KR20130111337A - Vacuum evaporation apparatus - Google Patents

Vacuum evaporation apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20130111337A
KR20130111337A KR1020130030767A KR20130030767A KR20130111337A KR 20130111337 A KR20130111337 A KR 20130111337A KR 1020130030767 A KR1020130030767 A KR 1020130030767A KR 20130030767 A KR20130030767 A KR 20130030767A KR 20130111337 A KR20130111337 A KR 20130111337A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
crucible
temperature
deposition
valve
rate
Prior art date
Application number
KR1020130030767A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
히로유키 다이쿠
마사히로 기쿠치
유지 마쓰모토
Original Assignee
히다치 조센 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히다치 조센 가부시키가이샤 filed Critical 히다치 조센 가부시키가이샤
Publication of KR20130111337A publication Critical patent/KR20130111337A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE: A deposition apparatus is provided to prevent the thermal deterioration of a deposition material, and to minimize the residue of the deposition material. CONSTITUTION: A deposition apparatus includes a crucible (22), a temperature sensor (27), a valve, and a film thickness monitor (26). The crucible heats and evaporates a deposition material. The evaporated deposition material is guided to a deposited member through a path inside a vacuum chamber. The temperature sensor detects the temperature of the crucible. The valve at the path controls an opening degree thereof. The film thickness monitor inside the vacuum chamber detects the film thickness of the deposited member. [Reference numerals] (AA) Finish evaporation; (BB) End evaporation; (CC) Start evaporation

Description

증착장치{VACUUM EVAPORATION APPARATUS}Evaporation Equipment {VACUUM EVAPORATION APPARATUS}

본 발명은, 금속박막(金屬薄膜), 유기재료박막(有機材料薄膜), 태양전지(太陽電池)나 디스플레이 패널(display panel) 등의 금속전극배선(金屬電極配線), 유기EL발광층(有機EL發光層) 등을 증착하기 위하여 사용되는 증착장치(蒸着裝置)에 관한 것이다.
The present invention relates to metal electrode wiring such as metal thin film, organic material thin film, solar cell or display panel, and organic EL light emitting layer. The present invention relates to a vapor deposition apparatus used for depositing light and the like.

일반적으로 상기 박막 등의 형성에 사용되는 증착은 10-4Pa 이상의 고진공(高眞空)에서 이루어진다. 예를 들면 일본국 공개특허 특개2004-91858호 공보에 나타나 있는 진공증착장치(眞空蒸着裝置)에서는, 진공챔버(진공용기) 내에, 전기히터가 감겨서 장착되고 증착재료가 들어간 도가니와 피증착기판이 설치되어 있다. 박막의 형성은, 진공챔버 내를 진공으로 배기하여 상기와 같은 고진공으로 한 후에, 도가니를 전기히터에 의하여 가열하여 도가니 내의 증착재료를 용융시켜서 증발시키고, 그것을 피증착기판에 부착시킴으로써 이루어진다. 이 피증착기판에 대한 증착레이트(蒸着rate)(단위시간당 증착되는 증착재료의 양)는 보통의 경우에 도가니의 가열온도에 의하여 제어된다. 그러나 도가니의 온도가 안정되어 있더라도, 도가니 내의 증착재료로는 열전도 등에 의하여 온도가 서서히 전달되는 것 등에 의하여 증착레이트는 안정되기 어렵다. 여기에서 예를 들면 일본국 공개특허 특개2010-242202호 공보에 개시되어 있는 것과 같이 증발분자의 경로 내에 유량조정밸브(流量調整valve)를 넣고, 기판 근방에 설치된 막두께 센서(막두께 측정기)로부터의 신호를 유량조정밸브에 피드백(feedback) 함으로써 상기 증착레이트를 안정시키고 있다.
In general, the deposition used to form the thin film is performed at a high vacuum of 10 −4 Pa or more. For example, in the vacuum deposition apparatus shown in Japanese Patent Laid-Open No. 2004-91858, a crucible and a substrate to which an electric heater is wound and mounted in a vacuum chamber (vacuum container) and containing vapor deposition material are mounted. Is installed. The thin film is formed by evacuating the inside of the vacuum chamber to a high vacuum as described above, then heating the crucible with an electric heater to melt and evaporate the evaporation material in the crucible and attaching it to the substrate to be deposited. The deposition rate (the amount of deposition material deposited per unit time) of this deposited substrate is usually controlled by the heating temperature of the crucible. However, even if the temperature of the crucible is stable, the deposition rate is difficult to be stabilized as the deposition material in the crucible is gradually transferred due to thermal conductivity or the like. Here, for example, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2010-242202, a flow rate adjustment valve is placed in the path of the evaporation molecule, and from a film thickness sensor (film thickness meter) provided near the substrate. The deposition rate is stabilized by feeding back a signal to the flow rate control valve.

상기 유량조정밸브를 사용하는 방식에서는, 도가니의 온도를 고온으로 하여 증발량을 증가시켜도 밸브에 의하여 제어하기 때문에, 증발 레이트는 안정하게 유지할 수 있음과 아울러 도가니 내의 재료를 미니멈(minimum)까지 사용할 수 있다는 특징을 갖는다. 그러나 고온에서 장시간 가열하면, 열에 약한 증착재료의 경우에는 열열화(熱劣化)를 발생시켜서 재료의 특성이 얻어지지 않게 된다는 문제가 발생한다. 반대로 도가니의 온도를 저온으로 하면, 증착재료의 증발량이 적어지게 되어 유량조정밸브를 사용하더라도 소정의 증착레이트로 장시간 안정하게 유지하는 것이 곤란하게 된다는 문제가 발생하고 또한 도가니 내에 잔류재료(殘溜材料)가 많아지게 되어 증착재료의 낭비가 발생한다는 문제가 생긴다.In the method using the flow regulating valve, even if the temperature of the crucible is increased to a high temperature and the amount of evaporation is controlled by the valve, the evaporation rate can be kept stable and the material in the crucible can be used to a minimum. Has characteristics. However, when heated at a high temperature for a long time, a problem arises in that in the case of a vapor deposition material that is weak in heat, thermal deterioration occurs and the characteristics of the material are not obtained. On the contrary, when the temperature of the crucible is low, the amount of evaporation of the evaporation material decreases, which makes it difficult to keep it stable for a long time at a predetermined evaporation rate even when a flow regulating valve is used. ), There is a problem that waste of the deposition material occurs.

여기에서 본 발명은, 증착재료의 열열화를 방지함과 아울러 증착재료의 잔류를 최소로 할 수 있는 증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus capable of preventing thermal degradation of a vapor deposition material and minimizing the residual of the vapor deposition material.

상기한 목적을 달성하기 위하여 청구항1에 관한 본 발명은, 증발된 증착재료를 진공조(眞空槽) 내에 있어서 피증착부재에 부착시키는 증착장치(蒸着裝置)가, 상기 증착재료를 가열하여 증발시키는 도가니와, 상기 도가니에 의하여 증발된 증착재료를 상기 진공조 내의 상기 피증착부재로 인도하는 경로(經路)를 구비하고,In order to achieve the above object, the present invention according to claim 1 is a vapor deposition apparatus for attaching an evaporated deposition material to a member to be deposited in a vacuum chamber, wherein the vapor deposition material is heated to evaporate. A crucible and a path for guiding the vapor deposition material evaporated by the crucible to the deposition member in the vacuum chamber,

상기 도가니의 온도를 검출하는 온도센서(溫度sensor)를 설치하고,A temperature sensor for detecting the temperature of the crucible is provided,

상기 경로에, 개도(開度)의 조절기능을 구비한 밸브(valve)를 설치하고,In the path, a valve having an opening degree adjustment function is provided,

상기 진공조 내에, 상기 피증착부재의 막두께를 검출하는 막두께 모니터를 설치하고,In the vacuum chamber, a film thickness monitor for detecting the film thickness of the member to be deposited is provided,

상기 막두께 모니터에 의하여 검출된 막두께에 의하여 상기 피증착부재의 증착레이트(蒸着rate)를 검출하고, 이 증착레이트가 소정의 증착레이트가 되도록 상기 밸브의 개도를 조절함과 아울러 이 밸브의 개도의 변화율을 검출하고, 이 변화율이 소정의 증착레이트에서 안정한 상태에 있어서의 안정변화율을 넘으면, 상기 도가니의 설정온도를 증분치(增分値)만큼 상승시켜서 상기 증착재료의 증착량을 증가시키는 컨트롤러(controller)를 설치한 것을 특징으로 한다.The deposition rate of the member to be deposited is detected by the film thickness detected by the film thickness monitor, and the opening degree of the valve is adjusted while adjusting the opening degree of the valve so that the deposition rate becomes a predetermined deposition rate. A controller that detects a rate of change of the crucible and increases the deposition temperature of the deposition material by raising the set temperature of the crucible by an incremental value if the rate of change exceeds the rate of change of stability in a stable state at a predetermined deposition rate. (controller) is installed.

상기 구성에 의하면, 막두께 모니터에 의하여 검출된 막두께에 의하여 피증착부재의 증착레이트가 검출되고, 이 증착레이트가 소정의 증착레이트가 되도록 밸브의 개도가 조절된다. 그리고 도가니 내의 증착재료가 적어지게 되면, 증발량이 저하되는 것으로부터 소정의 증착레이트를 유지하기 위하여 밸브의 개도는 커지게 조절되고, 이 밸브의 개도의 변화율이 안정변화율 이상이 되면, 도가니의 온도가 소정의 온도 상승하게 되어 도가니로부터의 증착재료의 증발량이 증가하게 된다. 이에 따라 소정의 증착레이트로 하기 위한 밸브의 개도의 조절을 할 수 없게 되는 것이 회피된다. 또 증분치씩 온도가 상승됨으로써 증착재료의 열열화가 방지됨과 아울러 증착재료의 잔류를 최소로 할 수 있다.According to the above configuration, the deposition rate of the member to be deposited is detected by the film thickness detected by the film thickness monitor, and the opening degree of the valve is adjusted so that the deposition rate becomes a predetermined deposition rate. When the deposition material in the crucible is reduced, the opening degree of the valve is adjusted to maintain a predetermined deposition rate from the lowering of the evaporation amount. When the rate of change of the opening degree of the valve is equal to or more than the stable change rate, the temperature of the crucible is increased. The predetermined temperature rises and the amount of evaporation of the deposition material from the crucible increases. This avoids the inability to adjust the opening degree of the valve for the predetermined deposition rate. Further, by increasing the temperature incrementally, the thermal degradation of the deposition material can be prevented and the residual of the deposition material can be minimized.

청구항2에 관한 본 발명은, 청구항1에 관한 발명에 있어서, 컨트롤러는, 도가니의 설정온도를 증분치만큼 상승시키는 처리를 하면, 그 상승된 설정온도를 일정시간 유지하면서 밸브의 개도를 조절하고, 상기 일정시간 경과 후에 상기 밸브의 개도의 변화율이 안정변화율을 넘고 있을 때에, 상기 도가니의 설정온도를 상기 증분치만큼 더 상승시키는 것을 특징으로 한다.In the invention according to claim 2, in the invention according to claim 1, when the controller performs a process of raising the set temperature of the crucible by an incremental value, the controller controls the opening degree of the valve while maintaining the raised set temperature for a predetermined time. When the rate of change of the opening degree of the valve exceeds the stable rate of change after the predetermined time has elapsed, the set temperature of the crucible is further increased by the increment value.

상기 구성에 의하면, 도가니의 온도가 증분치만큼 상승되면, 이 온도는 일정시간 유지되고, 이 일정시간 내에 도가니는 늦게 온도상승하여 도가니로부터의 증착재료의 증발량이 늦게 증가한다. 이와 같이 일정시간에서 증분치의 온도상승에 대응하는 증착재료의 증발량이 증가하고, 따라서 밸브의 개도의 변화율은 작아지거나 혹은 밸브는 닫히는 방향으로 변화한다. 이 때에 상기 증분치에 의한 도가니의 온도상승에 의거하는 증착재료의 증발량의 증가분으로는 부족하게 되면, 밸브의 개도의 변화율이 안정변화율을 넘은 상태가 된다. 여기에서 도가니의 설정온도를 더 상기 증분치만큼 상승시키고, 이에 따라 도가니의 온도는 상기 증분치의 온도씩 단계적으로 상승하게 된다.According to the above constitution, when the temperature of the crucible is increased by an incremental value, this temperature is maintained for a certain time, and within this constant time, the crucible rises late and the amount of evaporation of the evaporation material from the crucible is increased slowly. In this way, the evaporation amount of the evaporation material corresponding to the incremental temperature rise at a certain time increases, and thus the rate of change of the opening degree of the valve decreases or the valve changes in the closing direction. At this time, if the increase of the evaporation amount of the evaporation material based on the temperature rise of the crucible by the increment value is insufficient, the rate of change of the opening degree of the valve exceeds the rate of change of stability. Here, the set temperature of the crucible is further increased by the incremental value, and thus the temperature of the crucible is increased stepwise by the temperature of the incremental value.

청구항3에 관한 본 발명은, 청구항1 또는 청구항2에 관한 본 발명에 있어서, 컨트롤러는, 밸브를 닫은 상태에서 도가니의 설정온도를, 상기 밸브가 소정의 개도에서 소정의 증착레이트를 얻는 최저온도까지 상승시키고, 도가니의 검출온도가 이 최저온도까지 상승하면, 상기 밸브를 설정 개도까지 열어서, 소정의 증착레이트를 얻는 밸브의 개도 조절을 시작하는 것을 특징으로 한다.In the present invention according to claim 3, in the present invention according to claim 1 or 2, the controller is configured to set the temperature of the crucible with the valve closed to a minimum temperature at which the valve obtains a predetermined deposition rate at a predetermined opening degree. When the temperature rises and the detection temperature of the crucible rises to this minimum temperature, the valve is opened to a set opening degree, and the opening degree of the valve which obtains a predetermined deposition rate is started.

상기 구성에 의하면, 우선 초기상태에서는, 도가니의 온도는, 밸브가 소정의 개도에서 소정의 증착레이트를 얻는 최저온도까지 상승되고, 이 상태에서 밸브가 상기 소정의 개도까지 열려서 소정의 증착레이트를 얻는 밸브의 개도 조정이 시작된다. 이와 같이 최저온도로부터 증착을 시작함으로써 증착재료를 유효하고 또한 최후까지 사용할 수 있다. 또 도가니의 온도를 처음부터 고온으로 하여 증착재료의 증발량을 늘리면, 열열화가 발생하여 증착재료의 특성이 얻어지지 않게 된다.According to the above configuration, first, in the initial state, the temperature of the crucible is raised to the lowest temperature at which the valve obtains the predetermined deposition rate at the predetermined opening degree, and in this state, the valve is opened to the predetermined opening degree to obtain the predetermined deposition rate. The opening degree adjustment of the valve starts. Thus, by starting vapor deposition from the lowest temperature, the vapor deposition material can be used effectively and to the end. If the evaporation amount of the evaporation material is increased by setting the temperature of the crucible at a high temperature from the beginning, thermal deterioration occurs and the characteristics of the evaporation material are not obtained.

또 청구항4에 관한 본 발명은, 청구항1∼청구항3 중 어느 하나에 관한 본 발명에 있어서, 컨트롤러는, 도가니의 검출온도가 증착재료의 열화온도(劣化溫度)까지 상승하였을 때에, 밸브가 더 열리면 도가니에 의한 증착재료의 증발을 종료하는 것을 특징으로 한다.In the present invention according to claim 4, the present invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the controller is further opened when the valve is further opened when the detection temperature of the crucible rises to the deterioration temperature of the vapor deposition material. Ending evaporation of the deposition material by the crucible is characterized in that the end.

상기 구성에 의하면, 도가니의 온도가 증착재료의 열화온도까지 상승한 상태에서 밸브가 더 열리면, 소정의 증착레이트를 얻을 수 없다라고 판정되어 증착은 종료된다.
According to the above configuration, if the valve is further opened while the temperature of the crucible has risen to the deterioration temperature of the deposition material, it is determined that the predetermined deposition rate cannot be obtained and the deposition is terminated.

본 발명의 증착장치는, 밸브의 개도의 변화율이 안정변화율을 넘으면, 도가니의 온도가 증분치만큼 상승됨으로써 도가니로부터의 증착재료의 증발량이 증가됨으로써 소정의 증착레이트로 하기 위한 밸브의 개도를 조절할 수 없게 되는 것을 회피할 수 있다. 또 본 발명에 의하면, 증분치씩 온도가 상승됨으로써 증착재료의 열열화를 방지함과 아울러 증착재료의 잔류를 최소로 할 수 있다.
In the vapor deposition apparatus of the present invention, if the rate of change of the opening degree of the valve exceeds the stable rate of change, the temperature of the crucible is increased by an incremental value so that the evaporation amount of the evaporation material from the crucible is increased, so that the opening degree of the valve for a predetermined deposition rate can be adjusted. Can be avoided. In addition, according to the present invention, by increasing the temperature incrementally, it is possible to prevent thermal deterioration of the deposition material and to minimize the residual of the deposition material.

도1은, 본 발명의 증착장치의 실시예의 구성도이다.
도2는, 동(同) 증착장치의 밸브개도 제어장치의 제어 블럭도이다.
도3은, 동 증착장치의 도가니 히터 제어장치의 제어 블럭도이다.
도4는, 동 증착장치의 동작을 설명하는 플로우 차트이다.
도5는, 동 증착장치에 있어서의 증착레이트와 도가니 온도와 밸브개도의 특성을 나타내는 도면이다.
1 is a configuration diagram of an embodiment of a vapor deposition apparatus of the present invention.
Fig. 2 is a control block diagram of the valve opening degree control device of the vapor deposition apparatus.
Fig. 3 is a control block diagram of the crucible heater control device of the vapor deposition apparatus.
4 is a flowchart for explaining the operation of the vapor deposition apparatus.
Fig. 5 is a diagram showing the characteristics of the deposition rate, crucible temperature, and valve opening degree in the vapor deposition apparatus.

도1은, 본 발명의 증착장치(蒸着裝置)의 실시예의 구성도이다. 도1에 나타나 있는 바와 같이 진공챔버(진공조(眞空槽)/증착용 용기(蒸着用 容器))(11) 내에, 진공분위기(眞空雰圍氣) 중에서 글래스 기판(glass 基板)(피증착부재의 일례)(12)의 표면(하면)에 대하여 증발입자(증발한 증착재료 예를 들면 유기EL재료)를 증착하는 증착실(蒸着室)(13)이 설치되어 있다. 진공챔버(11)에는, 진공유닛(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 진공분위기가 되는 진공포트(眞空port)(14)가 형성되어 있다. 진공챔버(11)의 상부에는 글래스 기판(12)을 지지하는 워크 지지구(work 支持具)(15)가 설치되어 있다. 도면에 나타내는 증착장치는, 워크 지지구(15)에 지지된 글래스 기판(12)의 하면(피증착면)에 하방으로부터 증발입자를 증착시키는 업블로우(up-blow) 타입(업 디포지션(up-deposition))의 증착장치이다.1 is a configuration diagram of an embodiment of a vapor deposition apparatus of the present invention. As shown in Fig. 1, a glass substrate (deposition member) in a vacuum atmosphere (vacuum bath / deposition vessel) 11 is placed in a vacuum atmosphere. An evaporation chamber 13 for depositing evaporated particles (evaporated evaporation material, for example, an organic EL material) on the surface (lower surface) of one example 12 is provided. In the vacuum chamber 11, a vacuum port 14 serving as a vacuum atmosphere is formed by a vacuum unit (not shown). The upper part of the vacuum chamber 11 is provided with a work support 15 for supporting the glass substrate 12. The vapor deposition apparatus shown in the figure is an up-blow type (up deposition) which deposits evaporated particles from the lower surface (deposited surface) of the glass substrate 12 supported by the work support 15. -deposition).

진공챔버(11)의 하부에는, 증발입자를 글래스 기판(12)으로 인도하기 위한 재료수송관(材料輸送管)(증발입자를 글래스 기판으로 인도하는 경로의 일례)(17)이 설치되어 있다. 그리고 재료수송관(17)의 개구부(開口部)(17a)가 글래스 기판(12)의 하면과 대향(對向)하도록 배치되어 있다. 재료수송관(17)의 개구부(17a)와 워크 지지구(15)의 사이에, 증발입자가 글래스 기판(12)에 도달하는 것을 저지할 수 있는 개폐식의 셔터(shutter)(18)가 설치되어 있다.In the lower part of the vacuum chamber 11, a material transport pipe (an example of a path for leading evaporated particles to the glass substrate) 17 for guiding evaporated particles to the glass substrate 12 is provided. And the opening part 17a of the material transportation pipe 17 is arrange | positioned so that the lower surface of the glass substrate 12 may be opposed. Between the opening 17a of the material transport pipe 17 and the work support 15, an open shutter 18 is provided which can prevent evaporated particles from reaching the glass substrate 12. have.

재료수송관(17)에는, 진공챔버(11)의 외측에 있어서, 유량제어밸브(流量制御valve)(경로의 개도(開度)를 조절하는 밸브의 일례 : 컨트롤 밸브(control valve))(19)가 설치되어 있다. 유량제어밸브(19)는 그 개도를 조절함으로써 증발입자의 유량을 제어할 수 있다. 이들 재료수송관(17) 및 유량제어밸브(19)에는, 제1히터(20)가 감겨서 장착되어 있다. 재료수송관(17) 및 유량제어밸브(19)는 제1히터(20)에 의하여 주위의 온도보다 높은 온도까지 가열되고 있다.The material transport pipe 17 has a flow control valve (an example of a valve for adjusting the opening degree of a path: a control valve) outside the vacuum chamber 11 (19). ) Is installed. The flow rate control valve 19 can control the flow rate of the evaporated particles by adjusting the opening degree. The first heater 20 is wound around and mounted on the material transport pipe 17 and the flow control valve 19. The material transport pipe 17 and the flow control valve 19 are heated to a temperature higher than the ambient temperature by the first heater 20.

진공챔버(11)의 외측에 있어서, 재료수송관(17)의 상류단(上流端) 즉 재료수송관(17)에 있어서 진공챔버(11)로부터 가장 떨어진 위치에는, 도가니(재료수납용기)(22)가 설치되어 있다. 도가니(22)에 제2히터(도가니 히터)(23)가 감겨서 장착되어 있다. 이 제2히터(23)에 의하여 도가니(22)에 수납된 증착재료(蒸着材料)(24)가 가열되어 증발입자가 형성되고, 형성된 증발입자가 재료수송관(17)으로 공급된다.On the outside of the vacuum chamber 11, a crucible (material storage container) (upstream end of the material transportation pipe 17, that is, the position furthest from the vacuum chamber 11 in the material transportation pipe 17) ( 22) is installed. The second heater (the crucible heater) 23 is wound around and mounted on the crucible 22. The vapor deposition material 24 accommodated in the crucible 22 is heated by this second heater 23 to form evaporated particles, and the evaporated particles formed are supplied to the material transport pipe 17.

증착실(13)에는, 글래스 기판(12)에 증착된 증착재료의 막두께를 검출하는 막두께 모니터(26)가 워크 지지구(15)에 근접하게 설치되어 있다. 도가니(22)에는, 이 도가니(22)의 온도, 상세하게는 도가니(22)의 내부온도 즉 증착재료(24)의 온도를 검출하는 온도센서(溫度sensor)(27)가 설치되어 있다.In the vapor deposition chamber 13, a film thickness monitor 26 for detecting the film thickness of the vapor deposition material deposited on the glass substrate 12 is provided in proximity to the work support 15. The crucible 22 is provided with a temperature sensor 27 which detects the temperature of the crucible 22, specifically, the internal temperature of the crucible 22, that is, the temperature of the vapor deposition material 24.

진공챔버(11)의 외측에는, 밸브개도 제어장치(valve開度 制御裝置)(29)와 도가니 히터 제어장치(crucible heater 制御裝置)(30)가 설치되어 있다.Outside the vacuum chamber 11, a valve opening control device 29 and a crucible heater control device 30 are provided.

[밸브개도 제어장치(29)][Valve opening controller 29]

도1 및 도2에 나타나 있는 바와 같이 밸브개도 제어장치(29)에는, 막두께 모니터(26)에 의하여 검출된 막두께의 데이터가 입력되고 있고, 도가니 히터 제어장치(30)로부터 출력되는 증착재료(24)의 최저온도 도달신호 및 증착정지신호가 입력되고 있다. 또한 밸브개도 제어장치(29)에서 유량제어밸브(19)로 밸브개도명령(L)(밸브개도가 0∼100%에 상당하는 전기신호)이 출력되고 있고, 도가니 히터 제어장치(30)로 밸브개도 급격상승신호와 증착종료신호가 출력되고 있고 또한 외부(증착공정을 관리하는 상위 컴퓨터 등)로 증착종료신호가 출력되고 있다. 도2에 있어서는, 도면의 표시를 간단하게 하기 위하여 1개의 도가니 히터 제어장치(30)가 도면의 좌우에 있어서 중복하여 기재되어 있다.As shown in Fig. 1 and Fig. 2, the valve opening degree control device 29 is inputted with data of the film thickness detected by the film thickness monitor 26, and is a vapor deposition material output from the crucible heater control device 30. The minimum temperature arrival signal and the vapor deposition stop signal at (24) are input. Further, the valve opening command L (an electrical signal corresponding to 0 to 100% valve opening) is output from the valve opening control device 29 to the flow rate control valve 19, and the valve is opened to the crucible heater control device 30. The opening degree sudden rise signal and the deposition end signal are output, and the deposition end signal is output to the outside (such as a high-level computer managing the deposition process). In Fig. 2, one crucible heater control device 30 is described in duplicate in left and right of the figure in order to simplify the display of the figure.

밸브개도 제어장치(29)는, 도2에 나타나 있는 바와 같이 증착레이트 검출부(蒸着rate 檢出部)(31)와, 증착종료 검출부(蒸着終了 檢出部)(32)와, 밸브개도 제어부(valve開度 制御部)(33)와, 셔터개폐부(shutter開閉部)(34)와, 밸브개도변화율 검출부(valve開度變化率 檢出部)(35)와, 밸브안정변화율 검출부(valve安定變化率 檢出部)(36)와, 밸브개도 급격상승 검출부(valve開度 急激上昇 檢出部)(37)를 구비한다. 이 중에서 증착레이트 검출부(31)는, 막두께 모니터(26)에서 입력된 막두께 정보의 변화에 의거하여 글래스 기판(12)에 대한 증발입자의 증착레이트(R)를 구한다. 증착종료 검출부(32)는, 막두께 모니터(26)에서 입력된 정보인 막두께가 필요로 하는 증착막 두께가 되면, 필요한 두께의 증착막이 형성된 것으로 하여 증착종료신호를 도가니 히터 제어장치(30)와 밸브개도 제어부(33)와 밸브개도 제어장치(29)의 외부로 출력한다.As shown in Fig. 2, the valve opening degree control device 29 includes a deposition rate detecting unit 31, a deposition end detecting unit 32, and a valve opening control unit (as shown in Fig. 2). valve valve control section 33, shutter opening and closing section 34, valve opening change rate detecting section 35, and valve stability change rate detecting section A valve 36 and a valve opening detecting portion 37 are also provided. Among them, the deposition rate detection unit 31 calculates the deposition rate R of the evaporated particles on the glass substrate 12 based on the change in the film thickness information input from the film thickness monitor 26. When the deposition end detection unit 32 reaches the deposition film thickness required by the film thickness, which is the information input from the film thickness monitor 26, the deposition end signal is formed to form the deposition film having the required thickness and the crucible heater control device 30 The valve opening degree control unit 33 and the valve opening degree are also output to the outside of the control unit 29.

(밸브개도 제어부(33))(Valve opening degree control part 33)

밸브개도 제어장치(29)에 있어서의 밸브개도 제어부(33)는 다음의 기능을 구비한다.The valve opening degree control unit 33 in the valve opening degree control device 29 has the following functions.

(a)도가니 히터 제어장치(30)에서 증착재료(24)의 최저온도 도달신호를 입력하지 않고 있을 때 또는 증착정지신호를 입력하였을 때 혹은 증착종료 검출부(32)에서 증착종료신호를 입력하였을 때에, 유량제어밸브(19)로 밸브를 전부 닫기 위한 밸브개도명령(L)(밸브개도가 0%에 상당하는 전기신호)을 출력한다.(a) When the crucible heater control device 30 does not input the minimum temperature arrival signal of the deposition material 24 or when the deposition stop signal is input or when the deposition end signal is input by the deposition end detection unit 32. To the flow control valve 19, a valve opening command L (electric signal corresponding to 0% valve opening) is outputted.

(b)도가니 히터 제어장치(30)에서 증착재료(24)의 최저온도 도달신호를 입력하면 즉 증착재료(24)가 가열을 받음으로써 증착처리에 적당한 최저온도까지 승온(昇溫)된 것을 나타내는 신호를 입력하면, 유량제어밸브(19)로 소정의 개도(예를 들면 70%)까지 밸브를 서서히 여는 밸브개도명령(L)을 출력한다.(b) When the crucible heater control device 30 inputs the lowest temperature attainment signal of the deposition material 24, that is, a signal indicating that the deposition material 24 is heated to a minimum temperature suitable for the deposition process by heating. Is inputted, a valve opening command L for gradually opening the valve to a predetermined opening degree (for example, 70%) is output to the flow control valve 19.

(c)유량제어밸브(19)가 상기 소정의 개도까지 열리면(밸브개도명령(L)이 소정의 개도값이 되면), 미리 설정된 소정의 증착레이트(Re)와 증착레이트 검출부(31)에 의하여 구해진 증착레이트(R)와의 편차를 구하고, 이 편차를 없애도록 밸브개도명령(L)을 조절한다.(c) When the flow rate control valve 19 is opened to the predetermined opening degree (when the valve opening instruction L becomes a predetermined opening value), the predetermined deposition rate Re and the deposition rate detection unit 31 are set in advance. The deviation from the obtained deposition rate R is obtained, and the valve opening command L is adjusted to eliminate this deviation.

(셔터개폐부(34))(Shutter opening and shutting part 34)

셔터개폐부(34)는 밸브개도명령(L)에 의하여 유량제어밸브(19)의 개도를 확인하고, 유량제어밸브(19)의 개도가 상기 소정의 개도(예를 들면 70%) 미만일 때에 셔터(18)를 전부 닫고, 소정의 개도(예를 들면 70%) 이상이 되면 셔터(18)를 전부 연다.The shutter opening / closing part 34 confirms the opening degree of the flow control valve 19 by the valve opening instruction L, and when the opening degree of the flow control valve 19 is less than the predetermined opening degree (for example, 70%), the shutter ( All the shutters 18) are closed, and when the predetermined opening degree (for example, 70%) or more is reached, all the shutters 18 are opened.

(밸브개도변화율 검출부(35))(Valve opening change rate detection unit 35)

유량제어밸브(19)는, 증착처리의 진행에 따라 보통의 경우에는 밸브개도가 서서히 커지게 되도록 제어된다. 밸브개도변화율 검출부(35)는 밸브개도명령(L)에 의거하여 단위시간당 밸브개도의 변화(「밸브개도변화율」이라고 한다)(ΔZ)를 구한다.The flow rate control valve 19 is controlled so that the valve opening gradually increases in normal cases as the deposition process proceeds. The valve opening change rate detection unit 35 calculates the change in valve opening degree (referred to as " valve opening change rate ") ΔZ based on the valve opening command L. As shown in FIG.

ΔZ ← Z/tΔZ ← Z / t

여기에서 Z : 밸브개도Where Z: valve opening

t : 경과시간t: elapsed time

(밸브안정변화율 검출부(36))(Valve Stability Change Rate Detector 36)

상기한 바와 같이 유량제어밸브(19)는, 증착처리의 진행에 따라 보통의 경우에는 밸브개도가 서서히 커지게 되도록 제어된다. 밸브안정변화율 검출부(36)는, 증착레이트 검출부(31)에서 검출된 증착레이트(R)가 소정의 증착레이트에 의하여 안정된 상태가 되었을 때에, 밸브개도 제어부(33)에서 입력되는 밸브개도명령(L)에 의하여 단위시간당 밸브개도의 상승변화(「밸브안정변화율」이라고 한다)(ΔZ1)를 구한다.As described above, the flow rate control valve 19 is controlled so that the valve opening degree gradually increases as the deposition process proceeds. The valve stability change rate detection unit 36, when the deposition rate R detected by the deposition rate detection unit 31 is stabilized by the predetermined deposition rate, is the valve opening degree command L input from the valve opening degree control unit 33. ) To determine the increase in valve opening rate (called "valve stability change rate") (ΔZ1) per unit time.

ΔZ1 ← Z1/t1ΔZ1 ← Z1 / t1

여기에서 Z1 : 증착레이트가 안정되었을 때의 밸브개도Where Z1: valve opening when the deposition rate is stabilized

t1 : 증착레이트가 안정되었을 때의 경과시간t1: Elapsed time when deposition rate is stabilized

(밸브개도 급격상승 검출부(37))(Valve opening sudden rise detection unit 37)

밸브개도 급격상승 검출부(37)는, 밸브개도변화율 검출부(35)에 있어서 검출된 밸브개도변화율(ΔZ)이 밸브안정변화율 검출부(36)에 있어서 검출된 밸브안정변화율(ΔZ1)보다 급격하게 상승하면(ΔZ>>ΔZ1), 밸브개도 급격상승신호를 도가니 히터 제어장치(30)로 출력한다. 예를 들면 밸브개도 - 증착레이트 특성(증착재료에 의하여 변한다)에 의하지만, 밸브안정변화율(ΔZ1) = 1로 하여, 밸브개도변화율(ΔZ) = 2 이상일 때에 밸브개도 급격상승신호를 출력한다.When the valve opening change rate detection unit 37 detects that the valve opening change rate ΔZ detected by the valve opening change rate detection unit 35 rises more rapidly than the valve stability change rate ΔZ1 detected by the valve stability change rate detection unit 36. (ΔZ >> ΔZ1) and the valve opening degree sudden rise signal is output to the crucible heater control device 30. For example, the valve opening degree sudden increase signal is outputted when the valve stability change rate ΔZ = 1 or more, depending on the valve opening degree-deposition rate characteristic (varies depending on the deposition material).

[도가니 히터 제어장치(30)]Crucible Heater Control Unit 30

도1 및 도3에 나타나 있는 바와 같이 도가니 히터 제어장치(30)에는, 온도센서(27)에 의하여 검출되는 도가니(22)의 온도 즉 증착재료(24)의 온도가 입력되고 있고, 밸브개도 제어장치(29)로부터 출력된 밸브개도 급격상승신호 및 증착종료신호가 입력되고 있고 또한 외부로부터 증착시작신호가 입력되고 있다. 또 도가니 히터 제어장치(30)에서 밸브개도 제어장치(29)로 증착재료(24)의 최저온도 도달신호 및 증착정지신호가 출력되고 있고, 제1히터(20)로 소정(고정) 온도로 하기 위한 통전명령(通電命令) 및 통전정지명령이 출력되고 있고 또 전기식의 제2히터(23)로 통전량 명령(通電量 命令)(E)(통전량이 0∼100%에 상당하는 전기신호)이 출력되고 있고 또한 외부로 증착정지신호가 출력되고 있다. 도3에 있어서는, 도면의 표시를 간단하게 하기 위하여 1개의 밸브개도 제어장치(29)가 도면의 좌우에 있어서 중복하여 기재되어 있다.As shown in FIGS. 1 and 3, the temperature of the crucible 22 detected by the temperature sensor 27, that is, the temperature of the deposition material 24, is input to the crucible heater control device 30. The valve opening output from the device 29 also receives a sudden rise signal and a deposition end signal, and a deposition start signal from the outside. In addition, the crucible heater control device 30 outputs the lowest temperature attainment signal and the deposition stop signal of the deposition material 24 to the valve opening degree control device 29, and the temperature is set to the predetermined (fixed) temperature by the first heater 20. The power supply command and the power supply stop command are outputted and the power supply command (E) is supplied to the second electric heater 23 (an electric signal corresponding to 0 to 100% of the power supply). Is output and the vapor deposition stop signal is output to the outside. In Fig. 3, in order to simplify the display of the drawing, one valve opening degree control device 29 is described in duplicate in the left and right of the drawing.

도가니 히터 제어장치(30)는, 도3에 나타나 있는 바와 같이 시퀀스부(sequence部)(41)와, 도가니(22)의 목표가열온도 설정부(42)와, 도가니 온도 제어부(43)와, 최저온도도달 검출부(44)와, 열화온도 검출부(劣化溫度 檢出部)(45)를 구비한다.As shown in FIG. 3, the crucible heater control device 30 includes a sequence part 41, a target heating temperature setting part 42 of the crucible 22, a crucible temperature control part 43, The minimum temperature reached detector 44 and the deterioration temperature detector 45 are provided.

(시퀀스부(41))(Sequence part 41)

시퀀스부(41)는 다음의 기능을 구비한다.The sequence section 41 has the following functions.

(a)증착처리를 시작하는 것을 목적으로 하여 외부로부터 증착시작신호가 입력되면, 제1히터(20)가 소정(고정) 온도가 되도록 통전명령을 출력하고, 목표가열온도 설정부(42)로 가열시작신호를 보낸다.(a) When a vapor deposition start signal is input from the outside for the purpose of starting the deposition process, an energization command is output so that the first heater 20 is at a predetermined (fixed) temperature, and the target heating temperature setting unit 42 is output. Send heating start signal.

(b)밸브개도 제어장치(29)에서 증착종료신호를 입력하면 또는 열화온도 검출부(45)에서 증착정지신호를 입력하면, 목표가열온도 설정부(42)로 가열정지신호를 명령하고, 제1히터(20)로 통전정지명령을 출력한다.(b) When the deposition end signal is input from the valve opening control device 29 or the deposition stop signal is input from the deterioration temperature detection unit 45, the heating stop signal is commanded to the target heating temperature setting unit 42. An energization stop command is output to the heater 20.

(목표가열온도 설정부(42))(Target heating temperature setting unit 42)

목표가열온도 설정부(42)는 다음의 기능을 구비한다.The target heating temperature setting unit 42 has the following function.

(a)시퀀스부(41)에서 가열시작신호를 입력하면, 도가니(22)를 위한 목표가열온도를 소정의 최저온도(예를 들면 밸브개도가 Z = 70% 정도에서, 소정의 증착레이트(Re)가 얻어지는 정도의 최소한의 온도)로 설정한다.(a) When the sequence starter 41 inputs a heating start signal, the target heating temperature for the crucible 22 is set at a predetermined minimum temperature (for example, at a valve opening Z of about 70%) and a predetermined deposition rate (Re). ) Is set to the minimum temperature of the degree to be obtained.

(b)시퀀스부(41)에서 가열정지신호를 입력하면, 목표가열온도를 증착재료(24)가 증발하지 않는 온도 이하로 설정한다.(b) When the heating stop signal is input from the sequence section 41, the target heating temperature is set to a temperature at which the deposition material 24 does not evaporate.

(c)온도센서(27)에 의하여 검출되는 도가니(22)의 온도가 상기 소정의 최저온도 이상이 되면, 밸브개도 제어장치(29)에서 출력되는 밸브개도 급격상승신호의 유무를 감시한다. 그리고 밸브개도 급격상승신호를 입력하면,(c) When the temperature of the crucible 22 detected by the temperature sensor 27 reaches or exceeds the predetermined minimum temperature, the valve opening degree output from the valve opening degree control device 29 is monitored for the presence of a sudden rise signal. And when the valve opening also inputs a sudden rise signal,

목표가열온도 = 목표가열온도 + X(℃)Target heating temperature = Target heating temperature + X (℃)

로 재설정한다. 증분치(增分値)인 온도(X)는 증착재료의 가열온도 - 증착레이트 특성(증착재료에 의하여 변한다)에도 의하지만, 예를 들면 3℃ 이하(대체로 1℃)이다. 또 증분치인 온도(상승온도)(X)가 지나치게 높아지게 되면, 증착레이트가 급격하게 변화되는 케이스가 많아 증착레이트를 밸브에 의하여 제어할 수 있는 경우가 발생한다.Reset to. The temperature X, which is an incremental value, is also based on the heating temperature of the deposition material-the deposition rate characteristic (varies depending on the deposition material), but is, for example, 3 ° C or lower (mostly 1 ° C). When the incremental temperature (rising temperature) X becomes too high, there are many cases in which the deposition rate changes abruptly, so that the deposition rate can be controlled by a valve.

(d)목표가열온도의 재설정 후에, 소정의 시간(T(분))만큼 밸브개도 급격상승신호의 유무의 감시를 정지하여 목표온도의 재설정을 하지 않는다. 이 소정의 시간(T)은, 온도(X)에 의하여 추가된 열량(熱量)이 증착재료 전체에 고루 퍼지는데에 필요한 시간을 고려하여 적절하게 설정된다(대략 1분).(d) After resetting the target heating temperature, the monitoring of the presence of the sudden rise signal of the valve opening also stops for a predetermined time T (minutes), and the target temperature is not reset. This predetermined time T is appropriately set in consideration of the time required for the amount of heat added by the temperature X to spread evenly throughout the deposition material (approximately 1 minute).

(도가니 온도 제어부(43))Crucible temperature control unit 43

도가니 온도 제어부(43)는 다음의 기능을 구비한다.The crucible temperature control part 43 has the following functions.

(a)목표가열온도 설정부(42)에 의하여 설정된 목표가열온도와 도가니(22)의 온도의 편차를 구하고, 이 편차를 없애도록 도가니 가열용의 제2히터(23)로 통전량 명령(E)을 출력한다.(a) Deviation between the target heating temperature set by the target heating temperature setting unit 42 and the temperature of the crucible 22, and the amount of energization command (E) to the second heater 23 for crucible heating so as to eliminate the deviation. )

(b)밸브개도 제어장치(29)에서 증착종료신호를 입력하면 또는 열화온도 검출부(45)에서 증착정지신호를 입력하면, 제2히터(23)의 통전을 정지시킨다(통전량 명령(E)을 0%로 한다).(b) When the deposition end signal is input by the valve opening control device 29 or the deposition stop signal is input by the deterioration temperature detection unit 45, the energization of the second heater 23 is stopped (power supply command E). To 0%).

(최저온도도달 검출부(44))(Low Temperature Reach Detection Unit 44)

최저온도도달 검출부(44)는, 온도센서(27)에 의하여 검출되는 도가니(22)의 온도가 제2히터(23)의 가열에 의하여 미리 정해진 최저온도가 되어 도가니(22)의 온도가 안정되면, 밸브개도 제어장치(29)로 증착재료(24)의 최저온도 도달신호를 출력한다.When the temperature of the crucible 22 detected by the temperature sensor 27 reaches a predetermined minimum temperature by heating of the second heater 23, the minimum temperature reaching detection unit 44 stabilizes the temperature of the crucible 22. The valve opening degree control device 29 outputs a signal for reaching the minimum temperature of the deposition material 24.

(열화온도 검출부(45))(Degradation temperature detector 45)

열화온도 검출부(45)는, 온도센서(27)에 의하여 검출되는 도가니(22)의 온도가 증착재료(24)의 열화온도 이상이 되고 또한 밸브개도 제어장치(29)에서 밸브개도 급격상승신호를 입력하면, 도가니(22)에 있어서의 증착재료(24)의 잔류가 없어졌다고 판단한다. 그리고 시퀀스부(41), 도가니 온도 제어부(43), 밸브개도 제어장치(29) 및 외부로 증착정지신호를 출력한다.The deterioration temperature detection unit 45 is configured such that the temperature of the crucible 22 detected by the temperature sensor 27 becomes equal to or higher than the deterioration temperature of the deposition material 24, and the valve opening degree control device 29 receives a sudden increase signal. When inputted, it is determined that the residue of the vapor deposition material 24 in the crucible 22 has disappeared. The vapor deposition stop signal is outputted to the sequencer 41, the crucible temperature control unit 43, the valve opening degree control device 29, and the outside.

[컨트롤러][controller]

이러한 기능에 의하여 밸브개도 제어장치(29) 및 도가니 히터 제어장치(30)는, 「막두께 모니터(26)에 의하여 검출되는 막두께에 의하여 증발입자의 글래스 기판(12)에 대한 증착레이트를 검출하고 : 검출한 증착레이트가 소정의 증착레이트가 되도록 유량제어밸브(19)의 개도를 조절하고 : 또한 온도센서(27)에 의하여 검출되는 도가니(22)의 온도 즉 증착재료(24)의 가열온도에 의거하여 제2히터(23)의 통전량을 조절하여 도가니(22)의 가열온도 즉 증착재료(24)의 가열온도를 제어함과 아울러 : 유량제어밸브(19)의 밸브개도변화율(ΔZ)을 검출하고, 이 밸브개도변화율(ΔZ)이 소정의 증착레이트에서 안정한 상태에 있어서의 밸브안정변화율(ΔZ1) 이상이 되면, 도가니(22)의 목표설정온도를 X℃만큼 상승시켜서 증착재료(24)의 증착량을 증가시키는 컨트롤러」를 구성하고 있다.By this function, the valve opening degree control device 29 and the crucible heater control device 30 detects the deposition rate of the evaporated particles on the glass substrate 12 by the film thickness detected by the film thickness monitor 26. Then, the opening degree of the flow control valve 19 is adjusted so that the detected deposition rate becomes a predetermined deposition rate, and the temperature of the crucible 22 detected by the temperature sensor 27, that is, the heating temperature of the deposition material 24. The heating temperature of the crucible 22, that is, the heating temperature of the deposition material 24, is controlled by adjusting the amount of energization of the second heater 23 based on the above: In addition, the valve opening change rate ΔZ of the flow control valve 19 is controlled. When the valve opening change rate ΔZ is equal to or higher than the valve stability change rate ΔZ1 in a stable state at a predetermined deposition rate, the target set temperature of the crucible 22 is increased by X ° C. to deposit the vapor deposition material 24. ) And configure the controller "to increase the deposition amount.

[증착 시의 동작][Operation at Deposition]

상기 구성에 의한 증착 시의 동작에 대하여 도4와 도5를 참조하면서 설명한다.The operation at the time of vapor deposition according to the above configuration will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

스텝-1Step-1

도가니 히터 제어장치(30)는, 증착시작신호가 입력되면, 제1히터(20)에 통전하여 적어도 유량제어밸브(19)로부터 하류측을 소정의 온도로 승온한다.When the vapor deposition start signal is input, the crucible heater control device 30 energizes the first heater 20 to heat up at least the downstream side from the flow rate control valve 19 to a predetermined temperature.

스텝-2Step-2

도가니 히터 제어장치(30)는, 제2히터(23)에 통전하여 상기 소정의 최저온도까지 도가니(22)를 승온한다.The crucible heater control device 30 energizes the second heater 23 to heat up the crucible 22 to the predetermined minimum temperature.

스텝-3Step-3

도가니 히터 제어장치(30)는, 도가니(22)의 온도가 최저온도에서 안정되어 있는가 아닌가를 확인한다.The crucible heater control device 30 confirms whether or not the temperature of the crucible 22 is stable at the lowest temperature.

스텝-4Step-4

도가니 히터 제어장치(30)는, 도가니(22)의 온도가 안정되어 있으면, 최저온도 도달신호를 형성하고 이것을 밸브개도 제어장치(29)로 출력한다. 이에 따라 밸브개도 제어장치(29)는 유량제어밸브(19)를 소정의 개도(예를 들면 70%)까지 열고 또한 유량제어밸브(19)가 상기 소정의 개도까지 열리면 셔터(18)를 전부 연다.When the temperature of the crucible 22 is stable, the crucible heater control device 30 forms a minimum temperature arrival signal and outputs it to the valve opening degree control device 29. Accordingly, the valve opening control device 29 opens the flow control valve 19 to a predetermined opening degree (for example, 70%), and opens the shutter 18 when the flow control valve 19 opens to the predetermined opening degree. .

스텝-5 및 스텝-6Step-5 and Step-6

밸브개도 제어장치(29)는, 현재 상태의 증착레이트(R)가 대략 소정의 증착레이트(Re)가 되도록 밸브개도를 조정한다.The valve opening degree control device 29 adjusts the valve opening degree so that the deposition rate R in the current state becomes approximately a predetermined deposition rate Re.

이에 따라 도5의 경과시간[A-B]에 나타나 있는 바와 같이 증착레이트가 안정되어 유량제어밸브(19)의 개도가 서서히 커지게 된다.As a result, as shown in the elapsed time [A-B] in FIG. 5, the deposition rate is stabilized, and the opening degree of the flow control valve 19 is gradually increased.

스텝-7Step-7

밸브개도 제어장치(29)는, 현재 상태의 증착레이트(R)가 대략 소정의 증착레이트(Re)가 되어 증착레이트가 안정되었을 때의 밸브안정변화율(ΔZ1)을 파악한다.The valve opening degree control device 29 grasps the valve stability change rate? Z1 when the deposition rate R in the current state becomes approximately the predetermined deposition rate Re and the deposition rate is stabilized.

스텝-8Step-8

밸브개도 제어장치(29)는, 현재 상태의 증착레이트(R)가 대략 소정의 증착레이트(Re)가 되도록 밸브개도를 조정한다.The valve opening degree control device 29 adjusts the valve opening degree so that the deposition rate R in the current state becomes approximately a predetermined deposition rate Re.

스텝-9Step-9

밸브개도 제어장치(29)는, 현재 상태의 증착막 두께가 필요로 하는 증착막 두께와 동일하게 되었는가 아닌가를 확인하고, 동일하게 된 것을 확인하면 증착종료신호를 출력한다. 이에 따라 유량제어밸브(19)는 전부 닫히고 또 제1히터(20) 및 제2히터(23)에 대한 급전(給電)이 정지된다.The valve opening degree control device 29 confirms whether or not the deposition film thickness in the current state is equal to the deposition film thickness required, and if it is confirmed that it is the same, outputs a deposition end signal. As a result, the flow control valve 19 is completely closed, and power supply to the first heater 20 and the second heater 23 is stopped.

스텝-10Step-10

스텝-9에 있어서 현재 상태의 증착막 두께가 필요로 하는 증착막 두께에 도달하지 않고 있는 경우에는, 밸브개도 제어장치(29)는 밸브개도변화율(ΔZ)을 구한다.If the deposited film thickness in the current state does not reach the required deposited film thickness in Step-9, the valve opening degree control device 29 calculates the valve opening change rate? Z.

도5의 경과시간[B-C]에 나타나 있는 바와 같이 도가니(22) 내의 증착재료(24)가 감소하면 증착재료(24)의 증발량이 감소하고, 이에 대응하여 유량제어밸브(19)의 개도가 급격하게 커지게 된다.As shown in the elapsed time BC of FIG. 5, when the deposition material 24 in the crucible 22 decreases, the evaporation amount of the deposition material 24 decreases, and correspondingly, the opening degree of the flow control valve 19 is abruptly corresponding. It becomes big.

스텝-11Step-11

밸브개도 제어장치(29)는, 밸브개도변화율(ΔZ)이 취득한 밸브안정변화율(ΔZ1)보다 급격하게 커진 것인가 아닌가를 확인한다. 상세하게는, 유량제어밸브(19)의 개도가 도5의 경과시간[B-C]에 나타나 있는 바와 같이 급격하게 상승하기 시작하면 즉 밸브개도변화율(ΔZ)이 취득한 밸브안정변화율(ΔZ1)보다 급격하게 커졌을 때에는, 밸브개도 제어장치(29)는 밸브개도 급격상승신호를 도가니 히터 제어장치(30)로 출력한다. 이렇지 않은 경우에는 스텝-8로 되돌아간다.The valve opening control device 29 confirms whether or not the valve opening change rate? Z is significantly larger than the acquired valve stability change rate? Z1. Specifically, when the opening degree of the flow control valve 19 starts to rise rapidly as shown in the elapsed time BC of FIG. 5, that is, the valve opening change rate? Z is more rapidly than the acquired valve stability change rate? Z1. When it becomes large, the valve opening degree control device 29 outputs a valve opening sudden rise signal to the crucible heater control device 30. If this is not the case, the process returns to Step-8.

스텝-12Step-12

도가니 히터 제어장치(30)는, 도가니(22)의 온도가 증착재료(24)의 열화온도 이상인가 아닌가를 확인한다. 그리고 도가니 히터 제어장치(30)는, 밸브개도 제어장치(29)로부터 밸브개도 급격상승신호가 입력되고 또한 도가니(22)의 온도가 증착재료(24)의 열화온도 이상이 되었을 때에는, 유량제어밸브(19)가 더 열리면 증착재료(24)의 잔류가 없어지게 되어 소정의 증착레이트(Re)를 얻을 수 없는 것으로 판정하여, 밸브개도 제어장치(29)로 증착정지신호를 보낸다. 이에 따라 유량제어밸브(19)는 전부 닫히고 또 제1히터(20) 및 제2히터(23)에 대한 급전이 정지되어 증착을 정지한다. 도5의 시간[F]에는 이 때의 상황이 나타나 있다.The crucible heater control device 30 confirms whether or not the temperature of the crucible 22 is equal to or higher than the deterioration temperature of the vapor deposition material 24. And the crucible heater control device 30 is a flow rate control valve when the valve opening degree sudden increase signal is input from the valve opening degree control device 29 and the temperature of the crucible 22 is equal to or higher than the deterioration temperature of the deposition material 24. If 19 is further opened, it is determined that the remaining deposition material 24 is lost and a predetermined deposition rate Re cannot be obtained, and the valve opening also sends a deposition stop signal to the control device 29. As a result, the flow control valve 19 is completely closed and the feeding to the first heater 20 and the second heater 23 is stopped to stop the deposition. The situation at this time is shown in time [F] of FIG.

스텝-13Step-13

도가니 히터 제어장치(30)는, 도가니(22)의 온도가 증착재료(24)의 열화온도 미만일 때에는, 도5의 시간[C] 및 시간[D]에 나타나 있는 바와 같이 도가니(22)의 가열온도를 X℃(예를 들면 1℃) 상승시키고, 그 상태를 T분(예를 들면 1분) 유지한다. 이 때에 밸브개도 제어장치(29)는, 현재 상태의 증착레이트(R)가 대략 소정의 증착레이트(Re)가 되도록 밸브개도를 조정한다. 그리고 스텝-10으로 되돌아간다.When the temperature of the crucible 22 is less than the deterioration temperature of the vapor deposition material 24, the crucible heater control device 30 heats the crucible 22 as shown in time [C] and time [D] of FIG. The temperature is raised to X ° C (for example, 1 ° C), and the state is maintained for T minutes (for example, 1 minute). At this time, the valve opening degree control device 29 adjusts the valve opening degree so that the deposition rate R in the current state becomes approximately a predetermined deposition rate Re. Then return to step-10.

이들 스텝-11∼스텝-13을 실행함으로써 도5의 시간[E]에 나타나 있는 바와 같이 시간[D]로부터 T분 후에 밸브개도의 변화량을 보아서 급격한 변화가 없어지고 있으면 즉 밸브개도변화율(ΔZ)이 경과시간[A-B]의 구간에서 구한 밸브안정변화율(ΔZ1)과 동등 혹은 그것보다 작아져 있으면, 도가니(22)의 온도는 변경하지 않고 그대로 증착을 계속한다.As shown in time [E] in FIG. 5 by performing these steps 11 to 13, if the change in valve opening degree is seen after T minutes from time D, the sudden change is not eliminated, that is, the valve opening change rate? Z If it is equal to or smaller than the valve stability change rate (DELTA Z1) determined in the section of this elapsed time [AB], vapor deposition is continued as it is, without changing the temperature of the crucible 22.

이와 같이 소정의 증착레이트(Re)에 필요한 최저한의 온도에서 증착이 시작되어 밸브개도변화율(ΔZ)이 급격하게 커지게 되면 즉 증착레이트가 저하될 것 같으면, 순차적으로 목표가열온도가 소정의 온도인 X℃씩 상승되어 증착레이트가 유지된다. 그리고 도5의 경과시간[E-F]의 사이에는, 유량제어밸브(19)의 개도의 모니터와, 도가니(22)의 온도상승의 필요·불필요 판정을 반복한다.As described above, when the deposition starts at the minimum temperature required for the predetermined deposition rate Re and the valve opening change rate ΔZ rapidly increases, that is, the deposition rate is likely to decrease, the target heating temperature is sequentially X The deposition rate is increased by 占 폚 to maintain the deposition rate. Then, between the elapsed time [E-F] of FIG. 5, the monitoring of the opening degree of the flow control valve 19 and the determination of the necessity / unnecessity of the temperature rise of the crucible 22 are repeated.

이상과 같이 본 실시예에 의하면, 소정의 증착레이트(Re)에 필요한 최저한의 도가니(22)의 온도에서 증착을 하여 밸브개도변화율(ΔZ)이 밸브안정변화율(ΔZ1)을 넘으면, 즉 도가니(22) 내의 증착재료(24)가 적어지게 되어 도가니(22)로부터의 증착재료(24)의 증발량(즉 도가니(22)로부터 공급되어야 할 증발입자의 형성량)이 적어지게 되고, 이에 따라 증착레이트가 저하되고, 여기에서 소정의 증착레이트를 유지하기 위하여 유량제어밸브(19)의 개도가 급격하게 커지게 되면, 도가니(22)의 목표온도가 X℃ 상승되어 도가니(22)로부터의 증착재료(24)의 증발량이 증가하게 된다. 이에 따라 소정의 증착레이트(Re)를 유지할 수 있음과 아울러 이 소정의 증착레이트(Re)로 하기 위한 유량제어밸브(19)의 개도의 조절을 할 수 없게 되는 것을 회피할 수 있다. 또한 소정의 온도X℃씩 목표온도가 상승됨으로써 증착재료(24)의 열열화(熱劣化)를 방지할 수 있음과 아울러 증착재료(24)를 최후까지 사용할 수 있고, 따라서 증착재료(24)의 잔류를 최소로 할 수 있다. 또 도가니(22)의 온도를 처음부터 고온으로 하여 증착재료(24)의 증발량을 증가시키면, 증착재료(24)에 열열화가 발생하여 증착재료(24)에 의한 원하는 특성이 얻어지지 않는다.As described above, according to the present embodiment, if the valve opening change rate ΔZ exceeds the valve stability change rate ΔZ1, that is, the crucible 22 is deposited at the temperature of the minimum crucible 22 required for the predetermined deposition rate Re. The amount of vapor deposition material 24 in the container is reduced so that the amount of evaporation of the vapor deposition material 24 from the crucible 22 (that is, the amount of evaporated particles to be supplied from the crucible 22) is reduced, thereby lowering the deposition rate. When the opening degree of the flow control valve 19 is rapidly increased to maintain the predetermined deposition rate, the target temperature of the crucible 22 is increased by X ° C. and the deposition material 24 from the crucible 22 is increased. The evaporation amount of will increase. As a result, it is possible to maintain the predetermined deposition rate Re, and to avoid the inability to adjust the opening degree of the flow rate control valve 19 for the predetermined deposition rate Re. In addition, since the target temperature is increased by a predetermined temperature X ° C., the thermal deterioration of the deposition material 24 can be prevented, and the deposition material 24 can be used to the end. Therefore, the deposition material 24 can be used. Residue can be minimized. In addition, if the temperature of the crucible 22 is made high from the beginning to increase the evaporation amount of the vapor deposition material 24, thermal deterioration occurs in the vapor deposition material 24, and the desired characteristics of the vapor deposition material 24 are not obtained.

또 본 실시예에 의하면, 도가니(22)의 온도를 X℃ 상승시키면, 이 온도는 일정시간(T분) 유지됨으로써 증착재료(24)의 온도가 늦게 상승하는 것에 의한 증착재료(24)의 증발량의 변화가 기대된다. 이와 같이 일정시간(T분)에서 도가니(22)의 온도X℃의 상승에 대응하는 증착재료(24)의 증발량이 증가하고, 따라서 유량제어밸브(19)의 밸브개도변화율(ΔZ)이 작아지거나 혹은 유량제어밸브(19)는 닫히는 방향으로 변화한다. 도가니(22)의 온도상승에 의한 증착재료(24)의 증발량의 증가분에는 부족하면, 밸브개도변화율(ΔZ)이 밸브안정변화율(ΔZ1)을 넘고 또한 도가니(22)의 온도가 X℃ 상승된다. 이에 따라 도가니(22)의 온도는 X℃마다 단계적으로 상승된다.According to the present embodiment, when the temperature of the crucible 22 is increased by X ° C., the temperature is maintained for a predetermined time (T minutes), so that the evaporation amount of the vapor deposition material 24 due to the late rise of the temperature of the vapor deposition material 24. Is expected to change. As such, the evaporation amount of the deposition material 24 corresponding to the rise of the temperature X ° C. of the crucible 22 increases at a predetermined time (T minutes), so that the valve opening change rate ΔZ of the flow control valve 19 becomes small. Alternatively, the flow control valve 19 changes in the closing direction. If the increase in the evaporation amount of the vapor deposition material 24 due to the temperature rise of the crucible 22 is insufficient, the valve opening change rate? Z exceeds the valve stability change rate? Z1 and the temperature of the crucible 22 is increased by X ° C. As a result, the temperature of the crucible 22 is raised step by step at every X ° C.

또 본 실시예에 의하면, 우선 초기상태에서는, 도가니(22)의 온도는 밸브개도(Z) = 70% 정도에서 소정의 증착레이트(Re)가 얻어지는 정도의 최저한의 온도 즉 최저온도까지 상승되고, 이 상태에서 유량제어밸브(19)가 상기의 개도 70%까지 열린 다음에 소정의 증착레이트(Re)를 얻는 유량제어밸브(19)의 개도조정이 시작된다. 즉 소정의 증착레이트에 필요한 도가니(22)의 최저한의 온도로부터 증착이 시작됨으로써 증착재료(24)를 효과적이고 또한 최후까지 사용할 수 있다.According to the present embodiment, first, in the initial state, the temperature of the crucible 22 is raised to the minimum temperature, that is, the minimum temperature at which the predetermined deposition rate Re is obtained at the valve opening degree Z = 70%. In the state, the flow rate control valve 19 is opened up to 70% of the opening degree, and then the opening degree adjustment of the flow rate control valve 19 to obtain the predetermined deposition rate Re is started. That is, the deposition material 24 can be used effectively and to the end by starting deposition at the minimum temperature of the crucible 22 required for the predetermined deposition rate.

본 실시예에서는, 워크 지지구(15)에 지지된 글래스 기판(12)의 하면(피증착면)에 하방으로부터 증발입자를 증착하는 업블로우 타입(업 디포지션)이 구성으로 되어 있지만, 증착방향의 방향을 선택하지 않는 구성 즉 사이드 디포지션(side-deposition) 혹은 다운 디포지션(down-deposition)의 구성으로 할 수도 있다.
In this embodiment, although an up blow type (up deposition) for depositing evaporated particles from below is formed on the lower surface (deposited surface) of the glass substrate 12 supported by the work support 15, the deposition direction It is also possible to have a configuration in which the direction of? Is not selected, that is, a configuration of side-deposition or down-deposition.

11 : 진공챔버
12 : 글래스 기판
13 : 증착실
15 : 워크 지지구
17 : 재료수송관
17a : 개구부
18 : 셔터
19 : 유량제어밸브
20 : 제1히터
22 : 도가니
23 : 제2히터
24 : 증착재료
26 : 막두께 모니터
27 : 온도센서
29 : 밸브개도 제어장치
30 : 도가니 히터 제어장치
31 : 증착레이트 검출부
32 : 증착종료 검출부
33 : 밸브개도 제어부
34 : 셔터개폐부
35 : 밸브개도변화율 검출부
36 : 밸브안정변화율 검출부
37 : 밸브개도 급격상승 검출부
41 : 시퀀스부
42 : 목표가열온도 설정부
43 : 도가니 온도 제어부
44 : 최저온도도달 검출부
45 : 열화온도 검출부
Re : 증착레이트
L : 밸브개도명령
Z : 밸브개도
ΔZ : 밸브개도변화율
ΔZ1 : 밸브안정변화율
11: vacuum chamber
12: glass substrate
13: deposition chamber
15: work support
17 material transport pipe
17a: opening
18: Shutter
19: flow control valve
20: first heater
22: Crucible
23: second heater
24: evaporation material
26: film thickness monitor
27: temperature sensor
29: valve opening control device
30: crucible heater controller
31: deposition rate detection unit
32: deposition end detection unit
33: valve opening degree control
34: shutter opening and closing portion
35: valve opening change rate detection unit
36: valve stability change rate detection unit
37: valve opening sudden rise detection unit
41: sequence portion
42: target heating temperature setting unit
43: crucible temperature control unit
44: minimum temperature detection unit
45: deterioration temperature detection unit
Re: Deposition Rate
L: Valve opening command
Z: Valve Opening
ΔZ: Valve opening change rate
ΔZ1: Valve Stability Change Rate

Claims (4)

증발된 증착재료를 진공조(眞空槽) 내에 있어서 피증착부재에 부착시키는 증착장치(蒸着裝置)로서,
상기 증착재료를 가열하여 증발시키는 도가니와,
상기 도가니에 의하여 증발된 증착재료를 상기 진공조 내의 상기 피증착부재로 인도하는 경로(經路)를 구비하고,
상기 도가니의 온도를 검출하는 온도센서(溫度sensor)를 설치하고,
상기 경로에, 개도(開度)의 조절기능을 구비한 밸브(valve)를 설치하고,
상기 진공조 내에, 상기 피증착부재의 막두께를 검출하는 막두께 모니터를 설치하고,
상기 막두께 모니터에 의하여 검출된 막두께에 의하여 상기 피증착부재의 증착레이트(蒸着rate)를 검출하고, 이 증착레이트가 소정의 증착레이트가 되도록 상기 밸브의 개도를 조절함과 아울러 이 밸브의 개도의 변화율을 검출하고, 이 변화율이 소정의 증착레이트에서 안정한 상태에 있어서의 안정변화율을 넘으면, 상기 도가니의 설정온도를 증분치(增分値)만큼 상승시켜서 상기 증착재료의 증착량을 증가시키는 컨트롤러(controller)를 설치한 것을 특징으로 하는 증착장치.
A vapor deposition apparatus for attaching evaporated vapor deposition material to a member to be deposited in a vacuum chamber,
A crucible for heating and evaporating the deposition material;
A path for guiding the vapor deposition material evaporated by the crucible to the deposition member in the vacuum chamber,
A temperature sensor for detecting the temperature of the crucible is provided,
In the path, a valve having an opening degree adjustment function is provided,
In the vacuum chamber, a film thickness monitor for detecting the film thickness of the member to be deposited is provided,
The deposition rate of the member to be deposited is detected by the film thickness detected by the film thickness monitor, and the opening degree of the valve is adjusted while adjusting the opening degree of the valve so that the deposition rate becomes a predetermined deposition rate. A controller that detects a rate of change of the crucible and increases the deposition temperature of the deposition material by raising the set temperature of the crucible by an incremental value if the rate of change exceeds the rate of change of stability in a stable state at a predetermined deposition rate. Deposition apparatus, characterized in that installed (controller).
제1항에 있어서,
컨트롤러는, 도가니의 설정온도를 증분치만큼 상승시키는 처리를 하면, 그 상승된 설정온도를 일정시간 유지하면서 밸브의 개도를 조절하고, 상기 일정시간 경과 후에 상기 밸브의 개도의 변화율이 안정변화율을 넘고 있을 때에, 상기 도가니의 설정온도를 상기 증분치만큼 더 상승시키는 것을 특징으로 하는 증착장치.
The method of claim 1,
When the controller performs a process of raising the set temperature of the crucible by an incremental value, the controller adjusts the opening degree of the valve while maintaining the elevated set temperature for a predetermined time, and after the predetermined time elapses, the rate of change of the opening degree of the valve exceeds a stable change rate. And, when present, further raises the set temperature of the crucible by the increment value.
제1항 또는 제2항에 있어서,
컨트롤러는, 밸브를 닫은 상태에서 도가니의 설정온도를, 상기 밸브가 소정의 개도에서 소정의 증착레이트를 얻는 최저온도까지 상승시키고, 도가니의 검출온도가 이 최저온도까지 상승하면, 상기 밸브를 설정 개도까지 열어서, 소정의 증착레이트를 얻는 밸브의 개도 조절을 시작하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
The controller raises the set temperature of the crucible with the valve closed to a minimum temperature at which the valve obtains a predetermined deposition rate at a predetermined opening degree, and sets the valve opening degree when the detection temperature of the crucible rises to this minimum temperature. Opening up to, the deposition apparatus characterized in that to start the opening degree control of the valve to obtain a predetermined deposition rate.
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
컨트롤러는, 도가니의 검출온도가 증착재료의 열화온도(劣化溫度)까지 상승하였을 때에, 밸브가 더 열리면 도가니에 의한 증착재료의 증발을 종료하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the controller terminates evaporation of the deposition material by the crucible when the valve is further opened when the detection temperature of the crucible rises to the deterioration temperature of the deposition material.
KR1020130030767A 2012-03-29 2013-03-22 Vacuum evaporation apparatus KR20130111337A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012075272A JP5840055B2 (en) 2012-03-29 2012-03-29 Vapor deposition equipment
JPJP-P-2012-075272 2012-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130111337A true KR20130111337A (en) 2013-10-10

Family

ID=49363846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130030767A KR20130111337A (en) 2012-03-29 2013-03-22 Vacuum evaporation apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5840055B2 (en)
KR (1) KR20130111337A (en)
CN (1) CN103361608B (en)
TW (1) TWI573885B (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105765101A (en) * 2013-11-16 2016-07-13 纽升股份有限公司 Method for monitoring Se vapor in vacuum reactor apparatus
KR102193150B1 (en) * 2013-12-27 2020-12-21 삼성디스플레이 주식회사 Evaporating apparatus, method for controlling evaporation amount using the same
KR102192983B1 (en) * 2014-01-15 2020-12-21 삼성디스플레이 주식회사 Evaporating apparatus, method for mesuring evaporation speed using the same
TWI582251B (en) 2014-10-31 2017-05-11 財團法人工業技術研究院 Evaporation system and evaporation method
JP6617198B2 (en) * 2016-05-13 2019-12-11 株式会社アルバック Organic thin film manufacturing apparatus, organic thin film manufacturing method
KR102030683B1 (en) * 2017-01-31 2019-10-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Material Deposition Arrangements, Vacuum Deposition Systems, and Methods Thereof
JP7163211B2 (en) * 2019-02-13 2022-10-31 株式会社アルバック Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
CN111471984B (en) * 2020-04-29 2022-09-06 立讯电子科技(昆山)有限公司 Control method and control system for film coating rate and storage medium
CN113930738B (en) * 2020-06-29 2023-09-12 宝山钢铁股份有限公司 Metal vapor modulation device for vacuum coating and modulation method thereof
CN114032509A (en) * 2021-11-08 2022-02-11 Tcl华星光电技术有限公司 Evaporation plating equipment
CN114875364A (en) * 2022-05-13 2022-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Evaporation source device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4366226B2 (en) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 Organic EL panel manufacturing method, organic EL panel film forming apparatus
JP2006111926A (en) * 2004-10-15 2006-04-27 Hitachi Zosen Corp Vapor deposition system
JP4673190B2 (en) * 2005-11-01 2011-04-20 長州産業株式会社 Molecular beam source for thin film deposition and its molecular dose control method
JP5044223B2 (en) * 2007-01-10 2012-10-10 パナソニック株式会社 Vacuum deposition equipment
KR101123706B1 (en) * 2007-03-06 2012-03-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Apparatus for controlling deposition apparatus and method for controlling deposition apparatus
JP2010242202A (en) * 2009-04-10 2010-10-28 Hitachi Zosen Corp Vapor deposition apparatus
JP5414587B2 (en) * 2010-03-23 2014-02-12 日立造船株式会社 Vapor deposition equipment
JP2011256427A (en) * 2010-06-09 2011-12-22 Hitachi Zosen Corp Method for evaporating/sublimating evaporation material in vacuum deposition apparatus and crucible device for vacuum deposition
JP5439289B2 (en) * 2010-06-17 2014-03-12 株式会社アルバック Thin film manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN103361608B (en) 2016-09-21
CN103361608A (en) 2013-10-23
JP5840055B2 (en) 2016-01-06
TWI573885B (en) 2017-03-11
TW201339339A (en) 2013-10-01
JP2013204101A (en) 2013-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130111337A (en) Vacuum evaporation apparatus
JP5235659B2 (en) Ion gun system, vapor deposition apparatus, and lens manufacturing method
US10340164B2 (en) Substrate processing apparatus, method of measuring temperature of substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
JP5026549B2 (en) Heating control system, film forming apparatus including the same, and temperature control method
US20150370245A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, and control program
US10395934B2 (en) Control device, substrate processing system, substrate processing method, and program
CN103305803A (en) Temperature control system-based evaporation temperature control method for OLED (Organic Light Emitting Diode) organic layer
TWI568872B (en) Evaporation apparatus
KR102646510B1 (en) Evaporation source device
JP2014070227A (en) Filming apparatus, and temperature control method and device for evaporation source of the filming apparatus
TWI496919B (en) Film manufacturing method and film manufacturing apparatus
KR20130046541A (en) Thin film depositing apparatus and method of depositing the fhin film using the same
CN115494890A (en) Temperature correction information calculation apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, temperature correction information calculation method, and medium
JP5117236B2 (en) Apparatus for controlling soaking of flat plate member and method for controlling the same
KR20080098277A (en) Apparatus and method for supplying source gas
KR20060125116A (en) Organic thin-film deposition apparatus having thickness measure sensor and method of using the same
KR100951683B1 (en) Method For Supplying Source Gas
US20220392814A1 (en) Temperature correction information calculation device, semiconductor manufacturing apparatus, storage medium, and temperature correction information calculation method
CN219470170U (en) PVD equipment and PVD equipment assembly
JP6617198B2 (en) Organic thin film manufacturing apparatus, organic thin film manufacturing method
KR20130142847A (en) Thin film deposition apparatus and method
KR20130099780A (en) Thin layer deposition apparatus, and method for controlling the same
KR20090043479A (en) Apparatus and method for supplying source gas
JP2015069858A (en) Crystal sensor unit and organic el manufacturing device
KR20110006562U (en) Apparatus For Supplying Source Gas

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application