KR20130095276A - 수명이 연장된 증착 링 - Google Patents
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Abstract
반도체 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트가 제공된다. 일 실시예에서, 프로세스 키트는 환형 증착 링 본체를 포함하고, 상기 환형 증착 링 본체는 본체의 상부 표면 내로 리세스된 홈통을 포함하고, 상기 홈통의 가장 낮은 지점은 상단부 벽과 하단부 벽에 의해서 형성된 바와 같은 상기 링 본체의 두께의 적어도 절반까지 연장된다. 다른 실시예에서, 프로세스 키트가 환형 증착 링 본체를 포함하고, 상기 환형 증착 링 본체는 상기 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 형성하는 경사진 상부 벽을 포함하고, 상기 경사진 상부 표면의 피크가 상기 본체의 내측 벽으로부터 본체의 내측 벽과 외측 벽 사이의 거리의 적어도 절반까지 연장한다.
Description
본원 발명의 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세싱 챔버용 프로세스 키트에 관한 것이고, 그리고 보다 특히, 증착 링에 관한 것이다.
증착(deposit; 이하, 편의상 '증착'이라 함) 프로세스들에서, 타겟, 가스 유입구 매니폴드와 같은 공급원 또는 기타 적합한 공급원으로부터의 종들(species)은 챔버 벽들, 기판 받침대 조립체들, 정전기 척들(chucks) 및 기타 하드웨어를 포함하는 노출된 내부 챔버 표면들 상에 증착될 수 있을 것이다. 척이 시스템 내의 증착 종들에 노출되는 것으로부터 보호하기 위해서 반도체 프로세싱 시스템 내에서 정전기 척을 둘러싸는 차폐(shield) 조립체들과 같은 프로세스 키트들이 개발되었다. 하나의 차폐 조립체는 분리가능한 커버 링 및 증착 링을 포함한다.
증착 링은 정전기 척의 외측 엣지로부터 연장하는 원주방향 플랜지 상에 놓인다. 기판이 상부에서 보유(retain)되는 척의 지지 표면은 기판의 지름 보다 약간 더 작은 지름을 가진다. 결과적으로, 척에 의해서 보유되는 기판은 증착 링의 상단부 표면의 내측 부분 위에 걸쳐진다(overhang). 커버 링은 증착 링의 외측 부분을 둘러싸고 그리고 그 외측 부분 상에 놓여진다(rest on). 커버 링은 외측 부분 위에 걸쳐지나 증착 링의 상단부 표면과 접촉하지 않는 립(lip)을 가지며, 그에 따라 커버 링과 증착 링 사이에 미로형(labyrinth) 갭을 형성한다. 링들을 분리하는 미로형 갭은 증착 종들이 정전기 척과의 공간 사이로 통과하는 것과 정전기 척과 접촉하는 것을 방지한다.
전술한 구성을 가지는 차폐 조립체들이 확실한(robust) 성능을 나타내지만, 챔버 내의 미립자 발생 가능성을 감소시키고 및/또는 세정을 위한 링들의 교체 간격 사이에 보다 긴 생산 운전(run)을 촉진하는 것에 대한 개선들이 요구되고 있다. 예를 들어, 링들 상에 축적된 증착물은 프로세스 성능에 부정적인 영향을 미치는 링들 사이의 바람직하지 못한 전기적 브릿징(bridging)을 초래할 수 있고, 그에 따라 세정을 위한 주기적인 링 교체를 필요로 한다.
그에 따라, 개선된 프로세스 키트가 요구되고 있다.
일 실시예에서, 환형 증착 링 본체를 포함하는 프로세스 키트가 제공되고, 상기 환형 증착 링 본체는 내측 벽, 외측 벽, 상기 링 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 형성하는 경사진 상부(upper) 벽, 상단부(top) 벽, 하단부(bottom) 벽; 및 상기 상단부 벽과 상기 내측 벽 사이에서 상기 본체의 상부 표면 내로 리세스된 홈통을 포함하고, 상기 홈통의 가장 낮은 지점이 상기 상단부 벽과 상기 하단부 벽 사이의 거리의 적어도 절반까지 연장한다.
다른 실시예에서, 환형 증착 링 본체를 포함하는 프로세스 키트가 제공되고, 상기 환형 증착 링 본체는 내측 벽, 외측 벽, 상기 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 형성하는 경사진 상부 벽, 상단부 벽, 하단부 벽, 및 상단부 벽과 상기 내측 벽 사이에서 상기 본체의 상부 표면 내로 리세스된 홈통을 포함하고, 상기 경사진 상부 표면의 피크가 상기 내측 벽으로부터 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이의 거리의 적어도 절반까지 연장한다.
다른 실시예에서, 환형 증착 링 본체 및 커버 링을 포함하는 프로세스 키트가 제공되고, 상기 환형 증착 링 본체는 내측 벽, 외측 벽, 상기 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 형성하는 경사진 상부 벽, 상단부 벽, 하단부 벽, 상기 상단부 벽과 상기 내측 벽 사이에서 상기 본체의 상부 표면 내로 리세스된 홈통, 상기 외측 벽의 방사상 내측에 그리고 상기 하단부 벽에 평행하게 위치된 랜드를 포함하고, 상기 커버 링은 상기 링 본체의 랜드와 합치(mate)되도록 위치된 렛지(ledge)를 구비하고, 상기 커버 링은 상기 커버 링의 렛지가 상기 링 본체의 랜드와 합치될 때 상기 링 본체의 상단부 벽과 함께 미로형 갭을 형성하도록 위치되는 립을 포함한다.
본원 발명의 앞서 인용한 특징들이 구체적으로 이해될 수 있는 방식으로, 첨부된 도면들에 일부가 도시된 실시예들을 참조하여, 앞서서 간략하게 요약한 본원 발명의 보다 특별한 설명이 이루어진다. 그러나, 본원 발명이 다른 동일한 효과의 실시예들에 대해서도 인정되기 때문에, 첨부 도면들이 본원 발명의 전형적인 실시예들만을 도시한 것이고 그에 따라 본원 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것을 주지하여야 할 것이다.
도 1은 증착 링의 일 실시예가 상부에 배치된 기판 지지부의 부분 단면도이다.
도 2는 도 1의 증착 링의 상단부 사시도이다.
도 3은 도 2의 단면 선 3-3을 따라서 취한 증착 링의 단면도이다.
도 4는 도 3의 증착 링의 일부의 확대 단면도이다.
도 5는 도 3의 증착 링의 다른 부분의 확대 단면도이다.
도 1은 증착 링의 일 실시예가 상부에 배치된 기판 지지부의 부분 단면도이다.
도 2는 도 1의 증착 링의 상단부 사시도이다.
도 3은 도 2의 단면 선 3-3을 따라서 취한 증착 링의 단면도이다.
도 4는 도 3의 증착 링의 일부의 확대 단면도이다.
도 5는 도 3의 증착 링의 다른 부분의 확대 단면도이다.
본원 발명의 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트를 제공한다. 프로세스 키트는 보다 긴 표면 수명 및/또는 프로세스 균일성을 촉진하는 적어도 하나의 피쳐(feature)를 가지는 증착 링을 포함한다. 본원 발명의 실시예들은 화학기상증착 챔버들 및 물리 증착 챔버들 등을 포함하는 몇 가지 반도체 프로세싱 챔버들에서 유용성을 발견하였다.
도 1은 프로세스 키트(100)와 인터페이싱되는(interfaced) 기판 지지부(101)의 부분적인 단면도이다. 프로세스 키트(100)는 하나 또는 둘 이상의 증착 링(102), 커버 링(103), 및 차폐부(104)를 포함할 수 있을 것이다. 기판 지지부(101)가 프로세싱 챔버(미도시) 내에 위치된다. 차폐부(104)는 기판 지지부 주위에 위치될 수 있고 그리고 프로세싱 챔버에 커플링될 수 있을 것이다. 커버 링(103)은 일반적으로 환형 본체(105)를 가진다. 본체(105)는 스테인리스 스틸, 알루미늄 산화물, 티타늄 또는 기타 적합한 재료와 같은 금속으로부터 제조될 수 있을 것이다. 본체(105)는 일반적으로 방사상 내측으로 연장하는 립(106)을 포함하고 그리고 상기 증착 링(102)과 상기 커버 링(103) 사이에 형성된 미로형 갭(132)의 상부 경계를 제공한다.
커버 링(103)의 본체(105)는 또한 내측 링(107) 및 외측 링(108)을 포함한다. 링들(107, 108)은 슬롯(112)을 형성하는 공간적으로 이격된 관계로 상기 본체(105)로부터 하향 연장된다. 슬롯(112)은 아래쪽으로 대면하는 개방 단부를 가지고 그에 따라 차폐부(104)의 단부와 결합될 수 있게 허용한다.
테이퍼링된(tapered) 섹션(110)이 내측 링(107)의 내측 벽(109)의 상부 섹션 상에 형성된다. 테이퍼링된 섹션(110)은 내측 벽(109)으로부터 점진적으로 내측으로 연장되고 그리고 본체(105)의 하부 표면 상에 형성된 렛지(111)에서 종료된다. 테이퍼링된 섹션(110)은 증착 링(102) 및 커버 링(103)이 서로 접촉하게 됨에 따라 커버 링(103) 및 증착 링(102)이 자가-정렬(self-align)될 수 있게 허용한다.
렛지(111)는 일반적으로 커버 링(103)의 중심 축에 대해서 수직이고 그리고 수평이다. 렛지(111)는 증착 링(102)에 의해서 지지되는 커버 링(103)의 베어링(bearing) 표면을 제공한다. 렛지(111)는 일반적으로 매끄럽고 그리고 평면형이며 그에 따라 렛지(111)와 증착 링(102) 사이의 반복가능하고 일관된(consistent) 합치를 허용한다. 이는, 미로형 갭(132)의 공차로 인해서, 중요하다. 렛지(111)는, 필요한 경우에, 미립자 발생을 최소화하면서, 증착 링(102)을 따라서 슬라이딩하도록 추가적으로 구성된다.
렛지(111)의 내측 엣지는 벽(113) 내에서 종료된다. 벽(113)은 실질적으로 수직이고 그리고 렛지(111)와 립(106) 사이에서 연장한다. 벽(113)은 내측 링(107)의 방사상 내측에 있고, 그리고 립(106)의 방사상 외측에 있다. 벽(113)은 미로형 갭(132)의 경계의 일부를 형성한다.
증착 링(102)은 일반적으로 환형 본체(114)를 포함한다. 본체(114)는 석영, 알루미늄 산화물 또는 기타 적합한 재료와 같은 세라믹 재료로 제조될 수 있을 것이다. 본체(114)는 일반적으로 내측 벽(115), 외측 벽(116), 및 상단부 벽(118)을 포함한다. 내측 벽(115) 및 외측 벽(116)은 본체(114)의 최내측 및 최외측 지름들을 각각 형성한다. 상단부 벽(118) 및 하단부 벽(117)은 각각 본체(114)의 최하부 표면(134) 및 최상부 표면(133)의 일부를 각각 형성한다.
하단부 벽(117)은 기판 지지부(101)의 플랜지(119)에서 증착 링(102)을 지지하도록 구성된다. 기판 지지부(101)의 플랜지(119)와 그리고 기판 지지부(101) 상에 위치된 기판(131)과 평행 관계(parallelism)를 유지하기 위해서, 하단부 벽(117)이 증착 링(102)의 중앙 축에 일반적으로 수직이다. 하단부 벽(117)은 하단부 벽(117)과 플랜지(119) 사이의 반복가능하고 일관된 합치를 돕기 위해서 평면형이고 그리고 매끄럽다. 이러한 것은, 증착 링(102)의 내측 엣지(125)와 기판(131) 사이의 갭의 공차로 인해서 중요하다. 내측 엣지(125)가 접촉이 없이 가능한 한 가장 작은 물리적 갭을 두고 기판(131)의 아래쪽에 안착(sit)되는 것이 매우 중요하다. 갭이 너무 넓다면, 기판 지지부(101) 상에 증착이 이루어질 수 있을 것이고, 그리고 만약 갭이 너무 작다면, 또는 증착 링(102)이 기판(131)과 접촉한다면, 발생가능한 후방측부(backside) 플라즈마/아킹(arcing)이 그 성분들(components) 사이의 전위(power potential) 차이들로 인해서 발생될 수 있을 것이다. 하단부 벽(117)은, 필요한 경우에, 기판 지지부(101)에 대한 증착 링(102)의 열팽창 및/또는 열수축으로 인해서, 플랜지(119)를 따라서 슬라이딩되도록 추가적으로 구성된다.
본체(114)의 최하부 표면(134)은 또한 하단부 벽(117)과 내측 벽(115) 사이에 형성된 리세스형(recessed) 부분(120)을 또한 포함한다. 리세스형 부분(120)은 기판 지지부(101)의 플랜지(119)와 증착 링(102) 사이의 접촉 면적을 최소화한다. 증착 링(102)과 기판 지지부(101) 사이의 감소된 접촉 영역은, 증착 링(102)이 기판 지지부(101)의 플랜지(119) 상에서 이동할 때 미립자 생성을 최소화하면서 마찰을 감소시킨다.
상부 내측 링(121)이 또한 내측 벽(115)으로부터 리세스된다. 상부 내측 벽(121)은 본체(114)와 기판 지지부(101)의 벽(122) 사이의 접촉 영역을 최소화한다.
본체(114)의 최상부 표면(133)은 또한 내측 엣지(125) 및 상단부 벽(118)의 방사상 내측으로 형성된 홈통(123)을 포함한다. 홈통(123)은 외측 및 상향으로 경사진 상부 외측 벽(124) 그리고 내측 및 상향으로 경사진 상부 내측 벽(126)을 포함한다. 본체(114)의 최상부 표면(133)의 내측 및 상향으로 경사진 상부 내측 벽(126)이 내측 엣지(125)를 향해서 상향 경사짐에 따라, 본체(114)의 두께는 홈통(123)의 중심의 방사상 내측으로 증가된다. 내측 엣지(125)는 하단부 벽(117)에 대해서 홈통(123) 보다 더 높은 높이에 위치되고, 그리고 하단부 벽(118)에 대해서 보다 더 낮은 위치에 위치된다. 홈통(123)은 기판(131) 및 커버 링(103) 모두로부터 이격된 수집 영역을 제공하며, 그에 따라 증착 링(102) 상에 증착된 재료들이 기판(131)과 접촉하지 않게 되거나 링들(102, 103)의 운동을 방해하지 않게 된다. 추가적으로, 내측 엣지(125)와 홈통(123) 사이에 형성된 본체(114)의 내측 및 상향으로 경사진 상부 내측 벽(126)은, 입자들 및 증착 재료들이 내측 엣지(125)와 기판(131) 사이에 형성된 갭 내로 이동하는 것을 방지하는 배향을 제공한다.
본체(114)의 외측 벽(116)은, 증착 링(102) 및 커버 링(103)이 넓은 범위의 프로세싱 온도들을 통해서 결합되어 유지되도록 선택된 지름을 가진다. 도 1에 도시된 실시예에서, 외측 벽(116)은 커버 링(103)의 벽(113)의 내측 지름 보다 더 큰, 그리고 커버 링(103)의 테이퍼링된 섹션(110)의 내측 지름 보다 더 작은 지름을 가진다.
랜드(127)가 외측 벽(116)과 상단부 벽(118) 사이에 형성되어 커버 링(103)을 지지한다. 랜드(127)는 일반적으로 증착 링(102)의 중앙 축에 대해서 수직이고 수평이다. 랜드(127)는 커버 링(103)의 렛지(111)를 지지하도록 구성된다. 링들(102, 103)이 자가-정렬될 때 렛지(111)가 랜드(127)를 따라서 슬라이딩할 수 있게 허용하기 위해서, 랜드(127)가 일반적으로 매끄럽고 평면형이다. 정렬시에 링들(102, 103)을 보조하기 위해서 커버 링(103)의 테이퍼링된 섹션(110)과 유사한 각도로 형성된 외측 벽(116)과 랜드(127) 사이에 형성된 테이퍼링된 섹션(128)을 랜드(127)가 가질 수 있을 것이다.
본체(114)는 랜드(127)와 상단부 벽(118)을 연결하는 상부 외측 벽(129)을 포함한다. 상단부 벽(118) 및 상부 외측 벽(129)은, 증착 링(102)과 커버 링(103)의 립(106)이 이격된 관계로 교차 배치(interleave)되어 그 사이에 미로형 갭(132)을 형성하도록 선택된 치수들을 가진다. 도 1에 도시된 실시예에서, 상부 외측 벽(129)은 커버 링(103)의 립(106)의 내측 지름 보다 더 큰, 그리고 커버 링(103)의 벽(113)의 지름 보다 더 작은 지름을 가진다. 기판 증착 프로세스들 동안에 링들(102, 103)이 약 1000 마이크로미터 까지의 재료로 코팅된 후에도, 링들(102, 103) 사이의 이격된 관계를 유지하도록, 증착 링(102)의 상부 외측 벽(129) 및 커버 링(103)의 벽(113) 사이의 간격이 선택된다.
외측 벽(116)과 상부 외측 벽(129) 사이에서 랜드(127) 내로 노치(130)가 형성된다. 노치(130)는, 커버 링(103)의 렛지(111)가 랜드(127)를 가로질러 이동함에 따라 커버 링(103)에 의해서 벽(129)을 향해서 밀려나는, 랜드(127) 상에 배치된, 재료를 수용하기 위한 영역을 제공한다. 커버 링(103)이 증착 링(102)에 대해서 이동됨에 따라 랜드(127) 상에 배치된 재료가 노치(130) 내로 변위될 수 있기 때문에, 랜드(127) 상에 배치된 재료가 랜드(127)와 렛지(111) 사이에서 보다 덜 강제될(forced) 것이고, 그에 따라 많은 기판들을 프로세싱하는 과정에 걸친 링들(102, 103)의 평행한 관계의 유지를 돕는다. 또한, 커버 링(103)이 증착 링(102)에 대해서 이동할 때 재료가 수용될 수 있는 영역을 가짐으로써, 랜드(127) 상에 배치된 재료가 링들(102, 103)의 상대적인 이동을 덜 방해 및/또는 덜 제한할 수 있다. 또한, 노치(130)의 배치로 인해서, 링들(102, 103) 사이의 증착물 축적 및 브릿징이 통상적인 디자인들 보다 적기 쉽다. 따라서, 노치(130)의 배향 및 위치가 증착 링(102)의 서비스 수명을 연장시킨다.
도 2는 적어도 하나의 탭(201)을 도시한 증착 링(102)의 상단에서 본 사시도이다. 예를 들어, 도 2에 도시된 3개의 탭들과 같은 적어도 하나의 탭(201)이 내측 엣지(125)와 증착 링(102)의 리세스형 부분(120) 사이에서 내측 벽(115) 및 상부 내측 벽(121)으로부터 연장한다. 탭들(201)은 기판 지지부(101)의 벽(122)과 증착 링(102) 사이의 접촉량을 감소시키는 한편, 증착 링(102)을 기판 지지부(101) 상에서 일반적으로 센터링되게 유지한다. 탭들(201)은 기판(131)의 하나 또는 둘 이상의 노치들(미도시)과 정렬되도록 추가적으로 구성된다. 탭들(201)은 기판 지지부(101)에 대한 추가적인 증착 보호를 제공하는데, 이는 증착 재료가 기판(131)의 노치들을 통해서 유입될 수 있기 때문이다.
도 3은 도 2의 단면선 3-3을 따라서 취한 증착 링(102)의 단면도이다. 도 4 및 5는 도 3에 도시된 증착 링(102)의 부분들의 확대한 도면들이다. 이제 도 4를 참조하면, 증착 링(102)의 두께(403)가 상단부 벽(118) 및 하단부 벽(117) 사이에 형성될 수 있을 것이다. 증착 링의 절반 두께가 중심선(402)에 의해서 표시되어 있다. 홈통(123)이 상단부 벽(118)으로부터, 홈통(123)의 가장 낮은 지점에서, 절반 두께까지 또는 그 아래까지 연장될 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 홈통(123)의 가장 낮은 지점이 중심선(402)을 지나서 깊이(401)까지 연장될 수 있을 것이다. 홈통(123)이 본체(114) 내로 깊이 연장하는 것이 증착 링(102)의 수명을 연장시킬 수 있을 것인데, 이는 기판(131)과 축적된 증착 재료 사이의 접촉이 발생될 때까지 보다 많은 여분의 증착 재료가 홈통(123) 내에 보유될 수 있기 때문이다.
이제 도 5를 참조하면, 증착 링(102)의 폭(504)이 내측 벽(115)과 외측 벽(116) 사이에 형성될 수 있을 것이다. 증착 링의 절반 폭이 도 5에서 중심선(503)에 의해서 표시된다. 외측 및 상향으로 경사진 상부 외측 벽(124)의 피크 거리(502)가 내측 벽(115)으로부터 증착 링(102)의 절반 두께까지 또는 절반 두께를 지나서 연장될 수 있을 것이다. 예를 들어, 외측 및 상향으로 경사진 상부 외측 벽(124)은 도 5에 도시된 바와 같이 중심선(402)을 지나서 연장한다. 외측 및 상향으로 경사진 상부 외측 벽(124)의 피크는 외측 및 상향으로 경사진 상부 외측 벽(124)의 경사가 상향 경사로부터 수평 또는 하향 경사로 전이되는 곳에서 형성될 수 있을 것이다. 외측 및 상향으로 경사진 상부 외측 벽(124)이 증착 링(102)의 최상부 표면(133)의 높은 백분율을 가지게 하는 것은, 증착 링(102)의 수명을 연장시킬 수 있는데, 이는 기판 또는 커버 링(103)이 증착 링(102) 상에 축적된 증착 재료와 접촉할 때까지 보다 많은 여분의 증착 재료가 유지될 수 있기 때문이다.
챔버 내의 증착 링(102)의 배향의 측정을 제공하기 위해서, 하나 또는 둘 이상의 슬롯들(501)이 도 5에 도시된 바와 같이 제공될 수 있을 것이다. 슬롯(501)이 기판 지지부(101) 및/또는 차폐부(104) 중 적어도 하나로부터 연장하는 피쳐(미도시)와 결합될 수 있을 것이다. 링(102)과 탭들(201)을 공지된 배향으로 유지하는 것을 슬롯(501)이 돕기 때문에, 기판(131)이 유리한(complimentary) 배향으로 제공될 수 있을 것이다.
그에 따라, 링과 기판 사이의 단락(shorting) 및/또는 재료 브릿징으로 인한 프로세싱 결함들이 감소된 기판 증착 프로세스들을 촉진하는 증착 링이 제공되었다.
전술한 내용들이 본원 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본원 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본원 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고도 안출될 수 있을 것이다.
Claims (15)
- 프로세스 키트로서:
환형 증착 링 본체를 포함하고,
상기 환형 증착 링 본체는:
내측 벽;
외측 벽;
상기 링 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 규정하고 그리고 상기 외측 벽을 향해서 상향으로 경사지는 경사진 상부 벽;
상기 경사진 상부 벽과 상기 외측 벽 사이에 위치된 상단부 벽;
상기 상단부 벽으로부터 거리를 두고 분리된 하단부 벽; 및
상기 경사진 상부 벽과 상기 내측 벽 사이에서 상기 링 본체의 상부 표면 내로 리세스된 홈통(trough)으로서, 상기 홈통의 가장 낮은 지점이 상기 상단부 벽과 상기 하단부 벽 사이의 거리의 적어도 절반까지 연장하는, 홈통을 포함하는, 프로세스 키트. - 제 1 항에 있어서,
상기 링 본체는:
상기 본체 내로 그리고 상기 외측 벽과 상기 상단부 벽 사이에서 상기 하단부 벽을 향해서 연장하는 적어도 하나의 노치;
상기 링 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 규정하는 내측 엣지로서, 상기 내측 엣지가 상기 내측 벽의 방사상 외측에 그리고 상기 내측 벽에 대해서 수직으로 위치되는, 내측 엣지; 및
상기 외측 벽의 방사상 내측에 위치된 랜드(land)로서, 상기 랜드가 상기 하단부 벽에 대해서 평행한, 랜드를 더 포함하는, 프로세스 키트. - 제 1 항에 있어서,
상기 내측 및 외측 벽들이 평행하고, 그리고 상기 상단부 및 하단부 벽들이 상기 내측 및 외측 벽들에 대해서 수직인, 프로세스 키트. - 제 1 항에 있어서,
상기 링 본체가 상기 내측 벽의 방사상 외측에 위치되고 그리고 상기 내측 벽과 평행한 상부 내측 벽을 더 포함하는, 프로세스 키트. - 제 1 항에 있어서,
상기 링 본체가 상기 하단부 벽에 대해서 리세스되고 그리고 상기 하단부 벽에 대해서 평행한 리세스된 부분을 더 포함하는, 프로세스 키트. - 제 1 항에 있어서,
상기 링 본체의 외측 벽이 상기 링 본체의 상부 표면에 인접한 테이퍼링된(tapered) 섹션을 포함하는, 프로세스 키트. - 제 1 항에 있어서,
상기 링 본체가 상기 링 본체의 상부 표면을 향해서 상기 하단부 벽 내로 연장하는 슬롯을 더 포함하는, 프로세스 키트. - 프로세스 키트로서:
환형 증착 링 본체를 포함하고,
상기 환형 증착 링 본체는:
내측 벽;
상기 내측 벽과 거리를 두고 분리된 외측 벽;
상기 링 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 규정하고 그리고 상기 외측 벽을 향해서 상향으로 경사지는 경사진 상부 벽으로서, 상기 경사진 상부 벽의 피크(peak)가 상기 내측 벽으로부터 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이의 거리의 적어도 절반까지 연장하는, 경사진 상부 벽;
상기 경사진 상부 벽과 상기 외측 벽 사이에 위치된 상단부 벽;
하단부 벽;
상기 경사진 상부 벽과 상기 내측 벽 사이에서 상기 링 본체의 상부 표면 내로 리세스된 홈통을 포함하는, 프로세스 키트. - 제 8 항에 있어서,
상기 링 본체는:
상기 본체 내로 그리고 상기 외측 벽과 상기 상단부 벽 사이에서 상기 하단부 벽을 향해서 연장하는 적어도 하나의 노치;
상기 링 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 규정하는 내측 엣지로서, 상기 내측 엣지가 상기 내측 벽의 방사상 외측에 그리고 상기 내측 벽에 대해서 수직으로 위치되는, 내측 엣지; 및
상기 외측 벽의 방사상 내측에 위치된 랜드로서, 상기 랜드가 상기 하단부 벽에 대해서 평행한, 랜드를 더 포함하는, 프로세스 키트. - 제 8 항에 있어서,
상기 내측 및 외측 벽들이 평행하고, 그리고 상기 상단부 및 하단부 벽들이 상기 내측 및 외측 벽들에 대해서 수직인, 프로세스 키트. - 제 8 항에 있어서,
상기 링 본체가 상기 내측 벽의 방사상 외측에 위치되고 그리고 상기 내측 벽과 평행한 상부 내측 벽을 더 포함하는, 프로세스 키트. - 제 8 항에 있어서,
상기 링 본체가 상기 하단부 벽에 대해서 리세스되고 그리고 상기 하단부 벽에 대해서 평행한 리세스된 부분을 더 포함하는, 프로세스 키트. - 제 8 항에 있어서,
상기 링 본체의 외측 벽이 상기 링 본체의 상부 표면에 인접한 테이퍼링된 섹션을 포함하는, 프로세스 키트. - 제 8 항에 있어서,
상기 링 본체가 상기 링 본체의 상부 표면을 향해서 상기 하단부 벽 내로 연장하는 슬롯을 더 포함하는, 프로세스 키트. - 프로세스 키트로서:
환형 증착 링 본체 및 커버 링을 포함하고,
상기 환형 증착 링 본체는:
내측 벽;
상기 내측 벽과 제 1 거리를 두고 분리된 외측 벽;
상기 링 본체의 상부 표면의 적어도 일부를 규정하고 그리고 상기 외측 벽을 향해서 상향으로 경사지는 경사진 상부 벽으로서, 상기 경사진 상부 벽의 피크가 상기 내측 벽으로부터 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이의 상기 제 1 거리의 적어도 절반까지 연장하는, 경사진 상부 벽;
상기 경사진 상부 벽과 상기 외측 벽 사이에 위치된 상단부 벽;
상기 상단부 벽으로부터 제 2 거리를 두고 분리된 하단부 벽;
상기 경사진 상부 벽과 상기 내측 벽 사이에서 상기 링 본체의 상부 표면 내로 리세스된 홈통으로서, 상기 홈통의 가장 낮은 지점이 상기 상단부 벽과 상기 하단부 벽 사이의 상기 제 2 거리의 적어도 절반까지 연장하는, 홈통; 및
상기 외측 벽의 방사상 내측에 그리고 상기 하단부 벽에 평행하게 위치된 랜드를 포함하고;
상기 커버 링은 상기 링 본체의 랜드와 합치(mate)되도록 위치된 렛지(ledge)를 갖고, 상기 커버 링은 상기 커버 링의 렛지가 상기 링 본체의 랜드와 합치될 때 상기 링 본체의 상단부 벽과 함께 미로형 갭(labyrinth gap)을 형성하도록 위치되는 립을 포함하는, 프로세스 키트.
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