KR20180003827A - Test method and apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing device. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing device includes: a process chamber having an internal space; a cathodic electrode part receiving first power; an anodic electrode part facing the cathodic electrode part, used to place substrates therein, and receiving second power; an elevating unit elevating the cathodic electrode to remove byproducts on a bevel edge of the substrates and etch the upper surface of the substrates; and a control part controlling the elevating unit. The control part controls the elevating unit to provide a space between substrates placed in the anodic electrode part and the cathodic electrode part during the process of etching the upper surface of the substrates, and controls the elevating unit to remove the space between the substrates placed in the anodic electrode part and the cathodic electrode part during the process of removing the byproducts on the beveled edge of the substrates.

Description

기판 처리 장치 및 방법{TEST METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 샤워 헤드를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 식각 공정과 베벨 공정을 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus including a shower head, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method capable of performing an etching process and a bevel process.

기판, 예를 들어, 반도체 기판 (또는 웨이퍼) 또는 플랫 패널 디스플레이 제조에 사용되는 것과 같은 유리 패널의 처리 시, 종종 플라즈마가 사용된다. 기판 처리 동안, 기판 (또는 웨이퍼) 은 복수의 다이들 또는 직사각형 영역들로 분할된다. 복수의 다이들 각각은 집적 회로가 될 것이다. 이후, 기판은, 재료가 선택적으로 제거 (또는 에칭) 되고 증착되는 일련의 단계들에서 처리된다.Plasma is often used in the processing of substrates, for example, semiconductor substrates (or wafers) or glass panels such as those used in the manufacture of flat panel displays. During substrate processing, the substrate (or wafer) is divided into a plurality of dies or rectangular regions. Each of the plurality of dies will be an integrated circuit. Thereafter, the substrate is processed in a series of steps in which the material is selectively removed (or etched) and deposited.

일반적으로, 기판은 에칭 전에 (포토레지스트 마스크와 같은) 경화된 에멀전의 박막으로 코팅된다. 이후, 경화된 에멀전의 영역이 선택적으로 제거되어, 하부층의 일부가 노출되게 한다. 이후, 기판이 플라즈마 처리 챔버 내의 기판 지지 구조체 상에 위치된다. 적절한 세트의 플라즈마 가스들이 챔버에 도입되고 플라즈마가 생성되어 기판의 노출 영역을 에칭한다. Typically, the substrate is coated with a thin film of a cured emulsion (such as a photoresist mask) prior to etching. The area of the cured emulsion is then selectively removed to expose a portion of the underlying layer. Thereafter, the substrate is placed on the substrate support structure in the plasma processing chamber. A suitable set of plasma gases is introduced into the chamber and a plasma is generated to etch the exposed areas of the substrate.

에칭 프로세스 동안, 에칭 부산물, 예를 들어, 탄소 (C), 산소 (O), 질소 (N), 불소 (F) 등으로 구성된 폴리머가 기판 에지 (또는 베벨 에지) 근처의 상부 및 하부 표면들 상에 종종 형성된다. 에칭 플라즈마 밀도는 일반적으로 기판의 에지 근처에서 더 낮아, 기판 베벨 에지의 상부 및 하부 표면들 상에 폴리머 부산물을 축적시킨다. During the etching process, a polymer composed of etch byproducts such as carbon (C), oxygen (O), nitrogen (N), fluorine (F), etc. is deposited on top and bottom surfaces near the substrate edge ≪ / RTI > The etch plasma density is generally lower near the edge of the substrate, accumulating polymer byproducts on the upper and lower surfaces of the substrate bevel edge.

일반적으로, 기판의 에지 근처, 예를 들어 기판 에지로부터 약 2 mm 내지 약 15 mm에는 다이들이 존재하지 않는다. 그러나, 몇번의 상이한 증착 및 에칭 프로세스들의 결과로서 연속적으로 일부러 증착된 막과 부산물 폴리머 층이 베벨 에지의 상부 및 하부 표면들 상에 증착됨에 따라, 통상적으로 강하고 접착력있는 결합이 후속하는 처리 단계들 동안 결국 약해질 것이다. 베벨 에지 근처에 형성된, 일부러 증착된 막과 폴리머 층은 기판의 이송 동안 종종 다른 기판 상으로 박리되거나 조각조각 떨어져 나간다. 예를 들어, 기판은 보통, 실질적으로 종종 카세트라 지칭되는 용기들을 통해 플라즈마 처리 시스템들 간의 세트들 내에서 이동되며, 이 과정에서 베벨 에지 상의 부산물 및 일부러 증착시킨 막의 파티클 (또는 조각) 이 다이들이 존재하는 더 아래에 있는 기판 위로 떨어져, 잠재적으로 디바이스의 수율에 영향을 끼칠 수도 있다.Generally, there are no dies near the edge of the substrate, for example from about 2 mm to about 15 mm from the substrate edge. However, as a result of several different deposition and etching processes, successively intrinsically deposited films and byproduct polymer layers are deposited on the upper and lower surfaces of the beveled edge, typically strong and adhesive bonds are formed during subsequent processing steps It will eventually weaken. The specifically deposited film and polymer layer formed near the bevel edge often peels off or peels off onto another substrate during transfer of the substrate. For example, a substrate is usually moved in sets between plasma processing systems through vessels, often referred to as cassettes, often in the course of which the by-products on the beveled edge and the particles (or pieces) It may fall above the underlying substrate that is present, potentially affecting the yield of the device.

이와 같이, 기판의 가장자리, 끝단 또는 에지 상의 원하지 않는 폴리머를 제거하는 공정을 베벨 공정(bevel-processing)이라 칭하며, 이와 같은 베벨 공정은 별도의 베벨 장치(bevel etcher)에서 수행하게 된다. 따라서, 기판 식각 장치에서 식각 공정을 마친 기판은 별도의 베벨 장치로 이동해야 하기 때문에 공정 효율이 낮고 기판을 이동시키는 과정에서 주변 장치가 오염되는 문제점이 있다. Thus, the process of removing undesired polymer on the edge, the edge or the edge of the substrate is called bevel-processing, and such a bevel process is performed in a separate bevel etcher. Therefore, the substrate having been subjected to the etching process in the substrate etching apparatus must be moved to a separate bevel apparatus, so that the process efficiency is low and the peripheral device is contaminated during the movement of the substrate.

본 발명은 기판 식각 공정 후 기판의 베벨 에지상의 원하지 않는 폴리머를 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of removing unwanted polymers on a bevel edge of a substrate after a substrate etching process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부 공간이 형성된 공정 챔버; 제1전원이 인가되는 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극과 대향하며, 기판이 안착되고, 제2전원이 인가되는 애노드 전극; 기판 상면의 에칭 처리 및 기판의 베벨 에지 상의 부산물 제거를 위해 상기 캐소드 전극을 승강시키는 승강 유닛; 및 상기 승강 유닛을 제어하는 제어부를 포함하되; 상기 제어부는 기판 상면의 에칭 공정에서는 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극에 안착된 기판 사이의 공간이 제공되도록 상기 승강 유닛을 제어하고, 기판의 베벨 에지상의 부산물을 제거하는 베벨 공정에서는 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극에 안착된 기판 사이의 공간이 제거되도록 상기 승강 유닛을 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber including: a process chamber having an internal space formed therein; A cathode electrode to which a first power source is applied; An anode electrode facing the cathode electrode, on which the substrate is placed, and to which a second power source is applied; An elevating unit for elevating the cathode electrode to etch the upper surface of the substrate and remove by-products on the bevel edge of the substrate; And a control unit for controlling the elevating unit; The control unit controls the elevation unit to provide a space between the cathode electrode and the substrate mounted on the anode electrode in the etching process of the upper surface of the substrate, and in the bevel process for removing the by-products on the bevel edge of the substrate, And a control unit controlling the elevation unit so that a space between the substrates placed on the anode electrode is removed.

또한, 상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 갖는 가스 공급 유닛을 더 포함하고, 상기 캐소드 전극은 상기 가스 공급 유닛에 연통되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 공정 가스를 공급하는 샤워헤드를 포함할 수 있다.The apparatus of claim 1, further comprising: a gas supply unit having a gas supply line for supplying a process gas into the process chamber, the cathode electrode being connected to the gas supply unit to supply the process gas into the process chamber .

또한, 상기 샤워헤드는 기판 상으로 공정 가스를 분사하는 기판 영역과, 기판 외곽으로 공정가스를 분사하는 외곽 영역을 포함하고, 상기 가스 공급 유닛은 상기 기판 영역으로 공정 가스를 공급하는 제1공급라인; 및 상기 외곽 영역으로 공정 가스를 공급하는 제2공급라인들을 포함할 수 있다.The showerhead further includes a substrate region for spraying the process gas onto the substrate and an outer region for spraying the process gas to the substrate periphery, wherein the gas supply unit includes a first supply line ; And second supply lines for supplying process gas to the outer region.

또한, 상기 제어부는 상기 베벨 공정시 상기 외곽 영역으로만 공정가스가 분사되도록 상기 가스 공급 유닛을 제어할 수 있다.In addition, the control unit may control the gas supply unit such that the process gas is injected only into the outer region in the bevel process.

또한, 상기 애노즈 전극은 정전척을 포함할 수 있다.In addition, the anode electrode may include an electrostatic chuck.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상면에 대한 에칭 공정을 진행하는 단계; 및 상기 기판의 베벨 에지상의 부산물을 제거하는 베벨 공정을 진행하는 단계를 포함하되; 상기 에칭 공정과 상기 베벨 공정은 동일한 공정 챔버 내에서 진행되는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: etching an upper surface of a substrate; And performing a bevel process to remove by-products on the beveled edge of the substrate; The etching process and the bevel process may be provided in a substrate processing method that proceeds in the same process chamber.

또한, 상기 에칭 단계는 캐소드 전극과 애노드 전극에 안착된 기판이 서로 이격된 상태에서 진행되고, 상기 베벨 공정은 상기 캐소드 전극을 하강시켜 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극에 안착된 기판이 이격되지 않은 상태에서 진행될 수 있다. In the etching step, the cathode electrode and the substrate mounted on the anode electrode are separated from each other. In the beveling process, the cathode electrode is lowered so that the substrate placed on the cathode electrode and the anode electrode is not separated Lt; / RTI >

또한, 상기 에칭 단계에서는 상기 기판 상의 영역과 상기 기판 외곽의 영역 모두에 공정 가스를 공급하고, 상기 베벨 공정에서는 상기 기판 외곽 영역으로만 공정 가스를 공급할 수 있다. Further, in the etching step, a process gas is supplied to both the area on the substrate and the area outside the substrate, and in the bevel process, the process gas can be supplied only to the substrate outer area.

본 발명의 실시예에 의하면, 동일 공정 챔버 내에서 기판에 대한 에칭 공정과 베벨 공정을 연속적으로 수행할 수 있어 공정 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the etching process and the bevel process for the substrate can be continuously performed in the same process chamber, thereby improving the process efficiency.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 샤워 헤드를 저면에서 바라본 도면이다.
도 3은 샤워 헤드의 체결 상태가 정상인 경우의 가스 공급 상태를 보여주는 도면이다.
도 4는 샤워 헤드의 체결 상태가 비정상인 경우의 가스 공급 상태를 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view of the shower head of FIG. 1 viewed from the bottom.
3 is a view showing a gas supply state when the state of the shower head is normal.
4 is a view showing a gas supply state in the case where the state of engagement of the shower head is abnormal.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 그 상부에 놓여진 기판을 가열하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. In the embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for cleaning a substrate by using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, but is applicable to various kinds of apparatuses for heating a substrate placed thereon.

또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다. In the embodiment of the present invention, an electrostatic chuck is described as an example of a supporting unit. However, the present invention is not limited to this, and the support unit can support the substrate by mechanical clamping or support the substrate by vacuum.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 나타내는 단면도이고 도 2는 캐소드 전극부와 애노드 전극부를 보여주는 도면이다. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a cathode electrode unit and an anode electrode unit.

기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 본 발명의 실시예에서는 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma)를 이용하여 기판(W)을 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. The substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. In an embodiment of the present invention, an apparatus for etching a substrate W using a capacitive coupled plasma will be described as an example.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 캐소드 전극부(120), 애노드 전극부(130), 가스 공급 유닛(300), 승강 유닛(400) 그리고 제어부(500)를 포함한다.1, the substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a cathode electrode unit 120, an anode electrode unit 130, a gas supply unit 300, a lift unit 400, .

공정 챔버(100)는 내부에 공정 수행을 위한 공간을 가진다. 일 예로, 상기 공정 챔버(110)는 금속 측벽(114)과 금속 베이스(116)를 구비한다. 금속벽(114) 및 금속 베이스(116)는 접지되어 있다. 즉 기준전위에 있다. The process chamber 100 has a space for performing a process inside. In one example, the process chamber 110 includes a metal sidewall 114 and a metal base 116. The metal wall 114 and the metal base 116 are grounded. That is, the reference potential.

금속 베이스(116)에는 배기홀(103)이 형성된다. 배기홀(103)은 라인과 연결된다. 진공 펌프(130)는 배기 라인(132)에 의해 공정 챔버(110)와 연결된다. 진공 펌프(130)는 공정 챔버(110)의 내부를 밀리토르 범위에서 적절한 압력을 유지하도록 배기한다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 배기된다. 따라서, 공정 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다. 또한, 배기 과정에 의해 공정 챔버(100)의 내부공간은 소정 압력으로 감압된다. An exhaust hole 103 is formed in the metal base 116. The exhaust hole 103 is connected to the line. The vacuum pump 130 is connected to the process chamber 110 by an exhaust line 132. The vacuum pump 130 evacuates the interior of the process chamber 110 to maintain a suitable pressure in the millitreole range. The reaction byproducts generated in the process and the gas remaining in the process chamber 100 are exhausted through the exhaust line 121. Thus, it can be discharged to the outside of the process chamber 100. Further, the inner space of the process chamber 100 is reduced in pressure to a predetermined pressure by the exhaust process.

공정 챔버(100)의 측벽에는 개구(미도시됨)가 형성된다. 개구는 공정 챔버(100) 내부로 기판이 출입하는 통로로 기능한다. 개구는 도어 어셈블리(미도시됨)에 의해 개폐된다. 일 예에 의하면, 도어 어셈블리(미도시됨)는 외측 도어, 내측 도어, 그리고 연결판을 가진다. 외측 도어는 공정 챔버의 외벽에 제공된다. 내측 도어는 공정 챔버의 내벽에 제공된다. 외측 도어와 내측 도어는 연결판에 의해 서로 고정 결합된다. 연결판은 개구를 통해 공정 챔버의 내측에서 외측까지 연장되게 제공된다. 도어 구동기는 외측 도어를 상하 방향으로 이동시킨다. 도어 구동기는 유공압 실린더나 모터를 포함할 수 있다.An opening (not shown) is formed in the side wall of the process chamber 100. The opening serves as a passage through which the substrate enters and exits into the process chamber 100. The opening is opened and closed by a door assembly (not shown). According to one example, a door assembly (not shown) has an outer door, an inner door, and a connecting plate. The outer door is provided on the outer wall of the process chamber. The inner door is provided on the inner wall of the process chamber. The outer door and the inner door are fixedly coupled to each other by a connecting plate. The connecting plate is provided extending from the inside to the outside of the process chamber through the opening. The door driver moves the outer door vertically. The door driver may include a hydraulic cylinder or a motor.

캐소드 전극부(120)과 애노드 전극부(130)는 공정 챔버(110) 내부에 서로 대향되게 배치된다. 기판(w)은 공정 챔버의 베이스(116)에 가까운 애노드 전극부(130)에 놓여진다. 애노드 전극부(130)는 기판을 홀딩하는 지지 유닛일 수 있다. 일 예로, 애노드 전극부(130)는 애노드 전극(132)과, 정전기력에 의해 기판을 홀딩하는 정전척(234)을 포함할 수 있다. The cathode electrode unit 120 and the anode electrode unit 130 are disposed inside the process chamber 110 so as to face each other. The substrate w is placed on the anode electrode portion 130 close to the base 116 of the process chamber. The anode electrode unit 130 may be a supporting unit for holding the substrate. For example, the anode electrode unit 130 may include an anode electrode 132 and an electrostatic chuck 234 for holding the substrate by an electrostatic force.

바람직하게 고주파 전원(122)은 매칭 네트워크(124)를 통해 전압을 상기 애노드 전극(132)으로 인가하며, 이에 의해 기판(w)은 고주파전원의 전압에 효과적으로 바이어스되므로, 진공챔버(110)내의 전하 입자들은 기판(w)쪽으로 끌어 당겨진다. The high frequency power supply 122 preferably applies a voltage to the anode electrode 132 through the matching network 124 so that the substrate w is effectively biased to the voltage of the high frequency power supply so that the charge in the vacuum chamber 110 The particles are attracted towards the substrate w.

여기서, 기판은 포토레티클(reticlo: 회로 원판)용 기판, 액정 디스플레이 패널용 기판이나 플라즈마 디스플레이 패널용 기판 등의 표시 패널 기판, 하드 디스크용 기판, 반도체 장치 등의 전자 디바이스용 기판 등을 뜻한다.Here, the substrate means a substrate for a photo reticle, a display panel substrate such as a substrate for a liquid crystal display panel or a substrate for a plasma display panel, a substrate for a hard disk, or a substrate for an electronic device such as a semiconductor device.

애노드 전극부(130)에는 공정 진행 중 기판을 공정 온도로 유지하도록 하는 가열 부재(135) 및 냉각 부재(136)가 제공될 수 있다. 가열 부재(135)는 열선으로 제공될 수 있다. 냉각 부재(136)는 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(135)는 정전 척(134)에 제공되고, 냉각 부재(136)는 애노드 전극부(130)의 베이스(138)에 제공될 수 있다. The anode electrode unit 130 may be provided with a heating member 135 and a cooling member 136 for maintaining the substrate at a processing temperature during the process. The heating member 135 may be provided as a hot wire. The cooling member 136 may be provided as a cooling line through which refrigerant flows. The heating member 135 may be provided on the electrostatic chuck 134 and the cooling member 136 may be provided on the base 138 of the anode electrode unit 130. [

캐소드 전극부(120)는 캐소드 전극(122)과 샤워헤드(124)를 포함할 수 있다. 샤워 헤드(124)는 애노드 전극부(130)과 대향되게 위치되고, 애노드 전극부의 정전척(134)보다 큰 직경으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(124)는 홀(124a)을 가진다. 공정 가스는 홀들(124a)을 통해 분사된다. The cathode electrode unit 120 may include a cathode electrode 122 and a showerhead 124. The showerhead 124 is positioned to face the anode electrode portion 130 and can be provided with a larger diameter than the electrostatic chuck 134 of the anode electrode portion. The showerhead 124 has a hole 124a. The process gas is injected through the holes 124a.

상부 전극(122)은 샤워 헤드(124)의 상부에 제공될 수 있다. 상부 전극(122)은 샤워 헤드(124)와 대향되게 제공되고, 샤워 헤드(124)와 결합된다. 상부 전극(122)은 샤워 헤드(124)와 전기적으로 연결되도록 샤워 헤드(124)에 접촉되게 제공될 수 있다. 샤워헤드(124)는 기판 상으로 공정 가스를 분사하는 기판 영역(X1)에 형성되는 가스분사홀(124a)들과, 기판 외곽으로 공정가스를 분사하는 외곽 영역(X2)에 형성되는 가스분사홀(124b)들을 포함한다. The upper electrode 122 may be provided on the upper portion of the shower head 124. The upper electrode 122 is provided to face the shower head 124 and is coupled to the shower head 124. The upper electrode 122 may be provided in contact with the showerhead 124 so as to be electrically connected to the showerhead 124. The shower head 124 includes a gas injection hole 124a formed in a substrate region X1 for injecting a process gas onto a substrate and a gas injection hole 124a formed in an outer region X2 for injecting a process gas outside the substrate, (124b).

가스 공급 유닛(300)은 중앙 가스 공급 라인(322) 및 가장자리 가스 공급 라인(324)을 가질 수 있다. 중앙 가스공급 라인(322)은 샤워헤드(422)의 기판 영역(X1)으로 공정 가스를 공급한다. 가장자리 가스 공급 라인(324)은 샤워헤드(422)의 외곽 영역(X2)으로 공정 가스를 공급한다. 분배기(330)는 중앙 가스 공급 라인(322) 및 가장자리 가스 공급 라인(324)로 공급되는 공정 가스의 양을 분배할 수 있다. 공정 가스는 가스 분사홀(124a,124b)들을 통해 공정 챔버 내부로 공급된다. 공정 가스에는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 등과같이 화학적 활성이 없는 불활성기체로부터, 사불화탄소(CF4)를 비롯한 여러 가지 불화탄소 계열들의 가스들이 이용될 수 있다. 본 실시예에서는 옥사이드 식각(oxide etching)을 위해 불화탄소 계열의 가스가 이용될 수 있다. The gas supply unit 300 may have a central gas supply line 322 and an edge gas supply line 324. The central gas supply line 322 supplies process gas to the substrate region X1 of the showerhead 422. The edge gas supply line 324 supplies the process gas to the outer region X2 of the showerhead 422. The distributor 330 may distribute the amount of process gas supplied to the central gas supply line 322 and the edge gas supply line 324. The process gas is supplied into the process chamber through the gas injection holes 124a and 124b. Various gaseous fluorocarbon gases, including carbon tetrafluoride (CF4), can be used as the process gas from an inert gas having no chemical activity such as helium (He), neon (Ne) In this embodiment, fluorocarbon-based gas may be used for oxide etching.

승강 유닛(400)은 캐소드 전극부(120)를 승강시킨다. 승강 유닛(400)은 공정 챔버(100) 상부에 설치될 수 있다. 일 예로, 승강 유닛(400)은 유압 실린더 방식의 직선 구동 장치일 수 있다. The lifting unit 400 moves the cathode electrode unit 120 up and down. The lift unit 400 may be installed above the process chamber 100. For example, the lift unit 400 may be a hydraulic drive cylinder type linear drive device.

제어부(500)는 승강 유닛(400)을 제어한다. 제어부(500)는 기판 상면의 에칭 공정에서 캐소드 전극부(120)와 애노드 전극부(130)에 안착된 기판(w) 사이의 공간이 제공되도록 승강 유닛(400)을 제어할 수 있다. 또한, 제어부(500)는 기판의 베벨 에지상의 부산물을 제거하는 베벨 공정에서 캐소드 전극부(120)와 애노드 전극부(130)에 안착된 기판(w) 사이의 공간이 제거되도록 승강 유닛(400)을 제어할 수 있다.The control unit 500 controls the elevation unit 400. The control unit 500 may control the lift unit 400 to provide a space between the cathode electrode unit 120 and the substrate w mounted on the anode electrode unit 130 in the etching process of the upper surface of the substrate. The control unit 500 controls the lift unit 400 so that the space between the cathode electrode unit 120 and the substrate w mounted on the anode electrode unit 130 is removed in a beveling process for removing the by- Can be controlled.

또한, 제어부(500)는 에칭 공정시 샤워헤드(124)가 기판 영역(X1)과 외곽의 영역(X2) 모두에서 공정 가스를 분사하도록 가스 공급 유닛(300)을 제어하며, 베벨 공정시에는 샤워헤드(124)가 외곽 영역(X2)에서만 공정 가스를 분사하도록 가스 공급 유닛(300)을 제어할 수 있다. The control unit 500 controls the gas supply unit 300 so that the shower head 124 injects the process gas in both the substrate region X1 and the outer region X2 during the etching process, The gas supply unit 300 can be controlled so that the head 124 injects the process gas only in the outer region X2.

도 3은 본 발명의 에칭 공정 상태를 보여주는 도면이고, 도 4는 베벨 공정 상태를 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a view showing a state of an etching process of the present invention, and FIG. 4 is a view showing a bevel process.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에서의 기판 처리 방법은 에칭 공정과 베벨 공정을 포함한다. 에칭 공정은 기판 상면에 대한 에칭을 진행하고, 베벨 공정은 기판의 베벨 에지상의 부산물(폴리머)을 제거하는 공정을 진행한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the substrate processing method of the present invention includes an etching process and a bevel process. The etching process proceeds to the top surface of the substrate and the bevel process proceeds to remove the by-products (polymer) on the bevel edge of the substrate.

여기서, 에칭 공정과 베벨 공정은 동일한 공정 챔버 내에서 진행된다. Here, the etching process and the bevel process proceed in the same process chamber.

도 3에서와 같이, 에칭 단계는 캐소드 전극부(120)와 애노드 전극부(130)에 안착된 기판(W)이 서로 이격된 상태에서 샤워헤드(124)는 기판 영역(X1)과 외곽의 영역(X2) 모두에서 공정 가스를 분사하며 진행한다.3, in the etching step, the showerhead 124 is divided into the substrate region X1 and the outer region (not shown) in a state where the cathode electrode portion 120 and the substrate W mounted on the anode electrode portion 130 are separated from each other, (X2). ≪ / RTI >

베벨 공정은 에칭 단계를 완료한 후 캐소드 전극부(120)를 하강시켜 캐소드 전극부(120)와 애노드 전극부(130)에 안착된 기판(W)이 이격되지 않은 상태에서 샤워헤드(124)는 기판 외곽 영역(X2)으로만 공정 가스를 분사하며 진행한다. In the beveling process, after the etching step is completed, the cathode electrode unit 120 is lowered so that the showerhead 124 is not separated from the substrate W placed on the cathode electrode unit 120 and the anode electrode unit 130 And the process gas is sprayed only to the substrate outer region X2.

베벨 공정은 캐소드 전극부(120)와 기판(W) 사이의 간격이 없고, 기판 상부로 공정가스가 제공되지 않기 때문에 기판 상부에 플라즈마가 생성되지 않고 기판 외곽에만 플라즈마가 생성되면서 기판의 베벨 에지상의 폴리머를 제거할 수 있게 된다. In the beveling process, since there is no gap between the cathode electrode portion 120 and the substrate W, plasma is not generated on the substrate because plasma is generated on the bevel edge of the substrate, The polymer can be removed.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100 : 공정 챔버 120 : 캐소드 전극부
130 : 애노드 전극부 300 : 가스 공급 유닛
400 : 승강 유닛 500 : 제어부 100: Process chamber 120: Cathode electrode part
130: anode electrode part 300: gas supply unit
400: lift unit 500: control unit

Claims (8)

내부 공간이 형성된 공정 챔버;
제1전원이 인가되는 캐소드 전극부;
상기 캐소드 전극부와 대향하며, 기판이 안착되고, 제2전원이 인가되는 애노드 전극부;
기판 상면의 에칭 처리 및 기판의 베벨 에지 상의 부산물 제거를 위해 상기 캐소드 전극을 승강시키는 승강 유닛; 및
상기 승강 유닛을 제어하는 제어부를 포함하되;
상기 제어부는
기판 상면의 에칭 공정에서는 상기 캐소드 전극부와 상기 애노드 전극부에 안착된 기판 사이의 공간이 제공되도록 상기 승강 유닛을 제어하고, 기판의 베벨 에지상의 부산물을 제거하는 베벨 공정에서는 상기 캐소드 전극부와 상기 애노드 전극부에 안착된 기판 사이의 공간이 제거되도록 상기 승강 유닛을 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber in which an inner space is formed;
A cathode electrode portion to which a first power source is applied;
An anode electrode portion facing the cathode electrode portion, on which a substrate is mounted, to which a second power source is applied;
An elevating unit for elevating the cathode electrode to etch the upper surface of the substrate and remove by-products on the bevel edge of the substrate; And
And a control unit for controlling the elevating unit;
The control unit
In the etching process of the upper surface of the substrate, the elevation unit is controlled to provide a space between the cathode electrode unit and the anode electrode unit. In the bevel process for removing the by-products on the bevel edge of the substrate, And a control unit controlling the elevating unit so that a space between the substrates placed on the anode electrode unit is removed. 제 1 항에 있어서,
상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 갖는 가스 공급 유닛을 더 포함하고,
상기 캐소드 전극부는 상기 가스 공급 유닛에 연통되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 공정 가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a gas supply unit having a gas supply line for supplying a process gas into the process chamber,
And the cathode electrode portion includes a showerhead communicating with the gas supply unit and supplying the process gas into the process chamber. 제 2 항에 있어서,
상기 샤워헤드는
기판 상으로 공정 가스를 분사하는 기판 영역과, 기판 외곽으로 공정가스를 분사하는 외곽 영역을 포함하고,
상기 가스 공급 유닛은
상기 기판 영역으로 공정 가스를 공급하는 제1공급라인; 및
상기 외곽 영역으로 공정 가스를 공급하는 제2공급라인들을 포함하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The showerhead
A substrate region for spraying the process gas onto the substrate, and an outer region for spraying the process gas to the substrate periphery,
The gas supply unit
A first supply line for supplying a process gas to the substrate region; And
And second supply lines for supplying a process gas to the outer area. 제 3 항에 있어서,
상기 제어부는
상기 베벨 공정시 상기 외곽 영역으로만 공정가스가 분사되도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The control unit
And controls the gas supply unit such that the process gas is injected only to the outer region in the bevel process. 제 1 항에 있어서,
상기 애노즈 전극부는 정전척을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the anode electrode portion includes an electrostatic chuck. 기판 상면에 대한 에칭 공정을 진행하는 단계; 및
상기 기판의 베벨 에지상의 부산물을 제거하는 베벨 공정을 진행하는 단계를 포함하되;
상기 에칭 공정과 상기 베벨 공정은 동일한 공정 챔버 내에서 진행되는 기판 처리 방법.Conducting an etching process on the upper surface of the substrate; And
Performing a bevel process to remove by-products on the beveled edge of the substrate;
Wherein the etching process and the bevel process are performed in the same process chamber. 제 6 항에 있어서,
상기 에칭 단계는
캐소드 전극부와 애노드 전극부에 안착된 기판이 서로 이격된 상태에서 진행되고,
상기 베벨 공정은
상기 캐소드 전극부를 하강시켜 상기 캐소드 전극부와 상기 애노드 전극부에 안착된 기판이 이격되지 않은 상태에서 진행되는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
The etching step
The cathode and anode substrates are separated from each other,
The beveling process
Wherein the cathode electrode portion is lowered so that the cathode electrode portion and the anode electrode portion are not separated from each other. 제 7 항에 있어서,
상기 에칭 단계에서는
상기 기판 상의 영역과 상기 기판 외곽의 영역 모두에 공정 가스를 공급하고,
상기 베벨 공정에서는
상기 기판 외곽 영역으로만 공정 가스를 공급하는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
In the etching step
Supplying a process gas to both an area on the substrate and an area outside the substrate,
In the beveling process
Wherein the process gas is supplied only to the substrate outer region.
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