KR101218555B1

KR101218555B1 - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR101218555B1
Application number: KR1020060070788A
Authority: KR
Inventors: 이규환
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2006-07-27
Filing date: 2006-07-27
Publication date: 2013-01-18
Also published as: KR20080010585A

Abstract

본 발명은 대면적 기판처리장치의 내부에서 균일한 배기흐름을 유도하는 기판처리장치에 관한 것으로, 진공챔버; 상기 진공챔버의 내부에 기판을 안치시키는 기판안치대; 상기 진공챔버의 상부에 설치되는 가스분배판; 상기 진공챔버의 내부로 소스 및 반응가스를 공급하는 가스공급수단; 상기 진공챔버의 저면에서 내주연을 따라 설치되는 오목홈; 상기 오목홈과 연결되는 배기구; 상기 오목홈을 복개하는 다수의 관통홀;을 가진 진공판를 포함한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus for inducing a uniform exhaust flow in a large area substrate processing apparatus, comprising: a vacuum chamber; A substrate holder for placing a substrate in the vacuum chamber; A gas distribution plate installed at an upper portion of the vacuum chamber; Gas supply means for supplying a source and a reaction gas into the vacuum chamber; A concave groove installed along an inner circumference of the bottom of the vacuum chamber; An exhaust port connected to the concave groove; And a vacuum plate having a plurality of through holes covering the concave grooves.

진공판, 관통홀, 배기흐름 Vacuum Plate, Through Hole, Exhaust Flow

Description

Substrate processing apparatus

도 1는 종래기술의 기판처리장치1 is a substrate processing apparatus of the prior art

도 2는 종래기술에서 기판안치대의 하부에 진공판(Vacuum Plate)을 설치한 기판처리장치2 is a substrate processing apparatus in which a vacuum plate is installed on a lower portion of a substrate stabilizer in the related art.

도 3는 종래기술에서 기판안치대의 측면에 배플(Baffle)을 설치한 기판처리장치 3 is a substrate processing apparatus in which a baffle is installed on the side of the substrate stabilizer in the related art.

도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치4 is a substrate treating apparatus according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 진공판의사시도5 is a perspective view of a vacuum plate according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 다수의 부재로 조립되는 진공판의 Figure 6 is a vacuum plate assembled of a plurality of members according to the present invention

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Description of the Related Art [0002]

200 : 진공챔버 201 : 기판안치대 200: vacuum chamber 201: substrate support

202 : 리드플레이트 203 : 평행판전극202: lead plate 203: parallel plate electrode

204 : 가스분배판 205 : 커버프레임204: gas distribution plate 205: cover frame

206 : 배기구 207 : 진공판206: exhaust port 207: vacuum plate

208 : 오목홈 209 : 관통홀208: recessed groove 209: through hole

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 특히 대면적 기판처리장치의 내부에서 균일한 배기흐름을 유도하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for inducing a uniform exhaust flow in a large area substrate processing apparatus.

일반적으로 진공챔버로 구성되는 기판처리장치에서 대면적의 기판을 처리하는 경우, 대기압보다 낮은 압력에서 외부로부터 인가되는 RF전력과 진공챔버 내부로 분사되는 반응가스에 의해 플라즈마를 형성하여 기판 상에 박막을 증착하거나 식각한다. In general, when processing a large-area substrate in a substrate processing apparatus composed of a vacuum chamber, a plasma is formed by RF power applied from the outside at a pressure lower than atmospheric pressure and a reaction gas injected into the vacuum chamber to form a thin film on the substrate. Is deposited or etched.

도 1은 종래기술의 기판처리장치이다.1 is a substrate processing apparatus of the prior art.

내부에 기판이 안착되어 실질적인 박막의 증착 또는 박막의 식각이 일어나는 진공챔버(100)와, 일단은 소스 및 반응물질을 저장하는 가스공급원(도시하지 않음)과 연결되고 타단은 진공챔버(100)로 연결되는 유입관(도시하지 않음)과 연결되는 배기관(도시하지 않음)을 포함한다. 그리고 진공챔버(100)의 상부에 복층으로 배열되어 있는 리드플레이트(102)와 리드플레이트(102)의 아래에 위치하고 RF전력이 인가되는 평행판전극(103)과 평행판전극(103)과 대향하는 가스분배판(104)과 평행판전극(103)과 가스분배판(104)의 측면에 커버프레임(105)이 설치되고, 유입관은 리드플레이트(102)와 평행판전극(103)사이의 공간을 횡단하여 진공챔버(100)의 내부로 소스 및 반응가스를 공급하는 기능을 한다.Substrate is mounted therein, and the vacuum chamber 100 where the deposition of the thin film or the etching of the thin film is performed, and one end is connected to a gas supply source (not shown) for storing the source and the reactant, and the other end is connected to the vacuum chamber 100. It includes an inlet pipe (not shown) connected to the exhaust pipe (not shown). The lead plate 102 and the parallel plate electrode 103 which are arranged under the lead plate 102 on the upper side of the vacuum chamber 100 and are applied with RF power are opposed to the parallel plate electrode 103. A cover frame 105 is provided on the side of the gas distribution plate 104, the parallel plate electrode 103, and the gas distribution plate 104, and the inlet pipe is a space between the lead plate 102 and the parallel plate electrode 103. It functions to supply the source and the reaction gas to the interior of the vacuum chamber 100 across the.

가스분배판(104)의 하부에는 기판(도시하지 않음)이 안치되는 기판안치대(101)과 기판안치대(101)의 하부인 진공챔버(100)의 저면에는 진공챔버의 내부를 대기압보다 낮은 압력으로 유지하고 진공챔버(100)에 유입된 반응가스, 비반응가스, 및 기화된 반응부산물을 진공챔버(100)의 외부로 배출하기 위한 배기구(106)가 설치된다. The inside of the vacuum chamber is lower than atmospheric pressure on the bottom of the vacuum chamber 100 which is a lower portion of the substrate support base 101 and the substrate support base 101 on which the substrate (not shown) is placed below the gas distribution plate 104. An exhaust port 106 is provided to maintain the pressure and discharge the reaction gas, the non-reaction gas, and the vaporized reaction by-products introduced into the vacuum chamber 100 to the outside of the vacuum chamber 100.

도 1과 같은 종래기술에서, 대면적 기판을 처리하는 기판처리장치의 경우, 진공챔버(100)에 비하여 배기구(106)가 작은 경우가 일반적이고, 또한 위치가 편중되어 있어, 진공챔버(100)의 내부로 유입되는 반응가스 및 반응부산물이 균일하게 배기되지 않아 기판처리에 영향을 주게 된다. 균일한 소스 및 반응가스의 공급과 배기는 기판 상에서 진행되는 박막의 증착 또는 식각 등의 반응의 균일성에 영향을 미치게 된다.In the prior art as shown in FIG. 1, in the case of a substrate processing apparatus for processing a large-area substrate, the exhaust port 106 is generally smaller than the vacuum chamber 100, and the position is biased, so that the vacuum chamber 100 The reaction gas and the reaction by-product flowing into the interior of the substrate are not uniformly exhausted, which affects the substrate treatment. The supply and exhaust of a uniform source and reactant gas affects the uniformity of the reaction such as deposition or etching of the thin film proceeding on the substrate.

기판안치대(101)의 상부의 반응영역에서 진공챔버(100)의 배기구(106)까지 가스 및 반응부산물의 흐름을 균일하게 유지하는 것이 중요하다. 기판안치대(101) 상부의 반응영역에서 기판안치대(101)의 측면과 기판안치대(101)의 하부를 거쳐서 배기구(106)로 유입되는 배기 흐름에 있어서, 기판안치대(101)의 서로 다른 측면의 위치에서 배기 흐름의 차이가 크지 않아야 기판 상의 반응의 균일도가 유지된다. 일반적으로 대면적의 기판은 직사각형의 형태이며, 이와 대응하여 기판안치대(101)도 직사각형의 형태이다. 즉 기판안치대(101)의 4 개면에서의 배기 흐름차가 작아야 한다. It is important to maintain a uniform flow of gas and reaction by-products from the reaction region above the substrate support 101 to the exhaust port 106 of the vacuum chamber 100. In the exhaust flow flowing into the exhaust port 106 through the side surface of the substrate stabilizer 101 and the lower portion of the substrate stabilizer 101 in the reaction region above the substrate stabilizer 101, The uniformity of the reaction on the substrate is maintained unless the difference in exhaust flow at the location of the other side is large. In general, the large-area substrate is in the form of a rectangle, and correspondingly, the substrate support base 101 is also in the form of a rectangle. In other words, the exhaust flow difference between the four surfaces of the substrate stabilizer 101 should be small.

그러나 배기구(106)는 진공챔버(100)의 반응공간에 대해서 대칭적인 위치에 놓여지기 어려워, 기판안치대(101)의 각 측면으로부터 배기구(106)까지의 거리가 다르게 되고, 그로 인해 배기속도의 차이로 인한 기판안치대(101)의 측면을 유동하는 배기 흐름의 속도의 차이가 발생하게 된다.However, since the exhaust port 106 is hardly placed in a symmetrical position with respect to the reaction space of the vacuum chamber 100, the distance from each side of the substrate support base 101 to the exhaust port 106 is different, thereby causing Due to the difference, the difference in the speed of the exhaust flow flowing through the side of the substrate stabilizer 101 occurs.

종래기술의 대면적의 기판을 처리하는 기판처리장치에서 배기구로 배기의 흐름을 균일하게 유도하기 위해, 종래기술에서 기판안치대의 하부에 진공판(Vacuum Plate)을 설치한 도 2의 기판처리장치와 종래기술에서 기판안치대의 측면에 배플(Baffle)을 설치한 도 3의 기판처리장치가 개발되었다. In the substrate processing apparatus for processing a large-area substrate of the prior art in order to uniformly induce the flow of exhaust to the exhaust port, the substrate processing apparatus of FIG. 2 provided with a vacuum plate in the lower portion of the substrate stabilizer in the prior art; In the prior art, the substrate processing apparatus of FIG. 3 is provided with a baffle on the side of the substrate stabilizer.

도 2에서는 기판안치대(101)의 하부에 상부와 하부를 분할하는 진공판(107)을 설치하고, 진공판(107)의 전체에 걸쳐 다수의 관통홀(도시하지 않음)을 형성한다. 배기구(106)의 위치를 고려하여, 배기구(106)에서 가까울수록 배기 컨덕턴스(conductance)가 작고, 배기구(106)에서 멀어질수록 배기 컨덕턴스가 크도록 하여 기판안치대(101)의 측면에 대한 배기흐름이 균일하도록 유도한다.In FIG. 2, a vacuum plate 107 is formed below the substrate support 101 to divide the upper and lower parts, and a plurality of through holes (not shown) are formed over the entire vacuum plate 107. In consideration of the position of the exhaust port 106, the exhaust conductance is smaller as it is closer to the exhaust port 106, and the exhaust conductance is larger as it is farther from the exhaust port 106. Induce flow to be uniform.

도 3에서는 기판안치대(101)의 측면에 배플(110)을 설치한 것으로 일반적으로 건식식각장비에서 많이 이용한다. 도 2와 유사하게 배플(110)에는 배기의 흐름을 균일하게 유도하기 위한 관통공이 다수 설치된다.In FIG. 3, the baffle 110 is installed on the side of the substrate support 101 and is generally used in dry etching equipment. Similar to FIG. 2, the baffle 110 is provided with a plurality of through holes for uniformly inducing the flow of the exhaust.

그러나, 도 2 및 도 3와 같은 방법으로도 배기의 흐름이 불균일하여, 기판 상에서 진행되는 박막증착 또는 식각공정에 대한 반응이 균일하지 않은 문제가 발생한다. However, even in the same manner as in FIGS. 2 and 3, the exhaust flow is nonuniform, resulting in a problem that the reaction to the thin film deposition or etching process that proceeds on the substrate is not uniform.

또한, 기판안치대(101)는 승하강 운동이 가능하게 제작되므로, 기판안치대(101)를 구동하기 위한 추가적인 장치 또는 부품을 기판안치대(101)의 하부에 형성하게 되며, 이러한 경우, 진공판 및 배플(107, 110)은 기판안치대(101)의 구동을 위한 장치 또는 부품의 위치관계를 고려하여 제작하여야 하는 문제가 있다.In addition, since the substrate stabilizer 101 is made to be capable of lifting and lowering, an additional device or component for driving the substrate stabilizer 101 is formed under the substrate stabilizer 101, and in this case, vacuum Plate and baffle (107, 110) has a problem that should be made in consideration of the positional relationship of the device or component for driving the substrate stabilizer 101.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서 진공챔버의 하면에 내주연을 따라 배기구와 연결되는 오목홈을 형성하고, 다수의 관통홀을 가진 진공판을 복개하여 균일한 배기흐름을 유도할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 목적이 있다. 또한 본 발명은 진공챔버의 내부에 역압발생시 부산물의 확산을 차단하는 다수의 관통홀을 가진 진공판을 제공하는데 또 다른 목적이 있다. The present invention is to solve this problem, and to form a concave groove connected to the exhaust port along the inner periphery on the lower surface of the vacuum chamber, and to cover the vacuum plate having a plurality of through holes to induce a uniform exhaust flow It is an object to provide a processing device. In another aspect, the present invention is to provide a vacuum plate having a plurality of through-holes to block the diffusion of by-products when the back pressure occurs inside the vacuum chamber.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 진공챔버; 상기 진공챔버의 내부에 기판을 안치시키는 기판안치대; 상기 진공챔버의 상부에 설치되는 가스분배판; 상기 진공챔버의 내부로 소스 및 반응가스를 공급하는 가스공급수단; 상기 진공챔버의 저면에서 내주연을 따라 설치되는 오목홈; 상기 오목홈과 연결되는 배기구 상기 오목홈을 복개하는 다수의 관통홀을 가진 진공판;를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object, a vacuum chamber; A substrate holder for placing a substrate in the vacuum chamber; A gas distribution plate installed at an upper portion of the vacuum chamber; Gas supply means for supplying a source and a reaction gas into the vacuum chamber; A concave groove installed along an inner circumference of the bottom of the vacuum chamber; And a vacuum plate having a plurality of through holes covering the concave groove, the exhaust port connected to the concave groove.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 진공판은 평판의 사각링 형상을 가지는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the vacuum plate has a rectangular ring shape of a flat plate.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 진공판의 다수의 관통홀은 서로 균일간격 또는 불균일간격을 가지며, 원형, 타원형, 및 슬릿형상 중 어느하나를 선택하여 형성하거나, 이들의 조합으로 형성하는 것을 특징으로한다.In the substrate processing apparatus as described above, the plurality of through-holes of the vacuum plate have a uniform interval or non-uniform intervals, and formed by selecting any one of circular, elliptical, and slit shapes, or a combination thereof. To be characterized.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 진공판은 단일부재 또는 두 개 이상의 부재로 나누어 조합되는 형태인 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the vacuum plate is characterized in that the combination is divided into a single member or two or more members.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 오목홈과 상기 진공판사이에 배기흐름을 유도하는 통로가 형성되는 것을특징으로 한다.In the above substrate processing apparatus, a passage for inducing exhaust flow is formed between the concave groove and the vacuum plate.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치이다. 4 is a substrate processing apparatus according to the present invention.

내부에 기판이 안착되어 실질적인 박막의 증착 또는 박막의 식각이 일어나는 진공챔버(200)와, 일단은 소스 및 반응물질을 저장하는 가스공급원(도시하지 않음)과 연결되고 타단은 진공챔버(200)로 연결되는 유입관(도시하지 않음)과 연결되는 배기관(도시하지 않음)을 포함한다. 그리고 진공챔버(200)의 상부에 복층으로 배열되어 있는 리드플레이트(202)와 리드플레이트(202)의 아래에 위치하고 RF전력이 인가되는 평행판전극(203)과 평행판전극(203)과 대향하는 가스분배판(204)과 평행판전극(203)과 가스분배판(204)의 측면에 커버프레임(205)이 설치되고, 유입관은 리 드플레이트(202)와 평행판전극(203)사이의 공간을 횡단하여 진공챔버(200)의 내부로 소스 및 반응가스를 공급하는 기능을 한다.A vacuum chamber 200 in which a substrate is seated therein to substantially deposit or etch a thin film, and one end is connected to a gas supply source (not shown) for storing a source and a reactant, and the other end is connected to the vacuum chamber 200. It includes an inlet pipe (not shown) connected to the exhaust pipe (not shown). The lead plate 202 and the plate 202 which are arranged in a plurality of layers on the upper side of the vacuum chamber 200 are disposed below the lead plate 202 so as to face the parallel plate electrode 203 and the parallel plate electrode 203 to which RF power is applied. The cover frame 205 is provided on the side of the gas distribution plate 204 and the parallel plate electrode 203 and the gas distribution plate 204, and the inlet pipe is disposed between the lead plate 202 and the parallel plate electrode 203. It functions to supply a source and a reaction gas to the interior of the vacuum chamber 200 across the space.

가스분배판(204)의 하부에는 기판(도시하지 않음)이 안치되는 기판안치대(201)와 기판안치대(201)의 하부인 진공챔버(200)의 저면에는 진공챔버(200)의 내주연을 따라 오목홈(208)을 설치하고, 오목홈(208)의 일부는 진공챔버(200)에 유입된 반응가스, 비반응가스, 및 기화된 반응부산물을 진공챔버(200)의 외부로 배출하기 위한 배기구(206)와 연결된다. 이 때, 진공챔버(200)의 저면은 오목홈(208)이 설치가능하도록 충분한 두께를 가지고 있어야한다. 그리고 오목홈(208)의 상측를 복개하는 진공판(Vacuum plate)(207)을 설치하여 오목홈(208)과 진공판(207)사이에는 배기흐름을 유도하는 통로가 형성된다.The inner periphery of the vacuum chamber 200 is disposed on the bottom of the vacuum chamber 200 which is a lower portion of the substrate support base 201 and the substrate support 201 where a substrate (not shown) is placed below the gas distribution plate 204. The concave groove 208 is installed along a portion of the concave groove 208 to discharge the reaction gas, non-reaction gas, and vaporized reaction by-products introduced into the vacuum chamber 200 to the outside of the vacuum chamber 200. Is connected to an exhaust port 206. At this time, the bottom of the vacuum chamber 200 should have a sufficient thickness so that the concave groove 208 can be installed. A vacuum plate 207 covering the upper side of the concave groove 208 is provided to form a passage for inducing exhaust flow between the concave groove 208 and the vacuum plate 207.

진공챔버(200)의 진공상태를 유지하는 기능을 하는 진공펌프(도시하지 않음)가 순간 고장에 의해 동작을 중지하게 되면, 진공챔버(200) 내부의 압력이 진공펌프의 라인압력보다 낮게 되는 역압이 발생하면, 진공챔버(200)의 내부에 잔존하는 부산물 등이 와류형태의 흐름을 일으켜 박막증착 또는식각시 이물로 작용하게 되는 데, 진공판(207)은 이러한 와류형태로 뿌려지는 부산물을 차단하는 기능을 한다.When the vacuum pump (not shown) which functions to maintain the vacuum state of the vacuum chamber 200 is stopped due to a momentary failure, the pressure inside the vacuum chamber 200 becomes lower than the line pressure of the vacuum pump. When this occurs, the by-products and the like remaining in the vacuum chamber 200 causes a vortex-like flow to act as a foreign material during thin film deposition or etching, the vacuum plate 207 blocks the by-products sprayed in such a vortex form Function.

도 5는 본 발명에 따른 진공판의 사시도이다.5 is a perspective view of a vacuum plate according to the present invention.

기판처리장치에서 사용되는 대면적의 기판이 사각형의 형태이고, 기판의 형태에 대응하여 기판안치대(201)도 사각형의 형상이므로, 진공판(207)은 평판의 사각링 형상을 가지며, 균일간격 또는 불균일간격으로 관통홀(209)을 형성한다. 관통 홀(209)은 원형, 타원형, 및 슬릿형상 중 어느하나를 선택하여 형성하거나, 이들의 조합으로 형성할 수 있으며, 형태에 제한받지 않고 필요에 따라 다른 형상으로 형성하는 것이 가능하다. 또한 관통홀(209)의 크기는 배기구(206)의 위치를 고려하여 서로 다르게 형성할 수 있다.Since the large-area substrate used in the substrate processing apparatus has a rectangular shape, and the substrate support base 201 also has a rectangular shape corresponding to the shape of the substrate, the vacuum plate 207 has a rectangular ring shape of a flat plate and has a uniform interval. Alternatively, the through holes 209 are formed at non-uniform intervals. The through hole 209 may be formed by selecting any one of a circle, an ellipse, and a slit shape, or a combination thereof, and may be formed in another shape as needed without being limited in shape. In addition, the size of the through hole 209 may be formed differently in consideration of the position of the exhaust port 206.

진공판(207)의 관통홀(209)의 크기와 수량, 즉 관통면적을 조절하여, 기판안치대(201)의 상부에서의 미세한 컨덕턴스(conductance)의 조절이 가능하다.By adjusting the size and quantity of the through-hole 209 of the vacuum plate 207, that is, the through area, it is possible to adjust the fine conductance in the upper portion of the substrate stabilizer 201.

도 6은 본 발명에 따른 다수의 부재로 조립되는 진공판의 사시도이다.6 is a perspective view of a vacuum plate assembled with a plurality of members according to the present invention.

진공챔버(200)의 하부에 설치되는 오목홈(208)을 복개하는 진공판(207)은 도 5와 같이 단일부재로 제작될 수 있지만, 도 6과 같이 진공판(207)을 두 개 이상의 부분으로 나누어서 조립될 수 있다. 대면적의 기판을 처리하는 기판처리장치의 진공챔버는 상당한 크기를 가지며, 이에 따른 진공판(200)도 대면적을 가지게 된다. 따라서 다수의 부재로 분할하여 제작하면 단위 부재의 조작이 간편한 것은 물론 일체형의 단일부재로 제작하는 것에 비하여 생산단가도 낮출 수 있다.The vacuum plate 207 covering the concave groove 208 installed in the lower portion of the vacuum chamber 200 may be made of a single member as shown in FIG. 5, but two or more portions of the vacuum plate 207 as shown in FIG. 6. Can be assembled by dividing. The vacuum chamber of the substrate processing apparatus for processing a large area of the substrate has a considerable size, and thus the vacuum plate 200 also has a large area. Therefore, if the production is divided into a plurality of members, the operation of the unit member is not only easy, but also the production cost can be lowered compared to the production of a single unitary unit.

본 발명의 실시예에 따른 진공챔버의 저면의 내주연을 따라 진공판이 설치된 기판처리장치를 이용하면, 진공펌프의 순간 고장에 의해 동작을 중지하였을 때, 발생되는 역압에 의해 진공챔버의 내부에 잔존하는 부산물 등이 와류 형태의 흐름을 일으켜 기판처리를 처리할 때에 이물로 작용하는 것을 차단하고, 또한 진공판의 관통홀의 크기와 수량, 즉 관통면적을 조절하여, 기판안치대의 상부에서의 미세한 컨덕턴스를 조절할 수 있는 효과가 있다. When the substrate processing apparatus provided with the vacuum plate is installed along the inner circumference of the bottom of the vacuum chamber according to the embodiment of the present invention, when the operation is stopped due to the momentary failure of the vacuum pump, the residual pressure remains in the vacuum chamber due to the back pressure generated. By-products and the like cause vortex flow to block foreign matters from processing the substrate, and control the size and quantity of the through-holes of the vacuum plate, that is, the penetration area, to reduce the fine conductance at the top of the substrate stabilizer. There is an adjustable effect.

또한, 종래기술과 같이 기판안치대를 구동하기 위한 추가적인 장치 또는 부품의 위치관계를 고려할 필요없이 본발명은 진공챔버의 저면의 내주연을 따라 진공판을 설치하여, 진공챔버의 설계를 용이하게 하는 또 다른 효과가 있다. In addition, the present invention is to install a vacuum plate along the inner circumference of the bottom of the vacuum chamber to facilitate the design of the vacuum chamber, without having to consider the positional relationship of additional devices or components for driving the substrate stabilizer as in the prior art There is another effect.

Claims

Vacuum chamber;

A substrate holder for placing a substrate in the vacuum chamber;

A gas distribution plate installed at an upper portion of the vacuum chamber;

Gas supply means for supplying a source and a reaction gas into the vacuum chamber;

A concave groove installed along an inner circumference of the bottom of the vacuum chamber;

An exhaust port connected to the concave groove;

A vacuum plate covering the concave groove and having a plurality of through holes;

Substrate processing apparatus comprising a

The method of claim 1,

The vacuum plate is a substrate processing apparatus, characterized in that having a square ring shape of the plate

The method of claim 1,

The plurality of through-holes of the vacuum plate have a uniform interval or non-uniform intervals, and is formed by selecting any one of a circle, an ellipse, and a slit shape, or a combination thereof.

The method according to any one of claims 1 to 3,

The vacuum plate is divided into a single member or two or more members substrate processing apparatus, characterized in that the combination

The method according to any one of claims 1 to 3,

Substrate processing apparatus, characterized in that the passage is formed between the concave groove and the vacuum plate to guide the exhaust flow