KR101950756B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시 예는, 적어도 2개 이상의 제1 발광소자, 제2 발광소자 및 상기 제1 발광소자가 배치되며 제1 하면을 기준으로 제1 두께를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 하면을 기준으로 제2 두께를 가지는 제2 영역을 포함하는 제1 리드프레임 및 상기 제1 리드프레임과 이격되며, 상기 제2 발광소자가 배치되며 제2 하면을 기준으로 제3 두께를 가지는 제3 영역 및 상기 제2 하면을 기준으로 제4 두께를 가지는 제4 영역을 포함하는 제2 리드프레임을 포함하며, 상기 제1, 2 리드프레임 상에 제1 캐비티가 형성된 몸체를 포함하고, 상기 제2, 4 영역 상에는, 상기 제1, 2 발광소자에서 발생된 열을 확산시키는 제2 캐비티가 형성된 발광소자 패키지를 제공한다.In an embodiment, at least two first light emitting elements, a second light emitting element, and a first region in which the first light emitting element is disposed, the first region having a first thickness with respect to the first lower surface, And a third region spaced apart from the first lead frame and having a third thickness with respect to the second bottom surface, the second region being spaced apart from the first lead frame, And a second region including a fourth region having a fourth thickness based on the first region and the second region, wherein the first and second leadframes include a body having a first cavity formed on the first and second lead frames, And a second cavity for diffusing heat generated in the first and second light emitting devices.

Description

발광소자 패키지{Light emitting device package}A light emitting device package

실시 예는, 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.As a typical example of a light emitting device, a light emitting diode (LED) is a device for converting an electric signal into an infrared ray, a visible ray, or a light using the characteristics of a compound semiconductor, and is used for various devices such as household appliances, remote controllers, Automation equipment, and the like, and the use area of LEDs is gradually widening.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.

공개번호 10-2008-0060114에 기재된 바와 같이, 발광소자 패키지는 발광소자 및 발광소자가 배치되며, 캐비티가 형성된 몸체 및 캐비티 내에 충지된 수지물에 대하여 기재하고 있다.As disclosed in Publication No. 10-2008-0060114, a light emitting device package includes a light emitting element and a light emitting element arranged therein, and a resin body filled in the cavity and a body formed with the cavity are described.

최근 들어, 적어도 2이상의 발광소자가 배치되는 경우, 적어도 2이상의 발광소자 사이의 영역에서 적어도 2이상의 발광소자에서 발생된 열의 중첩에 의해 적어도 2이상의 발광소자가 파손을 방지하기 위한 연구가 진행 중에 있다.In recent years, when at least two light emitting elements are disposed, research is underway to prevent breakage of at least two or more light emitting elements by overlapping heat generated by at least two light emitting elements in a region between at least two light emitting elements .

실시 예는, 적어도 2이상의 발광소자 사이의 영역을 확장하여 적어도 2이상의 발광소자에서 발생된 열의 중첩에 대한 적어도 2이상의 발광소자에 대한 파손을 방지하기 용이한 발광소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package that is easy to prevent breakage of at least two or more light emitting devices due to superimposition of heat generated by at least two light emitting devices by expanding a region between at least two light emitting devices.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 적어도 2개 이상의 제1 발광소자, 제2 발광소자 및 상기 제1 발광소자가 배치되며 제1 하면을 기준으로 제1 두께를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 하면을 기준으로 제2 두께를 가지는 제2 영역을 포함하는 제1 리드프레임 및 상기 제1 리드프레임과 이격되며, 상기 제2 발광소자가 배치되며 제2 하면을 기준으로 제3 두께를 가지는 제3 영역 및 상기 제2 하면을 기준으로 제4 두께를 가지는 제4 영역을 포함하는 제2 리드프레임을 포함하며, 상기 제1, 2 리드프레임 상에 제1 캐비티가 형성된 몸체를 포함하고, 상기 제2, 4 영역 상에는, 상기 제1, 2 발광소자에서 발생된 열을 확산시키는 제2 캐비티가 형성될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a first region having at least two first light emitting elements, a second light emitting element, and a first light emitting element, the first region having a first thickness with respect to a first lower surface, And a third region having a third thickness with respect to the second lower surface, the first region being spaced apart from the first lead frame, the second region being spaced apart from the first region, And a second leadframe including a fourth region having a fourth thickness with respect to the second bottom surface, the body including a first cavity formed on the first and second leadframes, A second cavity for diffusing heat generated from the first and second light emitting devices may be formed on the fourth region.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체에 의해 형성된 제1 캐비티 내에서 제1, 2 리드프레임에 의하여 제1, 2 발광소자 사이에 제2 캐비티를 형성함으로써, 제1, 2 발광소자에서 발생된 열에 대한 중첩되는 영역을 크게하여, 상기 열을 확산시켜 제1, 2 발광소자의 열에 의한 파손을 방지할 수 있는 이점이 있다.In the light emitting device package according to the embodiment, the first cavity is formed between the first and second light emitting devices by the first and second lead frames in the first cavity formed by the body, There is an advantage that the overlapped area with respect to the heat is enlarged and the heat is diffused to prevent the first and second light emitting devices from being damaged by heat.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 캐비티의 중심에 집중된 열을 제2 캐비티에 의해 열을 분산시킬 수 있으므로, 열이 집중되는 영역을 확장시킬 수 있는 이점이 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment has an advantage that the heat concentrated can be dispersed by the second cavity in the heat concentrated in the center of the first cavity.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 제1, 2 리드프레임을 실시 예에 따른 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 발광소자 패키지의 절단면에 대한 제1 실시 예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지의 절단면에 대한 제2 실시 예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에 나타낸 조명장치의 A-A 단면을 나타낸 단면도이다.
도 7은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 8은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a perspective view showing the first and second lead frames shown in FIG. 1 according to an embodiment. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a cut surface of the light emitting device package shown in FIG. 1. FIG.
4 is a cross-sectional view showing a second embodiment of a cut surface of the light emitting device package shown in FIG.
5 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
6 is a cross-sectional view showing an AA section of the illumination apparatus shown in Fig.
7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the light emitting device package according to the first embodiment.
8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the light emitting device package according to the second embodiment.

본 실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the present embodiment, in the case where one element is described as being formed "on or under" of another element, the upper (upper) or lower (lower) on or under includes both the two elements being directly contacted with each other or one or more other elements being indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. Therefore, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

또한, 본 명세서에서 발광소자 패키지의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자 패키지를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angles and directions mentioned in the description of the structure of the light emitting device package in this specification are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device package in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.

도 1은 발광소자 패키지의 일부분을 투시하여 나타낸 투과 사시도이며, 실시 예에서 발광소자 패키지는 탑 뷰 타입인 것으로 나타내었으나, 사이드 뷰 타입일 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.1 is a transparent perspective view showing a part of a light emitting device package. In the embodiment, the light emitting device package is shown as a top view type, but it may be a side view type and is not limited thereto.

도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 제1, 2 발광소자(11, 12) 및 제1, 2 발광소자(11, 12)가 배치된 몸체(20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device package 100 may include a body 20 having first and second light emitting devices 11 and 12 and first and second light emitting devices 11 and 12.

몸체(20)는 제1 방향(미도시)으로 배치된 제1 격벽(22) 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(미도시)으로 배치된 제2 격벽(24)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 격벽(22, 24)은 서로 일체형으로 형성될 수 있으며, 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대하여 한정을 두지 않는다.The body 20 may include a first partition 22 disposed in a first direction (not shown) and a second partition 24 disposed in a second direction (not shown) that intersects the first direction And the first and second barrier ribs 22 and 24 may be integrally formed with each other, and may be formed by injection molding, etching, or the like, but are not limited thereto.

즉, 제1, 2 격벽(22, 24)은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹, 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. That is, the first and second barrier ribs 22 and 24 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlOx, at least one of photo sensitive glass, polyamide 9T (PA9T), syndiotactic polystyrene (SPS), metal material, sapphire (Al2O3), beryllium oxide (BeO), ceramics, and a printed circuit board .

제1, 2 격벽(22, 24)의 상면 형상은 제1, 2 발광소자(11, 12)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The upper and lower surfaces of the first and second barrier ribs 22 and 24 may have various shapes such as a triangular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the first and second light emitting devices 11 and 12, Do not.

제1, 2 격벽(22, 24)은 제1, 2 발광소자(11, 12)가 배치되는 제1 캐비티(s1)를 형성하며, 제1 캐비티(s1)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 제1 캐비티(s1)를 이루는 제1, 2 격벽(22, 24)은 하부 방향으로 경사지게 형성될 수 있으며, 내측면에는 요철구조가 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두자 않는다.The first and second barrier ribs 22 and 24 form a first cavity s1 in which the first and second light emitting devices 11 and 12 are disposed and the sectional shape of the first cavity s1 is a cup shape, And the first and second barrier ribs 22 and 24 forming the first cavity s1 may be inclined downwardly and the inner side surface may have a concave and convex structure. I will not.

그리고, 제1 캐비티(s1)의 평면 형상은 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The planar shape of the first cavity s1 may have various shapes such as a triangular shape, a square shape, a polygonal shape, and a circular shape, but is not limited thereto.

몸체(20)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)이 배치될 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.The first and second lead frames 13 and 14 may be formed of a metal material such as titanium (Ti), copper (Au), chrome (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P) And may include one or more materials or alloys of indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru) .

그리고, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The first and second lead frames 13 and 14 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but are not limited thereto.

제1, 2 격벽(22, 24)의 내측면은 제1, 2 리드프레임(13, 14) 중 어느 하나를 기준으로 소정의 경사각을 가지고 경사지게 형성되며, 상기 경사각에 따라 발광소자(10)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 제1, 2 발광소자(11, 12)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 제1, 2 발광소자(11, 12)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.The inner surfaces of the first and second barrier ribs 22 and 24 are inclined at a predetermined inclination angle with respect to any one of the first and second lead frames 13 and 14, The reflection angle of the emitted light can be changed, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be controlled. The concentration of light emitted to the outside from the first and second light emitting devices 11 and 12 increases as the directional angle of light decreases while the concentration of light emitted to the outside increases from the first and second light emitting devices 11 and 12 as the directional angle of light increases. The concentration of light decreases.

몸체(20)의 내측면은 복수의 경사각을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The inner surface of the body 20 may have a plurality of inclination angles, but is not limited thereto.

제1, 2 리드프레임(13, 14)은 제1, 2 발광소자(11, 12)에 전기적으로 연결되며, 외부 전원(미도시)의 양(+)극 및 음(-)극에 각각 연결되어, 제1, 2 발광소자(11, 12)로 전원을 공급할 수 있다.The first and second lead frames 13 and 14 are electrically connected to the first and second light emitting devices 11 and 12 and connected to the positive and negative poles of an external power source So that power can be supplied to the first and second light emitting devices 11 and 12.

실시 예에서, 제1 리드프레임(13) 상에는 제1 발광소자(11)가 배치되며, 제2 리드프레임(14)은 제1 리드프레임(13)과 이격되며, 제2 발광소자(11)가 배치된 것으로 설명한다.In the embodiment, the first light emitting element 11 is disposed on the first lead frame 13, the second lead frame 14 is separated from the first lead frame 13, and the second light emitting element 11 .

또한, 제1 발광소자(11)는 제1 리드프레임(13)과 다이본딩되며, 제2 리드프레임(14)과 와이어(미도시)에 의하여 와이어 본딩되며, 제2 발광소자(12)는 제2 리드프레임(14)과 다이본딩되며, 제1 리드프레임(13)과 와이어(미도시)에 의하여 와이어 본딩되며, 제1, 2 발광소자(11, 12)는 제1, 2 리드프레임(13, 14)으로부터 전원을 공급받을 수 있다.The first light emitting device 11 is die-bonded to the first lead frame 13 and wire-bonded to the second lead frame 14 by wires (not shown) The first and second light emitting devices 11 and 12 are connected to the first and second lead frames 13 and 13 by wire bonding with a first lead frame 13 and a wire (not shown) And 14, respectively.

여기서, 제1, 2 발광소자(11, 12)는 제1 리드프레임(13) 및 제2 리드프레임(14)에 서로 다른 극성을 가지며 본딩될 수 있다.Here, the first and second light emitting devices 11 and 12 may be bonded to the first lead frame 13 and the second lead frame 14 with different polarities.

또한, 제1, 2 발광소자(11, 12)는 제1, 2 리드프레임(13, 14) 각각에 와이어 본딩되거나, 또는 다이본딩 될수 있으며, 접속 방법에 대하여 한정을 두지 않는다.The first and second light emitting devices 11 and 12 can be wire-bonded or die-bonded to the first and second lead frames 13 and 14, respectively, and the connection method is not limited.

그리고, 제1 리드프레임(13)은 제1 하면(미도시)을 기준으로 제1 두께(미도시)를 가지는 제1 영역(미도시) 및 상기 제1 하면을 기준으로 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께(미도시)를 가지는 제2 영역(미도시)을 포함할 수 있다.The first lead frame 13 has a first region (not shown) having a first thickness (not shown) based on a first lower surface (not shown) and a second region And a second region (not shown) having a second thickness (not shown).

또한, 제2 리드프레임(14)은 제2 하면(미도시)을 기준으로 제3 두께(미도시)를 가지는 제3 영역(미도시) 및 상기 제2 하면을 기준으로 상기 제3 두께보다 얇은 제4 두께(미도시)를 가지는 제4 영역(미도시)을 포함할 수 있다.The second lead frame 14 has a third region (not shown) having a third thickness (not shown) based on a second lower surface (not shown), and a second region And a fourth region (not shown) having a fourth thickness (not shown).

이때, 상기 제2, 4 영역 상에는 제2 캐비티(s2)가 형성될 수 있으며, 제2 캐비티(s2)는 제1, 2 발광소자(11, 12)에서 발생된 열을 확산시킬 수 있으며, 자세한 설명은 후술하기로 한다.At this time, the second cavity s2 may be formed on the second and fourth regions, the second cavity s2 may diffuse the heat generated from the first and second light emitting devices 11 and 12, The description will be given later.

그리고, 제1, 2 발광소자(11, 12)는 제1, 2 리드프레임(13, 14) 상에 접착부재(미도시)에 의해 접착될 수 있다.The first and second light emitting devices 11 and 12 can be adhered to the first and second lead frames 13 and 14 by an adhesive member (not shown).

여기서, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 사이, 즉 제2 캐비티(s2)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 전기적인 단락(쇼트)를 방지하기 위한 절연댐(16)이 형성될 수 있다.An insulating dam (not shown) is provided on the lower surface of the second cavity s2 between the first and second lead frames 13 and 14 to prevent electrical shorting of the first and second lead frames 13 and 14. [ (16) may be formed.

실시 예에서, 절연댐(16)은 상부가 반원형으로 형성될 수 있으며, 사출물 주입 방법에 따라 상부 형상이 상이할 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In the embodiment, the upper portion of the insulating dam 16 may be formed in a semicircular shape, and the shape of the upper portion may vary depending on the injection material injection method, and is not limited thereto.

몸체(20)에는 캐소드 마크(cathode mark, 17)가 형성될 수 있다. 캐소드 마크(17)는 제1, 2 발광소자(11, 12)의 극성, 즉 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 극성을 구분하여, 제1, 2 리드프레임(13, 14)을 전기적으로 연결할 때, 혼동을 방지하는데 이용될 수 있을 것이다.A cathode mark (17) may be formed on the body (20). The cathode mark 17 is formed by dividing the polarities of the first and second light emitting devices 11 and 12, that is, the polarities of the first and second lead frames 13 and 14 so that the first and second lead frames 13 and 14 When electrically connected, it may be used to prevent confusion.

제1, 2 발광소자(11, 12)는 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정을 두지 않으며, 또한 제1, 2 리드프레임(13, 14)에 실장되는 제1, 2 발광소자(11, 12)는 복수 개 일 수 있으며, 제1, 2 발광소자(11, 12)의 개수 및 실장위치에 대하여 한정을 두지 않는다. The first and second light emitting devices 11 and 12 may be light emitting diodes. The light emitting diode may be, for example, a colored light emitting diode that emits light such as red, green, blue, and white, or a UV (Ultra Violet) light emitting diode that emits ultraviolet light. However, The number of the first and second light emitting devices 11 and 12 and the mounting position of the first and second light emitting devices 11 and 12 may be limited Do not.

몸체(20)는 제1 캐비티(s1)에 충진된 수지물(18)을 포함할 수 있다. 즉, 수지물(18)은 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The body 20 may include a resin material 18 filled in the first cavity s1. That is, the resin material 18 may be formed in a double molding structure or a triple molding structure, but is not limited thereto.

그리고, 수지물(18)은 필름형으로 형성될 수 있으며, 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 또한 형광체 및 광확산재를 포함하지 않는 투광성재질이 사용될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.The resin material 18 may be formed in a film form and may include at least one of a phosphor and a light diffusing material, and a light-transmitting material not including a phosphor and a light diffusing material may be used. Do not.

도 2는 도 1에 나타낸 제1, 2 리드프레임을 실시 예에 따른 나타낸 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view showing the first and second lead frames shown in FIG. 1 according to an embodiment. FIG.

도 2를 참조하면, (a)는 제1, 2 발광소자(11, 12)가 배치된 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 제1 면(13sa, 14sa)을 바라본 사시도이며, (b)는 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 제1 면(13sa, 14sa)와 대향되는 제2 면(13sb, 14sb)을 바라본 사시도이다.2 (a) is a perspective view of the first surfaces 13sa and 14sa of the first and second lead frames 13 and 14 in which the first and second light emitting devices 11 and 12 are disposed, and FIG. b are perspective views of the second faces 13sb and 14sb facing the first faces 13sa and 14sa of the first and second lead frames 13 and 14. [

여기서, (a) 및 (b)를 참조하면, 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 측면은 단차가 형성될 수 있으며, 상기 단차가 형성되지 않을 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.Here, referring to FIGS. 6A and 6B, the side surfaces of the first and second lead frames 13 and 14 may have stepped portions, and the stepped portions may not be formed, and the present invention is not limited thereto.

제1 리드프레임(13)은 제1 상면(13sa) 및 제1 상면(13sa)과 대향되는 제1 하면(13sb)을 포함하며, 제1 하면(13ab)을 기준으로 제1 상면(13sa)까지 제1 두께(d1)를 가지는 제1 영역(13a) 및 제1 하면(13sb)을 기준으로 제1 상면(13sa)까지 제2 두께(d2)를 가지는 제2 영역(13b)을 포함할 수 있다.The first lead frame 13 includes a first upper surface 13sa and a first lower surface 13sb opposed to the first upper surface 13sa and extends from the first lower surface 13ab to the first upper surface 13sa A first region 13a having a first thickness d1 and a second region 13b having a second thickness d2 up to the first top surface 13sa with respect to the first bottom surface 13sb .

또한, 제2 리드프레임(14)은 제2 상면(14sa) 및 제2 상면(14sa)과 대향되는 제2 하면(14sb)을 포함하며, 제2 하면(14ab)을 기준으로 제2 상면(14sa)까지 제3 두께(d3)를 가지는 제3 영역(14a) 및 제2 하면(14sb)을 기준으로 제2 상면(14sa)까지 제4 두께(d4)를 가지는 제4 영역(14b)을 포함할 수 있다.The second lead frame 14 includes a second lower surface 14sa and a second lower surface 14sb opposed to the second upper surface 14sa and the second upper surface 14sa with respect to the second lower surface 14ab. And a fourth region 14b having a fourth thickness d4 from the second lower surface 14sb to the second upper surface 14sa with a third region 14a having a third thickness d3 up to the second top surface 14sa .

이때, 제1, 2 발광소자(11, 12)의 일측면은 제1, 2 영역(13a, 13b) 및 제3, 4 영역(14a, 14b)의 경계면 선상에 배치될 수 있다.One side of the first and second light emitting devices 11 and 12 may be disposed on the interface between the first and second regions 13a and 13b and the third and fourth regions 14a and 14b.

도 1에 나타낸 제1, 2 발광소자(11, 12)의 일측면은 제1, 2 영역(13a, 13b) 및 제3, 4 영역(14a, 14b)의 경계면 선상에 배치되지 않은 것으로 나타내었으나, 이에 한정을 두지 않는다.One side of each of the first and second light emitting devices 11 and 12 shown in Fig. 1 is not disposed on the boundary line between the first and second regions 13a and 13b and the third and fourth regions 14a and 14b , But does not limit it.

이때, 제2, 4 두께(d2, d4)는 서로 동일할 수 있으며, 제2, 4 두께(d2, d4)는 제1, 3 두께(d1, d3) 두께 대비 0.1배 내지 0.25배이거나, 0.1 ㎜ 내지 0.25 ㎜일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The second and fourth thicknesses d2 and d4 may be 0.1 to 0.25 times the thicknesses of the first and third thicknesses d1 and d3 or 0.1 to 0.25 times the thicknesses of the first and third thicknesses d1 and d3. Mm to 0.25 mm, but is not limited thereto.

즉, 제2, 4 두께(d2, d4)는 0.1 ㎜ 또는 제1, 3 두께(d1, d3) 두께 대비 0.1배 미만인 경우 몸체(20) 형성시 제2, 4 영역(13b, 14b)에 휨이 발생될 확률이 높아 몸체(20)와의 기밀성 확보가 어렵게 되며, 0.25 ㎜ 또는 제1, 3 두께(d1, d3) 두께 대비 0.25배 보다 큰 경우 제2 캐비티(s2)의 확보가 용이하지 못하며 제1, 2 발광소자(11, 12)에서 발생된 열에 대한 확산이 낮아질 수 있다.That is, when the second and fourth thicknesses d2 and d4 are less than 0.1 mm or less than 0.1 times the thicknesses of the first and third thicknesses d1 and d3, the second and fourth regions 13b and 14b are bent It is difficult to secure the airtightness with the body 20 and securing of the second cavity s2 is not easy if 0.25 mm or 0.25 times the thickness of the first and third thicknesses d1 and d3 is greater than 0.25 mm, Diffusion of heat generated by the first and second light emitting devices 11 and 12 can be lowered.

또한, 제2 영역(13b)의 제2 폭(w2) 및 제4 영역(14b)의 제4 폭(w4) 중 적어도 하나는 제1 캐비티(s1)에 노출된 제1 리드프레임(13)의 제1 상면(13sa)의 제1 폭(미도시) 및 제2 리드프레임(14)의 제2 상면(14sa)의 제3 폭(미도시) 중 적어도 하나 대비 0.1배 내지 0.3배일 수 있다.At least one of the second width w2 of the second region 13b and the fourth width w4 of the fourth region 14b is greater than the width w1 of the first lead frame 13 exposed in the first cavity s1 May be 0.1 to 0.3 times the at least one of the first width (not shown) of the first top surface 13sa and the third width (not shown) of the second top surface 14sa of the second lead frame 14.

즉, 제2, 4 폭(w2, w4) 중 적어도 하나는 상기 제1, 3 폭 중 적어도 하나의 0.1배 미만인 경우 제2 캐비티(s2)의 폭이 좁게 되며 제1, 2 발광소자(11, 12)에서 발생된 열에 대한 확산이 미미하게 되며, 0.3배 보다 큰 경우 제2 캐비티(s2)의 폭이 넓어지게 될 수 있으며, 제1, 2 발광소자(11, 12) 사이가 멀어지며 제1, 2 발광소자(11, 12)가 제1 캐비티(s1)의 내측면에 가까워져 중심부보다 내측면에서 밝기가 더 밝아질 수 있다. That is, when at least one of the second and fourth widths w2 and w4 is less than 0.1 times the width of at least one of the first and third widths, the width of the second cavity s2 is narrow and the width of the first and second light emitting devices 11, The width of the second cavity s2 may be widened and the distance between the first and second light emitting devices 11 and 12 may be increased and the first cavity , The two light emitting elements 11 and 12 approach the inner surface of the first cavity s1 and the brightness of the inner surface of the first cavity s1 may be brighter than that of the center portion.

도 3은 도 1에 나타낸 발광소자 패키지의 절단면에 대한 제1 실시 예를 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지의 절단면에 대한 제2 실시 예를 나타낸 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a first embodiment of a cut surface of the light emitting device package shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a cut surface of the light emitting device package shown in FIG.

도 3 및 도 4는 도 1, 2에 중복되는 부분에 대하여 반복 설명을 간략하게 하거나 생략한다.3 and 4, the repetitive description will be simplified or omitted for the parts overlapping in Figs.

도 3을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 제1, 2 영역(13a, 13b)을 포함하는 제1 리드프레임(13) 및 제3, 4 영역(14a, 14b)을 포함하는 제2 리드프레임(14)을 포함할 수 있다.3, the light emitting device package 100 includes a first lead frame 13 including first and second regions 13a and 13b, and a second lead frame 13 including third and fourth regions 14a and 14b. And may include a frame 14.

여기서, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 제1, 2 상면(13a, 14a) 및 제1, 2 하면(13b, 14b) 사이의 제1, 2 두께(d1, d3)가 서로 동일한 것으로 설명하며, 이에 한정을 두지 않는다.The first and second lead frames 13 and 14 have the same first and second thicknesses d1 and d3 between the first and second upper surfaces 13a and 14a and the first and second lower surfaces 13b and 14b And is not limited thereto.

발광소자 패키지(100)는 제1 캐비티(s1) 및 제1 캐비티(s1) 내에 제2 캐비티(s2)가 형성될 수 있다.The light emitting device package 100 may have the first cavity s1 and the second cavity s2 formed in the first cavity s1.

이때, 제2 캐비티(s2)는 제2 영역(13b), 제4 영역(14b) 및 절연댐(16) 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 제2 영역(13b), 제4 영역(14b), 절연댐(16) 및 제2 격벽(24)에 의하여 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.At this time, the second cavity s2 may be formed of at least one of the second region 13b, the fourth region 14b, and the insulation dam 16, and the second region 13b, the fourth region 14b, It may be formed by the insulating dam 16 and the second bank 24, but is not limited thereto.

절연댐(16)의 상면은 제2, 4 영역(13b, 14b)의 상면 선상과 동일한 것으로 나타내었으나, 절연댐(16)의 상면 일부분은 제2, 4 영역(13b, 14b)의 상면 일부분에 배치될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.The upper surface of the insulating dam 16 is shown as being the same as the upper surface of the second and fourth regions 13b and 14b but a portion of the upper surface of the insulating dam 16 may be formed on a part of the upper surface of the second and fourth regions 13b and 14b But is not limited thereto.

우선, 제1, 2 발광소자(11, 12)는 수직형(vertical type)으로 서로 동일한 구조를 가지며, 실시 예에서는 제1 발광소자(11)에 대한 구성으로 설명을 하며, 이에 한정을 두지 않는다.First, the first and second light emitting devices 11 and 12 have the same structure as each other in a vertical type. In the embodiment, the first light emitting device 11 and the second light emitting device 11 are not limited thereto .

제1 발광소자(11)는 기판(1), 기판(1) 상에 배치되며, 제1 반도체층(4), 제2 반도체층(6) 및 제1, 2 반도체층(4, 6) 사이에 활성층(5)을 포함하는 발광구조물(7)을 포함할 수 있다. The first light emitting device 11 is disposed on the substrate 1 and the substrate 1 and is disposed between the first semiconductor layer 4 and the second semiconductor layer 6 and between the first and second semiconductor layers 4 and 6 (7) including an active layer (5).

이때, 기판(1)은 열전도성이 우수한 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 또한 전도성 물질로 형성할 수 있다.At this time, the substrate 1 may be formed using a material having excellent thermal conductivity, or may be formed of a conductive material.

기판(1)은 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The substrate 1 may be formed as a single layer, and may be formed as a double structure or a multiple structure, but is not limited thereto.

그리고, 기판(1)은 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼 등으로 구현될 수 있다.The substrate 1 may be formed of Au, Ni, W, Mo, Cu, Cu-W, or a carrier wafer.

이때, 상기 캐리어 웨이퍼에는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga2O3 등으로 구현될 수 있다.At this time, the carrier wafer may be formed of Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga 2 O 3 or the like.

그리고, 기판(1)은 제1 발광소자(11)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 제1 발광소자(11)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate 1 facilitates the release of heat generated in the first light emitting device 11, thereby improving the thermal stability of the first light emitting device 11.

기판(1) 상에는 전도층(1a)이 형성될 수 있으며, 전도층(1a)은 전류 인가 중에 제1 전극(3)의 원자가 전기장에 의해 이동하는 일렉트로마이그레이션(electromigration) 현상을 최소화하기 위해 형성될 수 있다.A conductive layer 1a may be formed on the substrate 1 and the conductive layer 1a may be formed to minimize the electromigration phenomenon in which atoms of the first electrode 3 are moved by the electric field during the application of current .

또한, 전도층(1a)은 기판(1)과의 접착력이 우수한 금속 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 전도층(1a)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The conductive layer 1a may be formed using a metal material having excellent adhesion to the substrate 1. The conductive layer 1a may include a barrier metal or a bonding metal. , Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, and Ta. However, the present invention is not limited thereto.

전도층(1a)은 서로 다른 금속 물질이 복수의 층을 이루며 접합될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The conductive layer 1a may be formed by bonding different metal materials to form a plurality of layers, but is not limited thereto.

전도층(1a) 상에는 제1 전극(3) 및 제1 전극(3)의 측면에 접촉하는 채널층(2)이 형성될 수 있다.A channel layer 2 contacting the side surfaces of the first electrode 3 and the first electrode 3 may be formed on the conductive layer 1a.

이때, 채널층(2)은 금속물질 및 절연물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 채널층(2)이 금속물질로 이루어진 경우에는 제1 전극(3)을 이루는 물질보다 전기전도성이 낮은 물질을 사용하여, 제1 전극(3)으로 인가되는 전원이 채널층(2)으로 인가되지 않도록 할 수 있다.At this time, the channel layer 2 may include at least one of a metal material and an insulating material. When the channel layer 2 is made of a metal material, a material having lower electric conductivity than the material constituting the first electrode 3 It is possible to prevent the power applied to the first electrode 3 from being applied to the channel layer 2.

제1 전극(3)은 반사층(미도시) 및 투광성전극층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할수 있으며, 상기 반사층과 상기 투광성전극층은 동시 소성 과정을 거쳐 형성될 수 있으며, 접합력이 우수할 수 있다.The first electrode 3 may include at least one of a reflective layer (not shown) and a transparent electrode layer (not shown). The reflective layer and the transparent electrode layer may be formed through a co-firing process, .

상기 반사층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 구성된 물질 중에서 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The reflective layer may be formed of one or more layers selected from the group consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, .

또한, 상기 투광성 전극층은 Ni, Pt, Ru, Ir, Rh, Ta, Mo, Ti, Ag, W, Cu, Cr, Pd, V, Co, Nb 및 Zr 중 적어도 하나를 포함하거나, ITO 및 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light-transmitting electrode layer may contain at least one of Ni, Pt, Ru, Ir, Rh, Ta, Mo, Ti, Ag, W, Cu, Cr, Pd, V, Co, Nb and Zr, And may include at least one.

채널층(2) 및 제1 전극(3) 상에는 발광구조물(7)이 형성될 수 있다.A light emitting structure 7 may be formed on the channel layer 2 and the first electrode 3.

제1 반도체층(4)은 p형 반도체층으로 구현되머, 활성층(5)으로 정공을 주입할 수 있다. 예를들어, 제1 반도체층(4)은 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 4 is formed of a p-type semiconductor layer, and holes can be injected into the active layer 5. For example, the first semiconductor layer 4 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr and Ba can be doped.

제1 반도체층(4)의 상부에는 활성층(5)이 형성될 수 있다.The active layer 5 may be formed on the first semiconductor layer 4.

활성층(5)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. The active layer 5 may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements.

활성층(5)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0 ≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. Well active layer 5 having the formula in this case formed of a quantum well structure, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x + y≤1) Layer and a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a- b N (0? A? 1 , 0? B? 1 , 0? A + b? 1) have. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

활성층(5)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 활성층(5)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 갖을 수 있다.A conductive cladding layer may be formed on and / or below the active layer 5. The conductive cladding layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor, and may have a band gap higher than that of the active layer 5.

활성층(5)의 상부에는 제2 반도체층(6)이 형성될 수 있다.A second semiconductor layer 6 may be formed on the active layer 5.

제2 반도체층(6)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 예를들어, InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. The second semiconductor layer 6 may be formed of an n-type semiconductor layer, for example, In x Al y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN or the like and may be doped with an n-type dopant such as Si, Ge or Sn.

그리고, 발광구조물(7)의 측면에는 제1, 2 반도체층(4, 6) 및 활성층(5) 사이를 절연하는 패시베이션(8)이 형성될 수 있다.A passivation 8 for insulating the first and second semiconductor layers 4 and 6 and the active layer 5 may be formed on the side surface of the light emitting structure 7.

패시베이션(8)은 제1, 2 반도체층(4, 6) 및 활성층(5) 사이의 절연 및 외부로 유입되는 수분 및 이물질에 의한 부식을 방지할 수 있다.The passivation 8 can prevent the insulation between the first and second semiconductor layers 4 and 6 and the active layer 5 and the corrosion caused by moisture and foreign substances flowing into the outside.

발광구조물(7)의 상부, 즉 제2 반도체층(6)에는 제2 전극(9)이 형성될 수 있으며, 제2 전극(9)은 제1 전극(2)과 재질이 동일할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The second electrode 9 may be formed on the upper portion of the light emitting structure 7 or the second semiconductor layer 6 and the second electrode 9 may be made of the same material as the first electrode 2, It is not limited to this.

이때, 제2 전극(9)은 제2 리드프레임(14)과 와이어(w)로 본딩 될 수 있으며, 제1 전극(3)은 기판(1)이 제1 리드프레임(13)과 접착부재(52)에 의해 접착 고정되며, 제1 리드프레임(13)과 전기적으로 연결될 수 있다.At this time, the second electrode 9 may be bonded to the second lead frame 14 and the wire w, and the first electrode 3 may be bonded to the first lead frame 13 and the bonding member 52 and may be electrically connected to the first lead frame 13.

여기서, 제1, 2 발광소자(11, 12)의 제2 전극(9)에 연결된 와이어(w)의 타측은 제2, 4 영역(13b, 14b)에 본딩된 것으로 나타내었으나, 이에 한정을 두지 않는다.Although the other side of the wire w connected to the second electrode 9 of the first and second light emitting devices 11 and 12 is shown as being bonded to the second and fourth regions 13b and 14b, Do not.

그리고, 제1 캐비티(s1)에 노출된 제1 리드프레임(13)은 제1 폭(w1)을 가지며, 제2 영역(13b)의 제2 폭(w2)은 제1 폭(w1) 대비 0.1배 내지 0.3배일 수 있으며, 제1 캐비티(s1)에 노출된 제2 리드프레임(14)은 제3 폭(w3)을 가지며, 제4 영역(14b)의 제4 폭(w4)은 제3 폭(w3) 대비 0.1배 내지 0.3배일 수 있으며, 이에 대한 설명은 도 2에서 설명한바 자세한 설명은 생략하기로 한다.The first lead frame 13 exposed in the first cavity s1 has a first width w1 and the second width w2 of the second region 13b has a width w1 of 0.1 The second lead frame 14 exposed to the first cavity s1 has the third width w3 and the fourth width w4 of the fourth region 14b has the third width w2, (w3), which will be described later with reference to FIG. 2, and a detailed description thereof will be omitted.

즉, 제2, 4 영역(13b, 14b)의 제2, 4 폭(w2, w4)은 넓으면 넓을수록 제1, 2 발광소자(11, 12)에서 발생된 열을 확산시키기 용이할 수 있으나, 제1, 2 발광소자(11, 12)의 광 집중성 및 광 균일성이 좋게 하기 위하여 제1, 3 폭(w1, w3) 대비 0.1배 내지 0.3배로 유지할 수 있다.That is, as the second and fourth widths w2 and w4 of the second and fourth regions 13b and 14b are wider, the heat generated from the first and second light emitting devices 11 and 12 can be easily diffused The first and second light emitting devices 11 and 12 may be maintained at 0.1 to 0.3 times the first and third widths w1 and w3 in order to improve the light concentration and the light uniformity.

도 4를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 제2, 4 영역(13b, 14b) 및 절연댐(16)의 상면에 제1, 2 리드프레임(13, 14) 보다 열 전도도가 높은 열 흡수부재(19)가 배치될 수 있다.4, the light emitting device package 100 is mounted on the upper surfaces of the second and fourth regions 13b and 14b and the insulation dam 16 with heat absorption higher than that of the first and second lead frames 13 and 14 A member 19 may be disposed.

즉, 열 흡수부재(19)는 제1, 2 발광소자(11, 12)에서 발생된 열이 제2 캐비티(s2)로 확산되는 경우 상기 열을 흡수하여 제1, 2 리드프레임(13, 14)을 통하여 외부로 방출될 수 있도록 할 수 있다.That is, when the heat generated from the first and second light emitting devices 11 and 12 is diffused into the second cavity s2, the heat absorbing member 19 absorbs the heat to form the first and second lead frames 13 and 14 To be discharged to the outside.

열 흡수부재(19)는 전도성 및 비전도성 특징을 가질 수 있으며, 예를들어 열 흡수부재(19)가 전도성인 경우 제2, 4 영역(13b, 14b) 및 절연댐(16)의 상면에 비전도성 물질이 배치된 후 상기 비전도성 물질 상에 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The heat absorbing member 19 may have conductive and nonconductive features and may be provided on the upper surfaces of the second and fourth regions 13b and 14b and the insulating dam 16, for example, when the heat absorbing member 19 is conductive, The conductive material may be disposed on the nonconductive material after the conductive material is disposed, but is not limited thereto.

도 3 및 도 4에서는 나타내지 않았으나, 제1, 2 발광소자(11, 12)가 배치되는 제1, 3 영역(13a, 14b)는 아일랜드로 형성될 수 있으며, 그에 따라 제2, 4 영역(13b, 14b)은 제1, 3 영역(13a, 14a)의 둘레를 감쌀 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.3 and 4, the first and third regions 13a and 14b in which the first and second light emitting devices 11 and 12 are disposed may be formed as an island, and thus the second and fourth regions 13b and 13b , 14b may wrap around the first and third regions 13a, 14a, but are not limited thereto.

도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 6은 도 5에 나타낸 조명장치의 A-A 단면을 나타낸 단면도이다.FIG. 5 is a perspective view showing a lighting apparatus including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing an A-A cross section of the lighting apparatus shown in FIG.

이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.In order to describe the shape of the illumination device 300 according to the embodiment in detail, the longitudinal direction Z of the illumination device 300, the horizontal direction Y perpendicular to the longitudinal direction Z, The direction Z and the horizontal direction Y and the vertical direction X perpendicular to the horizontal direction Y will be described.

즉, 도 6은 도 5의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.6 is a cross-sectional view of the lighting apparatus 300 of FIG. 5 cut in the longitudinal direction Z and the height direction X and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 5 및 도 6을 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.5 and 6, the lighting device 300 may include a body 310, a cover 330 coupled to the body 310, and a finishing cap 350 positioned at opposite ends of the body 310 have.

몸체(310)의 하부면에는 발광소자 어레이(340)가 체결되며, 몸체(310)는 발광소자 패키지(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.A light emitting device array 340 is coupled to the lower surface of the body 310. The body 310 is electrically conductive so that heat generated from the light emitting device package 344 can be emitted to the outside through the upper surface of the body 310. [ And a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자 어레이(340)는 발광소자패키지(344) 및 기판(342)을 포함할 수 있다.The light emitting device array 340 may include a light emitting device package 344 and a substrate 342.

발광소자패키지(344)는 기판(342) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 기판(342)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다. The light emitting device package 344 is mounted on the substrate 342 in a multi-color, multi-row manner to form an array. The light emitting device package 344 can be mounted at equal intervals or can be mounted with various distances as needed. As the substrate 342, MCPCB (Metal Core PCB) or FR4 material PCB may be used.

커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 330 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 310, but is not limited thereto.

여기서, 커버(330)는 내부의 발광소자 어레이(340)를 외부의 이물질 등으로부터 보호할 수 있다. Here, the cover 330 can protect the internal light emitting device array 340 from foreign substances or the like.

또한, 커버(330)는 발광소자 패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 330 prevents glare of light generated in the light emitting device package 344 and a prism pattern or the like may be formed on at least one of the inner and outer surfaces of the cover 330. Further, the phosphor may be coated on at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 330.

한편, 발광소자 패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.Meanwhile, since the light generated in the light emitting device package 344 is emitted to the outside through the cover 330, the cover 330 should have a high light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated in the light emitting device package 344 The cover 330 may be formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like.

마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing cap 350 is located at both ends of the body 310 and can be used for sealing the power supply unit (not shown). In addition, the finishing cap 350 is provided with the power pin 352, so that the lighting device 300 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 7은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the light emitting device package according to the first embodiment.

도 7은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.7, the liquid crystal display device 400 may include a liquid crystal display panel 410 and a backlight unit 470 for providing light to the liquid crystal display panel 410 in an edge-light manner.

액정표시패널(410)은 백라이트유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 410 can display an image using the light provided from the backlight unit 470. The liquid crystal display panel 410 may include a color filter substrate 412 and a thin film transistor substrate 414 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 412 can realize the color of the image to be displayed through the liquid crystal display panel 410.

박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 414 is electrically connected to a printed circuit board 418 on which a plurality of circuit components are mounted through a driving film 417. The thin film transistor substrate 414 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 418 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 418.

박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 414 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자어레이(420), 발광소자어레이(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 466, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(447)로 구성된다.The backlight unit 470 includes a light emitting device array 420 for outputting light, a light guide plate 430 for converting light provided from the light emitting device array 420 into a surface light source and providing the light to the liquid crystal display panel 410, A plurality of films 450, 466 and 464 for uniforming the luminance distribution of the light provided from the light guide plate 430 and improving the vertical incidence property and a reflective sheet 430 for reflecting the light emitted to the rear of the light guide plate 430 to the light guide plate 430 447).

발광소자어레이(420)는 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(422)을 포함할 수 있다.The light emitting device array 420 may include a PCB substrate 422 so that a plurality of light emitting device packages 424 and a plurality of light emitting device packages 424 are mounted to form an array.

한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(466)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)을 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.The backlight unit 470 includes a diffusion film 466 for diffusing light incident from the light guide plate 430 toward the liquid crystal display panel 410 and a prism film 450 for enhancing vertical incidence by condensing the diffused light. And may include a protective film 464 for protecting the prism film 450.

도 8은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the light emitting device package according to the second embodiment.

다만, 도 7에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.However, the parts shown and described in Fig. 7 are not repeatedly described in detail.

도 8은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트유닛(570)을 포함할 수 있다.8, the liquid crystal display device 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510 in a direct-down manner.

액정표시패널(510)은 도 6에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 510 is the same as that described with reference to FIG. 6, detailed description is omitted.

백라이트유닛(570)은 복수의 발광소자어레이(523), 반사시트(524), 발광소자어레이(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자어레이(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 includes a plurality of light emitting element arrays 523, a reflective sheet 524, a lower chassis 530 in which the light emitting element array 523 and the reflective sheet 524 are accommodated, A plurality of optical films 560, and a diffuser plate 540 disposed on the diffuser plate 540. [

발광소자 어레이(523)는 복수의 발광소자패키지(522)와 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(521)을 포함할 수 있다.The light emitting device array 523 may include a PCB substrate 521 such that a plurality of light emitting device packages 522 and a plurality of light emitting device packages 522 are mounted to form an array.

반사시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflection sheet 524 reflects light generated from the light emitting device package 522 in a direction in which the liquid crystal display panel 510 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

한편, 발광소자어레이(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학필름(560)이 배치된다. 광학필름(560)은 확산필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함할 수 있다.The light emitted from the light emitting element array 523 is incident on the diffusion plate 540 and the optical film 560 is disposed on the diffusion plate 540. The optical film 560 may include a diffusion film 566, a prism film 550, and a protective film 564.

여기서, 조명장치(300) 및 액정표시장치(400, 500)는 조명시스템에 포함될 수 있으며, 이 외에도 발광소자 패키지를 포함하며 조명을 목적으로 하는 장치 등도 조명시스템에 포함될 수 있다.Here, the illumination device 300 and the liquid crystal display devices 400 and 500 may be included in the illumination system. In addition, the illumination device may include a light emitting device package and a device for illumination purposes.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It will be appreciated that various modifications and applications are possible without departing from the scope of the present invention. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (13)

적어도 2개 이상의 제1 발광소자 및 제2 발광소자; 및
상기 제1 발광소자가 배치되며 제1 하면을 기준으로 제1 두께를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 하면을 기준으로 제2 두께를 가지는 제2 영역을 포함하는 제1 리드프레임 및 상기 제1 리드프레임과 이격되며, 상기 제2 발광소자가 배치되며 제2 하면을 기준으로 제3 두께를 가지는 제3 영역 및 상기 제2 하면을 기준으로 제4 두께를 가지는 제4 영역을 포함하는 제2 리드프레임을 포함하며, 상기 제1, 2 리드프레임 상에 제1 캐비티가 형성된 몸체; 및
상기 제1, 2 리드프레임 사이를 절연시키는 절연댐;을 포함하고,
상기 제2, 4 영역 상에는,
상기 제1, 2 발광소자에서 발생된 열을 확산시키는 제2 캐비티가 형성되고,
상기 절연댐의 적어도 일부분은,
상기 제2, 4 영역 상에 접촉되고,
상기 절연댐 및 상기 제2, 4 영역 중 적어도 하나의 상면에는,
상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나보다 열 전도도가 높은 열흡수 부재가 배치된 발광소자 패키지.
At least two first light emitting elements and a second light emitting element; And
A first lead frame including a first region in which the first light emitting device is disposed and having a first thickness with respect to a first lower surface and a second region having a second thickness with respect to the first lower surface, And a fourth region having a fourth thickness with respect to the second bottom surface, the second region being spaced apart from the frame, the third region having a third thickness with respect to the second bottom surface, A body having a first cavity formed on the first and second lead frames; And
And an insulation dam which insulates between the first and second lead frames,
On the second and fourth regions,
A second cavity for diffusing heat generated from the first and second light emitting devices is formed,
At least a portion of the insulation dam
A second contact region on the second and fourth regions,
Wherein at least one of the insulation dam and the second,
And a heat absorbing member having a thermal conductivity higher than that of at least one of the first and second lead frames.
제 1 항에 있어서, 상기 제2 두께는,
상기 제1 두께 대비 0.1배 내지 0.25배이고, 0.1 ㎜ 내지 0.25 ㎜이며,
상기 제4 두께는,
상기 제2 두께와 동일한 발광소자 패키지.
2. The method of claim 1,
0.1 to 0.25 times the first thickness, 0.1 to 0.25 mm,
The fourth thickness may be,
And the second thickness is equal to the second thickness.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2 영역은,
상기 제2 발광소자와 와이어로 본딩되고,
상기 제4 영역은,
상기 제1 발광소자와 와이어로 본딩된 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second region comprises:
The second light emitting device and the wire,
Wherein the fourth region comprises:
And the light emitting device package is bonded with the first light emitting device and the wire.
제 1 항에 있어서, 상기 제2 영역의 폭은,
상기 제1 캐비티에 노출된 상기 제1 리드프레임의 폭 대비 0.1배 내지 0.3배이고,
상기 제4 영역의 폭은,
상기 제2 영역의 폭과 동일하거나,
또는 상기 제1 캐비티에 노출된 상기 제2 리드프레임의 폭 대비 0.1배 내지 0.3배인 발광소자 패키지.
The method of claim 1, wherein the width of the second region
The width of the first lead frame exposed to the first cavity is 0.1 to 0.3 times the width of the first lead frame,
The width of the fourth region
The width of the second region is equal to the width of the second region,
Or 0.1 to 0.3 times the width of the second lead frame exposed in the first cavity.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2 영역은,
상기 제1 영역의 둘레를 감싸며,
상기 제4 영역은,
상기 제3 영역의 둘레를 감싸는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second region comprises:
Surrounding the periphery of the first region,
Wherein the fourth region comprises:
And surrounds the periphery of the third region.
제 1 항에 있어서,
상기 제1, 2 캐비티 내에 충진된 수지물;을 포함하고,
상기 수지물은,
형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And a resin filled in the first and second cavities,
The resin material,
And at least one of a phosphor and a light diffusing material.
제 1 항 , 제 2 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 11 항 및 제 12 항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지를 포함하는 조명 시스템.A lighting system comprising the light emitting device package according to any one of claims 1, 2, 5, 6, 11 and 12.
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