KR20130087374A - 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents

발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

발광 장치(100)는 기판(1)과, 기판(1) 상의 실장 영역(1a)에 설치된 금속막(30)과, 금속막(30) 상에 적재된 복수의 발광 소자(2)로 이루어지는 발광부(20)와, 기판(1) 상에 형성되고, 각각이 패드부(3a, 4a)와 배선부(3b, 4b)를 갖고, 그 배선부(3b, 4b)를 통해 발광 소자(2)에 전압을 인가하는 정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 금속 부재(40)와, 금속막(30)에 접속되어, 기판(1)의 측면까지 연장 설치된 도금용 배선을 구비하고, 금속막(30)과 금속 부재(40)는 독립으로 설치되어 있고, 정극(3)의 배선부(3b) 및 부극(4)의 배선부(4b)는 실장 영역(1a)을 따라 주위에 형성되어 있고, 금속 부재(40)는 기판(1)의 실장 영역(1a)측에 기판(1)의 주연으로부터 이격해서 형성되어 있다.

Description

발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법{LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 LED 전구 등의 조명 기구, 표시 장치, 조명 기구, 디스플레이, 액정 디스플레이의 백라이트 광원 등에 이용 가능한 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 여러가지 전자 부품이 제안되고, 또 실용화되고 있고, 이것들에 요구되는 성능도 높아지고 있다. 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 비롯한 발광 장치도 마찬가지로, 일반 조명 분야, 차량 탑재 조명 분야 등에서 요구되는 성능은 세월이 갈수록 높아지고 있으며, 한층 더 고출력(고휘도)화, 고신뢰성이 요구되고 있다. 또한, 이들의 특성을 만족하면서 저가격으로 공급하는 것도 요구되고 있다.
발광 장치로서는, 예를 들어, 절연 부재 상에 Au 도금과 Ag 도금을 각각 다른 영역에 형성하고, Au 와이어와의 밀착성이 양호한 Au 도금을 전극면으로서 사용하고, 고반사성의 Ag 도금을 반사면으로서 사용함으로써, 광의 취출(取出) 효율을 향상시킨 발광 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
이와 같이 재료가 상이한 도금을 형성할 경우, 도금을 형성하는 영역에 전해 도금용의 도전층으로서, Au 도금용과 Ag 도금용의 2종류의 도전층을 독립하여 설치하고, 한쪽의 도전층에만 통전(通電)해서 각각 전해 도금을 행함으로써, 상이한 영역에 상이한 재료의 도금을 용이하게 형성할 수 있다. 그리고 전해 도금용의 도전층은 절연 부재의 측면이나 이면 등, 도금 장치에 의해 통전시키기 쉬운 위치에 노출시킨다.
일본 특허 출원 공개 제2004-319939호 공보(도 1, 도 3 참조)
그러나, 종래의 기술에서는 이하에 서술하는 문제가 있다.
최근, 발광 장치는 한층 더 고출력화가 요구되고 있다. 그리고 대전류를 투입하여 고출력화를 실현하기 위해서는, 발광 장치의 온도 상승을 억제하는 것이 중요하고, 예를 들어, 발광 장치는 방열성이 높은 금속체에 적재된다. 상기한 종래의 발광 장치는 통상 복수개의 발광 장치를 1개의 실장 기판에 실장하고, 그 실장 기판이 또한 금속체에 적재된다.
그러나 상기한 종래의 발광 장치는, 반사면에 고반사성의 Ag 도금을 사용하므로 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있지만, 전극과 전기적으로 접속된 도전층이 절연 부재의 측면이나 이면에 노출되어 있으므로, 측면이나 이면을 금속체에 근접시킬 수 없다. 도전층이 절연 부재의 측면에만 노출되어 있는 경우라도 절연 부재의 이면을 금속체에 접촉시켜서 구동시키면, 연면(沿面) 방전에 의해 단락될 우려가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 감안해서 이루어진 것이며, 광 출력을 향상시킬 수 있고, 또한 금속체에 직접 적재할 수 있는 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관한 발광 장치는 기판과, 상기 기판 상의 실장 영역에 설치된 금속막과, 상기 금속막 상에 적재(載置)된 복수의 발광 소자로 이루어지는 발광부와, 상기 기판 상에 형성되고, 각각이 패드부와 배선부를 갖고, 상기 배선부를 통해 상기 발광 소자에 전압을 인가하는 정극 및 부극을 구성하는 금속 부재와, 상기 금속막에 접속되어, 상기 기판의 측면까지 연장 설치된 도금용 배선을 구비하고, 상기 금속막과 상기 금속 부재는 독립으로 설치되어 있고, 상기 정극의 배선부 및 상기 부극의 배선부는 상기 실장 영역을 따라 주위에 형성되어 있고, 상기 금속 부재는 상기 기판의 상기 실장 영역측에 상기 기판의 주연(周緣)으로부터 이격하여 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성에 따르면, 발광 소자의 실장 영역에 금속막이 설치되어 있으므로, 광의 취출 효율(반사 효율)이 향상된다. 또한, 금속막과, 금속 부재(전극층)가 각각 독립으로 설치되어 있고, 또한 금속 부재가 기판의 측면이나 이면으로부터 이격된 위치에 설치되어 있으므로, 발광 장치를 구동시켰을 때에 연면 방전에 의한 단락을 방지할 수 있다.
상기 도금용 배선은 상기 기판의 내부에 설치되고, 상기 기판에 형성된 스루홀을 통해 상기 금속막과 도통되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 따르면, 금속 부재의 배치에 제한되지 않고, 도금용 배선을 기판의 측면으로 연장시킬 수 있다. 이에 의해, 도금용 배선이 기판의 상면에 배치되지 않으므로, 발광 장치의 디자인이 제한되지 않는다. 또한, 절연 부재인 기판보다 열전도율이 높은 도금용 배선을 기판 내부에 배치함으로써 방열성이 향상된다.
또한, 상기 기판의 내부의 도금용 배선은 그 일부가 상기 기판의 측면으로부터 노출되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 따르면 방열성을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 기판은 한쪽의 대향하는 한 쌍의 변과, 다른 쪽의 대향하는 한 쌍의 변을 갖는 소정 형상으로 형성되고, 상기 정극의 패드부와 상기 부극의 패드부는 상기 한쪽의 대향하는 변을 따라 형성되고, 상기 도금용 배선은 상기 다른 쪽의 대향하는 변을 향해서 연장 설치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 평면에서 보아 상기 정극의 패드부와 상기 부극의 패드부는 상기 도금용 배선과 중복되어 있지 않은 것이 바람직하다.
이들과 같은 구성에 따르면, 도금용 배선을 중계점으로 패드부에 방전되지 않고, 이 방전에 의한 단락을 방지할 수 있다.
또한, 상기 금속막은 상기 발광 소자의 발광에 대한 반사율이 상기 금속 부재보다도 높은 것이 바람직하고, 상기 금속막에 Ag을 사용하고, 상기 금속 부재에 Au를 사용하는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 따르면, 금속막의 반사율이 금속 부재의 반사율보다도 높음으로써, 실장 영역으로부터의 광의 취출 효율이 향상된다. 특히, 금속막에 광 반사율이 높은 Ag을 사용하고, 금속 부재에 Au를 사용함으로써, 더욱 광의 취출 효율이 향상된다.
상기 발광 장치는 상기 실장 영역의 주연을 따라 적어도 상기 배선부를 덮도록 광 반사 수지가 형성되고, 상기 광 반사 수지의 내측에 상기 발광 소자와, 상기 금속막을 피복하는 투광성의 밀봉 부재가 충전되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 따르면, 실장 영역의 주위를 둘러싸도록 광 반사 수지를 형성함으로써, 기판의 실장 영역의 주위에 향하는 광도 광 반사 수지에 의해 반사시킬 수 있다. 따라서, 출사광의 로스를 경감시킬 수 있고, 발광 장치의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 광 반사 수지의 내측에 밀봉 부재가 충전 되어 있음으로써 광 반사 수지의 내측의 부재가 보호된다.
본 발명에 관한 발광 장치의 제조 방법은, 도금용 배선이 형성된 기판을 제작하는 기판 제작 공정과, 상기 도금용 배선이 형성된 기판 상에 무전해 도금에 의해 정극 및 부극을 구성하는 금속 부재를 형성함과 함께, 상기 기판 상의 실장 영역에 전해 도금에 의해 금속막을 형성하는 도금 공정과, 상기 금속막 상에 발광 소자를 적재하는 다이본딩 공정과, 상기 다이본딩 공정 후에 상기 정극 및 상기 부극과 상기 발광 소자의 전극 단자를 와이어에 의해 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 도금 공정에 의해, 무전해 도금에 의해 금속 부재를 기판의 측면이나 이면으로부터 이격된 위치에 설치할 수 있고, 또 전해 도금에 의해 금속막을 발광 소자의 실장 영역에 설치할 수 있다. 이로써 발광 장치의 구동 시에 연면 방전에 의한 단락이 일어나지 않고, 또한 광의 취출 효율이 향상된 발광 장치를 제공할 수 있다.
상기 도금 공정은, 무전해 도금에 의해 상기 정극 및 상기 부극을 구성하는 금속 부재를 형성함과 함께 상기 실장 영역에도 금속 부재를 형성하고, 그 후, 상기 실장 영역의 금속 부재 상에 전해 도금에 의해 금속막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 무전해 도금에 의해 금속 부재를 형성한 후, 전해 도금에 의해 실장 영역의 금속 부재 상에 금속막을 형성하므로, 마스크 등을 사용할 필요가 없고, 또 금속막의 평탄성이 향상된다.
본 발명에 관한 발광 장치의 제조 방법은, 상기 와이어 본딩 공정 후에 상기 실장 영역의 주연을 따라 적어도 상기 정극 및 상기 부극의 배선부를 덮도록 광 반사 수지를 형성하는 광 반사 수지 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광 반사 수지의 내측에 상기 발광 소자와, 상기 금속막을 피복하는 투광성의 밀봉 부재를 충전하는 밀봉 부재 충전 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 광 반사 수지나 밀봉 부재를 형성할 수 있으므로, 광의 취출 효율이 보다 향상된 발광 장치나, 더욱 내구성이 우수한 발광 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 관한 발광 장치에 따르면, 발광 소자의 실장 영역에 설치된 금속막에 의해 광의 취출 효율이 향상되므로, 발광 장치의 광 출력을 향상시킬 수 있다. 또한, 정극 및 부극이 기판의 측면이나 이면으로부터 이격된 위치에 설치되어 있으므로, 발광 장치를 금속체에 접촉시켜도 연면 방전에 의한 단락을 방지할 수 있다. 이 때문에, 발광 장치를 금속체에 직접 적재할 수 있다. 또한, 도금용 배선을 기판의 측면까지 연장 설치함으로써 방열성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 관한 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 고출력으로, 또한 금속체에 직접 적재할 수 있는 발광 장치를 제조할 수 있다. 특히, 무전해 도금에 의해 금속 부재를 형성한 후, 전해 도금에 의해 금속막을 형성함으로써, 제조 공정을 간략화할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 장치의 전체 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 장치의 구성을 도시하는 정면도이다.
도 3은 발광 소자의 구성을 도시하는 확대 정면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 장치의 구성을 도시하는 측면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 장치에 있어서의 도금용 배선의 배치에 대해서 설명하기 위한 모식도이며, (a)는 도금용 배선의 배치를 도시하는 정면도이고, (b)는 도금용 배선의 배치를 도시하는 측면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 발광 장치에 있어서의 기판의 구성과 도금용 배선의 배치를 도시하는 측면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 발광 장치의 구성을 도시하는 정면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 각 도면이 도시하는 부재의 사이즈나 위치 관계 등은 설명을 명확하게 하기 위해서 과장하고 있는 경우가 있다. 또한 이하의 설명에서 동일한 명칭, 부호에 대해서는 원칙으로 동일 혹은 동질의 부재를 나타내고 있고, 상세 설명을 적절하게 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 참조하는 도 2, 도 7에 있어서, 발광 소자의 p전극 및 n전극(도 3 참조)은, 각 발광 소자의 방향을 나타내기 위해서 실장 영역 상의 4개소만 도시하고, 실장 영역 상의 그 밖의 개소에서는 도시를 생략하고 있다.
≪발광 장치≫
본 발명의 실시 형태에 관한 발광 장치(100)에 대해서 도 1 내지 도 5를 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 설명에서는, 우선 발광 장치(100)의 전체 구성에 대해서 설명한 후에 각 구성에 대해서 설명한다. 또한, 설명의 편의상, 도 2의 정면도에서는 광 반사 수지(6)는 외형만을 선으로 나타내고, 투과시킨 상태로 도시하고 있다.
<전체 구성>
발광 장치(100)는 LED 전구 등의 조명 기구, 표시 장치, 조명 기구, 디스플레이, 액정 디스플레이의 백라이트 광원 등에 이용되는 장치이다. 발광 장치(100)는, 도 1, 도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(1)과, 기판(1) 상의 실장 영역(1a)에 설치된 금속막(30)과, 금속막(30) 상에 복수 적재된 발광 소자(2)와, 기판(1) 상에 형성된 정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 금속 부재(40)와, 금속막(30)에 접속된 도금용 배선(31)과, 발광 소자(2)나 보호 소자(5) 등의 전자 부품과, 정극(3)이나 부극(4) 등을 접속하는 와이어(W)를 주된 구성으로 구비하고 있다. 또한, 여기에서는 정극(3)에 배치된 보호 소자(5)와, 기판(1) 상에 형성된 광 반사 수지(6)와, 실장 영역(1a)에 봉입된 밀봉 부재(7)를 구비하고 있다.
<기판>
기판(1)은 발광 소자(2)나 보호 소자(5) 등의 전자 부품을 배치하기 위한 것이다. 기판(1)은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 직사각형 평판 형상으로 형성되어 있다. 또한, 기판(1) 상에는, 도 2에 도시한 바와 같이 복수의 발광 소자(2)를 배치하기 위한 실장 영역(1a)이 구획되어 있다. 또한, 기판(1)의 사이즈는 특별히 한정되지 않고, 발광 소자(2)의 수 등, 목적 및 용도에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
기판(1)의 재료로서는 절연성 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 또한, 발광 소자(2)로부터 방출되는 광이나 외광 등이 투과하기 어려운 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 어느 정도의 강도를 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 세라믹스(Al2O3, AlN 등), 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, BT레진(bismaleimide　triazine　resin), 폴리프탈아미드(PPA) 등의 수지를 들 수 있다.
<실장 영역>
실장 영역(1a)은 복수의 발광 소자(2)를 배치하기 위한 영역이다. 실장 영역(1a)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 중앙의 영역으로 구획되어 있다. 실장 영역(1a)은 서로 대향하는 변을 갖는 소정 형상으로 형성되어 있고, 보다 구체적으로는 코너부를 둥글게 한 대략 직사각 형상으로 형성되어 있다. 또한, 실장 영역(1a)의 사이즈나 형상은 특별히 한정되지 않고, 발광 소자(2)의 수나 배열 간격 등, 목적 및 용도에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
실장 영역(1a)의 주위에는, 도 2를 정면에서 본 경우에 있어서, 실장 영역(1a)의 좌측의 변을 따라 배선부(3b)의 일부 및 배선부(4b)의 일부가 형성되고, 실장 영역(1a)의 하측의 변을 따라 배선부(4b)의 일부가 형성되고, 실장 영역(1a)의 우측의 변을 따라 중계 배선부(8)가 형성되어 있다. 또한, 여기에서의 실장 영역(1a)의 주위란, 도 2에 도시한 바와 같이, 실장 영역(1a)의 주연과 소정의 간극을 둔 주위를 의미하고 있다.
실장 영역(1a)은 실장 영역(1a) 상에 광을 반사하는 금속막(30)을 형성하고, 그 금속막(30)을 통해 복수의 발광 소자(2)를 배치한다. 이와 같이 실장 영역(1a) 상에 금속막(30)을 형성해서 그 위에 복수의 발광 소자(2)를 배치함으로써, 예를 들어 도 4에 있어서, 기판(1)의 실장 영역(1a) 측에 향하는 광도 금속막(30)에 의해 반사시킬 수 있다. 따라서, 출사광의 로스를 경감시킬 수 있고, 발광 장치(100)의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
<금속막>
금속막(30)은 발광 소자(2)로부터 출사된 광의 반사를 위한 층이며, 기판(1) 상의 실장 영역(1a)에 설치된다.
실장 영역(1a) 상에 형성하는 금속막(30)은 전해 도금으로 형성할 수 있다. 금속막(30)의 재료로서는 도금이 가능한 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 Au(금)을 사용할 수 있다. Au는 광을 흡수하기 쉬운 특성을 구비하고 있지만, 예를 들어 Au 도금의 표면에 TiO2막을 또한 형성함으로써 광 반사율을 높일 수 있다.
그러나, 금속막(30)은 발광 소자(2)의 발광에 대한 반사율이 금속 부재(40)보다도 높은 재료로 구성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 부재(40)에 Au를 사용하고, 금속막(30)에 Ag(은)을 사용하는 것이 바람직하다. Ag은 Au보다도 광 반사율이 높으므로, 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 실장 영역(1a) 상에 형성하는 금속막(30)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 목적 및 용도에 따라서 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 금속막(30)과 금속 부재(40)는 독립적으로 설치되어 있다. 즉, 이들은 전기적으로 접속되어 있지 않다.
또한 본 실시 형태에서는, 도 1 및 도 4에 도시한 바와 같이, 실장 영역(1a)의 상부에 후기하는 밀봉 부재(7)가 충전되고, 실장 영역(1a) 상의 복수의 발광 소자(2) 및, 그 복수의 발광 소자(2)에 접속된 와이어(W)가 진개, 수분, 외력 등으로부터 보호되는 구성으로 되어 있다.
<발광 소자>
발광 소자(2)는 전압을 인가함으로써 자발광하는 반도체 소자이다. 발광 소자(2)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 실장 영역(1a)에 복수 배치되고, 그 복수의 발광 소자(2)가 일체가 되어서 발광 장치(100)의 발광부(20)를 구성하고 있다. 또한, 발광 소자(2)는 도시하지 않은 접합 부재에 의해 실장 영역(1a)에 접합되어 있고, 그 접합 방법으로서는, 예를 들어 접합 부재로서 수지나 땜납 페이스트를 사용하는 접합 방법을 이용할 수 있다. 또한, 도시된 발광부(20)는 단순히 발광 소자(2)를 적재시키는 영역을 도시하는 것이며, 발광부(20)에 있어서의 발광이란 발광 소자(2)로부터 나오는 광인 것은 말할 필요도 없다.
발광 소자(2)의 각각은, 도 3에 도시한 바와 같이, 직사각 형상으로 형성되어 있다. 또한, 발광 소자(2)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 그 상면의 일측에 p전극(2A)이 설치되고, 발광 소자(2)의 타측에 n전극(2b)이 설치된 페이스업(FU) 소자이다. 본 실시 형태에서는, 발광 소자(2)를 적재하는 금속막(30)과 정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 금속 부재(40)를 이격해서 배치하므로, 도 3에 도시한 바와 같이, p전극과 n전극이 동일면측에 형성된 발광 소자(2)를 사용하여 전극 형성면과 반대측의 면을 금속막(30)에 접착하는 것이 바람직하다.
p전극(2A) 및 n전극(2B)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 전극 단자인 p측 패드 전극(p패드 전극)(2Aa) 및 n측 패드 전극(n패드 전극)(2Ba)과, 발광 소자(2)에 투입된 전류를 전체에 확산시키기 위한 보조 전극인 연신 도전부(2Ab, 2Bb)를 각각 구비하고 있다. 또한, 발광 소자(2)는 적어도 p패드 전극(2Aa)과 n패드 전극(2Ba)이 동일면측에 있으면 되며, 연신 도전부(2Ab, 2Bb)를 설치하지 않아도 된다. 또한, 도시는 생략했지만, 발광 소자(2)는 측면에서 보면, n형 반도체층 및 p형 반도체층으로 이루어지는 복수의 반도체층이 적층된 구조를 갖고 있다.
발광 소자(2)로서는, 구체적으로는 발광 다이오드를 사용하는 것이 바람직하고, 용도에 따라서 임의의 파장을 선택할 수 있다. 예를 들어, 청색(파장 430nm 내지 490nm의 광), 녹색(파장 490nm 내지 570nm의 광)의 발광 소자(2)로서는 ZnSe, 질화물계 반도체(InXAlYGa1 -X- YN, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1), GaP 등을 사용할 수 있다. 또한, 적색(파장 620nm 내지 750nm의 광)의 발광 소자(2)로서는 GaAlAs, AlInGaP 등을 사용할 수 있다.
또한, 후술하는 바와 같이, 밀봉 부재(7)(도 1 참조)에 형광 물질을 도입하는 경우에는, 그 형광 물질을 효율적으로 여기할 수 있는 단파장의 발광이 가능한 질화물 반도체(InXAlYGa1 -X- YN, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)를 사용하는 것이 바람직하다. 단, 발광 소자(2)의 성분 조성이나 발광색, 사이즈 등은 상기에 한정되지 않고, 목적으로 따라서 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 발광 소자(2)는 가시광 영역의 광뿐만 아니라, 자외선이나 적외선을 출력하는 소자로 구성할 수도 있다. 또한, 고출력화를 위해서는, 발광 소자(2)의 개수는, 예를 들어 10개 이상, 20 내지 150개 정도로 한다.
발광 소자(2)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 실장 영역(1a) 상에 있어서, 종방향 및 횡방향에 각각 등간격으로 배열되어 있고, 여기에서는 세로 8개×가로 5개의 합계 40개가 배치되어 있다. 또한, 발광 소자(2)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 실장 영역(1a)에 대하여 횡방향 및 종방향에 인접하는 발광 소자(2)끼리가 도전성의 와이어(W)에 의해 전기적으로 접속되어, 직렬 접속 및 병렬 접속되어 있다. 또한, 여기에서의 직렬 접속이란, 도 2에 도시한 바와 같이, 인접하는 발광 소자(2)에 있어서의 p전극(2A)과 n전극(2B)이 와이어(W)에 의해 전기적으로 접속된 상태를 의미하고 있다. 또한, 여기서의 병렬 접속이란, 도 2에 도시한 바와 같이, 인접하는 발광 소자(2)에 있어서의 p전극(2A)끼리 또는 n전극(2B)끼리가 와이어(W)에 의해 전기적으로 접속된 상태를 의미하고 있다.
발광 소자(2)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 정극(3)의 배선부(3b)과 중계 배선부(8)의 사이에 있어서는, 복수의 발광 소자(2)의 p전극(2A)이 실장 영역(1a)의 일방향인 좌측을 향하도록, 혹은, 복수의 발광 소자(2)의 n전극(2B)이 실장 영역(1a)의 타방향인 우측을 향하도록 배열되어 있다.
또한, 발광 소자(2)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 부극(4)의 배선부(4b)과 중계 배선부(8)의 사이에 있어서는, 복수의 발광 소자(2)의 p전극(2A)이 실장 영역(1a)의 타방향인 우측을 향하도록, 또한, 복수의 발광 소자(2)의 n전극(2B)이 실장 영역(1a)의 일방향인 좌측을 향하도록 배열되어 있다. 즉, 발광 소자(2)는, 도 2를 평면에서 본 경우에 있어서, 중계 배선부(8)를 경계로 방향이 반전하도록 배치되어 있다.
실시 형태에 관한 발광 장치(100)에 있어서는, 이와 같이 실장 영역(1a)의 주위에 중계 배선부(8)를 형성하고, 또한, 그 중계 배선부(8)를 경계로 방향이 반전하도록 발광 소자(2)를 배치함으로써, 발광 소자(2)끼리를 접속하는 배선이 복잡해지지 않고, 실장 영역(1a)의 한정된 면적 내에서 직렬 접속 및 병렬 접속되는 발광 소자(2)의 수를 증가시킬 수 있다. 또한, 실장 영역(1a)이 한정된 면적 내에서 복수의 발광 소자(2)를 조밀하게 배치할 수 있고, 일정한 휘도에 대하여 소비 전력이 향상된 발광 장치(100)를, 또는 일정한 소비 전력에 대하여 발광 효율이 향상된 발광 장치(100)를 얻을 수 있다. 또한, 실시 형태에 관한 발광 장치(100)에 있어서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 발광 소자(2)가 4개 병렬 접속되는 동시에, 그 병렬 접속이 10열분 직렬 접속되어 있다.
<금속 부재(정극 및 부극)>
금속 부재(40)는 정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 것이며, 기판(1) 상의 복수의 발광 소자(2)나 보호 소자(5) 등의 전자 부품과, 외부 전원을 전기적으로 접속하고, 이들의 전자 부품에 대하여 외부 전원으로부터의 전압을 인가하기 위한 것이다. 즉, 금속 부재(40)(정극(3) 및 부극(4))는 외부로부터 통전시키기 위한 전극, 또는 그 일부로서의 역할을 담당하는 것이다.
정극(3) 및 부극(4)은, 도 2에 도시한 바와 같이 대략 직사각 형상의 패드부(급전부)(3a, 4a)와, 선 형상의 배선부(3b, 4b)를 갖고 있고, 패드부(3a, 4a)에 인가된 전압이 배선부(3b, 4b)를 통해 발광부(20)를 구성하는 복수의 발광 소자(2)에 인가되도록 구성되어 있다. 또한, 부극(4)의 배선부(4b)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 캐소드인 것을 나타내는 캐소드 마크(CM)가 형성되어 있다.
패드부(3a, 4a)는 외부 전원으로부터의 전압이 인가되기 위한 것이다. 패드부(3a, 4a)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상의 코너부에서의 대각선 위치에 한 쌍으로 형성되어 있다. 그리고, 패드부(3a, 4a)는 도전성의 와이어에 의해 도시하지 않은 외부 전원과 전기적으로 접속되어 있다.
배선부(3b, 4b)는 외부 전원으로부터 패드부(3a, 4a)에 인가된 전압을 실장 영역(1a) 상의 발광 소자(2)에 전달하기 위한 것이다. 배선부(3b, 4b)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 패드부(3a, 4a)로부터 연장하도록 형성되는 동시에, 실장 영역(1a)의 주위에 대략 L자 형상으로 형성되어 있다.
배선부(3b)의 일단부와 배선부(4b)의 일단부는, 도 2에 도시한 바와 같이, 실장 영역(1a)을 따라 주위에서 서로 인접하도록 형성되어 있다. 이와 같이, 정극(3) 및 부극(4)의 배선부(3b, 4b)를 실장 영역(1a)의 주위에 형성하고, 또한, 그 일단부를 인접시켜서 형성함으로써, 발광 장치(100)와 같이 복수의 발광 소자(2)를 기판(1) 상에 배치한 경우라도, 후술하는 보호 소자(5)를 적절한 위치에 배치할 수 있다. 따라서, 정부 양 전극간의 전압이 제너 전압 이상이 되는 것을 방지할 수 있고, 과대한 전압이 인가됨으로 인한 발광 소자(2)의 소자 파괴나 성능 열화의 발생을 적절하게 방지할 수 있다.
또한, 금속 부재(40)는 기판(1)의 상면에 형성되는 동시에, 실장 영역(1a) 측에 기판(1)의 주연으로부터 이격하여 형성되어 있다. 즉, 실장 영역(1a) 측에 기판(1)의 주연으로부터 약간 이격하여 설치되어 있다. 금속 부재(40)를 기판(1)의 상면, 또한 기판(1)의 주연으로부터 이격하여 설치함으로써, 기판(1)의 측면 및 이면으로부터 정극(3) 및 부극(4)을 이격할 수 있고, 발광 장치(100)를 구동시켰을 때에 연면 방전에 의한 단락을 방지할 수 있다.
배선부(3b, 4b)는 보다 구체적으로는, 도 2에 도시하는 대략 직사각 형상의 실장 영역(1a)의 1변의 범위 내에서 그 일단부가 서로 인접하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 실장 영역(1a)의 1변의 범위 내에서 인접하도록 배선부(3b, 4b)를 형성함으로써, 배선부(3b, 4b)와 발광 소자(2)를 전기적으로 접속하기 위한 와이어(W)의 설치 면적을 확보할 수 있다. 그 때문에, 배선부(3b, 4b)와 접속하는 발광 소자(2)의 수, 즉 직렬 접속 및 병렬 접속의 시점 및 종점이 되는 발광 소자(2)의 수를 늘릴 수 있고, 실장 영역(1a) 상에서의 발광 소자(2)의 직렬 접속 및 병렬 접속의 열 수를 증가시킬 수 있다. 그리고, 이와 같이 직렬 접속 및 병렬 접속의 열 수를 증가시킴으로써, 실장 영역(1a)이 한정된 면적 내에서 복수의 발광 소자(2)를 조밀하게 배치할 수 있고, 일정한 휘도에 대하여 소비 전력이 향상된 발광 장치(100)를, 또는 일정한 소비 전력에 대하여 발광 효율이 향상된 발광 장치(100)를 얻을 수 있다.
또한, 배선부(3b, 4b)는, 도 2에 도시하는 대략 직사각 형상의 실장 영역(1a)의 1변의 범위 내에서의 중간 지점에 있어서, 그 일단부가 서로 인접하도록 형성되는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 도 2에 도시한 바와 같이, 배선부(3b) 및 중계 배선부(8) 사이에서의 직렬 접속의 열 수와, 배선부(4b)와 중계 배선부(8) 사이에서의 직렬 접속의 열 수를 정렬시킬 수 있으므로, 실장 영역(1a)이 한정된 면적 내에서 복수의 발광 소자(2)를 조밀하게 배치할 수 있고, 일정한 휘도에 대하여 소비 전력이 향상된 발광 장치(100)를, 또는 일정한 소비 전력에 대하여 발광 효율이 향상된 발광 장치(100)를 얻을 수 있다.
정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 금속 부재(40)의 소재는 Au를 사용하는 것이 바람직하다. 이것은, 후술하는 바와 같이, 와이어(W)의 재료로서 열전도성이 향상된 Au를 사용한 경우에, 동일한 소재인 와이어(W)를 견고하게 접합할 수 있기 때문이다.
정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 금속 부재(40)의 형성 방법으로서는 무전해 도금으로 형성한다. 또한, 정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 금속 부재(40)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 와이어(W)의 수 등, 목적 및 용도에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
여기서, 배선부(3b, 4b)의 일부는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 후술하는 광 반사 수지(6)에 의해 덮어져 있다. 그 때문에, 배선부(3b, 4b)를 상기한 바와 같이 광을 흡수하기 쉬운 Au로 형성한 경우라도, 발광 소자(2)로부터 출사된 광이 배선부(3b, 4b)에는 도달하지 않고 광 반사 수지(6)에 의해 반사된다. 따라서, 출사광의 로스를 경감시킬 수 있고, 발광 장치(100)의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 배선부(3b, 4b)의 일부를 광 반사 수지(6)에 의해 덮음으로써 그 와이어(W)를 진개, 수분, 외력 등으로부터 보호할 수 있다. 또한, 여기에서의 배선부(3b, 4b)의 일부란, 도 2에 도시한 바와 같이, 배선부(3b, 4b) 중에서 실장 영역(1a)의 주위이며, 실장 영역(1a)의 변을 따라 형성된 부분을 의미하고 있다.
<도금용 배선>
도금용 배선(31)은 전해 도금에 의해 금속막(30)을 형성하기 위한 것이고, 그 일단부가 금속막(30)에 접속되는 동시에, 타단부가 기판(1)의 측면까지 연장 설치되어 있다.
이에 의해, 기판(1)의 측면으로부터 외부의 전류원과 접속할 수 있고, 도금용 배선(31)에 전류를 흐르게 함으로써 전해 도금을 할 수 있다. 도금용 배선(31)의 재료는 도전성이 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 W, Ag을 사용할 수 있다.
여기서, 도 5에 도시한 바와 같이, 도금용 배선(31)은 기판(1)의 내부에 설치되고, 기판(1)에 형성된 스루홀(SH)를 통해 금속막(30)과 도통되어 있다(도 2 참조). 도금용 배선(31)을 기판(1)의 내부에 배치함으로써, 기판(1) 상의 금속 부재(40)의 배치에 제한되지 않고, 도금용 배선(31)을 기판(1)의 측면으로 연장시킬 수 있다. 또한, 절연 부재인 기판(1)보다 열전도율이 높은 도금용 배선(31)을 기판(1)의 내부에 배치함으로써 방열성을 향상시킬 수 있다. 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 도금용 배선(31)과 금속막(30)의 접속은 스루홀(SH) 내에 도전성 부재(32)를 충전함으로써 행하면 된다. 또한, 도 5(b)에서는, 편의상, 파선부만 도전성 부재(32)를 도시하고 있다. 도전성 부재(32)로서는 W, Ag 등을 사용할 수 있다. 도전성 부재(32)는 도금용 배선(31)과 동일 재료로 일체적으로 형성해도 된다. 또한, 도금용 배선(31)의 폭과 스루홀(SH)의 폭은, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이 동일하게 해도 되지만, 스루홀(SH)의 폭을 도금용 배선(31)의 폭보다 좁게 해도 된다.
여기서, 측면으로부터 노출이란, 도 5에 도시한 바와 같이, 도금용 배선(31)의 단면이 기판(1)의 측면과 평행해지도록 단면만이 노출되어 있는 것이나, 도금용 배선(31)이 기판(1)의 측면으로부터 기판(1)의 내측(실장 영역(1a) 측)에 약간(예를 들어 1 내지 8μm정도) 인입된 위치에서 노출되어 있는 것이나, 도금용 배선(31)의 일부가 기판(1)의 측면으로부터 노출되어 있는 것을 말한다. 이 중에서도 특히 도금용 배선(31)은 그 일부가 기판(1)의 측면으로부터 노출되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어 기판(1)의 측면과 동일 평면에 도금용 배선(31)의 단부를 배치한다. 이에 의해, 도금용 배선(31)의 측면도 외기에 노출되므로, 방열성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 단락 방지의 관점에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 도금용 배선(31)을 절연 부재인 기판(1)의 내부에 설치하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기판(1)의 이면을 금속체에 적재한 경우, 금속체와 도금용 배선(31)이 접촉하지 않으므로, 도금용 배선(31)을 거친 단락을 방지할 수 있다.
또한, 기판(1)을 한쪽이 대향하는 한 쌍의 변과, 다른 쪽이 대향하는 한 쌍의 변을 갖는 소정 형상으로 형성하고, 정극(3)의 패드부(3a)와 부극(4)의 패드부(4a)를 상기 한쪽이 대향하는 변을 따라 형성하고, 또한, 도금용 배선(31)을 상기 다른 쪽이 대향하는 변을 향해서 연장 설치시키는 것이 바람직하다. 즉, 도 2에 도시한 바와 같이, 예를 들어, 기판(1)을 직사각형으로 형성하고, 패드부(3a, 4a)를 그 길이 방향이 기판(1)의 한쪽에 대향하는 한 쌍의 변에 따르도록(평행해지도록) 대략 직사각형 형상으로 형성한다. 또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 도금용 배선(31)을 이 변과 직각이 되는 다른 쪽에 대향하는 한 쌍의 변을 향해서 연장 설치시키는, 즉 패드부(3a, 4a)의 길이 방향을 따르도록(평행해지도록) 형성한다.
또한, 평면에서 보아, 정극(3)의 패드부(3a)와 부극(4)의 패드부(4a)가 도금용 배선(31)과 중복하지 않도록 이들의 배치를 행하는 것이 바람직하다. 즉, 발광 장치(100)를 상면에서 본 경우에, 패드부(3a, 4a)와 도금용 배선(31)이 횡방향으로 어긋난 위치에 형성하는 것이 바람직하다.
이들의 구성으로 함으로써, 발광 장치(100)를 구동했을 때, 도금용 배선(31)을 중계점으로 패드부(3a, 4a)에 방전되지 않고, 그 때문에 이 방전에 의한 단락을 방지할 수 있다.
<보호 소자>
보호 소자(5)는 복수의 발광 소자(2)로 이루어지는 발광부(20)를 과대한 전압 인가에 의한 소자 파괴나 성능 열화로부터 보호하기 위한 소자이다. 보호 소자(5)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 정극(3)의 배선부(3b)의 일단부에 배치된다. 단, 보호 소자(5)는 부극(4)의 배선부(4b)의 일단부에 배치되어도 된다.
보호 소자(5)는 구체적으로는 규정 전압 이상의 전압이 인가되면 통전 상태가 되는 제너 다이오드(Zener Diode)로 구성된다. 보호 소자(5)는 도시는 생략했지만, 상기한 발광 소자(2)와 마찬가지로 p전극과 n전극을 갖는 반도체 소자이며, 발광 소자(2)의 p전극(2A)과 n전극(2B)에 대하여 역병렬이 되도록 와이어(W)에 의해 부극(4)의 배선부(4b)와 전기적으로 접속된다.
이에 의해, 정극(3)과 부극(4)의 사이에 과대한 전압이 인가되어 그 전압이 제너 다이오드의 제너 전압을 초과했다고 한들, 발광 소자(2)의 정부 양 전극간이 제너 전압으로 보유 지지되고, 이 제너 전압 이상이 되는 경우가 없다. 따라서, 보호 소자(5)를 구비함으로써, 정부 양 전극간의 전압이 제너 전압 이상이 되는 것을 방지할 수 있고, 과대한 전압이 인가됨으로 인한 발광 소자(2)의 소자 파괴나 성능 열화의 발생을 적절하게 방지할 수 있다.
보호 소자(5)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 후술하는 광 반사 수지(6)에 의해 덮어져 있다. 따라서, 보호 소자(5) 및 보호 소자(5)에 접속되는 와이어(W)가 진개, 수분, 외력 등으로부터 보호된다. 또한, 보호 소자(5)의 사이즈는 특별히 한정되지 않고, 목적 및 용도에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
<광 반사 수지>
광 반사 수지(6)는 발광 소자(2)로부터 출사된 광을 반사시키기 위한 것이다. 광 반사 수지(6)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 배선부(3b, 4b)의 일부, 중계 배선부(8), 보호 소자(5) 및 이들에 접속되는 와이어(W)를 덮도록 형성된다. 그 때문에, 배선부(3b, 4b), 중계 배선부(8) 및 와이어(W)를 상기 혹은 후술하는 바와 같이 광을 흡수하기 쉬운 Au로 형성한 경우라도, 발광 소자(2)로부터 출사된 광이 배선부(3b, 4b), 중계 배선부(8) 및 와이어(W)에는 도달하지 않고 광 반사 수지(6)에 의해 반사된다. 따라서, 출사광의 로스를 경감시킬 수 있고, 발광 장치(100)의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 배선부(3b, 4b)의 일부, 중계 배선부(8), 보호 소자(5) 및 이들에 접속되는 와이어(W)를 광 반사 수지(6)에 의해 덮음으로써, 이들의 부재를 진개, 수분, 외력 등으로부터 보호할 수 있다.
광 반사 수지(6)는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에서 발광부(20)가 형성된 실장 영역(1a)을 둘러싸도록, 즉 실장 영역(1a)의 주연을 따라 사각 프레임 형상으로 형성된다. 이와 같이 실장 영역(1a)의 주위를 둘러싸도록 광 반사 수지(6)를 형성함으로써, 예를 들어 도 4의 좌우 양측에 배치된 발광 소자(2)로부터 출사된 광과 같이, 기판(1)의 실장 영역(1a)의 주위에 향하는 광도 광 반사 수지(6)에 의해 반사시킬 수 있다. 따라서, 출사광의 로스를 경감시킬 수 있고, 발광 장치(100)의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 광 반사 수지(6)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 실장 영역(1a)의 주연의 일부를 덮도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 실장 영역(1a)의 주연의 일부를 덮도록 광 반사 수지(6)를 형성함으로써, 배선부(3b, 4b)와 실장 영역(1a) 상의 금속막(30)의 사이에 기판이 노출된 영역이 형성되는 경우가 없어진다. 따라서, 발광 소자(2)로부터 출사된 광을 광 반사 수지(6)가 형성된 내부의 영역에서 모두 반사시킬 수 있으므로, 출사광의 로스를 최대한 경감시킬 수 있고, 발광 장치(100)의 광의 취출 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
광 반사 수지(6)의 재료로서는 절연 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 어느 정도의 강도를 확보하기 위해서, 예를 들어 열경화성 수지, 열가소성 수지 등을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는 페놀 수지, 에폭시 수지, BT레진이나 PPA나 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 모체가 되는 수지에 발광 소자(2)로부터의 광을 흡수하기 어렵고, 또한 모체가 되는 수지에 대한 굴절률차가 큰 반사 부재(예를 들어 TiO2, Al2O3, ZrO2, MgO) 등의 분말을 분산함으로써 효율적으로 광을 반사시킬 수 있다. 또한, 광 반사 수지(6)의 사이즈는 특별히 한정되지 않고, 목적 및 용도에 따라서 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 광 반사 수지(6)의 위치에 수지와 상이한 재료로 이루어지는 광 반사 부재를 형성할 수도 있다.
<밀봉 부재>
밀봉 부재(7)는 기판(1)에 배치된 발광 소자(2), 보호 소자(5), 금속막(30) 및 와이어(W) 등을 진개, 수분, 외력 등으로부터 보호하기 위한 부재이다. 밀봉 부재(7)는, 도 1, 도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 있어서 광 반사 수지(6)의 내측, 즉 광 반사 수지(6)로 둘러싼 실장 영역(1a) 내에 수지를 충전함으로써 형성된다.
밀봉 부재(7)의 재료로서는 발광 소자(2)로부터의 광을 투과 가능한 투광성을 갖는 것이 바람직하다. 구체적인 재료로서는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 요소 수지 등을 들 수 있다. 또한, 이와 같은 재료에 보태어 희망에 따라서 착색제, 광 확산제, 필러, 형광 부재 등을 함유시킬 수도 있다.
또한, 밀봉 부재(7)는 단일 부재로 형성할 수도 있고, 혹은 2층 이상의 복수의 층으로서 형성할 수도 있다. 또한, 밀봉 부재(7)의 충전량은 광 반사 수지(6)로 둘러싼 실장 영역(1a) 내에 배치되는 발광 소자(2), 보호 소자(5), 금속막(30) 및 와이어(W) 등이 피복되는 양이면 된다. 또한, 밀봉 부재(7)에 렌즈 기능을 갖게 하는 경우에는, 밀봉 부재(7)의 표면을 부풀어오르게 하여 포탄형 형상이나 볼록 렌즈 형상으로 해도 된다.
<형광 부재>
밀봉 부재(7) 중에, 파장 변환 부재로서 발광 소자(2)로부터의 광의 적어도 일부를 흡수해서 상이한 파장을 갖는 광을 발하는 형광 부재를 함유시킬 수도 있다. 형광 부재로서는 발광 소자(2)로부터의 광을 보다 장파장으로 변환시키는 것이 바람직하다. 또한, 형광 부재는 1종의 형광 물질 등을 단층으로 형성해도 되고, 2종 이상의 형광 물질 등이 혼합된 것을 단층으로 형성해도 된다. 혹은, 1종의 형광 물질 등을 함유하는 단층을 2층 이상 적층시켜도 되고, 2종 이상의 형광 물질 등이 각각 혼합된 단층을 2층 이상 적층시켜도 된다. 형광 부재의 구체적인 재료로서는, 예를 들어 이트륨, 알루미늄 및 가닛을 혼합한 YAG계 형광체, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소로 주로 부활되는 질화물계 형광체, 산 질화물계 형광체를 사용할 수 있다.
<중계 배선부>
중계 배선부(8)는 정극(3)과 부극(4)의 사이에서의 배선을 중계하기 위한 것이다. 중계 배선부(8)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상의 금속 부재로 구성되어 있다. 중계 배선부(8)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 실장 영역(1a)의 주위에 있어서, 그 실장 영역(1a)의 1변을 따라 직선 형상으로 형성되어 있다.
중계 배선부(8)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 광 반사 수지(6)에 의해 덮어져 있다. 그 때문에, 후술하는 바와 같이, 중계 배선부(8)를 구성하는 금속 부재로서 광을 흡수하기 쉬운 Au를 사용한 경우라도, 발광 소자(2)로부터 출사된 광은 중계 배선부(8)에는 도달하지 않고 광 반사 수지(6)에 의해 반사된다. 따라서, 출사광의 로스를 경감시킬 수 있고, 발광 장치(100)의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 중계 배선부(8)를 광 반사 수지(6)에 의해 덮음으로써, 그 중계 배선부(8)를 진개, 수분, 외력 등으로부터 보호할 수 있다.
중계 배선부(8)를 구성하는 금속 부재의 소재는 정극(3) 및 부극(4)과 마찬가지로 Au를 사용하는 것이 바람직하다. 이것은, 후술하는 바와 같이, 와이어(W)의 재료로서 열전도성이 향상된 Au를 사용한 경우에, 동일한 소재인 와이어(W)를 견고하게 접합할 수 있기 때문이다.
중계 배선부(8)를 구성하는 금속 부재의 형성 방법으로서는 정극(3) 및 부극(4)과 마찬가지로 무전해 도금으로 형성한다. 또한, 중계 배선부(8)를 구성하는 금속 부재의 두께는 특별히 한정되지 않고, 와이어(W)의 수 등, 목적 및 용도에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
실시 형태에 관한 발광 장치(100)에 있어서는, 이와 같이 실장 영역(1a)의 주위에 중계 배선부(8)를 형성하고, 또한, 그 중계 배선부(8)를 경계로 방향이 반전되도록 발광 소자(2)를 배치함으로써, 발광 소자(2)끼리를 접속하는 배선이 복잡해지지 않고, 실장 영역(1a)이 한정된 면적 내에서 직렬 접속 및 병렬 접속되는 발광 소자(2)의 수를 증가시킬 수 있다. 또한, 실장 영역(1a)이 한정된 면적 내에서 복수의 발광 소자(2)를 조밀하게 배치할 수 있고, 일정한 휘도에 대하여 소비 전력이 향상된 발광 장치(100)를, 또는 일정한 소비 전력에 대하여 발광 효율이 향상된 발광 장치(100)를 얻을 수 있다.
<와이어>
와이어(W)는 발광 소자(2)나 보호 소자(5) 등의 전자 부품과, 정극(3), 부극(4) 및 중계 배선부(8) 등을 전기적으로 접속하기 위한 도전성의 배선이다. 와이어(W)의 재료로서는 Au, Cu(구리), Pt(백금), Al(알루미늄) 등의 금속, 및, 그들의 합금을 사용한 것을 들 수 있지만, 특히 열전도율 등이 우수한 Au를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 와이어(W)의 직경은 특별히 한정되지 않고, 목적 및 용도에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
여기서, 와이어(W)와, 정극(3), 부극(4) 및 중계 배선부(8)의 접속 부분은, 도 2에 도시한 바와 같이, 광 반사 수지(6)에 의해 덮어져 있다. 그 때문에, 상기한 바와 같이, 와이어(W)를 구성하는 재료로서 광을 흡수하기 쉬운 Au를 사용한 경우라도, 발광 소자(2)로부터 출사된 광은 와이어(W)에는 흡수되지 않고 광 반사 수지(6)에 의해 반사된다. 따라서, 출사광의 로스를 경감시킬 수 있고, 발광 장치(100)의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 와이어(W)와, 정극(3), 부극(4) 및 중계 배선부(8)의 접속 부분을 광 반사 수지(6)에 의해 덮음으로써, 그 와이어(W)를 진개, 수분, 외력 등으로부터 보호할 수 있다. 또한, 발광 장치(100)로부터 취출되는 광이란, 도 1 또는 도 4에 도시된 바와 같이, 광 반사 수지(6)에 둘러싸인 밀봉 부재(7)의 표면으로부터 취출되는 광이다. 즉 발광 장치(100)로 보아 밀봉 부재(7)의 표면이 발광면이 된다.
[발광 장치의 동작]
이상 설명한 발광 장치(100)에 따르면, 발광 장치(100)를 구동했을 때에, 발광 소자(2)로부터 모든 방향으로 진행하는 광 중, 상방으로 진행하는 광은 발광 장치(100)의 상방의 외부에 취출된다. 또한, 하방이나 횡방향 등으로 진행하는 광은 기판(1)의 실장 영역(1a)에 있어서의 저면이나 측면에서 반사되어 발광 장치(100)의 상방으로 취출되게 된다. 이 때, 기판(1)의 저면, 즉 실장 영역(1a)에는 금속막(30)이 피복되고, 실장 영역(1a)의 주위에는 광 반사 수지(6)가 형성되어 있기 때문에, 이 부위에 의한 광의 흡수가 억제되는 동시에, 금속막(30)이나 광 반사 수지(6)에 의해 광이 반사된다. 이에 의해, 발광 소자(2)로부터의 광이 효율적으로 취출된다.
≪발광 장치의 제조 방법≫
다음에, 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 대해서, 여기에서는 도 1 내지 5의 형태의 것을 예로 들어 적절하게 도면을 참조하면서 설명한다.
본 발명에 관한 발광 장치(100)의 제조 방법은 기판 제작 공정과 도금 공정과 다이본딩 공정과 와이어 본딩 공정을 포함한다. 또한, 와이어 본딩 공정의 후에 광 반사 수지 형성 공정, 밀봉 부재 충전 공정을 포함해도 된다. 또한 여기에서는 보호 소자 접합 공정을 포함한다.
이하, 각 공정에 대해서 설명한다. 또한, 발광 장치의 구성에 대해서는 상기 설명한 대로이므로, 여기에서는 적절하게 설명을 생략한다.
<기판 제작 공정>
기판 제작 공정은 도금용 배선(31)이 형성된 기판(1)을 제작하는 공정이다.
기판 제작 공정에서는, 기판(1) 상의 실장 영역(1a)이나 정극(3) 및 부극(4)이 되는 부위를 소정의 형상으로 패터닝함으로써 형성한다. 또한, 기판 제작 공정에서는, 전해 도금에 의해 기판(1) 상의 실장 영역(1a)에 금속막(30)을 형성하기 위한 도금용 배선(31)을 형성한다. 도금용 배선(31)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 내부, 즉, 하부 기판(1B)의 상면에 인쇄 등의 방법으로 형성할 수 있다.
또한, 실장 영역(1a)이나 정극(3) 및 부극(4)이 되는 부위 등, 도금이 실시되는 부위에는 미리 하지층으로서 전해 도금, 무전해 도금, 스퍼터링 등의 방법으로 Ni막을 형성한다. 그리고 도금 공정에 있어서는, 이 Ni 하지층 상에 도금이 실시된다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1)에는 내부의 도금용 배선(31)과 금속막(30)을 전기적으로 접속하기 위한 스루홀(SH)을 형성한다. 또한, 스루홀(SH) 내에는 W가 충전되고, 도금용 배선(31)과 접속된 후, 금속막(30)에 의해 피복된다. 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 상부 기판(1A)과 하부 기판(1B)을 포개서 1개의 기판(1)으로 한다.
<도금 공정>
도금 공정은, 도금용 배선(31)이 형성된 기판(1) 상에 무전해 도금에 의해 정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 금속 부재(40)를 형성하는 동시에, 기판(1) 상의 실장 영역(1a)에 전해 도금에 의해 금속막(30)을 형성하는 공정이다. 또한, 중계 배선부(8)를 설치할 경우, 정극(3) 및 부극(4)과 동일한 공정으로 금속 부재가 형성된다.
여기서, 무전해 도금에 의한 금속 부재(40)의 형성 및 전해 도금에 의한 금속막(30)의 형성의 순서는 묻지 않지만, 우선, 무전해 도금에 의해 정극(3) 및 부극(4)을 구성하는 금속 부재(40)를 형성하는 동시에 실장 영역(1a)에도 금속 부재(40)를 형성하고, 그 후, 실장 영역(1a)의 금속 부재(40) 상에 전해 도금에 의해 금속막(30)을 형성하는 것이 바람직하다.
먼저 전해 도금에 의해 금속막(30)을 형성하면, 그 후에 무전해 도금에 의해 금속 부재(40)를 형성한 경우에, 금속막(30)이 금속 부재(40)에 의해 피복되는 것을 방지하므로, 마스크 등을 사용할 필요가 있다. 그 때문에, 제조 공정이 복잡해지기 때문이다. 한편, 무전해 도금에 의해 금속 부재(40)를 형성한 후, 전해 도금에 의해 금속막(30)을 형성하면, 실장 영역(1a)의 금속 부재(40) 상에 금속막(30)이 형성되므로, 마스크 등을 사용할 필요가 없다. 또한, 금속 부재(40)를 개재하여 금속막(30)을 설치하므로, 금속막(30)의 평탄성이 향상되고, 발광 소자(2)로부터의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
무전해 도금, 전해 도금의 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래에 공지된 방법으로 행하면 된다.
<다이본딩 공정>
다이본딩 공정은 금속막(30) 상에 발광 소자(2)를 적재하는 공정이다. 다이본딩 공정은 발광 소자 적재 공정과 가열 공정으로 이루어진다.
[발광 소자 적재 공정]
발광 소자 적재 공정은, 기판(1) 상(금속막(30) 상)에 접합 부재(도시 생략)를 개재하여 발광 소자(2)를 적재하는 공정이다.
발광 소자(2)는 접합 부재에 의해 기판(1) 상의 금속막(30)과 접합된다. 또한, 발광 소자(2)의 이면에는 미리 플럭스를 도포해 두어도 된다. 여기서, 접합 부재는 금속막(30)과 발광 소자(2)의 사이에 개재하도록 설치하면 되므로, 금속막(30) 중에 발광 소자(2)를 적재하는 영역에 설치해도 되고, 발광 소자(2)측에 설치해도 된다. 혹은, 그 양쪽에 설치해도 된다.
액상 또는 페이스트 형상의 접합 부재를 금속막(30) 상에 설치할 경우, 점도 등에 따라서 포팅법, 인쇄법, 전사법 등의 방법으로부터 적절하게 선택할 수 있다. 그리고, 접합 부재를 설치한 개소에 발광 소자(2)를 적재한다. 또한, 고체 상태의 접합 부재를 사용할 경우도, 고체 상태의 접합 부재를 적재한 후, 액상 또는 페이스트 형상의 접합 부재를 사용하는 경우와 동일한 요령으로 금속막(30) 상에 발광 소자(2)를 적재할 수 있다. 또한, 고체 상태나 페이스트 형상의 접합 부재는, 가열 등에 의해 한번 용융시킴으로써 발광 소자(2)를 금속막(30) 상의 원하는 위치에 고정시켜도 된다.
[가열 공정]
가열 공정은, 발광 소자(2)을 적재한 후에 접합 부재를 가열하여 발광 소자(2)를 기판(1) 상(금속막(30) 상)에 접합하는 공정이다.
접합 부재는 절연성 부재이여도 되고, 가열 공정에서의 가열은 접합 부재의 적어도 일부가 휘발되는 온도보다도 높은 온도에서 행한다. 또한, 접합 부재가 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 열경화성 수지의 경화가 일어나는 온도 이상으로 가열하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써 발광 소자(2)를 열경화성 수지로 접착 고정할 수 있다. 또한, 접합 부재로서, 예를 들어 로진을 함유하는 수지 조성물과, 저융점의 금속을 사용한 경우에 있어서, 금속막(30) 상에 이 저융점의 금속이 적재되어 있는 경우, 이 저융점의 금속이 용융하는 온도 이상으로 가열하는 것이 바람직하다.
또한, 가열 공정에 있어서, 상기 가열에 계속하여 또한 세정 공정을 행할 수 있다.
예를 들어, 접합 부재에 수지 조성물을 사용한 경우, 가열에 의해 수지 조성물의 일부를 휘발에 의해 소실시킨 후에 잔류한 수지 조성물을 또한 세정 등에 의해 제거해도 된다(잔류 접합 부재 세정 공정). 특히, 수지 조성물이 로진 함유인 경우에는 가열 후에 세정하는 것이 바람직하다. 세정액으로서는 글리콜 에테르계 유기 용제 등을 사용하는 것이 바람직하다.
<보호 소자 접합 공정>
보호 소자 접합 공정은 정극(3)의 배선부(3b) 상에 보호 소자(5)를 적재해서 접합하는 공정이다.
보호 소자(5)의 접합은 발광 소자(2)의 접합과 동시에 행해도 되지만, 발광 소자(2)의 접합보다도 먼저, 혹은 이후에 행해도 된다. 보호 소자(5)를 적재, 접합하는 방법은 상기 다이본딩 공정과 마찬가지이므로, 여기서는 설명을 생략한다.
<와이어 본딩 공정>
와이어 본딩 공정은, 다이본딩 공정의 후에 금속 부재(40)의 정극(3)과 발광 소자(2) 상부에 있는 전극 단자(패드 전극)를 와이어(W)로 전기적으로 접속하는 공정이다. 동일하게, 발광 소자(2) 상부에 있는 전극 단자(패드 전극)와 금속 부재(40)의 부극(4)을 와이어(W)로 전기적으로 접속하는 공정이다. 또한, 이 공정에서는 복수의 발광 소자(2)를 각각 전극 단자(패드 전극)를 개재하여 접속한다. 또한, 보호 소자(5)와 부극(4)의 전기적인 접속도 이 공정에서 행하면 된다. 즉, 보호 소자(5) 상부에 있는 전극 단자와 부극(4)을 와이어(W)로 접속한다. 와이어(W)의 접속 방법은 특별히 한정되지 않고, 통상 사용되는 방법으로 행하면 된다.
<광 반사 수지 형성 공정>
광 반사 수지 형성 공정은, 와이어 본딩 공정의 후에 실장 영역(1a)의 주연을 따라 적어도 정극(3) 및 부극(4)의 배선부(3b, 4b)를 덮도록 광 반사 수지(6)를 형성하는 공정이다.
광 반사 수지(6)의 형성은, 예를 들어, 고정된 기판(1)의 상측에 있어서, 기판(1)에 대하여 상하 방향 혹은 수평 방향 등으로 이동(가동)시킬 수 있는 수지 토출 장치(도시 생략)를 사용해서 행할 수 있다(일본 특허 출원 공개 제2009-182307호 공보 참조).
즉, 수지가 충전된 수지 토출 장치를 그 선단의 노즐로부터 액체 수지를 토출하면서 이동시킴으로써, 발광 소자(2)의 근방에 광 반사 수지(6)을 형성해 간다. 수지 토출 장치의 이동 속도는 사용하는 수지의 점도나 온도 등에 따라서 적절하게 조정할 수 있다. 형성된 복수의 광 반사 수지(6)가 각각 거의 같은 폭이 되도록 하기 위해서는, 적어도 수지를 토출중에는 일정한 속도로 이동시키는 것이 바람직하다. 이동중에 수지의 토출을 일시 중단할 경우 등은, 그 사이의 이동 속도는 변경할 수도 있다. 수지의 토출량에 대해서도 일정하게 하는 것이 바람직하다. 또한, 수지 토출 장치의 이동 속도와 수지의 토출량 모두 일정하게 하는 것이 바람직하다. 토출량의 조정은 토출 시에 걸리는 압력 등을 일정하게 하는 등에 의해 조정할 수 있다.
<밀봉 부재 충전 공정>
밀봉 부재 충전 공정은, 광 반사 수지(6)의 내측에 발광 소자(2)와 금속막(30)을 피복하는 투광성의 밀봉 부재(7)를 충전하는 공정이다.
즉, 발광 소자(2), 보호 소자(5), 금속막(30) 및 와이어(W) 등을 피복하는 밀봉 부재(7)를, 기판(1) 상에 형성된 광 반사 수지(6)로 이루어지는 벽부의 내측에 용융 수지를 주입하고, 그 후 가열이나 광 조사 등에 의해 경화함으로써 형성하는 공정이다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 변경할 수 있다.
즉, 상기에 나타내는 발광 장치의 형태는 본 발명의 기술 사상을 구체화하기 위한 발광 장치를 예시하는 것이며, 본 발명은 발광 장치를 상기한 형태에 한정하는 것이 아니다. 또한, 특허청구의 범위에 나타내지는 부재 등을 실시 형태의 부재로 특정하는 것이 아니다. 특히, 실시 형태에 기재되어 있는 구성 부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대적 배치 등은, 특정적인 기재가 없는 한은 본 발명의 범위를 그것에만 한정하는 취지가 아니고, 단순한 설명예에 지나지 않는다.
예를 들어, 다른 실시 형태로서 이하의 구성으로 해도 된다.
[다른 실시 형태]
도 6에 도시한 바와 같이, 기판(1)을 1장의 기판으로 구성해도 되고, 내부에 설치한 도금용 배선(31)을 기판(1)의 하부에 형성하는 구성으로 해도 된다. 기판(1)을 1장의 기판으로 하면, 도 5(b)에 도시한 바와 같이 기판(상부 기판(1A), 하부 기판(1B))을 2장 포갤 필요가 없어 1장의 기판으로 구성할 수 있고, 제조 공정을 간략화할 수 있다. 그리고, 도금용 배선(31)을 기판(1)의 하부에 형성함으로써 방열성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 발광 장치(101)에 있어서, 도금용 배선(31)은 기판(1)의 상면에 설치하는 구성으로 해도 된다. 이러한 구성으로 하면, 도금용 배선(31)을 간편하게 형성할 수 있다. 그리고 이 경우에도 기판(1)을 1장의 기판으로 할 수도 있다. 또한, 설명의 편의상, 도 7의 정면도에서는 광 반사 수지(6)는 외형만을 선으로 나타내고, 투과시킨 상태에서 나타내고 있다.
또한, 도시하지 않지만, 실장 영역(1a)에 대하여 횡방향에 인접하는 발광 소자(2)끼리를 도전성의 와이어(W)에 의해 전기적으로 접속하는 직렬 접속으로 해도 된다. 즉, 인접하는 발광 소자(2)에 있어서의 p전극(2A)과 n전극(2B)이 와이어(W)에 의해 전기적으로 접속된 상태로 한다. 이와 같은 구성으로 함으로써 발광 장치의 제조가 용이, 간편해진다. 그 밖에, 발광 소자(2)와 와이어(W)의 접속 상태, 발광 소자(2)와 정극(3) 및 부극(4)의 접속 상태 등은 발광 장치의 구성으로서 가능한 한 어떤 접속 상태로 해도 된다.
발광 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기한 바와 같이, 도금용 배선(31)의 형성 위치나 기판(1)의 구성을 변경할 경우에는, 상기 기판 제작 공정에 있어서 이들과 같은 구성이 되도록 기판(1)을 제작한다.
또한, 발광 장치의 제조 방법에 있어서는, 본 발명을 행함에 있어서, 상기 각 공정에 악영향을 주지 않는 범위에서 상기 각 공정의 사이 혹은 전후에 상기한 공정 이외의 공정을 포함시켜도 된다. 예를 들어, 기판을 세정하는 기판 세정 공정이나, 쓰레기 등의 불필요한 물질을 제거하는 불필요한 물질 제거 공정이나, 발광 소자나 보호 소자의 적재 위치를 조정하는 적재 위치 조정 공정 등, 다른 공정을 포함시켜도 된다.
1 : 기판
1A : 상부 기판
1B : 하부 기판
1a : 실장 영역
2 : 발광 소자
2A : p전극
2Aa : p패드 전극
2Ab : 연신 도전부
2B : n전극
2Ba : n패드 전극
2Bb : 연신 도전부
3 : 정극
3a : 패드부
3b : 배선부
4 : 부극
4a : 패드부
4b : 배선부
5 : 보호 소자
6 : 광 반사 수지
7 : 밀봉 부재
8 : 중계 배선부
20 : 발광부
30 : 금속막
31 : 도금용 배선
32 : 도전성 부재
40 : 금속 부재
100, 101 : 발광 장치
CM : 캐소드 마크
SH : 스루홀
W : 와이어

Claims (12)

  1. 기판과,
    상기 기판상의 실장 영역에 설치된 금속막과,
    상기 금속막 상에 적재(載置)된 복수의 발광 소자로 이루어지는 발광부와,
    상기 기판 상에 형성되고, 각각이 패드부와 배선부를 갖고, 상기 배선부를 통해 상기 발광 소자에 전압을 인가하는 정극 및 부극을 구성하는 금속 부재와,
    상기 금속막에 접속되어, 상기 기판의 측면까지 연장 설치된 도금용 배선을 구비하고,
    상기 금속막과 상기 금속 부재는 독립적으로 설치되어 있고,
    상기 정극의 배선부 및 상기 부극의 배선부는, 상기 실장 영역을 따라 주위에 형성되어 있고,
    상기 금속 부재는, 상기 기판의 상기 실장 영역측에 상기 기판의 주연으로부터 이격해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도금용 배선은 상기 기판의 내부에 설치되고, 상기 기판에 형성된 스루홀을 통해 상기 금속막과 도통되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판의 내부의 도금용 배선은, 그 일부가 상기 기판의 측면으로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은, 한쪽의 대향하는 한 쌍의 변과, 다른 쪽의 대향하는 한 쌍의 변을 갖는 미리 정해진 형상으로 형성되고,
    상기 정극의 패드부와 상기 부극의 패드부는, 상기 한쪽의 대향하는 변을 따라 형성되고, 상기 도금용 배선은, 상기 다른 쪽의 대향하는 변을 향해서 연장 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    평면에서 보아, 상기 정극의 패드부와 상기 부극의 패드부는, 상기 도금용 배선과 중복되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속막은, 상기 발광 소자의 발광에 대한 반사율이, 상기 금속 부재보다도 높은 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 금속막에 Ag을 사용하고, 상기 금속 부재에 Au를 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실장 영역의 주연을 따라, 적어도 상기 배선부를 덮도록 광 반사 수지가 형성되고, 상기 광 반사 수지의 내측에, 상기 발광 소자와 상기 금속막을 피복하는 투광성의 밀봉 부재가 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 도금용 배선이 형성된 기판을 제작하는 기판 제작 공정과,
    상기 도금용 배선이 형성된 기판 상에, 무전해 도금에 의해 정극 및 부극을 구성하는 금속 부재를 형성함과 함께, 상기 기판상의 실장 영역에, 전해 도금에 의해 금속막을 형성하는 도금 공정과,
    상기 금속막 상에 발광 소자를 적재하는 다이본딩 공정과,
    상기 다이본딩 공정의 후에, 상기 정극 및 상기 부극과 상기 발광 소자의 전극 단자를 와이어에 의해 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 도금 공정은, 무전해 도금에 의해, 상기 정극 및 상기 부극을 구성하는 금속 부재를 형성함과 함께 상기 실장 영역에도 금속 부재를 형성하고, 그 후, 상기 실장 영역의 금속 부재 상에, 전해 도금에 의해 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 와이어 본딩 공정의 후에, 상기 실장 영역의 주연을 따라, 적어도 상기 정극 및 상기 부극의 배선부를 덮도록 광 반사 수지를 형성하는 광 반사 수지 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 광 반사 수지의 내측에, 상기 발광 소자와 상기 금속막을 피복하는 투광성의 밀봉 부재를 충전하는 밀봉 부재 충전 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
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