KR20130018680A - 성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법 - Google Patents
성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130018680A KR20130018680A KR1020127023259A KR20127023259A KR20130018680A KR 20130018680 A KR20130018680 A KR 20130018680A KR 1020127023259 A KR1020127023259 A KR 1020127023259A KR 20127023259 A KR20127023259 A KR 20127023259A KR 20130018680 A KR20130018680 A KR 20130018680A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- molded object
- flow path
- manufacturing apparatus
- cavity
- molded
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 41
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 25
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 8
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 5
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 35
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- -1 phosphorus compound Chemical class 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282472 Canis lupus familiaris Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B11/00—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses
- B30B11/02—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses using a ram exerting pressure on the material in a moulding space
- B30B11/08—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses using a ram exerting pressure on the material in a moulding space co-operating with moulds carried by a turntable
- B30B11/10—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses using a ram exerting pressure on the material in a moulding space co-operating with moulds carried by a turntable intermittently rotated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/04—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles using movable moulds
- B29C43/06—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles using movable moulds continuously movable in one direction, e.g. mounted on chains, belts
- B29C43/08—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles using movable moulds continuously movable in one direction, e.g. mounted on chains, belts with circular movement, e.g. mounted on rolls, turntables
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/10—Isostatic pressing, i.e. using non-rigid pressure-exerting members against rigid parts or dies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/36—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/361—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles with pressing members independently movable of the parts for opening or closing the mould, e.g. movable pistons
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
- B30B15/06—Platens or press rams
- B30B15/065—Press rams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
- B30B15/30—Feeding material to presses
- B30B15/302—Feeding material in particulate or plastic state to moulding presses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/10—Isostatic pressing, i.e. using non-rigid pressure-exerting members against rigid parts or dies
- B29C2043/106—Isostatic pressing, i.e. using non-rigid pressure-exerting members against rigid parts or dies using powder material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/25—Solid
- B29K2105/251—Particles, powder or granules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
성형체 제조 장치는, 캐비티를 가지는 성형형이 장착된 장치 본체와, 캐비티 내로 분체(粉體)를 공급하는 제1 유로 부재와, 캐비티 내의 분체를 압축하는 상부 펀치면을 가지는 상측 압축 부재와, 상부 펀치면과 함께 분체를 압축하는 하부 펀치면을 가지는 하측 압축 부재와, 이형한 성형체가 배출되는 제2 유로 부재를 구비하고 있다. 그리고, 장치 본체의 상면과, 캐비티를 구분 형성하는 벽면과, 제1 유로 부재의 내주면과, 제2 유로 부재의 내주면과, 상부 펀치면과, 하부 펀치면은, 그 총 표면적의 적어도 80% 이상이 비금속으로 구성되어 있다.
Description
본 발명은, 성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법에 관한 것이다.
수지제의 씰링재에 의해 반도체 칩(반도체 소자)을 피복(씰링)하여 이루어지는 반도체 패키지가 알려져 있다. 반도체 패키지의 씰링재는, 수지제의 성형체를, 예를 들면, 트랜스퍼(transfer) 성형 등에 의해 성형한 것이다. 이 성형체를 제조하는 과정에서는, 그 모재(母材)가 되는 수지 조성물을 타정기(打錠機)로 태블릿 모양(블록 모양)으로 압축 성형하는 것이 행해진다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 이 타정기에서는, 수지 조성물이 접촉하는 부분은, 통상, 금속제이며, 해당 부분이 마모하여, 금속 분말이 발생하는 경우가 있다. 특허 문헌 1에 기재된 발명은, 상기 금속 분말 등의 분말이 성형체에 부착한 경우, 그 분말을 공기로 날려 버리도록 구성되어 있다.
그렇지만, 특허 문헌 1에 기재된 발명에서는, 공기를 닿게하는 것 만으로는, 성형체에 부착한 분말을 충분히 날려 버릴 수 없다. 이 때문에, 성형체에 분말이 다소라도 잔류해 버린다. 잔류한 분말이 금속 분말이면, 그 성형체는, 금속 분말이 이물로서 혼입한 것으로 되어 버린다. 그리고, 이 성형체를 반도체 패키지의 씰링으로서 이용한 경우, 반도체 칩을 확실히 절연하여 씰링할 수 없어, 혼입한 금속 분말로 반도체 칩에 단락이 발생하는 경우가 있었다.
본 발명의 목적은, 수지 조성물을 압축 성형하여 성형체를 제조할 때에 해당 성형체에 금속 분말이 혼입하는 것을 확실히 방지할 수 있는 성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
이와 같은 목적은, 하기 (1) ~ (15)의 본 발명에 의해 달성된다.
(1) 성형 재료인 수지 조성물을 압축 성형하는 것에 의해서 성형체를 제조하는 성형체 제조 장치로서,
상기 수지 조성물이 공급되며, 상하 방향으로 개구하는 캐비티(cavity)를 가지는 성형형(成形型)이 적어도 1개 장착되고, 연직축 주위로 회전 가능한 판 모양을 이루는 장치 본체와,
상기 장치 본체가 소정 각도 회전한 제1 위치에서 상기 캐비티 내로 상기 수지 조성물을 공급할 때, 그 공급되는 수지 조성물이 통과하는 유로를 구성하는 관 모양을 이루는 제1 유로 부재와,
상기 장치 본체가 상기 제1 위치로부터 소정 각도 회전한 제2 위치에서 상기 캐비티 내에 그 상측으로부터 삽입되며, 해당 캐비티 내의 상기 수지 조성물을 압축하는 상부 펀치(punch)면을 가지는 상측 압축 부재와,
상기 제2 위치에서 상기 캐비티 내에 그 하측으로부터 삽입되며, 해당 캐비티 내의 상기 수지 조성물을 상기 상부 펀치면과 함께 압축하는 하부 펀치면을 가지는 하측 압축 부재와,
상기 장치 본체가 상기 제2 위치로부터 소정 각도 회전한 제3 위치에서, 상기 수지 조성물이 압축 성형된 상기 성형체를 이형(離型)하고, 해당 이형한 성형체가 상기 캐비티 내로부터 배출되었을 때, 그 배출된 성형체가 통과하는 유로를 구성하는 관 모양을 이루는 제2 유로 부재를 구비하며,
상기 장치 본체의 상면과, 상기 캐비티를 구분 형성하는 벽면과, 상기 제1 유로 부재의 내주면과, 상기 제2 유로 부재의 내주면과, 상기 상부 펀치면과, 상기 하부 펀치면은, 그 총 표면적의 적어도 80% 이상이 비금속으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형체 제조 장치.
(2) 상기 비금속은, 세라믹스 또는 수지 재료인 상기 (1)에 기재된 성형체 제조 장치.
(3) 상기 세라믹스는, 산화물계 세라믹스를 포함하는 것인 상기 (2)에 기재된 성형체 제조 장치.
(4) 상기 비금속은, 500gf의 하중에서 측정되는 그 비커스 경도 Hv(JIS Z 2244에 규정)가 1300 이상의 것인 상기 (1) 내지 상기 (3) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(5) 상기 장치 본체의 상면과, 상기 벽면과, 상기 상부 펀치면과, 상기 하부 펀치면을 각각 구성하는 상기 비금속은, 동일한 것인 상기 (1) 내지 상기 (4) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(6) 상기 제1 유로 부재의 내주면과, 상기 제2 유로 부재의 내주면을 각각 구성하는 상기 비금속은, 동일 또는 다른 것인 상기 (1) 내지 상기 (5) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(7) 상기 비금속은, 코팅에 의해 형성된 코팅막으로 되어 있는 상기 (1) 내지 상기 (6) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(8) 상기 코팅막의 두께는, 0.2 ~ 1mm인 상기 (7)에 기재된 성형체 제조 장치.
(9) 상기 캐비티는, 그 형상이 원기둥 모양을 이루는 것인 상기 (1) 내지 상기 (8) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(10) 상기 상부 펀치면과 상기 하부 펀치면은, 각각, 평면 또는 만곡(灣曲)한 오목면으로 구성되어 있는 상기 (1) 내지 상기 (9) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(11) 상기 제1 유로 부재의 내주면과, 상기 제2 유로 부재의 내주면은, 각각, 그 적어도 일부가 하측을 향해 경사하고 있는 상기 (1) 내지 상기 (10) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(12) 상기 캐비티를 구분 형성하는 벽면과, 상기 상부 펀치면과, 상기 하부 펀치면에는, 각각, 미리 이형제가 도포되어 있는 상기 (1) 내지 상기 (11) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(13) 상기 수지 조성물은, 분말 모양을 이루는 것인 상기 (1) 내지 상기 (12) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(14) 상기 성형체는, IC 패키지의 외장부(外裝部)를 구성하는 몰드부로 이루어지는 것인 상기 (1) 내지 상기 (13) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치.
(15) 상기 (1) 내지 상기 (14) 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치를 이용하여, 성형 재료인 수지 조성물을 압축 성형하여 성형체를 제조하는 것을 특징으로 하는 성형체의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 수지 조성물을 압축 성형하여 성형체를 제조할 때에 해당 성형체에 금속 분말이 혼입하는 것을 확실히 방지할 수 있는 성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 수지 조성물의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 성형체 제조 장치의 개략 사시도이다.
도 3은 도 2 중의 A-A선 단면도이다.
도 4는 도 2 중의 B-B선 단면도이다.
도 5는 도 2 중의 C-C선 단면도이다.
도 6은 수지 조성물을 이용한 IC 패키지의 부분 단면도이다.
도 2는 본 발명의 성형체 제조 장치의 개략 사시도이다.
도 3은 도 2 중의 A-A선 단면도이다.
도 4는 도 2 중의 B-B선 단면도이다.
도 5는 도 2 중의 C-C선 단면도이다.
도 6은 수지 조성물을 이용한 IC 패키지의 부분 단면도이다.
이하, 본 발명의 성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법을 첨부 도면에 나타내는 바람직한 실시 형태에 근거하여 상세하게 설명한다.
도 1은 수지 조성물의 제조 공정을 나타내는 도면, 도 2는 본 발명의 성형체 제조 장치의 개략 사시도, 도 3은 도 2 중의 A-A선 단면도, 도 4는 도 2 중의 B-B선 단면도, 도 5는 도 2 중의 C-C선 단면도, 도 6은 수지 조성물을 이용한 IC 패키지의 부분 단면도이다. 또한, 이하에서는, 설명의 편의상, 도 2 ~ 도 6 중의 위쪽을「상(上)」또는「상부」, 아래쪽을「하(下)」또는「하부」라고 한다.
도 2에 나타내는 본 발명의 성형체 제조 장치(타정 장치, 1)는, 수지 조성물로부터 성형체(Q2)를 제조할 때의 태블릿화 공정에서 사용되는 장치이다. 이 성형체 제조 장치(1)의 설명에 앞서, 우선은, 원재료로부터 수지 조성물을 제조할 때까지의 제조 공정의 전체를 설명한다.
우선, 수지 조성물의 원재료인 각 재료를 준비한다.
원재료는, 수지와, 경화제와, 충전재(미립자)를 가지며, 게다가 필요에 따라서, 경화 촉진제와 커플링제 등을 가지고 있다. 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 예를 들면, 크레졸 노볼락(kresol novolac)형, 비페닐(biphenyl)형, 디시클로펜타디엔(dicyclopentadiene)형, 트리페놀메탄(triphenolmethane)형, 다방향족환(多芳香族環)형 등을 들 수 있다.
경화제로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락(phenol novolac)형, 페놀 아랄킬(phenol aralkyl)형, 트리페놀메탄(triphenolmethane)형, 다방향족환(多芳香族環)형 등을 들 수 있다.
충전재로서는, 예를 들면, 용융 실리카(파쇄(破碎) 모양, 구(球) 모양), 결정 실리카, 알루미나 등을 들 수 있다.
경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인 화합물, 아민 화합물 등을 들 수 있다.
커플링제로서는, 예를 들면, 실란(silane) 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 원재료는, 상기 재료 중 소정의 재료가 생략되어 있어도 좋고, 또, 상기 이외의 재료를 포함하고 있어도 괜찮다. 다른 재료로서는, 예를 들면, 착색제, 이형제, 저응력제, 난연제 등을 들 수 있다.
난연제로서는, 예를 들면, 브롬화 에폭시 수지, 산화 안티몬(antimon), 논할로(non-halo)·논안티몬(non-antimon)계 등을 들 수 있다. 논할로·논안티몬계의 난연제로서는, 예를 들면, 유기인(有機燐), 금속 수화물, 질소 함유 수지 등을 들 수 있다.
(미분쇄)
도 1에 나타내는 바와 같이, 원재료 중의 소정의 재료에 대해서는, 우선, 연속식 회전 볼밀(ball-mill) 등의 분쇄 장치에 의해, 소정의 입도 분포가 되도록 분쇄(미분쇄)한다. 이 분쇄하는 원재료로서는, 예를 들면, 수지, 경화제, 촉진제 등의 충전재 이외의 원재료이지만, 충전재의 일부를 더할 수도 있다.
(표면 처리)
원재료 중의 소정의 재료, 예를 들면, 충전재의 전부 또는 일부(잔부)에 대해서는, 표면 처리를 실시할 수 있다. 이 표면 처리로서는, 예를 들면, 충전재의 표면에 커플링제 등을 부착시킨다. 또한, 상기 미분쇄와 표면 처리는, 동시에 행해도 좋고, 또, 어느 일방을 먼저 행해도 괜찮다.
(혼합)
다음에, 혼합 장치에 의해, 상기 각 재료를 완전하게 혼합한다. 이 혼합 장치로서는, 예를 들면, 회전 날개를 가지는 고속 혼합기 등을 이용할 수 있다.
(혼련)
다음에, 혼련 장치에 의해, 상기 혼합된 재료를 혼련한다. 이 혼련 장치로서는, 예를 들면, 1축형 혼련 압출기, 2축형 혼련 압출기 등의 압출 혼련기나 믹싱 롤 등의 롤식 혼련기를 이용할 수 있다.
(탈기)
다음에, 상기 혼련된 재료인 혼련물(수지 조성물)에 대해 탈기를 행한다. 이 탈기는, 예를 들면 혼련 장치의 상기 혼련된 재료를 배출하는 배출구에 접속된 진공 펌프에 의해서 행할 수 있다.
(시트화)
다음에, 상기 탈기된 덩어리 모양의 혼련물을, 성형 장치로 시트 모양으로 성형하여, 시트 모양의 재료(시트재)를 얻는다. 이 성형 장치로서는, 예를 들면, 한 쌍의 롤러를 가지며, 이들의 롤러 사이에서 혼련물을 가압하여 시트 모양으로 성형하는 장치를 이용할 수 있다.
(냉각)
다음에, 냉각 장치에 의해, 상기 시트 모양의 재료를 냉각한다. 이것에 의해, 재료의 분쇄를 용이하고 또한 확실히 행할 수 있다.
(분쇄)
다음에, 분쇄 장치에 의해, 상기 시트재를 소정의 입도 분포가 되도록 분쇄하고, 분말 모양의 재료(이하「분체(粉體, Q1)」라고 함)를 얻는다. 이 분쇄 장치로서는, 예를 들면, 해머식 분쇄기, 나이프식 분쇄기, 핀 밀(pin-mill) 등을 이용할 수 있다.
또한, 과립 모양 또는 분말 모양의 수지 조성물을 얻는 방법으로서는, 상기의 시트화, 냉각, 분쇄 공정을 거치지 않고, 예를 들면, 혼련 장치의 출구에 소경(小徑)을 가지는 다이스(dies)를 설치하여, 다이스로부터 토출되는 용융 상태의 수지 조성물을, 커터 등으로 소정의 길이로 절단하는 것에 의해서 과립 모양의 수지 조성물을 얻는 핫 컷(hot-cut)법을 이용할 수도 있다. 이 경우, 핫 컷법에 의해 과립 모양의 수지 조성물을 얻은 후, 수지 조성물의 온도가 너무 내리기 전에 탈기를 행하는 것이 바람직하다.
(태블릿화)
다음에, 성형체 제조 장치(1)를 이용하는 것에 의해, 다량의 분체(Q1)를 압축 성형하여 성형체(Q2)를 용이하고 또한 확실히 얻는다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 이 성형체(Q2)는, 예를 들면, 반도체 칩(IC 칩, 901)의 피복(씰링)에 이용되어, 반도체 패키지(IC 패키지, 900)의 외장부(外裝部)를 구성하는 몰드부(902)가 되는 것이다. 이 몰드부(902)에 의해, 반도체 칩(901)을 보호할 수 있다. 또한, 수지 조성물로 반도체 칩(901)을 피복하려면, 수지 조성물을, 예를 들면 트랜스퍼 성형 등에 의해 성형하고, 씰링재로서 반도체 칩(901)을 피복하는 방법을 들 수 있다. 도 6에 나타내는 구성의 반도체 패키지(900)는, 복수의 리드 프레임(903)이 몰드부(902)로부터 돌출하고 있으며, 각 리드 프레임(903)이 각각, 예를 들면 금 등과 같은 도전성을 가지는 금속 재료로 구성된 와이어(904)를 매개로, 반도체 칩(901)과 전기적으로 접속된 것으로 되어 있다.
다음에, 성형체 제조 장치(1)에 대해서 설명한다.
도 2에 나타내는 성형체 제조 장치(1)는, 본 발명의 성형체의 제조 방법을 실행할 때, 즉, 성형 재료인 분체(Q1, 수지 조성물)를 압축 성형하는 것에 의해서 성형체(Q2)를 제조할 때에 이용되는 장치이다.
성형체 제조 장치(1)는, 장치 본체(2)와, 장치 본체(2)에 장착되는 복수(도 2에 나타내는 구성에서는 8개)의 성형형(成形型, 3)과, 성형형(3)을 향하는 분체(Q1)가 통과하는 유로를 구성하는 제1 유로 부재(4)와, 성형형(3) 내의 분체(Q1)를 압축하는 상측 압축 부재(5)와, 상측 압축 부재(5)와 함께 성형형(3) 내의 분체(Q1)를 압축하는 하측 압축 부재(6)와, 압축 성형된 성형체(Q2)가 통과하는 유로를 구성하는 제2 유로 부재(7)를 구비하고 있다. 이하, 각 부의 구성에 대해서 설명한다.
장치 본체(2)는, 그 전체 형상이 원판 모양을 이루는 것이다. 장치 본체(2)는, 그 중심축(21)이 연직 방향과 평행이 되는 자세로 성형체 제조 장치(1)에 설치되어 있다. 그리고, 장치 본체(2)는, 중심축(21, 연직축) 주위로 회전할 수 있다. 또한, 장치 본체(2)는, 예를 들면 톱니 기어와 모터를 가지며, 해당 장치 본체(2)를 회전시키는 회전 기구(도시하지 않음)가 연결되어 있다.
이 장치 본체(2)는, 8개의 성형형(3)이 각각 장착, 고정되는 장착부(22)를 가지고 있다. 이들의 장착부(22)는, 장치 본체(2)의 중심축(21) 주위로 등(等)각도 간격으로 배치되어 있다. 또, 도 3, 도 4에 나타내는 바와 같이, 각 장착부(22)는, 각각, 장치 본체(2)의 상면(23)에 개구한 오목부로 구성되어 있다. 이 오목부의 형상은, 성형형(3)의 외형 형상에 대응한 형상, 즉, 도시한 구성에서는 원기둥 모양으로 되어 있다.
8개의 성형형(3)은, 서로 동일한 구성이기 때문에, 이하, 1개의 성형형(3)에 대해서 설명한다.
도 2 ~ 도 4에 나타내는 바와 같이, 성형형(3)은, 상하 방향으로 개구하는 원통 모양을 이루며, 그 중공부가 캐비티(cavity, 31)가 되는 부재이다. 캐비티(31)의 형상이 원기둥 모양을 이루고 있다. 이 캐비티(31)에 분체(Q1)를 공급하여 (충전하여), 해당 분체(Q1)가 압축 성형되면, 원기둥 모양의 성형체(Q2)를 얻을 수 있다(도 1 참조). 성형체(Q2)가 이와 같은 간단한 형상을 이루고 있는 것에 의해, 해당 성형체(Q2)는, 파손하기 어려운 것이 된다.
또, 성형형(3)의 캐비티(31)를 구분 형성하는 내주면(벽면, 32)은, 그 횡단면 형상이 원형이 된다. 이것에 의해, 예를 들면, 내주면(32)에 이형제를 도포할 때, 그 도포 작업을 용이하게 행할 수 있고, 또, 내주면(32) 전체에 이형제를 확실히 도포할 수 있다. 내주면(32)에 이형제를 미리 도포하는 것에 의해서, 성형체(Q2)의 이형을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 이형제로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 오르가노폴리실록산(organopolysiloxane) 등의 실리콘계 이형제, 폴리테트라플루오르에틸렌(polytetrafluoroethylene) 등의 불소계 이형제, 폴리비닐알코올 등의 알코올계 이형제, 파라핀(paraffin), 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 에스테르계 왁스, 폴리오레핀(polyolefin)계 왁스, 폴리에틸렌, 산화 폴리에틸렌 등의 왁스류 등을 들 수 있으며, 이들 중 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
도 2, 도 4에 나타내는 바와 같이, 상측 압축 부재(5)는, 성형형(3)의 캐비티(31) 내의 분체(Q1)를 압축하는, 길이가 긴 원기둥 모양을 이루는 부재이다.
상측 압축 부재(5)는, 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 지지되어 있다. 이것에 의해, 상측 압축 부재(5)를 캐비티(31) 내에 그 상측으로부터 삽입할 수 있으며, 그 반대로 캐비티(31) 내로부터 빼낼 수 있다. 또한, 상측 압축 부재(5)를 이동시키는 상기 이동 기구로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 유압 실린더 등을 가지는 구성의 것으로 할 수 있다.
또, 상측 압축 부재(5)는, 그 캐비티(31) 내에 삽입되는 삽입부(51)의 외경(外徑)이, 성형형(3)의 내경(內徑)보다 약간 작다. 삽입부(51)의 하면은, 분체(Q1)를 상측으로부터 압축하는 상부 펀치면(압축면, 52)을 구성하고 있다(도 4 참조). 상부 펀치면(52)은, 평면 모양을 이루고 있다. 상부 펀치면(52)이 이와 같은 간단한 형상을 이루고 있는 것에 의해, 예를 들면, 상부 펀치면(52)에 이형제를 도포할 때, 그 도포 작업을 용이하게 행할 수 있고, 또, 상부 펀치면(52) 전체에 이형제를 확실히 도포할 수 있다. 상부 펀치면(52)에 이형제를 미리 도포하는 것에 의해서, 성형체(Q2)의 이형을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 상부 펀치면(52)은 성형체(Q2)의 형상에도 의하지만 반드시 평면일 필요는 없다.
도 3, 도 4에 나타내는 바와 같이, 하측 압축 부재(6)는, 상측 압축 부재(5)와 함께, 성형형(3)의 캐비티(31) 내의 분체(Q1)를 압축하는, 길이가 긴 원기둥 모양을 이루는 부재이다.
하측 압축 부재(6)는, 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 지지되어 있다. 이것에 의해, 하측 압축 부재(6)를 캐비티(31) 내에 그 하측으로부터 삽입할 수 있고, 그 삽입 깊이를 변경할 수 있다(도 3, 도 4 참조). 또한, 하측 압축 부재(6)를 이동시키는 상기 이동 기구로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 유압 실린더 등을 가지는 구성의 것으로 할 수 있다.
또, 하측 압축 부재(6)는, 그 캐비티(31) 내에 삽입되는 삽입부(61)의 외경이, 성형형(3)의 내경보다 약간 작다. 삽입부(61)의 상면은, 분체(Q1)를 하측으로부터 압축하는 하부 펀치면(압축면, 62)을 구성하고 있다(도 4 참조). 하부 펀치면(62)은, 평면 모양을 이루고 있다. 하부 펀치면(62)이 이와 같은 간단한 형상을 이루고 있는 것에 의해, 예를 들면, 하부 펀치면(62)에 이형제를 도포할 때, 그 도포 작업을 용이하게 실시할 수 있고, 또, 하부 펀치면(62) 전체에 이형제를 확실히 도포할 수 있다. 하부 펀치면(62)에 이형제를 미리 도포하는 것에 의해서, 성형체(Q2)의 이형을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 하부 펀치면(62)은 성형체(Q2)의 형상에도 의하지만 반드시 평면일 필요는 없다.
도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 유로 부재(4)는, 1개의 성형형(3)의 캐비티(31) 내로 분체(Q1)를 공급할 때에 이용되는 부재이다. 제1 유로 부재(4)는, 횡단면 형상이 원형인 관모양체로 구성되며, 그 내부 빈 공간부를, 캐비티(31) 내로 공급되는 분체(Q1)가 통과할 수 있다.
제1 유로 부재(4)는, 하부를 향하여 개구하는 개구부를 가지며, 그 개구부가 분체(Q1)를 배출하는 배출구(41)로서 기능을 한다. 배출구(41)의 하부에 성형형(3)이 위치했을 때에, 분체(Q1)는, 배출구(41)로부터 배출되어, 성형형(3)의 캐비티(31) 내로 공급된다.
또, 제1 유로 부재(4)는, 그 길이 방향의 도중(途中)이 경사진 경사부(42)를 가지고 있다. 이 경사부(42)에서는, 제1 유로 부재(4)의 내주면(43)의 일부가 하부를 향해 경사져 있어, 분체(Q1)가 용이하게 아래로 흐를 수 있다. 이것에 의해, 성형형(3)에 분체(Q1)를 신속히 공급할 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 유로 부재(7)는, 장치 본체(2)의 원주 방향으로 제1 유로 부재(4)와 다른 위치에 설치되어 있다. 제2 유로 부재(7)는, 성형형(3)의 캐비티(31) 내로부터 배출된 성형체(Q2)가 통과하는 것이다. 이 제2 유로 부재(7)는, 횡단면 형상이 반원형인 관모양체로 구성되어 있다.
또, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제2 유로 부재(7)는, 그 전체(내주면(71))가 하부를 향해 경사져 있다. 이것에 의해, 성형체(Q2)가 용이하게 아래로 흐를 수 있고, 따라서, 신속히 회수된다. 또한, 회수처에는, 예를 들면, 복수의 성형체(Q2)를 수납하는 수납 트레이(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 얻어진 복수의 성형체(Q2)를 일괄하여 반송할 수 있다.
다음에, 성형체 제조 장치(1)의 동작, 즉, 각 성형형(3)에서 각각 성형체(Q2)가 성형될 때까지에 대해 설명한다. 여기에서는, 이해를 용이하게 하기 위해서, 8개의 성형형(3) 중, 대표적으로, 도 2에 나타내는 상태에서 제1 유로 부재(4)의 배출구(41)의 바로 아래에 위치하고 있는「성형형(3a1)」에서 성형되는 성형체(Q2)에 주목하여 설명한다.
장치 본체(2)가 초기 상태로부터 반시계 방향으로 소정 각도 회전하면, 이 위치(이하「제1 위치」라고 함)에서, 성형형(3a1)은, 제1 유로 부재(4)의 배출구(41)의 바로 아래에 위치한다(도 2, 도 3 참조). 제1 위치에서는, 제1 유로 부재(4)로부터 성형형(3a1)으로 분체(Q1)가 공급, 충전된다. 이 공급은, 분체(Q1)가 성형형(3a1)의 캐비티(31)로부터 넘치는 정도로 되며(도 3 참조), 그 넘친 여분의 부분(Q1')은, 분체(Q1)가 압축 성형되기 전에 제거된다. 이것에 의해, 분체(Q1)가 과부족 없이, 즉, 일정량 충전된다. 또한, 여분의 부분(Q1')의 제거는, 예를 들면, 스크레이퍼(scraper) 등을 이용하여 행할 수 있다.
다음에, 장치 본체(2)가 제1 위치로부터 반시계 방향으로 소정 각도(도 2 중에서는 45°) 회전하면, 성형형(3a1)이 제1 유로 부재(4)로부터 퇴피(退避)한다. 이 제1 위치로부터 이동하여 온 성형형(3a1)을「성형형(3a2)」이라고 부르기로 한다. 그리고, 이 퇴피 위치(이하「제2 위치」라고 함)에서는, 성형형(3a2)이 상측 압축 부재(5)의 바로 아래에 배치된다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 상측 압축 부재(5)가 하강하고, 하측 압축 부재(6)가 상승하는 것에 의해서, 상측 압축 부재(5) 상부 펀치면(52)과 하측 압축 부재(6)의 하부 펀치면(62)과의 사이에서, 캐비티(31) 내의 분체(Q1)가 압축된다. 이 압축 상태는, 장치 본체(2)가 후술하는 제3 위치로 올 때까지 유지된다. 그리고, 그 사이에 분체(Q1)가 압축 성형되어 굳어져, 성형체(Q2)가 된다.
다음에, 장치 본체(2)가 제2 위치로부터 반시계 방향으로 소정 각도(도 2 중에서는 135°) 회전한다. 이 제2 위치로부터 이동하여 온 성형형(3a2)을「성형형(3a3)」이라고 부르기로 한다. 그리고, 이 회전 후의 위치(이하「제3 위치」라고 함)에서, 상측 압축 부재(5)가 상승하고, 그 이동량 보다도 작은 이동량으로 하측 압축 부재(6)가 더 상승하면, 성형형(3a3)으로부터 성형체(Q2)가 이형(離型)한다. 그리고, 성형체(Q2)는, 이형하면서, 제2 유로 부재(7)로 향하게 되고, 해당 제2 유로 부재(7)를 통과하여 성형체 제조 장치(1) 외부에 배출된다(도 5 참조). 또한, 성형체(Q2)의 유로 부재(7)로의 이동은, 예를 들면, 스크레이퍼 등을 이용하여 행할 수 있다.
그런데, 성형체 제조 장치(1)에서는, 이하의 부분이 각각 비금속으로 구성되어 있다.
■ 장치 본체(2)의 상면(23)
■ 성형형(3)의 내주면(32)
■ 상측 압축 부재(5)의 상부 펀치면(52)
■ 하측 압축 부재(6)의 하부 펀치면(62)
■ 제1 유로 부재(4)의 내주면(43)
■ 제2 유로 부재(7)의 내주면(71)
그리고, 비금속은, 상기 각 면의 총 표면적의 적어도 80% 이상을 차지하고 있으며, 100%를 차지하고 있는 것이 바람직하다.
또, 비금속화는 상기 각 면에 더하여 앞서 예시된 스크레이퍼 표면 등도 비금속화 되어 있는 것이 바람직하다.
도 3 ~ 도 5에 나타내는 바와 같이, 장치 본체(2)의 상면(23), 성형형(3)의 내주면(32), 상측 압축 부재(5)의 상부 펀치면(52), 하측 압축 부재(6)의 하부 펀치면(62), 제1 유로 부재(4)의 내주면(43), 제2 유로 부재(7)의 내주면(71)은, 각각, 분체(Q1) 또는 성형체(Q2)가 접촉하는 부분(이하 이들의 부분을 일괄하여「접촉부(10)」라고 함)으로 되어 있다.
이와 같이 접촉부(10)가 비금속으로 구성되어 있는 것에 의해, 분체(Q1)로부터 성형체(Q2)를 제조하는 과정에서, 분체(Q1)나 성형체(Q2)가 접촉부(10)와 접촉하여, 이들의 사이에 마찰이 생기고, 접촉부(10)가 마모하여 일부가 깎인다고 해도, 그 깎인 것은, 당연히 비금속이다. 이것에 대해, 예를 들면 접촉부(10)가 금속제인 경우에는, 성형체(Q2)를 제조할 때에, 전술한 바와 같은 마모에 의해, 해당 접촉부(10)로부터 금속 분말이 생기고, 그 금속 분말이 혼입한 성형체(Q2)가 되어 버린다. 그렇지만, 성형체 제조 장치(1)에서는, 이와 같은 금속 분말이 성형체(Q2)에 혼입하는 것을 확실히 방지할 수 있다(금속 증가율에서 1.0wtppm 이하, 바람직하게는 0.1wtppm 이하). 또, 상기 깎인 비금속이 성형체(Q2)에 혼입해도, 그 성형체(Q2)는, 반도체 패키지(900)의 몰드부(902)에 사용하는데 충분히 견딜 수 있는 것이다.
또한, 비금속으로서는, 세라믹스 또는 수지 재료를 들 수 있으며, 특히, 세라믹스가 바람직하다. 이 세라믹스로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 알루미나, 실리카, 티타니아(titania), 지르코니아(zirconia), 이트리아(yttria), 인산 칼슘 등의 산화물 세라믹스, 질화 규소, 질화 알루미늄, 질화 티탄, 질화 붕소 등의 질화물 세라믹스, 텅스텐 카바이드 등의 탄화물계 세라믹스, 혹은, 이들 중의 2 이상을 임의로 조합한 복합 세라믹스를 들 수 있다. 이 중에서도 특히, 산화물계 세라믹스를 포함하는 것인 것이 바람직하다. 접촉부(10)를 구성하는 세라믹스로서 산화물계 세라믹스를 이용하는 것에 의해, 내마모성이 뛰어난 접촉부(10)가 된다.
접촉부(10)를 구성하는 산화계 세라믹스로서, 500gf의 하중에서 측정되는 상기 세라믹스(비금속)의 비커스 경도 Hv(JIS Z 2244에 규정)는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 1300 이상인 것이 바람직하며, 1500 ~ 1700인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 보다 내마모성에 뛰어난 접촉부(10)가 된다. 상기 수치 범위의 비커스 경도 Hv를 가지는 산화계 세라믹스로서는, 예를 들면, 지르코니아나 순도가 높은 알루미나 등을 들 수 있다.
그리고, 장치 본체(2)의 상면(23)을 세라믹스로 구성하는 경우에는, 그 구성하고 싶은 부분에 세라믹스로 코팅을 실시하여, 코팅막(24)을 형성할 수 있다(도 3, 도 4 참조). 이것과 마찬가지로, 성형형(3)의 내주면(32)을 세라믹스로 구성하는 경우에는, 그 구성하고 싶은 부분에 코팅막(33)을 형성할 수 있다(도 3, 도 4 참조). 상측 압축 부재(5)의 상부 펀치면(52)에서 구성하는 경우에는, 그 구성하고 싶은 부분에 코팅막(53)을 형성할 수 있다(도 4 참조). 하측 압축 부재(6)의 하부 펀치면(62)에서 구성하는 경우에는, 그 구성하고 싶은 부분에 코팅막(63)을 형성할 수 있다(도 3, 도 4 참조). 제1 유로 부재(4)의 내주면(43)에서 구성하는 경우에는, 그 구성하고 싶은 부분에 코팅막(44)을 형성할 수 있다(도 3 참조). 제2 유로 부재(7)의 내주면(71)에서 구성하는 경우에는, 그 구성하고 싶은 부분에 코팅막(72)을 형성할 수 있다(도 5 참조). 또, 이들의 경우, 각 부재의 코팅막이 형성되어 있는 부분 이외의 부분은, 예를 들면, 금속 재료로 구성할 수 있다. 또, 세라믹스의 코팅막을 형성하는 것 외에, 장치 본체(2), 성형형(3), 상측 압축 부재(5), 하측 압축 부재(6), 제1 유로 부재(4), 제2 유로 부재(7)를 각각, 그 전체를 세라믹스 등의 비금속으로 구성할 수도 있다.
이와 같은 구성에 의해, 접촉부(10)가 용이하고 또한 확실히 세라믹스로 구성된 것이 된다.
또한, 코팅막(24, 33, 53, 63, 44 및 72)의 두께는, 각각, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0.2 ~ 1mm인 것이 바람직하며, 0.3 ~ 0.5mm인 것이 보다 바람직하다. 또, 각 막의 두께는, 동일해도 좋고, 달라도 괜찮다. 각 막의 두께가 동일한 경우에는, 예를 들면, 해당 각 막을 형성하는 형성 장치의 설정 조건을 동일한 것으로 할 수 있어, 막 형성이 용이해진다. 마모의 정도를 고려하여, 부하가 걸리는 면, 예를 들면 상부 펀치면(52)의 코팅막(53)이나 하부 펀치면(62)의 코팅막(63)을 다른 코팅막(24, 33, 44) 보다도 두껍게 하는 등, 마모의 정도에 따른 막두께로 할 수도 있다. 이것에 의해, 코팅막(53, 63)의 강도를 확보하거나, 부재 교환 등의 유지 보수를 필요로 할 때까지의 시간을 길게 하거나 할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또, 장치 본체(2)의 코팅막(24, 상면(23))과, 성형형(3)의 코팅막(33, 내주면(32))과, 상측 압축 부재(5)의 코팅막(53, 상부 펀치면(52))과, 하측 압축 부재(6)의 코팅막(63, 하부 펀치면(62))을 각각 구성하는 세라믹스(비금속)는, 동일한 것, 예를 들면, 지르코니아인 것이 바람직하다. 지르코니아는, 세라믹 중에서도 파괴 인성에 뛰어난 것이기 때문에, 상기 각 면과 같이 회전 및/또는 슬라이딩 하는 부분에 지르코니아를 사용하는 것에 의해서, 코팅막의 파손을 방지할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또, 성형형(3)의 코팅막(33)과, 상측 압축 부재(5)의 코팅막(53)과, 하측 압축 부재(6)의 코팅막(63)이 각각 세라믹스로 구성되어 있는 경우, 각 표면에 각각 미소(微小)한 요철을 형성해도 좋다. 이 미소한 요철에서 상기 이형제가 유지되어, 이형제 도포 1회당의 도포량을 비교적 적은 것으로 할 수 있고, 또, 성형체 제조 장치(1)의 사용 도중에서의 이형제의 도포 회수도 비교적 적은 것으로 할 수 있다.
또, 제1 유로 부재(4)의 코팅막(44, 내주면(43))과, 제2 유로 부재(7)의 코팅막(72, 내주면(71))을 각각 구성하는 비금속은, 동일 또는 다른 것이다. 구성 재료가 동일한 것인 경우로서, 예를 들면, 강도, 마모의 마진(margin)을 높인다고 하는 관점에서, 코팅막(44) 및 코팅막(72)을 아울러 지르코니아로 구성된 것으로 할 수 있다. 한편, 구성 재료가 다른 경우로서는, 막에 접촉하는 부하에 따른 막 소재를 선택할 수 있어, 예를 들면, 코팅막(44)이 지르코니아로 구성되어, 코팅막(72)이 나일론으로 구성된 것 등으로 할 수 있다. 또, 사양에 의해서 적절히 재질을 선택할 수도 있다. 또, 구성 재료를 다른 것으로 하는 경우에는, 파우더의 부착, 막힘의 저감, 혹은 설비의 경량화 등에 의해 작업성을 용이한 것으로 할 수 있다고 하는 이점도 있다.
이상, 본 발명의 성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법을 도시한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 성형체 제조 장치를 구성하는 각 부는, 동일한 기능을 발휘할 수 있는 임의의 구성의 것과 치환할 수 있다. 또, 임의의 구성물이 부가되어 있어도 괜찮다.
또, 본 발명의 성형체 제조 장치에서는, 장치 본체에 장착되는 성형형의 설치 개수는, 도시한 구성에서는 8개이지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 1개, 2개, 3개, 4개, 5개, 6개, 7개 또는 9개 이상이어도 괜찮다.
또, 본 발명의 성형체 제조 장치에서는, 상측 압축 부재의 상부 펀치면 및 하측 압축 부재의 하부 펀치면은, 각각, 도시한 구성에서는 평면으로 구성되어 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 만곡한 오목면으로 구성되어 있어도 괜찮다. 이 경우, 상부 펀치면 및 하부 펀치면 중, 쌍방이 만곡한 오목면으로 구성되어 있어도 괜찮고, 일방이 평면으로 구성되고, 타방이 만곡한 오목면으로 구성되어 있어도 괜찮다.
또, 상측 압축 부재, 하측 압축 부재와 성형형의 크기(즉 성형체(Q2)의 사이즈)는 변경 가능(탈착 가능)한 구조라도 괜찮다.
또, 본 발명의 성형체 제조 장치에서는, 제1 유로 부재는, 도시한 구성에서는 횡단면 형상이 원형을 이루는 관모양체로 구성되어 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 제2 유로 부재와 같이, 횡단면 형상이 반원형을 이루는 관모양체로 구성되어 있어도 괜찮다.
또, 본 발명의 성형체 제조 장치에서는, 제2 유로 부재는, 도시한 구성에서는 횡단면 형상이 반원형을 이루는 관모양체로 구성되어 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 제1 유로 부재와 같이, 횡단면 형상이 원형을 이루는 관모양체로 구성되어 있어도 괜찮다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명에 의하면, 수지 조성물 또는 성형체가 접촉하는 부분(이하 이 부분을「접촉부」라고 함)이 비금속으로 확실히 구성된다. 그리고, 수지 조성물을 압축 성형하여 성형체를 제조할 때에, 수지 조성물이나 성형체가 접촉부와 접촉하여, 이들의 사이에 마찰이 생겨, 접촉부가 마모하여 일부가 깎인다고 해도, 그 깎인 것은, 당연히 비금속이다. 이것에 대해, 예를 들면 접촉부가 금속제인 경우에는, 성형체를 제조할 때에, 전술한 바와 같은 마모에 의해, 해당 접촉부로부터 금속 분말이 생겨, 그 금속 분말이 혼입한 성형체가 되어 버린다. 그렇지만, 본 발명에서는, 이와 같은 금속 분말이 성형체에 혼입하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 산업상의 이용 가능성을 가진다.
Claims (15)
- 성형 재료인 수지 조성물을 압축 성형하는 것에 의해서 성형체를 제조하는 성형체 제조 장치로서,
상기 수지 조성물이 공급되며, 상하 방향으로 개구하는 캐비티(cavity)를 가지는 성형형(成形型)이 적어도 1개 장착되고, 연직축 주위로 회전 가능한 판 모양을 이루는 장치 본체와,
상기 장치 본체가 소정 각도 회전한 제1 위치에서 상기 캐비티 내로 상기 수지 조성물을 공급할 때, 그 공급되는 수지 조성물이 통과하는 유로를 구성하는 관 모양을 이루는 제1 유로 부재와,
상기 장치 본체가 상기 제1 위치로부터 소정 각도 회전한 제2 위치에서 상기 캐비티 내에 그 상측으로부터 삽입되며, 해당 캐비티 내의 상기 수지 조성물을 압축하는 상부 펀치(punch)면을 가지는 상측 압축 부재와,
상기 제2 위치에서 상기 캐비티 내에 그 하측으로부터 삽입되며, 해당 캐비티 내의 상기 수지 조성물을 상기 상부 펀치면과 함께 압축하는 하부 펀치면을 가지는 하측 압축 부재와,
상기 장치 본체가 상기 제2 위치로부터 소정 각도 회전한 제3 위치에서, 상기 수지 조성물이 압축 성형된 상기 성형체를 이형(離型)하고, 해당 이형한 성형체가 상기 캐비티 내로부터 배출되었을 때, 그 배출된 성형체가 통과하는 유로를 구성하는 관 모양을 이루는 제2 유로 부재를 구비하며,
상기 장치 본체의 상면과, 상기 캐비티를 구분 형성하는 벽면과, 상기 제1 유로 부재의 내주면과, 상기 제2 유로 부재의 내주면과, 상기 상부 펀치면과, 상기 하부 펀치면은, 그 총 표면적의 적어도 80% 이상이 비금속으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형체 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 비금속은, 세라믹스 또는 수지 재료인 성형체 제조 장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 세라믹스는, 산화물계 세라믹스를 포함하는 것인 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 있어서,
상기 비금속은, 500gf의 하중에서 측정되는 그 비커스 경도 Hv(JIS Z 2244에 규정)가 1300 이상의 것인 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나에 있어서,
상기 장치 본체의 상면과, 상기 벽면과, 상기 상부 펀치면과, 상기 하부 펀치면을 각각 구성하는 상기 비금속은, 동일한 것인 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나에 있어서,
상기 제1 유로 부재의 내주면과, 상기 제2 유로 부재의 내주면을 각각 구성하는 상기 비금속은, 동일 또는 다른 것인 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나에 있어서,
상기 비금속은, 코팅에 의해 형성된 코팅막으로 되어 있는 성형체 제조 장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 코팅막의 두께는, 0.2 ~ 1mm인 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나에 있어서,
상기 캐비티는, 그 형상이 원기둥 모양을 이루는 것인 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 하나에 있어서,
상기 상부 펀치면과 상기 하부 펀치면은, 각각, 평면 또는 만곡(灣曲)인 오목면으로 구성되어 있는 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나에 있어서,
상기 제1 유로 부재의 내주면과, 상기 제2 유로 부재의 내주면은, 각각, 그 적어도 일부가 하측을 향해 경사져 있는 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 하나에 있어서,
상기 캐비티를 구분 형성하는 벽면과, 상기 상부 펀치면과, 상기 하부 펀치면에는, 각각, 미리 이형제가 도포되어 있는 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 하나에 있어서,
상기 수지 조성물은, 분말 모양을 이루는 것인 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 하나에 있어서,
상기 성형체는, IC 패키지의 외장부(外裝部)를 구성하는 몰드부로 이루어지는 것인 성형체 제조 장치. - 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 하나에 기재된 성형체 제조 장치를 이용하여, 성형 재료인 수지 조성물을 압축 성형하여 성형체를 제조하는 것을 특징으로 하는 성형체의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2010-078896 | 2010-03-30 | ||
JP2010078896A JP5636719B2 (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 成形体製造装置および成形体の製造方法 |
PCT/JP2011/054587 WO2011122202A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-03-01 | 成形体製造装置および成形体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130018680A true KR20130018680A (ko) | 2013-02-25 |
KR101755060B1 KR101755060B1 (ko) | 2017-07-06 |
Family
ID=44711931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127023259A KR101755060B1 (ko) | 2010-03-30 | 2011-03-01 | 성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8845942B2 (ko) |
JP (1) | JP5636719B2 (ko) |
KR (1) | KR101755060B1 (ko) |
CN (1) | CN102802929B (ko) |
SG (1) | SG184285A1 (ko) |
TW (1) | TWI505379B (ko) |
WO (1) | WO2011122202A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101998110B1 (ko) * | 2019-03-27 | 2019-07-09 | 주식회사 제이케이메탈소재 | 전자기 발사체와 알루미늄 분말을 이용한 파렛트 제조 장치 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2844449B1 (en) | 2012-05-02 | 2020-09-02 | Intellectual Property Holdings, LLC | Ceramic preform and method |
DE102014209661A1 (de) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | Bundesdruckerei Gmbh | Presswerkzeug und Verwendung einer Keramikfolie als Presswerkzeug sowie Verfahren zur Herstellung einer Keramikfolie |
JP6672319B2 (ja) | 2014-10-20 | 2020-03-25 | インテレクチュアル プロパティ ホールディングス, エルエルシー | セラミックプリフォームおよび方法 |
CN104369411B (zh) * | 2014-11-05 | 2016-03-16 | 福建省尤溪县沈郎食用油有限公司 | 自动榨油机 |
CN105034436B (zh) * | 2015-07-22 | 2017-05-03 | 北京神雾环境能源科技集团股份有限公司 | 压块机 |
WO2017018365A1 (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 株式会社青木科学研究所 | 高密度の焼結体を生産するための金型潤滑油、金型潤滑油のスプレー塗布装置、スプレー塗布装置を備えた圧粉体成形装置、それを用いた圧粉体成形方法、およびその方法によって得られる焼結体 |
US10357846B2 (en) | 2015-12-31 | 2019-07-23 | Intellectual Property Holdings, Llc | Metal matrix composite vehicle component and method |
CN108698122B (zh) | 2016-02-04 | 2021-11-26 | 知识产权控股有限责任公司 | 用于形成金属基质复合物构件的装置及方法 |
EP3222414B1 (de) * | 2016-03-24 | 2019-07-17 | Korsch AG | Rundlaufpresse mit stempeln mit mindestens zwei höhengestaffelten stempelspitzen zum ausführen von mehreren pressvorgängen während eines rundlaufes |
US10830296B2 (en) | 2017-04-21 | 2020-11-10 | Intellectual Property Holdings, Llc | Ceramic preform and method |
CN114228196B (zh) * | 2021-11-11 | 2023-07-28 | 三峡大学 | 一种薄壁石墨加热管高效成形方法 |
CN114228197B (zh) * | 2021-11-11 | 2023-08-01 | 三峡大学 | 用于薄壁石墨加热管的成型装置及方法 |
GB2621378A (en) * | 2022-08-10 | 2024-02-14 | I Holland Ltd | A die table segment |
CN117681364B (zh) * | 2024-02-04 | 2024-05-03 | 江苏艺彩粉末新材料有限公司 | 一种低温固化聚酯树脂粉末生产设备 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4197066A (en) * | 1979-02-02 | 1980-04-08 | High Pressure Technology, Inc. | Apparatus for making diamonds |
US4225300A (en) * | 1979-08-27 | 1980-09-30 | High Pressure Technology, Inc. | Reliable high pressure apparatus |
JP2584010Y2 (ja) * | 1992-07-20 | 1998-10-30 | 旭光学工業株式会社 | 粉体成形装置 |
JP2593280B2 (ja) * | 1993-03-29 | 1997-03-26 | 日本碍子株式会社 | セラミック製プレス金型 |
JP3554580B2 (ja) * | 1994-03-01 | 2004-08-18 | 塩野義製薬株式会社 | 粉末材料圧縮成形装置の排出シュート |
US5672364A (en) * | 1994-07-07 | 1997-09-30 | Sankyo Seisakusho Co. & Eisai Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing tablets |
JP3445004B2 (ja) * | 1995-01-10 | 2003-09-08 | 日本碍子株式会社 | プレス金型 |
JPH11290806A (ja) | 1998-04-15 | 1999-10-26 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 錠剤表面の粉取り装置 |
US6106267A (en) * | 1998-06-05 | 2000-08-22 | Aylward; John T. | Apparatus for forming a compression-molded product |
JP2000052328A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 粉末成形体の製造方法及び粉末焼結体の製造方法 |
US6482349B1 (en) * | 1998-11-02 | 2002-11-19 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Powder pressing apparatus and powder pressing method |
WO2000044554A1 (fr) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Maillet de compression à revêtement traité |
JP2002301597A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-15 | Shinmei Ind Co Ltd | ロータリープレス装置 |
CN101045852B (zh) | 2001-10-30 | 2011-02-09 | 日立化成工业株式会社 | 密封材料片、其制造方法和电子元件装置 |
JPWO2003051621A1 (ja) | 2001-12-19 | 2005-04-28 | 株式会社菊水製作所 | 回転式粉末圧縮成形機 |
US7033156B2 (en) * | 2002-04-11 | 2006-04-25 | Luka Gakovic | Ceramic center pin for compaction tooling and method for making same |
US20060216347A1 (en) * | 2003-08-25 | 2006-09-28 | Federico Stroppolo | Tablet punches and methods for tableting |
DK1782944T3 (da) | 2004-08-26 | 2014-09-01 | Kikusui Seisakusho Ltd | Maskine til formning med rotationskompression, som anvender et stempel |
JP4889211B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2012-03-07 | 京セラ株式会社 | 回転式粉末圧縮成形機とこれを用いた圧縮成形方法 |
GB2462454B (en) * | 2008-08-06 | 2012-06-06 | Patheon Uk Ltd | Rapid low-cost manufacture of tablets using disposable equipment |
-
2010
- 2010-03-30 JP JP2010078896A patent/JP5636719B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-01 KR KR1020127023259A patent/KR101755060B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-03-01 WO PCT/JP2011/054587 patent/WO2011122202A1/ja active Application Filing
- 2011-03-01 SG SG2012071551A patent/SG184285A1/en unknown
- 2011-03-01 US US13/637,032 patent/US8845942B2/en active Active
- 2011-03-01 CN CN201180013982.2A patent/CN102802929B/zh active Active
- 2011-03-14 TW TW100108523A patent/TWI505379B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101998110B1 (ko) * | 2019-03-27 | 2019-07-09 | 주식회사 제이케이메탈소재 | 전자기 발사체와 알루미늄 분말을 이용한 파렛트 제조 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102802929A (zh) | 2012-11-28 |
US8845942B2 (en) | 2014-09-30 |
JP2011206839A (ja) | 2011-10-20 |
SG184285A1 (en) | 2012-10-30 |
TWI505379B (zh) | 2015-10-21 |
CN102802929B (zh) | 2015-04-22 |
WO2011122202A1 (ja) | 2011-10-06 |
KR101755060B1 (ko) | 2017-07-06 |
TW201145414A (en) | 2011-12-16 |
JP5636719B2 (ja) | 2014-12-10 |
US20130015607A1 (en) | 2013-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20130018680A (ko) | 성형체 제조 장치 및 성형체의 제조 방법 | |
KR101825758B1 (ko) | 분쇄장치 및 분쇄방법 | |
KR102215273B1 (ko) | 중합체/질화붕소 배합물로부터 제조되는 구성 부품, 그러한 구성 부품을 제조하기 위한 중합체/질화붕소 배합물 및 이의 용도 | |
KR20120139678A (ko) | 교반?혼합 장치 및 반도체 씰링용 수지 조성물의 제조 방법 | |
CN105308111A (zh) | 通过聚合物/氮化硼复合物的热塑性加工所制备的组成部件、用于制备此类组成部件的聚合物/氮化硼复合物及其用途 | |
KR20130028047A (ko) | 냉각장치 및 냉각방법 | |
CN106061703A (zh) | 通过聚合物/氮化硼复合物的热塑性加工所制备的组成部件、用于制备此类组成部件的聚合物/氮化硼复合物,用于制备此类组成部件的方法及其用途 | |
KR101859781B1 (ko) | 혼련 장치 및 반도체 씰링용 수지 조성물의 제조 방법 | |
TWI523746B (zh) | 成形裝置及成形方法 | |
TWI551352B (zh) | 半導體密封用樹脂組成物之製造方法及粉碎裝置 | |
KR20130038185A (ko) | 입자제조장치, 입자제조방법 및 반도체 봉지용 수지조성물의 제조방법 | |
KR100691063B1 (ko) | 반도체 밀봉용 태블릿의 제법 및 그에 의해 수득된 반도체 밀봉용 태블릿 및 이를 이용한 반도체 장치 | |
JP4321016B2 (ja) | エポキシ樹脂成形材料タブレットの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal |