JP2007214249A - Light-emitting module and method of manufacturing same - Google Patents

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Kimiharu Nishiyama
Etsuo Tsujimoto
Tetsuya Tsumura
Hajime Yamamoto
始 山本
哲也 津村
公治 西山
悦夫 辻本
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting module having good processibility by using a metallic lead frame, an insulator having excellent heat radiation and a metal plate instead of a ceramic substrate, and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: A heat dissipation resin 102 as an insulating layer containing an inorganic filler and a resin composition containing a thermosetting resin, and a lead frame 100 principally containing copper are formed in accordance with the recess shape of a metal substrate 114 having a recess formed on its one surface, and LEDs 108 are mounted on the lead frame 100 on the bottom of the recess. With this configuration, since heat from the LEDs 108 can be spread over the entire light-emitting module via the lead frame 100 and the thickness of the heat dissipation resin 102 can be made to be thin and uniform, heat of the lead frame 100 can be efficiently diffused to the metal substrate 114 and a C-face 110 portion can make the lead frame 100 be hardly peeled off from the heat dissipation resin 102. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶テレビ等のバックライトを有する表示機器のバックライト等に使われる発光モジュール及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a light emitting module and a manufacturing method thereof are used in the backlight of the display device having a backlight such as a liquid crystal television.

従来、液晶テレビ等のバックライトには、冷陰極管等が使われてきたが、近年、LEDやレーザー等の半導体発光素子を、放熱性の基板の上に実装することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, a backlight such as a liquid crystal television, but a cold cathode tube has been used, in recent years, a semiconductor light emitting element such as LED or laser, it is proposed to implement on the heat dissipation of the substrate ( For example, see Patent Document 1).

図8は、発光モジュールの一例を示す断面図である。 Figure 8 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting module. 図8において、セラミック基板1に形成された凹部には、発光素子2が実装されている。 8, the recess formed in the ceramic substrate 1, the light emitting element 2 is mounted. また複数のセラミック基板1は、放熱板3の上に固定されている。 The plurality of ceramic substrate 1 is fixed to the heat radiator 3. また複数のセラミック基板1は、窓部4を有する接続基板5で電気的に接続されている。 The plurality of ceramic substrate 1 is electrically connected to the connection board 5 having a window portion 4. そしてLEDから放射される光6は、接続基板5に形成された窓部4を介して、外部に放出される。 Then, the light 6 emitted from the LED through the window 4 formed on the connection board 5, it is discharged to the outside. なお図8において、凹部を有するセラミック基板1や接続基板5における配線及びLEDの配線等は図示していない。 In FIG. 8, wiring and the like of the wiring and the LED of the ceramic substrate 1 and the connection board 5 having a recess is not shown. そしてこうした発光モジュールは、液晶等のバックライトとして使われている。 And such light emitting module is used as a backlight of a liquid crystal or the like. しかしセラミック基板1は加工が難しく高価であるため、より安価で加工性に優れた放熱基板が求められていた。 However, since the ceramic substrate 1 is a machining difficult and expensive, it has been less expensive in the radiating board with excellent workability is required.

一方、液晶TVを始めとする表示装置側からは、色表示範囲の拡大が望まれている。 On the other hand, from the display device side, including the LCD TV, the expansion of the color display range is desired. こうしたニーズに対しては、白色LED等では、限界があるため、近年では、Red(赤)、Green(緑)、Blue(青)の単色発光素子を、更には紫色、橙色、赤紫、コバルトブルー等の特別色を発光する特色発光素子も加えることで、色表示範囲(色表示は具体的にはCIE表色系等)を広げることが試みられている。 For these needs, the white LED or the like, since there is a limit, in recent years, Red (red), Green (green), a monochromatic light-emitting element of Blue (blue), more purple, orange, magenta, cobalt by adding also features a light-emitting element emits a special color, such as blue, the color display range (color display is specifically CIE colorimetric system, etc.) attempts have been made to widen the.

こうしたニーズに対して、図8のような発光モジュールで対応した場合、セラミック基板1の凹部に、こうした発光素子を一個一個実装しながら、全体として均一な混色(混色して白色)を出して、色バランス(例えば、後述するホワイトバランス)を調整する必要がある。 Against these needs, when corresponding the light emitting module as shown in FIG. 8, in the recess of the ceramic substrate 1, while these light-emitting elements one by one implement issues an overall uniform mixing (white by mixing), color balance (e.g., white balance, which will be described later) needs to be adjusted. 一方LED等の固体発光素子は温度が上昇すると発光効率が低下することが知られている。 On the other hand solid-state light-emitting element such as an LED light emitting efficiency and temperature rises is known to decrease. 更にLEDの発光色の違いによって温度に対する発光効率の低下度合いも異なる。 Moreover also different degree of decrease in light emission efficiency with respect to temperature by emission color differences the LED. こうした理由により、例えば、液晶TVをON(動作)した直後は、LED部分が室温(例えば25℃)であるため、ホワイトバランスが保たれていても、LED部分の温度が上昇(例えば、40℃→50℃→60℃)するに伴い、例えば特に赤色の発光効率が低下する等の現象が生じてしまい、色再現性やバックライトの輝度も変化してしまう可能性がある。 For these reasons, for example, immediately after the liquid crystal TV was ON (operation), since LED portion is room temperature (e.g. 25 ° C.), also be kept white balance, the temperature of the LED portion is increased (e.g., 40 ° C. → with to 50 ° C. → 60 ° C.), such as, in particular, will occur a phenomenon such as a red light-emitting efficiency is reduced, the luminance of the color reproducibility and the backlight also there is a possibility that change.

一方、図8に示すように、LED等の発光素子2が1個ずつ実装されたセラミック基板1を、放熱板3の上に並べた場合、放熱性の面から有利である一方、フィルターや拡散板等を用いて光を混ぜて白色を作製する(あるいはRGB+特別色の混合によって演色性の高い白色を作製する)ことが難しくなる。 On the other hand, as shown in FIG. 8, while the ceramic substrate 1, the light emitting element 2 are one by one implementation of an LED or the like, when arranged on the heat radiating plate 3, which is advantageous in terms of heat radiation, filters and diffusion making white (or RGB + producing high color rendering white by mixing special color) it is difficult to mix the light using a plate or the like.

そのため発光素子の更なる高輝度化(その際には、大きな電流を流す必要がある)、更にはマルチLED(複数個のLEDを高密度に実装すること)に対応できる多数個の発光素子が高密度で実装できる加工性が高くそして放熱性の優れた発光モジュールが要求されている。 Further higher luminance of for the light emitting element (in this case, it is necessary to flow a large current), further a large number of light emitting elements that can support multi-LED (implementing a plurality of LED high density) has emitting module workability with excellent high and heat dissipation that may be high-density mounting is required.
特開2004−311791号公報 JP 2004-311791 JP

しかしながら、前記従来の構成では、発光素子を実装する放熱基板が、セラミック基板であったため、加工性やコスト面で不利になるという課題を有していた。 However, in the conventional configuration, the heat dissipating substrate for mounting a light emitting element, because it was a ceramic substrate, there is a problem that it is disadvantageous in workability and cost.

本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、セラミック基板の代わりに、金属製のリードフレームと高放熱性の絶縁体及び金属板を使うことで、加工性の良い発光モジュールとその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention, the is intended to solve the conventional problem, instead of the ceramic substrate, by using a metal lead frame and high heat dissipation of the insulator and the metal plate, workability good light emitting module and its manufacturing an object of the present invention to provide a method.

前記課題を解決するために、本発明はLED等の発光素子を、その発光素子を有する少なくとも1つの半導体層平面の全面を導電層を介して電気的接続する放熱性の高い金属製のリードフレームの上に直接実装し、更にリードフレームの熱は高放熱性を有する放熱樹脂を介して、裏面に形成した放熱用の金属基板に伝えることになる。 In order to solve the above problems, the present invention provides a light emitting device such as an LED, at least one high metal lead frame heat radiation property of the whole surface of the semiconductor layer plane are electrically connected through a conductive layer having the light emitting element directly mounted on the further heat the lead frame through a heat radiation resin having high heat radiation, so that the convey a metal substrate for heat radiation formed on the back surface.

本発明の発光モジュール及びその製造方法によって得られた発光モジュールは、LEDや半導体レーザー等の発光素子によって発生した熱を効率的に拡散することができ、LED等の発光素子を有効に冷却できる。 Emitting module obtained by the light-emitting module and its manufacturing method of the present invention, the heat generated by the light emitting element such as LED or a semiconductor laser can be efficiently diffused, effectively cool the light emitting device such as an LED.

(実施の形態1) (Embodiment 1)
以下、本発明の実施の形態1における発光モジュールについて、図1、図2を用いて説明する。 Hereinafter, a light emitting module according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は実施の形態1における発光モジュールを示す上面図及び断面図であり、図1(A)はその上面図、図1(B)は図1(A)の矢印104aにおける断面図である。 Figure 1 is a top view and a cross-sectional view showing a light emitting module according to the first embodiment, FIG. 1 (A) is a top view thereof, FIG. 1 (B) is a sectional view taken along an arrow 104a in FIG. 1 (A). 図1において、100はリードフレーム、102は放熱樹脂、102aは放熱樹脂よりなる絶縁層、104aは図1(B)の断面部を示す矢印、104bはLED108の側面から放射された光を示す矢印、106はリードフレーム100の屈曲位置を示す点線である。 In Figure 1, 100 is a lead frame, 102 radiating resin insulating layer 102a is made of a heat dissipating resin, 104a denotes the cross section shown in FIG. 1 (B) an arrow, 104b are arrows indicating light emitted from the side surface of the LED108 , 106 is a dotted line showing the bending position of the lead frame 100. 108は半導体層(108a、108b)を積層して形成したLEDであり、108aはn型半導体層、108bはp型半導体層、109aはn型半導体層108aの電極表面全体に形成された導電層、109bはp型半導体層108bの(電極)表面全体に形成された導電層である。 108 is a LED which is formed by stacking semiconductor layers (108a, 108b), 108a are n-type semiconductor layer, 108b a p-type semiconductor layer, 109a is a conductive layer formed on the entire electrode surface of the n-type semiconductor layer 108a , 109b is a conductive layer formed on the entire (electrode) surface of a p-type semiconductor layer 108b. 導電層109a、109bは、リードフレーム100上に固定し、LED108と電気的接続を形成している。 Conductive layer 109a, 109b is fixed on the lead frame 100, and forms an electrical connection with the LED 108. また、図1(A)、(B)に示すように、半導体層との接続面積の大きい導電層109bは、リードフレーム100に対してもその固定面積が大きくなるように(すなわち放熱樹脂102の絶縁層102aがLED108の中心に対して導電層109a側に寄った位置に)リードフレーム100上に形成している。 Further, as shown in FIG. 1 (A), (B), larger conductive layer 109b of the contact area between the semiconductor layer, as the fixed area with respect to the lead frame 100 is increased (i.e., the heat dissipation resin 102 insulating layer 102a is formed on the position on) the lead frame 100 closer to the conductive layer 109a side with respect to the center of the LED 108. さらにまた図1(A)に示すように、2つのLED108はリードフレーム100間の絶縁層102aに対して互いに逆方向に寄せた位置に設け、複数のLED108は絶縁層102aを中心として寄せる方向を互い違いにして配置している。 Furthermore, as shown in FIG. 1 (A), the two LED108 provided at a position closer to the opposite directions with respect to the insulating layer 102a between the lead frame 100, a plurality of LED108 is a direction in which gather around the insulation layer 102a I staggered to have been placed. これにより、LED108から発生する熱は、リードフレーム100との接続面積が大きい導電層109aから特に効率よくリードフレーム100を通じて放熱され、また、LED108を互いに逆方向に(対称的に)あるいは互い違いに配置したことにより、熱を片側一方に集中させること無く比較的均一に(対称的に)効率よく放熱することができることとなる。 Thus, heat generated from the LED108 is radiated particularly through efficient leadframe 100 from the conductive layer 109a connection area is large between the lead frame 100, also (symmetrically) in opposite directions to LED108 or staggered by the, so that the heat can be a to (symmetrically) relatively uniformly without concentrating on one side effectively improve the heat dissipation.

なお、p型半導体層108b(あるいは導電層109b)と導電層109aの間は、絶縁層102bを形成することで、導電層109aと導電層109bの短絡を防止できることは言うまでも無いことである。 Incidentally, during the p-type semiconductor layer 108b (or the conductive layer 109b) and the conductive layer 109a is, by forming the insulating layer 102b, it is needless to say to be able to prevent a short circuit of the conductive layer 109a and the conductive layer 109b .

なお、LED素子(部品素子)となるLED108は、(図示はしてない)基台平面と平行な平面を有する半導体層(n型半導体層108a、p型半導体層108b)を積層して形成されている。 Incidentally, LED 108 serving as a LED element (part elements) are formed by laminating a (not shown) semiconductor layer having a base plane parallel to the plane (n-type semiconductor layer 108a, p-type semiconductor layer 108b) ing. n型半導体層108a平面は、LED108の平面外形(あるいは基台の平面外形)とほぼ同じ面積を有した形状であり、p型半導体層108b平面は、n型半導体層108aがその外形平面のうち電気的接続を行う電極平面に対して電源側との電気的接続をする電極部を設けるようにして残った平面の形状(面積)を有しており、n型半導体層108aの外形平面より小さい形状をしている。 n-type semiconductor layer 108a plane has a shape having approximately the same area as the planar outer shape of the LED 108 (or the plane outer shape of the base), p-type semiconductor layer 108b plane, n-type semiconductor layer 108a is out of the periphery plane has a remaining planar shape so as to providing an electrode unit for an electrical connection between the power supply side to the electrode plane for electrically connecting (area), contour plane less than the n-type semiconductor layer 108a It has a shape. このLED108の半導体層(n型半導体層108a、p型半導体層108b)から回路パターンとなるリードフレーム100への電気的接続は、図1(B)に示すように導電層109a、109bとなるバンプで行っており、積層形成後の各半導体層の電極平面形状サイズに応じて複数のバンプを設けるなどして、各平面を全体的(全面的)に電気的接続させるようにしている。 The semiconductor layer of the LED 108 (n-type semiconductor layer 108a, p-type semiconductor layer 108b) electrical connection from the lead frame 100 as a circuit pattern, a conductive layer 109a, 109b as shown in FIG. 1 (B) bumps and carried out in, and the like provided with a plurality of bumps in accordance with the electrode plane shape sizes of the semiconductor layers after lamination forming, and so as to electrically connect each flat overall (overall). これにより、LED108の各半導体層の電極平面全体からそれに対向する回路パターンへの接続が、熱伝導性の高い金属成分を主体とした導電層109a、109bにより広い接続面積(あるいは導電層の平面)で直接接続することができ、LED108から回路パターンへの熱伝導特性(放熱性)を格段に向上させることができる。 Thereby, connection to the circuit pattern facing thereto from the entire electrode plane of the semiconductor layers of the LED108 is, a metal having high heat conductivity component conductive layer 109a consisting mainly of a wide connection area by 109b (or the plane of the conductive layer) in can be directly connected, it is possible to greatly improve the thermal conductivity characteristics of the circuit pattern (heat radiation) from LED 108. なお、積層構造を有する半導体層(n型半導体層108a、p型半導体層108b)は、発光素子(発光量)が高くなるように、n型半導体層108aとp型半導体層108bの接合面積を大きくし、それより、電気的接続をするn型半導体層108aの電極平面109aは小さく形成し、よってp型半導体層108bの電極平面109bに対してもかなり小さく構成している。 The semiconductor layer having a laminated structure (n-type semiconductor layer 108a, p-type semiconductor layer 108b), the light emitting element as (light emission amount) is increased, the junction area of ​​the n-type semiconductor layer 108a and the p-type semiconductor layer 108b larger, than the electrode plane 109a of the n-type semiconductor layer 108a to the electrical connection is formed smaller, thus being considerably smaller configuration with respect to the electrode plane 109b of the p-type semiconductor layer 108b.

また、LED108の各半導体層(n型半導体層108a、p型半導体層108b)接合部表面のほぼ全体を電気的接続する構成により、n型半導体層108aとp型半導体層108bとの平面間に均一に電流を印加することができ、半導体層平面全体から均一な発光を行うことができる。 Further, the respective semiconductor layers of the LED 108 (n-type semiconductor layer 108a, p-type semiconductor layer 108b) by arrangement for electrically connecting the substantially the entire joint surface, between the plane of the n-type semiconductor layer 108a and the p-type semiconductor layer 108b it is possible to apply a uniform current, it is possible to perform uniform light emission from the entire semiconductor layer plane.

なお、LED108からバンプ109a、109b、あるいはバンプ109a、109bから回路パターンへの電気的接続に際して、必要に応じて金などの金属めっきによる光の反射率の高い電極層を介して行っていいということは言うまでも無い。 Incidentally, the fact that the bumps 109a from LED 108, 109b or bumps 109a,, when the electrical connection from 109b to the circuit pattern, I went through the high electrode layer reflectance of light by metal plating such as gold as needed needless to say. 電極層の表面を反射率の高い金属的鏡面にすることにより、LED108の所定方向への発光効率をさらに高めることができる。 By the surface of the electrode layer to high reflectivity metallic mirror surface, it is possible to further increase the luminous efficiency in a predetermined direction of the LED 108. また、その導電層109a、109bは、導電層の内部に対して導電層の表面側となる外側(特に半導体層側の外側)の方が導電性を有する金属成分が多くなるように構成することで、上記発光効率をさらに高めることができる。 Further, the conductive layer 109a, 109b may be towards the outside which is a surface side of the conductive layer to the internal conductive layer (in particular, the outer semiconductor layer side) is configured so that many metal components having conductivity in, it is possible to further enhance the light emitting efficiency. その導電層外側を、金属成分を高めるようにして構成するには、金属成分の異なる異種材料を多層で構成する方法、あるいはまた、導電層を形成する際に、磁界の印加などで金属成分を端部(外側)に寄せるなどして形成する方法がある。 The conductive layer outside, to configure so as to increase the metal component, a method to configure a different dissimilar materials of the metal components in multilayer Alternatively, when forming the conductive layer, the metal components such as application of the magnetic field a method of forming in such lapping the end portions (outside).

また、各半導体層(n型半導体層108a、p型半導体層108b)の電気的接続を行う接続平面形状は、長方形や台形などの四角形、L字形状、円弧形状など、互いにn型半導体層108a、p型半導体層108bで異なるようにして組み合わせることで接続面積を大きくすることができ、放熱性がより高められる。 The connection plane shape for electrically connecting the respective semiconductor layers (n-type semiconductor layer 108a, p-type semiconductor layer 108b) is square, rectangular or trapezoidal, L-shaped, such an arc shape, n-type semiconductor layer 108a to each other , it is possible to increase the connection area by combining as different p-type semiconductor layer 108b, the heat radiation property can be further enhanced.

特に、p型半導体層108bとの接続は、円弧形状、扇形状あるいは四角形とし、n型半導体層108aとの接続は、p型半導体層108bの接続形状(円弧形状、扇形状あるいは四角形)を切欠き残った形状とすることで、接続面積を大きくすることができ、放熱性がより高められる。 In particular, the connection between the p-type semiconductor layer 108b is an arc shape, fan-shaped or square, the connection between the n-type semiconductor layer 108a is connected shape (arc shape, fan-shaped or square) of the p-type semiconductor layer 108b of the switching with outs remaining shape, it is possible to increase the connection area, the heat radiation property can be further enhanced.

なお上記のように、2つの半導体層(n型半導体層108a、p型半導体層108b)に対してその各平面全体を導電層109a、109bを介して電気的に回路パターンに接続しなくても、少なくとも1つの半導体層平面の全体を同様に回路パターンに接続しても同様な効果を奏する。 Incidentally, as described above, two semiconductor layers (n-type semiconductor layer 108a, p-type semiconductor layer 108b) conductive layer in its entirety each plane with respect 109a, without connecting to the electrical circuit patterns through 109b , a similar effect is also connected to the circuit pattern in the same manner the whole of the at least one semiconductor layer plane. 特に、LED素子108の少なくとも一方の半導体層が、LED素子108の平面外形とほぼ同じ面積を有した形状であり、その平面全体を導電層109aを介して回路パターンへ直接接続できる(すなわち、もう一方の接続は同一方向とは異なる方向に電気的接続する)構成の場合は、格段に放熱性を高めることができる。 In particular, at least one of the semiconductor layers of the LED element 108 is a shape having approximately the same area as the planar outer shape of the LED elements 108 can be connected directly to the circuit pattern through the conductive layer 109a across the plane (i.e., the other one connection is electrically connected in a direction different from the same direction) in the case of the configuration, it is possible to increase the much heat dissipation.

また上記では、導電層はバンプ109a、109bとしたが、それに限らず、導電性接着剤、あるいは一部にワイヤーボンディングで電気的接続を併用するなどして行ってもいいということは言うまでも無い。 In the above, the conductive layer bumps 109a, but the 109b, not limited to, conductive adhesive, or to say part to the fact that good to go, for example, by a combination of electrical connection by wire bonding no.

なお、LED108はレーザー等の発光素子の一例として示したものであり、他の発光素子へも応用できることは言うまでもない。 Incidentally, LED 108, is shown as an example of a light-emitting element such as a laser can of course be applicable to other light emitting elements. また110はC面部、112は透明樹脂、114は金属基板、116はヒートシンク、118は凹部である。 The 110 C face, 112 a transparent resin, 114 a metal substrate, 116 is a heat sink, 118 is concave. そして凹部118が形成された金属基板114と、凹部118が形成されたリードフレーム100が、互いに凹部同士が重なるようにしながら放熱樹脂102を介して一体化されることになる。 Then the metal substrate 114 which recess 118 is formed, the lead frame 100 which recess 118 is formed, will be integrated via the heat radiating resin 102 with overlaps a recess between one another. なお金属基板114に形成された凹部118は第1の凹部、リードフレーム100に形成された凹部118は第2の凹部となるが、図1(B)において、第1の凹部も第2の凹部も共に凹部118として図示している。 Note recess 118 formed in the metal substrate 114 is first recess, the recess 118 formed in the lead frame 100 becomes a second recess, in FIG. 1 (B), the first recess also the second recess They are shown together as the recess 118.

まず図1(A)を用いて説明する。 First will be described with reference to FIG. 1 (A). 図1(A)において、リードフレーム100は複数個に分割された状態で、放熱樹脂102を介して互いに絶縁されている。 In FIG. 1 (A), the lead frame 100 while being divided into a plurality, are insulated from each other via the heat radiating resin 102. そして、リードフレーム100のC面を設けた外周部の一部は、放熱樹脂102で囲まれている。 Then, part of the outer peripheral portion having a C-plane of the lead frame 100 is surrounded by heat radiating resin 102. また点線106はリードフレーム100の屈曲位置を示すものであり、リードフレーム100が図1(A)の点線106の位置で折れ曲がることで、図1(B)に示すような凹部118を形成する。 The dotted line 106 is indicative of the bending position of the lead frame 100, lead frame 100 by bending at the position of the dotted line 106 in FIG. 1 (A), to form a recess 118 as shown in FIG. 1 (B). そしてLED108は、複数のリードフレーム100の上にまたがるように片側に寄った状態で配置する。 And LED108 is arranged in a state of displaced in one so as to extend over the top of the plurality of lead frames 100. なおLED108の実装用のワイヤー線(ワイヤー線はワイヤーボンディング接続の場合であるが、導電性樹脂や半田(フリップチップ実装等の場合))等の部材も同様に図1において図示していない。 Note wire line for implementation of LED 108 (wire line is the case of the wire bonding connection, if such as a conductive resin or solder (flip chip mounting)) also similarly member such as not shown in FIG. またC面部110は、リードフレーム100の周囲に選択的に形成している。 The C face 110 is selectively formed around the leadframe 100. 図1では、LED108を放熱樹脂102にまたがって実装する実装部において、導電層の形状サイズの小さい方(すなわち、n型半導体層108aに接続する導電層109a)のみにC面部110を設けている。 In Figure 1, the mounting portion for mounting across the radiating resin 102 to LED 108, smaller feature sizes of the conductive layer (i.e., conductive layer 109a to be connected to the n-type semiconductor layer 108a) are provided C face 110 only . これにより、後述する導電層109a近傍の放熱樹脂102のリードフレーム100に対する剥がれが防止されて密着性が向上し、同時に、他方導電層109b側は広い接続面積で導電層109bとリードフレーム100とを接続できるので、高放熱性を向上させることができる。 Thus, it is prevented peeling against the lead frame 100 of the conductive layer 109a near the radiating resin 102 to be described later improved adhesion, at the same time, the other conductive layer 109b side and the conductive layer 109b over a wide contact area and the lead frame 100 can be connected, it is possible to improve the high heat radiation. また、図示はしていないが、導電層109a側も含むLED108を実装する実装部を除いたリードフレーム100の角部にC面部110を設けることで、LED108からの放熱特性を更に向上させながら、他の部分に設けたC面部110によりリードフレームとの密着性を向上させることができる(C面部110に関しては、後述する図4等を用いて詳しく説明する。)。 Further, although not shown, by providing the C face 110 at the corner portion of the lead frame 100 mounting portion except that implements the conductive layer 109a side comprises LED 108, while further improving the heat dissipation characteristics of the LED 108, other by C face 110 provided in the portion can improve the adhesion between the lead frame (with respect to the C surface 110 will be described in detail with reference to FIG. 4 to be described later.).

次に図1(B)を用いて説明する。 It will now be described with reference to FIG. 1 (B). 図1(B)は、図1(A)の矢印104aにおける断面図に相当する。 FIG. 1 (B), a cross-sectional view taken along line arrow 104a in FIG. 1 (A). 図1(B)において、金属基板114は少なくともその片面が凹状に加工形成されている。 In FIG. 1 (B), the metal substrate 114 at least one surface is machined concave. 同様にリードフレーム100も凹状に合わせてプレス加工されている。 Similarly the lead frame 100 is also in conformity with the concave shape is pressing. そして図1(B)に示すように、放熱樹脂102に埋め込まれるようにしてリードフレーム100が金属基板114上に絶縁された状態で固定される。 Then, as shown in FIG. 1 (B), the lead frame 100 is fixed in a state of being insulated on the metal substrate 114 so as to be embedded in the heat dissipation resin 102. 図1(B)における矢印104bは、LED108から放射される光に相当する。 Arrow 104b in FIG. 1 (B), corresponding to the light emitted from the LED 108. 図1(B)に示すように、リードフレーム100を凹状(あるいは放物線状等)に加工することで、LED108の側面から放射された光を、リードフレーム100の凹部118を形成する側面で反射することで発光モジュールの輝度を高められる。 As shown in FIG. 1 (B), by processing the lead frame 100 in a concave shape (or parabolic, etc.), the light emitted from the side surface of the LED 108, is reflected by the side surface of the recess 118 of the lead frame 100 increased brightness of the light emitting module by.

なお、LED108を覆う透明樹脂112は、PMMA(ポリメチルメタクリレート)やシリコン系の透明な樹脂を用いることが望ましい。 The transparent resin 112 covering the LED108, it is preferable to use PMMA (polymethylmethacrylate) or silicon-based transparent resin. ここにエポキシ系の樹脂を用いた場合、エポキシの黄化防止のUV抑制剤を添加することが必要である。 When using the here epoxy resin, it is necessary to add a UV inhibitor to prevent yellowing of the epoxy. これはLEDが白色、更には青色光によってエポキシ樹脂が黄化する場合があるためである。 This LED white, even there are cases where the epoxy resin is yellow by the blue light. またここにシリコン系等の柔らかい(少なくともエポキシ系より硬度が低い)ものを用いることが望ましい。 Also it is desirable to use a here tender silicon or the like (lower hardness than at least an epoxy). 柔らかい(すなわち柔軟性を有する)樹脂材料を用いることで、LED108が発熱し熱膨張した際、LED108とリードフレーム100の接続部への応力集中を防止できる。 Soft (i.e. a flexible) By using the resin material, when LED108 generates heat and thermal expansion, can be prevented stress concentration on the connecting portion of the LED108 and the lead frame 100. 同様に、LED108とリードフレーム100をボンディング接続した際の、金製ワイヤーへの応力集中を低減できる(金製ワイヤーが切断されにくくなる)。 Similarly, when the bonding connection of the LED108 and the lead frame 100, (made the gold wire difficult to cut) which can reduce the stress concentration on the gold wire.

図1(B)に示すように、リードフレーム100と金属基板114を互いに凹状に形状を合わせることで、その間を絶縁する放熱樹脂102の厚みを薄く(更には均一に)することができ、リードフレーム100から金属基板114への熱拡散性を高められる。 As shown in FIG. 1 (B), by matching the shape of the lead frame 100 and the metal substrate 114 concave to each other, it is possible to reduce the thickness of the heat dissipation resin 102 for insulating therebetween (further uniformly), lead from the frame 100 is increased thermal diffusivity of the metal substrate 114. そしてLED108で発生した熱は、リードフレーム100に伝わり、放熱樹脂102を介して、金属基板114、更には金属基板114に固定したヒートシンク116へ拡散する。 The heat generated in the LED108 is transmitted to the lead frame 100, through the heat radiating resin 102, the metal substrate 114, and further diffuse into the heat sink 116 fixed to the metal substrate 114.

図1(B)に示すようにリードフレーム100の外周部の一部を、C面部110として、前記リードフレーム100の側面を一部斜めにカットすることで、放熱樹脂102からリードフレーム100が剥がれにくくすることができる。 A part of the outer peripheral portion of the lead frame 100 as shown in FIG. 1 (B), as a C face 110, the part of the side surface of the lead frame 100 by cutting diagonally, the lead frame 100 is peeled from the heat radiation resin 102 it is possible to Nikuku. 特に、リードフレーム100と放熱樹脂102の熱膨張係数の違いで、リードフレーム100と放熱樹脂102の界面に応力が集中しやすい。 In particular, in the thermal expansion coefficient of the lead frame 100 and the heat radiating resin 102 difference, the stress tends to concentrate at the interface of the lead frame 100 and the heat radiating resin 102. しかしC面部110を形成することで、応力が集中した場合でも、リードフレーム100の端部を放熱樹脂102に喰い込ませることで、互いに剥がれにくくできる。 However, by forming the C face 110, even if the stress is concentrated, by bite the ends of the lead frame 100 to the heat radiating resin 102 it can not easily peel off from each other.

図1(B)において、放熱樹脂102として、硬化型樹脂中に高放熱性の無機フィラーが分散されたものを用いることが望ましい。 In FIG. 1 (B), the as radiating resin 102, the high heat dissipation of the inorganic filler that is used after being dispersed desirable in the cured resin. なお無機フィラーは略球形状で、その直径は0.1ミクロン以上100ミクロン以下が適当である(なお0.1ミクロン未満の場合、樹脂への分散が難しくなる場合がある)。 Note inorganic filler with a substantially spherical shape, its diameter is suitably less than 100 microns 0.1 microns (for Incidentally less than 0.1 microns, there is a case where dispersibility in the resin becomes difficult). そうしながら放熱樹脂102における無機フィラーの充填量は、熱伝導率を上げるために70〜95重量%と高濃度に充填している。 Filling amount of the inorganic filler is filled to 70 to 95 wt% and a high concentration in order to increase the thermal conductivity of the heat radiating resin 102 while doing so. 特に、本実施の形態では、無機フィラーは、平均粒径3ミクロンと平均粒径12ミクロンの2種類のAl 23を混合したものを用いている。 In particular, in this embodiment, the inorganic filler is used a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle size of 12 microns and an average particle size of 3 microns. この大小2種類の粒径のAl 23を用いることによって、大きな粒径(平均粒径12ミクロン)のAl 23の隙間に小さな粒径(平均粒径3ミクロン)のAl 23を充填できるので、Al 23を90重量%近くまで高濃度に充填できるものである。 By using the Al 2 O 3 of the large and small two types of particle size, Al 2 O 3 of large particle size small particle size in the gap Al 2 O 3 (average particle size 12 microns) (average particle size 3 microns) because it fills the one in which the Al 2 O 3 can be filled in high concentration up to 90 wt per cent. この結果、放熱樹脂102の熱伝導率は5W/(m・K)程度となる。 As a result, the thermal conductivity of the heat radiating resin 102 becomes 5W / (m · K) degrees. なお無機フィラーとしてはAl 23の代わりに、MgO、BN、SiC、Si 34 、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種以上を含んでもよい。 Incidentally, instead of Al 2 O 3 is as inorganic filler, MgO, BN, SiC, Si 3 N 4, and may include at least one or more selected from the group consisting of AlN.

なお熱硬化性の絶縁樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。 Note thermosetting insulating resin, of the epoxy resin, phenol resin and cyanate resin includes at least one resin. これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。 These resins are excellent in heat resistance and electrical insulating properties. 放熱樹脂102の厚みは、薄くすれば、リードフレーム100に装着したLED108に生じる熱を金属基板114に伝えやすいが、逆に絶縁耐圧が問題となり、厚すぎると熱抵抗が大きくなるので、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮して最適な厚さである50ミクロン以上500ミクロン以下に設定すれば良い。 The thickness of the heat radiating resin 102 can be thin, easily transfer heat generated LED108 mounted on the lead frame 100 to the metal substrate 114, but contrary to the withstand voltage becomes a problem, because when too thick thermal resistance increases, dielectric strength and it may be set below 50 microns to 500 microns which is optimal thickness in consideration of the thermal resistance.

図2は、実施の形態1における放熱メカニズムについて説明する上面図及び断面図である。 Figure 2 is a top view and a cross-sectional view for explaining the heat radiation mechanism in the first embodiment. 図2において、LED108はリードフレーム100や金属基板114で形成された凹部118の底部分に実装されており、主要な部分の構成は図1とほぼ同じである。 In FIG. 2, LED 108 is mounted on the bottom portion of the recess 118 formed in the lead frame 100 and the metal substrate 114, the configuration of the main portion is substantially the same as FIG. 図2における矢印104c、104dはそれぞれLED108に発生した熱の拡散方向を示すものである。 Arrow 104c in Figure 2, 104d are those respectively showing the diffusion direction of the heat generated in the LED 108. 図2(A)に示すように、LED108から発生した熱は、矢印104cが示すようにリードフレーム100を伝わって高速で放熱する。 As shown in FIG. 2 (A), the heat generated from LED108 dissipates at high speed transmitted to the lead frame 100 as indicated by arrow 104c. これは実施の形態1において、リードフレーム100に銅を主体とした熱伝導率の高いものを使うためである。 This in the first embodiment is to use a high thermal conductivity which is composed mainly of copper in the lead frame 100. 一方リードフレーム100に伝わった熱は、後述する図2(B)の矢印104dに示すように放熱樹脂102を介して、金属基板114に伝わる。 Meanwhile heat transferred to the lead frame 100 through the heat radiating resin 102 as indicated by arrow 104d of Fig. 2 to be described later (B), transmitted to the metal substrate 114. そして金属基板114の熱は、ヒートシンク116等に伝わる。 The heat of the metal substrate 114 is transmitted to the heat sink 116 or the like. こうしてLED108に発生した熱を高速で拡散できるため、LED108の効率的な冷却が可能となる。 Thus since the heat generated in the LED 108 can diffuse at a high speed, it is possible to efficiently cool the LED 108.

このように、LED108で発生した熱は、凹部118の側面で反射面を兼用するリードフレーム100の部分を介して、矢印104cに示すように広範囲へ拡散することとなり、効率的な熱拡散が可能となる。 Thus, heat generated in LED108 via portions of the lead frame 100 which also serves as a reflecting surface on the side of the recess 118, it becomes possible to diffuse to a wide range as indicated by arrows 104c, enables efficient heat diffusion to become.

特に複数のLED108を絶縁層102aに対して互いに逆方向に互い違いに配置したことにより、図面上側のLED108cからはリードフレーム100の図面右方向に、図面下側のLED108dからはリードフレーム100の図面左方向に特に大きく放熱がなされ、リードフレーム全体として図面上で比較的左右均一に放熱されることになり、高放熱で効率的に放熱することができる。 Particularly by arranging alternately in opposite directions with respect to a plurality of LED108 an insulating layer 102a, the right direction of the drawing of the lead frame 100 from the drawing the upper LED108c, left drawing of the lead frame 100 from LED108d the lower side in the drawing particularly large heat radiation is performed in the direction relatively becomes horizontally uniform heat dissipation is by that in the drawing as a whole lead frame can be radiated efficiently at high heat dissipation.

また図2(B)は、図2(A)のLED108部分の断面(例えば図1(A)の矢印104a相当)である。 The FIG. 2 (B) is a cross-section of the LED108 portion of FIG. 2 (A) (e.g., arrow 104a corresponds in FIG. 1 (A)). 図2(B)では、LED108で発生した熱が、リードフレーム100を通じて拡散する様子を矢印104cで、リードフレーム100の熱が放熱樹脂102を介して金属基板112へ拡散する様子を矢印104dで示している。 In FIG. 2 (B), the heat generated in the LED108 is, show how to diffuse through the lead frame 100 by arrow 104c, the manner in which heat of the lead frame 100 is diffused into the metal substrate 112 through the heat radiating resin 102 in the arrow 104d ing. 特に、(実線の矢印で示しているように)平面形状サイズが大きい導電層109b側から多くの放熱を行っていることを示している(導電層109a側の放熱は破線矢印で示すように、比較的小さく放熱する。)。 In particular, as shown by the heat radiation of the planar shape size shows that has done a lot of heat dissipation from a large conductive layer 109b side (conductive layer 109a side dashed arrow (shows as a solid line arrow), dissipating relatively small.). 更に図2(B)に示すように、実施の形態1では、金属基板114の凹部118の形状と、放熱樹脂102やリードフレーム100の凹部118の形状を合わせることによって、放熱樹脂102の厚みを薄く、均一にできる。 As further shown in FIG. 2 (B), in the first embodiment, the shape of the recess 118 of metal substrate 114, by matching the shape of the heat radiating resin 102 and recesses 118 of the lead frame 100, the thickness of the heat radiating resin 102 thin, it can be made uniform. そのためリードフレーム100や金属基板114に比べて、熱伝導率が低い放熱樹脂102を用いた場合でも、その影響を最小限に抑えることができる。 Therefore as compared with the lead frame 100 and the metal substrate 114, even if the thermal conductivity using lower heat dissipation resin 102, it is possible to minimize their impact.

更にリードフレーム100の一部に形成したC面部110から、放熱樹脂102へも熱を伝達することができる。 A C face 110 is further formed on a part of the lead frame 100, it is possible to transfer heat also to the radiating resin 102.

この結果、凹部118の中に複数個のLED108(更には高放熱が必要なLED108であっても)を高密度に実装することができる。 As a result, a plurality of LED 108 (even LED 108 further requiring high heat dissipation) in a recess 118 may be a high-density packaging.

更に詳しく説明する。 It will be described in more detail. 複数個のLED108は、図1(A)に示すようにリードフレーム100の上に実装される。 A plurality of LED108 is mounted on the lead frame 100 as shown in FIG. 1 (A). そして複数個のLED108は、複数のリードフレーム100から電流を供給され、所定の色に発光することになる。 The plurality of LED108 is supplied with current from a plurality of lead frames 100, it will be emitting a predetermined color. なお図1において、LED108とリードフレーム100の接続部(例えば、ワイヤーボンダーによる接続)は図示していない。 In FIG 1, the connection portion of the LED108 and the lead frame 100 (e.g., connected by a wire bonder) is not shown.

なお、放熱樹脂102の色は、白色(もしくは白色に近い無色)が望ましい。 The color of the heat radiating resin 102 is white (or colorless whitish) is desirable. 黒色や赤、青等に着色されている場合、発光素子から放射され光を反射させにくくなり、発光効率に影響を与えるためである。 Black or red, when it is colored in blue or the like, hardly reflects light emitted from the light emitting element, in order to influence the emission efficiency.

またLED108の実装は、図1(B)に示すように、リードフレーム100による凹部118の底部に行うことが望ましい。 The implementation of the LED108, as shown in FIG. 1 (B), it is desirable to perform the bottom of the recess 118 by the lead frame 100. LED108を、凹部の底部(つまり窪みの底)に形成することで、LED108の側面から放射される光を、窪みの壁面部分となるリードフレーム100あるいはリードフレーム100の間に露出する放熱樹脂102によって効果的に求める所定の方向に反射でき、発光効率を高められる。 The LED 108, by forming the bottom of the recess (i.e. the bottom of the recess), the light emitted from the side surface of the LED 108, the heat radiating resin 102 exposed between the lead frame 100 or the lead frame 100 which is a wall portion of the recess can be effectively reflected in a predetermined direction to obtain is enhanced luminous efficiency.

このように、複数の発光素子を凹部118の底面にてリードフレーム100の上に実装し、更にリードフレーム100を凹部118の側壁面にも広く形成(望ましくは側壁面の50%以上95%以下)する。 Thus, mounted on the lead frame 100 a plurality of light emitting elements at the bottom of the recess 118, 95% or less more widely forming the lead frame 100 on the side wall surface of the concave portion 118 (preferably 50% or more of the side wall surface ) to. なおリードフレーム100の側壁に占める面積割合が50%未満(すなわち放熱樹脂102の割合が50%以上)の場合、リードフレーム100による熱伝導に影響し、リードフレーム100表面による光反射量を減らす可能性がある。 In the case the area percentage of the side wall of the lead frame 100 is less than 50% (i.e. the ratio of the heat radiating resin 102 is 50% or more), affect the heat conduction through the lead frame 100, can reduce the amount of light reflection by the lead frame 100 surface there is sex. また95%を超えた(つまり側面における放熱樹脂102の露出割合が5%未満となった)場合、すなわちリードフレーム100の間隔を狭くした場合、短絡する可能性が高くなる。 Also if it exceeds 95% (i.e. exposure rate of the heat radiating resin 102 at the side surfaces it is less than 5%), that is, when you reduce the distance of the lead frame 100, more likely to be short-circuited. また金属基板114としては、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金が望ましい。 As the metal substrate 114, a good aluminum thermal conductivity, an alloy of copper or composed mainly of them is desirable.

なおC面部110は、凹部118の側面で反射面を兼用するリードフレーム100の部分には形成しない。 Incidentally C surface 110 is not formed in the portion of the lead frame 100 which also serves as a reflecting surface on the side of the recess 118. これはC面部110の表面は放熱樹脂102となるためである。 This surface of the C surface portion 110 is because the heat dissipation resin 102. 一方、LED108から放射される光を反射する場合、放熱樹脂102に比べ、リードフレーム100の方が、容易に光反射率を高めることができる。 On the other hand, if that reflects light emitted from the LED 108, compared with the heat radiating resin 102, towards the lead frame 100 is easily it is possible to increase the light reflectance. そのため凹部118の側面で、LED108から放射される光を反射する部分のリードフレーム100には、C面部110を形成する必要はない。 In aspects of this reason recess 118, the portion of the lead frame 100 that reflects light emitted from the LED 108, it is not necessary to form the C face 110.

なお、凹部118が形成された金属基板114とリードフレーム100の間に形成された放熱樹脂102の厚みは50ミクロン以上500ミクロン以下が望ましい。 Incidentally, the thickness of the heat radiating resin 102 formed between the metal substrate 114 and the lead frame 100 which recess 118 is formed below the desirable 50 microns 500 microns. また更には100ミクロン以上300ミクロン以下が望ましい。 Or even less desirably 300 microns to 100 microns. 絶縁層の厚みが50ミクロン以下の場合、金属基板114とリードフレーム100の間の絶縁性が低下し、信頼性に影響を与える場合がある。 When the thickness is less than 50 microns insulating layer, decrease the insulation between the metal substrate 114 and the lead frame 100, may affect the reliability. またその厚みが500ミクロンを超えると、リードフレーム100から金属基板114への熱伝導性(放熱性)を低下させ品質(発光特性)に影響を与える場合がある。 Further, if the thickness exceeds 500 microns, it may affect the quality (light emission characteristics) reduces the thermal conductivity (heat radiation) from the lead frame 100 to the metal substrate 114.

また絶縁層の厚みバラツキは、200ミクロン以下(更には100ミクロン以下)が望ましい。 The thickness unevenness of the insulating layer is 200 microns or less (more than 100 microns) is preferred. 図1(B)で示すように、実施の形態1では金属基板114に凹部118を形成することで、リードフレーム100と金属基板114の間を絶縁する放熱樹脂102の厚みの薄層化及び均一化が可能となる。 As shown in FIG. 1 (B), the by forming a recess 118 in the metal substrate 114 in the first embodiment, thinning and uniform thickness of the heat dissipation resin 102 for insulating the lead frame 100 and the metal substrate 114 reduction is possible. 一方、リードフレーム100と金属基板114に挟まれた放熱樹脂102の厚みバラツキ(あるいは厚み差)が200ミクロン以上と大きくなった場合、リードフレーム100から金属基板114への熱伝導性(放熱性)に影響を与え、品質(発光特性)を低下させる可能性がある。 On the other hand, when the thickness variation of the lead frame 100 and the heat radiating resin 102 sandwiched between the metal substrate 114 (or thickness difference) is as large as 200 microns or more, the thermal conductivity from the lead frame 100 to the metal substrate 114 (heat radiation) affect, which may reduce the quality (light emission characteristics).

なお凹部118の形状は、底部に向かうにしたがって狭くなる形状が望ましい。 Note the shape of the recess 118 is desirably narrowed shape toward the bottom. これは光の反射効率を高めるためである。 This is to enhance the reflection efficiency of light.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
以下、実施の形態2としてC面部の効果について図3〜図4を用いて説明する。 Hereinafter, the effect of the C face as the second embodiment will be described with reference to FIGS. 3-4. 図3と図4は、それぞれC面部の形状を説明する断面図である。 3 and 4 are sectional views illustrating the shape of the C surface, respectively.

図3(A)は、金属基板114に凹部118を形成せず、リードフレーム100にC面部110を形成していない状態を示す断面図である。 3 (A) is, without forming the recess 118 in the metal substrate 114 is a sectional view showing a state in which no form a C face 110 to the lead frame 100. 図3(A)のように、金属基板114に凹部118を形成していない場合、凹状に曲げられたリードフレーム100の底部では、放熱樹脂102の厚みが薄いために放熱性が高い。 As in FIG. 3 (A), if not a recess 118 in the metal substrate 114, the bottom portion of the lead frame 100 is bent concavely, high heat dissipation due to the small thickness of the heat radiating resin 102. 一方、凹部118ではない部分は、金属基板114とリードフレーム100の距離が遠い分、放熱性に影響を与えることになる。 On the other hand, the portion not recess 118, the distance of the metal substrate 114 and the lead frame 100 is long minute, will affect the heat dissipation.

一方、図3(B)のように、金属基板114も、リードフレーム100と同様に凹ませることによって、放熱樹脂102の厚みを全面にわたって薄く均一にできるため、放熱性を高めることができる。 On the other hand, as shown in FIG. 3 (B), the metal substrate 114 also, by recessing the same manner as the lead frame 100, the thickness of the heat radiating resin 102 for can be made thin and uniform over the entire surface, it is possible to enhance the heat dissipation.

また図3(C)は、C面部110の角度を説明する断面図である。 The Figure 3 (C) is a cross-sectional view illustrating the angle of the C surface 110. 図3(C)において、リードフレーム100の端部にはC面部110が形成されている。 In FIG 3 (C), C face 110 is formed at an end portion of the lead frame 100. そしてC面部110の角度は、補助線107で示すように、それぞれθ1、θ2、θ3で示している。 The angle of the C surface portion 110, as shown by the auxiliary line 107, respectively .theta.1, .theta.2, are shown in .theta.3. ここでC面部110を形成する部分の角度θ(図3(C)ではθ1〜θ3で示している)は、10度以上60度以下が望ましい。 Wherein the angle of the part forming the C face 110 theta (show in θ1~θ3 in FIG 3 (C)), the following is preferable 60 degrees 10 degrees. 角度θが10度未満の場合、角度が小さすぎて、放熱樹脂102からのリードフレーム100の剥離防止効果が得られない場合がある。 If the angle θ is less than 10 degrees, the angle is too small, there is a case where peeling prevention effect of the lead frame 100 from the heat radiating resin 102 can not be obtained. また角度θが60度を超えると、後述する図5〜図6で説明するプレス工程において、リードフレーム100の表面部分まで放熱樹脂102が回り込んでしまう可能性がある。 Further, if the angle θ exceeds 60 degrees, in the pressing process described in FIGS. 5-6 to be described later, there is a possibility that wraps around the heat radiation resin 102 to the surface of the lead frame 100.

なお、前述の図1、図2で説明したように、C面部110は必ずしも両側に形成する必要が無いということは言うまでもない。 Incidentally, FIG. 1 described above, as described with reference to FIG. 2, C face 110 always It goes without saying that there is no need to form on both sides.

図4は、両側にC面部110を設けた際のC面部110の大きさを説明する断面図であり、120はバリである。 Figure 4 is a cross-sectional view illustrating the size of the C surface 110 when provided with a C face 110 on each side, 120 is Bali. 図4(A)〜図4(C)において、補助線107a、107b、107cによって示される矢印104e、104f、104gの長さが、C面部110の大きさに相当する。 In FIG. 4 (A) ~ FIG 4 (C), the auxiliary line 107a, 107 b, arrow 104e indicated by 107c, 104f, length of 104 g, corresponding to the size of the C surface 110. ここでC面部110の大きさは、リードフレーム100の厚みの0.1倍以上、1.5倍以下が望ましい。 Wherein the magnitude of the C surface portion 110 is 0.1 times the thickness of the lead frame 100 is preferably 1.5 times or less. C面部110の大きさがリードフレームの厚みの0.1倍未満の場合、C面部110の効果が得られない場合がある。 If the magnitude of the C surface 110 is less than 0.1 times the thickness of the lead frame, the effect of the C surface portion 110 can not be obtained. またC面部の大きさがリードフレーム100の厚みの1.5倍を超えると、例えば図4(B)のようにC面部が、リードフレーム100の裏面まで届き、場合によってリードフレーム100の金属基板114側(図4において金属基板114は図示していない)にバリ120を形成する場合がある。 Also the size of the C surface is more than 1.5 times the thickness of the lead frame 100, for example, C face as shown in FIG. 4 (B) is, reach to the back of the lead frame 100, if the metal substrate of the lead frame 100 114 side (the metal substrate 114 in FIG. 4 is non shown) may form a burr 120. このようにリードフレーム100のC面部110にバリ120が発生した場合、リードフレーム100と金属基板114の絶縁性や放熱樹脂102の薄層化を困難にする影響を与える可能性がある。 Thus if the burr 120 C surface 110 of the lead frame 100 is generated, which may affect the difficulty in thinning of insulation and heat dissipation resin 102 of the lead frame 100 and the metal substrate 114.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
以下、本発明の実施の形態3における発光モジュールの一例について、図5を用いて説明する。 Hereinafter, an example of a light emitting module according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. 図5は実施の形態3における発光モジュールの断面図である。 Figure 5 is a sectional view of a light emitting module according to the third embodiment. 図5において、122はレンズである。 5, 122 denotes a lens. 図5(A)は、透明樹脂112をレンズ状に加工した場合、図5(B)は透明樹脂112の上にレンズ122を実装した場合の発光モジュールを示している。 FIG. 5 (A), when processing a transparent resin 112 in a lens shape, and FIG. 5 (B) represents the emission module when mounting the lens 122 on the transparent resin 112.

図5(A)、(B)において矢印104hは、LED108から放射された光の方向を示すものである。 Arrows 104h in FIG. 5 (A), (B) shows the direction of light emitted from the LED 108. 図5(A)に示すように、LED108から放射された光は、矢印104hに示すように、リードフレーム100の凹部118(もしくは凹部118を構成する壁面)で反射され、外部へと導かれる。 As shown in FIG. 5 (A), the light emitted from the LED 108, as indicated by arrows 104h, is reflected by (the wall surface constituting the or recess 118) recess 118 of the lead frame 100 is guided to the outside. なおここで、リードフレーム100の表面処理の高光反射率化処理を行っておくことで、光の反射率を高められる。 Note here, that they are processed with high light reflectivity treatment of the surface treatment of the lead frame 100 is enhanced reflectivity of light. 表面処理は、金やニッケルより銀の方が望ましい。 Surface treatment, more silver than gold and nickel is desirable. これは銀の方が光の反射率が高いためである。 This is because more of the silver has a higher reflectance of light. また表面処理は光沢処理、無光沢処理(梨地処理等)を問わない。 The surface treatment is not limited to gloss treatment, matte processing (satin finish, etc.). 光沢がなくとも、銀等の反射率の高い部材を使うことで反射率を高められる。 Without the gloss is enhanced reflectivity by using a member having a high reflectance such as silver. なお高光反射率化処理は、少なくともリードフレーム100の凹部118を形成する部分以上の広い領域が望ましい。 Note the high light reflectivity treatment at least in part over a wide region for forming the concave portion 118 of the lead frame 100 is desirable. 更に、凹部118以外のリードフレーム100には、半導体やチップ部品等を実装するために、半田濡れ性を高める処理を行っておくことが望ましい。 Further, the lead frame 100 other than the concave portion 118, in order to mount the semiconductor and chip parts, etc., it is desirable to perform processing to improve the solder wettability. こうした処理によって、リードフレーム100の自然酸化も防止できる。 By such processing, it can also prevent natural oxidation of the lead frame 100.

なお、凹部118を形成する側面の面積の50%以上95%以下をリードフレーム100とすることが望ましい。 Incidentally, it is preferable that the 95% or less than 50% of the area of ​​the side surface forming the concave portion 118 and the lead frame 100. なお、放熱樹脂102は白色等の光反射率の高い色にすることが望ましい。 Incidentally, the heat radiating resin 102 is desirably a high light reflectance such as white color. しかし放熱樹脂102を白色にした場合でも、リードフレーム100の方が、光反射率が高くなる場合がある。 But the heat radiation resin 102 even when a white, towards the lead frame 100, there is a case where the light reflectance is high. この場合、リードフレームの面積が50%未満の場合、側面における光反射は放熱樹脂102が主となり、発光モジュールの発光効率(発光特性)に影響を与える場合がある。 In this case, when the area of ​​the lead frame is less than 50%, light reflection at the side surfaces are heat dissipation resin 102 becomes main, it may affect the luminous efficiency of the light emitting module (light emission characteristics). またリードフレームの占める割合が95%以上となった場合、リードフレーム100の加工が難しくなり作製できなくなる場合がある。 Also if the proportion of the lead frame becomes 95% or more, there is a case where the processing of the lead frame 100 becomes no longer be produced difficult.

なおレンズ122の大きさは図5(B)に示すように凹部118の幅と同等、もしくはより大きくすることが望ましい。 Note the size of the lens 122 is 5 width equivalent recess 118 (B), the or from increased desirably. レンズ122の大きさを大きめにすることで、レンズ122を実装した時の遊び部分が大きくできるため、光学的な位置合わせが容易にできる。 Size of the lens 122 by the larger, because the play portion when mounting the lens 122 can be increased, optical alignment can be easily. 特にリードフレーム100を、実施の形態3で説明するように金型成型することで、リードフレーム100の加工精度(特に凹部118の底部と、凹部118以外の平面との平行度)が高められる。 Especially the lead frame 100, by molding as described in the third embodiment, processing accuracy (and the bottom of the particular recess 118, the parallelism between the plane of the non-recessed portion 118) of the lead frame 100 is increased. そのためLED108を凹部118の底部に、レンズ122を凹部118の周囲を覆うようにセットしただけで、光軸を高精度に合わせることができる。 Therefore LED108 to the bottom of the recess 118, the lens 122 only has been set so as to cover the periphery of the recess 118, it is possible to align the optical axis with high accuracy.

なお凹部118に実装する発光素子は、少なくとも1種類以上の異なる発光色を有する発光素子であることが望ましい。 Note emitting element mounted in the recess 118 is preferably a light emitting element having at least one or more different emission colors. 異なる発光色を有する複数個のLED108を使うことで演色性を高められ、一つの凹部118の中にこれらを複数個高密度で実装することで互いの混色性を高められる。 Enhanced color rendering properties by using a plurality of LED108 having different emission colors, enhanced mutual color mixing properties by multiple high density mounting them in one of the recesses 118. また複数個の発光素子の内、1個以上の発光色を白色とすることもできる。 Of the plurality of light emitting elements can be one or more emission colors and white. このように実施の形態3の構成では、その優れた放熱性を生かすことで、発光効率が温度の影響を受けやすい(あるいは影響の程度が異なる)LED108であっても、温度の影響を受けにくい。 In this manner, in the third embodiment configuration, By utilizing its excellent heat dissipation, sensitive to luminous efficiency temperature (the degree of or effects are different) even LED 108, less susceptible to temperature . また発光モジュール自体の温度が上昇した場合でも、リードフレーム100を介して個別にLED108を電気的に制御することができることは言うまでもない。 Even when the temperature of the light emitting module itself is increased, it is needless to say that can be electrically controlled individually LED108 via the lead frame 100.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
以下、本発明の実施の形態4における発光モジュールの製造方法の一例について説明する。 Hereinafter, an example of a method of manufacturing the light emitting module according to a fourth embodiment of the present invention.

図6、図7は本実施の形態4における発光モジュールの製造方法の一例を示す断面図である。 6, FIG. 7 is a sectional view showing an example of a method of manufacturing the light emitting module according to the fourth embodiment. なお、図6、図7では両側にC面部110を形成した場合で説明しているが、片側に設けた場合でもほぼ同様である。 Incidentally, FIG. 6, has been described in the case of forming the C face 110 on both sides in FIG. 7, it is substantially the same even when provided on one side.

図6において、124a、124bは金型、126は汚れ防止フィルムである。 In FIG. 6, 124a, 124b mold, 126 is a antifouling film. まず所定の金属板を、プレス等を用いて所定形状に打抜き、これをリードフレーム100とする。 First predetermined metal plate punched into a predetermined shape using a press or the like, which is referred to as the lead frame 100. この時、リードフレーム100の一部に、C面部110を形成する。 At this time, a part of the lead frame 100, forms a C face 110. そして図6に示すように、リードフレーム100の下に未硬化状態の放熱樹脂102や、凹部118が形成された金属基板114をセットする。 Then, as shown in FIG. 6, and the heat dissipation resin 102 in an uncured state under the lead frame 100, and sets the metal substrate 114 which recess 118 is formed. そしてこれら部材を位置決めした状態で、金型124a、124bの間にセットする。 And while positioning these members, the mold 124a, set during 124b. 次にプレス装置(図4には図示していない)によって、金型124a、124bを矢印104iの方向に動かすことにより、リードフレーム100が放熱樹脂102に押し付けられ、そして所定温度で放熱樹脂102を加熱硬化する。 By then pressing device (not shown in FIG. 4), the mold 124a, by moving the 124b in the direction of the arrow 104i, the lead frame 100 is pressed against the heat radiating resin 102 and the heat radiating resin 102 at a predetermined temperature heating to cure. また図6に示すように、リードフレーム100と、金型124aの間に汚れ防止フィルム126をセットしておくことが望ましい。 Further, as shown in FIG. 6, the lead frame 100, it is desirable to set the antifouling film 126 between the die 124a. また汚れ防止フィルム126は、例えば不織布等のようにある程度の空気透過性があるフィルム状の弾性体(もしくは圧縮可能な部材)を使うことが望ましい。 The antifouling film 126, it is desirable to use for example a film-like elastic body has a certain degree of air permeability as such nonwoven fabric (or compressible member). こうすることで、リードフレーム100を、金型124a、124bを用いて、放熱樹脂102の中に押し付けた際、矢印104jで示すように空気が抜けやすくなり(汚れ防止フィルム126を介して、空気が抜ける)、リードフレーム100と放熱樹脂102の界面、あるいは金属基板114と放熱樹脂102の界面に、放熱性を低下させる要因となる空気残りの発生を防止できる。 In this way, the lead frame 100, the mold 124a, with reference to 124b, when pressed into the heat radiating resin 102, via the air tends omission (antifouling film 126 as indicated by arrow 104j, air comes off), the interface of the lead frame 100 and the heat radiating resin 102 or the interface between the metal substrate 114 and the heat radiating resin 102, the occurrence of air remaining cause a decrease of the heat dissipation can be prevented. 更にリードフレーム100をプレスした際、リードフレーム100が汚れ防止フィルム126に喰い込むために、C面部110に放熱樹脂102を回り込ませた後、リードフレーム100の実装面まで回り込むことを防止できる。 Further when the lead frame 100 is pressed, to the lead frame 100 bite the antifouling film 126, after Wrapping radiating resin 102 C face 110, can be prevented from flowing to the mounting surface of the lead frame 100.

図7は、プレス加工が終了した後の断面図である。 Figure 7 is a cross-sectional view after pressing has been completed. 図7に示すように、金型124a、124bを矢印104kの方向に動かすことで、発光モジュールが完成する(なお図7の状態では、まだLED108等は実装されていない)。 As shown in FIG. 7, by moving the mold 124a, the 124b in the direction of arrow 104k, the light emitting module is completed (in the state of Note 7, but not yet etc. LED108 implementation). そして図7の発光モジュールに、LED108を実装し、更に樹脂(透明樹脂)112でカバーすることで、図1に示したような発光モジュールが完成する。 And the light emitting module of FIG. 7, implement the LED 108, further by covering with resin (transparent resin) 112, thereby completing the light emitting module as shown in FIG. なお、バリ120はプレス加工時に除去して無くせるが、必要な場合、プレス後も残すことができる。 Incidentally, the burrs 120 are thereby not removed during the press working, if required, it can be left also after the pressing.

次に、絶縁材料について更に詳しく説明する。 Next, it will be described in more detail insulating material. 放熱樹脂102は、フィラーと樹脂から構成されている。 Radiating resin 102 is composed of a filler and a resin. なおフィラーとしては、無機フィラーが望ましい。 Note The filler, inorganic filler is desirable. 無機フィラーとしては、Al 23 、MgO、BN、SiC、Si 34 、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含む一つを有することが望ましい。 As the inorganic filler, Al 2 O 3, MgO, BN, SiC, Si 3 N 4, and it is desirable to have a one containing at least one selected from the group consisting of AlN. なお無機フィラーを用いると、放熱性を高められるが、特にMgOを用いると線熱膨張係数を大きくできる。 Note the use of inorganic filler, but is improved heat dissipation property can be increased coefficient of linear thermal expansion in particular using MgO. またSiO 2を用いると誘電率を小さくでき、BNを用いると線熱膨張係数を小さくできる。 Also the use of SiO 2 can be reduced dielectric constant, can be reduced using the linear thermal expansion coefficient of the BN. こうして放熱樹脂102としての熱伝導率が1W/(m・K)以上で10W/(m・K)以下のものを形成することができる。 Thus the thermal conductivity of the heat radiating resin 102 can form what at 1W / (m · K) or more 10W / (m · K) follows. なお、熱伝導率が1W/(m・K)未満の場合は、発光モジュールの放熱性を低下させる影響を与える。 The thermal conductivity in the case of less than 1W / (m · K), giving the effect of lowering the heat dissipation of the light emitting module. また熱伝導率を10W/(m・K)より高くしようとした場合は、フィラー量を増やす必要があり、プレス時の加工性を低下させる影響を与える場合がある。 In the case an attempt is made to increase the thermal conductivity than 10W / (m · K), it is necessary to increase the filler amount, may affect of lowering the workability during pressing.

また樹脂としては、熱硬化性樹脂を用いることが望ましく、具体的にはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含むことが望ましい。 As the resin, it is desirable to use a thermosetting resin, specifically the epoxy resin, phenol resin, and may include at least one selected from the group consisting of isocyanate resin desired.

なお無機フィラーは略球形状で、その直径は0.1〜100ミクロンであるが、粒径が小さいほど樹脂への充填率を向上することができる。 Note inorganic filler substantially spherical, although a diameter of 0.1 to 100 microns, it is possible to improve the filling rate of the resin as the particle diameter is smaller. そのため放熱樹脂102における無機フィラーの充填量(もしくは含有率)は、熱伝導率を上げるために70〜95重量%と高濃度に充填している。 Therefore filling amount of the inorganic filler in the heat radiating resin 102 (or content) are filled into 70-95 wt% and a high concentration in order to increase the thermal conductivity. 特に、本実施の形態では、無機フィラーは、平均粒径3ミクロンと平均粒径12ミクロンの2種類のAl 23を混合したものを用いている。 In particular, in this embodiment, the inorganic filler is used a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle size of 12 microns and an average particle size of 3 microns. この大小2種類の粒径のAl 23を用いることによって、大きな粒径のAl 23の隙間に小さな粒径のAl 23を充填できるので、Al 23を90重量%近くまで高濃度に充填できるのである。 By using the Al 2 O 3 of the large and small two types of particle size, it is possible to fill the Al 2 O 3 of small particle size in the gap Al 2 O 3 of large particle size, Al 2 O 3 90 wt% near until it can be filled in high concentration. この結果、放熱樹脂102の熱伝導率は5W/(m・K)程度となる。 As a result, the thermal conductivity of the heat radiating resin 102 becomes 5W / (m · K) degrees. なおフィラーの充填率が70重量%未満の場合、熱伝導性が低下する場合が有る。 In the case the filling rate of the filler is less than 70 wt%, if the thermal conductivity is lowered there. またフィラーの充填率(もしくは含有率)が95重量%を超えると、硬化前の放熱樹脂102の成型性を低下させる影響を与える場合があり、放熱樹脂102とリードフレーム100の接着性(例えばリードフレーム100を放熱樹脂102に埋め込んだ場合や、その表面に貼り付けた場合)にもそれらの接着性を低下させる影響を与える可能性がある。 Further, when the filling ratio of the filler (or content) exceeds 95 wt%, it may affect of lowering the moldability of the heat radiating resin 102 before hardening, heat dissipation resin 102 and adhesion of the lead frame 100 (e.g., lead and when embedding the frame 100 to the heat radiating resin 102, which can affect decreasing their adhesive even when) pasted on the surface.

なお熱硬化性の絶縁樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。 Note thermosetting insulating resin, of the epoxy resin, phenol resin and cyanate resin includes at least one resin. これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。 These resins are excellent in heat resistance and electrical insulating properties.

なお放熱樹脂102からなる絶縁体の厚さは、薄くすれば、リードフレーム100に装着したLED108に生じる熱を金属基板112に伝えやすいが、逆に絶縁耐圧が問題となり、厚すぎると、熱抵抗が大きくなるので、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮して最適な厚さに設定すれば良い。 Note the thickness of the insulator made of the heat radiating resin 102 can be thin, easily transfer heat generated LED108 mounted on the lead frame 100 to the metal substrate 112, but contrary to the withstand voltage becomes a problem, if too thick, the thermal resistance because increases may be set to an optimum thickness in consideration of the withstand voltage and heat resistance.

次にリードフレーム100の材質について説明する。 It will now be described material of the lead frame 100. リードフレームの材質としては、銅を主体とする合金が望ましい。 The material of the lead frame, an alloy mainly composed of copper is desirable. これは銅が熱伝導性と導電率が共に優れているためである。 This is because copper is excellent in both thermal conductivity and electrical conductivity. またリードフレームとしての加工性や、熱伝導性を高めるためには、リードフレーム100として銅に、少なくともSn、Zr、Ni、Si、Zn、P、Fe等の群から選択される少なくとも1種類以上の材料とからなる合金を使うことが望ましい。 Further, workability of the lead frame, in order to increase the thermal conductivity, the copper as the lead frame 100, at least Sn, Zr, Ni, Si, Zn, P, at least one or more selected from the group of Fe, etc. it is desirable to use an alloy consisting of the material. 例えばCuを主体として、ここにSnを加えた、合金(以下、Cu+Snとする)を用いることができる。 For example mainly of Cu, here was added Sn, alloy (hereinafter referred to as Cu + Sn) can be used. Cu+Sn合金の場合、例えばSnを0.1wt%以上0.15wt%未満添加することで、その軟化温度を400℃まで高められる。 For Cu + Sn alloy, for example, of Sn by adding less 0.1 wt% or more 0.15 wt%, it increased the softening temperature to 400 ° C.. 比較のためSn無しの銅(Cu>99.96wt%)を用いて、リードフレーム100を作製したところ、導電率は低いが、でき上がった放熱基板において特に凹部118の形成部等に歪が発生する場合があった。 Using copper (Cu> 99.96wt%) without Sn for comparison, were manufactured lead frame 100, the conductivity is low, but the distortion occurs in particular forming part of the recess 118 or the like in the heat radiation substrate resulting If there has been. そこで詳細に調べたところ、その材料の軟化点が200℃程度と低いため、後の部品実装時(半田付け時)や、LED108の実装後の信頼性確認時(発熱/冷却の繰り返し試験等)に変形する可能性があることが予想された。 So it was examined in detail, since the softening point of the material is as low as 200 ° C., after when the component mounting (soldering) or, reliability confirmation time after mounting the LED 108 (repeat testing of heating / cooling, etc.) It was expected that there is a possibility of deformation. 一方、Cu+Sn>99.96wt%の銅素材を用いた場合、実装された各種部品や複数個のLEDによる発熱の影響は特に受けなかった。 On the other hand, when a copper material of Cu + Sn> 99.96wt%, the influence of the heat generated by the various components and a plurality of LED mounted was not received particular. また半田付け性やダイボンド性にも影響が無かった。 The impact on the solderability and die bonding resistance was not. そこでこの材料の軟化点を測定したところ、400℃であることが判った。 So was measured softening point of the material was found to be 400 ° C.. このように、銅を主体として、いくつかの元素を添加することが望ましい。 Thus, mainly of copper, it is desirable to add some elements. 銅に添加する元素として、Zrの場合、0.015wt%以上0.15wt%以下の範囲が望ましい。 As an element to be added to the copper, in the case of Zr, it is preferably in the range of less than 0.015 wt% 0.15 wt%. 添加量が0.015wt%未満の場合、軟化温度の上昇効果が少ない場合がある。 When the amount is less than 0.015 wt%, it may be less effect of increasing the softening temperature. また添加量が0.15wt%より多いと電気特性を低下させる影響を与える場合がある。 Also there is a case where the amount is influence of lowering the electric characteristics is more than 0.15 wt%. また、Ni、Si、Zn、P等を添加することでも軟化温度を高くできる。 Further, Ni, Si, Zn, also by adding P or the like can increase the softening temperature. この場合、Niは0.1wt%以上5wt%未満、Siは0.01wt%以上2wt%以下、Znは0.1wt%以上5wt%未満、Pは0.005wt%以上0.1wt%未満が望ましい。 In this case, Ni is less than 0.1 wt% or more 5 wt%, Si is less 0.01 wt% or more 2 wt%, Zn is less than 0.1 wt% or more 5 wt%, P is desirably less than 0.005 wt% or more 0.1 wt% . そしてこれらの元素は、この範囲で単独、もしくは複数を添加することで、銅素材の軟化点を高くできる。 And these elements, the addition singly or a plurality of in this range, possible to increase the softening point of the copper material. なお添加量がここで記載した割合より少ない場合、軟化点の上昇効果が低い場合がある。 In the case the amount is less than the percentage described here, it may be a low effect of increasing the softening point. またここで記載した割合より多い場合、導電率を低下させる可能性がある。 If also greater than the percentage described here, it may reduce the conductivity. 同様に、Feの場合0.1wt%以上5wt%以下、Crの場合0.05wt%以上1wt%以下が望ましい。 Similarly, 0.1 wt% or more 5 wt% when the Fe less, 1 wt% if more than 0.05 wt% of Cr or less. これらの元素の場合も前述の元素と同様である。 In the case of these elements is the same as the above-described elements.

なお銅合金の引張り強度は、600N/mm 2以下が望ましい。 Note tensile strength of the copper alloy, 600N / mm 2 or less. 引張り強度が600N/mm 2を超える材料の場合、リードフレーム100の加工性を低下させる影響を与える場合がある。 If the tensile strength of the material of more than 600N / mm 2, which may affect to decrease the workability of the lead frame 100. また、こうした引張り強度の高い材料は、その電気抵抗が増加する傾向にあるため、実施の形態1で用いるようなLED等の大電流用途には適さない場合がある。 Further, a material having a high such tensile strength, since there is a tendency that the electric resistance increases, which may not be suitable for high current applications, such as an LED as used in the first embodiment. 一方、引張り強度が600N/mm 2以下(更にリードフレーム100に微細で複雑な加工が必要な場合、望ましくは400N/mm 2以下)とすることでスプリングバック(曲げ加工時に必要な角度まで曲げても圧力を除くと反力によってある程度はねかえって元にもどってしまうこと)の発生を抑えられ、凹部118の形成精度を高められる。 On the other hand, (if necessary more fine and complicated processing on the lead frame 100, preferably 400 N / mm 2 or less) tensile strength 600N / mm 2 or less bent to an angle required during spring back (bending by the also suppressed the occurrence of that) which would return to the original somewhat rebounding by the reaction force except the pressure is elevated to the formation accuracy of the recess 118. このようにリードフレーム材料としては、Cuを主体とすることで導電率を下げられ、更に柔らかくすることで加工性を高められ、更にリードフレーム100による放熱効果も高められる。 Thus as lead frame materials, lowered the conductivity by mainly of Cu, enhanced workability by further soft, is also further enhanced heat radiation effect by the lead frame 100.

なお、放熱樹脂102から露出しているリードフレーム100の面(LED108や、図示していないが制御用ICやチップ部品等の実装面)に、予め半田付け性を改善するように半田層や錫層を形成しておくことで、ガラエポ基板等に比べて熱容量が大きく半田付けしにくいリードフレーム100に対して部品実装性を高められると共に、配線としての錆び防止も可能となる。 The surface of the lead frame 100 exposed from the heat radiating resin 102 (LED 108 or mounting surface such as have not but control IC and chip parts shown), the solder layer or tin to improve pre solderability by forming the layer, with increased component mounting against soldering difficult leadframe 100 larger heat capacity than the glass epoxy substrate or the like, it becomes possible to prevent rusting of the wire. なおリードフレーム100の放熱樹脂102に接する面(もしくは埋め込まれた面)には、半田層は形成しないことが望ましい。 Note that the surface (or embedded surface) in contact with the heat radiating resin 102 of the lead frame 100, solder layer is preferably not formed. このように放熱樹脂102と接する面に半田層や錫層を形成すると、半田付け時にこの層が柔らかくなり、リードフレーム100と放熱樹脂102の接着性(もしくは結合強度)を低下させる影響を与える場合がある。 When forming such solder layer and a tin layer on the surface in contact with the heat radiating resin 102, this layer becomes soft during soldering, when the influence of reducing the adhesiveness of the lead frame 100 and the heat radiating resin 102 (or binding strength) there is. なお図1、図2において、半田層や錫層は図示していない。 Note 1, 2, the solder layer and the tin layer is not shown.

金属製の金属基板114は、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金からできている。 Metal of the metal substrate 114 is made good aluminum thermal conductivity, copper or their alloy as a main component. 特に、本実施の形態では、金属基板114の厚みを1mmとしているが、その厚みはバックライト等の製品仕様に応じて設計できる(なお金属基板114の厚みが0.1mm以下の場合、放熱性や強度的に不足する可能性がある。また金属基板114の厚みが5mmを超えると、重量面で不利になる)。 In particular, in this embodiment, although a 1mm thickness of the metal substrate 114, the thickness when the thickness of the backlights can be designed in accordance with the product specifications (Note the metal substrate 114 is 0.1mm or less, heat dissipation and strength to might be insufficient. also, when the thickness of the metal substrate 114 is more than 5 mm, it is disadvantageous in weight surface). 金属基板114としては、単なる板状のものだけでなく、より放熱性を高めるため、絶縁体を積層した面とは反対側の面に、表面積を広げるためにフィン部(あるいは凹凸部)を形成しても良い。 The metal substrate 114 is not limited to a mere plate, formed to enhance the heat radiation property, the surface opposite to the surface formed by laminating the insulator, the fin portion in order to widen the surface area (or uneven portions) it may be. 線膨張係数は8×10 -6 /℃〜20×10 -6 /℃としており、金属基板114やLED108の線膨張係数に近づけることにより、基板全体の反りや歪を小さくすることができる。 Linear expansion coefficient is set to 8 × 10 -6 / ℃ ~20 × 10 -6 / ℃, by approximating the linear expansion coefficient of the metal substrate 114 and LED 108, it is possible to reduce the warp and distortion of the entire substrate. またこれらの部品を表面実装する際、互いに熱膨張係数をマッチングさせることは信頼性の面からも重要となる。 Also when surface mounting these components, is possible to match the thermal expansion coefficient to each other it is important in terms of reliability. また金属基板114を他の放熱板(図示していない)にネジ止めすることもできる。 It is also possible to screw the metal substrate 114 to the other heat radiating plate (not shown).

またリードフレーム100としては、銅を主体とした金属板を、少なくともその一部が事前に3次元の凹部形状に打抜かれたものを用いることができる。 As the lead frame 100, a metal plate composed mainly of copper, can be used at least part of which stamped in advance in a three-dimensional concave shape. そしてリードフレーム100の厚みは0.1mm以上1.0mm以下(更に望ましくは0.3mm以上0.5mm以下)が望ましい。 The thickness of the lead frame 100 is 0.1mm or more 1.0mm or less (more preferably 0.3mm or 0.5mm or less) is desirable. これはLEDを制御するには大電流(例えば30A〜150Aの大電流が必要であり、これは駆動するLEDの数によって更に増加する場合もある)が必要であるためである。 This is to control the LED (requires a large current, for example 30A~150A, which is sometimes further increase the number of LED driving) large current because it is necessary. またリードフレーム100の肉厚が0.10mm未満の場合、薄肉のため、プレス加工が難しくなる場合がある。 Also when the thickness of the lead frame 100 is less than 0.10 mm, for thin, there are cases where press working is difficult. またリードフレーム100の肉厚が1mmを超えると、プレス加工による打ち抜き時にパターンの微細化を低下させる影響を与える場合がある。 Further, if the thickness of the lead frame 100 is more than 1 mm, it can affect to reduce the fine pattern during punching by press working. ここでリードフレーム100の代わりに銅箔(例えば、厚み10ミクロン以上50ミクロン以下)を使うことは望ましくない。 Here the copper foil (e.g., 50 microns or less than the thickness 10 microns) in place of the lead frame 100 is undesirable to use. 本発明の場合、LEDで発生する熱は、リードフレーム100を通じて広く拡散されることになる。 For the present invention, heat generated by the LED will be widely spread through the lead frame 100. そのためリードフレーム100の厚みが厚いほど、リードフレーム100を介しての熱拡散が有効となる。 Therefore as the thickness of the lead frame 100 is thick, the effective thermal diffusion through the lead frame 100. 一方、リードフレーム100の代わりに銅箔を用いた場合、銅箔の厚みがリードフレーム100に比べて薄い分、熱拡散しにくくなる可能性がある。 On the other hand, in the case of using the copper foil in place of the lead frame 100, the partial thickness of the copper foil is thinner than the lead frame 100, which may be difficult to heat diffusion.

次に従来例1として、リードフレーム100の代わりに、銅箔(厚み10ミクロン)を用いて、図1に示したようなサンプル試作を試みた。 Next, as a conventional example 1, in place of the lead frame 100, using a copper foil (thickness 10 microns), it was attempted sample prototype as shown in FIG. まず市販の銅箔を所定形状にパターニングした後、プレス加工で凹部を加工し、図6のようにして凹部が形成された金属基板114と、汚れ防止フィルム126の間にセットしようとした。 After first patterning the commercial copper foil into a predetermined shape, by processing the recess by press working, the metal substrate 114 having a concave portion formed in the manner of FIG. 6, tried to set between the antifouling film 126. しかしプレス加工した銅箔は柔らかくて、取り扱いが難しかった。 But soft is pressing the copper foil, handling was difficult.

次に従来例2として、銅箔を転写体の上で所定パターンに形成し、凹部118を有しない板状の未硬化の放熱樹脂102の表面に貼り付けた。 Next, as a conventional example 2, is formed in a predetermined pattern to the copper foil on the transfer member was adhered to the surface of the heat radiating resin 102 having no plate-like uncured recesses 118. そして次にこの板状の未硬化の放熱樹脂102を、図6〜図7に示すように、凹部を有する金属基板114と汚れ防止フィルム126の間にセットし、表面に突起を有する金型124aを用いてプレスしながら加熱し、樹脂硬化させた。 And then the heat radiating resin 102 of the plate-like uncured, as shown in FIGS. 6 and 7, is set between the protection film 126 and dirty metal substrate 114 having a recess, a mold having projections on the surface 124a It was heated with pressing using, was cured resin. こうして放熱樹脂102に凹部118を形成すると共に、表面に貼り付けた薄い銅箔を放熱樹脂102の凹部形状に形成した。 To form the recess 118 to the heat radiating resin 102 thus, a thin copper foil attached to the surface formed in a recess shape of the heat radiating resin 102. そしてこの銅箔の上に、LED108を実装し、放熱試験を行った。 Then on top of the copper foil, to implement the LED 108, was subjected to heat radiation test. しかし銅箔はリードフレームに比べて厚みが薄いため、銅箔を介して熱拡散の割合は少なかった。 But copper foil for a small thickness as compared with the lead frame, the rate of thermal diffusion was less through the copper foil.

次に従来例3として、配線形状に打抜いただけのリードフレーム100(凹状の3次元加工は行っていない、板厚は0.3mmの打抜いただけの曲がっていない状態)を用意し、これを従来例2で用意した板状の未硬化の放熱樹脂102の上に貼り付け、図6〜図7に示すようにして、リードフレーム100の凹部118の加工と、放熱樹脂102の凹部118の加工を同時に行ってみた。 Next, as a third conventional example, (not done three-dimensional processing of the concave plate thickness when no only crooked punched with 0.3 mm) Lead frame 100 just punched out a wiring form was prepared, this adhered onto heat dissipation resin 102 of the prepared plate-like uncured conventional example 2, as shown in FIGS. 6 and 7, the processing and the recess 118 of the lead frame 100, processing of the recess 118 of the heat radiating resin 102 the I went at the same time. しかしリードフレーム100は硬いため、求めるような凹部118の形状に加工することはできなかった。 However, since the lead frame 100 is rigid, it could not be processed into the shape of the recess 118, as determined. そして、放熱樹脂102と同時に凹部118を形成するには、銅箔のようにより薄い(より柔らかい)ものを使う必要があることが判った。 Then, in order to form a heat radiating resin 102 simultaneously with the recess 118, it has been found that it is necessary to use something thinner (softer) such as copper foil.

一方、実施の形態3の場合、図6、図7に示すように金型124a、124bで事前に成型しておいた、寸法形状の安定したリードフレーム100を用いることになる。 On the other hand, in the third embodiment, FIG. 6, which had been molded in advance in the mold 124a, in 124b as shown in FIG. 7, so that the use of stable lead frame 100 of dimensions. そのためリードフレーム100として、厚みの厚い(例えば0.1mm〜1.0mmと、銅箔に比べて厚肉で曲がりにくいもの)ものを用いた場合でも、安価に高精度なものを所定の形状(打抜きや3次元的な加工)に加工できる。 Therefore as a lead frame 100, thick thickness (and for example 0.1 mm to 1.0 mm, as compared with copper foil which hardly bends in thick) even when used as, low cost high precision as a predetermined shape ( can be processed into punching or three-dimensional processing). そしてこうして予め加工成型したリードフレーム100と放熱樹脂102とが一体化することになるため、リードフレーム100の形状精度が高い状態に保てる。 And thus for prefabricated molding the lead frame 100 and the heat radiating resin 102 is be integrated, maintain the shape accuracy of the lead frame 100 is high.

更に放熱樹脂102とリードフレーム100とを加熱プレスする時の温度プロファイルを工夫することで、放熱樹脂を軟化(粘度低下)でき、リードフレーム100に対する影響も抑制できる。 Further a radiating resin 102 and the lead frame 100 by devising a temperature profile at the time of heat pressing, the heat radiating resin can soften (viscosity reduction), the influence can be suppressed with respect to the lead frame 100. このようにリードフレーム100単独の成型工程と、予め成型されたリードフレーム100と放熱樹脂102との成型工程を、別々に分けることによって厚みが厚くて放熱性の優れたリードフレーム100を使った発光モジュールを安価に形成できる。 Thus the lead frame 100 single molding step, emitting a pre-molded molding process of the lead frame 100 and the heat radiating resin 102, with a good lead frame 100 of the heat dissipation thicker thickness by dividing separately the module can be formed at low cost.

更に実施の形態3の場合、LED108が実装された凹部118の壁面にリードフレーム100が形成され、この凹部118の壁面に形成されるリードフレーム100は、LED108から放射された光を反射させると共に、LED108から発生した熱はこの凹部118側面を介して、発光モジュール全体に拡散させることができ、発光効率を高めると共に、その放熱効果を更に高められる。 Further in the third embodiment, the LED 108 lead frame 100 is formed on the wall surface of the recess 118 mounted, the lead frame 100 formed on the wall surface of the recess 118 reflects light emitted from the LED 108, the heat generated from LED108 via the recess 118 side, it is possible to spread throughout the light emitting module, to increase the luminous efficiency, further enhanced the heat dissipation effect. このように金属よりなる反射面を、リードフレーム100が兼用することで、リードフレーム100と放熱樹脂102との接続面積を広げられるため、リードフレーム100から放熱樹脂102へ熱を伝えやすくできる。 Thus a reflective surface made of metal, that the lead frame 100 is also used, because it is spread contact area between the lead frame 100 and the heat radiating resin 102, easily transfer heat from the lead frame 100 to the heat radiating resin 102. 更に図1等で示したように、金属基板114を予め凹部118に形成しておくことで、リードフレーム100と金属基板114の間に形成された放熱樹脂102の厚みを薄く均一にできるため、リードフレーム100→放熱樹脂102→金属基板114への熱伝導性を高められることは言うまでもない。 Further, as shown in FIG. 1 or the like, by forming in advance the recess 118 of metal substrate 114, since it is possible the thickness of the heat radiating resin 102 formed between the lead frame 100 and the metal substrate 114 thin uniform, it goes without saying that enhanced thermal conductivity to the lead frame 100 → radiator resin 102 → metal substrate 114.

こうして片面に凹部118(第1の凹部に相当)が形成された金属基板114と、凹部118(第2の凹部に相当)とC面110が形成された銅を主体とするリードフレーム100と、前記金属基板114と前記リードフレーム100の間に形成された、無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ絶縁層である放熱樹脂102とを備え、前記リードフレーム100の外周部の一部が前記絶縁層である放熱樹脂102で囲まれ、前記第1の凹部118の中に前記絶縁層である放熱樹脂102を介して前記第2の凹部118が形成され、前記第2の凹部118内の前記リードフレーム100上にLED108等の発光素子が少なくとも1つの半導体層平面の全面を導電層を介して電気的接続させて1個以上実装されていることを特 Thus the metal substrate 114 is formed (corresponding to the first recess) recess 118 on one side, a lead frame 100 composed mainly of copper recess 118 (corresponding to the second recess) and C-plane 110 is formed, the metal substrate 114 is formed between the lead frame 100, and a heat radiating resin 102 is an insulating layer including a resin composition containing an inorganic filler and a thermosetting resin, the outer peripheral portion of the lead frame 100 the part surrounded by the heat radiating resin 102 which is the insulating layer, wherein said via radiating resin 102 which is an insulating layer a second recess 118 in the first recess 118 is formed, the second Patent that the light emitting element LED108 like on the lead frame 100 in the recess 118 are mounted one or more by electrically connected through a conductive layer on the entire surface of the at least one semiconductor layer plane とする発光モジュールを提供する。 To provide a light-emitting module to be.

以上のように、本発明にかかる発光モジュールを用いることで、多数個の発光素子を、安定して点灯できるため、液晶TV等のバックライト以外に、プロジェクター、投光機器等の小型化、高演色化の用途などにも適用できる。 As described above, by using the light emitting module according to the present invention, a plurality of light emitting elements, it is possible to light up stably, in addition to a backlight of a liquid crystal TV or the like, a projector, downsizing of such light projecting device, high applicable to such color rendering of the application.

本実施の形態1における発光モジュールを示す上面図及び断面図 Top view and a cross-sectional view showing a light emitting module according to the first embodiment 本実施の形態1における放熱メカニズムについて説明する上面図及び断面図 Top view and a cross-sectional view for explaining the heat radiation mechanism in the first embodiment C面部の形状を説明する断面図 Cross-sectional view illustrating a C face shape C面部の形状を説明する断面図 Cross-sectional view illustrating a C face shape 本実施の形態3における発光モジュールの断面図 Cross-sectional view of a light emitting module according to the third embodiment 本実施の形態4における発光モジュールの製造方法の一例を示す断面図 Sectional view illustrating an example of a method of manufacturing the light emitting module of the fourth embodiment 本実施の形態4における発光モジュールの製造方法の一例を示す断面図 Sectional view illustrating an example of a method of manufacturing the light emitting module of the fourth embodiment 発光モジュールの一例を示す断面図 Sectional view showing an example of a light emitting module

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

100 リードフレーム 102 放熱樹脂 102a 絶縁層(放熱樹脂) 100 lead frame 102 radiating resin 102a insulating layer (heat radiation resin)
102b 絶縁層 104 矢印 106 点線 108 LED 102b insulating layer 104 arrow 106 dotted line 108 LED
108a n型半導体層 108b p型半導体層 109a、109b 導電層 110 C面部 112 透明樹脂 114 金属基板 116 ヒートシンク 118 凹部 120 バリ 122 レンズ 124 金型 126 汚れ防止フィルム 108a n-type semiconductor layer 108b p-type semiconductor layer 109a, 109b conductive layer 110 C face 112 transparent resin 114 metal substrate 116 heat sink 118 recess 120 burr 122 lens 124 mold 126 antifouling film

Claims (17)

  1. 片面に第1の凹部が形成された金属基板と、 A metal substrate a first recess formed on one side,
    発光素子を有する少なくとも1つの半導体層平面の全面を導電層を介して電気的接続し、第2の凹部とC面が形成された銅を主体とするリードフレームと、 The entire surface of the at least one semiconductor layer plane having a light-emitting element is electrically connected through a conductive layer, a lead frame composed mainly of copper second recess and C surface is formed,
    前記金属基板と前記リードフレームの間に形成された、無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ絶縁層とを備え、 Wherein said metal substrate is formed between the lead frame, including a resin composition containing an inorganic filler and a thermosetting resin and an insulating layer,
    前記リードフレームの外周部の一部が前記絶縁層で囲まれ、 Part of the outer peripheral portion of the lead frame is surrounded by the insulating layer,
    前記金属基板の第1の凹部の中に前記絶縁層を介して前記リードフレームの第2の凹部が形成され、 The second recess of the lead frame through an insulating layer is formed in the first recess of said metal substrate,
    前記第2の凹部内の前記リードフレーム上に1個以上の発光素子が実装されていることを特徴とする発光モジュール。 Emitting module, wherein the one or more light-emitting elements are mounted on the lead frame of the second recess.
  2. 発光素子は半導体層を積層して構成したLEDであり、上記LEDとリードフレームを電気的接続させる導電層の上記半導体層側の導電層表面が当該導電層内部に対して光の反射率の高い金属成分が多いことを特徴とする請求項1記載の発光モジュール。 Emitting element is an LED formed by laminating a semiconductor layer, the semiconductor layer side of the conductive layer surface of the conductive layer for electrically connecting the LED and the lead frame having high reflectivity of light to the interior the conductive layer the light emitting module of claim 1, wherein the metal component is great.
  3. 発光素子を実装する前記リードフレーム間の絶縁層が、前記発光素子の片側に寄せた位置になるように、前記発光素子をリードフレーム上に実装することを特徴とする請求項1記載の発光モジュール。 As the insulating layer between the lead frame mounting the light emitting element becomes a position closer to one side of the light emitting element, the light emitting module of claim 1, wherein the mounting the light emitting element on a lead frame .
  4. 第2の凹部とC面は、光学素子を実装する部分を除いてリードフレームに設けたことを特徴とする請求項1記載の発光モジュール。 Second recess and C plane, the light emitting module according to claim 1, characterized in that provided on the lead frame except for the portion for mounting an optical element.
  5. 第2の凹部とC面は、導電層の形状サイズの小さい方のみに設けたことを特徴とする請求項1記載の発光モジュール。 Second recess and C plane, the light emitting module according to claim 1, characterized by providing only the smaller feature sizes of the conductive layer.
  6. 金属基板とリードフレームの間に形成された絶縁層の厚みは50ミクロン以上500ミクロン以下である請求項1記載の発光モジュール。 The light emitting module of claim 1, wherein the thickness of the formed insulating layer between the metal substrate and the lead frame is less than 500 microns 50 microns.
  7. リードフレームと金属基板の間の絶縁層の厚みのバラツキは200ミクロン以下である請求項1記載の発光モジュール。 The light emitting module of claim 1, wherein variation in thickness of the insulating layer between the lead frame and the metal substrate is 200 microns or less.
  8. リードフレームは、凹部を形成する側面の50%以上95%以下の面積を占める請求項1記載の発光モジュール。 Lead frame, the light emitting module of claim 1 wherein occupying 95% or less of the area of ​​50% or more sides defining a recess.
  9. 発光素子は、少なくとも1種類以上の異なる発光色を有する発光素子である請求項1記載の発光モジュール。 Light-emitting module according to claim 1, wherein the light-emitting element having at least one or more different emission colors.
  10. 発光素子の内、1個以上は発光色が白色である請求項1記載の発光モジュール。 The light emitting module of claim 1 wherein more than one is a light emitting color is white light emitting element.
  11. リードフレームの厚みは0.10mm以上1.0mm以下で、少なくとも絶縁層と一体化される前にその一部が凹部を有する形状に加工されたものである請求項1記載の発光モジュール。 The thickness of the lead frame is less 1.0mm or 0.10 mm, the light emitting module of claim 1, wherein those which are processed into a shape having a portion of the recess prior to being integrated with at least the insulating layer.
  12. 絶縁層の熱伝導率が1W/(m・K)以上10W/(m・K)以下である請求項1に記載の発光モジュール。 The light emitting module of claim 1 thermal conductivity of the insulating layer is 1W / (m · K) or more 10W / (m · K) or less.
  13. 無機フィラーは、Al 23 、MgO、BN、SiC、Si 34 、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含む請求項1に記載の発光モジュール。 Inorganic filler, the light emitting module of claim 1 comprising at least one selected Al 2 O 3, MgO, BN , SiC, Si 3 N 4, and from the group consisting of AlN.
  14. 熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含む請求項1に記載の発光モジュール。 Thermosetting resin, the light emitting module of claim 1 comprising epoxy resins, phenolic resins, and at least one selected from the group consisting of isocyanate resin.
  15. 凹部は底部に向かって狭くなる形状である請求項1に記載の発光モジュール。 The light emitting module of claim 1 recess is narrower shape towards the bottom.
  16. Snは0.1wt%以上0.15wt%以下、Zrは0.015wt%以上0.15wt%以下、Niは0.1wt%以上5wt%以下、Siは0.01wt%以上2wt%以下、Znは0.1wt%以上5wt%以下、Pは0.005wt%以上0.1wt%以下、Feは0.1wt%以上5wt%以下である群から選択される少なくとも一種を含む銅を主体とするリードフレームを用いる請求項1記載の発光モジュール。 Sn is less 0.1 wt% or more 0.15 wt%, Zr is less 0.015 wt% or more 0.15 wt%, Ni is 0.1 wt% or more 5 wt% or less, Si is less 0.01 wt% or more 2 wt%, Zn is 0.1 wt% or more 5 wt% or less, the lead frame P is less 0.005 wt% or more 0.1 wt%, Fe is mainly composed of copper containing at least one selected from the group is less than 0.1 wt% or more 5 wt% the light emitting module of claim 1 wherein using.
  17. 第1の凹部が形成された金属基板と、発光素子を有する少なくとも1つの半導体層平面の全面を導電層を介して電気的接続させる第2の凹部とC面が形成されたリードフレームとの間に、未硬化状態の絶縁樹脂をセットし、 And the metal substrate where the first recess is formed, between at least one semiconductor layer and the second concave portion and the lead frame C surface is formed on the entire surface of the plane through the conductive layer is electrically connected with the light emitting element to, to set the insulating resin uncured,
    前記リードフレームと金型の間に汚れ防止フィルムを挿入した状態で、プレス加工して前記絶縁樹脂を前記金属基板と前記リードフレームの間で硬化し、前記第1の凹部の中に第2の凹部を嵌合させながら、前記リードフレームの外周部の一部を絶縁樹脂で囲んだ成型体を形成し、 While inserting the antifouling film between the lead frame and the die, pressing and then curing the insulating resin between the lead frame and the metal substrate, the second in the first recess while fitting the recess, a portion of the outer peripheral portion of the lead frame to form a enclosed molded with an insulating resin,
    前記成型体の第2の凹部に発光素子を実装し樹脂で封止する発光モジュールの製造方法。 Manufacturing method of a light emitting module is sealed with the mounted resin emitting element to the second recess of the molded body.
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