KR20140020196A - 인쇄물 및 인쇄물의 제조방법 - Google Patents

인쇄물 및 인쇄물의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140020196A
KR20140020196A KR1020130091921A KR20130091921A KR20140020196A KR 20140020196 A KR20140020196 A KR 20140020196A KR 1020130091921 A KR1020130091921 A KR 1020130091921A KR 20130091921 A KR20130091921 A KR 20130091921A KR 20140020196 A KR20140020196 A KR 20140020196A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
layer
printed
pattern
surface energy
Prior art date
Application number
KR1020130091921A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101529778B1 (ko
Inventor
김대현
이승헌
김주연
박미희
이어라
이원주
이혜라
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to TW102127919A priority Critical patent/TWI542478B/zh
Publication of KR20140020196A publication Critical patent/KR20140020196A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101529778B1 publication Critical patent/KR101529778B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F7/00—Rotary lithographic machines
    • B41F7/02—Rotary lithographic machines for offset printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/22—Metallic printing; Printing with powdered inks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/24—Inking and printing with a printer's forme combined with embossing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F110/00—Homopolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
    • C08F110/02—Ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F110/00—Homopolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
    • C08F110/04—Monomers containing three or four carbon atoms
    • C08F110/06—Propene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F116/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical
    • C08F116/02—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical by an alcohol radical
    • C08F116/04—Acyclic compounds
    • C08F116/06—Polyvinyl alcohol ; Vinyl alcohol
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F122/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof
    • C08F122/36—Amides or imides
    • C08F122/40—Imides, e.g. cyclic imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/12—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/123—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds the acids or hydroxy compounds containing carbocyclic rings
    • C08G63/127—Acids containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/12—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/123—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds the acids or hydroxy compounds containing carbocyclic rings
    • C08G63/127—Acids containing aromatic rings
    • C08G63/13—Acids containing aromatic rings containing two or more aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
    • C08G69/02—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids
    • C08G69/26—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G75/20—Polysulfones
    • C08G75/23—Polyethersulfones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09D133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C09D133/12—Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/18—Homopolymers or copolymers of nitriles
    • C09D133/20—Homopolymers or copolymers of acrylonitrile
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 출원은 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계; 및 인쇄판과 잉크층을 접촉함으로써 잉크층에서 원하는 패턴 이외의 부분을 제거하여 기재 상에 인쇄패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 인쇄물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원의 제조방법에 따르면 인쇄 패턴의 정밀도가 우수하고, 제조 공정이 간단하여 비용 절감에 효과적이다.

Description

인쇄물 및 인쇄물의 제조방법{PRINTED MATTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 출원은 인쇄물, 인쇄물의 제조방법 및 인쇄방법에 사용되는 기재에 관한 것이다. 본 출원은 2012년 8월 7일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0086176호의 출원일의 이익을 주장하고, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
디스플레이 기판에 있어서, 종래의 패턴을 형성하기 위해서는 포토 리소그라피 방법을 주로 사용하였으나, 패턴의 형성 공정이 복잡하거나, 제조 비용이 고가이거나, 성능에 문제점이 있었다.
그래서, 종래의 패턴 형성방법보다 좀 더 단순하고, 비용이 절감되면서도 성능을 개선할 수 있는 방법을 개발할 필요가 있었다.
일반적으로 액정 표시 장치, 반도체 소자 등의 전자 소자는 기판 상에 수많은 층들의 패턴이 형성되어 제작된다. 이러한 패턴을 형성하기 위해서 지금까지는 포토리소그래피 공정이 주로 많이 사용되어 왔다. 그러나, 포토리소그래피 공정은 소정의 패턴 마스크를 제작해야 하고, 화학적 에칭, 스트립핑 과정을 반복해야 하므로 제작공정이 복잡하고, 환경에 유해한 화학 폐기물을 다량 발생시키는 문제점이 있다. 이는 곧 제작비용의 상승으로 연결되어 제품의 경쟁력을 떨어뜨린다. 이러한 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위하여 인쇄 기법을 통해 미세 패턴을 형성하는 방법들이 개발되고 있다. 인쇄기법을 통해 미세 패턴을 제조할 경우, 공정이 단순하고, 원재료의 소모를 최소화할 수 있을 뿐 아니라, 폐액이 발생하지 않아 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다.
한편, 미세 패턴 형성이 가능한 인쇄 기법으로는 그라비아 인쇄, 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄 등을 들 수 있는데, 이중에서도 오프셋 인쇄는 비교적 미세한 인쇄 패턴을 균일한 두께로 제조할 수 있기 때문에 특히 유용하다.
특히, 리버스 오프셋 인쇄 공정은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 고무 재질의 블랭킷(blanket)에 잉크를 도포한 후, 인쇄판에 의해 원하지 않는 패턴부를 제거한 후, 블랭킷에 남아 있는 패턴부를 기판으로 전사하는 방식에 의해 미세 패턴을 형성하는 방법이다.
상기 리버스 오프셋 인쇄 공정의 일반적인 방법을 하기 도 1에 나타내었다.
리버스 오프셋 인쇄 방법은 패턴 형성에 있어서, 비용이 절감되고, 생산속도가 향상된다는 측면에서 매우 각광받는 기술이지만, 연속 인쇄시에는 잉크에 함유된 용매에 의해 블랭킷이 팽윤(swelling)되어 정밀한 패턴을 얻기 어렵다는 문제가 있다.
그래서, 연속 인쇄시 패턴의 정밀도가 떨어지는 리버스 오프셋 인쇄 공정의 단점을 개선할 수 있는 다른 방법을 개발할 필요가 있었다.
한국공개특허 제10-2008-0090890호
본 출원이 해결하고자 하는 과제는 공정 효율을 개선하거나 공정을 단순화하여 비용을 절감할 수 있고, 연속 인쇄시에도 인쇄 패턴의 정밀도가 떨어지지 않는 인쇄물의 제조 방법 및 그에 따라 제조된 인쇄물을 제공하는 것이다.
본 출원의 일 구현예는 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계; 및 인쇄판과 잉크층을 접촉함으로써 잉크층에서 원하는 패턴 이외의 부분을 제거하여 기재 상에 인쇄패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 인쇄물의 제조 방법을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 표면 에너지가 22 mN/m 내지 50mN/m 이고, 가시광선 투과율이 80% 이상인, 상기 제조 방법에 사용되는 기재를 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 기재의 적어도 한 면이 표면 처리되고, 기재의 표면 처리된 면의 표면 에너지가 20 mN/m 내지 40mN/m 이고, 가시광선 투과율이 80% 이상인, 상기 제조 방법에 사용되는 기재를 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 기재에 코팅될 때의 표면 에너지가 18 mN/m 내지 30 mN/m 인 상기 제조 방법에 사용되는 롤 프린틴용 잉크 조성물을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 제조방법에 의해 제조된 인쇄물을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 기재; 및 상기 기재의 일 면에 구비된 인쇄패턴층을 포함하는 인쇄물을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 인쇄물을 포함하는 디스플레이 기판을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 디스플레이 기판을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 인쇄물은 인쇄 패턴의 정밀도가 우수하고, 인쇄물 제조방법은 공정이 단순화되어 비용 절감 효과가 크다.
도 1은 리버스 오프셋 인쇄 방법을 나타낸 것이다.
도 2는 본 출원의 일 구현예에 따른 인쇄물의 제조 방법을 나타낸 것이다.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 구현예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 구현예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 구현예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 기술 및 과학적 용어를 포함하는 모든 용어는 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 본 출원을 상세히 설명한다.
본 출원의 일 구현예는 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계; 및 인쇄판과 잉크층을 접촉함으로써 잉크층에서 원하는 패턴 이외의 부분을 제거하여 기재 상에 인쇄패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 인쇄물의 제조 방법을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계; 및 인쇄판과 잉크층을 접촉함으로써 잉크층에서 원하는 패턴 이외의 부분을 제거하여 기재 상에 인쇄패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 인쇄 방법을 제공한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 방법은 상기 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계 이전에, 잉크층과 접촉하는 기재의 면을 표면 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기재의 표면 에너지는 22 mN/m 내지 50 mN/m 일 수 있다. 잉크층과 접촉하는 기재의 면을 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 경우, 표면 처리된 기재의 표면 에너지는 20 mN/m 내지 40 mN/m 일 수 있다.
구체적으로, 인쇄패턴층 형성에 적합하도록 기재의 표면 에너지를 조절할 수 있도록 기재의 표면을 처리할 수 있다. 또는 기재의 표면 처리의 한 예로, 인쇄패턴층과 접촉하는 기재의 면 상에 코팅층을 구비할 수 있다. 본 출원의 일 구현예에서 상기 코팅층은 이형 특성을 갖는 물질의 농도나 조성을 조절하여 이형 특성을 조절할 수 있다. 또한 상기 코팅층은 이형 성분의 구성 중에 반응성기를 함유할 수 있어서, 상기 반응성기의 농도와 조성을 조절하여 인쇄패턴층을 형성하고 건조하는 단계에서 UV 경화 또는 열처리에 의해 기재와 반응하게 하거나 인쇄패턴층에 함유된 반응성기와 반응하게 하여 접착 특성을 조절할 수 있다. 상기 이형 특성을 갖는 물질은 구체적으로 실리콘계 이형성 물질 또는 불소계 이형성 물질을 포함하는 조성물에 의하여 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 이형성 물질로서 실리콘계는 폴리오르가노실록산, 폴리하이드로젠실록산 및 그들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 것이 사용될 수 있고, 불소계로는 테트라플루오로에틸렌 수지, 퍼플루오로알킬기를 함유하는 에스테르 화합물 및 그의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 것이 사용될 수 있으며, 이들 물질의 농도나, 조성 등을 조절하여 사용할 수도 있다.
상기 코팅층은 인쇄 패턴층을 도 2에 나타낸 방법에 의하여 형성한 후 UV 를 조사하거나 열을 가하면 기재 또는 인쇄 패턴층의 접착력을 증가시키는 것일 수 있다. 코팅층의 접착력이 증가되면 기재와 인쇄패턴층의 접착력을 증가시켜, 인쇄패턴층이 잘 떨어지지 않도록 하는 효과가 있다. 상기 코팅층은 구체적으로 UV 를 조사하거나 열을 가하면 접착력이 증가되는 반응성 기를 포함하는 것일 수 있다. 상기 반응성 기는 구체적으로 히드록시기, 카르복시기, 아민기, 술폰산기, 에폭시기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 코팅층은 UV를 조사하거나 열을 가하면 기재와 인쇄패턴층의 접착력이 증가할 수 있다.
상기 코팅층의 두께는 1 나노미터 내지 10 마이크로미터일 수 있다. 1 나노미터 이상이면 코팅층의 두께가 너무 얇아서 인쇄패턴층과 기재와의 사이에서 코팅층의 역할을 제대로 수행할 수 없게 되는 문제를 방지할 수 있고, 10 마이크로미터 이하이면 코팅층이 너무 두꺼워서 인쇄패턴이 형성된 기판의 투과도가 감소하거나 기재와의 접착력이 약해질 수 있는 문제를 방지할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 방법의 상기 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계에서, 사용되는 잉크의 표면에너지는 18 mN/m 내지 30 mN/m 일 수 있다. 잉크층을 코팅하는 잉크 조성물에는 다량의 용매가 포함되어 있고, 유기용매가 주성분이므로 용매 자체의 표면 장력, 용매의 성분, 그 외 잉크 조성물의 구성 성분, 계면활성제와의 상용성 등의 특성에 의해 잉크 조성물의 표면 에너지는 18 mN/m 내지 30 mN/m 일 수 있다.
상기 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계에서, 코팅의 불량 없이 양호한 코팅층을 형성하기 위해서는 잉크의 표면에너지가 기재의 표면에너지보다 낮아야 하며 일반적으로 잉크와 기재의 표면에너지 차이가 클수록 잉크의 웨팅(Wetting) 특성이 좋아져서 양호한 코팅층을 형성할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 방법에서 상기 인쇄판은 원하는 패턴을 음각부로 구비하고, 원하는 패턴 이외의 부분을 양각부로 구비한 것일 수 있다. 상기 인쇄판은 롤 또는 평판 형상일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 방법의 상기 인쇄패턴층을 형성하는 단계에서, 상기 인쇄패턴층은 인쇄판의 양각부와 잉크층을 접촉함으로써 잉크층에서 원하는 패턴 이외의 부분을 제거함으로써 형성할 수 있다.
상기 인쇄패턴층의 선고(높이)는 0.1 마이크로미터 내지 10 마이크로미터, 구체적으로 0.5 마이크로미터 내지 5 마이크로미터일 수 있다.
상기 인쇄패턴층의 패턴은 디스플레이 기판에서 사용될 수 있는 패턴일 수 있고, 구체적으로 컬러 필터, 블랙 매트릭스, 칼럼 스페이서, 게이트 라인, 데이터 라인, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 터치 패널의 베젤 패턴, 터치 센서의 브릿지 패턴 및 터치 센서의 전극 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 패턴일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 방법에서 상기 양각부의 표면 에너지는 50 mN/m 이상인 것이 바람직하다. 상기 기재에 도포된 잉크층과 인쇄판의 양각부를 접촉시켜 기재로부터 잉크층에서 원하지 않는 패턴 부분을 제거하기 위해서는 인쇄판 양각부의 표면 에너지가 기재의 표면 에너지보다 높은 것이 바람직하다.
본 출원의 일 구현예에 따른 방법은 상기 인쇄패턴층을 형성하는 단계 이후에, 인쇄패턴층을 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 건조하는 단계는 UV를 조사하거나 소성하여 수행할 수 있다.
상기 소성 온도는 190℃ 이하, 더욱 구체적으로는 150℃이하인 것이 효과가 좋다. 상기 건조하는 단계에서 UV를 조사하거나 소성하면 기재와 인쇄패턴층간의 접착력을 향상시킬 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 방법의 인쇄패턴층을 건조하는 단계 이후에, 최종적으로 형성된 인쇄 패턴층의 표면 에너지는 20mN/m 내지 50 mN/m 일 수 있다. 건조 단계에서 용매 성분이 대부분 제거되어 인쇄패턴층의 표면 에너지는 2 mN/m 내지 20 mN/m까지 증가할 수 있기 때문이다. 이때, 기재와 인쇄 패턴층과의 표면 에너지는 거의 차이가 없다.
상기 인쇄패턴층을 건조하는 단계 이전에는, 기재와 인쇄패턴층 사이의 계면에서 기재의 표면 에너지와 인쇄패턴층의 표면 에너지의 차이가 0 mN/m 초과 20 mN/m 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 인쇄물의 제조 방법 또는 인쇄 방법은 리버스 오프셋 인쇄 방법과 비교하여, 블랭킷(blanket)에 잉크를 도포하는 단계가 생략되고, 블랭킷에 남아 있는 패턴부를 기판으로 전사하는 단계도 생략된다. 그리고, 리버스 오프셋 인쇄 방법에서 오프 과정인 인쇄판에 의해 원하지 않는 패턴부를 제거하는 단계만 포함되므로, 제조 공정이 매우 단순해지는 장점이 있다. 또한, 본 출원은 블랭킷을 사용하지 않으므로, 블랭킷의 스웰링(swelling)과 디스웰링(deswelling)에 의해 리버스 오프셋 인쇄 방법에 따른 연속 인쇄시 패턴의 정밀도와 얼라인(align)의 정밀도가 크게 떨어지는 문제점이 없다. 따라서, 본 출원의 일 구현예에 따른 인쇄물의 제조 방법 또는 인쇄방법은 공정이 간단하여 비용 절감의 효과가 있을 뿐만 아니라, 연속 인쇄시에도 제조된 인쇄물의 패턴의 정밀도가 떨어지지 않는 장점이 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 인쇄물의 제조 방법 또는 인쇄 방법에 의해 제조된 인쇄물을 제공한다.
상기 인쇄물의 제조 방법 또는 인쇄 방법에 의해 제조된 인쇄물은 경화 또는 건조 전 기재와 인쇄패턴층 사이의 계면에서 기재의 표면 에너지와 인쇄패턴층의 표면 에너지의 차이가 0 mN/m 초과 20 mN/m 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 표면 에너지가 22 mN/m 내지 50mN/m 이고, 가시광선 투과율이 80% 이상인, 상기 인쇄물의 제조 방법 또는 인쇄 방법에 사용되는 기재를 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 기재의 적어도 한 면이 표면 처리되고, 기재의 표면 처리된 면의 표면 에너지가 20 mN/m 내지 40mN/m 이고, 가시광선 투과율이 80% 이상인, 상기 인쇄물의 제조 방법 또는 인쇄 방법에 사용되는 기재를 제공한다. 상기 기재의 표면 처리에 관한 설명은 상술한 바와 같다.
상기 방법에서 사용되는 기재는 플라스틱 필름일 수 있다. 상기 플라스틱은 구체적으로, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate: PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(Polybutyleneterephthalate: PBT), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate: PEN), 폴리부틸렌나프탈레이트(Polybutylenenaphthalate: PBN), 폴리아크릴로니트릴(Polyacrylonitirile: PAN), 폴리메틸 메타크릴산(Polymethylmethacrylate: PMMA), 폴리비닐알코올(Polyvinylalcolol: PVA), 폴리아미드(Polyamide: PA), 폴리이미드(Polyimide:PI), 폴리카보네이트(Polycarbonate: PC), 폴리에테르설폰(Polyether sulfone: PES), 폴리아미드(Polyamide: PA), 폴리비닐알코올(Polyvinylalcolol: PVA), 나일론(Nylon), 폴리에틸렌(Polyetylene: PE) 및 폴리프로필렌(Polypropylene: PP)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합 수지일 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 기재에 코팅될 때의 표면 에너지가 18 mN/m 내지 30 mN/m 인 상기 인쇄물의 제조 방법 또는 인쇄 방법에 사용되는 롤 프린틴용 잉크 조성물을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 기재; 및 상기 기재의 일 면에 구비된 인쇄패턴층을 포함하는 인쇄물을 제공한다.
상기 인쇄물은 경화 또는 건조 전 기재와 인쇄패턴층 사이의 계면에서 기재의 표면 에너지와 인쇄패턴층의 표면 에너지의 차이가 0 mN/m 초과 20 mN/m 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서 상기 기재는 인쇄패턴층과 접촉하는 일 면이 표면 처리된 것일 수 있다. 상기 기재의 표면 처리에 관한 설명은 상술한 바와 같다. 상기 기재는 인쇄패턴층과 접촉하는 면 상에 코팅층을 구비한 것일 수 있다. 코팅층에 관한 설명은 상술한 바와 같다.
상기 기재는 플라스틱 필름일 수 있고, 구체적인 설명은 상술한 바와 같다.
본 출원의 일 구현예에 따른 인쇄물에서 인쇄패턴층의 선고(높이)는 0.1 마이크로미터 내지 10 마이크로미터, 구체적으로 0.5 마이크로미터 내지 5 마이크로미터일 수 있다.
상기 인쇄패턴층의 패턴은 디스플레이 기판에서 사용될 수 있는 패턴일 수 있고, 구체적으로 컬러 필터, 블랙 매트릭스, 칼럼 스페이서, 게이트 라인, 데이터 라인, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 터치 패널의 베젤 패턴, 터치 센서의 브릿지 패턴 및 터치 센서의 전극 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 패턴일 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 인쇄물을 포함하는 디스플레이 기판을 제공한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 상기 디스플레이 기판은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD) 패널, 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 패널, 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT) 패널, OLED 디스플레이 패널 또는 터치 패널 등을 포함한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 디스플레이 기판을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
도 1은 리버스 오프셋 인쇄 방법을 나타낸 것이다. 도 1에 있어서, 도면부호 10은 상기 블랭킷 상에 금속 패턴 재료를 코팅하는 코터이고, 도면부호 20은 블랭킷을 지지하기 위한 인쇄롤이고, 도면부호 21은 블랭킷이며, 도면부호 22는 블랭킷 상에 도포된 잉크 조성물이다. 도면부호 30은 패턴을 갖는 인쇄판이며, 이는 형성하고자 하는 패턴에 대응하는 패턴이 음각으로 형성되어 있다. 도면부호 31은 인쇄판과 기재를 지지하는 스테이지이고, 도면부호 40은 인쇄물이고, 도면부호 210은 인쇄물에 전사된 인쇄 패턴이다.
도 2는 본 출원의 일 구현예에 따른 인쇄물의 제조 방법을 나타낸 것이다. 도 2에서, 도면 부호 100은 기재이고, 도면부호 110은 표면 처리층을 나타낸 것이고, 도면부호 200은 표면 처리된 기재에 도포된 잉크층이고, 도면 부호 210은 인쇄판과 접촉시킴으로써, 잉크층에서 원하는 패턴 이외의 부분이 제거되어 패턴이 형성된 인쇄패턴층을 나타낸 것이고, 도면부호 40은 소성 과정을 통해 제조된 인쇄물을 나타낸 것이다.
본 출원이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 출원의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
이상으로 본 출원의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 출원의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백하다. 따라서, 본 출원의 실질적인 범위는 첨부된 청구항과 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
10: 코터
20: 인쇄롤
21: 블랭킷
22: 잉크 조성물
30: 인쇄판
31: 스테이지
40: 인쇄물
100: 기재
110: 표면 처리층
200: 잉크층
210: 인쇄패턴층

Claims (32)

  1. 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계; 및
    인쇄판과 잉크층을 접촉함으로써 잉크층에서 원하는 패턴 이외의 부분을 제거하여 기재 상에 인쇄패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 인쇄물의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계 이전에,
    잉크층과 접촉하는 기재의 면을 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 기재와 잉크층 사이의 계면에서의 기재의 표면 에너지는 20 mN/m 내지 40 mN/m 인 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 표면 처리하는 단계는 잉크층과 접촉하는 기재의 면에 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 코팅층은 실리콘계 이형성 물질 또는 불소계 이형성 물질을 포함하는 조성물로 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 코팅층은 폴리오르가노실록산 또는 그의 유도체, 폴리하이드로젠실록산 또는 그의 유도체, 테트라플루오로에틸렌 수지, 퍼플루오로알킬기를 함유하는 에스테르 화합물 및 그의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 조성물에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조방법.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 코팅층은 UV 를 조사하거나 열을 가하면 접착력이 증가하도록 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 코팅층은 히드록시기, 카르복시기, 아민기, 술폰산기, 에폭시기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어진 군에서 선택되는 반응성 기를 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  9. 청구항 4에 있어서,
    상기 코팅층의 두께는 1 나노미터 내지 10 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 기재 상에 잉크층을 코팅하는 단계에서 사용되는 잉크의 표면에너지는 18 mN/m 내지 30 mN/m 이고,
    잉크의 표면에너지가 기재의 표면에너지보다 낮은 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 인쇄패턴층을 형성하는 단계에서,
    상기 인쇄판은 원하는 패턴을 음각부로 구비하고, 원하는 패턴 이외의 부분을 양각부로 구비한 것이고,
    상기 인쇄패턴층은 인쇄판의 양각부와 잉크층을 접촉함으로써 잉크층에서 원하는 패턴 이외의 부분을 제거함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 양각부의 표면 에너지는 50 mN/m 이상이고,
    양각부의 표면 에너지가 기재의 표면 에너지보다 높은 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 인쇄판은 롤 또는 평판 형상인 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조방법.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 인쇄패턴층을 형성하는 단계 이후에,
    인쇄패턴층을 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 건조하는 단계는 UV를 조사하거나 190℃ 이하의 온도에서 소성하여 수행하는 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  16. 청구항 14에 있어서,
    인쇄패턴층을 건조하는 단계 이전에,
    상기 기재와 인쇄패턴층 사이의 계면에서 기재의 표면 에너지와 인쇄패턴층의 표면 에너지의 차이는 0 mN/m 초과 20 mN/m 이하인 것을 특징으로 하는 인쇄물의 제조 방법.
  17. 표면 에너지가 22 mN/m 내지 50mN/m 이고, 가시광선 투과율이 80% 이상인, 청구항 1 내지 청구항 16 중 어느 한 항의 제조 방법에 사용되는 기재.
  18. 기재의 적어도 한 면이 표면 처리되고, 기재의 표면 처리된 면의 표면 에너지가 20 mN/m 내지 40mN/m 이고, 가시광선 투과율이 80% 이상인, 청구항 1 내지 청구항 16 중 어느 한 항의 제조 방법에 사용되는 기재.
  19. 기재에 코팅될 때의 표면 에너지가 18 mN/m 내지 30 mN/m 인 청구항 1 내지 청구항 16 중 어느 한 항의 제조 방법에 사용되는 롤 프린틴용 잉크 조성물.
  20. 청구항 1 내지 청구항 16 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된 인쇄물.
  21. 기재; 및
    상기 기재의 일 면에 구비된 인쇄패턴층을 포함하는 인쇄물.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 인쇄물은 경화 전 기재와 인쇄패턴층 사이의 계면에서 기재의 표면 에너지와 인쇄패턴층의 표면 에너지의 차이가 0 mN/m 초과 20 mN/m 이하인 것을 특징으로 하는 인쇄물.
  23. 청구항 21에 있어서,
    상기 기재는 인쇄패턴층과 접촉하는 면이 표면 처리된 것을 특징으로 하는 인쇄물.
  24. 청구항 23에 있어서,
    상기 기재는 인쇄패턴층과 접촉하는 면 상에 코팅층을 구비한 것을 특징으로 하는 인쇄물.
  25. 청구항 24에 있어서,
    상기 코팅층은 실리콘계 이형성 물질 또는 불소계 이형성 물질을 포함하는 조성물에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄물.
  26. 청구항 24에 있어서,
    상기 코팅층의 두께는 1 나노미터 내지 10 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 인쇄물.
  27. 청구항 21에 있어서,
    상기 기재는 플라스틱 필름인 것을 특징으로 하는 인쇄물.
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 플라스틱은 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate: PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(Polybutyleneterephthalate: PBT), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate: PEN), 폴리부틸렌나프탈레이트(Polybutylenenaphthalate: PBN), 폴리아크릴로니트릴(Polyacrylonitirile: PAN), 폴리메틸 메타크릴산(Polymethylmethacrylate: PMMA), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcolol: PVA), 폴리카보네이트(Polycarbonate: PC), 폴리에테르설폰(Polyether sulfone: PES), 폴리아미드(Polyamide: PA), 폴리이미드(Polyimide: PI), 폴리아미드(Polyamide: PA), 폴리비닐알코올(Polyvinylalcolol: PVA), 나일론(Nylon), 폴리에틸렌(Polyetylene: PE) 및 폴리프로필렌(Polypropylene:PP)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합 수지인 것을 특징으로 하는 인쇄물.
  29. 청구항 21에 있어서,
    상기 인쇄패턴층의 패턴은 컬러 필터, 블랙 매트릭스, 칼럼 스페이서, 게이트 라인, 데이터 라인, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 터치 패널의 베젤 패턴, 터치 센서의 브릿지 패턴 및 터치 센서의 전극 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 패턴인 것을 특징으로 하는 인쇄물.
  30. 청구항 21 내지 청구항 29 중 어느 한 항의 인쇄물을 포함하는 디스플레이 기판.
  31. 청구항 30에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD) 패널, 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 패널, 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT) 패널, OLED 디스플레이 패널 또는 터치 패널인 것을 특징으로 하는 디스플레이 기판.
  32. 청구항 30의 디스플레이 기판을 포함하는 전자 소자.
KR1020130091921A 2012-08-07 2013-08-02 인쇄물 및 인쇄물의 제조방법 KR101529778B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102127919A TWI542478B (zh) 2012-08-07 2013-08-05 印刷品、印刷品的製造方法、用於所述方法的基板、用於所述方法的墨水組成物、包括所述印刷品的顯示器基板以及包含所述顯示器基板的電子裝置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120086176 2012-08-07
KR1020120086176 2012-08-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140020196A true KR20140020196A (ko) 2014-02-18
KR101529778B1 KR101529778B1 (ko) 2015-06-17

Family

ID=50068344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130091921A KR101529778B1 (ko) 2012-08-07 2013-08-02 인쇄물 및 인쇄물의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150218394A1 (ko)
KR (1) KR101529778B1 (ko)
CN (1) CN104520971A (ko)
TW (1) TWI542478B (ko)
WO (1) WO2014025164A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106029390A (zh) * 2014-02-19 2016-10-12 惠普发展公司，有限责任合伙企业 可印刷介质

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10488753B2 (en) 2015-09-08 2019-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography
US20170066208A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10134588B2 (en) 2016-03-31 2018-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10620539B2 (en) 2016-03-31 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10095106B2 (en) 2016-03-31 2018-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
KR102143261B1 (ko) 2016-04-01 2020-08-10 주식회사 엘지화학 잉크 조성물, 이로 제조된 경화 패턴, 이를 포함하는 발열체 및 이의 제조방법
US10509313B2 (en) 2016-06-28 2019-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10317793B2 (en) * 2017-03-03 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography
KR20220006670A (ko) 2020-07-08 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4768099B2 (ja) * 2000-02-08 2011-09-07 帝人株式会社 フィルムロール
FI20030919A (fi) * 2003-06-19 2004-12-20 Avantone Oy Menetelmä ja laitteisto elektronisen ohutkalvokomponentin valmistamiseksi sekä elektroninen ohutkalvokomponentti
JP4828791B2 (ja) * 2003-10-24 2011-11-30 光村印刷株式会社 精密パターニング用インキ組成物
JP2005246712A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Hitachi Chem Co Ltd レジストパターン形成法、電子部品の製造方法、および電子部品
US8071174B2 (en) * 2009-04-03 2011-12-06 John Mezzalingua Associates, Inc. Conductive elastomer and method of applying a conductive coating to elastomeric substrate
JP2007155994A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Toyobo Co Ltd 芯鞘型機能繊維
DE102006013637A1 (de) * 2006-03-22 2007-10-04 Man Roland Druckmaschinen Ag Druckform sowie Druckwerk einer Druckmaschine
IL182371A0 (en) * 2006-04-04 2007-07-24 Hanita Coatings R C A Ltd Patterns of conductive objects on a substrate and method of producing thereof
JP4426618B2 (ja) * 2007-01-11 2010-03-03 住友ゴム工業株式会社 反転印刷用インキ、それを用いた反転印刷方法、液晶カラーフィルタおよび液晶カラーフィルタの製造方法
KR100941590B1 (ko) * 2007-03-09 2010-02-11 주식회사 엘지화학 음각 인쇄에 의한 미세패턴 인쇄방법
JP4375499B2 (ja) * 2007-03-15 2009-12-02 Ｄｉｃ株式会社 凸版反転印刷用導電性インキ
KR100957703B1 (ko) * 2007-04-13 2010-05-12 주식회사 엘지화학 미세패턴 형성 방법
KR20090127694A (ko) * 2008-06-09 2009-12-14 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 패턴형성장치 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR20100032073A (ko) * 2008-09-17 2010-03-25 삼성전자주식회사 인쇄판, 그의 제조 방법 및 이를 이용한 인쇄 방법
KR101763669B1 (ko) * 2009-03-31 2017-08-01 디아이씨 가부시끼가이샤 유기 반도체 잉크 조성물 및 이를 사용한 유기 반도체 패턴 형성 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106029390A (zh) * 2014-02-19 2016-10-12 惠普发展公司，有限责任合伙企业 可印刷介质
US9919551B2 (en) 2014-02-19 2018-03-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable medium

Also Published As

Publication number Publication date
US20150218394A1 (en) 2015-08-06
TW201422455A (zh) 2014-06-16
TWI542478B (zh) 2016-07-21
KR101529778B1 (ko) 2015-06-17
CN104520971A (zh) 2015-04-15
WO2014025164A1 (ko) 2014-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101529778B1 (ko) 인쇄물 및 인쇄물의 제조방법
TWI534856B (zh) 使用選擇性黏著之圖案化表面之方法
US9381534B2 (en) Method for forming bezel pattern of display substrate
JP6411254B2 (ja) 平刷版を用いたパターン膜形成方法、形成装置
WO2006082777A1 (ja) 弾性樹脂版
KR101517697B1 (ko) 인쇄 패턴 전사용 필름의 제조방법, 인쇄 패턴 전사용 필름, 그의 제조장치 및 그를 사용하는 인쇄 패턴 전사 방법
JP2016110942A (ja) ナノ撥液構造を有する隔壁、その隔壁を用いた有機ｅｌ素子、およびそれらの製造方法
KR20080020057A (ko) 인쇄 기술법을 이용한 배향막의 제조방법
US20070238051A1 (en) Blanket for a printing roll, method of manufacturing the same, patterning method using the same, and method of manufacturing liquid crystal display device
KR20150043676A (ko) 기판 상에 기능성 패턴을 형성하는 방법
TWI556987B (zh) 平板印刷用毯及使用彼所製造之微細圖案
CN104698527A (zh) 一种在pmma导光板上制备微点阵图案的方法
Lu et al. Fabricating high-resolution offset color-filter black matrix by integrating heterostructured substrate with inkjet printing
Jung et al. Microscale patterning of electrochromic polymer films via soft lithography
KR101431225B1 (ko) 잉크 전사를 통한 패턴 형성방법
JP2011104856A (ja) 薄膜パターン形成方法
KR20100003159A (ko) 고특성 유기전자소자의 인라인 인쇄법에 의한 인쇄 장치
KR101362139B1 (ko) 편광판의 방현층 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의제조방법
JP5167890B2 (ja) スペーサー付カラーフィルタ基板の製造方法
KR20160114426A (ko) 투명 윈도우용 전사 필름의 제작방법
KR101109258B1 (ko) 패턴 블랭킷, 이의 제조방법, 및 상기 패턴 블랭킷을 이용한 패턴형성방법
JP2013073212A (ja) 精密パターンの印刷方法
US20140020821A1 (en) Method and Device for Imparting an Image onto a Surface via Condensation
KR20160037815A (ko) 인쇄용 블랭킷 및 이의 제조방법
JP2008275654A (ja) 微小突起物の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180418

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 5