KR102396366B1 - Apparatus for Processing Substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버; 기판이 안치되는 안치대; 상기 안치대의 상측에 위치하고, 상기 안치대 쪽으로 돌출된 복수개의 돌출전극이 결합된 제1전극; 상기 제1전극과 상기 안치대의 사이에 위치하고, 상기 돌출전극들에 대응되는 위치에 복수개의 개구가 형성된 제2전극; 상기 제1전극을 통해 제1가스를 분사하는 제1분사부; 상기 제1전극을 통해 제2가스를 분사하는 제2분사부; 상기 제1분사부에 상기 제1가스를 주입하는 제1주입부; 및 상기 제2분사부에 상기 제2가스를 주입하는 제2주입부를 포함하되, 상기 제1주입부와 상기 제2주입부가 각각 상기 제1전극에 대해 같은 쪽에 배치된 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention is a chamber; a pedestal on which the substrate is placed; a first electrode positioned above the pedestal and coupled to a plurality of protruding electrodes protruding toward the pedestal; a second electrode positioned between the first electrode and the pedestal and having a plurality of openings formed at positions corresponding to the protruding electrodes; a first injection unit for injecting a first gas through the first electrode; a second injection unit for injecting a second gas through the first electrode; a first injection unit for injecting the first gas into the first injection unit; and a second injection unit for injecting the second gas into the second injection unit, wherein the first injection unit and the second injection unit are disposed on the same side with respect to the first electrode, respectively.

Description

기판처리장치{Apparatus for Processing Substrate}Substrate processing equipment {Apparatus for Processing Substrate}

본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing processes such as a deposition process and an etching process on a substrate.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 처리공정이 이루어진다. 이러한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.In general, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a substrate. To this end, there are processing processes such as a deposition process of depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process of selectively exposing the thin film using a photosensitive material, and an etching process of selectively removing the thin film from the exposed portion to form a pattern. is done This processing process is performed by a substrate processing apparatus.

종래 기술에 따른 기판처리장치는 2개 이상의 가스를 기판을 향해 분사함으로써, 상기 처리공정을 수행한다. 그러나 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 기판의 부분별로 가스들이 서로 다른 유량비율로 분사되므로, 상기 기판의 부분별로 가스들에 대한 유량비율의 편차가 발생함에 따라 상기 처리공정을 거친 기판의 품질이 저하되는 문제가 있다.The substrate processing apparatus according to the prior art performs the processing process by spraying two or more gases toward the substrate. However, in the substrate processing apparatus according to the prior art, since the gases are injected at different flow rates for each part of the substrate, the quality of the substrate that has undergone the processing process is reduced as the flow rate ratio of the gases varies for each part of the substrate. There is a problem with degradation.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판의 부분별로 가스들에 대한 유량비율의 편차를 감소시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention has been devised to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of reducing a variation in a flow rate ratio for gases for each part of a substrate.

상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to solve the problems as described above, the present invention may include the following configuration.

본 발명에 따른 기판처리장치는 챔버; 기판이 안치되는 안치대; 상기 안치대의 상측에 위치하고, 상기 안치대 쪽으로 돌출된 복수개의 돌출전극이 결합된 제1전극; 상기 제1전극과 상기 안치대의 사이에 위치하고, 상기 돌출전극들에 대응되는 위치에 복수개의 개구가 형성된 제2전극; 상기 제1전극을 통해 제1가스를 분사하는 제1분사부; 상기 제1전극을 통해 제2가스를 분사하는 제2분사부; 상기 제1분사부에 상기 제1가스를 주입하는 제1주입부; 및 상기 제2분사부에 상기 제2가스를 주입하는 제2주입부를 포함할 수 있다. 상기 제1주입부와 상기 제2주입부는 각각 상기 제1전극에 대해 같은 쪽에 배치될 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber; a pedestal on which the substrate is placed; a first electrode positioned above the pedestal and coupled to a plurality of protruding electrodes protruding toward the pedestal; a second electrode positioned between the first electrode and the pedestal and having a plurality of openings formed at positions corresponding to the protruding electrodes; a first injection unit for injecting a first gas through the first electrode; a second injection unit for injecting a second gas through the first electrode; a first injection unit for injecting the first gas into the first injection unit; and a second injection unit for injecting the second gas into the second injection unit. The first injection part and the second injection part may be disposed on the same side with respect to the first electrode, respectively.

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.

본 발명은 기판의 부분별로 가스들에 대한 유량비율의 편차를 감소시키도록 구현됨으로써, 가스의 낭비량을 감소시켜서 공정비용을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 처리공정을 거친 기판에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.The present invention is implemented to reduce the variation of the flow rate ratio for the gases for each part of the substrate, thereby reducing the waste amount of gas, thereby reducing the process cost and improving the quality of the substrate that has undergone the processing process. .

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치에 대한 개략적인 측단면도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제2전극에 대한 개략적인 측단면도
도 3은 비교예에 있어서 제1전극과 제2전극에 대한 개략적인 측단면도
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1주입부와 제2주입부의 위치에 대한 변형 실시예를 설명하기 위한 개념적인 측면도
도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1주입부재와 제2주입부재에 대한 개략적인 측단면도
도 6은 도 5의 A 부분에 대한 확대도
도 7은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제1분사부에 대한 개략적인 평단면도
도 8은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1주입부로부터 이격된 거리에 따른 제1공급공의 크기 차이를 설명하기 위한 개념적인 평단면도
도 9는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제1분사부의 변형된 실시예에 대한 개략적인 평단면도
도 10은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1분사부재의 길이에 따른 제1공급공의 크기 차이를 설명하기 위한 개념적인 평단면도
도 11은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제2분사부에 대한 개략적인 평단면도
도 12는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제2주입부로부터 이격된 거리에 따른 제2공급공의 크기 차이를 설명하기 위한 개념적인 평단면도
도 13은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제2분사부의 변형된 실시예에 대한 개략적인 평단면도
도 14는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제2분사부재의 길이에 따른 제2공급공의 크기 차이를 설명하기 위한 개념적인 평단면도
도 15는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1주입부, 제2주입부, 제1분사부재, 제2분사부재의 배치를 설명하기 위한 개념적인 평면도
도 16은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1공급부재와 제2공급부재에 대한 개략적인 측단면도
도 17은 도 16의 B 부분에 대한 확대도
도 18은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 배기구와 온도조절유닛을 설명하기 위한 개략적인 측단면도1 is a schematic side cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 is a schematic side cross-sectional view of a first electrode and a second electrode in the substrate processing apparatus according to the present invention;
3 is a schematic side cross-sectional view of a first electrode and a second electrode in a comparative example;
4 is a conceptual side view for explaining a modified embodiment with respect to the positions of the first injection unit and the second injection unit in the substrate processing apparatus according to the present invention;
5 is a schematic side cross-sectional view of a first injection member and a second injection member in the substrate processing apparatus according to the present invention;
6 is an enlarged view of part A of FIG. 5
7 is a schematic plan cross-sectional view of the first electrode and the first injection unit in the substrate processing apparatus according to the present invention;
8 is a conceptual plan cross-sectional view for explaining the size difference of the first supply hole according to the distance spaced apart from the first injection part in the substrate processing apparatus according to the present invention;
9 is a schematic plan cross-sectional view of a modified embodiment of the first electrode and the first injection unit in the substrate processing apparatus according to the present invention;
10 is a conceptual plan cross-sectional view for explaining the difference in the size of the first supply hole according to the length of the first injection member in the substrate processing apparatus according to the present invention;
11 is a schematic plan cross-sectional view of the first electrode and the second injection unit in the substrate processing apparatus according to the present invention;
12 is a conceptual plan cross-sectional view for explaining the difference in the size of the second supply hole according to the distance spaced apart from the second injection part in the substrate processing apparatus according to the present invention;
13 is a schematic plan cross-sectional view of a modified embodiment of the first electrode and the second injection unit in the substrate processing apparatus according to the present invention;
14 is a conceptual plan cross-sectional view for explaining the difference in the size of the second supply hole according to the length of the second injection member in the substrate processing apparatus according to the present invention;
15 is a conceptual plan view for explaining the arrangement of the first injection unit, the second injection unit, the first injection member, and the second injection member in the substrate processing apparatus according to the present invention;
16 is a schematic side cross-sectional view of a first supply member and a second supply member in the substrate processing apparatus according to the present invention;
17 is an enlarged view of part B of FIG. 16 ;
18 is a schematic side cross-sectional view for explaining an exhaust port and a temperature control unit in the substrate processing apparatus according to the present invention;

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)에 박막을 증착하는 증착공정, 및 상기 기판(200)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 중에서 적어도 하나를 수행할 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 CVD(Chemical Vapor Depostion), ALD(Atomic Layer Deposition) 등과 같은 증착공정을 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 안치대(2), 제1전극(3), 제2전극(4), 제1주입부(5), 제2주입부(6), 제1분사부(7), 및 제2분사부(8)를 포함한다.1 and 2 , the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs a processing process on the substrate 200 . For example, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform at least one of a deposition process of depositing a thin film on the substrate 200 and an etching process of removing a portion of the thin film deposited on the substrate 200 . there is. For example, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform a deposition process such as CVD (Chemical Vapor Deposition) or ALD (Atomic Layer Deposition). The substrate processing apparatus 1 according to the present invention includes a seating table 2 , a first electrode 3 , a second electrode 4 , a first injection unit 5 , a second injection unit 6 , and a first minute It includes a thread part 7 , and a second injection part 8 .

도 1을 참고하면, 상기 안치대(2)는 상기 기판(200)을 지지하는 것이다. 상기 안치대(2)에는 상기 기판(200)이 안치될 수 있다. 상기 안치대(2)는 상기 제2전극(4)의 하측에 배치할 수 있다. 이 경우, 상기 기판(200)은 상기 안치대(2)의 상면에 안치될 수 있다. 상기 기판(200)은 반도체 기판, 웨이퍼(Wafer) 등일 수 있다. 상기 안치대(2)는 복수개의 기판(200)을 지지할 수도 있다. Referring to FIG. 1 , the pedestal 2 supports the substrate 200 . The substrate 200 may be placed on the mounting table 2 . The seating table 2 may be disposed below the second electrode 4 . In this case, the substrate 200 may be placed on the upper surface of the pedestal 2 . The substrate 200 may be a semiconductor substrate, a wafer, or the like. The pedestal 2 may support a plurality of substrates 200 .

상기 안치대(2)는 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 챔버(100)는 상기 처리공정이 이루어지는 처리공간을 제공하는 것이다. 상기 안치대(2)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 안치대(2)는 상기 챔버(100)에 회전 가능하게 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 안치대(2)는 회전력을 제공하는 회전부에 연결될 수 있다. 상기 회전부는 상기 안치대(2)를 회전시킴으로써, 상기 안치대(2)에 지지된 기판(200)을 회전시킬 수 있다.The seating table 2 may be coupled to the chamber 100 . The chamber 100 is to provide a processing space in which the processing process is performed. The seating table 2 may be disposed inside the chamber 100 . The seating table 2 may be rotatably coupled to the chamber 100 . In this case, the pedestal 2 may be connected to a rotating part that provides rotational force. The rotating unit may rotate the substrate 200 supported on the mounting table 2 by rotating the mounting table 2 .

도 1을 참고하면, 상기 제1전극(3)은 상기 안치대(2)의 상측에 위치하는 것이다. 상기 제1전극(3)은 상기 제2전극(4)의 상측에 위치할 수 있다. 상기 제1전극(3)은 상기 제2전극(4)으로부터 상측으로 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 상기 챔버(100)의 상부에 위치하도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원반형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 1 , the first electrode 3 is positioned above the seating table 2 . The first electrode 3 may be positioned above the second electrode 4 . The first electrode 3 may be disposed to be spaced upward by a predetermined distance from the second electrode 4 . The first electrode 3 may be disposed inside the chamber 100 . The first electrode 3 may be coupled to the chamber 100 so as to be positioned above the chamber 100 . The first electrode 3 may be formed in a rectangular plate shape as a whole, but is not limited thereto and may be formed in other shapes such as a disk shape.

도 1을 참고하면, 상기 제2전극(4)은 상기 제1전극(3)과 상기 안치대(3)의 사이에 위치하는 것이다. 상기 제2전극(4)은 상기 제1전극(3)의 하측에 위치함과 아울러 상기 안치대(3)의 상측에 위치할 수 있다. 상기 제2전극(4)은 상기 안치대(3)로부터 상측으로 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제2전극(4)은 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제2전극(4)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원반형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 1 , the second electrode 4 is positioned between the first electrode 3 and the pedestal 3 . The second electrode 4 may be positioned below the first electrode 3 and positioned above the pedestal 3 . The second electrode 4 may be disposed to be spaced apart from the rest 3 by a predetermined distance upward. The second electrode 4 may be disposed inside the chamber 100 . The second electrode 4 may be formed in a rectangular plate shape as a whole, but is not limited thereto and may be formed in other shapes such as a disk shape.

상기 제2전극(4)과 상기 제1전극(3)은 플라즈마를 발생시키는데 이용될 수 있다. 상기 제2전극(4)과 상기 제1전극(3) 중에서 어느 하나에는 RF(Radio Frequency) 전력이 인가되고, 나머지 하나는 접지(Ground)가 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2전극(4) 및 상기 제1전극(3) 간에 걸리는 전기장에 의해 방전이 이루져서 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 제2전극(4)에 RF 전력이 인가되고, 상기 제1전극(3)이 접지될 수 있다. 상기 제2전극(4)이 접지되고, 상기 제1전극(3)에 RF 전력이 인가될 수도 있다.The second electrode 4 and the first electrode 3 may be used to generate plasma. Radio Frequency (RF) power may be applied to any one of the second electrode 4 and the first electrode 3 , and the other may be ground. Accordingly, a discharge is made by the electric field applied between the second electrode 4 and the first electrode 3 to generate plasma. RF power may be applied to the second electrode 4 , and the first electrode 3 may be grounded. The second electrode 4 may be grounded, and RF power may be applied to the first electrode 3 .

상기 제2전극(4)에는 개구(41)가 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 상기 제2전극(4)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 상기 제2전극(4)의 상면 및 하면을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 전체적으로 원통 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 직방체 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다. An opening 41 may be formed in the second electrode 4 . The opening 41 may be formed to pass through the second electrode 4 . The opening 41 may be formed to pass through the upper and lower surfaces of the second electrode 4 . The opening 41 may be formed in a cylindrical shape as a whole, but is not limited thereto and may be formed in other shapes such as a rectangular parallelepiped shape.

상기 제2전극(4)에 상기 개구(41)가 형성된 경우, 상기 제1전극(3)에는 돌출전극(31)이 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)은 상기 안치대(2) 쪽으로 돌출되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)은 상기 제1전극(3)의 하면으로부터 돌출될 수 있다. 상기 돌출전극(31) 및 상기 제1전극(3)은 일체로 형성될 수도 있다. 상기 제1전극(3)이 접지된 경우, 상기 돌출전극(31)은 상기 제1전극(3)을 통해 접지될 수 있다. 상기 제1전극(3)에 RF 전력이 인가된 경우, 상기 돌출전극(31)에는 상기 제1전극(3)을 통해 RF 전력이 인가될 수 있다.When the opening 41 is formed in the second electrode 4 , the protruding electrode 31 may be coupled to the first electrode 3 . The protruding electrode 31 may be coupled to the first electrode 3 so as to protrude toward the pedestal 2 . The protruding electrode 31 may protrude from the lower surface of the first electrode 3 . The protruding electrode 31 and the first electrode 3 may be integrally formed. When the first electrode 3 is grounded, the protruding electrode 31 may be grounded through the first electrode 3 . When RF power is applied to the first electrode 3 , RF power may be applied to the protruding electrode 31 through the first electrode 3 .

상기 제2전극(4)에는 상기 개구(41)가 복수개 형성될 수도 있다. 상기 개구(41)들은 서로 이격된 위치에 비치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1전극(3)에는 상기 돌출전극(31)이 복수개 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)들은 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 개구(41)들은 상기 돌출전극(31)들에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들 쪽으로 돌출될 수 있다. 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들에 삽입되는 길이로 돌출될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들에 삽입되지 않는 길이로 돌출될 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들의 상측에 위치할 수 있다.A plurality of openings 41 may be formed in the second electrode 4 . The openings 41 may be provided at positions spaced apart from each other. In this case, a plurality of the protruding electrodes 31 may be coupled to the first electrode 3 . The protruding electrodes 31 may be disposed at positions spaced apart from each other. The openings 41 may be disposed at positions corresponding to the protruding electrodes 31 . Accordingly, the protruding electrodes 31 may protrude toward the openings 41 . The protruding electrodes 31 may protrude to a length to be inserted into the openings 41 . Although not shown, the protruding electrodes 31 may protrude to a length not to be inserted into the openings 41 . In this case, the protruding electrodes 31 may be located above the openings 41 .

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 제1주입부(5)는 제1가스를 주입하는 것이다. 상기 제1가스는 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스일 수 있다. 상기 제1가스는 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스, 및 플라즈마를 발생시키기 위한 가스가 혼합된 혼합가스일 수도 있다.1 and 2 , the first injection unit 5 injects a first gas. The first gas may be a gas for performing a processing process on the substrate 200 . The first gas may be a mixed gas in which a gas for performing a processing process on the substrate 200 and a gas for generating plasma are mixed.

상기 제1주입부(5)는 상기 제1분사부(7)에 상기 제1가스를 주입할 수 있다. 상기 제1분사부(7)에 주입된 제1가스는, 상기 기판(200)의 전면(全面)을 향해 분사되도록 상기 제1분사부(7)를 따라 유동한 후에 상기 제1전극(3)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 상기 기판(200)의 전면(全面)은 상기 기판(200)의 상면 전체에 해당할 수 있다. 상기 기판(200)의 상면은 상기 제2전극(4)을 향하도록 배치된 면(面)이다. 상기 제1주입부(5)는 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.The first injection unit 5 may inject the first gas into the first injection unit 7 . The first gas injected into the first injection unit 7 flows along the first injection unit 7 so as to be injected toward the entire surface of the substrate 200 , and then the first electrode 3 . Through the can be sprayed toward the seat (2). The entire surface of the substrate 200 may correspond to the entire upper surface of the substrate 200 . The upper surface of the substrate 200 is a surface disposed to face the second electrode 4 . The first injection unit 5 may be coupled to the chamber 100 .

도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 제2주입부(6)는 제2가스를 주입하는 것이다. 상기 제2가스는 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스일 수 있다. 상기 제2가스는 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스, 및 플라즈마를 발생시키기 위한 가스가 혼합된 혼합가스일 수도 있다. 상기 제2가스 및 상기 제1가스는 서로 상이한 성분으로 이루어질 수 있다.1 to 3 , the second injection unit 6 injects a second gas. The second gas may be a gas for performing a processing process on the substrate 200 . The second gas may be a mixed gas in which a gas for performing a processing process on the substrate 200 and a gas for generating plasma are mixed. The second gas and the first gas may be composed of different components.

상기 제2주입부(6)는 상기 제2분사부(8)에 상기 제2가스를 주입할 수 있다. 상기 제2분사부(8)에 주입된 제2가스는, 상기 기판(200)의 전면(全面)을 향해 분사되도록 상기 제2분사부(8)를 따라 유동한 후에 상기 제1전극(3)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 상기 제2주입부(6)는 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는, 상기 안치대(2)에 지지된 기판(200) 쪽으로 분사됨으로써 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하는데 이용될 수 있다. The second injection unit 6 may inject the second gas into the second injection unit 8 . The second gas injected into the second injection unit 8 flows along the second injection unit 8 so as to be injected toward the entire surface of the substrate 200 , and then the first electrode 3 . Through the can be sprayed toward the seat (2). The second injection unit 6 may be coupled to the chamber 100 . The second gas injected by the second injection unit 6 and the first gas injected by the first injection unit 5 are injected toward the substrate 200 supported by the pedestal 2, so that the substrate ( 200) can be used to perform the treatment process.

상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)는 각각 상기 제1전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치될 수 있다. 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)는 상기 제2분사부(8)와 상기 제1분사부(7) 각각에 상기 제2가스와 상기 제1가스를 주입할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 각각 상기 제1전극(3)에 대해 다른 쪽에 배치된 비교예와 대비할 때, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차를 감소시킬 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.The second injection part 6 and the first injection part 5 may be disposed on the same side with respect to the first electrode 3 , respectively. The second injection unit 6 and the first injection unit 5 may inject the second gas and the first gas into the second injection unit 8 and the first injection unit 7, respectively. there is. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the second injection unit 6 and the first injection unit 5 are respectively disposed on the other side with respect to the first electrode 3 to be compared with the comparative example. In this case, it is possible to reduce the deviation of the flow rate ratio for the second gas and the first gas for each part of the substrate 200 . Looking at this in detail, it is as follows.

우선, 도 3에 도시된 바와 같이 비교예는, 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치됨과 아울러 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)의 상측(3b) 쪽에 배치될 수 있다.First, as shown in FIG. 3 , in the comparative example, the second injection part 6 is disposed on one side 3a of the first electrode 3 and the first injection part 5 is the first It may be disposed on the upper side (3b) side of the electrode (3).

상기 제2주입부(6)가 상기 제2분사부(8)에 주입한 제2가스는, 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에서 타측(3c)을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 타측(220)을 향할수록, 상기 기판(200)을 향해 분사된 제2가스의 유량이 감소한다. 도 3에서 점선 화살표가 상기 제2가스를 나타낸 것으로, 점선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제2가스의 유량이 적은 것이다.The flow rate of the second gas injected into the second injection unit 8 by the second injection unit 6 gradually increases while flowing from one side 3a of the first electrode 3 toward the other side 3c. will decrease Accordingly, the flow rate of the second gas injected toward the substrate 200 decreases from one side 210 to the other side 220 of the substrate 200 . In FIG. 3 , a dotted arrow indicates the second gas, and the shorter the length of the dotted arrow is, the smaller the flow rate of the second gas is.

상기 제1주입부(5)가 상기 제1분사부(7)에 주입한 제1가스는, 상기 제1전극(3)의 중앙 부분을 기준으로 하여 일측(3a)과 타측(3c) 각각을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 상기 제1전극(3)의 중앙 부분은, 상기 제1전극(3)의 일측(3a)으로부터 이격된 거리와 상기 제1전극(3)의 타측(3c)으로부터 이격된 거리가 대략 일치하는 영역을 의미한다. 이에 따라, 상기 기판(200)의 중앙(230)을 기준으로 하여 일측(210)과 타측(220) 각각을 향할수록, 상기 기판(200)을 향해 분사된 제1가스의 유량이 감소한다. 도 3에서 실선 화살표가 상기 제1가스를 나타낸 것으로, 실선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제1가스의 유량이 적은 것이다.The first gas injected by the first injection unit 5 into the first injection unit 7 is applied to each of the one side 3a and the other side 3c with respect to the central portion of the first electrode 3 . The flow rate gradually decreases as it flows toward the The central portion of the first electrode 3 is a region in which a distance spaced apart from one side 3a of the first electrode 3 and a distance spaced apart from the other side 3c of the first electrode 3 are approximately equal to each other means Accordingly, the flow rate of the first gas injected toward the substrate 200 decreases as the one side 210 and the other side 220 each go toward the center 230 of the substrate 200 . 3 , a solid arrow indicates the first gas, and the shorter the length of the solid arrow is, the smaller the flow rate of the first gas is.

이에 따라, 비교예는 상기 기판(200)의 일측(210), 상기 기판(200)의 중앙(230), 상기 기판(200)의 타측(220) 각각에서 상기 제1가스와 상기 제2가스에 대한 유량비율의 편차가 증가하게 된다. 상기 기판(200)의 일측(210)에서는 상기 제1가스의 유량에 비해 상기 제2가스의 유량이 많고, 상기 기판(200)의 중앙(230)에서는 상기 제2가스의 유량에 비해 상기 제1가스의 유량이 많으며, 상기 기판(200)의 타측(220)에서는 상기 제1가스의 유량과 상기 제2가스의 유량이 비슷하기 때문이다. 따라서, 비교예는 상기 기판(200)의 부분별로 상기 처리공정에 사용되지 못하고 잔존하는 가스의 유량이 증가할 수 있다. 이에 따라, 비교예는 가스가 불필요하게 낭비될 수 있고, 잔존하는 가스가 상기 처리공정에 악영향을 미칠 위험이 있다.Accordingly, in the comparative example, the first gas and the second gas are applied to one side 210 of the substrate 200 , the center 230 of the substrate 200 , and the other side 220 of the substrate 200 , respectively. The deviation of the flow rate ratio for At one side 210 of the substrate 200, the flow rate of the second gas is higher than the flow rate of the first gas, and at the center 230 of the substrate 200, the first gas compared to the flow rate of the second gas. This is because the flow rate of the gas is high, and the flow rate of the first gas and the flow rate of the second gas are similar to the other side 220 of the substrate 200 . Accordingly, in the comparative example, the flow rate of the remaining gas may increase without being used in the processing process for each part of the substrate 200 . Accordingly, in the comparative example, gas may be wasted unnecessarily, and there is a risk that the remaining gas may adversely affect the treatment process.

다음, 도 2에 도시된 바와 같이 실시예는, 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치됨과 아울러 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치될 수 있다. 즉, 실시예는 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치될 수 있다.Next, as shown in FIG. 2, in the embodiment, the second injection part 6 is disposed on one side 3a of the first electrode 3 and the first injection part 5 is the first It may be disposed on one side (3a) side of the electrode (3). That is, in the embodiment, the second injection part 6 and the first injection part 5 may be disposed on the same side with respect to the first electrode 3 .

상기 제2주입부(6)가 상기 제2분사부(8)에 주입한 제2가스는, 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에서 타측(3c)을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 타측(220)을 향할수록, 상기 기판(200)을 향해 분사된 제2가스의 유량이 감소한다. 도 2에서 점선 화살표가 상기 제2가스를 나타낸 것으로, 점선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제2가스의 유량이 적은 것이다.The flow rate of the second gas injected into the second injection unit 8 by the second injection unit 6 gradually increases while flowing from one side 3a of the first electrode 3 toward the other side 3c. will decrease Accordingly, the flow rate of the second gas injected toward the substrate 200 decreases from one side 210 to the other side 220 of the substrate 200 . In FIG. 2 , a dotted arrow indicates the second gas, and the shorter the length of the dotted arrow is, the smaller the flow rate of the second gas is.

상기 제1주입부(5)가 상기 제1분사부(7)에 주입한 제1가스는, 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에서 타측(3c)을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 타측(220)을 향할수록, 상기 기판(200)을 향해 분사된 제1가스의 유량이 감소한다. 도 2에서 실선 화살표가 상기 제1가스를 나타낸 것으로, 실선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제1가스의 유량이 적은 것이다.The flow rate of the first gas injected into the first injection unit 7 by the first injection unit 5 gradually increases while flowing from one side 3a to the other side 3c of the first electrode 3 . will decrease Accordingly, the flow rate of the first gas injected toward the substrate 200 decreases from one side 210 to the other side 220 of the substrate 200 . In FIG. 2 , a solid arrow indicates the first gas, and the shorter the length of the solid arrow, the smaller the flow rate of the first gas.

이에 따라, 실시예는 상기 기판(200)의 일측(210)에서 타측(220)을 향할수록 상기 제2가스의 유량과 상기 제1가스의 유량이 모두 감소하게 되므로, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차가 감소하게 된다. 따라서, 실시예는 비교예와 대비할 때, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 처리공정에 사용되지 못하고 잔존하는 가스의 유량을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예는 비교예와 대비할 때, 가스의 낭비량을 감소시켜서 공정비용을 줄일 수 있다. 또한, 실시예는 비교예와 대비할 때, 상기 처리공정에 사용되지 못하고 잔존하는 가스가 상기 처리공정에 미치는 영향을 줄일 수 있으므로, 상기 처리공정을 거친 기판(200)에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the embodiment, as both the flow rate of the second gas and the flow rate of the first gas decrease from one side 210 to the other side 220 of the substrate 200, the portion of the substrate 200 For each, the deviation of the flow rate ratio for the second gas and the first gas is reduced. Accordingly, the embodiment can reduce the flow rate of the remaining gas that is not used in the processing process for each part of the substrate 200 when compared with the comparative example. Accordingly, the embodiment can reduce the process cost by reducing the waste amount of gas when compared with the comparative example. In addition, when the embodiment is compared with the comparative example, it is possible to reduce the influence of the gas remaining in the processing process without being used in the processing process, so that the quality of the substrate 200 that has undergone the processing process can be improved. .

도 2에는 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 모두 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치되는 것이면 다르게 구현될 수도 있다. Although it has been described in FIG. 2 that both the second injection part 6 and the first injection part 5 are disposed on the one side 3a side of the first electrode 3, the present invention is not limited thereto and the second injection part (6) and the first injection part 5 may be implemented differently as long as they are disposed on the same side with respect to the first electrode 3 .

예컨대, 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 모두 상기 제1전극(3)의 타측(3c) 쪽에 배치될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는 모두 상기 제1전극(3)의 타측(3c)에서 일측(3a)을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)을 향해 분사된 상기 제2가스의 유량과 상기 제1가스의 유량이 모두 상기 기판(200)의 타측(220)에서 일측(210)을 향할수록 감소하게 된다. 따라서, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차가 감소할 수 있다.For example, both the second injection part 6 and the first injection part 5 may be disposed on the other side 3c side of the first electrode 3 . In this case, both the second gas injected by the second injection unit 6 and the first gas injected by the first injection unit 5 are from the other side 3c to the one side 3a of the first electrode 3 . ), the flow rate gradually decreases. Accordingly, both the flow rate of the second gas and the flow rate of the first gas injected toward the substrate 200 decrease from the other side 220 to the one side 210 of the substrate 200 . Accordingly, the deviation of the flow rate ratio for the second gas and the first gas for each portion of the substrate 200 may be reduced.

예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)는 모두 상기 제1전극(3)의 상측(3b) 쪽에서 상기 제1전극(3)의 중앙 부분을 통해 상기 제2가스와 상기 제1가스를 주입하도록 배치될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는 모두 상기 제1전극(3)의 중앙 부분을 기준으로 하여 일측(3a)과 타측(3c) 각각을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)을 향해 분사된 상기 제2가스의 유량과 상기 제1가스의 유량이 모두 상기 기판(200)의 중앙(230)을 기준으로 하여 일측(210)과 타측(220) 각각을 향할수록 감소하게 된다. 따라서, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차가 감소할 수 있다. 도 4에서 점선 화살표가 상기 제2가스를 나타낸 것으로, 점선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제2가스의 유량이 적은 것이다. 도 4에서 실선 화살표가 상기 제1가스를 나타낸 것으로, 실선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제1가스의 유량이 적은 것이다.For example, as shown in FIG. 4 , both the second injection part 6 and the first injection part 5 are located at the center of the first electrode 3 from the upper side 3b side of the first electrode 3 . It may be arranged to inject the second gas and the first gas through the portion. In this case, the second gas injected by the second injection unit 6 and the first gas injected by the first injection unit 5 are both injected at one side ( 3a) and the other side (3c) while flowing toward each of the flow rate is gradually reduced. Accordingly, both the flow rate of the second gas and the flow rate of the first gas injected toward the substrate 200 are at one side 210 and the other side 220 with respect to the center 230 of the substrate 200 . It decreases towards each other. Accordingly, the deviation of the flow rate ratio for the second gas and the first gas for each portion of the substrate 200 may be reduced. In FIG. 4 , a dotted arrow indicates the second gas, and the shorter the length of the dotted arrow is, the smaller the flow rate of the second gas is. 4 , a solid arrow indicates the first gas, and the shorter the length of the solid arrow is, the smaller the flow rate of the first gas is.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치되도록 구현됨으로써, 가스의 낭비량을 감소시켜서 공정비용을 줄일 수 있고, 상기 처리공정을 거친 기판(200)에 대한 품질을 향상시킬 수 있다. 한편, 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)는 각각 상기 제2가스와 상기 제1가스를 서로 동일한 주입방향으로 유동시켜서 상기 제2가스와 상기 제1가스를 상기 제2분사부(8)와 상기 제1분사부(7) 각각에 주입할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차를 더 감소시킬 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is implemented such that the second injection unit 6 and the first injection unit 5 are disposed on the same side with respect to the first electrode 3, Process cost can be reduced by reducing the amount of gas wasted, and the quality of the substrate 200 that has undergone the treatment process can be improved. On the other hand, the second injection unit 6 and the first injection unit 5 flow the second gas and the first gas in the same injection direction, respectively, so that the second gas and the first gas are supplied as the first gas. It can be injected into each of the second injection unit 8 and the first injection unit 7 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may further reduce the deviation of the flow rate ratio for the second gas and the first gas for each part of the substrate 200 .

도 5 및 도 6을 참고하면, 상기 제2주입부(6) 및 상기 제1주입부(5)는 각각 상기 제2분사부(8) 및 상기 제1분사부(7)에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)는 제1주입부재(51)를 포함하고, 상기 제2주입부(6)는 제2주입부재(61)를 포함할 수 있다.5 and 6 , the second injection unit 6 and the first injection unit 5 may be connected to the second injection unit 8 and the first injection unit 7 , respectively. In this case, the first injection unit 5 may include a first injection member 51 , and the second injection unit 6 may include a second injection member 61 .

상기 제1주입부재(51)는 상기 제1분사부(7)에 연결된 것이다. 상기 제1주입부(5)는 상기 제1주입부재(51)를 통해 상기 제1분사부(7)에 상기 제1가스를 주입할 수 있다. 상기 제1주입부(5)는 상기 제1가스를 저장하는 제1주입유닛(50)을 포함할 수 있다. 상기 제1주입유닛(50)은 상기 제1주입부재(51)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1주입유닛(50)에 저장된 제1가스는, 상기 제1주입부재(51)를 통해 상기 제1분사부(7)에 주입될 수 있다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 제1가스가 상기 제1분사부(7)로 주입되기 위해 유동하는 제1주입공(52)을 포함할 수 있다. 상기 제1주입공(52)은 상기 제1주입부재(51)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 제1분사부(7)에 연결되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.The first injection member 51 is connected to the first injection unit 7 . The first injection unit 5 may inject the first gas into the first injection unit 7 through the first injection member 51 . The first injection unit 5 may include a first injection unit 50 for storing the first gas. The first injection unit 50 may be connected to the first injection member 51 . Accordingly, the first gas stored in the first injection unit 50 may be injected into the first injection unit 7 through the first injection member 51 . The first injection member 51 may include a first injection hole 52 through which the first gas flows to be injected into the first injection unit 7 . The first injection hole 52 may be formed to penetrate the first injection member 51 . The first injection member 51 may be coupled to the chamber 100 . The first injection member 51 may be coupled to the chamber 100 so as to be connected to the first injection unit 7 .

상기 제1주입부재(51)는 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)로부터 제1거리(L1)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1축방향(X축 방향)은 상기 안치대(2)의 상면에 대해 평행한 축 방향이다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 안치대(2)로부터 제1높이(51H)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1주입부재(51)는 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)에 비해 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 상기 상하방향(Z축 방향)은 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 수직한 축 방향이다.The first injection member 51 may be disposed at a position spaced apart from the seating table 2 by a first distance L1 with respect to the first axial direction (X-axis direction). The first axial direction (X-axis direction) is an axial direction parallel to the upper surface of the pedestal 2 . The first injection member 51 may be disposed at a position spaced apart from the seating table 2 by a first height 51H. Accordingly, the first injection member 51 may be disposed at a higher position than the seating table 2 with respect to the vertical direction (Z-axis direction). The vertical direction (Z-axis direction) is an axial direction perpendicular to the first axial direction (X-axis direction).

상기 제2주입부재(61)는 상기 제2분사부(8)에 연결된 것이다. 상기 제2주입부(6)는 상기 제2주입부재(61)를 통해 상기 제2분사부(8)에 상기 제2가스를 주입할 수 있다. 상기 제2주입부(6)는 상기 제2가스를 저장하는 제2주입유닛(60)을 포함할 수 있다. 상기 제2주입유닛(60)은 상기 제2주입부재(61)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2주입유닛(60)에 저장된 제2가스는, 상기 제2주입부재(61)를 통해 상기 제2분사부(8)에 주입될 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2가스가 상기 제2분사부(8)로 주입되기 위해 유동하는 제2주입공(62)을 포함할 수 있다. 상기 제2주입공(62)은 상기 제2주입부재(61)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2분사부(8)에 연결되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.The second injection member 61 is connected to the second injection unit 8 . The second injection unit 6 may inject the second gas into the second injection unit 8 through the second injection member 61 . The second injection unit 6 may include a second injection unit 60 for storing the second gas. The second injection unit 60 may be connected to the second injection member 61 . Accordingly, the second gas stored in the second injection unit 60 may be injected into the second injection unit 8 through the second injection member 61 . The second injection member 61 may include a second injection hole 62 through which the second gas flows to be injected into the second injection unit 8 . The second injection hole 62 may be formed to penetrate the second injection member 61 . The second injection member 61 may be coupled to the chamber 100 . The second injection member 61 may be coupled to the chamber 100 so as to be connected to the second injection unit 8 .

상기 제2주입부재(61)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)로부터 상기 제1거리(L1)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2주입부재(61) 및 상기 제1주입부재(51)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)로부터 동일한 거리로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2주입부재(61)가 상기 제2분사부(8)에 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부재(4)가 상기 제1분사부(7)에 주입한 제1가스는, 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 유동하면서 동일한 비율로 유량이 감소하게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차를 감소시킬 수 있다.The second injection member 61 may be disposed at a position spaced apart from the seating table 2 by the first distance L1 with respect to the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the second injection member 61 and the first injection member 51 are disposed at positions spaced apart from the seating table 2 by the same distance with respect to the first axial direction (X-axis direction). can be Accordingly, the second gas injected by the second injection member 61 into the second injection unit 8 and the first gas injected by the first injection member 4 into the first injection unit 7 are , while flowing along the first axial direction (X-axis direction), the flow rate is reduced at the same rate. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deviation of the flow rate ratio for the second gas and the first gas for each part of the substrate 200 .

상기 제2주입부재(61)는 상기 안치대(2)로부터 제2높이(61H)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2높이(61H)는 상기 제1높이(51H)에 비해 더 낮다. 이에 따라, 상기 제2주입부재(61)는 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1주입부재(51)에 비해 더 낮은 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61) 및 상기 제1주입부재(51)가 서로 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있으므로, 상기 제2가스와 상기 제1가스가 서로 혼합되지 않으면서 상기 제2분사부(7) 및 상기 제1분사부(6) 각각에 주입되도록 구현될 수 있다.The second injection member 61 may be disposed at a position spaced apart from the seating table 2 by a second height 61H. The second height 61H is lower than the first height 51H. Accordingly, the second injection member 61 may be disposed at a lower position than the first injection member 51 with respect to the vertical direction (Z-axis direction). Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, since the second injection member 61 and the first injection member 51 may be disposed at a position where they do not interfere with each other, the second gas and the first It may be implemented such that the gas is injected into each of the second injection unit 7 and the first injection unit 6 without mixing with each other.

상기 제2주입부재(61)가 상기 제1주입부재(51)에 비해 더 낮은 위치에 배치된 경우, 상기 제2분사부(8)가 상기 제1분사부(7)에 비해 상기 안치대(2)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2주입부재(61)와 상기 제1주입부재(51)가 서로 동일한 유량의 제2가스와 제1가스를 주입하면, 상기 제2분사부(8)와 상기 제1분사부(7)의 높이 차이로 인해 상기 기판(200) 쪽으로 분사된 제2가스의 유량과 제1가스의 유량에 차이가 발생하게 된다. 이러한 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제2주입공(62)은 상기 제1주입공(52)에 비해 더 작은 크기(62D)로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2주입공(62)의 크기(62D)가 상기 제1주입공(52)의 크기(52D)에 비해 더 작다. 이에 따라, 상기 제2주입공(62)을 통해 상기 제2분사부(8)로 주입되는 상기 제2가스의 유량은, 상기 제1주입공(52)을 통해 상기 제1분사부(7)로 주입되는 상기 제1가스의 유량에 비해 더 적어지게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)가 상기 제1주입부재(51)에 비해 더 낮은 위치에 배치되더라도, 상기 기판(200) 쪽으로 분사된 제2가스의 유량과 제1가스의 유량에 발생하는 차이를 감소시킬 수 있다. 상기 제2주입공(62) 및 상기 제1주입공(52) 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제2주입공(62)의 직경(62D)은 상기 제1주입공(52)의 직경(52D)에 비해 더 작게 구현될 수 있다.When the second injection member 61 is disposed at a lower position than that of the first injection member 51, the second injection unit 8 is positioned on the seat base ( 2) can be placed closer to Accordingly, when the second injection member 61 and the first injection member 51 inject the second gas and the first gas having the same flow rate as each other, the second injection unit 8 and the first injection unit Due to the height difference of (7), a difference occurs between the flow rate of the second gas injected toward the substrate 200 and the flow rate of the first gas. In order to reduce the flow rate difference, the second injection hole 62 may be formed to have a smaller size 62D than that of the first injection hole 52 . That is, the size 62D of the second injection hole 62 is smaller than the size 52D of the first injection hole 52 . Accordingly, the flow rate of the second gas injected into the second injection unit 8 through the second injection hole 62 is the first injection unit 7 through the first injection hole 52 . It becomes smaller than the flow rate of the first gas injected into the Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, even if the second injection member 61 is disposed at a lower position than the first injection member 51 , the second gas injected toward the substrate 200 . It is possible to reduce the difference between the flow rate of the first gas and the flow rate of the first gas. When each of the second injection hole 62 and the first injection hole 52 is formed in a cylindrical shape, the diameter 62D of the second injection hole 62 is the diameter of the first injection hole 52 ( 52D) and can be implemented smaller.

상기 제2주입부재(61)는 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)의 교체를 통해 상기 제1주입공(52)과 상기 제2주입공(62) 간의 크기 차이가 조절될 수 있도록 구현됨으로써, 상기 제1가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제2가스의 유량을 변경할 수 있다.The second injection member 61 may be detachably coupled to the chamber 100 . Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the size difference between the first injection hole 52 and the second injection hole 62 can be adjusted by replacing the second injection member 61 . By being so implemented, the flow rate of the second gas may be changed based on the flow rate of the first gas.

예컨대, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 동일한 유량으로 사용되는 처리공정에서 상기 제1가스에 비해 상기 제2가스가 더 많은 유량으로 사용되는 처리공정으로 변경된 경우, 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2주입공(62)의 크기(62D)가 더 큰 것으로 교체될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)의 교체를 통해 상기 제2분사부(8)에 주입하는 제2가스의 유량을 증대시킴으로써, 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량을 증대시킬 수 있다.For example, when the second injection member ( 61 ) may be replaced with a larger size 62D of the second injection hole 62 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention increases the flow rate of the second gas injected into the second injection unit 8 through the replacement of the second injection member 61 to increase the flow rate of the second gas to the substrate 200 . ) can increase the flow rate of the second gas injected toward the.

예컨대, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 동일한 유량으로 사용되는 처리공정에서 상기 제1가스에 비해 상기 제2가스가 더 적은 유량으로 사용되는 처리공정으로 변경된 경우, 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2주입공(62)의 크기(62D)가 더 작은 것으로 교체될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)의 교체를 통해 상기 제2분사부(8)에 주입하는 제2가스의 유량을 감소시킴으로써, 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량을 감소시킬 수 있다.For example, when the second injection member ( 61 ) may be replaced with a smaller size 62D of the second injection hole 62 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention reduces the flow rate of the second gas injected into the second injection unit 8 through the replacement of the second injection member 61, so that the substrate 200 ) to reduce the flow rate of the second gas injected toward.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)가 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합됨으로써, 상기 처리공정에 따라 상기 제1가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제2가스의 유량을 변경할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정의 변경에 대한 대응력을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 처리공정에 적용할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합될 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the second injection member 61 is detachably coupled to the chamber 100, so that the flow rate of the first gas is based on the processing process. This is implemented so that the flow rate of the second gas can be changed. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can not only improve the ability to respond to changes in the processing process, but also improve the versatility that can be applied to various processing processes. The second injection member 61 may be detachably coupled to the chamber 100 using fastening means such as bolts.

한편, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1주입부재(51)가 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1주입부재(51)를 상기 제1주입공(52)의 크기(52D)가 다른 것으로 교체함으로써, 상기 처리공정에 따라 상기 제2가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제1가스의 유량을 변경할 수 있도록 구현된다. 상기 제1주입부재(51)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1주입부재(51)와 상기 제2주입부재(61) 모두가 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수도 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that the first injection member 51 is detachably coupled to the chamber 100 . In this case, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention replaces the first injection member 51 with a different size 52D of the first injection hole 52, so that the second injection member 51 according to the processing process. It is implemented to change the flow rate of the first gas based on the flow rate of the gas. The first injection member 51 may be detachably coupled to the chamber 100 using fastening means such as bolts. The substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that both the first injection member 51 and the second injection member 61 are detachably coupled to the chamber 100 .

도 2 및 도 7을 참고하면, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1전극(3)을 통해 상기 제1가스를 분사하는 것이다. 상기 제1분사부(7)는 상기 제1주입부(5)에 연결될 수 있다. 상기 제1주입부(5)가 상기 제1분사부(7)에 주입한 제1가스는, 상기 제1분사부(7)를 따라 유동하면서 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.2 and 7 , the first injection unit 7 injects the first gas through the first electrode 3 . The first injection unit 7 may be connected to the first injection unit 5 . The first gas injected by the first injection unit 5 into the first injection unit 7 may be injected toward the seating table 2 while flowing along the first injection unit 7 .

상기 제1분사부(7)는 제1분사부재(71)를 포함할 수 있다.The first injection unit 7 may include a first injection member 71 .

상기 제1분사부재(71)는 상기 제1전극(3)의 내부에 배치된 것이다. 상기 제1분사부재(71)는 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 제1가스를 유동시키기 위한 통로로 기능할 수 있다. 상기 제1분사부재(71)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)에 주입된 제1가스는, 상기 제1분사부재(71)를 따라 상기 제1축방향(X축 방향)으로 유동할 수 있다. 상기 제1분사부재(71)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사부재(71)는 상기 제1전극(3)의 내부에 배치되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)는 상기 제1전극(3)의 내부에 홈(Groove)을 형성함으로써 상기 제1전극(3)의 내부에 배치되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1분사부재(71)를 따라 유동하는 제1가스의 온도를 조절할 필요가 있는 경우, 상기 제1전극(3)의 온도를 조절하여 상기 제1가스의 온도를 직접적으로 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스의 온도를 조절하는 작업에 대한 용이성과 정확성을 향상시킬 수 있다.The first injection member 71 is disposed inside the first electrode 3 . The first injection member 71 may function as a passage for flowing the first gas injected from the first injection unit 5 . The first injection member 71 may be formed to extend along the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the first gas injected into the first injection member 71 may flow in the first axial direction (X-axis direction) along the first injection member 71 . The first injection member 71 may be implemented as a pipe, a tube, or the like. In this case, the first injection member 71 may be coupled to the first electrode 3 so as to be disposed inside the first electrode 3 . The first injection member 71 may be implemented to be disposed inside the first electrode 3 by forming a groove inside the first electrode 3 . In this case, when it is necessary to adjust the temperature of the first gas flowing along the first injection member 71 , the substrate processing apparatus 1 according to the present invention adjusts the temperature of the first electrode 3 to The temperature of the first gas may be directly controlled. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the easiness and accuracy of the operation of controlling the temperature of the first gas.

상기 제1분사부(7)는 제1분사공(72)을 포함할 수 있다.The first injection unit 7 may include a first injection hole 72 .

상기 제1분사공(72)은 상기 제1가스를 상기 안치대(2) 쪽으로 분사하는 것이다. 상기 제1분사공(72)은 상기 제1분사부재(71)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)를 따라 유동하는 제1가스는, 상기 제1분사공(72)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다 상기 제1분사공(72)은 일단이 상기 제1분사부재(71)에 연결됨과 아울러 타단이 상기 제1전극(3)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)가 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 평행하게 형성된 경우, 상기 제1분사공(72)은 상기 상하방향(Z축 방향)에 대해 평행하게 형성될 수 있다.The first injection hole 72 is to inject the first gas toward the seating table (2). The first injection hole 72 may be connected to the first injection member 71 . Accordingly, the first gas flowing along the first injection member 71 may be injected toward the seating table 2 through the first injection hole 72. The first injection hole 72 is One end may be connected to the first injection member 71 and the other end may be formed to pass through the first electrode 3 . When the first injection member 71 is formed parallel to the first axial direction (X-axis direction), the first injection hole 72 may be formed parallel to the vertical direction (Z-axis direction). there is.

상기 제1분사부(7)는 상기 제1분사공(72)을 복수개 포함할 수 있다. 상기 제1분사공(72)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사공(72)은 상기 안치대(2)에 지지된 기판(200)의 서로 다른 부분에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 상기 제1분사공(72)들은 각각 상기 제1분사부재(71)의 서로 다른 부분에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스는 상기 제1분사부재(71)를 따라 상기 제1축방향(X축 방향)으로 유동하면서 상기 제1분사공(72)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.The first injection part 7 may include a plurality of the first injection holes 72 . The first injection holes 72 may be disposed to be spaced apart from each other in the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the first injection hole 72 may inject the first gas to different portions of the substrate 200 supported by the pedestal 2 . The first injection holes 72 may be respectively connected to different portions of the first injection member 71 . Accordingly, the first gas flows along the first injection member 71 in the first axial direction (X-axis direction) to be injected toward the seating table 2 through the first injection holes 72 . can

상기 제1분사공(72)이 복수개 구비됨에 따라, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제1가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 수직한 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제1가스를 분사하기 위해, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1분사부재(71)를 복수개 포함할 수 있다.As the plurality of first injection holes 72 are provided, the first injection unit 7 discharges the first gas as a whole toward the substrate 200 with respect to the first axial direction (X-axis direction). It can be implemented to spray. In order to spray the first gas as a whole toward the substrate 200 based on a second axial direction (Y-axis direction) perpendicular to the first axial direction (X-axis direction), the first injection unit ( 7) may include a plurality of the first injection members 71 .

상기 제1분사부재(71)들은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2축방향(Y축 방향)과 상기 제1축방향(X축 방향)은 하나의 평면 상에서 서로 수직하게 배치된 축 방향이다. 상기 제1분사부재(71)들 각각에는 상기 제1분사공(72)들이 복수개 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)들은 상기 제1분사공(72)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제1가스를 분사할 수 있을 뿐만 아니라 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 안치대(2)에 안치된 기판(200)의 전면(全面)을 향해 상기 제1가스를 분사할 수 있도록 구현된다. 상기 제1분사공(72)들은 상기 돌출전극(31)을 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스는 상기 제1분사공(72)들을 통해 상기 개구(41)를 향해 분사된 후에, 상기 개구(41)를 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 유동할 수 있다.The first injection members 71 may be disposed at positions spaced apart from each other in the second axial direction (Y-axis direction). The second axial direction (Y-axis direction) and the first axial direction (X-axis direction) are axial directions disposed perpendicular to each other on one plane. A plurality of first injection holes 72 may be connected to each of the first injection members 71 . Accordingly, the first injection members 71 may inject the first gas toward the seating table 2 through the first injection holes 72 . Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, not only can the first gas be sprayed as a whole toward the substrate 200 with respect to the first axis direction (X-axis direction), but also the second axis The first gas may be sprayed as a whole toward the substrate 200 based on a direction (Y-axis direction). Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is implemented to inject the first gas toward the entire surface of the substrate 200 mounted on the pedestal 2 . The first injection holes 72 may be formed to pass through the protruding electrode 31 . In this case, after the first gas is injected toward the opening 41 through the first injection holes 72 , it may flow toward the seating table 2 through the opening 41 .

상기 제1분사부(7)는 제1공급부재(73)를 포함할 수 있다. 상기 제1공급부재(73)는 상기 제1분사부재(71)의 입구에 결합된 것이다. 상기 제1공급부재(73)는 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 제1가스를 상기 제1분사부재(71)의 내부로 공급할 수 있다. 상기 제1공급부재(73)는 상기 제1가스가 상기 제1분사부재(71)로 공급되기 위해 유동하는 제1공급공(74)을 포함할 수 있다. 상기 제1공급공(74)은 상기 제1공급부재(73)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제1공급공(74)은 상기 제1분사부재(71)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 제1가스는, 상기 제1공급공(74)을 통해 상기 제1공급부재(73)를 통과하여 상기 제1분사부재(71)로 공급될 수 있다. 상기 제1공급부재(73)는 상기 제1공급공(74)이 상기 제1분사부재(71)에 연결되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다.The first injection unit 7 may include a first supply member 73 . The first supply member 73 is coupled to the inlet of the first injection member 71 . The first supply member 73 may supply the first gas injected from the first injection unit 5 into the first injection member 71 . The first supply member 73 may include a first supply hole 74 through which the first gas flows to be supplied to the first injection member 71 . The first supply hole 74 may be formed to pass through the first supply member 73 . The first supply hole 74 may be connected to the first injection member 71 . Accordingly, the first gas injected from the first injection unit 5 passes through the first supply member 73 through the first supply hole 74 and is supplied to the first injection member 71 . can be The first supply member 73 may be coupled to the first electrode 3 such that the first supply hole 74 is connected to the first injection member 71 .

상기 제1분사부(7)가 상기 제1분사부재(71)를 복수개 포함하는 경우, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1공급부재(73)를 복수개 포함할 수 있다. 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1분사부재(71)들 각각의 입구에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사부(7)는 제1분배부재(70)를 포함할 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1공급부재(73)들 각각에 분배하는 것이다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 하나의 제1주입부(5)를 이용하여 상기 제1공급부재(73)들 및 상기 제1분사부재(71)들에 상기 제1가스를 공급하도록 구현될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1주입부(5) 및 상기 제1공급부재(73)들 각각에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1공급부재(73)들의 제1공급공(74)들 각각에 연결될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)는 상기 제1분배부재(70)에 연결되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1분배부재(70) 및 상기 제1분사부재(71)들에 연결되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1주입부(5) 및 상기 제1공급부재(73)들의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 연장되도록 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다.When the first injection unit 7 includes a plurality of the first injection members 71 , the first injection unit 7 may include a plurality of the first supply members 73 . The first supply members 73 may be coupled to respective inlets of the first injection members 71 . In this case, the first jetting unit 7 may include a first distributing member 70 . The first distribution member 70 distributes the first gas injected from the first injection unit 5 to each of the first supply members 73 . Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the first gas is supplied to the first supply members 73 and the first injection members 71 using one first injection unit 5 . can be implemented to provide The first distribution member 70 may be connected to each of the first injection part 5 and the first supply member 73 . In this case, the first distribution member 70 may be connected to each of the first supply holes 74 of the first supply members 73 . The first distribution member 70 may be formed in the chamber 100 . In this case, the first injection part 5 may be coupled to the chamber 100 so as to be connected to the first distribution member 70 . The first supply members 73 may be coupled to the first electrode 3 so as to be connected to the first distribution member 70 and the first injection members 71 . The first distribution member 70 may be disposed between the first injection part 5 and the first supply member 73 . The first distribution member 70 may be formed in the chamber 100 to extend in the second axial direction (Y-axis direction).

상기 제1분배부재(70)는 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1공급부재(73)들 각각에 분배하는 통로로 기능할 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 챔버(100)의 내부에 홈(Groove)를 형성함으로써 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 구현될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1분배부재(70)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.The first distribution member 70 may function as a passage for distributing the first gas injected from the first injection unit 5 to each of the first supply members 73 . The first distribution member 70 may be disposed inside the chamber 100 . The first distribution member 70 may be implemented to be disposed inside the chamber 100 by forming a groove inside the chamber 100 . The first distribution member 70 may be implemented as a pipe, a tube, or the like. In this case, the first distribution member 70 may be coupled to the chamber 100 to be disposed inside the chamber 100 .

상기 제1분배부재(70)의 체적은 상기 제1분사부재(71)들의 체적의 합보다 더 클 수 있다. 이 경우, 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1분사부재(71)들 각각의 체적을 모두 합한 것보다 더 큰 체적을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)들 각각의 체적을 모두 합한 것보다 상기 제1분배부재(70)의 체적이 더 작은 비교예는, 상기 제1분사부재(71)들 각각에 상기 제1가스를 균일하게 공급할 수 없다. 상기 제1분사부재(71)들에 공급해야 하는 상기 제1가스의 전체 유량보다 상기 제1분배부재(70)에 최대로 채워질 수 있는 상기 제1가스의 유량이 작기 때문이다. 이와 달리, 실시예는 상기 제1분사부재(71)들에 공급해야 하는 상기 제1가스의 전체 유량보다 상기 제1분배부재(70)에 최대로 채워질 수 있는 상기 제1가스의 유량이 더 크므로, 비교예와 대비할 때 상기 제1분배부재(70)를 통해 상기 제1분사부재(71)들 각각에 상기 제1가스를 더 균일하게 공급할 수 있다. 여기서, 상기 제1분배부재(70)의 체적은 상기 제1분배부재(70)가 상기 제1주입부(5)에 맞닿는 부분에서부터 상기 제1분배부재(70)가 상기 제1공급부재(73)에 맞닿는 부분까지를 기준으로 한 것이다. 즉, 상기 제1분배부재(70)의 체적에는 상기 제1주입부(5)의 체적과 상기 제1공급부재(73)의 체적이 포함되지 않는다. 상기 제1분사부재(71)들 각각의 체적에는 제1공급부재(73)의 체적과 상기 제1분사공(72)의 체적이 포함되지 않는다.The volume of the first distribution member 70 may be greater than the sum of the volumes of the first distribution members 71 . In this case, the first distribution member 70 may be formed to have a larger volume than the sum of the volumes of each of the first injection members 71 . In a comparative example in which the volume of the first distribution member 70 is smaller than the sum of the volumes of each of the first injection members 71, the first gas is applied to each of the first injection members 71. Unable to supply uniformly. This is because the flow rate of the first gas that can be maximally filled in the first distribution member 70 is smaller than the total flow rate of the first gas to be supplied to the first injection members 71 . In contrast, in the embodiment, the flow rate of the first gas that can be maximally filled in the first distribution member 70 is greater than the total flow rate of the first gas to be supplied to the first injection members 71 . Therefore, in comparison with the comparative example, the first gas may be more uniformly supplied to each of the first injection members 71 through the first distribution member 70 . Here, the volume of the first distribution member 70 is determined from the portion where the first distribution member 70 comes into contact with the first injection part 5, the first distribution member 70 is the first supply member 73 ) as a reference point. That is, the volume of the first distribution member 70 does not include the volume of the first injection part 5 and the volume of the first supply member 73 . The volume of each of the first injection members 71 does not include the volume of the first supply member 73 and the volume of the first injection hole 72 .

도 7 및 도 8을 참고하면, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1분사부재(71)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는, 상기 제1분배부재(70)를 통해 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 거리 차이에 따라 상기 제1공급부재(73)들이 상기 제1분사부재(71)들에 공급하는 제1가스의 유량에 차이가 발생하게 된다.7 and 8 , in the first injection unit 7 , the first injection members 71 are formed to have the same length in the first axial direction (X-axis direction) and in the second axial direction. It may be implemented to be disposed at positions spaced apart from each other along the (Y-axis direction). In this case, the flow rate of the first gas injected by the first injection unit 5 is gradually decreased while flowing in the second axial direction (Y-axis direction) through the first distribution member 70 . Accordingly, based on the second axial direction (Y-axis direction), the first supply members 73 are separated from the first injection member 71 according to the difference in distance from the first injection unit 5 . There is a difference in the flow rate of the first gas supplied to the fields.

이러한 제1가스의 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 거리가 큰 것일수록 상기 제1공급공(74)의 크기가 더 크게 구현될 수 있다. 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 거리는, 상기 제1주입부재(51)를 기준으로 이격된 거리에 해당할 수 있다.In order to reduce the difference in the flow rate of the first gas, the first supply members 73 have a large distance apart from the first injection part 5 with respect to the second axial direction (Y-axis direction). The larger the size, the larger the size of the first supply hole 74 can be realized. A distance spaced apart from the first injection part 5 may correspond to a distance spaced apart from the first injection member 51 .

예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1주입부재(51)로부터 제1이격거리(73L')로 이격된 제1공급부재(73'), 및 상기 제1주입부재(51)로부터 제2이격거리(73L")로 이격된 제1공급부재(73")가 배치될 수 있다. 상기 제2이격거리(73L")는 상기 제1이격거리(73L')에 비해 더 크다. 이 경우, 상기 제1공급부재(73")의 제1공급공(74")은 상기 제1공급부재(73')의 제1공급공(74')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제1공급공(74")의 크기(74D")은 상기 제1공급공(74')의 크기(74D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.For example, as shown in FIG. 8 , the first supply member 73' is spaced apart from the first injection member 51 by a first separation distance 73L' based on the second axial direction (Y-axis direction). ), and a first supply member 73" spaced apart from the first injection member 51 by a second separation distance 73L" may be disposed. The second separation distance 73L" is greater than the first separation distance 73L'. In this case, the first supply hole 74" of the first supply member 73" is the first supplying distance 73L'. It can be implemented to be larger than the first supply hole 74' of the member 73'. That is, the size 74D" of the first supply hole 74" is the first supply hole 74'. It can be implemented to be larger than the size 74D'.

이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73")가 상기 제1공급부재(73')에 비해 상기 제1주입부재(51)로부터 더 큰 거리로 이격되도록 배치되더라도, 상기 제1공급부재(73, '73")들이 상기 제1분사부재(71, 도 7에 도시됨)들 각각에 공급하는 제1가스의 유량에 대한 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하는 상기 제1공급부재들(73', 73")의 이격거리(73L', 73L") 차이로 인해, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제1가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 제1공급공들(74', 74") 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제1공급공(74")의 직경(74D")은 상기 제1공급공(74')의 직경(74D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현된 경우, 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1전극(3)의 양측면으로부터 동일한 거리로 이격된 지점에 위치하도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the first supply member 73 ″ is spaced apart from the first injection member 51 by a greater distance than the first supply member 73 ′. Even if disposed, the difference in the flow rate of the first gas supplied to each of the first injection members 71 by the first supply members 73 and '73″ may be reduced. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the separation distances 73L', 73L" of the first supply members 73' and 73" based on the second axial direction (Y-axis direction) Due to the difference, a deviation with respect to the flow rate of the first gas injected toward the substrate 200 with respect to the second axial direction (Y-axis direction) may be reduced. When each of the first supply holes 74' and 74" is formed in a cylindrical shape, the diameter 74D" of the first supply hole 74" is the diameter 74D of the first supply hole 74'. ') The first injection members 71 are formed to have the same length in the first axial direction (X-axis direction) and along the second axial direction (Y-axis direction). When implemented to be spaced apart from each other, the first electrode 3 may be formed in a rectangular plate shape as a whole. The first injection member 51 is formed in the second axis direction (Y axis direction) based on Thus, it may be coupled to the chamber 100 so as to be positioned at a point spaced apart from both sides of the first electrode 3 by the same distance.

도 2, 도 9 및 도 10을 참고하면, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1분사부재(71)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는, 상기 제1공급부재(73)들을 통해 상기 제1분사부재(71)들로 공급된 후에 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 거리로 유동하면서 상기 기판(200, 도 2에 도시됨)을 향해 분사된다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)들의 길이 차이에 따라 상기 제1분사부재(71)들이 상기 기판(200)을 향해 분사하는 제1가스의 유량에 차이가 발생할 수 있다.Referring to FIGS. 2, 9 and 10 , in the first injection unit 7 , the first injection members 71 are formed to have different lengths in the first axial direction (X-axis direction), and the second injection unit 7 is It may be implemented to be disposed at positions spaced apart from each other in the two-axis direction (Y-axis direction). In this case, the first gas injected by the first injection unit 5 is supplied to the first injection members 71 through the first supply members 73 and then in the first axial direction (X-axis). direction) while flowing at different distances toward the substrate 200 (shown in FIG. 2 ). Accordingly, a difference in the flow rate of the first gas injected toward the substrate 200 by the first injection members 71 may occur according to a difference in length of the first injection members 71 .

이러한 제1가스의 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 길이가 긴 제1분사부재(71)에 결합된 것일수록 상기 제1공급공(74)의 크기가 더 크게 구현될 수 있다.In order to reduce the flow rate difference of the first gas, the first supply members 73 are coupled to the first injection member 71 having a longer length with respect to the first axial direction (X-axis direction) as a reference. The size of the first supply hole 74 may be implemented to be larger.

예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 제1길이(71L')로 형성된 제1분사부재(71') 및 제2길이(71L")로 형성된 제1분사부재(71")가 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제2길이(71L")는 상기 제1길이(71L')에 비해 더 길다. 이 경우, 상기 제1분사부재(71")에 결합된 제1공급부재(73")의 제1공급공(74")은 상기 제1분사부재(71')에 결합된 제1공급부재(73')의 제1공급공(74')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제1공급공(74")의 크기(74D")은 상기 제1공급공(74')의 크기(74D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.For example, as shown in FIG. 10, the first injection member 71' and the second length 71L" are formed with a first length 71L' based on the first axial direction (X-axis direction). The first injection members 71 ″ may be disposed to be spaced apart from each other in the second axial direction (Y-axis direction). The second length 71L" is longer than the first length 71L'. In this case, the first supply hole of the first supply member 73" coupled to the first injection member 71". (74") may be implemented to be larger than the first supply hole 74' of the first supply member 73' coupled to the first injection member 71'. That is, the size 74D" of the first supply hole 74" may be implemented to be larger than the size 74D' of the first supply hole 74'.

이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1분사부재(71")가 상기 제1분사부재(71')에 비해 더 긴 길이로 형성되더라도, 상기 제1분사부재들(71', 71")이 상기 기판(200, 도 2에 도시됨)을 향해 분사하는 제1가스의 유량에 대한 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하는 상기 제1분사부재들(71', 71")의 길이 차이로 인해, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제1가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 제1공급공들(74', 74") 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제1공급공(74")의 직경(74D")은 상기 제1공급공(74')의 직경(74D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the first injection member 71 ″ is larger than the first injection member 71 ′ with respect to the first axial direction (X-axis direction). Even if it is formed to have a long length, a difference in the flow rate of the first gas that the first injection members 71 ′ and 71 ″ injects toward the substrate 200 (shown in FIG. 2 ) may be reduced. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, due to the difference in length of the first jetting members 71 ′ and 71 ″ with respect to the first axial direction (X-axis direction), the second axis It is possible to reduce a deviation in the flow rate of the first gas injected toward the substrate 200 based on the direction (Y-axis direction). Each of the first supply holes 74' and 74" has a cylindrical shape. , the diameter 74D" of the first supply hole 74" may be larger than the diameter 74D' of the first supply hole 74'.

한편, 상기 제1분사부재(71)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현된 경우, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1분사부재(71)들의 양단은 상기 제1분사부재(71)들의 길이에 따라 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1분사부재(71)들의 일단에 대응되도록 휘어진 곡선 형태로 형성될 수 있다. 도 9에는 상기 제1전극(3)이 전체적으로 원반형으로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수도 있다.On the other hand, the first injection members 71 are formed to have different lengths in the first axial direction (X-axis direction) and are implemented to be disposed at positions spaced apart from each other in the second axial direction (Y-axis direction). In this case, as shown in FIG. 9 , both ends of the first injection members 71 are located at different positions depending on the length of the first injection members 71 with respect to the first axial direction (X-axis direction). can be placed. In this case, the first distribution member 70 may be formed in a curved shape to correspond to one end of the first injection members 71 . 9 shows that the first electrode 3 is formed in a disk shape as a whole, but the present invention is not limited thereto, and the first electrode 3 may be formed as a whole in a square plate shape.

도 7 내지 도 10을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)들이 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)들의 교체를 통해 상기 제1공급공(74)들 간의 크기 차이가 조절됨으로써, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)에 분사되는 제1가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 이격거리에 따라 발생하는 제1가스의 유량에 대한 편차를 줄이기 위해 교체될 수 있다. 예컨대, 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1분사부재(71)들의 길이 차이에 따라 발생하는 제1가스의 유량에 대한 편차를 줄이기 위해 교체될 수 있다. 이 경우, 상기 제1공급부재(73)들에 대한 교체는, 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 이격거리보다 상기 제1분사부재(71)들의 길이 차이가 우선적으로 고려될 수 있다. 상기 제1공급부재(73)들은 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합될 수 있다.7 to 10 , the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that the first supply members 73 are detachably coupled to the first electrode 3 . Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the difference in size between the first supply holes 74 is adjusted through replacement of the first supply members 73 , so that the second axial direction (Y axis) direction), a deviation in the flow rate of the first gas injected to the substrate 200 may be reduced. For example, the first supply members 73 may be replaced in order to reduce a deviation in the flow rate of the first gas that is generated according to the separation distance from the first injection part 5 . For example, the first supply members 73 may be replaced in order to reduce a variation in the flow rate of the first gas generated according to a difference in length of the first injection members 71 . In this case, in the replacement of the first supply members 73 , the difference in length of the first injection members 71 may be preferentially considered rather than the distance spaced apart from the first injection part 5 . The first supply members 73 may be detachably coupled to the first electrode 3 using fastening means such as bolts.

도 2 및 도 11을 참고하면, 상기 제2분사부(8)는 상기 제1전극(3)을 통해 상기 제2가스를 분사하는 것이다. 상기 제2분사부(8)는 상기 제2주입부(6)에 연결될 수 있다. 상기 제2주입부(6)가 상기 제2분사부(8)에 주입한 제2가스는, 상기 제2분사부(8)를 따라 유동하면서 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.2 and 11 , the second injection unit 8 injects the second gas through the first electrode 3 . The second injection unit 8 may be connected to the second injection unit 6 . The second gas injected by the second injection unit 6 into the second injection unit 8 may be injected toward the seating table 2 while flowing along the second injection unit 8 .

상기 제2분사부(8)는 제2분사부재(81)를 포함할 수 있다.The second injection unit 8 may include a second injection member 81 .

상기 제2분사부재(81)는 상기 제1전극(3)의 내부에 배치된 것이다. 상기 제2분사부재(81)는 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 제2가스를 유동시키기 위한 통로로 기능할 수 있다. 상기 제2분사부재(81)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)에 주입된 제2가스는, 상기 제2분사부재(81)를 따라 상기 제1축방향(X축 방향)으로 유동할 수 있다. 상기 제2분사부재(81)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사부재(81)는 상기 제1전극(3)의 내부에 배치되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)는 상기 제1전극(3)의 내부에 홈(Groove)을 형성함으로써 상기 제1전극(3)의 내부에 배치되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2분사부재(81)를 따라 유동하는 제2가스의 온도를 조절할 필요가 있는 경우, 상기 제1전극(3)의 온도를 조절하여 상기 제2가스의 온도를 직접적으로 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스의 온도를 조절하는 작업에 대한 용이성과 정확성을 향상시킬 수 있다.The second injection member 81 is disposed inside the first electrode 3 . The second injection member 81 may function as a passage for flowing the second gas injected from the second injection unit 6 . The second injection member 81 may be formed to extend along the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the second gas injected into the second injection member 81 may flow in the first axial direction (X-axis direction) along the second injection member 81 . The second injection member 81 may be implemented as a pipe, a tube, or the like. In this case, the second injection member 81 may be coupled to the first electrode 3 so as to be disposed inside the first electrode 3 . The second injection member 81 may be implemented to be disposed inside the first electrode 3 by forming a groove inside the first electrode 3 . In this case, when it is necessary to adjust the temperature of the second gas flowing along the second injection member 81, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention adjusts the temperature of the first electrode 3 to The temperature of the second gas may be directly controlled. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the easiness and accuracy of the operation of controlling the temperature of the second gas.

상기 제2분사부(8)는 제2분사공(82)을 포함할 수 있다.The second injection unit 8 may include a second injection hole 82 .

상기 제2분사공(82)은 상기 제2가스를 상기 안치대(2) 쪽으로 분사하는 것이다. 상기 제2분사공(82)은 상기 제2분사부재(81)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)를 따라 유동하는 제2가스는, 상기 제2분사공(82)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다 상기 제2분사공(82)은 일단이 상기 제2분사부재(81)에 연결됨과 아울러 타단이 상기 제1전극(3)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)가 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 평행하게 형성된 경우, 상기 제2분사공(82)은 상기 상하방향(Z축 방향)에 대해 평행하게 형성될 수 있다.The second injection hole 82 injects the second gas toward the seating table 2 . The second injection hole 82 may be connected to the second injection member 81 . Accordingly, the second gas flowing along the second injection member 81 may be injected toward the seating table 2 through the second injection hole 82. The second injection hole 82 is One end may be connected to the second injection member 81 and the other end may be formed to pass through the first electrode 3 . When the second injection member 81 is formed parallel to the first axial direction (X-axis direction), the second injection hole 82 may be formed parallel to the vertical direction (Z-axis direction). there is.

상기 제2분사부(8)는 상기 제2분사공(82)을 복수개 포함할 수 있다. 상기 제2분사공(82)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사공(82)은 상기 안치대(2)에 지지된 기판(200)의 서로 다른 부분에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 상기 제2분사공(82)들은 각각 상기 제2분사부재(81)의 서로 다른 부분에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2가스는 상기 제2분사부재(81)를 따라 상기 제1축방향(X축 방향)으로 유동하면서 상기 제2분사공(82)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2분사공(82) 및 상기 제1분사공(72)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치될 수 있다.The second injection unit 8 may include a plurality of the second injection holes 82 . The second injection holes 82 may be disposed to be spaced apart from each other in the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the second injection hole 82 may inject the second gas to different portions of the substrate 200 supported by the pedestal 2 . The second injection holes 82 may be respectively connected to different portions of the second injection member 81 . Accordingly, the second gas flows in the first axial direction (X-axis direction) along the second injection member 81 to be injected toward the seating table 2 through the second injection holes 82 . can As shown in FIG. 2 , a plurality of the second injection holes 82 and the first injection holes 72 may be alternately disposed in the first axial direction (X-axis direction).

상기 제2분사공(82)이 복수개 구비됨에 따라, 상기 제2분사부(8)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제2가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 수직한 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제2가스를 분사하기 위해, 상기 제2분사부(8)는 상기 제2분사부재(81)를 복수개 포함할 수 있다.As a plurality of the second injection holes 82 are provided, the second injection unit 8 discharges the second gas as a whole toward the substrate 200 with respect to the first axial direction (X-axis direction). It can be implemented to spray. In order to spray the second gas as a whole toward the substrate 200 based on a second axial direction (Y-axis direction) perpendicular to the first axial direction (X-axis direction), the second injection unit ( 8) may include a plurality of second injection members 81 .

상기 제2분사부재(81)들은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)들 각각에는 상기 제2분사공(82)들이 복수개 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)들은 상기 제2분사공(82)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제2가스를 분사할 수 있을 뿐만 아니라 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 안치대(2)에 안치된 기판(200)의 전면(全面)을 향해 상기 제2가스를 분사할 수 있도록 구현된다. 상기 제2분사공(82)들은 상기 제2전극(4)의 상측에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스는 상기 제2분사공(82)들을 통해 상기 제1전극(3)과 상기 제2전극(4)의 사이로 분사된 후에, 상기 개구(41)를 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 유동할 수 있다.The second injection members 81 may be disposed at positions spaced apart from each other in the second axial direction (Y-axis direction). A plurality of second injection holes 82 may be connected to each of the second injection members 81 . Accordingly, the second injection members 81 may inject the second gas toward the seating table 2 through the second injection holes 82 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can not only spray the second gas as a whole toward the substrate 200 with respect to the first axis direction (X-axis direction), but also the second axis The second gas may be sprayed as a whole toward the substrate 200 based on a direction (Y-axis direction). Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is implemented to spray the second gas toward the entire surface of the substrate 200 mounted on the pedestal 2 . The second injection holes 82 may be disposed above the second electrode 4 . In this case, after the second gas is injected between the first electrode 3 and the second electrode 4 through the second injection holes 82 , the seat table ( 2) can flow.

상기 제2분사부(8)는 제2공급부재(83)를 포함할 수 있다. 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2분사부재(81)의 입구에 결합된 것이다. 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 제2가스를 상기 제2분사부재(81)의 내부로 공급할 수 있다. 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2가스가 상기 제2분사부재(81)로 공급되기 위해 유동하는 제2공급공(84)을 포함할 수 있다. 상기 제2공급공(84)은 상기 제2공급부재(83)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2공급공(84)은 상기 제2분사부재(81)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 제2가스는, 상기 제2공급공(84)을 통해 상기 제2공급부재(83)를 통과하여 상기 제2분사부재(81)로 공급될 수 있다. 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2공급공(84)이 상기 제2분사부재(81)에 연결되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다.The second injection unit 8 may include a second supply member 83 . The second supply member 83 is coupled to the inlet of the second injection member 81 . The second supply member 83 may supply the second gas injected from the second injection unit 6 to the inside of the second injection member 81 . The second supply member 83 may include a second supply hole 84 through which the second gas flows to be supplied to the second injection member 81 . The second supply hole 84 may be formed to pass through the second supply member 83 . The second supply hole 84 may be connected to the second injection member 81 . Accordingly, the second gas injected from the second injection unit 6 passes through the second supply member 83 through the second supply hole 84 and is supplied to the second injection member 81 . can be The second supply member 83 may be coupled to the first electrode 3 such that the second supply hole 84 is connected to the second injection member 81 .

상기 제2분사부(8)가 상기 제2분사부재(81)를 복수개 포함하는 경우, 상기 제2분사부(8)는 상기 제2공급부재(83)를 복수개 포함할 수 있다. 상기 제2공급부재(83)들은 상기 제2분사부재(81)들 각각의 입구에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사부(8)는 제2분배부재(80)를 포함할 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 상기 제2가스를 상기 제2공급부재(83)들 각각에 분배하는 것이다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 하나의 제2주입부(6)를 이용하여 상기 제2공급부재(83)들 및 상기 제2분사부재(81)들에 상기 제2가스를 공급하도록 구현될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2주입부(6) 및 상기 제2공급부재(83)들 각각에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2공급부재(83)들의 제2공급공(84)들 각각에 연결될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)는 상기 제2분배부재(80)에 연결되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제2공급부재(83)들은 상기 제2분배부재(80) 및 상기 제2분사부재(81)들에 연결되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2주입부(6) 및 상기 제2공급부재(83)들의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 연장되도록 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다.When the second injection unit 8 includes a plurality of the second injection members 81 , the second injection unit 8 may include a plurality of the second supply members 83 . The second supply members 83 may be coupled to respective inlets of the second injection members 81 . In this case, the second injection unit 8 may include a second distribution member 80 . The second distribution member 80 distributes the second gas injected from the second injection unit 6 to each of the second supply members 83 . Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the second gas is supplied to the second supply members 83 and the second injection members 81 using one second injection unit 6 . can be implemented to provide The second distribution member 80 may be connected to each of the second injection part 6 and the second supply member 83 . In this case, the second distribution member 80 may be connected to each of the second supply holes 84 of the second supply members 83 . The second distribution member 80 may be formed in the chamber 100 . In this case, the second injection part 6 may be coupled to the chamber 100 so as to be connected to the second distribution member 80 . The second supply members 83 may be coupled to the first electrode 3 so as to be connected to the second distribution member 80 and the second injection members 81 . The second distribution member 80 may be disposed between the second injection part 6 and the second supply member 83 . The second distribution member 80 may be formed in the chamber 100 to extend in the second axial direction (Y-axis direction).

상기 제2분배부재(80)는 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 상기 제2가스를 상기 제2공급부재(83)들 각각에 분배하는 통로로 기능할 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 챔버(100)의 내부에 홈(Groove)를 형성함으로써 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 구현될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2분배부재(80)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.The second distribution member 80 may function as a passage for distributing the second gas injected from the second injection unit 6 to each of the second supply members 83 . The second distribution member 80 may be disposed inside the chamber 100 . The second distribution member 80 may be implemented to be disposed inside the chamber 100 by forming a groove in the inside of the chamber 100 . The second distribution member 80 may be implemented as a pipe, a tube, or the like. In this case, the second distribution member 80 may be coupled to the chamber 100 to be disposed inside the chamber 100 .

상기 제2분배부재(80)의 체적은 상기 제2분사부재(81)들의 체적의 합보다 더 클 수 있다. 이 경우, 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2분사부재(81)들 각각의 체적을 모두 합한 것보다 더 큰 체적을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)들 각각의 체적을 모두 합한 것보다 상기 제2분배부재(80)의 체적이 더 작은 비교예는, 상기 제2분사부재(81)들 각각에 상기 제2가스를 균일하게 공급할 수 없다. 상기 제2분사부재(81)들에 공급해야 하는 상기 제2가스의 전체 유량보다 상기 제2분배부재(80)에 최대로 채워질 수 있는 상기 제2가스의 유량이 작기 때문이다. 이와 달리, 실시예는 상기 제2분사부재(81)들에 공급해야 하는 상기 제2가스의 전체 유량보다 상기 제2분배부재(80)에 최대로 채워질 수 있는 상기 제2가스의 유량이 더 크므로, 비교예와 대비할 때 상기 제2분배부재(80)를 통해 상기 제2분사부재(81)들 각각에 상기 제2가스를 더 균일하게 공급할 수 있다. 여기서, 상기 제2분배부재(80)의 체적은 상기 제2분배부재(80)가 상기 제2주입부(6)에 맞닿는 부분에서부터 상기 제2분배부재(80)가 상기 제2공급부재(83)에 맞닿는 부분까지를 기준으로 한 것이다. 즉, 상기 제2분배부재(80)의 체적에는 상기 제2주입부(6)의 체적과 상기 제2공급부재(83)의 체적이 포함되지 않는다. 상기 제2분사부재(81)들 각각의 체적에는 제2공급부재(83)의 체적과 상기 제2분사공(82)의 체적이 포함되지 않는다.The volume of the second distribution member 80 may be greater than the sum of the volumes of the second distribution members 81 . In this case, the second distribution member 80 may be formed to have a larger volume than the sum of the volumes of each of the second injection members 81 . In a comparative example in which the volume of the second distribution member 80 is smaller than the sum of the volumes of each of the second injection members 81 , the second gas is applied to each of the second injection members 81 . Unable to supply uniformly. This is because the flow rate of the second gas that can be maximally filled in the second distribution member 80 is smaller than the total flow rate of the second gas to be supplied to the second injection members 81 . On the contrary, in the embodiment, the flow rate of the second gas that can be maximally filled in the second distribution member 80 is greater than the total flow rate of the second gas that must be supplied to the second injection members 81 . Therefore, in comparison with the comparative example, the second gas may be more uniformly supplied to each of the second injection members 81 through the second distribution member 80 . Here, the volume of the second distribution member 80 is determined from the portion where the second distribution member 80 comes into contact with the second injection part 6 , the second distribution member 80 moves to the second supply member 83 . ) as a reference point. That is, the volume of the second distribution member 80 does not include the volume of the second injection unit 6 and the volume of the second supply member 83 . The volume of each of the second injection members 81 does not include the volume of the second supply member 83 and the volume of the second injection hole 82 .

도 11 및 도 12를 참고하면, 상기 제2분사부(8)는 상기 제2분사부재(81)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스는, 상기 제2분배부재(80)를 통해 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제2주입부(6)로부터 이격된 거리 차이에 따라 상기 제2공급부재(83)들이 상기 제2분사부재(81)들에 공급하는 제2가스의 유량에 차이가 발생하게 된다.11 and 12 , in the second injection part 8 , the second injection members 81 are formed to have the same length in the first axial direction (X-axis direction) and in the second axial direction. It may be implemented to be disposed at positions spaced apart from each other along the (Y-axis direction). In this case, the flow rate of the second gas injected by the second injection unit 6 is gradually decreased while flowing in the second axial direction (Y-axis direction) through the second distribution member 80 . Accordingly, based on the second axial direction (Y-axis direction), the second supply members 83 are separated from the second injection member 81 according to the difference in distance from the second injection part 6 . There is a difference in the flow rate of the second gas supplied to the fields.

이러한 제2가스의 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제2공급부재(83)들은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2주입부(6)로부터 이격된 거리가 큰 것일수록 상기 제2공급공(84)의 크기가 더 크게 구현될 수 있다. 상기 제2주입부(6)로부터 이격된 거리는, 상기 제2주입부재(61)를 기준으로 이격된 거리에 해당할 수 있다.In order to reduce the flow rate difference of the second gas, the second supply members 83 have a large distance apart from the second injection unit 6 with respect to the second axial direction (Y-axis direction). The larger the size, the larger the size of the second supply hole 84 can be realized. A distance spaced apart from the second injection part 6 may correspond to a distance spaced apart from the second injection member 61 .

예컨대, 도 12에 도시된 바와 같이 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2주입부재(61)로부터 제3이격거리(83L')로 이격된 제2공급부재(83'), 및 상기 제2주입부재(61)로부터 제4이격거리(83L")로 이격된 제2공급부재(83")가 배치될 수 있다. 상기 제4이격거리(83L")는 상기 제3이격거리(83L')에 비해 더 크다. 이 경우, 상기 제2공급부재(83")의 제2공급공(84")은 상기 제2공급부재(83')의 제2공급공(84')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제2공급공(84")의 크기(84D")은 상기 제2공급공(84')의 크기(84D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.For example, as shown in FIG. 12 , the second supply member 83' is spaced apart from the second injection member 61 by a third separation distance 83L' based on the second axial direction (Y-axis direction). ), and a second supply member 83″ spaced apart from the second injection member 61 by a fourth separation distance 83L″ may be disposed. The fourth separation distance 83L" is greater than the third separation distance 83L'. In this case, the second supply hole 84" of the second supply member 83" is the second supplying distance 83L'. It can be implemented to be larger than the second supply hole 84' of the member 83'. That is, the size 84D" of the second supply hole 84" is the size of the second supply hole 84'. It can be implemented to be larger than the size 84D'.

이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83")가 상기 제2공급부재(83')에 비해 상기 제2주입부재(61)로부터 더 큰 거리로 이격되도록 배치되더라도, 상기 제2공급부재들(83', 83")이 상기 제2분사부재(81, 도 11에 도시됨)들 각각에 공급하는 제2가스의 유량에 대한 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하는 상기 제2공급부재들(83', 83")의 이격거리(83L', 83L") 차이로 인해, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 제2공급공들(84', 84") 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제2공급공(84")의 직경(84D")은 상기 제2공급공(84')의 직경(84D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현된 경우, 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1전극(3)의 양측면으로부터 동일한 거리로 이격된 지점에 위치하도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the second supply member 83 ″ is spaced apart from the second injection member 61 by a greater distance than the second supply member 83 ′. Although arranged, the difference in the flow rate of the second gas supplied to each of the second injection members 81 by the second supply members 83 ′ and 83 ″ may be reduced. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the separation distances 83L' and 83L" of the second supply members 83' and 83" based on the second axial direction (Y-axis direction) are provided. Due to the difference, a deviation with respect to the flow rate of the second gas injected toward the substrate 200 with respect to the second axial direction (Y-axis direction) may be reduced. When each of the second supply holes 84' and 84" is formed in a cylindrical shape, the diameter 84D" of the second supply hole 84" is the diameter 84D of the second supply hole 84'. ') The second injection members 81 are formed to have the same length in the first axial direction (X-axis direction) and along the second axial direction (Y-axis direction). When implemented to be spaced apart from each other, the first electrode 3 may be formed in a rectangular plate shape as a whole. Thus, it may be coupled to the chamber 100 so as to be positioned at a point spaced apart from both sides of the first electrode 3 by the same distance.

도 2, 도 13 및 도 14를 참고하면, 상기 제2분사부(8)는 상기 제2분사부재(81)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스는, 상기 제2공급부재(83)들을 통해 상기 제2분사부재(81)들로 공급된 후에 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 거리로 유동하면서 상기 기판(200, 도 2에 도시됨)을 향해 분사된다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)들의 길이 차이에 따라 상기 제2분사부재(81)들이 상기 기판(200)을 향해 분사하는 제2가스의 유량에 차이가 발생할 수 있다.Referring to FIGS. 2, 13 and 14 , in the second injection part 8 , the second injection members 81 are formed to have different lengths in the first axial direction (X-axis direction) and the second injection unit 8 is It may be implemented to be disposed at positions spaced apart from each other in the two-axis direction (Y-axis direction). In this case, the second gas injected by the second injection unit 6 is supplied to the second injection members 81 through the second supply members 83 in the first axial direction (X-axis). direction) while flowing at different distances toward the substrate 200 (shown in FIG. 2 ). Accordingly, a difference in the flow rate of the second gas injected toward the substrate 200 by the second injection members 81 may occur according to a difference in length of the second injection members 81 .

이러한 제2가스의 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제2공급부재(83)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 길이가 긴 제2분사부재(81)에 결합된 것일수록 상기 제2공급공(84)의 크기가 더 크게 구현될 수 있다.In order to reduce the flow rate difference of the second gas, the second supply members 83 are coupled to the second jetting member 81 having a longer length with respect to the first axial direction (X-axis direction) as a reference. The size of the second supply hole 84 may be implemented to be larger.

예컨대, 도 14에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 제3길이(81L')로 형성된 제2분사부재(81') 및 제4길이(81L")로 형성된 제2분사부재(81")가 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제4길이(81L")는 상기 제3길이(81L')에 비해 더 길다. 이 경우, 상기 제2분사부재(81")에 결합된 제2공급부재(83")의 제2공급공(84")은 상기 제2분사부재(81')에 결합된 제2공급부재(83')의 제2공급공(84')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제2공급공(84")의 크기(84D")은 상기 제2공급공(84')의 크기(84D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.For example, as shown in FIG. 14, the second injection member 81' and the fourth length 81L" are formed with a third length 81L' based on the first axis direction (X-axis direction). The second injection members 81 ″ may be disposed to be spaced apart from each other in the second axial direction (Y-axis direction). The fourth length 81L" is longer than the third length 81L'. In this case, the second supply hole of the second supply member 83" coupled to the second injection member 81". (84") may be implemented larger than the second supply hole 84' of the second supply member 83' coupled to the second injection member 81'. That is, the size 84D" of the second supply hole 84" may be larger than the size 84D' of the second supply hole 84'.

이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2분사부재(81")가 상기 제2분사부재(81')에 비해 더 긴 길이로 형성되더라도, 상기 제2분사부재들(81', 81")이 상기 기판(200, 도 2에 도시됨)을 향해 분사하는 제2가스의 유량에 대한 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하는 상기 제2분사부재들(81', 81")의 길이 차이로 인해, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 제2공급공들(84', 84") 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제2공급공(84")의 직경(84D")은 상기 제2공급공(84')의 직경(84D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the second injection member 81 ″ is larger than that of the second injection member 81 ′ with respect to the first axial direction (X-axis direction). Even if it is formed to have a long length, it is possible to reduce a difference in the flow rate of the second gas that the second injection members 81 ′ and 81 ″ inject toward the substrate 200 (shown in FIG. 2 ). Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, due to the difference in length of the second jetting members 81' and 81" with respect to the first axial direction (X-axis direction), the second axis It is possible to reduce a deviation in the flow rate of the second gas injected toward the substrate 200 based on the direction (Y-axis direction). Each of the second supply holes 84' and 84" has a cylindrical shape. , the diameter 84D" of the second supply hole 84" may be larger than the diameter 84D' of the second supply hole 84'.

한편, 상기 제2분사부재(81)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현된 경우, 도 13에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2분사부재(81)들의 양단은 상기 제2분사부재(81)들의 길이에 따라 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2분사부재(81)들의 일단에 대응되도록 휘어진 곡선 형태로 형성될 수 있다. 도 13에는 상기 제1전극(3)이 전체적으로 원반형으로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수도 있다.Meanwhile, the second injection members 81 are formed to have different lengths in the first axial direction (X-axis direction) and are implemented to be disposed at positions spaced apart from each other in the second axial direction (Y-axis direction). In this case, as shown in FIG. 13 , both ends of the second injection members 81 are located at different positions along the length of the second injection members 81 with respect to the first axial direction (X-axis direction). can be placed. In this case, the second distribution member 80 may be formed in a curved shape to correspond to one end of the second injection members 81 . Although FIG. 13 shows that the first electrode 3 is formed in a disk shape as a whole, the present invention is not limited thereto, and the first electrode 3 may be formed as a whole in a square plate shape.

도 15를 참고하면, 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치될 수 있다. 도 15에서 실선이 제1가스가 유동하는 제1주입부재(51)와 제1분사부재(71)들의 위치를 표시한 것이고, 점선이 제2가스가 유동하는 제2주입부재(61)와 제2분사부재(81)들의 위치를 표시한 것이다. 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)는 서로 제1간격(S1)으로 이격되면서 교대로 복수개씩 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부(7)와 상기 제1분사부(8)는 상기 제2가스와 상기 제1가스가 서로 혼합되지 않도록 별개의 유로를 구현할 수 있다.Referring to FIG. 15 , a plurality of the second injection member 81 and the first injection member 71 may be alternately disposed in the second axial direction (Y-axis direction). In FIG. 15, the solid line indicates the positions of the first injection member 51 and the first injection member 71 through which the first gas flows, and the dotted line indicates the second injection member 61 and the second injection member 61 through which the second gas flows. The positions of the two injection members 81 are indicated. Based on the second axial direction (Y-axis direction), the second injection member 81 and the first injection member 71 may be alternately arranged in a plurality while being spaced apart from each other at a first interval S1. there is. Accordingly, the second injection unit 7 and the first injection unit 8 may implement separate flow paths so that the second gas and the first gas do not mix with each other.

상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)가 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 상기 제1간격(S1)으로 이격되도록 배치된 경우, 상기 제2주입부재(61)와 상기 제1주입부재(51)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 상기 제1간격(S1)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제2주입부재(61)와 상기 제1주입부재(51)는 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)가 서로 이격된 간격과 동일한 간격으로 이격되도록 배치된다. 이에 따라, 상기 제2주입부재(61)가 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부재(51)가 주입한 제1가스는, 각각 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 동일한 거리로 유동하여 상기 제2분사부재(81)들 및 상기 제1분사부재(71)들로 분배될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차를 감소시킬 수 있다.When the second injection member 81 and the first injection member 71 are disposed to be spaced apart by the first interval S1 based on the second axial direction (Y-axis direction), the second injection member 61 and the first injection member 51 may be disposed to be spaced apart from each other by the first interval S1 based on the second axial direction (Y-axis direction). That is, based on the second axial direction (Y-axis direction), the second injection member 61 and the first injection member 51 are the second injection member 81 and the first injection member ( 71) are arranged to be spaced apart from each other at the same distance as the spaced apart distance from each other. Accordingly, the second gas injected by the second injection member 61 and the first gas injected by the first injection member 51 are respectively the same distance from each other in the second axial direction (Y-axis direction). flow to the second injection member 81 and the first injection member 71 may be distributed. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deviation of the flow rate ratio for the second gas and the first gas for each part of the substrate 200 .

도 16 및 도 17을 참고하면, 상기 제2분사부재(81) 및 상기 제1분사부재(71)는 상기 안치대(2)로부터 서로 다른 높이로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)는 상기 안치대(2)로부터 제3높이(71H)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)는 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)에 비해 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)는 상기 안치대(2)로부터 제4높이(81H)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제4높이(81H)는 상기 제3높이(71H)에 비해 더 낮다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)는 상기 제1분사부재(71)에 비해 상기 안치대(2)로부터 더 낮은 높이로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2분사부재(81) 및 상기 제1분사부재(71)는 서로 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있으므로, 상기 제2가스와 상기 제1가스가 서로 혼합되지 않도록 별개의 유로를 구현할 수 있다. 16 and 17 , the second injection member 81 and the first injection member 71 may be disposed at positions spaced apart from each other at different heights from the seating table 2 . The first injection member 71 may be disposed at a position spaced apart from the seating table 2 by a third height 71H. Accordingly, the first injection member 71 may be disposed at a higher position than the seating table 2 with respect to the vertical direction (Z-axis direction). The second injection member 81 may be disposed at a position spaced apart from the seating table 2 by a fourth height 81H. The fourth height 81H is lower than the third height 71H. Accordingly, the second injection member 81 may be disposed at a position spaced apart from the seat 2 at a lower height than the first injection member 71 . Accordingly, since the second injection member 81 and the first injection member 71 may be disposed at positions that do not interfere with each other, separate flow paths may be implemented so that the second gas and the first gas do not mix with each other. can

상기 제2분사부재(81)가 상기 제1분사부재(71)에 비해 더 낮은 위치에 배치된 경우, 상기 제2분사부재(81)가 상기 제1분사부재(71)에 비해 상기 안치대(2)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)에 서로 동일한 유량의 제2가스와 제1가스가 공급되면, 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)의 높이 차이로 인해 상기 기판(200) 쪽으로 분사된 제2가스의 유량과 제1가스의 유량에 차이가 발생하게 된다. 이러한 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제2분사부재(81)에 결합된 제2공급부재(83)의 제2공급공(84)은, 상기 제1분사부재(71)에 결합된 제1공급부재(73)의 제1공급공(74)에 비해 더 작은 크기(84D)로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2공급공(84)의 크기(84D)가 상기 제1공급공(74)의 크기(74D)에 비해 더 작다. 이에 따라, 상기 제2공급공(84)을 통해 상기 제2분사부재(81)로 공급되는 제2가스의 유량은, 상기 제1공급공(74)을 통해 상기 제1분사부재(71)로 공급되는 제1가스의 유량에 비해 더 적어지게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2분사부재(81)가 상기 제1분사부재(71)에 비해 더 낮은 위치에 배치되더라도, 상기 기판(2000 쪽으로 분사된 제2가스의 유량과 제1가스의 유량에 발생하는 차이를 감소시킬 수 있다. 상기 제2공급공(84) 및 상기 제1공급공(74) 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제2공급공(84)의 직경(84D)이 상기 제1공급공(74)의 직경(74D)에 비해 더 작게 구현될 수 있다.When the second injection member 81 is disposed at a lower position than the first injection member 71, the second injection member 81 is lower than the first injection member 71 on the seat ( 2) can be placed closer to Accordingly, when the second gas and the first gas of the same flow rate are supplied to the second injection member 81 and the first injection member 71, the second injection member 81 and the first injection member 71 Due to the height difference of 71 , a difference occurs between the flow rate of the second gas injected toward the substrate 200 and the flow rate of the first gas. In order to reduce this flow rate difference, the second supply hole 84 of the second supply member 83 coupled to the second injection member 81 is provided with a first supply coupled to the first injection member 71 . It may be formed in a smaller size 84D than the first supply hole 74 of the member 73 . That is, the size 84D of the second supply hole 84 is smaller than the size 74D of the first supply hole 74 . Accordingly, the flow rate of the second gas supplied to the second injection member 81 through the second supply hole 84 is directed to the first injection member 71 through the first supply hole 74 . It becomes smaller than the flow rate of the supplied first gas. Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, even if the second injection member 81 is disposed at a lower position than that of the first injection member 71, the second gas injected toward the substrate 2000 is It is possible to reduce a difference between the flow rate and the flow rate of the first gas When each of the second supply hole 84 and the first supply hole 74 is formed in a cylindrical shape, the second supply hole 84 A diameter of 84D may be smaller than a diameter 74D of the first supply hole 74 .

상기 제2공급부재(83)는 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83)의 교체를 통해 상기 제2공급공(84)과 상기 제1공급공(74) 간의 크기 차이가 조절될 수 있도록 구현됨으로써, 상기 제1가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제2가스의 유량을 변경할 수 있다.The second supply member 83 may be detachably coupled to the first electrode 3 . Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the size difference between the second supply hole 84 and the first supply hole 74 can be adjusted by replacing the second supply member 83 . By being so implemented, the flow rate of the second gas may be changed based on the flow rate of the first gas.

예컨대, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 동일한 유량으로 사용되는 처리공정에서 상기 제1가스에 비해 상기 제2가스가 더 많은 유량으로 사용되는 처리공정으로 변경된 경우, 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2공급공(84)의 크기(84D)가 더 큰 것으로 교체될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83)의 교체를 통해 상기 제2분사부재(81)에 공급되는 제2가스의 유량을 증대시킴으로써, 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량을 증대시킬 수 있다.For example, when a process in which the first gas and the second gas are used at the same flow rate is changed to a treatment process in which the second gas is used at a higher flow rate than the first gas, the second supply member ( 83 may be replaced with a larger size 84D of the second supply hole 84 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention increases the flow rate of the second gas supplied to the second injection member 81 through replacement of the second supply member 83 , thereby increasing the flow rate of the second gas to the substrate 200 . ) can increase the flow rate of the second gas injected toward the.

예컨대, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 동일한 유량으로 사용되는 처리공정에서 상기 제1가스에 비해 상기 제2가스가 더 적은 유량으로 사용되는 처리공정으로 변경된 경우, 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2공급공(84)의 크기(84D)가 더 작은 것으로 교체될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83)의 교체를 통해 상기 제2분사부재(81)에 공급되는 제2가스의 유량을 감소시킴으로써, 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량을 감소시킬 수 있다.For example, when a process in which the first gas and the second gas are used at the same flow rate is changed to a treatment process in which the second gas is used at a lower flow rate than the first gas, the second supply member ( 83 may be replaced with a smaller size 84D of the second supply hole 84 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention reduces the flow rate of the second gas supplied to the second injection member 81 through the replacement of the second supply member 83 , so that the substrate 200 is ) to reduce the flow rate of the second gas injected toward.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83)가 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합됨으로써, 상기 처리공정에 따라 상기 제1가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제2가스의 유량을 변경할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정의 변경에 대한 대응력을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 처리공정에 적용할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다. 상기 제2공급부재(83)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합될 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, since the second supply member 83 is detachably coupled to the first electrode 3, the flow rate of the first gas according to the processing process It is implemented so that the flow rate of the second gas can be changed on the basis of . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can not only improve the ability to respond to changes in the processing process, but also improve the versatility that can be applied to various processing processes. The second supply member 83 may be detachably coupled to the first electrode 3 using fastening means such as bolts.

한편, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)가 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)를 상기 제1공급공(74)의 크기(74D)가 다른 것으로 교체함으로써, 상기 처리공정에 따라 상기 제2가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제1가스의 유량을 변경할 수 있도록 구현된다. 상기 제1공급부재(73)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)와 상기 제2공급부재(83) 모두가 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수도 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that the first supply member 73 is detachably coupled to the first electrode 3 . In this case, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention replaces the first supply member 73 with a different size 74D of the first supply hole 74, so that the second It is implemented to change the flow rate of the first gas based on the flow rate of the gas. The first supply member 73 may be detachably coupled to the first electrode 3 using fastening means such as bolts. The substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that both the first supply member 73 and the second supply member 83 are detachably coupled to the first electrode 3 .

도 18을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 배기구(110)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 18 , the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may include an exhaust port 110 .

상기 배기구(110)는 상기 챔버(100)의 내부를 배기시키는 것이다. 상기 배기구(110)는 상기 챔버(100)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 배기구(110)는 상기 챔버(100)의 외부에 배치된 배기유닛(120)에 연결될 수 있다. 상기 배기유닛(120)은 흡입력을 발생시킴으로써, 상기 배기구(110)를 통해 상기 챔버(100)의 내부를 배기시킬 수 있다.The exhaust port 110 exhausts the interior of the chamber 100 . The exhaust port 110 may be formed to pass through the chamber 100 . The exhaust port 110 may be connected to the exhaust unit 120 disposed outside the chamber 100 . The exhaust unit 120 may exhaust the interior of the chamber 100 through the exhaust port 110 by generating a suction force.

여기서, 상기 제1주입부(5)와 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에 배치된 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)이 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에 대응됨과 아울러 상기 기판(200)의 타측(220)이 상기 제1전극(3)의 타측(3c)에 대응되도록 상기 안치대(2)에 안치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)와 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에서 상기 제1가스와 상기 제2가스를 주입하므로, 상기 기판(200)의 일측(210)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량비율 및 상기 기판(200)의 타측(220)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량비율은 대략 일치하게 된다. 그러나 상기 기판(200)의 일측(210)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량은, 상기 기판(200)의 타측(220)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량에 비해 더 많게 된다. 이에 따라, 증착공정의 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)에 더 두꺼운 박막이 증착될 수 있다. 식각공정의 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 더 많은 식각이 이루어질 수 있다.Here, when the first injection part 5 and the second injection part 6 are disposed on one side 3a of the first electrode 3, one side 210 of the substrate 200 is It can be placed on the pedestal 2 so as to correspond to one side 3a of the first electrode 3 and the other side 220 of the substrate 200 to correspond to the other side 3c of the first electrode 3 . there is. In this case, since the first injection part 5 and the second injection part 6 inject the first gas and the second gas from one side 3a of the first electrode 3, the substrate ( The flow rate ratio of the first gas and the second gas injected toward the one side 210 of the 200) and the flow rate ratio of the first gas and the second gas injected toward the other side 220 of the substrate 200 are approximately equal do. However, the flow rates of the first gas and the second gas injected toward one side 210 of the substrate 200 are proportional to the flow rates of the first gas and the second gas injected toward the other side 220 of the substrate 200 . becomes more than Accordingly, in the case of the deposition process, a thicker thin film may be deposited on one side 210 of the substrate 200 . In the case of the etching process, more etching may be performed on one side 210 of the substrate 200 .

이를 해결하기 위해, 상기 배기구(110)는 상기 제1전극(3)의 타측(3c)에 대응되는 위치에서 상기 챔버(100)의 내부를 배기시키도록 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에서 상기 기판(200)의 일측(210) 쪽을 향해 분사된 제1가스와 제2가스가 상기 기판(200)의 타측(220) 쪽으로 유동하여 배기되도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)의 일측(210) 상에 위치한 제1가스와 제2가스의 유량 및 상기 기판(200)의 타측(220) 상에 위치한 제1가스와 제2가스의 유량 간에 발생하는 편차를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 증착공정을 수행하는 경우, 상기 기판(200)에 전체적으로 균일한 두께의 박막이 증착되도록 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 식각공정을 수행하는 경우, 상기 기판(200)에 전체적으로 균일한 식각이 이루어지도록 구현될 수 있다.To solve this, the exhaust port 110 may be formed in the chamber 100 to exhaust the interior of the chamber 100 at a position corresponding to the other side 3c of the first electrode 3 . Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the first gas and the second gas injected from the one side 3a side of the first electrode 3 toward the one side 210 side of the substrate 200 are It may be implemented to flow toward the other side 220 of the substrate 200 to be exhausted. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the flow rates of the first gas and the second gas located on one side 210 of the substrate 200 and the second gas located on the other side 220 of the substrate 200 are provided. It is possible to reduce a deviation occurring between the flow rates of the first gas and the second gas. Accordingly, when performing the deposition process, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that a thin film having a uniform thickness is deposited on the substrate 200 as a whole. When performing the etching process, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that the entire substrate 200 is etched uniformly.

상기 배기구(110)는 상기 제1전극(3)의 타측(220)에 대응되는 위치에서 상기 챔버(100)의 바닥면을 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 배기구(110)는 상기 안치대(2)와 상기 챔버(100)의 사이에 대응되는 위치에서 상기 챔버(100)의 바닥면을 관통하도록 형성될 수 있다.The exhaust port 110 may be formed to pass through the bottom surface of the chamber 100 at a position corresponding to the other side 220 of the first electrode 3 . In this case, the exhaust port 110 may be formed to pass through the bottom surface of the chamber 100 at a position corresponding to between the seating table 2 and the chamber 100 .

도 18을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)은 온도조절유닛(130)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 18 , the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may include a temperature control unit 130 .

상기 온도조절유닛(130)은 상기 기판(200)의 온도를 조절하는 것이다. 상기 온도조절유닛(130)은 상기 안치대(2)에 결합될 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)은 상기 안치대(2)의 온도를 조절함으로써, 상기 안치대(2)에 안치된 기판(200)의 온도를 조절할 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)은 온도조절용 유체를 상기 안치대(2)의 내부에서 순환 이동시킴으로써, 상기 기판(200)의 온도를 조절할 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)은 상기 안치대(2)의 내부에 결합된 전열선에 전원을 인가함으로써, 상기 기판(200)의 온도를 조절할 수도 있다.The temperature control unit 130 controls the temperature of the substrate 200 . The temperature control unit 130 may be coupled to the seating table (2). The temperature control unit 130 may adjust the temperature of the substrate 200 mounted on the seating table 2 by adjusting the temperature of the seating table 2 . The temperature control unit 130 may control the temperature of the substrate 200 by circulating and moving the temperature control fluid inside the seating table 2 . The temperature control unit 130 may control the temperature of the substrate 200 by applying power to the heating wire coupled to the inside of the seating table 2 .

여기서, 상기 제1주입부(5)와 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에 배치된 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량비율 및 상기 기판(200)의 타측(220)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량비율은 대략 일치하게 된다. 그러나 상기 기판(200)의 일측(210)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량은, 상기 기판(200)의 타측(220)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량에 비해 더 많게 된다. 이에 따라, 증착공정의 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)에 더 두꺼운 박막이 증착될 수 있다. 식각공정의 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 더 많은 식각이 이루어질 수 있다.Here, when the first injection part 5 and the second injection part 6 are disposed on one side 3a of the first electrode 3 , the injection is directed toward one side 210 of the substrate 200 . The flow rate ratio of the first gas and the second gas and the flow rate ratio of the first gas and the second gas injected toward the other side 220 of the substrate 200 are approximately the same. However, the flow rates of the first gas and the second gas injected toward one side 210 of the substrate 200 are proportional to the flow rates of the first gas and the second gas injected toward the other side 220 of the substrate 200 . becomes more than Accordingly, in the case of the deposition process, a thicker thin film may be deposited on one side 210 of the substrate 200 . In the case of the etching process, more etching may be performed on one side 210 of the substrate 200 .

이를 해결하기 위해, 상기 온도조절유닛(130)은 상기 기판(200)의 일측(210)에 비해 상기 기판(200)의 타측(220)을 더 높은 온도로 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도조절유닛(130)은 상기 기판(200)의 일측(210)에서의 반응성에 비해 상기 기판(200)의 타측(220) 쪽에서의 반응성을 더 높일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 증착공정을 수행하는 경우, 상기 기판(200)에 전체적으로 균일한 두께의 박막이 증착되도록 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 식각공정을 수행하는 경우, 상기 기판(200)에 전체적으로 균일한 식각이 이루어지도록 구현될 수 있다.To solve this, the temperature control unit 130 may adjust the other side 220 of the substrate 200 to a higher temperature than the one side 210 of the substrate 200 . Accordingly, the temperature control unit 130 may further increase the reactivity at the other side 220 of the substrate 200 compared to the reactivity at the one side 210 of the substrate 200 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that a thin film having a uniform thickness is deposited on the substrate 200 when a deposition process is performed. When performing the etching process, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that the entire substrate 200 is etched uniformly.

상기 온도조절유닛(130)은 상기 기판(200)의 타측(220)에 대응되는 안치대(2)의 타측부분을 더 높은 온도로 조절함으로써, 상기 기판(200)의 타측(200)을 더 높은 온도로 조절할 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)이 온도조절용 유체를 이용하는 경우, 상기 온도조절유닛(130)은 상기 타측부분을 순환 이동하는 온도조절용 유체의 온도와 유량 중에서 적어도 하나를 증대시킬 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)이 전열선을 이용하는 경우, 상기 온도조절유닛(130)은 상기 타측부분에 더 높은 전류의 전원을 인가할 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)은 상기 타측부분에만 배치되도록 상기 안치대(2)에 결합될 수도 있다.The temperature control unit 130 adjusts the other side portion of the seating table 2 corresponding to the other side 220 of the substrate 200 to a higher temperature, thereby increasing the other side 200 of the substrate 200 to a higher temperature. temperature can be adjusted. When the temperature control unit 130 uses the temperature control fluid, the temperature control unit 130 may increase at least one of the temperature and the flow rate of the temperature control fluid that circulates and moves the other side. When the temperature control unit 130 uses a heating wire, the temperature control unit 130 may apply power of a higher current to the other side portion. The temperature control unit 130 may be coupled to the pedestal 2 so as to be disposed only on the other side.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of

1 : 기판처리장치 2 : 안치대
3 : 제1전극 4 : 제2전극
5 : 제1주입부 6 : 제2주입부
7 : 제1분사부 8 : 제2분사부
31 : 돌출전극 41 : 개구
51 : 제1주입부재 52 : 제1주입공
61 : 제2주입부재 62 : 제2주입공
71 : 제1분사부재 72 : 제1분사공
73 : 제1공급부재 74 : 제1공급공
81 : 제1분사부재 82 : 제2분사공
83 : 제2공급부재 84 : 제2공급공
100 : 챔버 110 : 배기구
120 : 배기유닛 130 : 온도조절유닛1: substrate processing device 2: mounting table
3: first electrode 4: second electrode
5: 1st injection part 6: 2nd injection part
7: first injection unit 8: second injection unit
31: protruding electrode 41: opening
51: first injection member 52: first injection hole
61: second injection member 62: second injection hole
71: first injection member 72: first injection hole
73: first supply member 74: first supply hole
81: first injection member 82: second injection hole
83: second supply member 84: second supply hole
100: chamber 110: exhaust port
120: exhaust unit 130: temperature control unit

Claims (19)

챔버;
기판이 안치되는 안치대;
상기 안치대의 상측에 위치하고, 상기 안치대 쪽으로 돌출된 복수개의 돌출전극이 결합된 제1전극;
상기 제1전극과 상기 안치대의 사이에 위치하고, 상기 돌출전극들에 대응되는 위치에 복수개의 개구가 형성된 제2전극;
상기 제1전극을 통해 제1가스를 분사하는 제1분사부;
상기 제1전극을 통해 제2가스를 분사하는 제2분사부;
상기 제1분사부에 상기 제1가스를 주입하는 제1주입부; 및
상기 제2분사부에 상기 제2가스를 주입하는 제2주입부를 포함하고,
상기 제1주입부와 상기 제2주입부는 각각 상기 제1전극에 대해 같은 쪽에 배치되며,
상기 개구들 각각은 상기 돌출전극들 각각보다 더 큰 직경으로 형성되고,
상기 제1전극과 상기 제2전극은 서로 이격되어 배치되며,
상기 제1분사부가 분사한 제1가스와 상기 제2분사부가 분사한 제2가스는 상기 개구들을 통해 상기 안치대 쪽으로 공급되고,
상기 제1주입부는 상기 제1분사부에 주입한 제1가스가 상기 제1전극의 일측에서 타측을 향해 유동하도록 상기 제1전극의 일측에 배치되며,
상기 제2주입부는 상기 제2분사부에 주입한 제2가스가 상기 제1전극의 일측에서 타측을 향해 유동하도록 상기 제1전극의 일측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.chamber;
a pedestal on which the substrate is placed;
a first electrode positioned above the pedestal and coupled to a plurality of protruding electrodes protruding toward the pedestal;
a second electrode positioned between the first electrode and the pedestal and having a plurality of openings formed at positions corresponding to the protruding electrodes;
a first injection unit for injecting a first gas through the first electrode;
a second injection unit for injecting a second gas through the first electrode;
a first injection unit for injecting the first gas into the first injection unit; and
and a second injection unit for injecting the second gas into the second injection unit,
The first injection part and the second injection part are respectively disposed on the same side with respect to the first electrode,
Each of the openings is formed to have a larger diameter than each of the protruding electrodes,
The first electrode and the second electrode are disposed to be spaced apart from each other,
The first gas injected by the first injection unit and the second gas injected by the second injection unit are supplied toward the seating table through the openings,
The first injection unit is disposed on one side of the first electrode so that the first gas injected into the first injection unit flows from one side of the first electrode to the other side,
The second injection unit is disposed on one side of the first electrode so that the second gas injected into the second injection unit flows from one side of the first electrode to the other side. 제1항에 있어서,
상기 제1주입부와 상기 제2주입부는 각각 상기 제1가스와 상기 제2가스를 서로 동일한 주입방향으로 유동시켜서 상기 제1분사부와 상기 제2분사부에 주입하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The first injection part and the second injection part respectively flow the first gas and the second gas in the same injection direction to inject the first gas and the second gas into the first injection part and the second injection part. . 제1항에 있어서,
상기 제1주입부는 상기 제1분사부에 연결된 제1주입부재를 포함하고,
상기 제2주입부는 상기 제2분사부에 연결된 제2주입부재를 포함하며,
상기 제1주입부재는 제1축방향을 기준으로 하여 상기 안치대로부터 제1거리로 이격된 위치에 배치되고,
상기 제2주입부재는 상기 제1축방향을 기준으로 하여 상기 안치대로부터 상기 제1거리로 이격된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The first injection unit includes a first injection member connected to the first injection unit,
The second injection unit includes a second injection member connected to the second injection unit,
The first injection member is disposed at a position spaced apart from the seating table by a first distance with respect to the first axial direction,
The second injection member is a substrate processing apparatus, characterized in that it is disposed at a position spaced apart from the first distance from the seating table with respect to the first axial direction. 제3항에 있어서,
상기 제1주입부재는 상기 안치대로부터 제1높이로 이격된 위치에 배치되고,
상기 제2주입부재는 상기 안치대로부터 상기 제1높이에 비해 더 낮은 제2높이로 이격된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.4. The method of claim 3,
The first injection member is disposed at a position spaced apart from the rest by a first height,
The second injection member is a substrate processing apparatus, characterized in that it is disposed at a position spaced apart from the pedestal by a second height lower than the first height. 제4항에 있어서,
상기 제1주입부재는 상기 제1가스가 상기 제1분사부로 주입되기 위해 유동하는 제1주입공을 포함하고,
상기 제2주입부재는 상기 제2가스가 상기 제2분사부로 주입되기 위해 유동하는 제2주입공을 포함하며,
상기 제2주입공은 상기 제1주입공을 통해 상기 제1분사부로 주입되는 상기 제1가스의 유량에 비해 상기 제2분사부로 주입되는 상기 제2가스의 유량이 더 적도록 상기 제1주입공에 비해 더 작은 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.5. The method of claim 4,
The first injection member includes a first injection hole through which the first gas flows to be injected into the first injection unit,
The second injection member includes a second injection hole through which the second gas flows to be injected into the second injection unit,
The second injection hole is the first injection hole so that the flow rate of the second gas injected into the second injection unit is smaller than the flow rate of the first gas injected into the first injection unit through the first injection hole. Substrate processing apparatus, characterized in that formed in a smaller size compared to the. 제1항에 있어서,
상기 제1주입부는 상기 제1분사부에 연결된 제1주입부재를 포함하고,
상기 제2주입부는 상기 제2분사부에 연결된 제2주입부재를 포함하며,
상기 제1주입부재는 상기 제1가스가 상기 제1분사부로 주입되기 위해 유동하는 제1주입공을 포함하고,
상기 제2주입부재는 상기 제2가스가 상기 제2분사부로 주입되기 위해 유동하는 제2주입공을 포함하되, 상기 챔버에 분리 가능하게 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The first injection unit includes a first injection member connected to the first injection unit,
The second injection unit includes a second injection member connected to the second injection unit,
The first injection member includes a first injection hole through which the first gas flows to be injected into the first injection unit,
The second injection member includes a second injection hole through which the second gas flows to be injected into the second injection unit, and is detachably coupled to the chamber. 제1항에 있어서,
상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 복수개의 제1분사부재, 상기 제1분사부재들 각각의 입구에 결합된 복수개의 제1공급부재, 및 상기 제1주입부로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1공급부재들 각각에 분배하는 제1분배부재를 포함하고,
상기 제1공급부재들은 각각 상기 제1분배부재와 상기 제1분사부재 각각에 연결된 제1공급공을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The first injection unit includes a plurality of first injection members disposed inside the first electrode, a plurality of first supply members coupled to inlets of each of the first injection members, and the injection from the first injection unit. A first distribution member for distributing a first gas to each of the first supply members,
and each of the first supply members includes a first supply hole connected to each of the first distribution member and the first jetting member. 제7항에 있어서,
상기 제1분사부재들은 제1축방향을 따라 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 따라 서로 이격된 위치에 배치되고,
상기 제1공급부재들은 상기 제2축방향을 기준으로 하여 상기 제1주입부로부터 이격된 거리가 큰 것일수록 상기 제1공급공의 크기가 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.8. The method of claim 7,
The first injection members are formed to have the same length in the first axial direction and are disposed at positions spaced apart from each other in the second axial direction perpendicular to the first axial direction,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the size of the first supply hole of the first supply members is larger as a distance from the first injection part is greater with respect to the second axial direction. 제7항에 있어서,
상기 제1분사부재들은 제1축방향을 따라 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 따라 서로 이격된 위치에 배치되고,
상기 제1공급부재들은 상기 제1축방향을 기준으로 하여 길이가 긴 제1분사부재에 결합된 것일수록 상기 제1공급공의 크기가 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.8. The method of claim 7,
The first injection members are formed to have different lengths along the first axial direction and are disposed at positions spaced apart from each other along the second axial direction perpendicular to the first axial direction,
The substrate processing apparatus, characterized in that the size of the first supply hole is larger as the first supply members are coupled to the first jetting member having a longer length with respect to the first axial direction. 제1항에 있어서,
상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 복수개의 제1분사부재, 상기 제1분사부재들 각각의 입구에 결합된 복수개의 제1공급부재, 및 상기 제1주입부로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1공급부재들 각각에 분배하는 제1분배부재를 포함하고,
상기 제1분배부재의 체적은 상기 제1분사부재들의 체적의 합보다 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The first injection unit includes a plurality of first injection members disposed inside the first electrode, a plurality of first supply members coupled to inlets of each of the first injection members, and the injection from the first injection unit. A first distribution member for distributing a first gas to each of the first supply members,
A volume of the first distributing member is greater than a sum of the volumes of the first distributing members. 제1항에 있어서,
상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 제1분사부재, 및 상기 제1분사부재의 입구에 결합된 제1공급부재를 포함하고,
상기 제2분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 제2분사부재, 및 상기 제2분사부재의 입구에 결합된 제2공급부재를 포함하며,
상기 제2분사부재는 상기 제1분사부재에 비해 상기 안치대로부터 더 낮은 높이로 이격된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The first injection unit includes a first injection member disposed inside the first electrode, and a first supply member coupled to an inlet of the first injection member,
The second injection unit includes a second injection member disposed inside the first electrode, and a second supply member coupled to the inlet of the second injection member,
The second jetting member is a substrate processing apparatus, characterized in that it is disposed at a position spaced apart from the seat at a lower height than the first jetting member. 제11항에 있어서,
상기 제1공급부재는 상기 제1분사부재에 연결된 제1공급공을 포함하고,
상기 제2공급부재는 상기 제2분사부재에 연결된 제2공급공을 포함하며,
상기 제2공급공은 상기 제1공급공에 비해 더 작은 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.12. The method of claim 11,
The first supply member includes a first supply hole connected to the first injection member,
The second supply member includes a second supply hole connected to the second injection member,
The second supply hole is a substrate processing apparatus, characterized in that formed in a smaller size than the first supply hole. 제1항에 있어서,
상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 제1분사부재, 및 상기 제1분사부재의 입구에 결합된 제1공급부재를 포함하고,
상기 제2분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 제2분사부재, 및 상기 제2분사부재의 입구에 결합된 제2공급부재를 포함하며,
상기 제1공급부재는 상기 제1분사부재에 연결된 제1공급공을 포함하고,
상기 제2공급부재는 상기 제2분사부재에 연결된 제2공급공을 포함하되, 상기 제1전극에 분리 가능하게 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The first injection unit includes a first injection member disposed inside the first electrode, and a first supply member coupled to an inlet of the first injection member,
The second injection unit includes a second injection member disposed inside the first electrode, and a second supply member coupled to the inlet of the second injection member,
The first supply member includes a first supply hole connected to the first injection member,
wherein the second supply member includes a second supply hole connected to the second injection member, and is detachably coupled to the first electrode. 제1항에 있어서,
상기 제1분사부는 제1축방향을 따라 연장된 제1분사부재를 포함하고,
상기 제2분사부는 상기 제1축방향을 따라 연장된 제2분사부재를 포함하며,
상기 제1분사부재와 상기 제2분사부재는 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The first injection unit includes a first injection member extending along the first axial direction,
The second injection unit includes a second injection member extending along the first axial direction,
The substrate processing apparatus, characterized in that the plurality of first and second injection members are alternately arranged in a second axial direction perpendicular to the first axial direction. 제14항에 있어서,
상기 제1주입부는 상기 제1분사부에 연결된 제1주입부재를 포함하고,
상기 제2주입부는 상기 제2분사부에 연결된 제2주입부재를 포함하며,
상기 제1주입부재와 상기 제2주입부재는 상기 제2축방향을 기준으로 하여 상기 제1분사부재와 상기 제2분사부재가 서로 이격된 간격과 동일한 간격으로 이격되게 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.15. The method of claim 14,
The first injection unit includes a first injection member connected to the first injection unit,
The second injection unit includes a second injection member connected to the second injection unit,
The first injection member and the second injection member are disposed to be spaced apart from each other at the same distance as the first injection member and the second injection member are spaced apart from each other with respect to the second axial direction. processing unit. 제14항에 있어서,
상기 제1분사부는 상기 제1가스를 상기 안치대 쪽으로 분사하는 제1분사공을 포함하며,
상기 제2분사부는 상기 제2가스를 상기 안치대 쪽으로 분사하는 제2분사공을 포함하며,
상기 제1분사공 및 상기 제2분사공은 상기 제1축방향을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치되며,
상기 제1분사부재들은 상기 제1분사공들을 통해 상기 안치대 쪽으로 상기 제1가스를 분사하도록 상기 제1분사공들에 연결되고,
상기 제2분사부재들은 상기 제2분사공들을 통해 상기 안치대 쪽으로 상기 제2가스를 분사하도록 상기 제1분사공들에 연결된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.15. The method of claim 14,
The first injection unit includes a first injection hole for injecting the first gas toward the pedestal,
The second injection unit includes a second injection hole for injecting the second gas toward the pedestal,
A plurality of the first injection hole and the second injection hole are alternately arranged with respect to the first axial direction,
The first injection members are connected to the first injection holes so as to inject the first gas toward the seating table through the first injection holes,
The second injection members are connected to the first injection holes so as to inject the second gas toward the pedestal through the second injection holes. 제1항에 있어서,
상기 챔버의 내부를 배기시키기 위한 배기구를 포함하고,
상기 배기구는 상기 제1전극의 타측에 대응되는 위치에서 상기 챔버의 내부를 배기시키도록 상기 챔버에 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
and an exhaust port for exhausting the interior of the chamber;
The exhaust port is formed in the chamber to exhaust the interior of the chamber at a position corresponding to the other side of the first electrode. 제1항에 있어서,
상기 기판의 온도를 조절하기 위한 온도조절유닛을 포함하고,
상기 안치대에는 상기 기판의 일측이 상기 제1전극의 일측에 대응됨과 아울러 상기 기판의 타측이 상기 제1전극의 타측에 대응되도록 안치되고,
상기 온도조절유닛은 상기 기판의 일측에 비해 상기 기판의 타측을 더 높은 온도로 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
a temperature control unit for controlling the temperature of the substrate;
One side of the substrate is placed on the pedestal so that one side of the substrate corresponds to one side of the first electrode and the other side of the substrate corresponds to the other side of the first electrode,
The temperature control unit is a substrate processing apparatus, characterized in that for controlling the other side of the substrate to a higher temperature than the one side of the substrate. 챔버;
기판이 안치되는 안치대;
상기 안치대의 상측에 위치하고, 상기 안치대 쪽으로 돌출된 복수개의 돌출전극이 결합된 제1전극;
상기 제1전극과 상기 안치대의 사이에 위치하고, 상기 돌출전극들에 대응되는 위치에 복수개의 개구가 형성된 제2전극;
상기 제1전극을 통해 제1가스를 분사하는 제1분사부;
상기 제1전극을 통해 제2가스를 분사하는 제2분사부;
상기 제1분사부에 상기 제1가스를 주입하는 제1주입부; 및
상기 제2분사부에 상기 제2가스를 주입하는 제2주입부를 포함하고,
상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 복수개의 제1분사부재, 및 상기 제1주입부로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1분사부재들 각각에 공급하는 제1분배부재를 포함하고,
상기 제1분배부재의 체적은 상기 제1분사부재들의 체적의 합보다 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.chamber;
a pedestal on which the substrate is placed;
a first electrode positioned above the pedestal and coupled to a plurality of protruding electrodes protruding toward the pedestal;
a second electrode positioned between the first electrode and the pedestal and having a plurality of openings formed at positions corresponding to the protruding electrodes;
a first injection unit for injecting a first gas through the first electrode;
a second injection unit for injecting a second gas through the first electrode;
a first injection unit for injecting the first gas into the first injection unit; and
and a second injection unit for injecting the second gas into the second injection unit,
The first injection unit includes a plurality of first injection members disposed inside the first electrode, and a first distribution member for supplying the first gas injected from the first injection unit to each of the first injection members. including,
A volume of the first distributing member is greater than a sum of the volumes of the first distributing members.
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