KR20070046411A - 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체제조방법 - Google Patents

히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 제조방법에 대한 것이다. 본 발명은 웨이퍼가 탑재된 로딩포드; 상기 로딩포드에서 이송되어 온 웨이퍼를 정렬하는 얼라이너; 상기 얼라이너에서 이송되어 온 웨이퍼 또는 공정이 완료된 웨이퍼가 탑재되는 카세트가 구비된 로드락챔버; 상기 로드락챔버에서 이송되어 온 웨이퍼를 가열하는 히팅챔버; 상기 히팅챔버에서 이송되어 온 웨이퍼에 대한 공정이 진행되는 공정챔버; 상기 로딩포드, 상기 얼라이너 및 상기 로드락챔버 상호간에 웨이퍼를 이송하는 제1 로봇; 상기 로드락챔버, 상기 히팅챔버 및 상기 공정챔버 상호간에 웨이퍼를 이송하는 제2 로봇;을 포함하는 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치를 제공한다. 이와 같은 본 발명의 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치에 의하면, 쿨링스테이션 대신 히팅챔버를 도입하여 공정 진행 전에 웨이퍼를 충분히 가열함으로써 웨이퍼 표면에 증착용 물질을 보다 안정되게 증착시킬 수 있고, 공정챔버에서의 공정시간을 단축시킬 수 있으며, 불필요한 쿨링스테이션 설치에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.
로드락챔버, 공정챔버, 히팅챔버, 로봇

Description

히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 제조방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS HAVING HEATING CHAMBER AND MAKING METHOD USING IT}
도 1은 종래의 증착용 반도체 제조장치의 개략적인 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치의 개략적인 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100,102; 로딩포드 202; 제1 로봇
204; 얼라이너 300,302; 로드락챔버
402; 제2 로봇 502,504,506; 공정챔버
600; 히팅챔버
본 발명은 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 증착용 물질이 웨이퍼의 표면에 보다 안정되게 증착되고 공정시간을 단축시킴으로써 전체 공정효율을 향상시킬 수 있는 히팅 챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩은 웨이퍼 표면에 박막을 증착하는 공정, 에칭하는 공정, 세정공정 및 건조공정 등 여러 단계의 공정을 거쳐서 제조되며, 웨이퍼는 상기 공정을 실시하기에 가장 적합한 조건에 놓이게 된다. 예컨대, 에칭이나 증착공정은 물리적, 화학적인 방법으로 이루어는데, 웨이퍼와 에칭 소오스(etching source)또는 증착용 물질간의 반응을 활성화시키기 위해 웨이퍼를 적정한 온도로 가열한다.
가열된 웨이퍼는 해당 공정이 완료된 후 공정 전의 상태로 냉각되어 후속처리된다. 이때, 웨이퍼는 액상 또는 기상의 냉매를 사용하여 냉각될 수 있으며, 웨이퍼의 급격한 온도 변화를 방지하기 위해 일반적으로 기체 상태의 냉매가 사용된다.
이하, 도 1을 참조하여 웨이퍼의 표면에 모노실란(monosilane)(SiH4; 이하, 'MS'라 함) 또는 다이클로로실란(diclorosilane)(SiH2Cl2; 이하, 'DCS'이라 함)을 증착하는 공정장치에 대하여 설명한다.
도 1은 종래의 증착용 반도체 제조장치의 개략적인 구성도이다.
도 1은 종래의 증착용 반도체 제조장치 중 GENUS 설비에 대한 것으로서, 이에 도시된 바와 같이, 종래의 증착용 반도체 제조장치는 제1 및 제2 로딩포드(10,12)(loading pod), 얼라이너(24)(aligner), 제1 로봇(22)(first robot), 제1 및 제2 로드락챔버(30,32)(loadlock chamber), 제2 로봇(42)(second robot), 공정 챔버(52,54,56)(process chamber) 및 쿨링스테이션(60)(cooling station)으로 이루어진다.
제1 로딩포드(10) 및 제2 로딩포드(12)에 탑재되어 있는 웨이퍼는 제1 로봇(22)에 의해 얼라이너(24)로 이송되어 정렬된다.
얼라이너(24)에서 정렬을 마친 웨이퍼는 제1 로봇(22)에 의해 로드락챔버(30,32)로 이송된다. 로드락챔버(30,32)에는 엘리베이터(미도시)가 구비되어 있고 엘레베이터에는 카세트(미도시)가 장착되어 있다.
제1 로봇(22)이 웨이퍼를 하나씩 이송하여 제1 로딩포드(10) 및 제2 로딩포드(12)에 있는 웨이퍼를 모두 제1 및 제2 로드락챔버(30,32) 내의 카세트로 이송하면 로드락챔버의 도어(미도시)가 닫힌다. 제1 및 제2 로드락챔버의 도어를 닫히고 난 후, 불순물이 들어가지 않도록 공기를 뽑아내어 로드락챔버(30,32)를 진공상태로 만든다
이후, 제2 로봇(42)이 로드락챔버의 카세트에 탑재된 웨이퍼를 공정챔버(52,54,56)로 이송하며, 공정챔버(52,54,56)에서는 소정의 공정이 진행되는데, 공정이 완료되면 MS 또는 DCS가 웨이퍼 표면에 증착된다.
이때, MS 또는 DCS가 웨이퍼에 잘 증착되도록 하기 위해서는 공정챔버(52,54,56)로 이송되어 온 웨이퍼를 550℃~750℃ 정도로 가열하여야 한다. 왜냐하면 웨이퍼의 표면에 MS나 DCS를 증착시키기 전에 웨이퍼를 가열해주면 증착용 물질이 웨이퍼의 표면과 더욱 활발하게 반응하여 보다 안정된 상태로 증착되기 때문이다.
공정챔버(52,54,56)에서 약 4~5 분 정도 공정이 실시된 후 공정이 완료되면, 제2 로봇(42)은 공정이 완료된 웨이퍼를 쿨링스테이션(60)으로 이송하게 되고, 쿨링스테이션(60)에서 웨이퍼는 공정 전의 온도로 냉각된다.
쿨링스테이션(60)에서 냉각된 웨이퍼는 제2 로봇(42)에 의해 로드락챔버(30,32)로 이송되고, 모든 웨이퍼가 이송되어 로드락챔버(30,32) 내의 카세트에 탑재되면 제1 로봇(22)이 웨이퍼를 로딩포드(10,12)로 이송한다.
그러나, 이와 같이 구성된 종래의 증착용 반도체 제조장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
즉, 공정챔버에서 증착용 물질이 증착되기 이전에 웨이퍼를 1분 정도 고온에서 가열한 후 증착공정을 실시하므로 각 공정챔버에서 웨이퍼를 가열하는 시간만큼 공정시간이 길어지게 되어 전체적인 공정효율이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시킬 필요가 있으나, 로드락챔버 내의 엘리베이터가 종래의 쿼츠(quartz)재질이 아닌 금속재질로 되어 있으므로 공정이 완료된 웨이퍼를 이송하는 과정 특히, 로드락챔버 내의 카세트에 웨이퍼를 탑재하는 과정에서 충분히 냉각됨에도 불구하고 별도의 전용 쿨링장치인 쿨링스테이션을 구비하여 냉각해줌으로써 비용상승 및 쿨링에 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 히팅챔버를 도입함으로써 웨이퍼가 공정챔버로 이송되기 이전에 충분히 가열되도록 하여 공정챔버에서의 공정시간을 단축시킬 수 있고 웨이퍼의 표 면에 보다 안정하게 증착용 물질을 증착시킬 수 있는 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 웨이퍼가 이송되는 과정, 특히 로드락챔버에서 다수매의 웨이퍼가 탑재되는 동안 웨이퍼가 충분히 냉각된다는 점을 고려하여 별도의 쿨링스테이션을 제거함으로써 불필요한 장치를 제거하여 비용을 절약하고 웨이퍼를 쿨링시키는데 소요되는 시간적 로스를 제거할 수 있는 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 구비한 반도체 제조방법을 제공하는 데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼가 탑재된 로딩포드;상기 로딩포드에서 이송되어 온 웨이퍼를 정렬하는 얼라이너; 상기 얼라이너에서 이송되어 온 웨이퍼 또는 공정이 완료된 웨이퍼가 탑재되는 카세트가 구비된 로드락챔버; 상기 로드락챔버에서 이송되어 온 웨이퍼를 가열하는 히팅챔버; 상기 히팅챔버에서 이송되어 온 웨이퍼에 대한 공정이 진행되는 공정챔버; 상기 로딩포드, 상기 얼라이너 및 상기 로드락챔버 상호간에 웨이퍼를 이송하는 제1 로봇; 상기 로드락챔버, 상기 히팅챔버 및 상기 공정챔버 상호간에 웨이퍼를 이송하는 제2 로봇;을 포함하는 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치를 제공한다.
바람직하게는, 상기 히팅챔버에는 열선이 매설된 히터블록 또는 히팅자켓이 구비되어 있으며, 상기 히팅챔버에서 1회에 히팅 가능한 웨이퍼의 최대 매수는, 상기 공정챔버의 갯수와 대응된다.
또한, 본 발명은 로딩포드에 웨이퍼가 탑재되는 단계; 상기 로딩포드에 탑재 된 웨이퍼가 제1 로봇에 의해 인출되어 얼라이너에서 정렬되는 단계; 상기 얼라이너에서 정렬된 웨이퍼가 상기 제1 로봇에 의해 로드락챔버의 카세트에 탑재되는 단계; 상기 로드락챔버의 카세트에 탑재된 웨이퍼가 제2 로봇에 의해 인출된 후 히팅챔버에서 가열되는 단계; 상기 히팅챔버에서 가열된 웨이퍼가 상기 제2 로봇에 의해 공정챔버로 이송되어 소정의 공정이 진행되는 단계; 상기 공정챔버에서 공정이 완료된 웨이퍼가 상기 제2 로봇에 의해 상기 로드락챔버의 카세트에 탑재되는 단계; 및 상기 로드락챔버에 탑재된 공정이 완료된 웨이퍼가 상기 제1 로봇에 의해 상기 로드포드에 탑재되는 단계;를 포함하는 히팅장치가 구비된 반도체 제조장치를 이용한 반도체 제조방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 히팅챔버에는 열선이 매설된 히터블록 또는 히팅자켓이 구비되어 있으며, 상기 히팅챔버에서 1회에 히팅 가능한 웨이퍼의 최대 매수는, 상기 공정챔버의 갯수와 대응된다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치의 개략적인 구성도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치는 제1 및 제2 로딩포드(100,102)(loading pod), 얼라이너(204)(aligner), 제1 로봇(202)(first robot), 제1 및 제2 로드락챔버(300,302)(loadlock chamber), 제2 로봇(402)(second robot), 히팅챔버(600) 및 공정챔버(502,504,506)(process chamber) 등으로 이루어진다.
MS 또는 DCS를 웨이퍼 표면에 증착하기 위한 장치에서는 로봇(202,402)이 두 개 구비된다. 그 중 제1 로봇(202)은 로딩포드(100,102), 얼라이너(204) 및 로드락챔버(300,302)에 웨이퍼를 이송하며, 제2 로봇(402)은 로드락챔버(300,302), 각 공정챔버(502,504,506) 및 히팅챔버(600)에 웨이퍼를 이송한다.
제1 로딩포드(100) 및 제2 로딩포드(102)에는 웨이퍼가 탑재되는데, 공정이 진행되기 전에는 제1 로봇(202)에 의해 로딩포드(100,102)에 탑재된 웨이퍼가 얼라이너(204)로 이송되고, 공정이 완료된 후에는 제1 로봇(202)에 의해 로드락챔버(300,302)에 탑재된 웨이퍼가 로딩포드(100,102)로 이송된다.
제1 로봇(202)에 의해 로딩포드(100,102)에서 얼라이너(204)로 웨이퍼가 이송되어 정렬되는데, 웨이퍼에 대한 소정의 공정을 진행하기 위해서는 웨이퍼가 반도체 제조장치의 지정된 위치에 정확하게 얼라인되어야 한다.
얼라이너(204)에서의 웨이퍼의 얼라인은 기준 위치를 인식할 수 있도록 웨이퍼의 일부를 평평하게 잘라낸 플랫존을 정렬함으로써 이루어진다. 웨이퍼가 카세트에 로딩 또는 언로딩되거나 이송되는 과정에서 웨이퍼의 플랫존이 지정된 위치에서 변경될 수 있으므로 대부분의 반도체 제조장비는 반도체 제조 공정을 진행하기 이전에 카세트에 수납된 웨이퍼의 플랫존을 정렬하는 작업을 수행한다.
얼라이너(204)에서 웨이퍼가 정렬되고 나면, 제1 로봇(202)은 로드락챔버(300,302)로 웨이퍼를 이송한다. 로드락챔버(300,302)는 통상적으로 제1 로드락챔버(300) 및 제2 로드락챔버(302)로 이루어진다.
공정챔버(502,504,506)로 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하는 시기에 로드락챔버 (300,302)는 프로세스챔버와 동일한 진공분위기를 형성하게 되나 로딩포드(100,102)에 탑재된 웨이퍼를 얼라이너(204)로 이송하거나 공정이 완료된 웨이퍼를 로딩포드(100,102)로 이송할 때에는 대기압 상태를 유지해야 한다.
로드락챔버(300,302)에는 엘리베이터(미도시)가 구비되어 있으며, 상기 엘리베이터에는 카세트(미도시)가 장착되어 있다. 상기 로드락챔버(300,302) 내의 엘리베이터는 금속재질로 되어 있어 열전도율이 높다. 따라서 고온에서 공정이 완료된 웨이퍼가 카세트에 탑재되는 과정에서 엘리베이터로 열전달이 일어나 웨이퍼가 자동적으로 냉각된다.
로드락챔버(300,302)에 탑재된 웨이퍼는 진공로봇인 제2 로봇(402)에 의해 히팅챔버(600)로 이송된다.
히팅챔버(600)에는 공정챔버(502,504,506)에서 통상적으로 사용되는 열선이 매설된 히터블록 또는 다수매의 웨이퍼를 가열할 수 있는 히팅자켓이 구비되어 있다. 이때, 병목현상이 생기지 않도록 히팅챔버(600)에서 1회에 히팅할 수 있는 웨이퍼의 최대 매수는 공정챔버(502,504,506)의 수와 동일해야 한다.
종래의 기술과 달리 본 발명에서는, 공정챔버(502,504,506)가 아닌 별도의 히팅챔버(600)에서 웨이퍼를 가열함으로써, 공정챔버(502,504,506)에서의 웨이퍼 히팅 시간을 단축시킬 수 있어 공정효율성을 향상시킬 수 있고, 히팅챔버(600)에서 충분히 웨이퍼를 가열한 후 공정챔버(502,504,506)에서 증착공정을 진행하므로 보다 안정되게 MS 또는 DCS를 웨이퍼 표면에 증착시킬 수 있다
히팅챔버(600)에서 웨이퍼가 공정을 진행하기에 적합한 온도로 가열되면, 제 2 로봇(402)이 가열된 웨이퍼를 공정챔버(502,504,506)로 이송한다. 공정챔버(502,504,506)에서는 웨이퍼를 잠깐 동안 가열한 후 곧바로 증착공정이 실시된다.
본 발명의 실시예에서는, 공정챔버(502,504,506)가 3개 구비되어 있으므로, 히팅챔버(600)에서 가열된 웨이퍼는 3개의 공정챔버(502,504,506)로 각각 이송되고 각 공정챔버(502,504,506)에서는 동일한 공정이 진행된다.
한편, 공정이 완료된 웨이퍼는 별도의 냉각과정을 거치지 않고 제2 로봇(402)에 의해 곧바로 로드락챔버(300,302)로 이송된다. 로드락챔버(300,302) 내의 엘리베이터는 전술한 바와 같이 금속재질로 되어 있으므로 열전도율이 높다. 따라서 고온으로 가열되어 소정 공정이 진행된 웨이퍼가 로드락챔버(300,302) 내의 엘리베이터에 구비되어 있는 카세트에 모두 탑재되는 동안 열을 엘리베이터로 전달하여 충분히 냉각되므로 별도의 냉각장치를 거칠 필요가 없다.
이와 같이 본 발명에서는 종래 기술과 달리 불필요한 쿨링스테이션을 제거하고, 웨이퍼가 로드락챔버(300,302)에서 자연적으로 냉각되도록 함으로써 불필요한 설비에 소요되는 비용을 절감할 수 있고, 별도의 쿨링시간이 소요되지 않으므로 전체적인 공정효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 이와 같이 구성되는 본 발명의 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치를 이용한 반도체 제조방법에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다.
먼저, 제1 로딩포드(100) 및 제2 로딩포드(102)에 탑재되어 있는 미가공의 웨이퍼는 제1 로봇(202)에 의해 얼라이너(204)로 이송된다(S301).
얼라이너(204)에서 플랫존 정렬에 의해 웨이퍼가 정렬되고 나면, 제1 로봇 (202)은 얼라이너(204)에서 로드락챔버(300,302)로 웨이퍼를 이송한다(S303).
이때, 로드락챔버(300,302)로 이송된 웨이퍼는 로드락챔버(300,302) 내의 엘리베이터에 장착되어 있는 카세트에 탑재된다.
제1 로봇(202)에 의해 로딩포드(100,102)에 탑재된 웨이퍼가 얼라이너(204)에서 정렬된 후 모두 제1 로드락챔버(300) 및 제2 로드락챔버(302)로 이송되면 로드락챔버(300,302)의 도어가 닫히게 된다. 로드락챔버(300,302)의 도어가 닫히면 불순물이 들어가지 않도록 공기를 뽑아내어 로드락챔버(300,302)를 진공상태로 만든다
이후, 제2 로봇(402)이 로드락챔버(300,302)의 카세트에 탑재된 웨이퍼를 히팅챔버(600)로 이송한다(S305).
히팅챔버(600)로 이송된 웨이퍼는 소정 온도로 가열된 후, 제2 로봇(402)에 의해 공정챔버(502,504,506)로 이송되고(S307), 각 공정챔버(502,504,506)에서는 4분~5분 동안 증착공공정이 진행된다.
공정이 완료되면 웨이퍼의 온도는 보통 550℃~750 정도를 유지하게 되며, 제2 로봇(402)이 공정챔버(502,504,506)에서 로드락챔버(300,302)로 웨이퍼를 이송한다(S309). 제2 로봇(402)이 로드락챔버(300,302)에 웨이퍼를 탑재하는 동안 기이송된 웨이퍼는 엘리베이터에 열을 전달하게 되고 이에 의해 웨이퍼가 냉각된다.
공정을 마친 웨이퍼가 모두 공정챔버(502,504,506)에서 로드락챔버(300,302)로 이송되면, 로드락챔버(300,302) 내에 가스를 주입하여 상압으로 유지한다.
이후, 로드락챔버(300,302) 내의 웨이퍼는 제1 로봇(202)에 의해 로딩포드 (100,102)로 이송된다(S311).
이와 같은 본 발명의 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 제조방법에 의하면, 공정이 진행되기 전에 별도의 히팅챔버에서 웨이퍼를 가열함으로써 증착용 물질을 보다 안정되게 증착시킬 수 있고 공정챔버 내에서 웨이퍼가 공정되는 시간을 단축시킬 수 있으며, 무용지물이였던 쿨링스테이션을 제거하고 로드락챔버에서 웨이퍼가 자연적으로 냉각되도록 함으로써 반도체 공정의 전체 효율을 향상시킬 수 있다.
이상에서는 도면과 명세서에 최적 실시예를 개시하였다. 여기서는 설명을 위해 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미를 한정하거나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 한다.
본 발명에 의하면, 히팅챔버를 도입함으로써 웨이퍼가 공정챔버로 이송되기 전에 충분히 가열한 후 공정챔버로 이송하여 소정의 공정을 진행하므로 증착용 물질이 보다 안정되게 웨이퍼 표면에 증착되도록 할 수 있고, 공정챔버에서의 공정시간을 대폭 단축시킬 수 있어 전체적인 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 불필요한 쿨링스테이션 대신 히팅챔버를 도입함으 로써 불필요한 장치에 소요되는 비용을 절감할 수 있고, 별도의 냉각스테이션에서 웨이퍼를 냉각함으로 인해 발생하는 시간 로스를 방지할 수 있다.

Claims (6)

  1. 웨이퍼가 탑재된 로딩포드;
    상기 로딩포드에서 이송되어 온 웨이퍼를 정렬하는 얼라이너;
    상기 얼라이너에서 이송되어 온 웨이퍼 또는 공정이 완료된 웨이퍼가 탑재되는 카세트가 구비된 로드락챔버;
    상기 로드락챔버에서 이송되어 온 웨이퍼를 가열하는 히팅챔버;
    상기 히팅챔버에서 이송되어 온 웨이퍼에 대한 공정이 진행되는 공정챔버;
    상기 로딩포드, 상기 얼라이너 및 상기 로드락챔버 상호간에 웨이퍼를 이송하는 제1 로봇;
    상기 로드락챔버, 상기 히팅챔버 및 상기 공정챔버 상호간에 웨이퍼를 이송하는 제2 로봇;
    을 포함하는 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 히팅챔버에는 열선이 매설된 히터블록 또는 히팅자켓이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 히팅챔버에서 1회에 히팅 가능한 웨이퍼의 최대 매수는, 상기 공정챔버 의 갯수와 대응되는 것을 특징으로 하는 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치.
  4. 로딩포드에 웨이퍼가 탑재되는 단계;
    상기 로딩포드에 탑재된 웨이퍼가 제1 로봇에 의해 인출되어 얼라이너에서 정렬되는 단계;
    상기 얼라이너에서 정렬된 웨이퍼가 상기 제1 로봇에 의해 로드락챔버의 카세트에 탑재되는 단계;
    상기 로드락챔버의 카세트에 탑재된 웨이퍼가 제2 로봇에 의해 인출된 후 히팅챔버에서 가열되는 단계;
    상기 히팅챔버에서 가열된 웨이퍼가 상기 제2 로봇에 의해 공정챔버로 이송되어 소정의 공정이 진행되는 단계;
    상기 공정챔버에서 공정이 완료된 웨이퍼가 상기 제2 로봇에 의해 상기 로드락챔버의 카세트에 탑재되는 단계; 및
    상기 로드락챔버에 탑재된 공정이 완료된 웨이퍼가 상기 제1 로봇에 의해 상기 로드포드에 탑재되는 단계;
    를 포함하는 히팅장치가 구비된 반도체 제조장치를 이용한 반도체 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 히팅챔버에는 열선이 매설된 히터블록 또는 히팅자켓이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 히팅챔버에서 1회에 히팅 가능한 웨이퍼의 최대 매수는, 상기 공정챔버의 갯수와 대응되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
KR1020050103106A 2005-10-31 2005-10-31 히팅챔버가 구비된 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체제조방법 KR20070046411A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100977582B1 (ko) * 2008-03-12 2010-08-23 세메스 주식회사 반도체 제조 장비의 기판 정렬 과정에서 기판 이송 방법 및반도체 제조 장비

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