KR20140040009A - 강유전체 메모리 판독 시스템 및 방법 - Google Patents
강유전체 메모리 판독 시스템 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140040009A KR20140040009A KR1020130110988A KR20130110988A KR20140040009A KR 20140040009 A KR20140040009 A KR 20140040009A KR 1020130110988 A KR1020130110988 A KR 1020130110988A KR 20130110988 A KR20130110988 A KR 20130110988A KR 20140040009 A KR20140040009 A KR 20140040009A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ferroelectric
- ferroelectric capacitor
- capacitor
- capacitance
- ferroelectric memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 28
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 14
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229920001166 Poly(vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- -1 for example Polymers 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/221—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements using ferroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2273—Reading or sensing circuits or methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
각각의 강유전체 메모리 셀과 연결되는 종래 필수적인 전하 또는 감지증폭기를 생략하는 방식으로 강유전체 메모리를 판독하기 위한 시스템 및 방법이 제공된다. 무선 통신을 포함하여 발생되고 입력되는 AC 신호를 변조하는 간단한 회로를 이용하고, 이때 강유전체 커패시터의 커패시턴스는 필터로 작동한다. 강유전체 메모리 (커패시터)의 충, 방전에 따라, 상이한 커패시턴스를 가지고, 이것은 신호에 대한 임피던스에 영향을 미친다. 전하가 아닌 커패시턴스 표시로서의 신호 차이를 원격에서 판독하는 성능으로, RFID 태그에서의 적용을 포함한 더욱 광범위한 분야에서 강유전체 메모리 적용 확장이 가능하다.
Description
본원은 본원에 전체가 참조문헌으로 통합되는 본원과 동일자 출원된 " 강유전체 메모리의 기록 및 비-파괴적 판독 시스템 및 방법" 명칭의 미국특허출원번호 [대리인서류번호 056-0526]에 관한 것이다.
본 발명은 강유전체 메모리 판독 시스템 및 방법 및 특히 강유전체 메모리의 무선 및 원격 판독을 위하여 고주파 교류 (AC) 신호를 적용하는 시스템 및 방법에 관한 것이고, 종래 메모리 독출을 위하여 메모리 셀 일부를 구성한 전하 또는 감지증폭기가 필요하지 않다.
강유전체 메모리는 강유전성 재료의 잔존 분극으로써 정보를 저장하는 비-휘발성 전자 메모리 부품이다. 광범위한 유용한 강유전성 재료가 존재한다. 때로, 강유전체 메모리의 강유전성 재료는, 예를들면, 폴리(비닐리덴플루오리드-코-트리플루오로에틸렌) 또는 P(VDF-TrFE)을 포함한 강유전성 고분자 형태로 제공되고, 물리적 가공이 용이하고 강유전성 개변이 용이하므로 많은 강유전체 메모리 적용에 있어서 매우 매력적이다. 다른 메모리 기술과 비교하여 강유전체 메모리를 이용하는 장치는 상대적으로 낮은 전력을 사용하고 기록 성능은 더욱 신속하다. 이러한 장치는 더 높은 최고 횟수의 기록-삭제 주기를 지원한다. 또한, 이들 장치는 인쇄 배선회로로 형성될 수 있다. 이러한 장점들은 소정의 단점들 예컨대 낮은 저장밀도, 저장용량한계 및 고가와 균형을 이루고 있다.
전형적으로, 강유전체 커패시터는 강유전성 재료가 두 개의 전극 사이에 개제되어 커패시터를 형성하는 전자소자이고, 강유전성 재료는 유전체이다. 간단한, 복잡하지 않은 종래-적용 구조로는, 강유전체 커패시터는 평행 판 구조이지만, 기타 구조체들도 가능하고 때로 구현된다.
강유전성 재료는 전계 인가 및 제거 후 잔존 분극을 가지는 것에 특징이 있다. 강유전성 재료는 인가 전계 및 피상 저장 전하 간에 비선형적 관계를 가진다. 상세하게는, 강유전성은 히스테리시스 루프 형태를 가지고, 이는 강자성 재료의 히스테리시스 루프 형상과 매우 유사하다. 도 1은 양의 전계 및 음의 전계가 강유전체 커패시터에 인가될 때의 전형적인 분극 히스테리시스 (100)를 보인다. 강유전성 재료와 관련된 히스테리시스 루프는 전형적으로 양의 전계 또는 음의 전계가 예컨대 강유전체 커패시터의 강유전성 재료에 인가될 때, 특정 분극 응답을 보인다. 인가 전계가 충분히 크면, 커패시터는 전계가 제거된 후 분극을 보전한다. 강유전체 커패시터는 전계가 인가되지 않을 때 두 종의 상이한 분극이 가능한 쌍안정성이다. 이러한 특성은 값 "1" (도 1에서 요소110을 참고) 및 "0" (도1에서 요소 120을 참고)을 나타내도록 사용될 수 있다. 이들 점 (110,120)은 강유전체 메모리의1-비트 메모리 요소의 값 "1" 및 "0"을 나타내는 무-전계 상태에서의 안정한 두 점이다.
강유전성 재료에 바이어스를 인가하여 강유전체 메모리에 데이터 비트를 기록한다. 정 바이어스는 하나의 상태 ("1") 값을 기록하고 부 바이어스는 다른 상태 ("0") 값을 기록하거나, 강유전체 메모리 분극에 따라 역이 성립한다. 외부 전계가 유전체에 인가되면, 원자 위치의 약간의 이동 및 결정 구조에서 전하 분포 이동으로인하여 쌍극자는 전계 방향으로 자체 정렬된다. 전하가 제거된 후, 쌍극자는 이들의 분극 상태를 보존한다. 따라서 강유전체-기반의 데이터 저장 셀에서 이진 값 "0" 및 "1"은 두 가지 가능한 전기 분극 중 하나로써 저장될 수 있다.
전형적인 구조에서, 상기된 바와 같이, 강유전체 커패시터의 이진 분극 상태에 따라 데이터가 저장된다. 전형적으로는 다음과 같이 셀에 기록된다: (1) 정 바이어스를 강유전체 커패시터에 인가하여 "1"을 기록, 또는 (2) 부 바이어스를 강유전체 커패시터에 인가하여 "0"을 기록. 전형적으로 셀 판독은, 강유전체 커패시터에 부 바이어스를 인가하고 커패시터에 의해 방출되는 전하량을 측정하여 달성된다. 전하는 감지증폭기 또는 전하적분기를 이용하여 측정하며, 이는 전하를 대 전압으로 변환시킨다. 측정 전하량은 강유전체 커패시터에 의해 유지된 분극 상태에 따라 달라지고, 더 큰 전하량은 "1" 상태에 상응하고 더 작은 전하량은 "0" 상태에 해당된다. 판독 프로세스는 파괴적이기 때문에 상기에서는 전하가 "유지된" 셀을 언급한다는 것에 주목하는 것이 중요하다. 판독 프로세스 후, 전형적으로 셀은 언제나 "0" 값을 유지한다. 셀을 판독한 후, 셀이 "1"을 유지하려면, 셀은 다시 그 값으로 재-충전되어야 한다. 또한, 당업자는, 상기 논의에서 사용된, "정", "부", "1," 및 "0"의 지정 및 이들간 관계는 임의적으로 할당되는 것이고 다른 조합들이 가능하다는 것을 이해할 수 있다.
종래 판독 프로세스에서 공통적인 것은 메모리 셀을 구성하는 인쇄배선회로의 별도 (separate) 부품으로서 전하 또는 감지증폭기의 존재 및 필연성이다. 전하-감지 독출 방법의 많은 유용한 변형이 있지만, 이들 변형 모두는 정밀 전하 또는 감지증폭기가 필요하다는 특징에 있어서 공통적이다. 소정의 상황에서, 전하 또는 감지증폭기가 존재하는 것이 바람직하지 않다. 전하-감지 셀 회로에서 필수적으로 전하 또는 감지증폭기를 포함하면 비교적 상당한 메모리 셀 비용이 더해진다. 또한, 전하 또는 감지증폭기는 유기 박막 트랜지스터를 포함한 인쇄배선회로로 많은 저가의 대면적 소자화 기술들로 제조될 수 없다. 예를들면, 유기 반도체 인쇄 공정을 적용하여 RFID 태그에 전하 또는 감지증폭기를 포함할 수 없다. 또한 유연성 기판에 배치되는 회로에 전하 또는 감지증폭기를 포함시킬 수 없다. 마지막으로, 전하 또는 감지증폭기는 강유전체 메모리 셀을 원격으로 판독하는 것이 통상적으로 불가능하다. 간단히 마지막 관점에서, 강유전체 메모리를 원격 또는 무선으로 판독할 수 있는 통상적인 방법이 없다.
포괄적으로, 실리콘 소자를 사용하여 강유전체 메모리를 판독할 때, 메모리에서 나오는 매우 작은 전하는 큰 어려움 없이 판독된다. 이는 실리콘 소자를 이용하여 쉽게 제조할 수 있고 상대적으로 작은 전하를 판독할 수 있는 고감도 (저 잡음) 증폭기를 사용하여 가능하다. 반대로, 유기 소자 (반도체)가 사용되면, 이러한 감도의 저 잡음 증폭기를 제조하는 것이 실질적으로 불가능하다. 유기 소자를 이용하는 이러한 단점 및 강유전체 메모리 판독에 유기 반도체를 이용할 필요성이 결부되어 강유전체 메모리를 판독하는 새로운 방법이 필요하게 된다.
강유전체 메모리가 통상 적용되는 다양한 분야를 고려하면, 강유전체 메모리를 무선 판독하는 시스템 및 방법을 개발하고 또한 강유전체 메모리 판독에 유기 소자를 확장 사용하는 시스템 및 방법을 개발하는 것이 바람직하다. 이러한 성능이 구현되면 제한적이지 않지만 RFID 태그 및 기타 "근거리-무선 " 분야에서의 확장 사용을 포함한 더욱 추가적인 다양한 실제 분야에 강유전체 메모리를 포함시킬 수 있다. 이러한 과정의 일 단계로서, 그리고 다른 이점들을 달성하기 위하여, 개별 메모리 셀의 요소로서 전하 또는 감지증폭기 요건을 제거한 강유전체 메모리 판독 시스템 및 방법을 개발하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 시스템 및 방법의 예시적 실시태양은 메모리 셀 일부로서 전하증폭기를 필요로 하지 않는 회로를 이용하여 강유전체 메모리를 원격 판독할 수 있는 성능을 제공한다.
강유전체 커패시터의 히스테리시스를 관찰하는 다른 방법은 커패시턴스 변화를 보는 것이다. 도 2는 강유전체 커패시터의 전형적인 커패시턴스 (210) 히스테리시스 곡선 (200)을 도시한 것이다. 도 2에서, 전압 Vg (220)은 강유전체 커패시터에 걸리는 전압을 나타낸다. 도 2에 도시된 바와 같이, 전압 Vg (220)이 0일 때, 커패시턴스 (210)는, 거의, 그러나 완전하지는 않게, 분극에 독립적이고, 도시된 단위로 1.0 근처의 값을 가진다 (점선 상자 (230) 참고). 실제로, 상이한 분극에 대하여 제한된 (limited) 커패시턴스 차이가 존재한다는 것을 주목하는 것이 중요하다. 또한 도 2를 분석하면, 정전압 또는 부전압 Vg (220)이 강유전체 커패시터에 인가될 때, 커패시턴스 (210)는 더욱 전압 분극을 따르는 것을 보인다. 예를들면, 양의 값의 전압 Vg (220)이 인가되면, 양의 값의 전압 Vg (220)이 10에 도달할 때까지 커패시턴스는 1.3 단위로 상승하거나 0.55 단위로 하강하고, 이 점에서 어떠한 경우에도 커패시턴스는 0.55 단위로 설정되고, 강유전체 메모리는 다시 기록된다.
예시적 실시태양은 강유전체 메모리의 이러한 고유 특성, 및 인가 AC 신호에 대한 이들의 응답을 이용하여, 강유전체 메모리를 판독하는 새로운 방법을 제공한다.
또한 예시적 실시태양은 메모리 셀에 저장된 정보를 비-파괴적인 방식으로 제한된 커패시턴스 차이를 측정하는 감도소자를 이용한다.
예시적 실시태양은 AC 신호를 이용하여 커패시턴스를 특이하게 측정하는 간단한 회로를 적용하여 간단한 판독 회로 외에 강유전체 메모리 셀에 직접 연결되는 추가적인 전자 회로 부품 없이 강유전체 메모리에 저장된 데이터 값의 정보로서 강유전체 커패시터의 커패시턴스를 측정한다.
예시적 실시태양은, 무선 통신을 포함하여 발생되고 입력되는 AC 신호를 변조하는 간단한 회로를 제공하며, 이때 강유전체 커패시터의 커패시턴스는 필터로 작동한다. 강유전체 메모리 (커패시터)의 충, 방전에 따라, 다른 커패시턴스를 가지고, 이것은 신호에 대한 임피던스에 영향을 미친다. 전하가 아닌 커패시턴스 표시로서의 신호 차이를 원격에서 판독하는 성능은, 예를들면, RFID 태그를 포함한 더욱 광범위한 분야에서 강유전체 메모리 이용에 있어서 유익하다. 즉, 강유전체 커패시터에 의해 방출되는 전하 대신 강유전체 커패시터의 커패시턴스를 읽는 것이 유리하다.
예시적 실시태양은 바이어스 전의 강유전체 커패시터 분극 상태에 따라 강유전체 커패시터에 바이어스 전압이 인가될 때 더욱 큰 커패시턴스 차이를 구현할 수 있다. 바이어스 전압은 메모리를 다시 기록하므로, 이러한 판독방법은 강유전체 메모리에 저장된 정보를 파괴할 것이다.
예시적 실시태양은 강유전체 메모리 판독을 위한 고주파 AC 신호를 이용하여 무선 독출을 가능하게 하며 메모리 독출을 위한 종래 전하 또는 감지증폭기를 무용하게 한다.
예시적 실시태양은, 예를들면, 유도결합, 정전결합 또는 기타 공지된 무선 전송 수단을 통하여 강유전체 커패시터와 무선 접촉되는 AC 신호에 기반하여 AC 신호를 발생 및/또는 측정하여, 수신 시스템에서 사용자에 의한 데이터 가용을 가능하게 한다.
예시적 실시태양은 특히 인쇄 전자 회로에서 이들 회로에 유기 소자 (반도체)의 사용에 적합하다.
예시적 실시태양은 특히 유연성 기판에 배치되는 회로에 적합하다.
도 1은 양의 전계 및 음의 전계가 강유전체 커패시터에 인가될 때의 강유전체 커패시터의 전형적인 분극 히스테리시스의 제1 도이다;
도 2는 강유전체 커패시터의 전형적인 커패시턴스 히스테리시스 곡선의 제2도이다;
도 3은 본 발명에 따라 강유전체 메모리에 정보를 기록하고 이로부터 정보를 판독하는 제1 예시적 회로를 도시한 것이다;
도 4는 본 발명에 따라 강유전체 메모리에 정보를 기록하고 이로부터 정보를 판독하는 제2 예시적 회로를 도시한 것이다;
도 5는 본 발명에 따라 강유전체 메모리로부터 정보를 무선 판독하기 위한 예시적 시스템의 블록도이다;
도 6은 본 발명에 따라 강유전체 메모리로부터 정보를 무선 판독하기 위한 예시적 방법의 흐름도이다.
도 2는 강유전체 커패시터의 전형적인 커패시턴스 히스테리시스 곡선의 제2도이다;
도 3은 본 발명에 따라 강유전체 메모리에 정보를 기록하고 이로부터 정보를 판독하는 제1 예시적 회로를 도시한 것이다;
도 4는 본 발명에 따라 강유전체 메모리에 정보를 기록하고 이로부터 정보를 판독하는 제2 예시적 회로를 도시한 것이다;
도 5는 본 발명에 따라 강유전체 메모리로부터 정보를 무선 판독하기 위한 예시적 시스템의 블록도이다;
도 6은 본 발명에 따라 강유전체 메모리로부터 정보를 무선 판독하기 위한 예시적 방법의 흐름도이다.
본 발명에 따라 메모리 독출에 필요한 종래 전하 또는 감지증폭기를 무용하게 하고 강유전체 메모리의 무선 및 원격 판독을 포함한 강유전체 메모리 판독을 위한 고주파 AC 신호 적용 시스템 및 방법은, 포괄적으로 이러한 시스템 및 방법을 위한 특정 유틸리티를 언급하는 것이다. 본 발명에 기재되고 도시된 예시적 실시태양은 예를들면, 판독회로, 원격 판독시스템의 임의의 특정 구성으로 특히 한정하여 해석되어서는 아니된다. 실제로, 각각의 강유전체 메모리 셀에 연결되는 종래 전하 또는 감지증폭기를 무용하게 하는 방식으로 강유전체 메모리 셀에 대한 고유한 판독을 지원하는 간단한 회로에 대한 임의의 유리한 적용도 본 발명에서 고려되는 것이다.
예를들면, 임의의 특정 메모리 셀 구성에 대한 특정 참조는 예시적인 것으로만 이해되어야 하고, 어떠한 방식으로도, 개시된 시스템 및 방법은 특히 강유전체 메모리 셀에 적합한 것을 제외하고는 임의의 특정 분류의 메모리 셀로 제한되는 것이 아니다.
도 3은 본 발명에 따라 강유전체 메모리에 정보를 기록하고 이로부터 정보를 판독하는 제1 예시적 회로 (300)를 도시한 것이다. 도 4는 본 발명에 따라 강유전체 메모리에 정보를 기록하고 이로부터 정보를 판독하는 제2 예시적 회로 (400)를 도시한 것이다. 도 3 및 4에 도시된 실시태양들에서 공통 부품들에 대하여 가능한 최대한 300 및 400 계열 번호로 공통 부호가 사용된다.
도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 예시적 회로 (300,400)는 다음과 같은 방식으로 AC 신호를 이용하여 강유전체 커패시터 상태 값 정보로서 강유전체 커패시터의 커패시턴스를 측정한다.
예시적 회로 (300,400)에서 각각 단일 직류 전압원 (310), 또는 다중 직류 전압원 (410/480)을 이용하여 강유전체 커패시터 (350,450)를 기록 또는 판독하기 위한 포텐셜이 인가된다. 이들 직류 전압원의 다양한 조합이 가능하다.
도 3에 도시된 실시태양에서, 단일 직류 전압원 (310)은 정전압 및 부전압 모두로 전환될 수 있어야 한다.
도4에 도시된 실시태양에서, 다중 (제1 및 제2) 직류 전압원 (410/480)으로부터 강유전체 커패시터 (450) 양측에 단극 직류 전압이 인가될 수 있다.
동시에, 교류 전압원 (340,440)을 이용하여 교류 전압이 인가된다. 교류 전압원 (340,440)에서 흐르는 전류는 임의의 종래 방식으로, 예를들면, 테스트 포인트들 (Vtest1) (370,470) 및 (Vtest2) (360,460)에서 공지 값의 AC-측 저항 (365,465) 양단 전압을 측정함으로써 측정된다. 물론, 교류 전압원 (340,440)에서 흐르는 전류를 다른 방법으로 측정할 수 있다면, AC-측 저항 (365,465)은 회로에서 생략될 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 실시태양에서, 교류 전압원 (340,440)의 교류 신호는 예시적 회로 (300,400) 부품과 예를들면 유도결합 또는 정전결합을 통해 무선 통신될 수 있다는 것에 주목하여야 한다. 따라서 교류 신호는 원격에서 발생되고 측정될 수 있다.
AC-측 커패시터 (330,430)는 직류 전압원 (310,410)에서 나오는 실질적으로 모든 스위칭 전압을 차단하여 스위칭 전압은 테스트 포인트들 (Vtest1) (370,470) 및 (Vtest2) (360,460)에서, 또는 교류 전압원 (340,440)에서 의해 보여지지 않는다. 실제로는, 일부 과도 스위칭 전압이 AC-측 커패시터 (330,430)를 통과할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
교류 전압원 (340,440)의 전압이 직류 전압원 (310,410)에 영향을 미치는 것을 실질적으로 방지하기 위하여 DC-측 저항 (320, 420)이 채용된다. 또한, DC-측 저항 (320, 420)이 존재하면 교류 전압원 (340,440) 관점에서 직류 전압원 (310,410/480) 임피던스가 증가하여, 강유전체 커패시터 (350,450) 이상으로 회로에 부하를 주지 않는다.
각각의 직류 전압원 (310, 410/480)을 이용하여 강유전체 커패시터 (350,450)에 스위칭 전압을 인가하면서, 한편으로 교류 전압원 (340,440)에 의해 더욱 작고 주파수 "f"인 AC 신호를 인가함으로써 메모리를 판독한다.
그러나, 제로 바이어스에서의 커패시턴스 차이는 작은 전류 차이로 측정될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 실시태양들에서, 이러한 차이는 비-파괴적 독출 방법으로 측정될 수 있다. 더욱 큰 신호 차이를 실현하기 위하여, 바이어스가 스위칭 되고 더욱 큰 바이어스에서 더욱 큰 커패시턴스가 관찰된다. 스위칭 과정에서 AC 전류의 과도 변화가 관찰되고 과도 변화 크기는 강유전체 커패시터 (350,450)에 대한 초기 분극 상태에 따라 달라진다.
강유전체 커패시터 (350,450) 상태가 "스위칭"될 때 강유전체 커패시터 (350,450)의 커패시턴스는 상기 방식으로 변한다. 주파수 "f"에서 강유전체 커패시터 (350,450)의 임피던스 "I"는 ("f"의 함수 또는 I(f)로서) 식 1로 나타낸다:
I(f) = 1/2πfC 식 1
식 중 C는 메모리의 분극 상태에 따른다.
교류 전압원 (340,440)에 의해 제공되는 전류는 본 임피던스 I에 따라 더욱 큰 값의 C에 대하여 더욱 큰 전류가 흐른다. 그 결과, 메모리 상태는 강유전체 커패시터 (350,450)의 커패시턴스를 표시하는 따라서, 강유전체 커패시터 (350,450)의 분극 상태를 표시하는 전류를 측정하여 결정된다.
다중 메모리 셀은 선택적으로 온 또는 오프 될 수 있는 전달 게이트 또는 패스 트랜지스터를 통해 메모리 셀 일측과 연결된 지점에 독립적으로 기록되거나 이로부터 판독된다.
도 3 및 4에 각각 도시된 예시적 실시태양의 회로 (300,400)는, 본 발명에 의한 강유전체 메모리 셀에 대한 기록 및 판독 작업을 달성하기 위한 간단한 회로 예시라는 것을 이해하여야 한다. 균등한 기능을 달성하기 위한 특정 회로 설계에서 다양한 변형이 가능하고 이는 당업자에서 명백하게 이해될 것이다.
추가적인 소자 및/또는 소프트웨어 기반의 신호처리가 적용되어 AC 신호를 참조하여 2종의 메모리 상태들을 구별할 수 있다. AC 신호는 근거리 무선 유도결합으로 인가될 수 있으므로 본 개시된 시스템 및 방법은 무선 독출 에 적합하고 따라서 AC 신호원 및 전류 측정장치는 강유전체 메모리와 원격 될 수 있다. 회로와의 교류 전압원의 정전결합 역시 가능하다.
본 발명을 구현하는 강유전체 메모리 셀 판독 시스템 설계에서 절충점이 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 소정의 강유전체 커패시터에 대하여, 최소한 더 작은 스위칭 커패시턴스와 동일하거나 더 큰 크기의 AC-측 (결합) 커패시터. 이러한 방식으로, 교류 전압원에 의해 보이는 임의의 임피던스는 AC-측 (결합) 커패시터에 의해 영향을 받지 않을 것이다. 그러나 AC-측 (결합) 커패시터가 클수록, 직류 전압원으로부터 더 많은 신호가 교류 전압원으로 통과할 것이라는 것을 당업자가 이해하면 이러한 바람직한 선택은 제한된다. 유사하게, AC 신호의 주파수 "f"에서의 AC-측 (결합) 커패시터의 AC 임피던스보다 DC-측 (결합) 저항이 최소한 10배 (one order of magnitude), 또는 바람직하게는 100 배 이상인 것이 바람직할 수 있다. 이러한 방식으로, AC 신호는 대부분 DC-측 (결합) 저항에 의해 차단될 것이다. 특히, DC-측 (결합) 저항은 바람직하게는 강유전체 커패시터의 최소 커패시턴스의 임피던스보다 크다. 마지막으로, AC 신호의 주파수 "f"는 바람직하게는 강유전체 스위칭 커패시턴스가 상당한 임피던스를 제공하도록 충분히 높아야 하지만, 기생용량 및 인덕턴스가 무리하게 신호-대-잡음비를 감소시키도록 너무 높아서는 아니된다. 이러한 모든 변수는 강유전체 커패시터의 커패시턴스에 따라 달라지므로 적당한 강유전체 커패시터의 선택 또는 제조를 통하여 이러한 모든 변수가 최적화될 수 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 성능 최적화를 위하여, 강유전체 커패시터에 대한 "0" 및 "1" 상태 사이의 커패시턴스 비율이 가능한 클수록 바람직하다. 판독 회로에서 임의의 개별 또는 누적 기생용량보다 이러한 커패시턴스가 더 크도록 강유전체 커패시터 셀이 더욱 커야 한다.
또한 램프를 이용하여 직류 전압원(들)의 스위칭 전압을 전환하는 것이 바람직하다. 스위칭 전압이 너무 빨리 전환되면, 과도신호가 교류 측 (결합) 커패시터를 더 많이 통과할 수 있다. 반대로, 스위칭 전압이 너무 서서히 전환되면, 강유전체 커패시터는 임피던스 대조 (contrast)가 기록되기 전에 리셋 될 수 있다.
예시적 시뮬레이션에서, 예를들면, 약 27.5 pF 및 5 pF의 "0" 및 "1" 커패시턴스, 직류 측 (결합) 저항이 1 메가옴 (MΩ), 8pF의 교류 측 (결합) 커패시터의 커패시턴스, 및 피크-투-피크1 V의10 MHz AC 신호가 사용될 때 강유전체 커패시터는 ±20 V에서 전환되었다. 다른 예시적 시뮬레이션에서, 다른 값을 사용하였다.
본 발명을 구현하기 위한 임의의 회로의 신호-대-잡음비는 여러 공지 기술들, 예컨대 차동 측정, 옵셋저감 및 다중 중첩 주파수 신호를 이용하여 개선될 수 있다. 예를들면, 강유전체 커패시터 대신 강유전체 커패시터의 "0" 또는 "1" 상태 값과 동일한 값을 가지는 고정 커패시터로 동일 회로가 구성될 수 있다. 이러한 회로에서 측정된 전류는 강유전체 셀을 가지는 회로를 통한 전류와 비교하기 위하여 기준치로 적용될 수 있다.
도 5는 본 발명에 의한 강유전체 메모리 정보 무선 판독을 포함한 예시적 판독 시스템 (500) 블록도이다.
예시적 시스템 (500)은 사용자가 예시적 시스템 (500)와 통신할 수 있는 작동인터페이스 (510)를 포함한다. 작동 인터페이스 (510)는 사용자가 정보를 예시적 시스템 (500)에 입력할 수 있는 계산장치에 통상적인 하나 이상의 종래 장치로 구성된다. 작동 인터페이스 (510)는, 예를들면, 종래 키보드 및/또는 마우스/터치패드 좌표지향 시스템, "소프트" 버튼 또는 호환성 스타일러스 사용을 위한 다양한 부품이 있는 터치스크린, 사용자가 구두 명령을 제공하고 음성인식프로그램에 의해 "번역"되어 예시적 시스템 (500)에 제공되는 마이크로폰, 또는 기타 사용자가 특정 동작명령을 예시적 시스템 (500)과 통신할 수 있는 장치를 포함한다.
예시적 시스템 (500)은 하나 이상의 로컬 처리기 (520)를 포함하고, 이는 예시적 시스템 (500)을 개별적으로 동작시키고 도 3 및 4에 도시된 상기 간단한 회로, 및 이들의 변형과 같은 메모리 판독/기록 회로 (580)와 통신하여 판독 강유전체 메모리에 대한 동작 기능을 수행한다. 처리기(들) (520)은 예시적 시스템 (500)의 특정 기능 수행 명령을 해석 및 실행하는 최소한 하나의 종래 처리기 또는 마이크로프로세서를 포함한다. 처리기(들) (520)은 메모리 판독/기록 회로 (580)로부터 복원된 데이터 및/또는 신호와 통신을 개시, 제어 및 해석한다.
예시적 시스템 (500)은 하나 이상의 데이터 저장장치 (530)를 포함한다. 이러한 데이터 저장장치 (들) (530)은 예시적 시스템 (500), 및 특히 예시적 시스템 (500) 기능 제어 및/또는 데이터/신호 해석을 수행하는 처리기(들) (520)에 의해 사용되는 데이터 또는 운영프로그램을 저장한다. 데이터 저장장치 (들) (530)은 메모리 판독/기록 회로 (580)와 연결된 강유전체 메모리에서 복원된 데이터를 일시적으로 보관한다. 데이터 저장장치(들) (530)은 랜덤 액세스 메모리 (RAM) 또는 갱신 정보를 저장하고, 예를들면, 처리기(들) (520)에 의한 시스템 작동 실행 명령을 개별적으로 저장할 수 있는 기타 유형의 동적 저장장치를 포함한다. 또한 데이터 저장장치(들) (530)은 읽기-전용 메모리 (ROM)를 포함하며, 이는 종래 ROM 장치 또는 정적 정보 및 처리기(들) (520)을 위한 명령을 저장하는 기타 유형의 정적 저장장치가 포함된다. 또한, 데이터 저장장치(들) (530)은 예시적 시스템 (500)에 통합되거나, 외부에 제공되고, 예시적 시스템 (500)과 유무선 통신할 수 있다.
예시적 시스템 (500)은 최소한 하나의 데이터 출력장치 (540)를 포함하고, 이는 사용자에게 정보를 출력하는 하나 이상의 종래 장치로 구성되고 디지털 디스플레이 스크린을 포함하거나, 또는 작동 인터페이스 (510)와 조합하여 그래픽 사용자 인터페이스 또는 GUI 방식으로 나타난다. 데이터 출력장치 (540)는, 예를들면 강유전체 메모리에서 복원되고 예시적 시스템 (500) 사용자에게 사용 가능한 형태의 데이터를 출력한다.
예시적 시스템 (500)은, 메모리 기록/판독 회로 (580)와 무선을 포함하여 예시적 시스템 (500)이 통신할 수 있는 하나 이상의 외부 통신 인터페이스 (560)를 통하여 메모리 기록/판독 회로 (580)와 통신할 때 AC 신호 발생 및 AC 신호 해석을 위한 신호 처리장치 (550)를 포함한다. 신호 처리장치 (550)는 처리기(들) (520) 및/또는 데이터 저장장치(들) (530)와 조합으로, 또는 단독 장치로 작동하여, 하나 이상의 외부 통신 인터페이스 (560)에서 신호 데이터를 수신하여, 본 데이터를 예를들면, 데이터 출력장치 (540)의 디스플레이 스크린에 표시되도록 예시적 시스템 (500)에 의해 효과적으로 처리될 수 있는 형태 전환시킨다.
최소한 하나의 외부 통신 인터페이스 (560)는 데이터/신호 통신 포트로서 구성되며 이를 통하여 예시적 시스템 (500)은 강유전체 메모리를 나타내는 다수의 메모리 기록/판독 회로 (580)와 무선 통신한다. 무선 통신은 제한적이지는 않지만, 유도 및/또는 정전결합을 포함한 공지 수단에 따라 수행된다. 무선 통신에서 다수의 메모리 기록/판독 회로 (580)와의 임의의 적합한 데이터 연결은 외부 데이터 인터페이스 (560)에 의해 포괄되는 것으로 고려된다.
도 5에 도시된 예시적 시스템 (500)의 모든 다양한 부품은 하나 이상의 데이터/제어 버스 (570)에 의해 연결된다. 이들 부품 모두가 통합적으로 수용되거나 예시적 시스템 (500) 외부에 통신으로 연결되거나 이들 데이터/제어 버스 (570)는 예시적 시스템 (500)의 다양한 부품들 간 유선 또는 무선 통신을 제공한다.
도 5에는 일체적 유닛으로 도시되지만, 예시적 시스템 (500)의 다양한 요소들은 개별 부품의 부-시스템 또는 부품들의 조합, 통합된 단일 유닛, 또는 예시적 시스템 (500) 외부에서 다른 부품 또는 부시스템과 유선 또는 무선 통신이 가능한 임의의 조합으로 구성될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 즉, 일체 유닛 또는 지원 유닛과 같은 어떠한 특정 구성을 도 5가 의미하는 것은 아니다. 또한, 예시적 시스템 (500)에 대하여 본 발명에서 제공하는 상세한 사항에 대한 이해를 돕기 위하여 개별 유닛이 도시되었지만, 개별적으로-도시된 임의의 부품에 대한 기능은, 예를들면, 하나 이상의 데이터 저장장치 (530)에 연결되고 통신되는 하나 이상의 처리기 (520)에 의해 수행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
개시된 실시태양은 강유전체 메모리 정보를 무선 판독하는 방법을 포함한다. 도 6은 본 발명에 의한 강유전체 메모리 정보를 무선 판독하는 예시적 방법에 대한 흐름도이다. 예시적 방법은 AC 신호를 이용하여 강유전체 커패시터 상태 값의 정보를 강유전체 커패시터의 커패시턴스로서 측정하는 것이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본 방법의 동작은 단계 S6000에서 시작되어 단계 S6100으로 진행된다.
단계 S6100에서, 강유전체 커패시터 기록 또는 판독을 위한 포텐셜이 최소한 하나의 직류 전압원을 이용하여 강유전체 커패시터에 인가된다. 본 방법의 동작은 단계 S6200로 진행된다.
단계 S6200에서, 강유전체 커패시터에 포텐셜이 인가되는 동시에, 교류 전압원을 이용하여 교류 전압 신호가 인가된다. 실시태양들에서, 본 교류 전압 신호는 유도 및/또는 정전결합을 포함한 공지 수단에 의해 강유전체 커패시터로 무선 통신될 수 있다. 본 방법의 동작은 단계 S6300으로 진행된다.
단계 S6300에서, 교류 전압원에서 흐르는 전류는 임의의 다수의 종래 방법, 예를들면, 값이 알려진 교류 측 저항 양단 테스트 포인트들에서 전압을 측정하여 측정된다. 본 방법의 동작은 단계 S6400으로 진행된다.
단계 S6400에서, 주파수 "f"에서 강유전체 커패시터의 임피던스 "I" ("f"의 함수 또는 I(f))는 상기 식 1에 따라 계산되어 강유전체 커패시터 상태 정보로서 강유전체 커패시터의 임피던스 I를 유도한다. 교류 전압원에서 제공되는 전류는 본 임피던스 I에 의존되므로 더욱 큰 C 값에 대하여 더 높은 전류가 흐른다. 그 결과, 상기된 바와 같이 메모리 상태는 도 3 및 4에 도시된 예시적 회로 (300,400)와 같은 간단한 회로 및 이의 변형으로 전류를 측정하여 결정된다. 본 방법의 동작은 단계 S6500으로 진행된다.
단계 S6500에서, 간단한 회로에 의해 결정된 값은 사용자에서 유용한 형태로 출력된다. 본 방법의 동작은 단계 S6600로 진행되고, 여기에서 본 방법의 동작은 종료된다.
개시된 실시태양은 처리기에 의해 실행될 때, 처리기가 모든, 또는 최소한 일부의 상기 방법의 단계를 실행하도록 하는 명령을 저장하는 비-일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체를 포함한다.
상기 예시적 시스템 및 방법은 소정의 종래 부품을 참조하여 본 발명이 구현되는 적절한 동작, 계산 및 통신에 대한 간결하고 포괄적인 설명을 익숙하고 이해하기 용이하도록 제공한다. 필수적이지 않지만, 본 발명의 실시태양은, 최소한 부분적으로, 하드웨어 회로, 펌웨어, 또는 소프트웨어-실행 가능한 명령 형태로 제공되어 전기된 특정 기능을 수행할 수 있다. 이들은 처리기에 의해 실행될 수 있는 개별 프로그램 모듈을 포함한다. 일반적으로, 프로그램 모듈은 본 발명에 의한 시스템 및 방법의 모든 목적을 지원하기 위하여 특정 작업 수행 또는 특정 데이터 타입을 구현하는 루틴 프로그램, 객체, 콤포넌트, 데이터 구조체, 및 기타 등을 포함한다.
상기된 바와 같이, 본 발명 범위 내의 실시태양은 또한 하나 이상의 처리기에 의해 판독, 기록 및 실행될 수 있는 컴퓨터 실행 가능한 명령 또는 데이터 구조체를 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 매체를 포함한다. 이러한 컴퓨터 판독 가능한 매체는 범용 또는 전용 컴퓨터의 처리기에 의해 접근될 수 있는 임의의 입수 가능한 매체일 수 있다. 예시로써, 제한적이지 않지만, 이러한 컴퓨터 판독 가능한 매체는 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM, 플래시 드라이브, 데이터 메모리 카드 또는 기타 접근 가능한 컴퓨터 실행 가능 명령 또는 데이터 구조체 형태의 원하는 프로그램 요소 또는 단계를 운반 또는 저장하는 아날로그 또는 디지털 데이터 저장장치를 포함한다. 정보가 무선 또는 유선 또는 둘의 일부 조합 형태의 네트워크 또는 다른 통신 연결로 전송 또는 제공되면, 수신 처리기는 연결부를 컴퓨터 판독 가능한 매체로서 인식한다. 따라서, 임의의 이러한 연결부는 적당하게는 컴퓨터 판독 가능한 매체로 언급될 수 있다. 또한 상기 연결은 본 발명의 목적에 있어서 컴퓨터 판독 가능한 매체의 범위에 속하여야 한다.
컴퓨터 실행 가능한 명령은, 예를들면, 비-일시적 명령 및 데이터를 포함하며, 이들은 각각 수행되고 접근되어 처리기에 의해 소정의 상기 특정 기능을 개별적 또는 다양한 조합으로 수행된다. 또한 컴퓨터 실행 가능한 명령은 처리기에 의해 접근 및 실행되도록 원격에 저장된 프로그램 모듈을 포함한다.
실행 가능한 명령 또는 연관 데이터 구조체의 예시적 순서는 단계들에서 기재된 기능을 구현하기 위한 동작에 해당하는 순서의 하나의 예시이다. 예시적 단계들은 개시된 실시태양의 목적을 달성하기 위한 임의의 합리적 순서로 실행될 수 있다. 임의의 기타 방법 단계를 실행하기에 예비적으로 특정 방법 단계가 필요한 것을 제외하고는 본 방법의 개시된 단계의 어떠한 특정 순서가 도 6에 의해 의도되는 것이 아니다.
Claims (10)
- 강유전체 메모리 내 단일 데이터 비트를 나타내는 이진 분극 상태를 저장하는 강유전체 커패시터;
강유전체 커패시터 제1 전극에 연결되는 제1 전극을 가지는 추가 커패시터; 및
강유전체 커패시터 제1 전극에 연결되는 저항;으로 구성되고,
강유전체 커패시터 분극 상태에 대한 정보 (indication)로서 강유전체 커패시터의 커패시턴스가 측정되는, 강유전체 메모리 셀 판독회로. - 제1항에 있어서, 강유전체 커패시터에 교류 전압 신호를 인가하는, 추가 커패시터를 통하여 강유전체 커패시터에 연결되는 교류 전압원을 더욱 포함하고,
교류 전압 신호에서의 변화를 참조하여 강유전체 커패시터의 커패시턴스가 측정되는, 강유전체 메모리 셀 판독회로. - 제1항에 있어서, 강유전체 커패시터의 분극 상태를 변경시키기 위하여 강유전체 커패시터에 직류 전압 신호를 인가하는, 저항을 통하여 강유전체 커패시터에 연결되는 제1 직류 전압원을 더욱 포함하는, 강유전체 메모리 셀 판독회로.
- 제3항에 있어서, 강유전체 커패시터의 분극 상태를 변경시키기 위하여 강유전체 커패시터에 직류 전압 신호를 인가하는, 강유전체 커패시터의 제2 전극에 연결되는 제2 직류 전압원을 더욱 포함하는, 강유전체 메모리 셀 판독회로.
- 제1항에 있어서, 강유전체 커패시터, 추가 커패시터 및 저항은 인쇄배선회로 부품인, 강유전체 메모리 셀 판독회로.
- 강유전체 메모리 판독 방법에 있어서,
강유전체 커패시터에 교류 전압 신호를 인가하는 단계;
강유전체 커패시터의 양의 분극 상태 및 음의 분극 상태 중 최소한 하나에 대한 교류 전압 신호 변화를 참조하여, 처리기로, 강유전체 커패시터의 커패시턴스를 측정하는 단계; 및
강유전체 메모리 내 단일 데이터 비트를 나타내는 강유전체 커패시터의 분극 상태에 대한 정보로서 측정 결과를 사용자에게 출력하는 단계로 구성되는, 강유전체 메모리 판독 방법. - 제6항에 있어서, 강유전체 커패시터의 분극 상태를 변경시키기 위하여 강유전체 커패시터에 직류 전압 신호를 인가하는 단계를 더욱 포함하고,
강유전체 커패시터의 분극 상태가 직류 전압 신호에 의해 변경될 때 처리기로 강유전체 커패시터의 커패시턴스가 측정되는, 강유전체 메모리 판독 방법. - 제6항에 있어서, 강유전체 메모리는 인쇄전자회로 부품을 포함하는, 강유전체 메모리 판독 방법.
- 제6항에 있어서, 강유전체 메모리는 하나 이상의 유연성 기판에 배치되는, 강유전체 메모리 판독 방법.
- 제6항에 있어서, 교류 신호 인가 단계 및 커패시턴스 측정 단계는 무선으로 수행되는, 강유전체 메모리 판독 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/626,840 US8837195B2 (en) | 2012-09-25 | 2012-09-25 | Systems and methods for reading ferroelectric memories |
| US13/626,840 | 2012-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140040009A true KR20140040009A (ko) | 2014-04-02 |
| KR101986492B1 KR101986492B1 (ko) | 2019-06-10 |
Family
ID=49263157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130110988A Active KR101986492B1 (ko) | 2012-09-25 | 2013-09-16 | 강유전체 메모리 판독 시스템 및 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8837195B2 (ko) |
| EP (1) | EP2711932B1 (ko) |
| JP (1) | JP6313000B2 (ko) |
| KR (1) | KR101986492B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11943933B2 (en) | 2020-06-29 | 2024-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Ferroelectric memory device using back-end-of-line (BEOL) thin film access transistors and methods for forming the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9899073B2 (en) * | 2016-06-27 | 2018-02-20 | Micron Technology, Inc. | Multi-level storage in ferroelectric memory |
| US10153022B1 (en) * | 2017-06-09 | 2018-12-11 | Micron Technology, Inc | Time-based access of a memory cell |
| US10153021B1 (en) | 2017-06-09 | 2018-12-11 | Micron Technology, Inc. | Time-based access of a memory cell |
| US10460787B1 (en) | 2018-05-16 | 2019-10-29 | Palo Alto Research Center Incorporated | Selection circuit usable with ferroelectric memory |
| US11079405B1 (en) * | 2020-05-05 | 2021-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for detecting ferroelectric signal |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309390A (en) * | 1990-12-19 | 1994-05-03 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Ferroelectric space charge capacitor memory |
| US6466039B1 (en) * | 1999-06-24 | 2002-10-15 | Sony Corporation | Ferroelectric film property measuring device, measuring method therefor and measuring method for semiconductor memory units |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3094686A (en) * | 1961-10-02 | 1963-06-18 | Gen Electric | Gating circuits utilizing ferroelectric capacitors |
| JP2777163B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1998-07-16 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ |
| US5140548A (en) * | 1990-12-19 | 1992-08-18 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Ferroelectric space charge capacitor memory |
| JPH05129622A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ装置 |
| JPH06275062A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ装置 |
| JPH06282982A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリの駆動方法とその装置 |
| US5818238A (en) * | 1996-03-15 | 1998-10-06 | Symetrix Corporation | Apparatus for measuring current and other parameters of an electornic device in response to an applied voltage |
| JP3919312B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2007-05-23 | ローム株式会社 | 強誘電体記憶装置 |
| US6114861A (en) * | 1997-03-14 | 2000-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus for and method of evaluating the polarization characteristic of a ferroelectric capacitor |
| JP3966593B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2007-08-29 | ローム株式会社 | 強誘電体回路シミュレーション装置 |
| US6238933B1 (en) * | 1999-05-06 | 2001-05-29 | Ramtron International Corporation | Polarization method for minimizing the effects of hydrogen damage on ferroelectric thin film capacitors |
| US6294393B1 (en) * | 2000-08-23 | 2001-09-25 | Nec Research Institute, Inc. | Reduction of imprint in ferroelectric devices using a depoling technique |
| NO316580B1 (no) * | 2000-11-27 | 2004-02-23 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmåte til ikke-destruktiv utlesing og apparat til bruk ved fremgangsmåten |
| JP2008244203A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Gunma Prefecture | 情報記録素子、情報記録再生方法及び情報記録装置 |
| US7990749B2 (en) * | 2009-06-08 | 2011-08-02 | Radiant Technology, Inc. | Variable impedance circuit controlled by a ferroelectric capacitor |
-
2012
- 2012-09-25 US US13/626,840 patent/US8837195B2/en active Active
-
2013
- 2013-09-12 JP JP2013189272A patent/JP6313000B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-16 KR KR1020130110988A patent/KR101986492B1/ko active Active
- 2013-09-25 EP EP13185950.6A patent/EP2711932B1/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309390A (en) * | 1990-12-19 | 1994-05-03 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Ferroelectric space charge capacitor memory |
| US6466039B1 (en) * | 1999-06-24 | 2002-10-15 | Sony Corporation | Ferroelectric film property measuring device, measuring method therefor and measuring method for semiconductor memory units |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| H. Nakamoto et al.,‘A passive UHF RF identification CMOS tag IC using ferroelectric RAM in 0.35-um technology’, IEEE JSSC, Vol.42, No.1, Jan. 2007. 1부.* * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11943933B2 (en) | 2020-06-29 | 2024-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Ferroelectric memory device using back-end-of-line (BEOL) thin film access transistors and methods for forming the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014067477A (ja) | 2014-04-17 |
| US20140085962A1 (en) | 2014-03-27 |
| KR101986492B1 (ko) | 2019-06-10 |
| US8837195B2 (en) | 2014-09-16 |
| JP6313000B2 (ja) | 2018-04-18 |
| EP2711932B1 (en) | 2015-08-12 |
| EP2711932A1 (en) | 2014-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6419419B2 (ja) | 強誘電体メモリの書き込みおよび非破壊的な読み込みを行うシステムおよび方法 | |
| KR101986492B1 (ko) | 강유전체 메모리 판독 시스템 및 방법 | |
| US10345980B2 (en) | Capacitive detection device, method and pressure detection system | |
| TWI603326B (zh) | 虛擬接地感測電路及相關裝置、系統及方法 | |
| TWI421746B (zh) | 觸控面板 | |
| CN109844862A (zh) | 存储器装置的温度更新 | |
| CN109390009A (zh) | 存储器阵列中的单元底部节点复位 | |
| CN109313921A (zh) | 存储器单元的印痕避免 | |
| CN109074840A (zh) | 铁电存储器单元感测 | |
| CN104008771A (zh) | 具有去耦的读/写路径的存储元件 | |
| US9047967B2 (en) | Data-masked analog and digital read for resistive memories | |
| US9665215B2 (en) | Method and circuit for parasitic capacitance cancellation for self capacitance sensing | |
| US6611448B2 (en) | Ferroelectric memory and method for reading the same | |
| US10475498B2 (en) | Self-boost, source following, and sample-and-hold for accessing memory cells | |
| CN108701479A (zh) | 基于单元的参考电压生成 | |
| CN109215706A (zh) | 用于存储器单元的自参考感测 | |
| US10229726B2 (en) | Memory circuit for reading ferroeletric memory having gain element including feedback capacitor | |
| CN110021316A (zh) | 脉冲积分器和存储器技术 | |
| KR20110060851A (ko) | 다차원 메모리 상태에 의해 특성화되는 저장된 다중비트 데이터 | |
| Chatterjee et al. | Temperature-and variability-aware compact modeling of ferroelectric FDSOI FET for memory and emerging applications | |
| CN108469595B (zh) | 磁场感测装置及感测方法 | |
| Luo | A low power self-capacitive touch sensing analog front end with sparse multi-touch detection | |
| Petrosyan | SELECTION OF A READING AMPLIFIER FOR A FERROELECTRIC STORAGE DEVICE AND CHARACTERISTICS MODELING | |
| Chang et al. | Printed Flexible FE Memory Array Testing System | |
| KR20230067612A (ko) | 등가 회로 모델, 프로그램, 기록 매체, 및 시뮬레이션 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130916 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20180827 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20130916 Comment text: Patent Application |
|
| PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20180827 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination Patent event date: 20130916 Patent event code: PA03021R01I Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20180913 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20190227 |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20190531 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20190603 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220422 Start annual number: 4 End annual number: 4 |