KR20140025055A - Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

Provided are a display device using a semiconductor light emitting device and a method of fabricating the same. The display device using a semiconductor light emitting device includes a substrate, first electrodes which are located on the substrate, semiconductor light emitting devices which comprise an anisotropy conductivity film layer which is arranged on the substrate, and individual pixels which are located on the anisotropy conductivity film layer and electrically connected to the first electrode, a second electrode which is located between the semiconductor light emitting devices and is electrically connected to the semiconductor light emitting device. Therefore, a semiconductor light emitting device array arrangement structure can be simplified by using an anisotropy conductivity film. Because the semiconductor light emitting device has excellent brightness, it is formed as an individual unit pixel so that a distance between the semiconductor light emitting devices can be enough increased. Thereby, a flexible display device can be realized.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법{Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a display device using a semiconductor light emitting device,

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device using a semiconductor light emitting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.Light emitting diodes (LEDs) are well-known semiconductor light emitting devices that convert current into light. In 1962, red LEDs using GaAsP compound semiconductors were commercialized. GaP: N series green LEDs and information communication devices As a light source for a display image of an electronic device.

질화 갈륨(GaN)으로 대표되는 질화물계 화합물 반도체(Nitride Compound Semiconductor)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2 eV)을 가지고 있어, LED를 포함한 고출력 전자부품 소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다. Nitride compound semiconductors, represented by gallium nitride (GaN), have high thermal stability and wide bandgap (0.8 to 6.2 eV), attracting much attention in the field of high-power electronic component development including LEDs. come.

이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.One reason for this is that GaN can be combined with other elements (indium (In), aluminum (Al), etc.) to produce semiconductor layers that emit green, blue and white light.

이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들을 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광 기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.Since the emission wavelength can be controlled in this manner, the characteristics of the material can be tailored to the specific device characteristics. For example, GaN can be used to create a white LED that can replace the blue LEDs and incandescent lamps that are beneficial for optical recording.

따라서, 현재 질화물계 반도체는 청색/녹색 레이저 다이오드와 발광 다이오드(LED)의 제작에 기본물질로 사용되고 있다.Therefore, nitride-based semiconductors are currently used as a base material in the fabrication of blue / green laser diodes and light emitting diodes (LEDs).

한편, 종래의 평면형 디스플레이 시장에서 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다. 다만, LCD의 경우 빠르지 않는 반응 시간과 LED BLU(Back Light Unit)의 높은 효율을 저하시켜 전력 소모에 큰 유발을 하고 있다는 점과 AMOLED의 경우 유기물이 가지고 있는 신뢰성에 취약하여 수명이 2년 이상을 보장하지 못하고, 양산 수율 또한 좋지 않은 문제점이 있다.Meanwhile, the major displays in the conventional planar display market are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes). However, in the case of LCD, it is difficult to respond quickly and the high efficiency of LED BLU (Back Light Unit) is lowered, which causes a large power consumption and AMOLED is vulnerable to the reliability of organic materials. There is a problem that the mass production yield is not good.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 발광 소자를 단위 화소로 구현함으로써 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device using a semiconductor light emitting device by realizing a semiconductor light emitting device as a unit pixel.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 다수의 제1 전극, 상기 제1 전극이 위치하는 기판 상에 배치된 이방성 전도성 필름층, 상기 이방성 전도성 필름층 상에 위치하고, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 개별 화소를 구성하는 다수의 반도체 발광 소자 및 상기 반도체 발광 소자들 사이에 위치하고, 상기 반도체 발광 소자들과 전기적으로 연결된 다수의 제2 전극을 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a display device using a semiconductor light emitting device. A display device using the semiconductor light emitting device includes a substrate, a plurality of first electrodes disposed on the substrate, an anisotropic conductive film layer disposed on the substrate on which the first electrode is disposed, A plurality of semiconductor light emitting devices constituting individual pixels electrically connected to the first electrode, and a plurality of second electrodes located between the semiconductor light emitting devices and electrically connected to the semiconductor light emitting devices.

상기 반도체 발광 소자들은 다수의 열로 배치되고, 상기 제2 전극은 상기 반도체 발광 소자들의 열들 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor light emitting devices are arranged in a plurality of rows and the second electrode is located between the columns of the semiconductor light emitting devices.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 바 형태인 것을 특징으로 한다.The first electrode and the second electrode are bar-shaped.

상기 제2 전극과 상기 반도체 발광 소자는 상기 제2 전극으로부터 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.And the second electrode and the semiconductor light emitting element are electrically connected to each other by a connection electrode projected from the second electrode.

상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상호 수직한 방향으로 배치된 것을 특징으로 한다.And the first electrode and the second electrode are arranged in a direction perpendicular to each other.

상기 반도체 발광 소자의 크기는 한 변의 길이가 50㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.The size of the semiconductor light emitting device is characterized in that the length of one side is 50 탆 or less.

상기 각각의 반도체 발광 소자 사이에는 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a barrier rib between the semiconductor light emitting devices.

상기 격벽은 블랙 또는 화이트 절연체를 포함하는 것을 특징으로 한다.And the barrier ribs include black or white insulators.

상기 반도체 발광 소자 상에 위치하는 형광체층을 더 포함할 수 있다.And a phosphor layer disposed on the semiconductor light emitting device.

상기 반도체 발광 소자는 청색 발광 소자이고, 상기 형광체층은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체 및 녹색 형광체인 것을 특징으로 한다.The semiconductor light emitting element is a blue light emitting element, and the phosphor layer is a red phosphor and a green phosphor constituting individual pixels.

상기 형광체층은 각각의 형광체 사이에 위치하는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다.The phosphor layer may further include a black matrix disposed between the respective phosphors.

상기 반도체 발광 소자는 청색 발광 소자이고, 상기 형광체층은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체, 녹색 형광체 및 황색 형광체인 것을 특징으로 한다.The semiconductor light emitting element is a blue light emitting element, and the phosphor layer is a red phosphor, a green phosphor and a yellow phosphor constituting individual pixels.

상기 반도체 발광 소자는 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다.The semiconductor light emitting device may be a red, green, and blue semiconductor light emitting device.

상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는, 소스 및 드레인 영역, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 위치한 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a thin film transistor including a source and a drain region and a gate electrode interposed between the source and the drain region, between the substrate and the first electrode.

상기 박막 트랜지스터를 피복하도록 상기 기판 상에 위치하는 층간 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And an interlayer insulating film located on the substrate so as to cover the thin film transistor.

상기 제1 전극은 상기 층간 절연막을 관통하는 관통 전극에 의하여 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.And the first electrode is electrically connected to the thin film transistor by a penetrating electrode passing through the interlayer insulating film.

적색, 녹색 및 청색의 단위 화소가 하나의 화소를 이루거나, 적색, 녹색, 청색 및 흰색의 단위 화소가 하나의 화소를 이루는 것을 특징으로 한다.Red, green and blue unit pixels constitute one pixel, or red, green, blue and white unit pixels constitute one pixel.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다. 상기 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법은 다수의 제1 전극이 위치된 제1 기판 상에 이방성 전도성 필름을 도포하는 단계, 상기 제1 전극의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 다수의 반도체 발광 소자가 위치된 제2 기판을 상기 제1 전극과 상기 반도체 발광 소자가 대향하도록 배치하는 단계, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 열압착하는 단계, 상기 제2 기판을 제거하는 단계 및 상기 제2 기판을 제거하여 노출된 반도체 발광 소자들 사이에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display using a semiconductor light emitting device. A method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device includes the steps of applying an anisotropic conductive film on a first substrate on which a plurality of first electrodes are disposed, Placing a second substrate on which the semiconductor light emitting device is positioned so that the first electrode and the semiconductor light emitting device face each other; thermocompressing the first substrate and the second substrate; removing the second substrate; And removing the second substrate to form a second electrode between the exposed semiconductor light emitting devices.

본 발명에 따르면, 반도체 발광 소자는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 플렉시블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.According to the present invention, since the semiconductor light emitting device has excellent brightness, individual unit pixels can be formed even with a small size, and the distance of the semiconductor light emitting device is relatively large enough to realize a flexible display device.

또한, 이방성 도전성 필름을 활용하여 반도체 발광소자 어레이 배치 구조를 단순화할 수 있다.Further, the arrangement structure of the semiconductor light emitting element array can be simplified by utilizing the anisotropic conductive film.

또한, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2 전극을 반도체 발광 소자 사이에 위치시킬 수 있다.Further, since the distance between the semiconductor light emitting elements constituting the individual pixels is sufficiently large, the second electrode can be positioned between the semiconductor light emitting elements.

본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 도 1의 절단선 A-A에 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 디스플레이 장치에 이용되는 반도체 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 개략도이다.
도 5는 도 4의 절단선 B-B에 따라 취해진 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 개략도이다.
도 7은 도 6의 절단선 C-C에 따라 취해진 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 개략도이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10은 디스플레이 장치를 구현하기 위한 반도체 발광 소자가 형성된 웨이퍼를 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제6 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 단면도들이다.1 is a schematic view showing a display device using a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
3 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor light emitting element used in a display device.
4 is a schematic view showing a display device using a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view taken along the cutting line BB in Fig.
6 is a schematic view illustrating a display device using a semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
7 is a sectional view taken along the cutting line CC of Fig.
8 is a schematic view showing a display device using a semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.
10 is a plan view showing a wafer on which a semiconductor light emitting element for realizing a display device is formed.
11 is a cross-sectional view illustrating a display device using a semiconductor light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다. While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. Rather, the intention is not to limit the invention to the particular forms disclosed, but rather, the invention includes all modifications, equivalents and substitutions that are consistent with the spirit of the invention as defined by the claims.

층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. It will be appreciated that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between .

비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.Although the terms first, second, etc. may be used to describe various elements, components, regions, layers and / or regions, such elements, components, regions, layers and / And should not be limited by these terms.

제1 1st 실시예Example

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 개략도이고, 도 2는 도 1의 절단선 A-A에 따라 취해진 단면도이다.FIG. 1 is a schematic view showing a display device using a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along a line A-A in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 보여준다.1 and 2, a display device using a semiconductor light emitting device is a display device using a passive matrix (PM) type semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 기판(100), 제1 전극(200), 이방성 전도성 필름층(300), 반도체 발광 소자(400) 및 제2 전극(600)을 포함한다.A display device using a semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a first electrode 200, an anisotropic conductive film layer 300, a semiconductor light emitting device 400, and a second electrode 600.

기판(100)은 제1 전극(200)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉시블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The substrate 100 is a wiring substrate on which the first electrode 200 is disposed. The substrate 100 may include glass or polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any insulating and flexible material may be used.

제1 전극(200)은 데이터 전극의 역할을 하며, 기판(100) 상에 위치한다. 예컨대, 다수의 제1 전극(200)이 기판(100) 상에 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 제1 전극(200)은 바(bar) 형태의 전극일 수 있다.The first electrode 200 serves as a data electrode and is disposed on the substrate 100. For example, a plurality of first electrodes 200 may be disposed on the substrate 100 at regular intervals. The first electrode 200 may be a bar-shaped electrode.

이방성 전도성 필름층(300)은 제1 전극(200)이 위치하는 기판(100) 상에 형성된다. 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF)은 전도성 물질의 코어가 절연막에 의하여 피복된 다수의 입자로 이루어진 상태이다. 이러한 이방성 전도성 필름은 압력 또는 열이 가해지면 가해진 부분만 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 전기적으로 연결되는 것이다. 이 때, 코어의 형태는 변형되어 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다.The anisotropic conductive film layer 300 is formed on the substrate 100 where the first electrode 200 is located. An anisotropic conductive film (ACF) is a state in which a core of a conductive material is composed of a plurality of particles coated with an insulating film. When the pressure or heat is applied, the anisotropic conductive film is electrically connected to the core only by the insulating film being broken. At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other.

예컨대, 기판(100) 상에 제1 전극(200)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름층(300)을 위치시킨 후에, 후술할 반도체 발광 소자(400)를 열 또는 압력을 가하여 접속시키면, 이러한 열 또는 압력이 가해진 부분인 반도체 발광 소자(400)와 제1 전극(200) 사이의 부분만 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름(302)이 되고, 열 또는 압력이 가해지지 않는 부분의 이방성 전도성 필름(301)은 전도성을 갖지 않는다. 따라서, 반도체 발광 소자(400)와 제1 전극(200) 사이에 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 이루어질 수 있다.For example, when the anisotropic conductive film layer 300 is placed in a state where the first electrode 200 is positioned on the substrate 100, and then the semiconductor light emitting device 400 to be described later is connected by applying heat or pressure, Or an anisotropic conductive film 302 having a conductivity only at a portion between the semiconductor light emitting element 400 and the first electrode 200 which is a portion to which pressure is applied and an anisotropic conductive film 301 at a portion where heat or pressure is not applied, Is not conductive. Accordingly, the semiconductor light emitting device 400 and the first electrode 200 can be coupled to each other as well as to the electrical connection.

반도체 발광 소자(400)는 개별 화소를 구성하며, 이방성 전도성 필름층(300) 상에 위치한다. 또한, 반도체 발광 소자(400)는 제1 전극(200)과 전기적으로 연결된다. 예컨대, 제1 전극(200)과 반도체 발광 소자(400) 사이에 위치하는 이방성 전도성 필름(302) 영역이 전도성을 갖기 때문에 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(400)는 제1 전극(200) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.The semiconductor light emitting device 400 constitutes an individual pixel and is located on the anisotropic conductive film layer 300. In addition, the semiconductor light emitting device 400 is electrically connected to the first electrode 200. For example, the region of the anisotropic conductive film 302 positioned between the first electrode 200 and the semiconductor light emitting device 400 may be electrically connected because of conductivity. In this case, the semiconductor light emitting device 400 may be disposed on the first electrode 200.

반도체 발광 소자(400)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(400)의 크기는 한 변의 길이가 50㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 예를 들어, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(400)를 개별 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 픽셀의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 픽셀인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, 플렉시블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.Since the semiconductor light emitting device 400 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 400 may be 50 mu m or less on one side and may be a rectangular or square device. For example, even if a square semiconductor light emitting device 400 having a length of 10 mu m on one side is used as an individual pixel, sufficient brightness appears for forming a display device. Therefore, when the size of a unit pixel is a rectangle pixel having one side of 600 mu m and the other side of 300 mu m as an example, the distance of the semiconductor light emitting element becomes relatively large. Therefore, in such a case, the effect of implementing a flexible display device is obtained.

도 3은 디스플레이 장치에 이용되는 반도체 발광 소자(400)의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 반도체 발광 소자(400)는 수직형 구조이다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(414), p형 전극(414) 상에 형성된 p형 반도체층(413), p형 반도체층(413) 상에 형성된 활성층(412), 활성층(412) 상에 형성된 n형 반도체층(411) 및 n형 반도체층(411) 상에 형성된 n형 전극(415)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(414)은 제1 전극(200)과 이방성 전도성 필름((302)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(415)은 후술하는 제2 전극(600)과 전기적으로 연결될 수 있다.3 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor light emitting device 400 used in a display device. Referring to FIG. 3, the semiconductor light emitting device 400 has a vertical structure. The vertical semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 414, a p-type semiconductor layer 413 formed on the p-type electrode 414, an active layer 412 formed on the p-type semiconductor layer 413, an active layer 412, And an n-type electrode 415 formed on the n-type semiconductor layer 411. The n- In this case, the p-type electrode 414 located at the bottom may be electrically connected to the first electrode 200 by the anisotropic conductive film 302, and the n-type electrode 415 located at the top may be electrically connected to the second electrode (Not shown).

이러한 수직형 반도체 발광 소자(400)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.Since the vertical semiconductor light emitting device 400 can arrange the electrodes up and down, it has a great advantage that the chip size can be reduced.

한편, 반도체 발광 소자(400)는 질화물계 반도체 발광 소자가 이용될 수 있다. 이러한 질화물계 반도체 발광 소자는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자를 구현할 수 있다.On the other hand, the semiconductor light emitting device 400 may be a nitride semiconductor light emitting device. Such a nitride-based semiconductor light-emitting device can realize a high-output light-emitting device in which indium (In) and / or aluminum (Al) are added together with gallium nitride (GaN) mainly to emit various light including blue.

제2 전극(600)은 반도체 발광 소자들(400) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(400)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(400)은 다수의 열로 배치되고, 제2 전극(600)은 반도체 발광 소자들(400)의 열들 사이에 위치할 수 있다. 이는 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(400) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2 전극(600)을 반도체 발광 소자들(400) 사이에 위치시킬 수 있다.The second electrode 600 is located between the semiconductor light emitting devices 400 and is electrically connected to the semiconductor light emitting devices 400. For example, the semiconductor light emitting devices 400 may be arranged in a plurality of rows, and the second electrode 600 may be positioned between the columns of the semiconductor light emitting devices 400. Since the distance between the semiconductor light emitting devices 400 constituting the individual pixels is sufficiently large, the second electrode 600 can be positioned between the semiconductor light emitting devices 400.

제 2 전극(600)은 바 형태의 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(200)과 제2 전극(600)은 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다. 따라서, PM 방식의 구조가 된다.The second electrode 600 may be a bar-shaped electrode. For example, the first electrode 200 and the second electrode 600 may be arranged in a direction perpendicular to each other. Therefore, the structure of the PM system becomes a structure.

또한, 제2 전극(600)과 반도체 발광 소자(400)는 제2 전극(600)으로부터 돌출된 연결 전극(610)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 반도체 발광 소자(400)가 수직형 구조인 경우, 제2 전극(600)과 반도체 발광 소자(400)의 n형 전극이 연결 전극(610)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 600 and the semiconductor light emitting device 400 may be electrically connected to each other by a connection electrode 610 protruding from the second electrode 600. For example, when the semiconductor light emitting device 400 has a vertical structure, the second electrode 600 and the n-type electrode of the semiconductor light emitting device 400 may be electrically connected by the connection electrode 610.

이러한 제2 전극(600)은 이방성 전도성 필름층(300) 상에 바로 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(400)가 형성된 기판(100) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있고, 그 다음에 제2 전극(600)을 위치시킬 경우, 제2 전극(600)은 투명 절연층 상에 위치할 것이다. 또한, 제2 전극(600)은 이방성 전도성 필름층(300) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.This second electrode 600 may be positioned directly on the anisotropic conductive film layer 300. A transparent insulating layer (not shown) including silicon oxide (SiOx) may be formed on the substrate 100 on which the semiconductor light emitting device 400 is formed, and then a second electrode 600 may be formed When positioned, the second electrode 600 will be located on the transparent insulating layer. In addition, the second electrode 600 may be formed separately from the anisotropic conductive film layer 300 or the transparent insulating layer.

한편, 만일 반도체 발광 소자(400) 상에 제2 전극(600)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용해야 하는데, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(400) 사이에 수평 전극(600)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.On the other hand, in order to position the second electrode 600 on the semiconductor light emitting device 400, a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) should be used. The ITO material has poor adhesion to the n- there is a problem. Therefore, by disposing the horizontal electrode 600 between the semiconductor light emitting devices 400, the present invention is advantageous in that a transparent electrode such as ITO is not used. Therefore, the light extraction efficiency can be improved by using a conductive material having good adhesiveness with the n-type semiconductor layer as a horizontal electrode without being bound by transparent material selection.

개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(400)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(400) 사이에는 격벽(500)을 더 포함할 수 있다.In order to isolate the semiconductor light emitting device 400 constituting individual pixels, a barrier 500 may be further provided between the vertical semiconductor light emitting devices 400.

이 경우, 격벽(500)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 이 격벽(500)은 반사성 격벽이 이용될 수 있다. 격벽(500)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 고 반사성 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.In this case, the barrier ribs 500 may serve to separate the individual unit pixels from each other, and the barrier ribs 500 may be formed of reflective barrier ribs. The barrier ribs 500 may include a black or white insulation depending on the purpose of the display device. When a barrier of a white insulator is used, a high reflectivity effect can be obtained, and when using a black insulator barrier, a contrast can be increased while having a reflection characteristic.

한편, 만일 제2 전극(600)이 반도체 발광 소자(400) 사이의 이방성 전도성 필름층(300) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(500)은 수직형 반도체 발광 소자(400) 및 제2 전극(600)의 사이사이에 위치될 것이다.If the second electrode 600 is directly disposed on the anisotropic conductive film layer 300 between the semiconductor light emitting devices 400, the barrier 500 may be formed of the vertical semiconductor light emitting device 400 and the second electrode 600, respectively.

따라서, 반도체 발광 소자(400)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(400)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2 전극(600)을 반도체 발광 소자(400) 사이에 위치시킬 수 있고, 플렉시블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.Accordingly, individual unit pixels can be formed with a small size by using the semiconductor light emitting device 400, and the distance between the semiconductor light emitting device 400 is relatively large enough to allow the second electrode 600 to be electrically connected to the semiconductor light emitting device 400 So that it is possible to realize a flexible display device.

또한, 이방성 도전성 필름을 활용하여 반도체 발광소자 어레이 배치 구조를 단순화할 수 있다. 특히, 수직형 반도체 발광소자의 경우 배치 설계가 보다 단순하다.Further, the arrangement structure of the semiconductor light emitting element array can be simplified by utilizing the anisotropic conductive film. Particularly, in the case of the vertical semiconductor light emitting device, the layout design is simpler.

제2 Second 실시예Example

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 개략도이고, 도 5는 도 4의 절단선 B-B에 따라 취해진 단면도이다.FIG. 4 is a schematic view showing a display device using a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along a line B-B in FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, PM 방식의 반도체 발광소자 어레이를 적용한 풀 칼라(Full Color) 디스플레이의 설계를 보여준다.4 and 5, there is shown a design of a full color display employing a PM type semiconductor light emitting device array.

반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 기판(100), 제1 전극(200), 이방성 전도성 필름층(300), 반도체 발광 소자(400), 격벽(500) 및 제2 전극 (600)을 포함한다.A display device using a semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a first electrode 200, an anisotropic conductive film layer 300, a semiconductor light emitting device 400, a barrier 500 and a second electrode 600.

즉, 기판(100) 상에 다수의 제1 전극(200)이 위치하고 있고, 그 위에 이방성 전도성 필름층(300)이 위치되어 있다.That is, a plurality of first electrodes 200 are positioned on the substrate 100, and an anisotropic conductive film layer 300 is disposed thereon.

그리고, 이방성 전도성 필름층(300) 상에 제1 전극(200)과 전기적으로 연결된 개별 화소를 구성하는 다수의 반도체 발광 소자(400)가 위치하고 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자는 수직형 구조일 수 있다.A plurality of semiconductor light emitting devices 400 constituting individual pixels electrically connected to the first electrode 200 are disposed on the anisotropic conductive film layer 300. For example, the semiconductor light emitting element may have a vertical structure.

그리고, 반도체 발광 소자들(400) 사이에, 제1 전극(200)의 길이 방향과 수직한 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자들(400)과 전기적으로 연결된 다수의 제2 전극(600)이 위치하고 있다.A plurality of second electrodes 600 disposed between the semiconductor light emitting devices 400 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the first electrodes 200 and electrically connected to the vertical semiconductor light emitting devices 400, Is located.

반도체 발광 소자(400) 사이에는 격벽(500)이 형성되어 있다.A barrier rib 500 is formed between the semiconductor light emitting devices 400.

이 경우, 반도체 발광 소자(400)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(401, 402, 403)일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(401, 402, 403)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(401, 402, 403)에 의하여 3색의 단위 화소가 하나의 화소(pixel)를 이루는 풀 칼라 디스플레이를 설계할 수 있다.In this case, the semiconductor light emitting devices 400 may be red, green, and blue semiconductor light emitting devices 401, 402, and 403 to form a unit pixel (sub-pixel), respectively. For example, the red, green, and blue semiconductor light emitting elements 401, 402, and 403 are alternately arranged, and three color unit pixels are formed by one red, green, and blue semiconductor light emitting elements 401, pixel can be designed.

제3 Third 실시예Example

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 개략도이고, 도 7은 도 6의 절단선 C-C에 따라 취해진 단면도이다.FIG. 6 is a schematic view showing a display device using a semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a sectional view taken along a line C-C in FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, PM 방식의 반도체 발광소자 어레이 상에 형광체층을 적용한 풀 칼라 디스플레이의 설계를 보여준다.6 and 7, there is shown a design of a full-color display in which a phosphor layer is applied on a PM type semiconductor light-emitting device array.

반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 기판(100), 제1 전극(200), 이방성 전도성 필름층(300), 반도체 발광 소자(400), 격벽(500), 제2 전극(600) 및 형광체층(700)을 포함한다.A display device using a semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a first electrode 200, an anisotropic conductive film layer 300, a semiconductor light emitting device 400, a barrier 500, a second electrode 600, 700).

즉, 기판(100) 상에 다수의 제1 전극(200)이 위치하고 있고, 그 위에 이방성 전도성 필름층(300)이 형성되어 있다.That is, a plurality of first electrodes 200 are located on the substrate 100, and an anisotropic conductive film layer 300 is formed thereon.

그리고, 이방성 전도성 필름층(300) 상에 제1 전극(200)과 전기적으로 연결된 개별 화소를 구성하는 다수의 반도체 발광 소자(400)가 위치하고 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자는 수직형 구조일 수 있다.A plurality of semiconductor light emitting devices 400 constituting individual pixels electrically connected to the first electrode 200 are disposed on the anisotropic conductive film layer 300. For example, the semiconductor light emitting element may have a vertical structure.

그리고, 반도체 발광 소자들(400) 사이에, 제1 전극(200)의 길이 방향과 수직한 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(400)와 전기적으로 연결된 다수의 제2 전극(600)이 위치하고 있다.A plurality of second electrodes 600 arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the first electrode 200 and electrically connected to the vertical semiconductor light emitting device 400 are formed between the semiconductor light emitting devices 400, Is located.

또한, 반도체 발광 소자(400) 사이에는 격벽(500)이 위치한다.Further, a partition 500 is positioned between the semiconductor light emitting devices 400.

또한, 형광체층(700)은 반도체 발광 소자(400) 상에 위치한다. In addition, the phosphor layer 700 is located on the semiconductor light emitting device 400.

예를 들어, 반도체 발광 소자(400)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(403)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(400)이 구비될 수 있다. 이 때, 형광체층(400)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(701) 및 녹색 형광체(702) 일 수 있다.For example, the semiconductor light emitting device 400 is a blue semiconductor light emitting device 403 that emits blue (B) light, and a phosphor layer 400 for converting the blue (B) . At this time, the phosphor layer 400 may be a red phosphor 701 and a green phosphor 702 constituting individual pixels.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(403) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(701)가 구비될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(403) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(702)가 구비될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 발광 소자(403)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소가 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a red phosphor 701 capable of converting blue light into red (R) light may be provided on the blue semiconductor light emitting device 403 at a position forming a red unit pixel, A green phosphor 702 capable of converting blue light into green (G) light may be provided on the blue semiconductor light emitting element 403. [ In addition, only the blue light emitting element 403 can be used solely in the portion constituting the blue unit pixel. In this case, the unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can form one pixel.

한편, 경우에 따라, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자가 구비될 수도 있음은 물론이며, 이러한 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자 상에 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 청색 형광체가 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Meanwhile, in some cases, the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device in which a yellow phosphor layer is provided for each individual device. In this case, in order to form a unit pixel, a red phosphor, A phosphor, and a blue phosphor may be provided. Further, a unit pixel can be formed by using a color filter in which red, green, and blue are repeated on the white light emitting element.

이때, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(710)가 구비될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(710)는 명암의 대조를 극대화시킬 수 있다.At this time, a black matrix 710 may be provided between the respective phosphors to improve the contrast. That is, the black matrix 710 can maximize the contrast of light and dark.

따라서, 청색 반도체 발광 소자(403) 상에 적색 및 녹색 형광체를 적용하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소가 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이를 설계할 수 있다.Therefore, a full-color display in which unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) form one pixel by applying red and green phosphors on the blue semiconductor light emitting device 403 can be designed.

제4 Fourth 실시예Example

도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 개략도이다.8 is a schematic view showing a display device using a semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, PM 방식의 반도체 발광소자 어레이 상에 형광체층을 적용한 풀 칼라 디스플레이의 설계를 보여준다.Referring to FIG. 8, there is shown a design of a full color display in which a phosphor layer is applied on a PMOS semiconductor light emitting device array.

도 8의 풀 칼라 디스플레이 장치는 제3 실시예와 비교하여 청색 반도체 발광 소자(403) 상에 적색 형광체(701), 녹색 형광체(702) 및 황색 형광체(703)를 적용하여 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 흰색(W)의 단위 화소를 하나의 화소로 하는 풀 칼라 디스플레이를 설계한 것을 제외하고 동일한 구성이다.The full color display device of FIG. 8 is different from the third embodiment in that a red phosphor 701, a green phosphor 702, and a yellow phosphor 703 are applied on a blue semiconductor light emitting device 403, (B), and white (W) as a single pixel.

또한, 각각의 형광체의 사이에 블랙 매트릭스(710)를 구비할 뿐만 아니라, 발광 소자의 발광 영역을 각각 구별시키도록 형광체층(700) 상에 블랙 매트릭스(711)를 더 구비하여 명암의 대조를 더욱 극대화시킬 수 있다.The black matrix 711 is further provided on the phosphor layer 700 so as to distinguish the light emitting regions of the light emitting elements as well as the black matrix 710 between the respective phosphors, Can be maximized.

따라서, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 흰색(W)의 단위 화소가 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이 구조는 풀 화이트(Full White)시 청색 반도체 발광소자와 황색 형광체의 높은 효율을 극대화하여 저 전력을 추구할 수 있다.Therefore, a full-color display structure in which unit pixels of red (R), green (G), blue (B) and white (W) form one pixel is characterized in that a full- It is possible to pursue low power by maximizing high efficiency.

제5 Fifth 실시예Example

도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.9 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 먼저, 다수의 제1 전극(200)이 위치된 제1 기판(110) 상에 이방성 전도성 필름을 도포하여 이방성 전도성 필름층(300)을 형성한다.Referring to FIG. 9, an anisotropic conductive film is coated on a first substrate 110 on which a plurality of first electrodes 200 are disposed to form an anisotropic conductive film layer 300.

제1 기판(110)은 제1 전극(200)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉시블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.The first substrate 110 may include glass or polyimide (PI) for implementing a flexible display device.

다음에, 제1 전극(200)의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 다수의 반도체 발광 소자(400)가 위치된 제2 기판(120)을 제1 전극(200)과 반도체 발광 소자(400)가 대향하도록 배치한다.A second substrate 120 corresponding to the position of the first electrode 200 and having a plurality of semiconductor light emitting devices 400 constituting individual pixels is disposed on the first electrode 200 and the semiconductor light emitting device 400 Are opposed to each other.

제2 기판(120)은 수직형 반도체 발광 소자(400)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어 기판 또는 실리콘 기판일 수 있다.The second substrate 120 is a growth substrate for growing the vertical type semiconductor light emitting device 400, and may be a sapphire substrate or a silicon substrate.

그 다음에, 제1 기판(110)과 제2 기판(120)을 열압착한다. 따라서, 제1 기판(110)과 제2 기판(120)은 본딩(bonding)된다. 이와 더불어, 열압착되는 부분만 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 제1 전극(200)과 반도체 발광 소자(400)의 사이의 부분만 전도성을 갖게 되어 제1 전극(200)과 반도체 발광 소자(400)를 전기적으로 연결할 수 있다.Next, the first substrate 110 and the second substrate 120 are thermally bonded. Accordingly, the first substrate 110 and the second substrate 120 are bonded to each other. In addition, only the portion between the first electrode 200 and the semiconductor light emitting device 400 has conductivity due to the characteristic of the anisotropic conductive film having the conductive property only to the portion to be thermally pressed, (400) can be electrically connected.

예를 들어, 제1 기판(110)과 상기 제2 기판(120)을 ACF press head를 적용하여 열압착할 수 있다.For example, the first substrate 110 and the second substrate 120 may be thermocompression-bonded using an ACF press head.

그 다음에, 상기 제2 기판(120)을 제거한다. 예를 들어, 제2 기판(120)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Then, the second substrate 120 is removed. For example, the second substrate 120 may be removed using a laser lift-off method (LLO) or a chemical lift-off method (CLO).

그 다음에, 상기 제2 기판(120)을 제거하여 노출된 반도체 발광 소자들(400) 사이에 제2 전극(600)을 형성한다. 이 때, 반도체 발광 소자들(400)과 제2 전극(600)은 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(400)은 다수의 열로 배치되고, 제2 전극은 이러한 반도체 발광 소자들(400)의 열들 사이에 형성할 수 있다.Then, the second substrate 120 is removed and a second electrode 600 is formed between the exposed semiconductor light emitting devices 400. At this time, the semiconductor light emitting devices 400 and the second electrode 600 are electrically connected. For example, the semiconductor light emitting devices 400 may be arranged in a plurality of rows, and the second electrode may be formed between the rows of the semiconductor light emitting devices 400.

또한, 제2 전극(600)과 반도체 발광 소자(400)는 제2 전극(600)으로부터 돌출된 연결 전극(610)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 600 and the semiconductor light emitting device 400 may be electrically connected to each other by a connection electrode 610 protruding from the second electrode 600.

또한, 제1 전극(200)과 제2 전극(600)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다.In addition, the first electrode 200 and the second electrode 600 may be arranged in directions orthogonal to each other.

그 다음에, 필요에 따라, 반도체 발광 소자(400)와 제2 전극(600)이 위치된 기판(110) 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. 경우에 따라, 이러한 투명 절연층은 제2 전극(600)을 형성하기 전에 반도체 발광 소자(400)가 형성된 기판(110) 상에 코팅될 수 있다. 이 경우, 제2 전극(600)은 투명 절연층 상에 위치될 것이다.Next, a transparent insulating layer (not shown) may be formed by coating silicon oxide (SiOx) or the like on the substrate 110 on which the semiconductor light emitting device 400 and the second electrode 600 are disposed, if necessary have. In some cases, the transparent insulating layer may be coated on the substrate 110 on which the semiconductor light emitting device 400 is formed before the second electrode 600 is formed. In this case, the second electrode 600 will be placed on the transparent insulating layer.

또한, 수직형 반도체 발광 소자(400) 사이에 격벽(미도시)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.Further, the method may further include the step of forming barrier ribs (not shown) between the vertical semiconductor light emitting devices 400.

일 예로, 격벽은 반도체 발광 소자(400) 사이를 채우는 방식으로 형성할 수 있다. 또 다른 예로, 라미네이션법(lamination)과 마스크를 이용한 에칭법을 이용하여 원하는 형태로 격벽을 형성할 수 있다.For example, the barrier ribs may be formed by filling the spaces between the semiconductor light emitting devices 400. As another example, it is possible to form the barrier ribs in a desired shape by using a lamination method and an etching method using a mask.

한편, 디스플레이 장치를 이루기 위한 반도체 발광 소자는 웨이퍼 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.On the other hand, when the semiconductor light emitting device for forming a display device is formed on a wafer-by-wafer basis, the semiconductor light emitting device can be effectively used in a display device by having an interval and a size to form a display device.

도 10은 디스플레이 장치를 구현하기 위한 반도체 발광 소자가 형성된 웨이퍼를 나타내는 평면도이다. 도 10에서 도시하는 바와 같이, 개별 반도체 발광 소자가 구현된 웨이퍼에서 a 선, b 선 및 b' 선으로 구획된 영역을 디스플레이 장치에 그대로 이용할 수 있다. 이때, 디스플레이 장치의 면적은 웨이퍼 크기에 비례하도록 할 수 있다. 즉, 웨이퍼의 크기가 커질수록 작은 크기의 디스플레이를 구현하는 경우는 다면취로도 구현이 가능할 것이다.10 is a plan view showing a wafer on which a semiconductor light emitting element for realizing a display device is formed. As shown in Fig. 10, the area partitioned by the a line, the b line and the b 'line in the wafer on which the individual semiconductor light emitting device is implemented can be used as it is in the display device. At this time, the area of the display device can be made proportional to the wafer size. In other words, if the size of the wafer is increased and the display of a small size is realized, it is possible to realize a multi-sided job.

제6 6th 실시예Example

도 11은 본 발명의 제6 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 나타낸 단면도들이다.11 is a cross-sectional view illustrating a display device using a semiconductor light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 보여준다.Referring to FIG. 11, there is shown a display device using an active matrix (AM) semiconductor light emitting device.

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 기판(100), 박막 트랜지스터(800), 층간 절연막(920), 제1 전극(201), 이방성 전도성 필름층(300), 반도체 발광 소자(400) 및 제2 전극(601)을 포함한다.A display device using a semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a thin film transistor 800, an interlayer insulating film 920, a first electrode 201, an anisotropic conductive film layer 300, a semiconductor light emitting device 400, (601).

기판(100)은 배선 기판일 수 있다. 예를 들어, 스캔 라인과 데이터 라인이 형성된 배선 기판일 수 있다.The substrate 100 may be a wiring substrate. For example, it may be a wiring board on which a scan line and a data line are formed.

박막 트랜지스터(800)는 기판(100) 상에 위치한다. 박막 트랜지스터(800)는 소스 영역(801), 드레인 영역(802) 및 게이트 전극(803)을 포함하고, 소스 영역(801) 및 드레인 영역(802) 사이에는 채널 영역(804)이 위치한다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(800)의 소스 영역(801)에 데이터 라인이 연결되고, 게이트 전극(803)에 스캔 라인이 연결되고, 드레인 영역(802)에 화소 전극(201)이 연결될 수 있다. 따라서, 이러한 박막 트랜지스터(800)의 구동에 의하여 발광될 화소 및 이 화소의 색상을 능동적으로 구동할 수 있는 것이다.The thin film transistor 800 is located on the substrate 100. The thin film transistor 800 includes a source region 801, a drain region 802 and a gate electrode 803 and a channel region 804 is located between the source region 801 and the drain region 802. For example, a data line may be connected to the source region 801 of the thin film transistor 800, a scan line may be connected to the gate electrode 803, and a pixel electrode 201 may be connected to the drain region 802. Therefore, by driving the thin film transistor 800, the pixel to be emitted and the color of the pixel can be actively driven.

층간 절연막(920)은 박막 트랜지스터(800)를 피복하기 위해 박막 트랜지스터(800)가 위치된 기판(100) 상에 위치된다.An interlayer insulating film 920 is placed on the substrate 100 on which the thin film transistor 800 is located to cover the thin film transistor 800. [

제1 전극(201)은 화소 전극의 역할을 하는 전극으로서, 층간 절연막(920) 상에 위치하고, 박막 트랜지스터(800)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 제1 전극(201)은 닷(dot) 형태일 수 있다. 여기서, 제1 전극(201)은 층간 절연막(920)을 관통하는 관통 전극(910)에 의하여 박막 트랜지스터(800)의 소스 영역(801)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 201 serves as a pixel electrode. The first electrode 201 is disposed on the interlayer insulating film 920 and is disposed corresponding to the position of the thin film transistor 800. For example, the first electrode 201 may be in the form of a dot. The first electrode 201 may be electrically connected to the source region 801 of the thin film transistor 800 by a penetrating electrode 910 penetrating the interlayer insulating film 920.

이방성 전도성 필름층(300)은 제1 전극(201)이 형성된 기판(100) 상에 위치된다.The anisotropic conductive film layer 300 is positioned on the substrate 100 on which the first electrode 201 is formed.

반도체 발광 소자(400)는 이방성 전도성 필름층(300) 상에 위치되고, 제1 전극(201) 상에 대응되도록 배치된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(400)는 수직형 구조일 수 있다.The semiconductor light emitting device 400 is located on the anisotropic conductive film layer 300 and is disposed on the first electrode 201 so as to correspond thereto. For example, the semiconductor light emitting device 400 may have a vertical structure.

제2 전극(601)은 공통 전극의 역할을 하는 전극으로서, 반도체 발광 소자(400) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자(400)와 전기적으로 연결된다.The second electrode 601 serves as a common electrode and is located between the semiconductor light emitting devices 400 and is electrically connected to the semiconductor light emitting device 400.

또한, 반도체 발광 소자(400) 사이에 격벽을 더 포함할 수 있다.Further, the semiconductor light emitting device 400 may further include a partition wall.

이 경우, 반도체 발광 소자(400)는 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(401, 402, 403)로서, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(401, 402, 403)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(401, 402, 403)에 의하여 적색, 녹색 및 청색의 단위 화소를 이루고, 이러한 3색의 단위 화소가 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이를 설계할 수 있다.In this case, the semiconductor light emitting device 400 includes red, green, and blue semiconductor light emitting devices 401, 402, and 403, and red, green, and blue semiconductor light emitting devices 401, Green, and blue unit pixels by the red, green, and blue semiconductor light emitting devices 401, 402, and 403, and these three color unit pixels constitute one pixel.

또한, 반도체 발광 소자(400)가 전부 청색 발광 소자(403)일 경우, 청색 발광 소자(403) 상에 적색 형광체 및 녹색 형광체인 형광체층을 더 구비하여 풀 칼라 디스플레이를 구현할 수 있다.Further, when the semiconductor light emitting device 400 is a blue light emitting device 403, a full color display can be realized by further including a phosphor layer as a red phosphor and a green phosphor on the blue light emitting device 403.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

100: 기판 110: 제1 기판
120: 제2 기판 200, 201: 제1 전극
300, 301, 302: 이방성 전도성 필름층
400: 반도체 발광 소자 401: 적색 반도체 발광 소자
402: 녹색 반도체 발광 소자 403: 청색 반도체 발광 소자
411: n형 반도체층 412: 활성층
413: p형 반도체층 414: p형 전극
415: n형 전극 500: 격벽
600, 601: 제2 전극 610: 연결 전극
700: 형광체층 701: 적색 형광체
702: 녹색 형광체 703: 황색 형광체
710, 711: 블랙 매트릭스 800: 트랜지스터
801: 소스 영역 802: 드레인 영역
803: 게이트 전극 804: 채널 영역
910: 관통 전극 920: 층간 절연막100: substrate 110: first substrate
120: second substrate 200, 201: first electrode
300, 301, 302: Anisotropic conductive film layer
400: Semiconductor light emitting device 401: Red semiconductor light emitting device
402: green semiconductor light emitting element 403: blue semiconductor light emitting element
411: n-type semiconductor layer 412: active layer
413: p-type semiconductor layer 414: p-type electrode
415: n-type electrode 500: partition wall
600, 601: second electrode 610: connecting electrode
700: phosphor layer 701: red phosphor
702: green phosphor 703: yellow phosphor
710, 711: black matrix 800: transistor
801: source region 802: drain region
803: gate electrode 804: channel region
910: penetrating electrode 920: interlayer insulating film

Claims (18)

기판;
상기 기판 상에 위치하는 다수의 제1 전극;
상기 제1 전극이 위치하는 기판 상에 배치된 이방성 전도성 필름층;
상기 이방성 전도성 필름층 상에 위치하고, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 개별 화소를 구성하는 다수의 반도체 발광 소자; 및
상기 반도체 발광 소자들 사이에 위치하고, 상기 반도체 발광 소자들과 전기적으로 연결된 다수의 제2 전극을 포함하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.Board;
A plurality of first electrodes located on the substrate;
An anisotropic conductive film layer disposed on the substrate on which the first electrode is disposed;
A plurality of semiconductor light emitting elements located on the anisotropic conductive film layer and constituting individual pixels electrically connected to the first electrode; And
And a plurality of second electrodes disposed between the semiconductor light emitting devices and electrically connected to the semiconductor light emitting devices. 제1항에 있어서,
상기 반도체 발광 소자들은 다수의 열로 배치되고,
상기 제2 전극은 상기 반도체 발광 소자들의 열들 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The semiconductor light emitting devices are arranged in a plurality of rows,
And the second electrode is located between the columns of the semiconductor light emitting devices. 제2항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 바 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first electrode and the second electrode are bar-shaped. 제1항에 있어서,
상기 제2 전극과 상기 반도체 발광 소자는 상기 제2 전극으로부터 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
And the second electrode and the semiconductor light emitting element are electrically connected to each other by a connection electrode protruding from the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상호 수직한 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
Wherein the first electrode and the second electrode are arranged in a direction perpendicular to each other. 제1항에 있어서,
상기 반도체 발광 소자의 크기는 한 변의 길이가 50㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
Wherein a size of the semiconductor light emitting device is 50 mu m or less on one side. 제1항에 있어서,
상기 각각의 반도체 발광 소자 사이에는 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
And a barrier rib between each of the semiconductor light emitting devices. 제7항에 있어서,
상기 격벽은 블랙 또는 화이트 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the barrier rib includes a black or white insulator. 제1항에 있어서,
상기 반도체 발광 소자 상에 위치하는 형광체층을 더 포함하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
And a phosphor layer disposed on the semiconductor light emitting device. 제9항에 있어서,
상기 반도체 발광 소자는 청색 발광 소자이고,
상기 형광체층은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체 및 녹색 형광체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the semiconductor light emitting element is a blue light emitting element,
Wherein the phosphor layer is a red phosphor and a green phosphor constituting individual pixels. 제9항에 있어서,
상기 형광체층은 각각의 형광체 사이에 위치하는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the phosphor layer further comprises a black matrix disposed between the respective phosphors. 제9항에 있어서,
상기 반도체 발광 소자는 청색 발광 소자이고,
상기 형광체층은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체, 녹색 형광체 및 황색 형광체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the semiconductor light emitting element is a blue light emitting element,
Wherein the phosphor layer is a red phosphor, a green phosphor, and a yellow phosphor constituting individual pixels. 제1항에 있어서,
상기 반도체 발광 소자는 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자인 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
Wherein the semiconductor light emitting device is a red, green, and blue semiconductor light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는,
소스 및 드레인 영역, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 위치한 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
Between the substrate and the first electrode,
And a gate electrode disposed between the source and drain regions and between the source and drain regions. 제14항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터를 피복하도록 상기 기판 상에 위치하는 층간 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.15. The method of claim 14,
Further comprising an interlayer insulating film disposed on the substrate so as to cover the thin film transistor. 제15항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 층간 절연막을 관통하는 관통 전극에 의하여 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the first electrode is electrically connected to the thin film transistor by a penetrating electrode passing through the interlayer insulating film. 제1항에 있어서,
적색, 녹색 및 청색의 단위 화소가 하나의 화소를 이루거나, 적색, 녹색, 청색 및 흰색의 단위 화소가 하나의 화소를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The method of claim 1,
Wherein the red, green, and blue unit pixels form one pixel, or red, green, blue, and white unit pixels form one pixel. 다수의 제1 전극이 위치된 제1 기판 상에 이방성 전도성 필름을 도포하는 단계;
상기 제1 전극의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 다수의 반도체 발광 소자가 위치된 제2 기판을 상기 제1 전극과 상기 반도체 발광 소자가 대향하도록 배치하는 단계;
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 열압착하는 단계;
상기 제2 기판을 제거하는 단계; 및
상기 제2 기판을 제거하여 노출된 반도체 발광 소자들 사이에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법.Applying an anisotropic conductive film on a first substrate having a plurality of first electrodes;
Disposing a second substrate corresponding to a position of the first electrode and having a plurality of semiconductor light emitting elements constituting individual pixels so that the first electrode and the semiconductor light emitting element face each other;
Thermocompressing the first substrate and the second substrate;
Removing the second substrate; And
And forming a second electrode between the exposed semiconductor light emitting devices by removing the second substrate.
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