KR20120130064A - 봉지용 시트 및 전자 부품 장치 - Google Patents

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KR20120130064A
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유사쿠 시미즈
에이지 도요다
도모 야마구치
야스노부 이나
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

봉지용 시트는, 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지와 경화제와 무기 충전제를 혼련하여 얻어지는 혼련물을 소성 가공하는 것에 의해 얻어진다.
[화학식 1]
Figure pat00017

(상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 동일 또는 상이하고, 메틸기 또는 수소 원자를 나타내고, X는 -CH2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다.)

Description

봉지용 시트 및 전자 부품 장치{ENCAPSULATING SHEET AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은, 봉지용 시트 및 전자 부품 장치, 상세하게는, 각종 산업 제품의 봉지에 사용되는 봉지용 시트, 및 그 봉지용 시트에 의해 봉지된 전자 부품을 구비하는 전자 부품 장치에 관한 것이다.
최근, 실장(實裝) 기판 상의 반도체 소자, 콘덴서, 저항 소자 등의 전자 부품의 봉지에, 취급성이 우수한 봉지용 시트가 널리 사용되고 있다.
이러한 봉지용 시트로서는, 예컨대 에폭시 수지, 경화제, 겔화제(가요성 부여제) 및 충전제 등을 배합하여 조제한 바니쉬(조성물)를 필름 상에 도포하는 것에 의해 성막된 겔 형상 에폭시 수지 시트가 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허공개 제2006-19714호 공보 및 일본 특허공개 제2003-17979호 공보 참조).
일본 특허공개 제2006-19714호 공보 및 일본 특허공개 제2003-17979호 공보에 기재된 겔 형상 에폭시 수지 시트는, 상기한 바와 같이, 각종 성분을 배합하여 바니쉬(조성물)를 조제한 후, 그 바니쉬를 필름상에 도포하는 것에 의해 성막되어, 제작된다.
그러나, 이러한 제작에서는, 겔 형상 에폭시 수지 시트에서의 충전제의 배합 비율이 일정치 이상이면, 바니쉬를 필름 상에 도포할 때에, 성막할 수 없는 경우가 있다.
그 때문에, 겔 형상 에폭시 수지 시트의 성능의 향상을 충분히 도모할 수 없는 경우가 있다.
또한, 일본 특허공개 제2006-19714호 공보 및 일본 특허공개 제2003-17979호 공보에 기재된 겔 형상 에폭시 수지 시트와 같은 봉지용 시트에서는, 봉지용 시트로서 사용 가능한 가요성을 얻기 위해서, 다량의 가요성 부여제(겔화제)가 배합되는 경우가 있다. 한편, 다량의 가요성 부여제가 봉지용 시트에 배합되면, 그 봉지용 시트의 접착성 및 내열성이 저하된다고 하는 불량이 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 충전제의 배합 비율을 증가시킬 수 있고, 또한 접착성 및 내열성의 향상을 도모할 수 있는 봉지용 시트, 및 그 봉지용 시트에 의해 봉지된 전자 부품을 구비하는 전자 부품 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 봉지용 시트는, 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지와 경화제와 무기 충전제를 혼련하여 얻어지는 혼련물을 소성(塑性) 가공하는 것에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하고 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 동일 또는 상이하고, 메틸기 또는 수소 원자를 나타내고, X는 -CH2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다.)
또한, 본 발명에서는, 상기 경화제가 바이페닐아르알킬 골격을 갖는 페놀 수지인 것이 적합하다.
또한, 본 발명에서는, 상기 혼련물에 추가로 가요성 부여제가 혼련되어 있는 것이 적합하다.
또한, 본 발명에서는, 상기 가요성 부여제가 스타이렌 골격을 갖는 엘라스토머인 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 전자 부품 장치는, 상기한 봉지용 시트를 경화시킴으로써 전자 부품을 봉지하여 얻어지는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 봉지용 시트는, 상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지와 경화제와 무기 충전제를 혼련하여 얻어지는 혼련물을 소성 가공하는 것에 의해 얻어진다.
즉, 에폭시 수지나 무기 충전제를 함유하는 바니쉬를 필름 상에 도포하지 않고 봉지용 시트가 형성되기 때문에, 무기 충전제의 배합 비율을 증가시킬 수 있다.
그 결과, 봉지용 시트의 성능의 향상을 충분히 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 봉지용 시트는, 다량의 가요성 부여제를 배합하지 않아도 충분한 가요성을 갖기 때문에, 그 접착성 및 내열성의 향상을 도모할 수 있다.
따라서, 본 발명의 봉지용 시트는, 무기 충전제의 배합 비율을 증가시킬 수 있고, 또한 그 접착성 및 내열성의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 봉지용 시트의 일 실시 형태에 의해 전자 부품을 봉지하여 전자 부품 장치를 제작하는 공정을 나타내는 공정도로서,
(a)는 전자 부품을 실장 기판 상에 설치하는 공정,
(b)는 그 전자 부품 상에 봉지용 시트를 배치하는 공정,
(c)는 봉지용 시트를 가열하여 경화시키는 공정을 나타낸다.
본 발명의 봉지용 시트는 각종 산업 제품의 봉지에 사용되고, 시트 형상의 혼련물로부터 형성되고 있다.
혼련물은 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지와 경화제와 무기 충전제를 함유하고 있다.
[화학식 1]
Figure pat00002
(상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 동일 또는 상이하고, 메틸기 또는 수소 원자를 나타내고, X는 -CH2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다.)
상기 화학식 1에서의 R1 내지 R4는 벤젠환에 치환되는 메틸기 또는 수소 원자를 나타내고, 바람직하게는 R1 내지 R4의 전체가 메틸기 또는 수소 원자이다.
이러한 에폭시 수지로서는, 예컨대 하기 화학식 2 내지 4로 표시되는 비스페놀 F형 에폭시 수지, 예컨대 하기 화학식 5 내지 7로 표시되는 4,4'-싸이오비스페놀형 에폭시 수지, 예컨대 하기 화학식 8 내지 10으로 표시되는 4,4'-옥시비스페놀형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
이러한 에폭시 수지 중에서는, 유연성을 고려하면, 바람직하게는 하기 화학식 2로 표시되는 비스페놀 F형 에폭시 수지, 하기 화학식 5로 표시되는 4,4'-싸이오비스페놀형 에폭시 수지, 하기 화학식 8로 표시되는 4,4'-옥시비스페놀형 에폭시 수지를 들 수 있고, 비점착(tuckless)의 관점을 고려하면, 더욱 바람직하게는, 하기 화학식 2로 표시되는 비스페놀 F형 에폭시 수지를 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00003
[화학식 3]
Figure pat00004
[화학식 4]
Figure pat00005
[화학식 5]
Figure pat00006
[화학식 6]
Figure pat00007
[화학식 7]
Figure pat00008
[화학식 8]
Figure pat00009
[화학식 9]
Figure pat00010
[화학식 10]
이러한 에폭시 수지는 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 예컨대 90 내지 800g/eq, 바람직하게는 100 내지 500g/eq이다.
또한, 이러한 에폭시 수지의 연화점은, 예컨대 30 내지 100℃, 바람직하게는 40 내지 90℃이다.
이러한 에폭시 수지의 함유 비율은, 혼련물 100질량부에 대하여, 예컨대 1 내지 50질량부, 봉지용 시트의 가요성을 고려하면, 바람직하게는 3 내지 20질량부, 더욱 바람직하게는 4 내지 8질량부이다.
경화제는 상기한 에폭시 수지의 경화제로서, 특별히 제한되지 않고, 예컨대 페놀 수지, 산 무수물계 화합물, 아민계 화합물 등을 들 수 있다.
페놀 수지로서는, 예컨대 페놀노보락 수지, 페놀아르알킬 수지, 바이페닐아르알킬 수지(바이페닐아르알킬 골격을 갖는 페놀 수지), 다이사이클로펜타다이엔형 페놀 수지, 크레졸노볼락 수지, 레졸 수지 등을 들 수 있다.
산 무수물계 화합물로서는, 예컨대 무수 프탈산, 무수 말레산, 테트라하이드로프탈산 무수물, 헥사하이드로프탈산 무수물, 메틸나딕산 무수물, 피로멜리트산 무수물, 도데센일석신산 무수물, 다이클로로석신산 무수물, 벤조페논테트라카복실산 무수물, 클로렌딕산 무수물 등을 들 수 있다.
아민계 화합물로서는, 예컨대 에틸렌다이아민, 프로필렌다이아민, 다이에틸렌트라이아민, 트라이에틸렌테트라민, 그들의 아민 어덕트, 메타페닐렌다이아민, 다이아미노다이페닐메테인, 다이아미노다이페닐설폰 등을 들 수 있다.
이러한 경화제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 경화제 중에서는, 경화 반응성(신뢰성)을 고려하면, 바람직하게는 페놀 수지를 들 수 있고, 경화 후의 봉지용 시트의 강도와 경화 반응성의 균형을 고려하면, 더욱 바람직하게는 바이페닐아르알킬 수지를 들 수 있다.
또한, 이러한 경화제의 배합 비율은, 혼련물 100질량부에 대하여, 예컨대 1 내지 20질량부, 바람직하게는 2 내지 10질량부이며, 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 예컨대 30 내지 130질량부, 바람직하게는 40 내지 120질량부이다.
또한, 경화제로서 페놀 수지를 이용한 경우, 페놀 수지는, 상기한 에폭시 수지의 에폭시기 1당량에 대하여, 페놀 수지의 하이드록실기의 당량수가, 예컨대 0.5 내지 2당량, 바람직하게는 0.8 내지 1.2당량이 되도록 첨가된다.
또한, 필요에 의해, 혼련물은, 경화제와 동시에 경화 촉진제를 함유한다.
경화 촉진제로서는, 예컨대 트라이페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄?테트라페닐보레이트 등의 유기 인계 화합물, 이미다졸계 화합물 등을 들 수 있다.
이러한 경화 촉진제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 경화 촉진제 중에서는, 유기 인계 화합물을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 테트라페닐포스포늄?테트라페닐보레이트를 들 수 있다.
경화 촉진제의 함유 비율은, 혼련물 100질량부에 대하여, 예컨대 0.01 내지 5질량부, 바람직하게는 0.05 내지 3질량부이다.
또한, 경화 촉진제의 함유 비율은, 경화제 100질량부에 대하여, 예컨대 0.5 내지 10질량부, 바람직하게는 1 내지 5질량부이다.
무기 충전제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 충전제 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 석영 유리, 탈크, 실리카(예컨대, 용융 실리카, 결정성 실리카 등), 알루미나, 질화알루미늄, 질화규소, 탄산칼슘(예컨대, 중질탄산칼슘, 경질탄산칼슘, 백염화(白艶華) 등), 산화타이타늄 등의 분말을 들 수 있다.
이러한 충전제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 충전제 중에서는, 경화 후의 봉지용 시트의 선팽창 계수의 저감을 고려하면, 바람직하게는 실리카 분말을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 용융 실리카 분말을 들 수 있다.
또한, 용융 실리카로서는, 예컨대 구 형상 용융 실리카 분말, 분쇄 용융 실리카 분말을 들 수 있고, 혼련물의 유동성을 고려하면, 바람직하게는 구상 용융 실리카 분말을 들 수 있다.
이러한 구상 용융 실리카 분말의 평균 입자 직경은, 예컨대 0.1 내지 40㎛, 바람직하게는 0.1 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 15㎛이다.
한편, 평균 입자 직경은, 예컨대 레이저 회절 착란식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.
충전제의 배합 비율은, 혼련물 100질량부에 대하여, 예컨대 60 내지 95질량부, 경화 후의 봉지용 시트의 선팽창 계수의 저감을 고려하면, 바람직하게는 70 내지 93질량부, 더욱 바람직하게는 85 내지 90질량부이다.
또한, 충전제의 배합 비율은, 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 예컨대 1000 내지 3000질량부, 바람직하게는 1300 내지 2500질량부이다.
또한, 혼련물에는, 봉지용 시트의 가요성의 향상을 고려하면, 가요성 부여제을 첨가할 수도 있다.
가요성 부여제는, 봉지용 시트에 가요성을 부여하는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 폴리아크릴산에스터 등의 각종 아크릴계 공중합체, 예컨대 폴리스타이렌-폴리아이소뷰틸렌계 공중합체, 스타이렌아크릴레이트계 공중합체 등의 스타이렌 골격을 갖는 엘라스토머, 예컨대 뷰타다이엔 고무, 스타이렌-뷰타다이엔 고무(SBR), 에틸렌-아세트산바이닐코폴리머(EVA), 아이소프렌 고무, 아크릴로나이트릴 고무 등의 고무질 중합체 등을 들 수 있다.
이러한 가요성 부여제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 가요성 부여제 중에서는, 혼련물의 내열성 및 강도를 고려하면, 바람직하게는 스타이렌 골격을 갖는 엘라스토머를 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 폴리스타이렌-폴리아이소뷰틸렌계 공중합체를 들 수 있다.
가요성 부여제의 함유 비율은, 혼련물 100질량부에 대하여, 예컨대 30질량부 미만, 접착성 및 내열성을 고려하면, 바람직하게는 10질량부 미만, 더욱 바람직하게는 5질량부 미만이다.
또한, 혼련물에는, 상기 성분에 더하여, 상기한 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지(이하, 그 밖의 에폭시 수지라 함), 또한 필요에 따라, 난연제, 카본 블랙 등의 안료 등의 공지된 첨가제를 적절한 비율로 첨가할 수도 있다.
한편, 그 밖의 에폭시 수지를 첨가하는 경우, 그 밖의 에폭시 수지의 함유 비율은, 상기의 에폭시 수지 및 그 밖의 에폭시 수지의 총량 100질량부에 대하여, 예컨대 30질량부 미만, 봉지용 시트의 가요성을 고려하면, 바람직하게는 20질량부 미만이다.
이러한 혼련물을 조제하기 위해서는, 상기한 각 성분을 상기한 배합 비율에서 배합하여 용융 혼련한다.
용융 혼련하는 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 믹싱 롤, 가압식 니더, 압출기 등의 공지된 혼련기에 의해 용융 혼련하는 방법 등을 들 수 있다.
혼련 조건으로서는, 온도가, 상기한 각 성분의 연화점 이상이면 특별히 제한되지 않고, 예컨대 30 내지 150℃, 에폭시 수지의 열경화성을 고려하면, 바람직하게는 40 내지 140℃, 더욱 바람직하게는 60 내지 120℃이며, 시간이, 예컨대 1 내지 30분간, 바람직하게는 5 내지 15분간이다.
이에 의해서, 혼련물이 조제된다.
이러한 혼련물은 소성 가공됨으로써 봉지용 시트로서 조제된다. 구체적으로는, 용융 혼련 후의 혼련물을 냉각하지 않고 고온 상태대로 소성 가공함으로써 봉지용 시트가 조제된다.
이러한 소성 가공 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 평판 프레스법, T다이 압출법, 롤 압연법, 롤 혼련법, 인플레이션 압출법, 공압출법, 캘린더 성형법 등을 들 수 있다.
소성 가공 온도로서는, 상기한 각 성분의 연화점 이상이면 특별히 제한되지 않지만, 에폭시 수지의 열경화성 및 가공성을 고려하면, 예컨대 40 내지 150℃, 바람직하게는 50 내지 140℃, 더욱 바람직하게는 60 내지 120℃이다.
이상에 의하여, 봉지용 시트가 조제된다.
봉지용 시트의 두께는, 예컨대 100 내지 1500㎛, 바람직하게는 300 내지 1200㎛이다.
본 발명의 봉지용 시트는, 에폭시 수지나 무기 충전제를 함유하는 바니쉬를 필름 상 등에 도포하지 않고, 혼련물이 소성 가공되는 것에 의해 형성된다.
그 때문에, 무기 충전제의 배합 비율을 증가시킬 수 있고, 봉지용 시트의 성능의 향상을 충분히 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 봉지용 시트는, 다량의 가요성 부여제를 배합하지 않아도 충분한 가요성을 갖기 때문에, 그 접착성 및 내열성의 향상을 도모할 수 있다.
따라서, 본 발명의 봉지용 시트는 무기 충전제의 배합 비율을 증가시킬 수 있고, 또한 그 접착성 및 내열성의 향상을 도모할 수 있다.
이러한 봉지용 시트의 용도로서는, 예컨대 실장 기판 상의 전자 부품의 봉지를 들 수 있다. 전자 부품으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 반도체 소자, 콘덴서, 저항 소자 등을 들 수 있다.
상기의 봉지용 시트에 의한 실장 기판 상의 전자 부품의 봉지에서는, 봉지용 시트를 경화시킴으로써 전자 부품이 봉지된다. 이에 의해서, 전자 부품이 봉지된 전자 부품 장치가 제작된다.
상세하게는, 전자 부품 장치를 제작하기 위해서는, 도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 우선, 실장 기판(1) 상에 전자 부품(2)을, 실장 기판(1)의 접속용 전극부(도시하지 않음)와 전자 부품(2)의 접속용 전극부(도시하지 않음)가 전기적으로 연결되도록 설치한다.
실장 기판(1)으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 실리콘 웨이퍼, 유리 등으로 이루어지는 세라믹 기판, 예컨대 구리, 알루미늄, 스테인레스, 철 합금 등으로 이루어지는 금속 기판, 예컨대 폴리이미드, 유리-에폭시 등으로 이루어지는 플라스틱 기판 등을 들 수 있다.
이러한 실장 기판(1) 중에서는, 바람직하게는 유리-에폭시 등으로 이루어지는 플라스틱 기판(유리 에폭시 기판)을 들 수 있다.
전자 부품(2)으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 반도체 소자, 콘덴서, 저항 소자 등을 들 수 있다.
이어서, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 실장 기판(1)에 설치된 전자 부품(2) 상에, 봉지용 시트(3)를 배치한다.
그리고, 전자 부품(2)은, 봉지용 시트(3)가 소정 조건으로 프레스됨으로써 봉지용 시트(3)에 의해 피복되고, 봉지용 시트(3)는 전자 부품(2) 및 실장 기판(1)과 접착한다.
프레스 조건으로서는, 온도가, 예컨대 40 내지 120℃, 바람직하게는 50 내지 100℃이며, 압력이, 예컨대 50 내지 2500kPa, 바람직하게는 100 내지 2000kPa이며, 시간이, 예컨대 0.3 내지 10분간, 바람직하게는 0.5 내지 5분간이다.
또한, 봉지용 시트(3)와, 전자 부품(2) 및 실장 기판(1)의 밀착성 및 추종성의 향상을 고려하면, 바람직하게는 진공 조건 하에서 프레스한다.
이어서, 봉지용 시트(3)를, 도 1(c)에 나타낸 바와 같이, 대기압 하, 소정 조건에서 경화시켜, 봉지용 시트(3)를 봉지 수지층(4)으로서 형성시킨다. 그리고, 필요에 의해, 봉지 수지층(4)을 피복하는 다이싱 테이프를 봉지 수지층(4) 상에 접착한다.
경화 조건으로서는, 온도가, 예컨대 120 내지 220℃, 바람직하게는 150 내지 200℃이며, 시간이, 예컨대 10 내지 150분간, 바람직하게는 30 내지 120분간이다.
이상에 의하여, 봉지용 시트(3)를 경화시킴으로써 전자 부품(2)을 봉지하여 얻어지는 전자 부품 장치(5)가 제작된다.
이러한 전자 부품 장치(5)는 상기한 봉지용 시트(3)에 의해 봉지되어 있기 때문에, 봉지용 시트(3)와 전자 부품(2)의 접착성, 및 전자 부품 장치(5)의 내열성의 향상을 도모할 수 있다.
실시예
이하에, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 조금도 이들에 한정되는 것이 아니다.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1, 2
표 1에 나타내는 처방(단위: 질량%)에 있어서, 각 성분을 배합하고, 롤 혼련기에 의해 60 내지 120℃, 10분간 용융 혼련하여, 혼련물을 조제했다.
이어서, 수득된 혼련물을 평판 프레스법에 의해 시트 형상으로 형성시켜, 두께 500 내지 1000㎛의 봉지용 시트를 형성시켰다.
비교예 3
표 1에 나타내는 처방(단위: 질량%)에 있어서, 각 성분을 배합하고, 이것에 각 성분의 총량과 동량인 메틸에틸케톤을 첨가하여, 시트 코팅용 바니쉬를 조제했다.
이어서, 수득된 시트 코팅용 바니쉬를 콤마 코터에 의해 두께 50㎛의 폴리에스테르 필름 A(미쓰비시화학폴리에스터사제, MRF-10)의 박리 처리면 상에, 건조 후의 두께가 50㎛로 되도록 코팅하고, 건조시켰다.
이어서, 건조 후의 시트 코팅용 바니쉬를 끼워 넣도록, 두께 38㎛의 폴리에스테르 필름 B(미쓰비시화학폴리에스터사제, MRX-38)의 박리 처리면을 건조 후의 시트 코팅용 바니쉬 상에 접합시켜, 시트 형상 수지 조성물을 조제했다.
그 후, 폴리에스테르 필름 A 및 폴리에스테르 필름 B를 적절히 박리하면서, 롤 라미네이터에 의해 시트 형상 수지 조성물을 4장 적층함으로써 두께 200㎛의 봉지용 시트를 조제했다.
비교예 4
표 1에 나타내는 처방(단위: 질량%)에 있어서, 각 성분을 배합한 점 이외는, 비교예 3과 같이 하여, 봉지용 시트의 조제를 시도했다.
그 결과, 무기 충전제의 편석(偏析)이 발생하여 성막할 수 없어, 봉지용 시트를 조제할 수 없었다.
(평가)
수득된 각 실시예 및 각 비교예의 봉지용 시트에 대하여, 가요성 및 접착성 시험을 다음과 같이 실시했다.
(1) 가요성 시험
각 실시예 및 각 비교예의 봉지용 시트를 폭 60mm×길이 60mm로 잘라내고, 그 폭 방향 양단부를 파지하고, 천천히 90°구부려, 가요성을 하기의 기준에 의해 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
○: 90° 구부려도 깨어짐이 없었다.
△: 90° 구부리면 금이 갔다.
×: 90° 구부리면 깨어졌다.
(2) 접착성 시험
유리 에폭시 기판(폭 10mm×길이 40mm×두께 0.3mm)에 각 실시예 및 비교예의 봉지용 시트(폭 10mm×길이 40mm×두께 0.2mm)를 라미네이트했다.
이어서, 유리 에폭시 기판으로부터 밀려나온 부분의 봉지용 시트를 제거했다. 그리고, 봉지용 시트가 라미네이트된 유리 에폭시 기판을 90℃로 가열하고, 그 봉지용 시트에 3mm2×두께 0.625mm의 실리콘 칩을 탑재했다.
이어서, 봉지용 시트를 175℃, 1시간의 조건 하에서, 경화시켰다.
25℃ 또는 260℃에 있어서, 만능형 결합 테스터(데이지?재팬사제)에 의해 실리콘 칩의 측면으로부터 하중을 가하여, 실리콘 칩이 유리 에폭시 기판으로부터 탈리하는 하중을 측정했다.
한편, 평가 기준으로서는, 25℃에서, 하중이 6MPa 미만인 경우를 ×, 하중이 6 내지 10MPa인 경우를 △, 하중이 10MPa을 초과하는 경우를 ○로 했다.
또한, 260℃에서, 하중이 1MPa 미만인 경우를 ×, 하중이 1 내지 3MPa인 경우를 △, 하중이 3MPa을 초과하는 경우를 ○로 했다.
그 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00012
한편, 표 1의 약호 등을 이하에 나타낸다.
에폭시 수지 a: 상기 화학식 2로 표시되는 비스페놀 F형 에폭시 수지(에폭시 당량 200g/eq. 연화점 80℃)
에폭시 수지 b: 상기 화학식 5로 표시되는 4,4'-싸이오비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 170g/eq. 연화점 44℃)
에폭시 수지 c: 상기 화학식 8로 표시되는 4,4'-옥시비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 164g/eq. 연화점 83℃)
에폭시 수지 d: 하기 화학식 11로 표시되는 바이페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 193g/eq. 연화점 105℃)
[화학식 11]
Figure pat00013
에폭시 수지 e: 하기 화학식 12로 표시되는 에폭시 수지(에폭시 당량 244g/eq. 연화점 113℃)
[화학식 12]
Figure pat00014
에폭시 수지 f: 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지(DIC사제, EPICLON EXA-4850-150, 하이드록실기 당량 447g/eq. 액체)
에폭시 수지 g: 트라이페닐메테인형 에폭시 수지(니혼카야쿠사제, EPPN-501 HY, 하이드록실기 당량 169g/eq. 연화점 60℃)
페놀 수지 a: 바이페닐아르알킬 골격을 갖는 페놀 수지(메이와화성사제, MEH7851SS, 하이드록실기 당량 203g/eq. 연화점 67℃)
페놀 수지 b: 페놀노보락 수지(군에이화학공업사제, GS-200, 하이드록실기 당량 105g/eq. 연화점 100℃)
무기 충전제: 구 형상 용융 실리카 분말(덴키화학공업사제, FB-9454, 평균 입자 직경 20㎛)
경화 촉진제: 테트라페닐포스포늄?테트라페닐보레이트
가요성 부여제 a: 폴리스타이렌-폴리아이소뷰틸렌계 공중합체
가요성 부여제 b: 아크릴계 공중합체(조성: 뷰틸아크릴레이트:아크릴로나이트릴:글라이시딜메타크릴레이트 = 85:8:7(중량비))(중량 평균 분자량 80만)
한편, 상기 설명은, 본 발명의 예시의 실시 형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않아, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술분야의 당업자에 의해서 명백한 본 발명의 변형예는, 하기의 특허청구범위에 포함되는 것이다.

Claims (5)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지와 경화제와 무기 충전제를 혼련하여 얻어지는 혼련물을 소성 가공하는 것에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 봉지용 시트.
    [화학식 1]
    Figure pat00015

    (상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 동일 또는 상이하고, 메틸기 또는 수소 원자를 나타내고, X는 -CH2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 경화제가 바이페닐아르알킬 골격을 갖는 페놀 수지인 것을 특징으로 하는 봉지용 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 혼련물에 추가로 가요성 부여제가 혼련되어 있는 것을 특징으로 하는 봉지용 시트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가요성 부여제가 스타이렌 골격을 갖는 엘라스토머인 것을 특징으로 하는 봉지용 시트.
  5. 봉지용 시트를 경화시킴으로써 전자 부품을 봉지하여 얻어지는 전자 부품 장치로서,
    상기 봉지용 시트가, 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지와 경화제와 무기 충전제를 혼련하여 얻어지는 혼련물을 소성 가공하는 것에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품 장치.
    [화학식 1]
    Figure pat00016

    (상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 동일 또는 상이하고, 메틸기 또는 수소 원자를 나타내고, X는 -CH2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다.)
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