KR20140036790A - 잡음 필터를 사용한 ｍｅｍｓ 마이크로폰 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 MEMS 마이크로폰은 기준 전압 및 기준 전류를 생성하는 기준 전압/전류 생성부; 기준 전압을 수신하고, 수신된 기준 전압의 직류 잡음을 제거하는 제 1 잡음 필터; 직류 잡음이 제거된 기준 전압을 수신하여 센서 바이어스 전압을 생성하는 전압 부스터; 센서 바이어스 전압을 수신하여, 음압의 변화를 기반으로 출력 값을 생성하는 마이크로폰 센서; 기준 전류를 수신하여 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 회로; 및 바이어스 전압 및 마이크로폰의 출력 값을 수신하고, 출력 값을 증폭하여 출력하는 신호 증폭부를 포함하고, 제 1 잡음 필터는 임피던스 회로; 임피던스 회로와 병렬로 연결된 캐패시터 회로; 및 임피던스 회로의 양단을 연결하는 스위치를 포함한다.

Description

잡음 필터를 사용한 ＭＥＭＳ 마이크로폰{MEMS MICROPHONE USING NOISE FILTER}
본 발명은 MEMS 마이크로폰에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 잡음 필터가 적용된 MEMS 마이크로폰에 관한 것이다.
MEMS 마이크로폰은 마이크로폰센서 및 MEMS 마이크로폰 ASIC(Application Specific Integrated Circuits)을 포함한다. ASIC에 포함된 전압부스터는 직류 기준전압을 공급받고, 전하펌프를 사용하여 직류 기준전압을 펌핑하여 센서바이어스 전압을 생성한다. 전하펌프는 일반적으로 스위치드 커패시터 구조를 갖는다. 따라서, 직류 기준전압에 포함된 잡음은 센서바이어스 전압에도 포함된다. 이로 인하여, 직류 기준전압에 포함된 잡음은 마이크로폰 센서에 직접적으로 영향을 준다.
ASIC에 포함된 바이어스 회로는 기준 전류를 공급 받아 증폭기의 바이어스 전압을 생성한다. 차동 구조의 증폭기의 경우, 바이어스 잡음을 제거할 수 있다. 그러나, MEMS 마이크로폰 ASIC의 증폭기는 소스 팔로워 및 입력 단자의 임피던스 부정합으로 인하여 잡음을 제거하지 못한다. 따라서, 기준 전류에 포함된 잡음 또한 MEMS 마이크로폰의 출력에 영향을 준다.
기준 전압/전류 생성기의 잡음은 트랜지스터의 플리커잡음 및 열잡음을 포함한다. 일반적으로 플리커 잡음은 큰 트랜지스터를 사용하여 감소될 수 있고, 열잡음은 트랜스컨덕턴스(transconductance)를 증가시킴으로서 감소시킬 수 있다. 그러나, 상술된 방법들에 따른 회로는 크기가 커지기 때문에, 소형화가 요구되는 MEMS 마이크로폰에 적용되지 못한다. 따라서, 직류 기준전압 및 기준전류의 잡음을 감소시키는 소형화된 회로가 요구된다.
본 발명의 목적은 향상된 잡음 특성을 갖는 MEMS 마이크로폰을 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 MEMS 마이크로폰은 직류 기준전압 및 기준전류를 생성하는 기준 전압/전류 생성부; 상기 직류 직류 기준전압을 수신하고, 상기 수신된 직류 직류 기준전압의 잡음을 제거하는 제 1 잡음 필터; 상기 잡음이 제거된 직류 직류 기준전압을 수신하여 센서 바이어스 전압을 생성하는 전압 부스터; 상기 센서 바이어스 전압을 수신하여, 음압의 변화를 기반으로 출력 값을 생성하는 마이크로폰 센서; 상기 기준 전류를 수신하여 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 회로; 및 상기 바이어스 전압 및 상기 마이크로폰의 상기 출력 값을 수신하고, 상기 출력 값을 증폭하여 출력하는 신호 증폭부를 포함하고, 상기 제 1 잡음 필터는 임피던스 회로; 상기 임피던스 회로와 병렬로 연결된 캐패시터 회로; 및 상기 임피던스 회로의 양단을 연결하는 스위치를 포함한다.
실시 예로서, 상기 임피던스 회로는 제 1 및 제 2 다이오드들을 포함하고, 상기 제 1 다이오드의 캐소드 및 상기 제 2 다이오드의 애노드는 상기 임피던스 회로의 입력단과 연결되고, 상기 제 1 다이오드의 애노드 및 상기 제 2 다이오드의 캐소드는 상기 임피던스 회로의 출력단과 연결된다.
실시 예로서, 상기 임피던스 회로는 제 1 및 제 2 MOS 트랜지스터들을 포함하고, 상기 제 1 MOS 트랜지스터의 소오스, 상기 제 2 MOS 트랜지스터의 드레인 및 게이트는 상기 임피던스 회로의 입력단과 연결되고, 상기 제 2 MOS 트랜지스터의 소오스, 상기 제 1 MOS 트랜지스터의 드레인 및 게이트는 상기 임피던스 회로의 출력단과 연결된다.
실시 예로서, 상기 제 1 및 제 2 MOS 트랜지스터들은 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터 중 어느 한 종류이다.
실시 예로서, 상기 임피던스 회로는 제 1 및 제 2 이중접합 트랜지스터들을 포함하고, 상기 제 1 이중접합 트랜지스터의 에미터, 상기 제 2 이중접합 트랜지스터의 콜렉터 및 베이스는 상기 임피던스 회로의 입력단과 연결되고, 상기 제 2 이중접합 트랜지스터의 에미터, 상기 제 1 이중접합 트랜지스터의 콜렉터 및 베이스는 상기 임피던스 회로의 출력단과 연결된다.
실시 예로서, 상기 제 1 및 제 2 이중접합 트랜지스터들은, npn형 이중접합 트랜지스터 및 pnp형 이중접합 트랜지스터 중 어느 한 종류이다.
실시 예로서, 상기 캐패시터 회로는 하나 또는 그 이상의 트랜지스터를 포함한다.
실시 예로서, 상기 캐패시터 회로는, MIM 캐패시터, MOM 캐패시터, 및 폴리 캐패시터 중 어느 하나 또는 그이상의 캐패시터를 포함한다.
실시 예로서, 초기 동작시, 상기 스위치가 단락되어 상기 캐패시터 회로를 충전한다.
실시 예로서, 상기 바이어스 전압을 수신하고, 상기 수신된 바이어스 전압의 직류 잡음을 제거하여 상기 신호 증폭부로 전송하는 제 2 잡음 필터를 더 포함한다.
실시 예로서, 상기 제 2 잡음 필터는 상기 제 1 잡음 필터와 동일한 구성을 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 MEMS 마이크로폰을 보여주는 블록도이다.
도 2는 도 1의 잡음 필터를 상세하게 보여주는 도면이다.
도 3a 내지 도 3e는 도 2의 임피던스 회로를 상세하게 보여주는 회로도들이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 잡음 감소 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 MEMS 마이크로폰의 신호 증폭부를 상세하게 보여주는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 MEMS 마이크로폰의 센서 바이어스 전압 생성부를 상세하게 보여주는 회로도이다.
이하에서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 MEMS 마이크로폰(100)을 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, MEMS 마이크로폰(100)은 마이크로폰 센서(110), 기준 전압/전류 생성기(120), 전압 부스터(130), 신호 증폭부(140), 및 잡음 필터(160)를 포함한다. 예시적으로, 마이크로폰 센서(110), 기준 전압/전류 생성기(120), 전압 부스터(130), 신호 증폭부(140), 및 잡음 필터(160)는 하나의 칩에 내장되어 ASIC(Application Specific Integrated Circuits)으로 구성될 수 있다.
마이크로폰 센서(110)는 음파 또는 초음파를 수신하여 수신된 음파 또는 초음파의 진동을 기반으로 전기신호를 발생하는 센서이다. 마이크로폰 센서(110)는 콘덴서형으로서 직류 바이어스 방식으로 동작한다. 마이크로폰 센서(110)는 전극층을 포함한다. 전극층은 음압에 따라 간격이 변화한다. 전극층은 변화된 전극층의 간격에 따라 커패시턴스 값이 변화하는 가변 커패시터의 특성을 갖는다. 예를 들어, 마이크로폰 센서(110)에 센서 바이어스 전압(Vc)이 인가된 상태에서 음압이 변화될 경우, 마이크로폰 센서(110)의 커패시턴스 값이 변화하게 된다. 이로 인해, 마이크로폰 센서(110)의 출력 값(Vc_out)이 변화하게 된다. 변화된 출력 신호(Vc_out)는 신호 증폭부(140)로 전송된다.
기준 전압/전류 생성기(120)는 MEMS 마이크로폰(100)에 필요한 직류 기준전압(Vref) 및 기준 전류(Iref)를 생성한다. 예시적으로, 기준 전압/전류 생성기(120)에 의해 생성된 직류 기준전압(Vref)은 잡음 필터(160)로 공급된다. 기준 전압/전류 생성기(120)에 의해 생성된 기준전류(Iref)는 바이어스 회로(141)로 공급된다.
전압 부스터(130)는 잡음 필터(150)로부터 잡음이 제거된 직류 기준전압(Vref')을 수신하여, 센서 바이어스 전압(Vc)을 생성한다.
신호 증폭부(140)는 바이어스 회로(141), 잡음 필터(160), 및 증폭기(132)를 포함한다. 바이어스 회로(131)는 기준 전압/전류 생성기(120)로부터 기준전류(Iref)를 수신하여, 증폭기(132)에 공급되는 증폭기 바이어스 전압을 생성한다.
잡음 필터(160)는 바이어스 회로(131)로부터 증폭기 바이어스 전압을 수신하여, 증폭기 바이어스 전압의 잡음을 제거할 수 있다. 잡음 필터(160)의 구성은 도 2를 참조하여 상세하게 설명된다.
증폭기(132)는 마이크로폰 센서(110)로부터 출력신호(Vc_out)를 수신하여, 수신된 출력 신호를 증폭하여 출력할 수 있다. 증폭된 신호는 MEMS 마이크로폰의 출력 신호(Vout)으로서 다른 장치들로 전송될 수 있다.
잡음 필터(150)는 기준 전압/전류 생성기(120)로부터 직류 기준전압(Vref)을 수신하여, 수신된 직류 기준전압(Vref)의 잡음을 제거할 수 있다. 잡음이 제거된 직류 기준전압(Vref)은 전압 부스터(130)로 전송된다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 잡음 필터(150)의 구성을 상세하게 보여주는 블록도이다. 예시적으로, 도 1에 도시된 잡음 필터(160) 또한 동일한 구성을 가질 수 있다. 이하에서, 간결한 설명을 위하여 잡음 필터(150)의 입력단은 제 1 노드(n1)라 하고, 임피던스 회로(151)의 출력단은 제 2 노드(n2)라 한다.
도 2를 참조하면, 잡음 필터(150)는 임피던스 회로(151), 캐패시터 회로(152), 및 스위치(153)을 포함한다. 임피던스 회로(151)는 높은 임피던스 값을 갖는 회로이다. 예를 들어, 임피던스 회로(151)는 back-to-back 다이오드, back-to-back 다이오드 연결 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), back-to-back 다이오드 연결 BJT(Bipolar Junction Transistor) 등의 회로 구성을 포함할 수 있다. 임피던스 회로(151)는 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 더욱 상세하게 설명된다.
캐패시터 회로(152)의 일단은 제 1 노드(n1)와 연결된다. 즉, 캐패시터 회로(152)는 임피던스 회로(151)와 병렬로 연결된다. 예시적으로, 캐패시터 회로(152)는 제 1 노드(n1)와 병렬로 연결된 캐패시턴스(capacitance)를 갖는 회로일 수 있다. 예시적으로, 캐패시터 회로(152)는 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 캐패시터 회로(152)는 MOS 캐패시터(MOS Capacitor)로 구현될 수 있다. 예시적으로, 캐패시터 회로(152)는 집적회로 공정에서 제공되는 캐패시터들(예를 들어, MIM 캐패시터, MOM 캐패시터, 폴리 캐패시터 등)로 구현될 수 있다.
스위치(153)는 잡음 필터(150)의 제 1 및 제 2 노드(n1, n2)의 전압이 빠른 시간 내에 동일해지도록, 제 1 및 제 2 노드들(n1, n2)을 단락시키는 동작을 수행한다. 스위치(153)는 잡음 필터(160)의 초기 동작시 딜레이를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 스위치(153)의 양단은 각각 제 1 및 제 2 노드들(n1, n2)과 연결된다. 잡음 필터(150)의 초기 동작시, 스위치(153)는 단락되어 캐패시터 회로(152)를 충전할 수 있다. 예시적으로, 임피던스 회로(151)는 스위치(153)보다 높은 임피던스 값을 갖는다.
도 3a 내지 도 3e는 도 2의 임피던스 회로(151)의 예를 보여주는 도면들이다. 예시적으로, 임피던스 회로들(151)는 도 3a 내지 도 3e에 도시된 회로들 중 어느 하나를 기반으로 구현될 수 있다.
도 3a를 참조하면, 임피던스 회로(151)는 제 1 및 제 2 다이오드들(D1, D2)을 포함한다. 제 1 다이오드(D1)의 캐소드 및 제 2 다이오드(D2)의 애노드는 제 1 노드(n1)와 연결되고, 제 1 다이오드(D1)의 애노드 및 제 2 다이오드(D2)의 캐소드는 제 2 노드(n2)와 연결된다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 임피던스 회로(151)는 제 1 및 제 2 트랜지스터들(T1, T2)을 포함한다. 제 1 및 제 2 트랜지스터들(T1, T2)은 P형 및 N형 중 어느 한 종류의 MOS 트랜지스터들(Metal Oxide Semiconductor Transistors)일 수 있다. 제 1 트랜지스터(T1)의 소스와 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 및 게이트는 제 1 노드(n1)에 연결된다. 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 및 드레인과 제 2 트랜지스터(T2)의 소스는 제 2 노드(n2)에 연결된다.
도 3d 및 도 3e를 참조하면, 임피던스 회로(151)는 제 3 및 제 4 트랜지스터들(T3, T4)을 포함할 수 있다. 제 3 및 제 4 트랜지스터들(T3, T4)은 npn형 및 pnp형 중 어느 한 종류의 접합형 트랜지스터들(BJT; Bipolar Junction Transistro)일 수 있다. 제 3 트랜지스터(T3)의 에미터와 제 4 트랜지스터(T4)의 콜렉터 및 베이스는 제 1 노드(n1)에 연결된다. 제 3 트랜지스터(T3)의 콜렉터 및 베이스와 제 4 트랜지스터(T4)의 에미터는 제 2 노드(n2)와 연결된다.
도 3a 내지 도 3e를 참조하여 설명된 회로도들을 기반으로 형성된 임피던스 회로(151)는 높은 임피던스 값을 가질 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 MEMS 마이크로폰(100)의 잡음 제거 효과를 설명하기 위한 그래프이다. 예시적으로, 도 4a 및 도 4b의 X축은 주파수를 가리키고, Y축은 음향 레벨을 가리킨다. 도 4a는 직류잡음 필터들(150, 160)이 적용되지 않은 MEMS 마이크로폰에 대한 음향 레벨을 보여주는 그래프이고, 도 4b는 본 발명에 따른 잡음 필터들(150, 160)이 적용된 MEMS 마이크로폰에 대한 음향 레벨을 보여주는 그래프이다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 잡음 필터들(150, 160)이 적용되지 않은 MEMS 마이크로폰의 출력 잡음(N1)은 -20dB/dec의 잡음 특성을 갖는다. 잡음(N1)은 기준 전압/전류 생성기(120)에 의해 생성된 노이즈에 의한 잡음일 수 있다. A-특성(A-Weighting Level)과 비교할 때, MEMS 마이크로폰(100)의 잡음(N1)은 잡음 면적(N1_a)을 갖는다. 도 4a에 도시된 그래프 상에서 잡음 면적이 클수록, 잡음으로 인한 신호의 왜곡이 커진다. A-특성은 지시 소음계(Sound Level Meter)에 포함된 청감 보정 회로의 특성 중 하나로서, 사람의 가청 주파수와 가장 가까운 소리의 특성을 가리킨다.
도 4b를 참조하면, 본 발명에 따른 잡음 필터들(150, 160)이 적용된 MEMS 마이크로폰(100)의 출력 잡음(N2)은 -40Db/dec의 잡음 특성을 갖는다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 직류잡음 필터(160)가 적용된 MEMS 마이크로폰의 출력 잡음(N2)은 A-특성과 비교하여, 잡음 면적을 갖지 않는다. 따라서, 감소된 잡음을 갖는 출력신호(Vout)를 출력할 수 있다.
상술된 본 발명의 실시 예에 따르면, 직류 기준전압 및 기준 전류의 직류 잡음을 제거함으로써 향상된 잡음 특성을 갖는 MEMS 마이크로폰이 제공된다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 잡음 필터(160)가 적용된 신호증폭부(140) 및 마이크로폰 센서(110)를 상세하게 보여주는 회로도이다. 예시적으로, 도 5에 도시된 임피던스 회로(151)는 도 3b에 도시된 회로의 구성을 갖는다. 그러나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5를 참조하면, 신호 증폭부(140)는 바이어스 회로(141), 소스 팔로워(142a), 연산 증폭기(142b), 피드백 회로(142c), 임피던스 회로(151), 캐패시터 회로(152), 및 스위치(153)를 포함할 수 있다.
바이어스 회로(141)는 기준 전류(Iref)을 기반으로 소스 팔로워(142a) 및 연산 증폭기(142b)에 요구되는 바이어스 전압을 생성한다. 생성된 바이어스 전압은 임피던스 회로(151) 및 캐패시터 회로(152)을 통해 잡음이 제거 되어 소스 팔로워(142a) 및 연산 증폭기(142b)로 전달된다. 캐패시터 회로(152)는 트랜지스터를 이용한 MOSCAP(Metal Oxide Semiconductor Capacitor)을 포함한다.
마이크로폰 센서(110)는 센서 바이어스 전압(Vc)을 공급 받아, 음압의 변화를 기반으로 출력 값(Vc_out)을 소스 팔로워(142a)로 전송한다. 소스 팔로워(142a), 연산 증폭기(142b), 및 피드백 회로(142c)는 바이어스 전압을 기반으로 마이크로폰 센서(110)의 출력값(Vc_out)을 증폭하여 출력 신호(Vout)을 출력한다.
따라서, 기준전류(Iref)에 포함된 잡음 성분이 임피던스 회로(151) 및 캐패시터 회로(152)에 의해 제거되므로, 출력 신호(Vout)은 기준 전류(Iref)에 포함된 잡음 성분의 영향을 받지 않는다.
예시적으로, 신호 증폭부(140)의 초기 동작시, 스위치(152)가 단락되어 캐패시터 회로(142)는 빠른 시간 내에 바이어스 전압으로 충전될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전압 부스터(130) 및 잡음 필터(150)를 보여주는 블록도이다.
도 6을 참조하면, 임피던스 회로(151)는 PMOS 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 임피던스 회로(151)는 스위치(153)보다 높은 임피던스 값을 갖는다. 임피던스 회로(151)는 캐패시터 회로(152)와 병렬로 접속된다. 임피던스 회로(151)의 출력단은 전압 부스터(130)와 접속된다. 캐패시터 회로(152)는 NMOS를 이용한 MOSCAP으로 구성될 수 있다. 스위치(153)는 임피던스 회로(151)의 회로의 양단을 단락시킬 수 있다.
임피던스 회로(151) 및 캐패시터 회로(152)는 기준 전압/전류 생성기(120)로부터 직류 기준전압(Vref)을 공급받아 잡음을 제거하여 전압 부스터(130)로 전달한다. 잡음 필터(150)의 초기 동작시 스위치(153)가 단락되어 캐패시터 회로(152)가 직류 기준전압(Vref)으로 빠른 시간내에 충전될 수 있다.
상술된 실시 예에 따르면, 향상된 잡음 특성을 갖는 MEMS 마이크로폰이 제공된다. 뿐만 아니라, 본 발명의 실시 예에 따른 MEMS 마이크로폰은 반도체 소자를 사용하여 소형화될 수 있고, 저전력으로 구현될 수 있다.
비록 도면에 도시되지는 않았지만, 본 발명의 실시 예에 따른 잡음 필터들은 신호 증폭부의 바이어스 전압 및 센서 바이어스 전압의 직류 잡음을 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 신호 증폭부의 출력 또는 마이크로폰 센서의 출력과 연결되어 직류 잡음을 제거함으로써 더욱 향상된 잡음 특성을 갖는 MEMS 마이크로폰에 제공된다.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100 : MEMS 마이크로폰 110 : 마이크로폰 센서
120 : 기준 전압/전류 생성기 130 : 전압 부스터
140 : 신호 증폭부 150 : 잡음 필터

Claims (11)

  1. 직류 기준전압 및 기준전류를 생성하는 기준 전압/전류 생성부;
    상기 직류 기준전압을 수신하고, 상기 수신된 직류 기준전압의 잡음을 제거하는 제 1 잡음 필터;
    상기 잡음이 제거된 직류 기준전압을 수신하여 센서 바이어스 전압을 생성하는 전압 부스터;
    상기 센서 바이어스 전압을 수신하여, 음압의 변화를 기반으로 출력 값을 생성하는 마이크로폰 센서;
    상기 기준 전류를 수신하여 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 회로; 및
    상기 바이어스 전압 및 상기 마이크로폰의 상기 출력 값을 수신하고, 상기 출력 값을 증폭하여 출력하는 신호 증폭부를 포함하고,
    상기 제 1 잡음 필터는
    임피던스 회로;
    상기 임피던스 회로와 병렬로 연결된 캐패시터 회로; 및
    상기 임피던스 회로의 양단을 연결하는 스위치를 포함하는 MEMS 마이크로폰.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 임피던스 회로는
    제 1 및 제 2 다이오드들을 포함하고,
    상기 제 1 다이오드의 캐소드 및 상기 제 2 다이오드의 애노드는 상기 임피던스 회로의 입력단과 연결되고,
    상기 제 1 다이오드의 애노드 및 상기 제 2 다이오드의 캐소드는 상기 임피던스 회로의 출력단과 연결되는 MEMS 마이크로폰.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 임피던스 회로는
    제 1 및 제 2 MOS 트랜지스터들을 포함하고,
    상기 제 1 MOS 트랜지스터의 소오스, 상기 제 2 MOS 트랜지스터의 드레인 및 게이트는 상기 임피던스 회로의 입력단과 연결되고,
    상기 제 2 MOS 트랜지스터의 소오스, 상기 제 1 MOS 트랜지스터의 드레인 및 게이트는 상기 임피던스 회로의 출력단과 연결되는 MEMS 마이크로폰.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 MOS 트랜지스터들은
    PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터 중 어느 한 종류인 MEMS 마이크로폰.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 임피던스 회로는
    제 1 및 제 2 이중접합 트랜지스터들을 포함하고,
    상기 제 1 이중접합 트랜지스터의 에미터, 상기 제 2 이중접합 트랜지스터의 콜렉터 및 베이스는 상기 임피던스 회로의 입력단과 연결되고,
    상기 제 2 이중접합 트랜지스터의 에미터, 상기 제 1 이중접합 트랜지스터의 콜렉터 및 베이스는 상기 임피던스 회로의 출력단과 연결되는 MEMS 마이크로폰.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 이중접합 트랜지스터들은,
    npn형 이중접합 트랜지스터 및 pnp형 이중접합 트랜지스터 중 어느 한 종류인 MEMS 마이크로폰.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐패시터 회로는,
    하나 또는 그 이상의 트랜지스터를 포함하는 MEMS 마이크로폰.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐패시터 회로는,
    MIM 캐패시터, MOM 캐패시터, 및 폴리 캐패시터 중 어느 하나 또는 그이상의 캐패시터를 포함하는 MEMS 마이크로폰.
  9. 제 1 항에 있어서,
    초기 동작시, 상기 스위치가 단락되어 상기 캐패시터 회로를 충전하는 MEMS 마이크로폰.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 바이어스 전압을 수신하고, 상기 수신된 바이어스 전압의 직류 잡음을 제거하여 상기 신호 증폭부로 전송하는 제 2 잡음 필터를 더 포함하는 MEMS 마이크로폰.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 잡음 필터는 상기 제 1 잡음 필터와 동일한 구성을 포함하는 MEMS 마이크로폰.


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