KR20140085111A - 유기 발광 소자 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 131
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 185
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 144
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 98
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 98
- -1 dimethyl fluorenyl group Chemical group 0.000 claims description 90
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 85
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 84
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 79
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 claims description 79
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 78
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 claims description 78
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 76
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 76
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 claims description 74
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 74
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 claims description 74
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 73
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 71
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 claims description 70
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 claims description 70
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 claims description 70
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 68
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 68
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 67
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 66
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 66
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 claims description 53
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 50
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 37
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 30
- FBTOLQFRGURPJH-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=C1NC1=CC=CC=C12 FBTOLQFRGURPJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 23
- 125000006749 (C6-C60) aryl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 125000006746 (C1-C60) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000006743 (C1-C60) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000006744 (C2-C60) alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000006745 (C2-C60) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000006376 (C3-C10) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000006717 (C3-C10) cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000006748 (C2-C10) heterocycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000006747 (C2-C10) heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000006761 (C6-C60) arylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000006751 (C6-C60) aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000000687 hydroquinonyl group Chemical group C1(O)=C(C=C(O)C=C1)* 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004568 thiomorpholinyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- GBXQPDCOMJJCMJ-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[6-(trimethylazaniumyl)hexyl]azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)CCCCCC[N+](C)(C)C GBXQPDCOMJJCMJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 125000006752 (C6-C60) arylthio group Chemical group 0.000 claims description 5
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical group C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005724 cycloalkenylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000006588 heterocycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 230
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 50
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 21
- MZSAMHOCTRNOIZ-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(aminomethyl)-6-(trifluoromethyl)pyridin-2-yl]oxy-N-phenylaniline Chemical compound NCC1=CC(=NC(=C1)C(F)(F)F)OC=1C=C(NC2=CC=CC=C2)C=CC=1 MZSAMHOCTRNOIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 0 C*OC1C=CC=CC1C(CC=CC[*@@](C(*)=CC=CC(CC(*)=CC=CC*)=C)c1ccccc1)C(C)* Chemical compound C*OC1C=CC=CC1C(CC=CC[*@@](C(*)=CC=CC(CC(*)=CC=CC*)=C)c1ccccc1)C(C)* 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 6
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LJHFUFVRZNYVMK-ZDUSSCGKSA-N [3-[4-(aminomethyl)-6-(trifluoromethyl)pyridin-2-yl]oxyphenyl]-[(3S)-3-hydroxypyrrolidin-1-yl]methanone Chemical compound NCC1=CC(=NC(=C1)C(F)(F)F)OC=1C=C(C=CC=1)C(=O)N1C[C@H](CC1)O LJHFUFVRZNYVMK-ZDUSSCGKSA-N 0.000 description 6
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 5
- 125000005560 phenanthrenylene group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 5
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 125000004366 heterocycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 3
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005548 pyrenylene group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N (+-)-Isoprenaline Chemical compound CC(C)NCC(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006758 (C2-C60) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SDFLTYHTFPTIGX-UHFFFAOYSA-N C[n]1c2ccccc2c2c1cccc2 Chemical compound C[n]1c2ccccc2c2c1cccc2 SDFLTYHTFPTIGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005872 benzooxazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 125000002192 heptalenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001633 hexacenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001715 oxadiazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 2
- JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N pentaphenyl group Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=C4C=C5C=CC=CC5=CC4=C3C=C12 JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 125000004625 phenanthrolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12)* 0.000 description 2
- 125000001388 picenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=C3C4=CC=C5C=CC=CC5=C4C=CC3=C21)* 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 2
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 2
- SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M sodium;6-[(3,4,5-trimethoxybenzoyl)amino]hexanoate Chemical compound [Na+].COC1=CC(C(=O)NCCCCCC([O-])=O)=CC(OC)=C1OC SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005557 thiazolylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005730 thiophenylene group Chemical group 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- 229940005561 1,4-benzoquinone Drugs 0.000 description 1
- OGNSDRMLWYNUED-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexyl-4-[4-[4-(4-cyclohexylcyclohexyl)cyclohexyl]cyclohexyl]cyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCC(C2CCC(CC2)C2CCC(CC2)C2CCC(CC2)C2CCCCC2)CC1 OGNSDRMLWYNUED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLMYHUARHITGIJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-phenylbenzene Chemical group CCC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 DLMYHUARHITGIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004198 2-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(F)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004180 3-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(F)=C1[H] 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- RDCJANRJPSXSHO-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)N1C(=NC2=C1C=CC=C2)C=2CC(C=C1C(=C3C(=CC=CC3=C(C21)C2=CC1=CC=CC=C1C=C2)C2=NC1=C(N2C2=CC=CC=C2)C=CC=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)(C(C)(C)C)C1=NC2=C(N1C1=CC=CC=C1)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C(=NC2=C1C=CC=C2)C=2CC(C=C1C(=C3C(=CC=CC3=C(C21)C2=CC1=CC=CC=C1C=C2)C2=NC1=C(N2C2=CC=CC=C2)C=CC=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)(C(C)(C)C)C1=NC2=C(N1C1=CC=CC=C1)C=CC=C2 RDCJANRJPSXSHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 Chemical compound C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCLTYUUUSNBREF-UHFFFAOYSA-N CC(C)(c1ccccc1-c1c2)c1ccc2N(c(cc1)ccc1N(c1ccccc1)c1ccccc1)c1ccc(C2C=CC=CC2(C)N2c3ccccc3)c2c1 Chemical compound CC(C)(c1ccccc1-c1c2)c1ccc2N(c(cc1)ccc1N(c1ccccc1)c1ccccc1)c1ccc(C2C=CC=CC2(C)N2c3ccccc3)c2c1 CCLTYUUUSNBREF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVSGPULXMQQVOQ-UHFFFAOYSA-N CC(CC1C(C)(C)c2c3)C=CC1(C)c2ccc3-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1C#N)c1ccc(c2ccccc2[n]2-c3ccccc3)c2c1 Chemical compound CC(CC1C(C)(C)c2c3)C=CC1(C)c2ccc3-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1C#N)c1ccc(c2ccccc2[n]2-c3ccccc3)c2c1 OVSGPULXMQQVOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZFWGUVXLHIEMV-UHFFFAOYSA-N CC(CC=C1)c(c(cc2)c3cc2N(c(cc2)ccc2N2c4ccccc4C4C=CC=CC24)c(cc24)ccc2-c2ccccc2C4(c2ccccc2)c2ccccc2)c1[n]3-c1ccccc1 Chemical compound CC(CC=C1)c(c(cc2)c3cc2N(c(cc2)ccc2N2c4ccccc4C4C=CC=CC24)c(cc24)ccc2-c2ccccc2C4(c2ccccc2)c2ccccc2)c1[n]3-c1ccccc1 XZFWGUVXLHIEMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTROMFLBGHUSPP-UHFFFAOYSA-N CC1(C)c(cc(cc2)N(C3(C)C=CC(C#N)=CC3)c(cc3)cc4c3c(cccc3)c3[n]4-c3ccccc3)c2-c2ccccc12 Chemical compound CC1(C)c(cc(cc2)N(C3(C)C=CC(C#N)=CC3)c(cc3)cc4c3c(cccc3)c3[n]4-c3ccccc3)c2-c2ccccc12 HTROMFLBGHUSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRYYLYKCKQGGPO-UHFFFAOYSA-N C[n]1c2cc(-c(cc3)cc4c3c3ccccc3[n]4C)ccc2c2c1cccc2 Chemical compound C[n]1c2cc(-c(cc3)cc4c3c3ccccc3[n]4C)ccc2c2c1cccc2 PRYYLYKCKQGGPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(-c2ccccc2)c(ccc(c2nc(C)c3)c3-c3ccccc3)c2n1 Chemical compound Cc1cc(-c2ccccc2)c(ccc(c2nc(C)c3)c3-c3ccccc3)c2n1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBNUNVLLKFNTAT-UHFFFAOYSA-N N#Cc(cc1)ccc1N(c(cc1)cc2c1-c1ccccc1C2(c1ccccc1)c1ccccc1)c(cc1)cc2c1c(cccc1)c1[n]2-c1ccccc1 Chemical compound N#Cc(cc1)ccc1N(c(cc1)cc2c1-c1ccccc1C2(c1ccccc1)c1ccccc1)c(cc1)cc2c1c(cccc1)c1[n]2-c1ccccc1 XBNUNVLLKFNTAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXDKNRONXFZSJU-UHFFFAOYSA-N N#Cc(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1C2(c3ccccc3)c3ccccc3)ccc1-c1c2ccc(-c(cc2)cc3c2c(ccc(N(c(cc2)ccc2-c2ccccc2)c(cc2)cc(C4(c5ccccc5)c5ccccc5)c2-c2c4cccc2)c2)c2[n]3-c2ccccc2)c1)c(cc1)cc2c1c(cccc1)c1[n]2C1=CCCC=C1 Chemical compound N#Cc(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1C2(c3ccccc3)c3ccccc3)ccc1-c1c2ccc(-c(cc2)cc3c2c(ccc(N(c(cc2)ccc2-c2ccccc2)c(cc2)cc(C4(c5ccccc5)c5ccccc5)c2-c2c4cccc2)c2)c2[n]3-c2ccccc2)c1)c(cc1)cc2c1c(cccc1)c1[n]2C1=CCCC=C1 PXDKNRONXFZSJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N Nc1ncccn1 Chemical compound Nc1ncccn1 LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N benzil Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- XBNIIICEGFVQOV-UHFFFAOYSA-N c1ccc(C2(c(cc(cc3)N(c(cc4)cc5c4c(cccc4)c4[n]5-c4ccccc4)c4cc5ccccc5cc4)c3-c3ccccc23)c2ccccc2)cc1 Chemical compound c1ccc(C2(c(cc(cc3)N(c(cc4)cc5c4c(cccc4)c4[n]5-c4ccccc4)c4cc5ccccc5cc4)c3-c3ccccc23)c2ccccc2)cc1 XBNIIICEGFVQOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N camphorsulfonic acid Chemical compound C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005566 carbazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 125000005584 chrysenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000259 cinnolinyl group Chemical group N1=NC(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004188 dichlorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003824 heptacenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC7=CC=CC=C7C=C6C=C5C=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 125000003453 indazolyl group Chemical group N1N=C(C2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000904 isoindolyl group Chemical group C=1(NC=C2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004593 naphthyridinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CN=C12)* 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000005565 oxadiazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005564 oxazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003933 pentacenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- MHAUGLFOVCQYNR-UHFFFAOYSA-N pentaphenylene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 MHAUGLFOVCQYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005563 perylenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001828 phenalenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- 125000004934 phenanthridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC=C3C=CC=CC3=C12)* 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001791 phenazinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C12)* 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 125000004592 phthalazinyl group Chemical group C1(=NN=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000561 purinyl group Chemical group N1=C(N=C2N=CNC2=C1)* 0.000 description 1
- 125000005550 pyrazinylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005576 pyrimidinylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- JAOZKJMVYIWLKU-UHFFFAOYSA-N sodium 7-hydroxy-8-[(4-sulfonaphthalen-1-yl)diazenyl]naphthalene-1,3-disulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(=C1)C(=CC=C2S(=O)(=O)O)N=NC3=C(C=CC4=CC(=CC(=C43)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O.[Na+] JAOZKJMVYIWLKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005558 triazinylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
유기 발광 소자가 개시된다.
Description
유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
신규 구조의 유기 발광 소자를 제공한다.
일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상의 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층; 상기 제1전극과 상기 발광층 사이의 정공 이동 영역; 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자 이동 영역;을 포함하고, 상기 정공 이동 영역은 하기 화학식 1로 표시되는 제1화합물을 포함하고, 상기 정공 이동 영역 및 상기 발광층 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 제2화합물을 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다:
<화학식 1>
<화학식 2>
상기 화학식 1 및 2 중,
Ar101, Ar102, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기이고;
xa, xb, a 및 b는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수이고;
R101, R109, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기이고;
R102 내지 R108, R111 내지 R119, R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, -N(Q1)(Q2) 또는 -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기 또는 C2-C60헤테로아릴기임)이고;
c1 및 c4는 서로 독립적으로, 1 내지 4의 정수이고;
c2 및 c3는 서로 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.
상기 유기 발광 소자 중, 상기 정공 이동 영역은 i) 제1정공 수송층 및 ii) 상기 제1정공 수송층과 상기 발광층 사이에 개재된 제2정공 수송층을 포함하고; 상기 제1정공 수송층에 상기 제1화합물이 포함되어 있고; 상기 제2정공 수송층에 상기 제2화합물이 포함되어 있을 수 있다.
또는, 상기 유기 발광 소자 중, 상기 정공 이동 영역이 정공 수송층을 포함하고; 상기 정공 수송층에 상기 제1화합물이 포함되어 있고; 상기 발광층에 상기 제2화합물이 포함되어 있을 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 저구동 전압, 고휘도, 고효율 및 장수명을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 다른 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 또 다른 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 다른 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 또 다른 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1의 유기 발광 소자(10)는 기판(10), 제1전극(11), 정공 이동 영역(13), 발광층(15), 전자 이동 영역(17) 및 제2전극(19)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
상기 기판(11)으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
상기 제1전극(12)은 기판(11) 상부에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(12)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(12)은 반사형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하면, 상기 제1전극(12)을 반사형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 제1전극(12)은 단일층 또는 2 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(12)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(12)은 정공 주입 전극(애노드)일 수 있다.
한편, 상기 제1전극(12)에 대향되어 제2전극(19)이 형성되어 있다. 상기 제2전극(19)은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 박막으로 형성하여 투과형 전극을 얻을 수 있다. 한편, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용한 투과형 전극을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 제1전극(12)과 상기 제2전극(19) 사이에는 발광층(15)이 구비되어 있고, 상기 제1전극(12)과 상기 발광층(15) 사이에는 정공 이동 영역(13)이 구비되어 있고, 상기 발광층(15)과 상기 제2전극(19) 사이에는 전자 이동 영역(17)이 구비되어 있다.
상기 유기 발광 소자(10)에서, 정공은 제1전극(12)을 통해 주입되어 정공 이동 영역(13)을 경유하여 발광층(15)으로 이동하고, 전자는 제2전극(19)을 통해 주입되어 전자 이동 영역(17)을 경유하여 발광층(15)으로 이동한다. 발광층(15)에 도달한 정공과 전자는 발광층(15)에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하고, 상기 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
상기 정공 이동 영역(13)에는 하기 화학식 1로 표시되는 제1화합물이 포함되어 있고, 상기 정공 이동 영역(13) 및 상기 발광층(15) 중 적어도 하나에는 하기 화학식 2로 표시되는 제2화합물이 포함되어 있다.
<화학식 1>
<화학식 2>
상기 화학식 1 및 2 중, Ar101, Ar102, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기일 수 있다.
예를 들면, 상기 화학식 1 및 2 중, Ar101, Ar102, Ar1 및 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐렌기(phenylene), 치환 또는 비치환된 펜타레닐렌기(pentalenylene), 치환 또는 비치환된 인데닐렌기(indenylene), 치환 또는 비치환된 나프틸렌기(naphtylene), 치환 또는 비치환된 아줄레닐렌기(azulenylene), 치환 또는 비치환된 헵타레닐렌기(heptalenylene), 치환 또는 비치환된 인다세닐렌기(indacenylene), 치환 또는 비치환된 아세나프틸렌기(acenaphtylene), 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기(fluorenylene), 치환 또는 비치환된 스파이로-플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 페날레닐렌기(phenalenylene), 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기(phenanthrenylene), 치환 또는 비치환된 안트릴기(anthrylene), 치환 또는 비치환된 플루오란테닐렌기(fluoranthenylene), 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기(triphenylenylene), 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기(pyrenylene), 치환 또는 비치환된 크라이세닐렌기(chrysenylene), 치환 또는 비치환된 나프타세닐렌기(naphthacenylene). 치환 또는 비치환된 피세닐렌기(picenylene), 치환 또는 비치환된 페릴레닐렌기(perylenylene), 치환 또는 비치환된 펜타페닐렌기(pentaphenylene), 치환 또는 비치환된 헥사세닐렌기(hexacenylene), 치환 또는 비치환된 피롤일렌기(pyrrolylene), 치환 또는 비치환된 이미다졸일렌기(imidazolylene), 치환 또는 비치환된 피라졸일렌기(pyrazolylene), 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기(pyridinylene), 치환 또는 비치환된 피라지닐렌기(pyrazinylene), 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기(pyrimidinylene), 치환 또는 비치환된 피리다지닐렌기(pyridazinylene), 치환 또는 비치환된 이소인돌일렌기(isoindolylene), 치환 또는 비치환된 인돌일렌기(indolylene), 치환 또는 비치환된 인다졸일렌기(indazolylene), 치환 또는 비치환된 푸리닐렌기(purinylene), 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐렌기(quinolinylene), 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐렌기(benzoquinolinylene), 치환 또는 비치환된 프탈라지닐렌기(phthalazinylene), 치환 또는 비치환된 나프티리디닐렌기(naphthyridinylene), 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐렌기(quinoxalinylene), 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐렌기(quinazolinylene), 치환 또는 비치환된 시놀리닐렌기(cinnolinylene), 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기(carbazolylene), 치환 또는 비치환된 페난트리디닐렌기(phenanthridinylene), 치환 또는 비치환된 아크리디닐렌기(acridinylene), 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐렌기(phenanthrolinylene), 치환 또는 비치환된 페나지닐렌기(phenazinylene), 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일렌기(benzooxazolylene), 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸일렌기(benzoimidazolylene), 치환 또는 비치환된 푸라닐렌기(furanylene), 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐렌기(benzofuranylene), 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기(thiophenylene), 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐렌기(benzothiophenylene), 치환 또는 비치환된 티아졸일렌기(thiazolylene), 치환 또는 비치환된 이소티아졸일렌기(isothiazolylene), 치환 또는 비치환된 벤조티아졸일렌기(benzothiazolylene), 치환 또는 비치환된 이소옥사졸일렌기(isoxazolylene), 치환 또는 비치환된 옥사졸일렌기(oxazolylene), 치환 또는 비치환된 트리아졸일렌기, 치환 또는 비치환된 테트라졸일렌기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일렌기(oxadiazolylene), 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기(triazinylene), 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일렌기(benzooxazolylene), 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐렌기(dibenzopuranylene), 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기(dibenzothiophenylene), 또는 치환 또는 비치환된 벤조카바졸일기일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 및 2 중, Ar101, Ar102, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 3-1 내지 3-24 중 하나로 표시될 수 있다:
상기 화학식 3-1 내지 3-24 중, Y1은 O, S, C(R21)(R22) 또는 N(R23)일 수 있다.
상기 화학식 3-1 내지 3-24 중, Z1, Z2 및 R21 내지 R23은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q13)(Q14)(Q15)(여기서, 상기 Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C6-C20아릴기 또는 C2-C20헤테로아릴기임); 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 Z1, Z2 및 R21 내지 R23은, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q13)(Q14)(Q15)(여기서, 상기 Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기임); 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 2-1 내지 2-24 중, d1은 1 내지 4의 정수이고; d2는 1 내지 3의 정수이고; d3는 1 내지 6의 정수이고; d4는 1 내지 8의 정수이고; d5는 1 또는 2일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중, 상기 화학식 1 및 2 중, Ar101, Ar102, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
화학식 1 중, xa는 Ar101의 개수를 나타내고, xb는 Ar102의 개수를 나타내는데, xa 및 xb는 0 내지 5의 정수일 수 있다. xa 및/또는 xb가 0일 경우, 화학식 1의 "카바졸" 및/또는 "플루오렌"은 "N"과 직접 연결될 수 있다. xa가 2 이상일 경우, 2 이상의 Ar101은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. xb가 2 이상일 경우, 2 이상의 Ar102는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 화학식 1 중, i) xa = 0 & xb = 0이거나; ii) xa = 1 & xb = 0이거나; iii) xa = 2 & xb = 0이거나; iv) xa = 0 & xb = 1이거나; v) xa = 0 & xb = 2이거나; vi) xa = 1 & xb = 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
화학식 2 중, a는 Ar1의 개수를 나타내고, b는 Ar2의 개수를 나타내는데, a 및 b는 0 내지 5의 정수일 수 있다. a 및/또는 b가 0일 경우, 화학식 2의 "R1" 및/또는 "R2"은 화학식 2의 카바졸의 "N"과 직접 연결될 수 있다. a가 2 이상일 경우, 2 이상의 Ar1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. b가 2 이상일 경우, 2 이상의 Ar2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 화학식 2 중, i) a = 0 & b = 0이거나; ii) a = 1 & b = 0이거나; iii) a = 0 & b = 1이거나; ii) a = 1 & b = 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 및 2 중 R101, R109, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 및 2 중 R101, R109, R1 및 R2는, 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기(phenyl), 치환 또는 비치환된 펜타레닐기(pentalenyl), 치환 또는 비치환된 인데닐기(indenyl), 치환 또는 비치환된 나프틸기(naphtyl), 치환 또는 비치환된 아줄레닐기(azulenyl), 치환 또는 비치환된 헵타레닐기(heptalenyl), 치환 또는 비치환된 인다세닐기(indacenyl), 치환 또는 비치환된 아세나프틸기(acenaphtyl), 치환 또는 비치환된 플루오레닐기(fluorenyl), 치환 또는 비치환된 스파이로-플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 페날레닐기(phenalenyl), 치환 또는 비치환된 페난트레닐기(phenanthrenyl), 치환 또는 비치환된 안트릴기(anthryl), 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 치환 또는 비치환된 파이레닐기(pyrenyl), 치환 또는 비치환된 크라이세닐기(chrysenyl), 치환 또는 비치환된 나프타세닐기(naphthacenyl). 치환 또는 비치환된 피세닐기(picenyl), 치환 또는 비치환된 페릴레닐기(perylenyl), 치환 또는 비치환된 펜타페닐기(pentaphenyl), 치환 또는 비치환된 헥사세닐기(hexacenyl), 치환 또는 비치환된 피롤일기(pyrrolyl), 치환 또는 비치환된 이미다졸일기(imidazolyl), 치환 또는 비치환된 피라졸일기(pyrazolyl), 치환 또는 비치환된 피리디닐기(pyridinyl), 치환 또는 비치환된 피라지닐기(pyrazinyl), 치환 또는 비치환된 피리미디닐기(pyrimidinyl), 치환 또는 비치환된 피리다지닐기(pyridazinyl), 치환 또는 비치환된 이소인돌일기(isoindolyl), 치환 또는 비치환된 인돌일기(indolyl), 치환 또는 비치환된 인다졸일기(indazolyl), 치환 또는 비치환된 푸리닐기(purinyl), 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기(quinolinyl), 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐기(benzoquinolinyl), 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기(phthalazinyl), 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기(naphthyridinyl), 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl), 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기(quinazolinyl), 치환 또는 비치환된 시놀리닐기(cinnolinyl), 치환 또는 비치환된 카바졸일기(carbazolyl), 치환 또는 비치환된 페난트리디닐기(phenanthridinyl), 치환 또는 비치환된 아크리디닐기(acridinyl), 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl), 치환 또는 비치환된 페나지닐기(phenazinyl), 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸일기(benzoimidazolyl), 치환 또는 비치환된 푸라닐기(furanyl), 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐기(benzofuranyl), 치환 또는 비치환된 티오페닐기(thiophenyl), 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기(benzothiophenyl), 치환 또는 비치환된 티아졸일기(thiazolyl), 치환 또는 비치환된 이소티아졸일기(isothiazolyl), 치환 또는 비치환된 벤조티아졸일기(benzothiazolyl), 치환 또는 비치환된 이소옥사졸일기(isoxazolyl), 치환 또는 비치환된 옥사졸일기(oxazolyl), 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 테트라졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기(oxadiazolyl), 치환 또는 비치환된 트리아지닐기(triazinyl), 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐기(dibenzopuranyl), 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기(dibenzothiophenyl) 또는 치환 또는 비치환된 벤조카바졸일기일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 및 2 중 R101, R109, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 5-1 내지 5-22 중 하나로 표시될 수 있다:
상기 화학식 5-1 내지 5-22 중, Y2는 O, S, C(R25)(R26) 또는 N(R27)일 수 있다.
상기 화학식 5-1 내지 5-22 중, Z11 내지 Z14 및 R25 내지 R27은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q13)(Q14)(Q15)(여기서, 상기 Q13 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C6-C20아릴기 또는 C2-C20헤테로아릴기임); 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 Z11 내지 Z14 및 R25 내지 R27은, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q13)(Q14)(Q15)(여기서, 상기 Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기임); 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 5-1 내지 5-22 중, e1은 1 내지 5의 정수이고; e2는 1 내지 7의 정수이고; e3는 1 내지 3의 정수이고; e4는 1 내지 4의 정수이고; e5는 1 또는 2일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중 R101은 하기 화학식 6-1 내지 6-8 중 하나로 표시되고, 상기 화학식 1 중 R109가 하기 화학식 6-1 내지 6-11 중 하나로 표시될 수 있다:
상기 화학식 6-1 내지 6-11 중 Z11a, 내지 Z11c은 상기 Z11에 대한 설명과 동일하고, R25, R26, Q11 및 Q12는 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 6-1 내지 6-11 중 상기 Z11a, 내지 Z11c, R25 및 R26은 서로 독립적으로, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기이고; Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 2 중 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 6-1 내지 6-17 중 하나로 표시될 수 있다:
상기 화학식 6-1 내지 6-17 중 Z11a, 내지 Z11d는 상기 Z11에 대한 설명과 동일하고, R25, R26, Q11 및 Q12는 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 6-1 내지 6-17 중 Z11a, 내지 Z11d, R25 및 R26은 서로 독립적으로, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기이고; Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기일 수 있다.
한편, 상기 화학식 1 중 R102 내지 R108 및 R113 내지 R119 및 상기 화학식 2 중 R11 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중 R102 내지 R108 및 R113 내지 R119 및 상기 화학식 2 중 R11 내지 R14는 수소일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1화합물은 하기 화학식 1A, 1B 또는 1C로 표시되고, 상기 제2화합물은 하기 화학식 2A, 2B 또는 2C로 표시될 수 있다:
<화학식 1A> <화학식 1B>
<화학식 1C> <화학식 2A>
<화학식 2B> <화학식 2C>
상기 화학식 1A, 1B, 1C, 2A, 2B 및 2C 중 Ar101, Ar102, xa, xb, R101 내지 R109, R111 내지 R119, R1, R2, R11 내지 R14, a, b, c1, c2, c3 및 c4에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 1A, 1B 및 1C 중, Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, 상기 화학식 3-1 내지 3-24 중 하나로 표시될 수 있고; xa 및 xb는 서로 독립적으로, 1 또는 2이고; R101 및 R109는 서로 독립적으로 상기 화학식 5-1 내지 5-22 중 하나로 표시될 수 있고; R111 및 R112는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 하나이고; R102 내지 R108 및 R113 내지 R119는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 1A, 1B 및 1C 중, Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, 상기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고; xa 및 xb 1 또는 2이고; R101 는 하기 화학식 6-1 내지 6-8 중 하나로 표시될 수 있고; R109는 서로 독립적으로 상기 화학식 6-1 내지 5-11 중 하나로 표시될 수 있고; R111 및 R112는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 하나이고; R102 내지 R108 및 R113 내지 R119는 수소일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2A, 2B 및 2C 중, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 3-1 내지 3-24 중 하나로 표시될 수 있고; i) a = 0 & b = 0이거나, ii) a = 1 & b = 0이거나, iii) a = 0 & b = 1이거나, iv) a = 1 & b = 1이고; R1 및 R2는 서로 독립적으로 상기 화학식 5-1 내지 5-22 중 하나로 표시될 수 있고; R11 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 2A, 2B 및 2C 중, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고; i) a = 0 & b = 0이거나, ii) a = 1 & b = 0이거나, iii) a = 0 & b = 1이거나, iv) a = 1 & b = 1이고; R1 및 R2는 서로 독립적으로 상기 화학식 6-1 내지 6-17 중 하나로 표시될 수 있고; R11 내지 R14는 수소일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 제1화합물은 하기 화합물 1-1 내지 1-19 중 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
또한, 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물은 하기 화합물 2-1 내지 2-25 중 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 상기 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 상기 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 상기 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 상기 치환된 C6-C60아릴렌기, 상기 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 상기 치환된 C3-C10시클로알킬기, 상기 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 상기 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 상기 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 상기 치환된 C6-C60아릴기, 상기 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 상기 치환된 C1-C60알킬기, 상기 치환된 C2-C60알케닐기, 상기 치환된 C2-C60알키닐기, 상기 치환된 C1-C60알콕시기, 상기 치환된 C6-C60아릴옥시기 및 상기 치환된 C6-C60아릴싸이오기의 적어도 하나의 치환기는, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기; 및 -Si(Q13)(Q14)(Q15) (여기서, Q13 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기, 또는 C2-C60헤테로아릴기임); 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1로 표시되는 제1화합물은 높은 전하(정공) 수송 능력을 갖고, 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물은 전하(정공) 수송 능력 및 발광 능력이 크고 HOMO와 LUMO 사이의 밴드 갭이 커서 에너지 레벨 조절이 용이하므로, 정공 이동 영역(13)에 상기 제1화합물이 존재하고, 정공 이동 영역(13) 및 발광층(15) 중 적어도 하나에 상기 제2화합물이 존재하는 유기 발광 소자(10)는 저구동 전압, 고휘도, 고효율 및 장수명을 가질 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 제1화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물 모두 정공 이동 영역(13)에 존재할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 제1화합물은 정공 이동 영역(13)에 존재하고, 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물은 발광층(15)에 존재할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 제1화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물 모두 정공 이동 영역(13)에 존재하고, 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물은 발광층(15)에 존재할 수 있다. 이 때, 상기 정공 이동 영역(13)에 존재하는 제2화합물과 상기 발광층(15)에 존재하는 제2화합물은, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
도 2는 다른 구현예를 따르는 유기 발광 소자(20)의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 유기 발광 소자(20)는 기판(21), 제1전극(22), 정공 이동 영역(23), 발광층(25), 전자 이동 영역(27) 및 제2전극(29)이 차례로 적층된 구조를 갖는다. 상기 정공 이동 영역(23)은 제1전극(22)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(23A), 제1정공 수송층(23B-1) 및 제2정공 수송층(23B-2)을 포함하고, 전자 이동 영역(27)은 발광층(25)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(27A) 및 전자 주입층(27B)을 포함한다.
상기 기판(21), 제1전극(22), 제2전극(29)에 대한 상세한 설명은 상기 도 1의 기판(11), 제1전극(12) 및 제2전극(19)에 대한 설명을 각각 참조한다.
정공 주입층(23A)은 상기 제1전극(22) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층(23A)을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층(23A)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층(23A)의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 약 100 내지 약 500℃, 진공도 약 10-8 내지 약 10-3torr, 증착 속도 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층(23A)을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공 주입층(23A)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층(23A)의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입층(23A) 재료로서, 예를 들면, N,N′-디페닐-N,N′-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4′-디아민(N,N′-diphenyl-N,N′-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4′-diamine: DNTPD), 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)), TDATA, 2-TNATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
상기 정공 주입층(23A)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층(23A)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.
다음으로 상기 정공 주입층(23A) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 제1정공 수송층(23B-1)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 팅법에 의하여 제1정공 수송층(23B-1)을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층(23A)의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 제1정공 수송층(23B-1) 재료로서, 상술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 제1화합물을 사용할 수 있다. 상기 화학식 1에 대한 상세한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 예를 들어, 상기 제1정공 수송층(23B-1)은, 상기 화학식 1A, 1B 또는 1C로 표시되되, 상기 화학식 1A, 1B 또는 1C 중 Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, 상기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고; xa 및 xb 1 또는 2이고; R101 는 하기 화학식 6-1 내지 6-8 중 하나로 표시될 수 있고; R109는 서로 독립적으로 상기 화학식 6-1 내지 5-11 중 하나로 표시될 수 있고; R111 및 R112는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 하나이고; R102 내지 R108 및 R113 내지 R119는 수소인, 제1화합물을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1정공 수송층(23B-1) 재료로서, 상기 화합물 1-1 내지 1-19 중 하나를 사용할 수 있다.
상기 제1정공 수송층(23B-1) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 제2정공 수송층(23B-2)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 팅법에 의하여 제2정공 수송층(23B-2)을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층(23A)의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 제2정공 수송층(23B-2) 재료로서, 상술한 바와 같은 화학식 2로 표시되는 제2화합물을 사용할 수 있다. 상기 화학식 2에 대한 상세한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 예를 들어, 상기 제2정공 수송층(23B-2)은, 상기 화학식 2A, 2B 및 2C로 표시되되, 상기 화학식 2A, 2B 및 2C 중, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고; i) a = 0 & b = 0이거나, ii) a = 1 & b = 0이거나, iii) a = 0 & b = 1이거나, iv) a = 1 & b = 1이고; R1 및 R2는 서로 독립적으로 상기 화학식 6-1 내지 6-17 중 하나로 표시될 수 있고; R11 내지 R14는 수소인, 제2화합물을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제2정공 수송층(23B-2)은 상기 화합물 2-1 내지 2-25 중 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1정공 수송층(23B-1) 및 제2정공 수송층(23B-2)의 두께의 총합은 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 제1정공 수송층(23B-1) 및 제2정공 수송층(23B-2)의 두께의 총합이 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 제1정공 수송층(23B-1)과 제2정공 수송층(23B-2)의 두께비는 1:9 내지 9:1, 예를 들면, 3:7 내지 7:3일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입층(23A), 제1정공 수송층(23B-1) 및 제2정공 수송층(23B-2) 중 적어도 하나는, 상술한 바와 같은 물질 외에, 막의 도전성 등을 향상시키기 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 200 등과 같은 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 200> <F4-TCNQ>
상기 전하-생성 물질은 상기 정공 주입층(23A), 제1정공 수송층(23B-1) 및 제2정공 수송층(23B-2) 중 적어도 하나 중에 균일하게(homogeneous) 분산되거나, 또는 불균일하게 분포될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
이어서, 제2정공 수송층(23B-2) 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(25)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층(25)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층(23A)의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 발광층(25)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
상기 호스트로서, Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, DSA(디스티릴아릴렌), dmCBP(하기 화학식 참조), 하기 화합물 501 내지 509 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
PVK ADN
또는, 상기 호스트로서, 하기 화학식 400으로 표시되는 안트라센계 화합물을 사용할 수 있다:
<화학식 400>
상기 화학식 400 중, Ar111 및 Ar112는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴렌기이고; 상기 Ar113 내지 Ar116은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴기이고; g, h, i 및 j는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 400 중, Ar111 및 Ar112는 페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기 또는 파이레닐렌기; 또는 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기 중 하나 이상으로 치환된 페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기, 플루오레닐기, 또는 파이레닐렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 60 중 g, h, i 및 j는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
상기 화학식 400 중, Ar113 내지 Ar116은 서로 독립적으로, 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기 중 하나 이상으로 치환된 C1-C10알킬기; 페닐기; 나프틸기; 안트릴기; 파이레닐기; 페난트레닐기; 플루오레닐기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기 중 하나 이상으로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기; 및 
중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 400으로 표시된 안트라센계 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
또는, 상기 호스트로서, 하기 화학식 401으로 표시되는 안트라센계 화합물을 사용할 수 있다:
<화학식 401>
상기 화학식 401 중 Ar122 내지 Ar125에 대한 상세한 설명은 상기 화학식 400의 Ar113에 대한 설명을 참조한다.
상기 화학식 401 중 Ar126 및 Ar127은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기)일 수 있다.
상기 화학식 401 중 k 및 l은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다. 예를 들어, 상기 k 및 l은 0, 1 또는 2일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 401로 표시된 안트라센계 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
한편, 상기 발광층(25)은 호스트로서 상술한 바와 같은 화학식 2로 표시되는 제2화합물을 포함할 수 있다. 상기 발광층(25)이 호스트로서 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물을 포함할 경우, 상기 발광층(25)에 포함된 호스트와 상기 제2정공 수송층(23B-2)의 재료는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및/또는 청색 발광층이 적층되어, 백색광을 방출할 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.
상기 발광층 중 도펀트는 공지된 도펀트일 수 있다.
에를 들어, 청색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
DPAVBi
TBPe
에를 들어, 적색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 적색 도펀트로서, 후술한 DCM 또는 DCJTB를 사용할 수도 있다.
에를 들어, 녹색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는 녹색 도펀트로서, 하기 C545T를 사용할 수 있다.
한편, 상기 발광층에 포함될 수 있는 도펀트는 후술하는 바와 같은 착체일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
또한, 상기 발광층에 포함될 수 있는 도펀트는 후술하는 바와 같은 Os-착체일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
상기 발광층(25)이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층(25)의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층(25)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
다음으로 발광층(25) 상부에 전자 수송층(27A)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자 수송층(27A)을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층(23A)의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다. 상기 전자 수송층(27A) 재료로는 제2전극(29)으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 공지의 전자 수송 물질을 이용할 수 있다. 공지의 전자 수송 물질의 예로는, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: Bebq2), ADN, 화합물 201, 화합물 202 등과 같은 재료를 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 201> <화합물 202>
BCP
상기 전자 수송층(27A)의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층(27A)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층(27A)은 상술한 바와 같은 전자 수송성 유기물 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 화합물은 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체의 비제한적인 예로는, 리튬 퀴놀레이트(LiQ) 또는 하기 화합물 203 등을 들 수 있다:
<화합물 203>
또한 전자 수송층(27A) 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(27B)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.
상기 전자 주입층(27B) 형성 재료로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자 주입층(27B) 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자 주입층(27B)의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층(23A)의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 주입층(27B)의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층(27B)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
도 3은 또 다른 구현예를 따르는 유기 발광 소자(30)의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 유기 발광 소자(30)는 기판(31), 제1전극(32), 정공 이동 영역(33), 발광층(35), 전자 이동 영역(37) 및 제2전극(39)이 차례로 적층된 구조를 갖는다. 상기 정공 이동 영역(33)은 제1전극(32)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(33A) 및 정공 수송층(33B)을 포함하고, 전자 이동 영역(37)은 발광층(35)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(37A) 및 전자 주입층(37B)을 포함한다.
상기 기판(31), 제1전극(32), 정공 주입층(32), 전자 수송층(37A), 전자 주입층(37B) 및 제2전극(39)에 대한 상세한 설명은 상기 도 2의 기판(21), 제1전극(22), 정공 주입층(22), 전자 수송층(27A), 전자 주입층(27B) 및 제2전극(29)에 대한 설명을 각각 참조한다.
도 3 중 정공 수송층(33B)은 재료로서, 상술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 제1화합물을 사용할 수 있다. 상기 화학식 1에 대한 상세한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 예를 들어, 상기 정공 수송층(33B)은, 상기 화학식 1A, 1B 또는 1C로 표시되되, 상기 화학식 1A, 1B 또는 1C 중 Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, 상기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고; xa 및 xb 1 또는 2이고; R101 는 하기 화학식 6-1 내지 6-8 중 하나로 표시될 수 있고; R109는 서로 독립적으로 상기 화학식 6-1 내지 5-11 중 하나로 표시될 수 있고; R111 및 R112는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 하나이고; R102 내지 R108 및 R113 내지 R119는 수소인, 제1화합물을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 정공 수송층(33B) 재료로서, 상기 화합물 1-1 내지 1-19 중 하나를 사용할 수 있다.
상기 정공 수송층(33B)의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송층(33B)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 정공 주입층(33A) 및 정공 수송층(33B) 중 적어도 하나에는 상술한 바와 같은 전하-생성 물질이 추가로 포함될 수 있다.
상기 발광층(35)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있는데, 상기 호스트는 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물을 포함할 수 있다. 상기 화학식 2에 대한 상세한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 예를 들어, 상기 발광층(35)은 호스트로서, 상기 화학식 2A, 2B 및 2C로 표시되되, 상기 화학식 2A, 2B 및 2C 중, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고; i) a = 0 & b = 0이거나, ii) a = 1 & b = 0이거나, iii) a = 0 & b = 1이거나, iv) a = 1 & b = 1이고; R1 및 R2는 서로 독립적으로 상기 화학식 6-1 내지 6-17 중 하나로 표시될 수 있고; R11 내지 R14는 수소인, 제2화합물을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 발광층(35)은 호스트로서, 상기 화합물 2-1 내지 2-25 중 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 발광층(35)의 도펀트 및 발광층(35)의 두께는 상기 도 2의 발광층(25)의 도펀트 및 발광층(25)의 두께를 참조한다.
이상, 도 1 내지 3을 참조하여, 상기 유기 발광 소자를 설명하였으나, 상기 유기 발광 소자가 도 1 내지 3에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 2 및 3에는 미도시하였으나, 도 2의 제2정공 수송층(23B-2)과 발광층(25) 사이 또는 도 3의 정공 수송층(33B)과 발광층(35) 사이에는 발광층(25, 35)에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 하는 버퍼층이 추가로 개재될 수 있다. 상기 버퍼층은 공지된 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 상기 화학식 1로 표시되는 제1화합물 또는 상기 화학식 2로 표시되는 제2화합물을 포함할 수 있다.
한편, 발광층(25, 35)에 인광 도펀트가 사용될 경우, 도 2의 발광층(25)와 전자 수송층(37A) 사이 또는 도 3의 발광층(35)와 전자 수송층(37A) 사이에는, 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층(27A, 37A)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 정공 저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공 저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 될 수 있다. 공지의 정공 저지 재료도 사용할 수 있는데, 이의 예로는, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 들 수 있다. 예를 들면, 하기와 같은 BCP를 정공 저지층 재료로 사용할 수 있다.
상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
또는, 상기 도 2의 정공 주입층(23A) 및 도 3의 정공 주입층(33A)는 생략될 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능함은 물론이다.
본 명세서 중, 비치환된 C1-C60알킬기(또는 C1-C60알킬기)의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등과 같은 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 알킬기를 들 수 있고, 치환된 C1-C60알킬기의 적어도 하나의 치환기는, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기; 및 -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) (여기서, 상기 Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, C6-C60아릴기, 또는 C2-C60헤테로아릴기이고, Q13 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기, 또는 C2-C60헤테로아릴기임); 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중 비치환된 C1-C60알콕시기(또는 C1-C60알콕시기)는 -OA(단, A는 상술한 바와 같은 비치환된 C1-C60알킬기임)의 화학식을 가지며, 이의 구체적인 예로서, 메톡시, 에톡시, 이소프로필옥시, 등이 있고, 이들 알콕시기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환 가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60알케닐기(또는 C2-C60알케닐기)는 상기 비치환된 C2-C60알킬기의 중간이나 맨 끝단에 하나 이상의 탄소 이중결합을 함유하고 있는 것을 의미한다. 예로서는 에테닐, 프로페닐, 부테닐 등이 있다. 이들 비치환된 C2-C60알케닐기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60알키닐기(또는 C2-C60알키닐기)는 상기 정의된 바와 같은 C2-C60알킬기의 중간이나 맨 끝단에 하나 이상의 탄소 삼중결합을 함유하고 있는 것을 의미한다. 예로서는 에티닐(ethynyl), 프로피닐(propynyl), 등이 있다. 이들 알키닐기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C6-C60아릴기는 하나 이상의 방향족 고리를 포함하는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 비치환된 C6-C60아릴렌기는 하나 이상의 방향족 고리를 포함하는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 아릴기 및 아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 아릴기 및 아릴렌기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기의 예로는 페닐기, C1-C10알킬페닐기(예를 들면, 에틸페닐기), C1-C10알킬비페닐기(예를 들면, 에틸비페닐기), 할로페닐기(예를 들면, o-, m- 및 p-플루오로페닐기, 디클로로페닐기), 디시아노페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, o-, m-, 및 p-토릴기, o-, m- 및 p-쿠메닐기, 메시틸기, 페녹시페닐기, (α,α-디메틸벤젠)페닐기, (N,N'-디메틸)아미노페닐기, (N,N'-디페닐)아미노페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 할로나프틸기(예를 들면, 플루오로나프틸기), C1-C10알킬나프틸기(예를 들면, 메틸나프틸기), C1-C10알콕시나프틸기(예를 들면, 메톡시나프틸기), 안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 플루오레닐기, 안트라퀴놀일기, 메틸안트릴기, 페난트릴기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 에틸-크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네릴기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기 등을 들 수 있으며, 치환된 C6-C60아릴기의 예는 상술한 바와 같은 비치환된 C6-C60아릴기의 예와 상기 치환된 C1-C60알킬기의 치환기를 참조하여 용이하게 인식할 수 있다. 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기의 예는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기의 예를 참조하여 용이하게 인식될 수 있다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60헤테로아릴기는 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1 개 이상의 헤테로원자를 포함하고 나머지 고리원자가 C인 하나 이상의 방향족 고리로 이루어진 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1 개 이상의 헤테로원자를 포함하고 나머지 고리원자가 C인 하나 이상의 방향족 고리로 이루어진 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 여기서, 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리는 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기 중 하나 이상의 수소원자는 상술한 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 비치환된 C2-C60헤테로아릴기의 예에는, 피라졸일기, 이미다졸일기, 옥사졸일기, 티아졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조이미다졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 등을 들 수 있다. 상기 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기의 예는 상기 치환 또는 비치환된 C2-C60아릴렌기의 예를 참조하여 용이하게 인식될 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기는 -OA2(여기서, A2는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴싸이오기는 -SA3(여기서, A3는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기임)를 가리킨다.
이하에서, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
애노드로서 ITO/Ag/ITO가 70Å/1000Å/70Å의 두께로 증착된 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공 증착 장치에 설치하였다.
상기 애노드 상부에 2-TNATA를 증착하여 600Å 두께의 정공 주입층을 형성한 후, 화합물 1-5를 증착하여 600Å 두께의 제1정공 수송층을 형성한 다음, 상기 제1정공 수송층 상부에 화합물 2-1을 증착하여 400Å 두께의 제2정공 수송층을 형성하였다.
상기 제2정공 수송층 상부에 CBP(호스트) 및 Ir(ppy)3를 91 : 9의 중량비로 공증착하여, 250Å 두께의 발광층을 형성한 다음, 상기 발광층 상부에 BCP를 증착하여 50Å 두께의 정공 저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 저지층 상에 Alq3를 증착하여, 350Å 두께의 전자 수송층을 형성한 후, 상기 전자 수송층 상에 LiF를 증착하여 10Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상에 MgAg를 중량비 90:10의 비율로 증착하여 120Å 두께의 캐소드를 형성함으로써, 유기 발광 소자(녹색광 방출)를 제작하였다.
실시예 2
제1정공 수송층 형성시 화합물 1-5 대신 화합물 1-19를 이용하고, 제2정공 수송층 형성시 화합물 2-1 대신 화합물 2-19를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3
애노드로서 ITO/Ag/ITO가 70Å/1000Å/70Å의 두께로 증착된 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공 증착 장치에 설치하였다.
상기 애노드 상부에 2-TNATA를 증착하여 600Å 두께의 정공 주입층을 형성한 후, 화합물 1-5를 증착하여 600Å 두께의 제1정공 수송층을 형성한 다음, 상기 제1정공 수송층 상부에 화합물 2-7을 증착하여 750Å 두께의 제2정공 수송층을 형성하였다.
상기 제2정공 수송층 상부에 CBP(호스트) 및 PtOEP를 91 : 9의 중량비로 공증착하여, 400Å 두께의 발광층을 형성한 다음, 상기 발광층 상부에 BCP를 증착하여 50Å 두께의 정공 저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 저지층 상에 Alq3를 증착하여, 350Å 두께의 전자 수송층을 형성한 후, 상기 전자 수송층 상에 LiF를 증착하여 10Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상에 MgAg를 중량비 90:10의 비율로 증착하여 120Å 두께의 캐소드를 형성함으로써, 유기 발광 소자(적색광 방출)를 제작하였다.
실시예 4
제1정공 수송층 형성시 화합물 1-5 대신 화합물 1-17을 이용하고, 제2정공 수송층 형성시 화합물 2-7 대신 화합물 2-19를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 5
정공 주입층 상부에, 제1정공 수송층 및 제2정공 수송층을 형성하는 대신, 화합물 1-5를 증착하여 1000Å 두께의 정공 수송층을 형성하고, 상기 정공 수송층 상부에 화합물 2-7(호스트) 및 Ir(ppy)3를 91 : 9의 중량비로 공증착하여, 250Å 두께의 발광층을 형성하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자(녹색광 방출)를 제작하였다.
실시예 6
정공 수송층 형성시 화합물 1-5 대신 화합물 1-17을 사용하고, 발광층 형성시 호스트로서 화합물 2-7 대신 화합물 2-10을 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 5와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 7
정공 주입층 상부에, 제1정공 수송층 및 제2정공 수송층을 형성하는 대신, 화합물 1-5를 증착하여 1350Å 두께의 정공 수송층을 형성하고, 상기 정공 수송층 상부에 화합물 2-10(호스트) 및 PtOEP를 91 : 9의 중량비로 공증착하여, 400Å 두께의 발광층을 형성하였다는 점을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자(적색광 방출)를 제작하였다.
실시예 8
정공 수송층 형성시 화합물 1-5 대신 화합물 1-19를 사용하고, 발광층 형성시 호스트로서 화합물 2-10 대신 화합물 2-19를 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1
정공 수송층 형성시 화합물 1-5 대신 하기 화학식 A로 표시되는 화합물 A를 이용하고, 발광층 형성시 호스트로서 화합물 2-7 대신 CBP를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 5와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 2
정공 수송층 형성시 화합물 1-5 대신 상기 화합물 A를 이용하고, 발광층 형성시 호스트로서 화합물 2-10 대신 CBP를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
평가예 1
실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 2의 유기 발광 소자의 구동 전압, 전류 밀도, 휘도, 발광색, 효율 및 수명(@10㎃/㎠)을 PR650 Spectroscan Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)을 이용하여 평가하였다. 그 결과는 하기 표 1 및 2와 같다. 수명(LT97)은 초기 휘도를 100%로 하였을 때, 10㎃/㎠ 조건 하에서 구동 후 휘도가 97%로 감소하는데 걸리는 시간을 측정하여 평가하였다.
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정공 수송층 | 호스트 | 도펀트 |
구동 전압 (V) |
전류 밀도 (mA/cm2) |
휘도 (cd/m2) |
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| 제1정공 수송층 | 제2정공 수송층 | ||||||
| 실시예 1 | 화합물 1-5 |
화합물 2-1 |
CBP | Ir(ppy)3 | 5.1 | 10 | 6,233 |
| 실시예 2 | 화합물 1-19 |
화합물 2-19 |
CBP | Ir(ppy)3 | 5.2 | 10 | 6,592 |
| 실시예 3 | 화합물 1-5 |
화합물 2-7 |
CBP | PtOEP | 5.6 | 10 | 3,051 |
| 실시예 4 | 화합물 1-17 |
화합물 2-19 |
CBP | PtOEP | 5.5 | 10 | 2,817 |
| 실시예 5 | 화합물 1-5 | 화합물 2-7 |
Ir(ppy)3 | 5.0 | 10 | 6,184 | |
| 실시예 6 | 화합물 1-17 | 화합물 2-10 |
Ir(ppy)3 | 5.3 | 10 | 6,292 | |
| 실시예 7 | 화합물 1-5 | 화합물 2-10 |
PtOEP | 5.8 | 10 | 3,437 | |
| 실시예 8 | 화합물 1-19 | 화합물 2-19 |
PtOEP | 5.6 | 10 | 2,918 | |
| 비교예 1 | 화합물 A | CBP | Ir(ppy)3 | 6.7 | 10 | 4,551 | |
| 비교예 2 | 화합물 A | CBP | PtOEP | 7.1 | 10 | 2,009 | |
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정공 수송층 | 호스트 | 도펀트 |
효율 (cd/A) |
발광색 | LT97 (hr) |
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| 제1정공 수송층 | 제2정공 수송층 | ||||||
| 실시예 1 | 화합물 1-5 |
화합물 2-1 |
CBP | Ir(ppy)3 | 62.3 | 녹색 | 81 |
| 실시예 2 | 화합물 1-19 |
화합물 2-19 |
CBP | Ir(ppy)3 | 65.9 | 녹색 | 84 |
| 실시예 3 | 화합물 1-5 |
화합물 2-7 |
CBP | PtOEP | 30.5 | 적색 | 130 |
| 실시예 4 | 화합물 1-17 |
화합물 2-19 |
CBP | PtOEP | 28.2 | 적색 | 132 |
| 실시예 5 | 화합물 1-5 | 화합물 2-7 |
Ir(ppy)3 | 61.8 | 녹색 | 77 | |
| 실시예 6 | 화합물 1-17 | 화합물 2-10 |
Ir(ppy)3 | 62.9 | 녹색 | 79 | |
| 실시예 7 | 화합물 1-5 | 화합물 2-10 |
PtOEP | 34.4 | 적색 | 135 | |
| 실시예 8 | 화합물 1-19 | 화합물 2-19 |
PtOEP | 29.2 | 적색 | 128 | |
| 비교예 1 | 화합물 A | CBP | Ir(ppy)3 | 45.5 | 녹색 | 60 | |
| 비교예 2 | 화합물 A | CBP | PtOEP | 20.1 | 적색 | 102 | |
표 1 및 2로부터, 실시예 1 내지 8의 유기 발광 소자는 비교예 1 및 2의 유기 발광 소자에 비하여 우수한 구동 전압, 휘도, 효율, 색순도 및 수명 특성을 가짐을 확인할 수 있다.
10, 20, 30: 유기 발광 소자
11, 21, 31: 기판
12, 22, 32: 제1전극
13, 23, 33: 정공 이동 영역
23A, 33A: 정공 주입층
23B-1: 제1정공 수송층
23B-2: 제정공 수송층
33B: 정공 수송층
15, 25, 35: 발광층
17, 27, 37: 전자 이동 영역
27A, 37A: 전자 수송층
27B, 37B: 전자 주입층
19, 29, 39: 제2전극
11, 21, 31: 기판
12, 22, 32: 제1전극
13, 23, 33: 정공 이동 영역
23A, 33A: 정공 주입층
23B-1: 제1정공 수송층
23B-2: 제정공 수송층
33B: 정공 수송층
15, 25, 35: 발광층
17, 27, 37: 전자 이동 영역
27A, 37A: 전자 수송층
27B, 37B: 전자 주입층
19, 29, 39: 제2전극
Claims (20)
- 기판; 상기 기판 상의 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층; 상기 제1전극과 상기 발광층 사이의 정공 이동 영역; 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자 이동 영역;을 포함하고,
상기 정공 이동 영역은 하기 화학식 1로 표시되는 제1화합물을 포함하고,
상기 정공 이동 영역 및 상기 발광층 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 제2화합물을 포함한, 유기 발광 소자:
<화학식 1>
<화학식 2>
상기 화학식 1 및 2 중,
Ar101, Ar102, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기이고;
xa, xb, a 및 b는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수이고;
R101, R109, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기이고;
R102 내지 R108, R111 내지 R119, R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, -N(Q1)(Q2) 또는 -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기 또는 C2-C60헤테로아릴기임)이고;
c1 및 c4는 서로 독립적으로, 1 내지 4의 정수이고;
c2 및 c3는 서로 독립적으로 1 내지 3의 정수이다. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1 및 2 중 Ar101, Ar102, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 3-1 내지 3-24 중 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
상기 화학식 3-1 내지 3-24 중,
Y1은 O, S, C(R21)(R22) 또는 N(R23)이고;
Z1, Z2 및 R21 내지 R23은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q13)(Q14)(Q15)(여기서, 상기 Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C6-C20아릴기 또는 C2-C20헤테로아릴기임); 중에서 선택되고;
d1은 1 내지 4의 정수이고;
d2는 1 내지 3의 정수이고;
d3는 1 내지 6의 정수이고;
d4는 1 내지 8의 정수이고;
d5는 1 또는 2이다. - 제2항에 있어서,
Z1, Z2 및 R21 내지 R23이 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 및 -N(Q11)(Q12); -Si(Q13)(Q14)(Q15)(여기서, 상기 Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기임); 중에서 선택되는, 유기 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1 및 2 중 Ar101, Ar102, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1 중 i) xa = 0 & xb = 0이거나; ii) xa = 1 & xb = 0이거나; iii) xa = 2 & xb = 0이거나; iv) xa = 0 & xb = 1이거나; v) xa = 0 & xb = 2이거나; vi) xa = 1 & xb = 1인, 유기 발광 소자. - 제1항에 있어서
상기 화학식 2 중, i) a = 0 & b = 0이거나; ii) a = 1 & b = 0이거나; iii) a = 0 & b = 1이거나; iv) a = 1 & b = 1인, 유기 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1 및 2 중 R101, R109, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 5-1 내지 5-22 중 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
상기 화학식 5-1 내지 5-22 중,
Y2는 O, S, C(R25)(R26) 또는 N(R27)이고;
Z11 내지 Z14 및 R25 내지 R27은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q13)(Q14)(Q15)(여기서, 상기 Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C6-C20아릴기 또는 C2-C20헤테로아릴기임); 중에서 선택되고;
e1은 1 내지 5의 정수이고;
e2는 1 내지 7의 정수이고;
e3는 1 내지 3의 정수이고;
e4는 1 내지 4의 정수이고;
e5는 1 또는 2이다. - 제7항에 있어서,
Z11 내지 Z14 및 R25 내지 R27은, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q13)(Q14)(Q15)(여기서, 상기 Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기임); 중에서 선택되는, 아민계 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1 중 R101은 하기 화학식 6-1 내지 6-8 중 하나로 표시되고, 상기 화학식 1 중 R109가 하기 화학식 6-1 내지 6-11 중 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
상기 화학식 6-1 내지 6-11 중,
Z11a, 내지 Z11c, R25 및 R26은 서로 독립적으로, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기이고;
Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기이다. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 2 중 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 6-1 내지 6-17 중 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
상기 화학식 6-1 내지 6-17 중,
Z11a, 내지 Z11d, R25 및 R26은 서로 독립적으로, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기이고;
Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기이다. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1 중 R111 및 R112는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기인, 유기 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1화합물이 하기 화학식 1A, 1B 또는 1C로 표시되고, 상기 제2화합물이 하기 화학식 2A, 2B 또는 2C로 표시되는, 유기 발광 소자:
<화학식 1A> <화학식 1B>
<화학식 1C> <화학식 2A>
<화학식 2B> <화학식 2C>
상기 화학식 1A, 1B, 1C, 2A, 2B 및 2C 중 Ar101, Ar102, xa, xb, R101 내지 R109, R111 내지 R119, R1, R2, R11 내지 R14, a, b, c1, c2, c3 및 c4에 대한 설명은 제1항에 기재된 바와 동일하다. - 제1항에 있어서,
상기 제1화합물이 하기 화합물 1-1 내지 1-19 중 하나를 포함하고, 상기 제2화합물이 하기 화합물 2-1 내지 2-25 중 하나를 포함한, 유기 발광 소자:
- 제1항에 있어서,
상기 정공 이동 영역이 i) 제1정공 수송층 및 ii) 상기 제1정공 수송층과 상기 발광층 사이에 개재된 제2정공 수송층을 포함하고,
상기 제1정공 수송층에 상기 제1화합물이 포함되어 있고,
상기 제2정공 수송층에 상기 제2화합물이 포함되어 있는, 유기 발광 소자. - 제14항에 있어서,
상기 발광층에 상기 제2화합물이 포함되어 있는, 유기 발광 소자. - 제14항에 있어서,
상기 제1화합물이 하기 화학식 1A, 1B 또는 1C로 표시되고, 상기 제2화합물이 하기 화학식 2A, 2B 또는 2C로 표시되는, 유기 발광 소자:
<화학식 1A> <화학식 1B>
<화학식 1C> <화학식 2A>
<화학식 2B> <화학식 2C>
상기 화학식 1A, 1B 및 1C 중,
Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, 하기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고;
xa 및 xb 1 또는 2이고;
R101 는 하기 화학식 6-1 내지 6-8 중 하나로 표시될 수 있고;
R109는 서로 독립적으로 상기 화학식 6-1 내지 6-11 중 하나로 표시될 수 있고;
R111 및 R112는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 하나이고;
R102 내지 R108 및 R113 내지 R119는 수소일 수 있고;
상기 화학식 2A, 2B 및 2C 중,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고;
i) a = 0 & b = 0이거나, ii) a = 1 & b = 0이거나, iii) a = 0 & b = 1이거나, iv) a = 1 & b = 1이고;
R1 및 R2는 서로 독립적으로 하기 화학식 6-1 내지 6-17 중 하나로 표시될 수 있고;
R11 내지 R14는 수소이다:
상기 화학식 6-1 내지 6-17 중 Z11a, 내지 Z11d, R25 및 R26은 서로 독립적으로, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기이고; Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기이다. - 제14항에 있어서,
상기 제1화합물이 하기 화합물 1-1 내지 1-19 중 하나를 포함하고,
상기 제2화합물이 하기 화합물 2-1 내지 2-25 중 하나를 포함한, 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 정공 이동 영역이 정공 수송층을 포함하고,
상기 정공 수송층에 상기 제1화합물이 포함되어 있고,
상기 발광층에 상기 제2화합물이 포함되어 있는, 유기 발광 소자. - 제18항에 있어서,
상기 제1화합물이 하기 화학식 1A, 1B 또는 1C로 표시되고, 상기 제2화합물이 하기 화학식 2A, 2B 또는 2C로 표시되는, 유기 발광 소자:
<화학식 1A> <화학식 1B>
<화학식 1C> <화학식 2A>
<화학식 2B> <화학식 2C>
상기 화학식 1A, 1B 및 1C 중,
Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, 하기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고;
xa 및 xb 1 또는 2이고;
R101 는 하기 화학식 6-1 내지 6-8 중 하나로 표시될 수 있고;
R109는 서로 독립적으로 상기 화학식 6-1 내지 6-11 중 하나로 표시될 수 있고;
R111 및 R112는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 하나이고;
R102 내지 R108 및 R113 내지 R119는 수소일 수 있고;
상기 화학식 2A, 2B 및 2C 중,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 4-1 내지 4-7 중 하나로 표시될 수 있고;
i) a = 0 & b = 0이거나, ii) a = 1 & b = 0이거나, iii) a = 0 & b = 1이거나, iv) a = 1 & b = 1이고;
R1 및 R2는 서로 독립적으로 하기 화학식 6-1 내지 6-17 중 하나로 표시될 수 있고;
R11 내지 R14는 수소이다:
상기 화학식 6-1 내지 6-17 중 Z11a, 내지 Z11d, R25 및 R26은 서로 독립적으로, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기이고; Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 또는 이소퀴놀일기이다. - 제18항에 있어서,
상기 제1화합물이 하기 화합물 1-1 내지 1-19 중 하나를 포함하고,
상기 제2화합물이 하기 화합물 2-1 내지 2-25 중 하나를 포함한, 유기 발광 소자.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120155317A KR102055685B1 (ko) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 유기 발광 소자 |
| US14/134,655 US10297756B2 (en) | 2012-12-27 | 2013-12-19 | Organic light-emitting diode |
| EP13199308.1A EP2750213B1 (en) | 2012-12-27 | 2013-12-23 | Organic light-emitting diode |
| CN201310722565.6A CN103904252B (zh) | 2012-12-27 | 2013-12-24 | 有机发光二极管 |
| TW102147938A TWI613192B (zh) | 2012-12-27 | 2013-12-24 | 有機發光二極體 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120155317A KR102055685B1 (ko) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 유기 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140085111A true KR20140085111A (ko) | 2014-07-07 |
| KR102055685B1 KR102055685B1 (ko) | 2019-12-16 |
Family
ID=49880590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120155317A KR102055685B1 (ko) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 유기 발광 소자 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10297756B2 (ko) |
| EP (1) | EP2750213B1 (ko) |
| KR (1) | KR102055685B1 (ko) |
| CN (1) | CN103904252B (ko) |
| TW (1) | TWI613192B (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160034526A (ko) * | 2014-09-19 | 2016-03-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US9525141B2 (en) | 2013-08-27 | 2016-12-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
| KR20170115642A (ko) * | 2016-04-07 | 2017-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US9847491B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-12-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
| US10170706B2 (en) | 2014-03-26 | 2019-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Amine-based compound and organic light-emitting device including the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140091344A (ko) * | 2013-01-11 | 2014-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 아민계 화합물 및 안트라센계 화합물을 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR102137472B1 (ko) * | 2013-02-08 | 2020-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US10840454B2 (en) * | 2013-06-14 | 2020-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting devices |
| KR102304720B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102321379B1 (ko) * | 2014-09-24 | 2021-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102285388B1 (ko) * | 2014-11-13 | 2021-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US10276800B2 (en) * | 2014-11-14 | 2019-04-30 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Organic electroluminescence device having at least an a node, a hole injection layer, a first hole transport layer. A second hole transport layer a luminous layer, an electron transport layer, and a cathode |
| KR102615638B1 (ko) * | 2015-12-22 | 2023-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102579752B1 (ko) | 2015-12-22 | 2023-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR20170075114A (ko) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR20170075122A (ko) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US20170271610A1 (en) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| KR101984082B1 (ko) * | 2016-05-27 | 2019-05-31 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
| KR20180080100A (ko) * | 2017-01-02 | 2018-07-11 | 주식회사 동진쎄미켐 | 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR102679423B1 (ko) * | 2018-03-13 | 2024-07-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| CN110105264A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 电致发光材料、电致发光材料的制备方法及发光器件 |
| KR20230102693A (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 화합물 및 이를 유기발광장치 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3816969B2 (ja) | 1994-04-26 | 2006-08-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| DE69511755T2 (de) | 1994-04-26 | 2000-01-13 | Tdk Corp | Phenylanthracenderivat und organisches EL-Element |
| US5645948A (en) | 1996-08-20 | 1997-07-08 | Eastman Kodak Company | Blue organic electroluminescent devices |
| US5972247A (en) | 1998-03-20 | 1999-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent elements for stable blue electroluminescent devices |
| JP2000003782A (ja) | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子 |
| US6465115B2 (en) | 1998-12-09 | 2002-10-15 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer |
| EP1009043A3 (en) | 1998-12-09 | 2002-07-03 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with polyphenyl hydrocarbon hole transport layer |
| JP2005044279A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Canon Inc | 帳票処理方法、帳票処理プログラム、帳票処理装置 |
| KR100573137B1 (ko) * | 2004-04-02 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플루오렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| EP2518045A1 (en) * | 2006-11-24 | 2012-10-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element using the same |
| JP2008135498A (ja) | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
| JP5609256B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2014-10-22 | 東ソー株式会社 | ２−アミノカルバゾール化合物及びその用途 |
| JP5709752B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2015-04-30 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101931922B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2018-12-21 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 전자 소자 제조를 위한 제형 |
| WO2011059099A1 (ja) | 2009-11-16 | 2011-05-19 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8930791B2 (en) * | 2009-12-23 | 2015-01-06 | Intel Corporation | Early stop method and apparatus for turbo decoding |
| DE102010010481A1 (de) * | 2010-03-06 | 2011-09-08 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
| EP2423209B1 (en) | 2010-04-20 | 2015-08-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Bis-carbazole derivative, material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element using same |
| JPWO2011148909A1 (ja) | 2010-05-24 | 2013-07-25 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013201153A (ja) * | 2010-06-08 | 2013-10-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2421064B1 (en) | 2010-08-18 | 2018-07-04 | Cheil Industries Inc. | Compound for organic optoelectronic device, organic light emmiting diode including the same and display including the light emmiting diode |
| US9324950B2 (en) | 2010-11-22 | 2016-04-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| KR101894023B1 (ko) * | 2011-05-11 | 2018-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치 |
| BR112013027966A2 (pt) | 2011-05-12 | 2017-01-17 | Toray Industries | material do dispositivo emissor de luz e dispositivo emissor de luz |
| KR101983019B1 (ko) * | 2011-08-03 | 2019-05-28 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 전자 소자용 물질 |
-
2012
- 2012-12-27 KR KR1020120155317A patent/KR102055685B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-12-19 US US14/134,655 patent/US10297756B2/en active Active
- 2013-12-23 EP EP13199308.1A patent/EP2750213B1/en active Active
- 2013-12-24 TW TW102147938A patent/TWI613192B/zh active
- 2013-12-24 CN CN201310722565.6A patent/CN103904252B/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9525141B2 (en) | 2013-08-27 | 2016-12-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
| US10170706B2 (en) | 2014-03-26 | 2019-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Amine-based compound and organic light-emitting device including the same |
| KR20160034526A (ko) * | 2014-09-19 | 2016-03-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US9847491B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-12-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
| KR20170115642A (ko) * | 2016-04-07 | 2017-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2750213B1 (en) | 2015-06-24 |
| US20140183495A1 (en) | 2014-07-03 |
| US10297756B2 (en) | 2019-05-21 |
| TWI613192B (zh) | 2018-02-01 |
| CN103904252B (zh) | 2017-07-14 |
| EP2750213A1 (en) | 2014-07-02 |
| CN103904252A (zh) | 2014-07-02 |
| KR102055685B1 (ko) | 2019-12-16 |
| TW201425295A (zh) | 2014-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |