KR20140017221A - 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법 - Google Patents

반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140017221A
KR20140017221A KR1020120083837A KR20120083837A KR20140017221A KR 20140017221 A KR20140017221 A KR 20140017221A KR 1020120083837 A KR1020120083837 A KR 1020120083837A KR 20120083837 A KR20120083837 A KR 20120083837A KR 20140017221 A KR20140017221 A KR 20140017221A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
level
pumping
voltage
power supply
detection signal
Prior art date
Application number
KR1020120083837A
Other languages
English (en)
Inventor
강혁중
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020120083837A priority Critical patent/KR20140017221A/ko
Priority to US13/681,229 priority patent/US8896366B2/en
Publication of KR20140017221A publication Critical patent/KR20140017221A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F5/00—Systems for regulating electric variables by detecting deviations in the electric input to the system and thereby controlling a device within the system to obtain a regulated output
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits

Abstract

본 발명은 전원전압의 레벨 변동에 따라 그 동작이 제어되는 반도체 장치의 내부전압 생성회로에 관한 발명으로서, 전원전압의 레벨과 기울기 변동을 측정하기 위한 전원전압 변동 측정부와, 펌핑기준레벨을 기준으로 펌핑전압의 레벨을 검출하기 위한 펌핑전압 검출부와, 펌핑전압 검출부의 출력신호를 발진제어신호로서 출력하되, 전원전압 변동 측정부의 출력신호에 응답하여 발진제어신호를 설정된 값으로 고정하는 발진제어신호 생성부, 및 발진제어신호에 응답하여 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성부를 구비하는 반도체 장치를 제공한다.

Description

반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THE SAME}
본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로서, 구체적으로 반도체 장치의 내부전압 생성회로에 관한 것이며, 더 자세히는 전원전압의 레벨 변동에 따라 그 동작이 제어되는 내부전압 생성회로에 관한 것이다.
DRAM을 비롯한 대부분의 반도체 장치는 외부에서 공급되는 전원전압(VDD, VSS 등) 외에 전원전압과 다른 레벨을 갖는 내부전압을 생성하여 사용하고 있다. 통상적으로 내부전압은 그 타겟 레벨에 대응하는 기준전압(reference voltage)과 외부전원전압(VDD) 및 외부접지전압(VSS)을 사용하여 전하 펌핑(charge pumping) 방식 또는 전압 다운 컨버팅(voltage down converting) 방식을 통해 내부전압을 생성하고 있다.
DRAM의 경우, 전하 펌핑 방식을 이용하여 생성한 내부전압으로 승압전압(VPP), 백 바이어스 전압(VBB) 등이 있다. 또한, 전압강하변환 방식을 이용하여 생성한 내부전압으로는 코어전압(VCORE), 비트라인 프리차지 전압(VBLP) 등이 있다.
여기서, 승압전압(VPP)은 외부전원전압(VDD)보다 높은 전압 레벨을 가지며, 주로 워드라인 구동을 위해 사용되고 있다. 또한, 백 바이어스 전압(VBB)은 접지전압(VSS)보다 낮은 네거티브 전압이며, 주로 셀 트랜지스터(NMOS트랜지스터)의 바디(벌크) 바이어스로 이용되고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로를 도시한 블록 다이어그램이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로는, 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)을 기준으로 펌핑전압(VPUMP)의 레벨을 검출하기 위한 펌핑전압 검출부(10)와, 펌핑전압 검출부(10)의 출력신호에 응답하여 설정된 주기로 발진하는 발진신호(OSC)를 생성하기 위한 발진신호 생성부(20)와, 발진신호(OSC)가 발진할 때마다 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 상기 펌핑전압의 레벨을 상승시키는 펌핑부(30)를 구비한다.
여기서, 펌핑전압 검출부(10)는, 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 낮을 때, 펌핑 검출 신호(PUMP_DET)를 활성화시켜 출력한다. 반대로, 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 높을 때, 펌핑 검출 신호(PUMP_DET)를 비활성화시켜 출력한다.
그리고, 발진신호 생성부(20)는, 펌핑 검출 신호(PUMP_DET)가 활성화되는 것에 응답하여 설정된 제1 주기로 발진하는 발진신호(OSC)를 생성한다. 반대로, 펌핑 검출 신호(PUMP_DET)가 비활성화되는 것에 응답하여 제1 주기보다 낮은 제2 주기로 발진하는 발진신호(OSC)를 생성한다.
또한, 펌핑부(30)는, 발진신호(OSC)가 발진할 때마다 전하 펌핑 동작을 수행하여 펌핑전압(VPUMP)을 생성한다. 즉, 발진신호(OSC)가 제1 주기로 발진하여 상대적으로 빈번하게 발진하는 것에 대응하여 펌핑부(30)도 상대적으로 빈번하게 전하 펌핑 동작을 수행하여 펌핑전압(VPUMP)을 생성한다. 하지만, 발진신호(OSC)가 제2 주기로 발진하여 상대적으로 드물게 발진하는 것에 대응하여 펌핑부(30)도 상대적으로 드물게 전하 펌핑 동작을 수행하여 펌핑전압(VPUMP)을 생성한다.
도 2는 도 1에 도시된 종래기술에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로의 동작과 그 문제점을 설명하기 위해 도시한 타이밍 다이어그램이다.
도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로가 전원전압(VDD)의 레벨에 따라 동작이 달라지는 것을 알 수 있다.
구체적으로, 전원전압(VDD)이 반도체 장치로 공급되기 시작하면서 전원전압(VDD)의 레벨이 꾸준히 상승하는 구간(A)을 살펴보면, 전원전압(VDD)의 레벨이 아직 충분히 상승하지 않은 만큼 펌핑전압(VPUMP)의 레벨도 충분히 상승하지 않은 상태가 된다. 즉, 도면에 직접적으로 도시되진 않았지만 펌핑전압(VPUMP)의 레벨은 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 낮은 상태를 갖는 상태이고, 그에 따라 발진신호(OSC)는 상대적으로 높은 주파수를 갖는 제1 주기로 발진하며, 상대적으로 빈번한 전하펌핑동작을 통해 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 상대적으로 빠른 속도로 상승하게 된다.
이후, 반도체 장치로 전원전압(VDD)이 공급된 이후 충분한 시간이 흐르면서 전원전압(VDD)의 레벨이 더 이상 상승하지 않는 구간(B)에서는 전원전압(VDD)의 레벨 값이 어떤지에 따라 내부전압 생성회로의 동작이 크게 달라지는 것을 알 수 있다.
구체적으로 예를 들어 설명하면, 내부전압 생성회로에서 전원전압(VDD)을 3배로 펌핑하여 펌핑전압(VPUMP)을 생성하고, 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)이 '3.0V'라고 가정할 때, 전원전압(VDD)의 레벨이 '1V'보다 큰 상태 - 도면에서는 '1.0V', '1.1V'인 경우를 의미함 - 에서는 전원전압(VDD)을 3배 펌핑하는 순간 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)을 쉽게 넘어서게 된다. 따라서, 내부전압 생성회로 내부에서 발진신호(OSC)는 상대적으로 느린 제2 주기로 발진하는 상태가 되고, 그에 따라 전하펌핑 동작도 상대적으로 드물게 발생하게 된다. 즉, 전하펌핑 동작에 따른 전류소모를 최소화하는 상태로 동작하게 된다.
하지만, 전원전압(VDD)의 레벨이 '1V'보다 작은 상태 - 도면에서는 '0.8V', '0.9V'인 경우를 의미함 - 에서는 전원전압(VDD)을 아무리 펌핑해도 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 작은 상태가 될 수밖에 없다. 따라서, 내부전압 생성회로 내부에서 발진신호(OSC)는 계속 상대적으로 빠른 제1 주기로 발진하게 되고, 그에 따라 전하펌핑 동작도 상대적으로 빈번하게 계속 발생하게 된다.
이렇게, 전원전압(VDD) 자체의 레벨이 충분히 높지 못한 상태로 인하여 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 충분히 상승하지 못하는 상태임에도 불구하고 계속 빈번하게 전하펌핑 동작을 수행시키는 것은 필요 이상으로 전류를 소모시키는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 전원전압(VDD)의 레벨 자체가 낮은 상태인 저전압 환경에서도 전류소모를 최소화하여 동작하는 내부전압 생성회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 전원전압의 레벨과 기울기 변동을 측정하기 위한 전원전압 변동 측정부; 펌핑기준레벨을 기준으로 펌핑전압의 레벨을 검출하기 위한 펌핑전압 검출부; 펌핑전압 검출부의 출력신호를 발진제어신호로서 출력하되, 상기 전원전압 변동 측정부의 출력신호에 응답하여 상기 발진제어신호를 설정된 값으로 고정하는 발진제어신호 생성부; 및 상기 발진제어신호에 응답하여 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성부를 구비하는 반도체 장치를 제공한다.
상기의 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 전원전압의 레벨이 전원기준레벨보다 높은 레벨을 갖고, 펌핑전압의 레벨이 펌핑기준레벨보다 낮은 레벨을 가질 때, 설정된 제1 주기마다 전하 펌핑 동작을 수행하여 상기 펌핑전압을 생성하는 단계; 상기 전원전압의 레벨이 상기 전원기준레벨보다 낮은 레벨을 갖고, 펌핑전압의 레벨이 펌핑기준레벨보다 낮은 레벨을 가질 때, 상기 전원전압의 레벨 변동 기울기가 포지티브한 특성을 갖는 것에 응답하여 상기 설정된 제1 주기마다 전하 펌핑 동작을 수행하여 상기 펌핑전압을 생성하는 단계; 및 상기 전원전압의 레벨이 상기 전원기준레벨보다 낮은 레벨을 갖고, 펌핑전압의 레벨이 펌핑기준레벨보다 낮은 레벨을 가질 때, 상기 전원전압의 레벨 변동 기울기가 없거나 네거티브한 특성을 갖는 것에 응답하여 설정된 제2 주기 - 상기 제1 주기보다 낮은 주파수를 가짐 - 마다 전하 펌핑 동작을 수행하여 상기 펌핑전압을 생성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작방법을 제공한다.
전술한 본 발명은 전원전압(VDD)의 레벨을 검출한 결과와 함께 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기를 감지한 결과에 따라 내부전압 생성회로의 동작을 제어함으로써, 전원전압(VDD)의 레벨 자체가 낮은 저전압 환경에서도 불필요한 전류가 소모되는 것을 방지하는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로를 도시한 블록 다이어그램이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래기술에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로의 동작과 그 문제점을 설명하기 위해 도시한 타이밍 다이어그램이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로를 도시한 블록 다이어그램이다.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로의 구성요소 중 기울기 감지부와 펌핑전압 검출부 및 발진제어신호 생성부의 동작을 설명하기 위해 도시한 타이밍 다이어그램이다.
도 5는 도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로의 동작을 설명하기 위해 도시한 타이밍 다이어그램이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구성될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록하며 통상의 지식을 가진자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로를 도시한 블록 다이어그램이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로는, 전원전압(VDD)의 레벨과 기울기 변동을 측정하기 위한 전원전압 변동 측정부(300, 320)와, 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)을 기준으로 펌핑전압(VPUMP)의 레벨을 검출하기 위한 펌핑전압 검출부(310)와, 펌핑전압 검출부(310)의 출력신호(PUMP_DET)를 발진제어신호(OSC_CON)로서 출력하되, 전원전압 변동 측정부(300, 320)의 출력신호(VDD_DET, SLOPE_SENS)에 응답하여 발진제어신호(OSC_CON)를 설정된 값으로 고정하는 발진제어신호 생성부(340), 및 발진제어신호(OSC_CON)에 응답하여 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 펌핑전압(VPUMP)을 생성하는 펌핑전압 생성부(350)를 구비한다.
여기서, 전원전압 변동 측정부(300, 320)는, 전원기준레벨(VDD_VREF)을 기준으로 전원전압(VDD)의 레벨을 검출하기 위한 전원전압 검출부(300)와, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)를 감지하기 위한 기울기 감지부(320)와,
또한, 기울기 감지부(320)는, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)에 따라 그 전압레벨이 변동하는 기울기 검출신호(SLOPE_DET)를 생성하는 기울기 검출부(322), 및 논리기준레벨(LOGIC_LV)을 기준으로 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 전압레벨을 판단하고, 판단결과에 따라 그 논리레벨이 결정되는 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하는 감지신호 생성부(324)를 구비한다.
여기서, 기울기 검출부(322)는, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 포지티브(positive) 특성을 가질 때 논리기준레벨(LOGIC_LV)보다 높은 전압레벨을 갖는 기울기 검출신호(SLOPE_DET)를 생성하고, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없거나(zero) 네거티브(negative) 특성을 가질 때 논리기준레벨(LOGIC_LV)보다 낮은 전압레벨을 갖는 기울기 검출신호(SLOPE_DET)를 생성한다.
여기서, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 포지티브(positive) 특성을 갖는 다는 것은 시간이 흐를수록 전원전압(VDD)의 절대적인 레벨이 상승한다는 것을 의미한다. 즉, 전원전압(VDD)이 공급되기 시작하여 전원전압(VDD)의 레벨이 상승하는 구간에서는 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 포지티브(positive)한 특성을 갖게 될 것이다. 그리고, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없다(zero)는 것은 시간이 흐른다고 해도 전원전압(VDD)의 레벨이 변동하지 않고 그 값을 그대로 유지한다는 것을 의미한다. 즉, 충분한 시간동안 전원전압(VDD)이 공급됨으로써 그 레벨이 안정화된 상태에서는 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없는(zero) 상태가 될 것이다. 또한, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 네거티브(negative) 특성을 갖는 다는 것은 시간이 흐를수록 전원전압(VDD)의 절대적인 레벨이 하강한다는 것을 의미한다. 즉, 전원전압(VDD)의 공급이 끝나는 시점이 되어 전원전압(VDD)의 레벨이 하강하는 구간에서는 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 네거티브(negative)한 특성을 갖게 될 것이다.
또한, 감지신호 생성부(324)는, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 전압레벨이 논리기준레벨(LOGIC_LV)보다 높은 전압레벨을 가지는 것에 응답하여 활성화상태의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하고, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 전압레벨이 논리기준레벨(LOGIC_LV)보다 낮은 전압레벨을 가지는 것에 응답하여 비활성화상태의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성한다.
여기서, 일반적으로 논리기준레벨(LOGIC_LV)은 전원전압(VDD) 레벨과 접지전압(VSS) 레벨 사이를 반으로 나눈 레벨을 의미하지만, 본 발명에서는 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 설정 가능한 전압레벨 범위를 반으로 나눈 레벨을 의미하며, 논리기준레벨(LOGIC_LV) 자체도 설정된 범위를 갖는다. 예컨대, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 설정 가능한 전압레벨 범위가 '1.0V'에서 '-1.0V'사이라면, 논리기준레벨(LOGIC_LV)은 '0V'를 기준으로 '0.1V'에서 '-0.1V'가 될 것이다. 하지만, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 설정 가능한 전압레벨 범위가 '1.0V'에서 '0V'사이라면, 논리기준레벨(LOGIC_LV)은 '0.5V'를 기준으로 '0.6V'에서 '0.4V'가 될 것이다.
이때, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)는 아날로그적인 전압레벨 값을 가지므로, 논리기준레벨(LOGIC_LV)의 전압레벨 범위 안에 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 전압레벨이 속할 수 있는데, 이러한 경우에는 설계자에 의해 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)가 미리 약속된 논리레벨을 갖도록 설정하는 것이 가능하다.
예컨대, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 설정 가능한 전압레벨 범위가 '1.0V'에서 '0V'사이이고, 그에 따라 논리기준레벨(LOGIC_LV)이 '0.4V'부터 '0.6V'를 갖는다면. 설계자의 선택에 의해 기울기 검출신호(SLOPE_DET)가 '1.0V'이하 '0.6V'초과의 전압레벨 값을 가질 때는 로직'하이'(High)의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하고, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)가 '0.6V'이하 '0V'이상의 전압레벨 값을 가질 때는 로직'로우'(Low)의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하는 형태로 동작할 수 있다. 마찬가지로, 설계자의 선택에 의해 기울기 검출신호(SLOPE_DET)가 '1.0V'이하 '0.4V'이상의 전압레벨 값을 가질 때는 로직'하이'(High)의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하고, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)가 '0.4V'미만 '0V'이상의 전압레벨 값을 가질 때는 로직'로우'(Low)의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하는 형태로 동작할 수 있다.
하지만, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)의 설정 가능한 전압레벨 범위가 '1.0V'에서 '-1.0V'사이이고, 그에 따라 논리기준레벨(LOGIC_LV)이 '0.1V'부터 '-0.1V'를 갖는다면. 설계자의 선택에 의해 기울기 검출신호(SLOPE_DET)가 '1.0V'이하 '0.1V'초과의 전압레벨 값을 가질 때는 로직'하이'(High)의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하고, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)가 '0.1V'이하 '-1.0V'이상의 전압레벨 값을 가질 때는 로직'로우'(Low)의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하는 형태로 동작할 수 있다. 마찬가지로, 설계자의 선택에 의해 기울기 검출신호(SLOPE_DET)가 '1.0V'이하 '-0.1V'이상의 전압레벨 값을 가질 때는 로직'하이'(High)의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하고, 기울기 검출신호(SLOPE_DET)가 '-0.1V'미만 '-1.0V'이상의 전압레벨 값을 가질 때는 로직'로우'(Low)의 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)를 생성하는 형태로 동작할 수 있다.
그리고, 펌핑전압(VPUMP)은 전원전압(VDD)을 전하펌핑하여 생성하므로 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)은 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 N배(N은 2보다 큰 정수) 더 큰 전압레벨이 된다. 예컨대, 본 발명에서는 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)은 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 3배 더 큰 전압레벨을 갖는 것으로 설명하고 있지만, 이는 설계자의 선택에 따라 달라질 수 있는 부분이다.
또한, 전원전압 검출부(300)는, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 높은 상태일 경우 전원검출신호(VDD_DET)를 활성화시켜 출력하고, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 낮은 상태일 경우 전원검출신호(VDD_DET)를 비활성화시켜 출력한다.
그리고, 펌핑전압 검출부(310)는, 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 높은 상태일 경우 펌핑 검출신호(PUMP_DET)를 비활성화시켜 출력하고, 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 낮은 상태일 경우 펌핑 검출신호(PUMP_DET)를 활성화시켜 출력한다.
그리고, 발진제어신호 생성부(340)는, 전원검출신호(VDD_DET)와 기울기 감지신호(SLOPE_SENS) 중 적어도 한 개의 신호가 활성화 상태일 때, 펌핑 검출신호(PUMP_DET)를 발진제어신호(OSC_CON)로서 출력하고, 전원검출신호(VDD_DET)와 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)가 모두 비활성화될 때, 펌핑 검출신호(PUMP_DET)의 활성화여부와 상관없이 발진제어신호(OSC_CON)를 비활성화시켜 출력한다.
그리고, 펌핑전압 생성부(350)는, 발진제어신호(OSC_CON)의 활성화구간에서 상대적으로 높은 주파수를 갖는 설정된 제1 주기로 발진하고, 발진제어신호(OSC_CON)의 비활성화구간에서 제1 주기보다 낮은 주파수를 가지므로 상대적으로 낮은 주파수를 갖는 설정된 제2 주기로 발진하는 발진신호(OSC)를 생성하는 발진신호 생성부(352), 및 발진신호(OSC)가 발진할 때마다 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 펌핑전압(VPUMP)의 레벨을 상승시키는 펌핑부(354)를 구비한다.
이때, 제2 주기는 제1 주기보다 낮을 뿐만 아니라 설계자의 선택에 따라 그 주파수가 '0'이 될 수도 있다. 즉, 발진신호(OSC)가 제2 주기로 발진한다는 동작에는 발진신호(OSC)가 발진하지 않는다는 동작도 포함된다.
따라서, 펌핑전압 생성부(350)는, 발진제어신호(OSC_CON)의 활성화구간에서 발진하고, 발진제어신호(OSC_CON)의 비활성화구간에서 발진하지 않는 발진신호(OSC)를 생성하는 발진신호 생성부(352), 및 발진신호(OSC)가 발진할 때마다 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 펌핑전압(VPUMP)의 레벨을 상승시키는 펌핑부(354)를 구비하는 형태의 구성을 가질 수도 있다.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로의 구성요소 중 전원전압 검출부와 기울기 감지부 및 발진제어신호 생성부의 동작을 설명하기 위해 도시한 타이밍 다이어그램이다.
도 4를 참조하면, 기울기 감지부(320)와, 전원전압 검출부(300)와, 펌핑전압 검출부(310), 및 발진제어신호 생성부(340)의 동작을 정리해 볼 수 있다.
먼저, 발진제어신호 생성부(340)의 상세한 구성을 살펴보면, 기울기 감지부(320)의 출력신호인 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)와 전원전압 검출부(300)의 출력신호인 전원검출신호(VDD_DET)는 논리합 연산을 통해 결합신호(SS_VD)로서 출력하고, 결합신호(SS_VD)와 펌핑전압 검출부(310)의 출력신호인 펌핑 검출신호(PUMP_DET)를 논리곱 연산을 통해 발진제어신호(OSC_CON)로서 출력한다.
그 동작을 살펴보면, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 포지티브(positive) 특성을 갖는 상태에서 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 높은 레벨을 갖든 낮은 레벨을 갖든 상관없이 펌핑 검출신호(PUMP_DET)를 발진제어신호(OSC_CON)로서 출력한다.
즉, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 포지티브(positive) 특성을 갖는 것에 대응하여 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)가 로직'하이'(High)로 활성화되는 구간은 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 낮은 레벨을 갖는 구간이 되어 전원검출신호(VDD_DET)가 로직'로우'(Low)로 비활성화되는 구간과 겹치거나 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 높은 레벨을 갖는 구간이 되어 전원검출신호(VDD_DET)가 로직'하이'(High)로 활성화되는 구간과 겹치는 것과 상관없이 결합신호(SS_VD)를 로직'하이'(High)의 활성화 상태로 유지시키는 것을 알 수 있다.
마찬가지로, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 높은 상태에서 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)의 특성이 어떻든 상관없이 펌핑 검출신호(PUMP_DET)를 발진제어신호(OSC_CON)로서 출력한다.
즉, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 높은 상태가 되어 전원검출신호(VDD_DET)가 로직'하이'(High)로 검출되는 구간은 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없거나 네거티브(negative) 특성을 갖게 되어 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)가 로직'로우'(Low)로 비활성화되는 구간과 겹치거나 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 포지티브(positive) 특성을 갖는 것에 대응하여 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)가 로직'하이'(High)로 활성화되는 구간과 겹치는 것과 상관없이 결합신호(SS_VD)를 로직'하이'(High)의 활성화 상태로 유지시키는 것을 알 수 있다.
반면에, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없거나 네거티브(negative) 특성을 갖는 상태에서 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 낮은 레벨을 갖는 경우, 펌핑 검출신호(PUMP_DET)가 활성화되는 것과 상관없이 발진제어신호(OSC_CON)를 비활성화시켜 출력한다.
즉, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없거나 네거티브(negative) 특성을 갖게 되어 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)가 로직'로우'(Low)로 비활성화되는 구간과 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 낮은 레벨을 갖는 구간이 겹치는 경우 결합신호(SS_VD)가 로직'로우'(Low)로 비활성화되는 것을 알 수 있다.
전술한 바와 같이 활성화/비활성화구간 정리되는 결합신호(SS_VD)와 펌핑 검출신호(PUMP_DET)는 논리곱 연산을 통해 발진제어신호(OSC_CON)로서 출력되고, 펌핑 검출신호(PUMP_DET)는 반도체 장치의 동작에 따라 그 활성화여부가 다양하게 변화될 수 있다. 따라서, 결합신호(SS_VD)가 활성화되는 구간에서는 발진제어신호(OSC_CON)의 활성화여부는 펌핑 검출신호(PUMP_DET)의 활성화여부를 그대로 따라가게 되고, 결합신호(SS_VD)가 비활성화되는 구간에서는 펌핑 검출신호(PUMP_DET)의 활성화여부와 상관없이 발진제어신호(OSC_CON)가 무조건 비활성화되는 상태가 된다.
구체화해보면, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 낮은 상태에서, 펌핑전압(VPUMP)의 레벨은 무조건 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 낮은 상태가 될 것이므로 펌핑 검출신호(PUMP_DET)가 무조건 활성화된다. 이때, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 포지티브(positive) 특성을 갖는 상태에서 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)와 함께 결합신호(SS_VD)가 활성화되는 구간에서는 활성화된 펌핑 검출신호(PUMP_DET)와 함께 발진제어신호(OSC_CON)도 활성화된다. 하지만, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없거나 네거티브(negative) 특성을 갖는 상태에서 기울기 감지신호(SLOPE_SENS)와 함께 결합신호(SS_VD)가 비활성화되는 구간에서는 활성화된 펌핑 검출신호(PUMP_DET)와 상관없이 발진제어신호(OSC_CON)는 비활성화된다.
반대로, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 높은 상태라고 해서 펌핑전압(VPUMP)의 레벨도 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 높은 상태가 될 것이라는 보장은 없으므로, 반도체 장치의 동작에 따라 펌핑 검출신호(PUMP_DET)는 활성화여부가 결정된다. 이때, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 높은 상태에서는 전원검출신호(VDD_DET)와 결합신호(SS_VD)가 함께 활성화되는 구간이므로, 반도체 장치의 동작에 따라 펌핑 검출신호(PUMP_DET)와 발진제어신호(OSC_CON)는 같이 활성화되고 같이 비활성화된다.
도 5는 도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로의 동작을 설명하기 위해 도시한 타이밍 다이어그램이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부전압 생성회로가 전원전압(VDD)의 레벨 및 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)에 따라 동작이 달라지는 것을 알 수 있다.
구체적으로, 전원전압(VDD)이 반도체 장치로 공급되기 시작하면서 전원전압(VDD)의 레벨이 꾸준히 상승하는 구간을 살펴보면, 전원전압(VDD)의 레벨이 아직 충분히 상승하지 않은 만큼 펌핑전압(VPUMP)의 레벨도 충분히 상승하지 않은 상태가 된다. 즉, 전원전압(VDD)의 레벨은 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 낮은 상태이고, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)는 포지티브(positive) 특성을 갖는 상태이며, 도면에 직접적으로 도시되진 않았지만 펌핑전압(VPUMP)의 레벨은 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 낮은 상태를 갖는 상태이다. 따라서, 발진제어신호(OSC_CON)는 활성화되는 상태가 될 것이고, 그에 따라 발진신호(OSC)는 상대적으로 높은 주파수를 갖는 제1 주기로 발진하며, 상대적으로 빈번한 전하펌핑동작을 통해 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 상대적으로 빠른 속도로 상승하게 된다.
이후, 반도체 장치로 전원전압(VDD)이 공급된 이후 충분한 시간이 흐르면서 전원전압(VDD)의 레벨이 더 이상 상승하지 않는 상태에서의 전압레벨 값이 전원기준레벨(VDD_VREF)보다 높든 낮든 상관없이 내부전압 생성회로의 동작이 일정한 상태가 되는 것을 알 수 있다.
구체적으로 예를 들어 설명하면, 내부전압 생성회로에서 전원전압(VDD)을 3배로 펌핑하여 펌핑전압(VPUMP)을 생성하고, 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)이 '3.0V'라고 가정할 때, 즉, 전원기준레벨(VDD_VREF)이 '1V'이고, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)인 '1V'보다 큰 상태 - 도면에서는 '1.0V', '1.1V'인 경우를 의미함 - 에서는 전원전압(VDD)을 3배 펌핑하는 순간 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)을 쉽게 넘어서게 된다. 따라서, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없는 상태라는 것은 전혀 상관없이 발진신호(OSC)는 상대적으로 느린 제2 주기로 발진하는 상태가 되고, 그에 따라 전하펌핑 동작도 상대적으로 드물게 발생하게 된다. 즉, 전하펌핑 동작에 따른 전류소모를 최소화하는 상태로 동작하게 된다.
그리고, 전원전압(VDD)의 레벨이 전원기준레벨(VDD_VREF)인 '1V'보다 작은 상태 - 도면에서는 '0.8V', '0.9V'인 경우를 의미함 - 에서는 전원전압(VDD)을 3배 펌핑한다고 하여도 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 펌핑기준레벨(PUMP_VREF)보다 작은 상태가 될 수밖에 없다. 그럼에도 불구하고, 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)가 없는 상태이기 때문에 발진신호(OSC)는 상대적으로 느린 제2 주기로 발진하는 상태가 되고, 그에 따라 전하펌핑 동작도 상대적으로 드물게 발생하게 된다. 즉, 전하펌핑 동작에 따른 전류소모를 최소화하는 상태로 동작하게 된다.
전술한 바와 같이 본 발명에서는 전원전압(VDD) 자체의 레벨이 충분히 높은 상태에서는 전원전압(VDD)의 레벨 변동과 상관없이 정상적으로 펌핑전압(VPUMP)을 생성하는 동작이 수행될 수 있도록 한다. 하지만, 전원전압(VDD) 자체의 레벨이 충분히 높지 못한 상태로 인하여 펌핑전압(VPUMP)의 레벨이 충분히 상승하지 못하는 상태에서는 전원전압(VDD)의 레벨 변동 기울기(ΔV)에 따라 펌핑 동작이 제어되도록 하기 때문에 불필요하게 전류가 소모되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.
예컨대, 전술한 실시예에서 예시한 논리 게이트 및 트랜지스터는 입력되는 신호의 극성에 따라 그 위치 및 종류가 다르게 구현되어야 할 것이다.
10 : 펌핑전암 검출부 20 : 발진신호 생성부
30 : 펌핑부 300 : 전원전압 검출부
310 : 펌핑전압 검출부 320 : 기울기 감지부
340 : 발진제어신호 생성부 350 : 펌핑전압 생성부
322: 기울기 검출부 324 : 감지신호 생성부
352 : 발진신호 생성부 354 : 펌핑부

Claims (15)

  1. 전원전압의 레벨과 기울기 변동을 측정하기 위한 전원전압 변동 측정부;
    펌핑기준레벨을 기준으로 펌핑전압의 레벨을 검출하기 위한 펌핑전압 검출부;
    펌핑전압 검출부의 출력신호를 발진제어신호로서 출력하되, 상기 전원전압 변동 측정부의 출력신호에 응답하여 상기 발진제어신호를 설정된 값으로 고정하는 발진제어신호 생성부; 및
    상기 발진제어신호에 응답하여 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성부
    를 구비하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전원전압 변동 측정부는,
    전원기준레벨을 기준으로 전원전압의 레벨을 검출하기 위한 전원전압 검출부; 및
    상기 전원전압의 레벨 변동 기울기를 감지하기 위한 기울기 감지부를 구비하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기울기 감지부는,
    상기 전원전압의 레벨 변동 기울기에 따라 그 전압레벨이 변동하는 기울기 검출신호를 생성하는 기울기 검출부; 및
    논리기준레벨을 기준으로 상기 기울기 검출신호의 전압레벨을 판단하고, 판단결과에 따라 그 논리레벨이 결정되는 기울기 감지신호를 생성하는 감지신호 생성부를 구비하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기울기 검출부는,
    상기 전원전압의 레벨 변동 기울기가 포지티브 특성을 가질 때 상기 논리기준레벨보다 높은 전압레벨을 갖는 상기 기울기 검출신호를 생성하고,
    상기 전원전압의 레벨 변동 기울기가 없거나 네거티브 특성을 가질 때 상기 논리기준레벨보다 낮은 전압레벨을 갖는 상기 기울기 검출신호를 생성하는 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 감지신호 생성부는,
    상기 기울기 검출신호의 전압레벨이 상기 논리기준레벨보다 높은 전압레벨을 가지는 것에 응답하여 활성화상태의 상기 기울기 감지신호를 생성하고,
    상기 기울기 검출신호의 전압레벨이 상기 논리기준레벨보다 낮은 전압레벨을 가지는 것에 응답하여 비활성화상태의 기울기 감지신호를 생성하는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 펌핑기준레벨은 상기 전원기준레벨보다 N배(N은 2보다 큰 정수) 더 큰 전압레벨인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전원전압 검출부는,
    상기 전원전압의 레벨이 전원기준레벨보다 높은 상태일 경우 전원검출신호를 활성화시켜 출력하고,
    상기 전원전압의 레벨이 상기 전원기준레벨보다 낮은 상태일 경우 상기 전원검출신호를 비활성화시켜 출력하는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 펌핑전압 검출부는,
    상기 펌핑전압의 레벨이 상기 펌핑기준레벨보다 높은 상태일 경우 펌핑 검출신호를 비활성화시켜 출력하고,
    상기 펌핑전압의 레벨이 상기 펌핑기준레벨보다 낮은 상태일 경우 상기 펌핑 검출신호를 활성화시켜 출력하는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 발진제어신호 생성부는,
    상기 전원검출신호와 상기 기울기 감지 신호 중 적어도 한 개의 신호가 활성화 상태일 때, 상기 펌핑 검출신호를 상기 발진제어신호로서 출력하고,
    상기 전원검출신호와 상기 기울기 감지 신호가 모두 비활성화될 때, 상기 펌핑 검출신호의 활성화여부와 상관없이 상기 발진제어신호를 비활성화시켜 출력하는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 펌핑전압 생성부는,
    상기 발진제어신호의 활성화구간에서 설정된 제1 주기로 발진하고, 상기 발진제어신호의 비활성화구간에서 설정된 제2 주기 - 상기 제1 주기보다 낮은 주파수임 - 로 발진하는 발진신호를 생성하는 발진신호 생성부; 및
    상기 발진신호가 발진할 때마다 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 상기 펌핑전압의 레벨을 상승시키는 펌핑부를 구비하는 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 펌핑전압 생성부는,
    상기 발진제어신호의 활성화구간에서 발진하고, 상기 발진제어신호의 비활성화구간에서 발진하지 않는 발진신호를 생성하는 발진신호 생성부; 및
    상기 발진신호가 발진할 때마다 전하 펌핑 동작을 수행함으로써 상기 펌핑전압의 레벨을 상승시키는 펌핑부를 구비하는 반도체 장치.
  12. 전원전압의 레벨이 전원기준레벨보다 높은 레벨을 갖고, 펌핑전압의 레벨이 펌핑기준레벨보다 낮은 레벨을 가질 때, 설정된 제1 주기마다 전하 펌핑 동작을 수행하여 상기 펌핑전압을 생성하는 단계;
    상기 전원전압의 레벨이 상기 전원기준레벨보다 낮은 레벨을 갖고, 펌핑전압의 레벨이 펌핑기준레벨보다 낮은 레벨을 가질 때, 상기 전원전압의 레벨 변동 기울기가 포지티브한 특성을 갖는 것에 응답하여 상기 설정된 제1 주기마다 전하 펌핑 동작을 수행하여 상기 펌핑전압을 생성하는 단계; 및
    상기 전원전압의 레벨이 상기 전원기준레벨보다 낮은 레벨을 갖고, 펌핑전압의 레벨이 펌핑기준레벨보다 낮은 레벨을 가질 때, 상기 전원전압의 레벨 변동 기울기가 없거나 네거티브한 특성을 갖는 것에 응답하여 설정된 제2 주기 - 상기 제1 주기보다 낮은 주파수를 가짐 - 마다 전하 펌핑 동작을 수행하여 상기 펌핑전압을 생성하는 단계
    를 포함하는 반도체 장치의 동작방법.
  13. 제12항에 있어서,
    펌핑전압의 레벨이 펌핑기준레벨보다 높은 레벨을 가질 때, 전원전압의 레벨과 상관없이 상기 설정된 제2 주기마다 전하 펌핑 동작을 수행하여 상기 펌핑전압을 생성하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 동작방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 설정된 제2 주기는,
    상기 제1 주기보다 N((N은 2보다 큰 정수)배 더 낮은 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 동작방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 설정된 제2 주기의 주파수는 '0'인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 동작방법.
KR1020120083837A 2012-07-31 2012-07-31 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법 KR20140017221A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120083837A KR20140017221A (ko) 2012-07-31 2012-07-31 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법
US13/681,229 US8896366B2 (en) 2012-07-31 2012-11-19 Internal voltage generation circuit of semiconductor device and method for operating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120083837A KR20140017221A (ko) 2012-07-31 2012-07-31 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140017221A true KR20140017221A (ko) 2014-02-11

Family

ID=50024888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120083837A KR20140017221A (ko) 2012-07-31 2012-07-31 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8896366B2 (ko)
KR (1) KR20140017221A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104793036B (zh) * 2011-12-31 2018-05-08 意法半导体研发(深圳)有限公司 双向电压微分器电路
CN108542496B (zh) * 2012-03-31 2021-12-07 微立方有限责任公司 用于微波应用的返回功率
US9818466B2 (en) 2015-06-30 2017-11-14 University Of South Florida Robust slope detection technique for STTRAM and MRAM sensing
KR102620262B1 (ko) * 2019-06-04 2024-01-03 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치, 그 동작 방법 및 메모리 시스템
EP3826183B1 (en) * 2019-11-21 2023-06-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. A charge-pump circuitry and a method for high voltage generation with improved psrr

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5671179A (en) * 1994-10-19 1997-09-23 Intel Corporation Low power pulse generator for smart voltage flash eeprom
KR20000026469A (ko) 1998-10-20 2000-05-15 윤종용 광범위 공급 전압에서 동작하는 저전력 소모 승압 회로
KR100911193B1 (ko) * 2007-10-09 2009-08-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적회로의 전압 생성장치
DE102008029409A1 (de) * 2008-06-23 2009-12-24 Atmel Automotive Gmbh Schaltung mit einer geregelten Ladungspumpe

Also Published As

Publication number Publication date
US8896366B2 (en) 2014-11-25
US20140035662A1 (en) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100842744B1 (ko) 클럭조절회로 및 이를 이용한 전압펌핑장치
US10096367B2 (en) Power supply circuit and semiconductor storage device
JP4694089B2 (ja) 半導体メモリ装置のネガティブ電圧発生器
KR101097444B1 (ko) 내부전압 생성회로 및 내부전압 생성방법
KR20140017221A (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법
KR100904423B1 (ko) 반도체 메모리 소자
US7969795B2 (en) Negative voltage generator for use in semiconductor memory device
KR20080100539A (ko) 반도체 소자의 내부전압 발생기 및 발생방법
KR20120068228A (ko) 반도체 장치 및 그 동작방법
KR101139102B1 (ko) 전압 공급 회로 및 이를 구비한 집적 회로
KR100889312B1 (ko) 반도체 소자의 문턱전압 검출부 및 검출방법, 이를 이용한내부전압 생성회로
KR20090070543A (ko) 반도체 소자
KR20130050795A (ko) 반도체 장치
US9647613B2 (en) Differential amplifier
KR100941631B1 (ko) 반도체장치의 고전압제어회로
KR20120004017A (ko) 동적 전압 조정 모드 판별 장치와 방법 및 이를 이용한 펌핑 전압 감지 장치와 방법
US7990206B2 (en) Device for supplying temperature dependent negative voltage
KR20130015941A (ko) 내부전압생성회로
KR20100064157A (ko) 내부 전압 생성회로
KR100958799B1 (ko) 내부 전압 생성회로와 그의 구동 방법
KR20130135701A (ko) 반도체 장치
KR100702771B1 (ko) 안정적인 내부 전압을 발생하는 반도체 메모리 장치의 내부전압 발생 회로
KR20100003077A (ko) 반도체 메모리장치의 내부전압 발생회로
KR101003129B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 내부 전압 생성 회로
KR100316053B1 (ko) 고전위 발생장치의 Ｖｐｐ 레벨 감지기

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid