gas diffusion generated in the process of reaching the edge of the device. Also, the CD control effect is degraded significantly, and the etching uniformity of the edge cannot be secured. There was this.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마 제어를 위한 튜닝가스가 웨이퍼의 에지부에 근접 분사되도록 함으로써, 튜닝가스 확산(diffusion) 현상의 최소화를 통해 분사효과를 최적화하여 웨이퍼 에지부의 CD 균일도 또는 profile을 효과적으로 제어하고자 하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to ensure that the tuning gas for plasma control is injected close to the edge of the wafer, the injection effect through minimizing the tuning gas diffusion (diffusion) phenomenon This is to optimize the CD uniformity or profile of the wafer edge portion by optimizing.

본 발명의 다른 목적은 튜닝가스 분사구가 웨이퍼의 에지부를 따라 다수개가 방사상으로 설치되도록 하여 튜닝가스가 웨이퍼의 에지부 전체에 균일하게 분사되게 함으로써, 웨이퍼의 중심부와 에지부에서의 식각률(etch rate) 및 CD 차이를 효과적으로 보상하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to allow a plurality of tuning gas injection holes to be radially installed along the edge of the wafer so that the tuning gas is uniformly sprayed on the entire edge of the wafer, thereby providing an etch rate at the center and the edge of the wafer. And to effectively compensate for CD differences.

본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼의 에지부에 발생되는 폴리머와 같은 반응 부산물을 효과적으로 제거하고, 또한 에지부의 외측면 또는 하측부 등에 부착된 유기물이나 이물질 등을 제거하여 공정 불량을 최소화하고자 하는 것이다.Still another object of the present invention is to effectively remove reaction by-products such as polymer generated in the edge portion of the wafer, and also to minimize process defects by removing organic substances or foreign substances attached to the outer side or the bottom side of the edge portion.

본 발명의 또 다른 목적은 플라즈마의 신속하고 균일한 확산 및 제어를 통해 공정시간 단축은 물론 웨이퍼 전체 표면에서의 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 확보함으로써, 에지부의 칩수율을 현저히 향상시키고자 하는 것이다.
Still another object of the present invention is to shorten the process time through rapid and uniform diffusion and control of plasma, and to secure etching uniformity on the entire surface of the wafer, thereby significantly improving the chip yield of the edge portion.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 챔버 상부에서 반응가스를 공급하는 상부 가스인젝터, 및 상기 챔버의 내주면을 따라 다수의 위치에서 튜닝가스가 동시에 분사되도록 다수개의 분사구를 방사상으로 형성하되, 상기 분사구의 단부에는 상기 튜닝가스가 상기 챔버 내측에 로딩된 웨이퍼의 에지부에 근접 분사되도록 유도관이 각각 연결 설치되는 사이드 가스인젝터를 포함하여 구성된다.In order to achieve the above object, the present invention provides an upper gas injector for supplying a reaction gas from the upper chamber, and a plurality of injection holes are radially formed such that tuning gases are simultaneously injected at a plurality of positions along the inner circumferential surface of the chamber, The end portion is configured to include a side gas injector that is connected to each of the guide pipes so that the tuning gas is injected close to the edge of the wafer loaded inside the chamber.

여기서 상기 유도관은 선단부가 상기 웨이퍼의 에지부의 상측부에 인접되어 위치하도록 중앙부가 하향 절곡 형성될 수 있다.The guide tube may have a central portion bent downward so that the tip portion thereof is positioned adjacent to the upper portion of the edge portion of the wafer.

또한 상기 유도관은 선단부가 상기 웨이퍼의 에지부 상측부에 인접되도록 설치하되, 상기 튜닝가스가 상기 웨이퍼의 외측 방향에서 에지부에 일정 각도로 분사되도록 하향 경사지게 설치될 수도 있다.In addition, the induction pipe may be installed so that the front end portion is adjacent to the upper portion of the edge of the wafer, it may be installed inclined downward so that the tuning gas is injected at an angle to the edge portion in the outer direction of the wafer.

한편 상기 사이드 가스인젝터는 외측부에 가스유입구를 형성하고, 상기 가스유입구가 상기 다수개의 분사구와 연통되도록 분배유로가 내부에 형성된다.Meanwhile, the side gas injector has a gas inlet formed at an outer side thereof, and a distribution passage is formed therein so that the gas inlet communicates with the plurality of injection holes.

상기 분배유로는 상기 사이드 가스인젝터와 동심원을 형성하도록 내부에 관통 형성되는 것이 바람직하다.The distribution channel is preferably formed through the inner side so as to form a concentric circle with the side gas injector.

한편 본 발명은 챔버 상부에서 반응가스를 공급하는 상부 가스인젝터, 및On the other hand the present invention, the upper gas injector for supplying the reaction gas in the upper chamber, and

웨이퍼가 로딩되는 정전척의 상측부 외주에 외삽하여 설치하되, 튜닝가스가 상기 웨이퍼의 에지부에 근접되어 상향 분사되도록 상측면에 다수개의 분사구가 이격되어 형성되는 백사이드 가스인젝터를 포함하여 구성될 있다.It is installed on the outer periphery of the upper portion of the electrostatic chuck to which the wafer is loaded, and may include a backside gas injector formed with a plurality of injection holes spaced apart on the upper side such that the tuning gas is injected upward near the edge of the wafer.

이때 상기 백사이드 가스인젝터는 외측부에 가스유입구를 형성하고, 상기 가스유입구가 상기 다수개의 분사구와 연통되도록 분배유로가 내부에 형성될 수 있다.In this case, the backside gas injector may have a gas inlet formed at an outer side thereof, and a distribution passage may be formed therein so that the gas inlet communicates with the plurality of injection holes.

또한 상기 백사이드 가스인젝터는 하측면에 가스유입구를 형성하고, 상기 가스유입구가 상기 다수개의 분사구와 연통되도록 분배유로를 내부에 형성하되, 상기 웨이퍼와 백사이드 가스인젝터를 지지하는 정전척에는 상기 가스유입구와 연통되도록 관통로가 형성될 수 있다.In addition, the backside gas injector has a gas inlet formed at a lower side thereof, and a distribution passage is formed therein so that the gas inlet communicates with the plurality of injection holes, and the gas inlet is provided at the electrostatic chuck supporting the wafer and the backside gas injector. Through passages may be formed to communicate with each other.

상기 분배유로는 상기 백사이드 가스인젝터와 동심원을 형성하도록 내부에 관통 형성되는 것이 바람직하다.
The distribution channel is preferably formed through the inner side so as to form a concentric circle with the backside gas injector.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 첫째, 튜닝가스가 웨이퍼의 에지부에 근접 분사되어 가스의 확산(diffusion) 현상이 최소화됨으로써, 웨이퍼 에지부의 CD 또는 profile을 정밀하게 제어할 수 있는 효과가 있고, 둘째, 웨이퍼의 에지부에서 폴리머나 유기물 또는 이물질 등을 신속하게 제거하여 cleaning 효과를 얻음으로써 공정 불량을 최소화할 수 있으며, 셋째, 튜닝가스의 신속하고 균일한 확산을 통해 에지부의 식각률이나 CD의 효과적인 제어가 가능하여 웨이퍼 전체 표면에서의 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 확보함으로써, 공정 효율 향상은 물론 에지부의 칩수율 증대에 따른 생산성 향상의 효과가 있다.
As described above, in the present invention, first, the tuning gas is injected close to the edge of the wafer to minimize the diffusion of the gas, thereby effectively controlling the CD or profile of the wafer edge, Second, process defects can be minimized by quickly removing polymers, organics, and foreign substances from the edge of the wafer to obtain a cleaning effect. Third, effective etching rate of the edges or CDs can be effectively achieved through rapid and uniform diffusion of tuning gas. By controlling it and securing etching uniformity on the entire surface of the wafer, there is an effect of not only improving process efficiency but also improving productivity by increasing chip yield of the edge portion.

도 1은 본 발명의 일 실시예의 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명의 사이드 가스인젝터의 일 실시예의 사시도,
도 3은 도 2의 A-A 단면도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예의 개략적인 구성도,
도 5는 도 4의 실시예의 사이드 가스인젝터의 부분 단면도,
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예의 부분 측면도,
도 7은 도 6의 백사이드 가스 인젝터의 사시도,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예의 부분 측면도이다.1 is a schematic structural diagram of an embodiment of the present invention;
2 is a perspective view of one embodiment of a side gas injector of the present invention;
3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
4 is a schematic structural diagram of another embodiment of the present invention;
5 is a partial cross-sectional view of the side gas injector of the embodiment of FIG. 4;
6 is a partial side view of another embodiment of the present invention;
7 is a perspective view of the backside gas injector of FIG. 6, FIG.
8 is a partial side view of another embodiment of the present invention.

이하 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예의 개략적인 구성도를 나타낸 것이고, 도 2는 본 발명의 사이드 가스인젝터의 일 실시예의 사시도를 나타낸 것이며, 도 3은 도 2의 A-A 단면도를 나타낸 것이다.Figure 1 shows a schematic configuration diagram of an embodiment of the present invention, Figure 2 shows a perspective view of one embodiment of a side gas injector of the present invention, Figure 3 shows a cross-sectional view A-A of FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 가스 인젝션 시스템은 상부 가스인젝터(10)와 사이드 가스인젝터(30)로 구성된다.As shown in FIG. 1, the gas injection system of the present invention includes an upper gas injector 10 and a side gas injector 30.

상부 가스인젝터(10)는 챔버(1)의 내측 상부면에 설치되고, 사이드 가스인젝터(30)는 챔버(1)의 측면을 따라 설치된다.The upper gas injector 10 is installed on the inner upper surface of the chamber 1, and the side gas injector 30 is installed along the side of the chamber 1.

챔버(1)는 식각 공정에서 외부와 격리되는 플라즈마 반응 공간을 제공하는 것으로서, 내부에 일정 크기의 밀폐 공간을 형성하게 되며, 웨이퍼(W)의 크기나 공정 특성에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다.The chamber 1 is to provide a plasma reaction space that is isolated from the outside in the etching process, to form a sealed space of a predetermined size therein, and may be formed in various forms according to the size or process characteristics of the wafer (W). .

한편 챔버(1) 하측부에는 공정 수행을 위해 웨이퍼(W)가 로딩되는 정전척(ESC:Electro Static Chuck)(20)이 구비되며, 또한 반응가스나 폴리머(polymer) 또는 미립자(particle) 등과 같은 반응 부산물을 외부로 배출하는 배기구(도시하지 않음)가 설치된다.On the other hand, the lower part of the chamber 1 is provided with an electrostatic chuck (ESC) 20 in which a wafer W is loaded to perform a process, and also includes a reaction gas, a polymer or a particle. An exhaust port (not shown) for discharging the reaction byproduct to the outside is installed.

또한 챔버(1)에는 반응가스를 방전시켜 플라즈마 상태로 변환시킴으로써, 웨이퍼(W) 표면이 플라즈마에 의해 식각 처리되도록 하는 고주파전원(RF)이 설치된다.In addition, the chamber 1 is provided with a high frequency power source RF for discharging the reaction gas into a plasma state so that the surface of the wafer W is etched by the plasma.

통상적으로 정전척(20)에는 웨이퍼(W)의 온도 조절이 가능하도록 헬륨(He) 가스 등을 순환시키는 가스배관(도시하지 않음)이나 냉매를 순환시키는 냉각수배관(도시하지 않음) 등이 설치될 수 있다.Typically, the electrostatic chuck 20 is provided with a gas pipe (not shown) for circulating helium (He) gas or the like, and a cooling water pipe (not shown) for circulating a coolant so as to adjust the temperature of the wafer (W). Can be.

한편 웨이퍼(W)는 정전척(20) 상부에 수평 상태로 안착되어 고정된다.On the other hand, the wafer W is seated in a horizontal state on the electrostatic chuck 20 and fixed.

상부 가스인젝터(10)는 반응가스를 챔버(1) 내부 공간에 분사하는 것으로서, 분사된 반응가스가 챔버(1) 내부에 신속하게 확산되어 균일한 플라즈마가 형성될 수 있도록 화살표(110)와 같이 하측 방향과 측면 방향으로 반응가스를 분사시키는 다수의 분사구(15)가 형성되는 것이 바람직하다.The upper gas injector 10 injects the reaction gas into the space inside the chamber 1, such that the injected reaction gas is rapidly diffused into the chamber 1 to form a uniform plasma, such as an arrow 110. It is preferable that a plurality of injection holes 15 are formed to inject the reaction gas in the downward direction and the lateral direction.

상부 가스인젝터(10)는 여러 방향으로 다수의 분사구(15)가 형성된 통상적인 구조의 샤워헤드가 사용될 수 있을 것이다.The upper gas injector 10 may be a showerhead having a conventional structure in which a plurality of injection holes 15 are formed in various directions.

따라서 상부 가스인젝터(10)는 별도로 구비되는 외부의 가스공급부(도시하지 않음)와 연결되어 적정 유량의 반응가스를 챔버(1) 내로 분사시키게 되는 것이다.Therefore, the upper gas injector 10 is connected to an external gas supply unit (not shown) that is provided separately to inject the reaction gas at a proper flow rate into the chamber 1.

상부 가스인젝터(10)로부터 분사된 반응가스는 챔버(1) 내에 확산됨과 동시에 고전압에 의해 플라즈마 상태로 변환되고, 이 플라즈마가 웨이퍼(W) 표면과 접촉되어 반응하게 됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면을 일정 패턴으로 식각 처리하게 되는 것이다.The reaction gas injected from the upper gas injector 10 diffuses into the chamber 1 and is converted into a plasma state by a high voltage, and the plasma is brought into contact with the surface of the wafer W, thereby reacting the surface of the wafer W. Is etched in a pattern.

이때 반응가스는 각각의 식각 공정 특성에 맞게 다양한 종류의 가스가 사용될 수 있으나, 통상적으로 CxFx 나 SxFx 계열 또는 HBr, Ar, O₂등의 가스가 사용되며, 반응이 완료된 후 반응가스와 반응 부산물들은 배기구를 통해 외부로 강제 배출된다.In this case, various kinds of gases may be used according to the characteristics of each etching process, but typically, gases such as CxFx or SxFx series, or HBr, Ar, O₂ are used. Forced discharge to the outside through.

한편 사이드 가스인젝터(30)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(1)의 측벽을 따라 설치되어 튜닝가스를 웨이퍼(W)의 측면 방향에서 분사시키게 된다.Meanwhile, as shown in FIG. 1, the side gas injector 30 is installed along the sidewall of the chamber 1 to inject the tuning gas from the side surface of the wafer W. As shown in FIG.

통상적으로 챔버(1) 상부에 설치되는 샤워헤드 형태의 상부 가스인젝터(10)는 다수의 방향으로 반응가스를 분사하게 되나, 이때 반응가스는 웨이퍼(W)의 중심부와 에지부(edge,외주)에 도달하는 과정에서 확산(diffusion) 정도의 차이에 의해 플라즈마를 균일하게 형성하지 못하게 됨으로써, 웨이퍼(W)는 중심부와 에지부의 식각률(etch rate) 및 CD(Critical Dimension) 차이가 발생하게 되어 공정불량은 물론 에지부의 칩수율이 현저히 저하되는 것이다.Typically, the upper gas injector 10 of the shower head type installed above the chamber 1 injects the reaction gas in a plurality of directions, but the reaction gas is at the center and the edge of the wafer W. Due to the difference in the degree of diffusion (diffusion) in the process of reaching the plasma is not uniformly formed, the wafer (W) has a difference in the etch rate (Critical Dimension) and CD (Critical Dimension) of the central portion and the edge portion occurs a process defect Of course, the chip yield of the edge portion is significantly reduced.

특히 웨이퍼(W)의 대구경화 추세와 반도체 디바이스(device)의 고집적화로 인해 공정 마진이 축소되고, 또한 CD가 30nm 이하로 작아짐에 따라 에지부에서의 플라즈마 분균일로 인한 불량 발생이 현저히 증가되고 있는 것이다.In particular, due to the large diameter of the wafer W and the high integration of semiconductor devices, the process margin is reduced, and as the CD is smaller than 30 nm, the occurrence of defects due to plasma uniformity at the edge portion is significantly increased. will be.

따라서 사이드 가스인젝터(30)는 웨이퍼(W)의 에지부에 분포되는 플라즈마의 균일도를 정밀하게 제어하여 웨이퍼(W)의 중심부와 에지부의 식각률 차이 및 CD 차이를 보상하고자 하는 것이다.Therefore, the side gas injector 30 precisely controls the uniformity of the plasma distributed in the edge portion of the wafer W to compensate for the difference in the etching rate and the CD difference between the center portion and the edge portion of the wafer W.

즉 본 발명은 튜닝가스가 웨이퍼(W)의 에지부에 근접 분사되도록 하여 이동 과정에서의 확산이 최소화되게 함으로써, 튜닝가스의 독립적인 제어가 용이하게 되고, 또한 이를 통해 에지부에 도달하는 반응가스의 양과 플라즈마 분포를 효과적으로 제어할 수 있게 되어 웨이퍼(W)의 중심부와 에지부의 에칭 불균일이나 CD 편차 등을 개선할 수 있게 되는 것이다.That is, in the present invention, by allowing the tuning gas to be injected close to the edge of the wafer W to minimize diffusion in the moving process, independent control of the tuning gas is facilitated, and also through this reaction gas reaching the edge part. The amount and the plasma distribution can be effectively controlled to improve the etching unevenness and CD deviation of the central portion and the edge portion of the wafer (W).

이하 사이드 가스인젝터(30)를 도 2와 도 3을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the side gas injector 30 will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2에 도시된 바와 같이, 사이드 가스인젝터(30)는 몸체부(31)와 몸체부(31)에 설치되는 유도관(36)으로 구성된다.As shown in FIG. 2, the side gas injector 30 includes a body part 31 and an induction pipe 36 installed on the body part 31.

몸체부(31)는 튜닝가스를 챔버(1)의 측면 방향에서 분사시킬 수 있도록 챔버(1)의 외주에 설치되는 것으로서, 일정 두께의 패널 형태로 형성하되, 중앙부에는 중공부(39)가 형성된다.Body portion 31 is installed on the outer periphery of the chamber (1) to inject the tuning gas in the lateral direction of the chamber (1), it is formed in the form of a panel of a predetermined thickness, the hollow portion 39 is formed in the center portion do.

몸체부(31)는 동일 크기의 상판과 하판을 서로 결합시켜 형성할 수 있으며, 챔버(1)의 크기 및 형태에 대응되도록 다양하게 형성하되, 중공부(39)는 챔버(1)의 내주면에 대응되게 형성된다.Body portion 31 may be formed by combining the upper plate and the lower plate of the same size with each other, it is formed in various ways to correspond to the size and shape of the chamber (1), the hollow portion 39 is formed on the inner peripheral surface of the chamber (1) Correspondingly formed.

한편 몸체부(31)의 외측 내부에는 하나 또는 둘 이상의 가스유입구(32)가 형성되며, 중공부(39)의 둘레에는 등간격으로 다수개의 분사구(35)가 배열 형성된다.Meanwhile, one or two or more gas inlets 32 are formed in the outer side of the body part 31, and a plurality of injection holes 35 are formed at equal intervals around the hollow part 39.

이때 몸체부(1)의 내부에는 일정 직경을 가지는 분배유로(33)가 형성된다.At this time, the distribution passage 33 having a predetermined diameter is formed inside the body 1.

분배유로(33)는 중공부(39)와 동심원을 형성하도록 구비되며, 가스유입구(32) 및 분사구(35)와 연통되도록 설치된다.The distribution passage 33 is provided to form a concentric circle with the hollow portion 39, and is installed to communicate with the gas inlet 32 and the injection hole 35.

한편 분사구(35)에는 유도관(36)이 연결 설치된다.Meanwhile, the inlet pipe 36 is connected to the injection hole 35.

유도관(36)은 도 1에 도시된 바와 같이, 튜닝가스가 웨이퍼(W)의 에지부에 근접 분사되도록 등간격으로 설치되는 것으로서, 후단부는 분사구(35)에 연결되고 선단부는 웨이퍼(W)의 에지부 상부에 인접되도록 설치된다.As shown in FIG. 1, the guide pipes 36 are installed at equal intervals so that the tuning gas is injected close to the edge portion of the wafer W. The rear end portion is connected to the injection hole 35 and the front end portion is the wafer W. As shown in FIG. It is installed to be adjacent to the upper edge portion.

따라서 유도관(36)은 중앙부가 일단으로 하향 절곡 형성되나 이에 한정되는 아니며, 선단부가 웨이퍼(W)의 에지부에 인접될 수 있는 굴곡 형상 등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 후단부는 분사구(15)에 실링부재를 게재하여 나사 결합 등으로 연결시킬 수 있을 것이다.Therefore, the induction pipe 36 is formed to be bent downward in one end of the center, but is not limited thereto. The induction pipe 36 may be formed in various forms such as a curved shape in which the front end thereof may be adjacent to the edge of the wafer W. ), The sealing member may be placed and connected by screwing or the like.

따라서 튜닝가스는 가스유입구(32)로 유입된 후 분배유로(33)를 경유하여 분사구(35)로 분배되어 유도관(36)을 통해 웨이퍼(W)의 에지부에 분사되는 것이다.Therefore, the tuning gas flows into the gas inlet 32 and then is distributed to the injection hole 35 via the distribution passage 33 and injected into the edge portion of the wafer W through the guide pipe 36.

한편 튜닝가스는 CxFx 계열이나 O₂가스 등이 사용될 수 있다.Meanwhile, the tuning gas may be CxFx series or O₂ gas.

튜닝가스는 웨이퍼(W)의 에지부 상방에서 근접 분사되어 반응가스에 의해 에지부에 형성되는 플라즈마의 밀도 또는 분포도를 변화시키게 되는 것이다.The tuning gas is injected near the edge of the wafer W to change the density or distribution of plasma formed in the edge by the reaction gas.

따라서 사이드 가스인젝터(30)는 튜닝가스가 유도관(36)을 통해 웨이퍼(W)의 에지부에 근접 분사되게 함으로써, 튜닝가스가 에지부에 도달되는 과정에서 발생되는 가스 확산(diffusion)이 최소화될 수 있게 하고, 또한 에지부에 도달되는 튜닝가스의 유량에 대한 정밀 제어가 가능하여 웨이퍼(W)의 중심부와 에지부에서의 플라즈마 분포 차이를 보상하여 중심부와 에지부에서의 식각률이나 CD 균일도 또는 profile 차이를 제거할 수 있게 되는 것이다.Therefore, the side gas injector 30 causes the tuning gas to be injected close to the edge portion of the wafer W through the induction pipe 36, thereby minimizing gas diffusion generated while the tuning gas reaches the edge portion. It is also possible to precisely control the flow rate of the tuning gas that reaches the edge portion to compensate for the plasma distribution difference between the center and the edge of the wafer (W) to achieve the etching rate or CD uniformity or You can eliminate profile differences.

한편 도 4와 도 5는 본 발명의 다른 실시예의 구성도와 사이드 가스인젝터(40)의 단면도를 각각 나타낸 것으로서, 분사구(45)와 유도관(46) 외에는 도 1,2의 실시예와 동일하므로 변경된 구성에 대해서만 설명한다.4 and 5 are cross-sectional views of a configuration diagram and a side gas injector 40 of another embodiment of the present invention, respectively, except that the injection hole 45 and the induction pipe 46 are the same as the embodiments of FIGS. Only the configuration will be described.

도 5에 도시된 바와 같이, 분사구(45)는 일정 각도로 하향 경사지도록 사이드 가스인젝터(40)의 몸체부(41)의 하측부에 관통 형성되며, 일단부는 분배유로(43)와 연통되고 타단부는 유도관(46)과 연통된다.As shown in FIG. 5, the injection hole 45 is formed to penetrate through the lower portion of the body portion 41 of the side gas injector 40 so as to be inclined downward at an angle, and one end thereof communicates with the distribution channel 43 and the other. The end is in communication with the guide tube 46.

유도관(46)은 분사구(45)와 동일한 각도를 유지한 상태에서 몸체부(41)를 지지하는 챔버(1)의 측벽을 관통하여 분사구(45)와 연통되도록 설치되는 것이다.The induction pipe 46 is installed to communicate with the injection hole 45 through the side wall of the chamber 1 supporting the body portion 41 while maintaining the same angle as the injection hole 45.

분사구(45)와 유도관(46)은 도 2의 실시예의 분사구(35)와 유도관(36)과 마찬가지로 다수개가 방사상으로 설치된다.A plurality of injection holes 45 and guide pipes 46 are radially installed, similar to the injection hole 35 and guide pipes 36 of the embodiment of FIG. 2.

한편 유도관(46)의 선단부는 튜닝가스가 웨이퍼(W)의 외측 방향에서 일정 각도로 경사진 상태에서 에지부에 분사되도록 에지부에 인접되게 설치된다.On the other hand, the front end portion of the guide pipe 46 is provided adjacent to the edge portion so that the tuning gas is injected to the edge portion in a state inclined at a predetermined angle in the outer direction of the wafer W.

따라서 튜닝가스는 가스유입구(42)을 통해 유입되어 분배유로(43)를 경유한 후, 다수개의 분사구(45)로 분배되어 유도관(46)을 통해 경사지게 분사됨으로써, 에지부에서의 에칭 균일도를 제어할 수 있게 되는 것이다.Therefore, the tuning gas flows through the gas inlet 42 and passes through the distribution passage 43, and is then distributed to the plurality of injection holes 45 and inclined through the induction pipe 46, thereby improving the uniformity of etching at the edge portion. You can control it.

한편 도 6 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예를 상세히 설명한다.Meanwhile, another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 8.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예의 부분 측면도를, 도 7은 백사이드(backside) 가스인젝터(50)의 사시도를 나타낸 것이고, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예의 부분 측면도를 나타낸 것으로서, 도 1의 실시예의 사이드 가스인젝터(30) 외에는 도 1의 실시예와 동일하므로 변경된 구성에 대해서만 설명한다.FIG. 6 is a partial side view of another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a perspective view of a backside gas injector 50, and FIG. 8 is a partial side view of another embodiment of the present invention. Except for the side gas injector 30 of the embodiment of Fig. 1, the same configuration as that of the embodiment of Fig. 1 will be described.

백사이드 가스인젝터(50)는 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 측면 후측 방향에서 튜닝가스를 화살표(135)와 같이 상향 분사시키는 것으로서, 정전척(20)의 상측부에 외삽되어 고정 설치된다.As shown in FIG. 6, the backside gas injector 50 injects the tuning gas upward in the side rearward direction of the wafer W as shown by the arrow 135, and is extrapolated and fixed to the upper side of the electrostatic chuck 20. Is installed.

또한 백사이드 가스인젝터(50)는 튜닝가스를 분사함과 동시에 정전척(20) 상부에 로딩된 웨이퍼(W) 상부로 플라즈마가 집중될 수 있게 할 뿐 아니라, 플라즈마가 정전척(20)에 접촉되어 정전척(20)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 하게 되는 포커스 링 역할도 하게 된다.In addition, the backside gas injector 50 not only allows the plasma to be concentrated on the wafer W loaded on the electrostatic chuck 20 at the same time as injecting the tuning gas, and the plasma contacts the electrostatic chuck 20. It also serves as a focus ring that serves to prevent the electrostatic chuck 20 from being damaged.

따라서 백사이드 가스인젝터(50)는 실리콘이나 수정(quartz) 등의 소재로 구성된 링 형태로 형성되는 것이 바람직하며, 또한 다수의 링이 적층되어 고정되는 포커스 링 어셈블리로 구성될 수도 있을 것이다.Therefore, the backside gas injector 50 may be formed in a ring shape made of a material such as silicon or quartz, and may also be configured as a focus ring assembly in which a plurality of rings are stacked and fixed.

이때 백사이드 가스인젝터(50)의 상부에는 튜닝가스가 상향 분사될 수 있도록 다수개의 분사구(55)가 형성되고 외주면에는 가스유입구(52)가 형성된다.At this time, a plurality of injection holes 55 are formed on the upper side of the backside gas injector 50 so that the tuning gas can be injected upward, and gas inlets 52 are formed on the outer circumferential surface thereof.

여기서 분사구(55)는 튜닝가스가 웨이퍼(W)의 에지부에 근접 분사되도록 에지부에 인접되게 설치되고, 분사구(55)와 가스유입구(52)는 분배유로(53)에 의해 서로 연통되도록 관통 설치된다.Here, the injection hole 55 is installed adjacent to the edge portion such that the tuning gas is injected close to the edge portion of the wafer W, and the injection hole 55 and the gas inlet 52 penetrate to communicate with each other by the distribution passage 53. Is installed.

분배유로(53)는 도 7에 도시된 중공부(59)와 동일 중심을 형성하도록 내부에 관통 설치되며, 이때 분사구(53)는 하단부가 분배유로(53)에 연결 설치되는 것이다.The distribution channel 53 is installed through the inside to form the same center as the hollow portion 59 shown in FIG. 7, and the injection hole 53 is installed at the lower end connected to the distribution channel 53.

분배유로(53)는 도 2,3에 도시된 분배유로(33)와 마찬가지로 백사이드 가스인젝터(50)를 상부와 하부로 분리 형성하여 제작할 수도 있을 것이다.The distribution channel 53 may be manufactured by separating and forming the backside gas injector 50 into upper and lower parts similarly to the distribution channel 33 shown in FIGS. 2 and 3.

따라서 튜닝가스는 화살표(130)와 같이, 가스유입구(52)로 유입된 후, 분배유로(53)를 경유하여 다수개의 분사구(55)로 각각 분배되며, 이 후 화살표(135)와 같이 상향 분사되어 웨이퍼(W)의 에지부에 형성되는 플라즈마의 분포에 영향을 주게 됨으로써, 사용자는 튜닝가스의 유량을 조절하여 웨이퍼(W) 에지부의 식각률이나 CD 균일도 또는 profile을 보다 정밀하게 제어할 수 있게 되는 것이다.Therefore, the tuning gas flows into the gas inlet 52, as shown by arrow 130, and is then distributed to the plurality of injection holes 55 via the distribution channel 53, and then upwardly injected as shown by arrow 135. By affecting the distribution of the plasma formed on the edge of the wafer (W), the user can more precisely control the etching rate, CD uniformity or profile of the wafer (W) edge by adjusting the flow rate of the tuning gas will be.

한편 가스유입구(32,52)는 필요에 따라 하나 또는 둘 이상이 형성될 수 있으며, 외부에 별도로 설치되는 가스공급부(도시하지 않음)와 연결된다.Meanwhile, one or two or more gas inlets 32 and 52 may be formed as needed, and are connected to a gas supply unit (not shown) installed separately from the outside.

도 8에 도시된 백사이드 가스인젝터(60)는 가스유입구(62)가 하향 형성된 것으로서, 도 7에 도시된 백사이드 가스인젝터(50)와는 가스유입구(62)의 위치만 상이하며 그 외 구성은 동일하다.The backside gas injector 60 shown in FIG. 8 has a gas inlet 62 formed downward, and differs from the backside gas injector 50 shown in FIG. 7 only in the position of the gas inlet 62. .

가스유입구(62)는 하나 또는 둘 이상이 하측 방향으로 형성되고, 백사이드 가스인젝터(60)를 지지하는 정전척(20)에는 가스유입구(62)와 연통되도록 가스유입구(62)의 개수에 대응되게 관통로(25)가 형성된다.One or more gas inlets 62 are formed in a downward direction, and the electrostatic chuck 20 supporting the backside gas injector 60 corresponds to the number of gas inlets 62 so as to communicate with the gas inlets 62. The through passage 25 is formed.

이때 정전척(20)의 관통로(25)는 외부에 설치되는 가스공급부와 연결되는 것이다. At this time, the through passage 25 of the electrostatic chuck 20 is connected to the gas supply unit installed outside.

따라서 튜닝가스는 화살표(140)와 같이, 정전척(20)의 관통로(25)를 통과하게 되고, 백사이드 가스인젝터(60)의 가스유입구(62)를 경유하여 분배유로(63)로 이동한 후 다수개의 분사구(65)를 통해 화살표(145)와 같이 상향 분사됨으로써, 웨이퍼(W)의 에지부 주변의 플라즈마 분포를 변화시키게 되는 것이다.Accordingly, the tuning gas passes through the through passage 25 of the electrostatic chuck 20, as shown by the arrow 140, and moves to the distribution passage 63 via the gas inlet 62 of the backside gas injector 60. Afterwards, as shown by an arrow 145 through a plurality of injection holes 65 to change the plasma distribution around the edge of the wafer (W).

따라서 본 발명은 튜닝가스가 사이드 가스인젝터(30,40) 또는 백사이드 가스인젝터(50,60)에 구비되는 분사구(35,45,55,65)를 통해 웨이퍼(W)의 에지부에 근접 분사되도록 함으로써, 튜닝가스의 확산(diffusion) 현상을 최소화하여 에지부의 플라즈마 분포를 효과적으로 제어할 수 있게 되고, 웨이퍼(W)의 에지부에 발생되는 폴리머와 같은 반응 부산물의 제거는 물론 에지부의 외측면 또는 하측부의 에칭 효과를 통해 유기물이나 이물질 등을 제거할 수 있게 되며, 또한 분사구(35,45,55,65)가 웨이퍼(W)의 에지부를 따라 다수개가 방사상으로 설치됨으로써, 튜닝가스가 에지부 전체에 균일하게 분사되게 하여 웨이퍼(W)의 중심부와 에지부에서의 식각률(etch rate) 및 CD 차이를 효과적으로 보상하여 공정시간 단축은 물론 웨이퍼 전체 표면에서의 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 확보할 수 있게 되는 것이다.Therefore, the present invention is such that the tuning gas is injected close to the edge of the wafer (W) through the injection holes (35, 45, 55, 65) provided in the side gas injector (30, 40) or the back side gas injector (50, 60) As a result, the plasma distribution of the edge portion can be effectively controlled by minimizing the diffusion of the tuning gas, and the removal of reaction by-products such as polymer generated in the edge portion of the wafer W, as well as the outer side or the bottom side of the edge portion. Through the negative etching effect, it is possible to remove organic matter, foreign matters, etc. Also, since a plurality of injection holes 35, 45, 55, 65 are radially installed along the edge portion of the wafer W, the tuning gas is applied to the entire edge portion. By uniformly spraying, it effectively compensates the difference between the etch rate and the CD at the center and the edge of the wafer W to shorten the process time and etching uniformity on the entire surface of the wafer. ) Will be able to secure.

이상, 상기의 실시 예는 단지 설명의 편의를 위해 예시로서 설명한 것에 불과하므로 특허청구범위를 한정하는 것은 아니며, 스퍼터(Sputter) 장비나 화학기상증착장비(CVD)와 같은 여타 플라즈마 진공 처리장비에도 모두 적용 가능하다.
As described above, the exemplary embodiments are merely described as examples for convenience of description and are not intended to limit the scope of the claims, and may be applied to other plasma vacuum processing apparatuses such as sputtering equipment and chemical vapor deposition equipment. Applicable

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 챔버 10 : 상부 가스인젝터
20 : 정전척 25 : 관통로
30,40 : 사이드 가스인젝터
31,41 : 몸체부 32,42,52,62 : 가스유입구
33,43,53,63 : 분배유로 15,35,45,55,65 : 분사구
36,46 : 유도관 39,59 : 중공부
50,60 : 백사이드 가스인젝터
110,130,135,140,145 : 화살표
W : 웨이퍼Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1: Chamber 10: Upper gas injector
20: electrostatic chuck 25: through passage
30,40: side gas injector
31,41: Body part 32,42,52,62: Gas inlet
33,43,53,63: Distribution passage 15,35,45,55,65: Injection hole
36,46: guide tube 39,59: hollow part
50,60: Backside Gas Injector
110,130,135,140,145: arrow
W: Wafer

Claims (9)

챔버 상부에서 반응가스를 공급하는 상부 가스인젝터; 및
상기 챔버의 내주면을 따라 다수의 위치에서 튜닝가스가 동시에 분사되도록 다수개의 분사구를 방사상으로 형성하고, 상기 분사구의 단부에는 상기 튜닝가스가 상기 챔버 내측에 로딩된 웨이퍼의 에지부에 근접 분사되도록 유도관이 각각 연결 설치되는 사이드 가스인젝터; 를 포함하여 구성하되,
상기 사이드 가스인젝터는 외측부에 가스유입구를 형성하고, 상기 가스유입구가 상기 다수개의 분사구와 연통되도록 분배유로가 내부에 형성되며,
상기 분배유로는 상기 사이드 가스인젝터와 동심원을 형성하도록 내부에 관통 형성되며,
상기 사이드 가스인젝터는 상판과 하판으로 분리 구성되어 결합되도록 한 것을 특징으로 하는 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템.An upper gas injector for supplying a reaction gas from the upper portion of the chamber; And
A plurality of injection holes are formed radially so that the tuning gas is injected simultaneously in a plurality of positions along the inner circumferential surface of the chamber, and at the end of the injection hole, the induction pipe so that the tuning gas is injected close to the edge of the wafer loaded inside the chamber. Side gas injectors which are respectively connected and installed; Including but not limited to
The side gas injector forms a gas inlet at an outer side thereof, and a distribution passage is formed therein so that the gas inlet communicates with the plurality of injection holes.
The distribution flow passage is formed therein to form a concentric circle with the side gas injector,
The gas injection system for etching profile control, characterized in that the side gas injector is configured to be separated into an upper plate and a lower plate. 제 1항에 있어서,
상기 유도관은 선단부가 상기 웨이퍼의 에지부의 상측부에 인접되어 위치하도록 중앙부가 하향 절곡 형성되는 것을 특징으로 하는 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템.The method of claim 1,
The induction pipe is a gas injection system for etching profile control, characterized in that the center portion is bent downward so that the tip portion is located adjacent to the upper side of the edge portion of the wafer. 제1항에 있어서,
상기 유도관은 선단부가 상기 웨이퍼의 에지부 상측부에 인접되도록 설치하되, 상기 튜닝가스가 상기 웨이퍼의 외측 방향에서 에지부에 일정 각도로 분사되도록 하향 경사지게 설치되는 것을 특징으로 하는 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템.The method of claim 1,
The induction pipe is installed so that the front end portion is adjacent to the upper edge portion of the wafer, the inclined downward so that the tuning gas is injected at a predetermined angle in the edge portion in the outer direction of the wafer for etching profile control Gas injection system. 삭제delete 삭제delete 챔버 상부에서 반응가스를 공급하는 상부 가스인젝터; 및
웨이퍼가 로딩되는 정전척의 상측부 외주에 외삽하여 설치되고, 튜닝가스가 상기 웨이퍼의 에지부에 근접되어 상향 분사되도록 상측면에 다수개의 분사구가 이격되어 형성되는 백사이드 가스인젝터; 를 포함하여 구성하되,
상기 백사이드 가스인젝터는 외측부에 가스유입구를 형성하고, 상기 가스유입구가 상기 다수개의 분사구와 연통되도록 분배유로가 내부에 형성되며,
상기 분배유로는 상기 백사이드 가스인젝터와 동심원을 형성하도록 내부에 관통 형성되며,
상기 백사이드 가스인젝터는 상판과 하판으로 분리 구성되어 결합되도록 한 것을 특징으로 하는 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템.An upper gas injector for supplying a reaction gas from the upper portion of the chamber; And
A backside gas injector which is extrapolated to an outer circumference of an upper side of the electrostatic chuck to which the wafer is loaded, and is formed with a plurality of injection holes spaced apart from each other so that the tuning gas is injected upward near the edge of the wafer; Including but not limited to
The backside gas injector forms a gas inlet at an outer side thereof, and a distribution passage is formed therein so that the gas inlet communicates with the plurality of injection holes.
The distribution passage is formed therein to form a concentric circle with the backside gas injector,
The backside gas injector is a gas injection system for etching profile control, characterized in that configured to be separated into a top plate and a bottom plate combined. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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