KR20090085719A - Wafer back cleaning device and method - Google Patents

Wafer back cleaning device and method Download PDF

Info

Publication number
KR20090085719A
KR20090085719A KR1020080011452A KR20080011452A KR20090085719A KR 20090085719 A KR20090085719 A KR 20090085719A KR 1020080011452 A KR1020080011452 A KR 1020080011452A KR 20080011452 A KR20080011452 A KR 20080011452A KR 20090085719 A KR20090085719 A KR 20090085719A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
edge
upper electrode
electrode
insulating ring
Prior art date
Application number
KR1020080011452A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101435973B1 (en
Inventor
서영수
Original Assignee
(주)소슬
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)소슬 filed Critical (주)소슬
Priority to KR1020080011452A priority Critical patent/KR101435973B1/en
Publication of KR20090085719A publication Critical patent/KR20090085719A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101435973B1 publication Critical patent/KR101435973B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H01J37/32385—Treating the edge of the workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Abstract

An apparatus and a method for cleaning a rear surface of a wafer are provided to regularly maintain a residual time of plasma generated between a wafer and an electrode by forming a plurality of exhaust holes according to a circumference of a wafer holder. A top electrode(200) is arranged inside a chamber(100). The top electrode sprays a gas on a wafer loaded inside the chamber. The top electrode includes an attaching prevention member, an insulation ring, and a cover ring. The attaching prevention member is formed in a bottom edge of the top electrode. The cover ring is arranged in a bottom part of the insulation ring. At least one or more wafer supporting rods(300) support the wafer. A wafer holder(400) supports an edge of the wafer. A bottom electrode(500) has a gap with a bottom part of the wafer. The bottom electrode sprays a gas on a rear surface of the wafer.

Description

웨이퍼 후면 크리닝 장치 및 방법{Wafer back cleaning device and method}Wafer back cleaning device and method

본 발명은 웨이퍼 크리닝 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 전면 에지부와 후면을 동시에 식각할 수 있어 효율성이 향상되고, 플라즈마의 강도를 조절하여 웨이퍼의 후면을 부분별로 다르게 식각 함과 아울러 웨이퍼와 전극 사이에 발생하는 플라즈마의 잔류 시간을 일정하게 유지할 수 있어 웨이퍼 가공면이 균일하며, 전극과 웨이퍼가 부착되는 것을 방지하여 웨이퍼의 파손을 방지하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning apparatus and method, and in particular, the front edge and back of the wafer can be simultaneously etched to improve efficiency, and to adjust the intensity of the plasma to etch the back side of the wafer differently, and The present invention relates to a wafer backside cleaning apparatus and method which can maintain a constant residence time of plasma generated between electrodes, thereby making the wafer processing surface uniform, and preventing breakage of the wafer by preventing adhesion of the electrode and the wafer.

일반적으로 웨이퍼 가공장비는 웨이퍼의 전면에 박막을 증착하고 식각하여 소정 패턴을 가진 소자를 제조한다. 즉, 증착 장비를 이용하여 웨이퍼의 전면에 박막을 증착·형성하고, 증착 공정 및 식각 공정 시 부착되는 파티클을 제거하기 위해 식각 장비로 박막의 일부를 식각하여 박막이 소정 패턴을 갖도록 제작하였다.In general, a wafer processing equipment manufactures a device having a predetermined pattern by depositing and etching a thin film on a front surface of a wafer. That is, a thin film is deposited and formed on the entire surface of the wafer using a deposition apparatus, and a portion of the thin film is etched with an etching apparatus to remove particles attached during the deposition process and the etching process, so that the thin film has a predetermined pattern.

주지된 바와 같이, 용제나 린스에 웨이퍼를 침적하여 웨이퍼 표면에 부착된 파티클을 제거하는 식각 기법에는, 불산 액체를 사용하는 습식 식각 (웨트 에칭)과 4불화 메탄 (tetrafluoromethane) 등의 가스를 사용하는 건식 식각 (드라이 에칭)이 있다.As is well known, in etching techniques in which a wafer is deposited in a solvent or rinse to remove particles adhering to the wafer surface, wet etching (wet etching) using hydrofluoric acid liquid and gases such as tetrafluoromethane are used. Dry etching (dry etching).

습식 식각은 웨이퍼 표면에 도포 되는 포토 레지스트층을 제거하는데 효과적으로 활용되고 있으나, 공정 관리가 어렵고 세정액에 소요되는 비용 등 운전비용이 고가일 뿐만 아니라 런 타임이 길어 생산성이 좋지 않기 때문에 현재는 플라즈마를 이용한 건식 식각이 널리 시행되고 있다.Although wet etching is effectively used to remove the photoresist layer applied to the wafer surface, it is difficult to manage the process and the operating cost such as the cost of the cleaning solution is not only expensive but also the productivity is not good because of the long run time. Dry etching is widely practiced.

상기와 같은 종래의 플라즈마 식각 장비에 관해서는 출원번호 10-2005-0101872호에 개시되어 있다.Conventional plasma etching equipment as described above is disclosed in Korean Patent Application No. 10-2005-0101872.

도 1에 도시된 종래기술의 구성을 살펴보면, 플라즈마 식각 장비는, 진공 챔버(100) 내에 상부 전극부(110)와 상기 상부 전극부(110)와 대향 위치하고 반도체 웨이퍼(기판: 120)가 안착되는 하부 전극부(126)를 구비한다. 하부 전극부(126)는 전원이 인가되는 하부 전극(128)과, 정전척(130)으로 구성된다.Referring to the configuration of the prior art illustrated in FIG. 1, the plasma etching apparatus may be disposed to face the upper electrode 110 and the upper electrode 110 in the vacuum chamber 100, and the semiconductor wafer 120 may be seated thereon. The lower electrode part 126 is provided. The lower electrode unit 126 includes a lower electrode 128 to which power is applied and an electrostatic chuck 130.

즉, 상부 전극부가 반응가스를 분사하고 전극에 의해 발생된 플라즈마로 웨이퍼 전면을 식각할 수 있도록 한 구성이다.That is, the upper electrode unit is configured to inject the reaction gas and to etch the entire surface of the wafer with the plasma generated by the electrode.

그러나 이러한 식각 공정은 웨이퍼의 전면만을 식각하는 구성으로, 웨이퍼의 후면에는 증착 공정 또는 식각 공정 시 발생하는 파티클이 제거되지 않은 채 잔류하게 되고, 이러한 파티클은 후속 공정에서 웨이퍼를 휘게 하거나 웨이퍼의 정렬을 어렵게 하는 등의 문제점을 야기한다.However, this etching process is to etch only the front surface of the wafer, the particle of the deposition or etching process remaining on the back side of the wafer without removal, these particles will bend the wafer in the subsequent process or alignment of the wafer Causes problems such as difficulty.

또한, 웨이퍼 에지부의 식각이 원활히 이루어지지 않아 에지부에 증착된 파티클이 회로에 영향을 주고, 플라즈마의 배출이 원활히 이루어지지 않아 웨이퍼의 식각 면이 균일하지 않게 되며, 챔버 내에 발생되는 플라즈마에 의해 상부 전극부 에 웨이퍼가 부착될 염려가 있다.In addition, since the wafer edge portion is not etched smoothly, the particles deposited on the edge portion affect the circuit, and the plasma is not discharged smoothly, so that the etching surface of the wafer is not uniform. There is a risk that the wafer will be attached to the electrode.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼의 전면 에지부와 후면을 동시에 식각할 수 있고, 플라즈마의 강도를 조절하여 웨이퍼의 후면을 부분별로 다르게 식각 함과 아울러 웨이퍼와 전극 사이에 발생하는 플라즈마의 잔류 시간을 일정하게 유지할 수 있으며, 전극과 웨이퍼가 부착되는 것을 방지하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, it is possible to etch the front edge and the back of the wafer at the same time, by controlling the intensity of the plasma to etch the back of the wafer differently by part and also generated between the wafer and the electrode It is an object of the present invention to provide a wafer backside cleaning apparatus and method which can maintain a constant residence time of a plasma and prevent adhesion of electrodes and wafers.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 챔버와; 상기 챔버 내에 구비되고, 챔버 내에 로딩된 웨이퍼에 가스를 분사하는 상부전극과; 상기 상부전극과 이격되어 상기 웨이퍼를 지지하는 적어도 하나 이상의 웨이퍼 지지대와; 상기 웨이퍼 지지대에 지지된 상기 웨이퍼의 가장자리를 지지하여 상기 웨이퍼를 상기 상부전극과 간극을 가지도록 상승시키는 웨이퍼 홀더와; 상기 웨이퍼 홀더에 지지된 상기 웨이퍼의 하부와 간극을 가지고, 상기 웨이퍼의 후면에 가스를 분사하는 하부전극; 으로 이루어짐을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention, the chamber; An upper electrode provided in the chamber and injecting gas into a wafer loaded in the chamber; At least one wafer support spaced apart from the upper electrode to support the wafer; A wafer holder for supporting an edge of the wafer supported by the wafer support to lift the wafer to have a gap with the upper electrode; A lower electrode having a gap with a lower portion of the wafer supported by the wafer holder and injecting a gas to a rear surface of the wafer; Characterized in that made.

또한, 웨이퍼를 챔버 내로 로딩하는 제1단계; 상기 웨이퍼를 상기 챔버 내에 고정된 웨이퍼 지지대의 상부에 안착시키는 제2단계; 상기 웨이퍼 지지대에 안착된 상기 웨이퍼의 가장자리를 웨이퍼 홀더로 지지하여 상부전극과 간극이 유지되도록 상기 웨이퍼를 상승시키는 제3단계; 상기 웨이퍼 홀더에 지지된 웨이퍼와 간격을 갖도록 하부전극을 상부로 상승시키는 제4단계; 상기 하부전극과 상기 상부전극 사 이에 이격 배치된 상기 웨이퍼의 전면 에지부 및 후면을 플라즈마로 식각하는 제5단계; 상기 하부전극이 식각을 마치고 하강하는 제6단계; 상·하부전극 사이에서 전면 에지부 및 후면이 가공된 웨이퍼가 웨이퍼 홀더의 하강에 의해 웨이퍼 지지대에 안착 되는 제7단계; 상기 웨이퍼 홀더를 상기 챔버 외부로 언로딩하는 제8단계; 로 이루어짐을 특징으로 한다.In addition, a first step of loading the wafer into the chamber; A second step of seating the wafer on top of a wafer support fixed in the chamber; A third step of raising the wafer to support the edge of the wafer seated on the wafer support with a wafer holder to maintain a gap with an upper electrode; A fourth step of raising the lower electrode upwardly to be spaced apart from the wafer supported by the wafer holder; A fifth step of etching a front edge and a rear surface of the wafer disposed between the lower electrode and the upper electrode with plasma; A sixth step of lowering the lower electrode after etching; A seventh step in which the wafer having the front edge and the rear surface processed between the upper and lower electrodes is seated on the wafer support by lowering the wafer holder; An eighth step of unloading the wafer holder out of the chamber; Characterized in that made.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 크리닝 장치 및 방법은, 웨이퍼의 전면 에지부와 후면을 동시에 식각함으로써 효율성이 향상되고, 플라즈마의 강도를 조절하여 웨이퍼의 후면을 부분별로 다르게 식각 함과 아울러 웨이퍼와 전극 사이에 발생하는 플라즈마의 잔류 시간을 일정하게 유지하여 웨이퍼 가공면이 균일도를 높이며, 전극과 웨이퍼가 부착되는 것을 방지함으로써 웨이퍼의 파손을 방지하는 효과가 있다.As described above, in the wafer backside cleaning apparatus and method according to the present invention, the efficiency is improved by simultaneously etching the front edge and the back side of the wafer, and the intensity of the plasma is controlled to etch the back side of the wafer differently. By maintaining a constant residence time of the plasma generated between the wafer and the electrode to increase the uniformity of the wafer processing surface, it is effective to prevent the breakage of the wafer by preventing the electrode and the wafer is attached.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 처리장치의 전체 구성도, 도 3은 도 2에 따른 웨이퍼가 투입되어 웨이퍼 지지대에 안착 되는 상태를 도시한 도면, 도 4는 도 2에 따른 웨이퍼 홀더가 웨이퍼를 작업 위치로 상승시키는 상태를 도시한 도면, 도 5는 도 2에 따른 하부전극이 상승하여 웨이퍼의 후면을 플라즈마 처리하는 상태를 도시한 도면이다.2 is an overall configuration diagram of a wafer backside processing apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a view illustrating a state in which a wafer according to FIG. 2 is placed and seated on a wafer support. FIG. 4 is a wafer holder of FIG. FIG. 5 is a view illustrating a state in which the lower electrode according to FIG. 2 is raised to perform plasma treatment on the rear surface of the wafer.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 후면 크리닝 장치 및 방법은, 챔버(100)와; 상기 챔버(100) 내에 구비되고, 챔버(100) 내에 로딩된 웨이퍼(S)에 가스를 분사하는 상부전극(200)과; 상기 상부전극(200)과 이격되어 상기 웨이퍼(S)를 지지하는 적어도 하나 이상의 웨이퍼 지지대(300)와; 상기 웨이퍼 지지대(300)에 지지된 상기 웨이퍼(S)의 가장자리를 지지하여 상기 웨이퍼(S)를 상기 상부전극(200)과 간극을 가지도록 상승시키는 웨이퍼 홀더(400)와; 상기 웨이퍼 홀더(400)에 지지된 상기 웨이퍼(S)의 하부와 간극을 가지고, 상기 웨이퍼(S)의 후면에 가스를 분사하는 하부전극(500);으로 이루어진다.As shown in these figures, a wafer backside cleaning apparatus and method in accordance with a preferred embodiment of the present invention comprises: a chamber (100); An upper electrode provided in the chamber 100 and injecting gas into the wafer S loaded in the chamber 100; At least one wafer support 300 spaced apart from the upper electrode 200 to support the wafer S; A wafer holder 400 supporting an edge of the wafer S supported by the wafer support 300 to raise the wafer S to have a gap with the upper electrode 200; And a lower electrode 500 having a gap with a lower portion of the wafer S supported by the wafer holder 400 and injecting a gas to the rear surface of the wafer S.

또한, 웨이퍼(S)를 챔버(100) 내로 로딩하는 제1단계; 상기 웨이퍼(S)를 상기 챔버(100) 내에 고정된 웨이퍼 지지대(300)의 상부에 안착시키는 제2단계; 상기 웨이퍼 지지대(300)에 안착된 상기 웨이퍼(S)의 가장자리를 웨이퍼 홀더(400)로 지지하여 상부전극(200)과 간극이 유지되도록 상기 웨이퍼(S)를 상승시키는 제3단계; 상기 웨이퍼 홀더(400)에 지지된 웨이퍼와 간격을 갖도록 하부전극(500)을 상부로 상승시키는 제4단계; 상기 하부전극(500)과 상기 상부전극(200) 사이에 이격 배치된 상기 웨이퍼(S)의 전면 에지부 및 후면을 플라즈마(P)로 식각하는 제5단계; 상기 하부전극(500)이 식각을 마치고 하강하는 제6단계; 상·하부전극(200, 500) 사이에서 전면 에지부 및 후면이 가공된 웨이퍼(S)가 웨이퍼 홀더(400)의 하강에 의해 웨이퍼 지지대(300)에 안착 되는 제7단계; 상기 웨이퍼 홀더(400)를 상기 챔버(100) 외부로 언로딩하는 제8단계; 로 이루어진다.In addition, the first step of loading the wafer (S) into the chamber 100; A second step of seating the wafer S on an upper portion of the wafer support 300 fixed in the chamber 100; A third step of raising the wafer S by supporting an edge of the wafer S seated on the wafer support 300 with a wafer holder 400 to maintain a gap with the upper electrode 200; A fourth step of raising the lower electrode 500 to be spaced apart from the wafer supported by the wafer holder 400; A fifth step of etching a front edge portion and a rear surface of the wafer S spaced between the lower electrode 500 and the upper electrode 200 with plasma P; A sixth step of lowering the lower electrode 500 after etching; A seventh step in which the wafer S processed with the front edge and the rear surface between the upper and lower electrodes 200 and 500 is seated on the wafer support 300 by the lowering of the wafer holder 400; An eighth step of unloading the wafer holder 400 to the outside of the chamber 100; Is made of.

본 발명의 웨이퍼 후면 크리닝장치 및 방법은, 웨이퍼(S)의 전면 에지부와 후면에서 증착된 파티클을 식각하기 위한 것이다.The wafer back cleaning apparatus and method of the present invention are for etching particles deposited on the front edge and back of the wafer (S).

상기 챔버(100)는 내부에 공간을 갖는 원통 또는 사각 박스 형상으로 제작될 수 있으며, 상·하 분리되는 구조나 양측으로 분리되는 구조 등을 가질 수 있다.The chamber 100 may be manufactured in a cylindrical or rectangular box shape having a space therein, and may have a structure that is divided up and down or a structure that is separated at both sides.

챔버(100)의 일측에는 웨이퍼(S)가 출입하는 개폐부(110)가 구비되며, 식각 공정 시 발생하는 파티클을 챔버(100) 외부로 배출하기 위한 배기장치(120)가 일측에 구비된다.One side of the chamber 100 is provided with an opening and closing part 110 through which the wafer S enters, and an exhaust device 120 for discharging particles generated during the etching process to the outside of the chamber 100 is provided on one side.

상기 배기장치(120)는 파티클을 배출하는 기능뿐 아니라 챔버(100)의 개폐부(110)를 폐쇄한 상태에서 챔버(100)의 내부를 진공상태로 만드는 기능도 수행할 수 있지만, 배기장치(120)는 배기의 기능만 하고 챔버(100)의 내부를 진공상태로 만드는 별도의 진공수단(미도시)을 따로 구비할 수도 있다.The exhaust device 120 may perform a function of discharging particles as well as a function of vacuuming the inside of the chamber 100 in a state in which the opening / closing unit 110 of the chamber 100 is closed, but the exhaust device 120 ) May be provided with a separate vacuum means (not shown) to function only as the exhaust and to make the interior of the chamber 100 into a vacuum state.

상기 웨이퍼 지지대(300)는 챔버(100)의 내측 하부에 일측이 고정되고 타측이 상기 상부전극(200)의 하부와 간격을 갖도록 연장 형성된다.The wafer support 300 is formed so that one side is fixed to the inner lower portion of the chamber 100 and the other side thereof is spaced apart from the lower portion of the upper electrode 200.

상기 웨이퍼 지지대(300)는 웨이퍼(S)를 안정적으로 지지하기 위하여 적어도 3개 이상이 같은 간격으로 배열되는 것이 바람직하나, 더 많은 수로 구비될 수 있으며, 웨이퍼(S)를 안정적으로 지지하기 위하여 상측 단부를 넓은 평판 형상으로 할 수도 있다.The wafer support 300 is preferably at least three or more arranged at the same interval to stably support the wafer (S), but may be provided in a larger number, the upper side to stably support the wafer (S) The end may be made into a wide flat plate shape.

상기 상부전극(200)은 웨이퍼(S)의 형상에 대응하는 원형 판 형상으로 제작되는 것이 바람직하나, 이에 한정하지 않고 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 또 한, 알루미늄을 아노다이징(anodizing) 처리한 재료나 세라믹 등 다양한 재료를 사용하여 제작될 수 있다.The upper electrode 200 is preferably manufactured in a circular plate shape corresponding to the shape of the wafer S, but is not limited thereto and may be manufactured in various shapes. In addition, the material may be manufactured using various materials such as ceramics or anodized aluminum.

상기 상부전극(200)에는 상부전원부(240)를 통해 전원이 인가되고, 중앙부에 비반응성 가스가, 에지부에 반응성 가스가 각각 외부 가스 공급부(미도시)로부터 공급된다.Power is applied to the upper electrode 200 through the upper power supply unit 240, a non-reactive gas is supplied to the center portion, and a reactive gas is supplied to the edge portion from an external gas supply unit (not shown).

상부전극(200)의 하부로는 상기 비반응성 가스 및 반응성 가스가 분사될 수 있도록 분사 노즐(미도시)이 균일하게 복수로 형성된다.A plurality of spray nozzles (not shown) are uniformly formed under the upper electrode 200 so that the non-reactive gas and the reactive gas may be injected.

여기서, 상기 비반응성 가스는 상부전극(200)의 중앙부에 있는 노즐 부위로부터 웨이퍼의 중앙부에 분사되고, 반응성 가스는 상부전극(200)의 하부 가장자리 노즐 부위로부터 웨이퍼의 에지부에 분사되거나, 상부전극(200)의 외측 테두리를 따라 분사 노즐을 복수로 형성시켜 웨이퍼(S)의 에지부에 반응성 가스를 분사시킬 수도 있다.Here, the non-reactive gas is injected from the nozzle portion in the center of the upper electrode 200 to the center of the wafer, the reactive gas is injected from the lower edge nozzle portion of the upper electrode 200 to the edge of the wafer, or the upper electrode A plurality of spray nozzles may be formed along the outer edge of the 200 to inject the reactive gas into the edge portion of the wafer S. FIG.

상기 반응성 가스에는 CF 4, CHF 4, SF 6, C 2F6 ,C 4F8 등과 같은 불소계 또는 산소계 가스가 포함될 수 있으며, 이 이외에 웨이퍼(S)에 퇴적된 박막이나 파티클 등을 화학적으로 식각할 수 있는 다른 원소를 포함하는 가스도 포함될 수 있다.The reactive gas includes CF 4, CHF 4, SF 6, C 2F6, C 4F8 A fluorine-based or oxygen-based gas may be included, and the like may also include a gas including other elements capable of chemically etching thin films or particles deposited on the wafer S.

아울러, 상기 상부전극(200)의 하부 가장자리에는 원주방향을 따라 부착방지부재(210)를 적어도 하나 이상으로 구비되고, 상부전극(200)의 외측 테두리에는 링 형상의 절연링(220)이 구비되며, 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상으로 링 형상의 커버링(230)이 구비된다. In addition, the lower edge of the upper electrode 200 is provided with at least one attachment preventing member 210 in the circumferential direction, the outer edge of the upper electrode 200 is provided with a ring-shaped insulating ring 220 At least one ring-shaped covering 230 is provided below the insulating ring 220.

상기 부착방지부재(210)는 절연재질을 이용해 소정두께를 갖는 돌기 형상으로 제작된 것으로, 식각 공정 시 챔버(100) 내에 플라즈마(P)가 발생하여 웨이퍼(S)가 상부전극(200)의 하부에 부착되어 웨이퍼(S)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.The adhesion preventing member 210 is formed in a protrusion shape having a predetermined thickness by using an insulating material. In the etching process, plasma P is generated in the chamber 100 so that the wafer S is lower than the upper electrode 200. Attached to the wafer S can be prevented from being damaged.

상기 절연링(220)은 링 형상으로 상부전극(200)의 외부를 감싸는 상태로 부착되어 상부전극(200) 상에 플라즈마(P)를 집중시키기 위한 것으로서, 알루미늄을 아노다이징 처리한 재료나 세라믹 재료 등 다양한 재질을 사용할 수 있다.The insulating ring 220 is attached to surround the outside of the upper electrode 200 in a ring shape to concentrate the plasma P on the upper electrode 200, and includes anodized aluminum, a ceramic material, and the like. Various materials are available.

상기 커버링(230)은 상기 절연링(220)의 하부에 링 형상으로 부착되며, 절연링(220)과 동일한 재질의 절연재를 사용하여 제작하거나 다른 재질을 사용할 수도 있다. The covering 230 is attached to the lower portion of the insulating ring 220 in a ring shape, and may be manufactured using an insulating material of the same material as the insulating ring 220 or may use a different material.

커버링(230)은 상부전극(200)보다 하부로 더 연장된 길이로 형성되어, 식각 공정시 상부전극(200)의 하부와 이격 유지되는 웨이퍼(S)의 외측 테두리를 커버링(230)이 감싸는 상태가 된다.The covering 230 is formed to have a length extending further downward than the upper electrode 200, so that the covering 230 surrounds the outer edge of the wafer S that is spaced apart from the lower portion of the upper electrode 200 during the etching process. Becomes

이때, 상기 커버링(230)의 내측과 인접하는 상부전극(200)의 외부 테두리는 소정 간격이 유지되는 것으로, 이 간격에 웨이퍼(S)의 에지부가 위치되어 상부전극(200)의 하부 가장자리 또는 외측 테두리의 노즐로부터 분사되는 공정가스가 외부로 쉽게 분산되지 않고 웨이퍼(S)의 에지부에 집중적으로 분사된다.In this case, the outer edge of the upper electrode 200 adjacent to the inner side of the covering 230 is maintained at a predetermined interval, and the edge portion of the wafer S is positioned at this interval so that the lower edge or the outer side of the upper electrode 200 is located. The process gas injected from the nozzle of the edge is concentrated in the edge portion of the wafer S without being easily dispersed to the outside.

한편, 상부전극(200)은 내부에 냉각수단(미도시)을 구비할 수 있는데, 이 냉각수단은 상부전극(200)이 일정온도 이상으로 올라가는 것을 방지함으로써 챔 버(100) 내에서 발생한 플라즈마(P)로부터 상부전극(200)을 보호할 수 있다.On the other hand, the upper electrode 200 may be provided with a cooling means (not shown) therein, the cooling means prevents the upper electrode 200 rises above a predetermined temperature by the plasma generated in the chamber ( The upper electrode 200 can be protected from P).

상기 상부전극(200)과 웨이퍼(S) 사이의 간극은 0.1 ~ 0.5mm로 유지하는 것이 바람직하다.Preferably, the gap between the upper electrode 200 and the wafer S is maintained at 0.1 to 0.5 mm.

상기 웨이퍼 홀더(400)는 웨이퍼 지지대(300)의 외부를 감싸는 링 형상으로, 웨이퍼 지지대(300)의 상측 단부보다 아래에 위치하고 있다가 웨이퍼(S)를 상부전극(200)과 이격된 위치로 상승시킨다.The wafer holder 400 has a ring shape surrounding the outside of the wafer support 300, and is located below the upper end of the wafer support 300, and then lifts the wafer S to a position spaced apart from the upper electrode 200. Let's do it.

상기 웨이퍼 홀더(400)는 웨이퍼(S)의 가장자리를 지지할 수 있도록 원형 링 또는 그 밖의 형상으로 제작될 수 있으며, 웨이퍼 홀더(400)의 측벽 부위에는 원주를 따라 복수의 배출공(400a)이 형성되어 있다. 이 배출공(400a)은 웨이퍼(S)와 전극 사이에 발생하는 플라즈마(P)의 잔류 시간을 일정하게 유지할 수 있도록 한다.The wafer holder 400 may be manufactured in a circular ring or other shape to support the edge of the wafer S, and a plurality of discharge holes 400a are formed along the circumference of the sidewall of the wafer holder 400. Formed. The discharge hole 400a makes it possible to keep the residence time of the plasma P generated between the wafer S and the electrode constant.

배출공(400a)은 다양한 형상으로 형성될 수 있고, 웨이퍼 홀더(400)의 원주를 따라 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 웨이퍼 홀더(400)의 원주를 따라 위치별로 다른 형상으로 형성될 수 있다.The discharge hole 400a may be formed in various shapes, may be formed in the same shape along the circumference of the wafer holder 400, and may be formed in different shapes for each position along the circumference of the wafer holder 400.

아울러, 웨이퍼 홀더(400)의 하부 외측으로는 소정길이 연장된 홀더안치부(410)가 형성될 수 있다. 이 홀더안치부(410)의 하부에는 하부구동부(420)로부터 승강되는 하부구동축(420a)이 적어도 하나 이상 연결되어 웨이퍼 홀더(400)가 웨이퍼(S)를 지지한 상태로 승강할 수 있다.In addition, the holder set-up portion 410 extending a predetermined length may be formed on the lower outer side of the wafer holder 400. At least one lower driving shaft 420a, which is lifted and lowered from the lower driving unit 420, may be connected to the lower portion of the holder mounting portion 410, and the wafer holder 400 may be lifted in a state in which the wafer S is supported.

상기 하부전극(500)은 상기 상부전극(200)과 동일하거나 대응되는 형상으로 제작되며, 상기 상부전극(200)과 동일한 재질로 제작하는 것이 바람직하지만 다른 재질과 다른 형상으로 제작할 수도 있다.The lower electrode 500 may be manufactured in the same or corresponding shape as that of the upper electrode 200, and may be manufactured in the same material as the upper electrode 200, but may be manufactured in a different shape from other materials.

하부전극(500)에는 챔버(100)의 외부 또는 내부의 하부전원부(520)를 통해 전원이 인가되며, 챔버(100)의 외부 또는 내부의 가스분배기(530)로부터 공급된 반응성 가스를 상부로 분사하기 위한 가스 분사 노즐(미도시)이 상부에 균일하게 복수로 배열된다. The lower electrode 500 is supplied with power through the lower power supply unit 520 outside or inside the chamber 100, and sprays a reactive gas supplied from the gas distributor 530 outside or inside the chamber 100 to the top. A plurality of gas injection nozzles (not shown) are arranged uniformly on top.

즉, 이 분사 노즐을 통해 반응성 가스를 분사하고, 전원을 인가하여 웨이퍼(S)의 후면을 플라즈마(P)로 식각할 수 있다.That is, the reactive gas may be injected through the injection nozzle, and the back surface of the wafer S may be etched by the plasma P by applying power.

이를 위해, 상기 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 인가되는 주파수 강도를 제어하여 플라즈마(P)의 강도를 제어하는 하부전원부(520)가 구비된다.To this end, a lower power supply unit 520 is provided to control the intensity of the plasma P by controlling the frequency intensity applied to the rear center portion and the edge portion of the wafer S.

하부전원부(520)는 웨이퍼(S)의 후면 중앙부 또는 에지부에 각기 다른 전원을 인가할 수 있도록 저주파전원부(520a)와 고주파전원부(520b)가 각각 구비된다.The lower power source unit 520 is provided with a low frequency power source unit 520a and a high frequency power source unit 520b so as to apply different power to the center portion or the edge portion of the rear surface of the wafer S, respectively.

또한, 가스분배기(530)는 상기 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 각기 다르게 제어하여 플라즈마(P)의 강도를 달리할 수 있도록 한다.In addition, the gas distributor 530 may vary the intensity of the plasma (P) by controlling the amount of reactive gas injected to the central portion and the edge of the rear surface of the wafer (S).

즉, 저주파전원부(520a)와 고주파전원부(520b)로 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 각각 다른 주파수를 인가함과 아울러 가스분배기(530)가 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어함으로써 웨이퍼(S)의 후면이 균일하게 식각될 수 있다.That is, the low frequency power supply unit 520a and the high frequency power supply unit 520b apply different frequencies to the rear center portion and the edge portion of the wafer S, and the gas distributor 530 is applied to the rear center portion and the edge portion of the wafer S. By controlling the amount of reactive gas injected, the rear surface of the wafer S may be uniformly etched.

하부전극(500)의 하부에는 전극구동부(510)에 의해 승강 되는 전극구동축(510a)이 적어도 하나 이상 연결된다. At least one electrode driving shaft 510a, which is lifted by the electrode driver 510, is connected to a lower portion of the lower electrode 500.

이와 같이, 웨이퍼 홀더(400)에 지지되어 상부전극(200)과 일정 간극을 유지 하는 위치에 웨이퍼(S)가 위치하게 되고, 그 다음으로 상부전극(200)이 웨이퍼(S)의 후면과 간격을 갖도록 상승 된 후, 웨이퍼(S)의 전면 에지부와 후면 식각 작업이 동시에 수행된다.As such, the wafer S is positioned at a position supported by the wafer holder 400 to maintain a predetermined gap with the upper electrode 200, and then the upper electrode 200 is spaced apart from the rear surface of the wafer S. After being raised to have a front edge portion and a back side etching operation of the wafer S is performed at the same time.

다시 말해, 종래의 식각 장치들은 웨이퍼(S)의 전면만을 식각할 수 있는 데 비하여, 본 발명의 웨이퍼 후면 크리닝 장치 및 방법은, 식각이 어려운 웨이퍼(S)의 전면 에지부와 웨이퍼(S)의 후면에 증착되는 파티클을 동시에 식각 할 수 있어 매우 효과적이다.In other words, the conventional etching apparatuses can only etch the front surface of the wafer S, whereas the wafer backside cleaning apparatus and method of the present invention are difficult to etch. It is very effective because the particles deposited on the back side can be etched at the same time.

이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 크리닝 장치의 방법을 단계별로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of a wafer backside cleaning apparatus according to the present invention will be described step by step with reference to FIGS. 2 to 5.

제1단계First stage

도 3에 도시된 바와 같이, 전처리를 마친 웨이퍼(S)를 로딩수단으로 챔버(100)의 내측으로 수평 로딩시키는 단계이다. As shown in FIG. 3, the wafer S, which has been pretreated, is horizontally loaded into the chamber 100 by the loading means.

이때, 로딩된 웨이퍼(S)는 후술 될 제2단계의 웨이퍼 지지대(300)와 웨이퍼(S) 중심 부위가 일치된 상태로 이격되어 위치한다.In this case, the loaded wafer S is spaced apart from each other in a state where the wafer support 300 of the second step to be described later and the center portion of the wafer S are matched.

상기 챔버(100)는 내부에 공간을 갖는 원통 또는 사각 박스 형상으로 제작될 수 있으며, 상·하 분리되는 구조나 양측으로 분리되는 구조 등으로 제작될 수 있다.The chamber 100 may be manufactured in a cylindrical or rectangular box shape having a space therein, and may be manufactured in a structure that is divided up and down or a structure that is separated on both sides.

챔버(100)의 일측에는 웨이퍼(S)가 출입할 수 있는 개폐부(110)가 구비되며,식각 공정 시 파티클을 챔버(100) 외부로 배출하기 위한 배기장치(120)가 일측에 구비된다.One side of the chamber 100 is provided with an opening and closing part 110 through which the wafer S can enter and exit, and an exhaust device 120 for discharging particles to the outside of the chamber 100 during an etching process is provided at one side.

상기 배기장치(120)는 파티클을을 배출하는 기능뿐 아니라 챔버(100)의 개폐부(110)를 폐쇄한 상태에서 챔버(100)의 내부를 진공상태로 만드는 기능도 할 수 있지만, 배기장치(120)는 배기의 기능만 하고 챔버(100)의 내부를 진공상태로 만드는 별도의 진공수단(미도시)을 따로 구비할 수도 있다.The exhaust device 120 may not only function to discharge particles, but may also function to make the interior of the chamber 100 in a vacuum state in a state where the opening and closing part 110 of the chamber 100 is closed, but the exhaust device 120 ) May be provided with a separate vacuum means (not shown) to function only as the exhaust and to make the interior of the chamber 100 into a vacuum state.

제2단계2nd step

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(S)를 상기 챔버(100) 내에 고정된 웨이퍼 지지대(300)의 상부에 안착시키는 단계이다.As shown in FIG. 3, the wafer S is mounted on an upper portion of the wafer support 300 fixed in the chamber 100.

상기 웨이퍼 지지대(300)는 챔버(100)의 내측 하부에 일측이 고정되고 타측이 상기 상부전극(200)의 하부와 간격을 갖도록 연장 형성된다.The wafer support 300 is formed so that one side is fixed to the inner lower portion of the chamber 100 and the other side thereof is spaced apart from the lower portion of the upper electrode 200.

상기 웨이퍼 지지대(300)는 웨이퍼(S)를 안정적으로 지지하기 위해서는 적어도 3개 이상이 같은 간격으로 배열되는 것이 바람직하나, 더 많은 수로 구비될 수 있으며, 웨이퍼(S)를 안정적으로 지지하기 위해서 상측 단부를 넓은 평판 형상으로 할 수도 있다.In order to stably support the wafer S, at least three or more wafer supports 300 are preferably arranged at the same interval, but may be provided in a larger number, and the upper side in order to stably support the wafer S. The end may be made into a wide flat plate shape.

제3단계3rd step

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 지지대(300)에 안착된 상기 웨이퍼(S)의 가장자리를 링 형상의 웨이퍼 홀더(400)로 지지하여 상부전극(200)과 간극이 유지되도록 상기 웨이퍼(S)를 상승시키는 단계이다.As shown in FIG. 3, an edge of the wafer S seated on the wafer support 300 is supported by a ring-shaped wafer holder 400 to maintain a gap with the upper electrode 200. Step).

상기 상부전극(200)은 웨이퍼(S)의 형상과 대응되는 원형 판 형상으로 제작하는 것이 바람직하나, 한정하지 않고 다양한 형상으로 제작할 수 있다. 또한, 알루미늄을 아노다이징(anodizing) 처리한 재료나 세라믹 등 다양한 재료를 사용하여 제작할 수 있다.The upper electrode 200 is preferably manufactured in a circular plate shape corresponding to the shape of the wafer S, but may be manufactured in various shapes without being limited. In addition, it can be produced using a variety of materials, such as anodized (anodized) aluminum and ceramics.

상기 상부전극(200)에는 상부전원부(240)를 통해 전원이 인가되고, 중앙부에 비반응성 가스가, 에지부에 반응성 가스가 각각 외부 가스 공급부(미도시)로부터 공급된다.Power is applied to the upper electrode 200 through the upper power supply unit 240, a non-reactive gas is supplied to the center portion, and a reactive gas is supplied to the edge portion from an external gas supply unit (not shown).

상부전극(200)의 하부로는 상기 비반응성 가스 및 반응성 가스가 분사될 수 있도록 분사노즐(미도시)이 균일하게 복수로 형성된다.A plurality of injection nozzles (not shown) are uniformly formed under the upper electrode 200 so that the non-reactive gas and the reactive gas may be injected.

여기서, 상기 비반응성 가스는 상부전극(200)의 중앙부에 있는 노즐 부위로부터 웨이퍼(S)의 중앙부에 분사되고, 반응성 가스는 상부전극(200)의 하부 가장자리 노즐 부위로부터 웨이퍼(S)의 에지부에 분사되거나 상부전극(200)의 외측 테두리를 따라 복수 형성된 분사 노즐로 웨이퍼(S)의 에지부에 반응성 가스가 분사될 수도 있다.Here, the non-reactive gas is injected from the nozzle portion at the center of the upper electrode 200 to the center of the wafer S, and the reactive gas is from the lower edge nozzle portion of the upper electrode 200 to the edge portion of the wafer S. Reactive gas may be injected into the edge portion of the wafer S by the injection nozzle or a plurality of injection nozzles formed along the outer edge of the upper electrode 200.

상기 반응성 가스에는 CF 4, CHF 4, SF 6, C 2F6, C 4F8 등과 같은 불소계 또는 산소계 가스가 포함될 수 있으며, 이 이외에 웨이퍼(S)에 퇴적된 박막이나 파티클 등을 화학적으로 식각시킬 수 있는 다른 원소를 포함하는 가스도 포함될 수 있다.The reactive gas may include a fluorine-based or oxygen-based gas such as CF 4, CHF 4, SF 6, C 2F6, C 4F8, etc., and other chemicals that may chemically etch thin films or particles deposited on the wafer S. Gases containing elements may also be included.

아울러, 상기 상부전극(200)의 하부 가장자리에는 원주방향을 따라 부착방지부재(210)가 적어도 하나 이상 구비되고, 상부전극(200)의 외측 테두리에는 링 형 상의 절연링(220)이 구비되며, 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상으로 링 형상의 커버링(230)이 구비된다. In addition, the lower edge of the upper electrode 200 is provided with at least one attachment preventing member 210 in the circumferential direction, the outer edge of the upper electrode 200 is provided with a ring-shaped insulating ring 220, At least one ring-shaped covering 230 is provided below the insulating ring 220.

상기 부착방지부재(210)는 절연재질을 이용해 소정두께를 갖는 돌기 형상으로 제작된 것으로, 식각 공정 시 챔버(100) 내에 플라즈마(P)가 발생하여 웨이퍼(S)가 상부전극(200)의 하부에 부착되어 웨이퍼(S)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.The adhesion preventing member 210 is formed in a protrusion shape having a predetermined thickness by using an insulating material. In the etching process, plasma P is generated in the chamber 100 so that the wafer S is lower than the upper electrode 200. Attached to the wafer S can be prevented from being damaged.

상기 절연링(220)은 링 형상으로 상부전극(200)의 외측 테두리를 감싸는 상태로 부착되어 상부전극(200) 상에 플라즈마(P)를 집중시키기 위한 것으로, 알루미늄을 아노다이징 처리한 재료나 세라믹 재료 등 다양한 재질을 사용할 수 있다.The insulating ring 220 is attached in a ring shape to surround the outer edge of the upper electrode 200 so as to concentrate the plasma P on the upper electrode 200. The anodized material or ceramic material Various materials can be used.

상기 커버링(230)은 상기 절연링(220)의 하부에 링 형상으로 부착되며, 절연링(220)과 동일한 재질의 절연재를 사용하여 제작하거나 다른 재질을 사용할 수도 있다. The covering 230 is attached to the lower portion of the insulating ring 220 in a ring shape, and may be manufactured using an insulating material of the same material as the insulating ring 220 or may use a different material.

커버링(230)은 상부전극(200)보다 하부로 더 연장된 길이로 형성되어, 식각 공정시 상부전극(200)의 하부와 이격 위치되는 웨이퍼(S)의 외측을 커버링(230)이 감싸는 상태가 된다.The covering 230 is formed to have a length extending further downward than the upper electrode 200, so that the covering 230 surrounds the outer side of the wafer S spaced apart from the lower portion of the upper electrode 200 during the etching process. do.

이때, 상기 커버링(230)의 내측과 인접하는 상부전극(200)의 외부 테두리는 소정 간격이 유지되는 것으로, 이 간격에 웨이퍼(S)의 에지부가 위치되어 상부전극(200)의 하부 가장자리 또는 외측 테두리의 노즐로부터 분사되는 공정가스가 외부로 쉽게 분산되지 않고 웨이퍼(S)의 에지부에 집중적으로 분사된다.In this case, the outer edge of the upper electrode 200 adjacent to the inner side of the covering 230 is maintained at a predetermined interval, and the edge portion of the wafer S is positioned at this interval so that the lower edge or the outer side of the upper electrode 200 is located. The process gas injected from the nozzle of the edge is concentrated in the edge portion of the wafer S without being easily dispersed to the outside.

한편, 상부전극(200)은 내부에 냉각수단(미도시)을 구비할 수 있는데, 이 냉 각수단은 상부전극(200)이 일정온도 이상으로 올라가는 것을 방지함으로써 챔버(100) 내에서 발생한 플라즈마(P)로부터 상부전극(200)을 보호할 수 있다.On the other hand, the upper electrode 200 may be provided with a cooling means (not shown) therein, the cooling means prevents the upper electrode 200 rises above a predetermined temperature by the plasma generated in the chamber ( The upper electrode 200 can be protected from P).

상기 상부전극(200)과 웨이퍼(S) 사이의 간극은 0.1 ~ 0.5mm로 유지하는 것이 바람직하다. Preferably, the gap between the upper electrode 200 and the wafer S is maintained at 0.1 to 0.5 mm.

이때, 웨이퍼 홀더(400)의 하부에는 하부의 홀더구동부(420)에 의해 승하강되는 홀더구동축(420a)이 적어도 하나 이상 연결되어 승강이 가능하다.In this case, at least one holder driving shaft 420a which is lifted and lowered by the lower holder driving unit 420 may be connected to the lower portion of the wafer holder 400.

상기 웨이퍼 홀더(400)는 웨이퍼 지지대(300)의 외부를 감싸는 링 형상으로, 웨이퍼 지지대(300)의 상측 단부보다 아래에 위치하고 있다가 웨이퍼(S)를 상부전극(200)과 이격된 위치로 상승시킨다.The wafer holder 400 has a ring shape surrounding the outside of the wafer support 300, and is located below the upper end of the wafer support 300, and then lifts the wafer S to a position spaced apart from the upper electrode 200. Let's do it.

상기 웨이퍼 홀더(400)는 웨이퍼(S)의 가장자리를 지지할 수 있도록 원형 링 또는 그 밖의 형상으로 제작될 수 있으며, 웨이퍼 홀더(400)의 수직 몸체 부위에는 원주를 따라 복수의 배출공(400a)이 형성되어 있다. 이 배출공(400a)은 웨이퍼(S)와 전극 사이에 발생하는 플라즈마(P)의 잔류 시간을 일정하게 유지할 수 있도록 한다.The wafer holder 400 may be manufactured in a circular ring or other shape to support the edge of the wafer S, and a plurality of discharge holes 400a along the circumference of the vertical body portion of the wafer holder 400. Is formed. The discharge hole 400a makes it possible to keep the residence time of the plasma P generated between the wafer S and the electrode constant.

배출공(400a)은 다양한 형상으로 형성될 수 있고, 웨이퍼 홀더(400)의 원주를 따라 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 웨이퍼 홀더(400)의 원주를 따라 위치별로 다른 형상으로 형성시킬 수도 있다.The discharge hole 400a may be formed in various shapes, may be formed in the same shape along the circumference of the wafer holder 400, and may be formed in different shapes for each position along the circumference of the wafer holder 400.

아울러, 웨이퍼 홀더(400)의 하부 외측으로는 소정길이 연장된 홀더안치부(410)가 형성될 수 있다. 이 홀더안치부(410)의 하부에는 하부구동부(420)로부터 승강되는 하부구동축(420a)가 적어도 하나 이상 연결되어 웨이퍼 홀더(400)가 웨이 퍼(S)를 지지한 상태로 승강 될 수 있다.In addition, the holder set-up portion 410 extending a predetermined length may be formed on the lower outer side of the wafer holder 400. At least one lower driving shaft 420a that is lifted from the lower driving unit 420 may be connected to the lower portion of the holder mounting portion 410 so that the wafer holder 400 may be lifted in a state in which the wafer S is supported.

제4단계4th step

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 홀더(400)에 지지가 된 상기 웨이퍼(S)와 이격된 하부전극(500)이 상부로 상승하여 웨이퍼(S)와 적정 간극을 갖도록 하는 단계이다. As shown in FIG. 4, the lower electrode 500 spaced apart from the wafer S supported by the wafer holder 400 rises upward to have an appropriate gap with the wafer S. Referring to FIG.

상기 하부전극(500)은 상기 상부전극(200)과 동일하거나 대응되는 형상으로 제작하거나 동일한 재질로 제작하는 것이 바람직하지만, 상기 상부전극(200)과 다른 재질 또는 다른 형상으로 제작할 수도 있다.The lower electrode 500 may be manufactured in the same or corresponding shape as the upper electrode 200 or made of the same material. However, the lower electrode 500 may be manufactured in a different material or a different shape from the upper electrode 200.

하부전극(500)에는 챔버(100)의 외부 또는 내부의 하부전원부(520)를 통해 전원이 인가되며, 챔버(100)의 외부 또는 내부의 가스분배기(530)로부터 공급된 반응성 가스를 상부로 분사하기 위한 가스 분사 노즐(미도시)이 상부에 균일하게 복수로 배열된다. The lower electrode 500 is supplied with power through the lower power supply unit 520 outside or inside the chamber 100, and sprays a reactive gas supplied from the gas distributor 530 outside or inside the chamber 100 to the top. A plurality of gas injection nozzles (not shown) are arranged uniformly on top.

즉, 이 분사 노즐을 통해 반응성 가스를 분사하고, 전원을 인가하여 웨이퍼(S)의 후면을 플라즈마(P)로 식각할 수 있다.That is, the reactive gas may be injected through the injection nozzle, and the back surface of the wafer S may be etched by the plasma P by applying power.

이를 위해, 상기 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 인가되는 주파수 강도를 제어하여 플라즈마(P)의 강도를 달리하는 하부전원부(520)가 구비된다.To this end, the lower power supply unit 520 is provided to control the intensity of the frequency applied to the rear center and the edge of the wafer S to change the intensity of the plasma P.

하부전원부(520)는 웨이퍼(S)의 후면 중앙부 또는 에지부에 각기 다른 전원을 인가할 수 있도록 저주파전원부(520a)와 고주파전원부(520b)로 구분되어 각각 구비될 수 있다.The lower power supply unit 520 may be divided into a low frequency power supply unit 520a and a high frequency power supply unit 520b so as to apply different power to the rear center portion or the edge portion of the wafer S.

또한, 가스분배기(530)는 상기 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 각기 다르게 제어하여 플라즈마(P)의 강도를 달리할 수 있도록 한다.In addition, the gas distributor 530 may vary the intensity of the plasma (P) by controlling the amount of reactive gas injected to the central portion and the edge of the rear surface of the wafer (S).

하부전극(500)의 하부에는 전극구동부(510)에 의해 승강 되는 전극구동축(510a)이 적어도 하나 이상 연결된다.At least one electrode driving shaft 510a, which is lifted by the electrode driver 510, is connected to a lower portion of the lower electrode 500.

제5단계5th step

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 하부전극(500)과 상기 상부전극(200) 사이에 이격 배치된 상기 웨이퍼(S)의 전면 에지부 및 후면을 플라즈마(P)로 식각하는 단계이다.As shown in FIG. 5, the front edge and the rear surface of the wafer S, which are spaced apart from the lower electrode 500 and the upper electrode 200, are etched by plasma P. Referring to FIG.

상부전극(200)에 전원을 인가하고 중앙에 비반응성 가스와 에지부에 반응성 가스를 분사함과 아울러 하부전원부(520)이 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 각각 전원을 인가하고 가스를 분사한다. Applying power to the upper electrode 200 and injecting a reactive gas into the non-reactive gas and the edge portion in the center, and the lower power supply 520 is applied to the rear center portion and the edge of the wafer (S), respectively, Spray.

즉, 상부전극(200)과 웨이퍼(S) 사이에서 발생되는 플라즈마(P)로 웨이퍼의 전면 에지부를 식각하고, 하부전극(500)과 웨이퍼 사이에서 발생되는 플라즈마(P)로 웨이퍼(S)의 후면을 식각한다.That is, the front edge of the wafer is etched by the plasma P generated between the upper electrode 200 and the wafer S, and the plasma P generated between the lower electrode 500 and the wafer is used to etch the wafer S. Etch back.

이때, 하부전극(500)은 하부전원부(520)을 통해 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 각각 다른 주파수를 인가하고, 가스분배기(530)를 통해 웨이퍼(S)의 후면 중앙부와 에지부에 각각 다른 양의 반응성 가스를 분사함으로써 웨이퍼(S)의 후면이 균일하게 식각될 수 있다.In this case, the lower electrode 500 applies different frequencies to the rear center portion and the edge portion of the wafer S through the lower power supply 520, and the rear center portion and the edge portion of the rear surface of the wafer S through the gas distributor 530. The back surface of the wafer S may be uniformly etched by spraying different amounts of reactive gas onto the substrate.

제6단계6th step

이하, 제1 내지 제5단계의 역순으로 작동하는 단계로서, 상기와 같이 웨이퍼(S)의 후면 식각 공정을 마치면, 하부전극(500)이 하부구동부(420)에 의해 하강하여 원래 자리로 복귀시키는 단계이다.Hereinafter, as a step of operating in the reverse order of the first to fifth steps, when the back etching process of the wafer S is completed as described above, the lower electrode 500 is lowered by the lower driving part 420 to return to the original position. Step.

제7단계7th Step

상·하부전극(200, 500) 사이에서 전면 에지부와 후면이 가공된 웨이퍼(S)가 웨이퍼 홀더(400)의 하강에 의해 웨이퍼 지지대(300)에 안착되는 단계이다.The wafer S processed with the front edge and the rear surface between the upper and lower electrodes 200 and 500 is seated on the wafer support 300 by the lowering of the wafer holder 400.

제8단계8th step

이후, 진공을 해제하고 개폐수단(11)을 개봉하여 플라즈마(P) 처리된 웨이퍼(S)를 상기 챔버(100) 외부로 언로딩 하는 단계이다.Thereafter, the vacuum is released and the opening / closing means 11 is opened to unload the plasma P-treated wafer S to the outside of the chamber 100.

즉, 웨이퍼 홀더(400)는 웨이퍼 지지대(300)의 아래에 위치하게 되므로, 웨이퍼(S)가 하강하면서 웨이퍼 지지대(300)에 안착 되고, 웨이퍼 홀더(400)만 더 아래로 하강하여 웨이퍼 지지대(300)에 웨이퍼(S)가 안착 된다. That is, since the wafer holder 400 is positioned below the wafer support 300, the wafer S is seated on the wafer support 300 while descending, and only the wafer holder 400 is lowered further to lower the wafer support ( The wafer S is seated on the 300.

이후, 챔버(100)의 개폐부(110)가 개방되고 로딩수단이 상기 웨이퍼(S)를 들어올려 수평으로 챔퍼(100) 외부로 언로딩 한다. Thereafter, the opening and closing part 110 of the chamber 100 is opened, and the loading means lifts the wafer S and unloads it to the outside of the chamfer 100 horizontally.

결과적으로, 웨이퍼(S)의 전면 에지부와 후면을 동시에 식각함으로써 효율성 향상되고, 플라즈마(P)의 강도를 조절하여 웨이퍼(S)의 후면을 부분별로 다르게 식각 함과 아울러 웨이퍼(S)와 전극 사이에 발생하는 플라즈마(P)의 잔류 시간을 일정하게 유지함으로써 웨이퍼(S) 가공면을 균일하게 하며, 전극과 웨이퍼(S)가 부착되는 것을 방지하여 웨이퍼(S)의 파손을 방지할 수 있게 된다.As a result, efficiency is improved by simultaneously etching the front edge and the rear surface of the wafer S, and the back side of the wafer S is etched differently by portions by adjusting the intensity of the plasma P, and the wafer S and the electrode By uniformly maintaining the residence time of the plasma (P) generated between the uniform processing surface of the wafer (S), it is possible to prevent the breakage of the wafer (S) by preventing the attachment of the electrode and the wafer (S). do.

본 발명의 기술적 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 도시한 도면.1 is a view showing a conventional plasma processing apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 처리장치의 전체 구성도.Figure 2 is an overall configuration diagram of the wafer backside processing apparatus according to the present invention.

도 3은 도 2에 따른 웨이퍼가 투입되어 웨이퍼 지지대에 안착 되는 상태를 도시한 도면.3 is a view illustrating a state in which the wafer according to FIG. 2 is inserted and seated on a wafer support.

도 4는 도 2에 따른 웨이퍼 홀더가 웨이퍼를 작업 위치로 상승시키는 상태를 도시한 도면.4 shows a state in which the wafer holder according to FIG. 2 raises the wafer to a working position.

도 5는 도 2에 따른 하부전극이 상승하여 웨이퍼의 후면을 플라즈마 처리하는 상태를 도시한 도면.5 is a view showing a state in which the lower electrode according to FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>  <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

S... 웨이퍼 P... 플라즈마 S ... Wafer P ... Plasma

100... 챔버 110... 개폐부 100 ... chamber 110 ... switchgear

120... 배기장치 200... 상부전극 120 ... exhaust 200 ... upper electrode

210... 부착방지부재 220... 절연링 210 ... Anti-stick member 220 ... Insulation ring

230... 커버링 240... 상부전원부 230 ... covering 240 ... upper power supply

300... 웨이퍼 지지대 400... 웨이퍼 홀더 300 ... Wafer Support 400 ... Wafer Holder

400a... 배출공 410... 홀더안치부 400a ... vent 410 ... holder

420... 홀더구동부 420a... 홀더구동축 420 ... Holder Drive 420a ... Holder Drive Shaft

500... 하부전극 510... 전극구동부 500 ... lower electrode 510 ... electrode driver

510a... 전극구동축 520... 하부전원부 510a ... electrode drive shaft 520 ... lower power supply

520a... 저주파전원부 520b... 고주파전원부 520a ... low frequency power supply 520b ... high frequency power supply

530... 가스분배기 530 ... gas distributor

Claims (22)

챔버(100)와;Chamber 100; 상기 챔버(100) 내에 구비되고, 챔버(100) 내에 로딩된 웨이퍼(S)에 가스를 분사하는 상부전극(200)과;An upper electrode provided in the chamber 100 and injecting gas into the wafer S loaded in the chamber 100; 상기 상부전극(200)과 이격되어 상기 웨이퍼(S)를 지지하는 적어도 하나 이상의 웨이퍼 지지대(300)와;At least one wafer support 300 spaced apart from the upper electrode 200 to support the wafer S; 상기 웨이퍼 지지대(300)에 지지된 상기 웨이퍼(S)의 가장자리를 지지하여 상기 웨이퍼(S)를 상기 상부전극(200)과 간극을 가지도록 상승시키는 웨이퍼 홀더(400)와;A wafer holder 400 supporting an edge of the wafer S supported by the wafer support 300 to raise the wafer S to have a gap with the upper electrode 200; 상기 웨이퍼 홀더(400)에 지지된 상기 웨이퍼(S)의 하부와 간극을 가지고, 상기 웨이퍼(S)의 후면에 가스를 분사하는 하부전극(500);A lower electrode 500 having a gap with a lower portion of the wafer S supported by the wafer holder 400 and injecting a gas to a rear surface of the wafer S; 으로 이루어짐을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.Wafer back cleaning device, characterized in that consisting of. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 하부 가장자리에 원주를 따라 적어도 하나 이상으로 돌기 형상의 부착방지부재(210)와, 상기 상부전극(200)의 외부에는 적어도 하나 이상의 절연링(220)과, 상기 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상의 커버링(230)이 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.At least one protrusion preventing member 210 having a protrusion shape along the circumference of the lower edge, at least one insulating ring 220 outside the upper electrode 200, and at least under the insulating ring 220. Wafer back cleaning device, characterized in that provided with one or more covering (230). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 홀더(400)는,The wafer holder 400, 원주를 따라 다수의 배출공(400a)이 형성됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.Wafer rear cleaning apparatus, characterized in that a plurality of discharge holes (400a) are formed along the circumference. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부 및 에지부에 인가되는 주파수의 강도를 제어하는 저주파전원부(520a) 및 고주파전원부(520b)로 이루어진 하부전원부(520)와,A lower power supply part 520 comprising a low frequency power supply part 520a and a high frequency power supply part 520b for controlling the intensity of the frequency applied to the center part and the edge part of the rear part of the wafer S; 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어하는 가스분배기(530)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.Wafer back cleaning apparatus, characterized in that provided with a gas distributor (530) for controlling the amount of reactive gas injected to the center portion and the edge portion of the wafer (S) rear portion. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3, and 4, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 하부 가장자리에 원주를 따라 적어도 하나 이상으로 돌기 형상의 부착방지부재(210)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.Wafer back cleaning device, characterized in that the lower edge is provided with at least one protrusion preventing member 210 along the circumference. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3, and 4, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 외측 테두리에 적어도 하나 이상의 절연링(220)과, 상기 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상의 커버링(230)이 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.At least one insulating ring (220) at an outer edge, and at least one covering (230) is provided below the insulating ring (220), the back surface cleaning apparatus characterized in that the provided. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 외측 테두리에 적어도 하나 이상의 절연링(220)과, 상기 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상의 커버링(230)이 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.At least one insulating ring (220) at an outer edge, and at least one covering (230) is provided below the insulating ring (220), the back surface cleaning apparatus characterized in that the provided. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부 및 에지부에 인가되는 주파수의 강도를 제어하는 저주파전원부(520a) 및 고주파전원부(520b)로 이루어진 하부전원부(520)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.And a lower power supply unit 520 comprising a low frequency power supply unit 520a and a high frequency power supply unit 520b for controlling the intensity of the frequency applied to the center portion and the edge portion of the rear portion of the wafer S. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어하는 가스분배기(530)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.Wafer back cleaning apparatus, characterized in that provided with a gas distributor (530) for controlling the amount of reactive gas injected to the center portion and the edge portion of the wafer (S) rear portion. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어하는 가스분배기(530)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.Wafer back cleaning apparatus, characterized in that provided with a gas distributor (530) for controlling the amount of reactive gas injected to the center portion and the edge portion of the wafer (S) rear portion. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 하부 가장자리에 원주를 따라 적어도 하나 이상으로 돌기 형상의 부착방지부재(210)와, 상기 상부전극(200)의 외부에는 적어도 하나 이상의 절연링(220)과, 상기 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상의 커버링(230)이 구비되고,At least one protrusion preventing member 210 having a protrusion shape along the circumference of the lower edge, at least one insulating ring 220 outside the upper electrode 200, and at least under the insulating ring 220. One or more coverings 230 are provided, 상기 웨이퍼 홀더(400)는,The wafer holder 400, 원주를 따라 다수의 배출공(400a)이 형성되며,A plurality of discharge holes (400a) are formed along the circumference, 상기 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부 및 에지부에 인가되는 주파수의 강도를 제어하는 하부전원부(520)와,A lower power supply unit 520 for controlling the intensity of the frequency applied to the center portion and the edge portion of the rear surface of the wafer S; 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어하는 가스분배기(530)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 장치.Wafer back cleaning apparatus, characterized in that provided with a gas distributor (530) for controlling the amount of reactive gas injected to the center portion and the edge portion of the wafer (S) rear portion. 웨이퍼(S)를 챔버(100) 내로 로딩하는 제1단계;A first step of loading the wafer S into the chamber 100; 상기 웨이퍼(S)를 상기 챔버(100) 내에 고정된 웨이퍼 지지대(300)의 상부에 안착시키는 제2단계;A second step of seating the wafer S on an upper portion of the wafer support 300 fixed in the chamber 100; 상기 웨이퍼 지지대(300)에 안착된 상기 웨이퍼(S)의 가장자리를 웨이퍼 홀더(400)로 지지하여 상부전극(200)과 간극이 유지되도록 상기 웨이퍼(S)를 상승시키는 제3단계;A third step of raising the wafer S by supporting an edge of the wafer S seated on the wafer support 300 with a wafer holder 400 to maintain a gap with the upper electrode 200; 상기 웨이퍼 홀더(400)에 지지된 웨이퍼와 간격을 갖도록 하부전극(500)을 상부로 상승시키는 제4단계;A fourth step of raising the lower electrode 500 to be spaced apart from the wafer supported by the wafer holder 400; 상기 하부전극(500)과 상기 상부전극(200) 사이에 이격 배치된 상기 웨이퍼(S)의 전면 에지부 및 후면을 플라즈마(P)로 식각하는 제5단계;A fifth step of etching a front edge portion and a rear surface of the wafer S spaced between the lower electrode 500 and the upper electrode 200 with plasma P; 상기 하부전극(500)이 식각을 마치고 하강하는 제6단계;A sixth step of lowering the lower electrode 500 after etching; 상·하부전극(200, 500) 사이에서 전면 에지부 및 후면이 가공된 웨이퍼가 웨이퍼 홀더(400)의 하강에 의해 웨이퍼 지지대(300)에 안착 되는 제7단계;A seventh step in which the wafer having the front edge and the rear surface processed between the upper and lower electrodes 200 and 500 is seated on the wafer support 300 by the lowering of the wafer holder 400; 상기 웨이퍼 홀더(400)를 상기 챔버(100) 외부로 언로딩하는 제8단계; 로 이루어짐을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.An eighth step of unloading the wafer holder 400 to the outside of the chamber 100; Wafer back cleaning method characterized in that consisting of. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 하부 가장자리에 원주를 따라 적어도 하나 이상으로 돌기 형상의 부착방지부재(210)와, 상기 상부전극(200)의 외부에는 적어도 하나 이상의 절연링(220)과, 상기 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상의 커버링(230)이 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.At least one protrusion preventing member 210 having a protrusion shape along the circumference of the lower edge, at least one insulating ring 220 outside the upper electrode 200, and at least under the insulating ring 220. At least one covering (230) is provided. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 웨이퍼 홀더(400)는,The wafer holder 400, 원주를 따라 다수의 배출공(400a)이 형성됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.Wafer back cleaning method characterized in that a plurality of discharge holes (400a) are formed along the circumference. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부 및 에지부에 인가되는 주파수의 강도를 제어하는 저주파전원부(520a) 및 고주파전원부(520b)로 이루어진 하부전원부(520)와,A lower power supply part 520 comprising a low frequency power supply part 520a and a high frequency power supply part 520b for controlling the intensity of the frequency applied to the center part and the edge part of the rear part of the wafer S; 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어하는 가스분배기(530)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.Wafer back cleaning method characterized in that the gas distributor (530) for controlling the amount of reactive gas injected to the center portion and the edge portion of the wafer (S) rear portion. 제12항, 제14항, 제15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12, 14 and 15, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 하부 가장자리에 원주를 따라 적어도 하나 이상으로 돌기 형상의 부착방지부재(210)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.Wafer back cleaning method, characterized in that the lower edge is provided with at least one protrusion preventing member 210 along the circumference. 제12항, 제14항, 제15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12, 14 and 15, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 외측 테두리에 적어도 하나 이상의 절연링(220)과, 상기 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상의 커버링(230)이 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.At least one insulating ring (220) at an outer edge, and at least one covering (230) at a lower portion of the insulating ring (220). 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 외측 테두리에 적어도 하나 이상의 절연링(220)과, 상기 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상의 커버링(230)이 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.At least one insulating ring (220) at an outer edge, and at least one covering (230) at a lower portion of the insulating ring (220). 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12 to 14, 상기 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부 및 에지부에 인가되는 주파수의 강도를 제어하는 저주파전원부(520a) 및 고주파전원부(520b)로 이루어진 하부전원부(520)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.And a lower power source part (520) comprising a low frequency power source part (520a) and a high frequency power source part (520b) for controlling the intensity of the frequency applied to the center part and the edge part of the back part of the wafer (S). 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12 to 14, 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어하는 가스분배기(530)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.Wafer back cleaning method characterized in that the gas distributor (530) for controlling the amount of reactive gas injected to the center portion and the edge portion of the wafer (S) rear portion. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어하는 가스분배기(530)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.Wafer back cleaning method characterized in that the gas distributor (530) for controlling the amount of reactive gas injected to the center portion and the edge portion of the wafer (S) rear portion. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 상부전극(200)은,The upper electrode 200, 하부 가장자리에 원주를 따라 적어도 하나 이상으로 돌기 형상의 부착방지부재(210)와, 상기 상부전극(200)의 외부에는 적어도 하나 이상의 절연링(220)과, 상기 절연링(220)의 하부에는 적어도 하나 이상의 커버링(230)이 구비되고,At least one protrusion preventing member 210 having a protrusion shape along the circumference of the lower edge, at least one insulating ring 220 outside the upper electrode 200, and at least under the insulating ring 220. One or more coverings 230 are provided, 상기 웨이퍼 홀더(400)는,The wafer holder 400, 원주를 따라 다수의 배출공(400a)이 형성되며,A plurality of discharge holes (400a) are formed along the circumference, 상기 하부전극(500)은,The lower electrode 500, 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부 및 에지부에 인가되는 주파수의 강도를 제어하는 하부전원부(520)와,A lower power supply unit 520 for controlling the intensity of the frequency applied to the center portion and the edge portion of the rear surface of the wafer S; 상기 웨이퍼(S) 후면부의 중앙부와 에지부에 분사되는 반응성 가스의 양을 제어하는 가스분배기(530)가 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 크리닝 방법.Wafer back cleaning method characterized in that the gas distributor (530) for controlling the amount of reactive gas injected to the center portion and the edge portion of the wafer (S) rear portion.
KR1020080011452A 2008-02-05 2008-02-05 Wafer back cleaning device and method KR101435973B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080011452A KR101435973B1 (en) 2008-02-05 2008-02-05 Wafer back cleaning device and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080011452A KR101435973B1 (en) 2008-02-05 2008-02-05 Wafer back cleaning device and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090085719A true KR20090085719A (en) 2009-08-10
KR101435973B1 KR101435973B1 (en) 2014-08-29

Family

ID=41205543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080011452A KR101435973B1 (en) 2008-02-05 2008-02-05 Wafer back cleaning device and method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101435973B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103506339A (en) * 2012-06-28 2014-01-15 盛美半导体设备（上海）有限公司 Device and method for cleaning reverse side of wafer
WO2015099892A1 (en) * 2013-12-23 2015-07-02 Applied Materials, Inc. Extreme edge and skew control in icp plasma reactor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3942672B2 (en) * 1996-04-12 2007-07-11 キヤノンアネルバ株式会社 Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100777466B1 (en) * 2006-09-16 2007-11-21 주식회사 뉴파워 프라즈마 Apparatus for backside and edge etch process and substrate lifting device therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103506339A (en) * 2012-06-28 2014-01-15 盛美半导体设备（上海）有限公司 Device and method for cleaning reverse side of wafer
WO2015099892A1 (en) * 2013-12-23 2015-07-02 Applied Materials, Inc. Extreme edge and skew control in icp plasma reactor

Also Published As

Publication number Publication date
KR101435973B1 (en) 2014-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150101785A (en) Substrate process apparatus
JP2011517087A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4757856B2 (en) Plasma processing equipment
KR100777467B1 (en) Apparatus for backside and edge etch process and substrate lifting device therefor
KR101515150B1 (en) Apparatus for plasma processing and method for plasma processing
KR100913847B1 (en) Method for manufacturing substrate mounting table
KR101432561B1 (en) Method for manufacturing thin film and apparatus for the same
KR101272024B1 (en) Apparatus and method for cleaning backside of substrate
KR20080055645A (en) Substrate mounting table and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and fluid supply mechanism
KR101399904B1 (en) Apparatus for cleaning substrate with plasma
KR100900703B1 (en) Plasma processing apparatus and the plasma processing method thereof
KR101435973B1 (en) Wafer back cleaning device and method
US8491752B2 (en) Substrate mounting table and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and fluid supply mechanism
KR100777466B1 (en) Apparatus for backside and edge etch process and substrate lifting device therefor
KR101402234B1 (en) Plasma etching equipment
KR101515149B1 (en) Assembly for blocking plasma and apparatus for processing plasma having the same
KR101402235B1 (en) Substrate processing appratus and method for treating subtrate
KR101333521B1 (en) Apparatus for plasma treatment
KR101362814B1 (en) Method for plasma-treatment
KR101390785B1 (en) Apparatus for processing substrate and method for processing substrate
KR101277503B1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR101108443B1 (en) Method of cleaning chamber using remote plasma
KR102030470B1 (en) Test method and apparatus for treating substrate
KR101423554B1 (en) Plasma etching equipment and method of etching a wafer using the same
KR101703499B1 (en) Apparatus and Method for Photo-resist Ashing process

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180821

Year of fee payment: 5