KR102192983B1 - Evaporating apparatus, method for mesuring evaporation speed using the same - Google Patents

Evaporating apparatus, method for mesuring evaporation speed using the same Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 증착 장치는 내부에서 증착물이 기화되어 기판에 증착되는 진공 챔버, 기화된 증착물을 분극시키고, 분극된 증착물이 소정의 방향으로 전계를 형성하도록 기화된 증착물에 제1 편광을 조사하는 펌프 광원, 및 전계의 세기를 측정하여 증착물의 증착 속도를 산출하는 증착 속도 산출 유닛을 포함한다.The vapor deposition apparatus according to the present invention is a vacuum chamber in which a deposition material is vaporized and deposited on a substrate, a pump that polarizes the vaporized deposition material, and irradiates the vaporized deposition material with first polarization so that the polarized deposition material forms an electric field in a predetermined direction. It includes a light source and a deposition rate calculating unit for calculating the deposition rate of the deposited material by measuring the intensity of the electric field.

Description

증착 장치 및 이를 이용한 증착 속도 산출 방법{EVAPORATING APPARATUS, METHOD FOR MESURING EVAPORATION SPEED USING THE SAME}Evaporation apparatus and method of calculating evaporation rate using the same {EVAPORATING APPARATUS, METHOD FOR MESURING EVAPORATION SPEED USING THE SAME}

본 발명은 증착 장치 및 이를 이용한 증착 속도 산출 방법에 관한 것으로, 상세하게는 표시 기판의 제조에 이용되는 박막 형성용 증착 장치 및 이를 이용한 증착 속도 산출 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus and a deposition rate calculation method using the same, and more particularly, to a deposition apparatus for forming a thin film used for manufacturing a display substrate and a deposition rate calculation method using the same.

표시 패널은 액정 표시패널, 유기발광 표시패널, 플라즈마 표시패널 등이 있다. 이러한 표시패널은 다수의 박막들로 구성될 수 있다. 다수의 박막은 대부분 증착 공정을 통해 형성된다. 증착 공정 후, 설정된 기준 두께로 박막이 형성되었는지 측정하여 설정된 기준 두께와 실제 두께가 다른 경우 증착 비율을 보정한다.Display panels include a liquid crystal display panel, an organic light emitting display panel, and a plasma display panel. Such a display panel may be composed of a plurality of thin films. Many thin films are mostly formed through a deposition process. After the deposition process, it is measured whether a thin film is formed with a set reference thickness, and if the set reference thickness and the actual thickness are different, the deposition rate is corrected.

따라서, 기화되는 증착물로부터 기판에 형성될 증착박막의 두께를 예측할 수 있는 증착 장치 및 증착량 제어 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object thereof is to provide a deposition apparatus and a deposition amount control method capable of predicting the thickness of a deposited thin film to be formed on a substrate from vaporized deposition material.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는, 증착물을 기화시키는 증착원, 상기 기화된 증착물이 기화되어 기판에 증착되는 진공 챔버, 상기 기화된 증착물에 제1 편광을 조사하여, 상기 기화된 증착물이 소정의 방향으로 전계를 형성하도록, 상기 기화된 증착물을 분극시키는 펌프 광원, 및 상기 전계의 세기를 측정하여 상기 증착물의 증착속도를 산출하는 증착 속도 산출 유닛을 포함한다.A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a deposition source for vaporizing a deposition material, a vacuum chamber in which the vaporized deposition material is vaporized and deposited on a substrate, and a first polarization is irradiated to the vaporized deposition material, so that the vaporized deposition material is And a pump light source that polarizes the vaporized deposition material to form an electric field in a predetermined direction, and a deposition rate calculation unit that calculates a deposition rate of the deposition material by measuring the strength of the electric field.

이때, 상기 펌프 광원은 펄스 레이저일 수 있다.In this case, the pump light source may be a pulsed laser.

상기 증착 속도 산출 유닛은, 상기 분극된 증착물에 제2 편광을 조사하는 광 조사부, 상기 분극된 증착물로부터 제3 편광을 수신하고, 상기 수신된 제3 편광의 편광상태를 측정하는 광 수신부, 및 상기 제3 편광의 편광상태로부터 상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 산출부를 포함할 수 있다.The deposition rate calculation unit includes a light irradiation unit for irradiating a second polarized light on the polarized deposit, a light receiving unit for receiving a third polarized light from the polarized deposit and measuring a polarization state of the received third polarized light, and the It may include a calculator for calculating the deposition rate of the deposited material from the polarization state of the third polarization.

상기 제3 편광은 상기 제2 편광의 진동 방향이 상기 분극된 증착물에 의해 변형된 것일 수 있다.The third polarized light may be a direction in which the vibration direction of the second polarized light is transformed by the polarized deposit.

상기 광 조사부는, 소스 광을 출사하는 광원, 및 상기 소스 광을 상기 제2 편광으로 편광시키는 제1 편광자를 포함할 수 있다.The light irradiation unit may include a light source that emits source light, and a first polarizer that polarizes the source light into the second polarization.

상기 광 조사부는, 상기 제2 편광의 편광상태를 측정하는 제1 측정부를 더 포함할 수 있다.The light irradiation unit may further include a first measurement unit measuring a polarization state of the second polarization.

상기 광 조사부는, 상기 제2 편광을 집광시키는 렌즈, 및 상기 렌즈로부터 수신된 상기 제2 편광의 세기를 증폭시키는 초퍼를 더 포함할 수 있다.The light irradiation unit may further include a lens for condensing the second polarized light, and a chopper for amplifying the intensity of the second polarized light received from the lens.

상기 광 수신부는, 상기 제3 편광을 수신하고, 상기 제1 편광자와 다른 투과축을 갖는 제2 편광자, 및 상기 제2 편광자에 의해 편광된 제3 편광의 광량으로부터 상기 제2 편광에 수신되는 상기 제3 편광의 상기 편광 상태를 측정하는 제2 측정부를 포함할 수 있다.The light receiving unit may receive the third polarized light, the second polarizer having a transmission axis different from that of the first polarizer, and the second polarized light from the amount of third polarized light polarized by the second polarizer. 3 It may include a second measuring unit for measuring the polarization state of polarization.

상기 광원은 레이저일 수 있고, 상기 제2 측정부는 광 검출기일 수 있다.The light source may be a laser, and the second measurement unit may be a photo detector.

또는, 상기 광원은 램프일 수 있고, 상기 제2 측정부는 스펙트로미터일 수 있다.Alternatively, the light source may be a lamp, and the second measurement unit may be a spectrometer.

상기 제1 편광자는 글랜 테일러 편광자일 수 있다.The first polarizer may be a Glen Taylor polarizer.

상기 광 수신부는, 상기 제3 편광을 수신하여 상기 제3 편광의 위상을 지연시키는 위상 지연기, 상기 위상이 지연된 제3 편광을 수신하여, 서로 다른 축으로 편광된 제1 서브 편광 및 제2 서브 편광으로 분리시키는 편광 프리즘, 및 상기 제1 서브 편광 및 상기 제2 서브 편광의 광량을 각각 측정하여 상기 제3 편광의 편광 상태를 측정하는 제2 측정부를 포함할 수 있다.The optical receiver may include a phase retarder configured to delay the phase of the third polarized light by receiving the third polarized light, and a first sub-polarized light and a second sub polarized to different axes by receiving the third polarized light whose phase is delayed. A polarization prism separating into polarized light, and a second measuring unit configured to measure a polarization state of the third polarized light by measuring an amount of light of the first sub-polarized light and the second sub-polarized light, respectively.

상기 위상 지연기는 상기 제3 편광의 위상을 1/4 파장 동안 지연시키고, 상기 편광 프리즘은 울라스톤 프리즘을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제2 측정부는 평형 검출기일 수 있다.The phase retarder may delay the phase of the third polarized light for 1/4 wavelength, and the polarization prism may include a woolen stone prism. In this case, the second measurement unit may be a balance detector.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 속도 산출 방법은, 증착물을 기화시키는 단계, 상기 기화된 증착물에 제1 편광을 조사하는 단계, 분극된 증착물에 제2 편광을 조사하는 단계, 및 상기 분극된 증착물로부터 상기 제2 편광의 편광 상태가 변형된 제3 편광을 수신하여 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계를 포함한다.The deposition rate calculation method according to an embodiment of the present invention includes the steps of evaporating a deposition material, irradiating a first polarized light on the vaporized deposition material, irradiating a second polarization light on the polarized deposition material, and the polarized deposition material. And calculating a deposition rate of the deposited material by receiving the third polarized light from which the polarization state of the second polarized light is modified.

본 발명의 일 실시예에 따른 분극된 증착물에 제2 편광을 조사하는 단계는, 소스 광을 출사하는 단계, 및 상기 소스 광을 제2 편광으로 편광시키는 단계를 포함하고, 상기 제2 편광으로 편광시키는 단계는 편광 프리즘을 이용할 수 있다.Irradiating the second polarized light to the polarized deposit according to an embodiment of the present invention includes emitting a source light, and polarizing the source light to a second polarized light, and polarizing the polarized light to the second polarized light. A polarizing prism may be used for the step of making.

상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계는, 상기 제3 편광을 수신하는 단계, 상기 수신된 제3 편광을 편광시키는 단계, 편광된 제3 편광의 세기를 측정하여 상기 제3 편광의 편광 상태를 측정하는 단계, 및 상기 제3 편광의 편광 상태로부터 상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계를 포함할 수 있다.Calculating the deposition rate of the deposited material may include receiving the third polarized light, polarizing the received third polarized light, measuring the intensity of the polarized third polarized light, and measuring the polarization state of the third polarized light. And calculating the deposition rate of the deposited material from the polarization state of the third polarized light.

본 발명의 다른 실시예에 따른 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계는, 상기 제3 편광을 수신하는 단계, 상기 수신된 제3 편광의 위상을 지연시켜 원편광을 생성하는 단계, 상기 원편광으로부터 상기 제3 편광의 편광 상태를 측정하는 단계, 및 상기 제3 편광의 편광 상태로부터 상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계를 포함할 수 있다.Calculating the deposition rate of the deposited material according to another embodiment of the present invention may include: receiving the third polarized light, delaying the phase of the received third polarized light to generate circularly polarized light, from the circularly polarized light. It may include measuring a polarization state of the third polarized light, and calculating a deposition rate of the deposited material from the polarization state of the third polarized light.

따라서, 본 발명에 따르면, 형성된 증착 박막의 두께를 직접적으로 측정하지 않고도 증착 박막의 두께를 예측할 수 있고, 증착 과정에서 실시간으로 증착 속도를 산출할 수 있다. 따라서, 표시기판의 제조 비용이 절감될 수 있다.Therefore, according to the present invention, the thickness of the deposited thin film can be predicted without directly measuring the thickness of the formed deposited thin film, and the deposition rate can be calculated in real time during the deposition process. Accordingly, the manufacturing cost of the display substrate can be reduced.

또한, 본 발명에 따르면, 증착 속도 산출을 위한 측정 장비들이 진공 챔버 외부에 배치될 수 있으므로, 기화되는 증착물로부터 측정장비를 보호할 수 있고, 교체의 필요성이 감소되어 장치의 수명이 향상될 수 있다.In addition, according to the present invention, since the measurement equipment for calculating the deposition rate can be arranged outside the vacuum chamber, the measurement equipment can be protected from vaporized deposition material, and the need for replacement can be reduced, thereby improving the life of the device. .

또한, 본 발명에 따른 증착 속도 산출 방법은 편광을 이용하여 기화된 증착물을 분극시키고, 내부에 형성된 전계를 측정함으로써, 증착 공정 중에 증착 속도를 측정할 수 있다.In addition, the deposition rate calculation method according to the present invention may measure the deposition rate during the deposition process by polarizing the vaporized deposition material using polarized light and measuring an electric field formed therein.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 구성들을 도시한 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 광경로에 따라 개략적으로 도시한 개요도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 펌프 광원의 동작을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 속도 산출 유닛의 동작을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 진공 챔버에서의 편광 상태를 도시한 투영도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치를 광경로에 따라 개략적으로 도시한 개요도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 속도 측정 방법을 도시한 블럭도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 속도 산출 단계를 도시한 블럭도이다.1 is a block diagram showing configurations of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram schematically illustrating a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention along an optical path.
3 is a cross-sectional view showing the operation of the pump light source according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing the operation of the deposition rate calculation unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a projection view showing a polarization state in a vacuum chamber according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram schematically showing a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention along an optical path.
7 is a block diagram illustrating a method of measuring a deposition rate according to an embodiment of the present invention.
8 is a block diagram illustrating a deposition rate calculation step according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에서 '하나의 실시예', '일 실시예' 등에 관한 언급은, 설명된 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 반드시 포함하는 것은 아닐 수 있음을 나타낸다. 또한, 이러한 어구들이 반드시 동일한 실시예를 칭하는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성이 일 실시예와 관련하여 설명될 때, 이는 명시적으로 설명되는지 여부에 관계없이 다른 실시예들과 관련하여 이러한 특징, 구조 또는 특성을 달성하기 위해 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자의 지식 내에 있음을 이해한다.In this specification, reference to'one embodiment','one embodiment', etc., the described embodiments may include specific features, structures, or characteristics, but all embodiments necessarily include specific features, structures, or characteristics. Indicates that it may not. In addition, these phrases do not necessarily refer to the same embodiment. In addition, when a particular feature, structure, or characteristic is described in connection with one embodiment, this is to which the present invention belongs in order to achieve this feature, structure or characteristic in relation to other embodiments, whether or not explicitly described. It is understood that it is within the knowledge of those of ordinary skill in the art.

본 명세서에서 사용된 "광"은 입자빔은 물론 전기장 및 자기장의 상호 작용에 의해 진행하는 모든 형태의 전자기파를 포함한다. 이하, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.As used herein, "light" includes a particle beam as well as any form of electromagnetic wave propagating by the interaction of an electric field and a magnetic field. Hereinafter, it will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 구성들을 도시한 블럭도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 광경로에 따라 개략적으로 도시한 개요도이다. 도 2는 상기 증착 장치(EA)의 평면상에서 개략적으로 도시하였다. 이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명에 따른 증착 장치(EA)의 구성들을 상세히 살펴본다.1 is a block diagram showing configurations of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic diagram schematically illustrating a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention along an optical path. 2 is schematically illustrated in a plan view of the deposition apparatus EA. Hereinafter, configurations of the deposition apparatus EA according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(EA)는 진공 챔버(100), 증착원(CR), 펌프 광원(200), 및 증착 속도 산출 유닛(300)을 포함한다. 상기 증착 속도 산출 유닛(300)은 광 조사부(310), 광 수신부(320), 및 산출부(330)를 포함한다.1 and 2, the deposition apparatus EA according to an embodiment of the present invention includes a vacuum chamber 100, a deposition source CR, a pump light source 200, and a deposition rate calculation unit 300. ). The deposition rate calculation unit 300 includes a light irradiation unit 310, a light reception unit 320, and a calculation unit 330.

상기 진공 챔버(100)는 미도시된 바닥부 및 상부를 포함하고, 상기 바닥부와 상기 상부를 연결하는 복수 개의 측벽들(100H1~100H4)을 포함한다. 상기 바닥부에는 증착원(CR)이 배치될 수 있다. 상기 증착원(CR)은 상기 진공 챔버(100)에 기화된 증착물(G-EM)을 제공한다.The vacuum chamber 100 includes a bottom portion and an upper portion (not shown), and includes a plurality of sidewalls 100H1 to 100H4 connecting the bottom portion and the upper portion. A deposition source CR may be disposed on the bottom portion. The deposition source CR provides a vaporized deposition material G-EM in the vacuum chamber 100.

상기 복수 개의 측벽들(100H1~100H4)은 제1 방향(D1)에서 서로 마주하는 제1 측벽(100H1) 및 제2 측벽(100H2), 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)에서 서로 마주하는 제3 측벽(100H3) 및 제4 측벽(100H4)을 포함한다. 상기 복수 개의 측벽들(100H1~100H4)은 서로 연결되어 진공 상태의 내부 공간(VS)을 형성한다.The plurality of sidewalls 100H1 to 100H4 include a first sidewall 100H1 and a second sidewall 100H2 facing each other in a first direction D1, and a second direction D2 intersecting the first direction D1. ) And a third sidewall 100H3 and a fourth sidewall 100H4 facing each other. The sidewalls 100H1 to 100H4 are connected to each other to form an inner space VS in a vacuum state.

상기 진공 챔버(100)는 적어도 하나의 윈도우들(WW1~WW3)을 더 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 진공 챔버(100)는 상기 제1 측벽(100H1)에 배치된 제1 윈도우(WW1), 상기 제 3측벽(100H3) 및 상기 제4 측벽(100H4) 각각에 배치되고, 상기 제2 방향(D2)에서 서로 마주하도록 배치된 제2 윈도우(WW2) 및 제3 윈도우(WW3)를 포함한다.The vacuum chamber 100 may further include at least one window WW1 to WW3. In this embodiment, the vacuum chamber 100 is disposed on each of the first window WW1, the third side wall 100H3, and the fourth side wall 100H4 disposed on the first side wall 100H1, and the And a second window WW2 and a third window WW3 disposed to face each other in the second direction D2.

상기 윈도우들(WW1~WW3)은 상기 내부 공간(VS)으로부터 상기 기화되는 증착물(G-EM)의 누출은 차단하고, 광은 통과시킨다. 따라서, 상기 복수 개의 윈도우들(WW) 각각은 광투과성이 높은 물질, 예컨대, 유리 또는 고분자 필름으로 구성될 수 있다.The windows WW1 to WW3 block leakage of the vaporized deposit G-EM from the inner space VS and allow light to pass. Accordingly, each of the plurality of windows WW may be formed of a material having high light transmission, for example, glass or a polymer film.

상기 진공 챔버(100)는 미도시된 진공 펌프를 포함한다. 상기 진공 펌프는 상기 진공 챔버(100)의 내부 공기를 외부로 방출하여 상기 내부 공간(VS)을 진공 상태로 만든다. 상기 기화된 증착물(G-EM)은 상기 진공 상태의 상기 내부 공간(VS)에서 용이하게 확산될 수 있다.The vacuum chamber 100 includes a vacuum pump, not shown. The vacuum pump discharges the air inside the vacuum chamber 100 to the outside to make the inner space VS into a vacuum state. The vaporized deposit G-EM may be easily diffused in the inner space VS in the vacuum state.

상기 펌프 광원(200)은 상기 진공 챔버(100)의 일 측에 배치된다. 상기 펌프 광원(200)은 상기 진공 챔버(100)에 제1 편광(PL1)을 조사한다. 상기 제1 편광(PL1)은 상기 제1 윈도우(WW1)를 통과하여 상기 진공 챔버(100)의 상기 내부 공간(VS)에 존재하는 상기 기화된 증착물(G-EM)에 조사된다.The pump light source 200 is disposed on one side of the vacuum chamber 100. The pump light source 200 irradiates the first polarized light PL1 to the vacuum chamber 100. The first polarized light PL1 passes through the first window WW1 and is irradiated onto the vaporized deposit G-EM existing in the inner space VS of the vacuum chamber 100.

본 실시예에서, 상기 펌프 광원(200)은 펄스 레이저(Pulsed Laser)를 포함할 수 있다. 상기 펌프 광원(200)은 펄스 형태로 출력되는 상기 제1 편광(PL1)을 상기 기화된 증착물(G-EM)에 단 시간 동안 조사한다.상기 광 조사부(310)는 상기 진공 챔버(100)의 일 측에 배치된다. 상기 광 조사부(310)는 상기 펌프 광원(200)과 다른 측에 배치될 수 있다. 다만, 다른 실시예에서, 상기 펌프 광원(200)은 상기 진공 챔버(100)의 일측에 상기 광 조사부(310)와 나란히 배치될 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.In this embodiment, the pump light source 200 may include a pulsed laser. The pump light source 200 irradiates the first polarized light PL1 output in the form of a pulse onto the vaporized deposit G-EM for a short time. The light irradiation unit 310 is of the vacuum chamber 100. It is placed on one side. The light irradiation unit 310 may be disposed on a side different from the pump light source 200. However, in another embodiment, the pump light source 200 may be disposed in parallel with the light irradiation unit 310 on one side of the vacuum chamber 100, and is not limited to any one embodiment.

상기 광 조사부(310)는 상기 진공 챔버(100)에 제2 편광(PL2)을 조사한다. 상기 제2 편광(PL2)은 상기 제2 윈도우(WW2)로 입사되어 상기 진공 챔버(100)의 상기 내부 공간(VS)에 조사된다. 상기 제2 편광(PL2)은 상기 분극된 증착물의 편광 상태를 측정하기 위한 프로브 광(Probe light)일 수 있다. 프로브 광은 광이 조사되는 물질에 영향을 주지 않고, 상기 물질의 특성을 검사한다.The light irradiation unit 310 irradiates the second polarized light PL2 to the vacuum chamber 100. The second polarized light PL2 is incident on the second window WW2 and irradiated to the inner space VS of the vacuum chamber 100. The second polarized light PL2 may be a probe light for measuring a polarization state of the polarized deposit. The probe light does not affect the material to which the light is irradiated, and inspects the properties of the material.

상기 광 조사부(310)는 광원(LS), 제1 편광자(PZ1), 제1 측정부(PD1)를 포함한다. 상기 광원(LS)은 소스 광(SB)을 출사한다. 상기 소스 광(SB)은 특별히 제한되지 않으며, 다양한 파장을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 광원(LS)은 자연광, 램프(Lamp), 펄스 레이저(Pulsed laser) 또는 연속 레이저(Continuous Wave Laser)를 포함할 수 있다.The light irradiation unit 310 includes a light source LS, a first polarizer PZ1, and a first measurement unit PD1. The light source LS emits source light SB. The source light SB is not particularly limited and may have various wavelengths. For example, the light source LS may include natural light, a lamp, a pulsed laser, or a continuous wave laser.

상기 제1 편광자(PZ1)는 입사되는 광을 일 방향으로 진동하는 광으로 편광시킨다. 본 실시예에서, 상기 제1 편광자(PZ1)는 편광 필름, 편광 필터와 같은 편광판(Polarizing plate)일 수 있다. 상기 제1 편광자(PZ1)는 소정의 방향으로 연장된 광학축을 가진다. 상기 광학축은 흡수축 또는 투과축을 포함한다. 본 실시예에서, 상기 광학축은 투과축으로 설명될 수 있다.The first polarizer PZ1 polarizes incident light into light vibrating in one direction. In this embodiment, the first polarizer PZ1 may be a polarizing plate such as a polarizing film or a polarizing filter. The first polarizer PZ1 has an optical axis extending in a predetermined direction. The optical axis includes an absorption axis or a transmission axis. In this embodiment, the optical axis may be described as a transmission axis.

상기 제1 편광자(PZ1)는 입사되는 광 중, 투과축과 나란한 방향의 광 성분은 투과시키고, 투과축과 수직한 방향의 광 성분은 차단한다. 상기 광원(LS)으로부터 출사된 상기 소스 광(SB)을 수신하여 상기 제2 편광(PL2)으로 편광시킨다. The first polarizer PZ1 transmits a light component in a direction parallel to a transmission axis among incident light, and blocks a light component in a direction perpendicular to the transmission axis. The source light SB emitted from the light source LS is received and polarized with the second polarized light PL2.

상기 제1 측정부(PD1)는 상기 제2 편광(PL2)의 일부를 수신하여 상기 제2 편광(PL2)의 편광상태를 측정한다. 상기 제2 편광(PL2)의 편광상태는 후술할 상기 분극된 증착물의 분극정도를 판별하기 위한 기준이 될 수 있다. 다만, 다른 실시예에서, 상기 제1 측정부(PD1)는 생략될 수 있다.The first measuring unit PD1 receives a part of the second polarized light PL2 and measures a polarization state of the second polarized light PL2. The polarization state of the second polarized light PL2 may be a criterion for determining the degree of polarization of the polarized deposit to be described later. However, in another embodiment, the first measurement unit PD1 may be omitted.

상기 광 조사부(310)는 상기 제1 편광자(PZ1)로부터 상기 제2 편광(PL2)의 일부를 수신하도록 반사판(RP)을 더 포함할 수 있다. 상기 반사판(RP)은 상기 제1 편광자(PZ1)로부터 상기 제2 편광(PL2)을 수신하여 상기 제2 편광(PL2)의 일부는 투과시키고, 일부의 광경로를 변경시킨다. 본 실시예에서, 상기 반사판(RP)은 상기 제2 편광(PL2)의 대부분은 투과시키고, 상기 제2 편광(PL2)의 일부는 반사시켜 상기 제1 측정부(PD1)로 보낸다.The light irradiation unit 310 may further include a reflecting plate RP to receive a part of the second polarized light PL2 from the first polarizer PZ1. The reflector RP receives the second polarized light PL2 from the first polarizer PZ1, transmits a part of the second polarized light PL2, and changes a part of the optical path. In this embodiment, the reflecting plate RP transmits most of the second polarized light PL2, reflects a part of the second polarized light PL2, and transmits it to the first measurement unit PD1.

상기 광 조사부(310)는 순차적으로 배치된 렌즈(CV) 및 광 초퍼(Optical Chopper, CP)를 더 포함할 수 있다. 상기 렌즈(CV) 및 상기 광 초퍼(CP)는 상기 제2 편광(PL2)의 진동 방향은 변경하지 않고, 광의 세기(intensity)를 증폭시킨다.The light irradiation unit 310 may further include a lens CV and an optical chopper (CP) that are sequentially disposed. The lens CV and the optical chopper CP amplify the intensity of light without changing the vibration direction of the second polarized light PL2.

상기 렌즈(CV)는 굴절, 반사, 자기, 전자기, 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합일 수 있다. 상기 렌즈(CV)는 복수 개의 광학 부재들로 구성될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 렌즈(CV)는 볼록렌즈를 포함한다. 상기 렌즈(CV)는 상기 제2 편광(PL2)을 집광하여 상기 광 초퍼(CP)로 전달한다.The lens CV may be any one or a combination of various types of optical components including refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, and electrostatic optical components. The lens CV may be formed of a plurality of optical members. In this embodiment, the lens CV includes a convex lens. The lens CV condenses the second polarized light PL2 and transmits it to the optical chopper CP.

상기 광 초퍼(CP)는 통과하는 상기 제2 편광(PL2)의 세기를 증폭시킨다. 상기 광 초퍼(CP)는 수신되는 제2 편광(PL2)을 통과시키거나 차단시키는 과정을 반복하여 주변의 배경 광들의 영향을 최소화하여 광의 순도를 향상시킨다. 상기 광 조사부(310)는 상기 렌즈(CV) 및 상기 광 초퍼(CP)를 더 포함함으로써, 상기 제1 측정부(PD1)로 전달됨에 따라 소실된 일부 광량을 보완할 수 있다. The optical chopper CP amplifies the intensity of the second polarized light PL2 passing therethrough. The optical chopper CP improves the purity of light by minimizing the influence of surrounding background light by repeatedly passing or blocking the received second polarized light PL2. The light irradiation unit 310 may further include the lens CV and the optical chopper CP to compensate for some amount of light that is lost as it is transmitted to the first measurement unit PD1.

상기 광 수신부(320)는 상기 진공 챔버(100)의 외측에 배치된다. 상기 광 수신부(320)는 상기 진공 챔버(100)를 사이에 두고, 상기 광 조사부(310)와 마주한다.The light receiving unit 320 is disposed outside the vacuum chamber 100. The light receiving unit 320 faces the light irradiation unit 310 with the vacuum chamber 100 interposed therebetween.

상기 제3 편광(PL3)은 상기 진공 챔버(100)의 상기 내부 공간(VS)으로부터 상기 제3 윈도우(WW3)를 통과하여 상기 광 수신부(320)에 전달된다. 상기 광 수신부(320)는 상기 진공 챔버(100)로부터 상기 제3 편광(PL3)을 수신하여 상기 제3 편광(PL3)의 편광 상태를 측정한다.The third polarized light PL3 passes through the third window WW3 from the inner space VS of the vacuum chamber 100 and is transmitted to the light receiving unit 320. The light receiving unit 320 receives the third polarized light PL3 from the vacuum chamber 100 and measures a polarization state of the third polarized light PL3.

상기 광 수신부(320)는 제2 편광자(PZ2) 및 제2 측정부(PD2)를 포함할 수 있다. 상기 제2 편광자(PZ2)는 상기 진공 챔버(100)로부터 상기 제3 편광(PL3)을 수신하여 편광된 제3 편광(P-PL3)으로 편광시킨다. The light receiving unit 320 may include a second polarizer PZ2 and a second measurement unit PD2. The second polarizer PZ2 receives the third polarized light PL3 from the vacuum chamber 100 and polarizes it with a polarized third polarized light P-PL3.

상기 제2 편광자(PZ2)는 편광 필름을 포함하는 편광판일 수 있다. 상기 제2 편광자(PZ2)는 투과축 및 흡수축을 포함하는 광학축을 구비한다. 상기 제2 편광자(PZ2)는 상기 투과축과 나란한 방향의 광 성분을 투과시키고, 상기 투과축과 수직한 방향의 광 성분을 차단한다. 다만, 본 발명의 일 실시예에서, 상기 제2 편광자(PZ2)는 생략될 수 있다.The second polarizer PZ2 may be a polarizing plate including a polarizing film. The second polarizer PZ2 has an optical axis including a transmission axis and an absorption axis. The second polarizer PZ2 transmits a light component in a direction parallel to the transmission axis and blocks a light component in a direction perpendicular to the transmission axis. However, in an embodiment of the present invention, the second polarizer PZ2 may be omitted.

상기 제2 측정부(PD2)는 상기 제2 편광자(PZ2)로부터 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)을 수신하여 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)의 광량(세기)을 측정한다. 상기 제2 측정부(PD2)는 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)의 세기를 전기 신호로 변환하여 검출한다. The second measurement unit PD2 receives the polarized third polarized light P-PL3 from the second polarizer PZ2 and measures the amount of light (intensity) of the polarized third polarized light P-PL3. . The second measuring unit PD2 converts the intensity of the polarized third polarized light P-PL3 into an electric signal and detects it.

상기 제2 측정부(PD2)는 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)의 세기 및 상기 제2 편광자(PZ2)의 투과축으로부터 상기 제3 편광(PL3)의 편광 상태를 측정한다. 상기 제2 측정부(PD2)는 상기 광원(LS)에 따라 다른 장치로 선택될 수 있다.The second measuring unit PD2 measures the intensity of the polarized third polarized light P-PL3 and the polarization state of the third polarized light PL3 from the transmission axis of the second polarized light PZ2. The second measurement unit PD2 may be selected as a different device according to the light source LS.

예컨대, 상기 광원(LS)이 펄스 레이저 또는 연속 레이저를 포함하는 경우, 상기 제2 측정부(PD2)는 광 검출기(Photo detector)일 수 있다. 또는, 상기 광원(LS)이 램프를 포함하는 경우, 상기 제2 측정부(PD2)는 스펙트로미터(Spectrometer)를 포함할 수 있다. 상기 스펙트로미터는 간섭 분광기, 프리즘 분광기, 격자 분광기, 파장 분광기 등을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 상기 제2 측정부(PD2)는 수신되는 광의 특성에 따라 다양한 검출기가 선택될 수 있다.For example, when the light source LS includes a pulsed laser or a continuous laser, the second measuring unit PD2 may be a photo detector. Alternatively, when the light source LS includes a lamp, the second measurement unit PD2 may include a spectrometer. The spectrometer may include an interference spectrometer, a prism spectrometer, a grating spectrometer, a wavelength spectrometer, and the like. However, this is described as an example, and various detectors may be selected in the second measurement unit PD2 according to characteristics of received light.

상기 산출부(330)는 상기 광 수신부(320)로부터 상기 제3 편광(PL3)의 편광 상태에 관한 정보를 수신하여, 상기 기화된 증착물(G-EM)의 증착 속도를 산출한다. 한편, 도 2에서는 상기 산출부(330)를 생략하여 도시하였다.The calculation unit 330 receives information on the polarization state of the third polarized light PL3 from the light receiving unit 320 and calculates a deposition rate of the vaporized deposition material G-EM. Meanwhile, in FIG. 2, the calculation unit 330 is omitted.

상기 변환된 전기 신호는 상기 산출부로 전달되고, 상기 산출부는 상기 제3 편광(PL3)의 편광상태를 측정하고, 상기 제3 편광(PL3)의 편광 상태로부터 상기 증착물의 증착 속도를 산출한다. 본 발명에 따른 증착 장치(EA)는 상기 산출된 증착물의 증착 속도로부터 상기 기화된 증착물(G-EM)이 형성할 증착막(TF)의 두께를 예측할 수 있다.The converted electrical signal is transmitted to the calculation unit, and the calculation unit measures a polarization state of the third polarized light PL3 and calculates a deposition rate of the deposited material from the polarization state of the third polarized light PL3. The deposition apparatus EA according to the present invention may predict the thickness of the deposition film TF to be formed by the vaporized deposition material G-EM from the calculated deposition rate of the deposition material.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 속도 산출 유닛의 동작을 도시한 단면도이다. 도 3에서 상기 제1 방향(D1)에 배치된 펌프 광원(200: 도 2 참조) 및 상기 펌프 광원(200)으로부터 상기 제1 윈도우(WW1: 도 2 참조)로 입사되는 제1 편광(PL1: 도 2 참조)은 생략하여 도시하였다.3 is a cross-sectional view showing the operation of the deposition rate calculation unit according to an embodiment of the present invention. In FIG. 3, a pump light source 200 (see FIG. 2) disposed in the first direction D1 and a first polarized light PL1 incident from the pump light source 200 to the first window WW1 (see FIG. 2 ): 2) is omitted.

도 3에 도시된 것과 같이, 상기 증착원(CR)은 상기 내부 공간(VS)의 하측에 배치된다. 상기 증착원(CR)은 내부에 증착물을 수용하고, 상기 증착물을 기화시켜 외부로 방출한다. 상기 기화된 증착물(G-EM)은 상기 유기물들이 전체적으로 일정 방향으로 이동하면서 상기 기화된 증착물(G-EM)의 전체적인 흐름인 기류를 형성한다. 본 실시예에서, 상기 기화된 증착물(G-EM)은 상기 증착원(CR)으로부터 방출되어 상기 증착원(CR)의 상측 방향(D3: 이하, 제3 방향)의 기류를 형성한다.As shown in FIG. 3, the evaporation source CR is disposed under the inner space VS. The evaporation source CR accommodates a deposition material therein, vaporizes the deposition material, and discharges the deposition material to the outside. The vaporized deposit G-EM forms an airflow that is the overall flow of the vaporized deposit G-EM while the organic substances move in a predetermined direction as a whole. In this embodiment, the vaporized deposition material G-EM is emitted from the deposition source CR to form an airflow in the upward direction (D3: hereinafter, a third direction) of the deposition source CR.

상기 증착물은 주로 유기물을 포함한다. 예컨대, 상기 증착물은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 고분자, 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 발광고분자, PPP(poly(p-phenylene))계 고분자, PT(polythiophene)계 고분자, 인광계열 고분자와 같은 유기 발광 물질과, 전자 주입 물질, 정공 주입 물질, 전자 수송 물질, 정공 수송 물질 등과 같은 다양한 종류의 유기물을 포함할 수 있다.The deposited material mainly contains an organic material. For example, the deposited material is organic light-emitting such as PPV (Poly-Phenylenevinylene) polymer, polyfluorene-based luminescent polymer, PPP (poly(p-phenylene))-based polymer, PT (polythiophene)-based polymer, phosphorescent polymer It may include a material and various kinds of organic materials such as an electron injection material, a hole injection material, an electron transport material, a hole transport material, and the like.

도 3에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 증착 장치는 기판 지지대(SS)를 더 포함할 수 있다. 상기 기판 지지대(SS)는 상기 증착원(CR)으로부터 상기 제3 방향(D3)으로 이격되어 배치된다. 상기 기판 지지대(SS)는 증착용 기판(BS)을 고정한다.3, the deposition apparatus according to the present invention may further include a substrate support (SS). The substrate support SS is disposed to be spaced apart from the deposition source CR in the third direction D3. The substrate support SS fixes the deposition substrate BS.

도시되지 않았으나, 증착용 기판(BS)은 상기 기판 지지대(SS)에 진공에 의해 흡착되거나, 별도의 지지부재에 의해 상기 기판 지지대(SS)에 고정될 수 있다. 또한, 상기 기판 지지대(SS)는 상기 진공 챔버(100)의 상기 상부(100U)와 직접 연결될 수 있고, 별도로 구비된 이동부재에 연결되어 상기 진공 챔버(100)와 연결될 수 있다.Although not shown, the deposition substrate BS may be adsorbed to the substrate support SS by vacuum, or may be fixed to the substrate support SS by a separate support member. In addition, the substrate support SS may be directly connected to the upper portion (100U) of the vacuum chamber 100, or may be connected to a separate moving member to be connected to the vacuum chamber 100.

상기 증착용 기판(BS)은 일면이 상기 증착원(CR)과 마주하도록 배치된다. 상기 일면에는 증착 박막(TF)이 형성된다. 상기 증착 박막(TF)은 상기 기화된 증착물(G-EM)이 상기 증착용 기판(BS)에 도달하여 형성된다. 상기 증착 박막(TF)의 두께는 상기 기화된 증착물(G-EM)이 상기 증착용 기판(BS)에 도달하는 정도에 따라 달라질 수 있다.The deposition substrate BS is disposed such that one surface faces the deposition source CR. A deposition thin film TF is formed on the one surface. The deposition thin film TF is formed when the vaporized deposition material G-EM reaches the deposition substrate BS. The thickness of the deposition thin film TF may vary depending on the degree to which the vaporized deposition material G-EM reaches the deposition substrate BS.

도 3에 도시된 것과 같이, 상기 기화된 증착물(G-EM)의 일부는 분극된 증착물(P-EM)을 포함할 수 있다. 상기 분극된 증착물(P-EM)은 상기 제1 방향(D1)으로부터 조사된 제1 편광(미도시)에 의해 상기 기화된 증착물(G-EM)이 분극되어 형성된다.As shown in FIG. 3, a portion of the vaporized deposit G-EM may include a polarized deposit P-EM. The polarized deposition material P-EM is formed by polarizing the vaporized deposition material G-EM by first polarization (not shown) irradiated from the first direction D1.

상기 제1 편광은 상기 기화된 증착물(G-EM)의 증착 속도나 밀도에 영향을 주지 않는다. 상기 분극된 증착물(P-EM)은 상기 제1 편광이 조사되는 영역을 벗어나면, 분극 되지 않은 기화된 증착물(G-EM) 상태로 되돌아갈 수 있다. 따라서, 상기 분극된 증착물(P-EM)은 상기 기화된 증착물(G-EM) 중 상기 제1 편광이 조사되는 영역에 형성될 수 있다.The first polarization does not affect the deposition rate or density of the vaporized deposit (G-EM). When the polarized deposition material P-EM is out of the region to which the first polarized light is irradiated, the polarized deposition material P-EM may return to a non-polarized vaporized deposition material G-EM state. Accordingly, the polarized deposition material P-EM may be formed in a region of the vaporized deposition material G-EM to which the first polarized light is irradiated.

도 3에 도시된 것과 같이, 광 조사부(310)로부터 출사되어 제2 윈도우(WW2)를 통과한 제2 편광(PL2)은 상기 기화된 증착물(G-EM)에 조사된다. 상기 광 조사부(310)는 상기 제2 편광(PL2)이 상기 분극된 증착물(P-EM)에 조사되도록 배치될 수 있다.As shown in FIG. 3, the second polarized light PL2 emitted from the light irradiation unit 310 and passed through the second window WW2 is irradiated onto the vaporized deposit G-EM. The light irradiation unit 310 may be disposed so that the second polarized light PL2 is irradiated onto the polarized deposition material P-EM.

상기 제2 편광(PL2)은 상기 분극된 증착물(P-EM)을 지나면서 제3 편광(PL3)으로 변형된다. 상기 제3 편광(PL3)은 제3 윈도우(WW3)를 통해 상기 진공 챔버(100)의 외측에 배치된 광 수신부(320)에 수신된다.The second polarized light PL2 is transformed into the third polarized light PL3 while passing through the polarized deposition material P-EM. The third polarized light PL3 is received by the light receiving unit 320 disposed outside the vacuum chamber 100 through the third window WW3.

도 4a 내지 도 4c는 상기 기화된 증착물(G-EM)의 변화를 개략적으로 도시한 것이다. 도 4a는 상기 기화된 증착물(G-EM)의 일 영역을 도시한 것이고, 도 4b는 비교광을 조사한 경우의 상기 기화된 증착물의 상기 일 영역을 도시한 것이고, 도 4c는 도 3에서의 상기 제1 편광(PL1)을 조사한 경우의 상기 기화된 증착물(G-EM)의 일 영역을 도시한 것이다.4A to 4C schematically show changes in the vaporized deposit (G-EM). 4A is a diagram illustrating a region of the vaporized deposit (G-EM), FIG. 4B is a diagram illustrating a region of the vaporized deposit when irradiated with comparative light, and FIG. 4C is It shows a region of the vaporized deposition material G-EM when the first polarized light PL1 is irradiated.

이하, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여, 상기 펌프 광원(200) 및 상기 제1 편광(PL1)의 작동에 대해 설명한다. 한편, 본 발명에 따른 증착 장치의 구성에 대해서는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.Hereinafter, operations of the pump light source 200 and the first polarization PL1 will be described with reference to FIGS. 4A to 4C. Meanwhile, a configuration of a deposition apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 4a에 도시된 것과 같이, 상기 기화된 증착물(G-EM)은 복수 개의 유기분자들로 구성될 수 있다. 상기 증착물이 기화되면, 상기 복수 개의 유기분자들 각각은 내부 에너지를 가지고, 상기 증착원(CR)의 상측 방향(D3)으로 이동한다.As shown in FIG. 4A, the vaporized deposition material G-EM may be composed of a plurality of organic molecules. When the deposited material is vaporized, each of the plurality of organic molecules has internal energy and moves in the upward direction D3 of the deposition source CR.

도 4b에 도시된 것과 같이, 상기 기화된 증착물(G-EM)에 상기 비교광이 조사되면, 상기 비교광이 조사된 영역은 들뜬 상태의 증착물(E-EM)이 된다. 상기 비교광은 상기 유기 분자를 구성하는 원자들을 들뜬상태로 만들 수 있을 정도의 에너지인 여기 에너지(excitation energy)를 가지며, 무편광 상태의 광을 포함한다.As shown in FIG. 4B, when the comparative light is irradiated on the vaporized deposition material G-EM, the area irradiated with the comparative light becomes an excited deposition material E-EM. The comparative light has excitation energy, which is an energy sufficient to make atoms constituting the organic molecule into an excited state, and includes light in an unpolarized state.

상기 들뜬 상태의 증착물(E-EM)은 상기 비교광에 의해 분극된 적어도 하나의 유기 분자들을 포함한다. 상기 비교광은 편광되지 않았으므로, 상기 분극된 유기 분자들은 불규칙적으로 배열되고, 상기 들뜬 상태의 증착물(E-EM)은 전체적으로 중성을 띨 수 있다.The excited deposit E-EM includes at least one organic molecule polarized by the comparative light. Since the comparative light is not polarized, the polarized organic molecules are irregularly arranged, and the excited deposit E-EM may be entirely neutral.

도 4c에 도시된 것과 같이, 상기 기화된 증착물(G-EM)에 상기 제1 편광(PL1)이 조사되면, 상기 제1 편광(PL1)이 조사된 영역은 분극된 증착물(P-EM)이 된다. 상기 제1 편광(PL1)은 상기 여기 에너지를 포함함과 동시에 일 방향으로 진동하는 선편광을 포함한다.As shown in FIG. 4C, when the first polarized light PL1 is irradiated to the vaporized deposition material G-EM, the area to which the first polarized light PL1 is irradiated is a polarized deposition material P-EM. do. The first polarized light PL1 includes the excitation energy and linearly polarized light vibrating in one direction.

상기 유기 분자들은 상기 제1 편광(PL1)의 에너지에 의해 분극되고, 상기 제1 편광(PL1)의 편광성에 의해 소정의 방향으로 정렬된다. 본 실시예에서, 상기 분극된 증착물(P-EM)은 상기 제1 편광(PL1)이 조사된 전 영역에 포함된 모든 유기분자들이 분극된 것으로 가정한다. 다만, 다른 실시예에서, 상기 유기분자들의 일부는 분극되지 않을 수 있다. 이때, 상기 산출부(도 3 참조)는 분극되지 않은 유기분자들의 수를 고려하여 상기 증착물의 증착속도를 산출한다.The organic molecules are polarized by the energy of the first polarized light PL1 and aligned in a predetermined direction by the polarization of the first polarized light PL1. In this embodiment, it is assumed that all organic molecules included in the entire region irradiated with the first polarized light PL1 are polarized in the polarized deposition material P-EM. However, in other embodiments, some of the organic molecules may not be polarized. At this time, the calculation unit (see FIG. 3) calculates the deposition rate of the deposited material in consideration of the number of unpolarized organic molecules.

상기 분극된 증착물(P-EM)의 내부에는 상기 유기 분자들이 정렬된 방향에 대응되는 방향으로 전계(Electric field, E0)가 형성된다. 상기 전계(E0)의 세기는 상기 분극된 증착물(P-EM)의 양, 즉, 상기 증착물의 기화량에 대응될 수 있다. 또한, 상기 전계(E0)의 방향은 상기 제1 편광(PL1)의 편광방향에 따라 달라질 수 있다.An electric field (E 0 ) is formed in the polarized deposit P-EM in a direction corresponding to a direction in which the organic molecules are aligned. The strength of the electric field E 0 may correspond to the amount of the polarized deposit P-EM, that is, the amount of vaporization of the deposit. In addition, the direction of the electric field E 0 may vary according to the polarization direction of the first polarized light PL1.

따라서, 본 실시예에 따른 증착 장치는 상기 제1 편광(PL1)의 편광 방향, 프로브 광인 제2 편광(PL2)의 편광 방향 및 상기 제3 편광(PL3)의 편광 상태를 통해 상기 증착물의 증착속도를 산출할 수 있다. 상기 증착 장치는 증착 박막의 두께를 직접적으로 측정하지 않고도, 증착물의 증기를 통해 실시간으로 증착 박막의 두께를 예측할 수 있다.Accordingly, the deposition apparatus according to the present exemplary embodiment uses the polarization direction of the first polarized light PL1, the polarization direction of the second polarized light PL2, which is a probe light, and the polarization state of the third polarized light PL3. Can be calculated. The deposition apparatus can predict the thickness of the deposited thin film in real time through the vapor of the deposited material without directly measuring the thickness of the deposited thin film.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 진공 챔버에서의 편광 상태를 도시한 투영도이다. 도 5는 도 3에 도시된 상기 제2 편광(PL2) 및 상기 제3 편광(PL3)의 경로에 대응되도록 도시하였다. 이하, 도 5를 참조하여 상기 제2 편광(PL2)이 상기 제3 편광(PL3)으로 변환되는 과정에 대해 설명한다. 한편, 도 5에 미도시된 증착 장치의 구성들에 대해서는 도 2를 참조하여 설명하기로 한다. 도 5에 도시된 것과 같이, 상기 소스 광(SB)은 상기 제1 편광자(PZ1)로 입사된다. 상기 소스 광(SB)은 복수 개의 선편광들이 무질서하게 섞여있는 상태일 수 있다.5 is a projection view showing a polarization state in a vacuum chamber according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is illustrated to correspond to the paths of the second polarized light PL2 and the third polarized light PL3 shown in FIG. 3. Hereinafter, a process of converting the second polarized light PL2 into the third polarized light PL3 will be described with reference to FIG. 5. Meanwhile, configurations of the deposition apparatus not shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG. 2. As shown in FIG. 5, the source light SB is incident on the first polarizer PZ1. The source light SB may be in a state in which a plurality of linearly polarized lights are randomly mixed.

본 실시예에서, 상기 제1 편광자(PZ1)는 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 투과축(PZ1-ax)을 가진다. 상기 제1 편광자(PZ1)는 상기 소스 광(SB) 중, 상기 제1 투과축(PZ1-ax)과 나란한 방향으로 진동하는 선편광을 선택적으로 투과시키고, 상기 제1 투과축(PZ1-ax)과 수직인 방향으로 진동하는 선편광은 흡수한다. 따라서, 상기 제1 편광자(PZ1)를 투과한 상기 제2 편광(PL2)은 상기 제1 방향(D1)으로 진동하는 선편광을 포함한다.In this embodiment, the first polarizer PZ1 has a first transmission axis PZ1-ax extending in the first direction D1. The first polarizer PZ1 selectively transmits linearly polarized light vibrating in a direction parallel to the first transmission axis PZ1-ax, among the source light SB, and the first transmission axis PZ1-ax Linearly polarized light vibrating in a vertical direction is absorbed. Accordingly, the second polarized light PL2 transmitted through the first polarizer PZ1 includes linearly polarized light vibrating in the first direction D1.

도 5에 도시된 것과 같이, 상기 제2 편광(PL2)은 상기 분극된 증착물(P-EM)에 조사되고, 상기 분극된 증착물(P-EM)을 통과하면서 제3 편광(PL3)으로 변형된다. 상기 분극된 증착물(P-EM)은 내부에 전계(E0: 도 4c 참조)를 포함하고, 상기 전계(E0)는 상기 제2 편광(PL2)의 진동 방향을 변화시킨다.As shown in FIG. 5, the second polarized light PL2 is irradiated to the polarized deposition material P-EM and is transformed into a third polarized light PL3 while passing through the polarized deposition material P-EM. . The polarized deposit P-EM includes an electric field (E 0 : see FIG. 4C) therein, and the electric field E 0 changes the vibration direction of the second polarized light PL2.

제2 편광(PL2)은 상기 제1 방향(D1) 및 상기 제3 방향(D3)이 정의하는 평면상에서 소정의 각도(θ)로 회전되어 상기 제3 편광(PL3)으로 변형될 수 있다. 제3 편광의 진동 방향(PL3-D)은 제2 편광의 진동 방향(PL2-D)으로부터 상기 각도(θ)만큼 회전한다. 상기 각도(θ)는 상기 분극된 증착물(P-EM) 내부의 상기 전계(E0)의 방향 및 세기에 따라 달라질 수 있다.The second polarized light PL2 may be rotated at a predetermined angle θ on a plane defined by the first direction D1 and the third direction D3 to be transformed into the third polarized light PL3. The vibration direction PL3-D of the third polarized light is rotated by the angle θ from the vibration direction PL2-D of the second polarized light. The angle θ may vary according to the direction and intensity of the electric field E 0 inside the polarized deposit P-EM.

도 5에 도시된 것과 같이, 상기 제2 편광자(PZ2)는 상기 분극된 증착물(P-EM)로부터 상기 제3 편광(PL3)을 수신한다. 상기 제2 편광자(PZ2)는 제2 투과축을 가진다. 상기 제2 투과축은 상기 제1 투과축(PZ1-ax)과 동일한 방향이거나 다른 방향일 수 있다.As shown in FIG. 5, the second polarizer PZ2 receives the third polarized light PL3 from the polarized deposit P-EM. The second polarizer PZ2 has a second transmission axis. The second transmission axis may be in the same direction or a different direction as the first transmission axis PZ1-ax.

상기 제2 편광자(PZ2)는 상기 제3 편광(PL3) 중, 상기 제2 투과축과 나란한 방향으로 진동하는 편광 성분은 투과시키고, 상기 제2 투과축과 수직한 방향으로 진동하는 편광 성분은 차단한다. 본 실시예에서, 상기 제3 편광(PL3)은 상기 제2 편광자(PZ2)를 통과한 후, 적어도 일부 광량이 감소한 편광된 제3 편광(P-PL3)이 될 수 있다.The second polarizer PZ2 transmits a polarization component vibrating in a direction parallel to the second transmission axis among the third polarization PL3 and blocks a polarization component vibrating in a direction perpendicular to the second transmission axis. do. In this embodiment, after passing through the second polarizer PZ2, the third polarized light PL3 may become a polarized third polarized light P-PL3 in which at least a portion of the amount of light is decreased.

상기 편광된 제3 편광(P-PL3)은 상기 제3 편광(PL3)보다 낮은 광의 세기(intensity)를 가진다. 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)의 세기는 상기 제2 편광자(PZ2)의 투과축과 상기 제3 편광(PL3)의 진동 방향 사이의 각도 차이에 따라 달라진다.The polarized third polarized light P-PL3 has a lower intensity of light than the third polarized light PL3. The intensity of the polarized third polarized light P-PL3 varies according to an angle difference between the transmission axis of the second polarizer PZ2 and the vibration direction of the third polarized light PL3.

예컨대, 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)의 세기는 상기 제2 편광자(PZ2)의 투과축과 상기 제3 편광(PL3)의 진동 방향이 이루는 각도의 코사인 제곱에 비례할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)의 세기를 측정하여, 상기 제3 편광(PL3)의 편광상태를 유추할 수 있다.For example, the intensity of the polarized third polarized light P-PL3 may be proportional to a cosine square of an angle formed by the transmission axis of the second polarizer PZ2 and the vibration direction of the third polarized light PL3. Accordingly, the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may infer the polarization state of the third polarized light PL3 by measuring the intensity of the polarized third polarized light P-PL3.

한편, 다른 실시예에서, 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)은 상기 제3 편광(PL3)과 동일한 광의 세기를 가질 수 있다. 이때, 상기 편광된 제3 편광(P-PL3)은 상기 제3 편광(PL3)과 동일한 방향으로 진동하는 선편광을 포함한다.Meanwhile, in another embodiment, the polarized third polarized light P-PL3 may have the same intensity of light as the third polarized light PL3. In this case, the polarized third polarized light P-PL3 includes linearly polarized light vibrating in the same direction as the third polarized light PL3.

따라서, 본 발명에 따른 증착 장치 상기 기화되는 증착물에 광을 조사하고, 편광을 이용하여 증착물의 증착 속도를 산출한다. 상기 증착 속도 산출 방법은 기화되는 증착물로부터 증착물의 증착 속도를 산출하므로, 증착 두께를 측정하기 위한 별도의 박막 샘플의 제작이 요구되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 증착 장치는 증착 과정 중에 실시간으로 증착 속도를 산출함으로써, 증착 박막의 두께 제어가 용이하다. Accordingly, the deposition apparatus according to the present invention irradiates light to the vaporized deposition material and calculates the deposition rate of the deposition material using polarized light. Since the deposition rate calculation method calculates the deposition rate of the deposited material from the vaporized deposition material, it is not required to prepare a separate thin film sample for measuring the deposition thickness. In addition, the deposition apparatus according to the present invention calculates the deposition rate in real time during the deposition process, thereby making it easy to control the thickness of the deposited thin film.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치를 광경로에 따라 개략적으로 도시한 개요도이다. 도 6의 증착 장치(EA-1)는 상기 도 2에 도시된 증착 장치(EA)와 비교할 때, 광 조사부(310-2) 및 광 수신부(320-2)의 구성을 달리한다. 이하, 도 1 내지 도 5에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고, 구체적인 설명은 생략한다.6 is a schematic diagram schematically showing a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention along an optical path. The deposition apparatus EA-1 of FIG. 6 differs in configurations of the light irradiation unit 310-2 and the light receiving unit 320-2 as compared to the deposition apparatus EA shown in FIG. 2. Hereinafter, the same reference numerals are assigned to the same components as those described in FIGS. 1 to 5, and detailed descriptions are omitted.

도 6에 도시된 것과 같이, 상기 광 조사부(310-2)는 제2 편광(PL2)을 상기 진공 챔버(100)에 조사한다. 상기 광 조사부(310-2)는 광원(LS) 및 편광자(PZ1-1)를 포함한다. 상기 광원(LS)은 소스 광(SB)을 생성하여 상기 편광자(PZ1-1)에 제공한다.As shown in FIG. 6, the light irradiation unit 310-2 irradiates the second polarized light PL2 to the vacuum chamber 100. The light irradiation unit 310-2 includes a light source LS and a polarizer PZ1-1. The light source LS generates source light SB and provides it to the polarizer PZ1-1.

본 실시예에서, 상기 편광자(PZ1-1)는 복굴절 필터(birefringence filter)와 같은 편광 프리즘(Polarizing Prism)를 포함할 수 있다. 상기 편광 프리즘은 석영 또는 방해석(calcite)을 포함하는 단축성 결정 물질들로 이루어진 복수 개의 직각 프리즘들로 구성될 수 있다. 상기 편광자(PZ1-1)는 통과하는 광의 파장에 따른 위상차에 의해 상호 감쇄되고, 특정 파장의 광만 보강하여 투과시킨다. 예컨대, 상기 편광자(PZ1-1)는 글랜-테일러 편광자(Glan-Taylor Polarizer)를 포함할 수 있다.In this embodiment, the polarizer PZ1-1 may include a polarizing prism such as a birefringence filter. The polarizing prism may be composed of a plurality of right-angled prisms made of uniaxial crystal materials including quartz or calcite. The polarizers PZ1-1 are mutually attenuated by a phase difference according to a wavelength of light passing through, and only light of a specific wavelength is reinforced and transmitted. For example, the polarizer PZ1-1 may include a Glan-Taylor Polarizer.

도 6에 도시된 것과 같이, 상기 광 수신부(320-2)는 상기 진공 챔버(100)로부터 제3 편광(PL3)을 수신한다. 상기 광 수신부(320-2)는 위상 지연기(RT), 편광 프리즘(BS), 및 제3 측정부(PD3)를 포함한다.As illustrated in FIG. 6, the light receiving unit 320-2 receives the third polarized light PL3 from the vacuum chamber 100. The light receiving unit 320-2 includes a phase retarder (RT), a polarization prism (BS), and a third measurement unit PD3.

상기 위상 지연기(RT)는 상기 제3 편광(PL3)을 수신하여 상기 제3 편광(PL3)의 위상을 지연시킨다. 상기 위상 지연기(RT)는 상기 위상 지연기(RT)를 통과하는 광의 진동방향을 직교하는 두 개의 편광 성분들로 구분하고, 상기 두 개의 편광 성분들 중 하나의 편광 성분에 대하여 다른 하나의 편광 성분의 위상을 지연시킨다.The phase retarder RT delays the phase of the third polarized light PL3 by receiving the third polarized light PL3. The phase retarder (RT) divides the vibration direction of the light passing through the phase retarder (RT) into two polarization components that are orthogonal, and the other polarization component with respect to one of the two polarization components. Delay the phase of the component.

상기 위상 지연기(RT)는 입사하는 광에 따라 다양한 편광상태를 가진 광을 생성할 수 있다. 예컨대, 상기 위상 지연기(RT)는 1/4 파장판(quarter-wave plate)일 수 있다. 상기 1/4 파장판(RT)은 상기 두 개의 편광 성분들의 파장 차이가 1/4 파장이 되도록 다른 하나의 편광 성분의 위상을 지연시킨다.The phase retarder RT may generate light having various polarization states according to incident light. For example, the phase retarder RT may be a quarter-wave plate. The 1/4 wavelength plate RT delays the phase of the other polarization component so that the difference in wavelength between the two polarization components becomes 1/4 wavelength.

상기 위상 지연기(RT)는 상기 제3 편광(PL3)을 수신하여 위상이 지연된 제3 편광(R-PL3)을 생성한다. 본 실시예에서, 상기 제3 편광(PL3)이 선편광을 포함할 때, 상기 1/4 파장판(RT)에 의해 상기 위상이 지연된 제3 편광(R-PL3)은 원편광 또는 타원 편광일 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(EA-1)에서 상기 위상 지연기(RT)는 생략될 수 있다.The phase retarder RT receives the third polarized light PL3 and generates a third polarized light R-PL3 whose phase is delayed. In this embodiment, when the third polarized light PL3 includes linearly polarized light, the third polarized light R-PL3 whose phase is delayed by the quarter wave plate RT may be circularly polarized light or elliptical polarized light. have. Meanwhile, in the deposition apparatus EA-1 according to an embodiment of the present invention, the phase retarder RT may be omitted.

상기 편광 프리즘(BS)은 상기 위상이 지연된 제3 편광(R-PL3)을 수신하여, 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2)로 분리시킨다. 한편, 상기 위상 지연기(RT)가 생략된 경우, 상기 편광 프리즘(BS)은 상기 제3 편광(PL3)을 수신하여, 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2)로 분리시킨다. 상기 편광 프리즘(BS)은 복굴절 물질을 포함할 수 있다. 복굴절 물질을 통과하는 광은 편광 방향에 따라 각각 다른 속도로 진행되어, 복수 개의 광들로 분리될 수 있다.The polarization prism BS receives the third polarized light R-PL3 whose phase is delayed and separates it into a plurality of sub polarized light units SP1 and SP2. On the other hand, when the phase retarder RT is omitted, the polarization prism BS receives the third polarization PL3 and separates it into the plurality of sub polarizations SP1 and SP2. The polarizing prism BS may include a birefringent material. Light passing through the birefringent material proceeds at different speeds according to the polarization direction, and may be separated into a plurality of lights.

본 실시예에서, 상기 편광 프리즘(BS)은 복굴절 필터를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 광 분산기(BS)는 월라스턴 프리즘(Wollaston prism)을 포함할 수 있다. 상기 월라스턴 프리즘은 편광 프리즘의 일종으로, 방해석 또는 수정으로 구성된 직각 프리즘 두 개가 각각의 장축이 마주하도록 결합되어 있다.In this embodiment, the polarization prism BS may include a birefringence filter. For example, the light spreader BS may include a Wollaston prism. The Wollaston prism is a kind of polarizing prism, and two right-angled prisms composed of calcite or crystal are combined so that their respective major axes face each other.

상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2)은 서로 다른 방향으로 진동한다. 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2)은 서로 직교하는 진동면을 가진 직선 편광들일 수 있다. 이때, 상기 월라스턴 프리즘으로부터 분리된 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2) 각각의 진동 방향은 서로 직교할 수 있다. 예컨대, 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2)은 상기 광 분산기(BS)로 입사되는 광의 전기장이 포함된 평면과 나란한 진동면을 가진 p-편광을 포함하는 제1 서브 편광(SP1) 및 상기 광 분산기(BS)로 입사되는 광의 전기장이 포함된 평면과 수직한 진동면을 가진 s-편광을 포함하는 제2 서브 편광(SP2)을 포함할 수 있다.The plurality of sub polarized lights SP1 and SP2 vibrate in different directions. The plurality of sub-polarized light (SP1, SP2) may be linearly polarized light having a vibration surface orthogonal to each other. In this case, vibration directions of each of the plurality of sub-polarized lights SP1 and SP2 separated from the Wollaston prism may be orthogonal to each other. For example, the plurality of sub-polarized light (SP1, SP2) includes a first sub-polarized light (SP1) and the light having a vibration surface parallel to the plane including the electric field of the light incident to the light spreader BS. A second sub-polarized light SP2 including s-polarized light having a vibration plane perpendicular to the plane including the electric field of light incident on the diffuser BS may be included.

상기 제3 측정부(PD3)는 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2) 중 적어도 하나의 서브 편광의 세기를 측정하여 상기 제3 편광(PL3)의 편광 상태를 측정한다. 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2)의 세기 차이는 상기 위상이 지연된 제3 편광(R-PL3)의 편광상태와 대응될 수 있고, 결과적으로 상기 제3 편광(PL3)의 편광 상태를 유추할 수 있다. 상기 제3 측정부(PD3)는 예컨대, 평형 검출기, CCD 카메라, 또는 CMOS 카메라를 포함할 수 있다.The third measuring unit PD3 measures the intensity of at least one of the plurality of sub polarized lights SP1 and SP2 to measure the polarization state of the third polarized light PL3. The difference in intensity of the plurality of sub-polarized lights SP1 and SP2 may correspond to the polarization state of the third polarized light R-PL3 whose phase is delayed, and as a result, the polarization state of the third polarized light PL3 is inferred. can do. The third measurement unit PD3 may include, for example, a balance detector, a CCD camera, or a CMOS camera.

상기 제3 측정부(PD3)는 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2) 중 어느 하나의 세기를 측정하여 상기 제3 편광(PL3)의 편광 상태를 유추할 수 있다. 상기 제3 측정부(PD3)는 선택된 서브 편광을 서로 다른 축을 갖는 두 편광 성분들로 분리하여, 상기 선택된 서브 편광의 세기를 측정할 수 있다.The third measuring unit PD3 may infer the polarization state of the third polarized light PL3 by measuring the intensity of any one of the plurality of sub polarized lights SP1 and SP2. The third measuring unit PD3 may measure the intensity of the selected sub-polarized light by separating the selected sub-polarized light into two polarization components having different axes.

또는, 상기 제3 측정부(PD3)는 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2) 각각의 세기를 각각 측정하는 복수 개의 서브 측정부들을 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 서브 측정부들은 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2)의 세기를 측정하고, 측정값들을 비교하여 상기 제3 편광(PL3)의 편광상태를 측정할 수 있다.Alternatively, the third measurement unit PD3 may include a plurality of sub measurement units respectively measuring the intensity of each of the plurality of sub polarizations SP1 and SP2. The plurality of sub measurement units may measure the intensity of the plurality of sub polarizations SP1 and SP2 and compare the measured values to measure the polarization state of the third polarization PL3.

예컨대, 상기 제3 측정부(PD3)는 P파용 디텍터 및 S파용 디텍터를 포함할 수 있다. 상기 P파용 디텍터는 상기 제1 서브 편광(SP1)을 수신하여 상기 제1 서브 편광(SP1)의 세기를 측정할 수 있다. 상기 S파용 디텍터는 상기 제2 서브 편광(SP2)을 수신하여 상기 제2 서브 편광(SP2)의 세기를 측정할 수 있다. 상기 제3 측정부(PD3)는 상기 제1 서브 편광(SP1)의 세기 및 상기 제2 서브 편광(SP2)의 세기 차이를 통해 상기 제3 편광(PL3)의 편광상태를 유추할 수 있다.For example, the third measurement unit PD3 may include a detector for a P wave and a detector for an S wave. The P-wave detector may receive the first sub-polarized light SP1 and measure the intensity of the first sub-polarized light SP1. The S-wave detector may receive the second sub-polarized light SP2 and measure the intensity of the second sub-polarized light SP2. The third measuring unit PD3 may infer a polarization state of the third polarized light PL3 through a difference between the intensity of the first sub-polarized light SP1 and the intensity of the second sub-polarized light SP2.

도시되지 않았으나, 상기 광 수신부(320-2)는 미도시된 산출부를 더 포함한다. 상기 산출부는 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2)의 세기 차이를 포함하는 정보를 수신하여, 상기 증착물의 증착 속도를 산출한다.Although not shown, the light receiving unit 320-2 further includes a calculation unit not shown. The calculator receives information including a difference in intensity between the plurality of sub-polarized lights SP1 and SP2, and calculates the deposition rate of the deposited material.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(EA-1)는 상기 광 수신부(320-2)가 복굴절 필터를 포함함으로써, 상기 제3 편광(PL3) 또는 상기 위상이 지연된 제3 편광(R-PL3)의 위상 변화도 측정할 수 있다. 상기 증착 장치(EA-1)는 상기 복수 개의 서브 편광들(SP1, SP2) 각각의 세기를 측정하고, 세기 차이를 이용하여, 상기 제3 편광(PL3)이 상기 제2 편광(PL2)으로부터 변화된 위상 차이를 산출할 수 있다. 따라서, 다양한 팩터(factor)들을 통해 상기 증착물의 증착 속도를 산출할 수 있어, 산출된 증착 속도의 정확도가 향상될 수 있다.In the deposition apparatus EA-1 according to an embodiment of the present invention, since the light receiving unit 320-2 includes a birefringence filter, the third polarized light PL3 or the third polarized light R-PL3 whose phase is delayed The phase change of) can also be measured. The deposition apparatus EA-1 measures the intensity of each of the plurality of sub polarizations SP1 and SP2, and the third polarization PL3 is changed from the second polarization PL2 using a difference in intensity. The phase difference can be calculated. Accordingly, the deposition rate of the deposition material can be calculated through various factors, so that the accuracy of the calculated deposition rate can be improved.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(EA-1)는 상기 글랜 테일러 편광자 및 상기 월라스톤 프리즘을 포함함으로써, 비교적 간단한 구성들로 이루어질 수 있다. 상기 증착 장치(EA-1)는 편광의 차이를 통해 상기 증착물의 증착 속도를 산출할 수 있어, 보다 간단하게 증착 속도를 산출할 수 있다.In addition, the deposition apparatus EA-1 according to an embodiment of the present invention may have relatively simple configurations by including the Glen Taylor polarizer and the Wallastone prism. The deposition apparatus EA-1 can calculate the deposition rate of the deposition material through the difference in polarization, and thus the deposition rate can be more simply calculated.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 속도 측정 방법을 도시한 블럭도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 속도 산출 단계를 도시한 블럭도이다. 이하, 도 7 및 도 8을 참조하여, 본 발명에 따른 증착 속도 측정 방법에 대해 설명한다.7 is a block diagram illustrating a method of measuring a deposition rate according to an embodiment of the present invention. 8 is a block diagram illustrating a deposition rate calculation step according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a method of measuring a deposition rate according to the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

도 7에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 증착 장치는 먼저 증착물을 기화시킨다(S100). 상기 증착물은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 증착물은 기화되어 소정의 기판 일면 상에 증착 박막을 형성한다.As shown in FIG. 7, the deposition apparatus according to the present invention first vaporizes the deposited material (S100). The deposited material may include an organic material. The deposited material is vaporized to form a deposition thin film on one surface of a predetermined substrate.

본 발명에 따른 증착 장치는 상기 기화된 증착물에 제1 편광을 조사한다(S200). 상기 제1 편광은 소정의 에너지를 포함하고, 소정의 방향으로 진동하는 선편광을 포함한다.The deposition apparatus according to the present invention irradiates the vaporized deposition material with first polarized light (S200). The first polarized light includes a predetermined energy and includes linearly polarized light vibrating in a predetermined direction.

상기 제1 편광의 에너지는 상기 기화된 증착물에 흡수되어, 상기 기화된 증착물을 구성하는 유기물들을 들뜬 상태(excited state)로 만든다. 상기 들뜬 상태의 유기물들은 내부적으로 극성을 띠는 분극 상태가 된다.The energy of the first polarized light is absorbed by the vaporized deposit to make organic substances constituting the vaporized deposit into an excited state. The organic substances in the excited state are internally polarized.

상기 들뜬 상태의 유기물들은 상기 제1 편광의 진동 방향을 따라 정렬되어 분극된 증착물을 형성한다. 상기 정렬된 유기물들에 의해 소정의 전계(Electric field)가 형성된다. 상기 전계는 추후 상기 분극된 증착물에 입사되는 광의 진동 방향에 영향을 미칠 수 있다.The excited organic materials are aligned along the vibration direction of the first polarized light to form a polarized deposit. A predetermined electric field is formed by the aligned organic materials. The electric field may affect the direction of vibration of light incident on the polarized deposit.

상기 분극된 증착물에 제2 편광을 조사한다(S300). 상기 제2 편광은 상기 제1 편광과 다른 방향으로 진동하는 선편광을 포함한다. 상기 분극된 증착물에 조사된 상기 제2 편광은 상기 분극된 증착물 내부의 전계에 의해 진동 방향이 변형되어 제3 편광을 생성한다. 상기 제3 편광은 상기 제2 편광과 다른 방향으로 진동하는 선편광을 포함한다.The polarized deposit is irradiated with second polarized light (S300). The second polarized light includes linearly polarized light that vibrates in a direction different from the first polarized light. The second polarized light irradiated onto the polarized deposit is transformed in a vibration direction by an electric field inside the polarized deposit to generate third polarized light. The third polarized light includes linearly polarized light vibrating in a direction different from that of the second polarized light.

본 발명에 따른 증착 장치는 상기 제3 편광을 수신하여 증착물의 증착 속도를 산출한다(S400). 이하, 도 8을 참조하여, 상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계(S400)를 살펴본다.The deposition apparatus according to the present invention receives the third polarized light and calculates the deposition rate of the deposited material (S400). Hereinafter, referring to FIG. 8, a step (S400) of calculating the deposition rate of the deposited material will be described.

도 8에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 증착 장치는 우선 상기 제3 편광을 수신하고(S410), 수신된 제3 편광의 편광상태를 측정한다(S420). 상기 제3 편광은 예컨대, 소정의 투과축을 가진 편광자에 의해 수신되고, 상기 편광자에 의해 편광된 정도를 측정하여, 상기 제3 편광의 편광상태를 측정할 수 있다. 또는, 복굴절 필름과 같은 직교편광 프리즘을 이용하여, 상기 제3 편광을 수신하고(S410), 수신된 제3 편광의 편광상태를 측정할 수 있다(S420).As shown in FIG. 8, the deposition apparatus according to the present invention first receives the third polarized light (S410), and measures the polarization state of the received third polarized light (S420). The third polarized light may be received by, for example, a polarizer having a predetermined transmission axis, and a degree of polarization by the polarizer may be measured to measure a polarization state of the third polarized light. Alternatively, the third polarized light may be received using an orthogonal polarization prism such as a birefringent film (S410), and a polarization state of the received third polarized light may be measured (S420).

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 수신된 제3 편광의 편광상태를 측정하는 단계(S420)는 상기 수신된 제3 편광을 편광시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제3 편광은 편광 필터 또는 편광 프리즘을 포함하는 편광자에 의해 편광될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 속도 산출 방법은 상기 편광된 제3 편광의 세기를 측정함으로써, 상기 제3 편광의 편광 상태를 유추할 수 있다.Measuring the polarization state of the received third polarized light (S420) according to an embodiment of the present invention may include polarizing the received third polarized light. The third polarized light may be polarized by a polarizing filter or a polarizer including a polarizing prism. In the method of calculating the deposition rate according to an embodiment of the present invention, the polarization state of the third polarized light may be inferred by measuring the intensity of the polarized third polarized light.

또는, 상기 수신된 제3 편광의 편광상태를 측정하는 단계(S420)는 수신된 제3 편광의 위상을 지연시켜 원편광을 생성하고, 상기 원편광으로부터 상기 제3 편광의 편광 상태를 측정할 수 있다. 상기 제3 편광은 위상 지연기를 통과하여 원편광으로 변형될 수 있다. 상기 원편광은 편광 프리즘 또는 빔 스플리터에 의해 복수 개의 서브 편광들로 분리될 수 있다. 본 발명에 따른 증착 장치는, 상기 서브 편광들 각각의 세기 또는 상기 서브 편광들 사이의 세기 차이를 통해 상기 제3 편광의 편광 상태를 측정할 수 있다. Alternatively, in the step of measuring the polarization state of the received third polarized light (S420), the phase of the received third polarized light is delayed to generate circularly polarized light, and the polarization state of the third polarized light may be measured from the circularly polarized light. have. The third polarized light may be transformed into circularly polarized light through a phase retarder. The circularly polarized light may be divided into a plurality of sub-polarized light by a polarizing prism or a beam splitter. The deposition apparatus according to the present invention may measure the polarization state of the third polarized light through the intensity of each of the sub-polarized light or the intensity difference between the sub-polarized light.

도 8에 도시된 것과 같이, 상기 측정된 제3 편광의 편광 상태로부터 상기 증착물의 증착속도를 산출한다(S430). 상기 제3 편광의 편광 상태는 상기 분극된 증착물의 전계에 따라 달라진다.As shown in FIG. 8, the deposition rate of the deposited material is calculated from the measured polarization state of the third polarized light (S430). The polarization state of the third polarization depends on the electric field of the polarized deposit.

상기 전계의 방향은 상기 제1 편광의 진동 방향에 의해 영향을 받는다. 또한, 상기 전계의 세기는 상기 전계를 구성하는 유기분자들의 수에 따라 달라질 수 있다. 상기 유기 분자들의 수는 상기 증착물의 증착 속도에 대응될 수 있는 인자(factor)로, 상기 유기 분자들의 수가 크면, 상기 증착물의 증착 속도가 크다는 것을 의미한다.The direction of the electric field is influenced by the vibration direction of the first polarized light. In addition, the strength of the electric field may vary depending on the number of organic molecules constituting the electric field. The number of organic molecules is a factor that can correspond to the deposition rate of the deposited material. When the number of organic molecules is large, it means that the deposition rate of the deposited material is high.

따라서, 본 발명에 따른 증착 속도 측정 방법은 상기 기화되는 증착물에 광을 조사하고, 편광을 이용하여 증착물의 증착 속도를 산출한다. 상기 증착 속도 산출 방법은 기화되는 증착물을 샘플로 이용하므로, 증착 두께를 측정하기 위한 별도의 박막 샘플의 제작이 요구되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 증착 속도 산출 방법은 증착 과정 중에 실시간으로 증착속도를 산출할 수 있다. Accordingly, the method of measuring a deposition rate according to the present invention irradiates light to the vaporized deposition material and calculates the deposition rate of the deposition material using polarized light. Since the deposition rate calculation method uses the vaporized deposition material as a sample, it is not required to prepare a separate thin film sample for measuring the deposition thickness. In addition, the deposition rate calculation method according to the present invention can calculate the deposition rate in real time during the deposition process.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those of ordinary skill in the art will not depart from the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and changes can be made to the present invention within the scope of the invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the content described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.

100: 진공 챔버 200: 펌프 광원
300: 증착 속도 산출 유닛 310: 광 조사부
320: 광 수신부 PL1: 제1 편광
G-EM: 기화된 증착물 P-EM: 분극된 증착물100: vacuum chamber 200: pump light source
300: deposition rate calculation unit 310: light irradiation unit
320: light receiving unit PL1: first polarization
G-EM: vaporized deposit P-EM: polarized deposit

Claims (19)

증착물을 기화시키는 증착원;
상기 기화된 증착물이 기판에 증착되는 진공 챔버;
상기 기화된 증착물에 제1 편광을 조사하여, 상기 기화된 증착물이 소정의 방향으로 전계를 형성하도록, 상기 기화된 증착물을 분극시키는 펌프 광원; 및
상기 전계의 세기를 측정하여 상기 증착물의 증착속도를 산출하는 증착 속도 산출 유닛을 포함하는 증착 장치.An evaporation source for vaporizing the deposited material;
A vacuum chamber in which the vaporized deposit is deposited on a substrate;
A pump light source for polarizing the vaporized deposit so that the vaporized deposit forms an electric field in a predetermined direction by irradiating the vaporized deposit with first polarized light; And
A deposition apparatus comprising a deposition rate calculation unit that measures the strength of the electric field to calculate a deposition rate of the deposition material. 제1 항에 있어서,
상기 펌프 광원은 펄스 레이저인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 1,
The pump light source is a deposition apparatus, characterized in that the pulse laser. 제2 항에 있어서,
상기 증착 속도 산출 유닛은,
상기 분극된 증착물에 제2 편광을 조사하는 광 조사부;
상기 분극된 증착물로부터 제3 편광을 수신하고, 상기 수신된 제3 편광의 편광상태를 측정하는 광 수신부; 및
상기 제3 편광의 편광상태로부터 상기 전계의 세기를 측정하고, 상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 산출부를 포함하고,
상기 제3 편광은 진동 방향이 상기 분극된 증착물의 상기 전계의 상기 방향에 의해 변형된 제2 편광인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 2,
The deposition rate calculation unit,
A light irradiation unit for irradiating second polarized light onto the polarized deposit;
A light receiver configured to receive a third polarized light from the polarized deposit and measure a polarization state of the received third polarized light; And
And a calculator configured to measure the strength of the electric field from the polarization state of the third polarized light and calculate a deposition rate of the deposited material,
The third polarized light is a deposition apparatus, characterized in that the vibration direction is the second polarized light modified by the direction of the electric field of the polarized deposit. 제3 항에 있어서,
상기 광 조사부는,
소스 광을 출사하는 광원; 및
상기 소스 광을 상기 제2 편광으로 편광시키는 제1 편광자를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 3,
The light irradiation unit,
A light source emitting source light; And
And a first polarizer for polarizing the source light into the second polarized light. 제4 항에 있어서,
상기 광 조사부는,
상기 제2 편광의 편광상태를 측정하는 제1 측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 4,
The light irradiation unit,
The deposition apparatus further comprising a first measuring unit for measuring the polarization state of the second polarized light. 제5 항에 있어서,
상기 광 조사부는, 상기 제2 편광을 집광시키는 렌즈; 및
상기 렌즈로부터 수신된 상기 제2 편광의 세기를 증폭시키는 광 초퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 5,
The light irradiation unit may include a lens condensing the second polarized light; And
The deposition apparatus further comprising an optical chopper to amplify the intensity of the second polarized light received from the lens. 제4 항에 있어서,
상기 광 수신부는,
상기 제3 편광을 수신하고, 상기 제1 편광자와 다른 투과축을 갖는 제2 편광자; 및
상기 제2 편광자에 의해 편광된 제3 편광의 세기로부터 상기 제2 편광자에 수신되는 상기 제3 편광의 상기 편광 상태를 측정하는 제2 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 4,
The light receiving unit,
A second polarizer receiving the third polarized light and having a transmission axis different from that of the first polarizer; And
And a second measuring unit configured to measure the polarization state of the third polarized light received by the second polarizer from the intensity of the third polarized light polarized by the second polarizer. 제7 항에 있어서,
상기 광원은 레이저인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 7,
The deposition apparatus, characterized in that the light source is a laser. 제8 항에 있어서,
상기 제2 측정부는 광 검출기인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 8,
The deposition apparatus, characterized in that the second measuring unit is a photo detector. 제7 항에 있어서,
상기 광원은 램프인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 7,
The evaporation apparatus, characterized in that the light source is a lamp. 제10 항에 있어서,
상기 제2 측정부는 스펙트로미터인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 10,
The deposition apparatus, characterized in that the second measurement unit is a spectrometer. 제4 항에 있어서,
상기 제1 편광자는 글랜 테일러 편광자인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 4,
The deposition apparatus, characterized in that the first polarizer is a Glen Taylor polarizer. 제3 항에 있어서,
상기 광 수신부는,
상기 제3 편광을 수신하여 상기 제3 편광의 위상을 지연시키는 위상 지연기;
상기 위상이 지연된 제3 편광을 수신하여, 서로 다른 방향으로 진동하는 제1 서브 편광 및 제2 서브 편광을 출력하는 편광 프리즘; 및
상기 제1 서브 편광 및 상기 제2 서브 편광 중 적어도 어느 하나의 세기를 측정하여 상기 제3 편광의 편광 상태를 측정하는 제2 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 3,
The light receiving unit,
A phase retarder for receiving the third polarized light and delaying the phase of the third polarized light;
A polarization prism configured to receive the third polarized light whose phase is delayed and output a first sub-polarized light and a second sub-polarized light vibrating in different directions; And
And a second measuring unit configured to measure a polarization state of the third polarized light by measuring an intensity of at least one of the first sub-polarized light and the second sub-polarized light. 제13 항에 있어서,
상기 위상 지연기는 상기 제3 편광의 위상을 1/4 파장 동안 지연시키고,
상기 편광 프리즘은 월라스톤 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 13,
The phase retarder delays the phase of the third polarization for 1/4 wavelength,
The polarizing prism is a deposition apparatus, characterized in that including a wallastone prism. 제7 항에 있어서,
상기 제2 측정부는 평형 검출기인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 7,
The deposition apparatus, characterized in that the second measuring unit is a balance detector. 증착물을 기화시키는 단계;
상기 기화된 증착물에 제1 편광을 조사하는 단계;
분극된 증착물에 제2 편광을 조사하는 단계; 및
상기 분극된 증착물에 의해 상기 제2 편광의 편광상태가 변형된 제3 편광을 수신하여 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계를 포함하는 증착 속도 산출 방법.Vaporizing the deposit;
Irradiating the vaporized deposit with first polarized light;
Irradiating a second polarized light on the polarized deposit; And
And calculating a deposition rate of the deposited material by receiving the third polarized light in which the polarization state of the second polarized light is modified by the polarized deposition material. 제16 항에 있어서,
상기 분극된 증착물에 제2 편광을 조사하는 단계는,
소스 광을 출사하는 단계; 및
상기 소스 광을 수신하여 상기 제2 편광으로 편광시키는 단계를 포함하고,
상기 제2 편광으로 편광시키는 단계는 편광 프리즘을 이용하는 것을 특징으로 하는 증착 속도 산출 방법.The method of claim 16,
The step of irradiating the second polarized light to the polarized deposit,
Emitting a source light; And
Receiving the source light and polarizing it with the second polarized light,
The step of polarizing with the second polarized light comprises using a polarizing prism. 제17 항에 있어서,
상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계는,
상기 제3 편광을 수신하는 단계;
상기 수신된 제3 편광을 편광된 제3 편광으로 편광 상태를 변형시키는 단계;
상기 편광된 제3 편광의 세기를 측정하여 상기 제3 편광의 편광상태를 측정하는 단계; 및
상기 제3 편광의 편광상태로부터 상기 증착물의 증착속도를 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 속도 산출 방법.The method of claim 17,
The step of calculating the deposition rate of the deposited material,
Receiving the third polarized light;
Transforming a polarization state from the received third polarized light into a polarized third polarized light;
Measuring an intensity of the polarized third polarized light to measure a polarization state of the third polarized light; And
And calculating the deposition rate of the deposition material from the polarization state of the third polarization. 제17 항에 있어서,
상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계는,
상기 제3 편광을 수신하는 단계;
상기 수신된 제3 편광의 위상을 지연시켜 원편광을 생성하는 단계;
상기 원편광으로부터 상기 제3 편광의 편광상태를 측정하는 단계; 및
상기 제3 편광의 편광상태로부터 상기 증착물의 증착 속도를 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 속도 산출 방법.The method of claim 17,
The step of calculating the deposition rate of the deposited material,
Receiving the third polarized light;
Generating circularly polarized light by delaying the phase of the received third polarized light;
Measuring a polarization state of the third polarized light from the circularly polarized light; And
And calculating the deposition rate of the deposition material from the polarization state of the third polarization.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102001028B1 (en) * 2016-12-23 2019-07-17 엘티메탈 주식회사 Prediction method of deposition rate through the sputtering target's speed index
CN106978598B (en) * 2017-04-11 2019-03-05 京东方科技集团股份有限公司 Monitoring device and method and film vapor deposition device and method is deposited

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010129335A (en) 2008-11-27 2010-06-10 Seiko Epson Corp Physical vapor film-forming apparatus, and manufacturing method of organic el device
US20130301662A1 (en) 2011-08-04 2013-11-14 Martin A. Stuart Slab laser and amplifier

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85108747A (en) * 1985-12-02 1987-06-17 北京师范大学 Method with monitoring multilayer media membrane with ellipsograph
JP2556364B2 (en) * 1988-06-21 1996-11-20 アネルバ株式会社 Vacuum deposition equipment
JP3111097B2 (en) * 1991-11-14 2000-11-20 大阪瓦斯株式会社 Laser CVD thin film forming equipment
JPH10204637A (en) * 1997-01-17 1998-08-04 Omron Corp Method for discriminating front and rear of transparent plate, optical sensor and apparatus for inspecting front and rear of transparent plate
JP2000294372A (en) * 1999-04-09 2000-10-20 Pioneer Electronic Corp Formation of organic material film, manufacture of organic el element and device therefor
US20050223993A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Blomiley Eric R Deposition apparatuses; methods for assessing alignments of substrates within deposition apparatuses; and methods for assessing thicknesses of deposited layers within deposition apparatuses
WO2007029743A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-15 Japan Science And Technology Agency Method for formation of film of molecular substance and apparatus for said method
CN102569517A (en) * 2012-01-10 2012-07-11 北京航空航天大学 Nano silicon film solar battery elliptic polarized light real-time monitoring preparation method
JP5840055B2 (en) * 2012-03-29 2016-01-06 日立造船株式会社 Vapor deposition equipment
KR101456252B1 (en) * 2013-04-04 2014-11-04 주식회사 선익시스템 A Thin Film Deposition Apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010129335A (en) 2008-11-27 2010-06-10 Seiko Epson Corp Physical vapor film-forming apparatus, and manufacturing method of organic el device
US20130301662A1 (en) 2011-08-04 2013-11-14 Martin A. Stuart Slab laser and amplifier

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