KR20120121980A - 기판처리시스템 - Google Patents

기판처리시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20120121980A
KR20120121980A KR1020110039916A KR20110039916A KR20120121980A KR 20120121980 A KR20120121980 A KR 20120121980A KR 1020110039916 A KR1020110039916 A KR 1020110039916A KR 20110039916 A KR20110039916 A KR 20110039916A KR 20120121980 A KR20120121980 A KR 20120121980A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
abrasive
polishing
sand blasting
Prior art date
Application number
KR1020110039916A
Other languages
English (en)
Inventor
강진기
마재용
박홍진
이경호
Original Assignee
한솔테크닉스(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한솔테크닉스(주) filed Critical 한솔테크닉스(주)
Priority to KR1020110039916A priority Critical patent/KR20120121980A/ko
Publication of KR20120121980A publication Critical patent/KR20120121980A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명은 샌드 블라스팅을 이용하여 기판의 후면에 균일한 거칠기를 부여하는 기판처리시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리시스템은 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)하는 절단유닛과, 상기 웨이퍼 형태로 절단된 기판의 양면 중 적어도 일면에 연마재를 분사하여 샌드 블라스팅(sand blasting)하는 샌드 블라스팅 유닛과, 상기 샌드 블라스팅된 기판을 열처리하는 열처리 유닛과, 상기 열처리된 기판의 전면을 경면 연마하는 폴리싱(polishing) 유닛을 포함한다.

Description

기판처리시스템{System of manufacturing substrate}
본 발명은 반도체 소자용 기판을 제조하는 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고휘도 발광다이오드(LED)에 사용될 수 있는 기판을 제조하는 기판처리시스템에 관한 것이다.
발광다이오드(light emitting diode, LED)는 기존 조명용 광원(형광등, 백열등)과 비교하여 소비전력 대비 밝기가 우수하며, 부피가 작고, 두께가 얇고, 수은 등의 유해 물질이 포함되지 않는 장점이 있다. 그리고 발광다이오드는 방향성 광원으로 영역별 선택 조명이 가능하므로, 각종 조명, 신호등, 전광판 등에 이용되고 있다. 또한, 발광다이오드는 현재 휴대폰과 LCD 등의 디스플레이이의 백라이트유닛(back light unit, BLU)으로 널리 이용되고 있다.
특히, 1995년 청색 발광다이오드가 개발됨에 따라 모든 색상을 구현하는 것이 가능하게 된 이후, 3색 발광다이오드를 배합하여 원하는 색상의 빛을 구현할 수 있게 되어, 응용분야가 더욱 다양해지고 있다. 청색과 녹색 계열의 발광다이오드는 일반적으로 사파이어 기판 상에 GaN계 활성층을 에피(epi) 성장시켜 제조한다.
한편, 발광다이오드에 있어서, 가장 큰 문제점은 낮은 발광효율이다. 일반적으로 발광다이오드의 발광효율은 빛이 생성되는 효율(내부양자효율)과 생성된 빛이 소자 밖으로 방출되는 효율(외부광추출효율)로 구분된다. 발광다이오드의 고출력화를 위해서는 내부양자효율의 측면에서 활성층의 특성을 향상시키는 것도 중요하지만, 실제 발광효율을 높이기 위해서는 외부광추출효율을 증가시키는 것이 더욱 중요하다.
발광다이오드의 활성층에서 생성된 빛이 외부로 방출되는 데 있어서 가장 큰 장애요인은 발광다이오드 각 층간의 굴절률 차에 의한 내부 전반사(internal total reflection)이다. 이러한 내부 전반사에 의해 생성된 빛이 외부로 방출되는 빛은 생성된 빛의 20% 정도에 불과하다. 또한, 외부로 방출되지 못한 빛은 발광다이오드 내부를 이동하다가 열로 전환되어, 발광다이오드의 수명을 단축시키게 된다.
외부광추출효율을 향상시키기 위해서는 사파이어 기판 상에 형성되어 있는 반도체층(p-GaN층 또는 n-GaN층)의 표면의 거칠기를 증가시키거나, 사파이어 기판의 표면을 거칠게 하여 수 마이크로미터의 미세한 굴곡 패턴(groove pattern)을 형성시키는 방법이 연구되고 있다. 이와 같이 굴곡 패턴이 형성된 사파이어 기판을 PSS(patteren sapphire substrate)라고 한다. PSS 상에 GaN계 활성층을 에피 성장시키면 활성층의 휘도를 저감시키는 원인이 되는 전위(dislocation)의 밀도를 대폭 감소시킬 수 있고, 내부 전반사를 감소시킬 수 있어 발광다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
종래에 기판의 후면 표면 거칠기는 랩핑(lapping) 공정에서 결정된다. 랩핑 공정은 단결정 사파이어 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)한 후, 웨이퍼의 두께 편차를 줄이고 표면 거칠기를 부여하는 공정이다. 이러한 랩핑 공정은 양면 랩핑 공정으로 진행되는데, 랩핑 공정을 통해 원하는 표면 거칠기를 갖도록 하기 위해서는, 공정 시간이 길어질 뿐 아니라, 랩핑 공정에서 사용하는 연마재의 다량 사용문제와 폐기물의 과다 발생문제가 있으며, 균일한 표면 거칠기를 만드는데도 어려움이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 후면에 균일한 거칠기가 부여되는 기판처리시스템을 제공하는 데에 있다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 기판처리시스템은 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)하는 절단유닛과, 상기 웨이퍼 형태로 절단된 기판의 양면 중 적어도 일면에 연마재를 분사하여 샌드 블라스팅(sand blasting)하는 샌드 블라스팅 유닛과, 상기 샌드 블라스팅된 기판을 열처리하는 열처리 유닛과, 상기 열처리된 기판의 전면을 경면 연마하는 폴리싱(polishing) 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 샌드 블라스팅은 SiC, B4C, CeO2, SiO2, Al2O3 및 금속 입자 중 적어도 하나를 포함하여 이루어진 연마재를 이용하여 수행될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 연마재는 0.25MPa ~ 0.35MPa의 압력으로 분사되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 연마재 입자의 지름은 50μm ~ 100μm인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 샌드 블라스팅을 통해 기판의 후면에 균일한 거칠기를 부여할 수 있다. 그리고 샌드 블라스팅에 의해 기판의 후면에 거칠기를 부여하는 공정은 종래 양면 랩핑 공정에 의해 기판의 후면에 거칠기를 부여하는 공정에 비해 공정 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 샌드 블라스팅 공정은 종래의 양면 랩핑 공정에서 사용되는 고가의 연마재가 사용되지 않으므로, 기판 제조시 생산 원가를 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템의 개략적인 구성도이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 블라스팅 유닛의 개략적인 구성도이다.
도 4는 블라스팅 유닛에서 기판을 블라스팅 하는 모습을 표현한 도면이다.
도 5는 본 실시예에 따른 기판처리시스템으로 기판을 처리하는 과정을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 샌드 블라스팅 가공 전, 가공 후, 열처리 가공 후의 사파이어 웨이퍼의 형상을 나타낸 개략도이다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판처리시스템의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템의 개략적인 구성도이며, 도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 블라스팅 유닛의 개략적인 구성도이며, 도 4는 블라스팅 유닛에서 기판을 블라스팅 하는 모습을 표현한 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리시스템(100)은 절단 유닛(10)과, 랩핑 유닛(20)과, 열처리 유닛(30)과, 폴리싱 유닛(40)과, 샌드 블라스팅 유닛(50)을 포함한다.
절단 유닛(10)은 잉곳을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)하는 것으로, 이때 잉곳은 사파이어, LiTaO3 및 LiNbO3 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 그리고, 절단 유닛으로는 와이어 쏘(wire saw) 또는 멀티 와이어 쏘(multi wire saw) 등이 채용가능하다.
랩핑 유닛(20)은 웨이퍼 형태로 절단된 기판의 양면을 랩핑 하는 장치이다. 이 랩핑 유닛으로는 종래 기술에 언급된 바와 같은 형태, 즉 슬러리(slurry)를 공급하면서 기판에 연마부(연마정반)를 접촉시켜서 기판을 랩핑 하는 형태의 장치가 채용될 수 있다.
열처리 유닛(30)은 기판을 가열하여 기판에 축적된 데미지(응력)를 해소하기 위한 장치이다.
폴리싱 유닛(40)은 기판을 폴리싱 즉 경면연마하기 위한 장치이다.
상기한 절단 유닛(10), 랩핑 유닛(20), 열처리 유닛(30) 및 폴리싱 유닛(40)은 이미 널리 알려진 공지의 장치이므로, 구체적인 구성에 관해서는 설명을 생략한다.
샌드 블라스팅 유닛(50)은 기판으로 연마재를 분사하여 기판에 균일한 거칠기를 부여하기 위한 것으로, 본 실시예의 경우 샌드 블라스팅 유닛(50)은 테이블(51)과, 저장부(52)와, 분사부(53)와, 회수부(54)와, 필터부(55)를 포함한다.
테이블(51)은 기판이 안착되는 곳이다. 본 실시예의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 테이블(51)에는 다수의 기판(w)이 안착되며, 안착된 기판은 진공흡착 방식에 의해 테이블(51)에 고정된다. 그리고, 이 테이블(51)은 회전 가능하게 설치된다.
저장부(52)는 연마재가 저장되는 공간으로, 연마재로는 SiC, B4C, CeO2, SiO2, Al2O3, 금속 입자 및 이들의 조합이 이용될 수 있으며, 연마재 입자의 지름은 50μm ~ 100μm인 것이 바람직하다.
분사부(53)는 저장부에 저장된 연마재를 기판으로 분사하기 위한 것으로, 노즐 형태로 구성된다. 이 분사부(53)는 테이블에 안착된 기판으로부터 10~20 cm 정도 떨어진 위치에서, 0.25MPa ~ 0.35MPa의 압력으로 연마재를 분사하는 것이 바람직하며, 이러한 조건 즉 연마재 입자의 종류 및 크기, 분사거리 및 분사압력은 기판의 표면거칠기를 최적화하기 위한 것이다. 한편, 도 4에 도시된 바와 같이 테이블이 회전하는 상태에서, 분사부(53)는 왕복 운동을 하면서 기판으로 연마재를 분사하며, 샌드 블라스팅 효율을 높이기 위해 다수의 분사부가 구비될 수 있다.
회수부(54)는 기판으로 분사된 연마재를 회수하기 위한 것으로, 테이블의 하부에 설치된 펌프 등을 포함하여 구성될 수 있으며, 이 경우 기판으로 분사된 연마재가 펌프로 유입될 수 있도록 테이블에는 관통공(연마재의 유동경로)(도면 미도시)이 형성될 수 있다.
필터부(55)는 회수된 연마재 중 파쇄된 연마재 입자를 분리하기 위한 것이다. 즉, 샌드 블라스팅 과정 중 연마재가 기판에 부딪히면서 파쇄될 수 있는데, 필터부는 이와 같이 파쇄된 연마재 입자를 필터링 한다. 이 필터부는 다양한 형태로 구성될 수 있다. 예를 들어, 일정 크기를 가지는 다수의 구멍이 형성된 망을 이용하여, 기준크기 이하의 입자와 기준크기 이상의 입자를 서로 분리할 수 있다. 또한, 원심력을 이용하여 기준크기 이하의 입자만 따로 분리되도록 필터부를 구성할 수도 있다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 필터부(55)에서 분리된 파쇄된 입자는 따로 보관(버려짐)되고, 파쇄되지 않은 입자만 다시 저장부(52)로 공급된다. 이때, 도 2에 도시된 바와 같이 파쇄된 입자의 양을 측정하여, 이 양만큼 새 연마재를 저장부(52)로 공급함으로써, 항상 일정한 양의 연마재가 기판으로 분사되도록 할 수 있다.
이하, 상술한 기판처리시스템을 이용하여 기판을 처리하는 과정에 관하여 설명한다. 도 5는 본 실시예에 따른 기판처리시스템으로 기판을 처리하는 과정을 나타내는 흐름도이며, 도 6은 샌드 블라스팅 가공 전, 가공 후, 열처리 가공 후의 사파이어 웨이퍼의 형상을 나타낸 개략도이다.
도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 먼저 절단 유닛에서 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)한다(S110). 그리고, 랩핑 유닛에서 절단된 기판을 양면 랩핑한다. 이 양면 랩핑 과정을 통해 기판의 두께 편차가 감소되어 균일한 두께의 기판이 되며, 잉곳 절단(S110)시 발생된 절단 흔적이 제거된다. 다만, 후술하는 바와 같이 양면 랩핑 단계(S120)는 필요에 따라 생략될 수 있다.
다음으로, 양면 랩핑된 기판을 샌드 블라스팅한다(S130). 샌드 블라스팅 단계(S130)는 기판의 양면 또는 일면에 대해 수행한다. 특히 기판의 후면을 샌드 블라스팅하며, 기판의 전면은 필요에 따라 샌드 블라스팅할 수 있다. 샌드 블라스팅 단계(S130)를 통해, 기판을 목적하는 두께가 되도록 하며, 기판의 후면을 원하는 거칠기가 되도록 한다.
샌드 블라스팅 단계(S130)에 대하여, 보다 더 구체적으로 설명하면, 랩핑 되어진 기판을 테이블에 장착하고, 150rpm이상 2400rpm이하의 일정 속도로 테이블을 회전시킨다. 동시에 분사부에서 일정 압력으로 연마재를 분사한다. 이때, 연마재 입자의 종류, 연마재 입자의 크기, 연마재 입자의 분사 압력, 분사부에서 나오는 연마재의 분사 범위 등의 조건과, 테이블의 회전 속도 등의 조건을 조절하면, 기판의 두께 및 기판의 거칠기를 조절할 수 있다. 바람직하게는, 샌드 블라스팅 가공 이후에 기판의 거칠기는 Ra 0.6μm ~ 1.2μm 정도가 되는 것이 바람직하다.
한편, 샌드 블라스팅 단계(S130)를 진행하기 앞서 사파이어 웨이퍼(즉, 기판)의 휨 현상을 확인한 후 +면과 -면을 구분을 해야 한다. 여기서, +면은 도 6의 (b),(c)에 도시된 바와 같이 볼록한 면을 뜻하며, -면은 오목한 면을 의미한다. 이는 샌드 블라스팅 가공시 휨 현상이 구분이 된 사파이어 웨이퍼의 -면에 연마재를 분사해야 하기 때문이다. 이하, 그 이유에 관하여 설명한다.
도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 사파이어 웨이퍼를 샌드 블라스팅(Sand Blasting)하면 가공된 면 쪽으로 볼록하게 휨 현상이 발생하며, 이를 열처리하여 응력을 낮추어주면 웨이퍼가 다시 평평해 진다.
그런데, 만약 도 6의 (b)와 같이 +면에 샌드 블라스팅을 하면 웨이퍼가 더욱더 휘어지게 되므로, 열처리를 통해 응력을 낮추어 주더라도 웨이퍼가 평평해 지는데 한계가 있어서, 웨이퍼가 어느 정도로 휘어진 상태로 남게 된다.
따라서, 도 6의 (c)와 같이 -면에 샌드 블라스팅을 하면 열처리를 통해 적절하게 응력을 회복시켜 웨이퍼를 평평하게 할 수 있다.
다음으로, 샌드 블라스팅된 기판을 열처리한다(S140). 샌드 블라스팅된 기판은 가공응력을 갖게 되고, 이 가공응력을 해소시킬 필요가 있는데, 이를 위해 열처리(S140)를 수행한다. 열처리 단계(S140)는 900 ~ 1600℃ 정도의 온도 범위에서 수행되는 것이 바람직하다. 열처리 단계(S140)는 샌드 블라스팅 단계(S130)에서 형성된 응력을 해소하기 위한 단계이다. 양면랩핑과 샌드 블라스팅 가공 시 생기는 표면응력을 해소하고, 웨이퍼의 휨을 최소하는 조건을 Etching 온도, 시간, 분위기의 조합으로 최적화하도록 한다. 즉, 열처리 단계를 통해 기판에 형성되어 있는 응력을 해소함으로써 휘어져 있는 기판을 평평하게 한다.
다음으로, 폴리싱 유닛을 이용하여 열처리된 기판의 모서리를 가공(edge grinding)(S150) 및 기판의 전면을 경면 연마한다(S160). 경면 연마 단계(S160)는 기판의 왁스 마운팅 공정(S161), 폴리싱(polishing) 공정 및 디마운팅 공정(S164) 순으로 이루어진다. 왁스 마운팅 공정(S161)은 세라믹 블록에 왁스를 이용하여 기판의 후면을 부착하는 공정이다. 그리고 폴리싱 공정은 기판의 전면을 경면으로 연마하는 공정으로, 다이아몬드 폴리싱(dia polishing) 공정(S162)과 패드 폴리싱(chemical mechanical polishing, CMP) 공정(S163)으로 구분된다. 다이아몬드 폴리싱 공정(S162)은 다이아몬드 연마재를 이용하여 기계적인 손상(mechanical damage)이나 거친 면을 제거하여 기판의 전면의 경면화가 시작되도록 하고, TTV(total thickness variation), LTV(local thickness variation)와 같은 평탄도(flatness)가 향상되도록 한다. 패드 폴리싱 공정(S163)은 다이아몬드 폴리싱 공정에서 발생한 손상을 제거하고, 기판의 전면의 마이크로스크래치(microscratch), 파티클(particle), 얼룩, 피트(pit) 등의 결함을 제거하며, 표면의 거칠기를 최소화하여 기판의 전면이 경면화되도록 한다.
상기 기판 경면 연마된 웨이퍼에서 얼룩이나 스크레치, 투명도 불량의 웨이퍼를 샌드 블라스팅 단계를 통해 샌드 블라스팅의 가공방법을 조절하여 양품화 시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는 샌드 블라스팅을 통해 기판의 후면에 거칠기를 부여하므로, 기판의 후면에 균일한 거칠기를 부여할 수 있다.
즉, 종래의 경우에는 양면랩핑 공정을 통해 기판의 표면 거칠기와 두께를 맞추었으나, 랩핑 가공으로 인해 연마재의 입자가 작아지므로 가공 중간에 수시로 연마재를 보충 또는 교환을 해야 한다. 따라서, 연마재 입자의 크기를 항상 일정한 수준으로 유지할 수 없으며(즉, 새로 보충된 큰 입자와 사용되고 있던 작은 입자가 공존하게 됨), 그 결과 표면 거칠기 두께를 정확하게 제어하는데 어려움이 있을 뿐 아니라, 연마재 사용량이 많아지게 되고 또한 공정 제조시간이 증가되면서 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다. 하지만, 본 발명에서는 연마재의 입자 크기와 연마재의 양이 일정한 수준으로 유지되므로, 웨이퍼의 표면 거칠기와 두께를 정확하게 가공할 수 있는 장점이 있다.
그리고 샌드 블라스팅의 조건을 적절히 선택하면, 기판의 후면의 거칠기의 정도를 용이하게 조절할 수 있다. 또한 샌드 블라스팅 공정은 종래의 양면 랩핑 공정에서와 같이 고가의 연마재가 사용되지 않으므로 생산 원가를 감소시킬 수 있다.
한편, 앞선 실시예에서는 랩핑 유닛을 구비하였으나, 랩핑 유닛을 구비하지 않을 수도 있다. 이 경우에는 샌드 블라스팅 공정으로 랩핑 공정을 대체한다. 즉, 절단 공정 후에 양면 랩핑 공정을 거치지 않고, 바로 기판의 양면을 샌드 블라스팅 함으로써, 기판의 두께를 균일하게 하고, 절단 흔적 제거와 동시에 균일한 거칠기 형성이 가능하게 된다. 이 경우, 종래의 양면 랩핑 공정을 통해 기판의 두께 균일 및 거칠기를 부여하는 것보다 시간을 감소시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

Claims (7)

  1. 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)하는 절단유닛;
    상기 웨이퍼 형태로 절단된 기판의 양면 중 적어도 일면에 연마재를 분사하여 샌드 블라스팅(sand blasting)하는 샌드 블라스팅 유닛;
    상기 샌드 블라스팅된 기판을 열처리하는 열처리 유닛; 및
    상기 열처리된 기판의 전면을 경면 연마하는 폴리싱(polishing) 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 샌드 블라스팅 이전에 상기 기판의 양면을 랩핑(lapping)하는 랩핑 유닛;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 연마재는 SiC, B4C, CeO2, SiO2, Al2O3 및 금속 입자 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 연마재는 0.25MPa ~ 0.35MPa의 압력으로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 연마재는 상기 기판으로부터 10~20cm 떨어진 위치에서 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 연마재 입자의 지름은 50μm ~ 100μm인 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 샌드 블라스팅 유닛은,
    상기 기판이 안착되며, 회전가능하게 설치되는 테이블과,
    상기 연마재가 저장되는 저장부와,
    상기 저장부에 저장된 연마재를 상기 기판으로 분사하는 분사부와,
    상기 기판으로 분사된 연마재가 회수되는 회수부와,
    상기 회수부로 회수된 연마재 중 파쇄된 연마재 입자를 분리하는 필터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
KR1020110039916A 2011-04-28 2011-04-28 기판처리시스템 KR20120121980A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110039916A KR20120121980A (ko) 2011-04-28 2011-04-28 기판처리시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110039916A KR20120121980A (ko) 2011-04-28 2011-04-28 기판처리시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120121980A true KR20120121980A (ko) 2012-11-07

Family

ID=47508307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110039916A KR20120121980A (ko) 2011-04-28 2011-04-28 기판처리시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120121980A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100517583C (zh) 化合物半导体器件晶片的制造方法及其制造的晶片和器件
JP5556657B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
KR101643342B1 (ko) 사파이어 기판 및 그 제조 방법
CN100594625C (zh) 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
US10818821B2 (en) Light extraction using feature size and shape control in LED surface roughening
JP4593890B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP2010114373A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2006179898A (ja) 窒化ガリウム半導体及びその製造方法
CN111599674A (zh) 复合衬底的刻蚀方法
US7074652B2 (en) Method for separating sapphire wafer into chips
JP2006066442A (ja) 半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
KR100550857B1 (ko) 드라이 에칭을 이용한 사파이어 웨이퍼의 분할 방법
KR101232716B1 (ko) 기판 제조방법
KR101097178B1 (ko) 나노 다이아몬드를 포함하는 표면 연마제 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 연마제, 그리고 이 연마제를 이용한 연마 방법
JP2003277194A (ja) 単結晶サファイア基板およびその製造方法
KR101139928B1 (ko) 기판 제조방법
CN105047769B (zh) 一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法
KR20120121980A (ko) 기판처리시스템
WO2012111868A1 (ko) 기판처리시스템
KR101292619B1 (ko) 기판 제조방법
KR20130027223A (ko) 기판 제조방법
KR101525614B1 (ko) 기판 제조방법
KR20130013577A (ko) 기판 제조방법
KR20130027224A (ko) 기판처리시스템
JP2013244563A (ja) サファイア基板及びその製造方法。

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application