KR20130031902A - 고속, 넓은 광 대역폭, 및 고 효율 공진 공동 강화 광-검출기 - Google Patents

고속, 넓은 광 대역폭, 및 고 효율 공진 공동 강화 광-검출기 Download PDF

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Abstract

넓은 광 대역폭 및 넓은 광 대역폭 내에서 고 효율을 갖는 광-검출기를 갖는 단일 광 수신기로서, 광-검출기는: 광을 수신하기 위한 제1 도핑 유형의 제1 다이오드 영역; 제2 도핑 유형 및 제2 두께의 제2 다이오드 영역; 수신된 광을 전자 신호로 변환하기 위한 활성 영역 - 활성 영역은 제3 두께를 갖고, 제1 다이오드 영역과 제2 다이오드 영역 사이에 있도록 구성됨 - ; 및 제2 다이오드 영역에 연결되고 제4 두께의 실리콘 층을 갖는 반사체 - 실리콘 층은 제5 두께의 실리콘 산화물 층들 사이에 있고, 활성 영역은 900㎚ 보다 작은 파장들의 광을 흡수하도록 구성되고, 반사체는 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들의 광을 반사하도록 구성됨 - 를 포함한다.

Description

고속, 넓은 광 대역폭, 및 고 효율 공진 공동 강화 광-검출기{A HIGH SPEED, WIDE OPTICAL BANDWIDTH, AND HIGH EFFICIENCY RESONANT CAVITY ENHANCED PHOTO-DETECTOR}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 광-검출기 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 실시예들은 넓은 광 대역폭(wide optical bandwidth)을 갖고 넓은 광 대역폭 내에서 고 효율(high efficiency)을 갖는 단일 광-검출기를 위한 장치 및 시스템에 관한 것이다.
고속 데이터 전송(예컨대, 채널당 25Gb/s)에 대한 수요가 증가함에 따라, 고속 데이터를 수신하기 위해 광-검출기를 갖는 광학 시스템이 사용되고 있다. 이러한 광-검출기는 특정 범위의 원거리 통신 파장(telecommunication wavelength)에 대해 광 수신기에서 효율적으로 작동하도록 설계되어 있다. 예를 들어, 하나의 세트의 광-검출기는 단거리 파장(short haul wavelengths)(예컨대, 850㎚)의 입사 광을 검출하도록 설계되어 있다. 다른 세트의 광-검출기는 O-주파수대 파장(O-Band wavelengths)(예컨대, 1260㎚ 내지 1380㎚)의 입사 광을 검출하도록 설계되어 있다. 또 다른 세트의 광-검출기는 대륙간 통신(intercontinental communication)(예컨대, 1550㎚)을 위해 사용된 장거리 파장(long haul wavelengths)의 입사 광을 검출하도록 설계되어 있다.
따라서, 어떤 주파수(또는 파장) 범위의 입사 광이 광학 시스템을 위해 사용되는지에 따라, 특정 광-검출기를 갖춘 특정(또는 맞춤형(customized)) 광 수신기가 입사 광의 파장의 범위를 검출하기 위해 작동하도록 설계되어 있다. 따라서, 맞춤형 광 수신기는 광범위한 광의 파장들을 검출하기 위해 사용될 수 없는 한편 채널당 25Gb/s의 데이터 전송 속도를 제공하기 위해 사용될 수도 없어, 예컨대, 900㎚보다 작은 파장들 및 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들을 검출하기 위해 사용될 수 없다. 그 결과, 광범위한 광의 파장들을 수신/검출하기 위해 광학 시스템에는 다수의 맞춤형 수신기들이 사용되므로, 잠재적으로 광학 시스템을 만드는데 비용이 많이 든다.
본 발명의 실시예들은 아래에 주어진 상세한 설명 및 본 발명의 다양한 실시예들의 첨부 도면들로부터 더 완전히 이해될 것이지만, 이는 본 발명을 특정 실시예들로 한정하기 위한 것이 아니라, 단지 설명과 이해를 위한 것이다.
도 1은, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 900㎚보다 작은 파장들 및 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들의 광을 흡수하도록 작동되는 광-검출기의 단면을 도시한다.
도 2는, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 도 1의 광-검출기의 상면도를 도시한다.
도 3은, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 도 1 및 도 2의 광-검출기들에 기초한 광-검출기들의 어레이를 도시한다.
도 4는, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 광 수신기들에 도 1의 광-검출기들을 갖는 광학 시스템을 도시한다.
본 발명의 실시예들은, 넓은 광 대역폭 및 고 효율을 갖고 채널당 높은 데이터 속도를 허용하도록 구성된, 하나 이상의 공진 공동 강화(resonant cavity enhanced; RCE) 광-검출기들을 갖춘 단일 광 수신기(single optical receiver)를 위한 장치 및 시스템을 설명한다.
여기에서 채널당 높은 데이터 속도(high data rate per channel)라는 용어는 채널당 약 25Gb/s의 데이터 속도를 의미한다. 여기에서 넓은 광 대역폭(wide optical bandwidth)이라는 용어는 900㎚보다 작은 파장들 및 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들의 광을 흡수하는 능력을 의미한다.
하나의 실시예에서, RCE 광-검출기에 있는 층들의 두께는 900㎚보다 작은 파장들 및 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들의 광을 흡수하도록 구성된다. 이러한 실시예에서, RCE 광-검출기를 갖는 단일 광 수신기는, 900㎚보다 작은 파장들 또는 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들 중 어느 하나의 광을 검출하고면서 채널당 약 25Gb/s의 높은 데이터 속도를 유지하기 위해 특수한(special)/맞춤(custom) 광 수신기들을 필요로 하지 않고, 광범위한 입사 광의 파장들에 대해 작동할 수 있다.
다음 설명에서, 본 발명의 실시예들에 대한 보다 철저한 설명을 제공하기 위해 많은 상세들이 논의된다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이러한 구체적인 상세들 없이도 실행될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우에, 본 발명의 실시예들을 모호하게 하는 것을 피하기 위해, 공지된 구조들 및 디바이스들은, 자세하게 보다는 오히려, 블록 다이어그램 형태로 표시된다. 다음 설명에서, RCE 광-검출기는 광-검출기와 같은 의미로 지칭된다.
도 1은, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 입사 광(101)을 검출하는 광-검출기(100)의 단면을 도시한다. 하나의 실시예에서, 광-검출기(100)는 입사 광(101)을 수신하기 위한 제1 도핑 유형의 제1 다이오드 영역(106)을 포함한다. 하나의 실시예에서, 제1 다이오드 영역(106)은 게르마늄(Ge) 또는 실리콘(Si)으로 구성되고, 여기서 제1 도핑 유형은 N 또는 P 도핑 유형이다. 하나의 실시예에서, 인은 N 도핑 유형을 위해 사용되는 한편 보론은 P 도핑 유형을 위해 사용된다. 다른 실시예들에서, Ge 및 Si에 대해 N형 도핑과 P형 도핑을 생성하기 위해 다른 화학 물질들(chemicals)(원소들 및/또는 화합물들)이 사용될 수 있다.
광-검출기(100)는 제2 도핑 유형의 제2 다이오드 영역(108)을 더 포함한다. 하나의 실시예에서, 제2 다이오드 영역(108)은 Si로 구성되어 있고, 제2 도핑 유형은 제1 다이오드 영역의 제1 도핑 유형과는 반대 극성이다. 예를 들어, 제1 도핑 유형이 N 도핑 유형인 경우, 제2 도핑 유형은 P 도핑 유형이고, 반대의 경우도 마찬가지이다. 하나의 실시예에서, 제2 다이오드 영역(108)의 두께는 529㎚ 내지 551㎚ 범위의 것이다. 하나의 실시예에서, 제2 다이오드 영역(108)의 두께는 540㎚이다.
광-검출기(100)는 수신된 광을 전자 신호로 변환하기 위한 활성 영역(105)을 더 포함한다. 하나의 실시예에서, 활성 영역(105)은 제1 다이오드 영역(106)과 제2 다이오드 영역(108) 사이에 있도록 구성된다. 하나의 실시예에서, 활성 영역은 Ge로 구성된다. 하나의 실시예에서, 활성 영역(105)의 두께는, 높은 광학적 응답을 갖춘, 900㎚보다 작은 파장들의 광을 흡수하기 위해 1078㎚ 내지 1122㎚ 범위의 것이다. 하나의 실시예에서, 활성 영역(105)의 두께는, 높은 광학적 응답을 갖춘, 900㎚보다 작은 파장들의 광을 흡수하기 위해 1100㎚이다.
여기에서 광학적 응답(optical response)이라는 용어는 양자 효율(quantum efficiency; η)로도 알려져 있고, 광-검출기에 의한 입사 광의 흡수 퍼센트를 지칭한다. 여기에서 높은 η라는 용어는 광-검출기에 의한 80% 이상의 입사 광의 흡수를 지칭한다.
도 1에서 화살표 112는 단일 패스(single pass)에서 900㎚보다 작은 파장들의 광의 흡수, 즉, 입사 광의 반사가 거의 내지 전혀 없고, 거의 모든(80% 이상) 입사 광(101)이 활성 영역(105)에 의해 흡수되는 것을 나타낸다. 하나의 실시예에서, 활성 영역(105)의 두께는, 1310㎚ 파장의 광을 흡수하도록 설계되는 종래의 Ge 기반의 정상-입사 광-검출기(typical Ge based normal-incidence photo-detector)에서 사용된 두께의 거의 반(half)이다.
당업자는, 입사 광의 수신시, 활성 영역에서 전자들 및 홀들이 생성된다는 것을 인식할 것이다. 이러한 전자들/홀들은 입사 광을 나타내는 전기 신호를 생성한다.
하나의 실시예에서, 반사체(reflector; 109)는 제2 다이오드 영역(108)과 기판(110)에 연결된다. 하나의 실시예에서, 반사체(109)는 Si 산화물(SiO2) 층들(113 및 115) 사이에 Si 층(114)이 개재된 더블 박스 레이어(double box layer)로 구성된다. 하나의 실시예에서, Si 층(114)은 276㎚ 내지 288㎚의 두께를 갖는 한편, SiO2 층들(113 및 115)은 223㎚ 내지 233㎚ 범위의 두께를 갖는다. 하나의 실시예에서, Si 층(114)의 두께는 282㎚이다. 하나의 실시예에서, SiO2 층의 두께는 228㎚이다. 하나의 실시예에서, 반사체(109)의 층들의 두께는, 입사 광(101)을 위한 다중-패스 광 경로를 생성하는 것에 의해 (실제로 두께를 증가시키지 않고) Ge 활성 영역(105)의 두께를 효율적으로 증가시키도록 구성된다. 이러한 실시예에서, 더 얇은 Ge 활성 영역(105) - 종래의 광-검출기보다 더 얇은 - 은 높은 양자 효율을 유지하면서 종래의 광-검출기에 비해 더 높은 속도를 유도한다.
당업자는, 더 두꺼운 활성 영역, 더 높은 양자 효율 및 더 느린 광-검출기를 실현할 것이다. 그 반대(the opposite)는 더 얇은 활성 영역에 대해 참(true)이다. 더 두꺼운 활성 영역은 결과적으로 더 느린 광-검출기를 초래하는데, 그 이유는 광-검출기에 대한 주행 시간(transit time)이 더 길기 때문이다.
여기에서 주행 시간(transit time)이라는 용어는, 가장 느린 캐리어가 활성 영역(105)의 한쪽 끝에서 활성 영역(105)의 다른 쪽 끝으로 이동하는데 걸리는 시간, 즉, 활성 영역(105)이 입사 광(101)을 수신할 때, 활성 영역(105)에 있는 가장 느린 캐리어가 금속 컨택트(metal contact; 107)에 도달하는데 걸리는 시간이다.
위에서 언급된 바와 같이, 본 발명의 실시예들은, 종래의 Ge 활성 영역보다, 더 얇은 Ge 활성 영역(105)으로 더 높은 양자 효율을 달성하고, 따라서 채널당 25Gb/s의 데이터 전송을 위해 요구되는 높은 주행 시간을 달성한다.
하나의 실시예에서, 반사체(109)는 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들의 광을 반사하도록 구성된다. 이렇게 반사된 광은 화살표 111로 표시된다. 하나의 실시예에서, 반사체(109)에 의해 반사된 광은 인터페이스 층(103)에 의해서도 부분적으로 반사되어, 1260 내지 1380㎚의 파장들의 입사 광의 더 큰 퍼센트가, 활성 영역(105) 내에서 다중 반사를 통해 흡수되도록 한다. 하나의 실시예에서, 반사체(109)는 DSOI(Double-Silicon-On-Insulator) 반사체이다. 또 다른 실시예에서, 반사체(109)는 DBR(Distributed Bragg Reflector)이다.
하나의 실시예에서, Si 층(114)의 두께는, Si 굴절률에 의해 정규화된, 광의 파장의 1/4의 홀수 배(odd multiple)인 반면, 제2 다이오드 영역(108)의 두께는 종래의 DBR 구조에서 보여지는 바와 같이 광의 파장의 1/4의 홀수 배일 필요가 없다. 본 발명의 실시예에서, 제2 다이오드 영역(108)의 두께는 광-검출기(100)의 양자 효율을 극대화하도록 구성되고, 광의 파장의 1/4의 배수가 아니다. 이러한 실시예에서, 이러한 공진 공동(resonant cavity) 광-검출기(100)의 전체 양자 효율은, 종래의 공진 공동 광-검출기에 비해 넓은 1260㎚ 내지 1380㎚ 파장 범위에 걸쳐 더 높다.
위에서 언급한 바와 같이, 광-검출기(100)는 반사 방지-코팅(anti-reflective-coating; ARC)을 갖고 패시베이션 층(104)에 연결된 인터페이스 층(103)을 더 포함한다. 하나의 실시예에서, 패시베이션 층(104)은 활성 영역(105) 및 제1 다이오드 영역(106)의 일부를 둘러싸고 있다. 하나의 실시예에서, ARC는 실리콘 질화물(Si3N4)로 구성되어 있다. 다른 실시예에서, ARC는 실리콘 산화물(SiO2)로 구성되어 있다. 하나의 실시예에서, Si3N4로 구성된 ARC를 갖는 인터페이스 층(103)의 두께는 500㎚ 내지 521㎚ 범위이다. 하나의 실시예에서, Si3N4로 구성된 ARC 층의 두께는 511㎚이다.
하나의 실시예에서, 인터페이스 층(103)과 제1 다이오드 영역(106) 둘 다에 연결되는 패시베이션 층(104)의 일부는 제1 도핑 유형이다. 하나의 실시예에서, 패시베이션 층(104)은 Si로 구성되어 있다. 하나의 실시예에서, 패시베이션 층(104)은 비정질 실리콘으로 구성되어 있다. 다른 실시예에서, 패시베이션 층(104)은 폴리 실리콘으로 구성되어 있다. 패시베이션 층(104)의 두께는, 암전류의 억제를 돕는 한편 디바이스 광학적/광 흡수(optical/light absorption)를 극대화하는 그러한 값이다. 하나의 실시예에서, 패시베이션 층(104)의 두께는 30㎚ 보다 작거나 또는 184㎚ 내지 192㎚ 범위이다. 하나의 실시예에서, 패시베이션 층(104)의 두께는 188㎚이다. 광-검출기(100)는 고 저항(high resistance) Si로 구성되어 있는 기판(110)을 더 포함한다. 하나의 실시예에서, 기판의 높은 저항률(high resistivity)은 거의 100옴-㎝이고, 이는 광-검출기의 속도에 악영향을 미칠 수 있는 기생 효과를 최소화한다.
입사 광에 의해 생성된 전기 전류는, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 전기적 컨택트들(102 및 107)을 통해 수집된다. 하나의 실시예에서, 컨택트(102)는 제1 다이오드 영역에 연결되는 한편 컨택트(107)는 제2 다이오드 영역에 연결된다.
도 2는, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 도 1의 광-검출기(100)의 상면도(200)를 도시한다. 도 2는 도 1을 참조하여 설명된다. 상면도(200)의 중앙에 있는 원(103)은 광-검출기(100)의 인터페이스 층(103)이다. 금속 컨택트들(102 및 107)은, 입사 광(101)으로부터 광-검출기(100)에 의해 생성된 전류를 운반하기 위해 광-검출기(100)에 전기적 접속을 제공한다. 원(103)은 광-검출기의 크기를 나타내는 직경(201)의 것이다. 하나의 실시예에서, 광-검출기의 직경(201)은 30㎛ 이하이다. 더 큰 직경은 입사 광을 수신하는 더 큰 인터페이스를 의미한다.
도 3은, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 도 1 및 도 2의 광-검출기들에 기초한 광-검출기들(2001-N)의 어레이(300)를 도시한다. 하나의 실시예에서, N은 2이다. 또 다른 실시예에서, N은 6이다. 다른 실시예들에서, N은 2와 6이 아닌 다른 수일 수 있다. 하나의 실시예에서, 어레이(300)는 도 4에 도시된 광 수신기에 있다.
도 4는, 본 발명의 하나의 실시예에 따른, 광 수신기(300)에 도 1의 광-검출기들을 갖는 광학 시스템(400)을 도시한다. 하나의 실시예에서, 시스템(400)은 하나 이상의 광 송신기(4011-N)를 포함한다. 광 송신기들(4011-N)로부터의 각각의 광 송신기는 송신기(407)에 연결된 전기-광 변환 유닛(electrical to optical conversion unit; 406)을 포함한다. 하나의 실시예에서, 송신기(407)는 900㎚ 보다 작은 파장 또는 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들을 갖는 광 신호를, 멀티플렉서(405), 광 도파관(403), 및 디-멀티플렉서(404)를 통해, 광 수신기들(4021-N)에게 전송한다.
하나의 실시예에서, 광 수신기들(4021-N) 중에서 각각의 광 수신기는 광-전기 변환 유닛(optical to electrical conversion unit; 408)에 연결된 수신기(300)를 포함한다. 하나의 실시예에서, 수신기(300)는 광-검출기들의 어레이(300)를 포함한다. 하나의 실시예에서, 디-멀티플렉서(404)는 광 송신기들(4011-N) 중에서 하나의 광 송신기(an optical transmitter)를 광 수신기들(4021-N) 중에서 상응하는 광 수신기에 연결한다. 하나의 실시예에서, 광 도파관은 광학 범용 직렬 버스(Universal Serial Bus; USB) 케이블이다. 하나의 실시예에서, 광 송신기들(4011-N) 및 수신기들(4021-N)은 그들 각각의 컴퓨터 시스템(도시되지 않음)에 있다.
하나의 실시예에서, 각각의 송신기(407)는 특정 파장에서 중심에 있는 협-대역 광 신호를 광 수신기들(4021-N)에게 전송한다. 전통적으로, 맞춤형 수신기는 송신기에 의해 전송된 특정 파장에서 중심에 있는 광을 수신/흡수할 필요가 있다. 그러나, 여기에서 논의된 실시예들에서, 수신기(300)는 광범위한 파장들, 즉, 900㎚ 보다 작은 파장 및 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들을 흡수하도록 구성되고, 따라서 맞춤형 수신기들이 더 이상 필요하지 않다.
명세서에서 "일 실시예", "하나의 실시예", "일부 실시예들" 또는 "다른 실시예들"로 지칭한 것은, 실시예들과 관련하여 설명된 특정한 특징, 구조, 또는 특성이 적어도 일부 실시예들에 포함되지만, 반드시 모든 실시예들에 포함될 필요는 없다는 것을 의미한다. "일 실시예", "하나의 실시예" 또는 "일부 실시예들"의 다양한 출현이 반드시 모두 동일한 실시예들을 지칭하는 것일 필요는 없다. 명세서에서, 컴포넌트, 특징, 구조, 또는 특성이 포함될 "수 있다(may, might, could)"라고 서술하는 경우, 특정한 컴포넌트, 특징, 구조, 또는 특성이 포함되는 것을 요구하는 것은 아니다. 명세서 또는 청구항에서 "하나의(a, an)" 요소를 지칭하는 경우, 단지 하나의 요소만 존재하는 것을 의미하는 것은 아니다. 명세서 또는 청구항들에서 "추가" 요소를 지칭하는 경우, 하나 보다 많은 추가 요소가 존재하는 것을 배제하지 않는다.
본 발명이 그의 특정 실시예들과 관련하여 설명되어 있지만, 전술한 설명에 비추어 볼 때 그러한 실시예들의 많은 대안들, 수정들 및 변형들이 당업자에게 명백할 것이다. 본 발명의 실시예들은 첨부된 청구항들의 넓은 범위 내에 있는 것으로 이러한 모든 대안들, 수정들, 및 변형들을 수용하도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 광-검출기로서,
    광을 수신하기 위한 제1 도핑 유형의 제1 다이오드 영역;
    제2 도핑 유형 및 제2 두께의 제2 다이오드 영역;
    수신된 광을 전자 신호로 변환하기 위한 활성 영역 - 상기 활성 영역은 제3 두께를 갖고, 상기 제1 다이오드 영역과 상기 제2 다이오드 영역 사이에 있도록 구성됨 - ; 및
    상기 제2 다이오드 영역에 연결되고, 제4 두께의 실리콘 층을 갖는 반사체(reflector) - 상기 실리콘 층은 제5 두께의 실리콘 산화물 층들 사이에 있으며, 상기 활성 영역의 상기 제3 두께는 900㎚보다 작은 파장들의 광을 흡수하도록 구성되고, 상기 반사체의 상기 제4 및 상기 제5 두께는 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들의 광을 반사하도록 구성됨 -
    를 포함하는 광-검출기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 활성 영역과 상기 제1 다이오드 영역의 일부를 둘러싸는 제6 두께의 패시베이션 층; 및
    제1 두께의 반사 방지-코팅(anti-reflective-coating; ARC)을 갖고, 상기 패시베이션 층에 연결된 인터페이스 층 - 상기 패시베이션 층의 일부는 상기 제1 도핑 유형이고 상기 인터페이스 층에 연결됨 -
    을 더 포함하는 광-검출기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 패시베이션 층은 실리콘을 포함하는 광-검출기.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 두께는 500㎚ 내지 521㎚ 범위이고,
    상기 제6 두께는 184㎚ 내지 192㎚ 범위인 광-검출기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제5 두께는 실리콘 산화물(SiO2)의 굴절률에 의해 정규화된(normalized) 광의 파장의 1/4의 홀수 배(odd multiple)인 광-검출기.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 두께는 529㎚ 내지 551㎚ 범위이고,
    상기 제3 두께는 1078㎚ 내지 1122㎚ 범위이고,
    상기 제4 두께는 276㎚ 내지 288㎚ 범위이고,
    상기 제5 두께는 223㎚ 내지 233㎚ 범위인 광-검출기.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 다이오드 영역과 상기 제2 다이오드 영역에 연결된 전기 컨택트들을 더 포함하고, 상기 전기 컨택트들은 상기 수신된 광으로부터 생성된 상기 전자 신호를 제공하기 위한 것인 광-검출기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 다이오드 영역은 게르마늄을 포함하고, 상기 제2 다이오드 영역은 실리콘을 포함하며, 상기 제1 및 상기 제2 도핑 유형은 반대 극성의 것으로, 그 중 하나는 N-도핑 유형의 도핑이고 다른 하나는 P-도핑 유형의 도핑인 광-검출기.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반사체는 DSOI(Double-Silicon-On-Insulator) 반사체인 광-검출기.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반사체는 DBR(Distributed Bragg Reflector)인 광-검출기.
  11. 시스템으로서,
    광 도파관을 통해 광 신호를 전송하는 송신기; 및
    상기 광 신호를 수신하고 광-검출기를 갖는 수신기
    를 포함하며,
    상기 광-검출기는,
    제1 도핑 유형의 제1 다이오드 영역;
    제2 도핑 유형 및 제2 두께의 제2 다이오드 영역;
    수신된 광 신호를 전자 신호로 변환하기 위한 활성 영역 - 상기 활성 영역은 제3 두께를 갖고, 상기 제1 다이오드 영역과 상기 제2 다이오드 영역 사이에 있도록 구성됨 - ; 및
    상기 제2 다이오드 영역에 연결되고, 제4 두께의 실리콘 층을 갖는 반사체 - 상기 실리콘 층은 제5 두께의 실리콘 산화물 층들 사이에 있고, 상기 활성 영역의 상기 제3 두께는 900㎚보다 작은 파장들의 광을 흡수하도록 구성되고, 상기 반사체의 상기 제4 및 상기 제5 두께는 1260㎚ 내지 1380㎚ 범위의 파장들의 광을 반사하도록 구성됨 -
    를 포함하는 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 활성 영역과 상기 제1 다이오드 영역의 일부를 둘러싸는 제6 두께의 패시베이션 층; 및
    제1 두께의 반사 방지-코팅(anti-reflective-coating; ARC)을 갖고, 상기 패시베이션 층에 연결된 인터페이스 층 - 상기 패시베이션 층의 일부는 상기 제1 도핑 유형이고, 상기 인터페이스 층에 연결됨 -
    을 더 포함하는 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 패시베이션 층은 실리콘을 포함하는 시스템.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 두께는 500㎚ 내지 521㎚ 범위이고,
    상기 제6 두께는 184㎚ 내지 192㎚ 범위인 시스템.
  15. 제11항에 있어서, 상기 제5 두께는 실리콘 산화물(SiO2)의 굴절률에 의해 정규화된 광의 파장의 1/4의 홀수 배인 시스템.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제2 두께는 529㎚ 내지 551㎚ 범위이고,
    상기 제3 두께는 1078㎚ 내지 1122㎚ 범위이고,
    상기 제4 두께는 276㎚ 내지 288㎚ 범위이고,
    상기 제5 두께는 223㎚ 내지 233㎚ 범위인 시스템.
  17. 제11항에 있어서, 상기 제1 다이오드 영역과 상기 제2 다이오드 영역에 연결된 전기 컨택트들을 더 포함하고, 상기 전기 컨택트들은 상기 수신된 광으로부터 생성되는 상기 전자 신호를 제공하기 위한 것인 시스템.
  18. 제11항에 있어서, 상기 제1 다이오드 영역은 게르마늄을 포함하고, 상기 제2 다이오드 영역은 실리콘을 포함하며, 상기 제1 및 상기 제2 도핑 유형은 반대 극성의 것으로, 그 중 하나는 N-도핑 유형의 도핑이고 다른 하나는 P-도핑 유형의 도핑인 시스템.
  19. 제11항에 있어서, 상기 반사체는 DSOI(Double-Silicon-On-Insulator) 반사체인 시스템.
  20. 제11항에 있어서, 상기 광-검출기는 광-검출기들의 어레이인 시스템.
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