KR20120117500A - 반도체 제조장치 및 제조방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 금속배선 공정에 적용될 수 있는 반도체 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다. 반도체 제조장치는 로드락 챔버와, 적어도 하나 이상의 공정 챔버와, 이송 챔버, 및 산화방지가스 공급부를 포함한다. 공정 챔버는 기판을 공급받아서 어닐링(annealing) 공정을 처리한다. 이송 챔버는 로드락 챔버와 공정 챔버 사이에서 기판을 이송한다. 산화방지가스 공급부는 이송 챔버와 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급한다.

Description

반도체 제조장치 및 제조방법{Apparatus and method manufacturing for semiconductor}
본 발명은 반도체 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 금속배선 공정에 적용될 수 있는 반도체 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다.
기존에는 반도체 금속배선 공정에서 사용되는 물질로 값싸고 특성 좋은 알루미늄을 사용하였지만, 반도체 소자의 더 빠른 신호전달 속도를 얻기 위해 구리를 사용하기 시작했다. 구리는 알루미늄보다 더 낮은 비저항 값을 가지며, 높은 일렉트로 마이그레이션(electro migration) 저항을 갖는다.
구리를 사용하는 배선 공정은, 웨이퍼 등의 기판 상에 도전층과 절연층을 차례로 적층한 후, 절연층을 관통하는 콘택트 홀(contact hole)을 형성하는 과정을 포함한다. 이후, 콘택트 홀의 내부를 구리로 매립한 후, 매립된 구리 표면을 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정에 의해 평탄화한다. 이후, 후속 공정을 진행하게 된다. 이때, 후속 공정의 서멀 버짓(thermal budget)에 의한 구리의 열팽창 및 경정성의 변화 등으로 인해, 구리의 콘택트 부분이 산처럼 부풀어오르는 현상이 발생한다. 이는 반도체 소자의 크랙 등으로 인한 불량을 야기하게 된다.
이러한 문제를 개선하기 위해, 구리의 CMP 공정 이후에 어닐링(annealing) 공정을 진행시켜 구리를 부피 팽창시킨 후, CMP 공정을 진행하게 된다. 그런데, 구리는 미량의 수분 및 산소에 의해서도 쉽게 산화되는 경향이 있다. 또한, 구리의 산화 정도는 고온일수록 더욱 심해지게 된다. 구리의 산화는 콘택트 저항의 증가로 이어져, 반도체 소자의 전력 사용 증가 및 신호전달 속도 감소 등의 문제를 발생시키게 된다.
본 발명의 과제는 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판에 대한 어닐링 공정 처리시 기판의 금속층 등의 산화를 방지할 수 있는 반도체 제조장치 및 제조방법을 제공함에 있다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조장치는, 로드락 챔버; 기판을 공급받아서 어닐링(annealing) 공정을 처리하는 적어도 하나 이상의 공정 챔버; 상기 로드락 챔버와 상기 공정 챔버 사이에서 기판을 이송하는 이송 챔버; 및 상기 이송 챔버와 상기 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하는 산화방지가스 공급부를 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 제조방법은, 이송 챔버와 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하면서, 기판을 상기 이송 챔버에 의해 상기 로드락 챔버로부터 공정 챔버로 반입하는 단계; 상기 공정 챔버로 반입된 기판에 대해 어닐링 공정처리하는 단계; 및 상기 이송 챔버와 상기 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하면서, 상기 공정 챔버에서 어닐링 공정처리된 기판을 상기 이송 챔버로 반출하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 이송 챔버와 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하면서, 기판을 어닐링 공정처리하는 공정 챔버로 반입 또는 반출하므로, 기판의 금속층 등의 산화를 방지할 수 있다. 따라서, 금속층의 콘택트 저항이 증가되지 않게 되며, 이에 따라 반도체 소자의 전력 사용 증가 및 신호전달 속도 감소 등의 문제가 방지되는 효과가 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조장치에 대한 구성도.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조장치에 대한 구성도.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 제조장치에 대한 구성도.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 제조장치에 대한 구성도.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 제조장치에 대한 구성도.
도 6은 도 4에 있어서, 냉각 모듈이 구비된 예를 도시한 구성도.
도 7은 도 1에 있어서, 공정 챔버의 일 예를 도시한 측단면도.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조장치에 대한 구성도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 제조장치(100)는 로드락 챔버(110), 적어도 하나의 공정 챔버(120), 이송 챔버(130), 및 산화방지가스 공급부(140)를 포함한다.
로드락 챔버(110)는 대기압 환경의 외부로부터 웨이퍼 등의 기판(10)이 공정 챔버(120)로 반입되기 전에 공정 챔버(120)의 진공 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판(10)을 수용하거나, 이송 챔버(130)로부터 기판(10)이 외부로 반출되기 전에 외부의 대기압 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판(10)을 수용하는 역할을 한다.
예컨대, 로드락 챔버(110)의 외부에는 기판 핸들링 모듈(101)이 설치될 수 있다. 이 경우, 기판 핸들링 모듈(101)은 프레임(102)과, 프레임(102)의 일 측벽에 위치된 기판 저장용기(103)들을 포함한다. 그리고, 프레임(102)의 내부에는 기판 저장용기(103)와 로드락 챔버(110) 간에 기판(10)을 이송하는 대기 로봇(atmospheric robot, 104)이 설치된다.
공정 챔버(120)는 기판(10)을 공급받아서 어닐링(annealing) 공정을 처리한다. 이때, 공정 챔버(120)로 공급되는 기판(10)에는 금속층이 형성될 수 있다. 여기서, 금속층은 기판(10)에 금속이 매립되어 형성될 수 있다. 예컨대, 기판 상에 도전층과 절연층이 차례로 적층된 후, 절연층을 관통하는 콘택트 홀(contact hole)이 형성된다. 콘택트 홀의 내부에 금속이 매립된 후, 매립된 금속 표면이 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정에 의해 평탄화된다. 이 과정을 거쳐 금속 매립된 기판(10)이 공정 챔버(120)로 공급될 수 있다. 매립 금속은 구리(Cu)가 이용될 수 있다.
공정 챔버(120)는 복수 개로 구비되어 이송 챔버(130)의 둘레에 배치될 수 있다. 또한, 로드락 챔버(110)는 공정 챔버(120)들 사이에서 이송 챔버(130)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 반도체 제조장치(100)는 클러스터 시스템으로 구성될 수 있다. 공정 챔버(120)들은 모두가 어닐링 공정을 처리하도록 구성될 수 있다. 다른 예로, 공정 챔버(120)들 중 적어도 어느 하나가 어닐링 공정을 처리하며, 다른 공정 챔버(120)는 CMP 공정 등을 처리하도록 구성되는 것도 가능하다.
이송 챔버(130)는 로드락 챔버(110)와 공정 챔버(120) 사이에서 기판(10)을 이송하기 위한 것이다. 이송 챔버(130)는 로드락 챔버(110)로부터 공정 챔버(120)로 기판(10)을 반입시키거나, 공정 챔버(120)로부터 로드락 챔버(110)로 기판(10)을 반출시킨다. 이송 챔버(130)는 내부가 진공 상태로 이루어지며, 내부에 설치된 진공 로봇(vacuum robot, 131)에 의해 기판(10)을 이송할 수 있다.
산화방지가스 공급부(140)는 로드락 챔버(110)로 산화방지가스를 공급한다. 즉, 산화방지가스 공급부(140)는, 기판(10)이 로드락 챔버(110)에 있을 때, 로드락 챔버(110)로 산화방지가스로 공급하여 기판(10)의 금속층 등의 산화를 방지한다.
예컨대, 금속층이 구리로 형성된 경우라면, 산화방지가스는 수소(H2) 가스 또는 수소를 포함한 가스로 이루어질 수 있다. 수소 가스는 로드락 챔버(110)의 내부 공기에 포함된 산소 또는 수분과 반응함으로써, 산소 또는 수분이 구리와 반응하여 구리의 산화를 방지한다. 즉, 수소 가스는 환원제 역할을 한다. 구리의 산화가 방지되면, 콘택트 저항이 증가되지 않게 되며, 이에 따라 반도체 소자의 전력 사용 증가 및 신호전달 속도 감소 등의 문제가 방지될 수 있다.
한편, 산화방지가스 공급부(140)는, 공정 챔버(120)로 기판(10)이 반입될 때, 로드락 챔버(110)로 산화방지가스를 공급할 수 있다. 공정 챔버(120)는 어닐링 공정을 처리하기 때문에 고온 상태에 놓이게 된다. 로드락 챔버(110)로 산화방지가스가 공급되고 있는 상태에서, 공정 챔버(120)의 슬롯 밸브가 기판(10) 반입을 위해 열리기 때문에, 반입 전의 기판(10)이 공정 챔버(120)의 고온에 노출되더라도 산화방지가스에 의해 기판(10)의 금속층 등의 산화가 방지될 수 있다.
또한, 산화방지가스 공급부(140)는, 공정 챔버(120)로부터 기판(10)이 반출될 때, 로드락 챔버(110)로 산화방지가스를 공급할 수 있다. 로드락 챔버(110)로 산화방지가스가 공급되고 있는 상태에서, 공정 챔버(120)의 슬롯 밸브가 기판(10) 반출을 위해 열리기 때문에, 반출 후의 기판(10)이 공정 챔버(120)의 고온에 노출되더라도 산화방지가스에 의해 기판(10)의 금속층 등의 산화가 방지될 수 있다.
다른 예로, 도 2에 도시된 바와 같이, 산화방지가스 공급부(140)는 이송 챔버(130)로 산화방지가스를 공급할 수 있다. 산화방지가스 공급부(140)는, 기판(10)이 이송 챔버(130)에 있을 때, 또는 공정 챔버(120)로부터 기판(10)이 반입될 때, 또는 공정 챔버(120)로부터 기판(10)이 반출될 때, 이송 챔버(130)로 산화방지가스로 공급하여 기판(10)의 금속층 등의 산화를 방지한다.
다른 예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 산화방지가스 공급부(140)는 이송 챔버(130)뿐 아니라 공정 챔버(120)로 산화방지가스를 공급하도록 구성될 수 있다. 이 경우, 공정 챔버(120)로 기판(10)이 반입되거나 공정 챔버(120)로부터 기판(10)이 반출될 때, 산화방지가스 공급부(140)는 이송 챔버(130)와 공정 챔버(120)로 산화방지가스를 동시에 공급할 수 있다.
따라서, 공정 챔버(120)로 기판(10)이 반입되거나 공정 챔버(120)로부터 기판(10)이 반출될 때, 기판(10)의 금속층 등의 산화를 방지하는 효과가 높아질 수 있다. 또한, 공정 챔버(120)에서 기판(10)이 어닐링 공정처리될 때, 산화방지가스 공급부(140)는 공정 챔버(120)로 산화방지가스를 공급할 수 있다. 따라서, 기판(10)의 어닐링 공정처리 중에, 기판(10)의 금속층의 산화를 방지하는 효과가 높아질 수 있다.
다른 예로, 도 4에 도시된 바와 같이, 산화방지가스 공급부(140)는 로드락 챔버(110)와 공정 챔버(120)로 산화방지가스를 공급하도록 구성될 수 있다. 이 경우, 공정 챔버(120)로 기판(10)이 반입되거나 공정 챔버(120)로부터 기판(10)이 반출될 때, 산화방지가스 공급부(140)는 로드락 챔버(110)와 공정 챔버(120)로 산화방지가스를 동시에 공급할 수 있다.
물론, 도 5에 도시된 바와 같이, 산화방지가스 공급부(140)는 로드락 챔버(110)와 공정 챔버(120)와 이송 챔버(130) 모두에 산화방지가스를 공급하는 것도 가능하다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판(10)은 공정 챔버(120)로부터 반출된 후, 냉각 모듈(150)에 의해 냉각될 수 있다. 냉각 모듈(150)은 어닐링 공정처리 후의 기판(10)을 냉각하도록 이송 챔버(130)에 배치될 수 있다. 냉각 모듈(150)이 기판(10)을 냉각할 때, 산화방지가스 공급부(140)는 냉각 모듈(150)로 산화방지가스를 공급하여 기판(10)의 금속층 등의 산화를 방지함과 아울러 100℃ 이하로 냉각할 수 있다. 이때, 냉각 모듈(150)은 산화방지가스 공급부(140)로부터 산화방지가스를 직접적으로 공급받거나, 산화방지가스 공급부(140)로부터 로드락 챔버(110) 또는 이송 챔버(130)로 공급된 산화방지가스를 간접적으로 공급받을 수 있다. 물론, 냉각 모듈(150)은 로드락 챔버(110)에 배치되거나, 이송 챔버(130)와 로드락 챔버(110)에 모두 배치되는 것도 가능하다.
한편, 공정 챔버(120)로 기판(10)이 반입되거나 공정 챔버(120)로부터 기판(10)이 반출될 때, 이송 챔버(130)는 공정 챔버(120)의 내부 압력과 같거나 더 높은 내부 압력을 가질 수 있다. 따라서, 공정 챔버(120)로부터 이송 챔버(130)로 파티클 등의 유입이 방지됨으로써, 반입 전의 기판(10)과 반출 후의 기판(10)에 대한 파티클 오염을 최소화할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(120)는 서셉터(122)와 기판승강유닛(123)을 포함할 수 있다. 그리고, 공정 챔버(120)의 일측에는 산화방지가스 공급부(140)로부터 공급되는 산화방지가스가 유입되는 산화방지가스 유입구(120a)가 형성될 수 있다. 산화방지가스 유입구(120a)는 공급관에 의해 산화방지가스 공급부(140)와 연결됨으로써, 산화방지가스 공급부(140)로부터 산화방지가스를 공급받을 수 있다. 산화방지가스 유입구(120a)는 공정 챔버(120)의 측면에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 공정 챔버(120)의 상면 또는 하면에 형성되는 것도 가능하므로, 예시된 바에 한정되지 않는다.
서셉터(122)는 공정 챔버(121) 내에서 기판(10)을 상면에 얹어서 지지한다. 서셉터(122)는 히터를 내장하여 상면에 얹혀진 기판(10)을 가열할 수 있다.
기판승강유닛(123)은 서셉터(122)로부터 기판(10)을 분리시키거나, 서셉터(122)로 기판(10)을 안착시킨다. 예컨대, 기판승강유닛(123)은 반송 로봇(131)에 의해 공정 챔버(121) 내로 반입되는 기판(10)을 전달받아서 서셉터(122) 상에 안착시킬 수 있게 한다. 또한, 기판승강유닛(123)은 서셉터(122) 상에 안착된 기판(10)을 서셉터(122)로부터 분리시켜 반송 로봇(131)에 의해 공정 챔버(121) 밖으로 반출할 수 있게 한다. 기판승강유닛(123)은 승강 동작하면서 기판(10)을 승강시키는 승강 핀(123a)과, 승강 핀(123a)을 승강 구동시키는 승강 액추에이터(123b)를 포함할 수 있다.
전술한 구성의 공정 챔버(120)에서, 기판(10)에 대한 어닐링 공정이 완료된 후, 기판승강유닛(123)은 서셉터(122)로부터 기판(10)을 분리시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(10)은 서셉터(122)의 히터로부터 분리되어 1차적으로 냉각된 후, 공정 챔버(120)로부터 반출될 수 있다. 따라서, 기판(10)이 공정 챔버(120)로부터 반출될 때 기판(10)의 금속층 등의 산화를 방지하는 효과가 높아질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 이송 챔버(130)과 로드락 챔버(110) 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하면서, 기판(10)을 이송 챔버(130)에 의해 로드락 챔버(110)로부터 공정 챔버(120)로 반입한다. 이때, 기판(10)에는 금속층이 형성되며, 금속층은 구리가 매립되어 형성될 수 있다. 이 경우, 산화방지가스는 수소 가스 또는 수소 가스를 포함한 가스로 이루어질 수 있다. 이송 챔버(130) 및/또는 로드락 챔버(110)로 수소 가스가 공급되고 있는 상태에서, 기판(10)이 반입되므로 구리 산화가 방지될 수 있다.
공정 챔버(120)로 기판(10)을 반입하는 과정에서, 이송 챔버(130)과 로드락 챔버(110) 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급함과 동시에, 공정 챔버(120)로 산화방지가스를 공급할 수 있다. 이에 따라, 구리 산화를 방지하는 효과가 높아질 수 있다. 또한, 공정 챔버(120)로 기판(10)을 반입하는 과정에서, 이송 챔버(130)의 내부 압력을 공정 챔버(120)의 내부 압력과 같거나 더 높도록 설정할 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(120)로부터 이송 챔버(130)로 파티클 등의 유입이 방지됨으로써, 반입 전의 기판(10)에 대한 파티클 오염이 최소화될 수 있다.
이어서, 공정 챔버(120)로 반입된 기판(10)에 대해 어닐링 공정처리한다. 기판(10)에 대해 어닐링 공정처리할 때, 공정 챔버(120)로 산화방지가스를 공급할 수 있다. 이에 따라, 기판(10)에 대한 어닐링 공정처리 과정에서 구리 산화를 방지하는 효과가 높아질 수 있다. 또한, 기판(10)에 대해 어닐링 공정을 완료한 후, 서셉터(122) 상에 안착된 기판을 서셉터(122)로부터 분리시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(10)은 서셉터(122)의 히터로부터 분리되어 1차적으로 냉각된 후, 공정 챔버(120)로부터 반출되므로, 기판 반출시 구리 산화를 방지하는 효과가 높아질 수 있다.
기판(10)에 대한 어닐링 공정을 완료한 후, 이송 챔버(130)과 로드락 챔버(110) 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하면서, 공정 챔버(120)에서 어닐링 공정처리된 기판(10)을 이송 챔버(130)로 반출한다. 이송 챔버(130)로 기판(10)을 반출하는 과정에서, 이송 챔버(130)과 로드락 챔버(110) 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급함과 동시에, 공정 챔버(120)로 산화방지가스를 공급할 수 있다. 이에 따라, 구리 산화를 방지하는 효과가 높아질 수 있다.
그리고, 공정 챔버(120)로부터 기판(10)을 반출하는 과정에서, 이송 챔버(130)의 내부 압력을 공정 챔버(120)의 내부 압력과 같거나 더 높도록 설정할 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(120)로부터 이송 챔버(130)로 파티클 등의 유입이 방지됨으로써, 반입 후의 기판(10)에 대한 파티클 오염이 최소화될 수 있다. 또한, 공정 챔버(120)로부터 기판(10)을 반출하는 과정에서, 이송 챔버(130) 및/또는 로드락 챔버(110)에 배치된 냉각 모듈(150)에 의해 기판(10)을 냉각하며, 산화방지가스를 냉각 모듈(150)로 공급하여 구리 산화를 방지할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
10..기판 110..로드락 챔버
120..공정 챔버 122..서셉터
130..이송 챔버 140..산화방지가스 공급부
150..냉각 모듈

Claims (18)

  1. 로드락 챔버;
    기판을 공급받아서 어닐링(annealing) 공정을 처리하는 적어도 하나 이상의 공정 챔버;
    상기 로드락 챔버와 상기 공정 챔버 사이에서 기판을 이송하는 이송 챔버; 및
    상기 이송 챔버와 상기 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하는 산화방지가스 공급부;
    를 포함하는 반도체 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산화방지가스 공급부는, 상기 공정 챔버로 기판이 반입되거나 상기 공정 챔버로부터 기판이 반출될 때, 상기 이송 챔버와 상기 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 산화방지가스 공급부는 상기 공정 챔버로 산화방지가스를 공급하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 산화방지가스 공급부는, 상기 공정 챔버로 기판이 반입되거나 상기 공정 챔버로부터 기판이 반출될 때, 상기 이송 챔버와 상기 로드락 챔버 중 적어도 한쪽과 상기 공정 챔버로 산화방지가스를 동시에 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 이송 챔버는, 상기 공정 챔버로 기판이 반입되거나 상기 공정 챔버로부터 기판이 반출될 때, 상기 공정 챔버의 내부 압력과 같거나 더 높은 내부 압력을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 산화방지가스 공급부는, 상기 공정 챔버에서 기판이 어닐링 공정처리될 때, 상기 공정 챔버 내부로 산화방지가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 공정 챔버는,
    기판을 지지 및 가열하는 서셉터와, 상기 서셉터로부터 기판을 분리시키거나 상기 서셉터로 기판을 안착시키는 기판승강 유닛을 포함하며;
    상기 공정 챔버에서 어닐링 공정은 완료한 후, 상기 기판승강 유닛은 상기 서셉터로부터 기판을 분리시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 이송 챔버와 상기 로드락 챔버 사이에는 어닐링 공정처리 후의 기판을 냉각하기 위한 냉각 모듈을 더 포함하며;
    상기 냉각 모듈이 기판을 냉각할 때, 상기 산화방지가스 공급부는 상기 냉각 모듈로 산화방지가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에는 금속층이 형성되어 있으며, 상기 금속층은 구리(Cu)로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 산화방지가스는 수소(H2) 가스 또는 수소를 포함하는 가스로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  11. 이송 챔버와 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하면서, 기판을 상기 이송 챔버에 의해 상기 로드락 챔버로부터 공정 챔버로 반입하는 단계;
    상기 공정 챔버로 반입된 기판에 대해 어닐링 공정처리하는 단계; 및
    상기 이송 챔버와 상기 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급하면서, 상기 공정 챔버에서 어닐링 공정처리된 기판을 상기 이송 챔버로 반출하는 단계;
    를 포함하는 반도체 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    기판에 대해 어닐링 공정처리하는 단계는, 상기 공정 챔버로 산화방지가스를 공급하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    기판을 상기 공정 챔버로 반입하거나 상기 공정 챔버로부터 반출하는 단계에서, 상기 이송 챔버와 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급함과 동시에 상기 공정 챔버로 산화방지가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    기판을 상기 공정 챔버로 반입하거나 상기 공정 챔버로부터 반출하는 단계에서, 상기 이송 챔버의 내부 압력을 상기 공정 챔버의 내부 압력과 같거나 더 높도록 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
  15. 제11항에 있어서,
    기판에 대해 어닐링 공정을 완료한 후, 서셉터 상에 안착된 기판을 상기 서셉터로부터 분리시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    기판을 상기 공정 챔버로부터 반출하는 단계는, 상기 이송 챔버와 상기 로드락 챔버 사이에서 냉각 모듈에 의해 기판을 냉각하는 과정을 더 포함하며;
    기판을 냉각하는 과정에서, 산화방지가스를 상기 냉각 모듈로 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
  17. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에는 금속층이 형성되어 있으며, 상기 금속층은 구리(Cu)로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 산화방지가스는 수소(H2) 가스 또는 수소를 포함하는 가스로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
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