KR101946268B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시 예는, 발광소자, 상기 발광소자가 배치된 리드프레임을 포함하고, 캐비티가 형성된 몸체, 상기 리드프레임과 전기적으로 연결된 와이어 및 상기 와이어의 일측을 감싸고, 상기 리드프레임 상에 배치되는 코딩부재를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a light emitting element, a body including a lead frame in which the light emitting element is disposed, a body formed with a cavity, a wire electrically connected to the lead frame, and a coding member surrounding one side of the wire and disposed on the lead frame Emitting device package.

Description

발광소자 패키지{Light emitting device package}A light emitting device package

실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.As a typical example of a light emitting device, a light emitting diode (LED) is a device for converting an electric signal into an infrared ray, a visible ray, or a light using the characteristics of a compound semiconductor, and is used for various devices such as household appliances, remote controllers, Automation equipment, and the like, and the use area of LEDs is gradually widening.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.

공개번호 10-2008-0023389에 기재된 바와 같이, 발광소자 패키지는 캐비티 본체, 반도체 소자, 리드프레임 및 반도체 소자와 리드프레임을 연결하는 와이어에 대하여 기재하고 있다.As disclosed in Publication No. 10-2008-0023389, a light emitting device package describes a cavity body, a semiconductor element, a lead frame, and a wire connecting the semiconductor element and the lead frame.

최근들어, 리드프레임에 본딩된 와이어의 결합력을 증대시키기 위한 연구가 진행 중에 있다. Recently, research is underway to increase the bonding force of the wires bonded to the lead frame.

실시 예는, 리드프레임에 본딩된 와이어의 결합력을 강화하기 용이한 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that can easily enhance the bonding force of the wire bonded to the lead frame.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자, 상기 발광소자가 배치된 리드프레임을 포함하고, 캐비티가 형성된 몸체, 상기 리드프레임과 전기적으로 연결된 와이어 및 상기 와이어의 일측을 감싸고, 상기 리드프레임 상에 배치되는 코딩부재를 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a light emitting element and a lead frame in which the light emitting element is disposed, a body formed with a cavity, a wire electrically connected to the lead frame and one side of the wire, And may include a coding member disposed therein.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 리드프레임에 본딩된 와이어의 일측을 감싸도록 코팅부재를 포함함으로써, 리드프레임과 와이어의 결합력을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The light emitting device package according to the embodiment has an advantage that the bonding force between the lead frame and the wire can be improved by including the coating member so as to surround one side of the wire bonded to the lead frame.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 반사도가 높은 재질로 이루어진 코팅부재를 사용함으로써, 발광소자에서 방출된 광에 대한 광 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment has an advantage that the light efficiency for light emitted from the light emitting device can be improved by using the coating member made of a material having high reflectivity.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자를 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임을 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임에 대한 제1 실시 예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 3에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임에 대한 제2 실시 예를 나타낸 단면도이다.
도 6은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 7은 도 6에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임을 나타낸 사시도이다.
도 8 내지 도 9는 도 6에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임에 대한 다양한 실시 예를 나타낸 단면도이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 11은 도 10에 나타낸 조명장치의 A-A` 단면을 나타낸 단면도이다.
도 12는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 13은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a perspective view showing the light emitting device shown in FIG.
3 is a perspective view showing the light emitting device and the first and second lead frames shown in Fig.
4 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the light emitting device and the first and second lead frames shown in Fig.
5 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the light emitting device and the first and second lead frames shown in Fig.
6 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
7 is a perspective view showing the light emitting device and the first and second lead frames shown in Fig.
8 to 9 are sectional views showing various embodiments of the light emitting device and the first and second lead frames shown in Fig.
10 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
11 is a cross-sectional view showing an AA 'cross-section of the lighting apparatus shown in Fig.
12 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device package according to the first embodiment.
13 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the light emitting device package according to the second embodiment.

본 실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the present embodiment, in the case where one element is described as being formed "on or under" of another element, the upper (upper) or lower (lower) on or under includes both the two elements being directly contacted with each other or one or more other elements being indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. Therefore, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

또한, 본 명세서에서 발광소자 패키지의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자 패키지를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angles and directions mentioned in the description of the structure of the light emitting device package in this specification are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device package in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment.

도 1은 발광소자 패키지의 일부분을 투시하여 나타낸 투과 사시도이며, 실시 예에서 발광소자 패키지는 탑 뷰 타입인 것으로 나타내었으나, 사이드 뷰 타입일 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.1 is a transparent perspective view showing a part of a light emitting device package. In the embodiment, the light emitting device package is shown as a top view type, but it may be a side view type and is not limited thereto.

도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 발광소자(10) 및 발광소자(10)가 배치된 몸체(20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device package 100 may include a body 20 having a light emitting device 10 and a light emitting device 10 disposed thereon.

몸체(20)는 제1 방향(미도시)으로 배치된 제1 격벽(22) 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(미도시)으로 배치된 제2 격벽(24)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 격벽(22, 24)은 서로 일체형으로 형성될 수 있으며, 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대하여 한정을 두지 않는다.The body 20 may include a first partition 22 disposed in a first direction (not shown) and a second partition 24 disposed in a second direction (not shown) that intersects the first direction And the first and second barrier ribs 22 and 24 may be integrally formed with each other, and may be formed by injection molding, etching, or the like, but are not limited thereto.

즉, 제1, 2 격벽(22, 24)은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹, 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. That is, the first and second barrier ribs 22 and 24 are made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlO x , liquid crystal polymer , photo sensitive glass), polyamide 9T (PA9T), new geo syndiotactic polystyrene (SPS), metal materials, sapphire (Al 2 O 3), beryllium oxide (BeO), ceramic, and a printed circuit board (PCB, printed circuit board ). ≪ / RTI >

제1, 2 격벽(22, 24)의 상면 형상은 발광소자(10)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The shape of the upper surface of the first and second barrier ribs 22 and 24 may have various shapes such as a triangular shape, a square shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device 10.

또한, 제1, 2 격벽(22, 24)은 발광소자(10)가 배치되는 캐비티(s)를 형성하며, 캐비티(s)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(s)를 이루는 제1, 2 격벽(22, 24)은 발광소자(10)가 배치된 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.The first and second barrier ribs 22 and 24 form a cavity s in which the light emitting device 10 is disposed and the cavity s may have a cup shape or a concave shape. The first and second barrier ribs 22 and 24 forming the cavity s may be inclined in a direction in which the light emitting device 10 is disposed.

그리고, 캐비티(s)의 평면 형상은 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The plane shape of the cavity s may have various shapes such as a triangular shape, a square shape, a polygonal shape, and a circular shape, but is not limited thereto.

몸체(20)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)이 배치될 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.The first and second lead frames 13 and 14 may be formed of a metal material such as titanium (Ti), copper (Au), chrome (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P) And may include one or more materials or alloys of indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru) .

그리고, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The first and second lead frames 13 and 14 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but are not limited thereto.

제1, 2 격벽(22, 24)의 내측면은 제1, 2 리드프레임(13, 14) 중 어느 하나를 기준으로 소정의 경사각을 가지고 경사지게 형성되며, 상기 경사각에 따라 발광소자(10)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(10)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(10)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.The inner surfaces of the first and second barrier ribs 22 and 24 are inclined at a predetermined inclination angle with respect to any one of the first and second lead frames 13 and 14, The reflection angle of the emitted light can be changed, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be controlled. The concentration of light emitted to the outside from the light emitting device 10 increases as the directivity angle of light decreases, while the concentration of light emitted from the light emitting device 10 to the outside decreases as the directivity angle of light increases.

발광소자(10)에서 방출되는 광을 더 반사시키기 위해 제1, 2 격벽(22, 24)의 내측면에는 반사 물질을 붙이거나 바를 수 있다.Reflective materials may be applied or applied to the inner surfaces of the first and second barrier ribs 22 and 24 to further reflect the light emitted from the light emitting element 10.

몸체(20)의 내측면은 복수의 경사각(미도시)을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The inner surface of the body 20 may have a plurality of inclined angles (not shown), but is not limited thereto.

실시 예에서, 제1 리드프레임(13)은 발광소자(10)의 제1 전극(미도시)와 전기적으로 연결되는 제1 본딩영역(미도시)이 형성될 수 있으며, 제2 리드프레임(14)은 발광소자(10)의 제2 전극(미도시)와 전기적으로 연결되는 제2 본딩영역(미도시)이 형성될 수 있다.In the embodiment, the first lead frame 13 may be formed with a first bonding region (not shown) electrically connected to the first electrode (not shown) of the light emitting element 10, and the second lead frame 14 May be formed in a second bonding region (not shown) that is electrically connected to the second electrode (not shown) of the light emitting element 10.

제1, 2 리드프레임(11, 13)의 상기 제1, 2 본딩영역은 발광소자(10)의 상기 제1, 2 전극과 와이어에 의해 전기적으로 연결되며, 외부 전원(미도시)의 양(+)극 및 음(-)극에 각각 연결되어, 발광소자(10)로 전원을 공급할 수 있다.The first and second bonding regions of the first and second lead frames 11 and 13 are electrically connected to the first and second electrodes of the light emitting element 10 by wires so that the amount of external power (not shown) +) And negative (-) poles, respectively, so that power can be supplied to the light emitting element 10.

또한, 다른 실시 예로서, 제2 리드프레임(14)은 제1 리드프레임(13)과 이격된 것으로 설명하며, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)과 다이본딩되며, 제2 리드프레임(14)과 와이어에 의한 와이어 본딩되어, 제1, 2 리드프레임(13, 14)로부터 전원을 공급받을 수 있다.In another embodiment, the second lead frame 14 is described as being spaced apart from the first lead frame 13, the light emitting element 10 is die-bonded to the first lead frame 13, And is wire-bonded with the frame 14 and the wire so that power can be supplied from the first and second lead frames 13 and 14. [

여기서, 상기 와이어는 제2 리드프레임(14)의 본딩영역(미도시)에 본딩되며, 상기 본딩영역에 배치되며 상기 와이어의 일측을 감싸는 코팅부재(미도시)를 포함할 수 있다.Here, the wire may include a coating member (not shown) bonded to a bonding region (not shown) of the second lead frame 14 and disposed at the bonding region and surrounding one side of the wire.

상기 코팅부재에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.A detailed description of the coating member will be described later.

즉, 실시 예에서 나타낸 발광소자(10)는 수평형 타입의 발광소자로 나타내었으나, 수직형 타입의 발광소자 일 수 있으며, 발광소자(10)가 수직형 타입인 경우, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)과 다이 본딩되며, 제2 리드프레임(14)의 제2 본딩영역에 상기 와이어가 본딩될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.That is, although the light emitting device 10 shown in the embodiment is a horizontal type light emitting device, it may be a vertical type light emitting device. When the light emitting device 10 is a vertical type, Bonded to the first lead frame 13, and the wire may be bonded to the second bonding region of the second lead frame 14, but is not limited thereto.

여기서, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13) 및 제2 리드프레임(14)에 서로 다른 극성을 가지며 본딩될 수 있다.Here, the light emitting element 10 may be bonded to the first lead frame 13 and the second lead frame 14 with different polarities.

실시 예에서, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)에 배치된 것으로 설명하였으나, 이에 한정을 두지 않는다.In the embodiment, the light emitting element 10 is disposed on the first lead frame 13, but the present invention is not limited thereto.

그리고, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13) 상에 접착부재(미도시)에 의해 접착될 수 있다.Then, the light emitting element 10 can be adhered to the first lead frame 13 by an adhesive member (not shown).

여기서, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 사이에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 전기적인 단락(쇼트)를 방지하기 위한 절연댐(16)이 형성될 수 있다.Here, between the first and second lead frames 13 and 14, an insulating dam 16 for preventing electrical short-circuiting of the first and second lead frames 13 and 14 may be formed.

실시 예에서, 절연댐(16)은 상부가 반원형으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In an embodiment, the insulation dam 16 may be formed in a semicircular shape at the top, but is not limited thereto.

몸체(13)에는 캐소드 마크(cathode mark, 17)가 형성될 수 있다. 캐소드 마크(17)는 발광소자(10)의 극성, 즉 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 극성을 구분하여, 제1, 2 리드프레임(13, 14)을 전기적으로 연결할 때, 혼동을 방지하는데 이용될 수 있을 것이다.A cathode mark (17) may be formed on the body (13). The cathode mark 17 distinguishes the polarity of the light emitting element 10, that is, the polarity of the first and second lead frames 13 and 14 so that when the first and second lead frames 13 and 14 are electrically connected, Lt; / RTI >

발광소자(10)는 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정을 두지 않으며, 또한 제1 리드프레임(13)에 실장되는 발광소자(10)는 복수 개 일 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 상에 각각 적어도 하나의 발광소자(10)가 실장될 수 있으며, 발광소자(10)의 개수 및 실장위치에 대하여 한정을 두지 않는다. The light emitting device 10 may be a light emitting diode. The light emitting diode may be, for example, a colored light emitting diode that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) light emitting diode that emits ultraviolet light. However, A plurality of light emitting devices 10 may be mounted on the frame 13 and at least one light emitting device 10 may be mounted on the first and second lead frames 13 and 14, 10 and the mounting position of the semiconductor device.

몸체(20)는 캐비티(s)에 충진된 수지물(18)을 포함할 수 있다. 즉, 수지물(18)은 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The body 20 may include a resin material 18 filled in the cavity s. That is, the resin material 18 may be formed in a double molding structure or a triple molding structure, but is not limited thereto.

그리고, 수지물(18)은 필름형으로 형성될 수 있으며, 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 또한 형광체 및 광확산재를 포함하지 않는 투광성재질이 사용될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.The resin material 18 may be formed in a film form and may include at least one of a phosphor and a light diffusing material, and a light-transmitting material not including a phosphor and a light diffusing material may be used. Do not.

도 2는 도 1에 나타낸 발광소자를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing the light emitting device shown in FIG.

도 2를 참조하면, 발광소자(10)는 지지부재(1) 및 지지부재(1) 상에 발광구조물(6)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting device 10 may include a light emitting structure 6 on a support member 1 and a support member 1.

지지부재(1)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있으며, 예를들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. A support member (1) may be made of a conductive substrate or an insulating substrate, e.g., sapphire (Al 2 O 3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3 < / RTI >

실시 예에서, 지지부재(1)은 사파이어(Al2O3)인 것으로 설명하며, 이에 한정을 두지 않는다.In the embodiment, the support member 1 is described as being sapphire (Al 2 O 3 ), but it is not limited thereto.

이러한, 지지부재(1)은 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있고, 지지부재(1)은 광 추출 효과를 향상시키기 위해 표면에 광추출 패턴(Patterned SubStrate, PSS) 이 패터닝 될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.The support member 1 may be wet-cleaned to remove impurities on the surface, and the support member 1 may be patterned with a light-extracting pattern (Patterned SubStrate, PSS) to improve the light extraction effect , But is not limited thereto.

또한, 지지부재(1)은 열의 방출을 용이하게 하여 열적 안정성을 향상시킬 수 있는 재질을 사용할 수 있다.Further, the support member 1 may be made of a material which can facilitate the release of heat and improve the thermal stability.

한편, 지지부재(1) 상에는 광추출 효율을 향상시키는 반사 방지층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 반사 방지층은 AR 코팅층(Anti-Reflective Coating Layer)이라고 불리는 것으로, 기본적으로 복수의 계면으로부터의 반사광끼리의 간섭 현상을 이용한다. 즉, 다른 계면으로부터 반사되어 오는 광의 위상을 180도 어긋나도록 해서, 서로 상쇄되도록 하여, 반사광의 강도를 약하게 하고자 하는 것이다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, an antireflection layer (not shown) for improving light extraction efficiency may be disposed on the support member 1. The antireflection layer is called an anti-reflective coating layer, and basically, The interference phenomenon between the reflected lights is used. That is, the phase of the light reflected from the other interface is shifted by 180 degrees so as to cancel each other, so that the intensity of the reflected light is weakened. However, the present invention is not limited thereto.

그리고, 지지부재(1) 상에는 지지부재(1)과 발광구조물(6) 간의 격자 부정합을 완화하고 복수의 반도체층이 용이하게 성장될 수 있도록 버퍼층(2)이 배치될 수 있다.The buffer layer 2 can be disposed on the support member 1 so as to mitigate lattice mismatch between the support member 1 and the light emitting structure 6 and to easily grow a plurality of semiconductor layers.

버퍼층(2)은 지지부재(1) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층(2)은 버퍼층(2) 상에 성장하는 발광구조물(6)의 결정성을 향상시킬 수 있다.The buffer layer 2 can be grown as a single crystal on the supporting member 1 and the buffer layer 2 grown with a single crystal can improve the crystallinity of the light emitting structure 6 grown on the buffer layer 2.

또한, 버퍼층(2)은 AlN, GaN를 포함하여 AlInN/GaN 적층 구조, InGaN/GaN 적층 구조, AlInGaN/InGaN/GaN의 적층 구조 등의 구조로 형성될 수 있다.The buffer layer 2 may be formed of AlN, GaN, AlInN / GaN laminated structure, InGaN / GaN laminated structure, or AlInGaN / InGaN / GaN laminated structure.

여기서, 제1 반도체층(3)은 지지부재(1) 또는 버퍼층(2) 상에 배치될 수 있으며, n형 반도체층으로 구현되는 경우, 예건데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 예를 들어, Si, Ge, Sn, Se, Te 와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.Here, the first semiconductor layer 3 may be disposed on the support member 1 or the buffer layer 2, and when embodied as an n-type semiconductor layer, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, etc.) having a composition formula of 0? X? 1, 0? Y? For example, n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te may be doped.

제1 반도체층(3)은 제1, 2 영역(미도시)을 포함하며, 상기 제1 영역에는 전극이 배치되고, 상기 제2 영역 상에는 활성층(4)이 배치될 수 있으며, 활성층(4)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The first semiconductor layer 3 may include first and second regions (not shown), electrodes may be disposed in the first region, an active layer 4 may be disposed on the second region, May be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements.

활성층(4)은 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0 ≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.Active layer 4 is formed of a well having a composition formula of when the quantum well structure for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x + y≤1) Layer and a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a- b N (0? A? 1 , 0? B? 1 , 0? A + b? 1) have. The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

또한, 활성층(4)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 활성층(4)의 밴드 갭 보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be disposed on and / or below the active layer 4, and the conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor. The active layer 4 may have a bandgap It can have a large bandgap.

활성층(4) 상에는 제2 반도체층(5)가 배치될 수 있으며, 제2 반도체층(5)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, p형 반도체층으로 구현되는 경우, 예컨데 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.A second semiconductor layer 5 may be disposed on the active layer 4 and the second semiconductor layer 5 may be formed of a p-type semiconductor layer. In the case of a p-type semiconductor layer, for example, In x Al y etc. Ga 1-xy N having a composition formula of (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x + y≤1) , for a semiconductor material, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN And a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba can be doped.

상술한 제1 반도체층(3), 활성층(4) 및 제2 반도체층(5)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 3, the active layer 4 and the second semiconductor layer 5 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, A plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), a molecular beam epitaxy (MBE), and a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) It is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(3) 및 제2 반도체층(5)에 도핑되는 n형 및 p형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Further, the doping concentrations of the n-type and p-type dopants to be doped in the first semiconductor layer 3 and the second semiconductor layer 5 can be uniformly or nonuniformly formed. That is, the structure of the plurality of semiconductor layers may be variously formed, but the structure is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(3)은 p형 반도체층이고, 제2 반도체층(5)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 이에 따라 발광구조물(6)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first semiconductor layer 3 may be a p-type semiconductor layer and the second semiconductor layer 5 may be an n-type semiconductor layer. Thus, the light emitting structure 6 may include an NP junction, a PN junction, And a PNP junction structure.

실시 예에서, 제1 반도체층(3)의 상기 제1, 2 영역은 발광구조물(6)이 성장된 후, 메사 식각에 의해 형성될 수 있으며, 상기 제1 영역은 상기 메사 식각 이후 노출된 제1 반도체층(3) 일 수 있다.In the embodiment, the first and second regions of the first semiconductor layer 3 may be formed by mesa etching after the light emitting structure 6 is grown, and the first region may be formed after the mesa etching, 1 < / RTI >

이때, 제1 반도체층(3)의 제1 영역(s1) 상에는 제1 반도체층(3)과 전기적으로 연결되는 제1 전극(7)이 배치될 수 있으며, 제2 반도체층(5) 상에는 제2 반도체층(5)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(8)이 배치될 수 있다.At this time, a first electrode 7 electrically connected to the first semiconductor layer 3 may be disposed on the first region s1 of the first semiconductor layer 3, and on the second semiconductor layer 5, And a second electrode 8 electrically connected to the second semiconductor layer 5 may be disposed.

제1, 2 전극(7, 8) 중 적어도 하나는 인듐(In), 토발트(Co), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 레늄(Re), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 티타늄 텅스텐 합금(WTi) 중 적어도 하나를 포함하거나, 이를 포함하는 합금일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.At least one of the first and second electrodes 7 and 8 may be formed of any one of indium (In), tungsten (Co), silicon (Si), germanium (Ge), gold (Au), palladium (Pd) (Ru), rhenium (Re), magnesium (Mg), zinc (Zn), hafnium (Hf), tantalum (Ta), rhodium (Rh), iridium (Ir), tungsten (W) And at least one of Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi, But is not limited thereto.

이때, 제1, 2 전극(7, 8)은 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다. At this time, the first and second electrodes 7 and 8 may be formed of at least one layer, but the present invention is not limited thereto.

또한, 발광구조물(6)과 제2 전극(8) 사이 및 제1 반도체층(3) 및 제1 전극(7) 사이에는 투광성 전극층(미도시) 및 반사층(미도시) 중 적어도 하나가 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.At least one of a light-transmitting electrode layer (not shown) and a reflective layer (not shown) is formed between the light-emitting structure 6 and the second electrode 8 and between the first semiconductor layer 3 and the first electrode 7 And is not limited to this.

도 3은 도 1에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임을 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임에 대한 제1 실시 예를 나타낸 단면도이다.FIG. 3 is a perspective view showing the light emitting device and the first and second lead frames shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a sectional view showing a first embodiment of the light emitting device and the first and second lead frames shown in FIG.

도 3 및 도 4를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 제1, 2 리드프레임(13, 14) 및 제1 리드프레임(13) 상에 배치되며, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 각각과 제1, 2 와이어(W1, W2)로 본딩 연결된 발광소자(10)를 포함할 수 있다.3 and 4, the light emitting device package 100 is disposed on the first and second lead frames 13 and 14 and the first lead frame 13, and the first and second lead frames 13 and 14 ) And the first and second wires W1 and W2, respectively.

실시 예에서 나타낸 발광소자(10)는 도 2에 나타낸 발광소자(10)와 동일한 것으로서, 도면 부호를 생략한다.The light emitting device 10 shown in the embodiment is the same as the light emitting device 10 shown in Fig. 2, and the reference numerals are omitted.

여기서, 제1 리드프레임(13)은 발광소자(10)의 제1 전극(7)과 제1 와이어(W1)가 본딩되는 제1 본딩영역(bd1)을 포함할 수 있으며, 제2 리드프레임(14)은 발광소자(10)의 제2 전극(8)과 제2 와이어(W2)가 본딩되는 제2 본딩영역(bd2)을 포함할 수 있다.Here, the first lead frame 13 may include a first bonding region bd1 to which the first electrode 7 of the light emitting element 10 and the first wire W1 are bonded, and the second lead frame 13 14 may include a second bonding region bd2 to which the second electrode 8 of the light emitting element 10 and the second wire W2 are bonded.

이때, 발광소자(10)는 도 2에 나타낸 바와 같이 제1, 2 전극(7, 8)의 두께가 동일한 것으로 나타내었으나, 이에 한정을 두지 않으며, 제1, 2 전극(7, 8)의 위치가 상이하게 배치됨에 따라 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)은 사이즈가 다를 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.2, the thicknesses of the first and second electrodes 7 and 8 are the same, but the present invention is not limited thereto, and the positions of the first and second electrodes 7 and 8 The first and second bonding regions bd1 and bd2 may have different sizes and are not limited thereto.

여기서, 제1, 2 와이어(W1, W2)는 일측이 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)에 본딩 연결되며, 타측이 제1, 2 전극(7, 8)에 본딩 연결될 수 있다.The first and second wires W1 and W2 may be connected to the first and second bonding regions bd1 and bd2 at one side and may be bonded to the first and second electrodes 7 and 8 at the other side.

예를들어, 제1, 2 와이어(W1, W2)는 금 와이어, 알루미늄 와이어, 구리 와이어 등일 수 있다. 제1, 2 와이어(W1, W2)는 루프의 높이에 따라 high루프, middle루프, low루프로 구분하는데 사용목적에 따라 높이가 다른 루프를 사용할 수 있다. high루프는 루프의 높이가 높지만 길이가 짧아 발광소자(10)의 가장자리나 발광소자패키지(100)가 제1, 2 와이어(W1, W2)와 접촉하지 않도록 접합하는데 주로 사용할 수 있다. low루프 와이어는 결정 영역을 짧게 하여 루프의 높이를 낮게 한 것으로 발광소자 패키지(100)가 얇은 곳에서 사용할 수 있다. For example, the first and second wires W1 and W2 may be a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, or the like. The first and second wires W1 and W2 are classified into a high loop, a middle loop, and a low loop depending on the height of the loop. the high loop can be mainly used to bond the edge of the light emitting element 10 or the light emitting device package 100 so as not to contact the first and second wires W1 and W2 because the height of the high loop is high but short. The low loop wire shortens the crystal region to reduce the height of the loop and can be used where the light emitting device package 100 is thin.

제1, 2 와이어(W1, W2)의 직경은 제1, 2 와이어(W1, W2)가 전송할 수 있는 전류의 크기를 결정하므로 소요되는 전류 및 전압을 계산하여 와이어의 크기를 결정할 수 있다.The diameter of the first and second wires W1 and W2 determines the magnitude of the current that can be transmitted by the first and second wires W1 and W2.

이때, 제1, 2 와이어(W1, W2)의 직경은 0.7 ㎜ 내지 2 ㎜일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.At this time, the diameters of the first and second wires W1 and W2 may be 0.7 mm to 2 mm, but are not limited thereto.

제1, 2 와이어(W1, W2)는 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)에 스티치(Stitich)본딩이 된 후, 캐필러리(미도시)에 의해 눌려져 제1, 2 와이어(W1, W2)가 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)의 상면에 절단, 부착될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다. The first and second wires W1 and W2 are stitched to the first and second bonding regions bd1 and bd2 and then pressed by a capillary (not shown) W2 may be cut and attached to the upper surfaces of the first and second bonding areas bd1 and bd2, but the present invention is not limited thereto.

이때, 발광소자 패키지(100)는 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)에서 제1, 2 와이어(W1, W2)의 일측을 감싸는 코팅부재(30)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 100 may include a coating member 30 surrounding one side of the first and second wires W1 and W2 in the first and second bonding regions bd1 and bd2.

코팅부재(30)는 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2) 상에 동일한 형상을 가지는 것으로 나타내었으나, 이에 한정을 두지 않으며, 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2) 중 적어도 하나에만 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The coating member 30 is shown to have the same shape on the first and second bonding regions bd1 and bd2 but is not limited thereto and may be disposed on at least one of the first and second bonding regions bd1 and bd2 And is not limited to this.

여기서, 코팅부재(30)는 전도성 재질을 포함할 수 있으며, Si 및 Ag 중 적어도 하나를 포함하거나, 또는 Si 및 Ag 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the coating member 30 may include a conductive material, and may include at least one of Si and Ag, or an alloy including at least one of Si and Ag, but is not limited thereto.

즉, 코팅부재(30)는 Ag를 포함하거나, Ag를 포함하는 합금인 경우, 발광소자(10)에서 방출되는 광을 반사시킬 수 있으며, 발광소자(10)에서 발생된 열이 제1, 2 와이어(W1, W2)를 통하여 제1, 2 리드프레임(13, 14)으로 방열되도록 할 수 있는 이점이 있다.That is, when the coating member 30 contains Ag or an alloy containing Ag, the coating member 30 can reflect light emitted from the light emitting element 10, and the heat generated from the light emitting element 10 is reflected by the first and second There is an advantage that heat can be radiated to the first and second lead frames 13 and 14 through the wires W1 and W2.

여기서, 도 4를 참조하면, 코팅부재(30)는 중심부가 볼록한 형상을 가질 수 있다. 즉, 코팅부재(30)는 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)가 플랫한 면(flat)에 배치됨에 따라 중심부가 볼록한 형상을 가지는 것이 용이할 수 있으며, 코팅부재(30)의 경사면은 곡률을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, referring to FIG. 4, the coating member 30 may have a convex shape in its central portion. That is, since the first and second bonding regions bd1 and bd2 of the first and second lead frames 13 and 14 are disposed on a flat surface, the coating member 30 can easily have a central convex shape And the inclined surface of the coating member 30 may have a curvature, but is not limited thereto.

또한, 코팅부재(30)의 두께(h1)는 20 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있으며, 20 ㎛ 미만인 경우 제1, 2 와이어(W1, W2)를 덮음에 있어 제1, 2 와이어(W1, W2)와 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2) 사이의 결합력에 대한 상승효과가 낮아지며, 30 ㎛ 보다 두꺼운 경우 결합력의 상승효과가 높아지는 반면 지향각 및 광 효율이 낮아질 수 있다.The thickness h1 of the coating member 30 may be in the range of 20 탆 to 30 탆 and the first and second wires W1 and W2 may be formed to cover the first and second wires W1 and W2, And the bonding strength between the first and second bonding regions bd1 and bd2 is low. When the thickness is larger than 30 m, the synergistic effect of the bonding force is enhanced, but the orientation angle and the light efficiency may be lowered.

그리고, 코팅부재(30)의 폭(d1)은 100 ㎛ 내지 160 ㎛일 수 있으며, 100 ㎛ 미만인 경우 제1, 2 와이어(W1, W2)가 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)에 본딩되는 과정에서 제1, 2 와이어(W1, W2)가 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)에 인접하여 늘어지게 되며, 이때 결합력의 상승효과가 낮아지며, 160 ㎛ 보다 넓은 경우 60 ㎛일 때 와의 결합력 상승효과에 비하여 미비하게 상승하지만, 코팅부재(30)의 제조 원가가 상승할 수 있다.The first and second wires W1 and W2 are bonded to the first and second bonding areas bd1 and bd2 when the coating member 30 has a width d1 of 100 to 160 m and less than 100 m. The first and second wires W1 and W2 are stretched adjacent to the first and second bonding regions bd1 and bd2 while the synergistic effect of the bonding force is lowered. In the case where the first and second wires W1 and W2 are wider than 160 m, But the manufacturing cost of the coating member 30 can be increased.

또한, 코팅부재(30)의 폭(d1)은 제1 본딩영역(bd1)의 폭(bd_1)보다 좁을 수 있으며, 실시 예에서 제1 본딩영역(bd1) 만을 나타내었으나, 제2 본딩영역(bd2)는 제1 본딩영역(bd1)과 동일한 사이즈인 것으로 설명하는 바, 이에 한정을 두지 않는다. The width d1 of the coating member 30 may be narrower than the width bd_1 of the first bonding area bd1 and only the first bonding area bd1 is shown in the embodiment. However, the second bonding area bd2 Is the same size as the first bonding area bd1, but is not limited thereto.

도 5는 도 3에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임에 대한 제2 실시 예를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the light emitting device and the first and second lead frames shown in Fig.

도 5는 도 3 및 도 4와 중복되는 부분에 대한 설명을 생략하거나, 간략하게 설명한다.FIG. 5 omits the description of the parts overlapping with FIGS. 3 and 4, or briefly explains.

도 5를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 제1, 2 리드프레임(13, 14) 및 제1 리드프레임(13) 상에 배치되며, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 각각과 제1, 2 와이어(W1, W2)로 본딩 연결된 발광소자(10)를 포함할 수 있다.5, the light emitting device package 100 is disposed on the first and second lead frames 13 and 14 and the first lead frame 13 and includes first and second lead frames 13 and 14, And a light emitting device 10 connected to the first and second wires W1 and W2 by bonding.

도 5에 나타낸 실시 예에서 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)에는 제1, 2 와이어(W1, W2)의 일측과 코팅부재(30) 사이에 배치된 범프볼(32)이 배치될 수 있다.5, a bump ball 32 disposed between one side of the first and second wires W1 and W2 and the coating member 30 may be disposed in the first and second bonding areas bd1 and bd2 have.

여기서, 범프볼(32)은 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2)에 제1, 2 와이어(W1, W2)의 일측이 스티치 본딩된 후, 제1, 2 와이어(W1, W2)의 본딩 결합이 끊어지는 것을 방지하며, 결합력을 증대시킬 수 있다.The bump ball 32 is formed by stitch bonding one side of the first and second wires W1 and W2 to the first and second bonding regions bd1 and bd2 and then bonding the first and second wires W1 and W2 The bonding can be prevented from being cut off, and the bonding force can be increased.

이때, 범프볼(32)의 폭(d2) 및 두께(h2)은 코팅부재(30)의 폭(d1) 및 두께(h1)와 동일하거나, 낮을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The width d2 and the thickness h2 of the bump ball 32 may be equal to or less than the width d1 and the thickness h1 of the coating member 30 and are not limited thereto.

즉, 범프볼(32)의 두께(h2)는 코팅부재(30)의 두께(h1) 대비 0.6배 내지 0.9배이거나, 범프볼(32)의 폭(d2)은 코팅부재(30)의 폭(d1) 대비 0.5배 내지 0.8배일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.That is, the thickness h2 of the bump ball 32 is 0.6 to 0.9 times the thickness h1 of the coating member 30 or the width d2 of the bump ball 32 is the width of the coating member 30 d1), but is not limited thereto.

다시 말하면, 코팅부재(30)는 범프볼(32)을 감싸므로 결합력을 향상시킬 수 있으며, 코팅부재(30)는 범프볼(32)과 제1, 2 본딩영역(bd1, bd2) 사이의 계면을 덮도록 하여 결합력을 상승시킬 수 있으며, 범프볼(32)의 폭(d2) 및 두께(h2)에 대하여 한정을 두지 않는다.In other words, since the coating member 30 surrounds the bump balls 32, the bonding force can be improved, and the coating member 30 can be formed at the interface between the bump balls 32 and the first and second bonding regions bd1 and bd2 And the width d2 and the thickness h2 of the bump balls 32 are not limited.

범프볼(32)은 Ag, Cu, Al, Au 등의 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 이외에 다른 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The bump balls 32 may include conductive materials such as Ag, Cu, Al, and Au, and may include other conductive materials. However, the present invention is not limited thereto.

도 6은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이고, 도 7은 도 6에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임을 나타낸 사시도이고, 도 8 내지 도 9는 도 6에 나타낸 발광소자 및 제1, 2 리드프레임에 대한 다양한 실시 예를 나타낸 단면도이다.FIG. 6 is a perspective view showing a light emitting device package according to the embodiment, FIG. 7 is a perspective view showing the light emitting device and the first and second lead frames shown in FIG. 6, FIGS. 8 to 9 are cross- 1 < / RTI > and 2 lead frames.

도 6 내지 도 9에 나타낸 발광소자(110)는 도 2에 나타낸 발광소자(10)와 동일구성이며, 도면부호를 다르게 나타낸 것이며, 설명은 간략하게 하거나, 생략하기로 한다.The light emitting device 110 shown in Figs. 6 to 9 has the same configuration as that of the light emitting device 10 shown in Fig. 2, and the reference numerals are different from each other, and the description thereof will be simplified or omitted.

도 6을 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 발광소자(110), 발광소자(110)가 배치된 제1 리드프레임(113) 및 제1 리드프레임(113)과 이격된 제2 리드프레임(114)을 포함하는 몸체(120)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the light emitting device package 200 includes a first lead frame 113 having a light emitting element 110, a light emitting element 110, and a second lead frame 113 spaced apart from the first lead frame 113 114). ≪ / RTI >

여기서, 발광소자 패키지(200)는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지(100)와 동일한 구성에 대한 자세한 설명을 생략하거나 간략하게 설명한다.Here, the light emitting device package 200 will not be described or briefly described in detail for the same configuration as the light emitting device package 100 shown in FIG.

이때, 몸체(120)는 제1, 2 방향(미도시)으로 서로 교차하는 제1, 2 격벽(122, 124)으로 캐비티(s1)를 형성하며, 캐비티(s1) 내에는 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함하는 수지물(118)이 충진될 수 있다.At this time, the body 120 forms a cavity s1 with first and second partition walls 122 and 124 intersecting each other in first and second directions (not shown), and the cavity s1 is provided with a phosphor and a light diffusion material The resin material 118 may be filled with the resin.

또한, 몸체(120)의 제1, 2 격벽(122, 124) 중 적어도 하나에는 제1, 2 리드프레임(113, 114)의 극성을 나타내는 캐소드 마크(117)가 형성될 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(113, 114) 사이에는 제1, 2 리드프레임(113, 114)의 절연을 위한 절연댐(116)이 형성될 수 있다.A cathode mark 117 may be formed on at least one of the first and second barrier ribs 122 and 124 of the body 120 to indicate the polarity of the first and second lead frames 113 and 114, An insulation dam 116 for insulation of the first and second lead frames 113 and 114 may be formed between the two lead frames 113 and 114.

여기서, 제1, 2 리드프레임(113, 114)은 제1, 2 본딩영역(bd11, bd12)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 본딩영역(bd11, db12)에는 발광소자(110)의 제1, 2 전극(7, 8)과 타측이 연결된 제1, 2 와이어(W11, W12)의 일측이 본딩 연결되는 제1, 2 본딩 캐비티(이하, "제1, 2 본딩영역"이라 함)를 형성할 수 있다.The first and second lead frames 113 and 114 may include first and second bonding regions bd11 and bd12 and the first and second bonding regions bd11 and db12 may include first and second lead frames 113 and 114, A first and a second bonding cavities (hereinafter, referred to as "first and second bonding regions") to which one side of the first and second electrodes 7 and 8 and the first and second wires W11 and W12 connected to each other are bonded, .

이때, 제1, 2 본딩영역(bd11, bd12)에는 제1, 2 리드프레임(113, 114)과 제1, 2 와이어(W11, W12) 사이의 결합력을 증가시키기 위하여 코팅부재(130)가 형성될 수 있다.At this time, a coating member 130 is formed in the first and second bonding areas bd11 and bd12 to increase the bonding force between the first and second lead frames 113 and 114 and the first and second wires W11 and W12 .

우선, 도 8을 참조하면, 코팅부재(130)는 제1, 2 본딩영역(bd11, bd12) 내에서 중심부가 볼록 또는 오목하거나, 플랫(flat)하게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Referring to FIG. 8, the coating member 130 may be formed in a convex, concave, or flat shape in the first and second bonding regions bd11 and bd12, but is not limited thereto.

이때, 코팅부재(130)의 두께(h11)는 제1 본딩영역(bd11)의 깊이(h12)보다 큰 것으로 나타내었으나, 코팅부재(130)의 두께(h11)은 제1 본딩영역(bd11)의 깊이(h21)와 동일하거나, 두꺼울 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.The thickness h11 of the coating member 130 is larger than the depth h12 of the first bonding region bd11, but the thickness h11 of the coating member 130 is greater than the thickness h11 of the first bonding region bd11. It may be the same as or thicker than the depth h21, and is not limited thereto.

여기서, 코팅부재(130)의 폭(d11)은 제1 본딩영역(bd11)의 폭(bd_11)과 동일하거나, 넓을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the width d11 of the coating member 130 may be equal to or broader than the width bd_11 of the first bonding area bd11, but is not limited thereto.

그리고, 제1 본딩영역(bd11)의 내측면 경사각(θ1)은 제1 와이어(W11)와 제1 본딩영역(bd11)의 하부면 사이의 경사각(θ2)과 동일하거나 제1 와이어(W11)와 제1 본딩영역(bd11)의 하부면 사이의 경사각(θ2)보다 작게 함으로써, 제1 와이어(W11)의 본딩시 제1 와이어(W11)의 크랙(crack)을 방지할 수 있다.The inner inclination angle? 1 of the first bonding area bd11 is equal to the inclination angle? 2 between the first wire W11 and the lower surface of the first bonding area bd11, The first wire W11 can be prevented from cracking when the first wire W11 is bonded by making the inclination angle? 2 smaller than the inclination angle? 2 between the lower surfaces of the first bonding area bd11.

이때, 내측면 경사각(θ1)은 30 °내지 90 °의 경사각을 갖을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In this case, the inner side inclination angle [theta] 1 may have an inclination angle of 30 [deg.] To 90 [deg.], But is not limited thereto.

도 9에 나타낸 코팅부재(130)는 제1 본딩영역(bd11) 내에 배치되며 제1 와이어(W11)의 일측 위에 배치된 범프볼(132)을 감싸도록 형성될 수 있다.The coating member 130 shown in FIG. 9 may be formed to surround the bump balls 132 disposed in the first bonding area bd11 and disposed on one side of the first wire W11.

이때, 범프볼(132)은 제1 와이어(W11)와 제1 리드프레임(113) 사이의 결합력을 증가시킬 수 있으며, 범프볼(132)의 두께(h12)는 제1 본딩영역(bd11)의 깊이(h21) 보다 두꺼운 것으로 나타내었으나, 동일하거나 낮을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.At this time, the bump ball 132 may increase the bonding force between the first wire W11 and the first lead frame 113, and the thickness h12 of the bump ball 132 may be larger than the thickness h12 of the first bonding area bd11. Although it is shown as being thicker than the depth h21, it may be the same or lower, but it is not limited thereto.

이때, 코팅부재(130)의 단면 형상은 범프볼(132)의 두께(h12)가 제1 본딩영역(bd11)의 깊이(h21)와 동일하거나, 또는 낮으면 중심부가 오목한 형상이거나, 플랫한 형상을 가질 수 있으며, 범프볼(132)의 두께(h12)가 제1 본딩영역(bd11)의 깊이(h21) 보다 두꺼운 경우 중심부가 볼록한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The cross-sectional shape of the coating member 130 may be such that the thickness h12 of the bump ball 132 is equal to the depth h21 of the first bonding area bd11, And the central portion may have a convex shape when the thickness h12 of the bump ball 132 is thicker than the depth h21 of the first bonding region bd11.

범프볼(132)의 폭(d12)은 코팅부재(130)의 폭(d11) 및 제1 본딩영역(bd11)의 폭(bd_11)보다 낮을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The width d12 of the bump ball 132 may be lower than the width d11 of the coating member 130 and the width bd_11 of the first bonding area bd11 and is not limited thereto.

그리고, 제1 본딩영역(bd11)의 내측면 경사각(θ1)은 제1 와이어(W11)와 제1 본딩영역(bd11)의 하부면 사이의 경사각(θ2)과 동일하거나 제1 와이어(W11)와 제1 본딩영역(bd11)의 하부면 사이의 경사각(θ2)보다 작게 함으로써, 제1 와이어(W11)의 본딩시 제1 와이어(W11)의 크랙(crack)을 방지할 수 있다.The inner inclination angle? 1 of the first bonding area bd11 is equal to the inclination angle? 2 between the first wire W11 and the lower surface of the first bonding area bd11, The first wire W11 can be prevented from cracking when the first wire W11 is bonded by making the inclination angle? 2 smaller than the inclination angle? 2 between the lower surfaces of the first bonding area bd11.

이때, 내측면 경사각(θ1)은 30 °내지 90 °의 경사각을 갖을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In this case, the inner side inclination angle [theta] 1 may have an inclination angle of 30 [deg.] To 90 [deg.], But is not limited thereto.

도 9에 나타낸 범프볼(132)은 제1 본딩영역(bd11)의 중심에 배치되며 양측 내측면에 일부분이 중첩되게 배치되었으나, 제1 본딩영역(bd11)의 하부면에만 배치되는 경우 발광소자(110)의 일측면과 마주보는 내측면에 인접하게 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The bump balls 132 shown in FIG. 9 are disposed at the center of the first bonding area bd11 and partially overlap the inner sides of the first bonding area bd11. However, when the bump balls 132 are disposed only on the lower surface of the first bonding area bd11, 110, but is not limited to this.

또한, 도 8 및 도 9에는 제1 본딩영역(bd11)만 나타내었으나, 제2 본딩영역(bd12)은 제1 본딩영역(bd11)과 동일할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Although only the first bonding area bd11 is shown in Figs. 8 and 9, the second bonding area bd12 may be the same as the first bonding area bd11, but is not limited thereto.

도 10은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 11은 도 10에 나타낸 조명장치의 A-A` 단면을 나타낸 단면도이다.FIG. 10 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of the lighting device shown in FIG.

이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.In order to describe the shape of the illumination device 300 according to the embodiment in detail, the longitudinal direction Z of the illumination device 300, the horizontal direction Y perpendicular to the longitudinal direction Z, The direction Z and the horizontal direction Y and the vertical direction X perpendicular to the horizontal direction Y will be described.

즉, 도 11은 도 10의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.11 is a cross-sectional view of the lighting device 300 of FIG. 10 cut in the longitudinal direction Z and the height direction X and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 10 및 도 11을 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.10 and 11, the lighting apparatus 300 may include a body 310, a cover 330 coupled to the body 310, and a finishing cap 350 positioned at opposite ends of the body 310 have.

몸체(310)의 하부면에는 발광소자모듈(340)이 체결되며, 몸체(310)는 발광소자패키지(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.The light emitting device module 340 is coupled to a lower surface of the body 310. The body 310 is electrically conductive so that heat generated from the light emitting device package 344 can be emitted to the outside through the upper surface of the body 310. [ And a metal material having an excellent heat dissipation effect.

여기서, 발광소자모듈(340)은 발광소자패키지(344) 및 인쇄회로기판(342)을 포함하는 발광소자 어레이(미도시)를 포함할 수 있다.The light emitting device module 340 may include a light emitting device array (not shown) including a light emitting device package 344 and a printed circuit board 342.

발광소자패키지(344)는 PCB(342) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB(342)로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다. The light emitting device package 344 is mounted on the PCB 342 in a multi-color, multi-row manner to form an array. The light emitting device package 344 can be mounted at equal intervals or can be mounted with various spacings as needed. As the PCB 342, MCPCB (Metal Core PCB) or FR4 material can be used.

커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 330 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 310, but is not limited thereto.

커버(330)는 내부의 발광소자모듈(340)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(330)는 발광소자패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 330 protects the internal light emitting element module 340 from foreign substances or the like. In addition, the cover 330 may include diffusion particles to prevent glare of light generated in the light emitting device package 344 and uniformly emit light to the outside, and may include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 330 A prism pattern or the like may be formed on one side. Further, the phosphor may be coated on at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 330.

한편, 발광소자패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, since the light generated in the light emitting device package 344 is emitted to the outside through the cover 330, the cover 330 should have a high light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated in the light emitting device package 344 The cover 330 is preferably formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), or polymethyl methacrylate (PMMA) .

마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
The finishing cap 350 is located at both ends of the body 310 and can be used for sealing the power supply unit (not shown). In addition, the finishing cap 350 is provided with the power pin 352, so that the lighting device 300 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 12는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.12 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device package according to the first embodiment.

도 12는 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.12, the liquid crystal display 400 may include a liquid crystal display panel 410 and a backlight unit 470 for providing light to the liquid crystal display panel 410 in an edge-light manner.

액정표시패널(410)은 백라이트유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 410 can display an image using the light provided from the backlight unit 470. The liquid crystal display panel 410 may include a color filter substrate 412 and a thin film transistor substrate 414 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 412 can realize the color of the image to be displayed through the liquid crystal display panel 410.

박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 414 is electrically connected to a printed circuit board 418 on which a plurality of circuit components are mounted through a driving film 417. The thin film transistor substrate 414 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 418 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 418.

박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 414 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(420), 발광소자모듈(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 466, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(440)로 구성된다.The backlight unit 470 includes a light emitting device module 420 that outputs light, a light guide plate 430 that changes the light provided from the light emitting device module 420 into a surface light source to provide the light to the liquid crystal display panel 410, A plurality of films 450, 466 and 464 for uniforming the luminance distribution of the light provided from the light guide plate 430 and improving the vertical incidence property and a reflective sheet 430 for reflecting the light emitted to the rear of the light guide plate 430 to the light guide plate 430 440).

발광소자모듈(420)은 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(422)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 420 may include a PCB substrate 422 for mounting a plurality of light emitting device packages 424 and a plurality of light emitting device packages 424 to form an array.

한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(466)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)을 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.The backlight unit 470 includes a diffusion film 466 for diffusing light incident from the light guide plate 430 toward the liquid crystal display panel 410 and a prism film 450 for enhancing vertical incidence by condensing the diffused light. And may include a protective film 464 for protecting the prism film 450.

도 13은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.13 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the light emitting device package according to the second embodiment.

다만, 도 12에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.However, the parts shown and described in Fig. 12 are not repeatedly described in detail.

도 13은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트유닛(570)을 포함할 수 있다.13, the liquid crystal display 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510 in a direct-down manner.

액정표시패널(510)은 도 12에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 510 is the same as that described with reference to FIG. 12, a detailed description will be omitted.

백라이트유닛(570)은 복수의 발광소자모듈(523), 반사시트(524), 발광소자모듈(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자모듈(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 includes a plurality of light emitting element modules 523, a reflective sheet 524, a lower chassis 530 in which the light emitting element module 523 and the reflective sheet 524 are accommodated, A plurality of optical films 560, and a diffuser plate 540 disposed on the diffuser plate 540. [

발광소자모듈(523)은 복수의 발광소자패키지(522)와 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(521)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 523 may include a PCB substrate 521 for mounting a plurality of light emitting device packages 522 and a plurality of light emitting device packages 522 to form an array.

반사시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflection sheet 524 reflects light generated from the light emitting device package 522 in a direction in which the liquid crystal display panel 510 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

한편, 발광소자모듈(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학필름(560)이 배치된다. 광학필름(560)은 확산필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함할 수 있다.The light generated from the light emitting device module 523 is incident on the diffusion plate 540 and the optical film 560 is disposed on the diffusion plate 540. The optical film 560 may include a diffusion film 566, a prism film 550, and a protective film 564.

여기서, 조명장치(300) 및 액정표시장치는 조명시스템에 포함될 수 있으며, 이 외에도 발광소자 패키지를 포함하며 조명을 목적으로 하는 장치 등도 조명시스템에 포함될 수 있다.Here, the illumination device 300 and the liquid crystal display device may be included in the illumination system, and in addition, a device including the light emitting device package and an illumination purpose may be included in the illumination system.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It will be appreciated that various modifications and applications are possible without departing from the scope of the present invention. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (20)

발광소자;
상기 발광소자가 배치된 리드프레임을 포함하고, 캐비티가 형성된 몸체;
상기 리드프레임과 전기적으로 연결된 와이어; 및
상기 와이어의 일측을 감싸고, 상기 리드프레임 상에 배치되는 코팅부재;를 포함하고,
상기 코팅부재는,
상기 리드프레임 상에 형성된 본딩 캐비티에 배치되며,
Si 및 Ag 중 적어도 하나를 포함하거나,
또는 Si 및 Ag 중 적어도 하나를 포함하는 합금이고,
상기 코팅부재의 두께는, 20 ㎛ 내지 30 ㎛이고,
상기 코팅부재의 폭은, 100 ㎛ 내지 160 ㎛이며,
상기 본딩 캐비티의 깊이는,
상기 코팅부재의 두께와 동일하거나,
또는 상기 코팅부재의 두께보다 두꺼운 발광소자 패키지.A light emitting element;
A body including a lead frame in which the light emitting element is disposed, the body including a cavity;
A wire electrically connected to the lead frame; And
And a coating member surrounding one side of the wire and disposed on the lead frame,
Wherein the coating member comprises:
A bonding cavity disposed on the lead frame,
At least one of Si and Ag,
Or an alloy containing at least one of Si and Ag,
The thickness of the coating member is 20 占 퐉 to 30 占 퐉,
The width of the coating member is 100 탆 to 160 탆,
The depth of the bonding cavity,
Is equal to the thickness of the coating member,
Or the thickness of the coating member. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 본딩 캐비티의 폭은,
상기 코팅부재의 폭과 동일하거나,
또는 상기 코팅부재의 폭보다 넓고,
상기 코팅부재는 중심부가 평탄하거나, 또는 볼록한 발광소자 패키지.The method as claimed in claim 1, wherein the width of the bonding cavity
A width of the coating member,
Or wider than the width of the coating member,
Wherein the coating member is flat or convex in the central part. 제 1 항에 있어서, 상기 본딩 캐비티의 내측면은,
상기 와이어와 상기 본딩 캐비티의 하부면 사이의 경사각과 동일하거나,
또는 상기 와이어와 상기 본딩 캐비티의 하부면 사이의 경사각보다 작고,
상기 본딩 캐비티의 내측면은, 30 °내지 90 °의 경사각을 갖는 발광소자 패키지.The bonding apparatus according to claim 1, wherein an inner surface of the bonding cavity
And an inclination angle between the wire and the lower surface of the bonding cavity,
Or less than an inclination angle between the wire and the lower surface of the bonding cavity,
Wherein an inner surface of the bonding cavity has an inclination angle of 30 DEG to 90 DEG. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 코팅부재가 배치되는 상기 리드프레임에서 상기 와이어의 일측과 상기 코팅부재 사이에 배치된 범프볼;을 포함하고,
상기 범프볼의 두께는,
상기 코팅부재의 두께 대비 0.6배 내지 0.9배이고,
상기 범프볼의 폭은 상기 코팅부재의 폭 대비 0.5배 내지 0.8배이며,
상기 본딩 캐비티의 깊이보다 낮거나,
또는 상기 본딩 캐비티의 깊이보다 두꺼운 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And a bump ball disposed between one side of the wire and the coating member in the lead frame in which the coating member is disposed,
The thickness of the bump ball may be,
0.6 times to 0.9 times the thickness of the coating member,
The width of the bump balls is 0.5 to 0.8 times the width of the coating member,
A lower depth of the bonding cavity,
Or the depth of the bonding cavity. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 캐비티는,
상기 발광소자가 배치되는 방향으로 폭이 줄어드는 경사가 형성된 발광소자 패키지.2. The apparatus of claim 1,
Wherein a width of the light emitting device is reduced in a direction in which the light emitting device is disposed. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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