KR20140061094A - 디스플레이 장치의 구동 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- 239000002717 carbon nanostructure Substances 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Abstract
디스플레이 장치의 구동 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 디스플레이 장치의 구동 소자는 광 스위칭 소자의 제 1전극이 액티브 소자의 소스 및 드레인 또는 게이트와 동일한 공정에서 형성시킴으로써 구조가 간단하며, 또한 소자의 제조 방법을 단순화할 수 있다.
Description
본 발명의 실시예는 디스플레이 장치의 구동 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 디스플레이 구동에 사용되는 액티브 소자 및 광 스위칭 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 기존의 음극선관을 이용한 CRT(cathode ray tube) 방식에서 발전하여 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel) 등이 평면 표시 장치로 발전하고 있다.
CRT 방식의 표시 장치는 전자빔을 형광물질과 충돌하도록 하여 화상을 표시한다. CRT 방식의 표시 장치는 대형화될수록 그 폭도 크게 증가하여 표시 장치를 대형화하기 어렵다는 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위하여 다수의 평면 표시 장치가 개발되었다.
한편, 평판 표시 장치의 전력 사용량 중에서 표시 패널이 차지하는 비중이 계속 증가하고 있음에도 불구하고, 표시 패널의 광 효율은 매우 낮다. 특히, 화소의 크기가 작아질수록 광 효율은 급격히 떨어진다. 그리하여, 광 효율을 높이면서 공정이 간단한 표시 장치용 광 스위칭 소자의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 일측면은 디스플레이 장치의 구동 소자에 관한 것이다.
본 발명의 다른 측면은 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명 실시예에서는,
기판의 제 1영역에 형성된 액티브 소자, 상기 기판의 제 2영역에 형성된 광 스위칭 소자 및 상기 액티브 소자 및 상기 광 스위칭 소자 사이에 형성된 캐패시터를 포함하며,
상기 액티브 소자는, 상기 기판의 제 1영역 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층, 상기 게이트 전극에 대응되는 상기 절연층 영역 상에 형성된 활성 영역; 및 상기 활성 영역의 양측 상에 형성된 소스 및 드레인를 포함하며,
상기 광 스위칭 소자는, 상기 기판의 제 2영역의 상기 절연층 상에 형성된 제 1전극 및 상기 제 1전극과 이격되어 상기 제 1전극 상방에 형성된 제 2전극을 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자를 제공한다.
상기 액티브 소자 및 상기 광 스위칭 소자 사이에 형성된 캐패시터 전극을 포함할 수 있다.
상기 소스, 드레인 및 제 1전극 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
상기 소스, 드레인 및 제 1전극은 동일한 물질로 형성된 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는,
기판의 제 1영역에 형성된 액티브 소자, 상기 기판의 제 2영역에 형성된 광 스위칭 소자 및 상기 액티브 소자 및 상기 광 스위칭 소자 사이에 형성된 캐패시터를 포함하며,
상기 액티브 소자는, 상기 기판의 제 1영역 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층, 상기 게이트 전극에 대응되는 상기 절연층 영역 상에 형성된 활성 영역; 및 상기 활성 영역의 양측 상에 형성된 소스 및 드레인를 포함하며,
상기 광 스위칭 소자는, 상기 기판의 제 2영역 상에 형성된 제 1전극 및 상기 제 1전극과 이격되어 상기 제 1전극 상방에 형성된 제 2전극을 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자를 제공한다.
상기 액티브 소자 및 상기 광 스위칭 소자 사이에 형성된 캐패시터 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 소스, 드레인 및 제 1전극 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
상기 게이트 및 제 1전극은 동일한 물질로 형성된 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는,
기판 상에 전도성 물질층을 형성하고 패터닝 하여 액티브 소자의 게이트 전극 및 캐패시터 전극을 형성하고, 절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극에 대응되는 상기 절연층 상에 활성 영역을 형성하는 단계;
상기 절연층 및 활성 영역 상에 전도성 물질층을 형성하고, 패터닝하여 액티브 소자의 소스, 드레인 및 광 스위칭 소자의 제 1전극을 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 소스, 드레인 및 제 1전극 상에 절연 물질로 패시베이션층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
싱기 패시베이션층 상에 희생층을 형성하는 단계;
상기 제 1전극에 대응되는 상기 희생층 상에 전도성 물질로 제 2전극을 형성하는 단계; 및
상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는,
기판 상에 전도성 물질층을 형성하고 패터닝 하여 액티브 소자의 게이트 전극, 캐패시터 전극 및 광 스위칭 소자의 제 1전극을 형성하고, 절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극에 대응되는 상기 절연층 상에 활성 영역을 형성하는 단계;
상기 절연층 및 활성 영역 상에 전도성 물질층을 형성하고, 패터닝하여 액티브 소자의 소스 및 드레인을 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 광 스위칭 소자의 제 1전극을 액티브 소자의 소스 및 드레인 또는 게이트와 동일한 공정에서 형성함으로써 간단한 구조의 디스플레이 구동용 소자를 제공할 수 있으며, 디스플레이 구동용 소자의 제조 공정 측면에서 마스크 공정 등의 사용 횟수를 감소시켜 제조 공정은 단순화 시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 디스플레이 장치의 구동 소자를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 도 1a에 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4h는 도 1b에 나타낸 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 디스플레이 장치의 구동 소자를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 도 1a에 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4h는 도 1b에 나타낸 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 디스플레이 장치의 구동 소자 및 그 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하고자 한다. 첨부된 도면에 도시된 층이나 영역들의 폭 및 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시될 수 있다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 의한 디스플레이 장치의 구동 소자를 개략적으로 나타낸 도면이다. 여기서, 도 1a는 도 2의 m-m'를 자른 단면도를 나타낸 것일 수 있다.
도 1a 및 도 2를 참조하면, 디스플레이 장치의 구동 소자는 기판(10) 상에 형성된 액티브 소자(active deivce)(100), 캐패시터(capacantor)(200) 및 광 스위칭 소자(micro optical switch device)(300)를 포함하는 구조를 나타내고 있다.
기판(10)의 제 1영역에는 액티브 소자(100)로 TFT(thin film transistor) 구조체가 형성될 수 있다. 기판(10)의 제 1영역 상에 형성된 게이트 전극(11), 게이트 전극(11) 상에 형성된 절연층(13), 게이트 전극(11)에 대응되는 절연층(13) 영역 상에 형성된 활성 영역(active region)(14) 및 활성 영역(14)의 양측 상에 형성된 소스(15a) 및 드레인(15b)를 포함할 수 있다. 소스(15a) 및 드레인(15b) 상에는 각각 패시베이션층(passivation layer)(17)이 형성될 수 있다. 액티브 소자(100가 형성되지 않은 기판(10) 상의 제 2영역에는 광 스위칭 소자(300)가 형성될 수 있다. 광 스위칭 소자(300)는 기판(10) 및 절연층(13) 상에 형성된 제 1전극(16) 및 제 1전극(16)과 이격되어 제 1전극(16) 및 패시베이션층(17) 상방에 형성된 제 2전극(19)을 포함할 수 있다. 액티브 소자 및 광 스위칭 소자 사이의 기판(10) 상에는 캐패시터 전극(12)이 형성될 수 있다.
도 1a에 나타낸 구조에서는 액티브 소자(100)의 소스(15a) 및 드레인(15b)과 광 스위칭 소자(300)의 제 1전극(16)이 모두 절연층(13) 상에 형성된 구조를 나타낸다. 액티브 소자(100)의 소스(15a) 및 드레인(15b)과 광 스위칭 소자(300)의 제 1전극(16)은 제조 공정에 있어서, 절연층(13) 상에 전도성 물질을 증착하여 동시에 형성된 것일 수 있다.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액티브 소자 및 광 스위칭 소자의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 1b 또한 도 2의 m-m'를 자른 단면도를 나타낸 것일 수 있다.
도 1b 및 도 2를 참조하면, 기판(20) 상에 형성된 액티브 소자(100), 캐패시터 전극(200) 및 광 스위칭 소자(300)를 포함할 수 있다. 액티브 소자는 TFT 구조를 지닐 수 있으며, 기판(20)의 제 1영역 상에 형성될 수 있다. 기판(20)의 제 1영역 상에 형성된 게이트 전극(22), 게이트 전극(22) 상에 형성된 절연층(25), 게이트 전극(22)에 대응되는 절연층(25) 영역 상에 형성된 활성 영역(26)을 포함할 수 있다. 활성 영역(26)의 양측 상에는 소스(27a) 및 드레인(27b)이 각각 형성될 수 있다. 소스(27a) 및 드레인(27b) 상에는 각각 패시베이션층(28)이 형성될 수 있다. 기판(20)의 제 2영역에는 광 스위칭 소자 구조체가 형성될 수 있다. 광 스위칭 소자 구조체는 기판(20) 상에 형성된 제 1전극(24) 및 제 1전극(24)과 이격되며, 제 1전극(24) 및 패시베이션층(29) 상방에 형성된 제 2전극(30)을 포함할 수 있다. 그리고, 액티브 소자 및 광 스위칭 소자 사이의 기판(20) 상에는 캐패시터 전극(23)이 형성될 수 있다.
광 스위칭 소자에 의해 구동되는 디스플레이 장치는 광원의 광을 일 방향으로 출사하는 백라이트 유닛과 디스플레이 장치로부터 출사하는 광량을 조절하는 광 스위칭 소자 및 표시 패널을 포함할 수 있다. 광 스위칭 소자는 액티브 소자의 구동 시 흐르는 전류에 의해 캐패시터가 충전되며, 충전된 캐패시터는 소정의 전압을 지니게 되며, 이 전압에 의해 캐패시터와 병렬적으로 연결된 광 스위칭 소자를 구동하게 된다. 도 1a 및 도 1b에 나타낸 구조에서는 광 스위칭 소자의 제 1전극이 각각 절연층(13) 및 기판(20) 상에 형성된 구조를 나타내고 있다. 이러한 구조는 광 스위칭 소자의 제 1전극이 패시베이션층 상에 형성된 일반적인 구조에 비해 구조적으로 간단하며, 액티브 소자의 게이트 또는 소스 및 드레인 형성 시 동시에 제 1전극(16, 24)을 형성할 수 있기 때문에 제조 공정 측면에서 마스크 공정 등의 횟수를 감소시켜 단순화 할 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자를 구성하는 각 층에 대해 설명하고자 한다.
기판(10, 20)은 광이 투과될 수 있도록 투광성 재질의 비전도성 물질로 형성된 것일 수 있다. 예를 들어 기판(10, 20)은 비정질 글래스(glass)로 형성된 것일 수 있다.
게이트 전극(11, 22), 캐패시터 전극(12, 23), 소스(15a, 27a), 드레인(15b, 27b), 제 1전극(16, 24) 및 제 2전극(19, 20)은 전도성 물질로 형성된 것일 수 있으며, 금속, 전도성 금속 산화물, 전도성 금속 질화물, 탄소 나노구조체, 전도성 폴리머 및 전도성 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성된 것일 수 있다. 게이트 전극(11, 22), 캐패시터 전극(12, 23), 소스(15a, 27a), 드레인(15b, 27b), 제 1전극(16, 24) 및 제 2전극(19, 20)은 동일한 전도성 물질로 형성된 것일 수 있으며, 다른 전도성 물질로 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, CNT(carbone nanotube), 그래핀(graphene) 등의 탄소 나노구조체, 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리시오펜(polythiophene), 폴리페닐린 비닐렌(polyphnylene vinylene), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리 피-페닐렌(poly p-phenylene), 폴리헤테로사이클 비닐렌(polyheterocycle vinylene)과 같은 도전성 폴리머, ITO(indium tin oxide), AZO(Aluminium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2(Tin oxide) 또는 In2O3 등의 금속산화물, Al, Cu, Au, Ag등의 금속 나노입자 분산 박막 등으로 형성된 것일 수 있다.
추가적으로 제 1전극(16, 24) 및 제 2전극(19, 20)의 경우, 기판(10, 20)을 투과한 광을 반사시킬 수 있도록 반사율이 높으며 광 차단 특성이 높은 전도성 물질로 형성된 것일 수 있다. 그리고, 광 차단성을 높이기 위하여 광을 차단시키는 검은색 등의 유색 물질이 추가될 수 있으며, 반사율을 높이기 위하여 그 표면에는 반사 물질이 더 코딩된 것일 수 있다. 또한, 제 1전극(16, 24) 및 제 2전극(19, 20)은 다수개로 형성된 개구를 포함할 수 있으며 제 1전극(16, 24) 및 제 2전극(19, 20)에 형성된 개구들은 직접 대향되지 않도록 상호 중첩되지 않게 형성된 것일 수 있다. 제 2전극(19, 20)은 제 1전극(16, 24)과 이격되며, 전압을 인가하여 구동되는 경우 제 1전극(16, 24)과의 간격이 변하면서 방출되는 광량을 조절할 수 있다. 제 2전극(19, 20)에 전압을 인가하기 위하여, 제 2전극(19, 20)은 캐패시터 전극(12, 23)과 전기적으로 연결될 수 있다.
활성 영역(14, 26)은 다양한 반도체 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 Zn계 산화물 반도체 또는 질화물 반도체 물질로 형성된 것일 수 있다. 그리고 절연층(13, 25) 및 패시베이션층(17, 28)은 절연 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 ZrO2, TiO2, MgO, CeO2, Al2O3, HfO2, NbO, SiO2 및 Si3N4 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 것일 수 있다.
도 1a 및 도 1b에서 나타낸 액티브 소자는 바텀 게이트(bottom gate)형 소자를 나타내었으나, 액티브 소자가 탑 게이트(top gate) 소자인 경우에도 적용될 수 있다. 이러한 경우에도, 광 스위칭 소자의 제 1전극은 액티브 소자의 게이트 전극 또는 소스 및 드레인과 각각 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법에 대해 설명하고자 한다.
도 3a 내지 도 3g는 도 1a에 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 3a를 참조하면, 기판(10)상에 금속, 전도성 금속 산화물, 전도성 금속 질화물, 탄소 나노구조체, 전도성 폴리머 및 전도성 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 전도성 물질층을 형성하고 패터닝을 실시하여 게이트 전극(11) 및 캐패시터 전극(12)을 형성한다. 그리고, 기판(10), 게이트(11) 및 캐패시터 전극(12) 상에 절연 물질로 절연층(13)을 형성할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 게이트 전극(11)에 대응되는 절연층(13) 상에 반도체 물질로 활성 영역(14)을 형성한다.
도 3c를 참조하면, 절연층(13) 및 활성 영역(14) 상에 금속, 전도성 금속 산화물, 전도성 금속 질화물, 탄소 나노구조체, 전도성 폴리머 및 전도성 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 전도성 물질층을 형성하고 이를 패터닝하여 액티브 소자의 소스 및 드레인 물질층(15)과 광 스위칭 소자의 제 1전극(16)을 형성한다.
도 3d를 참조하면, 소스 및 드레인 물질층(15) 하부의 활성 영역(14)이 노출되도록 소스 및 드레인 물질층(15)에 개구를 형성하여 소스(15a) 및 드레인(15b)을 형성한다. 그리고, 소스(15a), 드레인(15b) 및 제 1전극(16) 상에 절연 물질로 패시베이션층(17)을 형성한다.
도 3e를 참조하면, 활성 영역(14)이 노출되도록 패시베이션층(17)에 개구를 형성하고 패시베이션층(17) 및 노출된 활성 영역(14) 상에 희생층(18)을 형성한다. 예를 들어, 희생층(18)은 광과의 화학 반응 특성을 지닌 고형분(solid powder)과 휘발성 솔벤트 등과 같은 감광 물질로 형성될 수 있으며, 또한 폴리머 물질로 형성될 수 있다.
도 3f를 참조하면, 제 1전극(16)에 대응되는 영역의 희생층(18) 상에 전도성 물질로 제 2전극(19)을 형성한다. 그리고, 도 3g를 참조하면, 희생층(18)을 제거하여 도 1에 나타낸 구조의 디스플레이 구동용 소자를 완성할 수 있다. 희생층(18)은 에슁(ashing) 공정에 의해 용이하게 제거될 수 있다.
이와 같이, 광 스위칭 소자의 제 1전극(16)을 액티브 소자의 소스(15a) 및 드레인(15b) 형성 공정과 동일한 공정에서 실시를 하는 경우, 광 스위칭 소자의 제 1전극(16)을 액티브 소자 상에 별도로 형성하는 것에 비해 공정이 매우 단순화될 수 있다.
도 4a 내지 도 4h는 도 1b에 나타낸 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4a를 참조하면, 기판(20) 상에 금속, 전도성 금속 산화물, 전도성 금속 질화물, 탄소 나노구조체, 전도성 폴리머 및 전도성 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 전도성 물질층(21)을 형성한다.
도 4b를 참조하면, 전도성 물질층(21)을 패터닝하여 게이트 전극(22), 캐패시터 전극(23) 및 제 1전극(24)을 형성한다. 게이트 전극(22)은 기판(20) 상의 제 1영역에 형성되고, 제 1전극(24)은 기판(20) 상의 제 2영역에 형성되며, 캐패시터 전극(23)은 게이트 전극(22)과 제 1전극(24) 사이에 서로 이격되도록 형성될 수 있다. 그리고, 기판(20), 게이트(22), 캐패시터 전극(23) 및 제 1전극(24) 상에 절연 물질로 절연층(25)을 형성할 수 있다. 다음으로, 게이트 전극(22)에 대응되는 절연층(25) 상에 반도체 물질로 활성 영역(26)을 형성한다.
도 4c를 참조하면, 절연층(15) 및 활성 영역(26) 상에 금속, 전도성 금속 산화물, 전도성 금속 질화물, 탄소 나노구조체, 전도성 폴리머 및 전도성 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 전도성 물질층(27)을 형성한다.
도 4d를 참조하면, 전도성 물질층(27)을 패터닝하여 액티브 소자의 소스(27a) 및 드레인(27b)을 형성하며, 활성 영역(26)을 노출시킬 수 있다. 제 1전극(24) 상의 전도성 물질층(27)을 함께 제거할 수 있으며, 제 1전극(24) 상의 절연층(25)도 함께 제거할 수 있다.
도 4e를 참조하면, 절연 물질을 증착하여 패시베이션층(28)을 형성하고, 도 4f에 나타낸 바와 같이 패시베이션층(28)의 일부 영역을 패터닝하여 활성 영역(26)을 노출시킨 뒤, 패시베이션층(28) 및 노출된 활성 영역(26) 상에 희생층(29)을 형성한다. 희생층(29)은 예를 들어, 광과의 화학 반응 특성을 지닌 고형분과 휘발성 솔벤트 등과 같은 감광 물질로 형성될 수 있으며, 또한 폴리머 물질로 형성될 수 있다.
도 4g를 참조하면, 제 1전극(24)에 대응되는 영역의 희생층(29) 상에 전도성 물질로 제 2전극(30)을 형성한다.
다음으로, 도 4h를 참조하면, 애슁 공정 등에 의하여 희생층(29)을 제거하여 도 2에 나타낸 구조의 디스플레이 구동용 소자를 완성할 수 있다.
이처럼, 광 스위칭 소자의 제 1전극(24)을 액티브 소자의 게이트 전극(22) 형성 공정과 동일한 공정에서 형성하는 경우, 광 스위칭 소자의 제 1전극(24)을 액티브 소자 상에 별도로 형성하는 것에 비해 공정이 매우 단순화될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능하다. 상술한 설명에서는 액티브 소자가 바텀 게이트형 소자에 대해 기술하였으나, 액티브 소자가 탑 게이트 구조인 경우에도 적용될 수 있음은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
10, 20: 기판 11, 22: 게이트 전극
12, 23: 캐패시터 전극 13, 25: 절연층
14, 26: 활성 영역 15a, 27a: 소스
15b, 27b: 드레인 16, 24: 제 1전극
17, 28: 패시베이션층 18, 29: 희생층
19, 30: 제 2전극
12, 23: 캐패시터 전극 13, 25: 절연층
14, 26: 활성 영역 15a, 27a: 소스
15b, 27b: 드레인 16, 24: 제 1전극
17, 28: 패시베이션층 18, 29: 희생층
19, 30: 제 2전극
Claims (14)
- 기판의 제 1영역에 형성된 액티브 소자, 상기 기판의 제 2영역에 형성된 광 스위칭 소자 및 상기 액티브 소자 및 상기 광 스위칭 소자 사이에 형성된 캐패시터를 포함하며,
상기 액티브 소자는, 상기 기판의 제 1영역 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층, 상기 게이트 전극에 대응되는 상기 절연층 영역 상에 형성된 활성 영역; 및 상기 활성 영역의 양측 상에 형성된 소스 및 드레인를 포함하며,
상기 광 스위칭 소자는, 상기 기판의 제 2영역의 상기 절연층 상에 형성된 제 1전극 및 상기 제 1전극과 이격되어 상기 제 1전극 상방에 형성된 제 2전극을 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 액티브 소자 및 상기 광 스위칭 소자 사이에 형성된 캐패시터 전극을 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 소스, 드레인 및 제 1전극 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 소스, 드레인 및 제 1전극은 동일한 물질로 형성된 디스플레이 장치의 구동 소자. - 기판의 제 1영역에 형성된 액티브 소자, 상기 기판의 제 2영역에 형성된 광 스위칭 소자 및 상기 액티브 소자 및 상기 광 스위칭 소자 사이에 형성된 캐패시터를 포함하며,
상기 액티브 소자는, 상기 기판의 제 1영역 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층, 상기 게이트 전극에 대응되는 상기 절연층 영역 상에 형성된 활성 영역; 및 상기 활성 영역의 양측 상에 형성된 소스 및 드레인를 포함하며,
상기 광 스위칭 소자는, 상기 기판의 제 2영역 상에 형성된 제 1전극 및 상기 제 1전극과 이격되어 상기 제 1전극 상방에 형성된 제 2전극을 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자. - 제 5항에 있어서,
상기 액티브 소자 및 상기 광 스위칭 소자 사이에 형성된 캐패시터 전극을 더 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자. - 제 5항에 있어서,
상기 소스, 드레인 및 제 1전극 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자. - 제 5항에 있어서,
상기 게이트 및 제 1전극은 동일한 물질로 형성된 디스플레이 장치의 구동 소자. - 기판 상에 전도성 물질층을 형성하고 패터닝 하여 액티브 소자의 게이트 전극 및 캐패시터 전극을 형성하고, 절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극에 대응되는 상기 절연층 상에 활성 영역을 형성하는 단계;
상기 절연층 및 활성 영역 상에 전도성 물질층을 형성하고, 패터닝하여 액티브 소자의 소스, 드레인 및 광 스위칭 소자의 제 1전극을 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법. - 제 9항에 있어서,
상기 소스, 드레인 및 제 1전극 상에 절연 물질로 패시베이션층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법. - 제 10항에 있어서,
싱기 패시베이션층 상에 희생층을 형성하는 단계;
상기 제 1전극에 대응되는 상기 희생층 상에 전도성 물질로 제 2전극을 형성하는 단계; 및
상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법. - 기판 상에 전도성 물질층을 형성하고 패터닝 하여 액티브 소자의 게이트 전극, 캐패시터 전극 및 광 스위칭 소자의 제 1전극을 형성하고, 절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극에 대응되는 상기 절연층 상에 활성 영역을 형성하는 단계;
상기 절연층 및 활성 영역 상에 전도성 물질층을 형성하고, 패터닝하여 액티브 소자의 소스 및 드레인을 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법. - 제 12항에 있어서,
상기 소스, 드레인 및 제 1전극 상에 절연 물질로 패시베이션층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법. - 제 13항에 있어서,
싱기 패시베이션층 상에 희생층을 형성하는 단계;
상기 제 1전극에 대응되는 상기 희생층 상에 전도성 물질로 제 2전극을 형성하는 단계; 및
상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 소자의 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120128265A KR102038633B1 (ko) | 2012-11-13 | 2012-11-13 | 디스플레이 장치의 구동 소자 및 그 제조 방법 |
| US14/079,138 US9110318B2 (en) | 2012-11-13 | 2013-11-13 | Driving device of display apparatus and method of manufacturing the driving device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120128265A KR102038633B1 (ko) | 2012-11-13 | 2012-11-13 | 디스플레이 장치의 구동 소자 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140061094A true KR20140061094A (ko) | 2014-05-21 |
| KR102038633B1 KR102038633B1 (ko) | 2019-10-30 |
Family
ID=50680875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120128265A KR102038633B1 (ko) | 2012-11-13 | 2012-11-13 | 디스플레이 장치의 구동 소자 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9110318B2 (ko) |
| KR (1) | KR102038633B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9768254B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-09-19 | International Business Machines Corporation | Leakage-free implantation-free ETSOI transistors |
| US9735227B2 (en) * | 2015-08-03 | 2017-08-15 | Synopsys, Inc. | 2D material super capacitors |
| KR102598709B1 (ko) | 2015-09-02 | 2023-11-06 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 광 스위치를 이용한 백라이트 유닛 및 3차원 영상 표시 장치 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9110318B2 (en) | 2015-08-18 |
| KR102038633B1 (ko) | 2019-10-30 |
| US20140131744A1 (en) | 2014-05-15 |
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