JP2008186948A - Optical semiconductor device, heat radiating member and package used for it, and their manufacturing method - Google Patents
Optical semiconductor device, heat radiating member and package used for it, and their manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008186948A JP2008186948A JP2007018309A JP2007018309A JP2008186948A JP 2008186948 A JP2008186948 A JP 2008186948A JP 2007018309 A JP2007018309 A JP 2007018309A JP 2007018309 A JP2007018309 A JP 2007018309A JP 2008186948 A JP2008186948 A JP 2008186948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- dissipating
- led chips
- optical semiconductor
- pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本発明は、光半導体装置並びにそれに用いられる放熱部材及び光半導体装置用パッケージ、並びにそれらの製造方法に関し、より詳しくは、電子機器の液晶表示部バックライト、照明等の各種光源として使用される光半導体装置並びにそれに用いられる放熱部材及び光半導体装置用パッケージ、並びにそれらの製造方法に関する。本発明は、特に、白色光源を得る際の基板への実装面積を縮小することができ、LED(発光ダイオード)チップの輝度低下を防止するとともに放熱性に優れる光半導体装置並びにそれに用いられる放熱部材及び光半導体装置用パッケージ、並びにそれらの製造方法に関する。 The present invention relates to an optical semiconductor device, a heat radiation member used for the optical semiconductor device, a package for the optical semiconductor device, and a manufacturing method thereof, and more particularly, light used as various light sources such as a liquid crystal display backlight of an electronic device and illumination. The present invention relates to a semiconductor device, a heat radiation member used for the semiconductor device, a package for an optical semiconductor device, and a method for manufacturing the same. In particular, the present invention can reduce a mounting area on a substrate when obtaining a white light source, prevent a decrease in luminance of an LED (light emitting diode) chip, and has an excellent heat dissipation property, and a heat dissipation member used therefor And an optical semiconductor device package and a method of manufacturing the same.
近年、光半導体装置は電子機器の液晶表示部バックライト、照明用の各種光源などとして用いられている。また、AlGaInP系化合物LED、InGaN系化合物LEDなどの半導体発光素子の改良が進み、高輝度化、高出力化の進歩が著しい。高輝度化、高出力化に伴い、半導体発光素子の発熱エネルギーが非常に大きくなっている。半導体発光素子の発熱エネルギーが滞留すれば当該素子の輝度低下や破壊を招くことになるため、効率良く放熱することが望まれている。その一方で、基板への光半導体装置の実装面積の縮小化の要求が依然としてある。 In recent years, optical semiconductor devices have been used as liquid crystal display backlights for electronic equipment, various light sources for illumination, and the like. In addition, improvements in semiconductor light emitting devices such as AlGaInP compound LEDs and InGaN compound LEDs have progressed, and remarkable progress has been made in achieving higher brightness and higher output. With the increase in brightness and output, the heat-generating energy of the semiconductor light-emitting element has become very large. If the heat generation energy of the semiconductor light emitting element stays, the brightness of the element will be reduced or destroyed, and therefore it is desired to dissipate heat efficiently. On the other hand, there is still a demand for reducing the mounting area of the optical semiconductor device on the substrate.
最近では、光半導体装置における半導体発光素子の発熱エネルギーを外部へ放熱するために、熱伝導に優れた銅やアルミニウムなどの金属体を放熱部材として設けた光半導体装置がある(例えば、特許文献1参照)。 Recently, there is an optical semiconductor device in which a metal body such as copper or aluminum excellent in heat conduction is provided as a heat radiating member in order to dissipate heat generated by a semiconductor light emitting element in the optical semiconductor device to the outside (for example, Patent Document 1). reference).
図8は、従来の光半導体装置を示す断面図である。 FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional optical semiconductor device.
図8に示されるように、光半導体装置101は、第1のリードフレーム102と、第1のリードフレーム102に接合され金属一体成形体からなる放熱部107と、放熱部107に搭載された1個のLEDチップ103と、金属線であるボンディングワイヤ104を介してLEDチップ103と導通接続された第2のリードフレーム105と、LEDチップ103を囲むと共に第1及び第2のリードフレーム102,105を保持する合成樹脂部106とを備えている。第1及び第2のリードフレーム102,105と、合成樹脂部106と、放熱部107とが、光半導体装置用パッケージを構成している。
白色光を得るためには、RGB(Red Green Blue)3色分のLEDチップ(3個)が必要である。しかしながら、上記従来の光半導体装置101が備える放熱部107は金属一体成形体から構成されていたため、1個のLEDチップしか搭載することができないことが多かった。これは、LEDチップは発光色等に応じて発熱量が相異することが多いからである。すなわち、発熱量が相異するLEDチップを金属一体成形体からなる放熱部107に搭載すると、発熱量の多いLEDチップが発する熱が放熱部107を通じて発熱量の小さいLEDチップに到達し、発熱量の小さいLEDチップに悪影響を及ぼすためである。RGB3色分のLEDチップ(3個)を1個ずつ別々の光半導体装置101に搭載した場合、白色光を得るために基板上に3つの光半導体装置101を実装する必要がある。そうすると、基板上での光半導体装置101の占有面積が大きくなるという問題があった。
In order to obtain white light, LED chips (three) for three colors of RGB (Red Green Blue) are required. However, since the
また、蛍光体を含有した樹脂材料に青色系LEDチップの光を照射することで白色光を発する光半導体装置が存在する。しかしながら、この種の光半導体装置は、LED発光時に生じる熱及びLEDチップからの光により蛍光体が劣化しやすいため、長期間の品質保持が難しいという問題がある。 In addition, there is an optical semiconductor device that emits white light by irradiating a resin material containing a phosphor with light from a blue LED chip. However, this type of optical semiconductor device has a problem that it is difficult to maintain the quality for a long period of time because the phosphor easily deteriorates due to heat generated during LED emission and light from the LED chip.
本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、LEDチップへの通電により生じる熱を効率良く放熱することができると共にLEDチップの輝度の劣化を抑制することができ、基板上における光半導体装置の実装数を減らして光半導体装置の実装面積(占有面積)を削減することができる光半導体装置並びにそれに用いられる放熱部材及び光半導体装置用パッケージ、並びにそれらの製造方法の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and can efficiently dissipate heat generated by energization of the LED chip, and can suppress deterioration in luminance of the LED chip. An object of the present invention is to provide an optical semiconductor device capable of reducing the mounting area (occupied area) of the optical semiconductor device by reducing the number of mounted semiconductor devices, a heat radiation member used for the optical semiconductor device, and a package for the optical semiconductor device, and a method of manufacturing the same. To do.
本発明に係る放熱部材は、
複数個のLEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材であって、
複数個のLEDチップにそれぞれ対応し、その対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、
各上記放熱片の間に設けられ、当該放熱片と一体化された断熱部とを備える。
The heat dissipation member according to the present invention is:
A heat radiating member capable of radiating heat generated by a plurality of LED chips,
A plurality of heat dissipating pieces each corresponding to a plurality of LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips;
A heat insulating portion provided between the heat dissipating pieces and integrated with the heat dissipating pieces;
本発明は、複数個のLEDチップにそれぞれ対応しその対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、各放熱片の間に設けられ当該放熱片と一体化された断熱部とを備えている。従って、LEDチップから放熱片へ伝導された熱が他の放熱片へ伝導するのを抑制することができ、各LEDチップが発した熱を個別に放熱することができる。よって、各LEDチップは他のLEDチップの発熱に影響を受けないので、LEDチップの輝度の劣化を抑制することができる。これにより、1つの光半導体装置に発熱特性の異なる複数のLEDを搭載することができる。よって、基板上における光半導体装置の実装数を減らして光半導体装置の実装面積を削減することができる。 The present invention relates to a plurality of LED chips, a plurality of heat radiation pieces capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips, and a heat insulating portion provided between the heat radiation pieces and integrated with the heat radiation pieces. And. Therefore, the heat conducted from the LED chip to the heat radiating piece can be suppressed from being conducted to other heat radiating pieces, and the heat generated by each LED chip can be individually radiated. Therefore, each LED chip is not affected by the heat generated by the other LED chips, so that deterioration of the luminance of the LED chip can be suppressed. Thus, a plurality of LEDs having different heat generation characteristics can be mounted on one optical semiconductor device. Therefore, the mounting area of the optical semiconductor device can be reduced by reducing the number of optical semiconductor devices mounted on the substrate.
本発明においては、
上記断熱部が絶縁性を有することが好ましい。
In the present invention,
It is preferable that the heat insulating part has insulating properties.
上記断熱部が絶縁性を有することにより、LEDチップを通る電流が放熱部材を通じて他のLEDに流れ込む短絡を防止することができる。 Since the heat insulating portion has an insulating property, it is possible to prevent a short circuit in which a current passing through the LED chip flows into another LED through the heat dissipation member.
また、本発明においては、
各上記放熱片は、上記対応するLEDチップの発熱特性に応じた熱伝導率を有することが好ましい。
In the present invention,
Each of the heat dissipation pieces preferably has a thermal conductivity corresponding to the heat generation characteristics of the corresponding LED chip.
各上記放熱片が、上記対応するLEDチップの発熱特性に応じた熱伝導率を有することにより、LEDチップ毎に効率良く放熱することができる。 Since each said heat radiating piece has the heat conductivity according to the heat generating characteristic of the said corresponding LED chip, it can thermally radiate efficiently for every LED chip.
また、本発明においては、
各上記放熱片は、上記対応するLEDチップを搭載可能なLED搭載面を有することが好ましい。
In the present invention,
Each of the heat dissipating pieces preferably has an LED mounting surface on which the corresponding LED chip can be mounted.
各上記放熱片が、上記対応するLEDチップを搭載可能なLED搭載面を有することにより、各放熱片にLEDチップを直接搭載することができる。従って、LEDチップが発する熱を効率良く放熱することができる。 Since each said heat radiating piece has the LED mounting surface which can mount the said corresponding LED chip, an LED chip can be directly mounted in each heat radiating piece. Therefore, the heat generated by the LED chip can be efficiently radiated.
本発明に係る光半導体装置用パッケージは、
複数個のLEDチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置用パッケージであって、
複数個のLEDチップとそれぞれ電気的に接続可能な複数本のリードフレームと、
前記複数本のリードフレームを保持するリードフレーム保持部と、
前記リードフレーム保持部に装着され、各前記LEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材とを備え、
前記放熱部材は、
各前記LEDチップにそれぞれ対応し、その対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、
各前記放熱片の間に設けられ、当該放熱片と一体化された断熱部とを備えている。
The package for an optical semiconductor device according to the present invention is:
A package for an optical semiconductor device capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
A plurality of lead frames each electrically connectable to a plurality of LED chips;
A lead frame holding part for holding the plurality of lead frames;
A heat dissipating member attached to the lead frame holding portion and capable of dissipating heat generated by each of the LED chips;
The heat dissipation member is
A plurality of heat dissipation pieces corresponding to each of the LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips;
A heat insulating portion provided between the heat dissipating pieces and integrated with the heat dissipating pieces;
本発明によれば、LEDチップから放熱片へ伝導された熱が他の放熱片へ伝導するのを抑制することができ、各LEDチップが発した熱を個別に放熱することができる。よって、各LEDチップは他のLEDチップの発熱に影響を受けないので、LEDチップの輝度の劣化を抑制することができる。これにより、1つの光半導体装置に発熱特性の異なる複数のLEDチップを搭載することができる。よって、基板上における光半導体装置の実装数を減らして光半導体装置の実装面積(占有面積)を削減することができる。また、従来技術と同一面積で比較すると、LEDチップ搭載数を増加させることができる。よって、高輝度、高出力の光半導体装置を得ることができる。また、蛍光材料を用いることなく白色光を放出する光半導体装置を得ることができる。これにより、LED発光時の熱や放射光によって蛍光材料が劣化し輝度が低下するという問題を解消することができ、光半導体装置の長期間の品質保持が可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can suppress that the heat conducted from the LED chip to the heat radiating piece is conducted to other heat radiating pieces, and the heat generated by each LED chip can be radiated individually. Therefore, each LED chip is not affected by the heat generated by the other LED chips, so that deterioration of the luminance of the LED chip can be suppressed. Thereby, a plurality of LED chips having different heat generation characteristics can be mounted on one optical semiconductor device. Therefore, the mounting area (occupied area) of the optical semiconductor device can be reduced by reducing the number of optical semiconductor devices mounted on the substrate. Further, when compared with the same area as the prior art, the number of LED chips mounted can be increased. Therefore, an optical semiconductor device with high luminance and high output can be obtained. In addition, an optical semiconductor device that emits white light can be obtained without using a fluorescent material. As a result, it is possible to solve the problem that the fluorescent material is deteriorated and the luminance is lowered due to heat and radiated light at the time of LED emission, and long-term quality maintenance of the optical semiconductor device is possible.
本発明においては、
前記断熱部は、絶縁性を有することが好ましい。
In the present invention,
It is preferable that the heat insulating part has an insulating property.
本発明においては、
各前記放熱片は、前記対応するLEDチップの発熱特性に応じた熱伝導率を有することが好ましい。
In the present invention,
Each of the heat dissipation pieces preferably has a thermal conductivity corresponding to the heat generation characteristics of the corresponding LED chip.
本発明においては、
各前記放熱片は、前記対応するLEDチップを搭載可能なLED搭載面を有することが好ましい。
In the present invention,
Each of the heat radiation pieces preferably has an LED mounting surface on which the corresponding LED chip can be mounted.
本発明に係る光半導体装置は、
複数個のLEDチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置であって、
複数個のLEDチップと、
上記複数個のLEDチップとそれぞれ電気的に接続される複数本のリードフレームと、
上記複数本のリードフレームを保持するリードフレーム保持部と、
上記リードフレーム保持部に装着され、各上記LEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材とを備え、
上記放熱部材は、
各上記LEDチップにそれぞれ対応し、その対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、
各上記放熱片の間に設けられ、当該放熱片と一体化された断熱部とを備える。
An optical semiconductor device according to the present invention includes:
An optical semiconductor device capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
A plurality of LED chips;
A plurality of lead frames electrically connected to the plurality of LED chips,
A lead frame holding portion for holding the plurality of lead frames;
A heat dissipating member attached to the lead frame holding part and capable of dissipating heat generated by each of the LED chips;
The heat dissipation member is
Each of the LED chips corresponds to each of the plurality of heat dissipation pieces capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chip,
A heat insulating portion provided between the heat dissipating pieces and integrated with the heat dissipating pieces;
本発明によれば、LEDチップから放熱片へ伝導された熱が他の放熱片へ伝導するのを抑制することができ、各LEDチップが発した熱を個別に放熱することができる。よって、各LEDチップは他のLEDチップの発熱に影響を受けないので、LEDチップの輝度の劣化を抑制することができる。これにより、1つの光半導体装置に発熱特性の異なる複数のLEDチップを搭載することができる。よって、基板上における光半導体装置の実装数を減らして光半導体装置の実装面積(占有面積)を削減することができる。また、従来技術と同一面積で比較すると、LEDチップ搭載数を増加させることができる。よって、高輝度、高出力の光半導体装置を得ることができる。また、蛍光材料を用いることなく白色光を放出する光半導体装置を得ることができる。これにより、LED発光時の熱や放射光によって蛍光材料が劣化し輝度が低下するという問題を解消することができ、光半導体装置の長期間の品質保持が可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can suppress that the heat conducted from the LED chip to the heat radiating piece is conducted to other heat radiating pieces, and the heat generated by each LED chip can be radiated individually. Therefore, each LED chip is not affected by the heat generated by the other LED chips, so that deterioration of the luminance of the LED chip can be suppressed. Thereby, a plurality of LED chips having different heat generation characteristics can be mounted on one optical semiconductor device. Therefore, the mounting area (occupied area) of the optical semiconductor device can be reduced by reducing the number of optical semiconductor devices mounted on the substrate. Further, when compared with the same area as the prior art, the number of LED chips mounted can be increased. Therefore, an optical semiconductor device with high luminance and high output can be obtained. In addition, an optical semiconductor device that emits white light can be obtained without using a fluorescent material. As a result, it is possible to solve the problem that the fluorescent material is deteriorated and the luminance is lowered due to heat and radiated light at the time of LED emission, and long-term quality maintenance of the optical semiconductor device is possible.
本発明においては、
上記断熱部が絶縁性を有することが好ましい。
In the present invention,
It is preferable that the heat insulating part has insulating properties.
また、本発明においては、
各上記放熱片は、上記対応するLEDチップの発熱特性に応じた熱伝導率を有することが好ましい。
In the present invention,
Each of the heat dissipation pieces preferably has a thermal conductivity corresponding to the heat generation characteristics of the corresponding LED chip.
また、本発明においては、
各上記放熱片は、上記対応するLEDチップを搭載可能なLED搭載面を有することが好ましい。
In the present invention,
Each of the heat dissipating pieces preferably has an LED mounting surface on which the corresponding LED chip can be mounted.
本発明に係る放熱部材の製造方法は、
複数個のLEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材の製造方法であって、
複数個のLEDチップにそれぞれ対応し、その対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片を形成する工程と、
上記複数個の放熱片を相互に間隔をあけて金型内に配置した状態でインサート成形を行うことにより、各上記放熱片の間に当該放熱片と一体化された断熱部を形成する工程とを備える。
The manufacturing method of the heat radiating member according to the present invention is as follows:
A method of manufacturing a heat dissipation member capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
Forming a plurality of heat dissipating pieces each corresponding to a plurality of LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips;
A step of forming a heat insulating portion integrated with the heat dissipating piece between the heat dissipating pieces by performing insert molding in a state where the plurality of heat dissipating pieces are spaced apart from each other in the mold; and Is provided.
本発明に係る光半導体装置用パッケージの製造方法は、
複数個のLEDチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置用パッケージの製造方法であって、
複数本のリードフレームを保持し貫通孔が形成されたリードフレーム保持部を形成する工程と、
複数個のLEDチップにそれぞれ対応しその対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、各前記放熱片の間に設けられ当該放熱片と一体化された断熱部とを含み、各前記LEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材を前記貫通孔に挿入して固定する工程とを備える。
A method for manufacturing an optical semiconductor device package according to the present invention includes:
A method for manufacturing a package for an optical semiconductor device capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
Forming a lead frame holding portion holding a plurality of lead frames and having a through hole; and
A plurality of heat dissipating pieces each corresponding to a plurality of LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips, and a heat insulating portion provided between the heat dissipating pieces and integrated with the heat dissipating pieces. And a step of inserting and fixing a heat radiating member capable of radiating heat generated by each LED chip into the through hole.
本発明に係る光半導体装置の製造方法は、
複数個のLEDチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置の製造方法であって、
複数本のリードフレームを保持し貫通孔が形成されたリードフレーム保持部を形成する工程と、
複数個のLEDチップにそれぞれ対応しその対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、各上記放熱片の間に設けられ当該放熱片と一体化された断熱部とを含み、各上記LEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材を上記貫通孔に挿入して固定する工程と、
各上記LEDチップを、対応する上記放熱片上に搭載する工程と、
各上記LEDチップを、対応する上記リードフレームにそれぞれ接続する工程とを備える。
A method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention includes:
A method of manufacturing an optical semiconductor device capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
Forming a lead frame holding portion holding a plurality of lead frames and having a through hole; and
A plurality of heat dissipating pieces each corresponding to a plurality of LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips, and a heat insulating portion provided between the heat dissipating pieces and integrated with the heat dissipating pieces. A step of inserting and fixing a heat radiating member capable of radiating the heat generated by each LED chip into the through hole;
Mounting each LED chip on the corresponding heat dissipation piece;
Connecting each of the LED chips to the corresponding lead frame.
本発明に係る光半導体装置並びにそれに用いられる放熱部材及び光半導体装置用パッケージ、並びにそれらの製造方法によれば、LEDチップへの通電により生じる熱を効率良く放熱することができると共にLEDチップの輝度の劣化を抑制することができ、基板上における光半導体装置の実装数を減らして光半導体装置の実装面積(占有面積)を削減することができる。 According to the optical semiconductor device of the present invention, the heat radiation member and optical semiconductor device package used therefor, and the manufacturing method thereof, the heat generated by energization of the LED chip can be efficiently radiated and the brightness of the LED chip can be obtained. Degradation can be suppressed, and the mounting area (occupied area) of the optical semiconductor device can be reduced by reducing the number of optical semiconductor devices mounted on the substrate.
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1に係る光半導体装置並びにそれに用いられる放熱部材及び光半導体装置用パッケージについて、図面を参照しつつ説明する。
(Embodiment 1)
An optical semiconductor device according to
図1は、実施の形態1に係る光半導体装置を示す斜視図である。なお、図1においては、LEDチップ及びボンディングワイヤの図示を省略している。図2は、図1における光半導体装置のX−X線断面のY方向矢視図である。 FIG. 1 is a perspective view showing an optical semiconductor device according to the first embodiment. In FIG. 1, illustration of the LED chip and the bonding wire is omitted. 2 is a cross-sectional view of the optical semiconductor device in FIG.
図2に示されるように、実施の形態1に係る光半導体装置1は、複数個のLEDチップ3が発する熱を放熱可能な光半導体装置である。光半導体装置1は、複数個のLEDチップ3と、複数本のリードフレーム5と、リードフレーム保持部2と、放熱部材7と、封止樹脂部(図示せず)とを備えている。複数本のリードフレーム5と、リードフレーム保持部2と、放熱部材7と、封止樹脂部とが、光半導体装置用パッケージを構成している。
As shown in FIG. 2, the
封止樹脂部は、リードフレーム保持部2の開口部20内に充填された熱硬化性樹脂等の合成樹脂から構成されている。封止樹脂部は、LEDチップ3及びボンディングワイヤ4を外部環境から保護するものである。封止樹脂部は、LEDチップ3の光を集光する為にレンズ形状とすることも可能である。
The sealing resin portion is made of a synthetic resin such as a thermosetting resin filled in the
リードフレーム5は、LEDチップ3と基板上の配線(図示)とを電気的に接続するものである。複数本のリードフレーム5は、複数個のLEDチップ3とそれぞれ電気的に接続されている。図2に示される例では、リードフレーム5とLEDチップ3は、金属製のボンディングワイヤ4を介して接続されている。
The
リードフレーム保持部2は、複数本のリードフレーム5を保持するものである。複数本のリードフレーム5は、相互に間隔をあけた状態でリードフレーム保持部2に保持されている。リードフレーム保持部2には、穴部21が形成されている。穴部21は、放熱部7をリードフレーム保持部2に固定するために設けられている。図2に示される例では、リードフレーム保持部2の第1主面2aから第2主面2b(第1主面1aの反対側に位置する面)の間を貫通する貫通孔が形成されている。この貫通孔は、軸方向中途部から第2主面2bまでの部分の径が小さくなっている。この径が小さくなった部分が上記の穴部21とされている。この穴部21に、放熱部材7の挿入部71が挿入固定される。リードフレーム保持部2の第1主面2aから軸方向中途部までの部分は、大径の開口部20とされている。この開口部20内に、LEDチップ3を外部環境から保護するための合成樹脂(図示せず)が充填される。
The lead
放熱部材7は、リードフレーム保持部2に装着されている。図2に示される例では、放熱部材7は、基部70と、基部70の一端側に設けられた挿入部71とを含む。挿入部71は、リードフレーム保持部2の穴部21内に密に挿入すなわち圧入され、リードフレーム保持部2に装着されている。
The
図3,4はそれぞれ、放熱部材7の一例を示す斜視図である。
放熱部材7は、複数個のLEDチップ3が発する熱を放熱するものである。放熱部材7は、複数個の放熱片6と、断熱部8とを含む。複数個の放熱片6は、複数個のLEDチップ3にそれぞれ対応し、その対応するLEDチップ3が発する熱を放熱可能とされている。断熱部8は、複数個の放熱片6の間に設けられ、放熱片6と一体化されている。なお、放熱片6の数は、LEDチップ3の数と同じであってもよいが、LEDチップ3の数より多くても良い。
3 and 4 are perspective views showing an example of the
The
放熱片6の材質は、熱伝導性の良好なものであれば特に限定されないが、例えば、銅、アルミニウム、黄銅、ニッケル、鉄、ステンレス、銅合金、アルミニウム合金などの金属を好適に用いることができる。これらの金属を用いることにより、放熱性の高い放熱片6を構成することができる。なお、放熱性が高ければ、他の金属材料、セラミックスなど金属以外の材料を用いることも可能である。
The material of the
また、放熱片6は、その表面に銀、パラジウム、金などの金属めっきや半田めっき、合金めっきなどを施したものであっても良い。金属めっきは、電気伝導性、低接触抵抗、耐食性、ハンダ付け性、耐摩耗性(摺動接点の場合)、平滑性、高周波特性、光反射性に優れているため、光半導体装置1の信頼性を向上させることができる。
Further, the
放熱片6は、例えば、1枚のアルミニウム、銅、黄銅、ニッケル、鉄、ステンレス、銅合金などからなる厚板の金属板を打ち抜き加工や絞り加工することによって成形することができる。放熱片6の形状は特に限定されるものではないが、例えば、円柱状、角柱状、三角柱状、扇柱状柱状等の柱状に形成することができる。放熱片6の形状は、LEDチップ3の搭載形態などに応じて適宜に選択すれば良い。例えば、角柱状或いは三角柱状であればパッケージサイズの小型化に有効である。円柱状或いは扇状柱状であればLEDチップ3の搭載面積を大きく確保することができる。なお、円柱状や角柱状などの金属塊を塑性加工することにより、基部70及び挿入部71を構成する形の放熱片6を形成することができる。
The
放熱片6の高さHは、LEDチップ3の発熱特性を考慮した上で、LEDチップ3の放熱性が良好となる最適な値に調節される。また放熱片6の第1主面6aの面積は、LEDチップ3を搭載できる大きさ程度とされ、正負のボンディングワイヤ4が接触しないように調節される。
The height H of the
断熱部8は、放熱片6同士の間の熱伝導を抑制するためのものである。断熱部8の材質は、断熱性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、ガラスなどを用いることができる。また、断熱部8の材質は、隣り合う放熱片6,6間で短絡が生じるのを防ぐために、絶縁性を有していることが好ましい。
The
このような断熱性及び絶縁性を有する材質としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂などの熱硬化性樹脂のうち少なくともいずれか一種を用いることができる。なお、熱硬化性樹脂には、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質のうち少なくともいずれか一種が混合されていてもよい。断熱性及び絶縁性を有する材質としては、熱可塑性樹脂を用いても良い。熱可塑性樹脂としては、例えば、芳香族ナイロン系樹脂、ポリフタルアミド樹脂(PPA)、サルホン系樹脂、ポリアミドイミド樹脂(PAI)、ポリケトン樹脂(PK)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、PBT樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、これらの熱可塑性樹脂に、ガラス繊維、ミネラルフィラーを含有させたものを用いても良い。 Examples of such heat insulating and insulating materials include epoxy resins, phenol resins, unsaturated polyester resins, urea resins, melamine resins, diallyl phthalate resins, acrylic resins, polyimide resins, polyurethane resins, silicone resins, etc. At least any one of thermosetting resins can be used. The thermosetting resin may be mixed with at least one of a filler, a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, and a light shielding material. A thermoplastic resin may be used as the material having heat insulating properties and insulating properties. Examples of thermoplastic resins include aromatic nylon resins, polyphthalamide resins (PPA), sulfone resins, polyamideimide resins (PAI), polyketone resins (PK), polycarbonate resins, polyphenylene sulfide (PPS), and liquid crystal polymers. Thermoplastic resins such as (LCP), ABS resin, and PBT resin can be used. In addition, you may use what contained glass fiber and a mineral filler in these thermoplastic resins.
図5,6はそれぞれ、放熱片の第1主面の形状の一例を示したものである。放熱片の第1主面の形状は、図2に示される如く平坦面(第1主面6a)でも良いが、図5に示される如く凹形状(第1主面60a)であっても良く、或いは、図6に示される如く凸形状(第1主面61a)であっても良い。凹形状の第1主面60aとした場合、図5に示される如く、その凹部内にLEDチップ3が搭載される。この場合、凹部の側壁面でLEDチップ3からの光を反射することができ、光半導体装置1の発光効率を向上させることができる。一方、凸形状の第1主面61aとした場合、図6に示される如く、その凸部上にLEDチップ3が搭載される。この場合、LEDチップ3から発生する光、熱によってリードフレーム保持部2が劣化するのを抑制するためのコーティング材をリードフレーム保持部2の開口部20内壁面に塗布した際に、そのコーティング材がLEDチップ3及びボンディングワイヤ4のボンディング面に流れ込むのを防止することができる。
5 and 6 each show an example of the shape of the first main surface of the heat radiating piece. The shape of the first main surface of the heat radiating piece may be a flat surface (first main surface 6a) as shown in FIG. 2, or may be a concave shape (first main surface 60a) as shown in FIG. Alternatively, it may have a convex shape (first main surface 61a) as shown in FIG. In the case of the concave first main surface 60a, the
実施の形態1に係る光半導体装置1並びにそれに用いられる放熱部材7及び光半導体装置用パッケージによれば、LEDチップ3への通電により生じる熱を、当該LEDチップ3に対応する放熱片6を通じて効率良く放熱することができる。また、LEDチップ3が発した熱が他のLEDチップ3に伝導しにくいので、LEDチップ3の輝度の劣化を抑制することができる。これにより、1個の光半導体装置1に複数個のLEDチップ3を実装することができ、基板(図示せず)上における光半導体装置1の実装数を減らして光半導体装置1の実装面積(占有面積)を削減することができる。
According to the
以下、実施の形態1に係る光半導体装置1並びにそれに用いられる放熱部材7及び光半導体装置用パッケージの製造方法について説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing the
図7(a)〜(c)は、放熱部材7の製造方法の工程フローを順に示す断面図である。
実施の形態1に係る放熱部材7の製造方法は、複数個のLEDチップ3が発する熱を放熱可能な放熱部材の製造方法である。放熱部材7の製造方法は、複数個の放熱片6を形成する工程と、当該放熱片6と一体化された断熱部8を形成する工程とを備えている。
7A to 7C are cross-sectional views sequentially showing the process flow of the method for manufacturing the
The manufacturing method of the
複数個の放熱片6を形成する工程では、複数個のLEDチップ3(図2参照)にそれぞれ対応しその対応するLEDチップ3が発する熱を放熱可能な複数個の放熱片6を形成する。
In the step of forming a plurality of
断熱部8を形成する工程では、複数個の放熱片6を相互に間隔をあけて金型12内に配置した状態でインサート成形を行うことにより、各放熱片6の間に当該放熱片6と一体化された断熱部8を形成する。
In the step of forming the
放熱部材7の製造方法の製造方法について、より詳しく説明する。
まず、図7(a)に示されるように、例えば、1枚のアルミニウム、銅、黄銅、ニッケル、鉄、ステンレス、銅合金などの金属厚板の抜き加工、絞り加工、若しくは円柱状や角柱状などの金属塊の塑性加工など公知の加工方法により、複数個の放熱片6を形成する。放熱片6の数は、LEDチップ3の数と同じであってもよいし、或いはLEDチップ3の数より多くても良い。これにより、各放熱片6上に1個ずつLEDチップ3を確実に搭載することができる。
The manufacturing method of the
First, as shown in FIG. 7 (a), for example, a single plate of aluminum, copper, brass, nickel, iron, stainless steel, copper alloy, or the like is punched, drawn, or cylindrical or prismatic. A plurality of
放熱片6の高さは、LEDチップ3の発熱特性を考慮した上で、LEDチップ3が発する熱の放熱性を良好なものとするために最適な大きさに調節される。また、放熱片6の第1主面6a(図2参照)の面積は、搭載するLEDチップ3の大きさ程度とし、正負のボンディングワイヤ4が接触しないように調節される。放熱片6の第2主面6b(第1主面6aの反対側に位置する面)は放熱面である。第2主面6bの面積は、放熱効率を高めるために第1主面6aの面積よりも大きく設定されることが好ましい(図2参照)。
The height of the
放熱片6の材質は、放熱性の高いものであれば特に限定されるものではないが、例えば、銅、アルミニウム、黄銅、ニッケル、鉄、ステンレス、銅合金、アルミニウム合金などの金属を用いることができる。これらの金属は放熱性が高い為、放熱性の向上を図ることができる。なお、放熱片6の材質としては、放熱性の高いものであれば、他の金属材料、セラミックスなど金属以外の材料であっても良い。
The material of the
また、放熱片6の表面に、銀、パラジウム、金などの金属めっきや半田めっき、合金めっきなどを施しても良い。
Further, the surface of the
次いで、図7(b)に示されるように、各放熱片6を、キャビティを備えた上下一対の成形金型12の上金型12aと下金型12bの間に挟み込み、固定する。このとき、各放熱片6の間には、断熱部8を形成するための間隙を設けておく。
Next, as shown in FIG. 7B, each
次いで、図7(c)に示されるように、キャビティ内に熱硬化性樹脂をトランスファーモールド工程により流し込む。なお、トランスファーモールド工程では、キャビティに繋がった容器(図示せず)内にタブレット状の熱硬化性樹脂を入れる。その容器内の熱硬化性樹脂に圧力を加えると、キャビティ内に溶融状態の熱硬化性樹脂が流れ込む。上金型12aと下金型12bとを所定の温度に温め、その流し込まれた熱硬化性樹脂を硬化させる。これにより、複数個の放熱片6の間に断熱部8が形成され、各放熱片6と断熱部8が一体化した放熱部材7を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 7C, a thermosetting resin is poured into the cavity by a transfer molding process. In the transfer molding process, a tablet-like thermosetting resin is placed in a container (not shown) connected to the cavity. When pressure is applied to the thermosetting resin in the container, the molten thermosetting resin flows into the cavity. The upper mold 12a and the lower mold 12b are heated to a predetermined temperature, and the poured thermosetting resin is cured. Thereby, the
ここで使用される熱硬化性樹脂の種類は特に限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂などの熱硬化性樹脂のうち少なくとも一種以上を選択することができる。なお、熱硬化性樹脂には、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質のうち少なくとも一種が混合されていても良い。 Although the kind of thermosetting resin used here is not particularly limited, for example, epoxy resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, urea resin, melamine resin, diallyl phthalate resin, acrylic resin, polyimide resin, At least one or more of thermosetting resins such as polyurethane resin and silicon resin can be selected. The thermosetting resin may be mixed with at least one of a filler, a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, and a light shielding material.
なお、放熱片6は、熱可塑性樹脂やガラスなどを用いて構成することも可能である。使用される熱可塑性樹脂の種類は特に限定されるものではないが、例えば、芳香族ナイロン系樹脂、ポリフタルアミド樹脂(PPA)、サルホン系樹脂、ポリアミドイミド樹脂(PAI)、ポリケトン樹脂(PK)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、PBT樹脂などを使用することができる。なお、熱可塑性樹脂にガラス繊維、ミネラルフィラーを含有させたものを使用しても良い。
The
この放熱部材7の製造方法によれば、LEDチップ3への通電により生じる熱を、対応する放熱片6を通じて効率良く放熱する放熱部材7を製造することができる。また、LEDチップ3が発した熱が他のLEDチップ3に伝導されにくいので、LEDチップ3の輝度の劣化を抑制する放熱部材7を製造することができる。これにより、1個の光半導体装置1に複数個のLEDチップ3を実装することができ、基板(図示せず)上における光半導体装置1の実装数を減らして光半導体装置1の実装面積(占有面積)を削減することができる。
According to the method for manufacturing the
次に、実施の形態1に係る光半導体装置1の製造方法について、図2を参照しつつ説明する。
光半導体装置1の製造方法は、複数個のLEDチップ3が発する熱を放熱可能な光半導体装置の製造方法である。この製造方法は、リードフレーム保持部2を形成する工程と、放熱部材7をリードフレーム保持部2に固定する工程と、各LEDチップ3を対応する放熱片6上に搭載する工程と、各LEDチップ3を対応するリードフレーム5にそれぞれ接続する工程とを備えている。
なお、光半導体装置1の一部である光半導体装置用パッケージの製造方法は、リードフレーム保持部2を形成する工程と、放熱部材7をリードフレーム保持部2に固定する工程とを備えている。
Next, a method for manufacturing the
The manufacturing method of the
The manufacturing method of the package for an optical semiconductor device that is a part of the
リードフレーム保持部2を形成する工程では、複数本のリードフレーム5を相互に間隔をあけて保持し穴部(貫通孔)9が形成されたリードフレーム保持部2を形成する。この穴部21の径は、放熱部材7の挿入部71を圧入できるように設定されることが好ましい。
In the step of forming the lead
リードフレーム保持部2は、LEDチップ3の周囲を囲む部分(開口部20)を有している。LEDチップ3から放出された光を効率良く反射するために、リードフレーム保持部2には、反射率の高い白色合成樹脂を好適に使用することができる。また、効率良く前方に光を照射するために、リードフレーム保持部2の開口部20は、例えば、先端に行くに従って径が大きくなる逆円錐台状、逆四角錐台状に成形することができる。なお、リードフレーム保持部2に用いられる合成樹脂の色調は特に限定されるものでははなく、例えば、透明、白濁、黒、などを適用することができる。
The lead
リードフレーム保持部2は、例えば、インサート成形により形成することができる。使用する熱可塑性樹脂としては、例えば、芳香族ナイロン系樹脂、ポリフタルアミド樹脂(PPA)、サルホン系樹脂、ポリアミドイミド樹脂(PAI)、ポリケトン樹脂(PK)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、PBT樹脂などを使用することが出来る。なお、これらの熱可塑性樹脂にガラス繊維、ミネラルフィラーを含有させたものを使用しても良い。ガラス繊維等を含有させることで高強度なリードフレーム保持部2を形成することができる。
The lead
なお、ボンディングワイヤ4及びLEDチップ3を外部環境から保護するために、エポキシ樹脂やシリコン樹脂からなる透光性の封止樹脂(図示せず)で、ボンディングワイヤ4及びLEDチップ3を封止することが好ましい。封止樹脂部は、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂などの熱硬化性樹脂を、リードフレーム保持部2の開口部20内に充填することで形成することができる。熱硬化性樹脂は、主にポッティング方式で注型され、透明または乳白色の樹脂が使用される。封止樹脂部は、ポッティング方式以外のトランスファー成形、インジェクション成形などでも成形は可能である。封止樹脂部は、LEDチップ3からの光を集光できるようにレンズ形状等の任意の形状にすることが可能である。
In order to protect the bonding wire 4 and the
放熱部材7をリードフレーム保持部2に固定する工程では、各LEDチップ3が発する熱を放熱可能な放熱部材7を、リードフレーム保持部2の穴部21に挿入して固定する。放熱部材7は、複数個のLEDチップ3にそれぞれ対応しその対応するLEDチップ3が発する熱を放熱可能な複数個の放熱片6と、各放熱片6の間に設けられ当該放熱片6と一体化された断熱部8とを含んでいる。放熱部材7の製造方法は、上述した通りである。
In the step of fixing the
リードフレーム1の材質は、特に限定されるものではないが、一般的に鉄系または銅系合金が好ましい。また、リードフレーム5の表面を、銀、ニッケル、金、パラジウム、などで金属めっきすることが好ましい。これら金属めっきは、電気伝導性、低接触抵抗、耐食性、ハンダ付け性、耐摩耗性(摺動接点の場合)、平滑性、高周波特性、光反射性に優れている。各金属めっきは、LEDチップ3に求められる特性に合わせて適宜に選択することができる。このリードフレーム5は、例えば、順送金型による打ち抜き加工などの公知の加工技術により形成することができる。
以上の工程を経て、光半導体装置1を形成することができる。
The material of the
The
本発明に係る光半導体装置並びにそれに用いられる放熱部材及び光半導体装置用パッケージ、並びにそれらの製造方法は、特に高輝度で基板への実装面積の縮小化が要求される光半導体装置並びにそれに用いられる放熱部材及び光半導体装置用パッケージ、並びにそれらの製造方法等に有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The optical semiconductor device according to the present invention, the heat radiation member and the optical semiconductor device package used therefor, and the manufacturing method thereof are used for the optical semiconductor device particularly required to reduce the mounting area on the substrate with high luminance. It is useful for a heat dissipation member, a package for an optical semiconductor device, a manufacturing method thereof, and the like.
1 光半導体装置
2 リードフレーム保持部
3 LEDチップ
4 ボンディングワイヤ
5 リードフレーム
6 放熱片
7 放熱部材
8 断熱部
20 開口部
21 穴部(貫通孔)
DESCRIPTION OF
Claims (15)
複数個のLEDチップにそれぞれ対応し、その対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、
各前記放熱片の間に設けられ、当該放熱片と一体化された断熱部とを備える、放熱部材。 A heat radiating member capable of radiating heat generated by a plurality of LED chips,
A plurality of heat dissipating pieces each corresponding to a plurality of LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips;
A heat dissipating member provided between each of the heat dissipating pieces and provided with a heat insulating part integrated with the heat dissipating piece.
複数個のLEDチップとそれぞれ電気的に接続可能な複数本のリードフレームと、
前記複数本のリードフレームを保持するリードフレーム保持部と、
前記リードフレーム保持部に装着され、各前記LEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材とを備え、
前記放熱部材は、
各前記LEDチップにそれぞれ対応し、その対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、
各前記放熱片の間に設けられ、当該放熱片と一体化された断熱部とを備える、光半導体装置用パッケージ。 A package for an optical semiconductor device capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
A plurality of lead frames each electrically connectable to a plurality of LED chips;
A lead frame holding part for holding the plurality of lead frames;
A heat dissipating member attached to the lead frame holding portion and capable of dissipating heat generated by each of the LED chips;
The heat dissipation member is
A plurality of heat dissipation pieces corresponding to each of the LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips;
The package for optical semiconductor devices provided with the heat insulation part provided between each said heat radiation piece, and the said heat radiation piece.
複数個のLEDチップと、
前記複数個のLEDチップとそれぞれ電気的に接続される複数本のリードフレームと、
前記複数本のリードフレームを保持するリードフレーム保持部と、
前記リードフレーム保持部に装着され、各前記LEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材とを備え、
前記放熱部材は、
各前記LEDチップにそれぞれ対応し、その対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、
各前記放熱片の間に設けられ、当該放熱片と一体化された断熱部とを備える、光半導体装置。 An optical semiconductor device capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
A plurality of LED chips;
A plurality of lead frames each electrically connected to the plurality of LED chips;
A lead frame holding part for holding the plurality of lead frames;
A heat dissipating member attached to the lead frame holding portion and capable of dissipating heat generated by each of the LED chips;
The heat dissipation member is
A plurality of heat dissipation pieces corresponding to each of the LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips;
An optical semiconductor device comprising: a heat insulating portion provided between the heat radiating pieces and integrated with the heat radiating pieces.
複数個のLEDチップにそれぞれ対応し、その対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片を形成する工程と、
前記複数個の放熱片を相互に間隔をあけて金型内に配置した状態でインサート成形を行うことにより、各前記放熱片の間に当該放熱片と一体化された断熱部を形成する工程とを備えた、放熱部材の製造方法。 A method of manufacturing a heat dissipation member capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
Forming a plurality of heat dissipating pieces each corresponding to a plurality of LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips;
Forming a heat insulating portion integrated with the heat dissipating piece between the heat dissipating pieces by performing insert molding in a state in which the plurality of heat dissipating pieces are spaced apart from each other in the mold; and The manufacturing method of the heat radiating member provided with.
複数本のリードフレームを保持し貫通孔が形成されたリードフレーム保持部を形成する工程と、
複数個のLEDチップにそれぞれ対応しその対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、各前記放熱片の間に設けられ当該放熱片と一体化された断熱部とを含み、各前記LEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材を前記貫通孔に挿入して固定する工程とを備えた、光半導体装置用パッケージの製造方法。 A method for manufacturing a package for an optical semiconductor device capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
Forming a lead frame holding portion holding a plurality of lead frames and having a through hole; and
A plurality of heat dissipating pieces each corresponding to a plurality of LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips, and a heat insulating portion provided between the heat dissipating pieces and integrated with the heat dissipating pieces. And a step of inserting and fixing a heat dissipating member capable of dissipating heat generated by each LED chip into the through hole.
複数本のリードフレームを保持し貫通孔が形成されたリードフレーム保持部を形成する工程と、
複数個のLEDチップにそれぞれ対応しその対応するLEDチップが発する熱を放熱可能な複数個の放熱片と、各前記放熱片の間に設けられ当該放熱片と一体化された断熱部とを含み、各前記LEDチップが発する熱を放熱可能な放熱部材を前記貫通孔に挿入して固定する工程と、
各前記LEDチップを、対応する前記放熱片上に搭載する工程と、
各前記LEDチップを、対応する前記リードフレームにそれぞれ接続する工程とを備えた、光半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing an optical semiconductor device capable of dissipating heat generated by a plurality of LED chips,
Forming a lead frame holding portion holding a plurality of lead frames and having a through hole; and
A plurality of heat dissipating pieces each corresponding to a plurality of LED chips and capable of dissipating heat generated by the corresponding LED chips, and a heat insulating portion provided between the heat dissipating pieces and integrated with the heat dissipating pieces. A step of inserting and fixing a heat radiating member capable of radiating heat generated by each LED chip into the through hole;
Mounting each LED chip on the corresponding heat dissipation piece;
And a step of connecting each of the LED chips to the corresponding lead frame.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007018309A JP2008186948A (en) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | Optical semiconductor device, heat radiating member and package used for it, and their manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007018309A JP2008186948A (en) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | Optical semiconductor device, heat radiating member and package used for it, and their manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008186948A true JP2008186948A (en) | 2008-08-14 |
Family
ID=39729793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007018309A Pending JP2008186948A (en) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | Optical semiconductor device, heat radiating member and package used for it, and their manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008186948A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080830A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Kyocera Corp | Substrate for light emitting device, light emitting device and illumination device using the light emitting device |
CN102117785A (en) * | 2011-01-19 | 2011-07-06 | 南通富士通微电子股份有限公司 | Semiconductor power device packaging structure |
KR20130039162A (en) * | 2011-10-11 | 2013-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
CN105526535A (en) * | 2016-02-05 | 2016-04-27 | 赵景添 | LED lamp bead, display module and display screen |
-
2007
- 2007-01-29 JP JP2007018309A patent/JP2008186948A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080830A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Kyocera Corp | Substrate for light emitting device, light emitting device and illumination device using the light emitting device |
CN102117785A (en) * | 2011-01-19 | 2011-07-06 | 南通富士通微电子股份有限公司 | Semiconductor power device packaging structure |
KR20130039162A (en) * | 2011-10-11 | 2013-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
KR101950756B1 (en) * | 2011-10-11 | 2019-02-21 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
CN105526535A (en) * | 2016-02-05 | 2016-04-27 | 赵景添 | LED lamp bead, display module and display screen |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7183588B2 (en) | Light emission device | |
US8173454B2 (en) | Light emitting diode package and method of manufacturing the same | |
KR101209759B1 (en) | Semiconductor light emitting module and method for manufacturing the same | |
JP2006049442A (en) | Semiconductor light emission device and its manufacturing method | |
US7615799B2 (en) | Light-emitting diode package structure | |
US8592830B2 (en) | LED unit | |
JP5391468B2 (en) | LED package | |
JP2008544577A (en) | Top mounted power light emitter with integrated heat sink | |
JP2006339653A (en) | High power led package, and method of manufacturing high power led package | |
JP2007214247A (en) | Light-emitting module and method of manufacturing same | |
US20120241773A1 (en) | Led bar module with good heat dissipation efficiency | |
KR101669281B1 (en) | Light-emitting device | |
JP2007214249A (en) | Light-emitting module and method of manufacturing same | |
JP2006344717A (en) | Light-emitting device and its manufacturing method | |
KR100665182B1 (en) | High power led package and fabrication method thereof | |
KR101018119B1 (en) | LED package | |
JP2008186948A (en) | Optical semiconductor device, heat radiating member and package used for it, and their manufacturing method | |
JP2007158209A (en) | Light-emitting module and manufacturing method therefor | |
JP2007214474A (en) | Edgelight and method of manufacturing same | |
KR100688626B1 (en) | Light emitting diode package and back light unit using it | |
JP2007214471A (en) | Light-emitting module and method of manufacturing same | |
JP2007180319A (en) | Light-emitting module and manufacturing method thereof | |
KR20120001189A (en) | Light emitting diode package | |
JP2007214248A (en) | Light-emitting module and method of manufacturing same | |
JP2007158211A (en) | Light-emitting module and manufacturing method therefor |