KR20120123300A - 임프린트 리소그래피 주형 - Google Patents

임프린트 리소그래피 주형 Download PDF

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KR20120123300A
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몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
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Abstract

나노 임프린트 리소그래피 공정 동안 유체를 퍼지할 수 있는 나노 임프린트 리소그래피 주형이 설명된다. 주형은 내부 채널 및 외부 채널을 포함할 수 있다. 내부 채널은 나노 임프린트 리소그래피 공정 동안 주형과 기판 사이의 영역에 공정 가스를 공급하는 공급원과의 유체 연통을 제공하도록 구성된다. 외부 채널은 유체를 소기시키고 및/또는 주형의 활성 영역과 기판 사이에 유체를 구속하도록 구성된다.

Description

임프린트 리소그래피 주형{IMPRINT LITHOGRAPHY TEMPLATE}
본 출원은 2009년 12월 10일 제출된 U.S. No. 61/285,367과 2010년 12월 9일 제출된 U.S. No. 12/964,081의 우선권을 주장하며, 이들은 모두 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다.
나노-제작은 100 나노미터 이하 정도의 특징부를 가진 초소형 구조의 제작을 포함한다. 나노-제작이 상당한 영향을 미치는 한 용도는 집적회로 가공 분야이다. 반도체 가공 산업은 생산성을 높이기 위해 계속 박차를 가하고 있는 한편, 기판 위에 형성되는 단위 면적당 회로의 수는 증가하고 있다. 따라서, 나노-제작은 점점 중요해지고 있다. 나노-제작은 형성되는 구조의 최소 특징부 치수를 계속 줄이면서 동시에 더욱 정밀한 공정 제어를 제공한다. 나노-제작이 사용되었던 다른 개발 분야들은 생물공학, 광학기술, 기계시스템 등을 포함한다.
요즘 사용되고 있는 전형적인 나노-제작 기술은 흔히 임프린트 리소그래피라고 불린다. 전형적인 임프린트 리소그래피 공정은 미국 특허공개 제2004/0065976호, 미국 특허공개 제2004/0065252호 및 미국 특허 제6,936,194호 등의 많은 공보들에 상세히 설명되며, 이들은 모두 본원에 참고자료로 포함된다.
상기 언급된 미국 특허공개 및 특허에 각각 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 중합성 층에 릴리프 패턴을 형성하는 것과 릴리프 패턴에 상응하는 패턴을 하부 기판에 전사하는 것을 포함한다. 기판은 모션 스테이지에 연결되며, 이로써 원하는 위치를 획득함으로써 패턴형성 공정을 촉진할 수 있다. 게다가, 기판은 기판 척에 연결될 수 있다. 패턴형성 공정은 기판과 이격되어 있는 주형 및 주형과 기판 사이에 적용되는 성형가능한 액체를 사용한다. 성형가능한 액체는 고화되어서 이 성형가능한 액체와 접촉된 주형의 표면 모양과 일치하는 패턴을 가진 단단한 층을 형성한다. 고화 후, 주형이 단단한 층으로부터 분리되어 주형과 기판이 이격된다. 다음에, 기판과 고화된 층에 추가의 공정을 행하여 고화된 층에 있는 패턴에 상응하는 릴리프 이미지를 기판에 전사한다.
본 발명의 특징 및 이점들이 상세히 이해될 수 있으며, 본 발명의 구체예에 대한 더 구체적인 설명은 첨부된 도면에 예시된 구체예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 그러나, 첨부된 도면은 본 발명의 전형적인 구체예를 예시할 뿐이며, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 생각되어서는 안 되고, 본 발명은 다른 동등하게 유효한 구체예들에 대해서도 인정될 수 있다는 것에 유념해야 한다.
도 1은 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 2는 패턴형성된 층이 위에 있는, 도 1에 예시된 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 3a 및 3b는 도 1의 시스템에서 사용되는 전형적인 주형의 한 구체예의 위에서 아래를 본 도면과 단순화된 측면도를 예시한다.
도 4a 및 4b는 도 2의 시스템에서 사용되는 전형적인 주형의 다른 구체예의 위에서 아래를 본 도면과 단순화된 측면도를 예시한다.
도 5는 유체가 통과해 흐르는 도 3b의 주형의 단순화된 측면도를 예시한다.
도면, 특히 도 1을 보면, 기판(12) 위에 릴리프 패턴을 형성하는데 사용되는 리소그래피 시스템(10)이 예시된다. 기판(12)은 기판 척(14)과 연결될 수 있다. 예시된 대로, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은, 제한되는 것은 아니지만, 진공, 핀-타입, 홈-타입, 정전기, 전자기 및/또는 기타 등등을 포함하는 어떤 척일 수 있다. 전형적인 척들이 미국특허 제6,873,087호에 설명되며, 이것은 본원에 참고자료로 포함된다.
기판(12)과 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해서 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x, y 및 z 축을 따라 병진 및/또는 회전 동작을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12) 및 기판 척(14)은 또한 베이스(미도시) 위에 위치될 수 있다.
주형(18)이 기판(12)과 이격되어 있다. 주형(18)은 제 1 측면과 제 2 측면을 가진 본체를 포함할 수 있으며, 한 측면은 거기서부터 기판(12) 쪽으로 연장된 메사(20)를 가진다. 메사(20)는 그 위에 패턴형성 표면(22)을 가진다. 메사(20)는 또한 몰드(20)라고도 할 수 있다. 또는 달리, 주형(18)은 메사(20) 없이 형성될 수 있다.
주형(18) 및/또는 몰드(20)는, 제한되는 것은 아니지만, 융합-실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 강화 사파이어 및/또는 기타 등등을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 예시된 대로, 패턴형성 표면(22)은 복수의 이격된 홈(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 한정된 특징부를 포함하지만, 본 발명의 구체예는 이러한 구성형태(예를 들어, 평면 표면)에 제한되지는 않는다. 패턴형성 표면(22)은 기판(12) 위에 형성될 패턴의 기초를 형성하는 어떤 원 패턴을 한정할 수 있다.
주형(18)은 척(28)에 연결될 수 있다. 척(28)은, 제한되는 것은 아니지만, 진공, 핀-타입, 홈-타입, 정전기, 전자기 및/또는 다른 유사한 척 타입으로 구성될 수 있다. 전형적인 척들이 미국특허 제6,873,087호에 더 설명되며, 이것은 본원에 참고자료로 포함된다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 연결될 수 있으며, 이로써 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 주형(18)의 움직임을 촉진하도록 구성될 수 있다.
시스템(10)은 유체 디스펜스 시스템(32)을 더 포함할 수 있다. 유체 디스펜스 시스템(32)을 사용하여 기판(12) 위에 성형가능한 재료(34)(예를 들어, 중합성 재료)를 놓을 수 있다. 성형가능한 재료(34)는 드롭 디스펜스, 스핀코팅, 딥코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD), 박막부착, 후막부착 및/또는 기타 등등과 같은 기술을 사용하여 기판(12) 위에 위치될 수 있다. 성형가능한 재료(34)는 설계 고려사항에 따라서 몰드(22)와 기판(12) 사이에 소정의 체적이 한정되기 전에 및/또는 한정된 이후에 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 성형가능한 재료(34)는 바이오-도메인, 태양전지 산업, 배터리 산업 및/또는 기능적 나노입자가 필요한 다른 산업들에서 용도를 가진 기능적 나노입자일 수 있다. 예를 들어, 성형가능한 재료(34)는 미국특허 제7,157,036호 및 미국 특허공개 제2005/0187339호에 설명된 모노머 혼합물을 포함할 수 있으며, 이들은 모두 본원에 참고자료로 포함된다. 또는 달리, 성형가능한 재료(34)는, 제한되는 것은 아니지만, 생물재료(예를 들어, PEG), 태양전지 재료(예를 들어, N-타입, P-타입 재료) 및/또는 기타 등등을 포함할 수 있다.
도 1 및 2를 보면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 보내도록 연결된 에너지원(38)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(30)와 스테이지(16)는 주형(18)과 기판(12)이 경로(42)와 겹쳐져 위치되도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 디스펜스 시스템(32) 및/또는 에너지원(38)과 통신하는 프로세서(54)에 의해서 조절될 수 있으며, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능한 프로그램으로 작동될 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16) 중 어느 하나, 또는 둘 모두는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변화시켜서 이들 사이에 소정의 체적을 한정할 수 있으며, 이 체적이 성형가능한 재료(34)로 채워진다. 예를 들어, 임프린트 헤드(30)가 주형(18)에 힘을 적용하여 몰드(20)가 성형가능한 재료(34)와 접촉될 수 있다. 소정의 체적이 성형가능한 재료(34)로 채워진 후, 에너지원(38)이 에너지(40), 예를 들어 자외선을 생성해서 성형가능한 재료(34)를 기판(12)의 표면(44) 및 패턴형성 표면(22)의 모양과 일치시켜 고화 및/또는 가교결합시키고, 이로써 기판(12) 위에 패턴형성된 층(46)이 한정된다. 패턴형성된 층(46)은 돌출부(50)와 홈(52)으로서 도시된 복수의 특징부 및 잔류 층(48)을 포함할 수 있으며, 돌출부(50)는 두께 t1을 갖고, 잔류 층은 두께 t2를 가진다.
전술된 시스템 및 공정은 미국특허 제6,932,934호, 미국특허 제7,077,992호, 미국특허 제7,179,396호 및 미국특허 제7,396,475호에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에도 또한 사용될 수 있으며, 이들은 모두 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다.
상기 언급된 공정 동안, 가스 퍼지(예를 들어, 이산화탄소 퍼지, He 퍼지 및/또는 기타)를 사용하여 주형(18)과 기판(12)의 계면에서 큰 분자 성분들을 대체할 수 있다. 이러한 큰 분자 성분들은 일반적으로 나노-임프린트 리소그래피 공정 동안 기판(12) 위에 형성된 패턴형성된 층(46)에 보이드 결함을 생성할 수 있다. 척 본체 디자인을 사용한 이러한 퍼지 도안 중 하나가 미국특허 제7,090,716호에 설명되며, 이것은 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다.
가스 퍼지는 퍼지 시간, 퍼지 가스의 전체적인 양, 및/또는 시스템(10)의 이웃한 성분들과의 상호작용을 제한하기 위한 제어된 공간 내에 퍼지 가스의 구속에 좌우될 수 있다. 효과적인 퍼지 장치로서 주형(18)은 퍼지 가스를 주형(18)과 기판(12) 사이의 계면에 분포시키기 위한 다수의 채널을 지닐 수 있다. 가스 소기를 위한 다수의 채널을 가진 주형이 미국특허 제7,462,028호에 설명되었으며, 이것은 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다. 여기 설명된 주형의 변형이 퍼지 및/또는 가스 구속을 위한 도안을 제공할 수 있다.
퍼지 및/또는 가스 구속을 위한 요소를 가진 나노 임프린트 리소그래피 주형이 본원에 설명된다. 주형은 퍼지된 가스의 분포 및 소기/구속을 위한 채널을 포함할 수 있다. 또는 달리, 또는 채널에 더해서, 주형은 가스의 분포 및 소기 및/또는 구속을 위한 하나 이상의 구멍을 포함할 수 있다. 도 3 및 4는 도 1의 시스템(10)에 사용되었을 때 주형과 기판(12)의 계면에서 유체(예를 들어, 퍼지 가스)의 분포를 제공하는 전형적인 주형(18a 및 18b)을 예시한다. 단순하게 하기 위해서 주형(18a)은 채널(60 및 62)의 사용을 예시하고, 주형(18b)은 구멍(64)의 사용을 예시한다. 그러나, 주형(18a) 또는 주형(18b)이 가스의 분포 및/또는 소기/구속을 위한 채널(60 및 62) 또는 구멍(64)을 포함하도록 변형될 수 있다는 것이 주지되어야 한다.
채널(60 및 62) 및/또는 구멍(64)의 디자인은 임프린팅 동안 주형(18a 또는 18b)과 기판(12) 사이의 분위기의 제어를 제공할 수 있다. 예를 들어, 채널(60 및 62) 및/또는 구멍(64)은 유체(예를 들어, 이산화탄소, He 등)의 통과 및 소기를 촉진할 수 있다. 한 구체예에서, 채널(60 및 62) 및/또는 구멍(64)은 실질적으로 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이에 실질적으로 균일한 부분적 진공을 제공할 수 있다.
주형(18a)은 본체(61)를 포함할 수 있다. 본체(61)는 제 1 표면(63)과 제 2 표면(65)을 포함할 수 있다. 주형(18a)은 홈부(59)를 포함할 수 있다. 홈부(59)는 본체(61)의 제 1 표면(63) 위에 위치될 수 있다.
또한, 본체(61)는 활성 영역(66)을 포함할 수 있다. 활성 영역(66)은 도 1 및 2와 관련해 설명된 대로 패턴형성 동안 중합성 재료(34)와 겹쳐져 위치되는 몰드(20)를 가진 영역 및/또는 주형(18a)의 다른 패턴형성 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 활성 영역(66)은 도 3b에 예시된 대로 본체(61)의 제 2 표면(65) 위에 위치된 몰드(20)를 포함할 수 있다.
채널(60)은 활성 영역(66)에 인접해 위치된 내부 채널일 수 있다. 채널(60)은 주형(18a)의 제 2 표면의 홈부일 수 있다. 예를 들어, 채널(60)은 주형(18a)의 활성 영역(66)을 둘러쌀 수 있다. 채널(60)은 깊이 d1, 길이 l1, 및 너비 w1을 가질 수 있다. 예를 들어, 한 구체예에서, 깊이 d1은 약 10-200㎛일 수 있고, 길이 l1는 약 5-50mm일 수 있고, 너비 w1은 약 5-50mm일 수 있다.
채널(60)은 원형, 원통형, 또는 어떤 상상할 수 있는 모양일 수 있다. 예를 들어, 도 3a에서, 채널(60)은 직사각형이다. 한 구체예에서, 길이 l1와 너비 w1의 치수는 기판(12) 위에 임프린트되는 영역의 치수보다 크도록 구성될 수 있다. 임프린팅 영역은 도 1 및 2와 관련해 더 설명되고 예시된다.
채널(60)은 입구(68) 및 소공(70)을 포함할 수 있다. 입구(68)는 공정 가스 공급원(미도시)과 유체 연통되는 채널(60)을 제공할 수 있다. 공정 가스 공급원은 산업 분야에 공지되어 있다. 입구(68)는 채널로부터 주형(18a)의 본체(61)를 통해 제 1 표면(63)까지 연장될 수 있다. 소공(70)은 본체(61)의 제 2 표면(65)에 홈부를 형성할 수 있다. 소공(70)은 주형(18)과 기판(12) 사이의 분위기와 유체 연통되는 채널(60)을 제공한다.
채널(62)은 활성 영역(64)으로부터 거리를 두고서 위치된 외부 채널일 수 있다. 채널(62)은 활성 영역(64)으로부터 거리 r1(예를 들어, 약 1-40mm)에 위치될 수 있다. 활성 영역(64)과 채널(62) 사이의 거리 r1은 임프린팅 동안 주형(18)의 활성 영역(64) 내에 유체가 구속될 수 있게 결정될 수 있다. 예를 들어, 거리 r1은 채널(62)이 퍼지된 가스를 소기시키는 것과 동시에 구속함으로써 실질적으로 활성 영역(66)과 기판(12) 사이에 유지될 수 있도록 결정될 수 있다. 한 구체예에서, 퍼지된 가스의 구속은 실질적으로 채널(62)의 원주 내에서 주형(18a)과 기판(12) 사이의 영역을 포함할 수 있다.
채널(62)은 깊이 d2 및 직경 di2를 가질 수 있다. 깊이 d2는 채널(60)의 깊이 d1과 실질적으로 유사할 수 있다. 또는 달리, 깊이 d2는 채널(60)의 깊이 d1과 상이할 수 있다. 채널(62)의 직경 di2는 약 40-100mm일 수 있다. 원형으로 예시되었지만, 채널(62)은, 제한되는 것은 아니지만, 삼각형, 직사각형 등을 포함하는 어떤 상상할 수 있는 모양일 수 있다. 채널(62)은 입구(72) 및 소공(74)을 포함할 수 있다. 입구(72)는 본체(61)의 제 1 표면(63)에서부터 제 2 표면(63)까지 연장될 수 있고, 시스템(10)의 폐기물 용기 및/또는 시스템(10)의 외부의 분위기와 유체 연통되는 채널(62)을 제공할 수 있다. 소공(74)은 본체(61)의 제 2 표면(65)의 홈부를 제공할 수 있으며, 주형(18)과 기판(12) 사이의 분위기와 유체 연통되는 채널(62)을 제공할 수 있다.
도 5는 도 3b에서 유체가 통과해 공급되는 것을 예시한다. 유체는 채널(60)의 입구(68)로 들어가서 채널(60)의 소공(70)을 통해 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이의 분위기로 보내진다. 유체는 채널(62)에 의해서 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이에 구속될 수 있다. 예를 들어, 유체는 채널(62) 쪽으로 보내져서 소공(74)을 통과해서 입구(76)를 향해 소기될 수 있으며, 이 지점에서 유체는 폐기물 용기에 제공될 수 있고 및/또는 시스템(10)의 외부의 분위기에 제공될 수 있다.
도 4a 및 4b는 주형(18b) 내의 구멍(64)을 예시한다. 하나 이상의 구멍(64)을 통해서 유체가 펄스되고 및/또는 소기될 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 예시된 구체예는 하나 이상의 구멍(64)을 더 포함할 수 있으며, 이로써 유체가 구멍(64)을 통해서 펄스되고, 이어서 채널(62)을 통해서 소기될 수 있다.
구멍(64)은 활성 영역(66)에 인접해 위치될 수 있고, 주형(18a)의 본체(61)를 통해서 제 1 표면(63)으로부터 제 2 표면(65)까지 연장될 수 있다. 유체는 채널(60)을 통해서 제공되고 구멍(64)을 통해서 펄스될 수 있다. 다음에, 잔류 유체가 채널(62)을 통해서 소기될 수 있다. 유체의 펄스는 활성 영역(66)을 가로질러 유체를 인출할 수 있다.
다른 구체예에서, 구멍(64) 및/또는 채널(60 및 62) 중 적어도 하나를 사용하여 연속적으로 유체를 분포시키고 소기시킬 수 있다. 예를 들어, 채널(60) 및/또는 구멍(64)의 첫 번째 부분은 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이의 영역에 유체를 분포시킬 수 있고, 이 지점에서 구멍(64)의 두 번째 부분 및/또는 채널(62)이 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이로부터 유체를 소기시킬 수 있다.

Claims (20)

  1. 제 1 표면 및 제 2 표면을 가진 본체;
    본체의 제 2 표면 위에 위치된 활성 영역;
    활성 영역에 인접해 위치된, 소공 및 입구를 가진 내부 채널로서, 소공이 본체의 제 2 표면에 홈 영역을 형성하고, 입구가 소공에서부터 본체의 제 1 표면까지 연장된 내부 채널; 및
    활성 영역으로부터 거리를 두고 위치된 외부 채널
    을 포함하는, 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  2. 제 1 항에 있어서, 활성 영역은 패턴형성된 영역을 가진 몰드를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 2 표면의 홈 영역은 본체의 활성 영역을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 채널은 직사각형인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 내부 채널의 입구는 공정 가스 공급원과 유체 연통된 내부 채널을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 소공은 본체의 제 2 표면에 인접한 분위기와 유체 연통된 내부 채널을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 홈 영역을 형성하는 외부 채널은 입구 및 소공을 포함하고, 외부 채널의 입구는 폐기물 용기와 유체 연통된 외부 채널을 제공하도록 구성되며, 외부 채널의 소공은 본체의 제 2 표면에 인접한 분위기와 유체 연통된 외부 채널을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 활성 영역과 외부 채널 사이의 거리는 외부 채널이 유체를 소기시키면서 동시에 임프린트 리소그래피 공정 동안 유체를 외부 채널의 원주 내에 구속하도록 구성된 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 본체를 통해 제 1 표면에서 제 2 표면까지 연장된 적어도 하나의 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  10. 임프린트 리소그래피 주형의 내부 채널에 유체를 제공하는 단계; 및
    유체를 주형의 활성 영역과 주형과 겹쳐져 위치된 기판 사이에 구속하는 단계
    를 포함하는, 제 1 항의 나노 임프린트 리소그래피 주형의 사용 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 구속 단계는 유체를 다른 채널을 통해 소기시키는 것을 포함하고, 다른 채널은 이 다른 채널이 유체를 소기시키면서 동시에 임프린트 리소그래피 공정 동안 다른 채널의 원주 내에 유체를 구속하도록 구성된 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 10 항 및 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 유체를 주형의 외부 채널을 통해 폐기물 용기로 보내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 유체를 주형의 외부 채널을 통해 주변 분위기 조건으로 보내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 적어도 하나의 구멍을 통해서 유체를 펄스하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 펄스 단계는 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 구멍의 첫 번째 부분 및 구멍의 두 번째 부분을 통해서 유체를 연속적으로 펄스하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 임프린트 리소그래피 주형의 내부 채널에 유체를 제공하는 단계는 내부 채널 및 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 구멍의 첫 번째 부분을 통해서 유체를 연속적으로 펄스하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 구멍의 두 번째 부분을 통해서 유체를 소기시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 10 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 구멍을 통해서 유체를 소기시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 1 표면 및 제 2 표면을 가진 본체;
    본체의 제 2 표면 위에 위치된 활성 영역;
    각 구멍이 본체의 제 2 표면에서부터 본체의 제 1 표면까지 연장된, 활성 영역 주위에 분포된 복수의 구멍들
    을 포함하는, 임프린트 리소그래피 주형.
  20. 제 19 항에 있어서, 복수의 구멍들은 주형의 활성 영역을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 주형.
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