KR20140082456A - 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자 - Google Patents

포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20140082456A
KR20140082456A KR1020120152456A KR20120152456A KR20140082456A KR 20140082456 A KR20140082456 A KR 20140082456A KR 1020120152456 A KR1020120152456 A KR 1020120152456A KR 20120152456 A KR20120152456 A KR 20120152456A KR 20140082456 A KR20140082456 A KR 20140082456A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive resin
group
resin composition
weight
positive photosensitive
Prior art date
Application number
KR1020120152456A
Other languages
English (en)
Inventor
황은하
강진희
권지윤
김대윤
김상권
김상수
김용태
노건배
박은비
송재환
윤은경
이종화
이진영
홍충범
황인철
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR1020120152456A priority Critical patent/KR20140082456A/ko
Publication of KR20140082456A publication Critical patent/KR20140082456A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 멜라민페놀계 화합물, (B) 알칼리 가용성 수지, (C) 감광성 디아조퀴논 화합물 및 (D) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자가 제공된다.
[화학식 1]
Figure pat00025

(상기 화학식 1에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND PHOTOSENSITIVE RESIN FILM AND DISPLAY DEVICE PREPARED BY USING THE SAME}
본 기재는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자에 관한 것이다.
유기발광소자(OLED) 및 반도체 소자에 적용되는 포지티브형의 절연막의 경우, 미세 패턴 및 발광 소자의 집적성으로 인하여 하부 막질에 여러 가지 소재를 사용하며, 주로 산화 반응이 일어나지 않는 여러 금속 재질을 사용한다. 　유기발광소자(OLED)의 경우 주로 하부 막질의 금속 재질은 산화가 일어나지 않는 귀금속계 물질을 사용한다.
이 경우 포지티브형의 감광성 절연막과 하부 막질의 금속 재질과의 화학적 결합이 약해져 신뢰성을 낮추는 결과를 가져온다.
본 발명의 일 구현예는 금속 기판과의 접착력이 우수하여 신뢰성 및 감도가 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용한 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 구현예는 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 멜라민페놀계 화합물; (B) 알칼리 가용성 수지; (C) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (D) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1에서,
R은 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이고,
n은 1 내지 100의 정수이다.)
상기 멜라민페놀계 화합물은 80 내지 110 ℃의 연화점을 가질 수 있다.
상기 상기 멜라민페놀계 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부로 포함될 수 있고, 구체적으로는 1 내지 40 중량부로 포함될 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리아믹산, 폴리이미드 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 실란 커플링제를 더 포함할 수 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 (B) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, 상기 (A) 멜라민페놀계 화합물 1 내지 60 중량부, 상기 (C) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 및 상기 (D) 용매 100 내지 900 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시　소자를 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막은 금속 기판과의 접착력이 우수하여 신뢰성 및 감도가 향상된다.
도 1은 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물이 도포된 금속 기판의 크로스 컷(cross cut) 이후의 사진이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환" 내지 "치환된"이란, 본 발명의 작용기 중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(-F, -Cl, -Br 또는 -I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(NH2, NH(R200) 또는 N(R201)(R202)이고, 여기서 R200, R201　및 R202는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기임), 아미디노기, 하이드라진기, 하이드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 지환족 유기기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C30 알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기를 의미하고, "사이클로알킬기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C18 사이클로알킬기를 의미하고, "알콕시기"란 C1 내지 C30 알콕시기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18　알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C30 아릴기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C18 아릴기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C30 알케닐기를 의미하고, 구체적으로는 C2 내지 C18 알케닐기를 의미하고, "알킬렌기"란 C1 내지 C30 알킬렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "지방족 유기기"란 C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C1 내지 C30 알킬렌기, C2 내지 C30 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C30 알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기, C2 내지 C15 알케닐기, C2 내지 C15 알키닐기, C1 내지 C15 알킬렌기, C2 내지 C15 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C15 알키닐렌기를 의미하고, "지환족 유기기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C30 사이클로알케닐기, C3 내지 C30 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, C3 내지 C30 사이클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C30 사이클로알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C15 사이클로알킬기, C3 내지 C15 사이클로알케닐기, C3 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, C3 내지 C15 사이클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C15 사이클로알키닐렌기를 의미하고, "방향족 유기기"란 C6 내지 C30 아릴기 또는 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴기 또는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미하고, "헤테로 고리기"란 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬렌기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알케닐렌기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알키닐렌기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C15 헤테로사이클로알킬렌기, C2 내지 C15 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C15 헤테로사이클로알케닐렌기, C2 내지 C15 헤테로사이클로알키닐기, C2 내지 C15 헤테로사이클로알키닐렌기, C2 내지 C15 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기를 의미한다.
　
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 멜라민페놀계 화합물, (B) 알칼리 가용성 수지, (C) 감광성 디아조퀴논 화합물 및 (D) 용매를 포함한다.
이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
(A) 멜라민페놀계 화합물
상기 멜라민페놀계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 　화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
R은 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이고,
n은 1 내지 100의 정수이다.)
상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 멜라민페놀계 화합물은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 광 특성은 변화시키지 않으면서, 후술하는 알칼리 가용성 수지와 화학 반응을 함으로써 접착력을 발생시킨다. 　이에 따라 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물로 형성된 감광성 수지막은 금속 기판과의 젖음성 및 화학적 결합력을 높여, 상기 금속 기판과의 들뜸 현상(delamination)을 방지할 수 있다.
상기 멜라민페놀계 화합물은 80 내지 110 ℃의 연화점을 가질 수 있다. 　상기 연화점은 상기 멜라민페놀계 화합물이 가열에 의해 변형을 일으키기 시작하는 온도를 나타낸다. 　상기 범위 내의 연화점을 가질 경우 저장성이 우수하고 적절한 결정도를 가지며, 이에 따라 후술하는 알칼리 가용성 수지와의 화학적 결합력을 높일 수 있다.
상기 멜라민페놀계 화합물은 110 내지 140 g/eq의 당량을 가질 수 있다.
상기 멜라민페놀계 화합물은 후술하는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부로 사용될 수 있고, 구체적으로는 1 내지 40 중량부로 사용될 수 있다. 　상기 함량 범위 내로 사용될 경우 알칼리 가용성 수지와의 화학적 결합력이 높아 금속 기판과의 접착력이 향상될 뿐 아니라 감도가 향상된다.
　
(B) 알칼리 가용성 수지
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리아믹산, 폴리이미드 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있고, 상기 폴리아믹산은 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있고, 상기 폴리이미드는 하기 화학식 4로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00003
(상기 화학식 2에서,
X1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기일 수 있고,
Y1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기, 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)
[화학식 3]
Figure pat00004
(상기 화학식 3에서,
X2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기, 또는 하기 화학식 5로 표시되는 작용기일 수 있고,
Y2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기, 또는 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)
[화학식 4]
Figure pat00005
(상기 화학식 4에서,
X3은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기, 또는 유기실란기일 수 있고,
Y3은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기, 또는 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)
상기 화학식 2에서, X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 X1의 예로는 하기 화학식 6 및 7로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 6]
Figure pat00006
[화학식 7]
Figure pat00007
(상기 화학식 6 및 7에서,
A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2　또는 S 일 수 있고, 상기 R47　및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있고,
R50　내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기,　치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기일 수 있고,
n10은 0 내지 2의 정수일 수 있고, n11　및 n12는 각각 0 내지 3의 정수일 수 있다.)
상기 화학식 2에서, Y1은 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기, 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 　구체적으로는 Y1은 방향족 유기기, 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 Y1의 예로는 하기 화학식 8 내지 10으로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 8]
Figure pat00008
[화학식 9]
Figure pat00009
[화학식 10]
Figure pat00010
(상기 화학식 8 내지 10에서,
R53　내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
n13　및 n14는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있고, n15　및 n16은 각각 0 내지 3의 정수일 수 있고,
A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47　및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있다.)
상기 화학식 3 및 4에서, X2　및 X3은 각각 독립적으로 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기, 2가 내지 6가의 지환족 유기기, 또는 상기 화학식 5로 표시되는 작용기이다. 　구체적으로는 X2　및 X3은 각각 독립적으로 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지환족 유기기, 또는 상기 화학식 5로 표시되는 작용기일 수 있다.
구체적으로는 상기 X2　및 X3은 각각 독립적으로 방향족 디아민, 지환족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다. 　이때, 상기 방향족 디아민, 지환족 디아민 및 실리콘 디아민은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 이들의 방향족 고리에 알킬기나 할로겐 원자가 치환된 화합물, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지환족 디아민의 예로는 1,2-시클로헥실 디아민, 1,3-시클로헥실 디아민, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 실리콘 디아민의 예로는 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 3 및 4에서, Y2　및 Y3은 각각 독립적으로 방향족 유기기, 4가 내지 6가의 지방족 유기기, 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 　구체적으로는 Y2　및 Y3은 각각 독립적으로 방향족 유기기, 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
상기 Y2　및 Y3은 각각 독립적으로 방향족 산이무수물, 또는 지환족 산이무수물로부터 유도된 잔기일 수 있다. 　이때, 상기 방향족 산이무수물 및 상기 지환족 산이무수물은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방향족 산이무수물의 예로는 피로멜리트산 이무수물(pyromellitic dianhydride); 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물(benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride)과 같은 벤조페논 테트라카르복실산 이무수물(benzophenone tetracarboxylic dianhydride); 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(4,4'-oxydiphthalic dianhydride)과 같은 옥시디프탈산 이무수물(oxydiphthalic dianhydride); 3,3',4,4'-비프탈산 이무수물(3,3',4,4'-biphthalic dianhydride)과 같은 비프탈산 이무수물(biphthalic dianhydride); 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride)과 같은 (헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물((hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride); 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride); 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지환족 산이무수물의 예로는 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride), 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-사이클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨란-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride), 　바이사이클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), 바이사이클로옥텐-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride)를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 내지 300,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있고, 구체적으로는 5,000 내지 30,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다. 　상기 범위의 중량평균분자량(Mw)을 가질 경우 알칼리 수용액으로 현상시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.
　
(C) 감광성 디아조퀴논 화합물
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 가지는 화합물이 사용될 수 있다.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 구체적으로 하기 화학식 11 및 화학식 13 내지 15로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 11]
Figure pat00011
(상기 화학식 11에서, R60　내지 R62는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 메틸기일 수 있고,
R63　내지 R65는 각각 독립적으로 OQ 일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 12a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 12b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,
n20　내지 n22는 각각 0 내지 5의 정수일 수 있다.)
[화학식 12a]
Figure pat00012
[화학식 12b]
Figure pat00013
[화학식 13]
Figure pat00014
(상기 화학식 13에서,
R66은 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
R67　내지 R69는 각각 독립적으로 OQ 일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 11에서 정의된 것과 동일하고,
n23 　내지 n25는 각각 0 내지 5의 정수일 수 있다.)
[화학식 14]
Figure pat00015
(상기 화학식 14에서,
A3은 CO 또는 CR74R75　일 수 있고, 상기 R74 　및 R75는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
R70　내지 R73은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, OQ 또는 NHQ 일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 11에서 정의된 것과 동일하고,
n26　내지 n29은 각각 0 내지 4의 정수일 수 있고, n26+n27　및 n28+n29는 각각 5 이하의 정수일 수 있다.)
단, 상기 R70　및 R71　중 적어도 하나는 OQ 일 수 있으며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개 포함될 수 있다.
[화학식 15]
Figure pat00016
(상기 화학식 15에서,
R74　내지 R81는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
n30　및 n31은 각각 1 내지 5의 정수일 수 있고,
Q는 상기 화학식 11에서 정의된 것과 동일하다.)
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부로, 구체적으로는 10 내지 50 중량부로 포지티브형 감광성 수지 조성물 내에 포함될 수 있다. 　상기 범위 내로 포함될 경우 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘되며, 현상시 막 두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
　
(D) 용매
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.
상기 용매의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르　등의 알킬렌글리콜 알킬에테르류, 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트 등의 알킬아세테이트류, 아세틸아세톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논 등의 케톤류, 부틸알코올, 이소부틸알코올, 펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올 등의 알코올류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, N-메틸-2-피롤리돈, N-시클로헥실-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 부틸 락테이트, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트, 메틸-3-메톡시 　프로피오네이트 및 이들의 조합에서 선택된 하나를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 　이러한 용매는 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 100 내지 900 중량부로, 구체적으로는 200 내지 700 중량부로 포지티브형 감광성 수지 조성물 내에 포함될 수 있다. 　상기 범위 내로 포함될 경우 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있고, 우수한 용해도 및 코팅성을 가질 수 있다.
구체적으로 상기 용매는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 3 내지 50 중량%가 되도록, 구체적으로는 5 내지 30 중량%가 되도록 사용할 수 있다.
　
(E) 기타 첨가제
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.
기타 첨가제로는 실란 커플링제, 열잠재 산발생제 등을 들 수 있다.
상기 실란　커플링제의 예를 들면, 하기 화학식 16　내지 18로 표시되는 화합물 중 어느 하나, 탄소-탄소 불포화 결합을 함유한 실란 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 16]
Figure pat00017
(상기 화학식 16에서,
R1은 비닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있고, 구체적으로는 3-(메타)아크릴옥시프로필기, p-스티릴기 또는 3-(페닐아미노)프로필기일 수 있으며,
R2 　내지 R4는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있고, 이때 상기 R2 　내지 R4 　중 적어도 하나는 상기 할로겐 원자 또는 상기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기일 수 있고, 구체적으로는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C8 알콕시기일 수 있다.)
[화학식 17]
Figure pat00018
(상기 화학식 17에서,
R8은 -NH2　또는 -NHCOCH3 일 수 있고,
R5　내지 R7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기일 수 있고, 구체적으로는 -OCH3　또는 -OCH2CH3 일 수 있고,
n1은 1 내지 5의 정수일 수 있다.)
[화학식 18]
Figure pat00019
(상기 화학식 18에서,
R9 　내지 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기일 수 있고, 구체적으로는 -CH3　또는 -OCH3 일 수 있고,
R13　및 R14는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아미노기일 수 있고, 구체적으로는 -NH2　또는 -NHCOCH3 일 수 있고,
n2　및 n3은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.)
상기 탄소-탄소 불포화 결합을 함유한 실란 화합물의 예로는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란,　3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등을 들 수 있다.
전술한 멜라민페놀계 화합물과 상기 실란 커플링제를 혼합하여 사용할 경우 금속 기판과의 밀착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 실란 커플링제는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 사용될 수 있다. 　상기 실란계 화합물이 상기 범위 내로 사용될 경우 금속 기판과의 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 현상 후 잔막이 남지 않고, 광 특성과 인장강도, 신율 등의 기계적 물성이 우수하다.
상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다.
또한 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 적당한 계면활성제 또는 레벨링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 공정은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정; 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 형성하는 공정; 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열처리하는 공정을 포함한다. 　패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다른 일 구현예에 따르면 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.
상기 감광성 수지막은 100 내지 150 mJ/cm2의 감도를 가질 수 있고, 구체적으로는 110 내지 150 mJ/cm2의 감도를 가질 수 있다. 　이 경우, 감도가 높아짐으로써 공정시 수율 및 시간을 단축 시킬 수 있다.
또 다른 일 구현예에 따르면 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시　소자를 제공한다.
　
이하에서 본 발명을 실시예　및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예　및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
제조예 1: 알칼리 가용성 수지 제조
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 41.1g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다. 　고체가 완전히 용해되면 피리딘 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 　적하 후 1시간 동안 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 　반응 혼합물을 물/메탄올=10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량평균분자량이 9,500 g/mol인 하기 화학식　A로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 제조하였다. 　
[화학식 A]
Figure pat00020
　
(포지티브형 감광성 수지 조성물의 제조)
포지티브형 감광성 수지 조성물 제조에 사용되는 성분의 사양은 다음과 같다
(A) 멜라민페놀계 화합물
코오롱社의 F-3005(연화점 95℃)를 사용하였다.
(B) 알칼리 가용성 수지
제조예 1에서 제조된 화합물을 사용하였다.
(C) 감광성 디아조퀴논 화합물
하기 화학식 19로 표시되는 화합물을 사용하였다.
[화학식 19]
Figure pat00021
(D) 용매
(D-1) γ-부티로락톤을 사용하였다.
(D-2) 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 사용하였다.
(E) 첨가제
(E-1) 감도 개선제로서, 하기 화학식 B로 표시되는 4-헥실 레조시놀(resorcinol)을 사용하였다.
[화학식 B] 　　　　
Figure pat00022
　　　　　　　　
(E-2) 가교 결합제로서, 하기 화학식 C로 표시되는 화합물을 사용하였다.
[화학식 C]
Figure pat00023
　
(E-3) 실란 커플링제로서, 신에츠社 KBM-303을 사용하였다.
　
실시예 1 내지 8 및 비교예 1
하기 표 1에 나타낸 조성으로 실시예 1 내지 8　및 비교예 1에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다. 　구체적으로 알칼리 가용성 수지를 용매와 혼합하여 용해시킨 후, 감광성 디아조퀴논 화합물, 멜라민페놀계 화합물　및 첨가제를 용해한 후, 0.45㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다. 　하기 표 1에서 (A), (C), (D) 및 (E) 성분의 각 함량의 단위는 (B) 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 나타낸 중량부이다.
(중량부)
　 실시예 비교예 1
1 2 3 4 5 6 7 8
(A) 멜라민페놀계 화합물 1 5 10 20 30 40 20 30 -
(B)알칼리 가용성 수지 100 100 100 100 100 100 100 100 100
(C)감광성 디아조퀴논 화합물 28 28 28 28 28 28 28 28 28
(D)용매 (D-1) 100 100 100 100 100 100 100 100 100
(D-2) 250 250 250 250 250 250 250 250 250
(E) 첨가제 (E-1) 16 16 16 16 16 16 16 16 16
(E-2) 10 10 10 10 10 10 10 10 10
(E-3) - - - - - - 20 10 40
　
평가 1: 접착력 측정
실시예 1 내지 8 및 비교예 1에서 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 UV 차단된 옐로우등 아래에서 스핀 코팅기를 이용하여 금속 기판에 4㎛의 두께로 코팅한 후, 250℃에서 40분 동안 질소 경화를 진행하였다. 　이후, ASTM 규격인 크로스 컷(cross cut) 방법을 이용하여 접착력을 평가하였다. 　상기 금속 기판은 IZO(indium zinc oxide), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴/알루미늄 합금　및 실리콘나이트라이드(SiNx) 각각을 대상으로 평가하였다. 　
도 1은 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물이 도포된 금속 기판의 크로스 컷(cross cut) 이후의 사진이다.
도 1에서와 같이 크로스 컷 이후 단위 격자 내에 뜯김이나 박리가 발생했는지를 육안으로 관찰하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<접착력 평가 기준>
◎: 뜯김이나 박리가 전혀 발생하지 않음
○: 뜯김이나 박리가 발생하지 않음
X: 뜯김이나 박리가 부분적으로 발생함
XX: 뜯김이나 박리가 다수 발생함
평가 2: 감도 측정
실시예 1 내지 8 및 비교예 1에서 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여, I-iine 광원을 사용하여 감도를 측정하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 　구체적으로, 노광 후 CD(critical dimension)　사이즈를 10㎛ 타겟으로 하여, 각각 120mJ/sec, 140mJ/sec 및 160 mJ/sec의 노광량으로 노광 및 현상 후, 각각 노광 후 CD 사이즈를 측정하여, 타겟 CD 노광량을 산출하였다.
　 실시예 비교예 1
1 2 3 4 5 6 7 8
접착력 IZO ○ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ xx
Mo ○ ○ ○ ○ ○ ◎ ○ ○ xx
Mo/Al ○ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ x
SiNx ○ ○ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
감도(mJ/cm2) 140 140 140 140 140 140 140 140 140
상기 표 2를 통하여, 일 구현예에 따른 멜라민페놀계 화합물을 포지티브형 감광성 수지 조성물 내에 사용한 실시예 1 내지 8의 경우, 상기 멜라민페놀계 화합물을 사용하지 않은 비교예 1과 비교하여 다양한 재질의 금속 기판과의 접착력이 우수함을 알 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

Claims (9)

  1. (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 멜라민페놀계 화합물;
    (B) 알칼리 가용성 수지;
    (C) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및
    (D) 용매
    를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00024

    (상기 화학식 1에서,
    R은 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이고,
    n은 1 내지 100의 정수이다.)
    　
  2. 제1항에 있어서,
    상기 멜라민페놀계 화합물은 80 내지 110 ℃의 연화점을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    　
  3. 제1항에 있어서,
    상기 멜라민페놀계 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부로 포함되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    　
  4. 제1항에 있어서,
    상기 멜라민페놀계 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 40 중량부로 포함되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    　
  5. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리아믹산, 폴리이미드 또는 이들의 조합을 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    　
  6. 제1항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 실란 커플링제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은
    상기 (B) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여,
    상기 (A) 멜라민페놀계 화합물 1 내지 60 중량부,
    상기 (C) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 및
    상기 (D) 용매 100 내지 900 중량부
    를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    　
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막.
    　
  9. 제8항의 감광성 수지막을 포함하는 표시　소자.
KR1020120152456A 2012-12-24 2012-12-24 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자 KR20140082456A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120152456A KR20140082456A (ko) 2012-12-24 2012-12-24 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120152456A KR20140082456A (ko) 2012-12-24 2012-12-24 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140082456A true KR20140082456A (ko) 2014-07-02

Family

ID=51733386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120152456A KR20140082456A (ko) 2012-12-24 2012-12-24 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140082456A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5410918B2 (ja) ポジティブ型感光性樹脂組成物
US8871422B2 (en) Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts
JP4618075B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物及びパターン形成方法
JP5206977B2 (ja) 新規ポリイミドシリコーン及びこれを含有する感光性樹脂組成物並びにパターン形成方法
KR101400192B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자
KR20100036110A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101423539B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP5054158B2 (ja) ポジティブ型感光性組成物
KR101667787B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자
KR20140086733A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 절연막　및 상기 절연막을 포함하는 표시 소자
KR20150060365A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
JP4840014B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法および電子部品
KR101311940B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101413078B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP2018185480A (ja) 感光性樹脂組成物および樹脂膜
KR20110054465A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20160104380A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자
KR101881943B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자
KR20140082456A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자
JP7247867B2 (ja) 感光性ポリイミド樹脂組成物、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
KR101702510B1 (ko) 감광성 수지막의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 의해 제조된 감광성 수지막
KR101333690B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101257696B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101247624B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR102288385B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application