KR20130092393A - 정제된 불소를 이용한 전자장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

정제된 불소를 사용하는 전자장치의 제조 방법에 관한 것이다. 원소형 불소는 전자장치, 즉 반도체 장치, 마이크로-전자기계 장치, 박막 트랜지스터, 평판 디스플레이 및 태양광 패널의 제조를 위한 식각제, 및 주로 PECVD 장치용 챔버 세정제로서 사용된다. 이 목적을 위해, 불소는 종종 현장에서 생산된다. 본 발명은, 불소를 현장에서 생산하고, 저온처리를 통해 HF로부터 정제시키는 조작에 의한, 전자장치의 제조 방법을 제공한다. 1.5 내지 20 Bara의 압력이 특히 유리하다.

Description

정제된 불소를 이용한 전자장치의 제조 방법{METHOD FOR THE MANUFACTURE OF ELECTRONIC DEVICES WITH PURIFIED FLUORINE}
본원은 2010년 4월 8일에 출원된 유럽특허출원 제10159285.5호의 우선권을 주장하며, 상기 출원의 전체 내용을 본원에 사실상 참조로 통합한다.
본 발명은 정제된 원소형 불소를 이용한 전자장치의 제조 방법에 관한 것이다.
흔히 원소형 불소(F2)는 전해질염의 존재 하에, 대체로 KF·(1.8 내지 2.3)HF의 화학식을 가진 KF의 융용 HF 부가물의 존재 하에, 2.9V (실제로는, 8 내지 10 또는 11V) 이상의 전압에서 반응식(1)에 따라 불화수소(HF)를 전기분해하여 제조된다:
2HF → H2 + F2 (1)
F2는 특히 반도체, 태양전지, 마이크로-전자기계 시스템("MEMS"), TFT(평판 디스플레이 또는 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터) 등과 같은 전자장치의 제조를 위한 식각제로서, 그리고 전자장치의 제조에 사용되는 처리용 챔버를 위한 세정제로서 유용하다. 반도체, 태양전지, MEMS 및 TFT의 제조를 위해, 층들을 증착시키고 이들의 일부를 식각하는 여러 일련의 단계가 처리용 챔버에서 수행되는데; 매우 상이한 구성으로 이루어진 층들의 식각용으로, 예를 들면, 규소-함유 층들의 식각용으로 불소를 사용할 수 있다. 일반적으로, 처리용 챔버 - 종종 CVD 챔버(예컨대 플라즈마 강화 CVD, 금속 유기 CVD 또는 저압 CVD와 같은 화학적 기상 증착법을 통해 층들이 대상체에 증착되는 챔버)-에서 수행되는 증착 공정 동안, 챔버의 벽과 내부 구성 부품에 원치않는 증착물이 형성되므로 이들을 정기적으로 제거해야 한다. 이는 챔버 세정제로서의 원소형 불소를 이용하여 열 또는 플라즈마-강화 방식으로 상기 증착물을 처리함으로써 달성된다.
불소는 매우 반응성이 높은 분자이므로, 각 수요가 높은 플랜트(plant)의 경우에는 원소형 불소를 현장에서 생산하는 것이 바람직하다. 이는 하나 이상의 불소 생성기가 관련 장비들이 있는 장소에, 바람직하게는 전자장치 제조를 위한 장비들(CVD 챔버, 식각 챔버)에 인접하여 위치한다는 것을 의미한다. 불소 발생기(들)가 이러한 장비들 중 하나 이상과 유체 접촉을 이루게 하여, 불소를 저장 탱크 또는 압력용기(pressure bottle)에 넣은 후 사용 지점 또는 장소에 이송시킬 필요가 없게 되는 것이 특히 바람직하다.
원소형 불소를 특히는 식각제로서, 또한 챔버 세정제로서 사용하기 위해서는 원소형 불소가 매우 순수한 것이 바람직하다. 비말동반된(entrained) 고체와 불화수소(HF)는 특히 바람직하지 않은 불순물로 간주된다.
국제출원공개 제2006/043125호는 반도체 플랜트의 가스 공급 시스템에 배치되는 불소 가스 생성기에 대해 개시하고 있다. 전해조 내의 압력을 대기압 내지 최대 820 torr, 바람직하게는 대기압 내지 최대 770 torr로 설정하였고, 버퍼조 내의 압력을 가령 대기압보다 높은 0.18 MPa(즉, 약 2.8 Bara)로 설정하였다.
미국특허 제5,589,148호는 순수하지 않은 불소를 알칼리토 금속 수산화물 및 산화철과 접촉시킴으로써 불소를 정제하는 방법에 대해 개시하고 있다.
미국특허 제2,960,835호 및 국제출원공개 제02/50334호(미국특허출원공개 제2002/0074013호에 해당됨)는 HF를 F2로부터 저온처리법으로 제거하는 것에 대해 개시하고 있다.
본 발명의 목적은 순수 시제를 사용하는 것이 바람직한 전자장치 제조 공정에 정제된 불소를 작용제(agent)로서 송출하기 위한 향상된 방법을 제공하는 것이다. 본 발명은 특히 반도체, 태양전지, MEMS 또는 TFT와 같은 전자장치의 제조 방법에 관한 것으로, 원소형 불소를 식각제로서 사용하여 챔버 내에서 대상체를 식각하는 단계 및 원소형 불소를 챔버 세정제로서 사용하여 챔버를 세정하는 단계로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 단계; 및 전기분해를 통해 원소형 불소를 제조하는 적어도 하나의 단계를 포함하며, 이때 원소형 불소를 제조한 후와 원소형 불소를 식각제 또는 챔버 세정제로서 적용하기 전에 불소를 대기압보다 높은 압력에서 저온처리하여, 비말동반된 불화수소의 적어도 일부를 제거한다.
"저온처리"란 용어는 정제 대상 불소를 냉각장치, 예컨대 냉각된 트랩 또는 냉각된 열교환기의 냉각된 표면(-50℃까지 냉각시킨 표면)과 접촉시키는 것을 가리킨다. 바람직하게는 -60℃의 온도까지 표면을 냉각시킨다. 불소의 비점이 대기압에서 약 -188℃이므로, 상기 온도는 -185℃ 이상인 것이 바람직하다. 이 온도 범위에서의 냉각용 액체가 일반적으로 R.E. Rondeau, J. Chem, Eng. Data, II, 124(1966)로부터 공지되어 있다. 미국특허출원공개 제2009-0026410호는 -115℃ 정도로 낮은 온도에서 작동하는 열교환기에 적합한 에테르 및 알킬벤젠을 포함하는 열전달 유체를 제공한다. 표준 압력(100 kPa) 하에서 HF의 융점은 -83.6℃이다. 따라서, 본 발명에 따른 방법의 조건 하에서, 압력에 따라, 온도가 각각 낮다면 트랩 안의 HF가 고형화되며; 압력이 높을수록, HF가 고형화되는 온도는 낮아진다.
저온처리 동안 불소의 압력은 1.5 bar의 절대압력(150 kPa abs.) 이상인 것이 바람직하며, "바의 절대압력(Bar abs.)"은 "Bara"와 동등하다. 더 바람직하게, 상기 압력은 2 bar의 절대압력 이상이다. 상기 압력은 바람직하게 20 Bara(2,000 kPa abs.) 이하, 더 바람직하게는 15 Bara(1,500 kPa abs.) 이하이다.
온도가 주어진 경우, 높은 범위의 압력에서, 이를테면 6 내지 20 bar의 절대압력에서 본 방법을 수행하면, HF의 분압이 고압에서 더 낮기 때문에 비말동반된 HF를 분리시키는 조작이 향상되며, 이로써 처리된 불소 내 HF의 잔류량이 낮아진다. 다른 한편으로, 실질적인 이유로는, F2는 매우 반응이 격한 화합물이기 때문에 더 낮은 압력에서, 이를테면 2 내지 4 bar의 절대압력에서 상기 방법을 수행하는 것이 바람직하다.
가능한 한 낮은 온도에서 상기 방법을 수행하면 (HF의 분압이 낮아지기 때문에) 분리계수(separation factor)가 향상되기는 하지만, 분리된 HF가 고형화되지 않는 압력과 온도를 선택하는 것이 바람직한데, 그 이유는 분리된 HF는 고체 상태로 있을 때보다 액체 상태로 있을 때 더 쉽게 트랩으로부터 제거될 수 있기 때문이다. 응축된 HF가 액화되는 조건에서 HF를 제거하는 것이 바람직하다. 위에 언급한 바와 같이, 대기압에서, HF는 약 -83.6℃에서 고형화된다. 본 발명의 방법에 대한 압력이 증가되면 고형화 온도는 낮아지므로, 본 방법은 심지어 -83.6℃보다 낮은 온도에서 수행될 수 있다. 저온처리를 위한 바람직한 온도 범위는 -70℃ 이상 내지 -82℃ 이상이다.
원한다면 불소를 현장에서 제조할 수 있다. 이는 본 발명의 한 바람직한 구현예이다. 하나 이상의 부수 플랜트(satellite plant)에서, 예를 들면, 국제출원공개 제2004/009873호에 기재된 바와 같은 불소 생성 카세트에서 제조할 수 있다. 원한다면, 각 카세트를 식각 조작이 수행되는 하나 이상의 공정 챔버에 배정하거나; 복수의 불소 생성 카세트를 상기 챔버들에 연결되어 있는 하나의 불소 가스 분배 시스템에 연결할 수 있다. 저온 정제를 위한 본 발명의 방법을 수행하는 수단(예컨대, 냉각 트랩)을 카세트에 통합시킬 수 있다.
본 방법은, 모두 솔베이 SA의 명의로 2010년 9월 15일에 출원된 미공개 미국 임시특허출원 제61/383204호와 2010년 9월 16일에 출원된 미공개 미국 임시특허출원 제61/383533호에 기재된 바와 같은 스키드(skid) 구상에 따라 한 플랜트의 범위 안에서 수행될 수도 있다.
현장에서 생산하는 경우, 일 구현예는 예를 들어 태양전지와 같은 태양광발전 장치의 제조를 위한 불소 생산법을 제공한다. 태양전지, 식각제, 및 상기 식각제에 유용한 F2를 포함하는 식각제 조성물의 제조에 대해 국제출원공개 제2009/092453호 및 유럽특허출원 제2159829호에 기재되어 있다. 이 구현예에서, 장비로의 불소 송출압력은 바람직하게 1.5 bar의 절대압력 이상이다. 상기 압력은 바람직하게 5 Bara 이하이다. 이 구현예에서 바람직한 압력 범위는 1.5 내지 4.5 Bara이다. 본 발명의 방법은 동일한 압력에서 수행가능하다. 위에 설명한 바와 같이 높은 압력에서 HF를 분리시키는 것이 더 좋기 때문에, 원한다면 본 발명의 방법을 더 높은 압력에서, 바람직하게는 8 내지 12 Bara에서 수행한다. 그런 후에는 불소를 상기 바람직한 범위인 1.5 내지 5 Bara의 압력까지 감압시킨다.
불소에 대한 수요가 더 큰 현장 생산의 다른 구현예에서, 특히는 LCD용 TFT의 제조에 있어서, 장비로의 불소 송출압력은 바람직하게 3 Bara(300 kPa abs.) 이상이고, 특히 바람직하게는 4.5 Bara(450 kPa abs.)이상이다. 이 구현예에서, 송출압력은 바람직하게 12 Bara(1,200 kPa abs.) 이하이고, 더 바람직하게는 11 Bara(1,100 kPa abs.) 이하이다. 이 구현예에서 특히 바람직한 범위는 4.5 내지 11 Bara(450 내지 1,100 kPa abs.)이다. 이 구현예에서, 본 발명의 방법과 장비로의 송출은 바람직하게 8 내지 12 Bara(800 내지 1200 hPa) 범위의 압력에서 수행된다. 이는 추가적인 가압이 필요 없다는 장점이 있다. 장비로의 불소 송출 단계에서보다 낮은 압력에서 본 발명의 방법을 수행하는 경우, 불소를 압축기나 다른 수단에서 가압처리해야 한다. 유용한 F2를 포함하는 식각제 및 TFT의 제조에 대해 2009년 10월 26일에 출원된 미공개 유럽특허출원 제09174034.0호(2010년 10월 26일에 출원된 미공개 국제특허출원 제PCT/EP2010/066109호에 해당됨)에 기재되어 있다.
저온처리법을 통해, 전기분해로 생산된 F2 내에 보통 비말동반되어 있는 HF를 효과적으로 제거할 수 있다. 원한다면, 저온처리 후에 흡착제 또는 흡수제, 예컨대 NaF를 사용하여 추가 처리를 수행할 수 있다. 저온에서 HF를 불소로부터 제거하기 위해 인가된 압력과 동일한 압력에서 불소를 흡착제 또는 흡수제와 접촉시킬 수 있다. 대안으로는, 불소를 더 높은 압력까지 가압하거나, 불소를 흡수제와 접촉시키도록 더 낮은 압력까지 감압할 수 있다. 대안으로 또는 추가적으로, 가압증류 단계를 수행하여도 된다. 주로 고형 전해질염으로 구성되는 비말동반된 고형물을 F2-내성 재료, 특히는 스테인레스강, 니켈 또는 모넬 금속으로 만들어진 프릿(frit)에서 제거가능하다.
일 구현예에 따르면, 전기분해로 생산된 F2로부터 고형물을 제거하는 조작은 F2를 저온에서 액체 HF(예컨대, -70℃ 이하, -82℃까지 온도에서 액체 HF)를 사용하여 작동되는 제트 스크러버에 통과시킴으로써 행해질 수 있다. 이러한 처리법은 솔베이 SA 명의로 2010년 8월 5일에 출원된 유럽특허출원 제10172034.0호에 기재되어 있다.
이러한 저온처리법과 흡수법을 조합하면, 흡수제가 덜 재생된다는 장점이 있다. 분리된 HF는 전해 반응기로 재순환시킬 수 있다.
"챔버"는 전자 장치를 열로 식각하거나 원격 및/또는 내부 플라즈마 강화로 식각시키는 챔버, 또는 예컨대 화학 기상 증착법(CVD)으로 층들을 증착시키는데 사용되는 챔버, 특히는 플라즈마-강화 CVD(PECVD)챔버로서 가끔씩 또는 일정에 따라 세정하여 벽과 내부 부품에 축적된 바람직하지 않은 증착물을 제거해 주어야 하는 챔버이다.
본 발명의 방법 및 정제된 불소의 송출은 사용되는 현장에서 수행하거나, 사용 지점에서 떨어진 장소에서 수행할 수 있다. 사용 장소에서 떨어진 곳에서 수행하는 경우에는 불소를 이송 용도의 저장 탱크에 저장하게 된다. 불소를 현장에서 생산하는 경우에는 불소를 저장 탱크에 저장할 수 있으며; 이때 저장 탱크는 버퍼 탱크로서 적용될 수도 있다. 불소 생성기가 불소 적용 장비에 충분히 가까이 있다면, 불소를 저장 탱크에 수거해서는 안 된다.
정제 단계(들)는 저장 또는 버퍼링 단계(저장 또는 버퍼링 단계가 예상되는 경우) 이전 또는 이후에 수행될 수 있다. 원한다면, 불소를 저장 단계 이전과 이후에 정제시킬 수 있다.
불소의 제조 및 정제가 끝나면, 불소를 사용 지점까지 송출한다. 이 조작을 바람직하게는 대기압보다 높은 압력 하에서 수행한다.
바람직한 일 구현예에서는, 불소를 압축기로 가압한다. 의도한 목적에 허용된다면, 가압 비활성 가스, 가령 질소, 산소, 헬륨 또는 아르곤을 적용할 수 있다. 바람직하게는, 원소형 불소를 가압 가스로서 적용하는 것을 제외하고는, 어떠한 가압 가스도 적용하지 않는다.
바람직하게 저장 단계(예상되는 경우)는 원소형 불소를 적합한 탱크, 예컨대 스테인레스강 용기에 저장하는 조작을 가리킨다.
공정 챔버(들)와 유체 연통하는 장치에서 전기분해를 통해 사용 지점 장소에서 불소를 생성하는 것이 바람직하다. 이는, 상기 생성된 원소형 불소를, 나중에 송출 라인으로부터 분리되는 저장 탱크 또는 가압 용기에 채우지 않는다는 것을 뜻한다. 원한다면, 송출 라인에 계속 연결된 상태를 유지하는 저장 탱크, 버퍼 탱크 또는 용기에만 불소를 저장한다. 종종, 불소 생성기는 이러한 생성기가 사용되는 장비와 같은 플랜트에, 즉, 생산 장비로부터 500m 미만의 거리 이내에 배치되며; 불소 생성기는 종종 장비 가까이에, 즉 장비로부터 100m의 거리 이내에 배치된다. 불소 생성기는 심지어 사용 지점과 같은 공정 챔버에 아주 근접하게, 예컨대 10m 이하의 거리 이내에 배치될 수도 있다.
바람직하게 송출 단계는 불소를 생산 장치로부터 사용 지점까지 파이프, 특히는 공기가 불소 내에 침입되는 것을 막고 불소가 누출되는 것을 막기 위해 영구적으로 연결된 상태를 유지하는 파이프를 통해 전달하는 조작을 가리킨다.
바람직한 일 구현예에 의하면, HF를 제거하기 위한 저온처리 단계; 처리된 F2를 사용 지점까지 송출하는 단계; 저장 단계 및 선택적이되, 바람직하게는 수행되는 비말동반된 고형물 제거 단계와 모든 잔류하는 HF를 흡착 또는 흡수법으로, 바람직하게는 F2를 NaF와 접촉시킴으로써 제거하는 단계 중 임의의 단계는 대기압보다 높은 압력에서 수행되며; 바람직하게는, 이들 단계는 1.5 bar의 절대압력 이상의 압력에서, 더 바람직하게는 2 bar의 절대압력 이상의 압력에서 수행된다. 바람직하게, 상기 단계들은 20 bar의 절대압력 이하의 압력에서 수행된다.
일 구현예에 따르면, 태양광발전 장치(예를 들어, 태양전지)를 제조하고자 한다면 상기 단계들은 더 낮은 범위의 압력에서, 특히는 1.5 내지 4.5 Bara(150 내지 450 hPa)의 범위에서 수행된다.
불소에 대한 수요가 더 큰 현장 생산의 다른 구현예에서, 특히는 LCD용 TFT의 제조에 있어서, 상기 단계들에서의 장비에 대한(to) 불소 압력은 바람직하게 3 Bara 이상이다.
본 발명의 방법은 HF 함량이 낮거나 아예 HF가 함유되지 않은 원소형 불소를 사용 지점까지 송출할 수 있게 한다.
본원에 참조로 통합된 모든 특허, 특허출원 및 공개문헌의 개시물이 용어를 불명확하게 만들 수 있는 범위까지 본 출원의 명세서와 대립되면, 본 명세서가 우선한다.
이하 실시예들은 본 발명을 제한하고자 함이 아니라 본 발명을 더 상세히 설명하고자 함이다.
실시예 1: HF 함량이 낮은 원소형 불소를 챔버 세정을 위한 사용 지점으로 현장에서 제공
1. 원소형 불소의 제조
대략 KF·2HF의 조성을 가진 전해질염을 전해조에 넣고, 약 80 내지 120℃까지 가열하여 용융시켰다. HF를 전해조에 도입하였다. 8 내지 10V의 전압을 인가하고, 상기 용융된 전해질염과 불화수소의 조성물에 전류를 통과시켰으며; 전해조의 함량을 약 80 내지 100℃의 범위에 유지하였다. 원소형 불소와 원소형 수소가 각각의 전극실에 형성되었다. 이렇게 형성된 원소형 불소를 모넬 금속 프릿에 통과시켜 고형물을 제거하고, 압축기를 통해 약 10 bar의 절대압력까지 가압한 후에, -80℃까지 냉각된 트랩에 통과시켰다. 상기 트랩에서는, 비말동반된 HF가 응축되었다. 트랩에서 빠져나오는 가스상 F2를 NaF층에 통과시켜 모든 남아있는 HF를 제거하였다.
2. 정제된 F2를 챔버로 송출
압축된 불소를, 원한다면 약 2 내지 3 bar의 절대압력까지 감압한 후에, 파이프를 통해 현장에 배치된 반도체-제조 장비에 직접 전달하였다. 이 장비에서는, 원소형 불소를 플라즈마 챔버의 내부벽을 세정하는데 적용하여, 반도체의 제조 공정에서 층들을 PECVD(플라즈마-강화 기상 증착)할 때 쌓인 규소-함유 잔류물을 제거하였다.
실시예 2: HF 함량이 낮은 원소형 불소를 식각을 위한 사용 지점으로 현장에서 제공
1. 원소형 불소의 제조
저온처리를 포함하는, 원소형 불소의 생산법을 실시예 1.1에서 기술한 바와 같이 수행하였다.
2. 정제된 F2를 장비로 송출
실시예 2.1에서 얻은 압축된 불소를, 2 내지 3 bar의 절대압력 하에, 파이프를 통해 현장에 배치된 반도체-제조 장비에 직접 전달하였다. 이 장비에서는, 원소형 불소를 N2 및 Ar과 Ar:N2:F2 = 10:70:20의 체적비로 혼합된 형태로 적용하여, 반도체의 제조 공정시 플라즈마 챔버 내 Si 웨이퍼 상의 SixNy 층들(x는 약 3이고, y는 약 4임)을 식각하였다.
실시예 3: TFT 제조를 위해 HF 함량이 매우 낮은 F2를 제공
1. 원소형 불소의 제조
대략 KF·2HF의 조성을 가진 전해질염을 전해조에 넣고, 약 80 내지 120℃까지 가열하여 용융시켰다. HF를 전해조에 도입하였다. 8 내지 10V의 전압을 인가하고, 상기 용융된 전해질염과 불화수소의 조성물에 전류를 통과시켰다. 원소형 불소와 원소형 수소가 각각의 전극실에 형성되었다.
2. 정제된 F2를 장비로 송출
이렇게 형성된 원소형 불소를 모넬 금속 프릿에 통과시켜 고형물을 제거하고, 압축기를 통해 약 10 bar의 절대압력까지 가압한 후에, -100℃까지 냉각된 트랩에 통과시켰다. 상기 트랩에서는, 비말동반된 HF가 응축되었다.
트랩에서 빠져나오는 가스상 F2를 NaF층에 통과시켜 모든 남아있는 HF를 제거하고나서, 약 10 Bara의 압력 하에, 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터(TFT-LCD) 제조를 위한 장비로 송출하였다.
실시예 4: 태양전지 제조를 위해 HF 함량이 매우 낮은 F2를 제공
1. 원소형 불소의 제조
대략 KF·2HF의 조성을 가진 전해질염을 전해조에 넣고, 약 80 내지 120℃까지 가열하여 용융시켰다. HF를 전해조에 도입하였다. 8 내지 10V의 전압을 인가하고, 상기 용융된 전해질염과 불화수소의 조성물에 전류를 통과시켰다. 원소형 불소와 원소형 수소가 각각의 전극실에 형성되었다.
2. 정제된 F2를 장비로 송출
이렇게 형성된 원소형 불소를 모넬 금속 프릿에 통과시켜 고형물을 제거하고, 압축기를 통해 약 4 bar의 절대압력까지 가압한 후에, -100℃까지 냉각된 트랩에 통과시켰다. 상기 트랩에서는, 비말동반된 HF가 응축되었다.
트랩에서 빠져나오는 가스상 F2를 NaF층에 통과시켜 모든 남아있는 HF를 제거하고나서, 약 4 Bara의 압력 하에, 태양전지 제조를 위한 장비로 송출하였다.
실시예 5: 태양전지 제조를 위해 HF 함량이 매우 낮은 F2를 제공
1. 원소형 불소의 제조
대략 KF·2HF의 조성을 가진 전해질염을 전해조에 넣고, 약 80 내지 120℃까지 가열하여 용융시켰다. HF를 전해조에 도입하였다. 8 내지 10V의 전압을 인가하고, 상기 용융된 전해질염과 불화수소의 조성물에 전류를 통과시켰다. 원소형 불소와 원소형 수소가 각각의 전극실에 형성되었다.
2. 정제된 F2를 장비로 송출
이렇게 형성된 원소형 불소를 모넬 금속 프릿에 통과시켜 고형물을 제거하고, 압축기를 통해 약 4 bar의 절대압력까지 가압한 후에, 냉각용 액체가 통과되는 열교환기에 의해, -80℃까지 냉각된 트랩에 통과시켰다. 상기 트랩에서는, 비말동반된 HF가 응축되었다.
트랩에서 빠져나오는 가스상 F2를 4 bar의 절대압력에서 NaF층에 통과시켜 모든 남아있는 HF를 제거하고, 다시 모넬 금속 프릿에 통과시켜 여전히 함유되어 있는 모든 고형물을 제거하고 나서, 약 4 Bara의 압력 하에, 태양전지 제조를 위한 장비로 송출하였다.

Claims (15)

  1. 적어도, 원소형 불소를 전기분해식으로 현장에서 제조하는 단계; 및, 원소형 불소를 식각제로서 사용하여 챔버 내에서 대상체를 식각하는 단계 및 원소형 불소를 챔버 세정제로서 사용하여 챔버를 세정하는 단계로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 단계를 포함하며, 이때 원소형 불소를 제조한 후와 원소형 불소를 식각 또는 챔버 세정용으로 적용하기 전에 불소를 대기압보다 높은 압력에서 저온처리하여, 비말동반된 불화수소의 적어도 일부를 제거하는 것인, 전자장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 처리 동안의 압력은 1.5 bar의 절대압력 이상인 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 처리 동안의 압력은 20 bar의 절대압력 이하인 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 전자장치는 반도체, 태양전지, MEMS(마이크로-전자기계 시스템) 및 TFT(박막 트랜지스터)로 이루어진 군에서 선택되는 것인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 태양전지를 제조하는 경우, 압력은 1.5 내지 4.5 Bara 범위 내에 있는 것인 방법.
  6. 제4항에 있어서, TFT를 제조하는 경우, 압력은 4.5 내지 11 Bara 범위 내에 있는 것인 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 원소형 불소를 -50℃ 이하의 온도까지의 저온처리로 냉각시키는 것인 방법.
  8. 제7항에 있어서, 원소형 불소를 -60℃ 이하의 온도까지의 저온처리로 냉각시키는 것인 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 원소형 불소에 하나 이상의 흡착 단계, 하나 이상의 흡수 단계 및/또는 하나 이상의 증류 단계를 추가적으로 행하는 것인 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 원소형 불소는, 전해질염으로서 존재하는 KF의 융용 HF 부가물의 존재 하에서 HF의 전기분해에 의해 생산되는 것인 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 원소형 불소를 생성기에서 생산하며, 원소형 불소를 위한 상기 생성기는 챔버와 유체 연통하는 것인 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 식각 챔버 및/또는 세정 대상 챔버는 열 챔버 또는 플라즈마-강화 챔버인 방법.
  13. 제1항에 있어서, 세정 단계를 열 또는 플라즈마-강화 방식으로 수행하는 것인 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 불소를 카세트 내에서 제조하는 것인 방법.
  15. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 불소를 스키드(skid) 내에서 제조하는 것인 방법.
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