KR20140013466A - 칩 인덕터 제조 방법 - Google Patents

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KR20140013466A KR1020120080472A KR20120080472A KR20140013466A KR 20140013466 A KR20140013466 A KR 20140013466A KR 1020120080472 A KR1020120080472 A KR 1020120080472A KR 20120080472 A KR20120080472 A KR 20120080472A KR 20140013466 A KR20140013466 A KR 20140013466A
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Abstract

본 발명은 칩 인덕터 제조 방법에 관한 것으로, 수율과 생산성을 향상시키고 제조단가를 절감하기 위하여, 베이스 기판 상에 절연층 및 회로패턴을 형성하는 칩 인덕터 제조 방법에 있어서, (a)메인 권출롤에 감겨진 베이스 기판을 준비하는 단계; (b)상기 메인 권출롤을 회전시켜 상기 베이스 기판을 절연층 및 회로패턴 가공 장치로 이송시키는 단계; 및 (c)상기 (b)단계에 따라 일면에 절연층 및 회로패턴이 형성된 베이스 기판을 메인 권취롤에 되감는 단계;를 포함하는, 칩 인덕터 제조 방법을 제시한다.

Description

칩 인덕터 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING CHIP INDUCTOR}
본 발명은 인덕터 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 롤투롤 방식으로 칩 인덕터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 인덕터는 자기 인덕턴스를 가지는 기본적인 회로소자로 보통 코일(coil) 및 자성체인 코어(core)로 구성된다.
종래에는 자성체인 페라이트 코어 주위에 도전성 코일을 권선하여 제작한 트로이달형 인덕터가 주로 사용되었다. 트로이달형 인덕터는 페라이트 분말을 분말압축성형 등의 방법으로 성형한 후 소성공정을 거쳐 코어로 제조하는데 있어 대량생산이 곤란하고, 크기가 커서 소형 전자기기에는 사용할 수 없는 문제가 있다. 한편, 트로이달형 인덕터와는 달리 소형일 뿐만아니라 대량생산이 가능한 칩형 인덕터가 개발되어 실용화되고 있다.
또한, 최근 전자산업의 발전으로 전자제품의 소형화 및 고기능화가 급속도로 진행되고 있고 이에 따라 필연적으로 전자제품에 사용되는 부품도 가볍고, 작으면서 고기능을 수행할 필요성이 생겼다. 따라서, 전자제품에 필연적으로 사용되는 인덕터의 개발분야에서도 트로이달형 인덕터 보다는 대량생산 및 소형화가 가능한 칩인덕터의 개발에 초점이 맞추어지고 있다.
칩인덕터는 통상 자성재료 또는 유전재료를 시트(sheet) 형태로 성형한 후 성형된 시트 상에 내부전극을 인쇄하고 인쇄된 시트들을 적층한 후 소성하여 제조하거나, 동종재료 또는 이종재료의 시트들을 적층한 베이스시트(base sheet)상에 내부전극을 인쇄하고 내부전극이 인쇄된 베이스시트 상에 자성재료 또는 유전재료를 도포한 후 건조하고 다시 그 위에 내부전극을 형성하는 과정을 반복한 후 소성하여 제조할 수 있다.
한편, 칩인덕터의 제조공정 개선 및 물성 개선을 위한 다양한 종래기술들이 알려져 있다.
이와 관련하여 대한민국 등록특허 제 10-0349117호에는 시트를 여러장 적층하여 만든 베이스시트에 전극을 인쇄하고, 그 위에 자성체를 도포적층하면서 전극을 형성하는 칩인덕터의 제조방법과 적층구조가 개시되어 있다.
즉, 상기 종래기술에서는 고자성체로 이루어진 약 50μm의 캐스팅시트(casting sheet)를 약 10장 부착하여 제작된 베이스시트 위에 전극 패턴이 인쇄된 상태와, 그 위에 자성체가 스크린 인쇄(screen print)방법에 의해 도포되고 도포되어 건조된 자성체 위에는 다시 전극이 형성되어 있으며 이 자성체 전극이 자성체에 형성된 홀(hole)을 통해 하층의 전극(베이스시트 상의 전극)과 전기적으로 접속되는 상태를 설명하고 있다. 그리고, 상기 종래기술은 전술한 바와 같은 전극 사이의 연속적인 접속에 의해 전극이 루프를 이루어 1회의 권선을 형성하고, 전극인쇄공정과 자성체도포공정을 되풀이하여 원하는 권선을 가진 나선형상의 전극을 형성하며, 전체적으로 나선형상의 전극을 형성한 후에는 다시 자성체에 약 50μm의 캐스팅 시트가 10장 부착된 커버 시트를 기계적 힘으로 압착하여 칩 인덕터를 완성하는 것을 개시하고 있다.
이와 같이, 종래 칩 인덕터 제조 과정을 보면, 하나의 칩 인덕터를 제조하기 위해 개개의 시트마다 개별적으로 전극인쇄 공정을 수행한 후, 이를 한데 모아 적층, 가압 공정을 거쳐야 한다. 이에 따라, 공정 작업이 매우 복잡하고 그 작업시간도 지연될 뿐만 아니라, 생산성이 크게 저하되는 문제가 있다.
특허문헌 : 대한민국 등록특허 제 10-0349117호
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로, 전 공정을 롤투롤(Roll to Roll) 방식으로 제조하는 칩 인덕터 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명은, 베이스 기판 상에 절연층 및 회로패턴을 형성하는 칩 인덕터 제조 방법에 있어서, (a)메인 권출롤에 감겨진 베이스 기판을 준비하는 단계; (b)상기 메인 권출롤을 회전시켜 상기 베이스 기판을 절연층 및 회로패턴 가공 장치로 이송시키는 단계; 및 (c)상기 (b)단계에 따라 일면에 절연층 및 회로패턴이 형성된 베이스 기판을 메인 권취롤에 되감는 단계;를 포함하는, 칩 인덕터 제조 방법을 제공한다.
또한, 상기 베이스 기판은, 가요성 있는 절연재로 구성되는, 칩 인덕터 제조 방법을 제공한다.
또한, 상기 절연재는, 폴리이미드(PI), 폴리아미드, 액정 폴리머(LCP), 페놀 수지, 에폭시 수지 중 어느 하나 이상을 포함하는, 칩 인덕터 제조 방법을 제공한다.
또한, 상기 (b)단계는, (b1)상기 메인 권출롤에서 권출되는 상기 베이스 기판 상에 절연층을 연속적으로 형성하는 단계; (b2)절연층 형성된 상기 베이스 기판을 롤투롤 방식으로 진공 챔버 내로 연속적으로 공급하여 시드층을 증착하는 단계; (b3)상기 진공 챔버를 통과한 상기 베이스 기판을 평판테이블로 이송시켜 노광,현상 공정을 진행하는 단계; (b4)롤투롤 방식으로 상기 베이스 기판을 도금조에 연속적으로 침지시켜 개구부를 통해 노출되는 시드층에 전해도금층을 형성하는 단계; 및 (b5)롤투롤 방식으로 상기 베이스 기판을 에칭액조에 연속적으로 침지시켜 상기 드라이 필름 및 외부로 노출된 시드층을 제거하는 단계;로 구성되는, 칩 인덕터 제조 방법을 제공한다.
또한, 상기 (b2)단계의 증착 공정은, 스퍼터링(sputtering), 플레이팅법(plating), 가열 증착법(thermal deposition), 이온 빔 증착법(e-beam deposition), 물리 기상 증착법(Physical Vapour Deposition, PVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapour Deposition, CVD) 중 어느 하나를 이용하는, 칩 인덕터 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 칩 인덕터 제조 방법에 따르면, 칩 인덕터 제조 공정을 롤투롤 방식으로 자동화함으로써, 수율과 생산성을 향상시키고 제조단가를 절감하여 제품 경쟁력을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 칩 인덕터 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 2는 본 발명에 따른 칩 인덕터 제조 방법의 전 공정을 개략적으로 도시한 공정도이다.
도 3은 롤투롤 방식으로 절연층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 공정도이다.
도 4는 롤투롤 방식으로 시드층을 증착하는 과정을 설명하기 위한 공정도이다.
도 5는 롤투롤 방식으로 노광 및 현상 공정이 진행되는 과정을 설명하기 위한 공정도이다.
도 6은 롤투롤 방식으로 전해도금층을 형성하는 과정과 드라이 필름 및 시드층을 제거하는 과정을 설명하기 위한 공정도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 다수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용효과를 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 칩 인덕터 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트이고, 도 2는 본 발명에 따른 칩 인덕터 제조 방법의 전 공정을 개략적으로 도시한 공정도이며, 도 3 내지 도 6은 롤투롤 방식에 따라 진행되는 각 공정 과정을 설명하기 위한 공정도이다.
각 도면을 참조하여 본 발명에 따른 칩 인덕터 제조 방법을 살펴보면, 먼저, 메인 권출롤(110)에 감겨진 베이스 기판(100)을 준비하는 단계를 수행한다(S10).
상기 베이스 기판(100)을 일측에서 연속적으로 권출하고, 각 공정을 거친 베이스 기판(100)을 타측에서 연속적으로 권취할 수 있도록 상기 메인 권출롤(110)와 메인 권취롤(120)이 한쌍으로 구비된다.
즉, 상기 메인 권출롤(110)에는 어떠한 공정도 거치지 않은 상태의 베이스 기판(100)이 감겨져 있고, 상기 메인 권출롤(110)의 반대쪽에는 상기 베이스 기판(100)을 감아 회수하도록 상기 메인 권취롤(120)이 배치되어, 칩 인덕터 제조를 위한 각 각 공정을 거친 베이스 기판(100)이 상기 메인 권취롤(120)에 감기게 된다.
한편, 이송되는 상기 베이스 기판(100)의 텐션(tension)을 유지하도록 상기 메인 권출롤(110)와 메인 권취롤(120)의 근방에 텐션 유지 롤러(130) 및 상기 베이스 기판(100)의 이송을 가이드 하는 가이드 롤러(140)가 구비될 수 있다.
상기 베이스 기판(100)의 진행 방향에 여러 가지 공정을 수행하기 위한 장치들이 배치될 수 있다.
이러한 칩 인덕터 제조에 필요한 공정 장치에는 칩 인덕터 제조 순서에 따라 절연층 도포를 위한 도포 장치(200), 시드층 증착을 위한 진공 챔버(300), 노광, 현상 장치(400), 도금액 및 에칭액이 수용된 도금조 및 에칭액조(500) 등이 차례로 배치될 수 있다. 상기 장치들 내부에는 권출롤과 권취롤, 그리고 이송 롤러 등이 구비되어 있고, 상기 베이스 기판(100)은 이들에 의해 연속적으로 이송이 가능하다.
상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible)을 가지는 플라스틱 소재인 고분자 폴리머(polymer)로 이루어질 있다. 예를 들어, 상기 베이스 기판(100)은 폴리이미드(PI), 폴리아미드, 액정 폴리머(LCP), 페놀 수지, 에폭시 수지 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이들은 가용성 고분자 폴리머(polymer)를 대표하는 재질로써, 이외에도, 폴리에스테르, ABS, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트(PC), 폴리아미도이미드, 폴리아세탈, 폴리페닐렌 옥사이드(PPO), 폴리페닐렌 술파이드, 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK) 등 가요성을 가지는 고분자 폴리머 재질이면 어떠한 것이든 포함할 있고, 반드시 상기 재질에 한정되는 것은 아니다.
상기 베이스 기판(100)이 상기 메인 권출롤(110)에 감긴 상태에서 상기 메인 권출롤(110)이 일정 각속도로 회전 운동하면, 상기 메인 권출롤(110)에서 일정 속도로 권출되는 상기 베이스 기판(100) 상면에 절연층을 연속적으로 형성하는 단계를 수행한다(S20).
도 3은 절연층 형성 과정을 설명하기 위한 공정도로써, 상기 메인 권출롤(110)에서 권출되는 상기 베이스 기판(100)은, 코팅 장치(210)를 지나면서 그 상면에 절연층이 도포된다. 상기 코팅 장치(210) 전후로 인피드롤(220)과 아웃피드롤(230)이 구비되어 장력 아이솔레이션(Tension isolation) 구간이 형성되고, 이에 따라, 절연층이 균일하게 도포될 수 있다. 절연층이 도포된 후, 상기 베이스 필름은 건조부(240)를 지나면서 도포된 절연층이 건조되며, 열적외선을 이용하여 도포된 절연층이 빠르고 균일하게 경화되도록 한다.
그 다음, 절연층 형성된 상기 베이스 기판(100)을 롤투롤 방식으로 진공 챔버 내에 마련된 증착 영역으로 연속적으로 공급하여 상기 절연층 상에 시드층을 형성하는 단계를 수행한다(S30).
도 4는 시드층 형성 과정을 설명하기 위한 공정도로써, 상기 진공 챔버(300) 내에는 상기 베이스 기판(100)을 주행시키도록 구성된 권출롤(310)과 권취롤(320), 그리고 상기 권출롤(310)과 권취롤(320) 사이에 배치된 증착롤(330)을 포함한다. 이외에도 상기 진공 챔버(300) 내에는 상기 스퍼터 건(340)에 방전 전력을 공급하기 위한 전원과, 상기 증착롤은 그 내부에 냉각액이 흐르는 냉각 유닛 등이 구비할 수 있다.
상기 권출롤(310)에서 권출되는 상기 베이스 기판(100)은 상기 증착롤(330)의 주면을 따라 주행하여 증착 영역(340a)을 연속적으로 통과하게 되고, 증착 영역(340a)으로 공급된 베이스 기판(100)은 상기 베이스 기판(100)과 대향 배치된 스퍼터 건(340)에 의해 시드층이 증착된다. 시드층이 증착된 베이스 기판(100)은 권취롤(320)에 감긴 뒤 다음 공정 장치로 취출된다.
이러한 증착 공정은 스퍼터링(sputtering)에 의한 증착 외에도, 플레이팅법(plating), 가열 증착법(thermal deposition), 이온 빔 증착법(e-beam deposition), 물리 기상 증착법(Physical Vapour Deposition, PVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapour Deposition, CVD) 중 어느 하나를 이용할 수 있다.
그 다음, 일정한 시간 간격으로 회전하는 권출롤에 따라 평판테이블에 안착되는 상기 베이스 기판(100)에 노광,현상 공정을 진행하는 단계를 수행한다(S40).
도 5a는 노광 과정을 설명하기 위한 공정도로써, 마스크 패턴(430) 부착 과정이 필요한 노광 공정의 경우 연속적으로 진행되기 어려우므로, 권출롤(310)이 일정한 시간 간격으로 회전하여 회로패턴이 형성되는 영역 단위로 상기 베이스 기판(100)을 평판 테이블(420)에 안착시킨 후, 노광 공정을 수행한다.
이때, 도면에는 생략되었으나 절연층 도포와 마찬가지로, 노광 공정 전에 코팅 장치를 통해 상기 베이스 기판(100) 상에 드라이 필름이 연속적으로 도포될 수 있다. 상기 드라이 필름은 후술할 전해도금층을 형성하는 단계에서 도금레지스트 역할을 수행한다.
이러한 드라이 필름에 회로형성용 개구부를 패터닝하는 노광, 현상 공정을 상세히 살펴보면, 우선, 도 5a와 같이, 일정한 시간 간격으로 회전하는 권출롤(410)에 따라 상기 베이스 기판(100)에서 회로패턴이 형성되는 영역이 평판 테이블(420)에 안착시키나. 그 다음, 앞서 도포된 드라이 필름 위에 소정 패턴의 마스크(430)를 밀착시킨후 자외선을 조사하여 드라이 필름을 선택적으로 경화한다.
그 후, 도 5b와 같이, 노광된 베이스 기판(100) 영역을 현상 장치의 권출롤(440)과 권취롤(450)을 통해 계속적으로 현상액조(460)에 통과시켜 경화되지 않은 드라이 필름을 용해, 제거함으로써 회로형성용 개구부를 패터닝할 수 있다.
그 다음, 상기 베이스 기판(100)을 도금조에 롤투롤 방식에 의해 침지시켜 개구부를 통해 노출되는 시드층 상부에 전해도금층을 형성하는 단계를 수행하고(S50), 상기 베이스 기판(100)을 롤투롤 방식에 의해 연속적으로 상기 도금조 다음에 위치한 에칭액조에 침지시켜 상기 드라이 필름 및 외부로 노출된 시드층을 제거하는 단계를 수행한다(S60).
도 6은 전해도금층 형성과, 드라이 필름 및 시드층 제거 과정을 설명하기 위한 공정도로써, 이와 같이, 전해도금층 형성 단계와 드라이 필름 및 시드층 제거 단계는 연속적으로 배치된 도금조(500a)와 에칭액조(500b)를 통해 연속적으로 이루어질 수 있다.
상기 도금조(500a)는 도금액(510a)으로 베이스 기판(100)에 내포된 전도성 물질과 동일한 물질로 형성하여 도금에 의한 시드층의 성장이 용이하게 이루어지도록 하고 있다. 즉, 드라이 필름은 도금레지스트 역할을 수행하므로, 상기 베이스 기판(100)이 상기 도금조(500a) 내부에 포함된 가이드 롤러(520a)를 통해 도금액(510a)에 침지되면, 시드층을 인입선으로 하여 드라이 필름의 회로형성용 개구부에만 선택적으로 전해도금층이 형성된다.
전해도금층이 형성되면, 상기 베이스 기판(100)을 상기 에칭액조(500b) 내부에 포함된 가이드 롤러(520b)를 통해 에칭액(510b)에 침지시켜 상기 드라이 필름 및 외부로 노출된 시드층을 제거한다. 여기서, 노출된 시드층은 전해도금층이 형성되지 않은 부분을 의미하며, 에칭액으로는 수산화 나트륨(NaOH) 또는 수산화 칼륨(KOH) 등을 사용할 수 있다.
마지막으로, 일면에 절연층 및 회로패턴이 형성된 베이스 기판(100)을 메인 권취롤(120)에 되감는 단계를 수행하여(S70), 최종적으로 칩 인덕터를 완성한다.
이와 같이, 본 발명에 따른 칩 인덕터 제조 방법에 따르면, 절연층 도포에서부터 회로패턴 형성까지 모든 공정이 롤투롤 방식으로 자동 진행되므로, 수율과 생산성을 향상시키고 제조단가를 절감하여 제품 경쟁력을 높일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 베이스 기판
110 : 메인 권출롤
120 : 메인 권취롤
200 : 도포 장치
300 : 진공 챔버
400 : 노광, 현상 장치
500a : 도금조
500b : 에칭액조

Claims (5)

  1. 베이스 기판 상에 절연층 및 회로패턴을 형성하는 칩 인덕터 제조 방법에 있어서,
    (a)메인 권출롤에 감겨진 베이스 기판을 준비하는 단계;
    (b)상기 메인 권출롤을 회전시켜 상기 베이스 기판을 절연층 및 회로패턴 가공 장치로 이송시키는 단계; 및
    (c)상기 (b)단계에 따라 일면에 절연층 및 회로패턴이 형성된 베이스 기판을 메인 권취롤에 되감는 단계;
    를 포함하는,
    칩 인덕터 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은,
    가요성 있는 절연재로 구성되는,
    칩 인덕터 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 절연재는,
    폴리이미드(PI), 폴리아미드, 액정 폴리머(LCP), 페놀 수지, 에폭시 수지 중 어느 하나 이상을 포함하는,
    칩 인덕터 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b)단계는,
    (b1)상기 메인 권출롤에서 권출되는 상기 베이스 기판 상에 절연층을 연속적으로 형성하는 단계;
    (b2)절연층 형성된 상기 베이스 기판을 롤투롤 방식으로 진공 챔버 내로 연속적으로 공급하여 시드층을 증착하는 단계;
    (b3)상기 진공 챔버를 통과한 상기 베이스 기판을 평판테이블로 이송시켜 노광,현상 공정을 진행하는 단계;
    (b4)롤투롤 방식으로 상기 베이스 기판을 도금조에 연속적으로 침지시켜 개구부를 통해 노출되는 시드층에 전해도금층을 형성하는 단계; 및
    (b5)롤투롤 방식으로 상기 베이스 기판을 에칭액조에 연속적으로 침지시켜 상기 드라이 필름 및 외부로 노출된 시드층을 제거하는 단계;
    로 구성되는,
    칩 인덕터 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 (b2)단계의 증착 공정은,
    스퍼터링(sputtering), 플레이팅법(plating), 가열 증착법(thermal deposition), 이온 빔 증착법(e-beam deposition), 물리 기상 증착법(Physical Vapour Deposition, PVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapour Deposition, CVD) 중 어느 하나를 이용하는,
    칩 인덕터 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20180058626A (ko) * 2016-11-24 2018-06-01 주식회사 아모그린텍 평판 케이블 제조 방법

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