KR20140020472A - 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 탄탈 분말을 포함하며, 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체; 상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸도록 형성된 몰딩부; 상기 탄탈 와이어와 전기적으로 연결된 양극 리드 프레임; 상기 캐패시터 본체가 실장되며 하면에 단턱이 형성된 실장부와, 상기 실장부에서 절곡되어 상기 몰딩부의 일 단면에 밀착되는 음극 단자부를 갖는 음극 리드 프레임; 및 상기 몰딩부의 일 단면과 상기 음극 단자부 사이에 형성된 접착층; 을 포함하는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.

Description

탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법{TANTALUM CAPACITOR AND METHOD OF PREPARING THE SAME}
본 발명은 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 10%씩 급격히 증가하는 실정이다.
캐패시터는 일반적으로 전기를 일시적으로 저장하는 축전기를 말하며, 서로 절연된 2개의 평판 전극을 접근시켜 양극 사이에 유전체를 끼워 넣고 인력에 의해 전하를 대전하여 축적하는 부품으로, 두 개의 도체로 둘러싸인 공간에 전하와 전계를 가둬 정전 용량을 얻고자 할 때 이용된다.
상기 탄탈륨 소재를 이용하는 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 및 Polymer 층을 형성하며, 상기 이산화망간층 및 Polymer 층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 본체를 형성하며, 인쇄회로기판(PCB)의 실장을 위하여, 상기 본체에 양극 및 음극 리드 프레임을 형성하고 몰딩부를 형성하여 완성하게 된다.
그러나, 종래의 탄탈륨 캐패시터는 양극 및 음극 리드 프레임이 제품의 윗면 또는 하면에 위치하고 양극 리드 프레임의 용접 거리를 확보해야 하는 등의 이유로 인해 캐패시터 본체의 내부 용적률이 작아지므로 정전 용량이 저하되는 문제점이 있었다. 또한, 음극 단자와 몰딩부의 고착 강도가 약한 문제점이 있었다.
하기 선행기술문헌 1은 탄탈로 이루어진 다공질 소결체와 이 다공질 소결체를 둘러싸도록 형성된 수지 패키지를 갖는 고체 전해 콘덴서에 관한 것이나, 음극 단자가 도통 부재와 도통되고 이 도통 부재의 상면에 다공질 소결체가 실장되는 구조로 이루어져 그 구성이 복잡하며, 음극 단자를 몰딩부에 견고하게 부착시키는 수단은 개시하지 않는다.
일본공개특허공보 2008-108931
당 기술 분야에서는, 탄탈륨 캐패시터의 내부 용적률을 높여 제품의 크기는 유지하면서 커패시터 본체의 크기를 최대화하여 정전 용량을 확대하며, 음극 단자의 몰딩부에 대한 고착 강도를 향상시킬 수 있는 새로운 방안이 요구되어 왔다.
본 발명의 일 측면은, 탄탈 분말을 포함하며, 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체; 상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸도록 형성된 몰딩부; 상기 탄탈 와이어와 전기적으로 연결된 양극 리드 프레임; 상기 캐패시터 본체가 실장되며 하면에 단턱이 형성된 실장부와, 상기 실장부에서 절곡되어 상기 몰딩부의 일 단면에 밀착되는 음극 단자부를 갖는 음극 리드 프레임; 및 상기 몰딩부의 일 단면과 상기 음극 단자부 사이에 형성된 접착층; 을 포함하는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 양극 리드 프레임은 상기 몰딩부의 타 단면에 밀착되는 양극 단자부를 가지며, 상기 몰딩부의 타 단면과 상기 양극 단자부 사이에 접착층이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 캐패시터 본체의 하면과 상기 음극 리드 프레임의 실장부 사이에 도전성 접착층이 더 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 접착층은 에폭시계의 열경화성 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 양극 단자부 및 상기 음극 단자부의 면적은 상기 몰딩부의 일 단면에 대해 30 % 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 평판형의 양극 및 음극 리드 프레임을 마련하는 단계; 상기 양극 리드 프레임은 일 단부를 수직으로 절곡하여 탄탈 와이어 접속부를 형성하고, 상기 음극 리드 프레임은 하면에 단턱을 형성하는 단계; 상기 양극 및 음극 리드 프레임을 수평으로 서로 마주보게 배치하는 단계; 상기 음극 리드 프레임의 일 단부의 상면에 캐패시터 본체를 실장하고, 상기 캐패시터 본체의 탄탈 와이어를 상기 양극 리드 프레임의 탄탈 와이어 접속부에 부착하는 단계; 상기 양극 및 음극 리드 프레임의 단부가 각각 노출되도록, 상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸는 수지를 몰딩하여 몰딩부를 형성하는 단계; 및 상기 음극 리드 프레임의 노출된 단부에 접착제를 도포하고 절곡하여 상기 몰딩부의 일 단면에 부착시키며, 상기 양극 리드 프레임의 노출된 단부를 절곡하여 상기 몰딩부의 타 단면에 부착시키는 단계; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 양극 리드프레임의 노출된 단부를 절곡하기 이전에, 상기 양극 리드 프레임의 노출된 단부에 접착제를 도포할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 캐패시터 본체를 실장하기 이전에, 상기 음극 리드 프레임의 일 단부의 상면에 도전성 접착제를 도포할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 캐패시터 본체를 실장하기 이전에, 상기 양극 및 음극 리드 프레임의 하면에 내열성 테이프를 부착하며, 상기 내열성 테이프는 상기 몰딩부를 형성한 이후에 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 평판형의 양극 리드 프레임을 마련하는 단계에서, 상기 양극 리드 프레임은, 상기 탄탈 와이어에 연결되는 탄탈 와이어 접속부와, 상기 몰딩부의 타 단면에 부착되는 양극 단자부와, 상기 탄탈 와이어 접속부 및 상기 양극 단자부를 지지하는 연결부를 구성하기 위해 절곡되도록, 상면에 2 개의 절곡용 홈을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 평판형의 음극 리드프레임을 형성하는 단계에서, 상기 음극 리드 프레임은, 상기 몰딩부의 일 단면에 부착되는 음극 단자부를 구성하기 위해 절곡되도록, 상면에 절곡용 홈을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 양극 및 음극 리드 프레임을 제품의 양 단면으로 형성하여 내부 용적률을 향상시킴으로써 제품의 크기는 유지하면서 캐패시터 본체의 크기를 최대화하여 정전 용량을 확대할 수 있는 효과가 있다.
또한, 음극 리드 프레임은 제품의 하면에서 인출하되, 실장부에 몰딩부와 결합되는 단턱을 가지며, 음극 리드 프레임의 외부로 노출되는 음극 단자부는 몰딩부의 일 단면에 접착제에 의해 부착됨으로써 고착 강도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 개략적인 구조를 나타낸 투명 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다.
도 3은 도 1의 B-B'선 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 공정을 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 양극 리드 프레임을 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 음극 리드 프레임을 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
또한, 본 실시 예에서는 설명의 편의를 위해 몰딩부에서 탄탈 와이어가 인출되는 방향을 전방측 및 단면으로 설정하고, 이와 수직으로 교차되는 면을 측면으로 설정하고, 커패시터 본체의 두께 방향에 해당하는 면을 상하면으로 설정하여 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 커패시터(1)는, 탄탈 분말을 포함하며 전방측으로 인출된 탄탈 와이어(11)를 갖는 캐패시터 본체(10)와, 탄탈 와이어(11) 및 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 형성된 몰딩부(40)와, 탄탈 와이어(11)와 전기적으로 연결된 양극 리드 프레임(20)과, 캐패시터 본체(10)가 실장되며 하면에 단턱(31a)이 형성된 실장부(31)와 실장부(31)에서 상향 절곡되어 몰딩부(40)의 일 단면에 밀착되는 음극 단자부(32)를 갖는 음극 리드 프레임(30)과, 몰딩부(40)의 후방측 단면과 음극 단자부(32) 사이에 형성된 접착층(33)을 포함한다.
몰딩부(40)의 후방측 단면과 음극 단자부(32) 사이에 형성된 접착층(33)은 에폭시 계열의 열경화성 수지를 포함하는 접착제로 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
캐패시터 본체(10)는 탄탈 재질을 이용하여 소결에 의해 성형될 수 있다.
위와 같이 탄탈 재질을 이용하여 캐패시터 본체(10)를 제작하는 경우에 대해서 예를 들면, 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후, 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.
이때, 탄탈 와이어(11)는 상기 혼합 분말을 압축하기 전에 중심으로부터 편심되도록 삽입하여 장착할 수 있다.
구체적으로, 캐패시터 본체(10)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11)를 삽입하고 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1000 내지 2000℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 30분 정도 소결하여 제작할 수 있다.
또한, 캐패시터 본체(10)의 표면에는 카본 및 은(Ag)이 도포되어 있다. 상기 카본은 캐패시터 본체(1) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 은(Ag)은 음극을 인출하기 위한 것이다.
양극 리드 프레임(20)은 도전성 금속으로 이루어질 수 있으며, 몰딩부(40)에 내재되어 탄탈 와이어(11)와 접촉되도록 상향 절곡되는 후방측 단부의 탄탈 와이어 접속부(21)와, 몰딩부(40)의 전방측 단면에 밀착되도록 상향 절곡되는 양극 단자부(22)와, 상향 절곡된 탄탈 와이어 접속부(21) 및 양극 단자부(22)를 연결하는 연결부(24)를 포함할 수 있다.
이 탄탈 와이어 접속부(21)는 예를 들어, 전기 용접에 의해 부착할 수 있으며, 특히 용접은 전기 스폿 용접 방식을 사용하여 수행될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 탄탈 와이어 접속부(21)는 탄탈 와이어(11)의 하측에서만 접촉되므로 종래의 몰딩부의 측면으로부터 연장되어 접촉되는 구조에 비해 필요한 용접 거리를 줄일 수 있다.
또한, 양극 단자부(22)는 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 단자로 사용될 수 있다. 양극 단자부(22)가 몰딩부(40)의 단면에 형성되므로 종래의 제품 상하부에 리드 단자가 있는 캐패시터에 비해 캐패시터 본체(10)의 체적 효율을 향상시킬 수 있다.
양극 단자부(22)는 몰딩부(40)의 한쪽 단면에 대해 적어도 30 % 이상의 면적을 덮도록 형성할 수 있다.
또한, 양극 리드 프레임(20)의 양극 단자부(22)와 몰딩부(40)의 단면 사이에는 접착층(23)이 형성될 수 있다. 이 접착층(23)은 음극 단자부(32)에 형성된 접착층(33)과 동일한 물질의 접착제로 이루어질 수 있다.
음극 리드 프레임(30)은 도전성 금속으로 이루어질 수 있으며, 예컨대 망간 및 폴리머 등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이 음극 리드 프레임(30)의 실장부(31)의 하면에 형성된 단턱(31a)은 몰딩부(40)의 몰드 결합부(41)와 끼움 방식으로 결합되어 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
또한, 음극 단자부(32)는 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 단자로 사용될 수 있다. 음극 단자부(32)가 몰딩부(40)의 단면에 형성되므로 종래의 제품 상하부에 리드 단자가 있는 캐패시터에 비해 캐패시터 본체(10)의 체적 효율을 향상시킬 수 있다.
음극 단자부(32)는 몰딩부(40)의 한쪽 단면에 비해 적어도 30 % 이상의 면적을 덮도록 형성할 수 있다.
한편, 음극 리드 프레임(30)의 실장부(31)의 상면과 캐패시터 본체(10)의 실장되는 하면 사이에 도전성 접착층(50)이 더 형성될 수 있다. 이 도전성 접착층(50)은 음극 단자부(32)에 형성된 접착층(33)에 도전성 금속 분말 등을 더 포함시킨 접착제로 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이때, 상기 도전성 금속 분말로 은(Ag)을 사용할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일반적으로 탄탈륨 캐패시터의 구조에서 캐패시터 본체(10)의 체적을 크게 할수록 캐패시터의 정전 용량은 향상되나, 물리적인 부피가 증가하여 소자의 소형화에 한계가 있다.
본 실시 형태에서는 양극 및 음극 리드 프레임의 단자를 측면으로 형성함으로써 종래의 양극 및 음극 리드 프레임이 상부 또는 하부에 위치하는 탄탈륨 캐패시터에 비해 내부 용적률을 높여 캐패시터 본체의 크기를 최대화함으로써 제품의 크기를 그대로 유지하면서 정전 용량을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터(1)의 제조 방법을 설명한다.
먼저 평판형으로 이루어진 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)을 마련한다.
이때, 양극 리드 프레임(20)은 후방측 단부를 수직으로 상향 절곡하여 탄탈 와이어(11)에 전기적으로 연결되는 탄탈 와이어 접속부(21)로 형성한다. 또한, 음극 리드 프레임(30)은 식각 또는 프레스 금형 등의 방법에 의해 하면에 단턱(31a)을 형성한다.
다음으로, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)을 수평으로 서로 마주보게 나란히 배치한다.
이때, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 하면에 내열성 테이프(60)를 서로 연결되게 부착할 수 있다. 내열성 테이프(60)는 이후 진행되는 몰딩 공정에서 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 표면이 오염되는 것을 방지하기 위한 것이다.
다음으로, 음극 리드 프레임(30)의 전방측 단부의 상면에 캐패시터 본체(10)를 실장한다. 이렇게 캐패시터 본체(10)가 실장되는 부분은 앞서 실장부(31)로 지칭한 바 있다.
이와 함께, 캐패시터 본체(10)의 탄탈 와이어(11)를 양극 리드 프레임(20)의 탄탈 와이어 접속부(21)에 접촉되도록 한 상태에서, 탄탈 와이어(11)와 탄탈 와이어 접속부(21)를 스폿 용접(spot welding) 또는 레이저 용접(laser welding)하거나 도전성 접착제를 도포하여 전기적으로 부착한다.
이때, 음극 리드 프레임(30)의 실장부(31)에는 캐패시터 본체(10)를 실장하기 전에 도전성 접착제를 미리 도포하여 소정 두께의 도전성 접착층(50)을 형성함으로써 음극 리드 프레임(30)과 캐패시터 본체(10) 간의 고착 강도를 향상시킬 수 있다. 이러한 도전성 접착층(50)의 경화를 위해 이후 약 100 내지 200 ℃의 온도로 경화하는 공정을 수행할 수 있다.
다음으로, 음극 리드 프레임(30)의 음극 단자부(32) 및 양극 리드 프레임(20)의 양극 단자부(22)가 외부로 노출되도록 이러한 부분을 제외하고, 탄탈 와이어(11) 및 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 수지 등을 몰딩하여 몰딩부(40)를 형성한다. 몰딩부(40)는 외부로부터 탄탈 와이어(11) 및 캐패시터 본체(10)를 보호하는 역할을 수행한다.
이러한 몰딩부(40) 형성 작업이 완료되면, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 하면에 부착되어 있는 내열성 테이프(60)를 제거한다.
다음으로, 몰딩부(40)의 외부로 노출된 음극 리드 프레임(30)의 음극 단자부(32)에 도전성 접착제를 도포하고 수직으로 상향 절곡하여 몰딩부(40)의 후방측 단면에 부착시킨다.
이와 함께, 몰딩부(40)의 외부로 노출된 양극 리드 프레임(20)의 양극 단자부(22)를 수직으로 상향 절곡하여 몰딩부(40)의 전방측 단면에 부착시켜 탄탈륨 캐패시터(1)를 완성한다. 이때, 양극 단자부(22)를 절곡하기 이전에 양극 단자부(22)의 일면에 접착제를 도포하여 몰딩부(40)와의 고착 강도를 높일 수 있다.
한편, 양극 및 음극 단자부(22, 32)는 절곡하기 전에 캐패시터 본체(10)의 크기 등을 고려하여 적당한 길이로 절단할 수 있다.
도 5를 참조하면, 평판형의 양극 리드 프레임(20')은, 탄탈 와이어(11)에 연결되는 탄탈 와이어 접속부(21)와, 몰딩부(40)의 단면에 부착되는 양극 단자부(22)와, 탄탈 와이어 접속부(21) 및 양극 단자부(22)를 지지하는 연결부(24)를 구성하기 위해 절곡됨이 용이하도록, 그 상면에 2 개의 절곡용 홈(20a, 20b)을 형성할 수 있다.
즉, 2 개의 절곡용 홈(20a, 20b)이 탄탈 와이어 접속부(21) 및 양극 단자부 (22) 절곡시 충격을 완화시켜 양극 리드 프레임(20')이 휘거나 변형되는 현상을 방지할 수 있다.
도 6을 참조하면, 평판형의 음극 리드 프레임(30')의 상면에 절곡용 홈(30a)을 형성할 수 있다. 절곡용 홈(30a)은 음극 단자부(32)를 절곡할 때의 충격을 완화시켜 음극 리드 프레임(30')이 휘거나 변형되는 현상을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
1 ; 탄탈륨 캐패시터 10 ; 캐패시터 본체
11 ; 탄탈 와이어 20 ; 양극 리드 프레임
21 ; 탄탈 와이어 접속부 22 ; 양극 단자부
23, 33, 50 ; 접착층 24 ; 연결부
30 ; 음극 리드 프레임 31 ; 실장부
32 ; 음극 단자부 40 ; 몰딩부
41 ; 몰드 결합부 60 ; 절연성 테이프

Claims (12)

  1. 탄탈 분말을 포함하며, 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체;
    상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸도록 형성된 몰딩부;
    상기 탄탈 와이어와 전기적으로 연결된 양극 리드 프레임;
    상기 캐패시터 본체가 실장되며 하면에 단턱이 형성된 실장부와, 상기 실장부에서 절곡되어 상기 몰딩부의 일 단면에 밀착되는 음극 단자부를 갖는 음극 리드 프레임; 및
    상기 몰딩부의 일 단면과 상기 음극 단자부 사이에 형성된 접착층; 을 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 양극 리드 프레임은 상기 몰딩부의 타 단면에 밀착되는 양극 단자부를 가지며, 상기 몰딩부의 타 단면과 상기 양극 단자부 사이에 접착층이 형성된 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 캐패시터 본체의 하면과 상기 음극 리드 프레임의 실장부 사이에 도전성 접착층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접착층은 에폭시계의 열경화성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 양극 단자부 및 상기 음극 단자부의 면적은 상기 몰딩부의 일 단면에 대해 30 % 이상인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  6. 평판형의 양극 및 음극 리드 프레임을 마련하는 단계;
    상기 양극 리드 프레임은 일 단부를 수직으로 절곡하여 탄탈 와이어 접속부를 형성하고, 상기 음극 리드 프레임은 하면에 단턱을 형성하는 단계;
    상기 양극 및 음극 리드 프레임을 수평으로 서로 마주보게 배치하는 단계;
    상기 음극 리드 프레임의 일 단부의 상면에 캐패시터 본체를 실장하고, 상기 캐패시터 본체의 탄탈 와이어를 상기 양극 리드 프레임의 탄탈 와이어 접속부에 부착하는 단계;
    상기 양극 및 음극 리드 프레임의 단부가 각각 노출되도록, 상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸는 수지를 몰딩하여 몰딩부를 형성하는 단계; 및
    상기 음극 리드 프레임의 노출된 단부에 접착제를 도포하고 절곡하여 상기 몰딩부의 일 단면에 부착시키며, 상기 양극 리드 프레임의 노출된 단부를 절곡하여 상기 몰딩부의 타 단면에 부착시키는 단계; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 양극 리드프레임의 노출된 단부를 절곡하기 이전에, 상기 양극 리드 프레임의 노출된 단부에 접착제를 도포하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 캐패시터 본체를 실장하기 이전에, 상기 음극 리드 프레임의 일 단부의 상면에 도전성 접착제를 도포하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 캐패시터 본체를 실장하기 이전에, 상기 양극 및 음극 리드 프레임의 하면에 내열성 테이프를 부착하며, 상기 내열성 테이프는 상기 몰딩부를 형성한 이후에 제거하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 음극 리드 프레임의 노출된 단부에 접착제를 도포하고 절곡하여 상기 몰딩부의 일 단면에 부착시키는 단계에서, 상기 접착제는 에폭시 계열의 열경화성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 평판형의 양극 리드 프레임을 마련하는 단계에서, 상기 양극 리드 프레임은, 상기 탄탈 와이어에 연결되는 탄탈 와이어 접속부와, 상기 몰딩부의 타 단면에 부착되는 양극 단자부와, 상기 탄탈 와이어 접속부 및 상기 양극 단자부를 지지하는 연결부를 구성하기 위해 절곡되도록, 상면에 2 개의 절곡용 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 평판형의 음극 리드프레임을 형성하는 단계에서, 상기 음극 리드 프레임은, 상기 몰딩부의 일 단면에 부착되는 음극 단자부를 구성하기 위해 절곡되도록, 상면에 절곡용 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
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