KR20130053006A - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는, 발광소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다. Light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using semiconductors of Group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors have various colors such as red, green, blue and ultraviolet rays due to the development of thin film growth technology and device materials. It is possible to implement, by using a fluorescent material or by combining the color can be implemented with good white light.
이러한 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가짐에 따라, 점차 사용 영역이 증가하고 있으며, 이와 같이 발광소자의 사용영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, 발광소자의 효율을 증가시키는 것이 중요하다.Such light emitting devices have an increasing area of use as they have advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. As it becomes wider, the luminance required for electric light used for living, electric light for rescue signals, and the like is increased, and it is important to increase the efficiency of the light emitting element.
최근들어, 발광소자에서 발생된 열에 대한 방열 특성을 향상시키기 위한 연구가 진행 중에 있다.In recent years, research is being conducted to improve heat dissipation characteristics of heat generated in a light emitting device.
실시 예는, 발광소자 발광시 발생되는 열에 대한 방열 특성 및 전류 확산이 용이한 발광소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a heat dissipation characteristic and a current spreading easily with respect to heat generated when the light emitting device emits light.
실시 예에 따른 발광소자는, 제1, 2 영역을 포함하는 전극영역 및 셀영역으로 구획된 제1 반도체층, 상기 셀영역 상에 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하고, 상기 셀영역을 기반으로 구획된 복수의 발광셀을 포함하는 발광구조물, 상기 제1 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 영역 상에 제1 전극부 및 상기 제2 영역 상에 제2 전극부를 포함하는 제1 전극, 상기 복수의 발광셀 각각의 상기 제2 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극 및 상기 복수의 발광셀 측면 및 상기 제2 전극부 상에 배치된 절연층을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes an electrode layer including first and second regions and a first semiconductor layer divided into a cell region, an active layer between the second semiconductor layer and the first and second semiconductor layers on the cell region. And a light emitting structure including a plurality of light emitting cells partitioned on the basis of the cell region, the light emitting structure being electrically connected to the first semiconductor layer, the first electrode portion on the first region and the second region on the second region. A first electrode including a second electrode part, a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer of each of the plurality of light emitting cells, and an insulating layer disposed on side surfaces of the plurality of light emitting cells and the second electrode part. Can be.
실시 예에 따른 발광소자는, 복수의 발광셀로 구획된 발광구조물의 제2 반도체층 및 복수의 발광셀 사이에 제2 전극을 배치함으로써, 발광소자 발광시 발생된 열을 공기 중으로 방열함으로써, 방열 특성이 향상되는 이점이 있다.In the light emitting device according to the embodiment, by disposing a second electrode between the second semiconductor layer and the plurality of light emitting cells of the light emitting structure divided into a plurality of light emitting cells, the heat generated when the light emitting device emits light in the air, There is an advantage that the characteristics are improved.
실시 예에 따른 발광소자는, 플립칩 타입으로 적용하는 경우 활성층에서 발생된 광을 제2 전극에서 반사시킴으로써, 광 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The light emitting device according to the embodiment has an advantage of improving light efficiency by reflecting light generated in the active layer from the second electrode when applied in a flip chip type.
또한, 실시 예에 따른 발광소자는, 복수의 발광셀 사이에 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 배치함으로써, 복수의 발광셀로 전류의 확산이 용이한 이점이 있다.In addition, the light emitting device according to the embodiment has an advantage of easily spreading current into the plurality of light emitting cells by disposing a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer between the plurality of light emitting cells.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 분해 사시도이다.
도 2는 제2 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 분해 사시도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 발광소자의 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1에 나타낸 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에 나타낸 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다.
도 7은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 8은 제2 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a light emitting device according to a first embodiment.
2 is an exploded perspective view illustrating a light emitting device according to a second embodiment.
3 is a cross-sectional view illustrating a cut surface of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
4 is a perspective view showing a light emitting device package including the light emitting device shown in FIG.
5 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device according to the embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line AA ′ of the lighting apparatus illustrated in FIG. 5.
7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the first embodiment.
8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the second embodiment.
본 발명 예의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the inventive examples, and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be embodied in various forms, and the present embodiments are merely provided to make the disclosure of the present invention complete, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the scope of the invention, and the invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐 만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, when described as being formed on an "on or under" of each element, the on or under is It includes both the two elements are in direct contact with each other, or one or more other elements are formed indirectly between the two elements. In addition, when expressed as "on" or "under", it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one element.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 분해 사시도이고, 도 2는 제2 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a light emitting device according to the first embodiment, Figure 2 is an exploded perspective view showing a light emitting device according to a second embodiment.
도 1 및 도 2는 서로 동일한 구성에 대하여 동일한 도면부호로 설명한다.1 and 2 will be described with the same reference numerals for the same components.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자(100)는 지지부재(110), 지지부재(110) 상에 제1, 2 영역(s11, s12)을 포함하는 전극영역(s1) 및 셀영역(s2)으로 구획된 제1 반도체층(122), 셀영역(s2) 상에 제2 반도체층(124) 및 제1, 2 반도체층(122, 124) 사이에 활성층(126)을 포함하고, 셀영역(s2)을 기반으로 구획된 복수의 발광셀(bd)을 포함하는 발광구조물(120), 제1 반도체층(122)에 전기적으로 연결되며, 제1 영역(s11) 상에 제1 전극부(132) 및 제2 영역(s12) 상에 제2 전극부(134)를 포함하는 제1 전극(130), 복수의 발광셀(bd) 각각의 제2 반도체층(124)에 전기적으로 연결된 제2 전극(150) 및 복수의 발광셀(bd)의 측면 및 제2 전극부(134) 상에 배치된 절연층(140)을 포함할 수 있다.1 and 2, the
이때, 지지부재(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있으며, 예를들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. In this case, the
이러한 지지부재(110)은 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있고, 지지부재(110)은 광 추출 효과를 향상시키기 위해 표면에 광추출 패턴(Patterned Sapphire Substrate, PSS) 이 패터닝 될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.The
또한, 지지부재(110)은 열의 방출을 용이하게 하여 열적 안정성을 향상시킬 수 있는 재질을 사용할 수 있다.In addition, the
한편, 지지부재(110) 상에는 광추출 효율을 향상시키는 반사 방지층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 반사 방지층은 AR 코팅층(Anti-Reflective Coating Layer)이라고 불리는 것으로, 기본적으로 복수의 계면으로부터의 반사광끼리의 간섭 현상을 이용한다. 즉, 다른 계면으로부터 반사되어 오는 광의 위상을 180도 어긋나도록 해서, 서로 상쇄되도록 하여, 반사광의 강도를 약하게 하고자 하는 것이다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, an anti-reflection layer (not shown) may be disposed on the
그리고, 지지부재(110) 상에는 지지부재(110)과 발광구조물(120) 간의 격자 부정합을 완화하고 복수의 반도체층이 용이하게 성장될 수 있도록 버퍼층(112)이 배치될 수 있다.The
버퍼층(112)은 지지부재(110) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층(112)은 버퍼층(112) 상에 성장하는 발광구조물(120)의 결정성을 향상시킬 수 있다.The
또한, 버퍼층(112)은 AlN, GaN를 포함하여 AlInN/GaN 적층 구조, InGaN/GaN 적층 구조, AlInGaN/InGaN/GaN의 적층 구조 등의 구조로 형성될 수 있다.In addition, the
여기서, 발광구조물(120)은 복수의 발광셀(bd)로 구획되며, 복수의 발광셀(bd)은 동일한 사이즈 및 구조를 가지는 것으로 설명하지만, 사이즈, 즉 폭 및 두께가 다를 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the
제1 반도체층(122)은 지지부재(110) 또는 버퍼층(112) 상에 배치될 수 있으며, n형 반도체층으로 구현되는 경우, 예건데, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 예를 들어, Si, Ge, Sn, Se, Te 와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The
여기서, 제1 반도체층(122)은 전극영역(s1) 및 셀영역(s2)으로 구획될 수 있다. 이때, 전극영역(s1) 및 셀영역(s2)에서의 제1 반도체층(122)은 두께가 상이할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the
제1 반도체층(122)의 셀영역(s2) 상에는 활성층(126)이 배치될 수 있으며, 활성층(126)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 이중 접합 구조 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The
활성층(126)은 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0 ≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the
또한, 활성층(126)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 활성층(126)의 밴드 갭 보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.In addition, a conductive cladding layer (not shown) may be disposed on or under the
활성층(126) 상에는 제2 반도체층(124)가 배치될 수 있으며, 제2 반도체층(124)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, p형 반도체층으로 구현되는 경우, 예컨데 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The
상술한 제1 반도체층(122), 활성층(126) 및 제2 반도체층(124)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
또한, 제1 반도체층(122) 및 제2 반도체층(124)에 도핑되는 n형 및 p형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the doping concentrations of the n-type and p-type dopants doped in the
또한, 제1 반도체층(122)은 p형 반도체층이고, 제2 반도체층(124)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 이에 따라 발광구조물(120)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the
그리고, 제1 전극(130)은 제1 반도체층(122)의 제1 영역(s11)에 배치된 제1 전극부(132) 및 제2 영역(s12)에 배치된 제2 전극부(134)을 포함하며, 제1, 2 전극부(132, 134)는 격자 형상을 가지는 것으로 나타내었으나, 다른 형상으로 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the
여기서, 제1, 2 전극부(132, 134)의 두께는 동일하거나, 제1 전극부(132)의 두께가 제2 전극부(134)의 두께보다 두꺼울 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the thicknesses of the first and
또한, 제1, 2 전극부(132, 134)는 유입되는 전류를 이웃한 복수의 발광셀(bd)로 공급함에 따라 전류 확산이 용이할 수 있다.In addition, the first and
여기서, 도 1에 나타낸 제2 전극부(134)는 복수의 발광셀(bd) 각각의 둘레를 감싸며 제2 영역(s12)에 배치되며, 도 2에 나타낸 제2 전극부(134)는 제1 전극부(132)에 인접한 적어도 2개의 발광셀(bd)의 둘레를 감싸며 제2 영역(s12)에 배치될 수 있다.Here, the
즉, 도 1에 나타낸 제2 전극부(134)는 복수의 발광셀(bd) 각각에 전류가 균일하게 확산되도록 하기 용이하며, 도2 에 나타낸 제2 전극부(134)는 전류가 유입되는 제1 전극부(132)에 인접한 적어도 2개의 발광셀(bd)의 둘레를 감싸고, 제1 전극부(132)와 멀리 떨어진 적어도 하나의 발광셀(bd) 각각의 둘레를 감싸도록 함으로써, 제1 전극부(132)에 인접한 적어도 2개의 발광셀(bd)과 제1 전극부(132)에서 멀리 떨어진 적어도 하나의 발광셀(bd) 각각에 공급되는 전류가 동일하게 할 수 있다. 도 1 및 도 2와 같이, 제2 전극부(134)는 발광셀(bd)의 둘레를 감싸도록 나타내었으나, 어느 하나의 발광셀(bd)의 적어도 일측면에 인접하게 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.That is, the
절연층(140)은 복수의 발광셀(bd)의 적어도 일측면 및 제2 전극부(134) 상에 배치될 수 있다.The insulating
이때, 절연층(140)은 제2 전극부(134)를 매립하여, 외부에 노출되지 않도록 할 수 있으며, 후술하는 제2 전극(150)과의 전기적인 단락(short)을 방지하도록 할 수 있다.In this case, the insulating
또한, 절연층(140)은 제1 전극부(132) 및 복수의 발광셀(bd) 각각의 상면, 즉 제2 반도체층(124)을 노출하는 홈 또는 홀이 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the insulating
절연층(140) 상에는 제2 전극(150)이 배치될 수 있다.The
이때, 제2 전극(150)은 복수의 발광셀(bd) 각각의 제2 반도체층(124)과 전기적으로 연결되며, 절연층(140)의 적어도 일부분 상에 중첩되게 배치될 수 있다.In this case, the
여기서, 제2 전극(150)은 제2 전극부(134)와 절연층(140)을 사이에 두고 중첩되게 배치될 수 있다.Here, the
이때, 제2 전극(150)은 활성층(126)에서 광을 방출하는 경우 발생되는 열을 흡수할 수 있다.In this case, the
즉, 실시 예에 따른 발광소자(100)는 플립칩 타입으로 사용하는 경우 제2 전극(150)에서 흡수된 열을 공기 중으로 방열하기 용이하며, 제2 전극(150)은 복수의 층으로 이루어질 수 있으며, 상기 복수의 층 중 적어도 하나의 층에 반사물질, 예를 들어 Ag 및 Al 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 반사물질에 의해 활성층(126)에서 방출되는 광을 반사시킬 수 있는 이점이 있다.That is, the
제2 전극(150)은 인듐(In), 토발트(Co), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 레늄(Re), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 티타늄 텅스텐 합금(WTi) 중 적어도 하나를 포함하거나, 이를 포함하는 합금일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The
이때, 제1, 2 전극(130, 150)은 일체형으로 형성된 것으로 나타내었으나, 적어도 2이상의 다른 물질이 서로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In this case, the first and
또한, 제2 전극(150)과 제2 반도체층(124) 사이에는 투광성 전극(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 투광성 전극은 예를들어, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, a light transmissive electrode (not shown) may be formed between the
도 1에는 나타내지 않았으나, 발광소자(100)가 플립칩 타입으로 사용되는 경우, 제1 전극(130)의 제1 전극부(132) 및 제2 전극(150)에는 발광소자 패키지(미도시)에 포함된 제1, 2 리드프레임(미도시)과 전기적으로 접촉하는 범프(BUMP)와 연결되는 금속 전극(미도시)이 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Although not shown in FIG. 1, when the
도 3은 도 1에 나타낸 발광소자의 절단면을 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a cut surface of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
도 3은 도 1에서 중복되는 구성에 대한 설명을 생략하거나, 간략하게 설명한다.3 will not be described or briefly described with respect to the overlapping configuration in FIG.
도 3을 참조하면, 발광소자(100)는 지지부재(110), 버퍼층(112), 복수의 발광셀(bd)로 구획되며, 제1, 2 반도체층(122, 124) 및 제1, 2 반도체층(122, 124) 사이에 활성층(126)을 포함하는 발광구조물(120) 및 제1 반도체층(122)에 전기적으로 연결된 제1 전극(130), 제2 반도체층(124)에 전기적으로 연결된 제2 전극(150) 및 복수의 발광셀(bd)의 적어도 일측면에 배치된 절연층(140)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the
이때, 제1 전극(130)은 도 1에 나타낸 제1 영역(s11) 상에 배치된 제1 전극부(132) 및 제2 영역(s12) 상에 배치된 제2 전극부(134)을 포함할 수 있다.In this case, the
여기서, 제1 전극부(132) 및 제1 영역(s11)은 제1 폭(d1)으로 서로 동일한 것으로 나타내지만, 제1 전극부(132)의 폭은 제1 영역(s11)의 폭보다 좁을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the
이때, 제1 전극부(132)의 제1 폭(d1)은 제2 전극부(134)의 제2 폭(d2) 대비 15배 내지 50배이거나, 또는 40 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다.In this case, the first width d1 of the
제1 전극부(132)는 외부로부터 공급되는 전류를 제2 전극부(134)로 공급하기 위하여 제2 전극부(134)보다 폭이 넓게 형성될 수 있으며, 도 1에서 언급한 바와 같이 범프(미도시)와의 접촉이 용이하도록 하기 위하여 제2 폭(d2) 대비 15배 또는 40 ㎛ 이상으로 결정하는 것이 상기 범프와의 결합력 및 안정성을 확보할 수 있으며, 제2 폭(d2) 대비 50배, 또는 100 ㎛ 미만으로 하여 복수의 발광셀(bd)의 개수 확보 및 발광효율을 확보할 수 있다.The
여기서, 제1 전극부(132)는 절연층(140)의 일측에 인접하게 배치되거나, 절연층(140)과 일부분이 중첩될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the
제2 전극부(134)는 도 1에서 나타낸 바와 같이 복수의 발광셀(bd)의 둘레를 감싸도록 배치되거나, 복수의 발광셀(bd)의 일측면에 인접하게 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.As shown in FIG. 1, the
제2 전극(150)은 복수의 발광셀(bd)을 덮도록 배치될 수 있으며, 절연층(140) 상에 배치되어 제2 전극부(134)와 중첩되게 배치될 수 있다.The
이때, 제2 전극(150)의 적어도 일부분은 제2 전극부(134)의 적어도 일부분과 중첩되게 배치되지 않을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In this case, at least a portion of the
셀영역(s2)의 제3 폭(d3)은 제2 영역(s12)의 제4 폭(d4) 대비 8배 내지 30배이거나, 40 ㎛ 내지 150 ㎛ 일 수 있다.The third width d3 of the cell region s2 may be 8 to 30 times or 40 μm to 150 μm than the fourth width d4 of the second region s12.
즉, 셀영역(s2)은 복수의 발광셀(bd)이 형성되는 영역으로써, 40 ㎛ 미만인 경우 발광셀(bd)에 포함되는 활성층(126) 및 제2 반도체층(124)의 성장 효율이 낮아져 발광 효율이 낮아질 수 있으며, 150 ㎛보다 큰 경우 복수의 발광셀(bd)의 개수가 작아지며, 전체적인 발광효율이 150㎛ 일때 보다 낮아질 수 있다.That is, the cell region s2 is a region in which the plurality of light emitting cells bd is formed, and when the thickness is less than 40 μm, the growth efficiency of the
또한, 제2 영역(s12)의 제4 폭(d4)은 제2 전극부(134)의 제2 폭(d2) 대비 2배 내지 15배이거나, 4 ㎛ 내지 30 ㎛ 일 수 있다.In addition, the fourth width d4 of the second region s12 may be 2 to 15 times or 4 μm to 30 μm of the second width d2 of the
즉, 제2 영역(s1)에는 제2 전극부(134) 및 제2 전극부(134)과 인접한 발광셀(bd) 사이에 단락을 방지하기 위한 절연층(140)이 배치될 수 있다.That is, an insulating
이에 따라, 제2 영역(s1)의 제4 폭(d4)은 제2 전극부(134)의 제2 폭(d2) 대비 2배 이상 또는 4 ㎛ 이상으로 형성되도록 하여, 제2 전극부(134)와 발광셀(bd) 사이의 단락을 방지하며 절연층(140)의 형성을 용이하게 할 수 있으며, 제2 전극부(134)의 제2 폭(d2) 대비 15배 또는 30 ㎛ 보다 큰 경우 복수의 발광셀(bd)의 개수 확보가 낮아져 발광효율이 낮아질 수 있다.Accordingly, the fourth width d4 of the second region s1 is formed to be two times or more than 4 μm or more than the second width d2 of the
실시 예의 발광소자(100)는 플립칩 타입으로 발광소자 패키지(미도시)에 실장시 제2 전극(150)을 통하여 외부로 열을 방출하기 용이한 이점이 있다.
The
도 4는 도 1에 나타낸 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.4 is a perspective view showing a light emitting device package including the light emitting device shown in FIG.
도 4에 나타낸 발광소자(210)는 도 1에 나타낸 발광소자(100)와 동일한 구성을 가지므로 간략하게 설명하거나 생략하며, 도 1에 나타낸 발광소자(100)는 플립형 타입으로 배치한 것으로 설명한다.Since the
또한, 도 4에 나타낸 발광소자 패키지(200)의 일부분을 투시하여 나타낸 투과 사시도이며, 실시 예에서 발광소자 패키지(200)는 탑 뷰 타입인 것으로 나타내었으나, 사이드 뷰 타입일 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.Also, a perspective view of the light emitting
도 4를 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 발광소자(210) 및 발광소자(210)가 배치된 몸체(220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the light emitting
몸체(220)는 제1 방향(미도시)으로 배치된 제1 격벽(222) 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(미도시)으로 배치된 제2 격벽(224)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 격벽(222, 224)은 서로 일체형으로 형성될 수 있으며, 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대하여 한정을 두지 않는다.The
즉, 제1, 2 격벽(222, 224)은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹, 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. That is, the first and
제1, 2 격벽(222, 224)의 상면 형상은 발광소자(210)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The top shape of the first and
또한, 제1, 2 격벽(222, 224)은 발광소자(210)가 배치되는 캐비티(s)를 형성하며, 캐비티(s)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(s)를 이루는 제1, 2 격벽(222, 224)은 하부 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.In addition, the first and
그리고, 캐비티(s)의 평면 형상은 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the planar shape of the cavity s may have various shapes such as triangles, squares, polygons, and circles, without being limited thereto.
몸체(220)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(213, 214)를 포함하는 리드프레임(215)가 배치될 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(213, 214)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.A
그리고, 제1, 2 리드프레임(213, 214)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the first and second lead frames 213 and 214 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, and the present invention is not limited thereto.
제1, 2 격벽(222, 224)의 내측면은 제1, 2 리드프레임(213, 214) 중 어느 하나를 기준으로 소정의 경사각을 가지고 경사지게 형성되며, 상기 경사각에 따라 발광소자(210)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(210)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(210)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.Inner surfaces of the first and
몸체(220)의 내측면은 복수의 경사각을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The inner surface of the
제1, 2 리드프레임(213, 214)은 발광소자(210)에 전기적으로 연결되며, 외부 전원(미도시)의 양(+)극 및 음(-)극에 각각 연결되어, 발광소자(210)로 전원을 공급할 수 있다.The first and second lead frames 213 and 214 are electrically connected to the
실시 예에서, 발광소자(210)는 플립형 타입으로 도 1 및 도 2에 나타낸 발광소자(100)에 포함된 제1 전극(130)의 제1 전극부(132)가 제1 리드프레임(213)에 제1 범프(223)로 연결되며, 제2 전극(150)과 제2 리드프레임(214)가 제2 범프(226)로 연결될 수 있다.In an exemplary embodiment, the
이때, 제2 전극(150)은 제2 범프(226)로 제2 리드프레임(214)과 연결된 것으로 나타내었으나, 복수의 발광셀(bd) 상에 배치된 제2 전극(150)에 복수의 제2 범프(226)가 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In this case, although the
즉, 복수의 제2 범프(226)가 제2 전극(150)에 본딩되는 경우, 발광소자(210)는 광을 발생하는 경우 발생된 열이 제2 전극(150)에 흡수된 후 복수의 제2 범프(226)를 통하여 제2 리드프레임(214)으로 방열될 수 있는 이점이 있다.That is, when the plurality of
즉, 제1, 2 범프(223, 226)는 발광소자(210)가 플립형 타입으로 발광소자 패키지(200)을 형성하는 경우, 제1, 2 전극(132, 134)를 전기적으로 연결할 수 있도록 하며, 재질은 제1, 2 전극(132, 134) 및 제1, 2 리드프레임(223, 224)을 이루는 재질 중 적어도 하나일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.That is, the first and
여기서, 제1, 2 리드프레임(213, 214) 사이에는 제1, 2 리드프레임(213, 214)의 전기적인 단락(쇼트)를 방지하기 위한 절연댐(216)이 형성될 수 있다.Here, an insulating
몸체(220)에는 캐소드 마크(cathode mark, 217)가 형성될 수 있다. 캐소드 마크(217)는 발광소자(210)의 극성, 즉 제1, 2 리드프레임(213, 214)의 극성을 구분하여, 제1, 2 리드프레임(213, 214)을 전기적으로 연결할 때, 혼동을 방지하는데 이용될 수 있을 것이다.A
발광소자(210)는 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정을 두지 않으며, 또한 제1 리드프레임(13)에 실장되는 발광소자(100)는 복수 개 일 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 상에 각각 적어도 하나의 발광소자(210)가 실장될 수 있으며, 발광소자(210)의 개수 및 실장위치에 대하여 한정을 두지 않는다. The
몸체(220)는 캐비티(s)에 충진된 수지물(218)을 포함할 수 있다. 즉, 수지물(218)은 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The
그리고, 수지물(218)은 필름형으로 형성될 수 있으며, 투명한 재질이며 광확산재를 포함할 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
In addition, the
도 5는 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 6은 도 5에 나타낸 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다.FIG. 5 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating the lighting device of FIG.
이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.Hereinafter, in order to describe the shape of the
도 6는 도 5의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view of the
도 5 및 도 6을 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.5 and 6, the
몸체(310)의 하부면에는 발광소자 어레이(340)가 체결되며, 몸체(310)는 발광소자 패키지(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.The light emitting
발광소자 어레이(340)는 발광소자패키지(344) 및 기판(342)을 포함할 수 있다.The light emitting
발광소자패키지(344)는 기판(342) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 기판(342)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다. The light emitting
커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The
여기서, 커버(330)는 내부의 발광소자 어레이(340)를 외부의 이물질 등으로부터 보호할 수 있다. Here, the
또한, 커버(330)는 발광소자 패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. In addition, the
한편, 발광소자 패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.On the other hand, since the light generated from the light emitting
마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 7은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the first embodiment.
도 7은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.7 is an edge-light method, the liquid
액정표시패널(410)은 백라이트유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.The liquid
컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The
박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin
박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin
백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자어레이(420), 발광소자어레이(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 466, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(447)로 구성된다.The
발광소자어레이(420)는 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 기판(422)을 포함할 수 있다.The light emitting
한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(466)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)을 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.On the other hand, the
도 8은 제2 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the second embodiment.
다만, 도 7에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.However, the parts shown and described in Fig. 7 are not repeatedly described in detail.
도 8은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트유닛(570)을 포함할 수 있다.8, the liquid
액정표시패널(510)은 도 7에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid
백라이트유닛(570)은 복수의 발광소자어레이(523), 반사시트(524), 발광소자어레이(523)와 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자어레이(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.The
발광소자 어레이(523)는 복수의 발광소자패키지(522)와 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 기판(521)을 포함할 수 있다.The light emitting
반사시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The
한편, 발광소자어레이(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학필름(560)이 배치된다. 광학필름(560)은 확산필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함할 수 있다.On the other hand, the light generated from the light emitting
여기서, 조명장치(300) 및 액정표시장치(400, 500)는 조명시스템에 포함될 수 있으며, 이 외에도 발광소자 패키지를 포함하며 조명을 목적으로 하는 장치 등도 조명시스템에 포함될 수 있다.Here, the
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
Claims (17)
상기 제1 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 영역 상에 제1 전극부 및 상기 제2 영역 상에 제2 전극부를 포함하는 제1 전극;
상기 복수의 발광셀 각각의 상기 제2 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및
상기 복수의 발광셀 측면 및 상기 제2 전극부 상에 배치된 절연층;을 포함하는 발광소자.A first semiconductor layer partitioned into an electrode region including first and second regions and a cell region, a second semiconductor layer on the cell region, and an active layer between the first and second semiconductor layers, and based on the cell region A light emitting structure comprising a plurality of light emitting cells partitioned into;
A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, the first electrode including a first electrode portion on the first region and a second electrode portion on the second region;
A second electrode electrically connected to the second semiconductor layer of each of the plurality of light emitting cells; And
And an insulating layer disposed on side surfaces of the plurality of light emitting cells and the second electrode part.
전기적으로 연결된 발광소자.The method of claim 1, wherein the first and second electrode portions,
Light-emitting element electrically connected.
상기 제2 전극부의 폭 대비 15배 내지 50배인 발광소자.The width of the first electrode portion,
15 to 50 times larger than the width of the second electrode unit.
40 ㎛ 내지 100 ㎛ 인 발광소자.The width of the first electrode portion,
Light emitting device of 40 ㎛ to 100 ㎛.
상기 제2 전극부의 두께와 동일하거나,
또는 상기 제2 전극부의 두께보다 두꺼운 발광소자.The method of claim 1, wherein the thickness of the first electrode portion,
Equal to the thickness of the second electrode portion,
Or a light emitting device thicker than the thickness of the second electrode portion.
상기 절연층의 일측면에 인접하게 배치된 발광소자.The method of claim 1, wherein the first electrode portion,
The light emitting device is disposed adjacent to one side of the insulating layer.
상기 복수의 발광셀 중 적어도 하나의 둘레를 감싸는 발광소자.The method of claim 1, wherein the second electrode portion,
A light emitting device surrounding a circumference of at least one of the plurality of light emitting cells.
상기 절연층 내부에 배치된 발광소자.The method of claim 1, wherein the second electrode portion,
A light emitting device disposed inside the insulating layer.
ITO, ZnO, Ni, Au, Al 및 Ag 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.The method of claim 1, wherein the second electrode,
A light emitting device comprising at least one of ITO, ZnO, Ni, Au, Al and Ag.
상기 제2 영역 및 상기 셀영역 상에 배치되며, 상기 절연층을 사이에 두고 상기 제2 전극부와 적어도 일부가 중첩되는 발광소자.The method of claim 1, wherein the second electrode,
And a light emitting element disposed on the second region and the cell region and overlapping at least a portion of the second electrode portion with the insulating layer interposed therebetween.
상기 제2 전극부의 폭 대비 2배 내지 15배인 발광소자.The method of claim 1, wherein the width of the second region,
2 to 15 times larger than the width of the second electrode unit.
상기 복수의 발광셀 중 서로 인접한 발광셀 사이에 형성된 상기 제2 영역의 폭은,
4 ㎛ 내지 30 ㎛ 인 발광소자.The method of claim 1,
The width of the second region formed between the light emitting cells adjacent to each other of the plurality of light emitting cells,
4 μm to 30 μm light emitting device.
상기 제2 영역의 폭 대비 8배 내지 30배인 발광소자.The method of claim 1, wherein the width of the cell region,
8 to 30 times larger than the width of the second region.
40 ㎛ 내지 150 ㎛ 인 발광소자.The method of claim 1, wherein the width of the cell region,
Light emitting device of 40 ㎛ to 150 ㎛.
상기 발광구조물을 지지하는 지지부재;를 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
And a support member for supporting the light emitting structure.
투광성 재질인 발광소자.The method of claim 17, wherein the support member,
Light emitting device made of a light-transmissive material.
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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